Теория спектров и релаксации возбуждений в кристаллах CsCdBr3 , активированных редкоземельными ионами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.02, кандидат физико-математических наук Исхакова, Альфия Ильдусовна

  • Исхакова, Альфия Ильдусовна
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2000, Казань
  • Специальность ВАК РФ01.04.02
  • Количество страниц 124
Исхакова, Альфия Ильдусовна. Теория спектров и релаксации возбуждений в кристаллах CsCdBr3 , активированных редкоземельными ионами: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.02 - Теоретическая физика. Казань. 2000. 124 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Исхакова, Альфия Ильдусовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Локальная структура примесных центров и динамика решетки кристаллов

СзСс1Вгз:1л13+.

1.1. Локальная структура симметричных димеров Ьп3+-вакансия Сс12+-Ьп3+.

1.2. Динамика решетки регулярного кристалла СэСсШгз.

1.3. Локальная динамика примесной решетки.

ГЛАВА 2. Штарковская структура спектров редкоземельных ионов в кристаллах

СвСсВгз.

2.1. Кристаллическое поле и энергетический спектр ионов Тш3+ в симметричных димерах в СзС(1Вгз: Тш3+.

2.2. Кристаллическое поле и энергетический спектр ионов Рг3+.

2.3. Штарковская структура уровней энергии и параметры кристаллического поля для ионов Но3+ в симметричных димерах в СзСёВг3:Но3+.

2.4. Модель кристаллического поля с переносом заряда и спектры ионов УЬ3+ в симметричных парных центрах в СбСсШ^УЬ

ГЛАВА 3. Сверхтонкая структура спектров ЭПР и оптических спектров редкоземельных ионов кристаллах СзСёВгз:Ьп

Ьп = Тш, Но, УЬ, Рг).

3.1 Субмиллиметровые спектры электронно-ядерных возбуждений в кристаллах

СзСс1Вгз:Тт3+.

3.2 Субмиллиметровые спектры электронно-ядерных возбуждений в кристаллах

СзСс1Вгз:Но3+.

3.3 Спектры ЭПР в кристаллах СзСаВг3:УЬ3.

3.4. Сверхтонкая структура спектров инфракрасного поглощения в кристаллах CsCdBr3:Pr3+.

ГЛАВА 4.

Глава 4. Релаксация возбуждений в активированных кристаллах CsCdBr3.

4.1. Однофононные переходы и релаксационное уширение линий оптического поглощения в кристаллах CsCdBr3:Pr3+.

4.2. Процессы спин-решеточной релаксации в кристаллах CsCdBr3:Yb3+.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Теоретическая физика», 01.04.02 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теория спектров и релаксации возбуждений в кристаллах CsCdBr3 , активированных редкоземельными ионами»

Актуальность темы исследования. Оптические спектры и динамика возбуждений в кристаллах СбСсШгз, активированных редкоземельными (РЗ) ионами, активно исследуются в последние годы во многих лабораториях как в России, так и за рубежом, с целью получения новых эффективных преобразователей инфракрасного излучения в излучение видимой и ближней ультрафиолетовой областей спектра.

Примесные РЗ ионы в СвСсИЗгз преобразуют инфракрасное излучение накачки в видимое излучение. Это явление связано с аккумулированием энергии возбуждения отдельных ионов на одном ионе (в частности, в парных центрах при возбуждении обоих ионов энергия с одного из ионов переносится на второй и высвечивается фотоном с частотой, близкой к суммарной частоте возбуждений изолированных ионов), и в англоязычной литературе его принято называть апконверсией (ирсопуешоп) [1-2]. (Теория апконверсии изложена в обзоре [3].) Кристаллы СзСёВг3:Ьп3+ могут быть использованы в качестве преобразователей излучения в красную, сине-зеленую и фиолетовую области видимого света.

Кристаллическая решетка СбСсВгз относится к пространственной группе Ббь4 и состоит из линейных цепочек октаэдров (СсШгб)"4, вытянутых вдоль тригональной оси; цепочки связаны между собой ионами Сб"1". Расстояние между двумя ионами Сс12+ в цепочке (3.361 А) более чем в два раза меньше расстояния между цепочками (7.675 А), так что структура имеет квазиодномерный характер. Точечная симметрия ионов Сс12+ -Оза- РЗ ионы Ьп замещают ионы Сс1 , могут образовываться центры с различными механизмами зарядовой компенсации. Было обнаружено, что примесные ионы образуют преимущественно парные центры, замещая три соседних иона Сс12+; при этом

-у I л . л | л . вакансия в узле Сс1 находится между РЗ ионами: [Ьп - вакансия Ссг - Ьп ], в результате образуется электрически нейтральный симметричный линейный димер, параллельный оси симметрии кристалла [1, 4, 5]. Оба редкоземельных иона в таком центре эквивалентны, расстояние между ними уменьшается от величины постоянной решетки (6.7 А) до ~ 6 А, точечная симметрия в позиции примесного иона понижается

ДО С3у

11

Таким образом, кристаллы СзСс1Вгз:Ьп представляют интерес для изучения парных взаимодействий Ьп3+-Ьп3+, поскольку примесные ионы находятся в относительно простом кристаллическом окружении.

Несмотря на широкое исследование кристаллов СзСёВгз:Ьп3+, в литературе отсутствует однозначная интерпретация оптических и ЭПР спектров, не проводился анализ структуры примесных редкозельных центров, нет удовлетворительной теории кристаллического поля и т.д., в то время как все это необходимо для установления механизмов преобразования излучения этими кристаллами.

Целью настоящей работы является теоретическая интерпретация структуры оптических центров, образуемых примесными РЗ ионами в кристаллах СэСёВгз; построение моделей кристаллического поля и электрон-фононного взаимодействия, необходимых для расчета спектра и динамики оптических и микроволновых возбуждений в кристаллах СзСс1Вгз:Ьп3+.

Конкретные задачи работы включают:

1) расчет локальной структуры примесных центров;

2) анализ кристаллического поля в рамках модели обменных зарядов;

3) построение модели динамики решетки регулярного и примесных кристаллов СвСаВгз;

4) расчет постоянных электрон-фононного взаимодействия и времен релаксации электронных и спиновых возбуждений.

Научная новизна и практическая ценность работы. Впервые рассмотрена динамика решетки кристаллов СэСсШгз и С$С(1Вгз:1,п3+. Предсказано появление нескольких локальных колебаний различной симметрии в активированных кристаллах, что качественно согласуется с наблюдаемой колебательной структурой оптических спектров.

Впервые проведен расчет спектра РЗ ионов в модели кристаллического поля, учитывающей квазирезонансное взаимодействие состояний 4/ п - оболочки с состояниями из полосы переноса заряда.

Результаты данной работы послужили основой постановки ряда новых экспериментов методами субмиллиметровой ЭПР и оптической спектроскопии. Экспериментальные и теоретические результаты, взаимно дополняющие друг друга, дали возможность однозначно идентифицировать спектры симметричных парных центров, что позволяет в дальнейшем провести исследование относительного содержания различных примесных центров в зависимости от полной концентрации активатора.

Построенная модель электрон-фононного взаимодействия может быть использована в расчетах вероятностей переноса энергии с участием возбуждений решетки.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены на III Международной конференции по /-элементам (Париж, 1996), на Итоговой конференции Казанского государственного университета (Казань, КГУ, 2000), на XXXII Совещании по физике низких температур (Казань, 2000) и опубликованы в 4 статьях.

Положения, выносимые на защиту

1. Результаты анализа данных измерений оптических и ЭПР спектров и релаксации возбуждений в кристаллах СвСёВгз, активированных РЗ ионами, в частности, а) вывод о формировании симметричных парных центров ионов Тш3+, Но3+, УЬ3+ с межионными расстояниями равными 5.943, 5.937, 5.962 А, соответственно; 7 b) полученные совокупности параметров кристаллического поля, описывающие штарковскую и сверхтонкую структуру спектров парных симметричных центров ионов Рг3+, Тт3+, Но3+, УЬ3+; c) заключение о природе уширения штарковских подуровней ионов Рг и о механизмах спин-решеточной релаксации в парных центрах УЬ3+.

2. Результаты расчета локальной структуры примесных центров.

3. Модели динамики решетки регулярных и примесных кристаллов СзСс1Вгз.

4. Методика расчета спектра редкоземельных ионов с учетом квазирезонансного взаимодействия состояний 4/" - оболочки с состояниями из полосы переноса заряда.

Похожие диссертационные работы по специальности «Теоретическая физика», 01.04.02 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Теоретическая физика», Исхакова, Альфия Ильдусовна

Основные результаты работы

1. По результатам анализа спектров ЭПР (с разрешенной сверхтонкой структурой) примесных центров в СзСс1Вгз:Ьп3+ (Ьп = Тт, Но, УЬ) показано, что примесные редкоземельные ионы образуют преимущественно симметричные димеры с расстояниями между ионами 5.943, 5.937, 5.962 а.

2. Вычислена локальная структура симметричных парных центров СбСсШгзгЬп (Ьп = Рг, Но, Тт, УЬ).

3. Построена модель динамики решетки регулярного кристалла СвСёВгз.

Л I 1 I

4. Построены модели локальной динамики кристаллов СэСсВгзгУЬ и СзСёВг3:Рг , из которых следует существенное перераспределение спектральной плотности фононов при образовании примесных центров; предсказано появление локальных колебаний вблизи границы спектра регулярной решетки.

5. С использованием модели обменных зарядов найдены параметры кристаллического поля симметричных димеров в кристаллах СзСс1Вгз:Ьп3+ (Ьп = Рг, Но, Тт, УЬ). Вычислены энергии штарковких расщеплений и сверхтонкая структура мультиплетов примесных ионов Тт3+, Рг3+, Но3+.

6. Впервые выполнен расчет штарковской структуры спектра иона иттербия в кристаллах СзСсШгз с учетом смешивания электронной оболочки 4/13 с состояниями из полосы переноса заряда, отвечающими переносу электрона с лигандов (из Ар -оболочки иона Вг") на 4/ - оболочку. Учет квазирезонансного взаимодействия конфигураций позволил снять противоречия между данными измерений и результатами расчетов в рамках общепринятой модели кристаллического поля для редкоземельных соединений.

Л I

7. Показано, что наблюдаемые ширины штарковких подуровней иона

Рг^ (в

•3 0 л мультиплетах Н5, Бг и Рз) определяются вероятностями однофононных

119 релаксационных процессов, существенно перенормированными вследствие перераспределения спектральных плотностей фононных корреляционных функций в примесной решетке.

8. Подтверждение существенного перераспределения спектральной плотности фононов в примесной решетке получено также из анализа спин-решеточной релаксации в кристаллах CsCdBr3'.Yb3+. Показано, что в температурном интервале 5-40 К времена спин-решеточной релаксации определяются, в основном, процессами комбинационного рассеяния и резонансной флюоресценции фононов, в то время как низкотемпературная релаксация (при температурах ~ 2 К) обусловлена прямыми переходами между подуровнями основного дублета.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Исхакова, Альфия Ильдусовна, 2000 год

1. Mujaji М., Jones G.D., Syme R.W. Site-selective spectroscopy of Ho3+ ions in CsCdBr3 crystals. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. № 2. P. 710-725.1. Or

2. Neukum J., Bodenschatz N., Heber J. Spectroscopy and upconversion of CsCdBr3:Pr . // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 6. P. 3536-3546.

3. Auzel F. Coherent emission in rare-earth materials, in: Handbook on Physics and Chemistry of the Rare-Earths. Gschneiner K.A., Eyring L. eds. Elsevier Science В. V., North-Holland, Amsterdam, 1996. V. 22. P. 507-606.

4. Murdoch K.M., Cockroft N.J. Energy-transfer processes between Tm3+ and Pr3+ ions in CsCdBr3. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. № 7. P. 4589-4603.

5. Тарасов В.Ф., Шакуров Г.С., Малкин Б.З., Исхакова А.И., Гебер И., Альтвайн М. Субмиллиметровые спектры элекронно-ядерных возбуждений в кристаллах CsCdBr3:Ln3+ (Ln = Tm, Но). // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. Вып. 7. С. 535-540.

6. Antic-Fidancev Е., Lemaitre-Blaise М., Chaminade J.P., Porcher P. Crystal-field effect in CsCdBr3:Pr3+. // J. Alloys Сотр. 1995. V. 225. P. 95-98.

7. McPherson G.L., McPherson A.M., Atwood J.L. Structures of CsMgBr3, CsCdBr3 and CsMgI3 diamagnetic linear chain lattices. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. V. 41. P. 495499.

8. Stedman G.E., Newman D.J. Force constant models of lattice vibrations in rare earth halides. // J. Phys. Chem. Solids. 1970. V. 31. P. 1587-1593.

9. Evans R.C. An Introduction to Crystal Chemistry. Cambridge Univ. Press, London and New York, 1964.

10. Henling L.M., McPherson G.L. EPR spectra of magnetically coupled pairs of Gd3+ ions in crystals of CsMgCl3, CsMgBr3 and CsCdBr3. // Phys. Rev. B. 1977. V. 16. № 11. P. 47564760.

11. Malkin B.Z., Leushin A.M., Iskhakova A.I., Heber J., Altwein M., Moller K., Fazlizhanovл .

12. I., Ulanov V.A. EPR and optical spectra in CsCdBr3:Yb . Energy level structure of ytterbium symmetrical pair centers. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. № 11. P. 7063-7070.

13. Hehlen M.P., Gudel H.U. Optical spectroscopy of the dimer system Cs3Yb2Br9. // J. Chem. Phys. 1993. V. 98. № 3. P. 1768-1775.

14. Борн M., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. М: И.И.Л, 1958. 408 с.

15. Kim Y.S., Gordon R.G. Ion-ion interaction potentials and their application to the theory of alkali halide and alkaline-earth dihalide molecules. // J. Chem. Phys. 1974. V. 60. № 11. P. 4332-4344.

16. Hehlen M.P., Kuditcher A., Rand S.C., Tischler M.A. Electron-phonon interactions in CsCdBr3:Yb3+. // J. Chem. Phys. 1997. V. 107. № 13. P. 4886-4892.

17. Pilla O., Cazzanelly E., Blanzat В., Andraud C., Pelle F. Comparative Raman Study of Phonon Linewidths in Pure and Lead-Doped CsCdBr3. // Phys. Stat. Sol. (b). 1987. V. 144. P. 845-851.

18. Tomblin C.W., Jones G.D., Syme R.W.G. Raman scattering and infrared absorption spectra of Co2+ ions in CsMgBr3 and CsCdBr3. // J. Phys. C. 1984. V. 17. № 24. P. 43454368.

19. Куркин И.Н., Орлинский С.Б., Лукоянов Д.А., Малкин Б.З., Исхакова А.И., Хебер И. Спин-решеточная релаксация димеров (Yb3+)2 в кристалле CsCdBr3. XXXII Совещание по физике низких температур. Тезисы докладов. Казань, 2000 г.

20. Shchur Ya., Kamba S., Petzelt J. Lattice dynamics simulation of Cs2CdBr4 crystal. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11. № 17. P. 3615-3628.

21. Воронко Ю.К., Ларионов А.Л., Малкин Б.З. Колебательная структура оптических спектров кристаллов CaF2-Tm2+, CaF2-Yb3+. // Оптика и спектр. 1976. Т. 40, № 1, С. 86-92.

22. Popova M.N., Shukalina E.P., Malkin B.Z., Iskhakova A.I., Porcher P., Antic-Fidancev E., Chaminade J.P. High resolution infrared absorbtion spectra and crystal field in CsCdBr3:Pr3+. // cond-mat, 0007318.

23. Das K.C., Raychauhuri A.K. Endor of quadrupole crystalline electric field at a Pr3+ ion. // J. Phys. C. 1973. Y. 6. № 8. P. 1385-1389.

24. Freeman A. J., Watson R.E. Theoretical investigations of some magnetic and spectroscopic properties of rare-earth ions. // Phys. Rev. 1962. V. 127. № 6. P. 2058-2075.

25. Clementi E., Roetti C. Atomic Data and Nuclear Data Tables. 1974. V. 14. № 3-4.

26. Ашкрофт H., Мермин H. Физика твердого тела. M: Мир, 1979. Т. 2. 424 с.

27. Heber J., Lange М., Altwein М., Malkin B.Z., Rodionova M.P. Local lattice structure, crystal field and energy level patterns in CsCdBr3:Tm3+ crystals. // J. Alloys Сотр. 1998. V. 275-277. P. 181-185.

28. Carnal W.T., Goodman G.L., Rajnak K., Rana R.S. Spectra of lanthanides in LaF3:Ln3+ crystals. // J. Chem. Phys. 1989. V. 90. № 7. P. 3443-3450.

29. Tanner P.A., Ravi Kanth Kumar Y.V., Jayasankar C.K., Reid M.F. Analysis of spectral data and comparative energy level parametrizations for Ln3+ in cubic elpasolite crystals. // J. Alloys Сотр. 1994. V. 215. P. 349-370.

30. Chaminade J.P., Macfarlane R.M., Ramaz F., Vial J.C. High resolution laser spectroscopy of rare earth doped CsCdBr3. // J. Lumin. 1991. V. 48-49. P. 531-535.

31. Ramaz F., Macfarlane R.M., Vial J.C., Chaminade J.P., Madeore F. Laser and zeeman spectroscopy of Pr3+:CsCdBr3; a simplified crystal field model. // J. Lumin. 1993. V. 55. P. 173-181.

32. Goller-Warland G., Binnemans K. Rationalization of crystal field parameterization, in: Handbook on Physics and Chemistry of the Rare-Earths. Gschneiner K.A., Eyring L. eds. Elsevier Science B. V., North-Holland, Amsterdam, 1996. V. 23. P. 121-283.

33. Malkin B.Z., Iskhakova A.I., Tarasov V.F., Shakurov G.S., Heber J., Altwein M. Submillimeter EPR spectroscopy of lanthanide compounds: Pair centers of Ho in CsCdBr3. // J. Alloys Comp. 1998. V. 275-277. P. 209-213.

34. Pelle F., Gardant N., Genotelle M., Goldner Ph., Porcher P. Optical properties of Eu2+ and laser site selective spectroscopy of Eu3+ in CsCdBr3- // J. Phys. Chem. Solids. 1995. V. 56. №. 7. P. 1003-1012.

35. Quagliano J.R., Cockroft N.J, Gunde K.E., Richardson F.S. Optical characterization and electronic energy-level structure of Er3+-doped CsCdBr3. // J. Chem. Phys. 1996. V.105. №22. P. 9812-9822.

36. Goldner Ph., Pelle F., Meichenim D., Auzel F. Cooperative luminescence in yterbium doped CsCdBr3. //J. Lumm. 1997. V. 71. P. 137-150.

37. Judd B.R. Charge transfer and crystal-field theory for rare-earth ions. // J. Phys. C. 1980. V. 13. №14. P. 2695-2701.

38. Ionova G., Krupa J.C., Gerard I., Guillaumont R. Systematics in electron-transfer energies for lanthanides and actinides. // New J. Chem. 1995. V. 19. P. 677-689.

39. Martin W.C., Zalubas R., Hagan L. Atomic Energy Levels The Rare-Earth Elements. NBS, Washington, 1978.

40. Luthi S.R., Gudel H.U., Hehlen M.P. Influence of the chemical environment on the electronic and spectroscopic properties of Er3+ doped CS3LU2CI9, Cs3Lu2Br9, and Cs3Y2I9. //J. Chem. Phys. 1999. V. 110. P. 12033-12043.

41. Moore C.E. Atomic Energy Levels. Nat. Stand. Ref. Data Ser., Nat. Bur. Stand. (US), 35, Washington, 1971. V. 1, 2, 3.124

42. Thomley J.H.M. Covalency in octahedrarry co-ordinated Yb3+. // Proc. Roy. Soc. Lond. 1996. V. 88. P. 325-332 .

43. Shakurov G.S., Tarasov V.F., Malkin B.Z., Iskhakova A.I., Kasatkina L.A., Heber J., Altwein M. Hyperfme structure of submillimeter EPR spectra of non-Kramers lanthanide ions in crystals. // Appl. Magn. Reson. 1998. V. 14. P. 415-426.

44. McCausland M.A.H., Mackenzie I.S. Nuclear magnetic resonance in rare-earth metals. // Adv. Phys. 1979. V. 28. № 3. P. 305-456.

45. Baker J.M., Hutchison C.A., Jr, Martineau P.M. Electron paramagnetic resonance of Tm3+ ions in lanthanide nicotinate dihydrates. // Proc. Roy. Soc. Lond. A. 1986. V. 403. P. 221233.

46. Baker J.M., Blake W.BJ., Coplande G.M. Endor of 171Yb3+ and 173Yb3+ on cubic sites in calcium fluoride. // Proc. Roy. Soc. Lond. A. 1969. V. 309. № 1496. P. 119-139.

47. Netz G. The magnetic hyperfme fields of rare-earth ions in metals. // Z. Phys. B. 1986. V. 63. P. 343-349.

48. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М.: Мир, 1973. Т. 1.351 с.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.