Теория ростового процесса молекулярных загрязнений и научные основы контроля чистоты поверхностей изделий индустрии высоких технологий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат наук Севрюкова, Елена Александровна

• Севрюкова, Елена Александровна
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Севрюкова, Елена Александровна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ПРОБЛЕМА КОНТРОЛЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТЕЙ ИЗДЕЛИЙ В ЧИСТЫХ ПОМЕЩЕНИЯХ ИНДУСТРИИ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ

1.1. Анализ отрицательного воздействия поверхностных молекулярных загрязнений на эксплуатационные характеристики изделий

1.2. Источники и способы переноса загрязнений

1.3. Методы измерения поверхностных загрязнений

1.4. Классификация уровней молекулярных загрязнений

ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ДИССЕРТАЦИИ

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА РОСТА МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ В ВОЗДУШНОМ ПОТОКЕ

2.1. Механизм коагуляции частиц

2.2. Разработка математической модели пространственно-однородного процесса коагуляции наночастиц

2.3. Компьютерное моделирование динамики роста воздушных молекулярных загрязнений

2.4. Экспериментальное исследование поведения воздушных молекулярных

загрязнений

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ОБРАЗОВАНИЯ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ

3.1. Теоретические основы механизма образования поверхностных молекулярных загрязнений

3.2. Стадия зарождения островков

3.3. Стадия независимого роста

3.4. Трехмерный рост пленки

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 4. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ ИССЛЕДУЕМЫХ ОБРАЗЦОВ

4.1. Подготовка исследуемых образцов

4.2. Методика определения поверхностных молекулярных загрязнений

4.3. Анализ экспериментальных результатов

4.4. Контроль качества обеспечения чистоты поверхностей

4.5. Методика контроля требуемого уровня чистоты поверхностей

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК ДЛЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ОЦЕНКИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ

5.1. Методы оценки толщины молекулярной пленки на поверхности

5.1.1. Расчетный метод оценки толщины молекулярных загрязнений

5.1.2. Экспериментальный метод оценки толщины молекулярных загрязнений

5.1.3. Экспериментальная оценка влияния толщины поверхностных молекулярных загрязнений на изменение коэффициента светопропускания элементов оптики

5.2. Методика определения химического состава поверхностных молекулярных загрязнений

5.3. Экспериментальное исследование динамики роста поверхностных молекулярных загрязнений

5.4. Количественная оценка молекулярных загрязнений методом смывов и протирок

5.5. Методика оценки биологической нагрузки

ВЫВОДЫ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ А

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

ПРИЛОЖЕНИЕ В

ПРИЛОЖЕНИЕ Г

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ

АСМ - метод атомно-силовой микроскопии ВИМС - метод вторичной масс-спектрометрии ВМЗ - воздушные молекулярные загрязнения ГХ - метод газовой хроматографии

ГХ-МС - метод газохроматографической масс-спектрометрии (GC/MS) ДБФ - дибутилфталат

ДБЭО - метод дифракции быстрых электронов на отражение ДМЭ - метод дифракции медленных электронов

ИК Фурье - преобразование Фурье ИК-спектроскопия (Fourier transform infra red (FTIR))

ИОИК - испытания оборудования измерения и контроля

ИС - изопропиловый спирт (IPA)

ИХ - метод ионной хроматографии КД - конструкторская документация КМВ - кварцевые микровесы

КОЕ - колониеобразующие единицы (colony forming units, CFU)

ЛМЗ -летучие молекулярные загрязнения МПЭ - метод молекулярно-пучковой эпитаксии

МС-ИСП - метод масс-спектрометрии индуктивно-связанной плазмой (ICP-MS)

МНПВО - метод многократно нарушенного полного внутреннего отражения ОНЛ - осаждение нелетучих загрязнений

ОЭА - оптико-электронная аппаратура

ПКЧУЗ - план контроля уровня загрязнений

ПМЗ - поверхностные молекулярные загрязнения

РС - спектроскопия комбинационного рассеяния света или рамановская

спектроскопия (Raman)

РФА - рентгенофазовый анализ

РФЭС - метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии СЗМ - метод сканирующей зондовой микроскопии СТМ - метод сканирующей туннельной микроскопии ТЗ -техническое задание

ТЗОЧ - техническое задание на обеспечение чистоты

ТД-ГХ-МС - метод термодесорбции газовой хроматографии - масс-

спектрометрии

ЧП - чистые помещения

ЭДРС - энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (Energy dispersive (EDS))

ЭОС - метод электронной Оже-спектроскопии (FE-AES)

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теория ростового процесса молекулярных загрязнений и научные основы контроля чистоты поверхностей изделий индустрии высоких технологий»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы. Контроль уровня загрязнений поверхностей высокотехнологичной продукции на всех этапах ее производства в чистых помещениях (ЧП) является важнейшей процедурой, в конечном счете определяющей потребительские качества изделий. Это сложная многопараметрическая проблема, решение которой требует исследования и одновременного учета множества факторов, начиная от механизмов образования и переноса загрязнений и степени их воздействия на основную технологию до разработки эффективных средств мониторинга этих процессов в реальном режиме времени.

Основным видом загрязнений поверхностей являются поверхностные молекулярные загрязнения (ПМЗ), источниками которых в ЧП могут быть строительные и конструкционные материалы, внутрипроизводственная среда, вспомогательные вещества и персонал. ПМЗ возможны на различных этапах производственного процесса, в связи с чем их постоянный контроль становится ключевой задачей повышения качества продукции, решение которой привлекает внимание как зарубежных (NASA, ICCCS), так и отечественных (АСИНКОМ) организаций.

Анализ отечественной и зарубежной литературы свидетельствует о недостаточности или противоречивости сведений о значимости влияния параметров ПМЗ на технологию производства и эксплуатационные характеристики сложной электронно-оптической аппаратуры различного назначения. На сегодняшний день:

- нет взаимозависимостей между уровнями загрязнения и требованиями рабочих характеристик изделий;

- нет четкого представления о механизме образования и переноса молекулярных загрязнений;

- отсутствуют методики измерений массовой концентрации загрязняющих веществ на поверхностях изделий в ЧП индустрии высоких технологий прямыми методами;

- отсутствуют методы оценки толщины молекулярной пленки.

В свете сказанного данная работа своевременна, актуальна и направлена на решение крупной научно-технической проблемы - контроля молекулярных загрязнений поверхностей в технологических процессах индустрии высоких технологий.

Объект исследования: внутрипроизводственная среда чистых помещений индустрии высоких технологий.

Предмет исследования: процессы формирования поверхностных молекулярных загрязнений в чистых помещениях классов чистоты 6 и 7 по ISO 14644-8.

В настоящее время научные исследования и инновационная деятельность в области обеспечения чистых помещений надлежащего уровня качества проводится в рамках госбюджетной НИР «Исследование и разработка системы связи и управления робототехническими средствами для применения в составе орбитальных и напланетных робототехнических комплексов» Уникальный идентификатор RFMEFI57514X0082.

Цель работы. Развитие теории ростового формирования и научно-методического обеспечения измерений параметров поверхностных молекулярных загрязнений, а также создание универсальной программы контроля их уровня в производстве высокотехнологичных изделий. Реализация поставленной цели обеспечивается решением следующих задач: 1. Оценка степени негативного влияния поверхностных молекулярных загрязнений на эксплуатационные характеристики изделий, идентификация источников и анализ аналитических возможностей современных методов исследования поверхностей для контроля их уровня.

2. Исследование процесса образования молекулярных загрязнений в воздушном потоке и определение условий минимизации их влияния на технологический процесс.

3. Исследование механизмов образования молекулярных загрязнений на поверхности изделий и развитие теории формирования и роста ПМЗ.

4. Разработка метода оценивания чистоты исследуемой поверхности, связывающего концентрацию органических загрязнений с параметрами взаимодействия инфракрасного излучения с веществами на подложках (волновое число в диапазоне 12820 см-1 до 10 см-1), осуществляемого в условиях чистого помещения.

5. Разработка методик для экспериментальной оценки структурных характеристик ПМЗ и определение их физических зависимостей путем физического моделирования в условиях реального чистого помещения.

6. Разработка методических рекомендаций по организации мониторинга уровня поверхностных молекулярных загрязнений в течение технологического процесса и создание универсальной программы их контроля для высокотехнологичных производств.

Научная новизна работы состоит в развитии теории возникновения молекулярных поверхностных загрязнений и формировании комплексных мероприятий по оценке и мониторингу технологических сред на основе научно-обоснованных технических решений, моделей и методов. При выполнении работы были получены следующие новые результаты:

1. На основе комплексного анализа определено влияние уровня и структуры ПМЗ, образующихся в процессе производства, на эксплуатационные характеристики изделий.

2. Установлены теоретические и экспериментальные зависимости оптических свойств терморегулирующих поверхностей электронных многофункциональных блоков от характера ПМЗ и определены их минимально допустимые уровни. Получены зависимости изменения

температуры материалов, использующихся в конструкции каркасов солнечных батарей, вследствие их загрязнения пленкой молекулярных загрязнений.

3. Получены теоретические зависимости концентрации наночастиц от температуры, относительной влажности воздуха и времени измерений на основе модифицированного кинетического уравнения М. Смолуховского для коагуляции в газе.

4. Разработана кинетическая модель процесса формирования и роста ПМЗ, создающая возможность аналитического определения их ростовой динамики в конкретных системах.

5. Получены зависимости роста средней высоты ПМЗ и шероховатости поверхности от времени в условиях низкотемпературного полислойного роста, высокотемпературного послойного роста и в промежуточном режиме, позволяющие визуализировать состояние поверхности в обратном пространстве с помощью метода дифракции быстрых электронов на отражение.

6. Получены аналитические зависимости для среднего размера, поверхностной плотности и разброса по размерам островков, позволяющие оптимизировать ростовые режимы при поддержании заданного уровня загрязнений и контроле ПМЗ.

7. Проведено обоснование выбора и использования методов оценки ПМЗ, повышающих информативность мониторинга и контроля поверхности. Предложена универсальная программа контроля уровня ПМЗ обеспечивающая требуемые условия технологического процесса

7 2

(поверхностные молекулярные загрязнения не превышают 0,5 х 10" г/см за неделю при непрерывном контроле).

Практическая значимость

1. Разработана методика расчета кинетики формирования и роста ПМЗ в конкретных системах.

2. Разработана и аттестована Государственным региональным центром стандартизации, метрологии и испытаний ФБУ "Ростовский ЦСМ" № 01501.00281-2013-2015 методика измерений массовой концентрации ряда органических классов соединений на поверхностях изделий в чистых помещениях индустрии высоких технологий методом инфракрасной спектроскопии.

3. Разработана методика для проведения мониторинга загрязняющих веществ (характерные длины волн для углеводородов 2920 см-1, эфиров 1735 см-1, метил силиконов 1260 см-1 и метил фенил силиконов 1260 см-1, 1120 см-1 или 790 см-1) и обеспечения экономически эффективных контроля технологического процесса с целью повышения выхода годных.

4. Разработана методика экспериментального определения химического состава воздушной среды, продуктов конденсации на поверхностях и оценки вклада каждого компонента при поверхностных взаимодействиях для исследовательских и промышленных задач.

5. Разработана методика контроля чистоты поверхностей с требуемым количественным и качественным уровнем поверхностных молекулярных загрязнений.

Методология и методы исследований. Теоретической основой проведенных исследований служат фундаментальные законы гидрогазодинамики, оптики и массопереноса. В качестве базовой рассмотрена геометрико-вероятностная модель кристаллизации Колмогорова А.Н., примененная к случаю двумерного формирования на основе теории полислойного роста загрязнения, базирующаяся на модели Kashchiev D. и ее обощениях.

В задачах исследования стадий образования и переноса ПМЗ использовался метод F.M. для получения аналитических решений задач о нуклеации в динамических системах.

Для исследований в данной работе использовались следующие приборы: квадрупольный масс-спектрометр Extorr XT200M (сканирование в диапазонах mz=1- 60u, m/z=130-170u), ИК-Фурье спектрометр Nicolet 8700 (Thermo Scientific), хромато-масс-спектрометр FOCUS DSQ II (ThermoFisher Scientific), счетчик частиц MetOne 3400.

Адекватность полученных инженерных методик подтверждается аналитическими расчетами и техническими испытаниями.

Внедрение результатов работы. Результаты диссертационной работы внедрены в следующие объекты и процессы:

- при выполнении инициативных исследовательских проектов с промышленными предприятиями отраслей индустрии высоких технологий (ООО «ГРАНД Телеком», АО «ПКК Миландр», АО «ЛЗОС»), а также в рамках госбюджетной НИР «Исследование и разработка системы связи и управления робототехническими средствами для применения в составе орбитальных и напланетных робототехнических комплексов» Уникальный идентификатор RFMEFI57514X0082;

- в учебный процесс НИУ МИЭТ в качестве основы учебно-методических разработок подготовки магистров по программе "Энергетическая эффективность производств электронной техники" направления 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" по дисциплинам "Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники", "Контроль и мониторинг среды чистых помещений" и "Экспертиза и аттестация чистых помещений", «Технологические среды и оборудование чистых помещений».

Результаты внедрения и практического использования результатов подтверждены соответствующими документами.

Личный вклад автора: Все основные результаты диссертации получены лично автором. Главными из них являются:

1. Разработка кинетической модели механизма образования поверхностных молекулярных загрязнений.

2. Развитие теории ростового процесса поверхностных молекулярных загрязнений.

3. Научное обоснование методов оценки толщины молекулярной пленки на поверхности для мониторинга частым или непрерывным контролем.

4. Разработка методики измерений массовой концентрации органических веществ (углеводороды, эфиры, метил силиконы, метил фенил силиконы) на поверхностях изделий в чистых помещениях индустрии высоких технологий методом инфракрасной спектроскопии.

5. Разработка универсальной программы контроля уровня чистоты поверхностей изделий как целостной системы последовательных мероприятий, проведение которых позволит достичь высокого уровня чистоты выпускаемых изделий (молекулярные загрязнения поверхности не

7 2

превышают 0,5 х 10-7 г/см2 за неделю при непрерывном контроле) и надежности выполнения их функций на всех стадиях технологического процесса.

6. Разработка методики контроля чистоты поверхностей с заданным уровнем загрязнений.

На защиту выносятся:

1. Результаты комплексного анализа влияния молекулярных загрязнений на функциональные возможности высокотехнологичной продукции.

2. Математическая модель пространственно-однородного процесса коагуляции наночастиц под влиянием колебаний параметров микроклимата чистого помещения.

3. Кинетическая модель системы формирования и роста ПМЗ, учитывающая теоретические взаимозависимости структурных характеристик и физических констант.

4. Методы оценки толщины молекулярной пленки на поверхности для мониторинга частым или непрерывным контролем.

5. Методика измерений массовой концентрации органических веществ (углеводороды, эфиры, метил силиконы, метил фенил силиконы) на поверхностях изделий в чистых помещениях индустрии высоких технологий методом инфракрасной спектроскопии.

6. Универсальная программа контроля уровня ПМЗ изделий как целостная система последовательных мероприятий, позволяющая достичь

высокого уровня чистоты выпускаемых изделий (молекулярные загрязнения

1 2

поверхности не превышают 0,5 х 10- г/см за неделю при непрерывном контроле).

Апробация работы. Работа в целом и отдельные ее части были представлены и обсуждались на конференциях, коллоквиумах, симпозиумах: 19-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции, Россия, Зеленоград, 2012 г., Международной научно-практической конференции «Наука, техника и высшее образование» (Science, Technology and Higher Education) Канада, Вестмаунт, 2013 г., 4й Международной научно-практической конференции "Европейская наука и технологии" Германия, Мюнхен, 2013 г., XXIV Научно-практической конференции «Наука и современность 2013», Россия, Новосибирск, 2013 г., XXIV Международной научно-практической конференции «Инновации в науке», Россия, Новосибирск, 2013 г., IX Международной научно-практической интернет-конференции «Наука в информационном пространстве», Украина, Днепропетровск, 2013 г., 2-й Международной молодежной научной конференции «Поколение будущего - взгляд молодых ученых», Курск, 2013 г., 2-й Международной конференции с элементами научной школы «Актуальные проблемы энергосбережения и энергоэффективности в технических системах», Тамбов, 2015 г..

Публикации. Основные результаты, полученные автором и изложенные в диссертации, опубликованы в работах [1-10] (список литературы приведен в конце автореферата). Основные положения диссертации изложены в 45

опубликованных работах, в том числе 1 1 статей в журналах, входящих в перечень изданий ВАК РФ, и монография.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы из 201 наименования и 4 приложений. Общий объем составляет 308 страниц, в том числе 220 страниц основного текста, 83 рисунка, 28 таблиц и 4 приложения.

ГЛАВА 1. ПРОБЛЕМА КОНТРОЛЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТЕЙ ИЗДЕЛИЙ В ЧИСТЫХ ПОМЕЩЕНИЯХ ИНДУСТРИИ ВЫСОКИХ

ТЕХНОЛОГИЙ

Для успешной реализации технологического процесса, связанного с соблюдением высоких требований к уровню ПМЗ необходимо определять и постоянно контролировать множество параметров внутрипроизводственной среды, важнейшими из которых в индустрии высоких технологий являются концентрации аэрозольных частиц и уровни следовых концентраций химических веществ и переносимых по воздуху колониеобразующих микроорганизмов. Используемые на сегодняшний день методы измерения не могут удовлетворить технические требования, предъявляемые к контролю загрязнений на поверхности.

Под контролем в предлагаемом исследовании следует понимать выполнение регулярных количественных измерений в течении технологического процесса внутри чистых помещений, а также в прилегающих технических зонах.

1.1. АНАЛИЗ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗДЕЛИЙ

Одна из проблем индустрии высоких технологий состоит в отсутствии корреляционных зависимостей между уровнями ПМЗ в процессе производства и эксплуатационными характеристиками продукции.

Значительный вклад в исследование научных аспектов проблемы, а также решение ряда связанных с ней прикладных задач внесли отечественные и зарубежные ученые: И. Ленгмюр, Л.В. Радушкевич, Г.Л. Натансон, И.Б. Стечкина, Б. Лу, А.Л. Черняков, В.И. Калечиц,

J.A. Lebens, M. Tamaoki, А.Е. Федотов, В. Уайт, A.C. Tribble, B. Boyadjian, J. Davis.

Одной из задач при контроле молекулярных загрязнений воздуха является идентификация и оценка мощности их источников. Основными источниками ПМЗ в ЧП являются:

- внутрипроизводственная воздушная среда;

- строительные и конструкционные материалы интерьера и энерготехнологического оборудования;

- персонал, как генератор загрязнений в процессе труда.

Некоторые соединения, обнаруживаемые в ЧП, возможные их источники и характер влияния на техпроцесс приведены в таблице 1.1. Таблица 1.1 - Молекулярные загрязнения воздушной среды ЧП, источники и влияние на технологический процесс

Тип соединения Возможный источник Потенциальное влияние

Органофосфаты НБРА/иЬРЛ Обратное (паразитное) легирование,

фильтры снижение и нестабильность напряжения пробоя диэлектриков

Пластификатор Напольное Деградация оксидных слоев

диоктилфталат покрытие из линолеума

Силиконы Герметики, Гидрофобизация поверхности пластин,

прокладки образование частиц

Крезол Фоторезисты Коррозия, гидрофобизация поверхности пластин

К-метилпирролидон (КМР) Установки нанесения фоторезиста Отслаивание, проколы и дефекты пленки фоторезиста, изменение рельефа маски в фоторезисте

Углеводороды Полимеры, трубы Отрицательное влияние на процессы химической очистки и сушки

Нежизнеспособные и жизнеспособные Персонал Снижение действия стерилизующих средств

частицы

Установление допустимого уровня загрязнений, важное для любых высоких технологий, производится на основе исследования их влияния на производственный процесс. В частности, для микроэлектроники, где технологические операции проводятся на молекулярном уровне, порог чувствительности изделий к различного рода загрязнениям значительно ниже, чем для других отраслей промышленного производства. Критическими загрязняющими веществами производственной среды являются частицы и следы примесей различных металлов (Ыа, К, Са, Fe, Ni, Сг, Си и 7п), способные затруднять адгезию покрытия на пластине, а также концентрации в воздухе аммиака и аминов, инициирующих образование ВМЗ.

Наиболее вероятной причиной образования агломератов из наночастиц аэрозоля (конденсационно-коагуляционное укрупнение аэрозоля) в ЧП является колебание таких параметров микроклимата, как температура и относительная влажность воздуха, причем второй фактор - определяющий для запуска механизма агломерации наноразмерных частиц [1-3]. Экспериментальные исследования, проведенные для частиц размером 0,1 мкм в производственных условиях показали, что с повышением относительной влажности растет счетная концентрация аэрозольных частиц [4, 5]. В работе [1] было доказано, что колебания влажности даже при незначительном изменении в пределах ±2% приводят к конденсационно -коагуляционным процессам в ЧП и росту агломератов [6-7].

Известны исследования по выявлению с помощью газохроматографической масс-спектрометрии (ГХ-МС) зависимости интенсивности образования молекулярных загрязнений фосфором от времени экспозиции (рис.1.1) и а также от наличия или отсутствия химического фильтра (рис.1.2) [8,9].

20 40 60 80 100 Время экспозиции, ч

Рисунок 1.1 - Зависимость интенсивности образования молекулярных загрязнений фосфором от времени экспозиции [8]

100

90

80

70..

60

а 50 к

X

<и X

<и 5

со

К

40 30 20.. 10.. 0

100

90

80..

70..

60

е 50 я

X

<и X

<и £

40 30 20.. 10 .. 0

ч

N \

N \ \ ч \

N ^

N \

\ \

\

12 24

Ы!

0 3 Время экспозиции,ч

а)

\

N

0 3 12 24 Время экспозиции,ч

б)

5<Е<8 V/cm г=1.0Е-5 (А)

Рисунок 1.2 - Диаграмма интенсивности осаждения ВМЗ на тестовые пластины расположенные в чистом помещении: а) без химических фильтров;

б) с химическими фильтрами [9]

Мониторинг тестовых пластин на протяжении суток в ЧП без

химических фильтров показал увеличение уровня концентрации ПМЗ (1 день

2 2 2 - 0,5 нг/см , 6 дней - 4,5 нг/см , 9 дней - 11 нг/см ).

Анализ различных компонентов HEPA фильтров обнаруживает летучие

молекулярные загрязнения (ЛМЗ), которые осаждаются на критические

поверхности изделий со скоростью, пропорциональной их концентрации в

газовой фазе при стандартных значениях температуры и давления.

Специалистами компании SEMATECH разработан прогноз предельных

концентраций молекулярных загрязнений для техпроцесса изготовления

микросхем с топологией 250 нм (табл. 1.2).

Таблица 1.2 - Предельные концентрации молекулярных загрязнений в различных процессах при производстве микросхем с топологией 250 нм (по прогнозам SEMATECH). Цифра после значения концентрации показывает уровень достоверности данных в процентах

Этап технологического процесса Макс. время экспозиции, ч Предлагаемые предельные концентрации молекулярных загрязнений (pptM)

МА МВ МС MD

1. Предварительное оксидирование 4 1300050 13000-50 1000-75 0,1-90

2. Нанесение слоев кремния 1 180-50 13000-25 35000-75 1000-75

3. Формирование контактов 24 5-50 13000-25 2000-75 100000-75

4. Фотолитография 2 1000075 1000-90 10000050 10000-50

Из таблицы следует, что этап техпроцесса (1) чрезвычайно чувствителен к легирующим добавкам, в то время как (2) и (3) наиболее чувствительны к кислотам, а (4) - к основаниям.

Критичными к качеству внутрипроизводственной среды и к ПМЗ являются производство гироскопов, лазеров различного назначения, оптоволоконной техники.

Существенная специфика свойственна чистым помещениям космической отрасли (производство солнечных батарей значительной площади, изготовление приборов на основе фотоэлементов). Принятые международным сообществом правила требуют свести к минимуму и возможность загрязнения космического пространства, планет и их спутников земными микроорганизмами, поэтому при всех операциях с космической техникой контролируется содержание в воздухе частиц с размерами более 5 мкм - наличие этих частиц является индикатором присутствия в воздухе микроорганизмов (источником которых является персонал).

ПМЗ оказывают влияние на надежность многофункциональных систем. На основе анализа степени отрицательного воздействия различного рода загрязнений на функционирование различных систем индустрии высоких технологий было изучено влияние загрязнений и определены возможные отказы и неисправности изделий.

Проводилась оценка поглощательной и излучательной способностей поверхности системы терморегулирования электронного

многофункционального изделия вследствие его загрязнения пылевыми частицами, а также изменение коэффициента поглощения и излучения поверхности вследствие осаждения на ней молекулярной пленки загрязнений.

Было установлено, что изменение поглощательной способности М.* поверхности системы терморегулирования (система обеспечения

температурного режима) вследствие ее загрязнения пылевыми частицами составит:

AAf = K3(AS 4acm - As пов), (1.1)

где ASnoе, - коэффициент поглощения солнечного излучения чистой поверхности; ASwcт, - коэффициент поглощения солнечного излучения

пылевых частиц; КЗ - коэффициент затенения.

Аналогичным образом пылевые частицы изменяют излучательную способность загрязненной поверхности:

= К3(£част — £„ов), (1.2)

где епов - коэффициент излучения чистой поверхности; ечаст -коэффициент излучения пылевых частиц.

Величина излученной энергии согласно закону Й. Стефана -Л. Больцмана: E = а T 4, где Т — температура, K, а — постоянная Больцмана.

В качестве механических загрязнений рассматривали серые частицы, к которым относится пыль, частички человеческой кожи, волос, волокна от одежды и салфеток, т.е. большинство загрязнений наиболее вероятных для попадания на поверхности системы (табл. 1.3, рис. 1.3).

По рис. 1.3 можно определить, что серые загрязнения не окажут существенного воздействия на температуру поверхности, т.е. отношение ДТ/Т не превысит 1%, пока их уровень не превысит уровень чистоты ~ 500...600. Такой уровень чистоты можно рассматривать в качестве минимального требования к чистоте терморегулирующих поверхностей. Затенение поверхности на 2,2% соответствует уровню чистоты 500 и снижает мощность солнечной батарее на 1%. Таким образом, установлено очистки поверхностей от механических загрязнений достаточно до уровня 500 согласно [5].

Таблица 1.3 - Результаты измерений для серых частиц на светлых и темных поверхностях

Точ- Уровень чистоты поверхности по ДТ/Т, %

ки MIL-STD-1246C

Серые Серые Серые Серые Серые Серые

(s=0.5) ^=0.5) (s=0.5) (s=0.5) (As=0.5) (s=0.5)

частицы частицы частицы частицы частицы частицы

на на светлой на темной на на светлой на темной

светлой ^=0.05) (s=1) светлой (As=0.05) (s=1)

(s=0.1) поверх- поверх- (s=0.1) поверх- поверх-

поверх- ности, ности поверх- ности, ности

ности разверну- ности разверну-

той к той к

Солнцу Солнцу

1 200 200 200 0 0 0

2 300 300 300 - 0,25 0,25 0

3 400 400 400 - 0,3 0,5 0

4 500 500 500 - 0,9 1,5 0,15

5 600 600 600 - 2,45 4,5 0,25

6 700 - 700 - 4,75 - 0,75

7 - - 800 - - 1,5

8 - - 900 - - 2,75

б 4 2

$ ° «з

-2 -4 -б

Рисунок 1.3 - Зависимость температуры поверхностей от уровня ее чистоты

Для поверхности системы терморегулирования, покрытой тонкой плёнкой загрязнений толщиной X, освещенной солнцем, изменение коэффициента поглощения АА определяется следующим образом:

А4 = (Азагр - А ,„„Ю - е~2 ^ ).

В данном выражении учитывается тот факт, что отраженный луч света проходит слой загрязнений дважды. Соответственно изменение коэффициента излучения поверхности вследствие осаждения на ней

молекулярной пленки загрязнений: А^ = (£загр — £пов)(\ — е 5'загр ).

Таким образом, в данном выражении отмечен тот факт, что

излучающий поток проходит через пленку загрязнений только один раз.

Влияние молекулярной пленки загрязнений на некоторых поверхностях

систем терморегулирования электронных многофункциональных блоков

изучалось на эмали АК - 512 белого и черного цвета, применяющейся для

окрашивания поверхностей изделий, и липкой металлизированной ленте

марки «НИИКАМ-ПМ-ОА-Л» ТУ 2245-21680878-003-2001,

использующейся в конструкции каркасов солнечных батарей. В качестве

термооптических характеристик молекулярных загрязнений использовали

24

параметры типичных молекулярных загрязнений системы, приведенные в [5]. Величина интегральной поглощательной способности ^ в видимом

диапазоне волн составляет 0.8, в инфракрасном - 0,07, значение интегральной излучательной способности езагр для инфракрасного излучения

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Севрюкова, Елена Александровна, 2017 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Севрюкова Е.А. Исследование изменчивости аэрозоля под действием температуры и влажности в чистых помещениях микроэлектроники. Нац. исслед. ун-т МИЭТ. Москва. 2011.- 110 с.

2. Севрюкова Е.А. Исследование изменчивости аэрозоля под действием температуры и влажности в чистых помещениях микроэлектроники. Афтореферат. Нац.исслед. ун-т МИЭТ. Москва. 2011.- 40 с.

3. Севрюкова Е.А. Анализ изменчивости аэрозоля при изменении влажности и выявление неблагоприятных зон в чистых помещениях микроэлектроники. Межотраслевой научно-технический журнал «ОБОРОННЫЙ КОМПЛЕКС- научно-техническому прогрессу России» г. Москва.- 2012.- №.2- с.30-33

4. Rockwell International Corporation Downey, CA. Contamination Control Engineering Design / A.C. Tribble, B. Boyadjian, J. Davis etc. // Guidelines for the Aerospace Community, NASA Contractor Report 4740, May 1996. - 126 p.

5. Военный стандарт США MIL-STD-1246C. Уровни чистоты изделий и программа контроля загрязнений , 11 апреля 1994 г. - 56 с.

6. Sevryukova E.A. COAGULATION SIMULATION OF HIGH CONCENTRATION OF AEROSOLS. Сборник материалов 4й Международной научно-практической конференциии "Европейская наука и технологии" Мюнхен, Германия, 2013, с.716-718

7. Севрюкова Е.А. Модели коагуляции и механизм роста агломератов в чистых помещениях микроэлектроники. Научно-технический журнал «Прикладная физика» .2012. -№5. -С.37-41

8. Lebens J.A., et al., «Unintentional doping of wafes due to organophosphates in the cleanroom ambient», J. Electrochem. Soc., 143(9), 2906-2909 (1996)

9. Tamaoki M., et al., «The effect of airborne contaminats is the cleanroom for ULSI manufacturing process», 1995 IEEE/SEMI Advance Semiconductor Manufacturing Conference, 322-326 (1995).

10. Тауц, Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой области спектра [Текст] / Я. Тауц // УФН. - 1968. -Т. 94. - № 3. - С. 501-533.

11.Yokoyama, D. High-efficiency simple planar heterojunction organic thin-film photovoltaics with horizontally oriented amorphous donors [Текст] / D. Yokoyama, Z.Q. Wang, Y.J. Pu, K. Kobayashi, J. Kido, Z. Hong // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2012. - Vol. 98. - P. 472-475.

12.Азарова, В.В. Об эллипсометрии прецизионных оптических поверхностей и зеркальных покрытий [Текст] / В.В. Азарова, М.Н. Соловьева, В.В. Фокин // Оптика и спектроскопия. - 2009. -Т. 107. - № 2. - С. 192-200.

13. Стаськов, Н.И. Учет влияния естественного поверхностного слоя при исследовании кремниевых пластин методом спектральной эллипсометрии [Текст] / Н.И. Стаськов, И.В. Ивашкевич, А.Б. Сотский, Л.И. Сотская // Проблемы физики, математики и техники. - 2012. - Т. 10. - № 1. - С. 2630.

14. Болотов, В.В. Исследование адсорбции гемоглобина в пористом кремнии методом эллипсометрии [Текст] / В.В. Болотов, Н.А. Давлеткильдеев, А.А. Коротенко, Мосур Е.Ю., Проскурина О.Ю., Стенькин Ю.А. // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81. - № 7. - С. 152-154.

15. Тарасов, И.А. Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/Si02/Si(100) [Текст] / И.А. Тарасов, H.H. Косырев, С.Н. Варнаков, С.Г. Овчинников, С.М. Жарков, В.А. Швец, С.Г. Бондаренко, О.Е. Терещенко // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82. - № 9. -С.44-48

16.Рывкина, Н.Г. Эллипсометрия: применение в нанотехнологии [Текст] / Н.Г. Рывкина, М.Ю. Яблоков // Нанотехника. - 2006. - № 2. - С. 82-88.

17.Биленко, Д.И. Влияние переходного слоя на результаты эллипсометрических исследований наноразмерных слоев [Текст] / Д.И.

Биленко, В.П. Поляковская, М.А. Гецьман, Д.А. Горин, А.А. Невешкин, А.М. Ященок // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75. - № 6. - С. 69-73.

18.Романенко, А.А. О повышении чувствительности эллипсометрического метода исследования нанослоев [Текст] / А.А. Романенко // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26. - № 14. - С. 18-23.

19.Долгих, А.В. Сканирующая эллипсометрия высокого разрешения как метод контроля чистоты поверхности ОЭС-фотокатодов при производстве электронно-оптических преобразователей [Текст] / А.В. Долгих, И.А. Леонов // Прикладная физика. - 2007. - № 4. - С. 121-124.

20.Rochat, N. Multiple internal reflection infrared spectroscopy using two-prism coupling geometry: A convenient way for quantitative study of organic contamination on silicon wafers [Текст] / N. Rochat, M. Olivier, A. Chabli, F. Conne, G. Lefeuvre, C. Boll-Burdet // Applied Physics Letters. - 2000. - Vol. 77. - № 14. - P. 2249-2251.

21.Киселев, В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела [Текст] / В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. - М.: Издательство Московского университета, 1999. - 284 с.

22.Саркисов, О.А. Молекулярная структура и морфология поверхностных слоев полиамидно-фторопластовой пленки, обработанной в плазме тлеющего разряда [Текст] / О.А. Саркисов, А.А. Рогачев, А.В. Рогачев, А.И. Егоров // Проблемы физики, математики и техники. - 2011. - Т. 1. -№ 6. - C. 40-47.

23.Ивлиев, Н.А. Анализ методов экспресс-контроля чистоты поверхности [Текст] / Н.А. Ивлиев, В.А. Колпаков, С. В. Кричевский // Вестник СГАУ. - 2010. - № 4. - С. 193-201.

24.Герасимов, В.В. Спектроскопия нарушенного полного внутреннего отражения [Текст] / В.В. Герасимов, Б.А. Князев // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2008. - Т. 3. - № 4. - С. 98-111.

25.Endo, M. Infrared monitoring system for the detection of organic contamination on a 300 mm Si wafer [Текст] / M. Endo, H. Yoshida, Y. Maeda, N. Miyamoto, M. Niwano // Applied physics letters. - 1999. - Vol. 75. - № 4. - P. 519-521.

26.Айвазов Б.В. Основы газовой хроматографии : Учеб. пособие для хим. спец. вузов / Б. В. Айвазов . - М. : Высш. шк., 1977 . - 183 с.

27. Препаративная газовая хроматография / пер. с англ. С. А. Орловского. - М. : Мир, 1974. - 408 с.

28.Вигдергауз М.С. Газовая хроматография как метод исследования нефти. /М.С. Вигдергауз. М.: Наука, 1973. - 256 с.

29.Газо-жидкостная хроматография : сб. пер. / Гос. ком. хим. и нефтяной промышленности при госплане СССР; Ред. А. Г. Панков; Пер. с англ. Ю. М. Козина. - М.: НИИТЭХИМ, 1963. - 315 с.

30.Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. (Под ред. Бриггса Д., Сиха М.), М.: Мир, 1987, 598 с.

31.Мазалов Л.Н. Рентгеноэлектронная спектроскопия и ее применение в химии. // Соросовский образовательный журнал, 2000, №4, с.37-44.

32.Hufner S. Photoelectron Spectroscopy: Principles and Applications. New-York: Springer, 2003, 684 p.

33.Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy. (Ed. Mullenberg G.E.), Minnesota: Perkin-Elmer Corporation, 189 р.

34.Вудраф Д., Делчар Т., Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989, 569 с.

35.В.И. Нефедов. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М.: Химия, 1984, 256 с.

36.Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова Думка, 1976, 335 с.

37.Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород: Институт физики микроструктур РАН, 2004 г., 110 с.

38.Yeung K.L., Yao N. Scanning Probe Microscopy in Catalysis. // J. Nanosci. Nanotech. 2004, 4, 1-44.

39.Панов В.И. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности. // УФН, т.155, № 1, с.155-158 (1988).

40.Эдельман В.С. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии. // Приборы и техника эксперимента, № 1, с.24-42 (1991).

41.Бахтизин Р.З., Галлямов Р.Р. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии. Уфа: РИО БашГУ, 2003, 82 с.

42.Неволин В.А. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии: Учебное пособие. М: МГИЭТ (ТУ), 1996, 91 с.

43.3игбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Н., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. М.: Мир, 1971, 493 с.

44.Roberts A.J. et. al. Test of the Consistency A XPS for Depth Profile Reconstruction using the MEM. // JSA Vol.15 No.3 (2009) pp. 291-294.

45. Methods of Surface Fnalysis. (Ed. J. M. Walls), Cambridge, Cambridge University Press, 1989, 342 p.

46.SEMI (1995, 1996). SEMI Standard F21-95, Classification of Airborne Molecular Contaminant Levels in Clean Environments. Semiconductor Equipment and Materials International, Mountain View, CA.

47.FED-STD-209E "Airborne Particulate Cleanliness Classes in Cleanrooms and Cleanzones", November 29, 2001, General Services Administration (GSA)

48.ISA. (1986). ISA Standart ANSI/ISA-S71.04-1985, Environmental Conditions for Process Measurement and Control Systems: Airborne Contaminants. International Society for Measurement and Control, Research Triangle Park, NC.

49.ISO 14644-9 «Cleanrooms and associated controlled environments. Part 9: Classification of surface cleanliness by particle concentration», 2012

50.Севрюкова Е.А. Концепция контроля загрязненности космических оптических систем в чистых помещениях. Инновации в науке: сборник статей по материалам XXIV международной научно-практической конференции. — Новосибирск: Изд. «СибАК», 2013. № 24.— 56-60 с.

51. Sevryukova E.A. ADVANCES IN REACTIVITY MONITORING FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2-я Международная молодежная научная конференция «ПОКОЛЕНИЕ БУДУЩЕГО - 2013: взгляд молодых ученых». - г. Курск, 2013. -Том 5.- с.240-244

52.Севрюкова Е.А. Методы контроля молекулярных загрязнений в чистых помещениях полупроводниковой промышленности. Международный журнал «Наука и мир», Волгоград, Изд. «Научное обозрение», 2013. -№2(2). - с.71-72

53.Севрюкова Е.А., Курильчик П.В. Исследование поведения воздушного потока внутри чистого помещения. Инфраструктура объектов природно-технических геосистем. Сборник научных трудов под ред. д.т.н., проф. Каракеяна В.И., г. Зеленоград.- МИЭТ.- 2013.- с.60-69

54.Севрюкова Е.А. Измерения и визуализация воздушных потоков в чистых помещениях микроэлектроники. Межотраслевой научно-технический журнал «ОБОРОННЫЙ КОМПЛЕКС- научно-техническому прогрессу России» г. Москва.- 2012.- №.2- с.18-20

55.Sevryukova E.A. Study on the generation of particles based on the monitoring of cleanrooms. Международной научно-практической конференции «Наука, техника и высшее образование» (Science, Technology and Higher Education) Канада, 2013. - с.233-236

56.Галкин В. A. Уравнение Смолуховского. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001. -336 с.

57.Галкин В. А., Галкин А.В. Математическое моделирование газа, образующего конденсированную структуру// Математическое моделирование, 2009

58. Волощук В.М. Кинетическая теория коагуляции. Л.: Гидрометеоиздат, 1984.

59.Li Y.Q., Davidovits P., Shi Q., Jayne J.T., Kolb C.E., Worsnop D.R. Mass and Thermal Accomodation Coefficients of H2O(g) on Liquid Water as Function of Temperatrue. - J.Phys.Chem.A, 105, 29, 10627-10634, 2001.

60.Галкин В. A. , Осецкий Д.Ю. Случай больцмановского газа, приводящий к уравнению коагуляции Смолуховского// ЖВМ и МФ, 2006, Т. 46, №3, с.535-547

61.Галкин В. А., Осецкий Д.Ю. Математическое моделирование кинетики коагуляции// Математическое моделирование, 2006, Т. 16, с . 99-117

62. Галкин В. А. Теория функциональных решений систем законов сохранения и ее приложения // М: из-во МГУ. Труды семинара им. И.Г.Петровского, 2000, Т. 20, с.81—120.

63.В. И. Калечиц. Приборное оснащение подразделений контроля чистых производственных помещений. Журнал "Чистые помещения и технологические среды", 2007, № 3, с. 16-21.

64.Raymond K. Schneider. Системы кондиционирования воздуха для чистых комнат. АВОК №5/2002. http://www.abok. ru.

65.Гущин В.А. Применение математического моделирования для проектирования чистых комнат и их элементов.gmp-club/ com.

66.Калечиц В.И. Современная аппаратура контроля чистоты. Журнал Аэрокосмический курьер, 2005, № 5, стр. 22-23.

67.Холлворт М. Выбор наиболее подходящего расположения точек пробоотбора для взвешенных в воздухе частиц, не являющихся микроорганизмами. // Чистые помещения и технологические среды, 2008, № 1, с. 12-13.

68.B. Grant, J. H. Kim, and C. Poor, ''Kinetic theories for the coagulation and sedimentation of particles,'' J. Colloid Interface Sci. 238, 238 ~2001.

69. С. Е. Стельмак. Воздух, вода и многое другое - чем измерить чистоту? Журнал "Чистые помещения и технологические среды", 2005, № 1, с. 32-35.

70.В.И.Калечиц. Приборы для измерения частиц в нанотехнологиях. Журнал "Чистые помещения и технологические среды", 2010, № 1, с. 39-47.

71.Т. фон Кальден. Визуализация воздушных потоков. Журнал "Чистые помещения и технологические среды", 2006, № 2, с. 7-11.

72.В.А. Ананьев, Л.Н. Балуева, В.П. Мурашко. Системы вентиляции и кондиционирования. Теория и практика. Новая редакция. - М.: Издательство "Техносфера". 2008. - 503 с.

73.Кукушкин С. А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок. // УФН. 1998. - Т. 168, №10, с. 1083-1116.

74. Osipov A.V. Kinetic model of vapour-deposited thin film condensation: nucleation stage //Thin Solid Films. 1993. - v.227, №1-2, p. 111-118.

75. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Peturbation theory in the kinetics of first-order phase transitions //J. Chem. Phys. 1997. - v.107, №8, p.3247-3252.

76. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Метод малого параметра в кинетике фазовых переходов первого рода //ФТТ. 1996. - Т.38, №2, с.443-451.

77. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких плёнок СПб.:Наука, 1996. - 309с.

78. Kashchiev D. Nucleation: Basic Theory with Applications // Oxford. Butterworth Heinemann. 2000. - 550с.

79.Лившиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твёрдых растворов //ЖЭТФ. 1958. - Т.35, №2, с.479-492.

80. Kuni F.M. THE KINETICS OF CONDENSATION UNDER THE DYNAMICAL CONDITIONS, PREPRINT IPT-84-178E (Institute of Theoretical Physics, Kiev, 1984).

81. Куни Ф.М., Гринин А.П. Кинетика гомогенной конденсации на этапе образования основной массы новой фазы //Коллоидный журнал. 1984. -Т.46, №3, с.460-465.

82. Binder K. Theory for the dynamics of "clusters." II. Critical diffusion*in binary systems and the kinetics of phase separation / K. Binder // Phys. Rev. B. 1977. -V.15.-P. 4425-4447.

83. Колмогоров А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов, Изв. АН СССР. Сер. матем., 1:3 (1937), С. 355-359.

84. Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. - М.: Наука, 1980, - 80 с.

85. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок / В. И. Трофимов, В. А. Осадченко. - М. : Энергоатомиздат, 1993. - 271с.

86. Dubrovskii V.G. Nucleation and Growth of Adsorbed Layer Self-Consistent Approach Based on Kolmogoroff-Avrami Model // Phys. Status Solidi B. 1992. Vol. 171. P. 345.

87. Kashchiev D. "Growth kinetics of dislocation-free interfaces and growth mode of thin films", J. Cryst. Growth, 1977, v. 40, рр. 29-46.

88. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки // ЖТФ, 1997, т.67, вып.11, с.136-138.

89. Филаретов А.Г., Цырлин Г.Э. Исследование влияния условий роста бинарных полупроводниковых соединений A3B5 на фронт поверхности в методах молекулярно-пучковой и миграционно-стимулированной эпитаксии: статистическое моделирование // ФТТ, 1991, т.33, вып.5, с. 1329-1337.

90. Цырлин Г.Э. Динамика роста GaAs на вицинальной поверхности GaAs (100) в методе миграционно-стимулированной эпитаксии: компьютерное моделирование // Письма ЖТФ, 1997, т.23, №4, с. 61-70.

91. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Современная кристаллография. Т.3. Образование кристаллов // М., Наука, 1980, - 407 с.

92. Дубровский В.Г., Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Крыжаноская Н.В., Берт Н.А., Устинов В.М. Особенности морфологии массива Ge островков на поверхности Si(100) при докритической толщине осажденного слоя Ge // ФТП, 2004, т.30, вып.21, с.72-80.

93. Справочник по специальным функциям, под ред. Абрамовица М., Стиган И. (М., Наука, 1979).

94. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular beam epitaxy // Prog. Sol. St. Chem. - 1975. - V. 10. P. 157-190.

95. РМГ 61-2010. ГСИ. Показатели точности, правильности, прецизионности методик количественного химического анализа. Методы оценки. http://docs.cntd.ru/document/1200094703

96.Севрюкова Е.А., Кузьмишкин Г.С. Анализ влияния молекулярных аэрозольных загрязнений в чистых помещениях нано- и микроэлектроники. Инфраструктура объектов природно-технических геосистем. Сборник научных трудов под ред. д.т.н., проф. Каракеяна В.И., г. Зеленоград. - МИЭТ. - 2013. - С.53-60.

97.Севрюкова Е.А. Управление воздухообменом в чистых лабораторных помещениях. Достижения вузовской науки: сборник материалов VI международной научно-практической конференции // Под общ. ред. С.С.Чернова. — Новосибирск: Изд. ЦРНС, 2013. - №6.- с. 118-121.

98.Севрюкова Е.А. Анализ методов предотвращения молекулярного загрязнения воздуха чистых помещений. Наука и современность 2013: сборник материалов XXIV Научно-практической конференции / под общ. ред. С.С.Чернова.- Новосибирск.-Издательство ЦРНС, 2013.- №24.-с.225-228

99.Казанский, Н.Л. Оптимизация параметров устройства трибометрического измерения чистоты поверхности подложек [Текст] / Н.Л. Казанский, В.А Колпаков, А.И. Колпаков, С.В. Кричевский, Н.А. Ивлиев // Компьютерная оптика. - 2005. - №28. - С. 76-79.

100. Волькенштейн, Ф.Ф. Активированная адсорбция на полупроводниках [Текст] / Ф.Ф. Волькенштейн // УФН. - 1953. - Т. L. - № 2. - С.253-270.

101. Казанский, Н.Л. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда: монография [Текст] / Н.Л. Казанский, В.А. Колпаков. - М.: Радио и связь, 2009. -220 с.

102. Datasheet. NanolNK. Nanofabrication Systems. DPN Substates [Текст]. Created on 08.16.2012. http://bnmfabrika.com/belgeler/Nanoink/DS_System_DPN5000.pdf

103. Севрюкова Е.А. Анализ эффективности работы оптических систем. Наука в информационном пространстве: сборник материалов IX Международной научно-практической конференции /Днепропетровск, 2013. - с.104-106.

104. Акишин А.И. Космическое материаловедение. М.: НИИЯФ МГУ, 2007. 209 с.

105. Дмитриев И.Ю., Мирзоева Л.А., Воронич В.Б. и др. Стенд для исследования объективов в условиях криогенных температур // Опт. журн. 1998. Т.65. № 12. С. 102-105.

106. Калашников Е.В., Рачкулик С.Н. Исследование совместного воздействия высокоскоростных потоков мелкодисперсных частиц, плазмы и коротковолнового излучения на оптические материалы при термоциклировании в вакуумных условиях // Опт. журн. 2008. Т. 75 № 12. С.73-80

107. Левин Г. Основы вакуумной техники. М.: Энергия, 1969. 272 с.

108. Физические величины. Справочник / Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. 1991. М.: Энергоатомиздат. 1232 с.

109. Акишин А.И., Новиков Л.С. Методика оборудования имитационных испытаний материалов космических аппаратов. М.: МГУ, 1990. 89 с.

110. Зацепина Г.Н. Свойства и структура воды. М.: МГУ, 1974. 167 с.

111. Коломийцов Ю.В. Интерферометры. Л.: Машиностроение, 1976. 296 с.

112. Prout G. The nature and the environmental impact of control of floor level contamination // EJPPS. - 2009. - V. 14(1). Р. 13-18.

113. Whyte W., Hejab M. Particle and microbial airborne dispersal from people. EJPPS 2007; V. 12(2). P.39-46.

114. Bjorn-Ola Linner and Henrik Selin The Thirty Year Quest for Sustainability: The Legacy of the 1972 UN Conference on the Human Environment, Paper presented at Annual Convention of International Studies Association, Portland, Oregon, USA, February 25 - March 1, 2003, as part of the panel "Institutions and the Production of Knowledge for Environmental Governance" (co-author Henrik Selin).p. 3

115. Lundqvist B., Reinmuller B. Monitoring of efficiencies of microbial impaction air samplers // EJPPS 2008; V. 13(4), Р. 93-97.

116. Bloomfield S. Microbial contamination: spoilage and hazard in Guide to microbiological control in phar- maceuticals ed. Denyer S. and Baird R. Ellis Horwood 1990, p. 33.

117. Carlberg D. Cleanroom Microbiology for the Non-Microbiologistn // 2nd Edition, CRC Press, 2004. - 216 с.

118. Jones D., Topping P., Sharp J. Environmental microbial challenges to an aseptic blow-fill-seal pro- cess - a practical study // J Pharm SciTechnol. 1995; V. 49(5). Р. 226-234.

119. Vehvilainen T., Karp M. Keratin proteins as an indicator to monitor human particle contamination in cleanrooms // EJPPS, 2006; V. 11(4), р. 101-107.

120. EU Guidance on Good Manufacturing Practice Annex 1 (November 2008). http://www.gmp-compliance.org/guidemgr/files/ANNEX%2001[2008].PDF

121. Международный стандарт ISO 14644-1:1999. Производственные помещения повышенной чистоты и взаимосвязанные с ними регулируемые среды . - Ч. 1: Классификация степени чистоты воздуха, 1 мая 1999 г. - 20 с.

122. ISO 14644-3-2007 Cleanrooms and associated controlled environments -Part 7: Separative devices (clean air hoods, gloveboxes, isolators and minienvironments).

123. ISO 14644-2 «Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 2. Требования к контролю и мониторингу для подтверждения постоянного соответствия ГОСТ Р ИСО 14644-1»

124. IEST-STD-CC1246D: Product Cleanliness Levels and Contamination Control Program". CleanRooms, August 2005.

125. ISO 14644-8:2006 Clean rooms and associated controlled environments -Part 8: Classification of airborne molecular contamination

126. ISO 14644-9:2012 Cleanrooms and associated controlled environments — Part 9: Classification of surface cleanliness by particle concentration

127. Shirley D. A. High-Resolution X-Ray Photoemission Spectrum of the Valence Bands of Gold, Phys. Rev. B, 1972, Vol. 5, N 12, pp. 4709-4714.

128. Proctor A., Sherwood P. M. A. // Anal. Chem., 1982. - V. 54, рр.13-19.

129. Salvia A. M., Castle J. E. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1998. -V. 95, p. 45-56.

130. Applications of Synchrotron Radiation. // (Ed. W. Eberhardt), Berlin: Springer-Verlag, 1995, 290 p.

131. Fadley C. S., Van Hove M. A., Hussain Z., Kaduwela A. P. Photoelectron diffraction: New dimensions in space, time, and spin. // J.Electron Spectrosc. Relat. Phenom, 1995. - V. 75, рр. 273-297.

132. Woodruff D. P. Photoelectron diffraction for quantitative-determination of adsorption structures surface. // Physica B, 1995, V. 209, № 1-4, рр. 423-426.

133. Fadley C. S., Thevuthasan S., Kaduwela A. P., Westphal C., Kim Y. J., Ynzunza R., Len P., Tober E., Zhang F., Wang Z., Ruebush S., Budge A., Van Hove M. A.. Photoelectron diffraction and holography - present status and future-prospects. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1994, V.68, рр. 1947.

134. Chambers S. A.. Elastic-scattering and interference of backscattered primary, auger and x-ray photoelectrons at high kinetic-energy - principles and applications. // Surf. Sci. Rep., 1992, V.16, № 6, рр.261-331.

135. Fadley C. S.. Angule-resolved X-ray photoelectron spectroscopy // Prog. Surf. Sci., 1984, V.16, № 3, рр. 275-388.

136. Fadley C. S.. Diffraction and holography with photoelectrons and Auger electrons: some new directions. // Surf. Sci. Rep., 1993, V.19, рр. 231-264.

137. Шалаева Е.В., Кузнецов М.В. Рентгеновская фотоэлектронная дифракция. Возможности структурного анализа поверхности (обзор) // Журнал структурной химии, 2003, Т.44, №3, с. 518-552.

138. Westphal C., The study of the local atomic structure by means of X-ray photoelectron diffraction.// Surface Science Reports, 2003, V. 50, P. 1-106.

139. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии // Нижний Новгород: Институт физики микроструктур РАН, 2004, 110 с.

140. Xu M.L., Barton J.J., Van Hove M.A. Electron scattering by atomic chains: multiple-scattering effects. // Phys. Rev., 1989, B39, рр. 8275-8283.

141. Greber T., Ostepwalder J., Naumovic D., Stuck A., Hufner S., Schlapbach L. Auger electron and photoelectron angular distributions from surface: importance of the electron source wave. // Phys. Rev. Lett., 1992, V.69, рр. 1947-1950.

142. Herman G.S., Thevuthasan S., Kim Y.J., Tran T.T., Fadley C.S. Imaging of Near-Neighbor Atoms in Semiconductors by Electron Emission Holography // Phys. Rev. Lett., 1992, V.68, рр. 650-653.

143. Kaduwela A.P., Friedman D.J., Fadley C.S., Application of a multiple scattering approach to photoelectron diffraction and auger electron diffraction. //J.Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1991, V.57, рр. 223-278.

144. Xu M.L., Van Hove M.A. Surface structure determination with forward focused electrons. // Surf. Sci., 1989, V. 207, рр. 215-235.

145. Len P.M., Zhang F., Thevuthasan S., Kaduwela A.P., Van Hove M.A., Fadley C.S. Photoelectron holography: Prospects and limitations of direct methods //J.Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1995, V.76, Р.351.

146. Timmermans E., Trammell G.T., Hannon J.P. Spin Holography //Phys. Rev, 1998, B 58, рр. 5637-5648.

147. Rockwell International Corporation Downey, CA. Contamination Control Engineering Design / A.C. Tribble, B. Boyadjian, J. Davis etc. // Guidelines for the Aerospace Community, NASA Contractor Report 4740, May 1996. - 126 p.

148. Аналитическая химия Справочник, JA Дин; McGraw-Hill, Нью-Йорк, США, 1995.

149. Справочник колебательной спектроскопии; Чалмерс, JM, Гриффитс, PR, ред .; John Wiley & Sons Ltd., Чичестер, Великобритания, 2002.

150. Rockwell International Corporation Downey, CA. Contamination Control Engineering Design / A.C. Tribble, B. Boyadjian, J. Davis etc. // Guidelines for the Aerospace Community, NASA Contractor Report 4740, May 1996. - 126 p.

151. Петров Н. Н., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: Из-во ЛГУ, 1977. 160 с.

152. Мак-Хью И. А. Вторично-ионная масс-спектрометрия: в кн. Методы анализа поверхности / Под ред. А. Зандерны; пер. с англ. М.: Мир, 1979. -С. 276-342.

153. Черепин В. Т. Мacc-спектрометрия вторичных ионов // Электронная промышленность, 1979, №1-2. С. 17-34.

154. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела; пер. с англ. М.: Мир, 1980. 488 с.

155. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника и В. Декейсера; пер. с англ. М.: Мир, 1981. -468 с.

156. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности; пер. с англ. М.: Мир, 1989. 564 с.

157. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок; пер. с англ. М.: Мир, 1989.- 344с.

158. Arnot F.L., Milligan J. C. A new process of negative ion formation // Proceedings of the Royal Society of London, A, № 156, 1936. P. 538-560.

159. Herzog R. F.K., Viehbock F.P. Ion sours for mass spectrography // Phys. Rev., 1949, V.76. P. 855.

160. Werner H. W., de Grefte H. A. M. // Vakuum-Technik, 1967. V.17, Р. 37.

161. Carter G., Colligon J. S. Ion Bombardment of Solids // New York: American Elsevier Pub. Co., 1968. - 200 p.

162. Lindhard J., Scharff M. Energy Dissipations by Ions in the keV Region // Physical Review, 1961, 124. P. 128-130.

163. Whitlow H. J., Keinonen J., and Hautala M. Mixing of Al in Si by Ne+ ions // Journal of Applied Physics, 1985, Vol. 58 (8). P. 3246-3248.

164. McKracken G. M. The Behaviour of Surfaces under Ion Bombardment // Reports on Progress in Physics, 1975, V.38, № 2. Р. 241-327.

165. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сборник статей 1986-1987 гг.; пер. с англ. / Составитель Е. С. Машкова. -М.: Мир, 1989.-349 с.

166. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Выпуск 1 / Под ред. Р. Бериша; пер. с англ.-М.: Мир, 1984.

167. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Выпуск II / Под ред. Р. Бериша; пер. с англ.- М.: Мир, 1986.

168. Sigmund P. Theory of sputtering: I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets // Phys. Rev., 1969, V.184, № 2. P. 383-416.

169. Козловский В. В., Румянцев Д. С. Эффекты дальнодействия при стимулировании диффузии бора в кремнии протонным пучком / Тезисы докладов XXXIII-ей международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Москва 26-28 мая 2003 г. С. 3. http//danp.sinp.msu.ru/part_4.pdf

170. Векслер В. И. Вторичная ионная эмиссия металлов.- М.: Наука, 1978.240 с.

171. Loebach E. Analysis of monomolecular layers of solids by the static method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS) J. Radioanal. Chem., 1972, V.12, № 1. P. 95-100.

172. Treitz N. Analysis of solid surface monolayers by mass and energy spectrometry methods // J. Phys. E: Science Instruments, 1977, V. 10. P. 573585.

173. Stumpl E., Benninghoven A. Surface oxidation stadies of iron using the static method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS) // Phys. Status solidi (a), 1974, V.21, № 2. P. 479- 486.

174. Ремнев Г. Е., Исаков И. Ф., Опекунов М. С., Матвиенко В.М. Источники мощных ионных пучков для практического применения // Известия вузов: Серия физика, 1998, Том 41, № 4. С. 92-111.

175. Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П. Формирование наноразмерных высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками // Прикладная физика, 2000, № 6. С. 45-49.

176. Croset M. Quantitativ analysis of boron profiles in silicon using ion microprobe mass spectrometry // J. Radioanal. Chem., 1972, V.12, № 1. P. 69-75.

177. Wittmaack K. High-sensitivity depth profiling of arsenic and phosphorus in silicon by means of SIMS // Applied Physics Letters, 1976, Volume 29, Issue 9. P. 552-554.

178. Hofer W. O., Liebl H., Ross G., Staudenmaier G. An electronic aperture for in-depth analysis of solid with an ion microprobe // International Journal of Mass Spectrometry and Ion Physics, 1976, Volume 19, Issue 3. P. 327-324.

179. Dawson P. H. Quadrupoles for Secondary ion mass spectrometry // Int. J. Mass Spectrom and Ion Phys., 1975. Vol. 17. P. 447-467.

180. Слабоденюк Г. И. Квадрупольные масс-спектрометры. М.: Атомиздат, 1975. 272 с.

181. Liebl H. Ion microprobe mass analiyzer // Journal of Applied Physics, 1967, V. 38, Issue 13. P. 5277-5283.

182. Fletcher J.S., Lockyer N.P., Vickerman J.C. // Mass Spectrometry Reviews. 2011. V. 30. P. 142.

183. Rading D., Moellers R., Kollmer F., Paul W., Niehuis E. // Surf. Interface Anal. 2011. V. 43. P. 198.

184. Drozdov M.N., Drozdov Y.N., Pakhomov G.L. and et. Depth profiling of fullerene-containing structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry / Vinograd N. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 3.

185. Iltgen K., Bendel C., Benninghoven A., Niehuis E. Proceeding of SIMS X // J. Vac. Sci. Technol. 1997. V. A 15. P. 460-464.

186. Van Vaeck L., Adriaens A., Gijbels R. Static Secondary Ion Mass Spectrometry: (S-SIMS) Part 1. Methodology and Structural Interpretation // Mass Spectrometry Reviews. 1999. V. 18. P. 1.

187. Cramer H.-G., Grehl T., Kollmer F., Moellers R., Niehuis E., Rading D. Depth profiling of organic materials using improved ion beam conditions // Applied Surface Science. 2008. V. 255. P. 966.

188. Houssiau L., Douhard B., Mine N. Molecular depth profiling of polymers with very low energy ions // Applied Surface Science. 2008. V. 255. P. 970.

189. Analysis of organic multilayered samples for optoelectronic devices by (low-energy) dynamics SIMS [Text] : научное издание / K. Q. Ngo [et al.] // Surface and Interface Anal. - 2011. - Vol. 43, N 1-2. - P194-197 . - ISSN 01422421

190. Py M., Barnes J.P., Charbonneau M., Tiron R., Buckley J. Adsorption of salicylic acid, 5-sulfosalicylic acid and Tiron at the alumina-water interface // Surf. Interface Anal. 2011. V. 43. P. 179.

191. Rading D., Moellers R., Cramer H.-G., Niehuis E. Dual beam depth profiling of polymer materials: comparison of C60 and Ar cluster ion beams for sputtering. // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 171-174.

192. Conard T., Franquet A., Tsvetanova D., Mouhib T., Vandervorst W. Degradation of deep ultraviolet photoresist by As-implantation studied by Ar-cluster beam profiling // Surf. Inerface Anal. 2013. V. 45. P. 406-408.

193. Mouhib T., Poleunis C., Mollers R., Niehuis E., Defrance P., Bertrand P., Delcorte A. Organic depth profiling of C60 and C60/phthalocyanine layers using argon clusters // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 163-166.

194. Kotze H.L., Armitage E.G., Fletcher J.S., Henderson A., Williams K.J., Lockyer N.P., Vickerman J.C. ToF-SIMS as a tool for metabolic profiling small biomolecules in cancer systems // Surf. Interface Anal. 2013. V. 45. P. 277-281.

195. Трошин П.А., Любовская Р.Н., Разумов В.Ф. Органические солнечные батареи: структура, материалы, критические параметры и перспективы развития // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. № 5-6. С. 56-77.

196. Zeeshan S., Javeed S., Ahmad S. // International Journal of Mass Spectrometry. 2012. V. 311. P. 1.

197. Li Di, Chen Y., Wang G., Shrivastav G., Oak S., Tasch A., Banerjee S. // User's manual. University of Texas at Austin. Mar. 20, 2000.

198. Cluster secondary ion mass spectrometry / Ed. by Christine M. Mahoney. John Wiley & Sons, 2013. 348 р.

199. BS 8568:2013. Cleanroom energy - Code of practice for improving energy efficiency in cleanrooms and clean air devices. http://www.cleanairandcontainment.com/standards/4

200. Севрюкова Е.А. Эффективность систем климатизации чистых комнат. Монография // LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013. - 180 с.

201. MEMS, digital output motion sensor ultra low-power high performance 3-axes «piccolo» accelerometer LIS302DLH [Текст]. - 2009. - 37 c.

ПРИЛОЖЕНИЕ А Экспериментальные данные (класс загрязнителя - сложные эфиры (С16Н22О4 дибутилфталат - пластификатор ДБФ))

Класс 6 ИСО

Температура чистого помещения поддерживается на уровне 22°С ± 3°С Поддерживаемая положительная минимальная перепад давления: между чистым помещением и внешней окружающей средой - 12 Па; между чистым

помещением и входным шлюзом 5 Па. Таблица А1 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=3 мин, угол

наклона пластины а=45°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 03.03.2014 г., (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 6:34 8,7

соединение

Печатная 2 0,0212 6:56 8,8

плата

Оптическая 3 0,5476 7:02 9,5

панель

Корпус 4 0,5476 7:08 10,3

Кабельное 5 0,1627 7:21 8,9

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 7:34 9,8

ЬЕЫ1-016 7 0,0121 7:38 9,2

Экран ПТР 8 0,7564 7:48 9,0

Панель БС 9 0,7564 7:56 8,7

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 8:02 9,5

Таблица А2 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=2,5 мин, угол наклона пластины а=45°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 01.04.2014 г (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 9:20 8,5

соединение

Печатная 2 0,0212 9:26 9,6

плата

Оптическая 3 0,5476 9:32 8,5

панель

Корпус 4 0,5476 10:08 7,8

Кабельное 5 0,1627 10:21 9,1

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 10:34 8,8

ЬБМ1-016 7 0,0121 10:48 8,9

Экран ПТР 8 0,7564 11:08 9,8

Панель БС 9 0,7564 11:56 7,7

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 12:02 9,4

Таблица А3 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1,5 мин, угол наклона пластины а=45°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 12.05.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 10:59 5,1

соединение

Печатная 2 0,0212 11:04 4,7

плата

Оптическая 3 0,5476 11:09 4,8

панель

Корпус 4 0,5476 11:13 4,9

Кабельное 5 0,1627 11:17 4,8

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 11:21 5,0

ЬБМ1-016 7 0,0121 11:25 5,2

Экран ПТР 8 0,7564 11:29 4,6

Панель БС 9 0,7564 11:32 4,7

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 11:37 5,1

Таблица А4 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1 мин, угол наклона пластины а=45°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 02.06.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 13:26 8,4

соединение

Печатная 2 0,0212 13:31 7,9

плата

Оптическая 3 0,5476 13:36 7,8

панель

Корпус 4 0,5476 13:44 8,3

Кабельное 5 0,1627 13:49 8,2

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 13:53 8,3

ЬЕЫ1-016 7 0,0121 13:58 8,3

Экран ПТР 8 0,7564 14:04 8,2

Панель БС 9 0,7564 14:08 8,4

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 14:16 8,3

Таблица А5 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1,7 мин, угол наклона пластины а=30°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 07.07.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 15:00 2,7

соединение

Печатная 2 0,0212 15:07 2,8

плата

Оптическая 3 0,5476 15:11 2,7

панель

Корпус 4 0,5476 15:13 2,7

Кабельное 5 0,1627 15:17 2,8

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 15:21 2,7

ЬБМ1-016 7 0,0121 15:28 2,7

Экран ПТР 8 0,7564 15:31 2,9

Панель БС 9 0,7564 15:35 2,7

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 15:46 2,8

Таблица А6 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1,5 мин, угол наклона пластины а=30°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 04.08.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 16:36 5,1

соединение

Печатная 2 0,0212 16:47 4,8

плата

Оптическая 3 0,5476 17:11 4,9

панель

Корпус 4 0,5476 17:17 4,9

Кабельное 5 0,1627 17:27 4,9

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 17:31 5,0

ЬЕЫ1-016 7 0,0121 17:48 5,1

Экран ПТР 8 0,7564 17:51 4,8

Панель БС 9 0,7564 17:55 4,7

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 17:59 5,1

Таблица А7 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1 мин, угол наклона пластины а=30°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 01.09.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 17:36 10,2

соединение

Печатная 2 0,0212 17:39 9,2

плата

Оптическая 3 0,5476 17:44 10,7

панель

Корпус 4 0,5476 17:47 10,2

Кабельное 5 0,1627 17:57 8,9

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 18:04 9,9

ЬБМ1-016 7 0,0121 18:08 9,8

Экран ПТР 8 0,7564 18:11 9,9

Панель БС 9 0,7564 18:25 9,9

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 18:39 9,8

Таблица А8 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=3 мин, угол наклона пластины а=60°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 14.10.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 08:36 12,6

соединение

Печатная 2 0,0212 08:41 6,3

плата

Оптическая 3 0,5476 08:54 8,0

панель

Корпус 4 0,5476 09:17 8,5

Кабельное 5 0,1627 09:26 7,7

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 09:34 10,6

ЬЕЫ1-016 7 0,0121 09:38 13,6

Экран ПТР 8 0,7564 09:51 13,9

Панель БС 9 0,7564 10:25 5,2

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 10:32 13,0

Таблица А9 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=2 мин, угол наклона пластины а=60°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 11.11.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 11:36 8,4

соединение

Печатная 2 0,0212 11:41 8,4

плата

Оптическая 3 0,5476 11:54 9,8

панель

Корпус 4 0,5476 12:17 8,5

Кабельное 5 0,1627 12:26 11,3

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 12:34 8,7

ЬБМ1-016 7 0,0121 12:38 10,4

Экран ПТР 8 0,7564 12:51 8,8

Панель БС 9 0,7564 13:25 8,4

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 13:32 11,0

Таблица А10 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1,5 мин, угол наклона пластины а=60°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 08.12.2014 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 14:36 5,1

соединение

Печатная 2 0,0212 14:41 4,3

плата

Оптическая 3 0,5476 14:48 5,8

панель

Корпус 4 0,5476 14:57 5,1

Кабельное 5 0,1627 15:16 4,0

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 15:24 4,9

ЬЕЫ1-016 7 0,0121 15:38 4,7

Экран ПТР 8 0,7564 15:41 4,9

Панель БС 9 0,7564 15:55 4,8

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 16:32 4,7

Таблица А11 - Значения измеренных концентраций молекул С16Н22О4 на поверхностях контрольных пластин и соответствующие им значения концентраций загрязнения при длительности очистки (смыва) 1=1 мин, угол наклона пластины а=60°.

Расположение (место отбора пробы) № контрольной пластины Площадь поверхности смыва, м2 Контрольный замер 12.01.2015 г. (время) Концентрация загрязнений С х 10-11 на поверхности, г/см2

Кабельное 1 0,1627 16:06 7,4

соединение

Печатная 2 0,0212 16:11 7,5

плата

Оптическая 3 0,5476 16:14 7,7

панель

Корпус 4 0,5476 16:17 7,4

Кабельное 5 0,1627 16:26 6,5

соединение БТР

АИ 024 +БОС1-ССИК 6 0,2176 16:34 7,4

ЬБМ1-016 7 0,0121 16:38 7,3

Экран ПТР 8 0,7564 16:51 7,5

Панель БС 9 0,7564 17:25 7,4

АИ 024 +БОС1-ССИК 10 0,2176 17:32 7,3

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (НИУ МИЭТ)

НДИ 05.23 - 2015

Методика

измерений массовой концентрации органических веществ (углеводороды, эфиры, метил силиконы, метил фенил силиконы) на поверхностях изделий в чистых помещениях индустрии высоких технологий методом инфракрасной

спектроскопии

Аттестована

Федеральным бюджетным учреждением "Государственный региональный центр стандартизации, метрологии и испытаний в Ростовской области"

Москва 2015

РАЗРАБОТАНА: Кафедрой промышленной экологии, доцент, канд. техн. наук Елена Александровна Севрюкова

ИСПОЛНИТЕЛЬ: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (НИУ МИЭТ)

Адрес: 124498, г.Москва, г.Зеленоград, площадь Шокина, дом 1. Телефон: [phone] Факс: [phone]

Фамилия, имя, отчество, должность руководителя организации: Ректор НИУ МИЭТ Юрий Александрович Чаплыгин

СВЕДЕНИЯ ОБ АТТЕСТАЦИИ

АТЕСТОВАНА: Федеральным бюджетным учреждением «Государственный региональный центр стандартизации, метрологии и испытаний в Ростовской области» (ФБУ «Ростовский ЦСМ»)

Аттестат аккредитации на право аттестации методик (методов) измерений и проведения метрологической экспертизы документов № 01.00281-2013 от 03 декабря 2013 года.

Свидетельство об аттестации методики измерений № 015-01.00281-2013-2015 от 20.11.2015 г.