Теоретические модели режимов роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Большаков, Алексей Дмитриевич

• Большаков, Алексей Дмитриевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Большаков, Алексей Дмитриевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

Актуальность темы

Цели и задачи работы

Научная новизна работы

Научная и практическая значимость работы

Положения, выносимые на защиту

Апробация работы и публикации

Глава 1. НИТЕВИДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛЫ: ИСТОРИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ, ПРИМЕНЕНИЯ, СИНТЕЗ И МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ

1.1. Исторический экскурс

1.2. Перспективы применения ННК

1.3. Методы синтеза ННК

_1.3.1. Рост по механизму «пар-жидкость-кристалл»

_1.3.2 Рост по механизму «пар-кристалл-кристалл»

_1.3.3 Рост ННК в отсутствие катализатора

_1.3.4 Рост ННК с использованием селективной литографии

1.4 Теории роста ННК по механизму ПЖК

1.5 Проблемы синтеза полупроводниковых ННК

_1.5.1 Явление \VZ-ZB политипизма ННК АЗВ5

_1.5.2 Латеральный рост ННК

_1.5.3 Формирование радиальных гетероструктур и квантовых точек на их

поверхности

Глава 2. УСТОЙЧИВОСТЬ КАПЛИ КАТАЛИЗАТОРА И РЕЖИМЫ ПЖК

РОСТА

2.1 Теоретическая модель

2.2 ПЖК рост Аи- и Ga-каталитических GaAs НИК

2.3 Основные результаты Главы 2

Глава 3. ЛАТЕРАЛЬНЫЙ РОСТ И МОРФОЛОГИЯ ННК

3.1 Модель ПЖК роста ННК, с учетом латерального уширения

3.2 Анализ построенной модели и сопоставление с экспериментом

3.3 Модель ПЖК роста ННК по методу сублимации с близкого расстояния

3.4 Модель самоиндуцированного роста ННК

3.5 Анализ модели самоиндуцированного роста ННК

3.6 Основные результаты Главы 3

Глава 4. ФОРМИРОВАНИЕ РАДИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И РОСТ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК НА БОКОВОЙ ПОВЕРХНОСТИ ННК

4.1 Модель формирования КТ при росте радиальных гетероструктур

4.2 Критическая толщина смачивающего слоя

4.3 Моделирование частичного покрытия КТ боковой поверхности ННК112

4.4 Основные результаты Главы 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список сокращений и условных обозначений

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теоретические модели режимов роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов»

ВВЕДЕНИЕ Актуальность темы

Полупроводниковые наноструктуры пониженной размерности, в том числе нитевидные нанокристаллы (ННК) и гибридные структуры на их основе, являются объектами интенсивного научного исследования. Интерес к полупроводниковым ННК связан с перспективами их применения в наноэлектронике, нанофото-нике и наносенсорах [1-3]. Ограничение латеральных размеров полупроводниковых ННК приводит к проявлению интересных физических свойств, которые не наблюдаются в объемных материалах.

Одним из способов синтеза наноструктур с характерными размерами менее 100 нм является нанолитография [4], которая требует дорогостоящей обработки поверхности и может приводить к появлению структурных дефектов. Нитевидные нанокристаллы, выращиваемые по механизму «пар-жидкость-кристалл» (ПЖК) или по механизму самоиндуцированного роста в отсутствие катализатора без привлечения методов постпроцессинга [5] имеют, как правило, более высокое структурное совершенство при существенно более низких затратах на изготовление.

Важным направлением исследований в области физики ННК является интеграция оптических полупроводниковых наногетероструктур (в первую очередь АЗВ5) на кремниевую платформу [6]. Препятствием на этом пути является огромное значение коэффициента рассогласования постоянных решетки кристаллического кремния с большинством соединений АЗВ5. Ввиду малых латеральных размеров, бездислокационные ННК могут быть выращены на подложках с большим рассогласованием решеток, что является одним из перспективных способов интеграции опто- и микроэлектроники [1,7-12].

На настоящий момент известно множество различных методов синтеза од-нокомпонентных, к примеру [13,14], ве [15,16], металлических [17,18], а также многокомпонентных полупроводниковых АЗВ5 [19-21], А2В6 [22-24] и прочих

одномерных наноструктур. Важнейшими из существующих методик являются рост ННК по механизму ПЖК [25-27], самокаталитический рост (рост, стимулированный каплей, состоящей из атомов ростового материала) [28-30], а также самоиндуцированный рост ННК (рост в отсутствие капли катализатора, его также называют бескаталитическим) [31-33] с привлечением технологий молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) или газофазной эпитаксии (ГФЭ).

Известно, что формирование большинства АЗВ5 ННК сопровождается явлением неконтролируемого политипизма кристаллической фазы вюрцит-сфалерит (или WZ-ZB от англ. wurtzite - zinc blende) [34,35]. На настоящий момент не получен окончательный ответ на вопрос о причинах данного явления, и не до конца разработаны подкрепленные теорией методики контроля кристаллической структуры АЗВ5 ННК. Как показал эксперимент, замена металлического катализатора роста GaAs ННК с Au на Ga позволяет не только избежать нежелательного проникновения Au в объем или на боковую поверхность ННК [28-30], которое приводит к появлению глубоких примесных центров [36], но и подавить явление неконтролируемого политипизма [37]. В первой части работы мы исследуем вопрос об устойчивости капли на верхней грани ННК в зависимости от поверхностных энергий материала катализатора, что важно как для лучшего понимания самокаталитического ПЖК роста АЗВ5 ННК, так и для контроля их кристаллического совершенства. Определены возможные режимы роста по механизму ПЖК, приводящие к принципиально различным конфигурациям капли и сценариям формирования кристаллической структуры.

Классические теории рассматривают рост ННК постоянного радиуса, пренебрегая встраиванием атомов ростового материала на боковой поверхности ННК [38]. Однако, во многих случаях ННК испытывают латеральное уширение в процессе роста, то есть растут не только вертикально, но и радиально [39,40]. Данный эффект требует теоретического исследования, поскольку получение массивов ННК заданной морфологии - важнейшая технологическая задача. В данной работе мы теоретически исследуем латеральный рост и морфологию ННК, форми-

рующихся по механизму ПЖК, а также в отсутствие металлического катализатора.

Огромный интерес, с точки зрения оптоэлектроники и наноэлектроники, представляют гетероструктурные ННК различного типа: с осевыми [41] и радиальными гетеропереходами ("core-shell" ННК) [42], ННК с квантовыми точками (КТ) в объеме [43]. Примечательно, что современные ростовые методики позволяют создавать резкие гетеропереходы в объеме ННК [44]. На базе гетерострук-турных ННК могут быть созданы полевые транзисторы [8,45], туннельные диоды [46], одноэлектронные транзисторы [47], элементы солнечных батарей [48] и пр. Недавно был синтезирован новый перспективный вид гибридных наноструктур: в ходе роста радиальной решеточно-рассогласованной гетероструктуры GaAs/InAs на боковой поверхности GaAs ННК образовались квантовые точки [49,50]. В данной работе мы теоретически исследуем эффект образования КТ при росте гетеро-структурных ННК в геометрии "core-shell".

Цели и задачи работы

Основной целью работы является моделирование процессов роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, конфигураций капель катализатора при росте по механизму «пар-жидкость-кристалл» и формирования квантовых точек на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов.

Задачами работы являются • Теоретические исследования морфологии капель катализатора и различных режимов роста нитевидных нанокристаллов по механизму «пар-жидкость-кристалл».

Теоретические исследования морфологии нитевидных нанокристаллов, полученных по механизму «пар-жидкость-кристалл», а также в отсутствие катализатора.

Теоретические исследования роста рассогласованной тонкой пленки на боковой поверхности нитевидного нанокристалла («core-shell» рост) и образования квантовых точек.

Научная новизна работы

Научная новизна работы заключается в следующем:

Впервые исследована устойчивость капли катализатора при росте нитевидного нанокристалла по механизму «пар-жидкость-кристалл».

Описано латеральное уширение нитевидных нанокристаллов в предположении пропорциональности скорости радиального роста концентрации адатомов на боковой поверхности нитевидного нанокристалла.

Теоретически исследован рост нитевидных нанокристаллов методом сублимации с близкого расстояния.

Впервые рассмотрен рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов в отсутствие катализатора, в предположении нестационарной неоднородной концентрации адатомов на верхней грани.

Разработана новая теоретическая модель формирования квантовых точек на боковой поверхности нитевидного нанокристалла.

Научная и практическая значимость работы

Научная и практическая значимость работы состоит в следующем:

Получено выражение, определяющее конфигурацию капли при росте по механизму «пар-жидкость-кристалл» в зависимости от поверхностных энергий, которое может быть использовано при подборе оптимального катализатора для синтеза бездефектных нитевидных нанокристаллов.

Ростовые модели, описывающие одновременно вертикальный и латеральный рост нитевидных нанокристаллов, позволяют управлять их морфологией, а также определять значения важных кинетических параметров из сопоставления с экспериментальными данными.

Аналитические выражения, описывающие рост нитевидных нанокристаллов СсГГе по методу сублимации с близкого расстояния, позволяют контролировать морфологию за счет изменения условий осаждения.

Предложена модель, описывающая формирование 1пАб квантовых точек на боковой поверхности ваАз нитевидных нанокристаллов по механизму, существенно отличающемуся от двумерного роста Странского-Крастанова, и позволяющая контролировать плотность и пространственное распределение квантовых точек.

Положения, выносимые на защиту

На защиту выносятся следующие положения:

1. Существуют две моды роста нитевидных нанокристаллов по механизму «пар-жидкость-кристалл»: смачивающая и несмачивающая. Положение капли катализатора соответствует минимуму поверхностной энергии системы и зависит от материала катализатора. Невозможно достижение минимума энергии в промежуточных конфигурациях.

2. При росте ваАэ нитевидных нанокристаллов с Аи катализатором сферической геометрии наблюдается два минимума поверхностной энергии, разделенные энергетическим барьером. Таким образом, всегда имеется локальная устойчивость капли на вершине. При использовании ва катализатора минимум энергии всегда соответствует смачивающей конфигурации капли.

3. При росте нитевидных нанокристаллов по каталитическому механизму «пар-жидкость-кристалл» за счет поверхностной диффузии возможны различные типы геометрии: конусообразная, выпуклая с уширением к центру и цилиндрическая, в зависимости от условий эпитаксиального процесса.

4. Разработанная теоретическая модель роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов хорошо описывает экспериментально наблюдаемую уширяющуюся от основания к верхней грани форму кристаллов ваИ, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния.

5. В случае роста квантовых точек на боковой поверхности нитевидного на-нокристалла критическая толщина смачивающего слоя зависит от радиуса. Если радиус меньше определенного критического значения, формирование квантовых точек происходит без образования смачивающего слоя. При увеличении радиуса осуществляется классический механизм Странского-Крастанова. Значение радиуса, при котором критическая толщина обращается в ноль, в системе материалов ТпАз/ваАз равна примерно 120 нм.

6. Эффект неоднородного покрытия боковой поверхности ОаАв нитевидного нанокристалла квантовыми точками 1пАз объясняется неравномерным распределением осажденного 1пАз по длине, а также зависимостью критической толщины от радиуса. При малых радиусах боковая поверхность покрывается полностью, с уменьшением плотности квантовых точек от основания к вершине. При больших радиусах существует критическая длина, по достижении которой плотность квантовых точек обращается в ноль.

Апробация работы и публикации

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях,

симпозиумах и семинарах:

• XVI Международный Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012.

• 6th Nanowire Growth Workshop, Санкт-Петербург, 4-6 Июня 2012.

• 20ыи Международный Симпозиум «Nanostructures: Physics and Technology». Нижний Новгород, 24-30 июня 2012.

• 4th International Symposium on Growth of Ill-Nitrides. Санкт-Петербург, 16-19 июля 2012.

• Международная Конференция "Nanomeeting 2013". Минск, Беларусь, 28-31 мая 2013.

• 7th Nanowire Growth Workshop, Лозанна, Швейцария, 10-12 июня 2013.

• 21ьш Международный Симпозиум "Nanostructures: Physics and Technology" Санкт-Петербург, 24-28 июня 2013.

• International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2013), Карджез, Корсика, Франция, 19-30 августа 2013.

• 5th Int. Conference on One-Dimensional Nanomaterials (iCON 2013), Анси, Франция, 23-26 сентября 2013.

Также результаты работы докладывались на научном семинаре в Санкт-Петербургском Академическом университете.

Публикации. Основные результаты изложены в 17 печатных работах, в том числе в 7 научных статьях в журналах, входящих в перечень ВАК и 10 материалах конференций.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Большаков, Алексей Дмитриевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Теоретически исследована устойчивость капли катализатора при ПЖК росте ННК. Показано, что существует только два режима роста нитевидных нанокри-сталлов по механизму «пар-жидкость-кристалл», определяемых конфигурацией капли катализатора: смачивающий и несмачивающий. Установлены критерии реализации данных режимов в зависимости от поверхностных энергий. Определены геометрические параметры устойчивых конфигураций капли в зависимости от поверхностных энергий. Показано, что при росте нитевидных нанокристаллов ваАв с ва катализатором минимум эффективной поверхностной энергии соответствует смачивающему режиму, а при использовании Аи существуют минимумы в обоих режимах, разделенные энергетическим барьером.

В работе построена теоретическая модель ПЖК роста ННК, учитывающая их латеральное уширение в условиях, когда его скорость пропорциональна концентрации адатомов на боковых гранях ННК. Проведен теоретический анализ полученных аналитических выражений для концентрации адатомов, скоростей вертикального и латерального роста. Исследование первого из этих выражений дает три типа распределений концентрации адатомов на боковой поверхности ННК. В зависимости от соотношений между параметрами, выделены два режима вертикального роста: неограниченный и ограниченный. Определены режимы латерального роста, отвечающие различным геометрическим формам ННК, связанным с типами стационарного распределения концентрации адатомов на боковых гранях. Выделено три основных формы: цилиндрическая, конусообразная и «выпуклая». Проведенное сравнение с экспериментальными данными по Аи-каталитическому МПЭ росту ваАэ и ЫАб ННК свидетельствует о хорошем количественном согласии теории и эксперимента.

Разработана модель, количественно описывающая рост ННК СсГГе по методу сублимации с близкого расстояния. Особенного внимания заслуживают нелинейные зависимости радиуса и длины ННК от времени, обнаруженные экспериментально и хорошо описанные теоретически, в рамках адсорбционно-диффузионной модели роста.

Построена теоретическая модель роста ННК в отсутствие катализатора с учетом нестационарной концентрации адатомов на верхней грани, учитывающая латеральный рост в условиях, когда его скорость пропорциональна концентрации адатомов на боковых гранях. Проведен анализ полученных выражений для скоростей вертикального и латерального роста. Определено, что при малом значении длины ННК его вертикальный рост нелинеен по времени, и линеен при большой длине ННК. Определены режимы латерального роста, отвечающие различным геометрическим формам ННК. Выделено 5 основных форм: цилиндрическая, конусообразная, перевернутый конус, «выпуклая» и «вогнутая». Отметим, что рост ННК ваИ на подложке в форме перевернутого конуса наблюдался экспериментально и, насколько нам известно, до настоящей работы не был описан теоретически.

Полученные результаты позволяют не только качественно объяснить наблюдаемые экспериментально явления, но также получать важную количественную информацию о ростовом процессе из сопоставления экспериментальных и теоретических зависимостей длины ННК от времени, а также их диаметра от высоты. Таким путем могут быть найдены значения диффузионных длин, коэффициентов пиролиза на боковых гранях, скоростей адсорбции, вероятностей десорбции и встраивания на боковых гранях. Также результаты показывают, как изменение условий роста влияет на морфологию получаемых ННК.

Разработана теоретическая модель формирования КТ на боковой поверхности ННК. Определена зависимость критической толщины смачивающего слоя от радиуса ННК. Теоретически продемонстрировано, что критическая толщина смачивающего слоя монотонно убывает с уменьшением радиуса ННК и, при определенном значении радиуса (который зависит от состава гетероструктуры) обращается в ноль. Таким образом, рост КТ на боковой поверхности ННК существенно отличается от планарного случая: при малых диаметрах ННК КТ должны образовываться по механизму ФВ, а начиная с определенного диаметра - по механизму СК.

Промоделирована зависимость между высотой покрытия КТ боковой поверхности ННК и его диаметром. Получено хорошее соответствие экспериментальным данным.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Большаков, Алексей Дмитриевич, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Li, Y. Nanowire electronic and optoelectronic devices / Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C.M. Lieber // Materials Today. - 2006. - Vol. 9, № 10. - P. 18-27.

2 Patolsky, F. Nanowire sensors for medicine and the life sciences / F. Pa-tolsky, G. Zheng, C.M. Lieber // Nanomedicine. - 2006. - Vol. 1, № 1. - p. 51-65.

3 Дубровский, В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В.Г. Дубровский. Москва: Физматлит, 2009. - 352 с.

4 Edelstein, A.S. Nanomaterials synthesis, properties, and applications / A.S. Edelstein, R.C. Cammarata. Bristol; Philadelphia: Institute of Physics Pub., 1996.

5 Harmand, J.C. Analysis of vapor -liquid-solid mechanism in Au -assisted GaAs nanowire growth / J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Рёгё-Lapeme, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, № 20. - P. 203101.

6 Soref, R.A. Silicon-based optoelectronics / R.A. Soref // Proceedings of the IEEE. - 1993. - Vol. 81, № 12. - P. 1687-1706.

7 Lu, W. Semiconductor nanowires / W. Lu, C.M. Lieber // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2006. - Vol. 39, № 21. - P. R387-r406.

8 Thelander, C. Nanowire-based one-dimensional electronics / C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gosele, L. Samuelson // Materials Today. - 2006. - Vol. 9, № 10. - P. 28-35.

9 Rao, C.N. Inorganic nanowires / C.N. Rao, F.. Deepak, G. Gundiah, A. Govindaraj // Progress in Solid State Chemistry. - 2003. - Vol. 31, № 1-2. - P. 5-147.

10 Nanowires and nanobelts: materials, properties, and devices Boston: Kluw-er Academic Publishers, 2003. - 2 p.

11 Zhang, D. Synthesis and applications of one-dimensional nano-structured polyaniline: An overview / D. Zhang, Y. Wang // Materials Science and Engineering: B.

- 2006, - Vol. 134, № 1. - P. 9-19.

12 Samuelson, L. C. Semiconductor nanowires for 0D and ID physics and applications / L. Samuelson, C. Thelander, M.T. Bjork, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, A.E. Hansen, T. Martensson, N. Panev, A.I. Persson, W. Seifert, N. Skold, M.W. Larsson, L.R. Wallenberg // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures.

- 2004. - Vol. 25, № 2-3. - P. 313-318.

13 Holmes, J.D. Control of Thickness and Orientation of Solution-Grown Silicon Nanowires / J.D. Holmes // Science. - 2000. - Vol. 287, № 5457. - P. 1471-1473.

14 Wang, N. Nucleation and growth of Si nanowires from silicon oxide / N. Wang, Y.H. Tang, Y.F. Zhang, C.S. Lee, S.T. Lee // Physical Review B. - 1998. - Vol. 58, № 24. - P. R16024-r16026.

15 Kodambaka, S. Germanium Nanowire Growth Below the Eutectic Temperature / S. Kodambaka, J. Tersoff, M.C. Reuter, F.M. Ross // Science. - 2007. - Vol. 316,№5825.-P. 729-732.

16 Wu, Y. Germanium Nanowire Growth via Simple Vapor Transport / Y. Wu, P. Yang // Chemistry of Materials. - 2000. - Vol. 12, № 3. - P. 605-607.

17 Tsuji, M. Microwave-Assisted Synthesis of Metallic Nanostructures in Solution / M. Tsuji, M. Hashimoto, Y. Nishizawa, M. Kubokawa, T. Tsuji // Chemistry -A European Journal. - 2005. - Vol. 11, № 2. - P. 440-452.

18 Yin, A.J. Fabrication of highly ordered metallic nanowire arrays by elec-trodeposition / A.J. Yin, J. Li, W. Jian, A.J. Bennett, J.M. Xu // Applied Physics Letters. - 2001. - Vol. 79, № 7. - P. 1039.

19 Ohlsson, B.J. Size-, shape-, and position-controlled GaAs nano-whiskers / B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg // Applied Physics Letters. - 2001. - Vol. 79, № 20. - P. 3335.

20 Duan, X. Laser-Assisted Catalytic Growth of Single Crystal GaN Nano-wires / X. Duan, C.M. Lieber // Journal of the American Chemical Society. - 2000. -Vol. 122, № l.-P. 188-189.

21 Tomioka, K. Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si / K. To-mioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui // Nano Letters. - 2008. - Vol. 8, № 10. - P. 3475-3480.

22 Huang, M.H. Catalytic Growth of Zinc Oxide Nanowires by Vapor Transport / M.H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang // Advanced Materials.-2001.-Vol. 13, №2.-P. 113-116.

23 Tang, Z. Spontaneous Organization of Single CdTe Nanoparticles into Luminescent Nanowires / Z. Tang // Science. - 2002. - Vol. 297, № 5579. - P. 237240.

24 Heo, Y.W. ZnO nanowire growth and devices / Y.W. Heo, D.P. Norton, L.C. Tien, Y. Kwon, B.S. Kang, F. Ren, S.J. Pearton, J.R. LaRoche // Materials Science and Engineering: R: Reports. - 2004. - Vol. 47, № 1-2. - P. 1-47.

25 Wagner, R.S. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth / R.S. Wagner, W.C. Ellis // Applied Physics Letters. - 1964. - Vol. 4, № 5. - P. 89.

26 Law, M. SEMICONDUCTOR NANOWIRES AND NANOTUBES / M. Law, J. Goldberger, P. Yang // Annual Review of Materials Research. - 2004. - Vol. 34,№ l.-P. 83-122.

27 Wu, Y. Direct Observation of Vapor-Liquid-Solid Nanowire Growth / Y. Wu, P. Yang // Journal of the American Chemical Society. - 2001. - Vol. 123, № 13. -P. 3165-3166.

28 Cirlin, G.E. Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(lll) by molecular beam epitaxy / G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Y.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M.A. Kali-teevski, R.A. Abram, D. Zeze // Physical Review B. - 2010. - Vol. 82, № 3. - P. 035302.

29 Jabeen, F. Self-catalyzed growth of GaAs nanowires on cleaved Si by molecular beam epitaxy / F. Jabeen, V. Grillo, S. Rubini, F. Martelli // Nanotechnology. -2008.-Vol. 19, №27.-P. 275711.

30 Krogstrup, P. Structural Phase Control in Self-Catalyzed Growth of GaAs Nanowires on Silicon (111) / P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Mad-sen, J. Nygard, H. Shtrikman // Nano Letters. - 2010. - Vol. 10, № 11. - P. 4475^1482.

31 Park, W.I. Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of vertically well-aligned ZnO nanorods / W.I. Park, D.H. Kim, S.-W. Jung, G.-C. Yi // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 80, № 22. - P. 4232.

32 He, M. Growth of large-scale GaN nanowires and tubes by direct reaction of Ga with NH[sub 3] / M. He, I. Minus, P. Zhou, S.N. Mohammed, J.B. Halpern, R. Jacobs, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, R.D. Vispute // Applied Physics Letters. -2000. - Vol. 77, № 23. - P. 3731.

33 Zhang, Y. Simple Method To Synthesize Nanowires / Y. Zhang, N. Wang, S. Gao, R. He, S. Miao, J. Liu, J. Zhu, X. Zhang // Chemistry of Materials. - 2002. -Vol. 14, № 8. - P. 3564-3568.

34 Akiyama, T. An Empirical Potential Approach to Wurtzite-Zinc-Blende Polytypism in Group III-V Semiconductor Nanowires / T. Akiyama, K. Sano, K. Na-kamura, T. Ito // Japanese Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 45, № No. 9. - P. L275-1278.

35 Johansson, J. Structural properties of <111) B -oriented III-V nanowires / J. Johansson, L.S. Karlsson, C. Patrik T. Svensson, T. Martensson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson, W. Seifert // Nature Materials. - 2006. - Vol. 5, № 7. - P. 574580.

36 Tambe, M.J. Effects of Gold Diffusion on n-Type Doping of GaAs Nanowires / M.J. Tambe, S. Ren, S. Gradecak // Nano Letters. - 2010. - Vol. 10, № 11. - P. 4584-4589.

37 Dubrovskii, V.G. New Mode of Vapor-Liquid-Solid Nanowire Growth / V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner // Nano Letters.-2011.-Vol. 11,№3.-P. 1247-1253.

38 Dubrovskii, V. Growth rate of a crystal facet of arbitrary size and growth kinetics of vertical nanowires / V. Dubrovskii, N. Sibirev // Physical Review E. - 2004. -Vol. 70, №3.

39 Tchernycheva, M. Temperature conditions for GaAs nanowire formation by Au-assisted molecular beam epitaxy / M. Tchernycheva, J.C. Harmand, G. Patriarche, L. Travers, G.E. Cirlin // Nanotechnology. - 2006. - Vol. 17, № 16. - P. 40254030.

40 Dailey, J.W. Vapor-liquid-solid growth of germanium nanostructures on silicon / J.W. Dailey, J. Taraci, T. Clement, D.J. Smith, J. Drucker, S.T. Picraux // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 96, № 12. - P. 7556.

41 Wen, C.-Y. Formation of Compositionally Abrupt Axial Heterojunctions in Silicon-Germanium Nanowires / C.-Y. Wen, M.C. Reuter, J. Bruley, J. Tersoff, S. Ko-dambaka, E.A. Stach, F.M. Ross // Science. - 2009. - Vol. 326, № 5957. - P. 12471250.

42 Qian, F. Gallium Nitride-Based Nanowire Radial Heterostructures for Na-nophotonics / F. Qian, Y. Li, S. Gradecak, D. Wang, C.J. Barrelet, C.M. Lieber // Nano Letters. - 2004. - Vol. 4, № 10. - P. 1975-1979.

43 Borgstrom, M.T. Optically Bright Quantum Dots in Single Nanowires / M.T. Borgstrom, V. Zwiller, E. Miiller, A. Imamoglu // Nano Letters. - 2005. - Vol. 5, №7.-P. 1439-1443.

44 Tchernycheva, M. Growth and Characterization of InP Nanowires with InAsP Insertions / M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.-C. Harmand // Nano Letters. - 2007. - Vol. 7, № 6. - P. 1500-1504.

45 Lauhon, LJ. Epitaxial core-shell and core-multishell nanowire hetero-structures / L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, D. Wang, C.M. Lieber // Nature. - 2002. -Vol. 420, № 6911. - P. 57-61.

46 Bjork, M.T. Nanowire resonant tunneling diodes / M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 81, № 23. - P. 4458.

47 Thelander, C. Single-electron transistors in heterostructure nanowires / C. Thelander, T. Martensson, M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, M.W. Larsson, L.R. Wallenberg, L. Samuelson // Applied Physics Letters. - 2003. - Vol. 83, № 10. - P. 2052.

48 Garnett, E.C. Silicon Nanowire Radial p-n Junction Solar Cells / E.C. Garnett, P. Yang // Journal of the American Chemical Society. - 2008. - Vol. 130, № 29. - P. 9224-9225.

49 Uccelli, E. InAs Quantum Dot Arrays Decorating the Facets of GaAs Nanowires / E. Uccelli, J. Arbiol, J.R. Morante, A. Fontcuberta i Morral // ACS Nano. -2010. - Vol. 4, № 10. - P. 5985-5993.

50 Yan, X. Growth of InAs Quantum Dots on GaAs Nanowires by Metal Organic Chemical Vapor Deposition / X. Yan, X. Zhang, X. Ren, H. Huang, J. Guo, X. Guo, M. Liu, Q. Wang, S. Cai, Y. Huang // Nano Letters. - 2011. - Vol. 11, № 9. - P. 3941-3945.

51 Бережкова, Г.В. Нитевидные кристаллы / Г.В. Бережкова. Москва: Наука, 1969.-158 с.

52 Fraser, M.J. A Source of Natural Tin Whiskers / M.J. Fraser // Nature. -1959. - Vol. 183, № 4662. - P. 670-670.

53 Гиваргизов, Е.И. Кристаллические вискеры и наноострия / Е.И. Ги-варгизов // Природа. - 2003. - Т. 11, - С. 20-25.

54 Brenner, S. Mechanism of whisker growth—III nature of growth sites / S. Brenner, G. Sears // Acta Metallurgies - 1956. - Vol. 4, № 3. - P. 268-270.

55 Burton, W.K. The Growth of Crystals and the Equilibrium Structure of their Surfaces / W.K. Burton, N. Cabrera, F.C. Frank // Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. - 1951. - Vol. 243, №866.-P. 299-358.

56 Peach, M.O. Mechanism of Growth of Whiskers on Cadmium / M.O. Peach // Journal of Applied Physics. - 1952. - Vol. 23, № 12. - P. 1401.

57 Koonce, S.E. Growth of Metal Whiskers / S.E. Koonce, S.M. Arnold // Journal of Applied Physics. - 1953. - Vol. 24, № 3. - P. 365.

58 Eshelby, J. A Tentative Theory of Metallic Whisker Growth / J. Eshelby // Physical Review. - 1953. - Vol. 91, № 3. - P. 755-756.

59 Fisher, R. Accelerated growth of tin whiskers / R. Fisher, L. Darken, K. Carroll // Acta Metallurgies - 1954. - Vol. 2, № 3. - P. 368-373.

60 Sears, G.W. Mercury Whiskers / G.W. Sears // Acta Metallurgies - 1953. -Vol. 1,№ 4.-P. 457-459.

61 Sears, G. A growth mechanism for mercury whiskers / G. Sears // Acta Metallurgies - 1955. - Vol. 3, № 4. - P. 361-366.

62 Sears, G. A mechanism of whisker growth / G. Sears // Acta Metallurgica. - 1955. - Vol. 3, № 4. - P. 367-369.

63 Coleman, R. Growth of zinc whiskers / R. Coleman, G. Sears // Acta Metallurgica. - 1957. - Vol. 5, № 3. - P. 131-136.

64 Blakely, J.M. Growth of Crystal Whiskers / J.M. Blakely, K.A. Jackson // The Journal of Chemical Physics. - 1962. - Vol. 37, № 2. - P. 428.

65 Givargizov, E.I. Fundamental aspects of VLS growth / E.I. Givargizov // Journal of Crystal Growth. - 1975. - Vol. 31, - P. 20-30.

66 Givargizov, E.I. Periodic instability in whisker growth / E.I. Givargizov // Journal of Crystal Growth. - 1973. - Vol. 20, № 3. - P. 217-226.

67 Гиваргизов, Е.И. / Е.И. Гиваргизов, A.A. Чернов // Кристаллография. -1973.-Т. 18,-С. 147.

68 Hiruma, К. Growth and optical properties of nanometer-scale GaAs and InAs whiskers / K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi // Journal of Applied Physics. - 1995. - Vol. 77, № 2. - P. 447.

69 Martensson, T. Epitaxial III-V Nano wires on Silicon / T. Martens son, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, M.W. Larsson, W. Seifert, K. Deppert, A. Gustafsson, L.R. Wallenberg, L. Samuelson // Nano Letters. - 2004. - Vol. 4, № ю. - P. 19871990.

70 Cui, Y. Nanowire Nanosensors for Highly Sensitive and Selective Detection of Biological and Chemical Species / Y. Cui // Science. - 2001. - Vol. 293, № 5533.-P. 1289-1292.

71 Hahm, J. Direct Ultrasensitive Electrical Detection of DNA and DNA Sequence Variations Using Nanowire Nanosensors / J. Hahm, C.M. Lieber // Nano Letters. - 2004. - Vol. 4, № 1. - P. 51-54.

72 Patolsky, F. Electrical detection of single viruses / F. Patolsky // Proceedings of the National Academy of Sciences. - 2004. - Vol. 101, № 39. - P. 1401714022.

73 Zheng, G. Multiplexed electrical detection of cancer markers with nanowire sensor arrays / G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W.U. Wang, C.M. Lieber // Nature Biotechnology. - 2005. - Vol. 23, № 10. - P. 1294-1301.

74 Huang, M.H. Room-Temperature Ultraviolet Nanowire Nanolasers / M.H. Huang // Science. - 2001. - Vol. 292, № 5523. - P. 1897-1899.

75 Duan, X. Single-nanowire electrically driven lasers / X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C.M. Lieber // Nature. - 2003. - Vol. 421, № 6920. - P. 241-245.

76 Oulton, R.F. Plasmon lasers at deep subwavelength scale / R.F. Oulton, V.J. Sorger, T. Zentgraf, R.-M. Ma, C. Gladden, L. Dai, G. Bartal, X. Zhang // Nature. -2009. - Vol. 461, № 7264. - P. 629-632.

77 Qian, F. Core/Multishell Nanowire Heterostructures as Multicolor, High-Efficiency Light-Emitting Diodes / F. Qian, S. Gradecak, Y. Li, C.-Y. Wen, C.M. Lieber // Nano Letters. - 2005. - Vol. 5, № 11. - P. 2287-2291.

78 Gudiksen, M.S. Growth of nanowire superlattice structures for nanoscale photonics and electronics / M.S. Gudiksen, L.J. Lauhon, J. Wang, D.C. Smith, C.M. Lieber // Nature. - 2002. - Vol. 415, № 6872. - P. 617-620.

79 Law, M. Nanowire dye-sensitized solar cells / M. Law, L.E. Greene, J.C. Johnson, R. Saykally, P. Yang //Nature Materials. - 2005. - Vol. 4, № 6. - P. 455-459.

80 Krogstrup, P. Single-nanowire solar cells beyond the Shockley-Queisser limit / P. Krogstrup, H.I. Jorgensen, M. Heiss, O. Demichel, J.V. Holm, M. Aagesen, J. Nygard, A. Fontcuberta i Morral // Nature Photonics. - 2013. - Vol. 7, № 4. - P. 306310.

81 Tian, B. Coaxial silicon nanowires as solar cells and nanoelectronic power sources / B. Tian, X. Zheng, T.J. Kempa, Y. Fang, N. Yu, G. Yu, J. Huang, C.M. Lieber // Nature. - 2007. - Vol. 449, № 7164. - P. 885-889.

82 Boukamp, B.A. All-Solid Lithium Electrodes with Mixed-Conductor Matrix / B.A. Boukamp // Journal of The Electrochemical Society. - 1981. - Vol. 128, № 4.-P. 725.

83 Chan, C.K. High-performance lithium battery anodes using silicon nanowires / C.K. Chan, H. Peng, G. Liu, K. Mcllwrath, X.F. Zhang, R.A. Huggins, Y. Cui // Nature Nanotechnology. - 2007. - Vol. 3, № 1. - P. 31-35.

84 Huang, Y. Logic Gates and Computation from Assembled Nanowire Building Blocks / Y. Huang // Science. - 2001. - Vol. 294, № 5545. - P. 1313-1317.

85 Wang, Z.L. Piezoelectric Nanogenerators Based on Zinc Oxide Nanowire Arrays / Z.L. Wang // Science. - 2006. - Vol. 312, № 5771. - P. 242-246.

86 Yuan, F.-W. Seeded silicon nanowire growth catalyzed by commercially available bulk metals: broad selection of metal catalysts, superior field emission performance, and versatile nanowire/metal architectures / F.-W. Yuan, H.-J. Yang, H.-Y. Tuan // Journal of Materials Chemistry. - 2011. - Vol. 21, № 36. - P. 13793.

87 Wang, C. Controllable synthesis of Ni-catalyzed tetragonal tungsten nanowires via chemical vapor deposition / C. Wang, Y. He, C. Peng, S. Wang, X. Liu // Progress in Natural Science: Materials International. - 2012. - Vol. 22, № 5. - P. 514— 519.

88 Seifert, W. Growth of one-dimensional nanostructures in MOVPE / W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C. Patrik T. Svensson, B.A. Wacaser, L. Reine Wallenberg, L. Samuelson // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 272, № 1-4. - P. 211-220.

89 Hochbaum, A.I. Controlled Growth of Si Nanowire Arrays for Device Integration / A.I. Hochbaum, R. Fan, R. He, P. Yang // Nano Letters. - 2005. - Vol. 5, № 3.-P. 457-460.

90 Schubert, L. Silicon nanowhiskers grown on (11 l)Si substrates by molecular-beam epitaxy / L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 84, № 24. - P. 4968.

91 Fuhrmann, B. Ordered Arrays of Silicon Nanowires Produced by Nanos-phere Lithography and Molecular Beam Epitaxy / B. Fuhrmann, H.S. Leipner, H.-R. Hoche, L. Schubert, P. Werner, U. Gosele // Nano Letters. - 2005. - Vol. 5, № 12. - P. 2524-2527.

92 Harmand, J.C. GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: Effect of growth temperature / J.C. Harmand, M. Tchernycheva, G. Patriarche, L. Travers, F. Glas, G. Cirlin // Journal of Crystal Growth. - 2007. - Vol. 301-302, - P. 853-856.

93 Debnath, R.K. Mechanism of molecular beam epitaxy growth of GaN nanowires on Si(lll) / R.K. Debnath, R. Meijers, T. Richter, T. Stoica, R. Calarco, H. Lüth// Applied Physics Letters.-2007.-Vol. 90,№ 12.-P. 123117.

94 Stoica, T. Photoluminescence and Intrinsic Properties of MBE-Grown InN Nanowires / T. Stoica, R.J. Meijers, R. Calarco, T. Richter, E. Sutter, H. Lüth // Nano Letters. - 2006. - Vol. 6, № 7. _ p. 1541-1547.

95 Cirlin, G.E. A3B5 nanowhiskers: MBE growth and properties / G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Y.B. Samsonenko, LP. Soshnikov, N.K. Polyakov, V.G. Dubrovskii, V.M. Ustinov, N.V. Sibirev // Czechoslovak Journal of Physics. - 2006. - Vol. 56, № 1. -P. 13-20.

96 Dubrovskii, V.G. Growth of GaAs nanoscale whiskers by magnetron sputtering deposition / V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov // Journal of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 289, № 1. - P. 31-36.

97 Dubrovskii, V. Diffusion-induced growth of GaAs nanowhiskers during molecular beam epitaxy: Theory and experiment / V. Dubrovskii, G. Cirlin, I. Soshnikov, A. Tonkikh, N. Sibirev, Y. Samsonenko, V. Ustinov // Physical Review B. - 2005. -Vol. 71, №20.

98 Persson, A.I. Solid-phase diffusion mechanism for GaAs nanowire growth / A.I. Persson, M.W. Larsson, S. Stenstróm, B.J. Ohlsson, L. Samuelson, L.R. Wallenberg // Nature Materials. - 2004. - Vol. 3, № 10. - P. 677-681.

99 Dick, K.A. Failure of the Vapor-Liquid-Solid Mechanism in Au-Assisted MOVPE Growth of InAs Nanowires / K.A. Dick, K. Deppert, T. Mártensson, B. Mandl, L. Samuelson, W. Seifert // Nano Letters. - 2005. - Vol. 5, № 4. - P. 761-764.

100 Tchernycheva, M. Au-assisted molecular beam epitaxy of InAs nanowires: Growth and theoretical analysis / M. Tchernycheva, L. Travers, G. Patriarche, F. Glas, J.-C. Harmand, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii // Journal of Applied Physics. - 2007. -Vol. 102, №9.-P. 094313.

101 Calleja, E. Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy / E. Calleja, M. Sánchez-García, F. Sánchez, F. Calle, F. Naranjo, E. Muñoz, U. Jahn, K. Ploog // Physical Review B. - 2000. - Vol. 62, № 24.-P. 16826-16834.

102 Meijers, R. GaN-nanowhiskers: MBE-growth conditions and optical properties / R. Meijers, T. Richter, R. Calarco, T. Stoica, H.-P. Bochem, M. Marso, H. Lüth // Journal of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 289, № 1. - P. 381-386.

103 Mamutin, V.V. Growth of A3N whiskers and plate-shaped crystals by molecular-beam epitaxy with the participation of the liquid phase / V.V. Mamutin // Technical Physics Letters. - 1999. - Vol. 25, № 9. - P. 741-744.

104 Dubrovskii, V.G. Scaling thermodynamic model for the self-induced nuc-leation of GaN nanowires / V.G. Dubrovskii, V. Consonni, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert // Physical Review B. - 2012. - Vol. 85, № 16.

105 Tchernycheva, M. Growth of GaN free-standing nanowires by plasmaassisted molecular beam epitaxy: structural and optical characterization / M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J.-C. Harmand, L.S. Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien // Nanotechnology. - 2007. - Vol. 18, № 38. - P. 385306.

106 Consonni, V. Nucleation mechanisms of self-induced GaN nanowires grown on an amorphous interlayer / V. Consonni, M. Hanke, M. Knelangen, L. Geel-haar, A. Trampert, H. Riechert // Physical Review B. - 2011. - Vol. 83, № 3.

107 Dubrovskii, V.G. Scaling growth kinetics of self-induced GaN nanowires / V.G. Dubrovskii, V. Consonni, L. Geelhaar, A. Trampert, H. Riechert // Applied Physics Letters.-2012.-Vol. 100,№ 15.-P. 153101.

108 Consonni, V. Quantitative description for the growth rate of self-induced GaN nanowires / V. Consonni, V.G. Dubrovskii, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert // Physical Review B. - 2012. - Vol. 85, № 15.

109 Noborisaka, J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy / J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 86, № 21. - P. 213102.

110 Noborisaka, J. Fabrication and characterization of freestanding GaA&AlGaAs core-shell nanowires and AlGaAs nanotubes by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy / J. Noborisaka, J. Motohisa, S. Нага, T. Fukui // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, № 9. - P. 093109.

111 Akabori, M. InGaAs nano-pillar array formation on partially masked InP(lll)B by selective area metal-organic vapour phase epitaxial growth for two-dimensional photonic crystal application / M. Akabori, J. Takeda, J. Motohisa, T. Fukui // Nanotechnology. - 2003. - Vol. 14, № 10. - P. 1071-1074.

112 Motohisa, J. Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates / J. Motohisa, J. Noborisaka, J. Takeda, M. Inari, T. Fukui // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 272, № 1-4. - P. 180-185.

113 Mohan, P. Controlled growth of highly uniform, axial/radial direction-defined, individually addressable InP nanowire arrays / P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui // Nanotechnology. - 2005. - Vol. 16, № 12. - P. 2903-2907.

114 Kashchiev, D. Nucleation: basic theory with applications / D. Kashchiev. Oxford; Boston: Butterworth Heinemann, 2000. - 529 p.

115 Колмогоров, A.H. / A.H. Колмогоров // Изв. АН СССР. Сер. мат. -1937.-№3.-С. 355.

116 Дубровский, В.Г. О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, М. Tchernycheva, J.-C. Harmand // ФТП. - 2006. - Т. 40, № 9. - С. 1103-1110.

117 Spirkoska, D. Structural and optical properties of high quality zinc-blende/wurtzite GaAs nanowire heterostructures / D. Spirkoska, J. Arbiol, A. Gustafs-son, S. Conesa-Boj, F. Glas, I. Zardo, M. Heigoldt, M.H. Gass, A.L. Bleloch, S. Estrade, M. Kaniber, J. Rossler, F. Peiro, J.R. Morante, G. Abstreiter, L. Samuelson, A. Fontcuberta i Morral // Physical Review B. - 2009. - Vol. 80, № 24.

118 Glas, F. Why Does Wurtzite Form in Nanowires of III-V Zinc Blende Semiconductors? / F. Glas, J.-C. Harmand, G. Patriarche // Physical Review Letters. -2007.-Vol. 99, №14.

119 Сибирев, H.B. Поверхностная энергия и кристаллическая структура нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III—V / Н.В. Сибирев, М.А. Тимофеева, А.Д. Большаков, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский // ФТТ. -2010. - Т. 52, № 7. - С. 1428-1434.

120 Dubrovskii, V. Role of nonlinear effects in nanowire growth and crystal phase / V. Dubrovskii, N. Sibirev, G. Cirlin, A. Bouravleuv, Y. Samsonenko, D. Dhee-raj, H. Zhou, C. Sartel, J. Harmand, G. Patriarche, F. Glas // Physical Review B. - 2009. -Vol. 80, №20.

121 Shtrikman, H. Stacking-Faults-Free Zinc Blende GaAs Nanowires / H. Shtrikman, R. Popovitz-Biro, A. Kretinin, M. Heiblum // Nano Letters. - 2009. - Vol. 9, № 1.-P. 215-219.

122 Joyce, H.J. Phase Perfection in Zinc Blende and Wurtzite III-V Nanowires Using Basic Growth Parameters / H.J. Joyce, J. Wong-Leung, Q. Gao, H.H. Tan, C. Ja-gadish // Nano Letters. - 2010. - Vol. 10, № 3. - P. 908-915.

123 Гиваргизов, Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е.И. Гиваргизов. Москва: Наука, 1977.

124 Jacopin, G. Photoluminescence polarization in strained GaN/AlGaN core/shell nanowires / G. Jacopin, L. Rigutti, S. Bellei, P. Lavenus, F.H. Julien, A.V. Davydov, D. Tsvetkov, K.A. Bertness, N.A. Sanford, J.B. Schlager, M. Tchernycheva // Nanotechnology. - 2012. - Vol. 23, № 32. - P. 325701.

125 Сибирев, H.B. Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость ростанитевидных нанокристаллов GaN / Н.В. Сибирев, М. Tchernycheva, Г.Э. Цырлин, G. Patriarche, J.-C. Harmand, В.Г. Дубровский // ФТП. - 2012. - Т. 46, № 6.-С. 857-860.

126 Joyce, Н. Process to grow nanowires controls key properties / H. Joyce // SPIE Newsroom. - 2009. -.

127 Heigoldt, M. Long range epitaxial growth of prismatic heterostructures on the facets of catalyst-free GaAs nanowires / M. Heigoldt, J. Arbiol, D. Spirkoska, J.M. Rebled, S. Conesa-Boj, G. Abstreiter, F. Peiro, J.R. Morante, A. Fontcuberta i Morral // Journal of Materials Chemistry. - 2009. - Vol. 19, № 7. - P. 840.

128 Aifantis, K.E. Nucleation of misfit dislocations and plastic deformation in core/shell nanowires / K.E. Aifantis, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov // Philosophical Magazine. - 2007. - Vol. 87, № 30. - P. 4731-4757.

129 Небольсин, В.А. Роль поверхностной энергии при кристаллизации кремния по механизму пар-жидкость-кристалл / В.А. Небольсин, А.А. Щетинин // Неорганические материалы. - 2003. - Т. 39, № 9. - С. 1050-1055.

130 Johansson, J. Effects of Supersaturation on the Crystal Structure of Gold Seeded III-V Nanowires / J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson // Crystal Growth & Design. - 2009. - Vol. 9, № 2. -P. 766-773.

131 Dubrovskii, V.G. Shape modification of III-V nanowires: The role of nuc-leation on sidewalls / V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov // Physical Review E. - 2008. - Vol. 77, № 3.

132 Ландау, Л.Д. Статистическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. -Наука. Москва, 1964.

133 Дубровский, В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения / В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов // ФТП. - 2009. - Т. 43, № 12. - С. 1585-1628.

134 Chuang, L.C. Optical properties of InP nanowires on Si substrates with varied synthesis parameters / L.C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, C. Chang-Hasnain // Applied Physics Letters. - 2008. - Vol. 92, № 1. - P. 013121.

135 Plante, M.C. Growth mechanisms of GaAs nanowires by gas source molecular beam epitaxy / M.C. Plante, R.R. LaPierre // Journal of Crystal Growth. - 2006. -Vol. 286, № 2. - P. 394-399.

136 Johansson, J. Mass Transport Model for Semiconductor Nanowire Growth / J. Johansson, C.P.T. Svensson, T. Martensson, L. Samuelson, W. Seifert // The Journal of Physical Chemistry B. - 2005. - Vol. 109, № 28. - P. 13567-13571.

137 Gotschke, T. Influence of the adatom diffusion on selective growth of GaN nanowire regular arrays / T. Gotschke, T. Schumann, F. Limbach, T. Stoica, R. Calarco // Applied Physics Letters. - 2011. - Vol. 98, № 10. - P. 103102.

138 Pinheiro, W.A. Comparative study of CdTe sources used for deposition of CdTe thin films by close spaced sublimation technique / W.A. Pinheiro, V.D. Falcao, L.R. de O. Cruz, C.L. Ferreira // Materials Research. - 2006. - Vol. 9, № 1. - P. 47-49.

139 Slattery, J.C. Calculation of the diffusion coefficient of dilute gases and of the self-diffusion coefficient of dense gases / J.C. Slattery, R.B. Bird // AIChE Journal.

- 1958. - Vol. 4, № 2. - P. 137-142.

140 Maiti, A. Vapor Pressure and Sublimation Rate of Molecular Crystals: Role of Internal Degrees of Freedom / A. Maiti, L.A. Zepeda-Ruiz, R.H. Gee, A.K. Burnham // The Journal of Physical Chemistry B. - 2007. - Vol. Ill, № 51. - P. 14290-14294.

141 Tatarenko, S. Cd and Те desorption from (001), (lll)B, and (110) CdTe surfaces / S. Tatarenko, B. Daudin, D. Brun, V. Etgens, M. Veron // Physical Review B.

- 1994. - Vol. 50, № 24. - P. 18479-18488.

142 Tatarenko, S. Sublimation mechanisms of (100) and (111) CdTe / S. Tatarenko, B. Daudin, D. Brun // Applied Physics Letters. - 1994. - Vol. 65, № 6. - P. 734.

143 Alamri, S.N. The growth of CdTe thin film by close space sublimation system / S.N. Alamri // physica status solidi (a). - 2003. - Vol. 200, № 2. - P. 352-360.

144 Wu, Y.S. Surface sublimation of zinc blende CdTe / Y.S. Wu, C.R. Becker, A. Waag, K. von Schierstedt, R.N. Bicknell-Tassius, G. Landwehr // Applied Physics Letters. - 1993. - Vol. 62, № 13. - P. 1510.

145 Greenberg, J.H. P-T-X phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in CdTe / J.H. Greenberg // Journal of Crystal Growth. - 1996. -Vol. 161, № 1-4.-P. 1-11.

146 Zappettini, A. A method for an accurate determination of stoichiometric deviations in CdTe and CdZnTe bulk crystals / A. Zappettini, R. Waldner, F. Bissoli, M.

Zha, L. Zanotti, C. Paorici // Journal E571-e575.

147 Guskov, V.N. Thermodynamic principles of the synthesis of CdTe, ZnTe, and CdZnTe solid solutions / V.N. Guskov, A.D. Izotov // Inorganic Materials. - 2008. - Vol. 44, № 13. - P. 1409-1433.

148 Wei, W. Direct Heteroepitaxy of Vertical InAs Nanowires on Si Substrates for Broad Band Photovoltaics and Photodetection / W. Wei, X.-Y. Bao, C. Soci, Y. Ding, Z.-L. Wang, D. Wang // Nano Letters. - 2009. - Vol. 9, № 8. - P. 2926-2934.

149 Songmuang, R. From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin A1N buffer layer / R. Songmuang, O. Landre, B. Daudin // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 91, № 25. - P. 251902.

150 Guo, W. Catalyst-Free InGaN/GaN Nanowire Light Emitting Diodes Grown on (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy / W. Guo, M. Zhang, A. Banerjee, P. Bhattacharya // Nano Letters. - 2010. - Vol. 10, № 9. - P. 3355-3359.

151 Bertness, K.A. Spontaneously grown GaN and AlGaN nanowires / K.A. Bertness, A. Roshko, N.A. Sanford, J.M. Barker, A.V. Davydov // Journal of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 287, № 2. - P. 522-527.

152 Galopin, E. Morphology of self-catalyzed GaN nanowires and chronology of their formation by molecular beam epitaxy / E. Galopin, L. Largeau, G. Patriarche, L. Travers, F. Glas, J.C. Harmand // Nanotechnology. - 2011. - Vol. 22, № 24. - P. 245606.

153 Hayden, O. Semiconductor nanowire devices / O. Hayden, R. Agarwal, W. Lu // Nano Today. - 2008. - Vol. 3, № 5-6. - P. 12-22.

154 Glas, F. Critical dimensions for the plastic relaxation of strained axial hete-rostructures in free-standing nanowires / F. Glas // Physical Review B. - 2006. - Vol. 74, № 12.

155 Dubrovskii, V.G. Stress-Driven Nucleation of Three-Dimensional Crystal Islands: From Quantum Dots to Nanoneedles / V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris // Crystal Growth & Design. - 2010. - Vol. 10, № 9. - P. 3949-3955.

156 Yan, X. Formation Mechanism and Optical Properties of InAs Quantum Dots on the Surface of GaAs Nanowires / X. Yan, X. Zhang, X. Ren, X. Lv, J. Li, Q. Wang, S. Cai, Y.Huang//Nano Letters.-2012.-Vol. 12, №4.-P. 1851-1856.

157 Glas, F. Stress-driven island growth on top of nanowires / F. Glas, B. Daudin // Physical Review B. - 2012. - Vol. 86, № 17.

158 Shchukin, V. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces / V. Shchukin, D. Bimberg // Reviews of Modern Physics. - 1999. - Vol. 71, № 4. - P. 1125-1171.

159 Dubrovskii, V. Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems / V. Dubrovskii, G. Cirlin, V. Ustinov // Physical Review B. -2003.-Vol. 68, №7.

160 Dayeh, S.A. Surface Diffusion and Substrate-Nanowire Adatom Exchange in InAs Nanowire Growth / S.A. Dayeh, E.T. Yu, D. Wang // Nano Letters. - 2009. -Vol. 9,№5.-P. 1967-1972.

of Crystal Growth. - 2005. - Vol. 275, № 1-2. - P.