Теоретические аспекты радиационно-индуцированных процессов в диэлектриках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Клапцов, Алексей Витальевич

• Клапцов, Алексей Витальевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Клапцов, Алексей Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

1 КИНЕТИКА РАДИАЦИОННОГО РАСПУХАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ.

1.1 Кинетика роста дислокационной петли в диэлектрике с учетом зарядовых состояний точечных дефектов.

1.2 Теоретическая модель радиационного распухания карбида кремния. Зависимость радиационного распухания от температуры и дозы при ускорительном и нейтронном облучении.

1.3 Анализ влияния атомов гелия на радиационное распухание карбида кремния.

1.4 Сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными.

2 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАДИАЦИОННОГО РАСПУХАНИЯ

ГРАФИТА ПОД ДЕЙСТВИЕМ НЕЙТРОННОГО И ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ.

2.1 Теоретическая модель кинетики роста междоузельной дислокационной петли в анизотропных (гексагональных) материалах.

2.2 Теоретическая модель радиационного распухания графита под действием нейтронного и ионного облучения.

2.3 Исследование кинетики радиационного распухания графита в зависимости от дозы и температуры под действием нейтронного и ионного облучения.

2.4 Сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными.

3 НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЕТЕЛЬ В ОБЛУЧАЕМЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ.

3.1 Кинетика накопления заряда на дислокационных петлях в облучаемых диэлектриках за счет выбивания электронов.

4 РАЗРАБОТКА ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДОВЫХ СОСТОЯНИЙ РАДИАЦИОННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ОБЛУЧАЕМЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ.

4.1 Разработка теоретической модели обедненной зоны вблизи поверхности и границ зерен в облучаемых диэлектриках с учетом действия внешнего электрического поля.

4.2 Зависимость ширины обедненной зоны от зарядовых состояний точечных дефектов, направления и величины внешнего электрического поля.

4.3 Сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными.

А РЕКОМБИНАЦИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теоретические аспекты радиационно-индуцированных процессов в диэлектриках»

Изучение радиационных явлений в неметаллических материалах является бурно развивающейся областью радиационного материаловедения, поскольку эти материалы представляют большой интерес для микроэлектроники (полупроводники, находящиеся под действием радиации, и т.д.), для ядерной промышленности (ядерное топливо: U02, конструкционные материалы для высокотемпературных ядерных реакторов: SiC, захоронение ядерных отходов, конструкционные материалы для термоядерного реактора ИТЕР: SiC, AI2O3, MgO, и т.д.), для космической промышленности (SiC). Между тем изучение радиационных явлений в неметаллах под действием высокоэнергетического облучения является значительно более сложной задачей по сравнению с металлами и детальное описание кинетики радиационно-индуцированных процессов в них в настоящее время отсутствует. Это связано с тем, что неметаллы обычно являются многокомпонентными системами. Кроме того, некоторые неметаллы (например, графит) являются анизотропными материалами с сильной анизотропной диффузией. И, наконец, дефекты во многих неметаллах могут иметь зарядовые состояния, так что кинетические процессы, происходящие в этих материалах под облучением, определяются наличием как упругих, так и внутренних электрических полей. Хорошо известно, что облучение твердых тел, в частности диэлектриков, высокоэнергетическими частицами приводит к смещению атомов из узловых положений решетки и образованию междоузлий и вакансий, эта пара точечных дефектов получила название пара Френкеля. Например, в случае оксидов известно, ч1го в кислородной подрешетке могут образоваться три типа пар Френкеля: нейтральный междоузельный атом кислорода и нейтральная вакансия, вакансии с одним или двумя захваченными электронами (так называемые F+ и F центры) и комплементарные им заряженные междоузельные атомы кислорода О- и О2-. Существует множество работ, в которых сообщалось о наличии подобных заряженных точечных дефектов в оксидах: MgO, CaO, BaO, BeO, ZnO, А1203, Li20, Zr02, ТЮ2, LiA102 и AImC^Ns [1,2, 3]. В работах [1, 2, 3} также приведены данные о наличии заряженных точечных дефектах, не связанных с кислородом, там же можно найти и ссылки на соответствующие экспериментальные и теоретические работы. Одним из ярчайших экспериментальных подтверждений наличия заряженных точечных дефектов в диэлектриках является работа [4], в которой сообщается об экспериментальном наблюдении влияние внешнего электрического поля на зарождение дислокационных петель. Эта замечательная экспериментальная работа является доказательством того факта, что наличие в диэлектриках заряженных точечных дефектов приводит к новым эффектам и явлениям, не имеющим аналогов в металлах.

К сожалению, экспериментальное изучение зарядовых состояний в диэлектриках является довольно сложной задачей, по этой причине отсутствуют экспериментальные данные о зарядовых состояниях точечных дефектов во многих диэлектрических материалах. Несмотря на это, существующие экспериментальные и теоретические работы позволяют утверждать, что заряженные точечные дефекты являются довольно распространенным явлением в диэлектриках. Теоретическое исследование кинетики роста кластеров дефектов с учетом зарядовых состояний началось с работ [5, 6, 7, 8]. В этих работах изучалось поведение заряженных дефектов (вакансий, вакансионных пор и вакансионных дислокационных петель) в условиях термодинамического равновесия и в отсутствии облучения. Между тем с практической точки зрения также интересен вопрос об описании кинетики роста кластеров дефектов в диэлектриках под облучением с учетом зарядовых состояний точечных дефектов. Под облучением образуются как междоузельные атомы, так и вакансии, причем междоузельные атомы вследствие их большей подвижности участвуют как в зарождении, так и в росте междоузельных дислокационных петель. В то время как вакансии являются лишь стоками для междоузельных атомов из-за их взаимной рекомбинации, однако уже при температурах порядка 400-600 °С, в зависимости от величины энергии миграции, вакансии начинают влиять на рост междоузельных дислокационных петель. Наличие электрического заряда у точечных дефектов приводит к тому, что рост дислокационных петель начинает определяться диффузией наиболее медленной компоненты. Учет же упругих сил приводит лишь к соответствующей перенормировке в факторе предпочтения. Таким образом, можно утверждать, что наличие зарядовых состояний существенно влияет на радиационно-индуцированные процессы в диэлектриках. Кроме того, наличие электрических зарядов у точечных дефектов может приводить к тому, что внешнее электрическое поле будет влиять на процессы, происходящие в диэлектриках под облучением. В частности, приложенное электрическое поле будет влиять на образование обедненной зоны вблизи границы зерен и поверхности в диэлектриках. Благодаря этому существует возможность экспериментального измерения зарядовых состояний точечных дефектов в диэлектриках.

Одним из наиболее востребованных материалов современной атомной промышленности в нашей стране является графит, который используется в реакторах РБМК как замедлитель нейтронов. Это связано с его специфическими свойствами, такими как малое сечение поглощения нейтронов, хорошая замедляющая способность, сравнительная легкость получения химически чистого материала и достаточная прочность. Знание его радиационных свойств для продления срока службы реакторов РБМК является одной из насущных задач. Интенсивное изучение радиационных свойств графита происходит с пятидесятых годов прошлого столетия и продолжается по сей день: накоплен огромный экспериментальный материал по исследованию влияния нейтронного облучения на его свойства. Между тем теоретических работ несоизмеримо меньше, фактически на данный момент существует несколько полуэмпирических моделей, описывающих размерные изменения графита под облучением [9]. Поэтому исследование физических механизмов накопления в нем радиационных дефектов является важным и актуальным. Одной из отличительных характеристик графита является его сильно анизотропная структура и сильная пористость. Наличие развитой пористости приводит к такому необычному в радиационном материаловедении явлению, как уменьшение и последующее увеличение радиационного распухания при росте дозы облучения. С физической точки зрения это необычное поведение объясняется процессом закрытия пор в графите под облучением с последующим их ростом. Из-за важности графита в промышленности требуется детальное исследование этих необычных радиационно-индуцированных процессов.

Целью настоящей работы является разработка физических моделей, описывающих радиационно-индуцированные процессы в диэлектриках. Применение этих моделей направлено на объяснение экспериментально наблюдаемых явлений: радиационное распухание карбида кремния и графита, неустойчивость дислокационных петель в диэлектриках под электронным облучением, зависимость плотности дислокационных петель в диэлектриках от приложенного электрического поля и т.д. Кроме того, в работе предложен новый метод экспериментального определения эффективного электрического заряда точечных дефектов в диэлектриках.

По своему содержанию диссертация состоит из введения, четырех глав, приложения и выводов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Клапцов, Алексей Витальевич

выводы

В диссертационной работе получены следующие основные результаты:

1. Получено выражение для скорости роста заряженной междоузельной дислокационной петли, а также показано, что учет упругих сил приводит к перенормировке факторов предпочтения.

2. Разработана модель радиационного распухания карбида кремния как в случае имплантации атомов гелия, тале и при отсутствии их. Исследована зависимость радиационного распухания от дозы облучения, температуры и типа облучения.

3. Получены выражения для скоростей роста междоузельно дислокационной петли, а также двух типов вакансионных пор в графите в пределе двумерной диффузии.

4. Разработана модель радиационного распухания графита. Дается объяснение наблюдаемому на эксперименте минимуму радиационного распухания. Показано, что наблюдаемый минимум связан с закрытием пор в графите под облучением, а последующий рост распухания связан с процессом зарождения и роста междоузельных дислокационных петель, а также ростом вакансионных пор. Показано, что тонкие вакансионные поры сначала уменьшаются в размере, а затем начинают расти при увеличении плотности междоузельных дислокационных петель.

5. Предложена модель накопления заряда на междоузельной дислокационной петле за счет выбивания электронов у междоузельных атомов. На основе этой модели дается объяснение экспериментально наблюдаемой неустойчивости дислокационной петли по отношению к образованию дислокационной сетки.

6. Получено выражение для ширины обедненной зоны в диэлектрике в случае двух и четырех типов заряженных точечных дефектов.

Т. Найдена зависимость ширины обедненной зоны от величины приложенного электрического поля в диэлектрике в случае двух и четырех типов заряженных точечных дефектов.

В заключении я хотел бы выразить свою глубокую признательность д.ф.-м.н. А.И. Рязанову за постоянный интерес к моей работе и многочисленные научные дискуссии.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Клапцов, Алексей Витальевич, 2005 год

1. F. W. Clinard Jr. and L. W. Hobbs, Radiation effects in non-metals, in Physics of radiation effects in crystals, edited by R. A. Johnson and A. N. Orlov, page 387, 1986.

2. E. A. Kotomin and A. I. Popov, Radiation-induced point defects in simple oxides, Nucl. Instrum. Meth. В 141, 1 (1998).

3. S. J. Zinkle and C. Kinoshita, Defect production in ceramics, J. Nucl. Mater. 251, 200 (1997).

4. K. Yasuda, T. Higuchi, K. Shiiyama, C. Kinoshita, T. Tanaka, and M. Kutsuwada, Effects of the electric field on the aggregation of point defects in ion-irradiated а-АЬОз, Phil. Mag. Lett. 83, 21 (2003).

5. K. J. Lehovec, Space-charge layer and distribution of lattice defects at the surface of ionic crystals, Chem. Phys. 21, 1123 (1953).

6. И. M. Лифшиц и Я. E. Гегузин, Поверхностные явления в ионных кристаллах, ФТТ 7, 62 (1965).

7. А. М. Косевич, Поляризация и движение пор в ионном кристалле в электрическом поле, ФТТ 7, 445 (1965).

8. А. М. Косевич, И. Г. Маргвелашвили и 3. К. Саралидзе, Распределение заряда вблизи призматической дислокационной петли в ионном кристалле, ФТТ 7, 464 (1965).

9. М. Kiritani, N. Yoshida, Н. Takata, and Y. Maehara, Growth of interstitial type dislocation loops and vacancy mobility in electron irradiated metals, J. Phys. Soc. Japan 38, 1677 (1975).

10. В. А. Бородин, А. И. Рязанов и Д. Г. Шерстенников, Влияние межузельных дислокационных петель на малодозовое распухание тугоплавких материалов, Препринт ИАЭ-5457/11, 1992.

11. A. I. Ryazanov and С. Kinoshita, Growth kinetics of dislocation loops in irradiated ceramic materials, Nucl. Instrum. Meth. В 191, 65 (2002).

12. L. A. Maksimov and A. I. Ryazanov, Diffusion growth of interstitial and vacancy dislocation loops in a supersaturated solution of point defects, Rad. Effects 33, 7 (1977).

13. M. С. Ковальченко, В. В. Огородников, Ю. И. Роговой и А. Г. Крайний, Радиационное повреждение тугоплавких соединений, М.: Атомиздат, 1979.

14. J. D. Eshelby, Solid State Physics, volume 3, Academic Press, New York, 1956.

15. H. Wollenberger, Physical Metallurgy, Amsterdam: Elsevier Science, third edition, 1983.

16. H. Kishimoto, Y. Katoh, A. Kohyama, and M. Ando, in Effects of Radiation on Materials: 20th International Symposium, ASTM STP 1405, edited by S. T. Rosinski, M. L. Grossbeck, T. R. Allenand, and A. Kumar, page 345, West Conshohoken, PA, 2002.

17. K. Yasuda, C. Kinoshita, M. Ohmura, and H. Abe, Production and stability of dislocation loops in ал Mg0-Al203 system under concurrent irradiation with ions and electrons, Nucl. Instrum. Meth. В 166-167, 107 (2000).

18. К. Yasuda, С. Kinoshita, К. Fukuda, and F. A. Garner, Thermal stability and kinetics of defects in magnesium aluminate spinel irradiated with fast neutrons, J. Nucl. Mater. 283-287, 937 (2000).

19. V. Vladimirov, D. Yu. Lizunov, A. I. Ryazanov, and A. Moslang, Damage calculation in fusion ceramics: comparing neutrons and light ions, J. Nucl. Mater. 253, 104 (1998).

20. J. M. Perlado, Behavior and computer simulation of SiC under irradiation with energetic particles, J. Nucl. Mater. 251, 98 (1997).

21. L. Malerba, J. M. Perlado, A. S£nchez-Rubio, I. Pastor, L. Colombo, and T. Diaz de la Rubia, Molecular dynamics simulation of defect production in irradiated /З-SiC, J. Nucl. Mater. 283-287, 794 (2000).

22. C. Kinoshita, K. Hayashi, and S. Kitajima, Kinetics of point defects in electron irradiated MgO, Nucl. Instrum. and Meth. В 1, 209 (1984).

23. Y. Satoh, C. Kinoshita, and K. Nakai, Kinetic study of defect clusters in the Mg0-Al203 system under electron- and/or ion-irradiation, J. Nucl. Mater. 179-181, 399 (1991).

24. A. I. Ryazanov, A. V. Klaptsov, A. Kohyama, Y. Katoh, and H. Kishimoto, Effect of helium on dislocation loop formation and radiation swelling in SiC, J. Nucl. Mater. 329-333, 486 (2004).

25. H. Huang and N. Ghoniem, A swelling model for stoichiometric SiC at temperatures below 1000 °C under neutron irradiation, J. Nucl. Mater. 250, 192 (1997).

26. Y. Katoh, H. Kishimoto, and A. Kohyama, The influence of irradiation temperature and helium production on the dimensional stability of silicon carbide, J. Nucl. Mater. 307-311, 1221 (2002).

27. Y. Katoh, H. Kishimoto, and A. Kohyama, Low temperature swelling in beta-SiC associated with point defect accumulation, Mater. Trans. 43, 612 (2002).

28. A. Hasegawa, M. Saito, S. Nogami, K. Abe, R. H. Jones, and H. Takahashi, Helium-bubble formation behavior of SiCf/SiC composites after helium implantation, J. Nucl. Mater. 264, 355 (1999).

29. A. Hasegawa, В. M. Oliver, S. Nogami, K. Abe, and R. H. Jones, Study of helium effects in SiC/SiC composites under fusion reactor environment, J. Nucl. Mater. 283-287, 811 (2000).

30. J. Chen, P. Jung, and H. Trinkaus, Evolution of helium platelets and associated dislocation loops in a-SiC, Phys. Rev. Lett. 82, 2709 (1999).

31. J. Chen, P. Jung, and H. Trinkaus, Microstructural evolution of helium-implanted a-SiC, Phys. Rev. В 61, 12923 (2000).

32. E. Oliviero, M. L. David, M. F. Beaufort, J. Nomgaudyte, L. Pranevicius, A. Decl6my, and J. F. Barbot, Formation of bubbles by high dose He implantation in 4H-SiC, J. Appl. Phys. 91, 1179 (2002).

33. E. Oliviero, M. F. Beaufort, J. F. Barbot, A. van Veen, and A. V. Fedorov, Helium implantation defects in SiC: A thermal helium desorption spectrometry investigation, J. Appl. Phys. 93, 231 (2003).

34. P. Jung, H. Klein, and J. Chen, A comparison of defects in helium implanted a- and (3-SiC, J. Nucl. Mater. 283-287, 806 (2000).

35. M. Hartmann and H. Trinkaus, Evolution of gas-filled nanocracks in crystalline solids, Phys. Rev. Lett. 88, 055505 (2002).

36. C. Kinoshita, K. Hayashi, and Т. E. Mitchell, Migration energies of interstitials and vacancies in MgO, in Advanced in ceramics, vol. 10, Structure and properties of MgO and А120з ceramics, edited by W. D. Kingery, page 490, Columbus, OH, 1985.

37. L. Snead, R. Jones, A. Kohyama, and P. Fenici, Status of silicon carbide composites for'fusion, J. Nucl. Mater. 233-237, 26 (1996).

38. J. C. Corelli, J. Hoole, J. Lazzaro, and C. W. Lee, Mechanical, thermal, and microstructural properties of neutron-irradiated SiC, J. Am. Ceramic Soc. 66, 529 (1983).

39. T. Higuchi, K. Yasuda, К. Tanaka, K. Shiiyama, and C. Kinoshita, Ion-beam induced defect formation in oalumina with applied electric field, Nucl. Instrum. Meth. В 206, 103 (2003).

40. Н. Huang, N. Ghoniem, J. Wong, and M. Baskes, Model. Simulat. Mater. Sci. Eng. 3, 615 (1995).

41. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The stopping and range of ions in solids, Oxford: Pergamon, 1985.

42. A. B. Lidiard and R. Perrin, The growth of interstitial clusters in graphite under irradiaton, Phil. Mag. 14, 433 (1966).

43. V. A. Borodin and A. I. Ryazanov, The effect of diffusion anisotropy on dislocation bias and irradiation creep in cubic lattice materials, J. Nucl. Mater. 210, 258 (1994).

44. С. H. Woo and U. Gosele, Dislocation bias in an anisotropic diffusive medium and irradiation growth, J. Nucl. Mater. 119, 219 (1983).

45. С. H. Woo, Theory of irradiation deformation in non-cubic metals: effects of anisotropic diffusion, J. Nucl. Mater. 159, 237 (1988).

46. С. H. Woo, Defect accumulation behaviour in hep metals and alloys, J. Nucl. Mater. 276, 90 (2000).

47. R. W. Henson and W. N. Reynolds, Lattice parameter changes in irradiated graphite, Carbon 3, 277 (1966).

48. B. S. Gray, J. E. Brocklehust, В. T. Kelly, H. S0rensen, and O. W. Dietrich, Radiation annealing in graphite, Report IAEA-SM-120/H-7.

49. G. B. Neighbour, Modelling of dimensional changes in irradiated nuclear graphites, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 2966 (2000).

50. П. А. Платонов, О. К. Чугунов, С. И. Алексеев и Ю. Н. Турманов, Структурные характеристики пирографита с различной термомеханической обработкой и их изменения под действием облучения в реакторе, Препринт ИАЭ-2247, 1972.

51. П. А. Платонов, О. К. Чугунов, С. И. Алексеев и и др., Исследование радиационных дефектов в облученном пирографите, Препринт ИАЭ-2266, 1973.

52. В. Т. Kelly and J. Е. Brocklehurst, High dose neutron irradiation of highly oriented graphite, Carbon 9, 783 (1971).

53. I. C. Brockros and K. Koyama, Interpretation of dimentional changes caused in pirolitic carbon by high fluence neutron irradiation, J. Appl. Phys. 41, 2146 (1970).

54. G. B. Engle and W. P. Eatherly, Irradiation behavior of graphite at high temperature, High Temp. 4, 119 (1972).

55. W. Hammer, D. F. Leuschake, M. Nickel, and W. Theymann, Graphite for high temperature, in Gas-Cooled reactors with emphasis on advanced systems, volume 1, page 291, Vienna: IAEA, 1976.

56. G. В. Engle, Relationship between cristal structure and properties and irradiation behavior of reactor graphites, Carbon 12, 291 (1974).

57. P. H. Thrower, Phil. Mag. 18, 697 (1968).

58. J. H. Cox and J. W. Helm, Graphite irradiations 300-1200 °C, Carbon 7, 319 (1969).

59. W. I. Cray and A. L. Pitner, The increased life time of graphites irradiated above 1200 °C, Carbon 9, 699 (1971).

60. K. Yasuda, M. Nastasi, К. E. Sickafus, C. Maggiore, and N. Yu, Ion beam channeling study on the damage accumulation in yttria-stabilized cubic zirconia, Nucl. Instrum. Meth. В 136-138, 499 (1998).

61. К. E. Sickafus, H. Matzke, T. Hartmann, K. Yasuda, J. A. Valdez, P. Chodak III, M. Nastasi, and R. A. Verrall, Radiation damage effects in zirconia, J. Nucl. Mater. 274, 66 (1999).

62. A. I. Ryazanov, K. Yasuda, C. Kinoshita, and A. V. Klaptsov, Growth and instability of charged dislocation loops under irradiation in ceramic materials, J. Nucl. Mater. 307-311, 918 (2002).

63. K. Yasuda, C. Kinoshita, S. Matsumura, and A. I. Ryazanov, Radiation-induced defect clusters in fully stabilized zirconia irradiated with ions and/or electrons, J. Nucl. Mater. 319, 74 (2003).

64. A. I. Ryazanov, K. Yasuda, C. Kinoshita, and A. V. Klaptsov, Instability of interstitial clusters under ion and electron irradiations in ceramic materials, J. Nucl. Mater. 323, 372 (2003).

65. O. S. Oen, Cross section for atomic displacements in solids by fast electrons, ORNL-4897, 1973.

66. M. Томпсон, Дефекты и радиационные повреждения в металлах, М.: Мир, 1971.

67. JI. Д. Ландау и Е. М. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, М.: Наука, 1992.

68. В. N. Singh and A. J. Е. Foreman, Calculated grain size-dependent vacancy super-saturation and its effect on void formation, Phil. Mag. 29, 847 (1974).

69. A. Seeger, The stationary distribution of vacancies and interstitials in irradiated plates, Phys. Stat. Sol. (a) 28, 157 (1975).

70. Yu. V. Konobeev, A. V. Subbotin, V. N. Bykov, and V. I. Tscherbak, Grain boundary void denuded zone in irradiated metals, Phys. Stat. Sol. (a) 29, K121 (1975).

71. R. J. M. Konings, K. Bakker, J. G. Boshoven, R. Conrad, and H. Hein, The influence of neutron irradiation on the microstructure of А120з, MgAbCU, Y3AI5O12 and Ce02, J. Nucl. Mater. 254, 135 (1998).

72. Результаты диссертации опубликованы в работах:

73. A.I. Ryazanov, К. Yasuda, С. Kinoshita, and A.V. Klaptsov, Growth and instability of charged dislocation loops under irradiation in ceramic materials, Journal of Nuclear Materials 307-311 (2002), 918-923.

74. A.I. Ryazanov, A.V. Klaptsov, A. Kohyama, and H. Kishimoto, Radiation swelling of SiC under neutron irradiation, Journal of Nuclear Materials 307-311 (2002), 1107-1111.

75. A.I. Ryazanov, K. Yasuda, C. Kinoshita, and A.V. Klaptsov, Instability of interstitial clusters under ion and electron irradiation in ceramic materials, Journal of Nuclear Materials 323 (2003), 372-379.

76. A.I. Ryazanov, A.V. Klaptsov, C. Kinoshita, and K. Yasuda, Determination of effective charge states for point radiation defects in fusion ceramic materials, Journal of Nuclear Materials 329-333 (2004), 97-102.

77. A.I. Ryazanov, A.V. Klaptsov, A. Kohyama, Y. Katoh, and H. Kishimoto, Effect of helium on dislocation loop formation and radiation swelling in SiC, Journal of Nuclear Materials 329-333 (2004), 486-491.

78. A.I. Ryazanov, A.V. Klaptsov, A. Kohyama, Y. Katoh, and H. Kishimoto, Effect of Helium on Radiation Swelling of SiC, Physica Scripta Till (2004), 195-198.

79. А.И. Рязанов и A.B. Клапцов, Неустойчивость междоузельных дислокационных петель в диэлектриках под электронным облучением, Письма в ЖЭТФ (2005), отправлено в печать.