Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор технических наук Криворотов, Николай Павлович

• Криворотов, Николай Павлович
• доктор технических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор технических наук Криворотов, Николай Павлович

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ТУННЕЛЬНЫХ р-п ПЕРЕХОДАХ.

1.1. Электрические характеристики туннельных диодов (вводный обзор).

1.1.1. Теории междузонного туннелирования.

1.1.2. Данные экспериментальных исследований.

1.2. Влияние всестороннего давления и температуры на междузонный туннельный ток.

1.3.Тензотуннельный эффект.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия»

Актуальность темы. В последнее тридцатилетне арсенид галлия является постоянно вторым после кремния материалом по объему применения в полупроводниковой микроэлектронике. Бесспорные преимущества кремния состоят в высокой однородности электрофизических свойств, низкой стоимости, высокой теплопроводности и механической прочности промышленных кристаллов большого диаметра, в наличии стойкого собственного окисла, что в совокупности обеспечивает производство дешевых, функционально насыщенных интегральных схем. Уступая кремнию по названным параметрам, арсенид галлия обладает рядом преимуществ, определяющих его широкое применение, - высокой подвижностью электронов; эффективной излучательной рекомбинацией; низким уровнем шумов на сверхвысоких частотах; наличием эффекта Ганна; возможностью создания высокоомных подложек и промежуточных слоев; высокой радиационной стойкостью; широкими возможностями формирования разнообразных твердых растворов, гетеро- и кван-тово-размерных структур с элементами III-rV групп таблицы Менделеева.

Медианные долговечности современных дискретных приборов на кремнии и арсениде галлия часто имеют сравнимые значения, достигающие нескольких сотен тысяч, и даже миллионов часов. Однако гарантийные долговечности (в частности, у%-ный ресурс и минимальная наработка) арсенид-галлиевых приборов существенно ниже кремниевых, что обусловлено большими дисперсиями отказов по времени наработки и высокими вероятностями ранних отказов приборов на основе арсенида галлия. Реализация гипотетических возможностей уменьшения дисперсии и снижения вероятности ранних отказов нуждается в исследованиях физических и статистических закономерностей процессов деградации в приборах на GaAs, чему, во многом, посвящена представленная работа.

Обширный практический опыт Федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ФГУП "НИИПП", г. Томск) - ведущей в России организации по разработке и промышленному освоению изделий электронной техники на основе арсенида галлия -показывает, что за ранние отказы, как правило, ответственны структурные и механически-напряженные неоднородности, локализованные в активной зоне прибора и её окрестности. Приборы с опасными неоднородностями не всегда удается выявить в процессе стандартных технологических испытаний, что понуждает к поиску альтернативных методов диагностики. Поскольку структурные и механически-напряженные неоднородности могут отличаться от окружающего материала не только электрическими свойствами (что, собственно, вызывает отказ), но и механическими параметрами, то представимы испытания приборов внешними механическими воздействиями, деформирующими однородный материал упруго, а структурно-неоднородный и механически-напряженный - не упруго. Если неоднородность локализована вблизи активной зоны, то неупругая деформация может вызвать аномальное (не объяснимое упругой деформацией) изменение электрических параметров прибора (аномальный тензоэлектрический эффект), по которому последний можно распознать, как потенциально ненадежный. Для практической реализации подобных методов распознавания актуальны исследования природы нормальных и аномальных тензоэлектрических свойств приборов в их взаимосвязи с надежностью.

Исследования тензоэлектрических свойств приборных структур из арсенида галлия актуальны также для техники измерения давлений. Действительно, дно зоны проводимости GaAs обладает большой константой деформационного потенциала, и приборы, электрические параметры которых экспоненциально зависят от энергии дна, высокочувствительны к всестороннему сжатию. Это открывает перспективу создания безмембранных (объемночувствительных) преобразователей давления, способных работать в широких амплитудных и частотных диапазонах измерения. Идея разработки таких преобразователей, сформулированная заведующим отделом физики полупроводников Сибирского физико-технического института (СФТИ, г.Томск) А.П. Вяткиным в начале 70-х годов, получила развитие в исследованиях сектора тензоэлектрических явлений СФТИ и лаборатории надежности ФГУП "НИИПП", выполненных под научным руководством автора и нашедших отражение в данной работе. Основными объектами исследований в рамках реализации данной идеи явились туннельные р-п переходы из GaAs и эпитаксиаль-ные пленки из n-AJGaAs, сочетающие в себе высокую чувствительность электрических характеристик к всестороннему сжатию с высокой термостабильностью.

Таким образом, перспектива повышения надежности приборов на основе GaAs и возможность разработки объемночувствительных преобразователей давления определили актуальность цели и задач данной диссертационной работы.

Цель работы и задачи исследования. Целью работы явилось выяснение природы нормальных и аномальных тензоэлектрических свойств приборов на основе арсенида галлия, установление взаимосвязи данных свойств с надежностью приборов, поиск на этой основе способов повышения надежности и разработка интегральных тензопреобразователей давления с объемночувствительными элементами.

Цель достигалась решением следующих задач:

- исследование тензоэлектрических явлений в туннельных р-п переходах из арсенида галлия и в эпитаксиальных пленках из алюминия-галлия-мышьяка, разработка на этой основе интегральных тензопреобразователей статических и ударных давлений;

- исследование аномальных тензоэлектрических явлений в СВЧ и излучающих диодах на арсениде галлия, поиск на этой основе способов распознавания потенциально ненадежных диодов;

- исследование механизмов деградации и статистики отказов СВЧ диодов из арсенида галлия при повышенных температурах, электрических и механических воздействиях, разработка на этой основе методов ускоренных испытаний СВЧ диодов на надежность.

Объекты и методы исследования:

В работе исследовались: туннельные диоды из GaAs и GaSb; излучающие диоды с гомо (GaAs)- и с гетеро (AlGaAs/ GaAs)-p-n переходами; диоды с барьером Шоттки, диоды Ганна и лавинные S-диоды из GaAs; эпитаксиальные пленки GaAs и AlGaAs на полуизолирующих подложках GaAs. При выполнении работы использовались: технологические установки СФТИ и ФГУП "НИИПП"; установки измерения вольтамперных и вольтфарадных характеристик, тепловых сопротивлений и СВЧ параметров диодов, интегральной мощности излучения светодиодов, ЭДС Холла в эпитаксиальных пленках (ФГУП "НИИПП", СФТИ); стенды испытаний излучающих и СВЧ диодов на надежность (ФГУП "НИИПП"); рентгеновский микроанализатор состава, оптические и электронные микроскопы (СФТИ, ФГУП "НИИПП"); сосуд высокого давления, термобарокамера с оптическим окном, устройства трехточечного и двухосного изгиба полупроводниковых подложек, установка индентирования поверхности полупроводников (СФТИ); аэродинамическая ударная труба (ИГ СО РАН); микропирометр 14КИ1-001 (НПО "ПУЛЬСАР"); установка двойного дифференцирования вольтамперных характеристик (ИФП при Белорусском госуниверситете); образцовые манганиновые манометры (ВНИИФТРИ).

Научная новизна работы.

Оригинальные исследования, выполненные в диссертации, и научные результаты, полученные впервые, могут быть обобщены в виде нижеследующих пунктов.

1. Систематически исследованы аномальные тензоэлектрические свойства приборов на основе арсенида галлия. Показана возможность распознавания потенциально ненадежных приборов воздействием циклов всестороннего давления.

2. Исследованы физические и статистические закономерности деградации диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия при комплексном воздействии повышенных температур, механических напряжений, стационарных и импульсных электрических нагрузок. Показано, что напряжения сжатия контактной поверхности кристалла не влияют на скорость деградации, а напряжения растяжения увеличивают последнюю и могут вызвать смену механизма деградации от диффузионно-межфазного к микропластическому.

3. Исследованы физические и статистические закономерности деградации диодов Ганна из арсенида галлия. Показано, что кристалл генерирующего диода может быть разрушен вязкой трещиной при температурах и механических напряжениях, меньших, соответственно, температуры хрупко-пластического перехода и предела прочности арсенида галлия.

4. Показан способ ввода в р-п переход одиночных дефектов пластической деформации кристалла, открывающий перспективу изучения электронных свойств данных дефектов и детальной кинетики низкотемпературной микропластической деформации в полупроводниках.

5. Обнаружен эффект насыщения барической зависимости уровня Ферми в электронном вырожденном арсениде галлия, обусловленный захватом электронов минимума Г на энергетические состояния, индуцированные в зоне проводимости донорной примесью.

6. Предложена модель сдвиговой тензочувствительности туннельного тока, построенная в корректном для вырожденных полупроводников приближении больших энергий дырок. В рамках данной модели рассчитаны коэффициенты сдвиговой тензочувствительности междузонного туннельного тока в арсениде галлия.

7. Предложена модель статистического расчета флюктуаций плотности легирующих атомов в сильнолегированных р-п переходах. Показано, что известные парадоксы высокой плотности междузонного тока и малости напряжений отсечки вольтфарадных характеристик туннельных диодов могут быть обусловлены флюк-туационно-коррелированным распределением доноров и акцепторов в вырожденном р-п переходе.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Аномальная зависимость электрических характеристик полупроводниковых приборов от внешних механических воздействий (аномальный тензоэлектри-ческий эффект) обусловлена пластическими деформациями металла на контакте с полупроводником и (или) микропластическими деформациями полупроводника на неоднородностях структуры кристалла. Приборы, склонные к демонстрации аномальных тензоэлектрических эффектов, склонны также к ранним отказам в процессе наработки.

2. Скорость деградации диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия при изотермических отжигах и при электрических воздействиях вплоть до предельно допустимых по рассеиваемой мощности определяется в основном температурой контакта с барьером Шоттки. Эта скорость зависит также от типа барьерообразу-ющего металла, качества защиты периферии контакта диэлектрическими пленками и уровня механических напряжений растяжения контактной поверхности кристалла. При статических электровоздействиях деградирует преимущественно периферия контакта, а при импульсных электровоздействиях - центр контакта.

3. Арсенид-галлиевым диодам Ганна миллиметрового диапазона длин волн присущи два вида деградации - монотонное ухудшение рабочих электрических параметров и катастрофические отказы. В основе обоих видов лежит единый механизм - термоактивационное распространение в активную зону диода дислокаций и микротрещин от концентраторов механических напряжений, локализованных на периферии диодного кристалла.

4. Флюктуации плотности легирующих атомов в сильнолегированых р-n переходах вызывают три эффекта: сосредоточение туннельного тока во флюктуаци-онных сужениях р-n перехода и рост интегральной плотности туннельного тока; сосредоточение избыточных туннельных токов, формирующих туннельные спектры, в предельных флюктуационных сужениях р-n перехода; уменьшение наклона зависимости логарифма избыточного туннельного тока от напряжения смещения на р-n переходе. Указанные эффекты выражены тем значительнее, чем выше компенсация легирования р-n перехода.

5. Междузонное туннелирование электронов в вырожденных р-n переходах из арсенида галлия протекает с сохранением перпендикулярной направлению электрического поля составляющей квазиимпульса. Зависимости междузонного туннельного тока от температуры и всестороннего давления определяются исходными уровнями легирования р-п переходов, термической и барической зависимостями ширины запрещенной зоны, энергии побочных минимумов зоны проводимости и энергий электронных состояний, индуцированных в зоне проводимости донорной примесью.

Практическая значимость работы.

1. На основании исследований статистики и механизмов деградации СВЧ диодов из арсенида галлия даны рекомендации по снижению дисперсии отказов диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн, смесительных и настроечных диодов с барьером Шоттки, установлены и внесены в Технические Условия ФГУП "НИИПП" режимы и условия ускоренных испытаний диодов на долговечность.

2. Разработана, защищена патентом России и внедрена на опытном заводе ФГУП "НИИПП" методика отбраковки потенциально ненадежных приборов из арсенида галлия путем воздействия циклов всестороннего давления.

3. Разработана и защищена авторскими свидетельствами СССР технология изготовления интегральных тензопреобразователей импульсных и ударных давлений с эпитаксиальными туннельными р-п переходами из арсенида галлия в качестве объемночувствительных элементов. Тензопреобразователи апробированы в технике измерения давлений ударных волн. По совокупности параметров - миниатюрность, частотный и амплитудный диапазоны измерения, низкая стоимость, удобство калибровки - разработанные преобразователи превосходят известные аналоги.

4. Определен апгилльвый для применения в датчиках давления состав твердого раствора AlxGaixAs: х = 0,20 ±0,03. Выполнена опытно-конструкторская работа по интегральным тензопреобразователям давления с объемночувствительными элементами из эпитаксиальных пленок Al0^Ga^As. Тензопреобразователи защищены патентом России и апробированы в технике измерения статических давлений.

Приоритет работы состоит: в изучении природы аномальных тензоэлектрических свойств полупроводниковых приборов и в разработке на этой основе оригинальной методики распознавания ненадежных приборов; в установлении основных закономерностей деградации СВЧ диодов из GaAs; в разработке оригинальной модели сдвигового тензотуннельного эффекта и оригинальной модели расчета флюктуаций плотности легирующих атомов в вырожденных р-n переходах; в разработке тензопреобразователей давления с объемночувствительными элементами.

Личный вклад автора. Основные результаты диссертации получены автором, а также сотрудниками сектора тензоэлектрических явлений СФТИ и лаборатории надежности ФГУП "НИИПП" под научным руководством автора. Лично автором определена цель работы; разработаны лабораторные установки для исследования полупроводниковых приборов под внешними механическими воздействиями; предложены оригинальные физические модели к объяснению экспериментов; разработаны оригинальные методики испытания СВЧ диодов на надежность и распознавания ненадежных диодов; найдены оригинальные технические решения по тензопреобразователям давления с объемночувствительными элементами.

Апробация работы. Основные результаты работы доложены на следующих конференциях: Всесоюзные совещания по исследованию арсенида галлия 1974 г., 1978 г., 1982 г., 1987 г. (г. Томск); Всесоюзное совещание по физике соединений А3 В5, 1981 г. (г. Новосибирск); Всесоюзная конференция по физическим основам надежности и деградации полупроводниковых приборов, 1982 г. (г. Кишинев); Всесоюзный симпозиум по импульсным давлениям, 1983 г. (Москва); Всесоюзная конференция по детонации, 1985 г. (г. Таллин); Всесоюзная конференция по датчикам на основе технологии микроэлектроники, 1986 г. (Москва); ХИ-я Всесоюзная конференция по физике полупроводников, 1990 г. (г. Киев); Международная конференция по датчикам электрических и неэлектрических величин, 1995 г. (г. Барнаул); Международная конференция по актуальным проблемам электронного приборостроения, 1998 т. (г. Новосибирск); Международный симпозиум по конверсии научных результатов в международной кооперации, 1999 г. (г. Томск); Российская конференция по исследованию арсенида галлия, 1999 г. (т. Томск).

Результаты работы докладывались также: на совещаниях Научно-координа ционного Совета АН СССР и министерства приборостроения СССР по полупроводниковым первичным преобразователям, 1983 г. (Москва); на заседаниях Научно-технического Совета ФГУП "НИИПП" и на научных семинарах отдела физики полупроводников СФТИ, 19764-1998 г. г. (г. Томск).

Результаты диссертации опубликованы в 50-ти работах, помеченных в списке литературы и в тексте символом *.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти оригинальных глав, заключения и приложения. Диссертация содержит 321 страницу машинописного текста, включая 81 рисунок, 7 таблиц, 517 ссылок на литературу.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Криворотов, Николай Павлович

Основные выводы работы формулируются в виде следующих пунктов.

1. Установлено, что изменения электрофизических характеристик приборов на основе арсенида галлия при всестороннем сжатии и при действии анизотропных механических напряжений, меньших предела прочности кристалла, могут быть нормальными и аномальными. Нормальные изменения обусловлены упругими деформациями кристалла, деформационной зависимостью электронного энергетического спектра арсенида галлия и преобладающим механизмом переноса заряда. Аномальные изменения могут вызываться пластическими деформациями металла на контакте с полупроводником и (или) микропластическими деформациями полупроводника на структурных неоднородностях кристалла. Приборы, склонные к проявлению аномальных тензоэлектрических эффектов, склонны также к ранним отказам в процессе наработки. Разработана, защищена патентом России и внедрена на опытном заводе ФГУП "НИИПП" методика распознавания потенциально ненадежных приборов воздействием циклов всестороннего давления.

2. Установлено, что статистика отказов СВЧ диодов из арсенида галлия описывается логарифмически-нормальным распределением по времени наработки, а дисперсия отказов определяется дисперсиями распределений в представительных выборках диодов дефектов, ответственных за деградацию, тепловых сопротивлений и механических напряжений. Разработан метод параллельно-последовательных ускоренных испытаний на долговечность, отличающийся повышенной достоверностью оценки ресурса СВЧ диодов.

3. Установлено, что вплоть до предельно допустимых температур и электрических нагрузок деградация контактов с барьером Шоттки на арсениде галлия является термоактивационным процессом, энергия активации которого зависит от типа барьерообразующего металла, качества защиты периферии контакта диэлектрическими пленками и от величины механических напряжений растяжения контактной поверхности кристалла.

4. Показано, что арсенид-галлиевым диодам Ганна миллиметрового диапазона длин волн присущи два вида деградации: монотонное ухудшение электрических параметров и катастрофические отказы. В основе обоих видов лежит единый механизм - термоактивационное распространение в зону генерации домена дислокаций и микротрещин от концентраторов механических напряжений, локализованных на периферии диодного кристалла.

5. Предложена оригинальная статистическая модель учета флюктуаций плотности легирующих атомов в вырожденных р-n переходах. Показано, что флюктуации ведут: к сосредоточению туннельного тока в локальных сужениях р-n перехода; к повышению плотности туннельного тока; к уменьшению наклона в зависимости логарифма избыточного туннельного тока от напряжения смещения. Показано, что парадокс малости напряжений отсечки вольтфарадных характеристик туннельных диодов может быть обусловлен флюктуационно-коррелированным распределением доноров и акцепторов в р-n переходе. Установлено, что зависимости междузонного туннельного тока в вырожденных р-n переходах из арсенида галлия от температуры и всестороннего давления определяются исходными уровнями легирования переходов, барической и термической зависимостями ширины запрещенной зоны, энергии побочных минимумов зоны проводимости и энергий состояний, индуцированных в зоне проводимости GaAs донор ной примесью.

6. Впервые в корректном для вырожденных полупроводников приближении больших энергий дырок рассчитана сдвиговая тензочувствительность туннельного тока. Показано, что междузонный туннельный ток в вырожденном арсениде галлия определяется вероятностью прямозонного туннелирования без рассеяния туннели-рующего электрона на заряженных примесях или фононах.

7. Разработаны, апробированы и защищены авторскими свидетельствами СССР и патентом России технология и конструкции интегральных тензопреобра-зователей статических, импульсных и ударных давлений с эпитаксиальными резисторами из алюминия-галлия-мышьяка и эпитаксиальными туннельными р-n переходами из арсенида галлия в качестве чувствительных элементов. Разработанные тензопреобразователи отличаются от известных аналогов широким диапазоном измерения давлений. Тензопреобразователи импульсных и ударных давлений по совокупности параметров - миниатюрность, амплитудный и частотный диапазон измерения, низкая стоимость, удобство и точность калибровки - превосходят известные аналоги.

В целом, совокупность результатов диссертации может рассматриваться как дальнейшее развитие тензоэлектрических методов исследования полупроводников и полупроводниковых приборов. Наряду с решением традиционных для данных методов задач - изучением электронного энергетического спектра и механизмов переноса заряда в полупроводниках, показаны новые возможности тензоэлектрических методов в исследовании надежности полупроводниковых приборов и в разработке тензопреобразователей давления с рекордно широкими амплитудным и частотным диапазонами измерения.

Автор благодарен А.П. Вяткину за всемерную поддержку ранних этапов исследований и разработок тензопреобразователей давления на основе полупроводш v ников А В . Автор благодарен также сотрудникам СФТИ и ФГУП "НИИПП" З.М. Алексеевой, С.С. Щеголю, Ю.М. Калинину, А.А. Усольцеву, А.И. Попову, А.В. Хану за многолетнее научное сотрудничество. Автор глубоко признателен научному консультанту профессору Г.Ф. Караваеву за помощь в работе над диссертацией и искренне признателен профессорам В.Г. Божкову, В.И. Гаману, В.П. Гермогено-ву за критический анализ диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В представленной диссертации впервые систематически исследованы нормальные и аномальные тензоэлектрические свойства приборов на основе арсенида галлия в их взаимосвязи с надежностью и с возможностью создания интегральных тензопреобразователей давления с объемночувствительными элементами.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Криворотов, Николай Павлович, 2002 год

1. Esaki L. New Phenomenon in Narrow Germanium р-n Junctions. // Phys. Rev.-1958,- v. 109, № 2.- p. 603-605.

2. Белова H.A., Бонч-Бруевич В.Л., Зильберман П.Е. и др. Туннельные диоды. М.: "Наука". -1966. -144 с.

3. Туннельные диоды и их применение в схемах переключения и в устройствах СВЧ диапазона. / Под ред. А.А. Визеля. -М.: "Сов. Радио". -1965. -184 с.

4. Ван де Графт. Моделирование генераторов на туннельных диодах. // ПНИ (Rev. Sci. Instrum.).- 1987,- № 5,- с. 70-82.

5. Баум Ф.К., Билинский И .Я., Трейс П.Г. Туннельные диоды в схемах промышленной электроники.-М.-Л.: "Энергия",- 1965,- 196 с.

6. Туннельные явления в твердых телах. / Под ред. Э. Бурштейна и С. Лун-дквиста.-М.: "Мир",- 1973,- 421 с.

7. Duke Е.О. Tunneling in Solids.-New york and London. -1969. -353 p.

8. Chakraborty P.K, Ghatak K.P. Interband tunneling in nonparabolic semiconductors in the presence of an electric field. // J. Appl. Phys.-1993.-v.72, № 5,- p. 3246-3250.

9. Liu Y.X., Plotka p., Suto K. and al. Tunneling through ultrathin GaAs n -p -n barrier grown by molecular layer epitaxy. // IEEE Trans. Electron. Devices. -1998. -v. 45, № 12. -p. 2551-2554.

10. Tanaka Sumio. A unified theory of direct and indirect interband tunneling under a nonuniform electric field. // Sol. St. Electron. -1994. -v. 37, № 8. p. 1543-1552.

11. Benz C., Classen M., Liebig D. Tunneling and impact ionisazion at high electrical fields in abrupt GaAs p-i-n structure. //J.Appl. Phys.-1997.-v.81, № 7.-p.3181-3185.

12. Aldo D.C., Paolo L. Enchanced zener tunneling in silicon. // Sol. St. Commun. -1997. -v. 101, № 12. -p. 921-923.

13. Келдыш Jl.В. О поведении неметаллических кристаллов в сильных электрических полях. // ЖЭТФ.-1957. -т. 33, № 4. -с. 994-1003.

14. Келдыш Л.В. О влиянии колебаний решетки кристалла на рождение электронно-дырочных пар в сильном электрическом поле. // ЖЭТФ. -1958. -т.34, № 4. -с. 962-968.

15. Kane Е.О. Zener tunneling in semiconductors. // J. Phys. Chem. Solids.-1960. -v. 12, №2. -p. 181-189.

16. Серебренников П.С. Туннельный эффект с рассеянием на примеси. // Радиотехника и электроника. -1962. -т. 7, № 3. -с. 536-541.

17. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. -М.: "Наука". -1965. -448 с.

18. Капе Е.О. Theory of tunneling. // J. Appl. Phys.-1961.-v.32, №l.-p.83-91.

19. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. -Киев: "Наукова Думка". -1975. -704 с.

20. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: "Наука". -1972. -640 с.

21. Бонч-Бруевич В.Л. Вопросы электронной теории сильнолегированных полупроводников. / В сб. "Физика твердого тела".-М.: Изв. ВИНИТИ АН СССР. -1965. -с. 191-212.

22. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. -М.: "Наука". -1979. -416 с.

23. Fredkin D.R., Wannier С.Н. Theory of electron tunneling in semiconductor junction. // Phys. Rev. -1962. -v. 128, № 5. -p. 2654-2661.

24. Shyey R.T. Theory of tunneling across semiconductor junction. // Phys. Rev. -1965. -v. 137, № 4. -p. 1268-1277.

25. Kane E.O. Thomas-Fermi approach to impure semiconductor band structure. // Phys. Rev. -1963. -v. 1, № 1. -p. 79-88.

26. Wunsche H.J., Henneberger K. Interband current theory of Esaki diodes. // Phys. Stat. Sol. (B). -1976. -v. 73, № 1. -p. 245-264.

27. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. -М.: "Наука". -1983. -664 с.

28. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. Т.2.-М.: "Мир",-1984.-455 с.

29. Бонч-Бруевич B.JL, Серебренников П.С. О вольтамперной характеристике туннельного диода. // Радиотехника и электроника.-1961.-т. 6, №12.-с.2041-2053.

30. Andrews A.M., Korb H.W., Holonyak N.J. and all. Tunnel mechanisms in III-V tunnel diodes. // Phys. Rev. B.-1972.-v. 5, № 6.-p.2273-2295.

31. Гусятников B.H., Райх М.Э. Влияние флюктуаций концентрации примесей на высоту и туннельную прозрачность барьера. // ФТП. -1984. -т. 18, № 6. -с. 1077-1084.

32. Райх М.Э. Рузин И.М. Флюктуационный механизм избыточных туннельных токов в обратно смещенных р-п-переходах. // ФТП. -1985. -т. 19, №7 -с. 12171225.

33. Райх М.Э., Рузин И.М. Температурная зависимость избыточных токов через контакт металл-полупроводник. // ФТП.-1987. -т. 21, № 3. -с. 456-460.

34. Райх М.Э., Рузин И.М. Влияние локализованных состояний в барьере на флюктуационный туннельный ток через контакт металл-полупроводник. // ФТП. -1988. -т.22, № 11. -с. 1979-1985.

35. Meyerhofer D., Brown G.A., Sommers H.S. Degenerate Germanium. Tunnel, Excess, and Thermal Current in Tunnel Diodes. // Phys. Rev. -1962. -v. 126, JMb 4. -p. 1329-1341.

36. Dumin D.J., Pearson G.L. Properties of Gallium Arsenide Diodes between 4,2° and 300 °K. // J. Appl. Phys. -1965. -v. 36, № 11. -p. 3418-3426.

37. Dumin D.J., Pearson G.L. Forward and reverse tunnel currents in gallium phosphide diffused р-n junctions. //Phys. St. Sol. (a).-1976.-v.41, №l.-p.329-334.

38. Сборник "Арсенид галлия. Получение, свойства и применение" / Под ред. Ф.П. Касаманлы и Д.И. Наследова. -М.: "Наука". -1973. -427 с.

39. Днепровская Т.С., Стучебников В.М., Юнович А.Э. Туннельные эффекты в диффузионных р-n переходах. // ФТП. -1969. т. 3, № 5. -с. 681-688.

40. Стучебников В.М., Тихонов В.И., Юнович А.Э. Туннельные переходы в полупроводниках в сильных скрещенных электрическом и магнитном полях. // ЖЭТФ. -1968. -т. 55, № 4. -с. 1205-1213.

41. Gummel H.K., Scharfetter D.L. Depletion-Layer Capacitance of p'-n Step Junction. //J. Appl. Phys. -1967. -v. 38, № 5. -p. 2148-2153.

42. Demassa T.A., Knott D.P. The prediction of tunnel diode voltege-current characteristics. // Sol. St. Electron. -1970. v. 13. -p. 131-138.

43. Pellegrini B. Quantum and temperature effects on capacitance in degenerate p-n junctions. // Sol. St. Electron. -1970. -v. 13, № 8. -p. 1175-1188.

44. Именков A.H., Мескин C.C., Наследов Д.М., Равич В.Н., Царенков Б.В. Электрические свойства туннельных р-n переходов в арсениде галлия. // ФТТ. -1964. -т. 6, вып. 8. -с. 2281-2288.

45. Анашкина Т.Н., Именков А.Н., Мескин С.С. и др. Влияние всестороннего давления и температуры на характеристики туннельных р-n переходов. // ФТТ,-1967. -т. 9, вып. 1. -с. 294-299.

46. Алексеева З.М. О влиянии температуры сплавления на характеристики туннельных р-n переходов в арсениде галлия. // Радиотехника и электроника. -1967. -т. 12, № 10. -с. 1848-1849.

47. Fisher C.W., Heasell E.L. Cadmium diffused InSb tunnel junctions. // Phys. St. Sol. (A). -1972. -v. 11, № 2. -p. 483-493.

48. Parker C.H., Mead C.A. Tunneling m CdTe Shottky Barriers. // Phys. Rev. -1969,-v. 184, №3. -p. 180-187.

49. Duke с. В., Silverstein S.D., Bennet A.J. Zero Bias Tunnel-Conductance Minima due to the Exitation of Collective Modes in the Barrier. // Phys. Rev. Lett.- 1967. -v. 19, №6. -p. 316-319.

50. Juan Koug, Chen Ning Chiang. Зависимость некоторых параметров туннельных р-n переходов в GaAs от давления. // Acta. Phys. Sinica. -1964. -v. 20, № 8. -p. 806-813.

51. Pochat A., Johannin P. Courant tunnel dans les diodes Esaki sous pression hudrostatique. // C. R. Acad. Sci., Serie B. -1968,-v. 266, № 22.-p. 1379-382.

52. Foster T.J, Maude D.K., Eaves L. Pressure-dependent measurement on n-GaAs(Sn, Si): The effect of deep donor (DX) states on the electrical properties and persistent photoconductivity. // Physica Scripta. -1988. -v. 38, № 3. -p. 605-608.

53. Suski T. High pressure and DX centers in GaAs and AlGaAs. // Acta physica polonica. -1989. -v. 75, № l. -p. 101-109.

54. Plotzkowski R., Suski Т., Wisniewski P. and al. Pressure studies of resonant DX centers: Thermal emission from metastable Si and S donors in GaAs. // J. Appl. Phys. -1990. -v. 68, № 7. -p. 3377-3380.

55. Галаванов В.В., Панахов А.З. Влияние всестороннего давления на туннельный ток GaSb-диодов. // ФТП. -1972. -т. 6, № 11. -с. 2280-2283.

56. Бнр Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. -М.: "Наука". -1972.- 584с.

57. Aspnes D.E. GaAs Lower Conduction-Band Minima: Ordering and Property. // Phys. Rev. B. -1976. -v. 14, № 12. -p. 5331-5343.

58. Littejohu M.A., Hauser J.R., Glisson T.N. Velosity Field Characteristics of GaAs with Г6С Lc6 - Xc6 Conduction Band Ordering. // J.Appl. Phys. -1977. -v. 48, № 11. -p. 4587-4590.

59. Saxena A.K. Non Deep Levels and the Conduction Band Structure of AlGaAs Alloys. // Phys. St. Sol. (B). -1981. -v. 105, № 2. -p. 777-787.

60. Атарбеков С.Г., Большаков Л.П., Филипченко А С. и др. Влияние гидростатического давления на вольт амперные характеристики туннельных диодов из InSb. // Письма в ЖТФ. -1978. -т. 4, вып. 11. -с. 669-670.

61. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: "Наука". -1990. - 685 с.

62. Сирота Н.Н., Антюхов А.Н., Сидоров А.А. Температурная зависимость коэффициентов теплового расширения фосфида и арсенида галлия в области 7-310 К по рентгенографическим данным. // Докл. АН СССР. Сер. Физическая. -1984. -т. 277, №6. -с. 1379-1384.

63. Vrochen Q.H.F. Interband magneto-optical absorption in gallium arsenide. // J. Phys. Chem. Solids. -1968. -v. 29, № i. ,p. 129-141.

64. Lagovski J., Л1ег A., Swiatek A. Hydrostatic pressure effect on surface photovoltage of GaAs. // Surface Science. -1975. -v. 49. -p. 1-8.

65. Camphausen D.E., Connel G.A.N., Paul W. Calculation of energy-band pressure coefficients from the dielectric theory of the chemical bond. // Phys. Rev. Lett.1971. -v. 26. -p. 184-188.

66. Olego D., Cardona M. Photoluminescence in Heavily Dopped GaAs. Temperature and Mole Concentration Dependence. // Phys. Rev. B-1980.-v.22, № 2. -p. 886-892.

67. Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. -М.: "Мир". -1975. -534 с.

68. Aspnes D.E., Studna А.А. Shottky-Barrier Electroreflectance Application to GaAs. // Phys. Rev. B. -1973. -v. 7, № 10. -p. 4605-4625.

69. Lifshits N., Jayraman A., Logan R.A., Card H.C. Pressure and Compositional Dependence of the Hall Coefficient in AlGaAs and thear Significance. // Phys. Rev.1980. -v. 21, №2. -p. 670-678.

70. Брант Н.Б., Демишев С.В., Мощалков В.В. и др. Исследование перестройки энергетического спектра в GaSb(Te) под действием давления. // ЖЭТФ.1981. -т. 81, вып. 2 (8). -с. 743-755.

71. Noack R.A. Inversion of the Г and L Conduction Bands of GaSb under Uniaxial Stress. //Phys. St. Sol. (B). -1978. -v.90. -p. 615-620.

72. Joule A., Zein Eddin A., Girault B. Temperature Dependence of the Lc6 Г6С Energy Gap in Gallium Antimonide. // Phys. Rev. B. -1981. -v.2, № 2. -p. 928-930.

73. Галаванов В.В., Панахов А.З. Зависимость туннельного тока от давления в GaSb диодах при 77К. // ФТП. -1973. -т. 7, вып. 3. -с. 640-641.

74. Auvergne D., Camassel J., Mathieu N. Temperature Dependence of the Band Structure of Germanium and Zinc Blende-Type Semiconductors. // Phys. Rev. B. -1974. -v.9, № 12. -p. 5168-5177.

75. Camassel J., Auvergne D. Temperature Dependence of Fundamental Edge of Germanium and Zinc Blende Type Semiconducnors. // Phys. Rev. B.-1975.-v. 12, № 8 -p. 3258-3267.

76. Albert C., Joulle A.M., Ance C. Modulation-Spectroscopy Study of the GaAlSb Band Structure. // Phys. Rev. B. -1983. -v. 27, № 8. -p. 4946-4954.

77. Fritzsche H., Tieman J.J. Effect of elastic strain on interband tunneling in Sb-dopedgermanium. //Phys. Rev. -1963 -v. 130. -p. 617-626.

78. Фридше X. Влияние деформации на межзонное туннелирование в полупроводниках. / В сб. "Туннельные явления в твердых тела" / Под ред. Э. Бурштейна и С. Лунквиста. -М.: Мир. -1973. -421 с.

79. Long A.M., Hulme K.F. The effect of uniaxial stress on interband tunneling in arsenic-doped germanium. // Brit. J. Appl. Phys. -1965. -v. 6, № 2. -p. 147-153.

80. Fritzsche H., Tieman J.J. Stress effect on impurity-induced tunneling in germanium. //Phys. Rev. -1965, v. 139, № 34. -p. 920-923.

81. Payne R.T. Shift of phonon energies at the Brilluonis sone boundary under uniaxial stress in germanium. // Phys. Rev. Lett. -1964.-v. 13.-p. 53-56.

82. Fischer C.W., Heasell E.A. Effect of uniaxial stress on InSb-tumiel junction. // J. Phys. and Chem. Solids. -1974,-v. 35.-p. 807-810.

83. Купенко И.Н., Полякова А.Л. Влияние давления на ток туннельных диодов из антимонида галлия. // ФТП. -1976. -т. 10, № 4. -с. 807-808.

84. Gridchin A.V., Gridchin V.A. The four-terminal piezotransducer: theory and comparison with piezoresistive bridge. //Sensors and Actuators.-1997.-v. A58.-p. 219-223.

85. Най Дж. Физические свойства кристаллов. -М.: "Мир". -1967. -385 с.

86. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Влияние деформации на энергетический спектр дырок в германии и кремнии. // ФТТ -1959. -т. 1, JSTe 11. -с. 1642-1658.

87. Птащенко А.А. Неравновесные процессы в сильных электрических полях в излучающих структурах с потенциальным барьером на основе полупроводниковiii v

88. А В . / Диссертация на соиск. уч. ст. д.ф.-м.н.-Одесса,-1986.-424 с.

89. Гаман В.И. Вольт-амперные характеристики диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного марганцем и железом. // Изв. ВУЗов. Физика. -1983. -№> 10. -с. 79-95.

90. Guidotti Daniel, Hovel Harold. Model for degradation of band-gap photolu-minescence in GaAs. //Appl. Phys. Lett. -1988.' -v. 53, № 15. -p. 1411-1413.

91. Imai H., Fujiwara Т., Segi К. At al. Degradation of optically-pumped GaAlAs double-hetero structure at elevated temperatures. // Jap. J. Appl. Phys.- 1979. -v. 18, № 3. -p. 589-595.

92. Аладинский В.К., Лезжов Ю.Ф., Туманян И.Н. Деградационные явления в светоизлучающих диодах. // Электронная техника, сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1979. -вып. 6 (132) -с. 74-83.

93. Gold R.D., Weisberg L.R. Permanent degradation of GaAs tunnel diodes. // Solid State Electronics. -1964. -v.7. -p. 811-821.

94. Нойверт Л.Н. Исследование процесса деградации квантового выхода в электролюминесцентных диодах. // Электронная техника, сер. Управление качеством, стандарт., метрология, измерения. -1981. -вып. 2,(88) -с. 10-13.

95. Werks J.D., Tully J.С., Kimerling L.C. Recombination enhanced defect reactions. // Phys. Rev. В -1975. -v. 12, № 8. -p. 3286-3295.

96. Kimerling L.C. Recombination enhanced defect reactions. // Sol. St. Electron. -1978. -v. 21, № 4. -p. 1391-1401.

97. Chaika G.E., Vinetskii V.L. New mechanism of electric field influence on defect creation in non-metallic crystals. //Phys. St. Sol.(B)-1980 -v. 98, № 2.-p. 727-735.

98. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока. // ФТТ. -1982. -т. 24, вып. 7. -с. 2170-2177.

99. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Теория рекомбинационно-стимулированных скачков в неметаллических кристаллах. // ФТТ. -1986. -т. 28, JV» 11. -с. 3389-3395.

100. Шейнкман М.К. Новое объяснение рекомбинационно-стимулированных явлений в полупроводниках. // Письма в ЖЭТФ. -1983. -т. 38, № 6. -с. 278-280.

101. Елисеев П.Г., Завестовская И.Н., Полуэктов И.А. О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации. //Квантовая электроника. -1978. -т. 5, JSfe 1. -с. 203-206.

102. Bourgoin L.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitional migration. // Phys. Lett. -1982. -v. 38A, № 1. -p. 136-137.

103. Longini R.L. Rapid zine diffusion in gallium arsenide. // Solid State Electron.-1962. -v. 5. -p. 127-132.

104. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination-enhanced defect reactions in semiconductors. // Phys. Rev. Lett, -1974.-v.33, № 2. -p. 489-492.

105. Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. Процессы преобразования центров и ухудшения параметров полупроводниковых лазеров. // Электронная техника, сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1981 г. № 4.-е. 75-90.

106. Johnston W., Dexter Jr. Defects, dislocations and degradation of compound semiconductors. / Symp. "Defects Semiconductors-2", Boston, Mass., Nov. 1982. -New York, Symp. Proc. -1983. v. 14. -p. 453-460.

107. Mdivanyan B.E., Shikhsaidov M. Sh. Photostimulated enhancement of dislocation glide in gallium arsenide crystals. // Phys. Stat. Sol. (A). -1988. -v. 107, № 1. -p. 131-140.

108. Naunichi J., Matsui J., Ishida K. Rapid degradation in double-heterostructure lasers. //Jap. J. Appl. Phys. -1975. -v. 14, № 10. -p. 1555-1560.

109. Ettenberg M., Nuise C.J. Reduced degradation in InxGaixAs electroluminescent diodes. // J. Appl. Phys.-1975.-v.46, № 5. -p. 2137-2142.

110. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. -1998. -т. 32. -№ 1. -с. 3-18.

111. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. -М: "Мир". -1973,465 с.

112. Кейзи X. Диффузия в полупроводниковых соединениях АШВУ. / В сб. "Атомная диффузия в полупроводниках" / Под. ред. Д. Шоу. -М.: "Мир". -1975. -с. 406-493.

113. Konig U. The effect of growth rate and temperature on the incorporation of Sn in GaAs during LPE. // J. Electrochem. Soc. -1977. -v. 124, № 9. -p. 1414-1419.

114. Kuphal E., Schlachetzki, Pocker A. Incorporation of Sn into GaAs grown from the liquid phase. // J. Appl. Phys. -1978. -v. 17, № 1. -p. 63-72.

115. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова P.M. Кинетика роста пленок GaAs, полученных эпитаксией из раствора в Sn. // Изв. АН СССР. сер. Неорг. материалы. -1972. -т. 8, № 6. -с. 1039-1043.

116. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М.: "Наука". -1967. -371 с.

117. Авт. свид. СССР № 324943 кл. Н01 17/34 от 11.01.74. Способ изготовления туннельных диодов. / Глущенко В. А., Вяткин А.П.

118. Вяткин А.П., Глущенко В.А., Ефимчик М.И., Латинис B.C. Сплавные туннельные диоды пикосекундного диапазона на n-GaAs. // Техника средств связи, сер. Радиоизмерительная техника. -1988. -вып. 3 (15). -с. 123-127.

119. Chynoweth A.G., Feldman W.L., Logan R. A. Exess tunnel current in silicon

120. Esaki junctions. // Phys. Rev. -1961. -v. 121, № 3. -p. 684-694.

121. Chynoweth A.G., Logan R. A., Thomas D. E. Phonon-assisted tunneling in silicon and germanium Esaki junctions. // Phys. Rev. -1962. -v. 125. -№ 2,- p. 877-882.

122. Фистуль В.И., Агеев A.M. Особенности электронного спектра в сильнолегированном арсениде галлия. // ФТТ. -1965. -т.7, № 10. -с. 3042-3047.

123. Classen R.S. Exess and hump currents in Esaki diodes. // J. Appl. Phys. -1961. -v. 32, № 11. -p. 2372-2378.

124. Morgan T.N. Recombination by tunneling in electroluminescent diodes. // Phys. Rev. -1966. -v. 148. № 2. -p. 890-903.

125. Глущенко В.А., Пархоменко Р.П., Пастор А.И. Туннельная спектроскопия примесных центров на падающем участке вольт-амперной характеристики тун3 5нельных диодов. / В сб."Физика соединений А В ".-Новосибирск,-1981.-е.308-309.

126. Вяткин А.П., Глущенко В.А., Пархоменко Р.П., Пастор А.П. Особенности поведения избыточных токов туннельных диодов. // Изв. ВУЗов. Физика. -1981.-№3. -с. 82-86.

127. Усеинов Р.Г., Перлин Е.Ю. Фотопереходы, сопровождаемые рассеянием на примесях в туннельных диодах. // ФТП. -1980. -т. 14, № 3. -с. 570-573.

128. Перлин Е.Ю., Усеинов Р.Г. Излучательная рекомбинация, сопровождаемая рассеянием на примеси в туннельных диодах. // ФТП. -1982. -т. 16, № 6. -с. 1010-1012.

129. Pankov J.I. Tunneling-assisted photon emission in gallium arsenide p-n junctions. // Phys. Rev. Lett. -1962. -v. 9, № 7. -p. 283-285.

130. Берг. А., Дин П. Светодиоды. M.: "Мир". -1979. -686 с.

131. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Морозов Е.П., Портной E.JT. Диагональное туннелирование и поляризация излучения в гетеропереходах AlxGaixAs и р-п переходах в GaAs. // ФТП. -1969. -т. 3, № 7. -с. 1054-1057.

132. Лебедев А.И., Стрельникова И.А., Юнович А.Э. Спектры электролюминесценции гетеропереходов p-GaAs n-Gai,xInxSb. // ФТП.-1976.-№ 7.-е. 1304-1307.

133. Аронов Л.Г., Пикус Г.Е. Теория туннельной электролюминесценции вполупроводниках. // ФТТ. -1966. -т. 8, № 12. с. 3729-3736.

134. Юнович А.Э., Ормонт А.Б. О туннельной излучательной рекомбинации в р-n переходах. // ЖЭТФ. -1966. -т. 51, вып. 5(11). -с. 1292-1305.

135. Чаплик А.В., Энтин М.В. Влияние локализованных состояний в барьере на туннелирование электронов. // ЖЭТФ. -1974. -т. 67, вып. 1 -с. 208-218.

136. Aymerich-Humet X., Serra-Mesters F. Resonant tunneling current for general junction potential barrier. // Phys. Stat. Sol. (A).-1979.-v. 51,№ 2.-p.583-592.

137. Король Э.Н., Посудиевский О.Ю., Влияние примесей на туннельный ток в полупроводниках. // ФТП. -1981. -т. 15, № 7. -с. 1396-1400.

138. Иващенко А.И., Слободчиков С.В. Об избыточных токах в р-n переходах. // ФТП. -1977. -т. 11, № 10. -с. 2010- 2012.

139. Иващенко А.И., Икизли М.Н., Литвин А.А., Слободчиков С.В., Соломонов А.И. Природа избыточного тока в GaP светодиодах. // Электронная Техника, сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1978. -№ 7(125). -с. 65-73.

140. Dargys A., Matulis A. Field tunneling from impurities in anisotropic effective masses. //Phys. Stat. Sol. (B). -1984. -v. 125. -p. K71-K73.

141. Martin P.A., Streetmen B.G., Hess K. Electric-field enhanced emission from non Colombic traps in semiconductors. //J. Appl. Phys.-1981.-v. 52, № 12. -p.7409-7415.

142. Костер Г., Яссиевич И.Н. Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах. // ФТТ. -1983. -т.25, № 6. -с. 1855-1857.

143. Перель В.И., Яссиевич И.Н. Модель глубокого примесного центра в полупроводниках в двухзонном приближении. //ЖЭТФ,-1982.-т.82, вып. 1.-е. 237-245.

144. Курносова О.В., Яссиевич И.Н. Туннелирование с глубоких примесных центров в сильном электрическом поле. // ФТТ.-1984.-т. 26, № 11.-с.3307-3315.

145. Koster Н. Jr., Kurnosova О.A., Yassievich I.N. Tunneling from deep levels of L-C type in electric field. // Phys. Stat. Sol.(B).-1985.-v.l27, № l.-p.339-350.

146. Брудный B.H., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. //ФТП. -1997. -т. 31. -№ 7. -с. 811-815.

147. Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений II1-V; границы раздела, радиационные эффекты. // ФТП. 1998. - т. 32. - № 3. - с. 315-318.

148. Томас Роуэл. Высокочувствительная система для измерения напряжения второй гармоники. // ПНИ. -1965. -№ 9. -с. 13-18.

149. Патерсон К. Новый подход к определению структуры туннельного перехода методом дифференцирования. // ПНИ. -1964. -№ 12. -с. 70-74.

150. Авт. Свид. СССР № 1032895 G 01 R 31/26 от 4.09.1981. Устройство для выявления глубоких уровней в полупроводниковых туннельных переходах. / Ю.М. Калинин, А.А. Вилисов.

151. Калинин Ю.М. Электрические, термические и тензоэлектрические явления в сильнолегированных р-n переходах на основе арсенида и антимонида галлия. / Дисс. на соиск. уч. ст. к. ф.-м. н. Томск.: СФТИ. -1987. -231 с.

152. Kumagai О., Wunstel К., Jantsch W. Deep traps in GaAs under hydrostatic pressure. // Sol. St. Comm. -1982. -v. 41, № 1. -p. 89-92.

153. Пека Г.П., Бродовой В.А., Мишова И.И., Мирец И.И. Фотоэлектрическая память в арсениде галлия, компенсированном кислородом. // ФТП.-1978. -т. 12, №5.-с. 915-919.

154. Chido S.S., Mattes L.B., Bube R.H. Photoelectronic properties of LPE GaAs:Cu. // J. Appl. Phys. -1978. -v. 49, № l. p. 261-268.

155. Jagdeep S.S., Yacaby V. Electrical and optical enhancement of photoconductivity in semiinsulating GaAs. // Phys. Rev. -1968. -v. 74. -p. 932-937.

156. Кравченко А.Ф., Принц В.Я. Исследование глубоких уровней в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. // Изв. ВУЗов. Физика. -1980. -№ 1. -с. 52-63.

157. Птагценко А.А., Сушков В.П., Литовченко Л.Р. и др. Исследование механизма деградации светоизлучающих диодов на основе GaAsP при низких уровнях инжекции. // Электронная Техника, сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1976. -№8. -с. 41-54.

158. Буслаев С.Ю., Клейнфельд Ю.С., Литвинов Ю.М. Влияние низкотемпературных обработок на движение внеконтурных дислокаций. // Электронная техника. сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1984. -вып. 5 (171). -с.47-52.

159. Langer Е., Katzer D. Dislocation emission from moving cleavage cracks in silicon at room temperature. // J. Mater. Sci. Lett.-1994.-v.13, №17.-p. 1256-1257.

160. Кочегаров Г.Г. Физическая природа квазимикропластической деформации твердых тел. // Доклады РАН. -1996. -т.350, № 2. -с. 187-190.

161. Streltsov V.A. Effect of hydrostatic pressure on second phase induced elastic fields. // Phys. Stat. Sol. (A) -1978. -v. 49, № 2. -p. K49-K133.

162. Hirh P.B., Roberts S.G., Samuels J. The dynamics of dislocation generation at crack tips the ductile-brittle transition. // Scr. Met. -1987. -v.21,№ 11,- p. 1523-1528.

163. Юрьев В.А., Калинушкин В.П., Мурин Д.И. Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах арсенида галлия. // ФТП. -1994. -т. 28, № 4. -с. 640-645.

164. Коваленко В.Ф., Литвинова М.Б., Прохорович А.В., Шепель Л.Г. Природа внутренних напряжений в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия. // Оптоэлектронная и полупроводниковая техника. -1996. -№31.-е. 136-140.

165. Yasutake Kiyoshi, Konishi Yoshito, Adachi Kaoru and all. Fracture of GaAs wafers. // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. -1988. -v.27, № 12. p.2238-2246.

166. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости.-М.: "Наука",-1965.-202 с.

167. Streltsov V.A. Shear stresses induced by hydrostatic pressure near the surface of an inclusion. // Phys. Stat. Sol. (A) -1978. -v. 48, № 1. -p. K23-K25.

168. Salih A.S., Kim H.J., Davis R.F., Rozgonyi G.A. Extrinsic gettering via the controlled introduction of misfit dislocations. // Appl. Phys. Lett. -1985. -v. 46, № 4. -p. 419-421.

169. Пекарев A.M., Панасенкова М.И., Бурмистров А Н., Булкин П.В. Термодинамика процесса зародышеобразования во внутреннем оксидном геттере в кремнии. // Изв. ВУЗов. Физика. -1988. -т.31, № 8 -с. 25-29.

170. Kang Nam Soo, Zirkle Thomas E., Schroder Dieter K. A stress gettering mechanism in semi-insulating, copper contaminated gallium arsenide. // J. Appl. Phys. -1992. -v. 72, № 1. -p. 82-89.

171. Хиллиг У.Б. Причины низкой прочности и предельная прочность аморфных хрупких тел. / В Сб. "Прочность стекла" / Под ред. В.А. Степанова. -М.: "Мир". -1969. -с. 68-120.

172. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: "Высшая школа". -1968. -487 с.

173. Бейлин В.М., Векилов Ю.К., Красильников О.М. Температурная зависимость упругих постоянных сильнолегированного GaAs. // ФТТ. -1968. -т. 10, № 10. -с. 3101-3105.

174. Городниченко O.K. Исследование эволюции дислокационной структуры в поверхностных слоях арсенида галлия в процессе деформации. // Поверхность: Фих., химия, мех. -1989. -№4 -с. 150-153.

175. Антонов С.А., Батаронов И.Л., Дрожжин А.И. и др. Особенности пластической деформации нитевидных кристаллов кремния, связанные с зарождением дислокаций на поверхности и их эволюцией. // Изв. ВУЗов. Физика. -1993. -т. 36, № 5. -с. 60-68.

176. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур./-М.:"Радио и связь".-1982.-239с.

177. Освенский В.Б., Туровский Б.М., Меженный М.В. и др. Факторы, влияющие на объемную прочность монокристаллов кремния. // Изв. АН СССР. Не-орг. материалы. -1985. -т. 21, № 3. -с. 357-361.

178. Stroh A.N. The formation of cracks as a result of plastic flow. // Proc. Roy. Soc. -1954. -v. 223, № 1154. -p. 404-414.

179. Cottrel A.N. Theory of brittle fracture in steel and similar metals. // Trans.

180. Am. Min. Metall. Petrol. Engros. -1958. -v. 212. -p. 192-203.

181. Абрахаме M.C., Екстром Jl. Дислокации и хрупкое разрушение в элементарных и сложных полупроводниках. / В сб. "Несовершенства в кристаллах полупроводников". -М.: "Металлургия". -1964. -с. 163-179; с. 654-662.

182. Кочанова Л.А., Кучумова В.М., Матвеенко В.Н. и др. Условия перехода от упругой к пластической деформации в монокристаллах арсенида галлия. // Физ,-хим. мех. материалов. -1984. -т. 20, № 6. -с. 98-100.

183. Дрожжин А.И., Сидельников И.В. Особенности ползучести нитевидных кристаллов кремния. // Изв. ВУЗов, Физика. -1981. -т. 24, № 10. -с.31-35.

184. Бенгус В.З. Скорость размножения и источники подвижных дислокаций. /В кн. "Динамикадислокаций". -Киев: "Наук. Думка". -1975.-с.315-333.

185. Caillard D., Clement N., Couret A. and al. Dislocation mobilities in III-V compounds InSb and GaAs: а ТЕМ in situ study. / Microsc. Semicond. Mater. Conf., Oxford, 6-8 april 1987,-Inst. Phys. Conf. Ser. № 87. -1987. -p. 361-366.

186. Трушин Ю.В., Помпе В. Распределение точечных дефектов в поле напряжений около выделений второй фазы.//Письма в ЖЭТФ.-1985.-т. 11. -с. 393-397.

187. Ройтбурд А.Л. Равновесная концентрация вакансий вблизи свободной поверхности и само диффузионное заплывание пор в напряженном твердом теле. // ФТТ. -1981. -т. 23, № 4. -с. 1074-1078.

188. Jung J., Gleichman R. On the nature of plastic deformation generated by hydrostatic pressure in silicon single crystals.// J.Mater. Science. -1984. -v. 19. -p. 3399-3406.

189. Антонова И.В., МисюкА., Попов В.П. и др. Исследование методом

190. DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si при высокой температуре и высоком давлении. // ФТП. -1996. -т.30, № 8. -с. 1446-1454.

191. Даценко Л.И., Мисюк А., Магулин В.Ф. и др. Влияние температуры, гидростатического давления и других физических факторов на эволюцию дефектных структур при преципитации кислорода в кремнии. // Поверхность,-1998. -№ 10. -с. 122-138.

192. Зайнабидинов С.З., Фистуль В.И. Барические необратимые эффекты в кремнии с примесными преципитатами. // ФТП. -1987. -т. 21, № 4. -с. 766-767.

193. Barnes С.Е., Samara G.A. The effect of hydrostatic pressure on defect anneling in semiconductors. / Mat. Res. Soc. Symp. Proc., v. 46, 1985. -Materials Reasearch Society, -p. 471-476.

194. Нефедова В.В., Пель Э.Г., Соловьева Е.В. Барический отжиг p-GaAs, легированного германием. //Физика и техника высоких давлений,-1986.-№ 21-е.22-24.

195. Скупов В.Д., Тотельбаум Д.И. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках.// ФТП.-1987.-т.21.-с. 1495-1497.

196. Скупов В.Д. Ципкин Г.А., Кванин В.Н. Электрофизические свойства эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия после обработки гидростатическим давлением. // Физика и техника высоких давлений. -1991. -№ 7. -с. 97-100.

197. Скупов В.Д., Щербань М.Ю. Релаксация остаточных напряжений в полупроводниковых эпитаксиальных структурах после обработки гидростатическим давлением. // Физика и техника высоких давлений,-1986.-№ 21.-е. 24-27.

198. Бураго Н.Н., Скупов В.Д., Скупова Т.Н., Ципкин Г.А. О природе необратимых изменений в гидростатически сжатых кристаллах. // Физика и техника высоких давлений. -1987. -№24. -с. 38-41.

199. Tuchman Judah A., Herman Ivring P. General trends in changing epilayerstrains through the application of hydrostaic pressure. // Phys. Rev. B. -1992.-v. 45, № 20. -c. 11929-11935.

200. Авт. Свид. СССР № 957681, кл. H 01 L 21/30 от 26.08.80. Способ обработки полупроводниковых пластин. / Павлов П.В., Пашков В.И., Скупов В.Д.

201. АС СССР №1340493, кл.Н 01 L 21/324 от 09.12.85. Способ обработки эпитаксиальных структур пленка-подложка. / Скупов В.Д., Ципкин Г.А.

202. Fonnan R.A., Hill J R., Bell M.I. and all. Strain patterns in gallium arsenide wafers: origins and effects. / Defect Recogn. and Image Process. II1-V Сотр. 2; Proc. 2nd Int. Symp., Monterey, Calif., Apr. 27-29, 1987. -Amsterdam. -1987. -p. 63-71.

203. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы разлагающихся полупроводниковых соединений. / М.: "Металлургия". -1974,392 с.

204. Рожанский В.Н., Пушкаш Б.М., Веледницкая М.А. и др. Дефекты структуры кристаллов фосфида галлия, возникающие при отжиге и действии сосредоточенной нагрузки. // ФТТ. -1979. -т. 21, № 5. -с. 1528-1535.

205. Brosel M.R., Foulkes E.J., Stirland D.J. Observations of gallium precipitates in LEC GaAs. / Defect Recogn. and Image Process. III-V Compounds. Proc. Int. Symp. Montpellier. July 2-4, 1985. -Amsterdam. -1985. -p. 177-184.

206. Глушков E.A., Измайлов H.B., Литвин A.A. и др. О механизмах образования микровключений компонента А111 в полупроводниках AinBv. // Изв. АН СССР. -Сер. Неорганические материалы -1985. -т. 21, № 12. с. 2003-2005.

207. Василенко Н.Д., Горбатюк А.Я., Марончук И.Е. Образование микровключений галлия в монокристаллах GaAs. // Изв. ВУЗов. Физика. -1988. -т. 31, № 2. -с. 32-35.

208. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Югова Т.Г. Влияние легирования на растворимость меди в арсениде галлия. // ФТТ,-1969. -т. 11, № 11. -с. 3276-3281.

209. Юрьев В.А., Калинушкин В.П., Астафьев О.В. Визуализация крупномасштабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия и арсенида галлия. // ФТП. -1995. -т. 29, № 3. -с. 555-458.

210. Williams G.M., Cullis A.G., Stirland D.J. First direct observation of voids in bulk, undoped, semi-insulating GaAs.//Appl. Phys. Lett.-1991.-v.59, № 20.-p.2585-2587.

211. Ross F.M., Osham C., Searson P.C. and al. Crystallographic aspect of pore formation in gallium arsenide and silicon. //Phil. Mag. A.-1997. -v. 75, № 2. -p.525-539.

212. Василенко Н.Д., Городниченко O.K., Марончук И.Е., Марончук Э.Е. Микровключения раствора-расплава в эпитаксиальных слоях, выращенных из жидкой фазы. // ЖТФ -1980. -т. 50, № 6. -с. 1355-1357.

213. Вилисова М.Д., Лаврентьева Л.Г., Пороховниченко Л.П. и др. Локальные примесные неоднородности в автоэпитаксиальных слоях арсенида галлия. // Изв. ВУЗов. Физика. -1978. -№ 10. -с. 96-101.

214. Lavrentieva L.G., Ivonin I.V., Krasilnikova L.M., Vilisova M.D. Formation of submicron growth defects during varop deposition of GaAs films. // Krist. Techn. -1980.-v. 15, №6.-p. 683-689.

215. Клебанова H.A., Меламед M.M., Носиков C.B. Исследование структурных неоднородностей в эпитаксиальных пленках арсенида галлия. // Изв. АН СССР. сер. Неорг. Мат. -1982. -т. 18, № 7. -с. 1093-1095.

216. Сорокин И.Н., Клебанова Н.А., Козейкин Б.В. и др. Несовершенства газофазного эпитаксиального GaAs, выявляемые в травителе Сиртла. // Изв. АН СССР. сер. Неорг. Мат. -1987. -т. 23, № 11. -с. 1773-1776.

217. Hoenk М.Т., Vahala K.J. Cathodoluminescence of oval defects in GaAs and AlGaAs epilauers using an optical fiber light collection system.// Appl. Phys. Lett.-1988.-v. 52, №21. -p. 2062-2064.

218. Sapriel J., Chavigton J., Alexandre F. Oval defects in GaAlAs molecularbeam epitaxy layers: a Raman scattering and photoluminescence combained study. // Appl. Phys. Lett. -1988. -v. 52, № 23. -p. 1970-1972.

219. Atique N., Harman E.S., Chang J.C.P. and al. Electrical and structural properties of Be- and Si-doped low-temperature-grown GaAs. // J. Appl. Phys.-1995. -v. 77, №4.-p. 1471-1476.

220. Чалдышев В.В. Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs. / В сб. Седьмая Российская конференция "Арсенид гэллия-GaAs 99".Томск, 21-23 октября 1999 г. Материалы конференции. -Томск. -1999. -с. 8.

221. Chen S.H., Carter С.В., Enquist P. Transmission electron microscopy study of defects in Sn-doped GaAs films grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. -1987. -v. A44, № 2. -p. 143-151.

222. Гаврилюк В.К., Концевой Ю.А., Фаттахов Э.А. Механическая прочность кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. / В Сб. "Научн. труды по проблемам микроэлектроники". / Под ред. А.А. Орликовского. -М.: МИЭТ. -1976. -вып. 27. -с. 217-222.

223. Кончуковский О.П. Физические свойства контактов металл-кремний под давлением. // Физика и техника высоких давлений,-1988.-№ 10.-с. 43-55.

224. Сыркин JI.H., Феоктистова Н.Н. Полупроводниковые пьезотранзисторы. / В Сб. "Физика электронно-дырочных переходов". -Л.: Изд. ФТИ АН СССР. -1969. -с. 97-120.

225. Rindner W., Braun I. Resistance of elactically deformed shallow р-n juction. //J. Appl. Phys. -1963. -v. 34, № 7. -p. 1958-1970.

226. Imai I. The effect of uniaxial stress on Ge р-n junction with various doping densities. // Jap. J. Appl. Phys. -1963. -v. 2, № 8. -p. 463-466.

227. Wolfgang T. Uber den Zusammenhang zwischen mechanischen Spannungen und dem Strom durch р-n Ubergange in Halbleiterkristall. // Z. Auger Rhys. -1965. -v. 19, №4. -p. 285-291.

228. Poljakova A. On the use of р-n junction for the pressure measurement. // Prepr. 5-th Congr. internat. acoust. -1965. -№ J37. -p. 30-33.

229. Birebent R., Simon J.M. Effect de la pression sur les diodes Zener. // C. r.

230. Acad. sci. -1966. -v. 263, № 8. -p. B568-571.

231. Rictic S., Cvekic V. Some effect of localized stress on silicon planar transistors. // Phys. Stat. Sol. (A). -1978. -v. 50, № 1. -p. 153-157.

232. Полякова A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. -М: "Энергия". -1979. -168 с.

233. Заргарян В.Ш., Минасян М.В. Исследование тензочувствительности германиевых р-n переходов, полученных методом выращивания из расплава. // Уч. зап. Ереванского университета, "Естественные науки.". -1985.-№ 1.-е. 67-71.

234. Rindner W. Breakdown voltages and current in mechanically stressed Ge and Si diodes. // Appl. Phys. Lett. -1965. -v. 6. -p. 225-226.

235. Абрамян Ю.А., Симонян P.Г., Арутюнов В.А. Влияние давления на волътамперную характеристику контакта металл-полупроводник. // Изв. АН Армянской ССР. Физика. -1976. -т. 11, № 3. -с. 214-218.

236. Муравский Б.С., Фризен Г.И. Влияние одноосного сжатия кристалла на поверхностно-барьерную неустойчивость в структурах с барьером Шоттки. -ФТП. -1979.-т. 13, №6.-с. 1178-1180.

237. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. О природе низкотемпературных аномалий ВАХ контактов металл-полупроводник. // ФТП,-1983,- т. 17, № 6. -с. 1147-1149.

238. Секрет А.А., Топалиди В.К., Пастернак В.А. и др. Влияние механического давления на вольт-амперные характеристики транзисторных структур. // Фотоэлектроника (Киев). -1987. -№ 1. -с. 103-107.

239. Гаман В.И., Агафонников В.Ф. Влияние анизотропного давления на скорость поверхностной рекомбинации германия. // Изв. ВУЗов. Физика. -1968. -№ 6. -с. 123-125.

240. Надточий В.А., Калимбет А.З., Алехин В.П., Белошапка А.Я. Влияниенизкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых р-n переходов. // Физика и химия обработки материалов. 1985. -№ 1. -с. 115-120.

241. Kressel М., Elsea A. Effect of generation-recombination centers on the stress-dependence of Si р-n junction characteristics.// Solid-State Electron. -1967,-v. 10,- № 3. -p. 213-224.

242. Rindner W. Effect of uniaxial and inhomogeneous stress in germanium and silicon р-n junctions. // J. Appl. Phys. -1965. -v. 36, № 8. -p. 2513-2518.

243. Кучуков Е.Г., Шаповалов В.П., Стаднюк Г.А. Влияние гидростатического давления на характеристики р-n переходов.//ФТП.-1979.-т.13, № Ю.-с.2012-2014.

244. Эспе В. Технология электровакуумных материалов. ч.1. -М.-Л.: "Гос-энергоиздат". -1962. -631 с.

245. Механические свойства материалов под высоким давлением. / Под ред. Х.Л. Пью. -М.: "Мир". -1973. -296 с.

246. Физические величины. Справочник. / Под рад. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова. -М.: "Энергоатомиздат". -1991. -1232 с.

247. Чесноков Ю.А. Определение термических напряжений в тиристорах и их стойкости к перегрузкам прямым током. // Электронная промышленность. -1970. -вып. 2. -с. 8-13.

248. Соловьев В.А., Стрельцов В.А. Трещины в гидростатически сжатых кристаллах. // Физ. и техн. высоких давлений (Киев). -1981. -№ 3. -с. 19-24.

249. Барбашов В.И., Ткаченко Ю.Б. Влияние гидростатического давления на разрушение ионно-ковалентных кристаллов. // Физ. и техн. высоких давлений (Киев). -1995. -№ 2. -с. 22-25.

250. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций.-М.:"Атомиздат"-1972.-599 с.

251. Hirofumi Nakata, Toshiyuki Ninomiya. Electrical Properties of Plastically Deformed GaAs. // J. Phys. Soc. Jap. -1977. -v. 42, № 2. -p. 552-558.

252. Ishida Т., Maeda K., Takeuchi S. A study of deformation-produced deep levels in n-GaAs using deep level transient capacitance spectroscopy. // Appl. Phys. -1980. -v. 21, №3. -p. 257-261.

253. Yoshiaki K., Kenichi C. Deep-level transient spectroscopy of plastically-bent epitaxial GaAs. // Jap. J. Appl. Phys. -1983. -Ptl. -v. 22, № 10. -p. 1563-1566.

254. Skowronski M., Lagowski J., Milshtein M. and all. // Effect of plastic deformation on electronic properties of GaAs.// J. Appl. Phys.-1987 -v.62. p.3791-3798.

255. Марков A.B., Омельяновский Э.М., Освенский В.Б. и др. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs. // ФТП. -1988. -т. 22, № 1. -с. 44-48.

256. Wosinski Т. Electronic properties of dislocation in GaAs. / Defect Contr. Semicond.: Proc. Int. Conf. Sci. and Technol., Yokohama, Sept. 17-22, 1989. -v. 2. -Amsterdam etc. -1990. -p. 1465-1470.

257. Androussi Y., Vanderschaeve G., Lefebvre A. Mobility of 1/6 <112> partial dislocations under high stress in GaAs and the influence of doping. // Microsc. Semicond.

258. Mater. -Inst. Phys. Conf. Ser. No. 87: Section 4, Oxford, 6-8 April 1987. -p. 291-296.

259. Francois P., Lefebvre A., Vanderschaeve G. Low temperature placticity of brittle materials. // Phys. Stat. Sol. A.-1988. -v. 109,- № 1. -p. 187-192.

260. Lefebvre A., Vanderschaeve G. Mechanical twinning in gallium arsenide. // Microsc. Spectrosc. Electron. -1989. -v. 14. -p. 325-334.

261. Boivin P., Rabier J., Garem H. Plastic deformation of GaAs single crystals as a function of electronic doping: Low temperatures (20-300°C). // Philosophical Magazine A. -1990. -v. 61, № 4. -p. 647-672.

262. Shmatov V.T. Crack decay into edge dislocations. / "High pressure Sci. And Technol. Proc. 9th AIRAPT Int. High Pressure Conf., Albany, N. Y., July 25-29, 1983. Pt 2". -New York. -1984. -p. 291-294.

263. Никитенко В.И., Мышляев M.M., Еременко В.Г. О пластической деформации кремния в области хрупкого разрушения. // ФТТ.-1967.-т.9, № 9.-е. 2604 -2610.

264. Рожанский В.Н., Пушкаш Б.М., Веледницкая М.А. и др. Дефекты структуры кристаллов фосфида галлия, возникающие при отжиге и действии сосредоточенной нагрузки. // ФТТ. -1979. -т. 21, № 5. -с. 1528-1535.

265. Hoche H.R., Schreiber J. Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs. // Phys. Stat. Sol. (A), -1984.-v.86, № 1. -p. 229-236.

266. Зайцев И.И., Стрельцов В.А., Добраков А.А. Упорядочение дислокационных ансамблей в условиях высокого гидростатического давления. // Физика высоких давлений (Киев). -1979. -с. 119-145.

267. Вернадская И.В., Макара В.А., Сизонтов В.М. Аномальная пластичность тонких монокристаллов Si в температурной области вязко-хрупкого перехода. // Докл. АН Укр. ССР. сер. А. -1984. -№ 5. -с. 86-89.

268. De Cooman B.C., Carter C.B. ТЕМ studies of deformation-induced defects in gallium arsenide. / "Microsc. Semicond. Mater"., 1987: Proc. Inst. Phys. Conf., Oxford, 6-8 Apr., 1987. -Bristol-Philadelphia. -1987. -p. 259-268.

269. Pirous P. Deformation mode in silicon slip or twinning. // Scr. Met.-1987. -v. 21, № 11-p. 1463-1468.

270. Классен-Неклюдова М.В. Механическое двойникование кристаллов. -М.: Изд. АН СССР. -1960. -261 с.

271. Лемешко В.В., Макара В.А., Обуховский В.В. и др. Влияние электрического тока на скорость движения дислокаций в кристаллическом кремнии. // ФТТ. -1994. -т. 36, № 9. -с. 2618-2623.

272. De Cooman B.C., Carter С.В. Partial Dislocation Mobility in GaAs. / "Charact. Defect. Mater".: Proc. Mat. Res. Symp. Boston, 1986, vol.82. -Pittsburg.-1987. -p. 253-258.

273. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Зарождение дислокаций в полупроводниковых кристаллах. // УФН. -1995. -т. 165, № 8. -с. 887-917.

274. Дрожжин А.И., Ермаков А.П., Яценко С.Н. Влияние импульсов электрического тока и осевой нагрузки растяжения на структуру и свойства нитевидных кристаллов кремния. // Изв. РАН. сер. Физ. -1997. -т. 61, № 5. -с. 1012-1018.

275. Amelincx S. The direct observation of dislocations. -N.Y. and London.: "Academic Press". -1964. -440 p.

276. Хлудков С.С. Арсенидгаллиевые лавинные S-диоды. // Изв. ВУЗов. Физика -1983. -т. 26, № 10. -с. 67-78.

277. Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Эффект переключения в обратно-смещенных тс-у-п-структурах на основе GaAs<Fe>. // ФТП. -1979. -т. 13, № 12. -с. 2302-2308.

278. Толбанов О.П., Хлудков С.С. Вольтамперные характеристики арсенид-галлиевых тс-у-п-структур, легированных Fe и Сг, в области сильных электрических полей. // ФТП. -1986. -т. 20, вып. 11. -с. 2072-2077.

279. Жарков В.Н., Калинин В.А. Уравнение состояния твердых тел при высоких давлениях и температурах. -М.: Наука. -1968. -235 с.

280. Головин Ю.И., Финкель В.М., Фарбер Б.Я., Иванов В.П. Напряженное состояние и динамика дислокаций вблизи вершины трещины, меняющей скорость роста. // ФТТ. -1976. -т. 18, № 10. -с. 3162-3164.

281. Гегузин Я.И., Кононенко В.Г. Исследование формирования микротрещин в процессе залечивания пор в кристаллах при всестороннем сжатии. // Физ.и химия обр. материалов. -1981. -№ 1.-е. 131-134.

282. Vidano R.P., Paananen D.W., Miers Т. et all. Mechanical stress reliability factor for parkaging GaAs MMIC and LTSC component. // IEEE Trans. Components, Hybrids, Manuf. Thechnol. -1987, v. CHMT-1. -p. 612-617.

283. Connell G.A.N. The variation of the pressure coefficient of resistivity in gallium arsenide with carrier concentration. // High Temp.-High Press.-1969.-v. 1. -p. 77-81.

284. Camphausen D.L., Connel G.A.N., Paul W. Calculation of energy-band pressure coefficients from the dielectric theory of the chemical bond. // Phys. Rev. Lett. -1971. -v. 26. -p. 184-188.

285. Aspnes D.E. GaAs lower conduction band minima: ordering and property. //Phys. Rev. B. -1976. -v.14, № 12. -p. 5331-5343.

286. Nolte D.D. Depletion of charge around mesoscopic voids in semi-conductors. //Appl. Phys. Lett. -1997. -v. 70, № 25. -p. 3401-3403.

287. Ueki Takemi, Itsumi Manaba, Takeda Tadao. Octahedral void structure observed in grown-in defects in the bulk of standart Czochralski-Si for MOS LSIs.// Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. -1997. -v. 36, № 3b. -p. 1781-1785.

288. Авт. Свид. СССР N 455634 от 6.06.1977. Датчик давления. / Матуленис А.Ю., Пожела Ю.К., Царенков Б.В. и др.

289. Матуленис А.Ю., Пожела Ю.К., Царенков Б.В. и др. Электропроводность варизонных кристаллов Gai„xAlxAs. // ФТП,-1973.-т.7, № 3. -с.591-593.

290. Juciene V., Matulionis A., Pozela J. Shift of Г-Х junction due to hydrostatic pressure. // Sol. St. Comm. -1973. -v. 13, № 4. -p. 453-455.

291. Барташевич 3., Матуленис А., Шимулите E. Электропроводность эпитаксиальных слоев AlxGaixAs. //Лит. физ. C6.-1978.-t.XVIII, № 1.-е. 137-142.

292. Барташевич 3., Каваляускас А., Шимулите Е. Датчики давления на основе варизонного AlxGa,.xAs. // ПТЭ. -1977. -№ 5. -с. 210-211.

293. Матуленис А., Пожела Ю., Шимулите Е., Юцене В. Преобразователи давления на основе варизонных кристаллов. / В сб. "Полупроводниковые преобразователи" / Под ред Ю. Пожелы. -Вильнюс: "Мокслас". -1980. -с. 141-169.

294. Авт.Свид. СССР № 984365 кл. Н01 L 29 / 84 от 09. 12. 90. Датчик давления. / Грицус А.А., Жилёнис С.Г., Матулёнис А.Ю.

295. Long D.V., Logan R.A. Large-lattice relaxation model for persistent photoconductivity in compound semiconductors. // Phys. Rev. Lett. -1977. -v.39. -p. 635- 639.

296. Moony P.M. Deep donor levels (DX centers) III-V semiconductors. // J. Appl. Phys. -1990. -v. 67, № 3. -p. R1-R26.

297. Mizuta M., Mori K. Characterization of the DX center in the indirect AlxGa,„ xAs alloy. // Phys. Rev. B. -1988. -v. 37, № 2. -p. 1043-1046.

298. Chadi D.J., Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGa,.xAs alloys. //Phys. Rev. B. -1989. -v.39, № 14. -p. 10063-10074.

299. Park C.H., Chadi D.J. Orthorhombic symmetry DX centers in S-doped GaSb, GaAs, AlxGaixAs. // Phys. Rev. B. -1996. -v. 54, № 20. -p. R14246-R14249.

300. European Patent 0 335793 Al, MK G01L 9 00, G01L 19/04, Number of depot: 894008648, Date of depot: 29.03.89. Capteur de pression a semi-conducteur. /Mosser V., Robert J.L., Monod J. Y.

301. Fisher M.A., Adams A.R., O'Reilly E.P. Resonant electron scattering due to the central cells of impurities observed in AlGaAs under hydrostatic pressure. // Phys. Rev. Lett. -1987. -v. 59, № 20. -p. 2341-2344.

302. Suski Т., Wisniewski P., Skierbiszewski C. and al. Elimination of DX centerlike behavior of donors in heavily doped GaAs. // J. Appl. Phys. -1991.-v. 69,- № 5. -p. 3087-3093.

303. Dmochowski J.E., Dobacewski L. Negative U. Acceptor-like, model of the DX centre: transport properties of weakly doped AlxGai„xAs. // Semicond. Sci. Technol. -1989. -v. 4. -p. 579-581.

304. Li M.F., Jia Y.B., Yu P.Y. and al. Evidence for the negative charge state of DX centres in AlxGabxAs. // Phys. Rev. -1989. -v. 40. -p. 1430-1432.

305. Du A.Y., Li M.F., Chong T.C., Chua S.J. Observation of carrier concentration saturation effect in n-type AlxGabxAs. // Appl. Phys. Lett. -1995. -v.66.-p. 1391-1393.

306. Zdansky K. Temperature dependence of equilibrium electron density in AlGaAs governed by Sn-related DX centers. // Appl. Phys. Lett. -1994. -v. 65, № 15. -p. 1933-1934.

307. Ghosh S., Kumar V. Inverted order of acceptor and donor levels of the Si-related DX center in AlxGa,.xAs. // Phys. Rev B. -1997. -v. 55, № 7. -p. 4042-4045.

308. Calleja E., Garcia A., Gomez A., Munos E. Effect of local environment on DX centers in Si-doped GaAs and dilute AlxGaixAs alloys. // Appl. Phys. Lett.-1990. -v. 56, № 10. -p. 934-936.

309. Kukimoto H. Metastable DX-center in GaAs and related alloys. / Mat. 18th Int. Conf. Phys. Semicond. 1986, Stockholm., v. 2. -p. 915-922.

310. Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-98)". Новосибирск, 23-26 сент. 1998. -т. 2. -с. 12-16.

311. Горский J1.K. Статистические алгоритмы исследования надежности. -М.: Наука. -1970. -400 с.

312. Рейнольде Ф.Г. Тепловое старение полупроводниковых компонентов. // ТИИЭР. -1974. -т. 62, №2. -с. 105-115.

313. Штремель М.А. Прочность сплавов. ч.1. Дефекты решетки. -М.: "Металлургия". -1982. -278 с.

314. Авт. Свид. СССР № 616596, кл. G 01 R 31/26 (53) от 07.06.76. Способ определения долговечности СВЧ-диодов. / Максимов М.А., Егоров Л.П., Лезжов Ю.Ф. -Бюл. № 27.

315. Люзе Л.Л., Шаповал Л.Г., Бурлаков Р.Б. Надежность и старение диодов Ганна непрерывного действия.// Труды НИИПП (г.Томск). -1972. -Вып. 1. -с. 20-28.

316. Шаповал Л.Г., Люзе Л.Л., Бурлаков Р.Б. Надежность диодов Ганна. // Труды НИИПП (г. Томск). -1972, вып. 2. -с. 36-42.

317. Божков В.Г., Заводчиков В.М., Солдатенко К.В. и др. Влияние температурной обработки на характеристики диодов с барьером Шоттки Pd-n-GaAs.// Электронная техника, сер. Полупроводниковые приборы. -1977. -Вып. 8 (118). -с. 15-20.

318. Хан А.В., Попов А.И., Антошкина Т.А. Доотказовая деградация арсе-нидгаллиевых полупроводниковых приборов на эффекте Ганна. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. -1980. -вып. 5. -с. 40-45.

319. Воробьев М.Д., Склизнев С.М., Коханов Н.Г., Попов А.И. Генерацион-но-рекомбинационный шум и прогнозирование надежности диодов Ганна. // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ.-1986.-Вьш. 1(385).-с. 17-20.

320. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. /Под ред. Дж.Поута и Дж. Мейера. -М.: "Мир". -1982. -576с.

321. Chang С.С., Muraka S.P., Kumar V. et al. Interdiffusion in thin-film Au and Pt on GaAs (100) studied with Auger spectroscopy. // J.Appl. Phys. -1975. -v. 46,- № 10. -p. 4237-4243.

322. Mukherice S.D., Morgan D.V., Hoves M.I. et al. The Thermal reactions onthin (approximately 10 nm) Schottky barrier metallisations with GaAs. // Thin Solid Film. -1979. -v. 57, № 1. -p. 55-59.

323. Liliental-Weber Zuzanna. The structure and electrical properties of metal contacts on GaAs. // J. Vac. Sci. and Technol. -1987. -v.B5, № 4.-p. 1007-1014.

324. Mojzes I., Veresedukazy R., Kovacs B. and Recz B. Metal film barriers against the evaporation of volatile components during the heat treatment of metal-compaunds semiconductor contacts. // Thin Solid Films. -1988. -v. 164, № 1. -p. 1-4.

325. Colleman D.J., Wisseman W.R., Shaw I.V. Reaction rates for Pt in GaAs. // Appl. Phys. Lett.-1974. -v. 24, № 25. -p. 355-357.

326. Heaton I.L., Wallini R.E., Carrol J.E. Reliability study of high efficiency gallium arsenide avalanche diodes. / Mat. 16-th Ann. proc. reliability phys. San Diego. Cal. apr. 18-20 1978, v. 1. -p. 261-267.

327. Calviello J.A., Wallace J.G. Performance and reliability of animpruved high-temperature GaAs Schottky junction and native-oxide passivation. // IEEE Trans. -1977. -v. ED-24, № 6. -p. 698.

328. Вальд-Перлов B.M., Вейц В.В., Сибирцев А.С. Лавино-пролетные диоды сантиметрового диапазона. // Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы. -1978. -Вып.5. -с.87-102.

329. Вальд-Перлов В.М., Рябков О.А. Деградационные явления в лавино -пролетных диодах с барьером Шоттки арсенид галлия-платина. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1981. -Вып. 5. -с. 81-82.

330. Heaton J.L., Wallini R.E., Cerrol J.E. Low-high-low profile gallium arsenide IMP ATT reliability. //IEEE Trans. Electron. Devices. -1979. -v. 26, № l.-p. 96-101.

331. Trueba A., Munoz E., Pigues J. AES-studies of arsenic vacansies in (111)-GaAs annealied surfaces. // Solid State Commun. -1974. -v. 15. -p. 199-202.

332. Haynes Т.Е. and Chu W.K. Direct measurement of evaporation during rapid thermal processing of capped GaAs. // Appl.Phys.Lett. -1987. -v. 50. -p. 1071-1073.

333. Wemple S.H., Niehaus W.C., Fukui and al. Long term and instantaneous burn out in GaAs pover FITs: Mechanisms and solutions. // IEEE Trans. -1981. v. ED - 28. -p. 834-840.

334. Dumas J.M., Paugam J. and al. Long term degradation of GaAs pover mesfet induced by surface effects. //IEEE MMT-S Digest. -1980. -p. 226-228.

335. Fukui H., Wemple S.H., Irvin J.C. and al. Reliability of improved pover GaAs field-effect transistors. / Int. Failure Physics Symp. Apr. 8-10, 1980, Las Vegas, Nevada, 1980. -IEEE Digest, -p. 151-158.

336. Christou A., Anand Y. GaAs mixer diode burn-out mechanism at 36-94 GHz. / International Failure Physics Simposium, April 8-10 1980, Las Vegas, Nevada, 1980. -IEEE Digest, -p. 140-144.

337. Swallow G.H., Oxley Т.Н., Hanson A.M. Recent advantages in the burn-out properties of low noise gallium arsenide Schottky barrier mixer diodes. / Europen micro-wafe Conf. Proc. Brussel. -1973. -v. 1. -p. 143-145.

338. Omori M., Wholey J.N., Gibbons J.F. Accelerated active life test of GaAs FET and new failure mode. / Int. Failure Physics Symp., April 8-10, 1980, Las Vegas, Nevada, 1980. -IEEE Digest, -p. 134-139.

339. Gerzon P.H., Barnes J.W., Waite D.W., Northrop D.C. The mechanism of r.f. spike on Schottky barrier microwafe mixers.// Sol. St. Electron. -1975. -v. 18. -p. 343-347.

340. Зайцевский И.JI., Конакова Р.В., Кордош П. и др. Влияние давления на тонкую структуру диодов Шоттки в области пробоя. // Укр. физ. ж,- 1983. -т. 28, № 10. -с. 1576-1578.

341. Божков В.Г., Малаховский О.Ю. Влияние механических напряжений в структурах GaAs-металл с барьером Шоттки на низкотемпературное поведение вольт-амперных характеристик. //Изв. ВУЗов. Физика. -1983. -№ 3,- с. 97-101.

342. Божков В.Г., Малаховский О.Ю. Влияние диэлектрического покрытия на вольтамперные характеристики диодов с барьером Шоттки при низких температурах. // Изв. ВУЗов. Физика. -1983. -т. 26, № Ц. -с. 101-105.

343. Божков В.Г., Малаховский О.Ю. Влияние размеров контакта на вольт-амперные характеристики структур с барьером Шоттки. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1987. -вып. 5. -с. 9-14.

344. Максимова Н.К., Якубеня М.П. Межфазные взаимодействия на границе металл-полупроводник и их влияние на стабильность электрофизических параметров приборов с барьером Шоттки. // Ред. ж. Изв. ВУЗов. Физика.-Томск.-1988.-59 с.

345. Filonov N.G., Maksimova N.k., Vyatkin A.P., Romanova I.D., Misik A.M. Transport mechanism in GaAs Schottky Diodes. // Phys. St. Sol. (A). -1984. -v. 83. -p. 701-708.

346. Чикун В.В. Влияние остаточных напряжений в металлизированном барьерном покрытии на качество смесительных диодов. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. -1989. -вып. 10 (424). -с. 19-22.

347. Konakova R. V., Tkhorik Yu.A., Zaizevski and al. The influence of stress on the fine structure of Schottky diode I-V characteristics in the breakdown region. // Phys. St. Sol. (A) -1983. -v. 77, № 2,. -p. K125-K128.

348. Птащенко А.А., Эм Рен Сик. Роль дислокаций в деградации структур металл-GaAs. // Оптоэлектрон. и полупр. техн. -1989. -вып. 16. -с. 33-36.

349. Ахмадеев Н.Ш., Куркан К.И., Маяускас Г.В., Чернецкис А.П. Балансный смеситель миллиметрового диапазона волн. / Матер. X Научно-технической конф. "Микропроцессорные измерители СВЧ-цепей", Каунас, 1985, т. l.-c. 118-123.

350. Lee Jong-Lam, Mun Jae Kyoung, Lee Byung-Teak. Thermal degradation mechanism of Ti / Pt / Au Schottky contact to n-type GaAs. // J. Appl. Phys.-1997. -v. 82, № 10. -p. 5011-5016.

351. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. -М.: "Наука". -1983. -279 с.

352. Roshekina A.V., Matveenko V. N., Lisovskaya T.D. and all. Effect of surfactants on strength of gallium arsenide single crystals. // J. Appl. Phys. -1984. -№ 1. -p. 55-57.

353. Горелик С.С., Литвинов Ю.М., Павлов С.П., Приходько А.В. Распределение дислокаций в кремнии от края осажденной пленки Si3.N4. // Изв. ВУЗов. Физика. -1983. -№ 7. -с. 26-30.

354. Судзуки Т, Ёсигана X., Таксути С. Динамика дислокаций и пластичность. -М: "Мир". -1989. -294 с.

355. Корсуков В.Е., Князев С.А., Лукьяненко А.С. и др. Трансформация поверхности Ge (111) во внешнем механическом поле. // ФТТ. -1988. -т.30. -№ 8. -с. 2380-2386.

356. Swaminathan V., Wagner W.R., Anthony P.I. Effect of n- and p-type doping on the microhardnes of GaAs, AlGaAs and GaAsSb active layers in 0,82 and 0,87 |j.m injections lasers. //J.Electrochem. Soc. -1983.-v.130, №12.-p.2468-2472.

357. Ichizo Y., Koji S. Impurity effects on the generation, velocity and immobilization of dislocations in GaAs. // J. Appl. Phys. -1989. -v. 65, № l.-p.85-92.

358. Salih A.S., Kim H.J., Davis R.F., Rozgonyi G.A. Extrinsic gettering via the controlled introduction of dislocations. // Appl. Phys. Lett.-1985.-v. 46, № 4.-p. 419-421.

359. Raczunsca J., Fronc K., Langer J.M., Lemanska A., Stapor A. Donor gettering in GaAs by rerearth elements. // Appl.Ph.Lett.-1988. -v.53, №9.-p.761-763.

360. Пенина M.A., Мелев В.Г. Влияние механической обработки на дефектность арсенида галлия. // Поверхность: Физ., хим., мех. -1988. -№8. -с. 142-144.

361. Skowronski М. The plastically deformation in n-GaAs. // GaAs and Relat. Сотр.: Proc. 14th Int. Symp., 1988. -p. 93-96.

362. Божков В.Г., Солдатенко К.В., Ятис А.А. Влияние температурного поведения свободной поверхности арсенида галлия на характеристики диодов с барьером Шоттки. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. -1980. -вып 6 (141). -с. 8-10.

363. Новацкий В. Вопросы термоупрутости. -М.: Изд. АН СССР.-1962.-364 с.

364. Gunn J.B. Microwave oscillation of current in III-V semiconductors. // Sol. St. Comm. -1963. -v. 1, № 9. -p. 88-91.

365. Gunn J.B. Instabilities of current in III-V semiconductors. // IBM J. Res. Devices. -1964. -v. 8, № 4. p. 141-159.

366. Левинштейн M.E., Пожела Ю.К., Шур M.C. Эффект Ганна. -М.: "Советское Радио". -1975. -288 с.

367. Schwartz В., Sarace J.C. Low-temperature alloy contacts to gallium arsenide. // Solid St. Electron. -1966. -v. 9, № 9. -p. 859-862.

368. Hasegava F., Saito T. Occurence of a high resistance layer at epitaxial GaAs film-substrate interface. //Jap. J. Appl. Phys. -1968. -v. 7, № 9.-p. 1125-1128.

369. Braslau N., Gunn J.B., Starles J.L. Metall-semiconductor contacts for GaAs bulk-effect devices. // Solid St. Election. -1967. -v. 10, № 5. -p. 381-383.

370. Chino K., Wada Y. The degradation mechanism of GaAs-devices contacts. // Jap. J. Appl. Phys. -1977. -v .16., № 10. -p. 1020-1024.

371. Robinson G. Y., Jarvis N. L. Auger electron spectroscopy and sputter etching of Ni / Au-Ge on n-GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1972,-v. 21, № 10. -p. 507-509.

372. Hasty Т.Е., Stratton R., Jones E.L. Effect of nonuniform conductivity on the behavior of Gunn effect samples. // J. Appl. Phys.-1968. -v.39, № 10. -p. 4623- 4632.

373. Шаповал Л.Г., Баннова T.A., Люзе Л.Л. Влияние продольных неодно-родностей эпитаксиальных пленок на характеристики диодов Ганна. // Труды НИ-ИПП (г. Томск). -1972. -вып. 2. -с. 28-35.

374. Гутник Л.М., Харати Р.Г., Хучуа Н.П., Чигогидзе З.Н. О механизме отказа диодов Ганна. // ЭТ. Сер.З. Микроэлектроника.-1974. -вып. 3 (51). -с. 28-31.

375. Левинштейн М.Е., Шур М.С. Сравнительный анализ основных механизмов отказа диодов Ганна.//Радиотехника и Электроника.-1976.-t.21, № З -с.582-586.

376. Jeppson В., Marklund Т. Failure mechanisms in Gunn diodes. // Electronics Lett. -1967. -v. 3, № 5. -p. 213-214.

377. Mitsui S., Ishihara O. Influence of thermocompression on GaAs crystal for Gunn diode. // Jap. J. Appl. Phys. -1972. -v. 11, № 4. -p. 603-604.

378. Gtinberg A.A., Kastalski A.A. The ultrasound generation under the Gunn effect in a piezoelectric material. // Phys. St. Solidi. -1968. -v. 26, № 1. -p. 219-224.

379. Кастальский А.А. Генерация ультразвука при эффекте Ганна. // ФТП. -1968.-т. 2, №8. -с. 1187-1189.

380. Гущина Н А., Шур М.С. Генерация ультразвука в диодах Ганна. // ФТП. -1970. -т. 4, № 6. -с. 1086-1092.

381. Hasegava F., Ito Н. Degradation of Gunn diode by dislocation induced during thermocompression bonding. //Appl. Phys. Lett.-1972.-v.21,№ 3. -p. 107-108.

382. Ramachandran T.B., Heaton T.L., Hakim E. B. The reliability of Gunn diodes. // 12-Th Ann. Proc. Rehab. Phys., Las Vegas, 1974, v. 4., New York. -1974. -p.284-292.

383. Надежность диодов Ганна фирмы "Тосиба Рэбю". / Перевод № 394, ЭТ 11064. -ЦНИИ "Электроника". -1977 г. -с. 924-930.

384. Heeks J.S. Некоторые свойства высокополевых доменов в приборах на эффекте Ганна (перевод). // IEEE Trans. -1966. -v. ED-13, № 1. -p. 68-70.

385. Освенский В.Б., Холодный Л.П., Мильвидский М.Г. Скорость движения дислокаций в легированных монокристаллах GaAs. / В сб. "Динамика дислокаций". -Киев: "Наукова Думка". -1975. -с. 36-42.

386. Кузнецов О.А., Погалов А.И. Прочность паяных соединений. -М.: "Машиностроение". -1987. -112 с.

387. Таблицы физических величин, справочник. / Под ред. И.К. Кикоина. -М.: "Атомиздат",. -1976. -1006 с.

388. Борздыка A.M., Гецов Л.Б. Релаксация напряжений в металлах и сплавах. -М.: Металлургия. -1978. -256 с.

389. Коваленко А.Д. Термоупругость. -Киев.: "Вшца школа".-1975.-216с.

390. Hirsch Р.В., Roberts S.G., Samuels J. Dislocation mobility and crack tip plasticity at the ductile-brittle transition. // J. Rev. Phys. Appl. -1988. -v. 23. -p. 409-418.

391. Спицын В.И., Троицкий О.А. Электропластическая деформация металлов. -М.: "Наука". -1985. -160 с.

392. Макара В.А., Рубер Е.Г., Стебленко Л.П., Цареградская Т.Л. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в монокристаллах кремния. // Докл. АН Украины. -1993. -№ 12. -с. 75-78.

393. Макара В.А., Стебленко Л.П., Воронцова Л.А. и др. Влияние постоянного электрического тока на подвижность дислокаций в кристаллах кремния. // Докл. АН Украины. -1994. -№ 3. -с. 78-80.

394. Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Электропластическая деформация кремния. // ФТТ. -1995. -т. 37, № 12. -с. 3732-3734.

395. Слонова З.С., Снукаев Н.В., Ким В.А. Электромеханический эффект в фосфиде индия. / В сб. Физика полупроводников и магнитных материалов. -Ордже-никидзе. -1977. -с. 23-28.

396. Лепин Г.Ф. Ползучесть металлов и критерии жаропрочности. -М.: "Металлургия". -1976. -343 с.

397. Журков С.Н. К вопросу о физической основе прочности. // ФТТ,- 1980. -т. 22, № 11.-с. 3344-3349.

398. Гуле Ж. Сопротивление материалов. -М.: "Высшая школа". -1985.-192 с.

399. Гоффман Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок. / В сб.: Физика тонких пленок, т. 3. -М.: "Мир". -1968. -с. 125-298.

400. Агейкин Д.И. и др. Датчики контроля и регулирования. -М.: "Машиностроение". -1965. -928 с.

401. Нуберт Г.П. Измерительные преобразователи неэлектрических величин. Введение в теорию, расчет и конструирование. -Л.: "Энергия". -1970. -360 с.

402. Эрлер В., Вальтер Л. Электрические измерения неэлектрических величин полупроводниковыми тензорезисторами. -М.: "Мир". -1974. -288 с.

403. Бухгольц В.П., Тисевич Э.Г. Емкостные преобразователи в системах автоматического контроля и управления. -М.: "Энергия". -1972. -79 с.

404. Осипович Л.А. Датчики физических величин. -М.: "Машиностроение". -1979. -160 с.

405. Sandford I., Обзор американских датчиков давления. // ЭИ "Контрольно-измерительная техника". -1977. -№ 16. -с. 23-28.

406. Стучебников В Н. Микроэлектронные датчики за рубежом. // Приборы и системы управления. -1993. -№ 1. с. 18-21.

407. Слепов В.И. Европейский рынок датчиков давления. // Приборы и системы управления. -2001. -№ 3. -с. 55-57.

408. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. -М.: "Энергоиздат". -1983. -137 с.

409. Полупроводниковая тензометрия. Межвуз. сб. научн. трудов. // Под ред. B.C. Шадрина. -Новосибирск: "Изд. НЭТИ". -1988. -119 с.

410. Стучебников В.М. Интегральные полупроводниковые чувствительные элементы тензопреобразователей механических величин. // Приборы и системы управления. -1986. -№ 4. -с. 20-23.

411. Аш Ж., Андре П., Боффон Ж. и др. Датчики измерительных систем: т.2. -М.: "Мир". -1992. -424 с.

412. Малов В.В. Пьезорезонансные датчики. -М.: "Энергия",-1978. -248 с.

413. Мокров Е.А., Педоренко Н.П., Семенов В.А., Алавердиев В.В., Артемов Ю.А. Особенности проектирования металлопленочных тензорезистивных датчиков давления. // Радиотехника. -1995. -№ 10. -с. 14-17.

414. Лурье Г.И., Стучебников В.М., Хасанов В.В. Использование КНС в датчиках давления. // Приборы и системы управления. -1981. -№ 9. -с. 20-21.

415. Петерсен К.Э. Кремний как механический материал. // ТИИЭР.-1982. -№ 5. -с. 5-50.

416. Angel J.B., Terry SC., Barth P.W. Silicon micromeclianical devices. // Sci. Amer. -1983. -v. 248, № 4. -p. 36-47.

417. Коминэ Иосихару, Сато Такэру. Датчики. Дэнси дзайрё. -Electron. Parts and Mater. -1983. -v. 22, № 4. -p. 83-89.

418. Greenwood J.C. Etched silicon vibrating sensor. //J. Phys. E: Sci. Instrum. -1984. -v. 17. -p. 650-652.

419. Wise K.D. Solid-state microsensors. // Sensors. -1988. -v. 5. -№№: 3, 23, 26.

420. Suski J., Mosser V., Goss J. Polysilicon SOI pressure sensor. II Sens, and Actuators. -1989. -v. 17, № 3. -p. 405-414.

421. Middelhoek S., Bellekom A.A., Dauderstadt U. and al. Review article. Silicon sensors. // Meas. Sci. and Technol. -1995. -v. 6, № 12. -p. 1641-1658.

422. Галушков А.И., Зимин B.H., Чаплыгин Ю.А., Шелепин Н.А. Кремниевые интегральные датчики физических величин на основе технологии микроэлектроники. // Электронная промышленность. -1995. 4. -с. 95-101.

423. Зимин В.Н., Данилова В.В., Панков В.В., Шабратов Д.В. Базовые конструкции интегральных тензопреобразователей на ряд давлений от 0,01 до 40 МПа. // Датчики и системы. -1999. -№ 2. -с. 52-55.

424. Motorola Master Semiconductor Guide. Rev.7. -Motorolla. USA.-I994.

425. Lee K.W., Wise K. Sensim a simulation program for solid stare pressure sensors. //IEEE Transactions on Elecronic Devices. -1982. -v. 29. -№ 1. -p. 34-41.

426. Карцев E.A. Датчики неэлектрических величин на основе унифицированного микромеханического резонатора. // Приборы и системы управления. -1996. -№ 4. -с. 32-35.

427. Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А. Вертикальный двухкол-лекторный тензотранзистор с ускоряющими электронами в базе и эмиттере. // ФТП. -1999. -т. 33, № 3. -с. 370-377.

428. Черницин В.Н. Расчет распределения деформаций на поверхности чувствительного элемента мембранного тензопреобразователя. // Приборы и системы управления. -1990. -№ 12. -с. 12-13.

429. Канель Г.И. Применение манганиновых датчиков для измерения давления ударного сжатия. // Препр. института хим. физики. Черноголовка. -1973. -29 с.

430. Hilsch P., Jagan J. Dehnungsme|3steifen-Druckaufhehmer und Manganin-Widerstandsmanometer im Vergleich. // Phys. Thechn. Bundesanst. Braunschweig-Berlin. -Braunschweig. -1989. -№ 2. -s. 149-150.

431. Yang Tian-You, Lu yan-Chong, Yuan Bao-Hui. Establischment of mathmo-del and analysis of interpolation accuracy on 1 GPa manganin resistance gauge. / IEEE Instrum Means Technol. Conf. 1989: Conf. Rec.' -№ 4. -1989. -p. 556-558.

432. Yang Tian-You, Lu yan-Chong, Yuan Bao-Hui. Performance comments on manganin resistance gauges under high static pressures. / IEEE Instrum Means Technol. Conf. 1989: Conf. Rec. -№4. -1989. -p. 559-562.

433. Бойков H.A. Измерение давления при быстропротекающих процессах. -М.: "Энергия". -1976. -360 с.

434. Chwaleba A.,Moeschke В. Piezozlaczowe przetwomiki tunelowe cisnienia hydrostatycznego. // Rozprawy Elektrotechniczne. -1978. -v. 24. -№ 3. -p. 533-595.

435. Горелёнок А.Т., Именков A.H., Царенков Б.В. Мощные эпитаксиальные туннельные диоды из GaAs. // ФТП. -1968. -т. 2, № 10. -с. 1542-1544.

436. Криворотов Н.П. Исследование тензоэлектрических явлений в туннельных р-n переходах на арсениде галлия. / Дисс. на соиск. уч. ст. к. ф.-м. н. -Томск. -1978. -211 с.

437. Морозова Г.Г. Германиевые туннельные диоды для тензометрии. / В сб. "Физ. основы полупроводн. тензометрии". -Новосибирск -1982. -с. 63-69.

438. Морозова Г.Г., Шадрина И.Л., Чурсин Г.А. Вольт-амперные характеристики туннельных диодов, изготовленных жидкостной эпитаксией. / В сб. "Физ. основы полупр. тензометрии". -Новосибирск. -1982. -с. 126-137.

439. Смотрицкий В.М., Савицкий Ф.С. Измерение переменных давлений туннельным диодом. // ПТЭ. -1974. -№ 5. -с. 221-222.

440. Головин О.П., Колтаков В.К. Статическая градуировка измерительных преобразователей переменного давления на туннельном диоде.// Метрология.-1979. -№ 11. -с. 29-32.

441. Головин О.П., Колтаков В.К. Исследование метрологических характеристик измерительных преобразователей переменного давления на туннельных диодах. // Метрология. -1980. -№ 5. -с. 36-41.

442. Калинин Ю.М. Деградация электрических характеристик туннельных диодов под воздействием гидростатического давления. / В сб. "Полупроводниковая тензометрия". -Новосибирск. -1988. -с. 49-53.

443. Rindner W., Garfein A., Pitteli Е., Jannini A. A Miniature electrome-chanical tunnel diode transducer. // Solid-State Electron. -1970. -v. 13. -p. 457-471.

444. Патент США № 3383907 cl. 73-88.5 Tunnel diode stress sensing devices/ Sikorski M. E„ опубл. 16.01.76.

445. Бертонас К.Э., Колтаков В.К., Кудряшов Э.И. и др. Полупроводниковые датчики давления на основе кристаллов AlxGai.xAs. // Приборы и системы управления. -1988. -№ 1. -с. 24-26.

446. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика. -М.: "Наука". -1965. -204 с.

447. Брэдли К. Применение техники высоких давлений при исследованиях твердого тела. -М.: "Мир". -1972. -232 с.

448. Шефтелъ И.Т. Терморезисторы. -М.: "Наука". -1973. -415 с.

449. Пауль Д. Простой недорогой датчик давления для измерения скорости волн в ударных трубах. // ПНИ. -1966. -№ 9. -с. 163.

450. Голубев Е.М., Огурцова Н.Н. Исследование импульсного давления в сильных разрядах с испаряемой стенкой. // ЖТФ. -1978.-т. 48, № 4.-е. 732-735.

451. Каталоги фирм: "РСВ Piesotronic INC" (США); "Kistler" (Швейцария) за 1994-1995 г. г.

452. Мокров Е.А., Бутов В.И., Политменцева Т.Н., Морозов С.С., Злотников В.А., Старостин В.Н. Малогабаритные высокотемпературные пьезодатчики бы-стропеременных давлений. // Зарубежная электроника. -1996. -№ 9. -с.79-80.

453. Главный конструктор предприятия Г.ФгКовтуненко

454. Главный технолог предприятия /МЗЬ''^) В.В. Дохтуров

455. Директор" НТЦ «Синтез» I'll ШМ^ФА им. Д.В. Ефремова ; УьУ. "> О.Г. Филатовил . о>илат( 'Z3M. 2001 г.

456. АКТ ВНЕДРЕНИЯ от 27 августа 2001 г.

457. Примечание: Настоящий акт не может служить основанием для каких-либо финансовых операций между предприятиями-участниками

458. Представители СФТИ Представители НИИЭФА

459. Зав. отделом полупроводников Начальник отдела1. Старший научный сотрудникк.т.н. Н.А. Коврижных1. Российская Федерация1. МАНОТОМЬоткрыток лкционтюн оыщ-:сгво1. ИНН 702 I 00050 I634061, Россия, 1. Томск, пр. Комсомольский, 62

460. Указанные измерительные преобразователи освоены ОАО «МАНОТОМЬ» промышленно, внесены в Госреестр России и поставляются потребителям.1. Главный коструктор

461. ОКБ ОАО Манотомь /^Х^л Подкопаев Н.Н.1 лавный конструктор проекта Y- /ftj&Y' Тазетдинов P.P.