Технология структур "карбид кремния - кремний" для приборов микроэлектроники и микросистемной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Матузов, Антон Викторович

• Матузов, Антон Викторович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Матузов, Антон Викторович

Список терминов, условных обозначений и сокращений

Введение

ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ПО ВОПРОСАМ ЭПИТАКСИИ

КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ

1.1. Способы получения и особенности технологии роста гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si

1.1.1. Методы подготовки подложек

1.1.2. Методики формирования буферного слоя

1.1.3. Процессы осаждения 3C-SiC на кремниевые подложки

1.2. Базовые методы исследования структур 3C-SiC/Si

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ

2.1. Описание установки газофазного осаждения карбида кремния

2.2. Разработка конструкции реактора

2.2.1. Выбор геометрии реактора

2.2.2. Выбор материалов для изготовления оснастки реактора

2.2.3. Конструкция реактора

2.2.4. Перспективы увеличения площади подложек

2.3. Подготовка подложек к процессу осаждения

2.4. Методики формирования буферного слоя

2.4.1. Карбидизация поверхности монокристаллического кремния

2.4.2. Карбидизация нанопористого кремния

2.4.3. Использование нанопористого кремния без карбидизации

2.5. Методика выращивания эпитаксиальных слоев

2.5.1. Влияние технологических параметров на характеристики эпитаксиального слоя

2.5.2. Влияние параметров буферного слоя на характеристики эпитаксиального слоя

ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SiC/Si ДЛЯ СОЗДАНИЯ МЕМБРАН МЭМС

ЗЛ. Перспективы использования структур ЗС- SiC/Si в качестве мембран в МЭМС '

3.2. Методика изготовления мембран на основе 3C-SiC/Si

3.3. Методика исследования и результаты измерения механических напряжений в 3C-SiC мембранах

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ГЕТЕРОСТРУКТУР SiC/Si ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

4.1. Перспективы использования гетероперехода n-SiC/p-Si для фотоприемников, фотовольтаических преобразователей и транзисторных структур с широкозонным эмиттером

4.2. Методика изготовления экспериментальных образцов диодных структур

4.3. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетероструктур 3C-SiC/Si

4.3.1. Структура с изотипным гетеропереходом n-SiC/n-Si

4.3.2. Структура с анизотипным гетеропереходом n-SiC/p-Si

4.3.3. Определение диффузионного потенциала на основе анализа вольт-амперных и C-V характеристик

4.4. Анализ процессов транспорта носителей заряда в гетероструктурах n-SiC/p-Si 100 Заключение 102 Литература

Список терминов, условных обозначений и сокращений

АСМ — атомно-силовая микроскопия; МЭМС - микроэлектромеханические системы; РСМА - рентгеноспектральный микроанализ; РЭМ — растровая электронная микроскопия; ЭОС - электронная Оже-спектроскопия;

CVD (Chemical Vapor Deposition) - химическое осаждение из газовой фазы;

Cold-wall CVD - химическое осаждение из газовой фазы (метод холодной стенки);

C-V — вольт-фарадный метод измерения параметров полупроводников; Hot-wall CVD — химическое осаждение из газовой фазы (метод горячей стенки);

МВЕ (Molecular Beam Epitaxy) - молекулярно-пучковая эпитаксия; RTCVD (Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition) - химическое осаждение из газовой фазы с высокой скоростью подъема температуры.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология структур "карбид кремния - кремний" для приборов микроэлектроники и микросистемной техники»

Карбид кремния (SiC) является перспективным материалом для создания электронных, оптических приборов и микроэлектромеханических устройств экстремальной электроники. Благодаря высокой критической напряженности'поля пробоя, превышающей 2-106 В/см, температуре Дебая ~1200 К, механической прочности, устойчивости к температурным, химическим и радиационным воздействиям, потенциальные параметры приборов на его основе в ряде случаев значительно превышают параметры приборов на традиционных материалах [1-3]. Реализация уникальных свойств SiC в значительной степени определяется уровнем развития технологии формирования приборных структур. Одной из ' проблем получения эпитаксиальных слоев карбида кремния является подложечный материал. Максимальный размер коммерчески доступных подложек карбида кремния гексагональных политипных модификаций 4Н- и 6H-SiC в настоящее время ограничен 4 дюймами, а стоимость их на несколько порядков превышает стоимость кремниевых подложек [4]. Гетероэпитаксия кубического карбида кремния (3C-SiC) на кремниевые подложки существенно удешевляет процессы создания приборов на основе этого материала. Однако при эпитаксии 3C-SiC на Si росту качественных монокристаллических слоев препятствуют рассогласование периодов решеток кремния и карбида кремния, составляющее порядка 20% и различие температурных коэффициентов линейного расширения (-8%). Для минимизации уровня механических напряжений в структурах, вызванных этими факторами, и улучшения кристаллического совершенства растущего слоя на поверхности исходной кремниевой подложки возможно создание тонкого переходного слоя, выполняющего функцию буфера. В большинстве работ, посвященных эпитаксии 3C-SiC на Si буферный слой получают методом карбидизации. Процесс карбидизации заключается в обработке поверхности подложки кремния углеродсодержащими газообразными компонентами при температуре 1000°С и более. Однако, хотя таким образом и удается получать монокристаллические слои 3C-SiC, они не свободны от структурных дефектов и механических напряжений. Важной проблемой является исследование возможности использования в качестве буфера нанопористых слоев, пористая структура которых играет роль «мягкой» подложки и способствует эффективной релаксации механических напряжений. В этой связи представляет несомненный интерес исследование зависимостей параметров и характеристик слоев карбида кремния, выращенных на кремниевых подложках, от условий их получения.

Несмотря на очевидность перспектив применения кубического карбида кремния для создания приборов электронной и микросистемной техники, промышленного технологического оборудования для CVD-эпитаксии 3C-SiC на кремниевые подложки в России не существует. Отсутствие оборудования для эпитаксиального роста, обеспечивающего возможность проведения процесса при высоких температурах (до 1400°С) препятствует развитию производства структур 3C-SiC/Si.

В этой связи, целью настоящей работы является разработка технологических процессов и оборудования для газофазного осаждения кубического карбида кремния на кремниевые подложки, отработка базовых режимов формирования буферных слоев и режимов эпитаксии карбида кремния, исследование морфологических, механических и электрофизических свойств структур для приборов электроники и микросистемной техники.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: - Создание методики и аппаратуры для выращивания эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si, исследование температурных, временных, концентрационных соотношений с целью оптимизации режимов карбидизации и роста эпитаксиальных слоев;

- Отработка режимов роста эпитаксиальных слоев 3C-SiC на подложках с карбидизированными и некарбидизированными нанопористыми слоями кремния;

- Исследование морфологии, состава, структуры осаждаемых слоев в зависимости от режимов их формирования;

- Исследование механических характеристик структур 3C-SiC/Si и электрофизических параметров и характеристик анизотипных гетероструктур n-3C-SiC/p-Si.

Для решения поставленных задач реализован комплекс технологических операций, включающий формирование буферных слоев на монокристаллических подложках кремния и подложках кремния с нанопористым слоем, газофазное осаждение слоев 3C-SiC, изготовление мембран методами анизотропного жидкостного травления, формирование гетероструктур 3C-SiC/Si, с использованием реактивного ионно-плазменного травления. Для определения свойств и параметров слоев применялись следующие методы исследования: электронная Оже-спектроскопия, ИК Фурье спектроскопия, рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), дифракция быстрых электронов, электрофизические измерения, атомно-силовая, растровая электронная (РЭМ) и ионная микроскопия. Подготовка образцов для растровой микроскопии осуществлялась с использованием техники остросфокусированного ионного пучка (FIB-технологии).

Научная новизна работы. В качестве оригинальных можно выделить следующие результаты диссертационной работы:

- Установлено, что в процессах эпитаксии 3C-SiC на Si с использованием реактора вертикального типа рост пленок определяется не только кинетическими и диффузионными ограничениями, но и процессами гетерогенной и гомогенной кристаллизации.

- Показано, что минимальный уровень механических напряжений в структурах 3C-SiC/Si может быть достигнут путем использования подложки с нанопористым кремнием при проведении процесса в интервале температур 1350- 1370°С.

- Предложен способ создания гетероструктур n-3C-SiC/p-Si с улучшенными электрофизическими характеристиками, включающий формирование нанопористого слоя в подложке без использования электрохимического травления и последующую карбидизацию поверхности перед проведением процесса эпитаксии.

- Установлено, что разработанная аппаратура и технологические процессы эпитаксии позволяют создавать плоские и гофрированные мембранные структуры на основе 3C-SiC, характеризующиеся высокой чувствительностью к механическим воздействиям.

- Определены закономерности, связывающие степень структурного совершенства эпитаксиальных слоев 3C-SiC/Si с температурой процесса, концентрацией ростообразующих компонентов в газовой фазе, а также с расходами газовых потоков.

Практическая значимость работы состоит в том, что:

1. Разработано оригинальное технологическое оборудование и методика, обеспечивающая получение монокристаллических, текстурированных и поликристаллических пленок карбида кремния кубической политипной модификации на подложках кремния при температурах до 1400°С.

2. Получены экспериментальные образцы плоских и гофрированных мембран размером 1.5x1.5 мм" и толщиной от 0.6 до 0.8 мкм. Полученные плоские мембраны характеризуется высокой чувствительностью к механическому воздействию (до 14 нм/Па), низкими значениями внутренних напряжений о (порядка 30 МПа) и высокой прочностью (критическое давление до 90кПа).

3. Изготовлены образцы гетероструктур на основе композиции ЗС-SiC/Si. Проведены исследования вольт-амперных характеристик образцов, изготовленных на подложках n-Si и p-Si. Установлено, что для получения диодов на гетеропереходах с высоким коэффициентом выпрямления (более 105) необходимо формировать мезаструктуры методом реактивного ионно-плазменного травления.

4. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении научно-исследовательских работ ЦМИД-165 «Эпитаксия», ЦМИД-172 «Опасность-РЛ».

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. При газофазном осаждении карбида кремния на подложку кремния в вертикальном реакторе при атмосферном давлении уменьшение скорости роста эпитаксиального слоя с ростом температуры определяется не только кинетическими и диффузионными ограничениями, но и процессами гетерогенной и гомогенной кристаллизации.

2. Величины механических напряжений в эпитаксиальных слоях карбида кремния определяются температурой роста и способом модификации поверхности подложки кремния. Минимальные значения напряжений независимо от метода подготовки буферного слоя соответствуют диапазону температур роста 1350 - 1370°С. Нанопористая структура буферного слоя снижает уровень напряжений но, при этом, увеличивает степень разупорядоченности кристаллической структуры эпислоя 3C-SiC.

3. В области технологических режимов формирования слоев 3C-SiC на Si, обеспечивающих минимальный уровень остаточных напряжений, возможно создание структур МЭМС для устройств на основе плоских и гофрированных мембран, которые при сопоставимых геометрических размерах с аналогами на традиционных материалах (Si3N4) обеспечивают большую чувствительность к механическому воздействию.

4. Буферные слои на основе нанопористого кремния, подверженного карбидизации, позволяют формировать диодные анизотипные гетеро структуры 3C-SiC/Si, характеризующиеся эмиссионно-рекомбинационным механизмом транспорта носителей заряда и пробивными напряжениями, превышающими 200 В.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: IV и VIII международные научные конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 19-24 сентября, 2004 г. и 14-19 сентября 2008 г.; II международная конференция по физике электронных материалов, Калуга, 24-27 мая 2005 г.; 7-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 5-9 декабря 2005 г.; 9 и 10 Научные молодежные школы по твердотельной электронике, Санкт-Петербург, 27-28 мая 2006 г. и 24-25 мая 2007г.

Публикации. Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 7 работах, среди которых одна публикация в ведущем рецензируемом издании, рекомендованном в действующем перечне, ВАК, а также 6 докладов на конференциях и семинарах различного уровня. Список публикаций приведен в конце автореферата. Основные положения защищены подачей заявки на патент на группу изобретений №2008139737 от 06.10.2008.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения*-четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 89 наименований. Основная часть работы изложена на 113 страницах машинописного текста. Работа содержит 53 рисунка и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Матузов, Антон Викторович

Основные результаты работы:

1. Разработана и изготовлена установка CVD эпитаксии, позволяющая проводить подготовку интерфейса и осаждение слоев 3C-SiC на Si при температурах до 1400°С.

2. Определены оптимальные условия карбидизации монокристаллического кремния и нанопористого кремния.

3. Экспериментально установлено, что скорость роста при CVD эпитаксии 3C-SiC монотонно уменьшается с ростом температуры. Такой характер зависимости объясняется обеднением газовой фазы ростообразующими компонентами за счет гетерогенной кристаллизации и увеличением вклада гомогенной кристаллизации в области подложки. При этом влияние гомогенной кристаллизации наиболее заметно при максимальных температурах эпитаксии и значениях потока моносилана.

4. Показано, что при осаждении карбида кремния в температурном диапазоне от 1200 до 1390°С при скорости потока водорода 5,5 л/мин и соотношении Si/C на входе в реактор 0,26 в интервале температур 1200 -1300°С наблюдается рост преимущественно поликристаллических слоев с включениями монокристаллической фазы. В интервале температур 1300-1350°С наблюдается рост текстурированных пленок 3C-SiC, а при 1390°С наблюдается рост монокристаллического 3C-SiC.

5. Установлено, что уменьшение потока пропана при фиксированном потоке моносилана ведет к изменению структуры слоя от монокристаллической до поликристаллической при изменении соотношения потоков пропана и моносилана на входе в реактор от 1,3 до 0.

6. Определен диапазон оптимальных температур подложки, позволяющий получать слои карбида кремния с минимальным уровнем механических напряжений. Минимальные значения напряжений независимо от метода подготовки буферного слоя соответствуют диапазону температур роста 1350 -1370°С.

7. Изготовлены образцы гетероструктур на основе композиции 3C-SiC/Si. Установлено, что для получения гетеропереходов, с высоким коэффициентом выпрямления (более 10^) необходимо формировать меза-структуры методом плазмохимического травления.

8. Проведен анализ вольт-амперных характеристик образцов, изготовленных на подложках n-Si и p-Si. Показано, что структуры с изотипными гетеропереходами не обладают выпрямлением, как на самом гетеропереходе, так и на контакте металл-карбид кремния. В тоже время анизотипные гетероструктуры обладали диодными характеристиками с максимальными обратными напряжениями до 200 В.

9. С использованием известных моделей токопереноса в гетероструктурах и результатов измерений ВАХ показано, что наиболее вероятным механизмом электронного транспорта в анизотипной гетероструктуре п-SiC/p-Si является эмиссионно-рекомбинационный.

10. Исследование значений остаточных напряжений в 3C-SiC мембранах показало, что для плоских мембран чувствительность уменьшается с увеличением значения внутренних напряжений а. Максимальная чувствительность была достигнута на гофрированных мембранах, несмотря на большую, по сравнению с плоскими мембранами, толщину.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Матузов, Антон Викторович, 2008 год

1. Иванов, П.А. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния Текст. / П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, А.К. Agarwal // ФТП. - 2005. - т. 39, 8. - С. 897-913.

2. Лучинин, В.В. Карбид кремния материал экстремальной электроники Текст. / В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров // Петербургский журнал электроники. - 1996. - № 02 (11). - С. 53-78.

3. Карачинов, В.А. Пирометрические зонды на основе кристаллов карбида кремния Текст. / В.А. Карачинов, С.В. Ильин, Д.В. Карачинов // ПЖТФ. 2005. - том 31. - выпуск 11. - С. 1-4.

4. Электронная страница компании Cree, Inc. Электронный ресурс. // (http://www.cree.com/products/materials.asp)

5. Мохов, Е.Н. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния Текст. / Е.Н. Мохов, Ю.Ф. Водаков, Г.А. Ломакина // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: сб. материалов. Л.: ЛИЯФ, 1979. - С.136-149.

6. Vodakov, Yu. A. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sendwich method I Текст. / Yu. A. Vodakov, E. N. Mokliov, M. C. Ramm, A. D. Roenkov // Ciyst. Res. & Teclm. 1979. - №14(6). - P.729 - 741.

7. Mokhov, E. N. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sandwich method II Текст. / E. N. Mokhov, I. L. Schulpina, D. S. Tregubova, Yu. A. Vodakov // Cryst. Res. & Techn. 1981. - №16(8). - P.879 - 886.

8. Shigehiro, Nishino Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices Текст. / Shigehiro Nishino, J. Anthony Powell, Herbert A. Will // Appl. Phys. Lett. 1983. - vol.42(5). - P.460.

9. Hernandez, M.J. Study of surface defects on 3C-SiC films grown on Si(lll) by CVD Текст. / M.J. Hernandez, G. Ferro, T. Chassagne, J. Dazord, Y. Monteil // Journal Of Crystal Growth. 2003. - vol.253. - P.95-101.

10. Нашел ьский, А .Я. Технология полупроводниковых материалов Текст. /-А.Я. Нашельский // М.: Металлургия, 1987. 268 с.

11. Киреев, В.Ю. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы Текст. / В.Ю. Киреев, А.А. Столяров // М.: Техносфера, 2006. 83 с.

12. Kern, Werner The evolution of silicon wafer cleaning technology Текст. / Werner Kern //J. Electrochem. Soc. 1990. - vol.137. - P. 1887.

13. Ishizaka, A. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon МВЕ Текст. / A. Ishizaka, Y. Shiraki // J. Electrochem. Soc.-1986.-vol.133.-P.666.

14. Fawcett, T.J. Hydrogen gas sensors using 3C-SiC/Si epitaxial layers Текст. / T.J. Fawcett, J.T. Wolan, R.L. Myers, J. Walker, S.E. Saddow // Materials Science Forum. 2004. - vol.457-460. - P. 1499-1502.

15. Becourt, N. Characterization of the buffer layer in SiC heteroepitaxy Текст. / N. Becourt, B. Cros, J.L. Ponthenier, R. Berjoan, A.M. Papon, C.Jaussaud//Appl. Surf. Sci. 1993. - vol.68. - P.461-466.

16. Jia, Hujun Epitaxial growth and microstructure of cubic SiC films on Si substrate Текст. / Hujun Jia, Yintang Yang, Changchun Chai, Yuejin Li, Zuoyun Zhu // Optical Materials. 2003. - vol.23. - P.49-54.

17. Yuan, С. Effects of carbonisation on the growth of 3C-SiC on Si(lll) by silacyclobutane Текст. / С. Yuan, A. J. Steckl, M. J. Loboda // Appl. Phys. Lett. 1994. - vol.64(22). - P.3000-3002.

18. Li, J. P. Structural characterization of nanometer SiC films grown on Si Текст. / J. P. Li, A. J. Steckl, I. Golecki, F. Reidinger, L. Wang, X. J. Ning, P. Pirouz // Appl. Phys. Lett. 1993. - vol.62(24). - P.3135-3137.

19. Addamiano, A. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals Текст. / A. Addamiano, P. H. Klein // J. Cryst. Growth. 1984. - V.70. - P.291-294.

20. Christian, A. Epitaxial growth of 3C-SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure CVD Текст. / С. A. Zorman, A. J. Fleischman, S.A. Dewa, Mehran Mehregany // J. Appl. Phys. 1995. - vol.78(8). -P.5136-5138.

21. Hu, Ming Shien Surface carbonization of Si (111) by C2H2 and the subsequent SiC (111) epitaxial growth from SiH4 and C2H2 Текст. / Ming Shien Hu, Lu Sheng Hong// Journal of Crystal Growth. 2004. - vol.265. - P.382-389.

22. Новикова, С.И. Тепловое расширение твердых тел Текст. / С.И. Новикова // М.: Наука, 1974. 294 с.

23. Мильвидский, М.Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников Текст. / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский // М.: Металлургия, 1985. - 256 с.

24. Learn, A.J. Growth morphology and crystallographic orientation of P-SiC films formed by chemical conversion Текст. / A.J. Learn, I.H. Khan // Thin solid films. 1970. - vol.5. - P.145-155.

25. Nishino, Shigehiro Chemical vapor deposition of single crystalline beta-SiC films on silicon substrate with sputtered SiC intermediate layer

26. Текст. / Shigehiro Nishino, Yoshikazu Hazuki, Hiroyuki Matsunami, Tetsuro Tanaka // J. Electrochem. Soc. 1980. - vol.127. - P.2674.

27. Wang, Y.S. The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si Текст. / Y.S. Wang, J.M. Li, F.F. Zhang, L.Y. Lin // J. Cryst. Growth.1999. V.201/202. - P.564-567.

28. Hurtos, E. Low temperature SiC growth by metalorganic LPCVD on MBE carbonized Si (001) substrates Текст. / E. Hurtos, J. Rodrigues-Viejo, J. Bassas, M.T. Clavaguera-Mora, K. Zekentes // Materials Science and Engineering. 1999. - V.61-62. - P.549-552

29. Scholz, R. Micropipes and voids at beta-SiC/Si(100) interfaces: an electron microscopy study Текст. / R. Scholz, U. Gosele, E. Niemann, F. Wischmeyer // Appl. Phys. A. 1997. - V.64. - P.l 15-125.

30. Addamiano, A. "Buffer layer" technique for the growth of single crystal SiC on Si Текст. / A. Addamiano, J.A. Sprague // Applied Physics Letters. 1984. - vol. 44. - P. 525-527.

31. Ferro, G. Atomic force microscopy growth modeling of SiC buffer layers on Si(100) and quality optimization Текст. / G. Ferro, Y. Monteil, H. Vincent and V. Thevenot // J. Appl. Phys. 1996. - V.80 (8). - P.4691-4702.

32. Nishino, S. Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon Текст. / S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami // J. Appl. Phys. 1987. - V.61. - P.4889-1987.

33. Nagasawa, H. Suppression of etch pit and hillock formation on. carbonization of Si substrate and low temperature growth of SiC Текст. / H. Nagasawa, Y. Yamaguchi // J. Cryst. Growth. 1991. - V.115. - P.612-616.

34. Mendez, D. Analysis of SiC islands formation during first steps of Si carbonization process. Текст. / D. Mendez, A. Aouni, D. Araujo, E. Bustarret, G. Ferro, Y. Monteil // Materials Science Forum. 2005. - V.483-485. - P.555-558.

35. Nagasawa, Hiroyuki 3C-SiC hetero-epitaxial growth on undulant Si(001) substrate Текст. / Hiroyuki Nagasawa, Kuniaki Yagi, Takamitsu Kawahara // Journal of Crystal Growth. 2002. - Vol. 237-239. - P. 1244-1249.

36. Ishida, Y. CVD Growth Mechanism of 3C-SiC on Si Substrates Текст. / Y. Ishida, T. Takahashi, H. Okumura, S. Yoshida, T. Sekigawa // Materials Science Forum. 1998. - Vols. 264-268. - P. 183-186.

37. Steckl, A. J. Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures Текст. / A.J. Steckl, C. Yuan, J.P. Li // Appl. Phys. Lett. 1993. -Vol. 63. - P. 3347-3349. r.

38. Reyes, M. Increased Growth Rates of 3C-SiC on Si (100) Substrates via HC1 Growth Additive Текст. / M. Reyes, Y. Shishkin, S. Harvey, S.E. Saddow // Materials Science Forum. 2007. - Vols. 556-557. - P. 191-194.

39. Pazik, J.C. Epitaxial growth of beta-SiC on silicon-on-sapphire substrates by chemical vapor deposition Текст. / J. C. Pazik, G. Kelner, N. Bottka // Appl. Phys. Lett. 1991. - vol. 58. - P.1419-1421.

40. Cloitre, Т. Growth of 3G-SiC on Si by Low Temperature CVD

41. Текст. / Т. Cloitre, N. Moreaud, P. Vicente, M.L. Sadowski, R.L. Aulombard // Materials Science Forum. 2001. - V.353-356. - P. 159-162.

42. Shibahara, K. Surface morphology of cubic SiC(lOO) grown on Si(100) by chemical vapor deposition Текст. / К. Shibahara, S. Nishino, H. Matsunami // J. Cryst. Growth. 1986. - V.78. - P.538-544.

43. Зеленин, B.B. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния Текст. /В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский, А.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. 2001. - т. 35. - вып.10. - С.1169.

44. Чепурнов, В.И. Высокочувствительный датчик температуры на основе гетероэпитаксиальной структуры SiC/Si Текст. / В.И. Чепурнов, Т.П. Фридман // Микросистемная техника. 2002. - Выпуск 2. - С. 17-21.

45. Батавин, В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев Текст. / В.В. Батавин // М.: «Сов. радио». 1986. - 104с.t .

46. Гоулдстейн, Дж. Растровая электронная микроскопия ирентгеновский микроанализ Текст.: кн. 1. / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери и др.//пер. с англ. М: Мир. - 1984. - 303с.

47. Сергеева, Н.Е. Введение в электронную микроскопию минералов Текст. / Н.Е. Сергеева // М.: Изд-во Моек ун-та. 1977. - 144 с.

48. Карлсон, Т. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия Текст. / Карлсон Т.//пер. с англ.- Л. 1981. - 432 с.

49. Еловиков, С.С. Оже-электронная спектроскопия Текст. / С.С. Еловиков // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. - № 2. - Том 7. -С.82-88.

50. Вайнштейн, Б. К. Структурная электронография Текст.: монография. Москва: Изд-во Академии наук СССР, 1956. - 342 с.

51. Кузнецова, М. А. Ионно-лучевая технология сверхлокального препарирования интегральных схем Текст. / М. А. Кузнецова, В.Вг Лучинин, А.Ю. Савенко// Известия ТЭТУ. 2006. - №2.

52. Суслов, А. А. Сканирующие зондовые микроскопы (обзор) Текст. / А. А. Суслов, С. А. Чижик// Материалы, Технологии, Инструменты. -1997. Т.2. -№3.-С.78-89.

53. Шермергор, Т. Новые профессии туннельного микроскопа Текст. / Т. Шермергор, В. Неволин // Наука и жизнь. 1990. - № 11. - С.54-57.

54. Донской, А.В. Улучшение характеристик высокочастотных электротермических установок Текст. / А.В. Донской, В.В. Володин //М.-Л.: Энергия. 1966. - 136 с.

55. Математическое моделирование газодинамических процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах Текст.: учеб-метод, пособие /

56. A.И. Жмакин, И.П. Ипатова, Ю.Н. Макаров, А.А. Фурсенко // Л.: ФТИ. -1985.-95 с.

57. Матузов, А.В. Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD Текст. /

58. B.А. Ильин, А.З. Казак-Казакевич, А.В. Матузов, А.С. Петров // Известиявысших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. - № 3. -С.22-26.

59. Luryi, S. New approach to the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials Текст. / S. Luryi, E. Suhir // Appl. Phys. Lett. -1986. V.49. -P.140.

60. Логинов, Б.Б. Влияние концентрации компонентов на кинетику реакций кремния с плавиковой кислотой, содержащей NaNC>2 Текст. / Б.Б. Логинов, С.И. Кольцов // Журнал прикладной химии. 1982. - №6. -С.1233.

61. Логинов, Б.Б. Взаимодействие кремния с плавиковой кислотой, содержащей азотистокислую соль Текст. / Б.Б. Логинов // Журнал прикладной химии. 1977. - №8. - С. 1683.

62. Логинов, Б.Б. Синтез и исследование кремневодородных пленок на кремнии Текст.: дис. канд. хим. наук: 02.00.04. Л. 1979. - 149 с.

63. Кашкаров, П.К. Необычные свойства пористого кремния Текст. / П.К. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал. — 2001. -№1. с. 102-107.

64. Евтух, А.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний-монокристаллический кремний Текст. / А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко // ФТП. 2006. - том 40. - выпуск 2. - С. 180.

65. Smith, R. L. Porous silicon formation mechanisms Текст. / R. L. Smith, S. D. Collins // J. Appl. Phys. Vol. 71. - №8. - P.R1-R22.

66. Матузов, A.B. Получение эпитаксиальных слоев кубического карбида кремния на подложках кремния методом газо-фазной эпитаксии Текст. / Н.М. Коровкина, М.А. Кузнецова, А.В. Матузов, А.Ю. Савенко //

67. Материалы 7-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 5-9 декабря 2005 г. -Санкт-Петербург. С.З5.

68. Chassagne, Т. A comprehensive study of SiC growth processes in a VPE reactor Текст. / Т. Chassagne, G. Ferro, D. Chaussende, F. Cauwet, Y. Monteil, J. Bouix // Thin Solid Films. 2002. - v.402. - P.83.

69. Hu, M.S. Surface carbonization of Si(lll) by C2H2 and the subsequent SiC(lll) epitaxial growth from SiH4 and C2H2 Текст. / M.S. Hu, L.S. Hong//Journal of Crystal Growth. 2004. - 265. - P.3 82.

70. Технология полупроводникового кремния Текст. / Под ред. Э.С. Фалькевича// М.: Металлургия. 1992. - С.243.

71. Емельянов, А.В. Газофазная металлургия тугоплавких соединений Текст. / А.В. Емельянов // М.: Металлургия.- 1987. 208с.

72. Hernandez-Calderon, I. New method for the analysis of reflection high-energy electron diffraction: a-Sn(OOl) and InSb(OOl) surfaces Текст. / I. Hernandez-Calderon, H. Hochst // Phys.review. 1983 . - vol. 27(8). - p.4961.

73. Праттон, M. Введение в физику поверхности Текст. / М. Праттон // Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2000.- 86с.

74. Захаров, Н.П. Механические явления в интегральных структурах Текст. / Н.П. Захаров, А.В. Багдасарян // М.: Радио и связь. -1992.-С.116.

75. Кривошеева, А.Н. Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники Текст.: дис. канд. тех. наук: 05.27.01. защищена 25.10.2007. СПб. - 2007. - 136 с.

76. Ветров, А.А. Волоконно-оптический вибродатчик на основе микрооптомеханического преобразователя Текст. / А.А. Ветров, С.С. Комиссаров, А.В. Корляков, А.Н. Сергушичев // Микро- и наносистемная техника. 2007. - №8. - С.8.

77. Алферов, Ж.И. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики Текст. / Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев // ФТП. том 38. - вып.8. - 2004. - С.937.

78. Алфёров, Ж.И. Двойные гетероструктуры: Концепция и применения в физике, электронике н технологии Текст. / Ж.И. Алферов // Успехи физических наук. 2002. - т. 172. - №9. - С. 1068-1086.

79. Электронная страница Физико-технического института имени А.Ф.Иоффе. Тематические БД. Новые полупроводниковые материалы: диагностика и свойства. Кремний Электронный ресурс. // (http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/electric.html).