Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Трофимов, Александр Александрович

• Трофимов, Александр Александрович
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Трофимов, Александр Александрович

Оглавление

Введение

Глава 1. Анализ современного состояния технологии разделения ^ приборных пластин на кристаллы

1.1. Операция резки приборных пластин на кристаллы и ее роль в ^ микроэлектронике

1.2. Основные технологические операции, предшествующие резке приборных пластин на кристаллы

22

1.2.1. Приклеивание приборной пластины на диск-носитель и ее ^ последующее отклеивание

1.2.2. Шлифование и полирование приборной пластины

1.3. Современные методы резки приборных пластин на кристаллы

1.3.1. Механические методы резки приборных пластин

1.3.1.1. Алмазное скрайбирование

1.3.1.2. Резка дисками с алмазной режущей кромкой

1.3.2. Лазерные методы резки приборных пластин

1.3.2.1. Лазерное скрайбирование

1.3.2.2. Лазерная абляция

1.3.2.3. Stealth Dicing

1.3.2.4. Технология Laser MicroJet

1.3.2.5. Лазерное управляемое термораскалывание

1.4. Монолитные интегральные схемы, изготовленные на ^ приборных пластинах сапфира и карбида кремния

Выводы и постановка задачи

Глава 2. Определение границ конечной толщины приборных пластин

сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на 70 гетероструктурах AlGaN/GaN

2.1. Распределение температуры кристалла СВЧ МИС в ^ зависимости от типа материала и толщины подложки

2.2. Определение величины прогиба приборной пластины в зависимости от типа материала и толщины подложки

2.3. Определение допустимых границ конечной толщины для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными 83 на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN

Выводы

Глава 3. Разработка решения для надежной защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN при операциях шлифования, полирования 88 и резки на кристаллы

Выводы

Глава 4. Определение режимов одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными СВЧ МИС на 98 гетероструктурах AlGaN/GaN

Выводы

Глава 5. Резка приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на отдельные кристаллы и анализ влияния комплекса разработанных решений на электрофизические параметры изделий

5.1. Резка приборных пластин сапфира на кристаллы СВЧ МИС ^^ методом лазерного управляемого термораскалывания

5.2. Анализ влияния разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах сапфира, с применением метода лазерного управляемого 122 термораскалывания на выход годных кристаллов и электрофизические параметры СВЧ МИС

5.3. Резка приборных пластин карбида кремния на кристаллы СВЧ МИС методом дисковой резки

129

5.4. Анализ влияния разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах АЮаЫЮаЫ, изготовленных на приборных пластинах карбида кремния, с применением метода дисковой резки 136 на выход годных кристаллов и электрофизические параметры СВЧ МИС

Выводы

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN»

ВВЕДЕНИЕ

Интенсивное развитие микроэлектроники, постепенно охватывающее все новые области деятельности человечества, приводит к тому, что то, что еще недавно было на стадии изучения, разработки и совершенствования, сегодня используется повсеместно не только в военно-промышленном комплексе, но и в народном хозяйстве.

Сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника сегодня является одним из основных векторов развития всей индустрии микроэлектроники. Основные возможности развития СВЧ электроники прежде всего заключаются в телекоммуникациях, производстве контрольно-измерительного и аналитического оборудования, транспортной промышленности, медицинской техники, машиностроении и т.д.

СВЧ технологии в настоящее время переживают ту стадию развития, на которой отсутствие собственной аналогичной отрасли для любого государства фактически означает отсутствие национальной технологической безопасности и полную зависимость от стран-производителей продукции СВЧ электроники [1].

Еще в 2004 году Ж.И. Алферов отмечал, «что там, где требуются рабочие частоты выше 4-5 ГГц, СВЧ наногетероструктурная технология быстро вытесняет кремниевую и классическую арсенидгаллиевую технологии» [2].

Исторически сложилось так, что в нашей стране определяющее направление задает военно-промышленный комплекс. Фактически все работы в области СВЧ электроники в России сегодня так или иначе связаны с различными специальными применениями. Это привело к развитию новых технологий корпусирования, гибридизации, а сегодня уже идет речь о трехмерных гетерогенных интегральных схемах на одном кристалле. До уровня промышленного развития доведены технологии таких полупроводниковых материалов как GaN, SiC, GaAs, 1пР.

Вместе с тем более 95% всей СВЧ электроники это именно гражданские направления, которые отечественная промышленность игнорирует и не развивает.

По данным, опубликованным в журнале "Semiconductor Today", рынок мощных полупроводниковых СВЧ приборов на основе GaN и SiC вырастет с 210 миллионов долларов в 2015 году до более чем 1 миллиарда долларов за ближайшие 5 лет и затем до 3,7 миллиарда долларов к 2025 году [3].

Учитывая достаточно серьезное развитие СВЧ направления в России, это дает определенный шанс российским компаниям участвовать в формировании рынка, а не искать узкие ниши на уже сложившемся.

Руководство нашей страны отлично осведомлено о сложившейся ситуации и предпринимает все меры для интенсификации СВЧ направления в частности и развития электроники и науки в России в целом.

Распоряжением Правительства РФ от 17.11.2008 г. № 1662-р (ред. от 08.08.2009 г.) «О Концепции долгосрочного социально-экономического развития Российской Федерации на период до 2020 года» установлены основные целевые ориентиры, одним из которых является экономика, конкурентоспособная на мировом уровне. Это основополагающий документ, который определяет стратегию развития Российской Федерации, в том числе и научно-технологического комплекса и инноваций в сфере наукоемких технологий. Согласно Концепции, вследствие невозможности обеспечения в настоящее время существенного вклада в рост валового внутреннего продукта проектов в области высокотехнологических отраслей в силу неразвитости этих областей, авторы признают ускоренное распространение новых технологий в экономике и развитие высокотехнологичных производств одним из этапов инновационного развития России. В ближайшие несколько лет авторами концепции ожидается повышение глобальной конкурентоспособности отечественной экономики в результате ее перехода на новую технологическую базу, что характеризуется расширением позиций российских компаний на мировых

высокотехнологичных рынках. Расходы на НИОКР, согласно Концепции, возрастут и составят 3% от валового внутреннего продукта, что после 2020 года должно обеспечить расширение передовых позиций российской науки по приоритетным направлениям научных исследований.

Распоряжением Правительства РФ от 08.12.2011 г. №2227-р утверждена Стратегия инновационного развития Российской Федерации на период до 2020 года, в которой обозначено восстановление лидирующей позиции отечественной фундаментальной науки на мировой арене.

Распоряжением Правительства РФ от 20.12.2012 г. № 2433-р утверждена государственная программа «Развитие науки и технологий» на 2013-2020 годы, которая ставит своей целью сформировать конкурентоспособный и эффективно функционирующий сектор исследований и разработок и обеспечить его ведущую роль в процессах технологической модернизации российской экономики. Одними из ожидаемых результатов данной программы является обеспечение создания научно-технологического задела, востребованного секторами экономики, а также увеличение практического применения результатов научных исследований, проводимых в рамках Государственной программы.

Распоряжением Правительства РФ от 02.05.2013 г. №736-р утверждена «Концепция федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2014-2020 годы. Данная Концепция среди проблем, требующих решения на федеральном уровне, выделяет, в том числе, наличие разрыва между потребностями в новых технологиях и тем предложением, который обеспечивается деятельностью российского сектора исследований и разработок. Отмечается, что необходимое условие обеспечения модернизации и ускоренного технологического развития отраслей российской экономики заключается в формировании перспективного научно-технологического задела. Вместе с тем негативно характеризуется так называемая «консервация» исследований и разработок, а также сохранение

на низком уровне эффективности дальнейшего использования научно-технологического задела, полученного в прикладных научно-исследовательских и опытно-конструкторских (опытно-технологических) работах, в отраслях экономики и производства.

Сегодня по разработанному технологическому процессу впервые в России на нитридных наногетероструктурах АЮаЫЮаЫ на подложках сапфира были изготовлены монолитные интегральные схемы (МИС) усилителей с интегрированными антеннами для использования в приемо -передающих модулях для диапазона частот 58-65 ГГц [4]. Отмечаются преимущества СВЧ диапазона изделий на наногетероструктурах AlGaN/GaN:

• позволяет работать в широкой полосе частот и обеспечивать скорость передачи данных до 5 ГГбит/с и выше;

• имеет высокую степень поглощаемости в атмосфере, что позволяет создавать изолированные каналы связи;

• имеет малую длину волны, что дает возможность интегрировать антенны и целые антенные решетки на один кристалл.

Вместе с тем обращает на себя внимание, что измерения готовых образцов проводились непосредственно на пластине, что затрудняло получение точных показателей, так как металлизация соседних образцов МИС искажала диаграмму направленности антенны.

Учитывая, что сегодня в СВЧ технологиях на GaN используются в качестве основы сапфировые подложки по причине их распространенности и недорогой стоимости, можно предположить, что в дальнейшем данное направление будет интенсивно развиваться. Наличие в России предприятия "Монокристалл", которое является одним из крупнейших мировых производителей синтетического сапфира для высокотехнологичных применений в электронной и оптоэлектронной промышленности, выпускающим продукцию, соответствующую мировому уровню, является существенным преимуществом для уверенного выхода отечественных

компаний на мировые рынки мощных СВЧ приборов и МИС на основе нитридных наногетероструктур.

Мощный научный и технологический задел в области СВЧ наногетероструктурной электроники, отмеченный Ж.И. Алферовым более 10 лет назад, в настоящее время, благодаря стараниям современных научных коллективов, развился настолько, что отечественные научные институты способны воспроизвести подавляющее большинство технологических операций по созданию СВЧ МИС на нитридных гетероструктурах.

Однако, учитывая, что трехмерные СВЧ МИС с «воздушными мостами» (далее 3D СВЧ МИС) на нитридных гетероструктурах изготовленные на подложках сапфира и карбида кремния в России появились сравнительно недавно, как выяснилось, научные коллективы проводят полный цикл изготовления таких устройств, за исключением операции разделения готовых приборных пластин на отдельные кристаллы.

В результате проведенного анализа было выявлено, что данное обстоятельство связано с малым распространением технологии обработки пластин сапфира и карбида кремния в совокупности с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на них ввиду относительной новизны задачи.

Известные на сегодняшний день методы разделения сапфира и карбида кремния, представленные в основном методами на основе применения лазеров или дисков с алмазной режущей кромкой, применяются к чистым подложкам, либо для разделения светоизлучающих диодов.

Проблемы технологии обработки и разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы нашли свое отражение в работах отечественных и зарубежных исследователей Федорова Ю.В., Мальцева П.П., Кондратенко В.С., Матвеенко О.С., Гнатюка Д.Л., Павлова А. Ю., Парфенова В.А., Попова В.В., Вьюгинова В.Н., Алексеева А., Башта П., Alissa M. Fitzgerald, Brent M. Huigens, Albelo J., Debashis De, Ramm P., Lu J., Taklo M, Marinescu I.D., Uhlmann E., Doi T.K., Bhagavat S., Liberato

J., Kao I., Levinson G., Nakajima A., Tateishi Y., Lewke D., Green S., Perrottet D., Richerzhagen B., Klug G.

В то же время в проанализированной литературе и научных исследованиях не обнаружено работ, в которых просматривались бы подходы, повышающие результативность технологических систем производства в части эффективности применения существующих методов для разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на отдельные кристаллы.

В связи с вышесказанным представляется актуальным вопрос разработки высокопроизводительной и экономически выгодной технологии разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN, которая обеспечивала бы высокий процент выхода годных изделий, повысила бы конкурентоспособность продукции для дальнейшего распространения 3D СВЧ МИС на нитридных гетероструктурах и применения их в военно-промышленном комплексе и народном хозяйстве Российской Федерации.

Целью работы является разработка технологии разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN.

Работа предполагает разработку технологических основ разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбида кремния, формирование технологических процессов, повышающих результативность технологических систем производства в части эффективности использования существующих методов разделения на кристаллы приборных пластин сапфира и карбида кремния применительно к СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями с выходом годных, не уступающих существующим показателям для планарных изделий

микроэлектроники, а также изучение влияния разработанных технологических процессов на электрофизические параметры СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

• анализировались технологические операции, предшествующие резке приборных пластин на кристаллы, а также различные методы резки;

• изучались и анализировались особенности современных СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбида кремния;

• определялись для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN допустимые границы конечной толщины, которые обеспечивают эффективное теплоотведение при работе отдельного кристалла и сохранение целостности пластины в течение обработки;

• разрабатывалось решение для надежной защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями, при котором обеспечивается однородность планаризирующей плоскости и химическая инертность при последовательности операций разделения на кристаллы;

• экспериментально устанавливались режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, обеспечивающие высокое качество обработанной поверхности при сохранении целостности пластины;

• решалась задача по разделению на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями с выходом годных, не уступающим существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники;

• анализировалось влияние на электрофизические параметры СВЧ МИС разработанных технологических процессов разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN.

Объект диссертации — комплекс решений для разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбида кремния, и изучение влияния этих решений на выход годных и электрофизические параметры СВЧ МИС.

Предмет диссертации — разработка технологических основ разделения и технологических процессов разделения, повышающих результативность технологических систем производства в части эффективности применения существующих методов резки для разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния со сформированными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями на отдельные кристаллы с выходом годных не уступающих существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники. Методы исследования.

В ходе выполнения диссертационной работы использовался комплексный подход. В качестве общенаучных методов исследования применялись обобщение, сравнение и анализ. Экспериментальные методы представлены компьютерным моделированием, экспериментальными исследованиями. Применялись известные методы утонения приборных пластин — шлифование и полирование. Измерения проводились с применением современных приборов контроля.

Достоверность результатов работы базируется на анализе литературных источников по теме диссертации, обеспечивается применением математических моделей и компьютерного моделирования с использованием известных программ и формул, выполнением

экспериментальных работ, сравнением теоретических и экспериментальных результатов, а также апробацией результатов исследования на практике.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Предложена методика, позволяющая определить диапазон конечных толщин подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN на основе компьютерного моделирования и математических расчетов тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений;

2. Предложен метод, позволяющий обеспечить надежную защиту сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями;

3. Разработан технологический процесс разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN.

Практическая значимость работы

1. Технологический процесс разделения приборных пластин сапфира на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN с применением метода лазерного управляемого термораскалывания использовался при выполнении ОКР «Разработка комплекта монолитных интегральных схем 5 мм диапазона длин волн», шифр «Многоцветник-22», Государственный контракт №13411.1400099.11.018 от 02 апреля 2013 г. выполненный в рамках реализации государственного оборонного заказа.

2. Технологический процесс разделения приборных пластин карбида кремния на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN с применением метода резки

дисками с алмазной режущей кромкой использовался при выполнении ПНИ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц» по заказу Минобрнауки России (Соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г., уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011), в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 28 ноября 2013 г. № 1096.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. На основе расчета распределения температуры кристалла и упругих напряжений определен допустимый диапазон конечных толщин подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN, позволяющий обеспечить эффективное теплоотведение при работе отдельного кристалла и сохранение целостности пластины при последовательности операций разделения на кристаллы;

2. Применение метода защиты сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями за счет использования температурно совместимых полимеров обеспечивает однородность планаризирующей плоскости и химическую инертность при последовательности операций разделения на кристаллы;

3. Применение установленных режимов одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны пластин, содержащих сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы на гетероструктурах AlGaN/GaN, обеспечивает, при достижении

рекомендованного диапазона конечных толщин, разброс толщины по пластине в пределах 2 мкм, а также высокое качество обработанной поверхности с показателем шероховатости около 2 нм при сохранении целостности пластины;

4. Применение разработанного технологического процесса разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AЮaN/GaN обеспечивает выход годных кристаллов не менее 92% при сохранении электрофизических параметров приборов. Личный вклад соискателя

Автором лично установлены допустимый диапазон конечных толщин подложки для кристаллов СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, разработано решение для надежной защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями при операциях шлифования, полирования и резки, экспериментально определены режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, выполнен анализ влияния разработанного технологического процесса разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах АЮаКЮаК на электрофизические параметры СВЧ МИС. В работах, выполненных в соавторстве, соискатель принимал активное участие в постановке задач, выборе и обосновании методов их решения и интерпретации полученных результатов. Апробация работы

Основные положения, материалы и результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях и научных сессиях:

• международных научно-технических конференциях ШТЕКМАТ1С (МИРЭА 2015, 2016 гг.)

• 63-ей научно-технической конференции МИРЭА 2014 г;

• 3-ей, 5-ой и 6-ой научно-практических конференциях по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения» (Москва, 2013, 2014, 2015 гг.).

Публикации

Основные научные и практические результаты работы опубликованы в 13 печатных работах, включая 7 работ, опубликованных в научных журналах, входящих в перечень изданий, рекомендованных ВАК Министерства образования и науки РФ для публикации основных научных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора и кандидата наук. Структура и основное содержание диссертационной работы.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертационной работы составляет 162 страницы машинописного текста, включая 55 рисунков и 11 таблиц. Список используемых источников и литературы включает 125 наименований.

Во введении обоснована актуальность выбранной темы диссертационной работы, сформулированы цель, объект, предмет диссертации, ставятся задачи. Изложены научная новизна и практическая значимость диссертационной работы, а также положения, выносимые на защиту.

В первой главе приводится анализ современного состояния технологии разделения приборных пластин на кристаллы по отечественным и зарубежным литературным источникам. Приводится обзор современных методов резки приборных пластин на кристаллы, а также основных технологических операций, предшествующих резке. Рассмотрены основные особенности современных монолитных интегральных схем на нитридных гетероструктурах, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбида кремния. В завершение первой главы, в результате проведенного анализа формулируются задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена определению границ конечной толщины приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, исходя из тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений. Для исследования распределения температуры прибора применялось компьютерное моделирование, в результате чего получено трехмерное представление распределения температуры кристалла в виде изоповерхностей для различных толщин и материалов подложек.

Роль упругих напряжений в выращенном на подложке слое ОаЫ, неизбежно возникающих из-за рассогласования кристаллических решеток ОаЫ и подложки, при уменьшении толщины подложки возрастает. Данный аспект выражается в увеличении радиуса кривизны приборной пластины. Показано, что рассчитанные зависимости величины прогиба приборной пластины от остаточной толщины подложки согласуются с экспериментальными данными.

Допустимый диапазон толщин приборных пластин сапфира и карбида кремния определялся исходя из совместного сравнения и анализа распределения температуры кристалла СВЧ МИС от толщины подложки для сапфира и карбида кремния, а также зависимости прогиба приборных пластин от толщины подложки.

В третьей главе предложен метод защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN со сложными конструктивными особенностями при операциях шлифования, полирования и резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы, который обеспечивает защиту СВЧ МИС, изготовленных на пластине, обладает гибкостью применения, а также соответствует современным ключевым требованиям для приклеивания приборных пластин на диск-носитель для последующих операций шлифования и полирования. Разработанное решение для приклеивания приборных пластин сапфира и карбида кремния с трехмерными СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на диск-носитель с

использованием температурно совместимых друг с другом защитного полимера WaferBOND CR-200 и клеящего адгезива Glycol Phtalate 0CON-324 обеспечивает надежную защиту СВЧ МИС, однородность планаризирующей плоскости, необходимую стабильность и химическую инертность в течение операций шлифования и полирования при достаточной простоте применения с использованием известного оборудования.

В четвертой главе экспериментально определялись режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN. Установленные режимы обработки позволяют, соблюдая рекомендованный для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN допустимый диапазон конечной толщины 110-150 мкм, получать обработанные приборные пластины с разбросом по толщине не превышающем 2 мкм с сохранением высокого качества обработки поверхности с показателем шероховатости около 2 нм, что является в настоящее время уровнем достижений ведущих мировых компаний, специализирующихся на шлифовании и полировании таких материалов как сапфир и карбид кремния.

Пятая глава посвящена резке приборных пластин сапфира и карбида кремния на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN методами лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) и дисковой резки соответственно, а также анализу влияния комплекса разработанных решений на электрофизические параметры изделий. Показано, что выход годных кристаллов СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN не уступает существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники. В результате анализа электрофизических параметров установлено отсутствие влияния технологического процесса разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на параметры СВЧ МИС.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Трофимов, Александр Александрович, 2017 год

Список литературы

1. Мальцев П.П., Шахнович И. "СВЧ технологии основа электроники будущего. Тенденции и рынки". // Электроника №8, 2015 с. 72-84

2. Алферов Ж.И. "Перспективы электроники в России" // Электроника: наука, технологии, бизнес. №6, 2004 г. с. 90-93

3. Semiconductor Today. vol. 11, issue 2, march 2016, page 8

4. Федоров Ю., Мальцев П., Матвеенко О., Гнатюк Д., Крапухин Д., Путинцев Б., Павлов А., Зуев А."МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ диапазона на наногетероструктурах" // Наноиндустрия №3 2015 г. с. 44-51

5. Мухина Е. "Технология обработки ультратонких полупроводниковых пластин" // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 3, 2009, с. 80-81

6. Ramm P., Lu J., Taklo M. "Handbook of wafer bonding" // Wiley-VCH Verlag & Co. KGaA. Germany. 2012. pp. 416

7. Marinescu I., Uhlmann E., Doi T.K. "Handbook of lapping and polishing" // CRC Press, Taylor & Francis Group, USA, 2007, pp. 510

8. W.M. Shewakh "Comparison between grinding and lapping of machined part surface roughness in micro and nano scale" // Journal of mechanical engineering and technology, 2012, vol. 4, № 1, pp. 91-96

9. «Сборка интегральных микросхем в металлокерамические корпуса» // Институт микротехнологий РНЦ "Курчатовский институт" НИИ системных исследований РАН, 2008 г. с. 45

10. Polcari S.M. "Some practical aspects of scribing" // Electronics research center Cambridge. NASA technical note TN D-5811, 1970, pp. 18

11. Жуков Ю.Н., Савиных К.М., Тихонов Э.Е. "Геометрия алмазного инструмента для скрайбирования с криволинейной режущей кромкой" // ВИНИТИ РАН, депонированная рукопись, № 5-В2011, 2011, 32 с.

12. "Dicing technologies for SiC" // DISCO technical review. Mar. 2016, pp. 4

13. Wang Y.-H., Hsu J.M., Weng M.-H., Chen C.-H., Hsieh Y.C., Wang W.-C., Cho I-Te, Wohlmuth W. "Quality and throughput improvement of GaN/SiC wafer sawing with the addition of ultrasonic power" // CS MANTECH Conference, Denver, Colorado, USA, 2014, pp. 271-274

14. Albelo J. "LED Dicing: The Sapphire Blaze Indeed" // Chip Scale Review Nov/Dec 2011 pp. 38-41

15. Чабанов А. "Режем вместе" // Степень интеграции, №4, окт. 2010 г. с. 16-20

16. Cooke M. "Scribe and dice" // III-Vs Review, vol. 19, is. 4, 2006, pp. 20-24

17. Tamhankar A., Patel R. "Optimization of UV laser scribing process for light emitting diode sapphire wafers" // Journal of laser applications, vol. 23, is. 3, 2011 (electronic journal)

18. Пячин С.А., Пугачевский М.А. "Новые технологии получения функциональных наноматериалов: лазерная абляция, электроискровое воздействие" // Хабаровск, 2013 г., 38 с.

19. Mak G.Y., Lam E.Y., Choi H.W. "Precision laser micromachining of trenches in GaN on sapphire" // Journal Vacuum Sciences Technology, vol. 28, No. 2, 2010, pp. 380-385

20. Kawaguchi D., Hamamatsu Photonics K.K., "Application of the internal resorption type laser dicing technology for chemically tempered glass" // NEW GLASS, Vol. 27, No. 3 (106), 2012, p. 25-30

21. "Stealh laser dicing engine lineup" // DISCO Technical Review, Feb. 2016, pp. 1-4

22. Алексеев А., Руссов Д., Хаит О. "Лазерное внутриобъемное скрайбирование - эффективная технология для светодиодов" // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, выпуск 3, 2012, с. 70-71

23. Alissa M. Fitzgerald, Brent M. Huigens "How to dice fragile MEMS devices // Chip Scale Review, nov/dec 2011, pp. 34-35

24. Хаит О., Алексеев А., Крыжановский В., Артамонова Е., Руссов Д. "Лазерное внутриобъемное скрайбирование - ключ к технологиям светодиодной микроэлектроники" // Фотоника №6, 2012, с. 16-19;

25. Алексеев А. "Лазерная обработка в микроэлектронике" // Печатный монтаж, №2, 2010 с. 14-19;

26. Мухина Е., Башта П. "Революционная технология лазерной резки полупроводниковых пластин Laser MicroJet" // Производство электроники: технологии, оборудование, материалы. № 5, 2008, с. 63-65

27. Lu X., Xie H., Lin C., Huang Y. "The enhanced measurements of Laser MicroJet Processing" // Journal of modern physics, No. 2, 2011, pp. 109-112

28. Башта П. "Лазерная резка методом Laser MicroJet" // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. №3, 2010 г. с. 2-5

29. Кондратенко В.С. Патент РФ №2024441, МКИ5 СО3 В 33/02. Способ резки хрупких материалов / Заявл. №5030537/33 от 02.04.1992; Опубл. 15.12.1994, Бюл. №23

30. Kondratenko V. Patent № WO9320015. Splitting of non-metallic materials / - 1993-10-14

31. Kondratenko V., Gindin P., Tchernykh S. Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices. // Phys. Stat. Sol. (c) 0, № 7, 2232-2235 (2003)

32. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И. «Разделение органических светоизлучающих диодов на кремниевой подложке методом лазерного управляемого термораскалывания» // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России №2 (122) 2014 г. с. 76-81, Изд-во Научно-технический центр оборонного комплекса «Компас», Москва

33. Кондратенко В.С., Наумов А.С. Патент РФ № 2404931, МКИ5 СО3 В 33/09. Способ резки пластин из хрупких материалов / Заявл № 2009132338/03 от 28.08.2009, Опубл. 27.11.2010, Бюл. № 33

34. Кондратенко В.С., Голубятников И.В., Жималов А.Б. "Развитие теории и практики метода лазерного управляемого термораскалывания". - Приборы, 2009, № 12, с. 1-6

35. Кондратенко В.С., Зобов А.К., Наумов А.С., Лу Хунг-Ту «Технология прецизионной лазерной резки сапфировых пластин» // Фотоника №2 2015 г. с. 42-52

36. Балакирев А., Туркин А. "Развитие технологии нитрида галлия и перспективы его применения в СВЧ электронике" // Современная электроника №4, 2015 г. с. 28-32

37. Kazukiyo Joshin, Toshihide Kikkawa, Satoshi Masuda, Keiji Watanabe "Outlook for GaN HEMT Technology" // Fujitsu Sci. Tech. Journal. vol. 50, No. 1, 2014, pp. 138-143.

38. Burns C., LeFevre M., Mellor M., Runton D. "Advancements in GaN technology" // European Microwave Conf., Amsterdam, 2012.

39. Persson E."Hoherer Wirkungsgrad dank Galliumnitrid" // Design & Electronic № 11, 2015 pp. 25-27

40. Matheson R. " Making the new silicon: Gallium nitride electronics could drastically cut energy usage" // Massachusetts Institute of Technology 2015

41. Raymond S. Pengelly, Simon M. Wood, James W. Milligan, Scott T. Sheppard, William L. Pribble "A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs" // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 60, № 6, 2012. pp. 1764-1783

42. Polyakov A.Y., In-Hwan Lee "Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices" // Materials Science and Engineering R, vol. 94, aug. 2015, pp. 1-56

43. Debashis De "Basic Electronics" // Dorling Kindersley (India), 2010, 632 p.

44. Донсков А.А., Дьяконов Л.И., Козлова Ю.П., Малахов С.С., Меженный М.В., Павлов В.Ф., Югова Т.Г. "Влияние ориентации подложки сапфира на особенности морфологии поверхности и структурное совершенство толстых слоев GaN, выращенных методом хлоридно-газофазной эпитаксии" // Кристаллография, 2011, том 56, №2, с. 298-306

45. Нижанковский С.В., Крухмалев А.А., Калтаев Х.Ш.-оглы, Сидельникова Н.С., Будников А.Т., Ткаченко В.Ф., Добровотская М.В., Вовк Е.А., Кривоногов С.И., Адонкин Г.Т. "Термохимическая нитридизация подложек сапфира различных кристаллографических ориентаций". // Физика твердого тела, 2012 г. том 54, вып. 9, с. 1777-1782

46. Jacobs B. "Towards integrated AlGaN/GaN based X-band high-power amplifiers" // Technische Universiteit Eindhoven, 2004, 204 p.

47. Кривулин Н.О. "Ультратонкие слои кремния на сапфире" // Учебно-методич. пособ. Нижегородский университет 2011 г., 40 с.

48. Радьков А.В. «Карбид кремния - перспективный материал силовой электроники: свойства и характеристики» // Молодой ученый, 2016, №7, с. 149-152.

49. Тронов А.А. "Карбид кремния: его основные свойства и панорама его исследований в России" // Российско-белорусская научно-техническая конференция "Элементная база отечественной радиоэлектроники", Нижний Новгород, 2016 г. 49 c.

50. Лучинин В., Таиров Ю. "Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами" // Наноиндустрия, №1, 2010 г., с. 36-40

51. Комов А.Н. "Перспективные полупроводниковые материалы для развития СВЧ и наноэлектроники" // Вестник СамГУ, Естественнонаучная серия, №3 (114), 2014 г., с. 121-127

52. Туркин А. "Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике" // Компоненты и технологии №5, 2011, с. 6-10

53. Лебедев А.А., Белов С.В., Лебедев С.П., Литвин Д.П., Никитина И.П., Васильев А.В., Макаров Ю.Н., Нагалюк С.С., Смирнов А.Н., Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Шифман Р.Г., Кульмичев Ю.С., Травин Н.К., Венедиктов О.В. "Полуизолирующие 6H-SiC подложки для применения в современной электронике" // Журнал радиоэлектроники, №2, 2014 г., с. 56-67

54. Отчет о прикладных научных исследованиях "Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемопередающих модулей на частоту 8-12 ГГц" // Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы", Соглашение о предоставлении субсидии от 5 июня 2014 г. № 14.607.21.0011, 2015 г.

55. Крапухин Д.В., Мальцев П.П. "Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц" // Российский технологический журнал, том. 4, №4, 2016 г., с. 42-54

56. Shah A. «Samsung starts production of 3D DDR4 DRAM modules». // PCWorld, aug. 2014

57. Michallet, Jean-Eric. «CoolCube: A True 3DVLSI Alternative to Scaling» // www.3DInCites.com. Retrieved March 24, 2015

58. von Trapp, Francoise. «Monolithic 3D IC Heats Up at DATE 2015» // 3D InCites. 3D InCites. Retrieved March 16, 2015

59. Palesko A. «The Cost of 3D ICs» // 3D InCites Knowledge Portal, January 9, 2015

60. Patti R. «Impact of Wafer-Level 3D Stacking on the Yield of ICs» // Future Fab Intl. Volume 23, 2007, 7 p.

61. Викулов И. «Монолитные интегральные схемы СВЧ -технологическая основа АФАР» // Электроника: Наука, Технология, Бизнес №7, 2012 с. 60-73

62. Dobrovinskaya E.R. et al. «Sapphire: material, manufacturing, applications». Springer Science + Business Media, LLC 2009, 480 с.

63. Иванов В.И. "Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев" // Интернет-журнал Науковедение №4 2014 г.

64. Парфенов В.А. "Лазерная микрообработка материалов" учеб. пособие. СПб. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ" 2011, 59 с.

65. Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Травин Н.К. "Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния" // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, изд-во Радиотехника, том. 6, №2, 2014, с. 22-25

66. Цветков Ф.Ф., Григорьев Б.А. "Тепломассообмен" // Учебник для вузов, Москва, Изд. дом МЭИ, 2011, 298 с.

67. Федоров Ю.В., Майтама М.В. Топология ИМС «Интегральный малошумящий усилитель для диапазона частот 8-12 ГГц» Свидетельство о государственной регистрации № 2016630103 от 19.08.2016 г.

68. Федоров Ю.В., Майтама М.В. Топология ИМС «Интегральный усилитель мощности для диапазона частот 8-12 ГГц» Свидетельство о государственной регистрации № 2016630104 от 19.08.2016 г.

69. Мельников А.А. "Расчет электромагнитных и температурных полей методом конечных элементов" // Уч. пособие. Москва, МИРЭА, 2001 г. 35 с.

70. Жаркой М.Ф. «Технологические основы производства полупроводниковых интегральных схем» учебн. пособ. / Балт. гос. техн. ун-т. СПб., 2016, 123 с.

71. Wang Bin, Qu Yu-xuan, Hu Shi-gang, Tang Zhi-jun, Li Jin, Hu Ying-lu «Simulation and Analysis of GaN wafer bowing on Sapphire substrate» // Hindawi Publishing Corporation, Advances in Condensed Matter Physics, Volume 2013, Article ID 465498, 5 pages

72. Fumihiro Inoue, Anne Jourdain, Joeri De Vos, Erik Sleeckx, Eric Beyne, Jash Patel, Oliver Ansell, Huma Ashraf, Janet Hopkins, Dave Thomas, Akira Uedono. «Characterization of Extreme Si Thinning Process for Wafer-to-Wafer Stacking» // 2016 IEEE 66th Electronic Components and Technology Conference, pp. 2095-2102

73. Tom Dunn, Chris Lee, Mark Tronolone, Aric Shorey «Metrology for characterization of wafer thickness uniformity during 3DS-IC procesing» // Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2012 IEEE 62nd, San Diego USA

74. Michael Raj Marks, Zainuriah Hassan, Kuan Yew Cheong «Characterization methods for ultrathinwafer and die quality: a review» // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Volume: 4, Issue: 12, Dec. 2014, pages 2042-2057

75. Thomas Bristow "Wafer thickness TTV bow and warp for thin wafer application" // SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology, San Francisco, USA, 2012, 22 pages

76. Janssen G.C.A.M., Abdalla M.M., van Keulen F., Pujada B.R., van Venrooy B., Celebrating the 100th anniversary of the Stoney equation for film stress: Developments from polycrystalline steel strips to single crystal silicon wafers // Thin Solid Films 2009, vol. 517, No 6, pp. 1858-1867

77. Громовик А.И. "Расчет круглых пластин" // Методические указания. Изд-во СибАДИ, Омск, 2011, 33 с.

78. Jang Y., Kim W.R., Jang D.-H., Shim J.-I.,. Shin D.-S. Analysis of the stress distribution in the nonuniformly bent GaN thin film grown on a sapphire substrate // Journal of Applied Physics 2010, vol. 107, No 11, p. 113537

79. Thokala R., Chaudhuri J. Calculated elastic constants of wide band gap semiconductor thin films with a hexagonal crystal structure for stress problems // Thin Sold Films 1995, vol. 266, No 2, pp. 189-191

80. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Medvedev B.K., Nevolin V.K., Tcarik K.A. Substrates for Epitaxy of Gallium Nitride: New Materials and Techniques // Reviews on Advanced Materials Science, 2008, vol. 17, No 1/2, pp. 1-32

81. Вороненков В.В. Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : дис. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10. - СПб., 2015. - 175 с.

82. Груздов В.В., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. «Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ электронике» // Техносфера, Москва, 2016 г., 328 с.

83. Gilles Fresquet "A versatile optical systems for metrology and inspection of 3D IC TSV integration processes" // SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology, San Francisco, USA, 2012, 19 pages

84. "Optical profilometry of substrate bow reduction using temporary adhesives. FRT multi-sensor 3D IC Metrology" // SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology, San Francisco, USA, 2012, 25 pages

85. Бондарь Д. "Ультратонкие пластины как тенденция развития полупроводниковых технологий" // Компоненты и технологии № 11, 2012 г. с. 116-122

86. Трофимов А.А. "Оптимизация толщины подложки приборных пластин сапфира и карбида кремния" // Нано- и микросистемная техника, 2017, № 4, с. 219-226

87. Федоров Ю.В., Михайлович С.В. «Перспективы замены арсенидных МИС на нитридные» // Нано- и микросистемная техника том 18, №4, 2016 г. с. 217-226

88. Галиев Р.Р., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Майтама М.В., Матвеенко О.С., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю. «Нитридные технологии для освоения миллиметрового диапазона длин волн» // Нано- и микросистемная техника №2, 2015 г. с. 21-29

89. www.brewerscience.com WaferBOND CR-200 MSDS DataSheet, 2010

90. www.logitech.uk.com Glycol Phtalate 0CON-324 MSDS DataSheet, 2010

91. Pastirik E. "Anti-reflection coatings on large area glass sheets" // Quarterly technical report №2, Motorola report №2365/2, 1979, pp. 13

92. Трофимов А.А. «Защита нитридных СВЧ МИС на пластине для операций шлифования, полирования и резки на кристаллы» // Приборы, 2017, № 5, с. 37-43

93. Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., Трофимов А.А., Щаврук Н.В. «Влияние методов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на технико-эксплуатационные параметры монолитных интегральных схем» // Приборы 2017 г., № 1, с. 43-50

94. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделение полупроводниковых пластин из твердого материала на кристаллы». // Материалы Международной научно-технической конференции INTERMATIC МИРЭА 2016 г. с. 94-96.

95. Аникин А.В., Литвинов Ю.М. "Исследование механических свойств сапфира различной ориентации" / ПЭМ-2006: Труды девятой международной научно-технической конференции - Дивноморское, 2006. - c. 60-63

96. Бритвин А.А. "Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом" // автореферат дисс. на соискание уч. степ. канд. тех. наук по спец. 05.27.06, Москва. 2007 г., 28 с.

97. Bhagavat S., Liberato J., Kao I.. «Effects of mixed abrasive slurries in slurries on free abrasive machining (FAM) processes» // International Journal of Machine Tools and Manufacture Volume 50, Issue 9, September 2010, Pages 843-847

98. Трофимов А.А. «Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы» // Прикладная физика, 2017, № 3, с. 89-95

99. Kan-Yin Ng and Timothy Dumm "Advancements in lapping and polishing with diamond slurries" // CS MANTECH Conference, Boston, USA, 2012, 4 pages.

100. Вьюгинов В.Н., Добров В.А., Кириллов А.В., Морозов С.Н., Шифман Р.Г. Обзор новых разработок твердотельных ИЭТ ЗАО «Светлана-Электронприбор» // Материалы Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2014, с. 176-181

101. Kirstin Forsyth "Akribis Air: Innovation in wafer lapping and polishing" // SEMICON Europa 2014, Grenoble, France, 9 pages.

102."Hard material thinning process development and full auto thinning machine" Okamoto Corporation, 2013, 38 pages. Confidential.

103. Levinson G. "Dicing through hard and brittle materials in the microelectronic industry" // ADT report, 2005, 21 p.

104. Nakajima A., Tateishi Y., Murakami H., Takahashi H., Ota M., Kosugi R., Mitani T., Nishizawa S.I., Ohashi H., "High-Speed Dicing of SiC Wafers by Femtosecond Pulsed Laser" // Materials Science Forum, Vols. 821-823, 2015, pp. 524-527

105. Lewke D. "Thermal laser separation — TLS. Wafer dicing der Zukunft" // Fraunhofer IISB-Jahrestagung, 2015, pp. 22

106. "Dicing technologies for SiC" // DISCO technical review, 2016, pp. 4

107. Green S., Perrottet D., Richerzhagen B. "Damage-free dicing of SiC wafers by water-jet-guided laser" // CS MANTECH conference, Vancouver, 2006, pp. 145-146

108. Klug G. "Solutions for thinning, dicing and packaging of power devices made of Si, Sapphire, SiC and GaN" // DISCO report, 2013, pp. 31

109. Roth G.-L., Adelmann B., Hellmann R. "Cutting and drilling of SiC semiconductor by fiber laser" // JLMN-Journal of laser micro/nanoengineering, vol. 10, # 3, 2015, pp. 279-283

110. Skelton W., Li V., Yang Y., Ketterson A., Lube M., Isom H., Lee C., Kraft R. "Ablation laser dicing for GaN HEMT device on 100 ^m SiC/Au substrates" // CS MANTECH conference, Miami, 2016, pp. 109-112

111. "Stealth laser dicing engine lineup" // DISCO technical review, 2016, pp. 1-4

112. Кондратенко В.С., Наумов А.С. «Новая технология лазерной резки сапфировых пластин на кристаллы» // Приборы. 2011. № 10. с. 37-40.

113. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Наумов А.С. «Оптимизация процесса лазерного термораскалывания приборных пластин» // Прикладная физика. 2012. № 5. с. 25-30.

114. Кондратенко В.С., Зобов А.К. «Высокоэффективная технология и оборудование для прецизионного лазерного раскроя сапфировых пластин на кристаллы» // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2014. Т. 14. № -2. с. 73-77.

115. Иванов В.И., Кондратенко В.С., Борисовский В.Е. «Оптимизация лазерного термораскалывания кремниевых пластин на кристаллы с органическими светоизлучающими структурами» // Инновационные технологии в науке и образовании. 2015. № 2 (2). с. 175-183.

116. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И., Зобов А.К. «Повышение эффективности процесса лазерной резки кремниевых приборных пластин на кристаллы ОСИД» // Приборы. 2015. № 9. с. 49-55.

117. Наумов А.С. "Разработка технологии лазерного разделения приборных пластин на кристаллы" автореф. канд. техн. наук. 2007

118. Сорокин А.В. "Разработка технологического процесса лазерного параллельного термораскалывания хрупких материалов" автореф. канд. техн. наук. 2011

119. Мальцев П.П., Щаврук Н.В., Трофимов А.А., Кондратенко В.С., Зобов А.К. «Разделение сапфировых пластин толщиной выше 300 мкм на кристаллы». // 6-ая Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», Сборник трудов // НИЯУ МИФИ, 2015 г., с. 54-55

120. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделение высокотвердых полупроводниковых пластин сапфира на монолитные интегральные схемы методом лазерного управляемого термораскалывания» // Микроэлектроника, 2017, т. 46, № 3, с. 1-5

121. Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., Трофимов А.А., Щаврук Н.В. «Изучение влияния разработанных базовых технологических маршрутов резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на выход годных нитридных СВЧ МИС» // Успехи прикладной физики, 2017, № 1, с. 80-85

122. ОСТ 11 14.1011-99 «Микросхемы интегральные. Системы и методы статистического контроля и регулирования технологического процесса» // Разраб. 22 ЦНИИ Минобороны России, АОЗТ «Электронтест», АОЗТ «Эланг-2», ГУП ЦКБ «Дейтон», исп.

Богданов Ю.И., Дорошевич К.К., Иванов А.В., Критенко М.И., Попов В.Н., Подъяпольский С.Б., Рогулин Ю.Ф., Телец В.А., 78 стр.

123. ОСТ 11 14.1012-99 «Микросхемы интегральные. Технические требования к технологическому процессу. Система и методы операционного контроля» // Разраб. 22 ЦНИИ Минобороны России, АОЗТ «Электронтест», АОЗТ «Эланг-2», исп. Амирбегов А.А., Дорошевич К.К., Дорошевич В.К., Иванов А.В., Критенко М.И., Краюшкин В.М., Подъяпольский С.Б., Рогулин Ю.Ф., Телец В.А., 71 стр.

124.Application report ADT 7100 ProVectus dicing system, 2008, pp. 11

125. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е., Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделение приборных пластин из твердого материала на кристаллы» // Нано- и микросистемная техника, 2017, том 19, № 5, с. 317-320