Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Лапин Дмитрий Геннадьевич

• Лапин Дмитрий Геннадьевич
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Лапин Дмитрий Геннадьевич

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

СОДЕРЖАНИЕ

Актуальность диссертационной работы

ГЛАВА I. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНОЙ ИОННО-

ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

1.1 Физические и технологические основы ионно-лучевых технологий

1.1.1 Физические основы взаимодействия ионов с поверхностью твердого тела

1.1.2 Особенности построения систем с фокусируемым ионным пучком

1.1.3 Технологические параметры системы ФИП

1.2. Применение систем с фокусируемым ионным пучком в различных областях науки и техники

1.3 Методы фокусированной ионно-лучевой обработки поверхности твердого тела

1.3.1 Ионное и ионно-стимулированное травление материалов микроэлектроники

1.3.2 Процесс ионно-стимулированного осаждения материалов из газовой фазы

1.4 Выводы и постановка задачи

ГЛАВА II МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

2.1 Модель распыления поликристаллической меди высокоэнергетическими ионами галлия (Оа+)

2.1.1 Эффект каналирования высокоэнергетических ионов в структуре поликристаллической меди

2.1.2 Расчет профиля поверхности поликристаллической меди в процессе локального ионно-лучевого распыления

2.2 Моделирование процесса локального ионно-лучевого осаждения материалов из

газовой фазы

2.2.1 Проблема перераспыления материала при формировании наноструктур методом локального ионно-стимулированного осаждения

2.2.2 Уточненная модель локального ионно-стимулированного осаждения материала из газовой фазы

2.3 Выводы по Главе II

ГЛАВА III. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИКИ СФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ

ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ИОНОВ ГАЛЛИЯ И КСЕНОНА

3.1 Исследование особенностей ионно-лучевого распыления меди

3.1.1 Ионно-стимулированное травление меди высокоэнергетическими ионами галлия (Ga+)

3.1.2 Определение величины шероховатости поверхности поликристаллической меди при ее ионно-стимулированном распылении ионами ксенона (Xe+)

3.2. Формирование токопроводящих наноструктур методом локального ионно-стимулированного осаждения материала из газовой фазы

3.2.1 Влияние параметров пучка высокоэнергетических ионов галлия (Ga+) на резистивные свойства формируемых наноструктур

3.2.2 Влияние параметров пучка высокоэнергетических ионов ксенона (Xe+) на проводимость наноструктур из вольфрама

3.3. Исследование проблемы перераспыления при формировании наноструктур методом локального ионно-стимулированного осаждения

3.3.1 Исследование эффекта перераспыления при осаждении структур пучком сфокусированных ионов галлия (Ga+)

3.3.2 Исследование эффекта перераспыления при осаждении структур пучком сфокусированных ионов ксенона (Xe+)

3.4 Выводы по Главе III

ГЛАВА IV ПРОТОТИПИРОВАНИЕ И ВЕРИФИКАЦИЯ ТОПОЛОГИИ

ЭЛЕМЕНТОВ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ МЕТОДОМ ФИП

4.1 Формирование планарных элементов топологии приборов микро- и

наноэлектроники

4.1.1 Исследование электрических свойств новых элементов топологии, сформированных методом ФИП

4.1.2 Исследование надежности новых элементов топологии, сформированных

методом ФИП

4.2 Методика реконструкции топологии дефектной ИМС

4.3 Выводы по Главе IV

Заключение

Список литературы

Основные публикации по теме диссертации

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+»

Актуальность диссертационной работы

Индустрия микро- и наноэлектроники занимает лидирующие место по внедрению новых технологических решений в процесс производства. Наблюдается стремительный рост конкуренции среди разработчиков и производителей интегральных микросхем (ИМС). Вывод на рынок нового устройства связан с рядом сложностей, в том числе возможными ошибками, допущенными при проектировании и производстве изделия. Некорректная трассировка межуровневых соединений и сбои синхронизации, связанные с неправильным выбором параметров транзисторных структур, требуют изготовления нового комплекта литографических масок. Это приводит к дополнительному росту расходов на производство и увеличению сроков вывода изделия на рынок.

В связи с этим, активно развиваются методы прототипирования и производства наноструктур. Для реконструкции литографических масок и элементов топологии крупнейшие производители (Intel, Samsung, TSMC) применяют фокусированный ионный пучок (ФИП). Основываясь на принципах взаимодействия высокоэнергетических ионов с поверхностью твердого тела, технология позволяет реализовывать процесс распыления материала мишени и формирования новых элементов топологии методом локального ионно-стимулированного осаждения с разрешением до единиц нанометров.

Современный уровень исследований в области структурирования поверхности материалов микро- и наноэлектроники фокусированным ионным пучком не в полной мере позволяет достоверно прогнозировать результат ее обработки. Отсутствуют модели локального ионно-лучевого осаждения из газовой фазы, что затрудняет оценку результатов формирования новых элементов топологии. Недостаточно внимания уделено вопросам ионно-лучевой обработки меди, применяемой в системе металлизации современных интегральных микросхем. Практически отсутствуют данные о влиянии параметров обработки на электрофизические свойства структур, формируемых методом ионно-стимулированного осаждения.

Разработка и моделирование новых методов локальной ионно-лучевой обработки современных материалов микро- и наноэлектроники способствует сокращению времени вывода устройств на рынок и уменьшению затрат на тестовое производство и диагностику ИМС.

Цели и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является развитие методов локальной ионно-лучевой обработки современных материалов микро- и наноэлектроники для проведения процедур безмасочного прототипирования и реконструкции топологии электронных устройств с медной системой межуровневой металлизации.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

1. Провести анализ физических и технологических особенностей метода фокусированного ионного пучка в области обработки современных материалов микроэлектроники;

2. Разработать модель распыления поликристаллической меди высокоэнергетическим ионным пучком;

3. Уточнить модель локального ионно-лучевого осаждения материала из газовой фазы с учетом влияния величины области перекрытия пучка ионов;

4. Дать оценку влияния типа газа прекурсора на величину шероховатости поверхности поликристаллической меди при ее ионно-стимулированном распылении;

5. Определить влияние параметров ФИП на электрофизические параметры и элементный состав материала, осаждаемого из газовой фазы;

6. Выполнить реконструкцию топологии элементов микро- и наноэлектроники методом фокусированного ионного пучка.

Обоснованность и достоверность полученных результатов определяется корреляцией полученных экспериментальных и теоретических данных. Полученные в диссертационной работе экспериментальные данные расширяют научные представления по данному направлению и не противоречат уже известным результатам, опубликованных в ведущих мировых научных журналах.

Экспериментальные результаты получены на высокоточном современном аналитическом оборудовании, что обеспечивает их воспроизводимость при повторных измерениях.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. На основе усовершенствованной модели локального ионно-стимулированного осаждения материала из газовой фазы определена зависимость скорости травления/осаждения от тока и области перекрытия пучка ионов;

2. Показано влияние коэффициента распыления материала в направлении каналирования и интенсивности ионного излучения в каждой точке экспонирования на профиль поверхности поликристаллической меди при ее обработке фокусированным ионным пучком;

3. Экспериментально установлено влияние тока, энергии, области перекрытия пучка и времени экспонирования на величину шероховатости поверхности поликристаллической меди и электрические свойства осаждаемого материала.

Практическая значимость работы

Полученные результаты позволяют использовать их для обработки современных материалов микро- и наноэлектроники, что способствует повышению эффективности безмасочного прототипирования и отладки новых электронных компонентов.

1. Определены ток и область перекрытия пучка ионов, при которых скорость локального ионно-стимулированного осаждения материала максимальна;

2. Показано влияние энергии, тока, области перекрытия пучка ионов и временем воздействия на удельное сопротивление формируемых токопроводящих структур;

3. Показана возможность равномерного ионно-лучевого распыления поликристаллической меди ионами Ga+ и Хе+ за счет применения воды и вольфрама в качестве прекурсора реакции;

4. Установлены параметры локального ионно-стимулированного осаждения, при которых область перераспыления минимальна.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. В рамках усовершенствованной модели распыления поликристаллической меди пучком высокоэнергетических ионов показано влияние коэффициента каналирования и интенсивности ионного воздействия на профиль обрабатываемой поверхности. Аморфизация приповерхностного слоя поликристаллической меди при обработке ионным пучком Ga+ и Хе+ с использованием прекурсоров H2O, W(CO)6 обеспечивает снижение влияния эффекта каналирования на степень шероховатости поверхности.

2. Скорость локального ионно-стимулированного осаждения материала из газовой фазы зависит от величины области перекрытия соседних областей экспонирования, коэффициента распыления прекурсора, материала мишени и тока ионного пучка. Увеличение скорости локального ионно-стимулированного осаждения ионным пучком Ga+ и Хе+ приводит к снижению величины области перераспыления при формировании новых элементов топологии на поверхности интегральной микросхемы.

3. В процессе локального ионно-стимулированного осаждения материала из газовой фазы параметры пучка ионов Ga+ и Xe+ оказывают влияние на удельное сопротивление и элементный состав токопроводящего материала. Удельное сопротивление сформированных методом ФИП структур зависит от доли содержания в них углерода и имплантированных ионов Ga+.

4. Технологическая реализация реконструкции межуровневой системы металлизации дефектной интегральной микросхемы на основе меди со стороны кремниевой подложки сфокусированным пучком высокоэнергетических ионов.

Публикации

По теме диссертационной работы опубликовано 10 печатных работ, из них 5 статей в журналах, входящих в Перечень ВАК, среди которых одна публикация в международном рецензируемом журнале, входящем в базы данных Web of Science и Scopus.

Апробация работы

Научные результаты диссертационной работы прошли апробацию на международных и всероссийских конференциях различного уровня: Международной научно-технической конференции «INTERMATIC» в 2013, 2015, 2016, 2017 годах (г. Москва), на 2-м Международном форуме по электроннолучевым технологиям для микроэлектроники - «ТЕХНОЮНИТИ - ЭЛТМ 2017» (г. Зеленоград), на «2-й Научно-технической конференции Московского технологического университета 2017» (г. Москва), на Российской конференции по электронной микроскопии «РКЭМ-2018» (г. Черноголовка)

Личный вклад автора

Автору принадлежат основные идеи, положенные в основу работы. В диссертации использованы только те результаты, в получении и интерпретации которых автору принадлежит определяющая роль. Диссертант принимал участие в экспериментальных исследованиях по ионно-лучевой обработке материалов микро- и наноэлектроники, в создании моделей, обсуждений и интерпретации результатов.

Объем и структура работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка используемых сокращений и списка литературы. Объем работы составляет 113 страниц, включая 53 рисунка и 3 таблицы. Список цитируемой литературы включает 117 наименований.

ГЛАВА I. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНОЙ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

1.1 Физические и технологические основы ионно-лучевых технологий

1.1.1 Физические основы взаимодействия ионов с поверхностью

твердого тела

Процесс взаимодействия сфокусированных высокоэнергетических ионов с поверхностью твердого тела лежит в основе основных функций систем с фокусируемым ионным пучком (ФИП) (физическое распыление материала подложки, осаждение материала из газовой фазы, формирование растрового изображения) [1].

При взаимодействии потока ускоренных ионов с поверхностью образца возникает ряд физических процессов, которые способствуют снижению их кинетической энергии (Рисунок 1.1) [2].

Рисунок 1.1 - Взаимодействие высокоэнергетических ионов с поверхностью

твердого тела.

Высокоэнергетические ионы при взаимодействии с поверхностью твердого тела могут быть обратно рассеяны атомом или группой атомов бомбардируемой мишени. Это приводит к отклонению иона от начальной траектории и обмену энергией между ионом и мишенью. Если импульс иона высокий, то он может сместить слабо связанный с кристаллической решеткой атом в положение с более сильной связью (т.н. «атомная дислокация»). Если первичный ион проникает в кристаллическую решетку и остается в ее структуре, то возникает процесс «ионной имплантации». Первичные ионы пучка при взаимодействии с мишенью могут катализировать химические реакции на поверхности. В случае если новое вещество принимает газообразное состояние, оно стремится испарится с поверхности, что приводит к химическому ионному распылению. Также ионная бомбардировка возбуждает вторичную электронную и ионную эмиссию с поверхности мишени. Если ион обладает таким импульсом при котором способен выбить атом из кристаллической решетки то возникает процесс ионного распыления. Основным параметром, характеризующим этот процесс, является коэффициент распыления материала (У) [3].

Коэффициент распыления материала - отношение количества распыленных атомов к числу падающих ионов. Согласно теории Зигмунда, коэффициент распыления определяется как [4]:

]= Д 1, (1л)

где ^ - распределение по глубине поглощённой энергии, й - глубина распыленной поверхности в точке попадания иона, Е - энергия иона, в - угол падения, N - плотность материала мишени, и0 - средняя энергия поверхностных связей. Зависимости коэффициента распыления от энергии (Рисунке 1.2а) и угла падения первичных ионов (Рисунке 1.2б) были численно определены с помощью программного продукта «SRIM» [5] и представлены в работе [6].

-ва в при 0°

- - - йа в при 89°

-ба в Си при 0° — - ба в Си при 89° —' * . -

У

10 15

Энергия(кэВ)

25

а) б)

Рисунок 1.2 - Зависимости коэффициента распыления от:

а) энергии: б) угла падения ионов Ga+.

Анализ процессов, возникающих при взаимодействии пучка ионов высокой энергии с поверхностью твердого тела, показал, что результат модификации поверхности непосредственно связан параметрами пучка.

1.1.2 Особенности построения систем с фокусируемым ионным пучком

Метод ФИП реализуется в системах, позволяющих формировать тонкий зонд из высокоэнергетических ионов, с диаметром до единиц нанометров, и сканировать им по поверхности образца.

Система с фокусируемым ионным пучком включает в себя камеру для образцов, вакуумную систему, жидкометаллический источник ионов, систему формирования пучка ионов, детекторы эмитированных с поверхности электронов, газово-инжекционную систему (ГИС) и управляющую ЭВМ [7].

Вакуумная система. В ФИП системах необходимо поддерживать определенный уровень вакуума на трех участках: в ионной колонне, в камере образцов и в шлюзе для образцов. В ионной колонне уровень вакуума должен составлять порядка 1х10-8 Тор для предотвращения загрязнения источника и появления электрического разряда. В камере образцов давление должно составлять порядка 1х10-6 Тор [8].

Жидкометаллический источник ионов. Возможность ФИП системы формировать пучок ионов с диаметром единиц нанометров обусловлена применением жидкометаллических источников ионов.

В качестве источника ионов могут быть использованы различные материалы. По ряду причин, наиболее распространены ФИП системы с галлиевым источником ионов. Галлий имеет сравнительно низкую температуру плавления (29.80С), низкая летучесть при температуре плавления предотвращает самопроизвольное распыление из источника, продлевая его срок службы. Эмиссионные характеристики галлия позволяют достигнуть высокой угловой интенсивности с малым разбросом по энергии.

Процесс эмиссии Оа+ происходит в два этапа. Горячий галлий поступает в вольфрамовую иглу. Электрическое поле, приложенное к кончику смоченного зонда, позволяет жидкому галлию сформировать точечный источник диаметром 25 нм в форме «конуса Тейлора». Конусообразная форма есть результат баланса электростатической силы и силы поверхностного натяжения. После того как баланс сил достигнут, а конусообразный зонд мал до того, чтобы вытягивающее напряжение смогло оторвать галлий от вольфрамового зонда и эффективно ионизировать, он испаряется под действием поля. Плотность тока ионов может достигать порядка 1х10-8 А/см2. Далее поток ионов попадает в ионную колонну [9].

Ионная колонна. В то время как ионы Оа+ покидают источник, они ускоряются напряжением между источником и образцом. Обычно в ФИП системах ускоряющее напряжение составляет 1 -30 кВ. Если ускоряющее напряжение отсутствует, то эмиссионный ток отводится на коллектор.

Как правило, ионная колонна имеет две линзы - конденсорную и объективную (Рисунке 1.3). Конденсорная линза применяется для формирования пучка, а объективная линза - для фокусировки его на поверхности образца. Набор апертур с различным диаметром определяют диаметр пучка и его ток. Соответствие диаметра апертуры, диаметра пучка и его тока однозначно сопоставимы.

Апертура

Суп рессор Экстрактор

Апертура Линза 1

Бланкер

Октупольный отражатель

Линза 2

Рисунок 1.3 - Схема ионной колонны.

Центрирование пучка относительно апертурных диафрагм обеспечивает квадрупольная отклоняющая система. Отклонение пучка, сканирование поверхности образца и устранение асимметрии формы пучка вдоль разных осей (астигматизм) осуществляется октупольной отклоняющей системой [10].

Сформированный пучок ионов взаимодействует с поверхностью образца, бомбардируя ее ионами, чем вызывает ее локальную модификацию. При взаимодействии первичных ионов с поверхностью происходит ее травление и генерация вторичных ионов и электронов. Вторичная эмиссия регистрируется соответствующими детекторами, в результате чего формируется изображение [11].

Газово-инжекционная система. Для проведения процессов ионно-стимулированного травления и осаждения в ФИП систему встраивают газовые инжекторы. Их основное назначение - доставка газа прекурсора к поверхности образца. В состав ГИС входит емкость для прекурсора, которая может быть нагрета для получения необходимого давления паров (в зависимости от материала прекурсор может находиться в жидком, твердом или газообразном состоянии), регулирующий клапан и тонкая игла (диаметром 0.5 мм). Плотность потока газа

прекурсора регулируется в непосредственной близости от конца иглы. Скорость потока газа определяется температурой газа прекурсора [12].

1.1.3 Технологические параметры системы ФИП

Процесс модификации поверхности мишени сфокусированным пучком ионов осуществляется методом растрового сканирования. На степень воздействия пучка ионов на поверхность оказывают влияние ряд технологических параметров ФИП системы, которые можно классифицировать на три основные подгруппы: методы сканирования, параметры пучка и параметры обработки поверхности (Рисунок 1.4) [13].

Растровое сканирование

Методы Принципы сканирования

сканирования Сканирование по

серпантину

Повторное воспроизведение результатов Сканирование по

растровому шаблону

Сорт первичных ионов ГСа, Хе, Не)

Параметры ФИП Параметры пучка Энергия ионов Диаметр пучка

системы ионов (Ецучка) (<1 лучка)

Ток пучка Плотность тока пучка

а*™) 0 пучка)

Время экспонирования в точке (ТШте)

Область перекрытия пучка (ОЬ) Распределение плотности потока газа

Параметры обработки поверхности Область Поток таза

сканирования

Общее время экспонирования Сорт молекул газа

Газово-июкекпионная Позипня гтпты

система

Рисунок 1.4 - Классификация параметров ФИП системы.

Методы сканирования

Сканирование поверхности сфокусированным пучком ионов выполняется при условии, что пучок ионов движется либо по «растровой» траектории, либо по «спиральной» траектории (Рис. 1.5).

Растровая траектория Спиральная траектория

—->

! ! <------- ......-> — ^

^ \

—^

Область сканирования Область сканирования

а) б)

Рисунок 1.5 - а) растровая; б) спиральная траектория сканирования ионным

пучком.

Растровое сканирование широко используется в ФИП системах, в то время как, серпантинное сканирование [14] и спиральное сканирование [15] относительно редки.

Для автоматизации процедуры модификации поверхности в ФИП системах применяют принцип сканирования по растровому графическому шаблону. Растровый шаблон представляет собой графический файл в 1, 4, 8 и 24 битном формате [16]. Каждый пиксель состоит из красной, зеленой и синей составляющей, которые кодируют следующие параметры: красный - не используется, зеленый -время блокирования, синий - время экспонирования в точке. При этом число пикселей в графическом шаблоне равно числу точек воздействия пучка.

Параметры пучка ионов

В современных ФИП системах применяются различные сорта ионов, используемые при формировании сфокусированного пучка [17]. Сорт ионов в пучке определяется типом источника ионов. При использовании в ФИП системе жидкометаллических источников, как правило, пучок формируется из ионов Оа+. Если источник ионов с индуктивно связанной плазмой, то пучок состоит из ионов Хе+. Также пучок может формироваться из ионов Не+, источником которого является тонкая металлическая проволока. В исследованиях, представленных в [18] показано, что от сорта ионов в пучке зависит коэффициент распыления материала мишени, а также глубина имплантации ионов пучка в образец и латеральное разрешение метода ФИП [19].

Энергия ионного пучка задается посредством изменения ускоряющего напряжения. Как правило, во всех современных ФИП системах оно варьируется в диапазоне от 1 до 30 кВ. В работе [20] показано, что величина ускоряющего напряжения оказывает влияние на коэффициент распыления материала образца.

Ток пучка, измеряемый в амперах (пА и нА), непосредственно определяется размером апертуры и конденсерной линзой в ионной колонне. Кроме того, ток пучка связан с его диаметром (размер пятна: нм) и плотностью тока (А/см2) (Рисунок 1.6).

3000 1

2500

<

* 2000 <я

| 1500

» 1000 о

Н 500

0

7 9 12 16 21 38 51 диаметр пучка, нм

77 133

Рисунок 1.6 - Зависимость тока пучка от его диаметра.

В работе Ыао и др. [21] исследовали текущие зависимости характеристик скорости травления путем увеличения тока пучка от 0.2 до 2.5 нА. Экспериментальные результаты показали, что скорость травления уменьшалась из-за переосаждения распыляемого материала мишени.

Также стоит отметить, что плотность тока ^(г) ионного пучка определяется распределением Гаусса [22]:

т=-■ 1

е 2жг

2

■ ехр

2

2

(1.2)

ч.

У

где / - ток пучка, е - элементарный заряд, г - расстояние от центра пучка,

d - диаметр пучка. При этом: а= d/-

/ V8ln2

Параметры обработки

В каждой точке растра пучок воздействует на поверхность определенное время, называемое временем воздействия в точке (td) или Dwell Time. В [23] Li и др. представлен подробный анализ влияния td на скорость распыления материала мишени и профиль формируемой структуры.

При переходе от точки к точке общее время воздействия пучка на поверхность внутри шаблона (ttotai) определяется как [24]:

ttotal tdNS

t^ab

(d (l- OL)f '

(1.3)

где - количество точек экспонирования, а и Ь - длина и ширина области сканирования. Стоит отметить, что область сканирования также характеризуется шириной, длиной и количеством точек экспонирования.

Также важным параметром обработки поверхности является область перекрытия пучка или OwerLap (ОЬ) - расстояние между центрами соседних областей экспонирования (Рисунок 1.7).

Рисунок 1.7 - Область перекрытия ионного пучка (OL, %) Величина области перекрытия определяется как [25]:

ОЬ = х100% , (1.4)

В процессе модификации поверхности необходимо учитывать, что пучок движется по растру дискретно, а его размер конечен. Следовательно, важно чтобы расстояние между точками воздействия было меньше чем диаметр пучка, в противном случае будет формироваться дискретный набор фигур травления [26]. Однако, при ионно-стимулированном осаждении это утверждение не является корректным.

Анализ параметров ФИП показывает, что их варьирование оказывает значительное влияние на различные аспекты результата процесса модификации поверхности элементов микроэлектроники.

1.2. Применение систем с фокусируемым ионным пучком в различных

областях науки и техники.

Технология ФИП была представлена в конце 1970-х и начале 1980-х годов, благодаря изобретению жидкометаллического источника ионов [27]. Благодаря этому высокоэффективному ионному источнику стало возможным проведение процедур локального распыления материала мишени, осаждению материалов из газовой фазы и визуализации топографии поверхности [28].

Внутрисхемная реконструкция.

В первую очередь, технология ФИП нашла широкое применение в полупроводниковой промышленности для реконструкции литографических масок, изменения топологии интегральных схем, анализа отказов, подготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и исследования многослойных гетерогенных структур [29-31].

Модификация топологии ИМС предусматривает, как удаление уже существующих элементов топологии, так и создание новых элементов (Рисунке 1.8).

Рисунок 1.8 - Фрагмент реконструированной топологии ИМС.

Вопросы ионно-лучевого травления большинства материалов, используемых в современных ИМС, изучены достаточно на высоком уровне и представлены в работах [32-34]. Однако, в работе [35] показано, что при травлении медных межуровневых соединений возникает ряд особенностей, вызванных структурными свойствами меди и возникающим в ней, так называемым, эффектом каналирования (Рисунке 1.9).

Эффект каналирования может возникнуть при взаимодействии высокоэнергетических ионов пучка с кристаллическими веществами. При облучении кристаллического материала ионами с энергиями >кэВ, их движение направляется атомными плоскостями, что позволяет им проникать в глубину структуры кристалла. Эффект каналирования может быть описан законами классической механики. [36].

Рисунок 1.9 - Эффект каналирования ионов Ga+ на поперечном сечении

поликристаллической меди.

Дефекты подобного рода, возникающие при травлении меди, существенно затрудняют процесс реконструкции топологии ИМС.

При формировании новых токопроводящих элементов топологии важно осуществлять контроль их резистивных свойств. Это обусловлено тем, что даже несущественное внесение временных задержек, вызванных дополнительным сопротивлением проводника, может нарушить его работоспособность. Стоит отметить, что удельное сопротивление осаждаемых материалов на несколько порядков больше, чем у аналогичных материалов, используемых в технологическом процессе производства [37].

Препарирование и исследование многослойных гетерогенных структур.

Метод ФИП часто применяют для исследования и модификации различных неорганических многослойных структур и неоднородных материалов [38-40].

Возможность локальной модификации поверхности образца позволяет применять метод ФИП для анализа многослойных гетерогенных структур. В ряде научно-практических исследований [41-42] продемонстрирована технология создания поперечных сечений различных образцов (Рисунке 1.10).

ФНП

Рисунок 1.10 - Схема формирования поперечного сечения методом ФИП.

Поперечное сечение образца изготавливается путем формирования (локальным ионным распылением) канавки с вертикальной фронтальной стенкой. Путем воздействия низкоэнергетическими ионами со слабой интенсивностью пучка, фронтальная стенка очищается от переосаждённого материала. Для выделения верхней границы поперечного сечения на поверхность образца осаждается металл (И, W). При исследовании поперечного сечения методами СЭМ образец наклоняется таким образом, чтобы плоскость сечения была перпендикулярна вектору движения пучка первичных электронов. В работе [43] показано, что используемые при формировании поперечного сечения параметры ФИП системы могут привести к некорректной интерпретации полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лапин Дмитрий Геннадьевич, 2019 год

Список литературы

1. Utke I., Moshkalev S., Russell P. Nanofabrication using focused ion and electron beams // Oxford University Press. New York. - 2012. - P. 813.

2. Аброян И.А., Андронов A.H., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. - М.: Высшая школа. - 1984. - 320 с.

3. Kim H., Hobler G., Steiger A., et al. Full three-dimensional simulation of focused ion beam micro/nanofabrication // Nanotechnology. - 2007. - №18 (245303). - pp. 1-8.

4. Tseng A., Insua I., Park J., et al. Milling yield estimation in focused ion beam milling of two-layer substrates // Journal of Micromechanics and Microengineering -2005. - №15. -pp. 20-28.

5. Ziegler F. SRIM 2013 Instruction manual // [Электронный ресурс]. режим доступа: www.srim.org. (Дата доступа: 11.04.2017).

6. Lucille A. Giannuzzi' B. Ion-solid interactions. // FEI Company. - 2010.

- 32826. - pp. 1-6.

7. Лучинин В.В. Нанотехнологии: физика, процессы, диагностика, приборы. // под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова. - М: Физматлит, - 2006. - 552 с.

8. Zhou W., Wang Z. Scanning microscopy for nanotechnology // Springer.

- New York: - 2006. - pp.522

9. Yao M., Ohmasa Y. Study of liquid metals as a basis for nanoscience // Journal of physics: condensed matter. - 2008. - V. 20. - pp. 1-6.

10. Volkert C.A., Minor A.M. Focused ion beam, microscopy and micromachining // MRS Bulletin. - 2007. - V. 32. - pp. 389-399.

11. Warren J., Moberly C., Adams D., et al. T. Fundamentals of focused ion beam. Nanostmctural processing: below, at, and above the surface // MRS Bulletin. - 2007. -V.32. - pp. 424-432.

12. Reyntjens S., Puers R. A review of focused ion beam applications in microsystem technology // Journal of micromechanics and microengineering. -2001.

- №11. - pp. 287-300.

13. Chung-Soo K., Sung-Hoon A., Dong-Young J. Review: Developments in micro/nanoscale fabrication by focused ion beams. // Vacuum. - 2012. - V.86.

- pp. 1014-1035.

14. Tseng A. Recent developments in micromilling using focused ion beam technology // Journal of micromechanics and microengineering. - 2004. - № 14.

- pp. R15-R34.

15. Hayles M., Dufek M. Nova NanoLab. User manual // FEI Company. - 2007.

- 362 p. [Электронный ресурс]. URL: www.fei.com. (Дата обращения: 07.12.2017).

16. Wilhelmi O. Nanofabrication and rapid prototyping with DualBeam instruments // FEI Company application note. - 2007. - pp.12. [Электронный ресурс]. URL: www.fei.com. (Дата обращения: 11.08.2017).

17. Shida T. GFIS & LMIS charged particle material interaction study for semiconductor nanomachining applications // Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2010. - V.28. - pp. 34-41.

18. N. Bassim. Recent advances in focused ion beam technology and applications. // MRS Bulletin. - 2010. - V. 39(04). - pp. 317-325.

19. Livengood R Subsurface damage from helium ions as a function of dose, beam energy, and dose rate. // Journal of Vacuum Science & Technology A. -2009. - V. 27(6).

- pp. 3244-3249.

20. Yamaguchi H, Shimase A., Haraichi S., et al. Characteristics of silicon removal by fine focused ion gallium ion beam // Journal of Vacuum Science & Technology A. -1985. -V. 3 (71). - P. 123.

21. Liao W., Dai Y., Xie X., et al. Microscopic morphology evolution during ion beam smoothing of Zerodur surfaces. // Optics Express. - 2014. - V.22. - pp. 377-386.

22. Ertl O., Filipovic L., Selberherr S. Three-dimensional simulation of focused ion beam processing using the level set method // Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. - 2010. - pp. 49-52.

23. Li W., Minev R., Dimov S., et al. Patterning of amorphous and polycrystalline Ni78B14Si8 with a focused-ion-beam. // Applied Surface Science. -2007. - V.253:5404. -pp. 87-96.

24. Santamore D., Edinger K., Orloff J., et all. Focused ion beam sputter yield change as a function of scan speed // Journal of Vacuum Science & Technology B. -1997. - V.15. - pp. 2346.

25. Tseng A. Recent developments in micromilling using focused ion beam technology // Journal of micromechanics and microengineering. - 2004. - № 14. -pp. R15-R34.

26. Handbook of charged particle optics (2nd ed.) / ed. by J. Orloff. - New York: CRC Press. - 2009. - 688 p.

27. Watkins R., Rockett P., Thoms S., et. all. Focused ion beam milling // Vacuum.

- 1986. - Vol. 36. - pp. 961-962.

28. Orloff J., Utlaut M., Swanson L. High resolution focused ion beams: FIB and its applications. // Kluwer Academic. Plenum publisher - 2003. - V. 1. - pp. 124-125.

29. Melngailis J. Critical review: focused ion beam technology and application // Journal of Vacuum Science & Technology. B. - 1987. - Vol.5. - pp. 469-495.

30. Prewett P. Focused ion beam-microfabrication methods and applications // Vacuum. - 1993. - V. 44. - pp. 345-351.

31.Gamo K. Recent advance of focused ion beam technology // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 1997. - V. 121. - pp.464-469.

32 Wills K. S, Pabbisetty S. V. Microsurgery technology for the semiconductor industry // Microelectronic Failure Analysis, Desk Reference. 4th ed. - Ohio: ASM International. - 1999. - pp. 527-565.

33. Ali M., Hung W. and Yongqi F. A review of focused ion beam sputtering // International Journal of Precision Engineering and Manufacturing. - 2010. - V. 11.

- N. 1. - pp. 157-170.

34. Tseng A. A. Recent developments in micromilling using focused ion beam technology // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2004. - V. 14. - N. 4.

- pp. R15-R34.

35. 4. Volkert C., Minoret A. Focused ion beam microscopy and micromachining // Material Research Society. - 2007. - V.32. - pp. 389-399.

36. Nastasi M., Mayer W., Hirvonen K. Ion-solid interactions: fundamentals and applications // Cambridge University Press, Cambridge. - UK:

- 1996. - V. 1. - pp. 218-250.

37. Krusin-Elbaum L. et al. Effects of deposition methods on the temperature-dependent resistivity of tungsten films // Journal of Vacuum Science & Technology.

- 1986. - V. 4(6). - pp. 3106-3110.

38. Real K.E., Agarwal A., Mckechnie T. FIB cross-sectioning of a single rapidly solidified hypereutectic Al-Si powder particle for HRTEM microscopy // Research and Technique. - 2005. - V. 66. - pp. 10-16.

39. Beck J., Tracy B. Experience with a dicing saw for rapid pre-FIB TEM sample preparation // Microscopy Society of America. - 2005. - V. 13. - I. 2.

- pp. 26-29

40. Jublot M., Texier M. Sample preparation by focused ion beam micromachining for transmission electron microscopy imaging in front-view. // Micron - 2014. - V. 56. -pp. 63-67.

41. Ho Yoo J., Yang J-M. Cross-sectional transmission electron microscopy specimen preparation technique by backside are ion milling // Applied Microscopy.

- 2015. - V. 45(4). - pp. 189-194.

42. Bell C., Burnell G., Kang D-J., et al. Fabrication of nanoscale heterostructure devices with a focused ion beam microscope // Nanotechnology.

- 2003. - V. 14. - pp. 630-632.

43. Giannuzzi A., Kamino T., Michae J. TEM sample preparation and FIB-induced damage // MRS Bulletin. - 2007. - V. 32. - pp. 400-407.

44. Нанотехнологии в электронике-3 // Под редакцией чл.-корр. РАН Ю.А. Чаплыгина Москва: - ТЕХНОСФЕРА. - 2016. - 480 c.

45. Hickey D. P., Kuryliw E., Siebein K. Cross-sectional transmission electron microscopy method and studies of implant damage in single crystal diamond // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2006. - V.24. - pp. 1302-1306.

46. Young R., Van Cappellen E., Carleson P. Proper sample preparation improves TEM performance // Test & Measurement World. - 1999. - V. 19. - pp. 29-37.

47. Huang Z. Combining are ion milling with FIB lift-out techniques to prepare high quality site-specific TEM samples // Journal of Microscopy. - 2004. - V. 215.

- pp. 219-223.

48. Schaffer M., Schaffer B., Ramasse Q. Sample preparation for atomic-resolution STEM at low voltages by FIB // Ultramicroscopy. - 2012. - V. 114. - pp. 62-71.

49. Sugiyama M., Sigesato G. A review of focused ion beam technology and its applications in transmission electron microscopy // Journal of Electron Microscopy.

- 2004. - V. 53. - pp. 527-536.

50. Anderson R., Klepeis S.J. Practical aspects of FIB TEM specimen preparation / L.A. Giannuzzi, F.A. Stevie (Eds.) // Introduction to Focused Ion Beams, Springer Science Business Media. - New York: - 2005. - pp. 173-200.

51. Baram M., Kaplan W.D. Quantitative HRTEM analysis of FIB prepared specimens // Journal of Microscopy. - 2008. - V. 232. - pp. 395-405.

52. Langford R.M., Rogers M. In situ lift-out: steps to improve yield and a comparison with other FIB TEM sample preparation techniques // Micron. - 2008.

- V. 39. - pp. 1325-1330.

53. Nellen P., Callegari V., Bronnimann R. FIB-milling photonic structures and sputtering simulation // Microelectronic Engineering. - 2006. - V. 83. - pp. 1805-1808.

54. Walker J.F., Moore D.F. Focused ion beam processing for microscale fabrication // Whitney Microelectronic Engineering. - 1996. - V. 30. - pp. 517-522.

55. Daniel J.H., Moore D.F. Micro-accelerometer structure fabricated in silicon-on-insulator using a focused ion beam process // Sensors and Actuators. - 1999. - V.73.

- pp. 201-209.

56. Kometania R., Hatakeyama T., Kuroda K., et al. Carbon nanomechanical resonator fabrication from PMMA by FIB electron-beam dual-beam lithography // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2011. - V. 29. - pp. 06F-06E.

57. Ageev A. Fabrication of tunneling gap of nano-mechanical accelerometer by focused ion beam // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - V.741. - N.1. -pp.247-251.

58. Puers R, Reyntjens S. Fabrication and testing of custom vacuum encapsulations deposited by focused ion beam direct-write CVD // Sensors and Actuators A: Physical. -2001. - V. 92. - pp. 249-256.

59. Miller M.K., Russell K.F. Atom probe specimen preparation with a dual beam SEM/FIB miller // Ultramicroscopy. - 2007. - V. 107. - pp. 761-767.

60. Kim C-S., Ahn S-H., Jang D-J. Developments in micro-nanoscale fabrication by focused ion beams // Vacuum. - 2012. - V. 86. - pp. 1014-1035.

61. Taurino A., Catalano M., Lomascolo M., et al. Morphological and compositional effects of FIB nano-patterning of multilayer metal-semiconducting devices // Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. - 2009. - V. 41. - pp. 734738.

62. Коломийцев А. С. Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур: канд. тех. наук: 05.27.01: защищена: 15.05.11: утверждена: 15.10.11 / автор Коломийцев А. С. - Таганрог., 2011. - 187 с. Библиогр.: 175-187. - 432950.

63. Боргардт Н.И., Волков Р.Л., Румянцев А.В., Чаплыгин Ю.А. Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком // ЖТФ. - 2015. - Т. 41. - В. 12. - c. 97-104.

64. 3. Ochiai Y. et al. Pressure and irradiation angle dependence of mask-less ion beam assisted etching of GaAs and Si // Journal of Vacuum Science & Technology. -1985. - V. 3(1). - pp. 67-70.

65. Ray V., Hadjikhani A. Investigation of gas-assisted etching, deposition, and substrate damage within single beam width of Ga and Xe FIB // Material Research Society Fall Meeting. - Boston, MA USA. - 2017. - V. 1. - pp.432.

66. Khan A. Circuit edit technology for submicron structures in semiconductor devices // International Journal of Engineering and Advanced Technology (IJEAT). -2013. - V. 2. - I. 5. - pp. 255. - ISSN: 2249 - 8958.

67. Lee C-Y., Li T-H., Chen T-C. Design for debug routing for FIB probing // Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition (DATE). - 2014.

- pp. 1-4. - Ind. 14253687.

68. Friedli V., Utke I. Optimized molecule supply from nozzle-based gas injection systems for focused electron- and ion-beam induced deposition and etching: simulation and experiment // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2009. - V. 42. - pp. 11. - Ind. 125305.

69. Niles W. Ronald W. Success 90% yield for 65nm/40nm full-thickness backside circuit edit // Proceedings from the 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA-2010). - 2010. - pp. 348-358.

70. Glowacki A., Perdu P. Improvement of optical resolution through chip backside using FIB trenches // International Symposium for Testing and Failure Analysis. - 2010.

- pp. 176-180.

71. Motayeda A., et al. Fabrication of GaN-based nanoscale device structures utilizing focused ion beam induced Pt deposition // Journal of Applied Physics. - 2006.

- V. 100. - pp. 024306-4.

72. Aaltonen T., Ritala M., Sajavaara T., et al. Atomic layer deposition of platinum thin films // Chemistry of Materials. - 2003. - V. 15. - pp. 3353-3358.

73. Matsui S. Focused-ion-beam deposition for 3-D nanostructure fabrication // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 2007. - V.257. - pp. 758-764.

74. Igaki J., Kometani R., Nakamatsu K., et al. Three-dimensional rotor fabrication by focused-ion-beam chemical-vapordeposition // Microelectronic Engineering. - 2006.

- V. 83. - pp. 1221-1224.

75. Kometani R., Funabiki R., Hoshino T., et al. Cell wall cutting tool and nano-net fabrication by FIB-CVD for subcellular operations and analysis // Microelectronic Engineering. - 2006. - V. 83. - pp. 1642-1645.

76. Hoshino T., Watanabe K., Kometani R., et al. Development of three-dimensional pattern-generating system for focused-ion-beam chemical-vapor deposition // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2003. - V. 21. - pp. 2732-2736.

77. Fujita J., Ishida M., Sakamoto T., et al. Observation and characteristics of mechanical vibration in three-dimensional nanostructures and pillars grown by focused ion beam chemical vapor deposition // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2001.

- V. 19. - pp. 2834-2837.

78. Morita T., Nakamatsu K., Kanda K., et al. Nano mechanical switch fabrication by focused-ion-beam chemical vapor deposition // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2004. - V. 22.- pp. 3137-3142.

79 Kometani R., Hoshino T., Kondo K., et al. Characteristics of nano electrostatic actuator fabricated by focused ion beam chemical vapor deposition // Japanese Journal of Applied Physics. - 2004. - V.43. - pp. 7187-7191.

80. Livengood R., et al. Subsurface damage from helium ions as a function of dose, beam energy, and dose rate // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2009.

- V. 27(6). - pp. 3244-3249.

81. Lin M. Lin Y. Chang K. Copper interconnect electromigration behaviors in various structures and lifetime improvement by cap/dielectric interface treatment // Microelectronics Reliability. - 2005. - V. 45. - pp. 1061-1078.

82. Schindler G., Steinlesberger G., Engelhard M., et al. Electrical Characterization of Copper Interconnects with end Of-roadmap Feature Size // Solid-State Electronics. -2003. - N. 47. - pp. 1233-1236.

83. Volkert C., Minoret A. Focused ion beam microscopy and micromachining // Material Research Society. - 2007. - V.32. - pp. 389-399.

84. Kempshall B., Schwarz S., Prenitzer B. Ion channeling effects on the focused ion beam milling of Cu // Journal of Vacuum Science Technology. - 2001. - N 19.

- pp. 749-754.

85. Phillips J., Griffis D., Russell P. Channeling effects during focused-ion-beam micromachining of copper // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2000. - N.18.

- pp. 1061-1065.

86. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника // - Москва: Наука. - 1966. - 564 с.

87 Брюининг Г. Физика и применение вторичной электронной эмиссии / Г. Брюининг Г. // - Москва: «Радио». - 1958. - 192 с

88. Lindhard J. Motion of swift charged particles, as influenced by strings of atoms in crystals // Physics Letters. - 1964. - V. 12. - I. 2. - pp. 126-128.

89 Агеев О.А. Моделирование рельефа поверхности подложки при наноразмерном профилировании методом фокусированных ионных пучков / О.А. Агеев, А.М. Алексеев, А.В. Внукова, А.С. Коломийцев, А.Л. Громов, Б.Г. Коноплев, С.А. Лисицын // Российские нанотехнологии. - 2014. - №1-2. - Т.9.

- c. 44-49.

90. Fox D., Chen Y., Faulkner C., et al. Nano-structuring, surface and bulk modification with a focused helium ion beam // Beilstein Journal of Nanotechnology. -2012. - V.3. - pp. 579-585.

91. Bassim N., Scott K., Lucille A., et al. Recent advances in focused ion beam technology and applications // Materials Research Society. - 2014. - V.4. - pp. 317-325.

92. Javed H., Saddiqi N., Islam M. Research article recent advancements in focused ion beam applications: a review // International Journal of Recent Scientific Research. -2014. - V. 5. - pp. 123-127.

93. Lundquist T., Thompson M. Circuit Edit at First Silicon. // Microelectronics Failure Analysis Desk Reference, Sixth Edition.

- 2011. - pp. 594-606.

94. Daia J., Hui Changa H., Etsuo Maedab E., et al. Approaching the resolution limit of W-C nano-gaps using focused ion beam chemical vapour deposition // Applied Surface Science. - 2018. - V. 427. - pp. 422-427.

95. Rudenauer F., Mozdzen G., Costin W., Semerad E. Quantitative model of FIB deposition // Advanced Engineering Materials. - 2007. - V. 9. - pp. 708-711.

96. Thomas J., Kwan T., Snell M., Peggy J. Electron beam-target interaction and spot size stabilization in flash x-ray radiography Christenson Citation // Physics of Plasmas. - 200. - V. 7. - pp. 2215-2223.

97. Гост ИСО 25142-82 -2014. Шероховатость поверхности термины и определения // Введ. 12.12.2014. - М.: Стандартинформ. - 2017. - 47 с.

98. Конфокальный лазерный сканирующий микроскоп. VK-X100 [Электронный ресурс]. // ЗАО «Sernia» [Официальный сайт]. URL http://www.dernia.ru/local/tools/download.php?file=8803. (дата обращения: 20.04.17)

- C. 4.

99. Милованов Р.А., Кельм Е.А., Косичкин О.А, и др. Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди // Нано-и Микросистемная Техника. - 2013. - №11. - с. 30-32.

100. Rue C., Shepherd R., Hallstein R. Low keV FIB applications for circuit edit. // Proceedings of the 33rd International Symposium for Testing and Failure Analysis.

- 2007. - pp. 312-318.

101. Casey J., Phaneuf M., Chandler C. Copper device editing strategy for focused ion beam milling of copper // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2002.- V. 20.

- pp. 2682-2685.

102. Krusin-Elbaum L., Ahn K., Souk J., et al. Effects of deposition methods on the temperature-dependent resistivity of tungsten films // Journal of Vacuum Science & Technology. - 1986. - V. 4(6). - pp. 3106-3110.

103. DeMarcoa A., Melngailis J. Contact resistance of focused ion beam deposited platinum and tungsten films to silicon // Journal of Vacuum Science & Technology. -2001. - V. 19(6). - pp. 2543-2546.

104. Di Battista M., Skinner K., Kneedler R. et al. Using statistical methods to optimize patterning parameters for tungsten deposition // Proceedings of the 33th International Symposium for Testing and Failure Analysis. - 2007. - pp. 319-326.

105. Mulders J., Botman A. Towards electron beam induced deposition improvements for nanotechnology // Functional Nanoscience. - 2010. - pp. 179-192.

106. De Boer S., Van Dorp W. F., De Hosson J. Th. M. Charging effects during focused electron beam induced deposition of silicon oxide // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2011. - V. 29(6). - pp. 06FD01 (1-4).

107. McMahon G., Kirkpatrick T., Oh J., et al. Direct-write, focused ion beam-deposited, 7 K superconducting C-Ga-O nanowire // Applied Physics Letters. - 2010.

- V. 96. - pp. 262511 (1-4).

108. Faraby H., DiBattista M., Bandaru P. Percolation of gallium dominates the electrical resistance of focused ion beam deposited metals // Applied Physics Letters.

- 2014. - V.104. - pp. 173107 (1-3).

109. Ishitani T., Koike H., Yaguchi T., et al. Implanted gallium-ion concentrations of focused-ion-beam prepared cross sections // Journal of Vacuum Science & Technology. - 1998. - V. 16 - pp. 1907-1913.

110. Gonzalez C. Elucidating fundamental mechanisms in focused electron- and ion-beam induced synthesis //University of Tennessee // PhD diss. - 2014. - P. 215.

111. Utke I., Hoffmann P., Melngailis J. Gas-assisted focused electron beam and ion beam processing and fabrication // Journal of Vacuum Science & Technology. - 2008.

- V. 26 - pp. 1197-1276.

112. Burnett J., Sagar J., Kennedy O.W., et al. Low-Loss superconducting nanowire circuits using a neon Focused Ion Beam // Physical Review Applied. - 2017.

- V. 8. - pp. 014039.

113. Chakravorty M., Das K., Raychaudhuri A.K., Prewett P.D. Temperature dependent resistivity of platinum-carbon composite nanowires grown by focused ion beam on SiO2/Si substrate // Microelectronic Engineering. - 2011. - V. 88. - I. 11.

- pp. 3360-3364

114. Gladkikh A., Karpovski M., Palevski A., et al. Effect of microstructure on electro migration kinetics in Cu lines // Applied Physics. - 1998. - V.31. - N.14.

- pp. 1626-1629.

115. Horva E., Neumann P. L. Morphological and electrical study of FIB deposited amorphous W nanowires // Microelectronic Engineering. - 2007. - V. 84. - I. 5-8. - pp. 837-840.

116. Tao J., W. Cheung N., Hu C. An electro migration failure model for interconnects under pulsed and bidirectional current stressing // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1994. -V.41. - N.4. - pp. 539-545.

117. Elliott S., LaPierre M., Plourde P. Novel Sample preparation technique for backside analysis of singulated die. // ISTFA-2008: Proceedings from the 34th International Symposium for Testing and Failure Analysis. - 2008. - pp. 238-241.

Основные публикации по теме диссертации

Публикации в журналах, входящих в Перечень ВАК РФ:

1. Лапин Д.Г. Получение наноразмерных проводников из вольфрама методом локального ионно-стимулированного осаждения из газовой фазы / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников // Наноматериалы и Наноструктуры - XXI век. - 2017. - №4. - Т.8. -C. 32-36.

2. Лапин Д.Г. Модель локального ионно-лучевого осаждения платины сфокусированным пучком ионов. / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников // Российский технологический журнал. - 2017. - №6. - Т.5. - С. 34-42.

3. Лапин Д.Г., Овчинников И.С., Пахомов С.В. Ионно-стимулированное распыление поверхности поликристаллической меди высокоэнергетическими ионами галлия. // Нано- и микросистемная техника. - 2018. - №9. - C. 528-534.

4. Лапин Д.Г. Реконструкция топологии интегральных микросхем методом фокусированного ионного пучка. // Вестник института инженерной физики. - 2018.

- № 12. - C.10-20.

Публикации в индексируемых зарубежных журналах:

1. Лапин Д.Г. Влияние области перекрытия пучка ионов на скорость локального ионно-лучевого осаждения платины из газовой. / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2018. - №8. - С. 81-86. (Scopus, Web of Science) Публикации в сборниках трудов конференций

1. Лапин Д.Г. Эффект переосаждения в процессе формирования микроструктур из вольфрама и платины / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников, А.И. Лоторев // Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC- 2016». - 2016. - Часть 2. - С. 103-105.

2. Лапин Д.Г. Влияние параметров ионно-стимулированного осаждения на величину удельного сопротивления вольфрама / Д.Г. Лапин // Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC- 2016». - 2016.

- Часть 2. - С. 101-102.

3. Лапин Д.Г. Особенности препарирования системы металлизации на основе меди сфокусированным пучком ионов / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников, С.В. Пахомов // Материалы Международной научно-технической конференции «ШТЕЯМАТЮ- 2017». - 2017. - Часть 2. - С. 311-314.

4. Лапин Д.Г. Модель локального ионно-лучевого осаждения сфокусированным пучком ионов / Д.Г. Лапин, И.С. Овчинников // Материалы Международной научно-технической конференции «ШТЕЯМАТЮ- 2017». - 2017. - Часть 2. - С. 307-310.

5. Лапин Д.Г., Овчинников И.С. Ионно-лучевое распыление меди высокоэнергетическими ионами Ga Сборник докладов конференции «Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике» Физико-технологического института Московского технологического университета. — М.: МИРЭА. - 2018. - С. 198-202