Технические и методические средства проведения лазерных испытаний изделий полупроводниковой электроники на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат наук Маврицкий Олег Борисович

• Маврицкий Олег Борисович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Маврицкий Олег Борисович

Список сокращений

Введение

ГЛАВА 1. Лазерные методы оценки стойкости ИПЭ к воздействию ТЗЧ

1.1. Основные одиночные радиационные эффекты, возникающие при воздействии ТЗЧ на элементы ИПЭ

1.2. Моделирование эффектов, возникающих при воздействии ТЗЧ на ИПЭ, с помощью сфокусированного лазерного излучения

1.2.1. Фундаментальные параметры лазерного излучения

1.2.2. Особенности генерации носителей заряда при воздействии сфокусированного лазерного излучения на полупроводники

1.2.3. Преимущества и ограничения лазерного тестирования на стойкость к воздействию ТЗЧ по сравнению с методами, использующими ускорители ионов

1.3. Методика оценки параметров чувствительности ИПЭ к эффектам воздействия ТЗЧ с помощью сфокусированного лазерного излучения

1.4. Обзор существующих технических средств проведения лазерных

испытаний на стойкость к воздействию ТЗЧ

ГЛАВА 2. Общие требования к характеристикам средств проведения лазерных испытаний ИПЭ на стойкость к воздействию ТЗЧ

2.1. Требования к лазерному излучению

2.1.1. Размер пятна фокусировки

2.1.2. Длина волны

2.1.3. Расходимость пучка

2.1.4. Длительность лазерного импульса

2.2. Требования к функциональным характеристикам лазерного комплекса для испытаний ИПЭ на стойкость к воздействию ТЗЧ

2.2.1. Методики лазерного облучения

2.2.2. Измерение порога ОРЭ

2.2.3. Измерение сечения ОРЭ

2.3. Состав лазерного испытательного комплекса и требования к его модулям

ГЛАВА 3. Технические средства проведения лазерных испытаний ИПЭ на стойкость к воздействию ТЗЧ

3.1. Импульсные лазерные установки с фокусировкой излучения первого поколения для наблюдения сбоев и отказов ИС

3.2. Типовая структура лазерного испытательного комплекса второго поколения

3.3. Основные модули лазерного тестового комплекса второго поколения, их техническая реализация и параметры

3.3.1. Лазерный источник пикосекундных импульсов

3.3.2. Система фокусировки и визуализации

3.3.3. Система ослабления энергии лазерных импульсов

3.3.4. Система позиционирования и закрепления исследуемого объекта

3.3.5. Система управления и функционального контроля

ГЛАВА 4. Результаты экспериментальной апробации лазерных комплексов ПИКО-3 и ПИКО-4

4.1. Основные технико-эксплуатационные характеристики лазерных испытательных комплексов ПИКО-3 и ПИКО-4

4.2. Методика измерения основных параметров технических средств лазерных испытаний и их периодической аттестации

4.3. Экспериментальная проверка функциональных возможностей разработанных лазерных комплексов

4.3.1. Локализация чувствительных элементов

4.3.2. Воспроизводимость ОРЭ

4.4. Методика коррекции результатов лазерных испытаний по калибровочным измерениям на источниках ионов

4.5. Результаты сравнительных испытаний на стойкость к воздействию ТЗЧ

4.5.1. Примеры результатов испытаний

Заключение

Приложение 1. О влиянии длительности и диапазона изменения энергии импульса лазерного возбуждения на оценки параметров стойкости ИС

Приложение 2. Результаты расчета погрешности коэффициента

пропускания плавного ослабителя и методика его настройки

Приложение 3. Методика аттестации лазерного испытательного комплекса ПИКО-3

Список использованных источников

Список сокращений

БИС - большая интегральная схема

БКЛИ - блок контроля лазерного излучения

ВТ и СУ - вычислительная техника и системы управления

ДФП - двухфотонное поглощение

ИО - импульсный отклик (или "иголка")

ИПЭ - изделие полупроводниковой электроники

ИР - ионизационная реакция

ИС - интегральная схема

КМОП - комплементарная структура металл-оксид-полупроводник

КНИ - структуры на основе кремния на изоляторе

КНС - структуры на основе кремния на сапфире

КП - космическое пространство

ЛИ - лазерное излучение

ЛИК - лазерный испытательный комплекс

ЛПЭ - линейные потери энергии

МК - микроконтроллер

МОП - структура металл-оксид-полупроводник

ОЗУ - оперативное запоминающее устройство

ОРЭ - одиночный радиационный эффект

ОС - одиночные сбои

ПЗУ - постоянное запоминающее устройство

ПСН - поглощение на свободных носителях (заряда)

СКЛ - солнечные космические лучи

ТЗЧ - тяжелая заряженная частица

ТЭ - тиристорный эффект (или эффект "защелки")

ГКЛ - галактические космические лучи

СБИС - сверхбольшая интегральная схема

СОЗУ - статическое оперативное запоминающее устройство

ФС - функциональный сбой

ЭКБ - электронная компонентная база

NA - числовая апертура (от numerical aperture)

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технические и методические средства проведения лазерных испытаний изделий полупроводниковой электроники на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц»

Введение

Диссертация направлена на решение актуальной научно-технической задачи по разработке технических и методических средств проведения лазерных испытаний на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства (КП) изделий полупроводниковой электроники (ИПЭ) (интегральных схем (ИС), полупроводниковых приборов, изделий твердотельной СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники, а также электронных модулей, реализованных на элементно-технологических базисах и по технологическим процессам микроэлектроники), применяемых в вычислительной технике и системах управления (ВТ и СУ).

Актуальность темы диссертации обусловлена тем, что ТЗЧ, являясь неотъемлемой частью ионизирующего излучения, в последние годы привлекают к себе повышенное внимание специалистов, занимающихся проблемами радиационной стойкости элементной базы устройств ВТ и СУ, предназначенных для космических применений и эксплуатируемых непосредственно в бортовой электронике космических аппаратов.

Долгое время космические аппараты отличались высочайшей степенью качества и надежности работы бортовых систем в условиях воздействия различных факторов КП. В последние несколько лет участились случаи нештатного функционирования электронной бортовой аппаратуры, анализ которых привел к выводам, что подобное поведение в основном обусловлено эффектами воздействия ТЗЧ, которые стали проявляться в ИПЭ, выполненных по субмикронным и меньшим проектным нормам. Поэтому задача оценки уровней и обеспечения радиационной стойкости электронных компонент, особенно микросхем повышенной степени интеграции, предназначенных для эксплуатации в условиях КП, сегодня особенно актуальна.

Классическим средством для оценки стойкости отдельных элементов и модулей электронных устройств ВТ и СУ к воздействию ТЗЧ КП являются ускорители ионов и протонов. Однако количество изделий, для которых необходимы комплексные испытания, выросло настолько, что имеющихся мощностей ускорителей ионов и протонов уже недостаточно для удовлетворения возрастающих потребностей в

проведении соответствующих измерений в силу их трудоемкости, растянутости по срокам и высокой стоимости. К тому же, при отработке технических решений по повышению устойчивости к сбоям и отказам электронной аппаратуры эти средства оказываются малоэффективными, а в ряде случаев - и неприменимыми.

Имевшийся к началу работы над диссертацией научно-технический задел и накопленный практический опыт использования лазерных ультракоротких импульсов для моделирования эффектов в ИС, возникающих при пролете ТЗЧ, позволил автору рассматривать специализированные лазерные стенды как мощное самостоятельное техническое средство оценки радиационной стойкости ИПЭ, способное взять на себя значительную часть нагрузки по испытаниям. При этом наиболее эффективным представляется применение лазерных установок совместно с ускорителями ионов, используемых для калибровочных измерений, необходимых для получения количественных оценок параметров радиационной стойкости ИС по результатам

и гр U U U

лазерных испытаний. Такой комплексный подход может снять ряд ограничений, характерных для испытаний на короткопробежных ионах, таких как невозможность обеспечить исследование ИС, покрытых защитными компаундами, или ИС с перевернутым кристаллом (выполненных по технологии Flip-Chip). Более того, методы, основанные на применении сфокусированного лазерного излучения (ЛИ) пикосекундной длительности, благодаря высокому пространственному и временному разрешению, позволяют получить принципиально новые возможности:

- локализовать чувствительные элементы с микронной точностью;

- изучать динамическую чувствительность к воздействию ТЗЧ в различных режимах работы ИС;

- многократно воспроизводить локальную ионизацию в объеме полупроводника в заранее определённых чувствительных областях ИС конкретного типа, не вызывая при этом остаточных повреждений ИС.

Для современных испытательных аппаратно-технических комплексов, как и для другой техники специального назначения, характерен принцип модульности. В основу проектирования большинства таких модулей целесообразно закладывать основной принцип мехатроники: перенос функциональной нагрузки с механических узлов к интеллектуальным (электронным, компьютерно-информационным) компонентам,

которые легко перепрограммируются под новые задачи и сегодня относительно недороги по сравнению с компонентами точной механики.

Таким образом, разработка и создание современных средств проведения лазерных испытаний на базе самостоятельных модулей с параметрами, отвечающими требованиям современного уровня развития отечественной и зарубежной элементной компонентной базы (ЭКБ), представляет собой актуальную задачу.

Состояние исследований по проблеме

Анализ зарубежных публикаций последних двадцати лет свидетельствует о постоянном развитии существующих и появлении новых технических средств проведения испытаний, а также о признании эффективности лазерных методов испытаний на стойкость к ТЗЧ. Подробный обзор последних достижений в этой области опубликован в 2013 году в работе S. Buchner, F. Miller, V. Pouget и D. McMorrow. Принципиальная возможность применения лазерного облучения пикосекундными импульсами для имитации эффектов от воздействия ТЗЧ на ИС была показана в работах д. т. н. А.И. Чумакова, к. т. н. А.А. Печенкина, к. т. н. А.Н. Егорова, к. т. н. А.В. Яненко.

За время работы над решением задач, положенных в основу диссертации, начиная с 1994 г., были разработаны лазерные установки первого поколения, опыт продолжительной эксплуатации которых позволил выявить их основные недостатки и определить пути дальнейшего совершенствования аппаратуры, предназначенной для исследования стойкости ИС к воздействию ТЗЧ с помощью импульсного ЛИ. Стало ясно, что наиболее адекватно моделировать воздействие ТЗЧ на ИС удается при использовании сфокусированного ЛИ пикосекундной длительности. Большое количество исследований в области взаимодействия ЛИ с полупроводниковыми материалами и приборами на их основе, выполненное на существующих лабораторных установках, показало возможность и положило начало их использованию для проведения испытаний полупроводниковых элементов ВТ и СУ на радиационную стойкость. Однако долгое время результаты, получаемые лазерными методами, рассматривались как весьма полезные, но лишь дополнительные данные к результатам других типов испытаний. Причиной этому была проблема правильного сопоставления энергии ЛИ с линейными потерями энергии (ЛПЭ) ионов. Разработка методик коррекции лазерных испытаний по калибровочным измерениям на ускорителях и

постоянное совершенствование методик самого лазерного импульсного облучения позволяет в настоящее время утверждать, что, в силу ряда преимуществ, лазерное тестирование становится одним из основных методов прогнозирования возникновения одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в ИПЭ. Поэтому задача оптимизации и совершенствования аппаратуры лазерных испытательных комплексов стала рассматриваться как путь к обеспечению заданных требований по радиационной стойкости ИПЭ, используемых в космическом приборостроении.

Целью диссертации является разработка и создание технических и методических средств проведения испытаний ИПЭ, применяемых в ВТ и СУ космических аппаратов, на стойкость к воздействию ТЗЧ на основе лазерных установок ультракороткой длительности со сфокусированным излучением.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

- обоснование возможности применения импульсов сфокусированного ЛИ ультракороткой длительности для экспериментального моделирования ОРЭ в ИПЭ и формирование требований к характеристикам импульсов ЛИ;

- научно-техническое обоснование состава и разработка базовой модульной схемы лазерного испытательного стенда для исследования стойкости ИС к воздействию ТЗЧ по ОРЭ на основе анализа существующих зарубежных и отечественных технических средств;

- разработка и создание лазерных испытательных комплексов, включающих в свой состав источники пикосекундных лазерных импульсов с фиксированными длинами волн и перестраиваемой длиной волны, системы фокусировки и позиционирования объекта, систему управления параметрами лазерных импульсов;

- разработка научно-методических средств по измерению параметров и аттестации лазерных испытательных комплексов;

- разработка научно-методического обеспечения по проведению экспериментальных исследований и испытаний ИПЭ на лазерных испытательных установках;

- апробация работы созданных лазерных комплексов при проведении реальных испытаний и экспериментальных исследований ИПЭ.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- обоснованы требования к характеристикам ЛИ для исследования ИПЭ с различными технологическими решениями;

- предложена оригинальная базовая модульная схема лазерного испытательного стенда для исследования стойкости ИС к воздействию ТЗЧ по ОРЭ, позволяющая реализовывать установки для испытаний различных типов ИПЭ;

- разработана базовая методика оценки параметров чувствительности ИС к эффектам воздействия ТЗЧ с помощью сфокусированного ЛИ;

- обоснован выбор метода пассивной синхронизации мод для получения пикосекундных импульсов с высокой временной, пространственной и энергетической стабильностью до 1%;

- разработана математическая модель распространения ЛИ в многослойной микроэлектронной структуре с учетом наличия диэлектрических слоев различной толщины при облучении ИС со стороны активного слоя и влияния толщины подложки при облучении со стороны подложки, на основании которой разработана методика расчета корректирующего сдвига плоскости фокусировки относительно поверхности объекта.

Практическая значимость работы:

1. Разработаны новые технические средства (РАДОН-9Ф, ПИКО-2, ПИКО-3, ПИКО-4), которые внедрены в практику радиационных испытаний ИПЭ на стойкость к воздействию ТЗЧ. На экспериментальные комплексы ПИКО получены патенты на полезную модель: ПИКО-3 - №110488 и ПИКО-4 - №168496, зарегистрированные в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 20.11.2011 г. и 06.02.2017 г., соответственно.

2. Разработаны методики аттестации пикосекундных лазерных испытательных комплексов ПИКО-3 и ПИКО-4, которые используются при первичной и периодической аттестации лазерных экспериментальных комплексов.

3. Проведены сравнительные экспериментальные исследования ряда ИПЭ на оригинальных лазерных комплексах и ускорителях ионов, которые показывают хорошую корреляцию полученных параметров радиационной стойкости.

4. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Остров», «Контроль РД», «Информация РС», «Микро-Д», «РАД-ИКВ» и др.), выполненных в интересах Минобороны РФ, Минпромторга РФ, Росатома, предприятий Роскосмоса и оборонного комплекса. На лазерных комплексах РАДОН-9Ф, ПИКО-3 и ПИКО-4 проведены испытания более 200 различных типов микросхем.

5. Изложенные в диссертации результаты легли в основу нормативного документа РД В 319.03.24 «Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства».

Положения, выносимые на защиту:

1. Требования к параметрам импульсов ЛИ для моделирования ОРЭ в ИПЭ.

2. Требования к составу и основным параметрам модулей лазерного испытательного оборудования для оценки стойкости ИС к воздействию ТЗЧ по ОРЭ, позволяющие реализовывать установки, адаптируемые для испытаний различных ИПЭ.

3. Оригинальные лазерные экспериментальные установки (Радон-9Ф, Пико-3 и Пико-4) для проведения экспериментальных исследований и испытаний ИПЭ на чувствительность к воздействию ТЗЧ.

4. Базовая методика для оценки параметров чувствительности ИС к эффектам от воздействия ТЗЧ с помощью сфокусированного ЛИ.

5. Математическая модель распространения ЛИ в многослойной микроэлектронной структуре для коррекции условий фокусировки на исследуемом объекте с учетом наличия диэлектрических слоев различной толщины при облучении ИС со стороны активного слоя и влияния толщины подложки при облучении со стороны подложки.

6. Методики аттестации пикосекундных лазерных испытательных комплексов.

Достоверность научных результатов обеспечивается физической обоснованностью выбора методик решения поставленных задач, использованием многократно апробированных методов анализа и обработки результатов экспериментальных исследований и их сравнением с теоретическими и экспериментальными результатами других авторов.

Личный вклад соискателя. Результаты, представленные в работе, получены соискателем лично, либо при его непосредственном участии.

Апробация работы:

Основные результаты диссертации были представлены и обсуждались на российских и международных конференциях, семинарах и выставках: Всероссийская научно-техническая конференция по радиационной стойкости электронных систем -«Стойкость» (г. Лыткарино, Россия, 2007-2009 и 2013-2014 гг.); The Conference on Radiation Effects on Components and Systems - RADECS (Biarritz, France, 2012; Moscow, Russia, 2015); Thematic Workshop on Laser Testing of Radiation Effects - RADLAS (Paris, France, 2011, 2013; Montpellier, France, 2017); IEEE Radiation Effects Data Workshop -REDW (Oxford, UK, 2013); Всероссийская конференция по проблемам разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - «МЭС» (Московская обл., Россия, 2012 и 2014 гг.); Научные сессии НИЯУ МИФИ (г. Москва, Россия, ежегодно с 2001г. по 2012 г.); The International Conference and Industrial Exhibition on Nuclear and Space Radiation Effects - NSREC (Paris, France, 2014); Industrial Laser, Laser Source, and Application Conference SPIE-LASE (San-Francisco, USA, 2015, 2018); IV международная конференция «Фотоника и информационная оптика» (Москва, Россия, 2014-2018 гг.).

Публикации: Основные положения диссертационной работы изложены в 19-ти печатных работах (в период с 2004 по 2018 гг.), 15 из которых опубликованы в изданиях, индексируемых Scopus и/или Web of Science, 4 - в изданиях, входящих в перечень ВАК.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 159 страницы, в том числе 55 рисунков, 16 таблиц, список литературы из 82 наименований и состоит из списка использованных сокращений, введения, четырех глав, заключения, списка литературы и 3-х приложений.

ГЛАВА 1. Лазерные методы оценки стойкости ИПЭ к воздействию ТЗЧ

Данная глава содержит анализ теоретических и экспериментальных работ, связанных с темой диссертации и затрагивающих вопросы обоснования возможности моделирования с помощью ультракоротких импульсов сфокусированного ЛИ фотоэлектрической реакции ИПЭ, аналогичной ионизационной реакции (ИР) на воздействие ТЗЧ, способной вызвать ОРЭ. Приведена краткая классификация ОРЭ. Анализируются преимущества и ограничения, а также возможность совместного применения методов испытаний на стойкость к ОРЭ, использующих ЛИ и ускорители ионов. Обсуждаются наиболее критичные для моделирования ОРЭ в ИПЭ параметры ЛИ и способы их описания. Излагаются базовые методы оценки параметров чувствительности ИС к эффектам воздействия ТЗЧ с помощью импульсного сфокусированного ЛИ, разработанные в России к началу работы над диссертацией. Приводится краткий обзор существующих зарубежных технических средств проведения лазерных испытаний на стойкость к ТЗЧ.

1.1. Основные одиночные радиационные эффекты, возникающие при воздействии ТЗЧ на элементы ИПЭ

Тяжелые заряженные частицы (ТЗЧ), являются частью ионизирующего излучения, которое в самом общем смысле представляет собой поток микрочастиц, способных ионизировать вещество.

Ионизирующее излучение околоземного космического пространства принято разделять на три компоненты: естественные радиационные пояса Земли (ЕРПЗ), включающие в свой состав электронное и протонное излучения; галактические космические лучи (ГКЛ), состоявшие из высокоэнергичных протонов и ТЗЧ и солнечные космические лучи (СКЛ), также включающие протоны и ТЗЧ, зависящие от солнечной активности.

Естественные радиационные пояса Земли (ЕРПЗ), состоят из электронов, протонов и тяжелых ионов - ТЗЧ КП, захваченных магнитосферой Земли, и образуют так называемые «радиационные пояса (РП)» (Рисунок 1).

Рисунок 1 - Наглядная модель естественных радиационных поясов земли [ 1].

В двух поясах - внутреннем и внешнем, на высотах 2500 и 20000 км над экватором соответственно, располагаются электроны с энергиями выше 2 МэВ. На высоте около 2500 км над экватором располагается пик потока протонов с энергиями выше 30 МэВ.

В названных выше постоянно присутствующих в магнитосфере Земли радиационных поясах плотность потока частиц (т.е. число частиц, проходящее через определённое сечение в единицу времени) совершает значительные колебания во времени. Она сильно зависит от энергетики частиц и текущей активности Солнца. Состав частиц в поясах может измениться и по искусственным причинам.

ГКЛ - это поток ионов практически всех элементов, слабо изменяющийся по составу. Вариация интенсивности ГКЛ описывается одиннадцатилетним циклом, причем пики ГКЛ приходятся на минимумы солнечной активности. Это связано с тем, что ГКИ приходит извне Солнечной системы, и частицам ГКЛ, чтобы достигнуть околоземного космического пространства, нужно пройти сквозь поток частиц СКЛ (в основном протонов). Резкие изменения в потоке ГКЛ происходят из-за выбросов частиц во время солнечных бурь. Частицы ГКЛ наиболее опасны для космических аппаратов вне магнитосферы Земли, а также для находящихся на эллиптических геостационарных орбитах [1].

СКЛ состоит в основном из протонов с небольшим содержанием (около 5-10 %) а-частиц и более тяжелых ядер, своим происхождением обязанных вспышкам на Солнце.

Известно так же, что ТЗЧ присутствуют не только в космосе, но и в атмосфере Земли. Большая часть ТЗЧ, попадающих в атмосферу из космоса - ядра атомов частиц вплоть до железа в периодической системе химических элементов. Здесь они сталкиваются с атомами кислорода и азота, образуя вторичные частицы, которые попадают в более низкие слои атмосферы. ТЗЧ космического пространства разрушаются из-за подобных столкновений, но вторичные частицы достигают высот, близких к поверхности Земли. На высотах порядка 100 километров от поверхности концентрация вторичных частиц более чем 300 раз превышает концентрацию у поверхности Земли. Концентрация варьируется и в зависимости от региона; так, концентрация заряженных частиц на порядок выше вблизи экватора из-за магнитного поля земли; наблюдаются также аномалии в южной части Атлантического океана [2].

В атмосфере Земли при изучении стойкости ИС к одиночным радиационным эффектам особое место среди вторичных частиц занимают нейтроны. Их плотность достаточно велика на высоте около 330 км и достигает максимума на высоте 20 км, далее с приближением к поверхности Земли она падает [1, 2]. Одиночные эффекты, вызванные нейтронами, могут проявляться и в приборах, используемых в авионике, и даже в устройствах, используемых на уровне моря [2]. Однако, как будет показано в следующем разделе 1.2, воздействие нейтронов на ИС (соответствующий механизм будет рассмотрен подробнее) в конечном итоге проявляется в генерации избыточных носителей при распространении продуктов ядерной реакции, представляющих собой также заряженные частицы. Это значит, что возникающие эффекты практически аналогичны эффектам от ТЗЧ.

Вопросами изучения и разработки радиационной модели Земли серьезно занимаются в нашей стране с начала 1960-х годов. Результаты, полученные за это время во всем мире, свидетельствуют о том, что ионизирующее излучение КП трудно прогнозировать с большой точностью, однако многолетние наблюдения позволили установить, что среди заряженных частиц КП наибольшую угрозу в качестве источника одиночных эффектов представляют собой ТЗЧ [3].

Для иллюстрации на приведенном ниже графике (Рисунок 2) зависимости количества возможных возникновений тиристорного эффекта (см. определение ниже) от высоты над Землей. Видно, что вызванные ТЗЧ эффекты возникают в среднем в сотни раз чаще, чем вызванные другими частицами.

Исключением является область высот около 2500 км, в пределах внутреннего пояса (см. Рисунок 1), где преобладающую роль играют протоны ЕРПЗ. В работах [4, 5, 6], показано, что существует корреляция между параметрами чувствительности ИС к воздействию ТЗЧ и к воздействию протонов. Экспериментальные результаты, полученные при облучении ТЗЧ, могут быть с удовлетворительной точностью «преобразованы» в результаты воздействия протонов, если учитывать различие в глубинах проникновения частиц.

При выборе ИЭП для аппаратуры, используемой в условиях КП, исходя из функционального назначения применяемых ИС и конкретных радиационных условий их эксплуатации, необходимо знать, какие именно эффекты могут рассматриваться как преобладающие в элементах ВТ и СУ конкретного типа.

10000

1000

г-ч

Е

и и

- 100

о н

а

(3 Я

6 10 Г*

Я

СП

н

§ 1

и ¡З4

о

100 1000 10000 100000

Высота орбиты, км

Рисунок 2 - Зависимости количества возможных возникновений тиристорного эффекта при сроке активного существования 10 лет за защитой 1 г-см"2 от высоты орбиты за счет частиц различного происхождения [3]

Кратко рассмотрим классификацию эффектов, возникающих в ИЭП при воздействии ТЗЧ, в соответствии с [2]. На представленной ниже (Рисунок 3) диаграмме показаны наиболее известные ОРЭ, наблюдаемые при воздействии ТЗЧ КП. Их можно разделить на четыре основные группы по последствиям их возникновения: катастрофические, функциональные, остаточные и кратковременные.

Рисунок 3 - Одиночные эффекты от воздействия ТЗЧ. Катастрофические отказы являются устойчивыми и могут приводить к разрушению ИС. К ним относятся:

Вторичный пробой (Single Event Burnout или SEB) - резкое увеличение тока в силовом приборе (биполярном, полевом МОП-транзисторе или диоде) при достижении некоторого критического значения напряжения. Происходит перераспределение тока по площади p-n перехода, поэтому в некоторых точках плотность тока достигает достаточно высокого значения, в них происходит тепловой пробой и прибор выходит из строя. При наличии ограничения тока этот эффект может не приводить к катастрофическому отказу.

"Прокол" подзатворного диэлектрика (Single Event Gate Rapture или SEGR) -при прохождении ТЗЧ, вдоль трека частицы возникает ток через диэлектрик, что приводит к его разрушению, поэтому такой пробой является необратимым.

Функциональными называют обратимые эффекты, без физического повреждения ИС, такие как:

Тиристорный эффект или ТЭ (Single Event Latch-up или SEL) - это пороговый эффект, связанный с активизацией паразитных многослойных структур при дестабилизирующих воздействиях. В КМОП БИС на границе карман-подложка такая паразитная структура обычно образуется подложкой, карманом и стоками p- и w-канальных транзисторов. После возникновения этого эффекта работоспособность ИС может быть восстановлена, если своевременно выключить питание. В противном случае, резкое увеличение тока может привести к катастрофическому отказу в КМОП ИС. В проведенных при участии автора экспериментальных исследованиях только в 10% случаев возникновения ТЭ непосредственно приводили к катастрофическому отказу [7].

Одиночное функциональное прерывание (Single Event Functional Interrupt или SEFI) - сбой, приводящий к нарушению хода выполнения программ, который невозможно исправить только перезаписью информации, а необходим сброс (reset) состояния микросхемы.

Среди ОРЭ наиболее распространены остаточные эффекты, приводящие к изменению параметров ИС и не исчезающие после окончания воздействия ТЗЧ. К ним относятся:

Одиночный сбой или ОС (Single Event Upset или SEU) - эффект, наиболее распространенный в устройствах памяти. Он заключается в переключении логического состояния ячейки.

Многократные сбои (Multi-Bit Upset или MBU) - разновидность одиночного сбоя, когда эффект затрагивает сразу несколько ячеек памяти.

Кратковременные эффекты исчезают через небольшое время после воздействия ТЗЧ.

Импульсный отклик (ИО), или "иголка" (Single Event Transient или SET), наиболее часто встречаемый в аналоговых устройствах - его еще называют ASET (Analog Single Event Transient) - может наблюдаться и в цифровых ИС (DSET - Digital

Single Event Transient). Этот эффект проявляется в виде импульса тока на одном из выходов ИС. В зависимости от места его возникновения (точки попадания ТЗЧ), этот импульс может распространяться внутри ИС, влиять на состояние ячеек памяти цифровых микросхем. Существенно, что этот импульс тока возникает внутри ИС при отсутствии какого-либо сигнала на входах ИС.

Важно отметить, что "разделение" эффектов на четыре группы достаточно условно. Например, тиристорный эффект может привести к отказу ИС, если не будет вовремя выключено питание, и наоборот, при наличии ограничения по току в цепи стока транзистора эффект вторичного пробоя может не приводить к отказу.

На приведенной выше диаграмме видно, что многие эффекты можно одновременно отнести к нескольким группам по последствиям их возникновения.

Как будет показано в следующем разделе, почти все эти эффекты могут моделироваться при помощи сфокусированного импульсного ЛИ с правильно подобранной длиной волны, при поглощении которого в облучаемой области происходит генерация электронно-дырочных пар. Исключение составляют эффекты, не связанные с локальной объемной ионизацией полупроводника, такие как «прокол» диэлектрика, если он вызван непосредственной ионизацией внутри окисла ИЭП.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Маврицкий Олег Борисович, 2018 год

Список использованных источников

1. Barth J. L., Dyer C. S., Stassinopoulos E. G. / Space, Atmospheric, and Terrestrial Radiation Environments // IEEE Trans. on Nucl. Sci., 2003, V. 50, N. 3, P. 466-482.

2. Soft Errors in Modern Electronic Systems. Frontiers in Electronic Testing. V. 41 // Ed. by Nicolaidis M., Springer Science + Business Media, 2011. 318 P.

3. Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / Под ред. Г.Г. Райкунова // М.: Физматлит, 2013, 256 С.

4. Moss S. C. , LaLumondiere S. D. , Scarpulla J. R. , McWilliams K. P. , Crain W. R. , Koga R. / Correlation of Picoseconds Laser-Induced Latchup and Energetic Particle-Induced Latchup in CMOS Test Structures // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1995, V. 42, P. 1948-1956.

5. Яненко А.В., Чумаков А.И., Печенкин А.А., Савченков Д.В. и др. / Сравнительный анализ испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц на лазерных имитаторах и ускорителях ионов // «Спецтехника и связь», 2011, № 4-5. C. 4-7

6. Никифоров А. Ю. Скоробогатов П. К. / Физические основы лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и ИС: линейная модель // Микроэлектроника, 2004, Т. 33, №2, C. 91-107.

7. Петровский А. Н., Маврицкий О. Б., Егоров А. Н., Печенкин А. А., Аржановский К. В. / Влияние времени пребывания в состоянии защелки на радиационную стойкость БИС // Сб. научных трудов научно-технической конференции-семинара по фотонике и информационной оптике (ФИ0-2011), 2011, с. 78-79.

8. Melinger J. S., Buchner S., McMorrow D., Stapor W. J., Weatherford T. R., Campbell A. B. / Critical Evaluation of the Pulsed Laser Method for Single Event Effects Testing and Fundamental Studies // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1994, V. 41, N. 6, , P. 2574-2584.

9. Moss S. C., LaLumondiere S. D., Scarpulla J. R., McWilliams K. P., Crain W. R., Koga R. / Correlation of picosecond laser-induced latchup and energetic particle-induced latchup in CMOS test structures // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1995, V. 42, P. 1948-1956.

10. Pouget V., Lewis D., Lapuyade H., Briand R., Fouillat P., Sarger L., Calvet M.C. / Validation of radiation hardened designs by pulsed laser testing and SPICE analysis // Microelectronics Reliability, 1999, V. 39, P. 931-935.

11. Fouillat P., Pouget V., McMorrow D., Darracq F., Buchner S., Lewis D. / Fundamentals of the Pulsed Laser Technique for Single-Event Upset Testing // in Radiation Effects on Embedded Systems, Ed. by R. Velazco et al. Springer, 2007, P. 121-141.

12. Чумаков А.И. / Действие космической радиации на интегральные схемы // М.: Радио и связь, 2004, 320 C.

13. Buchner S. P. / Pulsed-laser Testing of Single-Event Effects Investigations // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2013, V. 60, N. 3, P. 1852-1874.

14. Справочник по лазерам. В 2-х томах. Т. 1 / Под ред. акад. Прохорова А.М. // M.:, Советское радио, 1978, 504 C.

15. McMorrow D., Lotshaw W. T., Melinger J. S., Buchner S., Pease R. L. / Subbandgap laser-induced single event effects: carrier generation via two-photon absorption // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2002, V. 49, P. 3002-3008.

16. Jones M. H., Jones S. H. / Optical Properties of Silicon // Virginia Semiconductor, Inc, http://www.virginiasemi.com/pdf/0ptical%20Properties%20fo%20SiGe%20and%20Ge.pdf [Accessed 28.01.2015].

17. Palik E. D. / Handbook of Optical Constants of Solids // San Diego: AP, 1997, 668 P.

18. McMorrow D., Lotshaw W. T., Melinger J. S., Buchner S., Pease R. L. / Subbandgap laser-induced single event effects: Carrier generation via two-photon absorption // IEEE Trans. Nuc. Sci., 2002, V. 49, N. 6, P. 3002-3008.

19. McMorrow D., Lotshaw W. T., Melinger J. S., Buchner S., Davis J. D., Lawrence R. K., Bowman J. H., Brown R. D., Carlton D., Pena J., Vasquez J., Haddad N., Warren K.,

Massengill L. / Single-event upset in flip-chip SRAM induced by through-wafer, two-photon absorption // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2005, V. 52, N. 6, P. 2421-2425.

20. McMorrow D., Hales J. M., Khachatrian A., Buchner S. P., Warner J. H., Roche N., Iledfonso A., Fleetwood Z. E., Cressler J. D. / Two-Photon-Absorption-Induced Carrier Generation: Calibration, Modeling, and Experimental // Presented by McMorrow D. at Workshop RadLas-2017, Montpellier, France, October 9, 2017. https://www.ies.univ-montp2.fr/radlas2017/docs/1-3-MCMORROW.pdf [Accessed 6.02.2018]

21. Khachatrian A., Roche N. J. H., McMorrow D., Warner J. H., Buchner S. P., Melinger J. S. / A Dosimetry Methodology for Two-Photon Absorption Induced Single-Event Effects Measurements // IEEE Trans. Nuc. Sci., 2014, V. 61, N. 6, P. 3416-3423.

22. Hales J. M., Khachatrian A., Buchner S., Roche N. J-H., Warner J, McMorrow D. / A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductors // IEEE Trans. Nuc. Sci., 2017, V. 64, P. 1133-1136.

23. Гордиенко А. В., Маврицкий О. Б., Егоров А. Н., Печенкин А. А., Савченков Д. В. / Корреляция ионизационной реакции в чувствительных точках и уровня стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц при лазерном тестировании интегральных схем // Сб. научных трудов III всероссийской конф. по фотонике и информационной оптике (ФИО-2014), 2014, С. 91-92.

24. Chumakov A. I., Belova M. P., Kessarinskiy L. N., Borisov A. Ya., Ivanov K. A., Tsymbalov I. N., Volkov R. V., Savel'ev-Trofimov A. B., Galanina L. I., Chirskaya N. P., L. S. Novikov / Ionisation response in semiconductor structures exposed to the X-ray radiation of a femtosecond laser-plasma source // Quantum Electronics, 2017, V. 47, N. 6,. 528-532.

25. Tsymbalov I. N., Ivanov K. A., Volkov R. V., Savel'ev A. B., Novikov L. S., Galanina L. I., Chirskaya N. P., Bychenkov V. Yu., Chumakov A. I. / Laser-plasma Sources of Ionizing Radiation for Simulation of Radiation Effects in Microelectronic Materials and Components / Inorganic Materials: Applied Research, 2017, V. 8, N. 3, P. 359-363.

26. Faraud E., Pouget V., Shao K., Larue C., Darracq F., Lewis D., Samaras A., Bezerra F., Lorfevre E., Ecoffet R. / Investigation on the SEL Sensitive Depth of an SRAM Using

Linear and Two-Photon Absorption Laser Testing // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2001, V. 58, N. 6, P. 2637-2643.

27. Buchner S., Roche N., Warner J., McMorrow D., Miller F., Morand S., Pouget V., Larue C., Ferlet-Cavrois V., El Mamouni F., Kettunen H., Adell P., Allen G., D. Aveline / Comparison of Single Event Transients Generated at Four Pulsed-Laser Test Facilities-NRL, IMS, EADS, JPL // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2012, V. 59, No. 4, P. 988-998.

28. Flip Chip Technologies /Ed. by J. H. Lau // McGraw-Hill, New York, 1996, 565P.

29. РД В 319.03.24-97 Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства. // М.: Изд-во 22 ЦНИИИ МО, 1997, 54 С.

30. Buchner S. P., Wilson D., Kang K., Gill D., Mazer J. A., Raburn W. D., Campbell A. B., Knudson A. R. / Laser Simulation of Single Event Upsets // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. V. NS-34. N. 6. P. 1228-1233.

31. Аствацатурьян Е. Р., Белянов A. A., Елисеев К. Г., Калашников О. A., Курнаев С. А., Чумаков А. И. / Техника экспериментальных исследований одиночных сбоев в цифровых интегральных микросхемах // ПТЭ, 1993, Т. 1, С. 123-127.

32. Binder D., Smith E. C., Holman A. B. / Satellite anomalies from galactic cosmic rays // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1975, V. 22, P. 2675-2680.

33. Белянов А. А., Исаев М. П., Новиков С. Г., Чумаков А. И. / Исследование чувствительности элементов цифровых БИС к одиночным сбоям на лазерной фокусирующей установке // Спец. электроника. Серия 3. Микроэлектроника. 1991, №.1, С. 42-43.

34. Wilson T., McCabe E. M. / Theory of Optical Beam Induced Current Images of Defects in Semiconductors // J. Apl. Phys., 1987, V. 61, P. 191-195.

35. Buchner S. P. / Pulsed-Laser Testing for Single-Event Effects Investigations // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2013, V. 60, N. 3, P. 1852-1875.

36. Martin-Barbero S., Hoffgen S.K., Berger G., Guerrero H. Compendium of International Irradiation Test Facilities // Proc.of Thematic Day in RADECS-2011, 2011, 87 P.

37. Melinger J. S., Buchner S., McMorrow D., Stapor W. J., Weatherford T. R., Campbell A. B. / Critical Evaluation of the Pulsed Laser Method for Single Event Effects Testing and Fundamental Studies // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1994, V. 41, N. 6, P. 2574-2584.

38. Jones R., Chugg A. M., Jones C. M. S., Duncan P. H., Dyer C. S., Sanderson C. / Comparison Between SRAM SEE Cross-Sections From Ion Beam Testing with Those Obtained Using a New Picosecond Pulsed Laser Facility // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2000, V. 47, N. 3, P. 539-544.

39. Yang Shiyu, Cao Zhou, Li Danming, Xue Yuxiong, Tian Kai / Experimental Study on the Single Event Latchup Simulated by a Pulse Laser // J. Semicond. 2009, V. 30, P. 064009/1-4.

40. Pellish J. A., Reed R. A., McMorrow D., Melinger J. S., Jenkins P., Sutton A. K., Diestelhorst R. M., Phillips S. D., Cressler J. D., Pouget V., Pate N. D., Kozub J. A., Mendenhall M. H., Weller R. A., Schrimpf R. D., Marshall P. W., Tipton A. D., Niu G. F. / Laser-Induced Current Transients in Silicon-Germanium HBTs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2008, V. 55, N. 6, P. 2936-2942.

41. Park H., Cummings D. J., Arora R., Pellish J. A., Reed R. A., Schrimpf R. D., McMorrow D., Armstrong S. E., Roh U., Nishida T., Law M. E., Thompson S. E. / Laser-Induced Current Transients in Strained-Si Diodes // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2009, V. 56, P. 3203-3209.

42. Bougerol A., Miller F., Guibbaud N., Gaillard R., Moliere F., Buard N. / Use of Laser to Explain Heavy Ion Induced SEFIs in SDRAMs // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2010, V. 57, N. 1, P. 272-278.

43. Moukhtari I. E., Pouget V. Larue C., Darracq F., Lewis D. Perdu Ph. / Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM Cell // Microelectronics Reliability, 2013, V. 53, P. 1325-1328.

44. Pouget V., Lewis D., Fouillat P. / Time-Resolved Scanning of Integrated Circuits With a Pulsed Laser: Application to Transient Fault Injection in an ADC //Instrumentation and Measurement, 2004, V. 53, N. 4, P. 1227-1231.

45. Laird J. S., Chen Y., Vo T., Edmonds L., Scheick L., Adell P. / Temperature Dependence of Spatially Resolved Picosecond Laser Induced Transients in a Deep Submicron CMOS Inverter // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2009, V. 56, N. 1, P. 220-228.

46. McMorrow D., Buchner S., Baze M., Bartholet B., Katz R., O'Bryan M., Poivey C., LaBel K. A., Ladbury R., Maher M., Sexton F. W. / Laser-Induced Latchup Screening and Mitigation in CMOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006, V. 53, N. 4, P. 1819-1824.

47. Cardoza D. M., LaLumondiere S. D., Tockstein M. A., Witczak S. C., Sin Y., Foran B. J., Lotshaw W. T., Moss S. C. / Single Event Transients Induced by Picosecond Pulsed X-Ray Absorption in III-V Heterojunction Transistors // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2012, V. 59, P. 2729-2738.

48. V. Pouget / Fundamentals of laser SEE testing and recent trends // 2nd Workshop Radiation Analysis Laser Facilities Day (RALFDAY-2009) on Laser Testing of Radiation Effects on Components and Systems RADECS 2009, September 2009, Suresnes, France.

49. Савченков Д. В., Печенкин А. А., Чумаков А. И. / Влияние конечного размера пятна облучения на достоверность оценки сечений одиночных эффектов лазерными имитационными методами // Известия вузов. Электроника, 2012, № 5, Т. 97, С. 71-77.

50. Опубликовано на сайте URL: http://www.chipworks.com

51. Qiwen Zhan / Cylindrical vector beams: from mathematical concepts to applications // Advances in Optics and Photonics, 2009, V. 1, P. 1-57.

52. Barton D. L., Bernhard-Hopher K., Cole E. I. / FLIP-chip and "backside" techniques // J. Microelectronics Reliability, 1999, V. 39, P. 721-730.

53. Falk R. A. / Near IR Absorption in Heavily Doped Silicon-An Empirical Approach // Proc. 26th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2000, P. 1-7.

54. Chau R, Doyle B, Doczy M, Datta S, Hareland S, Jin B, Kavalieros J, Metz M / Silicon Nano-Transistors and Breaking the 10 nm Physical Gate Length Barrier (invited talk) // 61st Device Research Conference, 2003, Salt Lake City, Utah, USA.

55. Chumakov A. I., Egorov A. N., Mavritsky O. B., Yanenko A. V. / Evaluation of moderately focused laser irradiation as a method for simulating single-event effects // Russian Microelectronics, 2004, V. 33, N. 2, P. 106-110

56. Pechenkin A. A., Savchenkov D. V., Mavritskii O. B., Chumakov A. I., Bobrovskii D. V. / Evaluation of Sensitivity Parameters for Single Event Latchup Effect in CMOS LSI ICs by Pulsed Laser Backside Irradiation Tests // Russian Microelectronics, 2015, V. 44, N 1, P. 33-39.

57. Гордиенко А. В., Егоров А. Н., Маврицкий О. Б., Печенкин А. А. / Сравнение результатов оценки параметров чувствительности ИС к воздействию ТЗЧ по ТЭ, получаемых методами локального и сфокусированного лазерного облучения // 7-я Всероссийская научно-техническая конф. «Радиационная стойкость электронных систем» (Стойкость-2014) г. Лыткарино, 2014, C. 132.

58. Савченков Д. В. / Развитие лазерных методов испытаний интегральных схем на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, НИЯУ МИФИ, Москва, 2014

59. Chumakov A. I., Pechenkin A. A., Savchenkov D. V., Tararaksin A. S., Vasil'ev A. L., Yanenko A. V. / Local Laser Irradiation Technique for See Testing of ICs // Proc. of 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS-2011), P. 449- 453.

60. Chumakov A. I., Vasil'ev A. L., Pechenkin A. A.,. Savchenkov D. V, Tararaksin A. S., Yanenko A. V. / Single-Event-Effect Sensitivity Characterization of LSI Circuits with a Laser-based and a Pulsed Gamma-ray Testing Facilities Used in Combination," Russian Microelectronics, 2012, V. 41, N. 4, P. 221-225.

61. Чумаков А. И., Маврицкий О. Б., Егоров А. Н., Печенкин А. А., Савченков Д. В. / Метод тестирования электронных приборов для космических применений на радиационную стойкость, основанный на локальном облучении ультракороткими

лазерными импульсами // Фотоника и информационная оптика - 2018, Сб. трудов конф., C. 536-537.

62 Mavritskii O, Egorov A., Chumakov A., Pechenkin A. / Recent advances in SEE qualification tests of modern VLSI ICs based on local laser irradiation // Presented by Mavritskii O. B. at Workshop RadLas-2017, Montpellier, France, October 9, 2017, https://www.ies.univ-montp2.fr/radlas2017/docs/2-5-MAVRITSKII.pdf [Accessed

6.02.2018]

63. Печенкин А. А. / Лазерные методы оценки стойкости КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, НИЯУ МИФИ, Москва, 2012

64. Miller F., Buard N., Carriere T., Dufayel R., Gaillard R., Poirot P., Palau J.-M, Sagnes B., Fouillat P. / Effects of Beam Spot Size on the Correlation Between Laser and Heavy Ion SEU Testing // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2004, V. 51, N. 6, P. 3708-3715.

65. Chumakov A. I., Pechenkin A. A., Savchenkov D. V., Tararaksin A. S., Vasil'ev A. L., Yanenko A. V. / Local Laser Irradiation Technique for SEE Testing of ICs // Proc. RADECS-2011, P. 449-453.

66. Tabata O., Sugano K. / Reduction of surface roughness and aperture size effect for etching of Si with XeF2 // J. Micromech. Microeng., 2002, V 12, P. 911-916.

67. Dausingera F., Hugela H., Konov V. / Micro-machining with Ultrashort Laser Pulses: From Basic Understanding to Technical Applications // Proc. of SPIE V. 5147, International Conf. on Advanced Laser Technologies (ALT'02), 2003, P. 106-115.

68. Fouillat P., Pouget V., McMorrow D., Darracq F., Buchner S., Lewis D. P. / Fundamentals of the Pulsed Laser Technique for Single-Event Upset Testing // from R. Velazco et al. (eds.), Radiation Effects on Embedded Systems, 2007, Springer. P. 121-141.

69. Маврицкий О. Б., Петровский А. Н. / Об автостабилизации длительности УКИ в лазере на фосфатном неодимовом стекле // Квантовая электроника, 1987, Т. 14, № 7, С. 1381-1384.

70. Chumakov A. I., Pechenkin A. A., Savchenkov D. V., Yanenko A. V., Kessarinskiy L. N., Nekrasov P. V., Sogoyan A. V., Tararaksin A. I., Vasil'ev A. L., Anashin V. S.,

Chubunov P.A. / Compendium of SEE comparative results under ion and laser irradiation // Proc. RADECS DW-1, 2013, P. 1-4.

71. Lewis D., Pouget V., Beaudoin F., Perdu P., Lapuyade H., Fouillat P., Touboul A. / Backside Laser Testing of ICs for SET Sensitivity Evaluation // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2001, V. 48, P. 2193-2201.

72. Loskutov I. O., Karakozov A .B., Nekrasov P. V., Nikiforov A. Yu. / Automated Radiation Test Setup for Functional and Parametrical Control of 8-Bit Microcontrollers // Proc. of International Siberian Conference on Control and Communications SIBCON-2015, 2015, P. 1-4.

73. Boruzdina A. B., Orlov A. A., Ulanova A. V., Grigor'ev N. G., Nikiforov A. Y. / Automatic Control System for Memory Chips Performance in a Radiation Experiment // Proc. of International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), 2015, P. 7147007/1-4.

74 Егоров А. Н., Маврицкий О. Б., Чумаков А. И., Никифоров А. Ю., Печенкин А. А., Яненко А. В. / Патент РФ №110488 // БИ. 2011, №32.

75 Бойченко Д. В., Егоров А. Н., Маврицкий О. Б., Чумаков А. И., Печенкин А. А., Телец В. А., Яненко А. В. / Патент №168496 U1 //Опубликован 06.02.2017, Бюл. № 4.

76 Маврицкий О. Б, Чумаков А. И., Егоров А. Н., Печенкин А. А., Никифоров А. Ю. / Технические средства проведения лазерных испытаний полупроводниковых элементов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц (обзор) // Приборы и техника эксперимента, 2016, № 5, С. 5-29.

77. ЦДКТ 1.027.004-2013. Общая методика испытаний ИЭТ на стойкость к воздействию отдельных тяжелых заряженных частиц на лазерных испытательных установках со сфокусированным излучением (определительные и контрольные испытания)

78. Общая методика испытаний изделий электронной техники на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам на испытательных стендах Роскосмоса с использованием ускорителей У-400, У-400М (определительные и контрольные испытания).

79. Клейнен Дж. / Статистические методы в имитационном моделировании // М: Статистика, 1978, 221 C.

80. Douin A., Pouget V., Darracq F., Lewis D., Fouillat P., Perdu P. / Influence of Laser Pulse Duration in Single Event Upset Testing // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006, V. 53, N. 4, P. 1799-1805.

81. Chugg A. M., Jones R., Moutrie M. J., Duncan P. H., Sorensen R. H., Mattsson S., Larsson S., Fitzgerald R., O'Shea T. / Laser Simulation of Single Event Effects in Pulse Width Modulators // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2005, V. 52, P. 2487-2494.

82. Tien A., Backus S., Kapteyn H., Murnane M., Mourou G. / Short-Pulse Laser Damage in Transparent Materials as a Function of Pulse Duration // Phys.Rev. Letters, 1999, V. 82, P. 3883-3886.