Свойства и дефекты оптических кристаллов: Кварц, корунд, гранат тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Брызгалов, Александр Николаевич

• Брызгалов, Александр Николаевич
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Брызгалов, Александр Николаевич

Введение.

Глава I

Оптические свойства и структура реальных кристаллов.

1.1 Взаимодействие излучения с кристаллом.

1.2 Регенерация и формы роста кристаллов.

1.3 Структура и физические свойства кварца.

1.4 Микродефекты кристаллов рубина, получаемых способом Вернейля.

1.5 Оптические свойства кристаллов граната и их зависимость от температуры и нейтронного облучения.

Глава

Методы выращивания и исследования кристаллов

2.1 Физико-химические основы гидротермального метода выращивания кристаллов.

2.2 Метод травления.

2.3 Гидротермальный метод травления.

2.4 Механизм термолюминесценции оптических кристаллов.

Глава

Физические свойства и дефектность кристаллов кварца.

3.1 Влияние дефектов на добротность и оптические свойства кристаллов.

3.2 Микродефекты кристаллов кварца.

3.3 Формирование кристаллов на затравках среза (0001) простой и сложной формы.

3.4 Формирование кристаллов кварца на затравках с несингулярной поверхностью.

3.5 Зависимость макродефектности кристаллов кварца от скорости выращивания.

Глава

Формирование, оптические свойства и дефекты кристаллов корунда, АИГ, КГВ.

4.1 Формирование кристаллов рубина, получаемых гидротермальным способом.

4.2 Зависимость дефектности кристаллов корунда, получаемых из расплава, от кристаллографического направления и условий выращивания.

4.3 Зависимость внутреннего строения кристаллов рубина, получаемых способом Вернейля, от кристаллографического направления выращивания.

4.5 Влияние примеси титана на совершенство и оптические свойства кристаллов рубина, полученных способом Вернейля.

4.6 Влияние термической обработки рубина на дефектность кристаллов.

4.7 Зависимость оптических свойств и дефектности кристаллов УзА15012+Кс13+от условий выращивания и концентрации примеси неодима.

4.8 Внутреннее строение и оптические свойства кристаллов У3А15012+Ш3+, полученных способом направленной кристаллизации.

4.9 Зависимость совершенства и оптических свойств кристаллов КГВ+Ш от способа выращивания и концентрации неодима.

Глава

Природа дефектов оптических кристаллов и молекулярный механизм роста кристаллов кварца

5.1 Устойчивость поверхности роста кристаллов.

5.2 Наследование и размножение дефектов в кристаллах.

5.3 Структура тетраэдрического комплекса [8Ю4]~4 и поверхностный заряд низкотемпературного кварца.

5.4 Молекулярный механизм роста кристаллов кварца.

5.5 Термодинамический подход к формированию кристаллов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Свойства и дефекты оптических кристаллов: Кварц, корунд, гранат»

Актуальность темы:

Научно-технический прогресс немыслим без развития таких отраслей науки, как радиоэлектроника, квантовая, нелинейная и волоконная оптика, вычислительная техника, в которых применяются кристаллы кварца, рубина, граната, вольфрамата с их уникальными физическими свойствами. Свойства реальных кристаллов в значительной степени зависят от их совершенства, определяемого условиями выращивания.

Возросшие потребности в кристаллах способствовали развитию теоретических работ. Однако, в настоящее время нет общепринятой теории роста и формирования реальных кристаллов, поэтому между теоретическими работами по росту и практическими результатами по их выращиванию существует большой разрыв.

Значительных успехов в получении кристаллов с заданными физическими свойствами можно добиться только в том случае, если установлена связь между физическими свойствами кристалла, его субструктурой и условиями выращивания. В представленной работе мы попытались установить такую связь для кристаллов, которые нашли применение в оптике, радиотехнике и квантовой оптике.

Работа носит практический характер и выполнена в соответствии с поставленными задачами технологического плана. Исследования проводились в лаборатории физического факультета Челябинского государственного педагогического университета по хоздоговорам: с заводом "Кристалл" /г. Южноуральск/, НИИ ГОИ и ЛИТМО /г. Санкт-Петербург/, НИИ "Фонон" /г. Москва/, завод ТТК /г. Куса/.

Цель работы:

Систематическое исследование зависимости дефектности и физических свойств рубина, кварца, граната и калийгадолиниевого вольфрамата от условий выращивания. Кристаллы кварца и корунда нашли применение в оптике и радиотехнике, рубин, гранат и вольфрамат применяются в квантовой оптике и приборостроении. Работа направлена на совершенствование технологии получения кристаллов с заданными свойствами.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Установлена зависимость оптических свойств и добротности от макро и микродефектов кристаллов кварца.

Определена природа дефектов и их влияние на излучение оптически активных кристаллов рубина, АИГ и КГВ.

Показано влияние устойчивости поверхности роста на дефектность кристаллов, получаемых из раствора и расплава.

Установлена связь между макро и микродефектами оптических кристаллов.

Защищаемые положения:

Разработан метод гидротермального травления, обладающий высокой чувствительностью к нарушению структуры оптических кристаллов.

Оптические свойства и добротность кристаллов кварца, получаемых из раствора зависят от скорости роста, ее стабильности и кристаллографического направления выращивания.

Расходимость лазерного излучения зависит от таких дефектов кристаллов рубина, как блочность, зонарность, границы скольжения, дислокации и макроскопические включения, связанных с условиями выращивания. Использование добавок-компенсаторов и способа термической обработки способствуют получению кристаллов рубина с заданными физическими свойствами.

Влияние пассивных и медленно растущих граней на совершенство и ' физические свойства кристаллов: с пассивными гранями связана дефектность кристаллов получаемых из раствора, а выращивание из расплава в направлении медленно растущей грани позволяет получать кристаллы с наиболее совершенной структурой.

Излучение энергии кристаллами АИГ и КГВ зависит от распределения и концентрации активирующей примеси неодима.

Практическое значение:

Полученные результаты использовались для совершенствования технологии получения кристаллов с заданными физическими свойствами.

Материалы исследования могут быть полезными при создании теории формирования реальных кристаллов.

Апробация работы:

Основное содержание работы отражено в 60 публикациях, докладывалось на ежегодных Федоровских сессиях с 1965 по 1993 гг.; на семинаре кафедры физики твердого тела ЛГПИ/1972/; на семинаре кафедры кристаллографии ЛГИ/1975/; на юбилейной научно-технической сессии посвященной 50-летию Ильменского государственного заповедника/г. Миасс, 1970/; на V Всесоюзном совещании по росту кристаллов /г. Тбилиси, 1977 /; на Всесоюзной конференции "Субструктурное упрочнение материалов и дифракционные методы исследования"^. Киев,1985/; на семинаре II Всесоюзной школы по физике и химии рыхлых и слоистых кристаллических структур /г. Харьков, 1988/; на научно-техническом семинаре " Получение, свойства и применение дисперсных материалов в современной науке и технике" /г. Челябинск, 1989, 1991 гг., Уральская АН СССР/; на третьей университетско-академической научно-практической конференции/г. Ижевск, 1997/; на ежегодных итоговых конференциях по научной работе преподавателей ЧГПУ с 1965 по 1997 гг.

Структура и объем работы:

Работа состоит из V глав, изложена на 260 страницах, включая 86 рисунков и таблиц и список литературы из 248 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Брызгалов, Александр Николаевич

Выводы. Установлено, что оптические свойства и добротность в кристаллах кварца и интенсивность, однородность и расходимость лазерного пучка активных кристаллов зависят от их макро- и микродефектов. Большинство дефектов обусловлено следующими факторами:

1. Неустойчивостью поверхности роста, которая заключается в том, что несингулярные грани, имеющие высокую поверхностную энергию, теряют устойчивость в начальный период роста, а для сингулярных поверхностей существует предельная скорость, с превышением которой они теряют устойчивость, и на растущей поверхности образуются ступени, что приводит к возрастанию захвата примеси и увеличению плотности макродефектов. К неустойчивым поверхностям

2 36 в кварце относятся (0001)-с и (1120)- п, в корунде (2243)-п, (ЮГО)- ш, (1011)- г.

2. Проявлением эффекта пассивных и медленнорастущих граней, который сводится к следующему: если все гранки ступеней активные, то пирамида роста неустойчивой поверхности формируется автономными областями. Когда одна из гранок будет пассивной, то в наросшей пирамиде проявляется пластинчатость с границами, параллельными пассивной грани. К пассивным граням в кварце относятся (10Т0)-ш, в корунде (0001). Границы пластин обогащены примесными атомами, макровключениями и дефектами упаковки. Выращиванием в направлении медленно растущей грани с плоским фронтом роста путем подбора градиентов температуры и скорости вращения удается получить кристаллы с наиболее совершенной структурой. Это грани (101*1) и (0Т11) кварца, (1120) и (1011) корунда, (110) граната, (010) КГВ.

3. Симметрийно-термодинамическим фактором, который связан с тем, что в каждом кристалле имеются плоскости скольжения. В случае, когда градиент температуры совпадает с плоскостью скольжения или составляет с ней незначительный угол, в кристаллах, получаемых из расплава, образуются дислокации, полосы скольжения и границы блоков, а на поверхности роста образуются ступени, во входящие углы которых попадают, а затем «захлопываются» макровключения. В кристаллах корунда к таким направлениям относятся [2243], [1010], [1011].

4. С эффектом захвата и распределения активирующей примеси в объеме кристаллов связаны оптические свойства. Кристаллы с зонарным распределением примеси отличаются более высокими оптическими качествами, чем с ячеистым. Существует предельная концентрация примеси, с превышением которой зонарное распределение примеси

231 переходит в ячеистое. Для кристаллов АИГ, полученных способом Чохральского, предельная концентрация неодима составляет ~1 ат.%, полученных способом направленной кристаллизации- 0.7 ат.%, для КГБ, выращенных раствор-расплавным способом ~7 ат. %.

5. В работе показаны и отработаны способы совершенствования кристаллов в процессе выращивания путем добавки примеси-активатора, для рубина- это примеси титана в необходимой пропорции, а в послеростовой период дефектность можно снизить путем термической обработки. В кристаллах рубина в этом случае болыпеугловые границы с высокой объемной энергией распадаются на малоугловые, а затем- на отдельные дислокации.

6. В работе на примере кварца представлен молекулярный механизм роста и образования дефектов, рассматривается пассивность грани (1010), с которой связана значительная часть дефектов.

Разработан новый метод, чувствительный к неоднородностям кристаллов,- гидротермальное травление. гъч

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Брызгалов, Александр Николаевич, 1998 год

1. Loiz А Sur еа crisstallisation des aliens.// Compt. rench, 1856, t.43, p. 799901

2. Шафрановский И.И. Плоскогранные формы.// Сб. Кристаллы минералов. JL, 1957, ч.1, 220 с.

3. Артемьев Д.Н. Метод кристаллизации шаров и его применение при изучении формы и строения кристаллических веществ. Петроград, 1914,309 с.

4. Штенберг A.A. Формообразование в гидротермальных системах. Автореф. докт. дисс. М., 1968, 51 с.

5. Шефталь H.H. К вопросу о реальном кристаллообразовании. В кн. Рост кристаллов, М., Наука, 1961, т. 3, с. 9-21

6. Gross R. Zur Theorie des Wachstums und Losungs vorgan des Kristalliner Materie.// Abhandl.d.k. Sachs. GesWess. Leipzig, math.- phys. kl. 35, 1918, p. 137-202.

7. Batterman B. Hillocks, pits and etch zate in Germanium cristals.//J. Appl. Phys., 1957, v. 28, p. 1236-1241.

8. Gevers R.S., S. Amelinck, W. Dekeyer Interferometric study of etch pits. //Naturwiss, 1952, vol.39, p.448-449

9. Gilman J.J., W.C. Johnston, G.W. Sears Dislocation etch pit formation in lithium flooride. //J. Appe. Phys., 1958. Vol.29, p.774-754

10. Wolff G.A., J.D. Broder, The role of ionicity, bonding and adsorption in krystl morphology. //Nancy., 1965, vol.6, p.6-12

11. Wolff G.A., J.J. Frowley, LR. Hictonen On the etching of II-VI and III-V compounds. //J. Electrochem. Soc., 1964, vol.3, p.22-27

12. Стенон H.O. О твердом, естественно содержащимся в твердом. Изд-во АН СССР, 1967, 150 с.

13. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н. и др. Некоторые особенности структуры природных кристаллов кварца // В кн. Вопросы оптики и молекулярной спектроскопии. Челябинск, 1968, с. 79-81.

14. Бутузов В.П., Икорникова Н.Ю. Стабильная форма роста кристаллов кварца.// Сб. Всесоюз. минер, об-ва., 1956, с.2, ч. 85, вып. 3, с. 395-397.

15. Брызгалов А.Н. Некоторые закономерности внутреннего строения и роста кристаллов кварца. Автореф. канд. дисс., Свердловск, УрГУ, 1969, 22 с.

16. Шубников A.B. Как растут кристаллы. M.-JI., 1935, 175 с.

17. Гиббс Дж. Термодинамические работы. M.-JL, Гостехиздат, 1950.

18. Вульф Г.В. Избранные работы по кристаллофизике и кристаллографии. M.-JL, 1952, 342 с.

19. Асхабов A.M. Регенерация кристаллов. JL, Наука, 1979, 179 с.

20. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н., Черный JI.H. и др. Некоторые закономерности формирования искусственных кристаллов кварца. // В кн. Рост кристаллов, М., Наука, 1974, т. 10, с. 158-164.

21. Becke F. Der Aufbau der kristalle aus Anwachskegeln. //Fahrbuch, Naturwiss., 1894, vol. 14, №42, s.1-18

22. Hartman P., Perdok J. On the relations between structure and morphology of kristallogs. //Acta Cristallogr., 1975, vol.8, №1, p.49-52

23. Lang A.B., Miuskov V.F. Dislocation and Fault surfaces in sinnthatic Quarzt. //App. Phys., 1967, vol.38, №5, p.24-77

24. Айлер P. Коллоидная химия кремнезема и силикатов. М., Изд. И. Л., 1959, с.20.

25. Рыженков Б.Н., Хитров Н.И. К воросу о формах кремнезема в водных растворах. М., Геохимия, 1968, №8, с.951-961.

26. Генеев И.Г. Растворимость и кристаллизация кремнезема в хлоридных растворах. // ДАН СССР 1975, т. 221, №6, с.1427-1429.

27. Мозебах Р. Гидротермальная растворимость кварца с точки зрения гетерогенного газового равновесия. // В кн. Термодинамика геохимических процессов. М., 1960, с. 34-70.

28. Бутузов В.П., Брятов Л.В. Исследование фазового равновесия части системы H20-Si02-Na2C03 при высоких температурах и давлениях. //Кристаллография, 1957, т.2, ч. 85, вып. 3, с. 395-397.

29. Штернберг А.А О процессах кристаллизации в автоклавах.// В кн. Гидротермальный синтез кристаллов. М., Наука, 1968, с.34.

30. Ладиз Р. Паркер Р. Рост кристаллов. М., Мир, 1974, 500 с.

31. Кузнецов В.А., Лобачев А.Н. Гидротермальный метод выращивания кристаллов.//Кристаллография, 1972, т. 17, вып. 4, с.878.

32. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. Изд. В.Ш., М., 1970, 503 с.

33. Френкель И.Я. Кинетическая теория жидкостей, М.-Л., 188 с.

34. Григорович В.К. К электронной теории строения жидких металлов.// В кн. Исследование металлов в жидком и твердом состоянии. М., Наука, 1964, с.73-78

35. Белов Н.В. Строение атомов в свете кристаллохимии силикатов. //В кн. Стеклообразное состояние. М., АН СССР, 1960, с. 90-98

36. Флоринская В.А., Печенкина P.C. Инфракрасные спектры натриево-силикатных стекол.//сб. Оптика и спектроскопия, 1956, т.1, в.5.

37. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М., 1963, с.411.

38. Семилетов C.A., Кудрявцева P.B. и др. Ориентация кристаллов в пленках сернистого свинца, полученных напылением на мусковите. //Кристаллография, 1969, т. 14, №3, с. 491-493

39. Дистлер Г.И. Электронная микроскопия поверхностных явлений.//В кн. Исследование в области поверхностных сил. М., Наука, 1967, с.84-96.

40. Дистлер Г.И. Реальное строение, активность и дальнодействие кристаллических поверхностей. //В сб. Рост кристаллов. М., Наука, 1968, т.8,. с.108-123.

41. Сыромятников Ф.В. К вопросу о определении растворимости кремнезема в воде при высоких давления и температурах. //Советская геология, 1944, т.З. с.75-79

42. Kennedy G.C. Hudrotermal solubility of silica. //Econ. Geol., 1944, vol.39, №1, p.25-31

43. Anderson G.M., C.W.Bunham The solubility of quartz in supercristal water. //Am. J. Sei., 1965, vol.263, №6, p.494-511

44. Krauskoph K.B. Dissolution and precepitation of selica at low temperatures. //Geochim et Cosmochim Acta, 1956, vol.10, №1-2, p. 1-26

45. Шефталь H.H. Генезис пьезокварцевых месторождений в связи с данными искусственного выращивания кварца.// Кн. Вопросы геохимии и минералогии. М.,АН СССР, 1956, с. 142-157

46. Путл О.Ф., Фридман И.И. Несовместимость жидкостей в системе Н20-Si02-Na20.// Кн. Вопросы физико-химии в минералогии и петрографии. М., 1959, с. 9-22

47. Танеев И.Г., Румянцев В.Н. О природе расслоения в системе NaOH-H20-Si02 при повышенных давлениях и температурах.// Изд. АН СССР, сер. Неорганические материалы, М., 1971. Т.7, №12, с. 2191-2194

48. Ломель Д.М., Кронберг M.JI. Прямое наблюдение несовершенства кристаллов. М., Металлургия, 1964, 200 с.

49. Хейман Р.Б. Растворение кристаллов. Д., Недра, 1979, 268 с.

50. Марфутин A.C. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М., Наука, 1975 с.204-218

51. Лущик Ч.Б. Электронные возбуждения и электронные процессы в люминесцирующих ионных кристаллах.//Тр. Ин-та физики и астрономии АН Эст. ССР, 1966, №31, с. 19-83.

52. Гуревич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М., В.Ш., 1971,336 с.

53. Матросов И.И, Чистяков В.К., Погорелов Ю.Л. Исследование термолюминесценции геологических материалов. Томск, 1979, 113 с.

54. Вязанкин А.Ф. Самойлович М.И., Фетченков АЛ. О влиянии точечных дефектов на частотную стабильность кварцевых резонаторов. //Кн. Физические исследования кристаллов. М., Наука, 1975.

55. Бондаренко М.Г., Фотченков A.A., Хаджи В.Е. Влияние условий роста не механические потери в кварце.//В кн. Физические исследования кварца. М., Hepa, 1975, с.20-26

56. Крейскоп В.Н., Самойлович М.И., Цинобер Л.И. ЭПР и оптические характеристики точечных дефектов в кристаллическом кварце.// В кн. Физические исследования кварца. М., Недра 1975.

57. Колодиева C.B., Фетченков A.A., Хаджи В.Е. Влияние скорости роста синтетических кристаллов кварца на пьезоэлектрические и электрические свойства кристаллов. //Сб. Электронная техника, 1969, сер. 14, вып. 2, с. 104-107.

58. Семенов К.П., Фотченков A.A. Эффективность воздействия на кварц различных видов излучения. Кристаллография, 1977, т.22, №3.

59. Чернов A.A. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов. //Кристаллография, М., Наука, 1971, т. 16, вып. 4, с. 842-862

60. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов. МГУ, 1980.

61. Леммлейн Г.Г. Секториальное строение кристаллов. М., 1948

62. Брызгалов А.Н., Клещев Г.В., Черный JI.H. Зависимость внутренней морфологии искусственных кристаллов кварца от ориентировки затравочных пластин. //Зап. Всес. минер, об-ва. М., 1972, 4.101, вып. 3, с.359-365.

63. Мамаев H.A., Кузнецов А.Ф., Зацепин А.Ф., Шульгин Г.В. О реконструкции несингулярных граней кристаллов кварца в гидротермальных условиях. //Кристаллография, 1987,т. 32, вып. 1, с. 196

64. Шефталь H.H. Зависимость реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. //Сб. Рост кристаллов. М., Наука, 1974, т.4, с. 195-221

65. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н., Турлаков В.Н. и др. Некоторые особенности формирования пирамиды роста пинакоида искусственных кристаллов кварца. //Сб. Рост кристаллов, М., Наука, 1974, т. 10, с. 135142.

66. Гаврилко В.М., Кашкуров К.Ф., Клещев Г.В. и др. Тепловые эффекты при нагревании искусственных кристаллов кварца. //Изв. АН СССР, сер. Неорганические минералы, 1970. Т.6, с.421.

67. Современная кристаллография. М., Изд. Наука, 1980, т.З, с. 134-142.

68. Калентьев В.А. Анизотропия экзоэмисионных свойств кристаллов кварца. Автореф. канд. дисс. Свердловск, УПИ, 1988, 20 с.

69. Клещев Г.В., Эмирбеков Э.Т. Зависимость продолжительности зонной стадии старения сплавов AlZn от температуры закалки. //Физика металлов и металловеление, 1977, т.43, вып.2, с.423-426.

70. Цинобер Л.И. Самойлович М.И., Штернберг A.A. и др. О некоторых особенностях термохимической обработки кварца. //Кристаллография, 1971, т.:, вып.З, с.591-595.2 чч

71. Самойлович М.И., Цинобер Л.И., Крейскоп В.Н. О природе радиационной цитриновой окраски кварца. // Кристаллография, 1968, т. 13, вып.4, с.727-730

72. А.А. Штернберг Морфология, кинетика и механизм роста кристаллов // Сб. Рост кристаллов, М.: Наука, 1972.-Т.9, с. 35-40

73. O'Brien М.С.М,. M.H.L. Ryce Defekts in crystalline solids, report of Bristes confence. London, 1954, Physical Soliete.

74. Буканов B.B. Горный хрусталь Полярного Урала. JI., Наука, 1974, 212 с.

75. Брызгалов А.Н., Черный Л.Н., Кабанович И.В. и др. Некоторые особенности структуры природных кристаллов кварца. //Сб. Вопросы оптики и молекулярной спектроскопии. Челябинск, 1968, с.78-81.

76. Брызгалов А.Н., Клещев Г.В., Асхабов А.М. и др. Формирование природных кристаллов кварца. // В кн. Региональная минералогия и гинезис минералов. Сывтывкар, 1975, с. 13-24.

77. Клещев В.Г., Скобелева Л.В., Брызгалов А.Н. О проблеме Н. Стенона. //Вопросы физики твердого тела, Челябинск, 1973, вып.4, с.85-90.

78. Curie Р. Sur la formation des eristaux et sur les constantes copillaires de leur difforentes faces. //Bull. Soc. Miner., France, 1985, vol.18, s.145

79. Черный Л.Н., Брызгалов A.H., Клещев Г.В. и др. Рост кристаллов кварца на сферической затравке. //Минер, сб. Львовского ун-та, 1970, вып.2, №4, с. 151-154

80. Брызгалов А.Н., Клещев Г.В., О пирамидах нарастания граней гексагональной призмы кристаллов кварца. // Зап. Всес. минер, об-ва., 1970, ч.99, вып. 1, с. 106-109.

81. Брызгалов А.Н., Клещев Г.В., Кашкуров К.Ф. и др. Структура кристаллов кварца, выявляемая травлением в автоклаве. //Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1968, т.4, №3, с.362.2 ЧС

82. Брызгалов А.Н., Черный Л.Н., Кузнецов А. Ф. И др., О возможном механизме образования пирамид нарастания пинакоида искусственных кристаллов кварца. //Зап. Всес. минер, об-ва, 1971, ч.ЮО, вып.1, с. 100106.

83. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н. и др. О зональности искусственных кристаллов кварца. //Зап. Всес. Минер, об-ва , 1973, 4.102, вып.8, с.681-685.

84. Скобелева Л.В, Клещев Г.В., Брызгалов А.Н. и др. Пассивные грани и дефектные поверхности кристаллов кварца. //ДАН СССР. 1971, т. 190, №2, с.327-336.

85. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н., Черный Л.Н. Зависимость внутренней морфологии искусственных кристалов кварца от ориентировки затравочных пластин. //Зап. Всес. минер, об-ва, Л., Наука, 1972, 4.101, вып.4, с.359-365

86. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н. Зависимость строения искусственных кристаллов кварца от условий выращивания. //Сб. Рост кристаллов, М., Наука, 1974. Т. 10, с.143-157.

87. Клещев Г.В., Мамаев Н.А., Скобелева Л.В. О линейных дефектах в кристаллах кварца. //Сб. Вопросы физики твердого тела. Челябинск, 1974, вып.5, с.80-88.

88. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н., Черный Л.Н. и др. Некоторые закономерности формирования искусственных кристаллов кварца. // Сб. Рост кристаллов, т. 10, М., Наука, 1974, с.158-164.

89. Клещев Г.В., Брызгалов А.Н., Скобелева Л.В. и др. Пластинчатое строение кристаллов. //Сб. Вопросы физики твердого тела, Челябинск, 1974, вып.5, с.68-79

90. Брызгалов А.Н., Скобелева Л.В., Клещев Г.В. и др. О формировании сектора нарастания пинакоида искусственных кристаллов кварца. //Сб. Вопросы физики твердого тела, Челябинск, 1972, вып.З, с.79-85

91. Клещев Г.В., Скобелева Л.В., Брызгалов А.Н. Строение и дефекты кристаллов кварца. //Минер, сб. Львовского ун-та, 1974, №28, вып.4. с.79-85.

92. Брызгалов А.Н., Гаврилко В.М, Клещев Г.В. и др. О взаимосвязи между структурой, пропусканием света и температурой фазового прехода искусственных кристаллов кварца. //Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, М., 1970,т.6, вып.7, с. 1281-1284.

93. Брызгалов А.Н., Слепченко Б.М, Мусатов В.В. Молекулярный механизм формирования низкотемпературного кварца. //Материалы конференции по итогам научно-исследовательской работы преподавателей, сотрудников и аспирантов. Изд. ЧГПУ, Челябинск, 1994, с.78-80

94. Клещев Г.В, Мамаев Н.А, Скобелева Л.В. и др. Субструктура секторов роста несингулярных граней кристалла. //Сб. Вопросы физики твердого тела, Челябинск. 1976, с. 105-112.

95. Брызгалов А.Н. Проявление «Эффекта пассивных граней» кварца и корунда. //Сб. Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследования. Материалы конференции, Киев. Наукова Думка, 1985, с.220-221

96. Брызгалов А.Н. Мусатов В.В, Халилов Л.М. Направленное дефектообразование. //Сб. II Всесоюзная школа по физики и химии рыхлых и слоистых кристаллических структур. Харьков, ХПИ. 1988, с.141-142.

97. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Управление дефектностью кристаллов кварца. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, 1988, с.48.

98. Брызгалов А.Н, Мусатов В.В, Халилов Л.М. Получение кристаллов кварца с каналами. // Сб. Физика кристаллизации, КГУ 1990, с. 11-16

99. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Получение кристаллов кварца сложной формы. //Сб. Физика кристаллизации. КГУ, 1992, с.72-77

100. Брызгалов А.Н., Мусатов А.Н. Исследование секторов <0001> и <1120> искусственных кристаллов кварца. //Сб. Физика кристаллизации. ТГУ, 1994, с.92-97

101. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Связь между неравновесными формами роста и растворения кристаллов кварца. //Получение, свойства и применение дисперсных материалов в современной науке и технике. Челябинск. 1991, с.38-39

102. Брызгалов А.Н, Мусатов В.В., Слепченко Б.М. Формирование кристаллов кварца с микроканальной структурой. // Сб. Получение, свойства и применение дисперсных материалов в современной науке и технике. Челябинск, 1991, с.50.

103. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Влияние скорости выращивания кристаллов кварца на их оптические свойства. //Вестник ЧГПУ, Челябинск, 1996, с. 152-157

104. Ланг А.Р., Миусков В.Ф. Дефекты в природном и синтетическом кварце. //Сб. Рост кристаллов, М., Наука. 1967, т.7, с. 133

105. Брызгалов А.Н., Клещев Г.В., Буторин П.П. О природе Y-образных дефектов оптической однородности искусственных кристаллов кварца. // Зап. Всес. минер, об-ва, 1973, с.2, 4.102

106. Цинобер Л.И., Ченцова Л.Г., Штернберг A.A. О зеленой и бурой окраске кристаллов искусственного кварца. //Сб. Рост кристаллов, М., 1959, т.2, с.61-67

107. Лушников В.Г., Хаджи В.Е. Гидротермальный синтез кристаллов кварца синего цвета. //Тр. ВНИИП, 1961, в.5, с.872U

108. Кабанович И.В., Русанов JI.3., Сафронов Г.М. О влиянии некоторых дефектов искусственного кварца на добротность резонаторов. //Сб. Электронная техника, М., 1972, сер. 10, в.З

109. Самойлович М.И., Цинобер Л.И., Хаджи И.П. Исследование окрашенных кристаллов синтетического кварца. //ДАН СССР, 1968, т. 184, №1, с.91-93

110. Прянишников В.П. Система кремнезема. Изд. И.Л. по строительству, Л., 1971, с.26

111. Долодугина B.C. Приборы и методы исследования. //Сб. Рост кристаллов, М., 1961, т.З, с.481-493

112. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. /Под ред. Елистратова A.M./ М., Мир, 1965

113. Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига, Знание, 1985,219 с.

114. Мамаев H.A. Проявление радиоционно-стимулированных эффектов в объеме секторов роста различных граней кристаллов кварца. Автореф. канд. дисс., Свердловск, УПИ, 1986, 21 с.

115. Асхабов A.M., Мамаев H.A., Скобелева Л.В, Шереметьев И.А., Брызгалов А.Н. Регенерация головок природного кварца. //Сб. Ин. геол. Коми филиала АН СССР. Сывтывкар. 1975, 118-123.

116. Lang A.R. The projction topography(new metod in X-ray micrography). //Acta Cryst., 1965, vol.12

117. Клещев Г.В., Скобелева JI.B., Брызгалов А.Н. и др. Молекулярный механизм роста ß-кварца и их дефекты. //Сб. Вопросы физики твердого тела, Челябинск, 1973, в.4, с.91-98

118. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Исследование секторов <0001> и <1120> искусственных кристаллов кварца. //Сб. Физика кристаллизации, Тверь, ТГУ, 1994, с.92-97

119. Брызгалов А.Н., Слепченко Б.М., Мусатов В.В. Молекулярный механизм формирования низкотемпературного кварца. //Материалы конференции по итогам научно-исследовательской работы преподавателей, сотрудников и аспирантов. Челябинск, ЧГПУ, 1994, с.78-80

120. Kats A. Hydrogenin in Alpha- quarts. //Philips Res. Kepts., v. 17, №2, 3, 1962

121. Брызгалов A.H., Мусатов B.B., Слепченко Б.М. Формирование кристаллов кварца с микроканальной структурой. //Сб. Получение, свойства и применение дисперсных материалов в современной науке и технике. //Челябинск, 1991. с.50-57

122. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Природа дефектов пирамиды <+п> кристаллов кварца. // Материалы конференции по итогам научно-исследовательской работы преподавателей, сотрудников и аспирантов. Челябинск, ЧГПУ, 1996, с.3-5

123. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. О молекулярном механизме формирование кристаллов низкотемпературного кварца. //Материалы III Российской университетско-академической научно-практической конференции. Ижевск, 1997, с.4-5

124. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Влияние скорости выращивания кристаллов кварца на их оптические свойства. //Вестник ЧГПУ, сер. Естественные науки, Челябинск, 1996, с. 152-1592Í0

125. Шефталь H.H. Первые советские опыты по выращиванию кварца. М., АН СССР, 1955

126. Цинобер Л.И., Ченцова Л.Г., Штернберг A.A. О зеленой и бурой окраске искусственного кварца. //Кн. Рост кристаллов. Т.2, М., 1959, с.61-67

127. Цинобер Л.И., Хаджи В.Е. Самойлович М.И., Балицкий B.C. Условия роста и реальная структура кристаллов, //кн.- IV всесоюзное совещание по росту кристаллов. ч.П. 1972, с. 186-205

128. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. О дефектах кристаллов кварца, активированных медью. // Материалы конференции по итогам научно-исследовательской работы преподавателей, сотрудников и аспирантов. Челябинск, ЧГПУ, 1997, с.22-28

129. Mandel L. Proceedings of conference on optical instruments and techniques. London, 1962

130. Хивенс О. Лазеры на твердых веществах. Изд. Мир, 1964.С.159.

131. Марэ М., Мараиз М. Гидротермальный рост корунда и рубина. //Сб. Выращивание монокристаллов. Металлургия, 1970, с.44-45

132. Озеров Н.К. О зависимости формы кристаллов корунда от химического состояния срыды. //ДАН СССР, 1945, т.45, вып.1

133. Озеров Н.К. Формы кристаллов корунда как поисковый признак. //Сов. геология. М., 1946, №9

134. Белов Н.В. Очерки по структурной минералогии. // Минер, сб. Львовского ун-та, 1958

135. Wells A. Cristal habit and internal structure. //The Philosophical magasine, 1946, vol.37

136. Строителев С.А. Влияние примесей в растворе на форму кристаллов при их росте. //Геология и геофизика, Наука, Сибир. отд., 1961, №6, 1966, с. 162-1642S1

137. Бакштейн С.З., Кикшин С.Т., Назарова М.П. О росте нитевидных кристаллов корунда. //Физика твердого тела, 1964, т.:, вып.5

138. Григорьев Д.П., Шафрановский И.И. Кристаллографические исследования искусственного корунда. //Зап. Всес. минер, об-ва, 1941, сер.2, вып. 1

139. Тимофеева В.А., Восканян P.A. К вопросу о выращивании кристаллов корунда из раствора фтористого свинца. //Кристаллография, 1963, т.8, вып.2, с.293-296

140. Almeika F.R. Growth of single crystal of corundum and gallium oxide. U.S.Patent, 1962,3.075.831

141. Ноздрина В.Г., Цинобер Л.И. Спонтанная кристаллизация корунда в гидротермальных условиях. //Кристаллография, 1966, т.11, вып.З, с.425

142. Никитичев П.И., Ноздрина В.Г., Цинобер Л.И. О синтетическом корунде, полученным гидротермальным методом.//Тр. ВНИИП, 1960, т.4, вып.2, с.95-100

143. Башук Р.П., Басаев В.П., Цаднина Р.Б. Гидротермальный синтез корунда. //Кристаллография, 1960, т.5, вып.4

144. Войцеховский В.Н., Никитичев П.И., Цинобер Л.И. О синтетическом корунде, полученным гидротермальным методом. //Минер, сб. Львовского ун-та, 1970, №24, вып.2

145. Никитичев П.И., Клещев В.Г., Кашкуров К.Ф. и др. Некоторые особенности формирования призмы <1120> синтетических кристаллов корунда, выращенных гидротермальным методом. //Зап. Всес. минер, об-ва, 1968, сер.2, ч.97, с.375-377

146. Кузнецов В.А., Штернберг A.A. Кристаллизация рубина в гидротермальных растворах. //Кристаллография, 1967, т. 12, вып.2

147. Балицкий B.C., Лисицина Е.Е. Синтетические аналоги и иммитации природных драгоценных камней. М., Недра, 1981, с. 157

148. Мусатов М.И. К вопросу образования пузырей в кристаллах корунда, выращенных из расплава. //Оптико-механическая промышленность, 1974, №4, с.36-39

149. Сб. Рубин и сапфир. М., Наука, 1974, с. 197

150. Добровинская Е.П. Управление структурным совершенством монокристаллов корунда. //НИИХИМ, М., 1979

151. Козловская Е.П. Пластические деформации кристаллов рубина и лейкосапфира при высоких температурах. ИКАН, М., 1971. Автореф. канд. дисс.

152. Белая А.Н., Добровинская Е.Р., Литвинова Л.А. Примесная полосчатость в монокристаллах корунда. //Кристаллография, 1977, т.22, вып.2, с.411-413

153. Тихонова Н.П., Волынец Ф.К., Туниманова И.В. Причина неравномерного распределения примеси хрома в рубине. //Оптико-механическая промышленность , 1967, №7, с.45-48

154. Романова Г.И., Власов И.М., Тихонова Н.П. и др. Управление характером распределения активирующей примеси в кристаллах рубина. //Кн. Монокристаллы и техника, ВНИИ монокристаллов Харьков, 1974, вып.2, с.41-47

155. Волынец Ф.К., Тихонова Н.П., Вараксина И.Т. О природе оптической неоднородности кристаллов рубина. //Оптико-механическая промышленность, 1964, №8, с.37-40

156. Бородин В.А., Татарченко В.А., Чернышева Л.И. и др. Влияние тепловых условий процесса на огранку монокристаллов корунда, полученных способом Вернейля. //Кристаллография, т.25, вып. 3 с.590-594

157. Арзуманян Г.А., Багдасаров Ч.С., Ряднов С.Н. Влияние скорости выращивания на распределение газообразующих примесей в кристалле лейкосапфира. //Сб. КГУ, 1987, с.29

158. Грум-Гжимайдо C.B., Пастернак Л.Б., Свиридов Д.Т. и др. Спектры рубина. //Сб. Спектроскопия кристаллов М., Наука, 1966, с. 168-182.

159. Волынец Ф.К., Воробьев В.Г., Сидорова Е.А. РЖ-полосы поглощения в кристаллах корунда. //Ж-л прикладная спектроскопия, 1969, т. 10, №6, с.981

160. Багдасаров Х.С., Федоров Е.А., Белых И.Г. Энергия границ блоков, параллельных плоскости (1120) с осями поворота вдоль 1100. в кристаллах лейкосапфира. //Кристаллография, 1977, т.22, вып.4, с.888-889

161. Добровинская Е.П. Влияние термического отжига на дефектность структуры монокристаллов. //Сб. Рост и дефекты в металлических кристаллов. Наукова думка, Киев, 1972, с.284

162. Сидорова Е.А., Волынец Ф.К., Королев Е.А. О центрах окраски в гамма-облученном рубине с примесью ванадия. //Ж-л. Прикладной спектроскопии, 1972, т.17, №5, с.781

163. Данилейко Ю.К., Маненков A.A., Прохоров A.M. и др. Оптическая однородность кристаллов рубина и ее связь с расходимостью ОКГ. //Физика твердого тела, 1968, т. 10, вып.9, с.2738-2744

164. Современная кристаллография. Наука, М., 1980, т.З, 186 с.

165. Ананьев Ю.А. Оптические резонаторы и проблема расходимости лазерного пучка. М., 1979, 109 с.

166. Акуленок K.M., Багдасаров Х.С., Попков B.C. и др. Влияние блочной структуры и плоскостей скольжения на расходимость лазерного излучения кристаллов рубина. //Кристаллография, 1967, т. 12, с.286

167. Годжаев Н.М. Оптика Издание З.Ш., М., 1977, с. 196.

168. Смирнов Ю.М. Симметрийно-термодинамический анализ захвата примеси при росте кристаллов из расплава. //Сб. Физика кристаллизация, КГУ, Калинин, 1987, с. 15-23

169. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах. М., 1957

170. Котрелл А. Теория дислокаций. Изд. Мир, М., 1969

171. Холл Д. Введение в дислокации. АтомИздат, 1968, 277 с.

172. Сидорова Е.А. Центры окраски в кристаллах корунда. ГОИ, Л., 1974, 21с. Автореф. канд. дисс.

173. Инденбом В.Н. К теории образования напряжений и дислокаций при росте кристаллов. //Кристаллогарфия, 1964, т.9, №1.

174. Брызгалов А.Н., Никитичев П.И., Клещев Г.В. и др. Формирование кристаллов корунда. //Сб. Вопросы физики твердого тела, Челябинск, 1976, с. 113-119

175. Брызгалов А.Н., Буренин Н.П., Мусатов М.И. Влияние анизотропии скорости роста кристаллов корунда на их внутреннее строение. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1981, с. 17

176. Брызгалов А.Н., Романова Г.И. Распределение дислокаций в объеме кристаллов корунда. //Сб. КГУ, Калинин, Физика кристаллизации, 1987, с.69-72.

177. Брызгалов А.Н., Эмирбеков Э.Т., Романова Г.И. Влияние примеси титана на образование центров окраски рубина, полученного способом Вернейля. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1992, с.82-86

178. Брызгалов А.Н., Романова Г.И., Бессонова Л.А. Влияние концентрации примеси титана на внутреннее строение кристаллов рубина, полученных способом Вернейля. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1982, с.46-52.

179. Брызгалов А.Н., Романова Г.И., Трофимов В.Г. Влияние примеси титана на внутреннее строение кристаллов рубина, полученных способом Вернейля. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1983, с.58-64.

180. Брызгалов А.Н., Тихонова Н.П., Пучков В.Н. Связь расходимости лазерного пучка с распределением примеси хрома и структурой2SÏкристаллов рубина. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1982, с.58-62.

181. Халилов JI.M., Брызгалов А.Н. Влияние термической обработки на дефектность кристаллов корунда. //Сб. Физика кристаллизации, ТГУ, Тверь, 1992, с.77-82

182. Брызгалов А.Н., Буренин Н.П., Никитичев П.И. Роль пассивных граней в формировании кристаллов корунда, получаемых гидротермальным методом. //Материалы Челябинской научно-практической конференции по физике и химии твердого тела, Челябинск, 1981, с.34-35

183. Брызгалов А.Н., Романова Г.И., Буренин Н.П. Влияние субструктуры кристаллов рубина на расходимость лазерного излучения. //Материалы научно-практической конференции по физике и химии твердого тела, Челябинск, 1981, с.71-72

184. Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. Влияние термической обработки на совершенство кристаллов корунда. //Сб. Химия твердого тела, Свердловск, УрГУ, 1989, с.66-72.

185. Сильченко В.Г., Гриценко М.М. Содержание хрома в рубине в зависимости от содержания его в исходной шихте. //Кристаллография, 1964, т.9, вып.5, с.763

186. Урусов B.C. Энергетическая теория изовалентного изоморфизма. //М., Геохимия, 1970, №4, с.510-5242 $6

187. Зелигман Э.Б., Казуров Б.К., Красенкова С.Д. О некоторых физико-химических условиях выращивания монокристаллов методом Вернейля. //Сб. Рост кристаллов, Наука, М., 1972, с. 158

188. Кузнецов В.А. Скорости роста граней корунда в гидротермальных условиях. //Кристаллография, 1964, т.9, вып.1

189. Брызгалов А.Н., Зубов A.C., Ивашинников В.Т. и др. Метод исследования электрокорунда. //Заводская лаборатория, М., 1979, №1, т.45, с.33-35

190. Брызгалов А.Н., Слепченко Б.М., Беляев В.Д., Романова Г.И. Зависимость совершенства кристаллов КГВ от способа выращивания и концентрации примеси неодима. //Сб. Физика кристаллизации, Тверь, ТГУ, 1994, с.54-56

191. Трупов В.К., Ефремов В.Н. Кристаллохимия и свойства двойных молибденов и вольфраматов. JL, Наука, 1986, 163 с.(с.20)

192. Мохосев М.В., Алексеев Ф.П., Лущик В.И. Диаграммы состояния молибдатных и вольфраматных систем. Новосибирск, Наука, 1978, 320 с.

193. Мохосев М.В., Алексеев Ф.П., Бутуханов В.Л. Двойные молибдаты и вольфраматы. Новосибирск, Наука, 1981, 135 с.

194. Арсеньев П.А., Кустов Е.Ф. Элементы квантовой электроники. 4.1 Монокристаллы гранатов. Методы получения. //Спектроскопические и лазерные параметры. М., Из-во МЭИ, 1973

195. Багдасаров Х.С., Карпов И.И., Гречушников Б.Н. Выращивание кристаллов иттрий-алюминиевого граната. //Обзор по электронной технике. Квантовая электроника, М., 1976, сер. 10, вып.1, 106 с.

196. Каминский H.A. Лазерные кристаллы. М., Наука, 1975

197. Рябцов Н.Г. Материалы квантовой электроники. //М., Советское радио, 1972.

198. Савитский Е.М., Бурханов Г.С. Монокристаллы тугоплавких и редких металлов. М., Наука, 1972

199. Арсеньев П.А., Кустов Е.Ф., Ли Л. И др. О дефектах монокристаллов гранатов, выращенных методом оптической зонной плавки. //Кристаллография, 1968, т. 13, вып.4, с.740-742

200. Александоров В.И, Осико В.В., Прохоров А.Н., Татаринцев В.М. Новый метод получения тугоплавких кристаллов и плавленных керамических материалов. //Вест. АН СССР, 1973, №12, с.29-39

201. Ерофеев В.Н., Мелентьев А.Г., Старцев С.А. и др. Влияние формы фронта кристаллизации на радиальное распределение примеси стронция и натрия в кристаллах хлористого калия. //Кристаллография, 1980, т.25, вып. 1, с. 197-198.

202. Мусатов М.И. Кристаллы АИГ, полученный способом ГОИ. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1981, с. 10-13

203. Мильвидский М.Г. Форма фронта кристаллизации и характер распределения примеси по поперечному сечению монокристаллов, выращенных по методу Чохральского. //Кристаллография, 1961, т.6, вып.5, с.803

204. Степанцов Е.А., Говорков В.Г., Харитонов Ю.А. и др. Спайность кристаллов АИГ. //Кристаллография, 1980, т.25, вып.2, с.427

205. Белов Н.В. Структура ионных кристаллов и металлических фаз. //Изв. АН СССР, 1947.

206. Захарько Я.М., Захарько М.М., Сенькеев В.А. Рентгено и термолюминесценция кристаллов АИГ с примесью хрома. //Сб. Радиационные эффекты в монокристаллах, АН УзССР, 1973.

207. Бычков В.З., Федулов С.А., Власов A.C. и др. Выращивание монокристаллов АИГ с примесью неодима. //Кристаллография, 1969, т.14,вып.6,с.1115-1116

208. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. Мир, М., 1974, 536 с.2fS

209. Гилман Дж., Джонстон Г., Сире Дж. Сб. Элементарные процессы роста кристаллов. И.Л., 1959, 320 с.

210. Вахидов А. Радиационно-стимулированные явления. //Сб. Радиационные эффекты в монокристаллах. ФАН УзССР, Ташкент, 1973, 197 с.

211. Вансовсий C.B. Магнетизм микрочастиц. М., Наука, 1973

212. Багдасаров Х.С. Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов. //Сб. Рост кристаллов, т.11, Ереван, 1975.

213. Иванов Г.Г., Ковалева Н.С. Вхождение и распределение РЗЭ в кристаллах АИГ. //Сб. Монокристаллы и техника, Харьков, 1970, вып.З, с. 121-127

214. Багдасаров Х.С., Дедух Л.М., Жижейко И.А. и др. Исследование дислокационной структуры и оптических неоднородностей монокристаллов АИГ. //Кристаллография, 1970, т. 16, вып.2, с.334-400

215. Скорнякова К.П., Письменный В.А. Морфология кристаллов АИГ и ее связь с условиями роста. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1979.

216. Петросян А.Г., Багдасаров Х.С., Бужаева Т.И. и др. Зависимость коэффициента распределения неодима в монокристаллах АИГ от условий кристаллизации. //Кристаллография, 1975, т.20, вып.5, с. 10891090.

217. Мейльман М.Л., Коломийцев А.И., Володина И.С. и др. Определение концентрации неодима в АИГ методом абсорбционной спектрофотометрии. //Прикладная спектроскопия, М., 1982, т.38, №5, с.755-759

218. Брызгалов А.Н., Эмирбеков Э.Т., Иванов А.О. Зависимость субструктуры кристаллов АИГ от условий выращивания. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 19812*3

219. Брызгалов А.Н., Эмирбеков Э.Т. Аксеновских А .Я., Письменный В.А. Распределение примеси неодима в кристаллах АИГ, полученных способом направленной кристаллизации. //Сб. Физика кристаллизации, КГУ, Калинин, 1990, с.65-70

220. Брызгалов А.Н., Эмирбеков Э.Т., Иванов O.A. Зависимость дефектности монокристаллов АИГ с примесью неодима от условий выращивания. //Материалы научно-практической конференции по физике и химии твердого тела, Челябинск, 1981, с.35-36

221. Клещев Г.В., Шумилов Д.В., Парфенов А.Г. и др. О модулированной структуре в сплавах. //Сб. Физика твердого тела, 1969, т.11, с.3587-3589

222. Брызгалов А.Н., Эмирбеков Э.Т., Письменный В.А. Распределение примеси неодима в кристаллах АИГ, полученных способом направленной кристаллизации. //Сб. КГУ, Калинин. 1990, с.65-69

223. Багдасаров Х.С., Карпов И.И., Гречушников Б.Н. Выращивание кристаллов АИГ. //Обзор по электронной технике. Квантовая электроника, М., 1976, сер. 10, вып.1, 96 с.

224. Фридель Дислокации. М., 1967, 664 с.

225. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах. М., 1957.

226. Гилман Дж., Джонстон В. Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития. //В кн. Дислокации и механические свойства кристаллов. М., 1960, с.82-116

227. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., ВШ, 1983, 143 с.

228. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. //Наука, 1981,215 с.

229. Кабрера Н., Кальман Р.В. Теория и практика выращивания кристаллов. Металлургия, М., 1968, с.9

230. Чернов A.A. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов. //Кристаллография, 1971, т. 16, вып.4, с.842-863.но

231. Джексон К., Ульман Д., Хант Дж. О механизме роста кристаллов из расплава. //Сб. Проблемы роста кристаллов, Изд. Мир, М., 1968.

232. Трейбус Е.Б. Термодинамическая трактовка неравновесных форм кристаллов. //Кристаллография, 1967, т. 12, вып.З

233. Пригожин И. Введение в термодинамику неравновесных процессов. М., 1960.

234. Сыркин Я.К. Эффективные заряды и электроотрицательность. //Успехи химии, 1962, т.31, вып.4, с.397-416

235. Mackenzie I.D., J.L. White The Si-O-Si Angle and the structure of vitreaus silica. //J. Cer. Soc., 1960, vo.43, №3, p.170-171

236. Ушакова В.И., Клементьев B.A., Зацепин А.Ф. Анизотропия экзоэммисионных свойств кристаллов кварца. //Сб. Радиационные стимулированные явления в твердых тела. Свердловск, УПИ, 1982, вып.4, с.63-66

237. Дэна Дж. Дэна Э.С. ,Фридель К. Система минералогии. Т.З, Минералы кремнезема. М., Мир, 1966

238. Танеев И.Г. К вопросу о механизме миграции кремнезема в гидротермальных растворах. //ДАН СССР, 1974, т.24, №5, с. 1175

239. Марфутин А. С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные спектры в минералах. М., Наука, 1975, с.57-72

240. Harrison W.A. Electronic ctructure and the propertes of solids. //San-Francisco, 1980, p.257-290

241. Gilbert T.L, W.J. Stevens Chemical Bonding effects in the К a X-ray emission Bonds of Silicat. //Phys. Rev., 1973, Bd.8, №12, p.5977-5998

242. Pantelides S.J., W.A. Harison Electronic structure, spektra and properties of 4:2- coordinated materias. Cristalline and amorphaus Si02 and Ge02. //Phys. Rev, 1976, vol.13, №6, p.2667-26892Ы

243. Фейнман Р., Лейтон Р., Сендс М. Фейнмановские лекции по физике. М.: Мир, 1966.- т.7, с.54-62.

244. Кэди У. Пьезоэлектричество и его практическое применение. М.: И. Л., 1949,с.92-118.

245. Авторское свидетельство №1550943 на изобретение: «Способ выращивания монокристаллов кварца». СССР, 1989. Автор Брызгалов А.Н. и др. Заявители: Ленинградский институт точной механики и оптики, Челябинский государственный педагогический институт.

246. Авторское свидетельство №1651603 на изобретение: «Способ обработки кристаллов алюмоиттриевого граната», СССР, 1991. Автор: Брызгалов А.Н. и др. Заявители: Челябинский государственный педагогический институт.