Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Акимов, Илья Андреевич

• Акимов, Илья Андреевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Акимов, Илья Андреевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I: Свойства горячих электронов в объемном ОаАв и структурах с изолированными КЯ СаАзАМАз

§1.1. Излучательная рекомбинация фотовозбужденных электронов в объемном ОаАв

§ 1.2. Особенности выстраивания импульсов и ориентации спинов фотовозбужденных электронов в КЯ ОаАз/АЬ^

§1.3. Поляризация ГФЛ в магнитном поле для объемного полупроводника и КЯ

§1.4. Основные механизмы рассеяния горячих электронов в объемном

СаАз и КЯ СэАбЛМАз.

ГЛАВА II: Методика эксперимента

§2.1. Экспериментальная установка

§2.2. Исследованные образцы и их параметры

ГЛАВА III: Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов переходе от 2Т> к ЗБ системе

§3.1. Поляризация ГФЛ в СР ОаАя/АШ

3.1.1 Зависимость поляризации ГФЛ от кинетической энергии фотовозбужденных электронов

3.1.2 Энергетическое распределение поляризации по бесфононному пику ГФЛ.

§3.2. Поляризация ГФЛ в магнитном поле в СР СаАв/АЗАв

3.2.1. Поляризация ГФЛ в продольном магнитном поле геометрия Фарадея)

3.2.2. Особенности поведения линейной поляризации ГФЛ в поперечном магнитном поле (геометрия Фойхта)

3.2.3. Возникновение линейно поляризованной ГФЛ в поперечном магнитном поле при возбуждении неполяризованным светом

§3.3. Поляризация ГФЛ в СР ОаАб/А1хОа]хАз. Зависимость от высоты барьера

3.3.1. Линейная поляризация ГФЛ в СР при переходе к объемному полупроводнику

3.3.2. Восстановление эффекта спин-импульсной корреляции в СР 58 Выводы по главе III

ГЛАВА IV: Энергетическая и импульсная релаксация горячих электронов в КЯ ОаАз/А1А8 и-типа

§4.1. Горячая фотолюминесценция в КЯ, легированных кремнием

§4.2. Неупругое рассеяние горячих электронов на нейтральных донорах вКЯи-типа

§4.3. Динамика процессов рассеяния горячих электронов в зависимости от температуры

§4.4. Особенности рассеяния горячих электронов в КЯ на границе перехода между структурами I и П типа

Выводы по главе IV

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As»

Актуальность темы. Исследование низкоразмерных полупроводниковых систем важно не только для развития общих представлений в физике твердого тела, но и для создания новых полупроводниковых приборов современной электроники. С практической точки зрения изучение таких систем позволяет уменьшить размеры, повысить степень интеграции и увеличить быстродействие полупроводниковых элементов микроэлектроники. С точки зрения фундаментальной науки изучение низкоразмерных систем позволяет понять основные закономерности взаимодействия квазичастиц в условиях, когда их спектр существенно модифицируется за счет эффектов размерного квантования. Для изучения этих явлений на ряду с другими методами исследования успешно используются оптические методы. Большие возможности для изучения кинетики горячих носителей в низкоразмерных структурах открываются при использовании метода поляризованной магнитооптической спектроскопии горячей фотолюминесценции (ГФЛ). Анализ поляризационных характеристик ГФЛ дает важную информацию о распределении импульсов и спинов горячих электронов, а также их энергетической и импульсной релаксации.

Весьма удобным объектом для изучения фундаментальных свойств горячих электронов оптическими методами являются низкоразмерные структуры на основе полупроводниковых соединений ОаА8/А1хОа1хА8. Современный уровень технологии низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур позволяет получать наноструктуры с толщинами слоев в несколько постоянных решетки. При этом имеется возможность изменять в широких пределах состав слоев и получать структуры с заданным распределением примесей. Вследствие этого становится возможным изучение свойств фотовозбужденных носителей, при плавном переходе от двумерной (изолированные квантовые ямы - КЯ) к квазитрехмерной (сверхрешетка - СР), и далее к трехмерной (объемный полупроводник) системе. Кроме этого интересным представляется исследование особенностей рассеяния горячих носителей на примесях в структурах с квантовыми ямами. Очевидно, что такие исследования позволяют оптимизировать параметры, важные для быстродействия электронных приборов.

Все вышесказанное определяет актуальность темы диссертационной работы, целью которой явилось изучение свойств фотовозбужденных горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках ОаАб/А1хОа1 хАз.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые: а) Изучено влияние формирования электронной минизоны в СР на выстраивание импульсов и ориентацию спинов фотовозбужденных электронов. б) Исследован переход от двумерного характера импульсного выстраивания и спиновой ориентации фотовозбужденных электронов к пределу объемного полупроводника. в) Исследованы процессы рассеяния горячих электронов и их динамика в зависимости от температуры в структурах с КЯ ОаАБ/МАлз «-типа. Впервые экспериментально обнаружено уменьшение поляризации ГФЛ за счет возрастания роли упругих столкновений. Измерены время ухода из начального энергетического состояния и время импульсной релаксации при рассеянии горячих электронов на нейтральных донорах, свободных электронах и заряженных центрах. г) Обнаружены и исследованы особенности энергетической и импульсной релаксации горячих электронов в КЯ СаАз/МАя «-типа вблизи перехода между структурами I и II типа.

Научное и практическое значение работы состоит в том, что в ней получен ряд новых результатов по оптическому выстраиванию импульсов и ориентации спинов фотовозбужденных электронов при переходе от двумерной (2и - изолированные КЯ) к трехмерной (ЗБ - объемный полупроводник) системе, а также по энергетической и импульсной релаксации горячих электронов в антимодулированных КЯ «-типа. Основные выводы отражают общие закономерности, присущие структурам с КЯ, и поэтому имеют большое значение для фундаментальной науки. Кроме этого полученные результаты имеют большое практическое значение, поскольку они определяют транспортные характеристики электронной системы и тем самым позволяют оптимизировать быстродействие современных приборов микроэлектроники.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Образование электронной минизоны в СР ОаДз/АМла^хАв приводит к появлению квазитрехмерного характера движения электронов. При этом заметно изменяется функция импульсного распределения фотовозбужденных электронов, которая сильно зависит от соотношения между кинетической энергией рождающихся электронов Е и энергетической шириной электронной минизоны А. Электроны, рождающиеся с Е < А, движутся вдоль направления СР, в то время как электроны, рождающиеся с Е > А, движутся преимущественно в плоскости ям. Особенности анизотропного импульсного распределения фотовозбужденных электронов в СР с "узкими" минизонами ярко проявляются в зависимостях линейной поляризации ГФЛ от магнитного поля в геометрии Фойхта. Изменение волнового вектора вдоль оси СР во времени в такой геометрии описывается уравнением математического маятника.

2. Переход от квазитрехмерного характера импульсного выстраивания и спиновой ориентации фотовозбужденных электронов к пределу объемного полупроводника происходит, когда ширина первой электронной минизоны сравнивается с шириной первой запрещенной зоны СР. Это условие является пределом применимости приближения сильной связи для вычисления матричных элементов межподзонных оптических переходов. Эффект спин-импульсной корреляции, характерный для объемного материала, но отсутствующий в КЯ, восстанавливается в СР с увеличением ширины их минизон.

1 1 'Л

3. В КЯ ОаАз/АЬАз и-типа с концентрацией -10 см при низких температурах основным механизмом энергетической релаксации горячих электронов наряду с испусканием полярных оптических фононов является неупругое рассеяния на нейтральных донорах с их ионизацией. Эффективное сечение рассеяния быстрых электронов на нейтральных донорах приблизительно в 6 раз больше эффективного сечения при неупругом рассеянии на нейтральных акцепторах. При высоких температурах, когда доноры ионизованы, основными механизмами рассеяния наряду с электрон-фононным взаимодействием являются неупругое электрон-электронное рассеяние и упругое рассеяние на заряженных центрах.

4. В узких КЯ п-типа вблизи перехода 1-П тип с повышением температуры происходит уход "донорных" электронов из Г-долины ОаАв в Х-долину А1Аб. Это приводит к существенному уменьшению вероятности ухода горячих электронов из начального энергетического состояния. Основным механизмом энергетической релаксации горячих электронов при высоких температурах становится рассеяние с испусканием полярных оптических фононов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались: на Международном симпозиуме "Наноструктуры: Физика и технология" (С. Петербург 1996); на 23-ей Международной конференции по физике полупроводников (Берлин, Германия, 1996); международной школе по физике полупроводниковых материалов (Яжовиц, Польша, 1996); на 10-ой Международной конференции по динамике неравновесных носителей в полупроводниках (Берлин, Германия, 1997); на 24-ой Международной конференции по физике полупроводников (Иерусалим, Израиль, 1998), на Городских научных конференциях студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (С. Петербург, 1997, 1998), на Международном семинаре по оптоэлектронике (С.-Петербург, Россия, 1998);

Основное содержание диссертации опубликовано в 6 научных статьях, перечень которых приведен в конце диссертации [А1-А6].

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 57 наименований. Общий объем работы - 103 страницы, включая 24 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Акимов, Илья Андреевич

Основные выводы, полученные в данной работе приведены в конце каждой главы. Наиболее важные результаты могут быть сформулированы следующим образом.

1. Образование электронной минизоны в СР заметно изменяет поляризационные характеристики ГФЛ. Квазитрехмерный характер движения электронов в "узкозонных" СР приводит к тому, что поляризация ГФЛ сильно зависит от соотношения между кинетической энергией электронов Е и шириной электронной минизоны А. Это объясняется тем, что электроны, рождающиеся с Е < А движутся вдоль СР, в то время как электроны, рождающиеся с Е > А, движутся преимущественно в плоскости ям. Предложен оптический метод определения А в СР.

2. Особенности сильно анизотропного импульсного распределения фотовозбужденных электронов в СР с "узкими" минизонами ярко проявляются в зависимостях линейной поляризации ГФЛ от магнитного поля в геометрии Фойхта. Изменение волнового вектора вдоль направления СР во времени в такой геометрии описывается уравнением математического маятника.

3. Исследование поляризации ГФЛ в СР в зависимости от высоты барьеров (ширины электронных и дырочных минизон) показали: а) зависимость линейной поляризации ГФЛ от кинетической энергии фотовозбужденных электронов претерпевает существенные изменения при переходе от СР с "узкими" минизонами к "пшрокозонным" СР, становясь сходной с соответствующей зависимостью в объемном ОаАв. б) уменьшение циркулярной поляризации в продольном магнитном поле (геометрия Фарадея), которое возникает в СР с увеличением ширины их минизон, ясно свидетельствует о восстановлении эффекта спинимпульсной корреляции, характерного для объемного GaAs, но отсутствующего в структурах с изолированными КЯ. При этом поляризационные характеристики для "узкозонных" CP хорошо описываются в приближении сильной связи. Из результатов (а) и (б) следует, что переход от квазитрехмерного характера выстраивания импульсов и ориентации спинов фотовозбужденных электронов к пределу объемного полупроводника происходит, когда ширина первой электронной минизоны сравнивается с шириной первой запрещенной зоны СР. Это условие является пределом применимости приближения сильной связи для вычисления матричных элементов межподзонных оптических переходов.

4. Обнаружено, что в КЯ GaAs/AlAs «-типа с концентрацией доноров Nd > 1011 см"2 при низких температурах основным механизмом энергетической релаксации горячих электронов наряду с испусканием полярных оптических фононов является неупругое рассеяние на нейтральных донорах - рассеяние. Эффективное сечение рассеяния приблизительно в 6 раз больше сечения неупругого рассеяния на нейтральных акцепторах.

5. В КЯ «-типа при высоких температурах, когда доноры ионизованы, основными механизмами рассеяния наряду с электрон-фононным взаимодействием являются неупругое электрон-электронное рассеяние и упругое рассеяние на заряженных центрах. Вероятность ухода горячих электронов из начального энергетического состояния за счет электрон-электронного рассеяния (е-е рассеяние) становится сравнимой с вероятностью ухода за счет испускания полярных оптических фононов при концентрациях электронного газа «2d « Ю11 см-2. Вероятность ухода при е-е рассеянии меньше чем при рассеянии приблизительно в 2-3 раза.

6. В КЯ GaAs/Al As «-типа вблизи перехода I — II тип с повышением температуры наблюдается сильное уменьшение вероятности рассеяния горячих электронов. При этом основным механизмом энергетической

95 релаксации электронов становится электрон-фононное взаимодействие. Это обусловлено уходом "холодных" электронов из Г-долины ОаАв в Х-долину А1Аз при ионизации нейтральных доноров.

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить искуренную благодарность своему научному руководителю академику РАН Борису Петровичу Захарчене, а также докторам физико-математических наук Виктору Федоровичу Сапеге и Давиду Наумовичу Мирлину за руководство и помощь в процессе выполнения данной работы. Автор также признателен за полезные обсуждения Владимиру Иделевичу Перелю, за предоставленные структуры Виктору Михайловичу Устинову, за внимание к работе Андрею Александровичу Сиренко.

Публикации по диссертации

А1. В.Ф.Сапега, В.И.Перель, А.Ю.Добин, Д.Н.Мирлин, И.А.Акимов, Т.Руф, М.Кардона, К.Эберл, "Поляризация горячей фотолюминесценции в сверхрешетках GaAs/AlAs" // Письма в ЖЭТФ, 63(4), 285-289, (1996).

А2. V.F.Sapega, УЛ.РегеГ, A.Yu.Dobin, D.N.Mirlin, I.A.Akimov, T.Ruf, M.Cardona, K.Eberl, "Hot luminescence polarization in GaAs/AlAs superlattices" // In: Proceedings of the XXIII International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann, Berlin (Singapoure: World Scientific) 3,1711-1714 (1996).

A3. V.F.Sapega, V.I.Perel', A.Yu.Dobin, D.N.Mirlin, I.A.Akimov, T.Ruf, M.Cardona, K.Eberl, "Study of the Two-Dimensional to Quasi-Three-Dimensional Transition in GaAs/AlAs superlattices by polarized hot photoluminescence" // Phys. Stat. Sol (b) 204,141-146 (1997).

A4. V.F.Sapega, V.I.Perel', A.Yu.Dobin, D.N.Mirlin, I.AAkimov, T.Ruf, M.Cardona, K.Eberl, "Miniband effects on hot-electron photoluminescence polarization in GaAs/AlAs superlattices"//Phys. Rev. В 56(11), 6871-6879 (1997).

A5. В.Ф.Сапега, В.И.Перель, Д.Н.Мирлин, И.А.Акимов, Т.Руф, М.Кардона, В.Винтер, К.Эберл, "Проявление эффектов размерности в горячей фотолюминесценции арсенида галлия: исследование 2D - квази-ЗО перехода" // ФТП 33(6), 738-741 (1999).

А6. И.А.Акимов, В.Ф.Сапега, Д.Н.Мирлин, Б.П.Захарченя, А.А.Сиренко, В.М.Устинов, А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров. - Неупругое рассеяние горячих электронов на нейтральных донорах в квантовых ямах GaAs/AlAs, сильно легированных кремнием. // ФТП 33(10), 1235-1239 (1999).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Акимов, Илья Андреевич, 2000 год

1. В. И. Земский, Б. П. Захарченя, Д. Н. Мирлин, "Поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа GaAs" // Письма в ЖЭТФ 24 (2), 96-99 (1976).

2. Б. П. Захарченя, В. И. Земский, Д. Н. Мирлин, "Поляризационная зависимость в спектре горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа GaAs и их связь с процессами импульсной и спиновой релаксации" // ФТТ 19 (6), 1725-1732 (1977).

3. D. N. Mirlin, I. Ya. Karlik, L. P. Nikitin, 1.1. Reshina, V. F. Sapega, "Hot Electron Photoluminescence in GaAs Crystals" // Sol. St. Commun., 37, 757760 (1981).

4. Б. П. Захарченя, Д. H. Мирлин, В. И. Перель, И. И. Решина, "Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках" // УФН, 136 (3), 459-499 (1982).

5. S. A. Lyon, "Spectroscopy of Hot Luminescence in Semiconductors" // Journal of Luminescence 35,121-154 (1986).

6. M. А. Алексеев, И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, В. Ф. Сапега, "Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках" // ФТП 23(5), 761-779 (1989).

7. В. Д. Дымников, Д. Н. Мирлин, В. И. Перель, И. И. Решина, "О линейной поляризации горячей фотолюминесценции в кристаллах арсенида галлия" // ФТТ 20(7), 2165-2172 (1978).

8. В. Д. Дымников, В. И. Перель, А. Ф. Полупанов, "Вероятность оптических переходов зона проводимости акцептор в арсениде галлия" // ФТП 16 (2), 235 (1982).

9. В. Д. Дымников, М. И. Дьяконов, В. И. Перель, "Анизотропия импульсного распределения фотовозбужденных электронов и поляризация ГФЛ в полупроводниках" // ЖЭТФ 71,2373-2380 (1976).

10. М. А. Алексеев, И. Я. Карлик, И. А. Меркулов, Д. Н. Мирлин,

11. Л. П. Никитин, В. Ф. Сапега, "Циркулярная поляризация ГФЛ и спиновая деполяризация горячих электронов в кристаллах арсенида галлия" // ФТТ 26, 3369 (1984).

12. D. N. Mirlin and V. I. Perel', "Hot photoluminescence in quantum-well structures under continuous wave pumping" // Semicond. Sci. and Technol 7, 1221-1229(1992).

13. B. P. Zakharchenya, P. S. Kop'ev, D. N. Mirlin, D. G. Polyakov, 1.1. Reshina, V. F. Sapega and A. A. Sirenko, "Optical Alignment of Two Dimensional Electron Momenta in Multiple Quantum Well Structures" // Solid State Commun. 69(2), 203-206 (1989).

14. П.С.Копьев, Д.Н.Мирлин, Д. Г. Поляков, И.И.Решина, В.Ф.Сапега, А.А.Сиренко, "Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния" // ФТП 24 (7), 1200-1208 (1990)

15. J. A. Kash, М. Zachau, М. A. Tischler, and U. Ekenberg, "Anisotropic Valence Bands in Quantum Wells: Quantitative Comparison of Theory and Experiment" //Phys. Rev. Lett. 69(15), 2260-2263 (1992).

16. M. Zachau, J. A. Kash, and W. T. Masselink, "Measurement of the Hole Dispersion in a Quantum Well by Hot-Electron-Acceptor luminescence" // Phys. Rev. В 44(8), 4048-4051 (1991).

17. Д.Н.Мирлин, В.Ф.Сапега, А.А.Сиренко, М.Кардона, К.Плуг, "Энергетическая зависимость параметров поляризации горячей фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами" // ФТП 27 (6), 990-995 (1993).

18. И. А. Меркулов, В. И. Перель и М. Е. Портной, "Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в квантовых ямах" // ЖЭТФ 99(4), 1202-1214 (19£1).

19. В. Д. Дымников, "Магнитные осцилляции распределения по импульсам горячих фотовозбужденных электронов в полупроводниках" // ЖЭТФ 77(3), 1107-1123(1979).

20. Ландау Л. Д. и Лифшиц Е. М. Теория поля. М.: Наука, 1973.

21. И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, Л. П. Никитин, Д. Г. Поляков, В. Ф. Сапега, "Разрушение магнитным полем корреляции между спинами и импульсами фотовозбужденных электронов в кристаллах GaAs" // Письма в ЖЭТФ 36 (5), 155-157 (1982)

22. J. A. Kash, J. С. Tang, and J. A. Hvam, "Subpicosecond Time-Resolved Raman Spectroscopy of LO Phonons in GaAs" // Phys. Rev. Lett. 54(19), 2151-2154 (1985).

23. И. Я. Карлик, Д. H. Мирлин, В. Ф. Сапега, "Вероятность междолинных Г-L переходов в кристаллах арсенида галлия" // ФТП 21 (6) 1030-1032 (1987).

24. D. N. Mirlin, I. Ya. Karlik, V. F. Sapega, "Intervalley Г-Х Scattering Rate in Gallium Arsenate Crystals" // Solid State Commun. 65 (3), 171-172 (1988).

25. R. G. Ulbrich, J. A. Kash, and J. C. Tsang, "Hot-Electron Recombination at Neutral Acceptors in GaAs: A cw Probe of Femtosecond Intervalley Scattering" // Phys.Rev. Lett. 62(8), 949-952 (1989).

26. S. Zollner, S. Gopalan, and M. Cardona, "Effective Intervalley Deformation Potentials in the Description of Time-Resolved and Hot-Electron Luminescence" // Solid State Commun. 76(7), 877-879 (1990).

27. P. Y. Yu, and M. Cardona in Fundamentals of Semiconductors. Springer, Berlin, 1996.

28. Д. Н. Мирлин, Б. П. Захарченя, И. И. Решина, А. В. Родина, В. Ф. Сапега,

29. A. А. Сиренко, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, "Горячая люминесценция и электрон-фононное взаимодействие в структурах с квантовыми ямами" // ФТП, 30 (4), 699-705 (1996).

30. Ландау Л. Д. и Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974, стр. 705-712.

31. I. I. Reshina, D .N. Mirlin, V. I. Perel, A. Yu. Dobin, A. G. Agranov and

32. B. Ya. Ber, "Inelastic Hot Electron Scattering by Neutral Acceptors in GaAs/AlAs Multiple Quantum Well Structures" // Sol. St. Commun., 103 (3), 151-154(1997).

33. Д. H. Мирлин, В. И. Перель, И. И. Решина, "Рассеяние горячих электронов нейтральными акцепторами в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs" // ФТП 32 (7), 866-875 (1998).

34. J. A. Kash, "Carrier-Carrier Scattering: An Experimental Comparison of bulk GaAs and GaAs/AlxGaixAs Quantum Wells" // Phys. Rev. B, 48(24), 18336-18339(1993).

35. J. F. Young, P. J. Kelly, "Many-body treatment of hot-electron scattering from quasiequilibrium electron-hole plasmas and coupled plasmon longtitudinal-optic-phonon modes in GaAs" // Phys. Rev. В 47 (11), 6316-6329 (1993).

36. M. И. Дьяконов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, "Эффективный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках р-типа" // ФТП 11(7), 1364-1370 (1977).

37. Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1979.

38. С. L. Peterson and S. A. Lyon, "Observation of Hot-Electron Energy Loss through the Emission of Phonon-Plasmon Coupled Modes in GaAs" // Phys. Rev. Lett. 65 (6), 760-763 (1990).

39. G. Bastard, "Hydrogenic Impurity States in a Quantum Well: A Simple Model" // Phys. Rev. В 24 (8), 4714-4722 (1981).

40. К. Kash, J. Shah, "Carrier Energy Relaxation in Ino.53Gao.47As dtermined from picosecond luminescence studies" // Applied Phys. Lett. 45(4) 401-403 (1984).

41. Т. C. Damen, and J. Shah, "Femtosecond Luminescence Spectroscopy with 60 fs Compressed Pulses" // Applied Phys. Lett. 52(16) 1291-1293 (1988).

42. L. Rota, P. Lugli, T. Elsaesser, J. Shah, "Ultrafast Thermalization of Photoexcited Carriers in Polar Semiconductors" // Phys. Rev. 47(8), 4226-4237 (1993).

43. P. Supancic, U. Hohenester, P. Kocevar, D. Snoke, R. M. Hannak, W. W. Ruhle "Transport Analysis of the Thermalization and Energy Relaxation of Photoexcited Hot Electrons in Ge-doped GaAs" // Phys. Rev. В 53(12) 77857791 (1996).

44. Фефилов П. П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. -М.: Физматгиз, 1959.

45. Б. П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Р. И. Джиоев, Ю. П. Вещунов,

46. И. Б. Русанов, "Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs" // Письма в ЖЭТФ 13,195-197 (1971).

47. S. Adachi. "GaAs and Related Materials" World Scientific Publ. Co., Singapore 1994, p. 210-212.

48. А. И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников М., Наука, 1978 г., с. 231.

49. G. Bastard, "Superlattice Band Structure in the Envelope Function Approximation" //Phys. Rev. В 24(10) 5693-5697 (1981)

50. G. Bastard, "Theoretical Investigations of Superlattice Band Structure in the Envelope Function Approximation" //Phys. Rev. В 25(12) 7584-7597 (1982)

51. M. E. Портной, "Анизотропия линейной поляризации фотолюминесценции горячих электронов в квантовых ямах" // ФТП 25(12), 2150-2157 (1991).

52. Y. G. Chai, R. Chow, and C. E. C. Wood, "The Effect of Growth Conditions on Si Incorporation in Molecular Beam Epitaxial GaAs" // Applied Phys. Lett. 39(10), 800-803 (1981).

53. C. Harris, B. Monemar, H. Kalt, K. Kohler, and T. Schweizer, "A Photoluminescence Study of the Transition from Non-Degenerate to Degenerate

54. Doping in N-Type Silicon Doped GaAs/AlGaAs Quantum Wells" // In:it

55. Proceedings of 20 International Conference on Physics of Semiconductors, (Thessaloniki, Greece, 1990), p. 1377-1380.

56. C.Malhiot, Yia-Chung Chang, and T.C.McGill, "Energy Spectra of Donors in GaAs-GaixAlxAs Quantum Well Structures in the Effective-Mass Approximation" // Phys. Rev. B 26(8), 4449-4457 (1982).

57. R. L. Greene and K. K. Bajaj, "Energy Levels of Hydrogenic Impurity States in GaAs-Gai.xAlxAs Quantum Well Structures" // Solid State Commun. 45(9) 825829 (1983).

58. K. J. Moore, P. Dawson and C. T. Foxon, "Effects of Electronic Coupling on the Band Alignment of Thin GaAs/AlAs Quantum Well Structures" // Phys. Rev. B 38(5), 3368-3374 (1988).

59. D. Scalbert, J. Cernogora, C. Benoit, M. Maaref, F. F Charfi and R. Planel, "Nature of the Lowest Electron States in Short Period GaAs/AlAs Superlattices of Type II" // Sol. St. Commun.70, 945-949 (1989).103

60. H. W. van Kestern, E. C. Cosman, P. Dawson, K. J. Moore, and T.C.Foxon, "Order of the X Conduction Band Valleys in Type II GaAs/AlAs Quantum Wells" // Phys. Rev. B 39(18), 13426-13433.