Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Сизов, Дмитрий Сергеевич

• Сизов, Дмитрий Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сизов, Дмитрий Сергеевич

1

I. Литературный обзор

1. Потребности рынка в светоизлучающих приборах видимого диапазона. Основные применения, дисплеи, освещение, оптическая запись информации.

2. Исторические способы получения СИ структур видимого диапазона. Широкозонные соединения Н-У1, светодиоды на основе органических соединений, первые работы по исследованию нитридов третьей группы.

3. Получение эффективных инжекционных светоизлучающих приборов на основе нитридов третьей группы и реализация высокой эффективности излучательной рекомбинации при высокой концентрации прорастающих дислокаций. Роль локализации нервавновесных носителей заряда.

4. Основные свойства нитридов элементов третьей группы.

5. Исследования оптических свойств нитридов третьей группы и определение физической природы центров локализации.

6. Целенаправленное получение и исследование свойств 1пОаЫ КТ.

7. Получение и применение квантовых точек 1п(Оа)Аз.

II. Описание эксперимента

8. Описание технологии эпитаксиалыюго выращивания светоизлучающих приборов на основе III/N.

9. Описание методик характеризации.

III. Получение квантовых точек InGaN

10. Выращивание, характеризация и общие свойства квантовых точек InGaN.

11. Техника дефектоубирания в квантовых тчках.

12. Применение дефектоубирания в системе точек InGaN.

13. Влияние давления в реакторе на формирование квантовых точек InGaN.

14. Применение стимулированного фазового распада для усиления локализации в квантовых точках InGaN.

IV. Исследование квантовых точек InGaN и светоизлучающих приборов на их основе

15. Описание статистической модели электронно - оптических свойств массивов квантовых точек InGaN.

16. Верификация модели в системе квантовых точек InGaAs/GaAs.

17. Исследование электронно - оптических свойств структур с различной энергией активации.

18. Исследование кинетики выброса носителей из KT.

19. Температурные и мощностные зависимости ФЛ InGaN KT.

20. Особенности инжекции в структурах с InGaN/GaN квантовыми точками.

21. Подавление безызлучательных потерь, ответственных за квантовую эффективность.

22. Повышение температурной стабильности квантовой эффективности в светодиодах с глубокими квантовыми точками InGaN.

23. Неоднородная инжекция на излучательные уровни.

V. Влияние KT на характеристики лазерных структур.

24. Дизайн и выращивание лазерных структур на основе нитридов третьей группы.

25. Выжигание спектральных дыр в лазерных структурах с глубокими квантовыми точками InGaN.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств»

В последние годы все большее распространение в прикладной оптоэлектронике получают квантовые точки. Наиболее привлекательным является получение квантовых точек с помощью процессов самоорганизации. Преимущество использования квантовых точек заключается в их фундаментальных свойствах - полной локализации носителей тока и наличии дискретного спектра электронных состояний. Механизмы самоорганизации позволяют сравнительно легко формировать массивы квантовых точек с желаемыми свойствами.

Использование квантовых точек в полупроводниковых системах открывает возможности для создания принципиально новых полупроводниковые приборов, а также улучшения характеристик уже имеющихся типов приборов. Возможность интегрирования новых приборов с хорошо налаженной полупроводниковой технологической базой делает эти задачи весьма перспективными для развития полупроводниковой электроники. В связи с этим, большое число исследователей увлечено изучением процессов формирования КТ в различных полупроводниковых системах. Внимание исследователей также привлекает изучение особых свойств квантовых точек как теоретически, так и экспериментально. Благодаря прогрессу в технологии полупроводниковых квантовых точек, на сегодняшний день реализованы приборы на основе квантовых точек для разнообразных применений. Спектр этих приборов включает в себя лазеры для телекоммуникаций, записи и считывания информации, приборы для освещения и подсветки, источники одиночных фотонов и другие приборы.

Огромные потребности рынка светоизлучающих приборов видимого диапазона стимулируют работы по созданию и усовершенствованию высокоэффективных полупроводниковых источников света. К ним относятся, прежде всего, лазеры и светоизлучающие диоды. Для создания лазеров и светодиодов видимого диапазона весьма перспективной является полупроводниковая система нитридов элементов третьей группы. Это связано с тем, что ширина запрещенной зоны этих соединений и их твердых растворов может варьироваться в диапазоне, соответствующем энергиям фотонов в диапазоне от ультрафиолетового до инфракрасного. Другим привлекательным качеством нитридов элементов третьей группы являются их термическая и химическая стойкость. Однако, благодаря ряду технологических проблем, получение приборов на основе нитридов элементов третьей группы стало возможным лишь в течение последнего десятилетия. Несмотря на стремительный прогресс в развитии этого направления полупроводниковой технологии наблюдаемый в последние годы, многие физические свойства структур по-прежнему остаются не достаточно хорошо изученными. Этот факт несколько задерживает дальнейшее развитие технологии, поскольку затрудняет нахождение оптимальных технологических параметров. Не достаточно хорошо изучены как механизмы роста, так и свойства структур. В связи с этим, по-прежнему актуально исследование технологии эпитаксиального выращивания, и разработка методов характеризации и исследования структурных и электронно оптических свойств приборов и структур.

В связи с особенностями эпитаксиального роста нитридов элементов третьей группы, использование самоорганизующихся квантовых точек в активной области светоизлучающих приборов па основе соединений III/N играет крайне важную роль. В этих приборах требуется ограничение носителей, что достигается при помощи квантовых точек. На сегодняшний день реализованы мощные синие светодиоды и лазеры видимого диапазона с квантовыми точками в активной области. Приборы демонстрируют хорошую деградационную устойчивость. Также получены зеленые светодиоды. Меньшие результаты получены при создании ультрафиолетовых приборов, а также в получении зеленых полупроводниковых лазеров.

По-прежнему важной проблемой остается повышение эффективности и времени жизни светодиодов и лазеров на основе III/N во всем оптическом диапазоне. С этой целью ведутся работы по улучшению кристаллического совершенства структур. Оптимизация важнейших параметров квантовых точек, таких как концентрация и энергия активации с основного состояния в область непрерывного спектра также играет существенную роль. Разработка технологии и исследование квантовых точек в системе III/N мотивирована и возможностью создания новых приборов. К примеру, совсем недавно показана возможность создания источников одиночных фотонов на основе квантовых точек GaN. С 1995 года в ФТИ им. Иоффе проводился цикл работ по разработке технологии эпитаксиального роста нитридов элементов третьей группы, а также исследованию свойств гетероструктур на их основе. Эти работы были в частности посвящены изучению квантовых точек InGaN и приборов на их основе.

Основная цель данной работы - разработка новых методов получения квантовых точек InGaN с высоким совершенством кристаллической структуры и управляемыми параметрами локализации носителей, разработка методов исследования свойств таких структур и оптимизация технологии получения светодиодов с KT InGaN в активной области с использованием этих методов исследования.

Для достижения этой цели в работе решались следующие основные задачи:

- разработка технологии эпитаксиального выращивания гетероструктур и приборов с квантовыми точками 1пСаЫ методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

- Разработка методов оптической характеризации таких структур с использованием методов фотолюминесценции, электролюминесценции и метода спектроскопии фототока.

- Анализ электронно-оптических свойств структур при помощи статистической модели рассматривающей процессы транспорта и рекомбинации носителей в структурах с квантовыми точками.

- Исследование механизмов безызлучателыюй рекомбинации в гетероструктурах и приборах с квантовыми точками 1пОаЫ в активной области.

- Численный расчет волноводных мод в оптическом резонаторе на гетероструктурах с целью оптимизации дизайна оптически накачиваемых лазеров

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Применение методов формирования квантовых точек основанных на фазовом распаде тонких слоев InGaN во время эпитаксиального роста позволило создавать массивы квантовых точек с размерами 3-5 нм и плотностью около 1012 см'2. Применение разработанных методов при росте активной области светодиодных структур позволило повысить квантовую эффективность излучения в 20 раз при рабочих значениях плотностей тока в диапазоне 10-50 А/см2.

2. Модель, основанная на скоростных уравнениях для заселенностей носителей в квантовых точках и в непрерывном спектре состояний, учитывающих процессы транспорта и рекомбинации носителей в ансамбле квантовых точек, позволила описать электронно-оптические свойства структур с квантовыми точками 1пОаЫ и влияние энергии активации носителей с основного состояния квантовых точек в область непрерывного спектра и концентрации центров безызлучателыюй рекомбинации на спектры и квантовую эффективность светоизлучающих приборов.

3. При помощи стимулированного фазового распада 1пСаЫ можно управлять концентрацией 1п в квантовых точках, а, следовательно, локализацией носителей в квантовых точках и варьировать среднее значение энергии активации носителей с основного состояния квантовых точек в область непрерывного спектра в диапазоне значений 0.1 - 0.8 эВ. В структурах, выращенных с применением стимулированного фазового распада, время выброса носителей в область непрерывного спектра превышает 1 не.

4. Применение методов понижения плотности дефектов в структурах во время эпитаксиального роста, основанных на осаждении в буферном слое переходных слоев ¡пОаИ/АЮаМ, а также прерываний роста после осаждения квантовых точек 1пОаК в активной области, позволяет более чем на порядок понизить концентрацию центров безызлучательной рекомбинации.

5. При формировании значительных по размеру (около 1 мкм) областей с большим содержанием 1п, приводящих к дополнительным флуктуациям упругих напряжений, возникает неоднородная электрическая инжекция носителей в активную область.

Литературный обзор

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Сизов, Дмитрий Сергеевич

Заключение

1. Получены структуры и приборы содержащие в активной области квантовые точки

I -у j

InGaN с размерами 3-5 нанометров и концентрацией порядка 10 см", образующиеся в результате фазового распада InGaN.

2. Разработаны методы получения структур с низкой концентрацией кристаллических дефектов. Для понижения концентрации прорастающих дефектов во время роста буферного слоя использовались вставки напряженных переходных слоев, а для понижения концентрации дефектов, образующихся во время выращивания активной области использовались прерывания роста.

3. Разработаны методы усиления локализации носителей в квантовых точках при помощи стимулированного фазового распада. Также разработаны методы характеризации энергии и времени термического выброса носителей из квантовых точек в область непрерывного спектра. Показано, что благодаря усилению локализации энергия активации может превосходить 500 мэВ, а времена выброса оказываются больше времени излучателной рекомбинации. Заселенность уровней квантовых точек в этом случае неравновесная при комнатной температуре.

4. Изучено влияние на квантовую эффективность таких факторов, как туннельно-утечечная составляющая инжекционного тока и безызлучательная рекомбинация в активной области. Показано, что квантовая эффективность активной области имеет максимум при токах от единиц А/см и более, в зависимости от кристаллического совершенства структуры, и определяет квантовую эффективность приборов на рабочих токах.

5. Показано, что применение методов понижения концентрации кристаллических дефектов и усиления локализации носителей позволяет в 20 раз увеличить квантовую эффективность светодиодов на рабочих токах, а также существенно улучшить температурную стабильность квантовой эффективности.

6. С исползованием результатов проведенных исследований получены светодиоды синего оптического диапазона на сапфировых подложках с внешней квантовой эффективностью более 15%.

ФЛ со скола 300 К, возбуждение лазером М2

100 кВт/см -й-.' «.1 »•

9 5

50 100 Плотность мощности возбуждения, кВт/см2

Т--■-1-■-Г

2,9 3,0 3,1 Энергия фотона, эВ

Рис. 5.3 Спектры ФЛ структуры выращенной с применением СФР.

После появления генерации при дальнейшем повышении мощности накачки наблюдается увеличение ширины линии генерации. Возбуждение

Рис.5.4 Спектры лазерной генерации для структуры, выращенной с применением СФР а) при комнатной температуре б) при температуре 77К, в) спектр лазерной генерации для структуры, выращенной без применения СФР при комнатной температуре.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сизов, Дмитрий Сергеевич, 2006 год

1. "Gallium Nitride - 2003 technology status, applications and market forecasts" Report

2. SC-25 Stretegies United, June 2003

3. D. Gogova et al. "Strain-free bulk-like GaN grown by hydride-vapor-phase-epitaxy on two-step epitaxial lateral overgrown GaN template" J. Appl. Phys. 96, 799 (2004)

4. Y. Oshima, T. Suzuki, T. Eri, Y. Kawaguchi, K. Watanabe, M. Shibata, and T. Mishima % "Thermal and optical properties of bulk GaN crystals fabricated through hydride vapor phaseepitaxy with void-assisted separation" J. Appl. Phys. 98,103509 (2005)

5. Marushka and Tietjen, "The preparation and properties of vapor-deposited single crystalline GaNn Appl. Phys. Lett. 15 (1969) 327

6. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an A1N buffer layer" Appl. Phys. Lett. 48 (1986) pp. 353-5

7. J.I. Pankove, E.A. Miller, D.Richman, J.E. Berkeyheiser, J. Lumin 4 (1971) 630 8. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, "Blue-green laser diodes" Appl. Phys. Lett., 59 (1991) pp 1272-1274

8. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, H. Ozawa, M. Ishibasu, A. • Ikeda, Y. Mori "Room temperature continuous operation of blue-green laser diodes", Electron.1.tt., 29 (1993) pp. 1488-1489

9. S. Itoh, A. Ishibashi, " ZnGgSSe based laser diodes", J. Crystal Growth, 150 (1995) pp.701-706

10. W. Fashinger, J. Nürnberger, "Green II-VI light emitting diodes with long lifetime on InP substrate" Appl. Phys. Lett. 77, (2000) pp. 187-189

11. S. Guha, J.M. DePyydt, M.A. Haase, J, Qiu, H, Cheng, "Degradation of II-VI based blue-green light emitters", Appl. Phys. Lett., 63 (1993) pp. 3107-3109

12. S. Gundel, D. Albert, J. Nürnberger, W. Fashinger, Phys. Rew. B., 60 (1999) R16271

13. M-A. di Forte-Poisson et Al., "MOCVD growth of group III nitrides for high power, high frequency applications" Phys. Stat. Sol. (c) 2, No. 3, 2005, pp. 947-955.

14. S. K. Davidsson, J. F. Fälth, X. Y. Liu, H. Zirath, and T. G. Andersson "Effect of A1N nucleation layer on the structural properties of bulk GaN grown on sapphire by molecular-beamepitaxy " J. Appl. Phys. 98,016109 (2005)

15. F. Semond et Al., "Molecular Beam Epitaxy of group-Ill nitrides on silicon substrates: growth properties and device applications", Phys. Stat. Sol. (a), No 2, 2001, 188, pp. 501-510,

16. Y. B. Kwon, J. H. Je, P. Ruterana and G. Nouet "On the origin of a-type threading dislocations in GaN layers" J. Vac. Sei. Technol. A 23, 1588 (2005)

17. S. Nakamura, W. Weeks, M.D. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, R.F. Davis, "GaN Growth using GaN buffer layer", Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 401-403

18. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, "Characterization of threading dislocations in GaN epitaxial layers", 2000 Appl. Phys. Lett. 76 3421

19. S.Yu.Karpov and Yu.N.Makarov, "Dislocation Effect on Light Emission Efficiency in

20. Gallium Nitride", Appl.Phys.Lett. 81,4721 (2002)

21. S. Nakamura, "Status of GaN LEDs and Lasers for Solid- State Lighting and Displays," OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30,2002)

22. S.F. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, T. Mukai, S. Nakamura, "Localized quantum well excitons in InGaN single-quantum-well amber light-emitting diodes" J. of Appl Phys. 88, 5153, (2000)

23. N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, J. A. Lott, Jpn. J. Appl Phys., Part 1 41, 949 (2002)

24. L.V. Asryan, R.A. Suris, "Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser" Semicond. Sci. Technol. 11, 554 (1996)

25. M. Grundmann, D. Bimberg, "Theory of random population for quantum dots", Phys. Rew.B. 55, 9740, (1997)

26. R. P. O.Donnell, S. Pereira, R.W. Martin, P.R. Edwards, M.J. Tobin, J.F.W. Masselmans, "Wishful physics some common misconceptions about InGaN" Phys. Status Solidi, A, 195, 532,(2003)

27. X. H. Wu, P. Fini, S. Keller, E.J. Tarsa, B. Heying, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, J.S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) LI648 LI651,

28. D. Kapolnek, X.H. Wu, B. Heying, S. Keller, B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, J.S. Speck, "Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire"^/. Phys. Lett. 67 (11) 1995

29. M.S. Yi, H.H. Lee, D.J. Kim, S.J. Park, D. Y. Noh, C.C. Kim, J.H. Je, "Effects of growth temperature on GaN nucleation layers" Appl. Phys. Lett. 75 (15) 1999

30. S.A. Kukushkin, V.N. Bessolov, A.V. Osipov, A.V. Luk'aninov, "Nucleation of III nitride semiconductors in heteroepitaxy", Physics of Solid State, 43 (12) 2001 pp 2135-2139

31. C.A. Кукушкин, B.H. Бессолов, A.B. Осипов, A.B. Лукьянов, "Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN" Физика твердого тела, 20026 том. 44 вып. 7, стр 1337

32. Т. Schmidtling, U. W. Pohl, W. Richter, and S. Peters "In situ spectroscopic ellipsometry study of GaN nucleation layer growth and annealing on sapphire in metal-organic vapor-phase epitaxy "J. Appl. Phys. 98,033522 (2005)

33. N. J. Berry Ann, L. E. Rodak, Kalyan Kasarla, "Study of epitaxial lateral overgrowth of GaN for application in the fabrication of optoelectronic devices" Nanying Yang, and D. Korakakis, Proc. SPIEInt. Soc. Opt. Eng. 6017,60170D (2005)

34. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)

35. I. Akasaki, H. Amano, "Crystal growth and conductivity control of group III nitrides semiconductors and their applications to short wavelength light emitters", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (1997 pp. 5393 5408)

36. LAkasaki and H.Amano, "Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters", Jpn. J. Appl. Phys. V 361997), p. 5393-5408

37. F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt, "Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides" 1997 Phys.Rev. В 56 R10024

38. Tsubouchi К and Miskoshiba N 1985 IEEE Trans. SonicsUltrason. 32 634

39. Edgar J H (ed) 1994 Group III Nitrides (London:INSPEC)

40. G. D. O'Clock and M. T. Duffy. "Acoustic surface wave properties of epitaxially grown aluminum nitride and gallium nitride on sapphire "Appl. Phys. Lett. 23, (1973), 55

41. M. A. Littlejohn, J. R. Hauser and Т. H. Glisson, "Monte Carlo calculation of the velocity-field relationship for gallium nitride" Appl. Phys. Lett. 26, (1975), 625

42. Bykhovski A D, Gelmont В L and Shur M S, "Elastic strain relaxation andpiezoeffect in GaN-AIN, GaN-AlGaNandGaN-InGaNsuperlattices" J. Appl. Phys. 81, (1997) 6332

43. Barker A S Jr and Ilegems M Phys. Rev. B, 7, (1973), 743

44. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe . Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1-30.

45. Rheinlander, A., Neumann, H., Phys. Status Solidi (b) 64 (1974) K123

46. Bloom, S., Harbeke G., Meier E., Ortenburger I.B., Phys. Stat. Solidi 66 (1974), 161-168

47. Leszczynski, M., H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Cheng, "Lattice parameters of gallium nitride", Appl. Phys. Lett. 69(1) (1996), 73-75

48. Xu, Y.N, Ching W.Y., "Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals". Phys Rev. В 48, 7 (1993), 4335-4351

49. Suzuki, M., Uenoyama Т., "Strain effect on electronic and optical properties of GaN/AlGaNquantum-well lasers". J. Appl. Phys. 80,12 (1996), 6868-6874

50. Lambrecht, W.R., Segall В., "Anomalous band-gap behavior and phase stability of c-BN-diamondalloys". Phys. Rev. В 47(1993), 9289-9296

51. Xu, Y-N., Ching W.Y., "Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals". Phys. Rev. В 48 (1993), 4335-4350

52. О Ambacher, "Growth and applications of Group IH-nitrides " J. Phys. D: Appl. Phys. 311998) 2653-2710

53. Ambacher, Andreas Hangleiter "Optical properties of nitride heterostructures" Phys. Stat. Sol. (c) 0, No. 6, 1816-1834 (2003)

54. S.Chuchibu, H.Okumura, S.Nakamura, G.Feuileet, T.Sota, S.Yoshida "Exciton spectra of cubic and hexagonal GaNfilms ", JpnJ.Appl.Phys 36 (1) 1976-1983 (1997)

55. B.Monemar, J.Bergman, I.Buyanova, W.Li, H.Amano, LAkasaki, "Free Excitons in GaN" MRS Internet J Nitride Sem.Res. 1 (1996) paper 2

56. F. Demangeot, J. Groenen, J. Frandon, M. A. Renucci, O. Briot, S. Clur, R. L. Aulombard, "Coupling of GaN- andAlN-like longitudinal opticphonons in Gal-xAlxNsolid solutions "Appl. Phys. Lett. 72, pp. 2674-2676 (1998).

57. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hôpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, M.Stutzmann, "Optical constants of epitaxial AlGaNfilms and their temperature dependence" J. Appl. Phys. 82,5090-5096 (1997).

58. J.F. Muth, J.D. Brown, M.A. Jonson, Z. Yu , R.M.Kolbas , J.W. Cook, . and J. F. "Schetcina Absorption coefficient and refractive index of GaN, AIN and AlGaN alloys ", MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4SI, G5.2 (1999)

59. H.Angerer, D.Brunner, O.Ambacher, M.Stutsmann, T.Metzger, E.Bom, G.Dollinger, S.Karsh, H.Korner, "Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial AlGaN films", Appl.Phys.Lett. 71 (11) 1504-1506(1997)

60. W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, and W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin and W. R. McKinney,W. Yang "Dependence of the fundamental band gap of AlxGaj.xN on alloy composition and pressure ", J.Appl.Phys. 85 p.8505-8508 (1999)

61. K. Tachibana, T. Someya, Y. Arakawa, "Nanometer-scale InGaN self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition "Appl. Phys. Lett 74,383 (1999).

62. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, "Subband emissions of InGaN multi-quantum-well laser diodes under room-temperature continuous wave operation", Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).

63. K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 74,383 (1999)

64. Y.Kawakami, Y.Narukava, K. Omae, S.Fujita, S.Nakamura "Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices" phys.stat.sol. (a) 178 (2000) pp. 331-336

65. M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, and N. A. El-Masry6 S. M. Bedair "Phase separation and ordering coexisting in In x Gal 2 x N grown by metal organic chemical vapor deposition", Appl.Phys.Lett 75 2202-2204 (1999)

66. L. T. Romano,M. D. McCluskey,C. G. Van de Walle, J. E. Northrup, D. P. Bour, and M. Kneissl,T. Suski and J. Jun, "Phase separation in InGaN multiple quantum wells annealed at high nitrogen pressures" Appl.Phys.Lett 75 (1999) pp. 3950-3952

67. X. Zhang, D. H. Rich,a) J. T. Kobayashi, N. P. Kobayashi, and P. D. Dapkus "Carrier relaxation and recombination in an InGaN/GaN quantum well probed with time resolved cathodoluminescence ", Appl.Phys.Lett 73 (1998) pp. 1430-1432

68. F. A. Ponce, S. Srinivasan, A. Bell, L. Geng, R. Liul, M. Stevens, J. Cai, H. Omiya, H. Marui2, and S. Tanaka, "Microstructure and electronic properties of InGaN alloys "phys. stat. sol. (b) 240, No. 2, pp. 273-284 (2003)

69. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton "Origin of Luminescence from InGaN Diodes", Phys. Rew. Lett. 82 (1) 1999, p 237

70. H.C. -Yang, T.Y. Lin, Y.F. Chen, "Presistentphotoconductivity in InGaN/GaN multiquantum wells", Appl.Phys.Lett. 78 (3) 2001, pp 338-340

71. Vertikov, A.V. Nurmikko; K. Doverspike, G. Bulman, and J. Edmond, "Role of localized and extended electronic states in InGaN/GaN quantum wells under high injection, inferred from near-field optical microscopy", Appl. Phys. Lett. 73, (1998) pp. 493-495

72. T.Someya, Y.Arakawa, "Microphotoluminescence images of InGaNsingle quantum well", JpnJ.Appl.Phys 38L1216-L1218 (1999)

73. I. Ho and G. B. Stringfellow "Solid phase immiscibility in GalnN" 1996 Appl. Phys. Lett. 69 2701

74. Koukitu A, Takahashi N, Taki T and Seki H 1996 Japan. J. Appl. Phys. 35 L673

75. Matsuoka T, Yoshimoto N, Sakai T and Katsui A 1992 J. Electron. Mater. 21157

76. S. Yu. Karpov, N. I. Podolskaya, I. A. Zhmakin, A. I. Zhmakin, "Statistical model of ternary group-Ill nitrides", Phys. Rew. B 70, 235203 (2004)

77. R.A. Talalaev, S. Yu. Karpov, I. Yu. Evstratov, Yu. N. Makarov, "Indium segregation in MOVPE grown InGaN based heterostructures" Phys. Stat. Sol. (c) 0,No 1, 311-314 (2002)

78. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, F.G. Mcintosh, J.C. Roberts, K.S. Boutros, S.M. Bedair, "Effect of hydrogen on the indium incorporation in InGaN epitaxial films"Appl. Phys. Lett. 70 461 (1997)

79. S. Keller, B.P. Keller, D. Kapolnek, A.C. Abare, H. Masiri, L.A. Colden, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 3174 (1996)

80. M.K. Behbehani, E.L. Piner, S.X. Liu, N.A. Ei-marsy, S.M. Bedair, "Phase separation and ofdering coexisting in InGaN grown by metal-organic chemical vapor deposition ", Appl. Phys. Lett. ,75 (15) 1999 p 2202

81. E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, Yu.A. Shpolyanskiy, and A.S. Segal, "Modeling of IIInitride Chemical Vapor Deposition " First Russia-Taiwan Joint Symposium on Ill-Nitride Semiconductors JSNS-2005, St. Petersburg, Russia, June 22.24,2005 W2-6

82. M. Takeguchi, M.R. McCartney, D. J. Smith, "Mapping In concentration, strain, and internal electric field in InGaN/GaN quantum well structure" Appl.Phys.Lett., 84 (12) 2004 pp.2103-2105

83. M.S. Jeong, J.Y. Rim, Y.-W. Kim, J.O. White, E.-K. Suh, C.-H. Hong, H.J. Lee, "Spatially resolved photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells by near-field scanning optical microscopy" Appl. Phys. Lett. 79 (7) 2001, pp.976 978

84. Yen Lin, Chuan-Pu Liu, Zheng-QuanChen, Appl. Phys. Lett. "Study of the dominant luminescence mechanism in InGaN/GaN multiple quantum wells comprised of ultrasmall InGaN quasiquantum dots" 86 121915 (2005)

85. H.K. Cho, J.Y. Lee, N. Sharma, C.J. Humphreys, G.M. Yang, C.S. Kim, J.H. Song, P.W. Yu, "Effect of growth interruptions on the light emission and indium clustering of InGaN/GaN multiple quantum wells" Appl. Phys. Lett., 79 (16), 2001, pp 2594 2596

86. K.S. Ramaiah, Y.K. Su, S.J. Chang, C.H. Chen, F.S. Juang, "Studies of InGaN/GaN multiquantum-well green-light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition" Appl.Phys.Lett. 85 (3) 2004, pp 401-403

87. Soon-Yong К won, Sung-II Baik, Young-Woon Kim, Нее jin Kim, Dong-Su Ко, Euijoon Yoon Jong-Won Yoon, Heyeonsik Cheong, Yoon-Soo Park,Appl. Phys. Lett. 86 192105 (2005)

88. H.H.Леденцов IX Национальная конференция no Росту кристаллов. Москва. 15-20 октября 2000 года, пленарный доклад

89. P. Gyoungwon, О.В Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 3,230, (2000)

90. R. L. Sellin, Ch. Ribbat, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, "Close-to-ideal device characteristics of high-power InGaAs/GaAs quantum dot lasers" Appl. Phys. Lett., 78, 1207,(2001)

91. S. Seki, H. Oohasi, H. Sugiura, T. Hirono, and K. Yokoyama, "Dominant mechanism for limiting the maximum operating temperature of InP-based multiple-quantum-well lasers" J. Appl. Phys., 79, 2192 (1996)

92. В. B. Elenkrig, S. Smetona, J. G. Simmons, T. Makino, J. D. Evans. "Maximum operating power of 1.3 цт strained layer multiple quantum well InGaAsP lasers " J. Appl. Phys., 85,2367(1999).

93. O.B. Shchekin, G. Park,D.L. Huffaker, Q. Mo, D.G. Deppe, "Electro-optic field mapping system utilizing external gallium arsenide probes "Appl. Phis. Lett., 77,486, (2000)

94. J.K. Kim, R.L. Naone, L.A. Coldren. IEEE J. of Selected Topics In Quantum Electronics 6, 3, 504,2000

95. N N Ledentsov, D Bimberg, V M Ustinov, M V Maximov, Zh I Alferov, V P Kalosha and J A Lott, "Interconnection between gain spectrum and cavity mode in a quantum-dot vertical-cavity laser", Semicond. Sci. Technol. 14,99 (1999)

96. F.Ferdos, M.Sadeghi, Q.X.Zhao, S.M.Wang, A.Larsson. J. of Crystal Growth, 227, 1140, (2001)

97. A. Passaseo, G. Maruccio, M. De Vittorio, R. Rinaldi, and R. Cingolani, M. Lomascolo, "Wavelength control from 1.25 to 1.4 /im in InxGaixAs quantum dot structures grown by metal organic chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett., 78,1382, (2001)

98. G.T. Liu, A. Stintz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester, "Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in Ino.15Gao.85As quantum well" Electron. Lett. 35,1163 (1999)

99. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev,A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Abstract Book LEOS 2000 (Rio Grande, Puerto Rico, Nov. 13CE16,2000) p. 304.

100. P. Gyoungwon, О. В. Shchekin, S. Csutak, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, "Room-temperature continuous-wave operation of a single-layered 1.3 цш quantum dot laser" Appl. Phis.Lett. 75, 3267 (1999)

101. I.L. Krestnikov N.A. Cherkashin, D.S. Sizov, D.A. Bedarev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov. Techn. Phys. Lett., 27,6,2001

102. O. Stier, M. Grundmann, and D. Bimberg. Phys. Rev. В 59, 5688, (1999)

103. G.T.Liu, A. Stintz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J.Malloy,

104. F.Lester, "Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k-p theory" IEEE J. of Quant. Electronics, 36,1272,(2000)

105. P. Gibart, "Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrowth", Rep. Prog. Phys. 67 (2004) 667-715

106. X. H. Wu, P. Fini, S. Keller, E.J. Tarsa, B. Heying, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, J.S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1648 L1651

107. D. Kapolnek, X.H. Wu, B. Heying, S. Keller, B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, J.S. Speck, "Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaNfilms on sapphire " Appl. Phys. Lett. 67 (11) 1995

108. M.S. Yi, H.H. Lee, D.J. Kim, S.J. Park, D.Y. Noh, C.C. Kim, J.H. Je, "Effects of growth temperature on GaNnucleation layers" Appl. Phys. Lett. 75 (15) 1999

109. S.A. Kukushkin, V.N. Bessolov, A.V. Osipov, A.V. Luk'aninov, "Nucleation of III nitride semiconductors in heteroepitaxy", Physics of Solid State, 43 (12) 2001 pp 2135-2139,

110. C.A. Кукушкин, B.H. Бессолов, A.B. Осипов, A.B. Лукьянов, "Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN" Физика твердого тела, 20026 том. 44 вып. 7, стр 1337

111. Т. Schmidtling, U. W. Pohl, W. Richter, and S. Peters "In situ spectroscopic ellipsometry study of GaN nucleation layer growth and annealing on sapphire in metal-organic vapor-phase epitaxy" J. Appl. Phys. 98,033522 (2005)

112. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, "Теоретическая физика, т.З, Квантовая механика", Моксква, Наука.

113. В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, Д.С.Сизов "Влияние газа-носителя на процесс газотранспортной эпитаксии нитрида галлия из металлорганических соединений" ПЖТФ, 2005, том 31, выпуск 7

114. М. V. Maximov, L. V. Asryan, Yu. М. Shernyakov, А. F. Tsatsul'nikov, I. N. Kaiander, V. V. Nikolaev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, IEEE J Quantum Elec 37 (2001) pp. 676683

115. P. G. Eliseev, "The red a2/kT spectral shift in partially disordered semiconductors", J. of Appl Phys. 93, (2003) p. 5404

116. A.V.Kamanin, A.G.Kolmakov, P.S.Kop'ev, G.A. Onushkin, A.V.Sakharov, N.M.Shmidt, D.S.Sizov, A.A.Sitnikova, A.L.Zakgeim, R.V.Zolotareva, A.S.Usikov, "Degradation of blue LEDs related to structural disorder", phys. stat. sol. (c), in press.

117. T.A. Lafford, B.K. Tanner, P.J. Parbrook, J. Phys. D 36 A245 (2003)

118. N.M. Shmidt et al., Nanotechnology 12 (2001) 471

119. J.L.Rouviere etal. Inst.Phys. Conf.Ser. 157,103 (1997)

120. Lafford, P.J. Parbrook, B.K. Tanner, "Influence of alloy composition and interlayer thickness on twist and tilt mosaic in AlGaN/AlN/GaN heterostructures", Appl. Phys. Lett., 83 (26) 2003 pp 5434-5436

121. S. Keller, G. Parish, J. S. Speck, S. P. DenBaars, U.K. Mishra, "Dislocation reduction in GaNfilms through selective island growth ofInGaN"Appl. Phys. Lett. 77 (17) 2000 pp 2665 -2667

122. K. Domen, A. Kuramata, T. Tanahashi, "Lasing mechanism of InGaN/GaN/AlGaN multiquantum well laser diode", Appl. Phys. Lett. 72 (19) 1998, pp 1359-1361

123. P. Fisher, J. Christien, S. Nakamura, "Spectral electroluminescence mapping of a blue InGaNsingle quantum well light emitting diode", Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. L129-L132

124. X. Кейси и M. Паниш, "Лазеры на гетероструктурах" "Мир" Москва 1981

125. Л.В. Асрян, Р.А. Сурис, "Роль термических выбросов носителей в выжигании пространственных дыр в лазере на квантовых точках", ФТП, 33 (9) 1999, стр. 1077 1079