Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Овчинников, Андрей Владимирович

• Овчинников, Андрей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Овчинников, Андрей Владимирович

Введение

Глава 1. Электрон-дырочная плазма высокой плотности в кремнии и арсениде галлия, возникающая при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов (анализ современного состояния исследований)

1.1. Релаксация электрон-дырочной плазмы за счет Оже-рекомбинации

1.2. Электрон-фононная релаксация

1.3. Оптические свойства электрон-дырочной плазмы и механизм поглощения лазерного излучения 18 Основные результаты главы

Глава 2. Фемтосекундная лазерная система высокой мощности с активной средой хром-форстерит

2.1. Задающий генератор

2.2. Временной расширитель длительности импульса (стретчер)

2.3. Регенеративный усилитель

2.4. Многопроходный усилитель

2.5. Временной компрессор 53 Основные результаты главы

Глава 3. Экспериментальные методики исследований

3.1. "Pump-probe" схема измерений с пространственным разрешением

3.2. Экспериментальная схема "pump-probe" с интерферометром и Фурье-обработкой интерферограмм 65 Основные результаты главы

Глава 4. Экспериментальное исследование процесса образования и динамики релаксации электрон-дырочной плазмы высокой плотности в кремнии и арсениде галлия

4.1. Релаксация электрон-дырочной плазмы в кремнии и арсениде галлия при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов

4.2. Взаимодействие инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов с кремнием и арсенидом галлия. Пороги плавления и абляции

4.2.1. Пороги абляции поверхностного слоя кремния и арсенида галлия

4.2.2. Пороги плавления поверхностного слоя кремния и арсенида галлия

4.3. Процесс образования поглощающего слоя вблизи порогов плавления и абляции поверхностного слоя полупроводников Основные результаты главы

Основные результаты работы Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов»

Актуальность темы

Уникальные характеристики излучения фемтосекундных лазеров дают возможность использовать их в фундаментальной науке, технике и медицине. Быстрое развитие фемтосекундных лазерных систем за последние два десятилетия привело к созданию большого многообразия таких лазеров по значениям выходной энергии, длительности импульса и длинам волн. Разработка фемтосекундных лазеров позволила не только получить рекордные плотности, мощности и температуры, но и изучать сверхбыстрые процессы, протекающие в различных материалах.

Отличительная особенность воздействия фемтосекундных лазерных импульсов состоит в том, что длительность импульса является меньше характерных времён релаксационных процессов. Это позволяет создавать в течение действия импульса в поверхностном слое полупроводников

22 3 электрон-дырочную плазму с концентрацией носителей выше 10 см" (более 10% валентных электронов находятся в возбужденном состоянии в зоне проводимости).

Исследования процессов образования и релаксации электрон-дырочной плазмы высокой плотности в полупроводниках, фазовых превращений и связанных с ними явлений, возникающих при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов, имеют фундаментальное значение и являются чрезвычайно актуальными в настоящее время. Результаты подобных исследований дают новую информацию о физических процессах, которая позволяет управлять структурными превращениями вещества, получать новые материалы с необычными свойствами и служит основой для разработки новейших лазерных фемтосекундных технологий.

Цель работы

Целью работы является исследование процесса образования и динамики релаксации электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей в широкозонных полупроводниках (кремний и арсенид галлия) при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов.

Для достижения поставленной цели работы решаются следующие задачи:

- создание экспериментальной установки для проведения исследований и разработка усилителя мощности для усиления импульсов фемтосекундного хром-форстеритового лазера на длине волны излучения 1240 нм;

- исследование динамики релаксации электрон-дырочной плазмы, созданной фемтосекундными лазерными импульсами в кремнии и арсениде галлия при интенсивностях ниже порога плавления;

- получение экспериментальных данных об образовании электрон-дырочной плазмы высокой плотности в поверхностном слое полупроводников при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с излучением в видимой и инфракрасной области спектра и интенсивностью, приводящей к плавлению и абляции поверхностного слоя.

Научная новизна работы

1. Для исследований электрон-дырочной плазмы в кремнии и арсениде галлия разработан и создан усилитель мощности инфракрасных фемтосекундных импульсов для тераваттной хром-форстеритовой лазерной системы, не имеющей аналогов в России и за рубежом.

2. Впервые для исследований образования и релаксации электрон-дырочной плазмы высокой плотности в широкозонных полупроводниках использованы инфракрасные фемтосекундные лазерные импульсы, для которых полупроводники Si и GaAs являются практически прозрачными.

3. Получены новые экспериментальные данные об особенностях релаксации носителей в электрон-дырочной плазме при плотности энергии ниже порога плавления.

4. Экспериментально показано формирование тонкого поглощающего слоя при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов как инфракрасного, так и видимого диапазонов спектра излучения на кремний и арсенид галлия при интенсивностях, приводящих к плавлению и абляции поверхностного слоя.

Практическая ценность

Исследованные в диссертационной работе процессы взаимодействия фемтосекундных лазерных импульсов с веществом расширяют представления о сверхбыстрых процессах в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы и могут найти применение для разработки технологий обработки и упрочнения поверхностного слоя образцов, изготовления сверхмалых отверстий, прецизионной микрообработки материалов.

Защищаемые положения

1. Для проведения исследований электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей разработан усилитель инфракрасных фемтосекундных импульсов для хром-форстеритовой лазерной системы, позволивший получить тераваттный уровень мощности излучения.

2. Релаксация электрон-дырочной плазмы, созданной при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на кремний и арсенид галлия, при интенсивностях ниже порога плавления определяется процессом Оже-рекомбинации с характерными временами несколько пикосекунд.

3. Пороговые значения плотности энергии, при которой происходит плавление поверхностного слоя кремния и арсенида галлия, практически одинаковы при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с энергией кванта больше и меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Аналогичные результаты получены для пороговых значений плотности энергии, при которой происходит абляция поверхностного слоя.

4. При воздействии излучения фемтосекундных лазерных импульсов на кремний и арсенид галлия с энергией кванта как больше, так и меньше ширины запрещенной зоны полупроводников электрон-дырочная плазма с высокой концентрацией носителей возникает в результате уменьшения глубины пробега фотона (до~10нм в кремнии и до~40нм в арсениде галлия) при пороговых интенсивностях плавления и абляции поверхностного слоя и поглощения лазерного излучения электронами в зоне проводимости.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Овчинников, Андрей Владимирович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Для экспериментальных исследований электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей в кремнии и арсениде галлия разработан регенеративный усилитель с кольцевой схемой резонатора и многопроходный усилитель для инфракрасных фемтосекундных импульсов хром-форстеритовой лазерной системы, позволивший получить тераваттный уровень мощности излучения.

2. Время релаксации электрон-дырочной плазмы, созданной в кремнии и арсениде галлия при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с интенсивностью вблизи порога плавления поверхностного слоя, определяется механизмом Оже-рекомбинации и составляет «2 пс в кремнии и и 1.5 пс в арсениде галлия.

3. При воздействии излучения фемтосекундных лазерных импульсов на кремний и арсенид галлия с энергией кванта как больше, так и меньше ширины запрещенной зоны пороговые значения плотности энергии, при которых происходит плавление поверхностного слоя, практически одинаковы. Пороговые значения плотности энергии, при которых происходит абляция поверхностного слоя, также практически одинаковы для излучения на двух длинах волн (с энергией кванта больше и меньше ширины запрещенной зоны).

4. Экспериментально показано, что электрон-дырочная плазма с

21 22 3 высокой концентрацией носителей (10-40 см") в кремнии и арсениде галлия образуется в результате резкого уменьшения глубины пробега фотона (до~10нм в кремнии и до~40нм в арсениде галлия) и поглощения лазерного излучения электронами в зоне проводимости при воздействии фемтосекундных импульсов с интенсивностями, при которых происходит плавление и абляция поверхностного слоя.

В заключении автор диссертационной работы выражает особое признание научному руководителю д.ф.-м.н. Агранату Михаилу Борисовичу за постановку задачи и активную помощь в работе.

Также автор выражает признательность к.ф.-м.н. Ашиткову Сергею Игоревичу за помощь и содействие в создании хром-форстеритовой лазерной системы, подготовке и проведении экспериментов, а также в обсуждении результатов.

Автор выражает признательность чл. корр. Анисимову С.И. и д.ф.-м.н. Кондратенко П.С. за участие в обсуждении и интерпретации результатов экспериментов.

Автор искренне благодарит к.ф.-м.н. Иванова А.А., к.ф.-м.н. Подшивалова А.А. и Конященко А.В. за помощь в создании хром-форстеритовой лазерной системы тераваттного уровня мощности и Ситникова Д.С. за помощь в проведении экспериментов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Овчинников, Андрей Владимирович, 2007 год

1. C.V.Shank, R.Yen, C.Hirlimann, "Time-resolved reflectivity measurements of femtosecond-optical-pulse-induced phase transition in silicon", Phys. Rev. Lett. 50,454-457,(1983)

2. H.W.K.Tom, G.D.Aumiller, and C.H.Brito-Cruz, "Time-resolved study of laser-induced disorder of Si surfaces", Phys. Rev. Lett. 60, 1438 1441, (1988)

3. P.Saeta, J.-K.Wang, Y.Siegal, N.Bloembergen, and E.Mazur, "Ultrafast electronic disordering during femtosecond laser melting of GaAs", Phys. Rev. Lett. 67,1023- 1026,(1991)

4. E.N.Glezer, Y.Siegal, L.Huang, and E.Mazur, "Laser-induced band-gap collapse in GaAs", Phys. Rev. В 51, 6959 6970 (1995)

5. P.Stampfli and K.H.Bennemann, "Theory for the instability of the diamond structure of Si, Ge, and С induced by a dense electron-hole plasma", Phys. Rev. В 42,7163- 7173 (1990)

6. A. Gambirasio, M. Bernasconi, L. Colombo, "Laser-induced melting of silicon: A tight-binding molecular dynamics simulation", Phys. Rev. В 61, 8233-8237 (2000-11)

7. Pier Luigi Silvestrelli, Ali Alavi, Michele Parrinello, and Daan Frenkel, "Ab initio Molecular Dynamics Simulation of Laser Melting of Silicon", Phys. Rev. Lett. 77,3149-3152(1996)

8. K.Sokolowski-Tinten, H.Schulz, J.Bialkowski, and D. von der Linde, "Two distinct transitions in ultrafast solid-liquid phase transformations of GaAs", Appl. Phys. A 53, 227-234 (1991)

9. Ellen J.Yoffa, "Dynamics of dense laser-induced plasmas", Phys. Rev. В 21, 2415 (1980)

10. Н.Ашкрофт, Н.Мермин, Физика твердого тела, М.:Мир, т.2, 190,1979

11. Li Haung, J.Paul Gallan, Eli N.Glezer, and Eric Mazur, "GaAs under intense ultrafast excitation: response of the dielectric function", Phys. Rev. Lett. 80, 185 -188 (1998)

12. Henry M. van Driel, "Kinetics of high-density plasmas generated in Si by 1.06-and 0.53-цт picosecond laser pulses", Phys. Rev. В 35, 8166-8176 (1987-11)

13. J.E.Kardontchik and E.Cohen, "Raman Scattering from Plasmons in Photoexcited GaP", Phys. Rev. Lett. 42, 669 672 (1979)

14. P.T.Landsberg, "The band-band Auger effect in semiconductors", Solid-State Electronics 30,1107-1115 (1987)

15. D.B.Laks, G.F.Neumark, S.T.Pantelides, "Accurate interband-Auger-recombination rates in silicon", Phys. Rev. В 42, 5176-5185 (1990-1)

16. A.Haug, "Carrier density dependence of Auger recombination", Solid-State Electron, 21, 1281-1284(1978)

17. J.Dziewior, W.Schmid, "Auger coefficients for highly doped and highly excited silicon", Appl. Phys. Lett. 31, 346-348 (1977)

18. K.G.Svantesson and N.G.Nilsson, "The temperature dependence of the Auger recombination coefficient of undoped silicon", J.Phys. С 12, 5111-5120 (1979)

19. L.Huldt, "Band-to-band auger recombination in indirect gap semiconductors", Phys. Status Solidi A 8, 173-187 (1971)

20. A.Haug, "Auger coefficients for highly doped and highly excited semiconductors", Solid State Commun. 28, 291-293 (1978)

21. A.Haug and W.Schmid, "Recombination mechanism in heavily doped silicon", Solid State Electron. 25, 665-667 (1978)

22. Анисимов С.И., Капелович Б.Л., Перельман T.JT. Электронная эмиссия с поверхности металлов под действием ультракоротких лазерных импульсов. -ЖЭТФ, т.66, № 2, с.776-781 (1974)

23. Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 272с (1970)

24. М.И.Каганов, И.М.Лифшиц, Л.В.Танатаров, "Релаксация междуэлектронами и решеткой", ЖЭТФ 31, 232-237 (1956)

25. J. Hohlfeld, S.-S. Wellershoff, J. Gudde, U. Conrad, V. Ja'hnke, E. Matthias, "Electron and lattice dynamics following optical excitation of metals", Chemical Physics 251,237-258(2000)

26. H.E. Elsayed-Ali, T.B. Norris, M.A. Pessot, G.A. Mourou, "Time-resolved observation of electron-phonon relaxation in copper", Phys. Rev. Lett. 58, 12121215 (1987)

27. S.S. Wellershoff, J. Gudde, J. Hohlfeld, J. Muller, E.Matthias, "Role of electron-phonon coupling in femtosecond laser damage of metals", SPIE 3343, 378 (1998)

28. С. V. Shank, R. Yen, and C. Hirlimann, "Time-resolved reflectivity measurements of femtosecond-optical-pulse-induced phase transitions in silicon", Phys. Rev. Lett. 50, 454-457 (1983)

29. С. V. Shank, R. Yen, and C. Hirlimann, "Femtosecond-Time-Resolved Surface Structural Dynamics of Optically Excited Silicon" Phys. Rev. Lett. 51, 900-902 (1983)

30. H. W. K. Tom, G. D. Aumiller, and С. H. Brito-Cruz, "Time-resolved study of laser-induced disorder of Si surfaces", Phys. Rev. Lett. 60, 1438-1441 (1988)

31. K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, and D. von der Linde, "Ultrafast laser-induced order-disorder transitions in semiconductors", Phys. Rev. В 51, 14186-14198(1995)

32. S. V. Govorkov, I. L. Shumay, W. Rudolph, and T. Schroder, "Time-resolved second-harmonic study of femtosecond laser-induced disordering of GaAs surfaces", Opt. Lett. 16,1013-1015 (1991)

33. S. V. Govorkov, T. Schroder, I. L.Shumay, and P. Heist, "Transient gratings and second-harmonic probing of the phase transformation of a GaAs surface under femtosecond laser irradiation", Phys. Rev. В 46, 6864-6868 (1992)

34. Y. Siegal, E. N. Glezer, and E.Mazur, "Dielectric constant of GaAs during a subpicosecond laser-induced phase transition", Phys. Rev. В 49, 16403-16406 (1994)

35. К. Sokolowski-Tinten, H. Schulz, J. Bialkowski, and D. von der Linde, "Two distinct transitions in ultrafast solid-liquid phase transformations of GaAs", Appl. Phys. A 53, 227-234 (1991)

36. K.Sokolowski-Tinten, J.Bialkowski, M.Boring, A.Cavalleri, D. von der Linde, "Thermal and nonthermal melting of gallium arsenide after femtosecond laser excitation", Phys.Rev.B 58, 11805-11808 (1998)

37. K. Sokolowski-Tinten and D. von der Linde, "Generation of dense electron-hole plasmas in silicon", Phys. Rev. В 61,2643-2650 (2000-И)

38. J.L. Oudar, D. Hulin, A. Migus, A. Antonetti, and F. Alexandre, "Subpicosecond spectral hole burning due to nonthermalized photoexcited carriers in GaAs", Phys. Rev. Lett. 55, 2074-2077 (1985)

39. J. Shah, R. F. Leheny, and C. Lin, "Dynamic Burstein shift in GaAs", Solid State Commun. 18,1035-1037(1976)

40. P. A. Wolff, "Theory of the band structure of very degenerate semiconductors", Phys. Rev. 126,405-412 (1962)

41. R. Biswas and V. Ambegaokar, "Phonon spectrum of a model of electronically excited silicon", Phys. Rev. В 26, 1980-1988 (1982)

42. A. Oschlies, R. W. Godby, and R. J. Needs, "First-principles self-energy calculations of carrier-induced band-gap narrowing in silicon", Phys. Rev. В 45, 13741-13744(1992)

43. D. H. Reitze, T. R. Zhang, Wm. M. Wood, and M. C. Downer, "Two-photon spectroscopy of silicon using femtosecond pulses at above-gap frequencies" J.Opt. Soc. Am. В 7, 84-89(1990)

44. X.Y.Wang, M.C.Downer, "Femtosecond time-resolved reflectivity of hydrodynamically expanding metal surfaces", Opt. Lett. 17,1450-1452 (1992)

45. D. Hulin, M. Combescot, J. Bok, A. Migus, J. Y. Vinet, and A.Antonetti, "Energy transfer during silicon irradiation by femtosecond laser pulse", Phys. Rev. Lett. 52,1998-2001 (1984)

46. W. Ktitt, A. Esser, K. Seibert, U. Lemmer, and H. Kurz, "Femtosecond studies of plasma formation in crystalline and amorphous silicon", Proc.SPIE 1268, 154-156(1990)

47. S.J.Bepko, "Anisotropy of two-photon absorption in GaAs and CdTe", Phys. Rev. В 12, 669-672(1975)

48. C.C.Lee and H.Y.Fan, "Two-photon absorption with exciton effect for degenerate valence bands", Phys. Rev. В 9, 3502-3516 (1974)

49. D.A.Kleinman, R.C.Miller and W.A.Nordland, "Two-photon absorption of Nd laser radiation in GaAs", Appl. Phys. Lett. 23, 243-244 (1973)

50. S.Jayaraman and C.H.Lee, "Observation of two-photon conductivity in GaAs with nanosecond and picosecond light pulses", Appl.Phys. Lett. 20, 392-395 (1972)

51. R.L.Fork, B.I.Greene, C.V.Shank, "Generation of optical pulses shorter than 0.1 psec by colliding pulse mode locking", Appl.Phys.Letts. 38, 671-672 (1981)

52. П.Г.Крюков, "Лазеры ультракоротких импульсов", Квантовая электроника 31, 95-119 (2001).

53. А.А.Бабин, А.М.Киселев, А.М.Сергеев, А.Н.Степанов, "Тераваттный фемтосекундный титан-сапфировый лазерный комплекс", Квантовая электроника 31, 623-626 (2001).

54. S.Ito, H.Ishikawa, T.Miura, K.Takasago, A.Endo, K.Torizuka, "Seven-terawatt Ti:Sapphire laser system operating at 50Hz with high beam quality for laser Compton femtosecond X-ray generation", Appl. Phys. В 76, 497-503 (2003)

55. J.D.Bonlie, F.Patterson, D.Price, B.White, P.Springer, "Production of > 1021W/cm2 from a large-aperture Ti:sapphire laser system", Appl. Phys. В 70, 155160 (2000)

56. V.Petricevic, S.K.Gayen, R.R.Alfano, K.Yamagishi, H.Anzai, Y.Yamaguchi, "Laser action in chromium-doped forsterite", Appl. Phys. Lett. 52, 1040-1042 (1988)

57. V.Petricevic, S.K.Gayen, R.R.Alfano, "Continuous-wave laser operation of chromium-doped forsterite", Opt. Lett. 14, 612-617 (1989)

58. T.J.Carrig, C.R.Pollock, "Tunable, cw operation of a multiwatt forsterite laser", Opt. Lett. 16, 1662-1664 (1991)

59. A.Seas, V.Petricevic, R.R.Alfano, "Generation of sub-100-fs pulses from a cw mode-locked chromium-doped forsterite laser", Opt. Lett. 17, 937-939 (1992)

60. A.Seas, V.Petricevic, R.R.Alfano, "Self-mode-locked chromium-doped forsterite laser generates 50-fs pulses", Opt. Lett. 18, 891-893 (1993)

61. Y.Pang, V.Yanovsky, F.Wise, "Self-mode-locked Cnforsterite laser", Opt. Lett. 18,1168-1170(1993)

62. V. Yanovsky, Y. Pang, F. Wise, B. Minkov, "Generation of 25-fs pulses from a self-mode-locked Cnforsterite laser with optimized group-delay dispersion", Opt. Lett. 18,1541-1543 (1993)

63. C. Chudoba, J.G. Fujimoto, E.P. Ippen, H.A. Haus, U. Morgner, F.X. Kaertner, V. Scheuer, G. Angelow, T. Tscudi, "All-solid-state Cr-forsterite laser generating 14-fs pulses at 1.3 mkm", Opt. Lett. 26, 292-294 (2001)

64. M.Pessot, J.Squier, G.Mourou, "Chirped-pulse amplification of 100-fsec pulses", Opt. Lett., 14, 797-799 (1989).

65. D.Strikland, G.Mourou, Opt. Commun., "Compression of amplified chirped optical pulses", 56, 219-221 (1985).

66. T.Togashi, Y.Nabekawa, T.Sekikawa, S.Watanabe, "High-peak-power femtosecond Cnforsterite laser system", Appl. Phys. В 68, 169-175 (1999)

67. V.Shcheslavskiy, F.Noak, V.Petrov, N.Zhavoronkov, "Femtosecond regenerative amplification in Cnforsterite", Appl. Opt. 38, 3294-3297 (1999)

68. G.R. Boyer, G. Kononovitvh, "Gain optimization of a Kerr-lens mode-locked Cr:forsterite laser in the CW regime: theory and experiments", Opt. Commun. 133, 205-210(1997)

69. V.V. Yakovlev A.A.Ivanov V. Shcheslavskiy, "High-energy femtosecond Cr4+:forsterite oscillators and their applications in biomedical and material sciences", Appl. Phys. В 74, 145-152 (2002)

70. R.L.Fork, O.E.Martinez, J.P.Gordon, "Negative dispersion using pairs of prisms", Opt. Lett. 9, 150-152 (1984)

71. V.Yanovsky, C.Felix, G.Mourou, "Why ring regenerative amplification (regen)?", Appl. Phys.B 74, 181-183 (2002)

72. И.В.Крюков, П.Г.Крюков, Е.В.Хорошилов, А.В.Шарков, "Генерация и усиление световых импульсов короче 50фс с частотой повторения ЮкГц", Квантовая электроника 15, 1320-1322 (1988)

73. S.G. Demos, R.R. Alfano, "Upconverted luminescence from nonequilibrium vibronic states of Cr ions in forsterite", Phys. Rev. В 46, 8811-8817 (1992)

74. S.G. Demos, Y. Takiguchi, R.R. Alfano, "Upconverted hot-luminescence spectroscopy investigation of nonradiative relaxation in forsterite", Opt. Lett. 18, 522-527(1993)

75. S.G. Demos, V. Petricevic, R.R. Alfano, "Up-converted luminescence and excited-state excitation spectroscopy of Cr4+ ions in forsterite", Phys. Rev. В 52, 1544-1548 (1995)

76. M.Hentschel, S.Uemura, Z.Cheng, S. Sartania, G.Tempea, Ch.Spielmann, F.Krausz, "High-dynamic-range pulse-front steepening of amplified femtosecond pulses by third-order dispersion", Appl. Phys.B 68, 145-148 (1999)

77. M.Aoyama, A.Sagisaka, S.Matsuoka, Y.Akahane, F.Nakano, K.Yamakawa, "Contrast and phase characterization of a high-peak-power 20-fs laser pulse", Appl. Phys.B 70, 149-153 (2000)

78. K.Sokolowski-Tinten, J.Bialkowski, D. von der Linde, "Ultrafast laser-induced order-disorder transitions in semiconductors", Phys.Rev.B 51, 14186-14198 (1995)

79. M.C.Downer, R.L.Fork, C.V.Shank, "Studies of multiphoton production of vacuum-ultraviolet radiation in the rare gases", J. Opt. Soc. Am. В 4, 595-601 (1985)

80. D. von der Linde and H.Shuler, "Breakdown threshold and plasma formation in femtosecond laser-solid interaction", J. Opt. Soc. Am. В 13, 216-222 (1996)

81. P.Mannion, J.Magee, E.Coyne, Gerard M. O'Connor, "Ablation thresholds in ultrafast laser micromachining of common metals in air", Proc. SPIE 4876, 470478 (2003).

82. V.V, Temnov, K. Sokolowski-Tinten, P. Zhou and D. von der Linde, "Femtosecond time-resolved interferometric microscopy", Appl. Phys. A, 78, 483-489(2004)

83. T. Masubuchi, H. Furutani, H. Fukumura, and H.Masuhara, "Laser-induced anometer-nanosecond expansion and contraction dynamics of poly (methyl methacrylate) film studied by time-resolved interferometry", J. Phys. Chem. В 105,2518-2524 (2001)

84. S. R. Greenfield, J. L. Casson, and A. C. Koskelo, "Nanosecond interferometric studies of surface deformations of dielectrics induced by laser rradiation", in High-Power Laser Ablation III, C. R. Phipps, ed., Proc. SPIE 4065, 557-566 (2001)

85. V.V. Temnov, K. Sokolowski-Tinten, P. Zhou and D. von der Linde, "Ultrafast imaging interferometry at femtosecond-laser-excited surfaces", J. Opt. Soc. Am. B, 23,1954-1964 (2006)

86. D. J. Bone, H.-A. Bachor, and J. Sandeman, "Fringepattern analysis using a 2D Fourier transform", Appl. Opt. 25,1653-1660 (1986).

87. С. Roddier and F. Roddier, "Interferogram analysis using Fourier transform techniques", Appl. Opt. 26, 1668-1673 (1987).

88. M. Takeda, H. Ina, S. Kobayashi, "Fourier-transform method of fringe-pattern analysis for computer-based topography and interferometry", J. Opt. Soc. Am. 72, 156-160(1982)

89. J. Paul Callan ), Albert M.-T. Kim, Li Huang, Eric Mazur, "Ultrafast electron and lattice dynamics in semiconductors at high excited carrier densities", Chemical Physics, 251, 167-179 (2000)

90. E.D.Palik, "Handbook of Optical Constants of Solids II" (Academic Press, San Diego) 1991

91. Л.Д. Ландау и E.M. Лифшиц, т.8 "Электродинамика сплошных сред", Изд. Наука Москва 1982

92. H.Morikami, H.Yoneda, K.Ueda, and R.M.More, "Detection of hydrodynamic expansion in ultrashort pulse laser ellipsometric pump-probe experiments" Phys. Rev. E 70, 035401 (2004)

93. С.И.Кудряшов, В.И.Емельянов, "Коллапс запрещенной зоны и сверхбыстрое «холодное» плавление кремния в течение фемтосекундндого лазерного импульса", Письма в ЖЭТФ 73,263-267 (2001)

94. Р.Дитчберн, "Физическая оптика", Изд. Наука 415 (1965)

95. V.V.Temnov, К. Sokolowski-Tinten, P. Zhou, A.El-Khamhawy and D. von der Linde, "Multiphoton ionization in dielectrics: comparison of circular and linear polarization", Phys. Rev. Lett. 97, 237403 (1-4) (2006)

96. B.C.Stuart, M.D.Feit, S.Herman, A.M.Rubenchik, B.W.Shore, and M.D.Perry, "Nanosecond-to-femtosecond laser-induced breakdown in dielectrics", Phys. Rev. В 53,1749-1761 (1996)

97. S.S.Mao, F.Quere, S.Guizard, X.Mao, R.E.Russo, G.Petite, P.Martin, "Dynamics of femtosecond laser interactions with dielectrics", Appl. Phys. A 79, 1695-1709 (2004)