Структурно-фазовые превращения и электронные процессы в гетероструктурах AIIIBV - A2IIIC3VI тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Буданов, Александр Владимирович
Буданов, Александр Владимирович
кандидат наук
2014
- Специальность ВАК РФ01.04.07
- Количество страниц 379
Оглавление диссертации кандидат наук Буданов, Александр Владимирович
Введение..............................................................5
Глава 1. Гетерогенные системы - А2*'*Сз^ с эпитаксиальными слоями
1п2Тез и In2xGa2(i-x)Te3 на подложках InAs..................17
1.1. Свойства и способы синтеза соединений А2^*Сз^ и технологические
возможности формирования гетероструктур А*"В^ — А2*'*Сз^.....17
1.2. Формирование гетероструктур 1п2Тез — InAs и 1п2хСа2(1-х)Тез - InAs
методом термического испарения в квазизамкнутом объёме.......33
1.3. Кристаллическая структура слоёв In2xGa2(i-x)Te3 и концентрационные
профили компонентов гетероструктур In2xGa2(i-x)Te3-InAs, синтезированных в квазизамкнутом объёме..........................59
1.4. Механизмы токопрохождения в тонких слоях 1п2Тез и In2xGa2(i-x)Te3,
сформированных напылением на подложках InAs......................74
1.5. Параметры центров локализации заряда в слоях 1п2Тез и
In2xGa2(bx)Te3..................................................88
Выводы по первой главе...............................................98
Глава 2. Термостимулированное гетеровалентное замещение анионов в монокристаллах соединений А*"В^ атомами халькогена......100
2.1. Взаимодействие монокристаллов соединений А"'В^ с элементами VI В группы Периодической системы..................................100
2.2. Синтез гетероструктур А"*В^-А2*"Сз^* методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешётке..104
2.3. Механизм роста пленок А2*"Сз^ на поверхности А"*В^ в процессе
гетеровалентного замещения..............................127
2.4. Лазерностимулированное формирование сильнолегированных
областей в гетероструктурах А*"В^-А2*'Сз^...............142
Выводы по второй главе......................................146
3
Глава 3. Кристаллическая структура слоёв А2*"Сз^'и переходных областей в гетероструктурах типа А"*В^-А2*"Сз^\ полученных методом
гетеровалентного замещения в квазизамкнутом объёме.......148
3.1. Полиморфизм кристаллической структуры в тонких плёнках
нормальновалентных соединений А2*"Сз^......................148
3.2. Новые модификации псевдоморфных фаз һ^ез и Ga2Se3, полученных в реакции твердофазного гетеровалентного замещения в анионной
подрешётке................................................177
Выводы по третьей главе.......................................189
Глава 4. Электрофизические свойства гетероструктур А*"В^- А2*"Сз^, полученных методом гетеровалентного замещения.............191
4.1. Центры локализации заряда в тонкоплёночных фазах А2*"Сз^^, полученных на подложках InAs методом гетеровалентного
замещения...............................................191
4.2. Концентрационные профили свободных носителей заряда в
гетероструктурах типа А1 - А2*"Сз^* - А"'В^.............208
4.3. Экранирование электрического поля в гетероструктурах
А*"в"-А2"'Сз"'..........................................215
4.4. Кинетика перезарядки глубоких уровней при обмене носителями
заряда между уровнями и разрешёнными зонами.........230
4.5. Нелинейные эффекты гистерезисного типа, обусловленные перезарядкой глубокоуровневых центров в запрещённой зоне полупроводников А2"*Сз^*....................................246
Выводы по четвёртой главе...................................255
Глава 5. Диффузионно-кинетические процессы в гетерогенных системах А'"в^-А2'"Сз^...........................................258
5.1. Описание диффузии атомов в твердотельной среде с ограниченной концентрацией стохастически распределённых равновесных
4
положений с помощью интегро-дифференциального уравнения диффузии.................................................258
5.2. Сегрегация атомов в гетерофазных системах А*"В^ - А2*"Сз^^ в реакции термостимулированного гетеровалентного замещения ...274
5.3. Модель диффузии атомов в двухуровневой энергетической системе
равновесных положений фазы А2^*Сз^.......................279
5.4. Начальная стадия роста плёнок А2*"Сз^* на подложках А"*В^ в
процессе гетеровалентного замещения......................291
5.5. Зародышеобразование фазы А2*"Сз^* и кинетика роста уединённого зародыша фазы А2*'*Сз^* на поверхности А**'В^ в процессе
формирования гетероструктур А'"В^-А2*"Сз^' методом термостимулированного гетеровалентного замещения......298
Выводы по пятой главе.....................................312
Глава 6. Эволюция концентрационных профилей компонентов в гетероструктурах А'"В^-А2*"Сз^*, полученных методом гетеровалентного замещения на стадии планарного роста...........315
6.1. Физическая модель стадии планарного роста слоя А2***Сз^* на
поверхности кристалла А"*В^..............................315
6.2. Математическая модель стадии формирования сплошного слоя
А2*'*Сз^ на подложке А***В^..............................317
6.3. Самоорганизация концентрационных профилей компонентов
планарных гетероструктур А*"В^-А2^"Сз^...............323
6.4. Квазиравновесная доставка в зону реакции и квазистационарная
диффузия халькогена......................................329
Выводы по шестой главе.......................................336
Заключение...................................................337
Основные результаты и выводы.................................338
Литература...................................................340
5
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs2003 год, кандидат физико-математических наук Татохина, Яна Александровна
Электронные и кристаллохимические процессы на границах раздела в гетероструктурах с тонкими слоями полупроводников со стехиометрическими вакансиями1997 год, доктор физико-математических наук Безрядин, Николай Николаевич
Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа A??B??/A?B? с барьером Шоттки2015 год, кандидат наук Котов, Геннадий Иванович
Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном2010 год, кандидат физико-математических наук Кузубов, Сергей Вячеславович
Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона2004 год, кандидат физико-математических наук Кайгородов, Валентин Анатольевич
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурно-фазовые превращения и электронные процессы в гетероструктурах AIIIBV - A2IIIC3VI»
Введение
Актуальность темы. Твердофазные тонкоплёночные системы являются объектами исследования физики конденсированного состояния. В настоящее время всё большее значение приобретают фундаментальные и прикладные исследования подобных структур, имеющих сложные профили распределения компонентов в гетерофазной системе с различными по характеру и масштабу пространственными неоднородностями. Формирование гетероструктур сопровождается совместным протеканием нескольких, как правило, конкурирующих процессов, которые обусловливают эволюцию концентрационных профилей и пространственное перемещение границ фаз. Эти процессы не изучены для гетерогенных систем типа А*"В^ — А2*"Сз^*, представляющих практический интерес для твердотельной электроники, в частности, из-за высокой подвижности электронов в соединениях А^"В^. Задачи, направленные на решение проблемы, связанной со снижением высокой плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) на химически активной поверхности материалов типа А***в\ представляются весьма актуальными. Существует подход в решении проблемы, основанный на обработке поверхности полупроводников А*"В^ в халькогенсодержащих средах, который использовали в своих работах Сысоев Б.И., Post G., Scavennec А., Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Коненкова Е.В., Седова И.В., Львова Т.В., Sandroff C.J., Yablonovich Е, Carpenter M.S., MeHoch M.R. и другие. Синтез гетероструктур А*"В^-А2^"Сз^\ где одним из компонентов является тонкоплёночная фаза соединений А2*"Сз^* с высокой концентрацией электронейтральных стехиометрических вакансий (СВ), возможен методом гетеровалентного замещения при обработках подложек А"*В^ в парах халькогенов. В фундаментальном аспекте представляет интерес изучение механизма процесса гетеровалентного замещения, приводящего к образованию новых полиморфных модификаций в этих структурах. Способность к образованию непрерывных или протяжённых рядов твёрдых растворов и близость параметров изотипных кристаллических решёток А"*В^ и некоторых полиморфных модификаций соединений А2*"Сз^ делает возможным создание на
6
их основе гетероструктур с бездефектной границей раздела, что обеспечит низкую концентрацию локализованных состояний, более высокую эффективность управления поверхностным зарядом в подложке А"'в\ достаточно низкий уровень сквозных токов. Это представляется важным в практическом аспекте.
Исследование термостимулированной эволюции концентрационных профилей, обоснование и построение на основе экспериментальных данных о составе, структуре, электрофизических свойствах физико-математических моделей диффузионно-кинетических и электронных процессов в твердотельных гетероструктурах А"'В^- А2*"Сз^' и бинарных фазах Аз^'Сз^, входящих в квазибинарный разрез А"*В^- А2^'Сз^\ представляются актуальным
направлением исследований в области физики конденсированного состояния.
Цель работы. Целью данной работы являлось установление закономерностей влияния условий формирования на кристаллическую структуру, концентрационные профили и электронные процессы в гетерогенных системах
Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:
1. Разработка способов и физико-технологических принципов формирования гетероструктур типа А"*В^- А2*"Сз^.
2. Исследование кристаллической структуры, элементного состава слоёв А2^"Сз^ и переходных областей в гетероструктурах со слоями А2*"Сз^' на основе арсенидов галлия и индия.
3. Изучение электрических характеристик сформированных гетероструктур А'"В^- А2*"Сз^' и установление связи этих характеристик с кристаллической структурой и особенностями переходных областей в них.
4. Исследование электронных процессов в полевых гетероструктурах
М - А2*"Сз^ - InAs и М - А2*"Сз^ - GaAs.
5. Развитие модельных представлений о протекании диффузионнокинетических процессов в реакции твердофазного термостимулированного гетеровалентного замещения в системах А*"В^- А2*"Сз^.
7
Объекты и методы исследования. Исследованы гетероструктуры на основе наиболее широко используемых в современной нано-, микро- и оптоэлектронике полупроводников А*'*В^ — монокристаллических подложек InAs со слоями 1п2§з, In2Se3,1п2Тез, 1п2хСа2ц-х)Тез и GaAs со слоями Ga2S3, Ga2Se3. Плёнки соединений А2*^Сз^' формировались термическим напылением или гетеровалентным замещением мышьяка на атомы халькогенов при термической обработке подложек в парах халькогенов. Для создания полевых гетероструктур металлические контакты формировались термическим открытым напылением. Ряд экспериментов проведён на гетероструктурах с индиевыми контактами, полученными при лазерной обработке плёнок халькогенида In2S3. В отдельных экспериментах использованы образцы на основе InSb и 1пР, в том числе со слоями анодных окислов.
Исследования структуры, морфологии, фазового состава плёнок и гетероструктур проведены с использованием методов электронографии, электронной микроскопии в просвечивающем (ПЭМ), растровом (РЭМ) и электронных микроскопах ЭГ-100М, Hitachi Н-800, JSM-840, JSM-6380, рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) на приборах JXA-840, JXA Link AN 10000, JSM 6380 LV INCA Energy-250, Оже-спектроскопии на спектрометре 09 ИОС-10-005, рентгенографии (ДРОН-ЗМ, ДРОН-4), сканирующей зондовой микроскопии в режимах регистрации атомно-силового взаимодействия (АСМ) и сканирующего туннельного (СТМ) микроскопа (Solver P47-Pro, FEMTOSCAN-001). Электронные процессы в гетероструктурах исследованы методами вольт-фарадных (ВФХ) и вольт-амперных характеристик (ВАХ) различных модификаций, методом термостимулированной поляризации (деполяризации), методом частотных зависимостей дифференциальной проводимости и ёмкости, температурных зависимостей токов и полной дифференциальной проводимости в интервале температур 90-^500К. В теоретической части работы применялись методы математической физики, математического моделирования, вычислительной математики.
8
Достоверность результатов в экспериментальной части работы обеспечена использованием высокоразрешающих и взаимодополняющих методов анализа твердотельных образцов с последующей оценкой статистической значимости результатов методами математической статистики, в теоретической части — базируется на корректном применении математического аппарата, которое подтверждается совпадением в частных или предельных случаях новых результатов с ранее известными или полученными из экспериментов.
Научная новизна работы.
- Впервые обоснованы физические принципы технологии синтеза гетероструктур А"*В^-А2"*Сз^^ методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешетке и определены условия формирования структурно совершенных тонкоплёночных фаз А2*"Сз^* различных полиморфных модификаций как с упорядоченными, так и со стохастически распределёнными стехиометрическими вакансиями. Показано, что псевдоморфные плёнки А2*"Сз^ со структурой дефектного сфалерита могут быть синтезированы на основе А*"в\ несмотря на отсутствие такой полиморфной модификации в массивных образцах.
- Методами дифракции электронов и просвечивающей микроскопии доказана самоорганизация кристаллической структуры слоёв А2"*СзЛ Доказано существование новых кристаллических модификаций фаз һ^з, In2Se3 на подложках InAs и Ga2Se3 на подложках GaAs.
- Разработаны способы формирования слоев 1п2Тез и 1п2хСа2(Ьх)Тез с инконгруэнтным характером испарения, основанные на газофазной эпитаксии в квазизамкнутом объёме.
— Впервые экспериментально доказана возможность лазерно-стимулированного формирования сильнолегированных областей в приповерхностной области А***В^ под слоем А2*"Сз^' в системах А"*В^-А2*"Сз^\
- На основе исследований энергетического распределения локализованных состояний в запрещённой зоне слоёв широкозонных полупроводников А2^*Сз^* предложена модель, объясняющая поведение носителей заряда в обменных
9
нелинейных процессах между разрешёнными зонами и центрами локализации заряда.
- Доказано, что снижение плотности ПЭС в приповерхностной области А*"В^ в системах А*"В^-А2*"Сз^* с гетеропереходом, смещённым внутрь монокристалла подложки происходит за счёт геттерирования электрически активных примесей из приповерхностных областей А"*В^ и их сегрегации в слоях A;"^.
- Впервые экспериментально доказано зародышеобразование на начальной стадии роста слоев А2*"Сз^ при формировании гетероструктур А*"В^- А2*"Сз^ методом гетеровалентного замещения.
- Впервые представлено описание диффузии атомов в твердотельной среде на основе интегро-дифференциальных уравнений без ограничений на концентрацию и градиент концентрации диффундирующих атомов, устранён эффект дальнодействия, характерный для традиционного описания диффузии на макроскопическом уровне, учтён корреляционный эффект.
- Сформулирована и развита физико-математическая модель планарного роста слоёв А2*"Сз^' на кристаллах А^'В^ в процессе гетеровалентного замещения. В рамках предложенной модели даны численные и аналитические решения эволюции концентрационных профилей, подтверждённые экспериментально. Методами рентгеноспектрального микроанализа, вольт-фарадных характеристик, сканирующей электронной микроскопии и математического моделирования доказана самоорганизация реакции термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в гетеросистеме А"*В^- А2*'*СзЛ
Практическая значимость работы.
Обосновано использование тонкоплёночных фаз А2"*Сз^* в технологии элементной базы твердотельной электроники на основе соединений А*"в\ Полученные в работе результаты позволяют прогнозировать параметры концентрационных профилей и связанные с ними физические свойства гетероструктур А"^-А2*"Сз^. Практический интерес для сферы нанотехнологий представляют рекомендации по управлению технологическим процессом
10
формирования слоёв А2*"Сз^ на подложках А*"в\ Разработанные физические основы технологии формирования гетероструктур А"'В^- А2*"Сз^^ с
использованием реакции ГВЗ могут быть применены для пассивации поверхности А'"В^ тонкими плёнками А2*"Сз^, защиты от внешних воздействий и очистки приповерхностной области подложки А"*В^ от примесей за счёт геттерирования в стехиометрические пустоты, для создания полевых приборов на основе А*"В^ со слоями А2*"Сз^' в качестве подзатворных или переходных между подзатворным диэлектриком и полупроводником А*"в\
Разработанный метод лазерно-стимулированного формирования сильнолегированных областей в А*"В^ может быть использован при изготовлении полевых транзисторных структур на основе гетероструктур А"'В^- А2*"Сз^ с минимальными значениями плотности поверхностных электронных состояний на гетерогранице.
Предложенные в работе способы формирования гетероструктур позволяют синтезировать совершенные по структуре слои некоторых соединений А2^'Сз^\ имеющие заданные параметры и тип кристаллической решётки, различные по протяжённости и составу переходные области вблизи гетероперехода, что может быть полезным не только при изучении модифицирования структуры и полиморфизма решётки, но и для разработки новых типов дискретных твердотельных приборов, в том числе на основе периодических структур с управляемым субзонным спектром.
Подход к анализу спектров изотермической релаксации емкости, учитывающий обмен носителями заряда между глубокими уровнями и обеими разрешёнными зонами может быть использован для более точного и информативного определения спектра глубоких энергетических состояний полупроводников.
Внедрение научных результатов. Основные результаты работы использованы при выполнении ГБ НИР «Физико-химические основы формирования наноразмерных гетерофазных систем в процессе гетеровалентного замещения» (№ гос. per. 1.1.09) и ГБ НИР «Физико-химические процессы в
11
объеме и на границе раздела в неоднородных твердотельных системах» (№ гос. per. 01960012699) кафедры физики Воронежской государственной технологической академии (до 2011 г. ВГТА), а также при выполнении грантов РФФИ № 03-02-96480 (Физико-химические основы формирования и электронные процессы в наноразмерных структурах на основе системы GaiSe^ - GaAs на 20032004 г.г.) и 03-03-96502-р2003цчр_а (Самоорганизующиеся наноразмерные гетероструктуры металл - широкозонный полупроводник на 2003-2005 г.г.), межотраслевой программы научно-технического сотрудничества Министерства образования РФ и Министерства обороны РФ (распоряжение Министерства образования России № 933-38 от 18.09.2001) по разделу №4 «Исследование проблем оптики, квантовой и твердотельной электроники» по теме 04.01.15 «Устойчивость к радиационным воздействиям полевых полупроводниковых гетероструктур со слоями соединений А2*"Вз^), договоров с ОАО «ВЗПП» (г. Воронеж), ОАО «НИИПМ» (г. Воронеж), ФГУП НИИЭТ (г. Воронеж), проектов Федеральных целевых программ «Индустрия наносистем и материалов» (гос. контракт № 02. 513. 11. 3059 «Твердотельные наноструктуры для электронной и оптической техники нового поколения») 2007 г. и «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы» по гос. контрактам №16.516.11.6084 от 08.07.2011 «Разработка технологии изготовления новых наноразмерных полупроводниковых покрытий для повышения эффективности элементов солнечной энергетики» и №16.516.11.6098 от 08.07.2011 «Разработка научно-технических основ повышения надёжности и долговечности светодиодных световых приборов повышенной мощности в результате реализации новых технических решений по охлаждению светодиодов».
Основные научные положения, выносимые на защиту.
1. Последовательность стадий термостимулированного гетеровалентного замещения на поверхности А*"В^ в процессе отжига в парах халькогена:
а) образование и коалесценция уединённых зародышей фазы А2*"Сз^* на начальном этапе квазипланарного роста слоёв А2*^Сз^^ на поверхности А'"в\
12
б) формирование тонкого сплошного слоя А2*"Сз^* на поверхности А"*В^;
в) планарный рост с квазиравновесной доставкой халькогена (С^) в зону реакции;
г) планарный рост, ограниченный квазистационарной диффузионной доставкой реагента.
2. Механизм гетеровалентного замещения в анионной подрешётке А*"В^ с образованием тонкоплёночной фазы А2*"Сз^, определяющийся следующими процессами: адсорбцией молекул халькогена, диссоциацией молекул халькогена на атомы, термостимулированной диссоциацией А*'*В^ и десорбцией атомов В\ взаимодействием атомов халькогена с вакансиями элемента В^ и химической реакцией с катионами А*", активацией диффузии атомарного халькогена в зону реакции на формируемой гетерогранице.
3. Полиморфные превращения в плёнках А2*"Сз^*, связанные с ориентирующим действием подложки А*"В^ и псевдоморфизмом на начальной стадии роста в процессе гетеровалентного замещения, приводящие к образованию новых модификаций соединений А2*"Сз^, не проявляющихся при использовании других способов формирования.
4. Энергетический спектр тонкоплёночных фаз 1п2$з, In2Se3,1п2Тез и 1п2хИа2(ьх)Тез, синтезированных на монокристаллических подложках InAs, содержащий вблизи середины запрещённой зоны два глубоких уровня, которые связаны с центрами локализации заряда с низкими концентрациями, один из которых проявляет донорные свойства, а другой по своим характеристикам соответствует нейтральной ловушке.
5. Модель диффузии атомов, применимая без ограничения на физически реализуемую концентрацию и её градиент в твердотельной среде с пространственно неоднородным распределением равновесных положений, описывающая корреляционное взаимодействие компонентов гетероструктуры А"*В^-А2*"Сз^* при её формировании методом гетеровалентного замещения.
13
6. Зависимость кинетики процесса гетеровалентного замещения и времени формирования сплошного слоя А2"*Сз^^ от начальной поверхностной концентрации анионных вакансий подложки А*"в\
7. Механизм снижения эффективной плотности ПЭС, сопровождающийся откреплением уровня Ферми, обусловленный диффузионным перераспределением примесных и сверхстехиометрических атомов в гетероструктурах с градиентом стехиометрических вакансий, направленным из приповерхностной области А*"В^ в сторону роста концентрации А2^'Сз^* в твёрдом растворе.
8. Модель планарного роста слоёв А2*'*Сз^* на кристаллах А'"в\ объясняющая стабилизацию формы фронта реакции и возможность получения гетеросистем с наноразмерными переходными областями самоорганизацией реакции термостимулированного гетеровалентного замещения элементов В^ на халькоген (С^') в гетероструктурах А*'*В^ - А2*"Сз^*.
Апробация работы. Конференции, семинары, симпозиумы и совещания, на которых представлялись результаты работы: Всесоюзный научный семинар «Керамические конденсаторные, сегнето- и пьезоэлектрические материалы» (г. Рига, 1986); Всесоюзный научно-технический семинар «Пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем» (г. Рязань, 1987); II Всесоюзная конференция «Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках» (г. Воронеж, 1987); 32 и 35 Международные научные коллоквиумы (DDR, Ilmenau, 1987, 1990); Межвузовская конференция молодых учёных «Наука и её роль в ускорении научно-технического прогресса» (г. Воронеж, 1987); V Всесоюзная школа «Физико-химические основы электронного материаловедения» (г. Новосибирск, 1988); II Всесоюзная школа по физике и химии рыхлых и слоистых кристаллических структур (г. Харьков, 1988); VII (г. Москва, 1988) и VIII (г. Харьков, 1992) Всесоюзные конференции по росту кристаллов; Третье Всесоюзное совещание-семинар «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем» (г. Одесса, 1988); I Всесоюзная конференция «Физические
14
основы твердотельной электроники» (г. Ленинград, 1989); II сессия по прикладной кристаллохимии (г. Воронеж, 1989); Международная школа «Лазерная микрообработка поверхности» (г. Ташкент, 1989); V Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г. Калуга, 1990); XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников (г. Киев, 1990); Конференция по электронным материалам (г. Новосибирск, 1992); Международная конференция «1992 International Conference on Advanced and Laser Technologies, ALT'92» (г. Москва, 1992); Международные семинары «Релаксационные явления в твердых телах» (г. Воронеж, 1995, 1999);
Международные конференции «Fullerenes and atomic ciasters (г. Санкт-Петербург, 1995, 1997); Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (г. Тамбов, 1996); X Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел (г. Черноголовка, 1997); XVII и XXI Российские конференции по электронной микроскопии (г. Черноголовка, 1998, 2006); II (г. Воронеж, 1999) и III (г. Воронеж, 2000) Всероссийские семинары «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении»; Международная конференция «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 1999); VI Международная конференция «Плёнки и покрытия'2001» (г. Санкт-Петербург, 2001); XII и XV Международные симпозиумы «Тонкие плёнки в электронике» (г. Харьков, 2001,
2003) ; I Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. ФАГРАН-2002» (г. Воронеж, 2002); Международная научно-техническая конференция «Межфазная релаксация в полиматериалах» (г. Москва, 2003); 5 международная научнотехническая конференция «Кибернетика и технологии XXI века» (г. Воронеж,
2004) ; Международная научная конференция «Тонкие плёнки и наноструктуры» (г. Москва, 2004); XXI Международная конференция «Нелинейные процессы в твердых телах. Relaxation Phenomena in Solids» (г. Воронеж, 2004); Международная школа-семинар «Современные проблемы механики и прикладной
15
математики» (г. Воронеж, 2005); XIX (г. Воронеж, 2006) и XX (г. Ярославль, 2007) Международные научные конференции «Математические методы в технике и технологиях»; IX международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (г. Ульяновск, 2007); Международная научная конференция «Актуальные проблемы физики твердого тела. ФТТ-2007» (г. Минск, 2007); VII международная научная конференция «Химия твердого тела и современные нанотехнологии» (г. Кисловодск, 2007); Пятый Международный междисциплинарный симпозиум «Прикладная синергетика в нанотехнологиях. ФиПС-08» (г. Москва, 2008); Четвертая Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология» (г. Хилово, Санкт-Петербург, 2009); Всеукраинская конференция с международным участием «Актуальные проблемы химии и физики поверхности» (г. Киев, 2011); XI Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2013» (г. Санкт-Петербург, 2013).
Публикации. По теме диссертации опубликовано более 100 работ, включая 42 статьи, в том числе 2 авторских свидетельства, из них 21 работа в изданиях, соответствующих перечню рекомендованному ВАК, рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание учёной степени доктора наук.
Личный вклад автора. Автору принадлежит выбор научного направления исследований, постановка и реализация задач, решение которых позволило обосновать положения, выносимые на защиту. Первоначальные исследования проводились совместно с научным консультантом, профессором Н.Н. Безрядиным. Автор самостоятельно провёл все технологические эксперименты по формированию гетероструктур, исследования электрофизических свойств тонких плёнок и электронных процессов в гетероструктурах, анализ данных о структуре и составе образцов, построение физических и математических моделей, аналитические и численные расчёты. Часть результатов получена совместно с аспирантами кафедры. Некоторые численные эксперименты математического моделирования выполнены с соискателем кафедры М.В. Бобылкиным,
16
защитившим кандидатскую диссертацию под научным руководством автора. Рентгеноспектральный микроанализ и Оже-анализ образцов выполнен автором в сотрудничестве с к. т. н. Б.Л. Агаповым. В списке литературы отражено участие других сотрудников кафедры и коллективов организаций, в которых также выполнялось решение поставленных задач.
Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, основных результатов и выводов, списка литературы из 393 наименований. Объем диссертации составляет 379 страниц, включая 155 рисунков и 18 таблиц.
17
1. Гетерогенные системы А*'*В^ — А2*'*Сз^* с эпитаксиальными слоями 1п2Тез и In2xGa2(bx)Te3 на подложках InAs
1.1. Свойства н способы синтеза соединений А2*"Сз^* и технологические возможности формирования гетероструктур А***В^ — А2*"Сз^*
В настоящее время полупроводниковые гетероструктуры как в их классическом виде, так и содержащих квантовые ямы, квантовые точки и сверхрешётки, формируются в результате гетерогенных реакций и наиболее эффективны для практического использования [1-4]. В качестве гетерогенных следует рассматривать реакции окисления, азотирования, халькогенирования приповерхностных областей твердых полупроводниковых соединений [1,5-8]. Полупроводниковые соединения классифицируют по кристаллохимическому строению, по названию анионообразователя, что чаще всего применяют для окислов металлов, силицидов, сульфидов, селенидов, теллуридов и т.п. Бинарные полупроводниковые соединения классифицируют также по расположению исходных элементов в Периодической системе, например, А"*В\ А"С^', А2*"Сз^ [1-4, 7-12]. Большими значениями подвижности электронов (Це) в ряду А"*В^ обладают вещества с непрерывной пространственной сеткой тетраэдрических ковалентных связей. Можно утверждать, что они удовлетворяют многим потребностям практического полупроводникового материаловедения, особенно это касается арсенида галлия [1-5, 8-19]. Несмотря на большое разнообразие свойств изовалентных твёрдых растворов замещения на основе бинарных алмазоподобных полупроводников А*"в\ они полностью не могут удовлетворить практическим потребностям современной электроники. Поиски новых гетеросистем в пределах алмазоподобной группы проводятся в направлении исследования двойных, тройных и более сложных фаз, в которых все или почти все атомы гетеровалентны [2,3,8,9]. К таковым можно отнести гетерогенные системы А"*В^ - А^СзЛ
18
В работах Н.А. Горюновой [9,19,20-22,26], С.И. Радауцана [22-25], Я.А. Угая [10], С.С. Горелика [8], Woolley J.C. [27-29], Л.С. Палатника [1,30,31] показано, что соединения Аз'^Сз^ (атомы элемента III В подгруппы размещаются в катионной, а элемента VI В подгруппы - в анионной подрешётке) имеют ковалентный sp^-гибридный тип межатомных тетраэдрических связей как и элементарные полупроводники IV группы - кремний и германий, так и бинарные полупроводники А"*В\ А**С^. Характерной для большинства алмазоподобных двойных соединений типа А*"В^ или А**С^* является структура сфалерита (цинковой обманки или типа ZnS), где каждый из атомов катионов окружён четырьмя большими по размерам атомами аниона в плотнейшей кубической упаковке и расположен в тетраэдрических пустотах [7-10].
Соотношение числа катионов к числу анионов в соединениях А2*"Сз^* (из условия стехиометрии) не равно единице. Катионы заселяют всего 1/3 всех тетраэдрических пустот. Такие вакансии (в отличие от френкелевских остаются равновесными и при абсолютном нуле температур) получили название стехиометрических вакансий (СВ) [9, 19-31]. Появляется возможность внедрения примесных атомов не только в междоузельные пустоты (тетраэдрические и октаэдрические), но и в СВ. В дефектных тетраэдрических фазах электронные облака, принадлежащие анионам (С^) и направленные в сторону СВ, вырождены, заполнены двумя электронами. Неподелённая пара электронов не осуществляет связи (свободные состояния отсутствуют) [6,7,31], что приводит к электронейтральности СВ [1,6-10,30-38], в распределении которых должен существовать определенный ближний порядок, обусловленный насыщенностью ковалентной химической связи с тетраэдрическим мотивом и необходимостью сохранения электронейтральности при построении кристалла [6,7]. При измерениях кинетических коэффициентов не обнаружены какие-либо эффекты, которые могли быть обусловлены столь большими концентрациями СВ как точечных дефектов в решётке, что может быть истолковано, как их нейтральность или наличие у СВ нулевой валентности [8-10,31,32]. Построение решётки соединений А2*'*Сз^ со стохастически распределёнными СВ по Крёгеру Ф. [6],
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs2016 год, кандидат наук Михайлюк Екатерина Андреевна
Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур2013 год, кандидат наук Филатов, Дмитрий Олегович
Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs2012 год, кандидат физико-математических наук Власов, Юрий Николаевич
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур пленочных наночипов на основе нитрида галлия2013 год, кандидат наук Комаровских, Нина Валерьевна
Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV: Термодинамика, получение, свойства и применение2004 год, доктор физико-математических наук Ратушный, Виктор Иванович
Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Буданов, Александр Владимирович, 2014 год
ЛИТЕРАТУРА
1. Палатник Л.С, Сорокин В.К. Основы плёночного полупроводникового материаловедения [Текст]. - М.: Энергия, - 1973. - 296 с.
2. Алфёров Ж.И. Физика и жизнь [Текст].- М.; Спб.: Наука, 2001. - 288 с.
3. Sadao Adachi. Properties of group -IV, Ш-V and Il-V semiconductors. Wiley Series in materials for electronic and optoelectronic applications [Текст]. - New York, John Wiley and Sons, Ltd., 2005. - 387 p.
4. Херман Мтр. Полупроводниковые сверхрешётки [Текст].-М.: Мир, 1989 - 240 с.
5. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст]. - М.: Наука. - 1986. - 144 с.
6. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов [Текст] / перевод с англ, под ред. проф. О.М. Полторака. - М.: Наука, 1969. - 254 с.
7. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников [Текст]. -М.: Высш, шк., 1973. - 655 с.
8. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение [Текст]. - М.: Металлургия, 1973. - 496 с.
9. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники [Текст]. - М.: Сов. радио, 1968.-268 с.
10. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников [Текст]. - М.: Высш, шк., 1965. -334 с.
11. Иевлев В.М. Тонкие пленки неорганических материалов: механизмы роста и структура [Текст]. - Воронеж: ВГУ, 2008. - 496 с.
12. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник [Текст] / редколлегия: акад. А.В. Новосёлова, д.х.н. В.Б. Лазарев, д.х.н. З.С. Медведева и др. // табл. 97, ил. 121. - М.: Наука, 1979. - 339 с.
13. Арсенид галлия в микроэлектронике [Текст]: под ред. Н. Айспрука и У. Уисс-мена / У. Уиссмен, У. Френели, У. Дункан и др. // перевод с англ, под ред. В.Н. Мордковича. - М.: Мир, 1988. - 555 с.
341
14. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления [Текст] / перевод с англ. В.Г. Батуа, В.Н. Данилина, А.И. Толстого; под ред. Д.В. Ди Лоренцо. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с.
15. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия [Текст] / перевод с англ, к.ф.-м.н. С.Д. Барановского, к.ф.-м.н. 1О.Б. Кирилловой, к.ф.-м.н. А.А. Кальфа, к.ф.-м.н. Г.С. Симина; под ред. д.ф.-м.н. М.Е. Левинштейна и д.т.н. В.Е. Челнокова. -М.: Мир, 1991. - 632 с.
16. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение [Текст] / авторы: Ю.М. Бурдуков, Ф.М. Гашимзаде, Ю.А. Гольдберг, А.Т. Гореленок, А.А. Гуткин, О.В. Емельянченко, А.Н. Именков, Ф.П. Кесаманлы, Н.М. Колчанова, Т.С. Лагунова, М.Е. Левинштейн, В.В. Негрескул, В.Е. Седов, Г.Н. Талалакин, Ю.И. Уханов; под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова // Монография. Главн. ред. физ.-мат. лит. -М.: Наука, 1973.-471 с.
17. Коротченков Г.С., Молодян И.П. Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия [Текст] / под ред. С.И. Радауцана. - Кишинёв: Штиница, 1984. - 115 с.
18. Медведева З.С. Халькогениды III Б подгруппы Периодической системы [Текст]. -М.: Наука, 1968.-216 с.
19. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе [Текст] / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская // табл. 41, ил. 130.-М.: Наука, 1975. - 219 с.
20. Горюнова Н.А., Григорьева В.С. Об арсеноселенидах галлия [Текст] // ЖТФ. -1956. - Т.26. - Вып. 10. - С. 2157-2161.
21. Горюнова Н.А., Радауцан С.И. Твёрдые растворы в системе InAs - Һ^Тез [Текст] // ДАН СССР. - 1958. - Т.121. -№5. - С. 848-849.
22. Горюнова Н.А., Радауцан С.И., Дерябина В.И. Гомогенизация сплавов системы InAs - In2Se3 отжигом под давлением [Текст] // ФТТ. - 1959. - Т.1. — Вып. 3. - С. 512-514.
23. Радауцан С.И., Малкович Б.Е.-Ш. Некоторые электрические свойства арсеноселенидов индия [Текст] // ФТТ. - 1961. - Т.З. - Вып.11. - С. 3324-3329.
342
24. Радауцан С.И. Исследование некоторых сложных полупроводниковых твёрдых растворов и соединений на основе индия [Текст] // Чех. физ. журнал (В). - 1962. - Т.12. - №5. - С. 382-391.
25. Наследов Д.Н., Пронина М.П., Радауцан С.И. Некоторые оптические свойства твёрдых растворов арсеноселенидов и арсенотеллуридов индия [Текст] // ФТТ. — I960.-Т.2.-Вып. 1.-С. 50-51.
26. Кожина И.И., Толкачёв С.С., Борщевский А.С., Горюнова Н.А. Исследование системы GaAs - Ga2S3 [Текст] // Вестник Ленинградского Университета. - 1962. -В.1.-№4.-С. 122-127.
27. Woolley J.C., Smith В.А. Solid Solution in Line Blende Type А2*"Вз^* Compounds [Текст] // Proc. Phys. Soc. - 1958. - Vol.72. - P. 867-873.
28. Woolley J.C., Pamplin B.K., Evans J.A. Electrical and optical properties of InAs -1пзТез alloys [Текст] // J. Phys. Chem. Solids - 1961. - V.19. - №1/2. - P. 147-154.
29. Woolley J.C., Keating P.N. Some electrical and optical properties of InAs - In2Se3 andInSb-In2Se3 alioys//Proc.Phys.Soc.-1961.-V.78.-P. 1009-1016.
30. Палатник Л.С., Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. Об эффекте отклонения от стехиометрии в полупроводнике 1п2Тез [Текст] // ДАН СССР. - 1965. - Т. 165. - №4. - С. 809-812.
31. Кошкин В.М., Палатник Л.С. Полупроводниковые фазы со стехиометрическими вакансиями [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1968.-Т.4.-№11.-С. 1835-1839.
32. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В. Термодинамическое исследование растворимости примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1970. - Т.6. - №4. - С. 714-719.
33. Атрощенко Л.В., Кошкин В.М. О растворимости примесей в 1п2Тез [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1966. - Т. 2. - №2. - С. 405—406.
34. Кошкин В.М., Фрейман Ю.А., Гальчинецкий Л.П. О релаксации кристаллической решётки вблизи вакансии [Текст] // ФТТ. - 1969. - Т. 11.-Вып.1.-С. 212-214.
343
35. Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. Отклонение от стехиометрии в полупроводнике Ga2Te3 [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1967. - Т. 3. - №5. - С. 777-782.
36. Woolley J.C., Pamplin B.R., Holmes P.J. The ordered crystal structure of 1п2Тез [Текст] // J. Less-Common Metals. - 1959. - V.l. - P. 362-376.
37. Жузе В.П., Сергеева B.M., Шелых А.И. Электрические свойства 1п2Тез -полупроводника с дефектной структурой [Текст] // ФТТ. - 1960. - Т. 2. - Вып. 11 -С. 2858-2871.
38. Заславский А.И., Сергеева В.М. О полиморфизме 1п2Тез [Текст] // ФТТ. - 1960. - Т.2. - Вып. 11. - С. 2872-2880.
39. Палатник Л. С., Белова Е.К., Козьма А.А. Об аномальных эффектах на рентгенограммах селенида галлия и его сплавов [Текст] // ДАН СССР. - 1964. - Т. 159.-№1.-С. 68-71.
40 Кошкин В.М., Атрощенко Л.В. Локальные упругие напряжения и растворимость примесей в кристаллах со стехиометрическими вакансиями [Текст] //ФТТ. - 1969.-Т. И.-Вып. 3.-С. 816-819.
41. Георгобиани А.Н., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Широкозонные полупроводники А"В2*"С4^: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения [Текст] / ФТП. - 1985. - Т.19. — Вып.2. - С. 193-212.
42. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. Справочное руководство [Текст]: в 4-х т. под рук. чл. кор. АН СССР Н.В. Агеева / А.Е. Вол, И.К. Коган // Т.2: Системы ванадия, висмута, водорода, вольфрама, гадолиния, галлия, гафния, германия, гольмия, европия, железа. -М.: Физматгиз, 1962. -982 с. Т.З: Системы золота, индия, иридия, иттербия, иттрия -М.: Наука, 1976. - 816 с.
43. Hiromichi Suzuki, Ryuichi Mori. Phase staudy on binary System Ga - Se [Текст] // Jap. J. of Appl. Physics. - 1974. - Vol. 13. - №3. - P. 417-423.
44. Палатник Л.С., Белова E.K. Исследование диаграммы состояния Ga - Se [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. - 1966. - Т.2. - №4. - С.770-771.
45. Dieleman J., Sanders F.H.M., Dommelen J.H.J. The phase diagram of the Ga - Se system [Текст] // Philips J. Res. - 1982. - V.37. - №4. - P. 204-229.
344
46. Рустамов П.Г., Мардахаев Б.Н., Сафаров М.Г. Исследование диаграммы состояния системы галлий - сера [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. -
1967. - Т.З. - №3. - С. 479-483.
47. Alapini F., Flahaut J., Guittaard M. et.al. Systeme gallium-teHure: Diagrams de phases etude structural de GaTe, Ga2Te$ et de Ga6SnTeio [Текст] // J. Solid State Chem. - 1979. - Voi.28. - №3. - P.309-319.
48. Newman P.C., Brice J.C., Wright H.C. The phase diagram of the gallium tellurium system[TeKCT] //Philips Res. Reps. - 1961. - Vol. 16. — №1. -P. 41-51.
49. Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин B.M., Палатник Л.С., Отклонение от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа В2^Сз^ [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. - 1965. -Т.1.-№12.-С.2140-2148.
50. Гальчинецкий Л.П., Атрощенко Л.В., Кошкин В.М., Сысоев Л. А. Монокристаллы 1п2Тез с постепенным изменением величины отклонения от стехиометрии [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. - 1970. - Т.4. - №5. -С.860-869.
51. Likformann A., Guittard М. Diagramme des phases du systeme indium-selenium [Текст] // Acad. Sc. Paris. - 1974. - Vol. 279. - P. 33-35.
52. Thompson A.J., Stubbs M.F., Schufle J.A. Thermodynamiics of the In - Һ^Бз system [Текст] // J. Amer. Chem. Soc. - 1954. - Vol.76. — №2. - P.341-343.
53. Duffin W.J., Hogg J.H.C. Crystalline phases in the system In - In2S3 [Текст] // Acta Cryst. - 1966. - Vol.20. - P. 566-569.
54. Ansell H.G., Boorman R.S. Phases relations in the In - S system [Текст] // J. Electrochem. Soc.-1971.-Vol.ll8.-№l.-P. 133-136.
55. Hahn H., Klingler W. Uber die Kristallstrukturen des Ga2Se3 [Текст] // Z. anorgan. und allgem. Chem. - 1949. - Vol.259. - №1/4. - P. 135.
56. Khan M.Y., Ali S.Z. Optical and scanning electron microscopic examination of a-and 0- Ga2Se3 [Текст] // J. Crystal Growth. - 1980. - №49. - P. 303-308.
57. Manolikas C. Electron microscopic study of the ordered and disordered phases in Ga2Se3 [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1982. - Vol.69. - P. 393-405.
345
58. Hahn H., Klingler W. Uber die Kristallstrukturen des In2S3 und 1п2Тез [Текст] // Z. anorgan. und allgem. Chem. - 1949.-Vol.260.-№ 1/3.-P. 97-106.
59. Hussein S.A., Nagat A.T. Branch characteristic features of electrical properties in 1п2Тез single crystals [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1989. - Vol.114. - №2. - PP. K205-K209.
60. Golding T.D., Boyd P.R., Martinka M., Amirtharaj P.M., Dinan J.H., Qadri S.B., Zahn D.R.T., Whitehouse C.R. Molecular-beam-epitaxial growth and characterization of 1п2Тез [Текст] // J. Appl. Phys. - 1989. - Vol.65. - №6. - P. 1936-1941.
61. Rooymans C.J.M. A new type of cation-vacancy ordering in the spinel lattice of In2S3 [Текст] // J. Inorg. and Nuclear Chemistry. - 1959. - Vol.l 1. - №1. - P. 78-79.
62. Goodyear J., Steigmann G.A. Twinning in a Cation-deficient Spinel Structure [Текст] // Procedings of the Physical Society, 1961, October. - 1961. - Vol.78. - Pt.4. -№502.-P. 491-495.
63. Steigmann G.A., Sutherland, Goodyear J. The Crystal Structure of Р-к^з [Текст] // Acta Cryst. - 1965. - Vol. 19. -P. 967-971.
64. Hatwell H., Offergeld G., Herinckx C., Cacenberghe J. Mise en evidence d'une reaction d' ordonnance des lacunes dans le sulfure d'indium In2S3 [Текст] // Comptes Rendus Academie des Sciences. - 1961.-Vol.252.-P. 3586-3588.
65. King G.S.D. The space group of к^з [Текст] // Acta Cryst. - 1962. - Vol. 15. — P. 512.
66. Landuyt J., Amelinckx S. Antiphase Boundaries and Twins Associated with Ordering of Indium Vacancies in p-In2S3 [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1969. -Vol.31.-P. 589-600.
67. Diehl R., Nitsche R. Vapour growth of three In2S3 modifications by iodine transport [Текст] // J. Cryst. Growth. - 1975. - Vol.28. - P. 306-310.
68. Buck P. Rontgentopographische und elektronenmikroskopische untersuchung der realstruktur von y-In2S3-Kristallen [Текст] // J. Appl. Cryst. - 1973. - Vol.6 - P. 1-8.
69. Newman P.C. Ordering in А2*"Вз^* compounds [Текст] // J. Phys. Chem. Solids. -1962.-Vol.23-P. 19-23.
70. Popovic S., Celustka B., Bidjin D. X-ray Diffraction Measurement of Lattice
346
Parameters oflr^Sej [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1971. - Vol.6. -P. 301-304.
71. Семилетов C.A. Кристаллическая структура высокотемпературной модификации Һ^Без [Текст] // Кристаллография. — 1960. - Т.5. - Вып. 5. - С. 704710.
72. Kambas К., Fotsing J., Hatzikraniotis Е., Julien С. Characteristics of Disorder in Defective Layered Semiconductor a- In2Se3 [Текст] // Physica Scripta. - 1988. -Vol.37.-P. 397-400.
73. Палатник Л.С., Белова E.K. Исследование полиморфизма селенида Ga2Se3 переменного состава [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1965. - Т.1. -№11.-С. 1183-1186.
74. Рустамов П.Г., Алиджанов М.А., Меликова З.Д. Исследование тепловых и электрических свойств системы In2S3 - In2Se3 [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1969. - Т.5. - №5. - С. 964 - 965.
75. Рустамов П.Г., Меликова З.Д., Сафаров М.Г., Алиджанов М.А. Твёрдые растворы в системе Ga2S3 - Ga2Se3 [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. -
1968. - Т.4. - № 11. - С. 2028-2029.
76. Кошкин В.М., Гальчинецкий Л.П., Корин А.И. Электропроводность сильно легированных полупроводников типа В2^*Сз^* [Текст] // ФТП. - 1971. - Т.5. -Вып.Ю.-С. 1893-1895.
77. Rehwald W., Harbeke G. On the conduction mechanism in single crystal P-indium sulfide In2S3 [Текст] // J. Phys. Chem. Solids. - 1965. - Vol.26 - P. 1309-1324.
78. Morris V.J. Electrical and thermoelectric measurements on the liquid In — Һ^Бз partial system [Текст] // Phil. Mag. - 1971. - Vol.24. - №191. - P. 1221-1232.
79. Bube R.H., McCarroll W.H. Photoconductivity in indium sulfide powders and crystals [Текст] // J. Phys. Chem. Sol. - 1959. - Vol. 10. - №4. - P. 333-335.
80. Kambas K., Anagnostopoulos A., Ves S., Ploss B., Spyridelis J. Optical absorption edge investigation of CdIn2S4 and Р-Һ^Бз compounds [Текст] // Phys. Stat. Sol. (b). -1985.-Vol. 127.-P. 201-208.
81. Gilles J.M., Hatwell H., Offergeld G., Cakenberghe J. Photoconductivity in indium sulfide [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1962. - Vol.2. - P. K73-K77.
347
82. Argali F. Some dielectric properties of evaporated indium sulphide films [Текст] // Thin Solid Films. - 1968. - Vol.l. -№6. -P. 495^198.
83. Garlick G.F.J., Springford M., Checinska H. The infra-red emission of indium sesquisulphide [Текст] // Proc. Phys. Soc. - 1963.- Vol.82. - №525.- P. 16-22.
84. Springford M. The luminescence characteristics of some group III-VI compounds [Текст] // Proc. Phys. Soc.- 1963. - Vol.82.- №530. - P.1020-1028.
85. Czaja W., Krausbauer L. Photoluminescece of CdIn2S4 and Mixed Crystals with In2S3 as Related to Their Structural Properties [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a) - 1969. -Vol.33.-P. 191-199.
86. Китаев Г.А., Двойнин В.И., Устьянцева A.B., Беляева М.Н., Скорняков Л.Г. Строение тонких плёнок ^Бз [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. — 1976.-Т.12.-№10.-С. 1760-1762.
87. Свечников С.В., Сиденко Т.С., Чернова А.С., Жаровский Л.Ф. Исследование оптических свойств плёнок сульфидов индия и галлия [Текст] // Укр. физ. ж. -1982. - Т.27. - №2. - С. 285-288.
88. Кильчицкая С.С., Кильчицкая Т.А.. Чернова А.С. Фотоэлектрические и электрофизические характеристики структур I^Sg - SiOx - Si [Текст] // Изв. вузов. Физика. - 1985. — №7. - С. 3-6.
89. Kim Wha-Tek, Kim Chang-Dae. Optical energy gaps of рл^Бз thin films grown by spray pyrolysis [Текст] // J. Appl. Phys. - 1986. - V.60. - №7. - PP. 2131-2133.
90. Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Барьеры Шоттки на основе плёнок п-Е^Бз, полученных лазерным испарением [Текст] // ФТП. - 2007. - Т.41. - Вып. 1. - С. 48-52.
91. Julien С., Eddrief М., Kambas К., Balanski М. Electrical and optical properties of 1п2Без thin films [Текст] // Thin Solid Films. - 1986. - Vol. 137. -P. 27-37.
92. Bidjin D., Popovic S., Celustka B. Some Electrical and Optical Properties of In2Se3 [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a). - 1971. - Vol.6. - P. 295-299.
93. Рустамов П.Г., Меликова З.Д., Сафаров М.Г. Взаимодействие в системе ^Бз -In2Se3 // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. - 1967. - Т.З. - №12. - С. 2203-2207.
348
94. Nagat A.T., Nassary M.M., El-Shaikh H.A. Investigation of thermoelectric power of indium sesquitelluride monocrystals [Текст] // Semicond. Sci. Technol. - 1991. -V0I.6.-P. 979-982.
95. Сысоев Б.И., Руднев E.B., Антюшин В.Ф. Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое [Текст] // ФТП. - Т.22. - Вып.10. - С. 1871-1873.
96. Кошкин В.М., Овечкина Е.Е., Романов В.П. Ядерный гамма-резонанс на нейтральных атомах олова в кристаллической матрице 1п2Тез [Текст] // ЖЭТФ. — 1975. - Т.69. - Вып.6 (12). - С. 2218-2221.
97. Овечкина Е.Е., Романов В.П., Забродский Ю.Р., Кошкин В.М. «Сжатие» электронной оболочки нейтрального атома кристаллической матрицей [Текст] // ЖЭТФ. - 1977. -Т. 72. -Вып.1. - С. 329-333.
98. Анисимова О.А., Годовиков С.К., Губская Г.Ф., Менщикова Т.К., Уфимцева Э.В., Фролов 1О.П. Легирование Ga2Te3 железом [Текст] // Неорг. материалы. — 1982. - Т.18. - №4. - С. 573-580.
99. Brown M.R., Shand W.A. Luminescence in Raze-Earth-Doped Thiospinels [Текст] // J. Quantum Electronics. - 1968. - V.qe-4. - №11. - PP. 712-716.
100. Фирсова Л.П. Диффузия железа в селениде галлия [Текст] // Неорг. материалы. - 1986. - Т.22. - №9. - С. 1432-1434.
101. Mathur Р.С., Kumar A., Kumar Р. Growth and properties of well-oriented 1п2Тез thin films [Текст] // Thin Solid Films. - 1982. - Vol.88. - P. 263-268.
102. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я., Санфиров Ю.З. Об электрической неактивности примесей в полупроводниковых соединениях типа 1п2Тез [Текст] // ФТП. - 1979. — Т.13.-Вып.1.-С. 134-137.
103. Серёгин П.П., Насрединов Ф.С., Нистирюк П.В., Регель А.А., Костиков Ю.П. Природа электрической неактивности примесных атомов олова в 1п2Тез [Текст] // ФТП. - 1982. - Т.16. - Вып. 2. - С. 227-230.
104. Аскеров И.М., Асланов Г.К., Насрединов Ф.С., Тагиев Б.Г. Дефектные полупроводники Ga2S3 и Ga2Se3, легированные железом [Текст] // ФТП. - 1989. -Т.23.-Вып.6.-С. 1083-1085.
349
105. Эккерман В.М., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. Самодиффузия и диффузия кадмия в кристалле 1п2Тез [Текст] // ФТТ. - 1974. - Т.16. - №5. — С. 1551-1552.
106. Ананьина Д.Б., Бакуменко В.Л., Бонаков А.К., Грушка Г.Г., Курбатов Л.Н. Кинетика фотопроводимости дефектного полупроводника 1п2Тез [Текст] // ФТП. — 1979. - Т.13. - Вып. 5. - С. 961-964.
107. De Blasi С., Drigo A.V., Micocci G., Tepore A., Mancini A.M. Preparation and characterization of Һ^Без crystals [Текст] // J. Cryst. Growth. - 1989. - Vol. 94. - №2.
- P. 455-458.
108. Dimitriou P., Post G., Scavennec A., Duhamel N., Lorans M. High Transconductance InP MISFET S with double layer gate insulator [Текст] // Physica. -1985. - Vol. 129B. - № 1-3. - P. 399-402.
109. Descouts B., Durand J., Cot L., Post G., Scavennec A. Thermal sulphidation on InP [Текст]//Тһт Solid Films.- 1985.-Vol. 131.-№l-2.-P. 139-148.
110. Gendry M., Durand J., Cot L., Hollinger G. Sulfuration assistee par plasma de InP [Текст] // Thin Solid Films. - 1987. - Vol. 149. - №3. - P. 313-324.
111. Шафизаде Р.Б., Эфендиев Э.Г., Алиев Ф.И. Электронографическое исследование плёнок In2S3, полученных вакуумным осаждением [Текст] // Кристаллография. - 1973.-Т. 18.-№3.-С. 660-661.
112. Косевич В.М., Сокол А.А., Барвинок А.Д. Структура кристаллических фаз, формирующихся при отжиге аморфных плёнок 1п2Тез [Текст] // Кристаллография.
- 1984. - Т. 29. - №2. - С. 356-360.
113. Rousina R., Shivakumar G.K. Electron diffraction study of vacuum-deposited 1п2Тез thin films // Surface and Coat. Technol. - 1989. - Vol.38. - №3. - P. 353-358.
114. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника [Текст] // ФТП. - 1984. - Т.18. - Вып. 10. — С.1739-1743.
115. Sysoev В.1., Bezryadin N.N., Synorov Yu.V., Agapov B.L. Investigation of Gallium Selenide Films, Grown by the Hot Wall Method, in Silicon Substrates [Текст]
350
// Phys. Stat. So!.(a). - 1986. - Vol.94. - P. K129-K132.
116. Бессолов И.Н.,Лебедев M.B. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А*'*В\ Обзор.[Текст] // ФТП. -1998. -Т.32. -Вып.11. - С. 1281-1299.
117. Бергер Л.И., Стрельченко С.С., Бондарь С.А., Молодых А.Д., Баланевская А.Э., Лебедев В.В. Давление диссоциации двойных полупроводниковых соединений В^Сз^ [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. мат. - 1969. - Т.5. - №5. -С.872-875.
118. Исакова Р.А., Нестеров В.Н., Шендяпин А.С. Давление пара сульфидов свинца и индия [Текст] // Журнал неорганической химии. - 1963. - Т. VIII. -Вып.1. - С. 18—23.
119. Miller A.R., Searcy A.W. The sublimation of indium sesquisulfide [Текст] // J. Phys. Chem. - 1963. - Vol.67. - №11. - P. 2400-2404.
120. Глазов B.M., Чижевская C.H., Евгеньев С.Б. Объёмные изменения при плавлении и нагреве расплавов теллуридов галлия и индия [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1968. - Т.4. - №5. - С.678-681.
121. Плотников М.В., Алишина Е.А., Макаров А.В, Зломанов В.П. Масс-спектрометрическое исследование системы Ga-Te [Текст] // Изв. АН СССР.
Неорг. материалы. - 1983. - Т.19. - №8. - С. 1294-1297.
122. Белоусов В .И., Вендрих Н.Ф., Новожилова А.Ф., Пашинкин А.С. Испарение Ga2Te3 [Текст] // Неорг. материалы. - 1984. - Т.20. - №8. - С. 1319-1322.
123. Белоусов В.И., Вендрих Н.Ф., Горбов С.И., Новожилова А.Ф., Пашинкин А.С. Испарение 1п2Тез [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1981. - Т. 17. -№7.-С. 1190-1194.
124. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Авторы: Б.Д. Луфт, В.А. Перовощиков, Л.Н. Возмилова, И.А. Свердлин, К.Г. Марин // Под ред. Б.Д. Луфт. - М.: Радио и связь, 1982. - 136 с.
125. Штабнова В.Л., Кировская И.А. Химический состав поверхности соединений 1пВ^ [Текст] // Неорг. материалы. - 1989. - Т.25. - №2. - С.207-211.
351
126. Буданов А.В., Казанин И.П., Колокольников Б.М. Схема для регистрации малых изменений ёмкости [Текст] // ПТЭ. - 1986. - №5. - С. 185.
127. Chiang Т.Т., Spicer W.E. Fermi-level pinning and thermal desorption studies [Текст] // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1989. - Vol.7. - Pt.l. - P. 724-730.
128. Spicer W.E., Newman N., Spindt C.J., Liliental-Weber Z., Weber E.R. "Pinning" and Fermi level movement at GaAs surfaces and interfaces [Текст] // J. Vac. Sci. and Technol. A. - 1990. - Vol.8. - №3. - Pt. 1. - P. 2084-2089.
129. Baier H.-U., Koenders L., Monch W. Oxidation of cleaved InAs (110) surfaces at room temperature: surface bend bending and ionization energy [Текст] // Solid State Commun. - 1986. - Vol.58. - №5. - P. 327-331.
130. Baier H.-U., Koenders L., Monch W. Oxidation of InAs (110) surfaces: auger electron energy loss and ultraviolet photoemission spectroscopy [Текст] // Surface Science. - 1987. - Vol. 184. - P. 345-358.
131. Федер E. Фракталы [Текст]. -M.: Мир, 1991.-254 с.
132. Кремер Н.Ш. Теория вероятностей и математическая статистика [Текст]. -М.:Мир, 2004.-573 с.
133. Дрейпер Н., Смит Г. Прикладной регрессионный анализ. В 2-х кн. Кн. 1 [Текст]. - М.: Мир, 1988. - 369 с.
134. Львовский Е.Н. Статистические методы построения эмпирических формул [Текст]. - М.: Высш, шк., 1988. - 239 с.
135.Simpson О.,Sutherland G.B.M. The preparation and properties of photoconductive films oflead telluride//Trans. Roy. Soc. - 1951.-Vol. A243.-P. 547-564.
136. Френк Д.М. Получение слоев соединений А*^В^* с заданными параметрами методами квазизамкнутого объема [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1982.-Т.18.-№8.-С. 1237-1247.
137. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объёме [Текст] / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старое и др. - 1975. - М.: Сов/ радио. - 1975. - 160 с.
138. Буданов А.В., Дронов А.С., Казанин И.П., Шлык Ю.К. Установка для выращивания плёнок и монокристаллов диэлектриков и полупроводников [Текст]:
352
мат. Всесоюзн. научн. семинара «Керамические конденсаторные, сегнето- и пьезоэлектрические материалы». - Рига: РПИ, 1986. - С. 8-12.
139. Агапов Б.Л., Буданов А.В., Щевелёва Г.М., Безрядин Н.Н., Казанин И.П., Постников В.В. Получение и исследование электрофизических параметров тонких слоёв сульфидов индия и кадмия [Текст]: сб. науч. тр. «Исследования по физике полупроводников». - Воронеж: Вор. гос. пед. ин-т, 1986. - С. 76-79.
140. Постников В.В., Буданов А.В., Казанин И.П. Об электрических и магнитных свойствах плёночных образцов сульфида кадмия, полученных вакуумной конденсацией в квазизамкнутом объёме [Текст]: сб. науч. тр. «Физикохимические основы надёжности микроэлектронных структур». - Воронеж: Вор. политех, ин-т, 1987. — С. 58-60.
141. Буданов А.В., Казанин И.П. Получение тонких плёнок металлов и соединений типа сульфида кадмия в квазизамкнутом объёме [Текст]: тез. докл. Межвузовской конференции молодых учёных «Наука и её роль в ускорении научно-технического прогресса». - Воронеж: ВГУ, 1987. — С. 28.
142. Каратаев В.В., Немцова Г.А., Рытова Н.С., Югова Т.Г. Влияние термообработки на электрические свойства нелегированного арсенида индия [Текст] // ФТП. - 1977. - Т. 11. - Вып.9. - С. 1670-1674.
143. Edmond J.T., Hilsum С. Heat treatment effects in indium arsenide [Текст] // J. Appl. Phys. - 1960. - Vol.31. - №7. - P. 1300-1301.
144. Fisher C., Heasell E. The Formation of Thermal Etch Parttems during diffusion Indium Antimonide [Текст] // Surf. Sci. - 1972. - V.30. - №3. - P.592-600.
145. Угай Я.А., Битюцкая Л.А., Гурза Л.Ф. О температурной зависимости упругости диссоциации фосфида индия [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. мат. -1966. - Т.2. - №11.-С. 1944-1947.
146. Lum W.Y., Clawson A.R. Thermal Degradation of InP and its Control in LPE Growth [Текст] // J. Appl. Phys. - 1979. - Vol.50. - №8. - P. 5296-5301.
147. Долгинов Л.М., Жукова Л.А. Влияние термообработки в парах фосфора на морфологию и структуру поверхности подложек фосфида индия [Текст] // Электронная техника. Сер.6. Материалы. - 1981. - №10 (159). - С. 27-29.
353
148. Pfanner К., Franke D., Sartorius B., Schlak M. A comparative study on protection methods against InP substrate decomposition in liquid phase epitaxy
[Текст] // J. Cryst. Growth. - 1988. - №1. - PP. 67-70.
149. Сенкевич А.И., Прокопенко B.M., Варченко H.H. Влияние физикохимических воздействий на поверхность арсенида галлия [Текст] // Поверхность. Физ., хим., мех. — 1983. — №2. - С. 88-94.
150. Gant Н., Koenders L., Bartels F., Monch W. Anion inclusions in 111-V semiconductors [Текст] // Appl. Phys. Lett.. - 1983. - Vol.43. - PP. 1032-1034.
151. Bartels F., Clemens H.J., Monch W. Segregation of As on GaAs surfaces observed immediately after cleavage [Текст] // Physica B+C. - 1983. - Vol. 117B - 118B. Part 2. -P. 801 -803.
152. Белый В.И., Сысоева Н.П., Колесов Б.Л. Удаление мышьяка с поверхности GaAs [Текст] // Поверхность. Физ., хим., мех. - 1989. - №8. - С. 86-91.
153. Walukiewicz W. Mechanism of Fermi-level stabilization in semiconductors [Текст] // Phys. Rev. B. - 1988. - Vol. 37. - №9. - P. 4760-4763.
154. Рояк А.Я., Чернявский Л.И., Дорохов А.Н., Мазалов Л.Н., Юделевич И.Г. Микрорентгеноспектральный послойный анализ пленок [Текст] // Известия СО АН СССР. Сер. химических наук. - 1981. - №7. - Вып.З. - С. 118-123.
155. Yakowitz Н., Newbury D.E. A simple analytical method for thin film analysis with massive pure element standards [Текст] // SEM, 1976, Part I. Proceedings of Ninth Annual Scanning Electron Microscope Symposium, ПТ Research Institute, Chicago: Illinois Institute ofTechnology, Chicago, 1976.-P. 151-162.
156. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Буданов A.B., Прокопова Т.В. Получение тонких эпитаксиальных слоёв соединений А2*'*Вз^ на поверхности арсенида индия [Текст]: тез. докл. V Всесоюзной школы «Физико-химические основы электронного материаловедения». - Новосибирск, 1988. - С. 53.
157. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В. Гетероструктуры на основе арсенида индия с тонкими слоями рыхлых полупроводниковых соединений [Текст]: тез. докл. II Всесоюзной школы по физике и химии рыхлых и слоистых кристаллических структур. - Харьков: ХПИ, 1988. - С. 209.
354
158. Гоулдстейн Дж., Ньюберн Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лившиц Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. В 2-х книгах [Текст] / Пер. с англ. Р.С. Гвоздовер и Л.Ф. Комоловой, под ред. В.И. Петрова // Книга 1. -М.: Мир-1984.-303 с. Книга2. -М.: Мир-1984. -348 с.
159. Певзнер В.В. Прецизионные регуляторы температуры [Текст] // М.: Энергия. - 1973.-С. 44-48.
160. ASTM Diffraction Date Card File (1959). Cards№ 5-729, № 5-730, №5-731, № 15-104, № 16-445, № 16-500, № 17-086, № 20-492, № 20-493.
161. Powder Diffraction File, Alphabetical Index Inorganic Compaunds, JCPDS, Pensilvania, 19081, USA. - 1977 and JCPDS - ICDD, PDF - 2, Sets 1 - 45 database, Newtone Square, PA 19073, USA, cards № 5-724 Ga2Se3, № 5-731 In2S3 , № 17-086 1п2Тез, № 17-356 Һ^Без, № 20-493 һ^ез, № 20-494 ^ез, № 21-413 һ^з, № 25390 Мз, № 30-577 Ga2S3 , № 32-456 ^з, № 33-624 ^з, № 33-643 ИазТез, № 33-1486 1п2Тез, № 33-1488 ^Тез, № 34-45 һ^з, № 34-1279 һ^ез, № 34-1313 In2Se3, № 35-1056 һ^ез, № 36-643 һ^з, № 35-1490 Ga2Te3, № 40-1407 һ^ез, № 40-1408 In2Se3, №16-500 Ga2S3, №30-577 Ga2S3, № 43-916 Ga2S3, № 43-917 Ga2S3, № 43-918 Ga2S3, № 44-931 Ga2Se3, № 44-1012 Ga2Se3, № 45-891 Ga2Se3, № 45-10411042 In2Se3, № 45-1047 ИазТез. - 1995.
162. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур [Текст] - Воронеж : ВГУ, 1989.-224 с.
163. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников [Текст] - Воронеж : ВГУ, 1989. - 224 с.
164. Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП - структур [Текст] — Воронеж: ВГУ, 1997.- 184 с.
165. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Шлык Ю.К. Получение плёнок соединений А2*'*Вз^ на поверхности арсенида индия [Текст]: расшир. тез. докл. 7 Всесоюзной конференции по росту кристаллов и симпозиума по молекулярнолучевой эпитаксии: в 3 т. Т I. Рост кристаллов из газовой фазы твердофазные превращения. - Москва, 1988. - С. 334-335.
355
166. А. с. №1529791 СССР. Способ получения эпитаксиальных слоёв [Текст] // Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, М.В. Лесовой, А.П. Ровинский, Б.И. Сысоев, Ю.К. Шлык. - Заявка №4245091; заявл. 15.05.87; опубл. 15.08.89. — 4 с.
167. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В., Сумец М.П., Шлык Ю.К. Параметры центров локализации заряда и их релаксационные характеристики в тонких слоях теллуридов индия и галлия [Текст]: тез. докл. Международного семинара «Релаксационные явления в твёрдых телах». — Воронеж: ВГТУ, 1995. — С. 194.
168. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А., Бороденко Р.В., Котов Г.И. Релаксация дифференциальной проводимости и ёмкости гетероструктур на основе InAs и GaAs, сформированных в халькогенсодержащих средах [Текст]: тез. докл. Международной конференции «Релаксационные явления в твёрдых телах». -Воронеж: ВГТУ, 1999. - С. 83-84.
169. Безрядин Н.Н., Татохин Е.А., Буданов А.В., Прокопова Т.В. Центры с глубокими уровнями в монокристаллических слоях соединений Аэ^Вз^' [Текст]: тр. Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах». - Ульяновск: Ул. ТУ, 1999. - С. 48-49.
170. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А.. Бороденко Р.В. Полупроводниковые гетероструктуры на основе систем А2*'*Вз^ - А"'В^ [Текст] // Вестник Вор. гос. технол. акад. - 2000. - №5. - С. 113-117.
171. Арсентьев И.Н., Безрядин Н.Н., Болдырева Я.А., Буданов А.В., Татохин Е.А. Методы нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объёме [Текст]: тр. 6-й Международной конференции «Плёнки и Покрытия 2001». - Санкт-Петербург: СПбГТУ, 2001. - С. 469-472.
172. Агапов Б.Л., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Лихолёт А.Н., Прокопова Т.В., Сумец М.П., Татохин Е.А., Шлык Ю.К. Модифицирование метода напыления в квазизамкнутом объёме для получения слоёв сильно диссоциирующих соединений с инконгруэнтным характером испарения [Текст]: // Вестник Вор. гос. техн, ун-та. -Вып. 1.2 «Серия «Материаловедение». - 1997. - С. 66-71.
356
173. Постников В.С., Сысоев Б.И., Буданов А.В., Безрядин Н.Н., Шлык Ю.К.. Агапов Б.Л. Полевые гетероструктуры на основе арсенида индия с полуизолирующими слоями А2*"Вз^* [Текст]: тез. докл. 32 Международного коллоквиума / Techn. Hochschule Ilmenau DDR, 1987. - С. 17.
174. Postnikov V.S., Sysoev B.I., Budanov A.V, Bezrydin N.N., Shlyk Yu.K., Agapov B.L. Heterostructures on the Basis of indium arsenide with Semi-Insulating А2*"Вз^ Compound Layers [Текст] // Phys. Stat. Sol.(a). - 1988. - Vol. 109. - PP. 463-467.
175. Безрядин H.H., Буданов A.B., Татохин E.A., Шлык Ю.К. Получение тонких плёнок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объёме [Текст] // ПТЭ. -1998.-№5.-С. 150-152.
176. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Моргунов В.Н. Изолирующее покрытие для арсенида галлия // ЖТФ. - 1986. - Т. 56. - Вып. 5. - С. 913-915.
177. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф.. Стрыгин В.Д. Энергетическая диаграмма тонкоплёночных гетероструктур Ga2Se3 - GaAs [Текст] // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1986. - №2. - С. 147-150.
178. Камерон Дж., Паттерсон А. Рентгенографическое определение размеров частиц [Текст] // УФН. - 1939. - Т. XXII. - Вып. 4. - С.442-448.
179. Гаррет К., Браттейн В. Физическая теория поверхности полупроводника / Проблемы физики полупроводников [Текст] / Пер. с англ, под ред. В.Л. Бонч — Бруевича. - М.: Ин. лит. - 1957. - С. 345-365.
180. Литовченко В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых систем [Текст] - Киев : Наук, думка, 1980. - 284 с.
181. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл - диэлектрик - полупроводник [Текст] - Киев: Наук, думка, 1978. - 312 с.
182. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Пер. с англ, под ред. В.С. Вавилова. - М.: Мир, 1975. - 432 с.
183. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников [Текст]. - М.: Наука, 1979. - 416 с.
184. Зи С. Физика полупроводниковых приборов - М.: Мир. - 1984. - Т. 1. - 455 с.
357
185. Сыноров В.Ф., Сысоев Б.И., Линник В.Д. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках [Текст]. - Воронеж: ВГУ, 1982. - 180 с.
186. Nicollian Е.Н., Goetzberger A. The S1-S1O2 interface-electrical properties of determined by the MIS conductance Technique [Текст] // Bell. Syst. Techn. J. - 1967. — Vol. 46.-P. 1055-1133.
187. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors [Текст] // J. Appl. Phys. - 1974. - Vol. 45.-№7. - P.3023-3033
188. Lang D.V., Logan R.A. Deep-level distributions near p-n junctions in LPE GaAs [Текст] // J. Appl. Physics. - 1976. - Vol. 47. - №4. - P. 1533-1537.
189. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках [Текст]. - Л.: Наука, 1981. - 176 с.
190. Берман Л.С. Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент [Текст] // ФТП. - 1998. - Т. 32. - Вып. 6. - С. 688-689.
191. Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока обеими разрешенными зонами [Текст] // ФТП. - 1997. - Т. 31. -Вып. 4. - С. 437-440.
192. Денисов А. А., Лактюшкин В.Н., Садофьев Ю.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней [Текст] // Обзоры по электронной технике, серия 7.- 1985.-54 с.
193. Weiss S., Kassing R. Deep level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) a technique for the analysis of deep level properties [Текст] // Solid State Electronics. -1988.-Vol.31.-№ 12.-PP. 1733-1748.
194. Дронов A.C., Шлык Ю.К., Безрядин H.H. Измерение составляющих полной дифференциальной проводимости полупроводниковых гетероструктур [Текст] // Исследования по физике полупроводников / Межвуз. сб. научных трудов. — Воронеж: ВГПИ,1986. - С. 11-15.
195. Губанов А.И., Давыдов С.Ю. Расчет контактного потенциала в тонкой полупроводниковой пленке [Текст] //ФТП.- 1971.-Т.5.-Вып.2.-С. 369-371.
358
196. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Шлык Ю.К. Получение и электрические характеристики гетероперехода Һ^Бз - InAs [Текст] // Микроэлектроника. - 1990. - Т. 19. - Вып. 6. - С. 591-594.
197. Бутусов И.Ю., Крячко В.В., Лобов И.Е., Котов В.В. Измерение потенциала поверхности кремниевых пластин в процессе производства БИС // Электронная промышленность. - 1994. - № 4-5. - С. 111-113.
198. Kunze U., Kowalsky W. Surface-field-induced tunnel junctions on InAs [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1988. - V.53. - № 5. - P. 367-369.
199. Балагуров Л.А., Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Отрицательная фотопроводимость и фотопамять, обусловленная потенциальным барьером на поверхности InAs [Текст] // ФТП. - 1978. - Т. 12. - Вып. 5. - С. 944-947.
200. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах / Пер. под ред. С.М. Рывкина [Текст]. - М.: Мир, 1973. - 417 с.
201. Simmons J.G. Poole-Frenkel Effect and Schottky Effect in Metal-Insulator-Metal Systems [Текст] // Physical Review. - 1967. - Vol. 155. - №3. - P. 657-660.
202. Yeargan J.R., Taylor H.L. The Pool-Frenkel effect with compensation present [Текст] // J. Appl. Phys. - 1968. - Vol. 39. - №12. - P. 5600-5604.
203. Buchwald W.R., Johnson N.M. Revised role for the Poole-Frenkel effect in deeplevel characterization // J. Appl. Phys. - 1988. - Vol. 64. - №2. - P. 958-961.
204. Cassey H.C., Cho A.I., Lang D.V., Nicollian E.H., Foy P.W. Investigation of heterojunction for MIS divices with oxygen-doped AkGa^xAs on n-type GaAs [Текст] // J. Appl. Phys. - 1979. - Vol. 50. - №5. - P. 3484-3491.
205. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / Пер. с англ, под ред. Н.К. Шейнкмана. - М.: Мир, 1977. - 562 с.
206. Довлетов К., Рагимов Ф., Нурыев С., Самахотина Н.К. Электрические и фотоэлетрические свойства твердых растворов ^Тез-БЬзТез // ФТП. - 1982. - Т. 16.-Вып. 7.-С. 1205-1208.
207. Julien С., Eddrief М., Balanski М., Hatzikraniotis Е., Kambas К. Electrical Transport Properties of Л^Без [Текст] // Phys. Stat. Sol. - 1985. - Vol.88. - P. 687695.
359
208. Мушинский В.П., Амброс В.П. Исследование термостимулированной проводимости монокристаллов 10283 и твердых растворов на его основе // Изв. Вузов. Физика. - 1972. - №9. — С. 145-146.
209. Сиденко Т.С., Смертенко П.С., Чернова А.С. Исследование электрофизических свойств плёнок сульфида индия и слоистых структур на основе кремния // Укр. физ. ж. - 1980. - Т. 25. - №7. - С. 1162—1167.
210. Соболев В.Вал., Соболев В.В. Оптические свойства дефектного селенида индия // ФТП. - 2003. - Т. 37. - Вып. 7. - С. 784-788.
211. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников [Текст]. -М.: Металлургия, 1974. - 256 с.
212. Vieland L.J., Kudman I. Behavior of selenium in galiium arsenide [Текст] // J. Phys. Chem. Solids. - 1963.-Vol. 24.-№3.-P. 437-441.
213. Schottky G. Behaviour of selenium in GaAs [Текст] // J. Phys. Chem. Sol. - 1966. -Vol. 27.-№ll/l.-P. 1721-1726.
214. Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Морозов Е.П., Третьяков Д.Н. Спектры фотолюминесценции арсенида галлия при высоких уровнях легирования некоторыми элементами VI и IV групп таблицы Д.И. Менделеева [Текст] // ФТП. -1967.-Т. l.-Вып. 11.-С. 1702-1705.
215. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В. Поведение легирующих примесей элементов VI группы в арсениде галлия [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. мат-1967. - Т. 3. - №7. - С. 1159-1165.
216. Фистуль В.И., Омельяновский Э.М., Пелевин О.В., Уфимцев В.Б. Влияние индивидуальности примеси на рассеяние и политропию примесей в арсениде галлия [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. - 1966. - Т. 2. - Вып. 2. - С. 657-658.
217. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Прошко Г.П., Холодный Л.П. О природе дефектов в арсениде галлия, сильно легированном теллуром [Текст] // ФТП. -1972. - Т.6. - Вып.2. - С. 224-228.
218. Семиколенова Н.А., Несмелова И.М., Хабаров Э.Н. Исследование механизма взаимодействия примесей в арсениде индия [Текст] // ФТП. - 1978. - Т. 12. -
360
ВыпЛО.-С. 1915-1920.
219. Балагурова Е.А., Греков Ю.Б., Прудникова И.А., Семиколенова Н.А., Шляхов А.Т. Природа фазового перехода в арсениде галлия, легированном элементами VI группы [Текст] // Изв. АН СССР. Неорг. мат.- 1986. - Т.22. - №4. - С. 540-543.
220. Брук А.С., Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Попова Е.В., Шленский А.А. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия [Текст] // ФТП. - 1988. - Т.22. -Вып.Ю.-С. 1792-1795.
221. Sette F., Pearton S.J., Poate J.M., Rowe J.E. Local structure of S impurities in impianted GaAs [Текст] // Nuclear Instruments and methods in physics. - 1987. -B19/20.-P. 408-412.
222. Вилисова М.Д., Ивлева O.M., Красильникова Л.М., Пороховниченко Л.П., Якубеня М.П. Исследование структуры и свойств эпитаксиальных слоёв арсенида галлия, легированного серой // Известия Вузов. Физика. - 1985. - №7. - С. 24—27.
223. Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М. Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл-диэлектрик-р-GaAs // ФТП. - 2001. - Т.35. - Вып. 1. - С. 78-83.
224. Бублик В.Т., Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Немцова Г.А., Перова Л.Н., Столяров О.Г., Югова Т.Г. Дефектообразование в сильно легированных донорными примесями VI группы монокристаллах арсенида индия [Текст] // Кристаллография. - 1979. - Т. 24. - Вып. 3. - С. 528-533.
225. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А^В^ [Текст] // Изв. Вузов. Физика. - 1980. - №1. - С. 7-22.
226. Stephens K.G. Doping of 111-V compound semiconductors by ion implantation // Nuclear Instruments and methods. - 1983. - №209/210. - P. 589-614.
227. Бобровникова И.А., Лаврентьева Л.Г., Торопов C.E. Захват примесных комплексов при газофазовой эпитаксии арсенида галлия [Текст] // ФТП. - 1986. — Т.20.-Вып. 9.-С. 1701-1703.
361
228. Седова И.В., Львова Т.В., Улин В.П., Сорокин С.В., Анкудинов А.В., Берковиц В.Л., Иванов С.В., Копьев П.С. Сульфидные пассивирующие покрытия поверхности GaAs(lOO) в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии A"B^*/GaAs [Текст] // ФТП. - 2002. - Т. 36. - Вып. 1. - С. 59-64.
229. Li D., Nakamura Y., Otsuka N., Qiu J., Kabayashi M., Ganshar R.l. Reconstruction structure at Ga2Ses/GaAs epitaxial interface [Текст] // J. Cryst. Growth. - 1991. - № lll.-P. 1038-1042.
230. Tu D.W., Kahn A. ZnSe- and Se-GaAs interfaces [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. (A). - 1985. - Vol. 3. - №3. - P. 922-925.
231. Iyer R., Chang R.R., Dubey A., Lile D.L. The effect of phosphorous and sulfur treatment on the surface properties of InP [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. (B). - 1988. -Vol.6.-№4-P. 1174-1179.
232. Waldrop J.R. Metal contacts to p-type GaAs with large Schottky barrier heights [Текст] //Appl. Phys. Lett. - 1988. - Vol.53. -№16. - P. 1518-1520.
233. Spicer W.E., Lindau I., Pianetta P. et al. Fundamental studies of Ш-V surfaces and 111-V oxide interface [Текст] // Thin Solid Films. - 1979. - Vol.56. - P. 1-19.
234. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.Y., Chye P. Unified mechanism for Shottky - barrier formation and Ш-V oxide interface states [Текс] // Phys. Rev. Lett. — 1980. - Vol. 44. - № 6. - P. 420-423.
235. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P.P., Su O.Y. Unified defect model and beyond [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1980. - Vol. 17. - № 5. - PP. 1019-1027.
236. Hasegawa H., Sawada T. On the electrical properties of compound semiconductor interfaces in metal/insulator/semiconductors structures and the possible origin of interface states // Thin Solid Films. - 1983. - Vol. 103. - №1. - P. 119-140.
237. Hasegawa H., Ohno H. Hybrid orbital energy for heterojunction band lineup [Текст] // Japan J. Appl. Phys. - 1986. - Vol. 25. - PP. L265-L268.
238. Hasegawa H., Ohno H. Unified disorder induced gap state model for insulatorsemiconductor and metal-semiconductor interfaces [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. B. -1986. - Vol. 4. - № 4. - P. 1130-1136.
362
239. Walukiewicz W. Fermi level dependent native defects formation: Consequences for metal - semiconductor and semiconductor - semiconductor interfaces [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1988. - Vol. 6 - № 4. -P. 1257-1262.
240. Walukiewicz W. Amphoteric native defects in semiconductors [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1989. - Vol. 54. - № 21. - PP. 2094-2096.
241. Monch W. Role of virtual gap states and defects in metal-semiconductor contacts [Текст] // Phys. Rev. Lett. - 1987. - Vol. 58. - № 12. - PP. 1260-1263.
242. Monch W. Electronic properties and chemical interactions at 111-V compound semiconductors surfaces: germanium and oxygen on GaAs (110) and InP (110) cleaved surfaces [Текст] // Appl. Surf. Sci. - 1985. - Vol.22/23. - P. 705—723.
243. Monch W. Mechanisms of Schottky barrier formation in metal-semiconductor contacts [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. - Vol. 6. - №4. - PP. 1270-1276.
244. Heine V. Theory of surface states [Текст] // Phys. Rev. A. - 1965. - Vol. 138.-№6.-P. 1689-1696.
245. Barrier A.S., Couturier G., Guegan H., Seguelong T. Interface GaAs-gallium fluoride thin film grown by fluorination: Electrical behavior of the obtained MIS fluorinated GaAs structures // Appl. Surf Sci. - 1989. - Vol. 41. - № 2. - P.383-389.
246. Омельяновский Э.М., Пахомов A.B., Поляков А.Я., Куликова Л.В. Пассивация мелких центров в арсениде галлия с помощью атомарного водорода [Текст]//ФТП.- 1987.-Т.21.-ВЫН. 10.-С. 1762-1764.
247. Chang R.P.H., Chang С.С., Daracl S. Hydrogen plasma etching of semiconductors and their oxides [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. - 1982. - Vol. 20. — №1. - P. 45-50.
248. Proix F., Sebenne C.A., Cherchour M. Hydrogen-induced contamination of compound surfaces [Текст] // J. Appl. Phys. - 1988. - Vol.64. - №2. - P. 898-902.
249. Gourrier S., Smit L., Friedel P., Larsen P.K. Photoemission studies of molecular beam epitaxially grown GaAs (001) surfaces exposed to a nitrogen plasma [Текст] // J. Appl. Phys. - 1983. - Vol. 54. - №7. - P. 3993-3997.
250. Cappasso F., Williams G.F. A proposed hydrogenation/nitridization passivation mechanism for GaAs and other 111-V Semiconductor devices, including InGaAs Long
363
wavelength photodetectors [Текст] // J. Electrochemi. Soc. - 1982. -Vol. 129. — №4. -P. 821-823.
251. Callegari A., Hoh P.D., Buchanan D.A., Lacey D. Unpinned gallium oxide/GaAs interface by hydrogen and nitrogen surface plasma treatment [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1989. - Vol. 54. - №4. - P. 332-334.
252. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.C., Bhat R. Pragmatic enhancement in the gain of a GaAs/GaAlAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1987. - Vol. 51. - № 1. - PP.33-35.
253. Yablonovich E., J Sandroff E., R. Bhat R., Gmitter T. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1987. - Vol. 51.-№6.-P. 439-441.
254. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S., Tobin S.P. Effect of Na2S and (NH^S edge passivation treatments on the dock current-voltage characteristics GaAs p-n diodes [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1988. - Vol.52. - №25. - P.2157-2159.
255. Львова T.B., Дунаевский M.C., Лебедев M.B., Шахмин А.Л., Седова И.В., Иванов С.В. Химическая пассивация подложек InSb(lOO) в водных растворах сульфида натрия [Текст] // ФТП. - 2013. - Т. 47. — Вып. 5. - С. 710-716.
256. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония [Текст] // ФТП. - 1997. - Т.31. - Вып. 1. - С. 63-66.
257. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В., Zahn D.R.T. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония [Текст] // ФТП. - 1997. - Т.31. — Вып. И.-С. 1350-1356.
258. Gnoth D.N., Wolfframm D., Patchett A., Hohenecker S., Zahn D.R.T., Leslie A., McGovern I.T., Evans D.A. A comparision of S-passivation of 111-V (001) surfaces using (NHL^Sx and S2CI2 // Appl. Surf. Sci. - 1998. - Vol .123/124. - P. 120-125.
259. Lee C.T., Lin Y.-J., Lin C.-H. Nanolloyed ohmic mechanism of TiN interfacial layer in Ti/Al contacts to (NH^Sx-treated n-type GaN layers [Текст] // J. Appl. Phys. -2002. - Vol. 92. - №7. - PP. 3825-3829.
364
260. Lee H.H., Raciot R.J., Lee S.H. Surface passivation of GaAs [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1989. - Vol. 54. - №8. - P. 724-726.
261. Sandroff C.J., Hegde M.S., Farrow L.A., Bhat R., Harbison J.P., Chang C.C. Electronic passivation of GaAs surfaces through the formation of arsenic sulfur bends [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1989. - Vol. 54. - №4. - P. 362-364.
262. Yablonovitch E., Gmitter T.J., Bagley B.G. As2S3/GaAs, a new amorphous/crystalline heterojunction for the 111-V semiconductors [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1990. - Vol. 57. - №21. - P. 2241-2243.
263. Gmitter T.J., Yablonovitch E., Heller A. Recombination velocities on GaAs(lOO) surface immersed in Agueous Solutions [Текст] // J. Electrochem. Soc. - 1988. - Vol. 135. - №9.-P. 2391-2392.
264. Chambers S.A., Sundaram V.S. Passivation of GaAs(OOl) surfaces by incorporation of group VI atoms [Текст] // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1991. - Vol. 9. -№4.-P. 2256-2262.
265. Pashley M.D., Li D. Control of the Fermi-level position on the GaAs(lOO) surface: Se passivation [Текст] // J. Vac. Sci. & Technol. A. - 1994. - Vol. 12. -P. 1848-1854.
266. Ohno T. Passivation of GaAs(OOl) surface by chalcogen atoms (S, Se and Те) [Текст] // Surface Science. - 1991. - Vol. 386. - № I. 3. - P. 225-229.
267. Gundel S., Faschinger W. First principles simulation of Se and Те adsorbed on GaAs(OOl) [Текст] // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 59. - № 8. - P. 5602-5611.
268. Islam А. В. M. O., Tambo T., Tatsuyama C. Passivation of GaAs surface by GaS // Vacuum. - 2000. - Vol. 59. - №1.4. - P. 894-899.
269. Szcsa B., Hajnala Z., Frauenheima Th.Chalcogen passivation of GaAs(lOO) surface: theoretical study [Текст] // Appl. Surf. Sci. - 2003. - Vol. 212/213. — PP. 861-865.
270. Koenders L., Blomacher M., Monch W. Electronic properties of sulfur adsorbed on cleaved GaAs surfaces [Текст] // J. Vac. Sci. and Technol. (B). - 1988. - Vol. 6. — №4. -P. 1416-1420.
271. Rao V.J., Phulkar S., Sinha A.P.B. Fermi level pinning and chemical interactions
365
at meta)/metal organic cvd grown GaAs interfaces: Schottky barrier height [Текст] // Thin SoL Fiims. - 1988. - Vol. 164. - № 1/2. - P. 21-25.
272. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Nothrup J.E., etc Selenium and tellurium terminated GaAs(lOO) surfaces observed by scanning tunneling microscopy [Текст] // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 49. - № 8. - P. 5424 - 5428.
273. Bringans R.D., Biegelsen D.K., Nothrup J.E. Scanning Tunneling Microscopy Studies of Semiconductor Surface Passivation [Текст] // Jpn. J. Appl. Phys. — 1993. — Vol. 32. - №3B. - P.1484-1492.
274. Kapila A., Si X., Malhotra V. Electrical properties of SiN^/InP interface passivated using H2S [Текст] // Appl. Phys. Lett. - 1993. - Vol. 62. - №18. - PP. 2259-2261.
275. Лебедев M.B. Механизмы адсорбции молекул H2S на поверхности GaAs
(100): квантово-механический анализ из первых принципов. - ФТП. - 2006. - Т.48. -Вып. 1.-С. 152-158.
276. Piotrowska A., Kaminska Е., Kaminska A., Kontkiewicz A. Methods of surface preparation for some A^B^ semiconductors [Текст] // Electron. Technol. - 1983. -Vol.l4.-№l/3.-P. 3-23.
277. Saletes A., Turco F., Massies J., Contour J. Morphology of GaAs and InP (001) substrates after different preparation procedures prior to epitaxial growth [Текст] // J. Electrochem. Soc. - 1988. - Vol.135. - № 2. -P. 504-509.
278. Barycka I., Zubel I. Chemical etching of (100) GaAs in a sulphuric acid-hydrogen peroxide-water system [Текст] // J. Mater. Sci. - 1987. - Vol. 22. - PP. 1299-1304.
279. Сысоев Б.И., Буданов A.B., Шлык Ю.К. Структуры типа МДП на основе InAs и GaAs [Текст] // тез. докл. Всесоюзн. научно-техн. сем. «Пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем». - Рязань: РРТИ, 1987. -С. 77.
280. Сысоев Б.И., Буданов А.В., Стрыгин В.Д. Формирование гетероперехода Ga2S3 - GaAs методом гетеровалентного замещения мышьяка на серу [Текст]: сб. науч. тр. «Полупроводники и гетеропереходы». - Таллин: Валгус, 1987. - С. 32-34.
366
281. Агапов Б.Л., Буданов А.В. Полуизолирующие покрытия 1п2Бз и Ga2S3 для материалов А*"В^ [Текст]: тез. докл. Межвуз. конф, молодых уч. «Наука и её роль в ускорении научно-технического прогресса». - Воронеж: ВГУ, 1987. - С.26.
282. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В. Электронные процессы в твердотельных гетероструктурах на основе арсенида индия [Текст]: тез. докл. I Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» / АН СССР, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР: в 2 т. Том В. — Ленинград, 1989. - С. 234-235.
283. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Шлык Ю.К. Получение и электрофизические свойства тонких слоев сульфида индия на подложках арсенида индия [Текст]: межвуз. сб. науч. тр. «Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов».
- Воронеж: ВПИ, 1989. - С. 35-42.
284. Буданов А.В., Прокопова Т.В. Полевая гетероструктура ^Бз - InAs [Текст]: межвуз. сб. науч. тр. «Полупроводниковая электроника». - Воронеж: ВГПИ, 1989.-С. 75-80.
285. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Шлык Ю.К. Формирование и структура гетерограницы ^Бз - InAs [Текст]: тез. докл. V Всесоюзной конф, по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах / АН СССР, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР: в 2 т. Т.2. - Калуга, 1990. - С. 9-10.
286. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В. Физические процессы в гетероструктуре Һ^Бз - InAs [Текст]: тез. докл. XII Всесоюз. конф, по физике полупроводников / АН СССР, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР: в 2 ч. Ч. 2.
- Киев: Наукова думка, 1990. - С. 230-231.
287. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В., Шлык Ю.К. Кристаллохимические особенности получения и электронные процессы в твердотельных гетероструктурах на основе арсенида индия [Текст]: тез. докл. 35 Междунар коллокв. - Technische Hochschule Ilmenau. - DDR, 1990. - С. 15-16.
288. Сысоев Б.И., Агапов Б.Л., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В., Фетисова С.В. Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой 1п2Бз [Текст]//ФТП.- 1991.-Т.25.-ВЫП.4.-С. 699-703.
367
289. Sysoev B.I., Bezryadin N.N., Budanov A.V., Prokopova T.V., Shlyk Yu.K. Processes in Solid State Heterostructures on the Basis of Indium Arsenide [Текст] // Phys. Stat. Sol. (a).-1991.-Vol. 124.-PP. 177-181.
290. Сысоев Б.И., Агапов Б.Л., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Гоголев А.В., Шлык Ю.К. Особенности роста монокристаллических слоев сульфида индия на арсениде индия [Текст]: расшир. тез. докл. 8 Всесоюз. конф, по росту кристаллов: в 2 т. Т.1. Кристаллизация из газовой фазы. - Харьков: 1992. - С. 116-117.
291. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Сыноров Ю.В., Буданов А.В., Кузьменко Т.А., Гоголев А.В. Получение монокристаллических слоев соединений А2*'*Вз^ на кремнии и арсениде индия [Текст]: тез. докл. конф, по электронным материалам. -Новосибирск, 1992.-С. 207-208.
292. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Прокопова Т.В., Агапов Б.Л. Структура слоев сульфида индия на поверхности InAs [Текст] // Неорганические материалы. - 1995. - Т.31. -№7. - С. 891-895.
293. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Щевелёва Г.М., Агапов Б.Л. Электронномикроскопические исследования межфазной границы In2Se3 - InAs [Текст]: тез. докл. XVII Российской конференции по электронной микроскопии ЭМ'98. -Черноголовка, 1998.-С. 85.
294. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А., Бороденко Р.В. Самоорганизующиеся процессы при формировании гетероструктур In2Se3 - InAs [Текст]: тез. докл. III Всероссийского семинара «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении». - Воронеж: ВГТУ,2000.-С. 52-53.
295. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А., Агапов Б.Л., Линник А.В. Синтез пленок In2Se3 на подложках из арсенида индия методом гетеровалентного замещения [Текст] // Неорганические материалы. - 2000. - Т.36. - № 9. - С. 1037-1041.
296. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А., Котов Г.И., Агапов Б.Л. Псевдоморфизм в системе арсенид индия - селенид индия // Вестник Там.ГУ. — Вып. 2-3 «Серия естественных и технических наук». - 2000. - Т. 5. - С. 322—323.
368
297. Безрядин Н.Н., Болдырева Я.А., Буданов А.В., Татохин Е.А. Получение и структура пленок ^Без на подложках InAs [Текст]: сб. науч. докл. 12 междунар. симпоз. «Тонкие пленки в электронике». - Украина, Харьков: ННЦ ХФТИ, 2001. -С. 169-171.
298. Буданов А.В., Татохин Е.А., Стрыгин В.Д., Руднев Е.В. Новые модификации 1п2Без и Ga2Se3, полученные при взаимодействии подложек InAs и GaAs с селеном [Текст] // Неорганические материалы. - 2009. - Т.45. - №10. -С. 1167-1172.
299. Буданов А.В., Руднев Е.В., Болдырева Я.А., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. Упорядочение наноразмерных зародышей фазы А2*"Сз^ на поверхности А*"В^ в реакции гетеровалентного замещения [Текст]: тез. докл. Четвертой Всерос. конф, (с междунар. участ.) «Химия поверхности и нанотехнология». - СПб.: СПбГТИ (ТУ).-2009.-С. 205-206.
300. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Татохин Е.А., Болдырева Я.А. Начальная стадия формирования гетероструктур селенид галлия - арсенид галлия, полученных при гетеровалентном замещении мышьяка селеном [Текст] // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - Вып. 7. - С. 68-72.
301. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Татохин Е.А., Болдырева Я.А. Физикохимическая модель начальной стадии формирования гетероструктур селенид галлия - арсенид галлия, полученных методом гетеровалентного замещения мышьяка селеном [Текст] // Изв. вузов. Электроника. - 2002. - №2. - С. 29-32.
302. Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Татохин Е.А., Татохина Я.А. Математическая модель кинетики гетеровалентного замещения при формировании гетероструктур Ga2Se3 - GaAs [Текст]: мат. I Всерос. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «Фагран-2002». -Воронеж: ВГУ, 2002. - С. 182.
303. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Математическая модель халькогенидной пассивации полупроводников А"'В^ [Текст]: сб. науч, докл. 15 Междунар. симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике». -Украина, Харьков: ННЦ ХФТИ, «Константа». - 2003. - С. 303-305.
369
304. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Математическая модель халькогенидной пассивации полупроводников А*"В^ [Текст] // Вестник ВГТА. Разд. Физика, математика и механика. - 2002. - №7. - С. 87-94.
305. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников А"*В^ [Текст] // ФТП.-2003.-Т. 37.-Вып. И.-С. 1349-1351.
306. Буданов А.В., Руднев Е.В., Татохин Е.А. Самоорганизация концентрационных профилей в гетеросистемах на основе полупроводников А*"В^ с кристаллическими нанопористыми слоями соединений Аз"*Сз^* с фрактальным распределением вакансий [Текст]: сб. тр. Пятого Междунар. междисциплинарного симпозиума «Прикладная синергетика в нанотехнологиях ФиПС-08». - Москва, 2008.-С. 131-135.
307. Буданов А.В., Агапов Б.Л., Болдырева Я.А., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. Рентгеноспектральный микроанализ зоны реакции термостиму-лнрованного гетеровалентного замещения анионов в твердофазной системе Ga2"*Se3^^ — GaAs [Текст] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2012. - №1. - С. 21-27.
308. Буданов А.В., Руднев Е.В., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. Упорядочение наноразмерных зародышей Ga2Se3 на поверхности GaAs [Текст]: тез. докл. Пятой Всерос. конф, (с межд. уч.) «Химия поверхности и нанотехнология». - Санкт-Петербург-Хилово. Россия: СПбГТИ (ТУ). - 2012. - С. 43-45.
309. Буданов А.В., Руднев Е.В., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. Замещение халькогенами на поверхности GaAs [Текст]: тез. докл. Пятой Всерос. конф, (с межд. уч.) «Химия поверхности и нанотехнология». - Санкт-Петербург-Хилово. Россия: СПбГТИ (ТУ). - 2012. - С. 99-101.
310. Постников В.С., Капустин Ю.А., Борисов В.С., Шлык Ю.К. Автоколебательная схема измерения внутреннего трения твердого тела [Текст] // ПТЭ. - 1985. - №1. - С. 180-182.
370
311. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И., Котов Г.И. Кинетика формирования гетероструктур Ga2Se3/GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена [Текст] // Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27. — № 8. -С. 1583-1585.
312. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках [Текст]. - М.: Изд. физ. - мат. лит., 1961.-462 с.
313. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках [Текст]. -СПб.: Наука, 1999. - 389 с.
314. Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу [Текст]. - М.: Мир, 1975.-684 с.
315. Бокштейн Б.С., Бокштейн С.З., Жуховицкий А.А. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах [Текст]. - М.: Металлургия, 1974. - 280 с.
316. Штиллер В. Уравнение Аррениуса и неравновесная кинетика [Текст]. - М.: Мир, 2000. - 176 с.
317. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах [Текст]. - М.: Мир, 1971.-277 с.
318. Каур И., Густ В. Диффузия по границам зерен и фаз / Пер. под ред. Л.С. Швиндлермана [Текст]. -М.: Машиностроение, 1991. - 448 с.
319. Учайкин В.В. Автомодельная аномальная диффузия и устойчивые законы [Текст] // УФН. - 2003. - Т. 173. - №8. - С. 847-876.
320. Учайкин В.В., Сибатов Р.Т. Одномерное фрактальное блуждание с конечной скоростью свободного движения [Текст] // Письма в ЖТФ. - 2004. - Т. 30. - Вып. 8.-С. 27-33.
321. Зон Б.А., Ледовский С.Б., Лихолёт А.Н. Ускорение диффузии примеси в твердом теле гетерогенной реакцией на его поверхности [Текст] // ЖТФ. — 2000. — Т. 70.-Вып. 4.-С. 38-41.
322. Неврюева Е.Н., Терехов В.А., Баева А.С., Стрыгин В.Д., Иванова Т.М., Домашевская Э.П. Энергетический спектр валентных электронов в гетероструктурах Ga2Sej/GaAs [Текст] // Поверхность. Физика, химия, механика. -1988.-№8.-С. 127-131.
371
323. Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Буданов А.В., Сумец М.П., Костенко Л.В. Реконструирование межфазной границы раздела в гетеросистемах арсенид галлия-халькогенид галлия [Текст]: тез. докл. Международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах». - Воронеж: ВГТУ, 1995. - С. 68.
324. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Татохин Е.А., Татохина Я.А. Особенности диффузионного перераспределения примесей в гетероструктурах А2*"Вз^^ - А**'в\ // Известия вузов. Электроника. - 2002 - №5. - С. 9-12.
325. Безрядин Н.Н., Татохин Е.А., Арсентьев И.Н., Буданов А.В., Линник А.В. Положение уровня Ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы [Текст] // ФТП. - 1999. - Т. 33. - Вып. 12. - С. 1447-1449.
326. Буданов А.В., Бобылкин М.А. Механизм роста плёнок 1п2Бз на кристаллах InAs [Текст]: тез. докл. XXI Международной конф. «Нелинейные процессы в твёрдых телах». - Воронеж: ВГТУ, 2004. - С. 69.
327. Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Палишкин Д.А., Стрыгин В.Д. Лимитирующие механизмы роста плёнок ^Бз на кристаллах InAs [Текст]: материалы Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры». / Моск. гос. ин-т радиотех., электроники и автом. (техн. ун-т). - М.: МИРЭА, 2004. -Ч.2.-С. 95-98.
328. Буданов А.В. Механизмы роста плёнок ^Бз на кристаллах InAs[TeKCT]: межвуз. сб. науч. тр. «Твердотельная электроника и микроэлектроника»/ Вор.гос.техн.ун-т. - Воронеж: ВГТУ, 2006. - С. 43-50.
329. Антюшин В.Ф., Бобылкин М.А., Буданов А.В., Стрыгин В.Д. Модель роста плёнок Е^Бз на кристаллах InAs [Текст]: сб. тр. XIX Междунар. науч. конф. «Математические методы в технике и технологиях - ММТТ-19». В 10-и т. Т. 5. Секц. 5. Компьютерная поддержка производственных процессов. - Воронеж: ВГТА, 2006.-С. 174-177.
330. Буданов А.В., Безрядин Н.Н., Татохин Е.А., Руднев Е.В. Механизмы роста пленок 1п2Бз на кристаллах InAs [Текст] // Конденсированные среды и межфазные границы. -2013. -Т. 15. -№ 1. - С. 5-9.
372
331. Гринглер Р. Применение термической десорбции, инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии для исследования поверхности [Текст] / Новое в исследовании поверхности твердого тела. // Под ред. В.Б. Сандомирского и А.Г. Ждана. -М.: Мир, 1977 - С. 136-163.
332. Некрасов Б.В. Основы общей химии: в 2т. - М.: Химия, 1973. - Т. 2. -688 с.
333. Sysoev В.1., Linnik V.D., Titov S.A., Kordenko O.L Ellipsometrical Study of Indium Sulfide Film Growth Process on InP [Текст] // Phys. Stat. Sol.(a). - 1994. -Vol.143.-P. 71-78.
334. Фистуль В.И., Касимов К.И., Стоматов A.K. Лазерно-имплантированные омические контакты к арсениду галлия [Текст] // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1989. - №1. - С. 23-26.
335. Велешук В.П., Байдуллаев А., Власенко А.М., Гнатюк В.А., Даулетмуратов Б.К., Левицкий С.Н., Ляшенко О.В., Aoki Т. Массоперенос индия в структуре 1п-CdTe при наносекундном лазерном облучении [Текст] // ФТТ. - 2010. - Т. 52. — Вып. 3. - С. 439-445.
336. Agapov B.L., Bezryadin N.N., Budanov A.V., Zon B.A., Sysoev B.I. Laser -Stimulated Formation of Heavely - Doped Region in field - effect MIS - structures based on the А2*'*Вз^^ - A"*B^ Heterojunction [Текст] // Optical and Acoustical Review.- 1990.-Vol. l.-№2.-PP. 197-201.
337. A. c. №1752129A1SU, H01L21/268 Способ изготовления полевых транзисторов на подложках из А^В^ [Текст] / Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Б.А. Зон, Г.В. Пахомов, Б.И. Сысоев (СССР). - заявл 26.02.90; заявка №4794912, опубл. 01.04.92. - 10 с.
338. Sysoev В.1., Bezryadin N.N., Budanov A.V., Kotov G.I., Chursina E.I. Formation of Heavily Doped Regions at Laser Treatment of Heterojunction A"*B^ - А2^*Вз^^ [Текст]: тез. докл. Междунар. конф. «1992 International Conference on Advanced and Laser Technologies, ALT' 92». - Moscow: 1992, Part 4. - P. 121-122.
339. Джаманбалин K.K., Дмитриев А.Г., Сокол-Номоконов Э.Н. Омические контакты к полупроводникам А*"в\ полученные с помощью оптического квантового генератора // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые
373
материалы. - 1989. - №1. - С. 73-75.
340. Хирш П., Хови А., Николсон, Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов [Текст]. - М.: Мир, 1968. - 574 с.
341. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Просвечивающая электронная микроскопия неорганических материалов [Текст]: Учеб, пособ. Воронж: ВГТУ, 2003. — 163 с.
342. Иевлев В.М., Бугаков А.В. Ориентированная кристаллизация пленок [Текст]: Учеб, пособ. Воронеж: ВГТУ, 1998. — 216 с.
343. Боднарь И.В., Шаталова В.В. Ширина запрещенной зоны монокристал-
лов твердых растворов (I^Ss^CuInsSs)]^ [Текст] // ФТП. - 2012.- Т. 46. - Вып. 9. -С. 1146-1148.
344. Боднарь И.В., Новикова М.А., Труханов С.В. Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn2S4)t.x(In2S3)x [Текст] // ФТП. - 2013. - Т.47. -Вып.5. - С. 580-584.
345. Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Сыноров Ю.В., Власов Ю.Н., Буданов А.В., Панин Г.А. Фотоэлектрические преобразователи на основе Si различной ориентации с наноразмерными плёнками Ga2Se3 [Текст] // тез. докл. XI Российской конф, по физике полупроводников (XI РКФП). - СПб.: Физикотехнический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013. - С. 163.
346. Безрядин Н.Н., Буданов А.В., Татохин Е.А., Котов Г.И., Агапов Б.Л. Явления самоорганизации при гетеровалентном замещении в системе полупроводник А*"В^-халькоген [Текст]: тез. докл. II Всероссийского семинара «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении». Секц.5. Нелинейные процессы и самоорганизация при формировании конденсированных структур. -Воронеж: ВГТУ, 1999. - С. 151-153.
347. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М.: Физматлит, 2007. - 416 с.
348. Буданов А.В., Татохин Е.А., Стрыгин В.Д., Руднев Е.В. Высокосимметричные кубические модификации In2Se3 и Ga2Se3, полученные при взаимодействии подложек InAs и GaAs с селеном [Текст] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т.14. - №4. - С. 412-417.
374
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.