Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, доктор наук Сахаров Юрий Владимирович

• Сахаров Юрий Владимирович
• доктор наук
• 2019

Оглавление диссертации доктор наук Сахаров Юрий Владимирович

Введение

Глава 1. Структура, модели и технология изготовления пористых материалов

1.1 Структура пористых материалов

1.2 Строение пористых тел

1.3 Модели пористых материалов

1.4 Технология изготовления пористых структур

1.4.1 Электрохимические методы

1.4.2 Темплатный синтез

1.4.3 Золь-гель

1.4.4 Осаждение из газовой фазы

1.5 Формулировка цели диссертационной работы

Глава 2. Технология изготовления исследуемых образцов. Структура. Состав

2.1 Технология изготовления

2.2 Структура

2.3 Состав

2.4 Выводы по главе

Глава 3. Электрические свойства пористых оксидных пленок,

модифицированных углеродом

3.1 Электрические свойства пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом

3.1.1 Емкость и тангенс угла диэлектрических потерь

3.1.2 Электропроводность

3.1.3 Электрическая прочность и пробой

3.1.4 Статистический анализ результатов

3.2 Электрические свойства пористых оксидных пленок Та205,

МЬ205, ТЮ2, модифицированных углеродом

3.2.1 Емкость и тангенс угла диэлектрических потерь

3.2.2 Электропроводность

3.2.3 Электрическая прочность и пробой

3.2.4 Статистический анализ результатов

3.3 Выводы по главе

Глава 4. Электрическая формовка тонкопленочных пористых оксидных

пленок, модифицированных углеродом

4.1 Процесс электрической формовки

4.2 Электрическая формовка пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом

4.2.1 Параметры формовки

4.2.2 Электролюминесценция

4.2.3 Кинетика формовки

4.2.4 Электронная эмиссия

4.2.5 Деградация

4.3 Электрическая формовка пористых оксидных пленок Та205, МЬ205,

ТЮ2, модифицированных углеродом

4.3.1 Параметры формовки

4.3.2 Электролюминесценция

4.3.3 Электронная эмиссия

4.4 Выводы по главе

Глава 5. Физические свойства пористых оксидных пленок,

модифицированных углеродом

5.1 Физические свойства пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом

5.1.1 Оптическая щель Тауца

5.1.2 Показатель преломления

5.1.3 Порометрия

5.2 Механические свойства пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом

5.2.1 Микротвердость

5.2.2 Адгезия

5.2.3 Износостойкость

5.2.4 Напряжения

5.3 Физические свойства пористых оксидных пленок Та205, МЬ205, ТЮ2, модифицированных углеродом

5.3.1 Оптическая щель Тауца

5.3.2 Показатель преломления

5.3.3 Порометрия

5.4 Механические свойства пористых оксидных пленок Та205, МЬ205, ТЮ2, модифицированных углеродом

5.4.1 Микротвердость

5.4.2 Адгезия

5.4.3 Износостойкость

5.4.4 Напряжения

5.5 Выводы по главе

Глава 6. Применение пористых оксидных пленок,

модифицированных углеродом

6.1 МДМ-катод

6.2 Датчик влажности и углеводородов

6.3 Просветляющие покрытия

6.4 Изолирующие слои с низкой диэлектрической проницаемостью

6.5 Рентгеновские волноводы

6.6. Трековые мембраны

6.7. Мемристор

6.8. Выводы по главе

Основные выводы по диссертационной работе

Список литературы

Приложения А-К

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом»

Актуальность темы исследования

Значительное увеличение издержек производства при масштабировании технологических процессов в микроэлектронике стимулирует интерес исследовательских коллективов к поиску и исследованию новых материалов, позволяющих существенно расширить электронную компонентную базу. Одними из таких материалов выступают пористые пленки неорганических оксидных диэлектриков, что объясняется перспективностью их применения во многих сферах микро- и наноэлектроники, фотоники, оптоэлектроники. Обширное сочетание управляемых электрофизических и оптических свойств таких пленок позволяет успешно использовать их в качестве изоляционных материалов с низкой диэлектрической проницаемостью, просветляющих и антиотражающих покрытий, световодов и интерференционных фильтров, активных слоев газочувствительных датчиков, датчиков влажности, буферных слоев для металлизации и эпитаксии структур, исходных материалов для получения наномембран и фильтров.

Применение пористых оксидных материалов в устройствах оксидной электроники представляется весьма перспективным с точки зрения возможности управления их электрофизическими свойствами в широких пределах. Формирование пористой структуры с развитой поверхностью порождает, как правило, увеличение концентрации валентных электронов вследствие большого числа разорванных межатомных связей, а также образование большого количества кислородных вакансий, являющихся донорными центрами. Это дает возможность создавать на основе пористых оксидных материалов пассивные элементы с нелинейными характеристиками. Примером такого функционального применения оксидных пористых материалов является создание мемристоров - пассивных элементов, способных изменять свое сопротивление в зависимости от протекающего через них заряда.

К перспективным направлениям относится применение пористых оксидных пленок в приборах фотоники. Так, указанные пленки успешно используются в

качестве просветляющих и антиотражающих покрытий для снижения потери интенсивности проходящего светового потока. Свою эффективность как просветляющие покрытия для светодиодов на основе GaN показали пленки диоксида кремния, в которых формировалась микрорельефная поверхность с регулярной структурой с помощью электронно-лучевой литографии для устранения эффекта полного внутреннего отражения при выводе сгенерированного в кристалле света.

В интегральной оптике на основе оксидных материалов SiO2, А1203, ТЮ2 и /Ю2 реализуются планарные световоды и диэлектрические зеркала. Планарные световоды представляют собой пленочную структуру, в которой свет распространяется в слое с высоким показателем преломления, ограниченном с двух сторон слоями с меньшим показателем преломления (эффект полного внутреннего отражения). Для пористого материала этот показатель зависит от пористости (чем больше пористость, тем меньше показатель преломления), поэтому формирование многослойных структур с разной пористостью позволяет получать на их основе волноводные элементы с низким уровнем потерь.

Другим примером востребованности многослойных пористых структур на основе оксидных материалов является их применение в качестве интерференционных фильтров в оптике.

Поскольку пористые пленки обладают очень высокой удельной поверхностью, то широкие возможности они предоставляют при создании датчиков влажности, газовых, химических и биологических сенсоров.

Большинство существующих методов изготовления пленок пористых неорганических диэлектриков являются электрохимическими и требуют применения довольно агрессивных реактивов и больших электрических напряжений, что существенно затрудняет их использование при изготовлении интегральных схем. Широко распространенные альтернативные методы формирования пористых оксидных неорганических диэлектриков, к примеру золь-гель или темплатный синтез, имеют низкую воспроизводимость и сложны при изготовлении ультратонких пленок.

Кроме того, все перечисленные методы не могут быть реализованы в вакуумных условиях, что существенно затрудняет их встраивание в типовые технологические операции изготовления интегральных схем. В связи с этим необходим поиск новых подходов к созданию пористых неорганических оксидных пленок с возможностью их встраивания в типовые технологические операции изготовления интегральных схем. Это позволит не только расширить электронную компонентную базу микро- и наноэлектроники, но и получить новые научные знания о структуре и свойствах пористых оксидных пленок, формируемых в вакуумных условиях.

Степень разработанности темы исследования

Исследования в области пористых материалов, их структуры и свойств проводят давно.

Значительный вклад в разработку технологий пористых материалов, а также исследование их структуры внесли: A. Uhlir, L. Canham (пористый кремний), H. Masuda, K. Fukuda, T. Unagami, A3. Aтращенко , A.A. Красилин, И.С. Кучук, Е.М. Aрысланова, C.A. Чивилихин, П.A. Белов (пористый оксид алюминия), V. Zwilling (пористый оксид титана), Д.С. Серегин, КА. Воротилов, A.G Сигов, E.H. Зубкова, ДА. Aбдуллаев, Н.М. Котова, A.G Вишневский (пористые пленки цирконата-титаната свинца), Д.Л. Шиманович, F. Li, L. Zhang, R.M. Metzger, К.С. Напольский, И.В. Росляков., A.A. Елисеев. Ю.Д. Третьяков, ДА. Булдаков, ВА. Мошников, В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров.

Исследованию электрических свойств пористых материалов посвящены работы M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, R.C. Anderson, R.S. Muller, P. Cowache, W.H. Lee, C. Lee, J.J. Lang, С.П. Зимина, Е.П. Комарова, A.M. Емельянова, ФА. Королева, Б.И. Байрачного.

Исследованию оптических свойств пористых материалов посвящены работы A. Loni, L.T. Canham, M.G. Berger, R. Arens-Fisher, H. Munder, H. Luth, H.F. Arrand, T.M. Benson, C. Mazzoleni, L. Pavesi, Е.В. Aстровой, В.Б. Воронковой, A^. Ременюк, ВА. Толмачева, В.Б. Шумана.

Исследованию параметров и свойств пористых систем посвящены работы

S.J. Greeg, K.S.W. Sing, Л.В. Радушкевича, М.М. Дубинина, Н.С. Полякова, А.В. Киселева, Л.И. Хейфеца, А.В. Неймарка, А.П. Карнаухова, Н.В. Чураева, Т.Г. Плаченова, С.Д. Колосенцева, A. Adamyan, Z. Adamian, V. Aroutiounian, Е.А. Тутова, А.Е. Тутова, А.Ю. Андрюкова, Е.Н Бормонтова, Э.П. Домашевской, М.Р. Бакланова, Л.Л. Васильевой, Е.А. Репниковой, В.А. Гуртова, С.А. Танаева.

Исследованию процессов адсорбции в пористых материалах посвящены работы А.А. Карпушина, А.Н. Сорокина, Ф.Н. Дульцева, Е.Е. Тутова, Г.А Нетесовой, М.Н. Павленко, А.Е. Гриднева, О.М. Голицыной, С.Н.Дрождина,

A.А. Фомкина, С.В. Потапова, Г.А. Петухова, Ю.Г. Кряжева, С.И. Карипова.

Методам анализа пористых систем посвящены работы В.П. Фандеева, К.С. Самохиной, В.Н. Золотарева, А.Ф. Первеева, Т.Г. Аркатовой, Г.Л. Мурановой,

B.А. Терехова, В.В. Левичева, Е.Н. Ермакова.

Исследованию процессов пробоя в неоднородных диэлектриках посвящены работы Г.А. Воробьева, Е.В. Кисляковой, Г.А. Месяца, Г.И. Сканави, Ю.П. Похолкова, Ю.Д. Королева, В.И. Меркулова, А.А. Воробьева, Ю.Н. Вершинина, В. Франца, Ю.А. Зотова, М.С. Добжинского, Н.С. Несмелова,

C.Г. Еханина, А.П. Барабана.

Однако исследования тонких и ультратонких пленок пористых материалов, толщинами в десятки и сотни нанометров, начались совсем недавно, ориентировочно с 2000-х годов, в связи с возникшими ограничениями на пути дальнейшего увеличения степени интеграции, обусловленными значительным увеличением времени задержки распространения сигнала, а также мощности, выделяемой в системе межсоединений.

Практическому применению пористых тонких пленок в изделиях интегральной электроники посвящены работы В.А. Васильева, К.А. Воротилова, А.С. Сигова, А.С. Валеева, В.И. Шишко, Ч.П. Волка, Е.П. Ковсмана, Е.В. Емелина. Цели и задачи исследования

Цель данной работы заключалась в разработке физико-химических основ синтеза пористых пленок диоксида кремния путем их модификации углеродом в плазме тлеющего разряда, установлении связей между уровнем модификации

пленок и их структурой, составом, электрическими, оптическими и механическими свойствами, а также в оценке универсальности механизма воздействия углерода на пористость и электрофизические параметры пленок других оксидных неорганических диэлектриков, формируемых в плазме тлеющего разряда и имеющих большое прикладное значение в микроэлектронике, таких как ТЮ2, Та205, №>205.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: выявить механизм влияния углерода на структуру и состав пленок диоксида кремния; разработать модель пористой структуры, установить механизмы влияния примеси углерода на электрические, оптические и механические свойства диоксида кремния; установить механизмы влияния примеси углерода на процесс электрической формовки и свойства формованных структур металл -диэлектрик - металл; провести сравнительный анализ и оценить возможность трансформации выявленных механизмов к оксидным диэлектрикам на основе ТЮ2, Та205, МЬ205, определить факторы и свойства оксидных диэлектриков, влияющие на коэффициент такой трансформации; оценить возможность и степень трансформации выявленных механизмов ко всему спектру оксидных диэлектриков, формируемых в плазме тлеющего разряда; оценить возможность и сферы применения пленок оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом.

Научная новизна

1. Впервые установлено, что введение углерода в процессе формирования тонких пленок диоксида кремния методом реактивного катодного распыления в атмосфере кислорода приводит к изменению его морфологии и образованию самоорганизующейся мезопористой структуры, что придает пленкам новые полифункциональные свойства, которые невозможно сформировать традиционными способами.

2. Установленный механизм воздействия углерода на структуру, пористость, электрические, оптические и механические свойства оксидных диэлектриков на основе SiO2, ТЮ2, Та205, МЬ205 имеет универсальный характер, что позволяет

распространить его на весь спектр оксидных диэлектриков, формируемых в плазме тлеющего разряда.

3. Разработана качественная модель пористой структуры тонких оксидных пленок, модифицированных углеродом, которая может быть представлена в виде плотно упакованных стержней исходного материала с различными координационными числами. Оценено распределение пор по размерам, проведено моделирование распределения электрических полей в области пор и смежных областях с учетом частичного проникновения пленки верхнего электрода вглубь пор.

4. Разработаны физико-химические основы синтеза пленок пористых оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом, позволяющие управлять их структурой, составом, электрическими, оптическими и механическими свойствами.

5. Установлена роль углерода в процессе электрической формовки структур металл - диэлектрик - металл, заключающаяся в формировании мезопористой структуры.

6. Выявлено изменение кинетики развития процесса электрической формовки в самоорганизующихся мезопористых структурах, а также ее влияние на свойства формованных структур.

Теоретическая и практическая значимость работы

Теоретическая значимость

1. Разработаны физико-химические основы синтеза пористых пленок оксидных диэлектриков с возможностью варьирования параметров пористости в широких пределах, что расширяет существующие представления о механизмах формирования пористых материалов в условиях вакуума.

2. Разработана качественная модель пористой структуры тонких оксидных пленок, модифицированных углеродом, которая может быть представлена в виде плотно упакованных стержней исходного материала с различными координационными числами, что расширяет научные знания о структуре пористых оксидных пленок, формируемых вакуумным способом.

3. Выявлены особенности протекания электрических процессов в самоорганизующихся пористых пленках, модифицированных углеродом, что расширяет существующие научные знания о механизмах токопереноса в пористых материалах.

4. Выявленное изменение кинетики процесса электрической формовки и пробоя пористых оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом, дополняет фундаментальные знания о поведении неоднородных диэлектрических слоев в сверхсильных электрических полях.

Практическая значимость

1. Разработаны физико-химические основы синтеза пористых пленок в вакуумных условиях с возможностью варьирования параметров пористости в широких пределах, что позволяет получать пленки оксидных диэлектриков толщиной от 40 до 400 нм с заданными электрическими, оптическими и механическими свойствами.

2. Разработана методика по повышению плотности эмиссионного тока, а также снижению деградационных процессов в МДМ-катодах на основе формованных структур с пористым диэлектриком.

3. Использование пористых самоорганизующихся оксидных пленок с развитой поверхностью в качестве активного элемента датчика влажности емкостного типа, позволяет значительно увеличить их быстродействие и расширить диапазон чувствительности.

4. Разработан способ повышения внешнего квантового выхода синих светодиодов на основе GaN. Разработаны технические решения по нанесению слоя растекания тока на основе оптически прозрачных электропроводящих покрытий индий - олово (1ТО) на поверхность гетероструктуры, наносимого совместно с текстурированной пористой пленкой диоксида кремния.

5. Управление размерами пор и их плотностью в широких пределах позволяет расширить функционал и номенклатуру ассиметричных трековых мембран, применяемых для фильтров обратного осмоса. Разработаны технические решения по нанесению темплейтных шаблонов в виде пористых пленок,

модифицированных углеродом, на легкоплавкие полиэтилентерефталатные пленки в плазме тлеющего разряда.

6. Разработана концепция по созданию совершенных волноводных радиаторов рентгеновского излучения на основе многослойных тонкопленочных структур Та-С-Та и W-C-W.

7. Разработана экспериментальная модель мемристорной структуры на основе слоев пористого диоксида титана, модифицированного углеродом.

Результаты, полученные автором, значительно расширяют научные знания о механизмах формирования, структуре, электрических, оптических и механических свойствах самоорганизующихся пористых пленок, формируемых в плазме тлеющего разряда, что используется в учебном процессе при чтении лекций по основам нанотехнологии и постановке новых лабораторных работ. Понимание механизма самоорганизации и его влияния на свойства и структуру тонких оксидных пленок дает уникальную возможность точного прогнозирования свойств и структуры получаемых полифункциональных оксидных пленок с развитой пористой структурой.

Предложенные подходы и технические решения защищены патентами и внедрены в производственную и научную сферу для проведения дальнейших исследований в рамках НИОКР.

Методология и методы исследования

Объектом исследования являлись тонкие пленки оксидных диэлектриков SiO2, ТЮ2, №205, Та205 в диапазоне толщин 0,04-0,4 мкм, модифицированные углеродом в процессе их осаждения.

Основополагающим принципом при проведении исследования выступала объективность, заключающаяся в глубокой проработке и анализе трудов отечественных и зарубежных авторов как непосредственно по тематике исследования, так и в смежных областях.

При выполнении диссертационного исследования использовались теоретические (метод восхождения от абстрактного к конкретному, метод идеализации) и экспериментальные (эксперимент, метод сравнения, метод

моделирования) методы, а также некоторые эмпирическо-теоретичекие методы (метод аналогий, метод абстрагирования, метод индукции и дедукции). Большинство данных получено в ходе физического эксперимента на объектах исследования с применением разрушающих (исследование состава методом Оже, исследование механических свойств методами наноиндентирования, исследование явлений электрического пробоя и формовки, исследование износостойкости методом трибометрии) и неразрушающих (проведение электрических, оптических, спектроскопических исследований, исследований состава с помощью рентгеновского микроанализатора, исследований поверхности с помощью растрового электронного микроскопа) методов контроля. Для получения достоверных результатов проводилась статистическая обработка экспериментальных данных с помощью специализированных программ.

Положения, выносимые на защиту

1. Распыление составной двухкомпонентной мишени с графитовыми включениями методом реактивного катодного распыления в атмосфере кислорода приводит к образованию в сформированной оксидной пленке самоорганизующейся мезопористой структуры, параметрами которой можно управлять технологическими режимами в широких пределах: эффективным радиусом пор в диапазоне 10-40 нм, пористостью в диапазоне 10-75 %.

2. Модель пористой структуры может быть представлена в виде плотно упакованных стержней исходного материала с преобладанием координационного числа 4. При этом углерод в объеме диэлектрика отсутствует как в чистом виде, так и в виде соединений (карбидов), вследствие его ухода в составе соединения СО2, приводящему к разрыхлению пленки и формированию развитой самоорганизующейся пористой структуры.

3. Уменьшение эффективной диэлектрической проницаемости в 1,6-2 раза, тангенса угла диэлектрических потерь в 3-5 раз, проводимости в 5-10 раз, электрической прочности в 4-10 раз, а также изменение механизма электропроводности, приобретение высокой чувствительности вышеперечисленных параметров к внешним факторам, в частности к адсорбции

паров воды, является следствием образования мезопористой структуры в пленках оксидных диэлектриков.

4. Процесс электрической формовки в пористых оксидных пленках приобретает комплексный характер, связанный с изменением кинетики образования формованных каналов. При этом основной причиной изменения кинетики является термоионизационное расширение газа в порах, что в совокупности с высвобождением газового компонента оксидной пленки приводит к увеличению давления на пленку верхнего электрода. В результате происходит образование формованных каналов за меньшее время (10-20 мкс) из локальных шарообразных вздутий с начальным диаметром порядка 0,01-0,05 мкм, плотность и диаметр которых определяется параметрами пористости диэлектрической пленки.

5. Увеличение плотности эмиссионного тока в 5-15 раз с формованных структур металл - диэлектрик - металл с пористыми оксидными пленками является следствием изменения кинетики образования формованных каналов, исключающим попадание материала верхнего электрода в тело канала и способствующим его приподниманию над телом канала с образованием нанозазора, что в конечном счете приводит к развитию сильных электрических полей. При этом локальность электрического поля формируется за счет усиления электрического поля в самих порах в совокупности с локальным уменьшением толщины за счет «провисания» пленки верхнего электрода вглубь пор, вследствие чего в формованных структурах с пористым диэлектриком происходит снижение влияния «эффекта площади».

6. Уменьшение оптической щели Тауца на 5-7 %, обусловленное образованием дополнительных энергетических уровней (ловушек) и относительного показателя преломления, связано с наличием пористой структуры, параметры которой определяются степенью модификации пленок углеродом.

7. Снижение механических напряжений в 1,5-2 раза в пористых оксидных пленках вследствие их модификации углеродом снижает вероятность их самоотслаивания и/или растрескивания в процессе эксплуатации. Наряду с этим

происходит снижение микротвердости и модуля Юнга в 1,2-1,4 раза, адгезии в 1,5-1,8 раза и износостойкости в 1,5-2 раза, обусловленное образованием пористой структуры в диэлектрических пленках.

Степень достоверности и апробация результатов

Достоверность полученных результатов подтверждается: корреляцией результатов теоретических и экспериментальных исследований с данными известных работ других авторов по аналогичной и смежной тематике; применением современного диагностического и измерительного оборудования, поверенного в установленном порядке; совпадением экспериментальных результатов, полученных на различном оборудовании с применением разных методик; сходимостью результатов моделирования с экспериментальными данными; сходимостью результатов косвенных экспериментов с визуальными данными (микрофотографии); статистически значимым объемом экспериментальных данных; близостью значений выборочной и генеральной дисперсии экспериментальных данных; апробацией теоретических и экспериментальных результатов на конференциях, семинарах; публикацией статей в рецензируемых журналах; наличием патентов; внедрением результатов работы в промышленное производство.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: IX международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики-2000) (17-22 сентября 2000 г., Санкт-Петербург); V международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-2000) (26-29 сентября 2000 г., Новосибирск); XII International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC-2000) (14-17 August, 2000, Guangzou, China); XIV International Vacuum Microelectronics Conference (IVMC-

2001) (12-16 August, 2001, Davis, USA); VI международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-

2002) (23-26 сентября 2002 г., Новосибирск), VII международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-2004) (21-24 сентября 2004 г., Новосибирск); IV

международной конференции «Методы и средства управления технологическими процессами» (МСУТП-2007) (24-26 октября 2007 г., Саранск); международной научной конференции «Становление и развитие научных исследований в высшей школе», посвященной 100-летию со дня рождения профессора А.А. Воробьева (14-16 сентября 2009 г., Томск); XII международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики-2011) (23-26 мая 2011 г., Санкт-Петербург); XI международной конференции «Пленки и покрытия-2013» (6-8 мая 2013 г., Санкт-Петербург); всероссийской научной конференции с международным участием «Полифункциональные химические материалы и технологии» (21-23 ноября 2013 г., Томск); международной конференции по применению технологий поверхности в науке и промышленности (30 июня - 4 июля 2014 г., Новосибирск); 2014 IEEE 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM-2014) (30 June 2014 - 4 July 2014, Altai); 24-й международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (7-14 сентября 2014 г., Севастополь); международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (25-26 сентября 2014 г., Саратов); V международной научно-практической конференции «Технология микро- и наноэлектроники в наносистемной технике» (13-15 апреля 2016 г., Москва); XIII международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления», посвященной 55-летию ТУСУРа (29 ноября - 1 декабря 2017 г., Томск).

Личный вклад автора. Личный вклад заключается в планировании экспериментов, приготовлении экспериментальных образцов, проведении экспериментов, выполнении большей части измерений, обработке результатов экспериментов. Автором проведен анализ, сопоставление, интерпретация и обобщение полученных экспериментальных результатов, на основе чего сформулированы расширенные научные выводы по каждой главе диссертации, а также обобщенный вывод по диссертационной работе. Большая работа автором проделана по статистической обработке экспериментальных данных, а также

построению теоретических моделей, моделированию и сопоставлению с экспериментальными данными. Автором проведен значительный литературный обзор по строению, параметрам, моделям и существующим технологиям изготовления массивных и ультратонких пористых материалов.

Автором впервые предложен и реализован новый метод формирования пористой структуры тонких оксидных пленок в вакуумных условиях путем их модификации углеродом в плазме тлеющего разряда, предложена и экспериментально доказана гипотеза, объясняющая механизм протекающих процессов, проведены исследования состава, структуры, электрических, оптических и механических свойств полученных пористых пленок, доказана универсальность механизма воздействия углерода на структуру и свойства оксидных пленок, формируемых в плазме тлеющего разряда.

На начальных этапах работы при исследовании электрического пробоя пленок, модифицированных углеродом (глава 3), в обсуждении принимал участие д-р техн. наук, заслуженный деятель науки и техники, профессор Воробьев Г.А.; при обсуждении процессов формовки (глава 4) принимал активное участие д-р техн. наук, профессор Троян П.Е., при обсуждении оптических измерений принимал активное участие д-р техн. наук, профессор Смирнов С.В.

Ввиду отсутствия у автора некоторого аналитического оборудования, а также опыта работы на нем, часть измерений была проведена сторонними лицами и организациями при непосредственном участии автора. В частности, в измерении механических свойств, состава (методом Оже) и шероховатости поверхности был задействован «Центр измерений свойств материалов» на базе Томского политехнического университета, измерения проводил ст. науч. сотр., канд. физ.-мат. наук Шулепов И.А.; в исследовании поверхности с помощью электронного микроскопа серии Zeiss Supra 55 с блоком для электронно-лучевого экспонирования Raith 150TM был задействован научно-образовательный центр «Нанотехнологии» ТУСУРа, измерения проводил канд. техн. наук Ишуткин С.В.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Сахаров Юрий Владимирович, 2019 год

Список литературы:

1. Хейфец Л.И. Многофазные процессы в пористых средах / Л.И. Хейфец, Д.В. Неймарк. - М.: Химия, 1982. - 320 с.

2. Плаченов Т.Г. Порометрия / Т.Г. Плаченов, С.Д. Колосенцев. - Л.: Химия, 1988. - 175 с.

3. Адсорбция органических веществ из воды /А.М. Когановский, Н.А. Клименко, Т.М. Левченко, И.Г. Рода. - Л.: Химия, 1990. - 256 с.

4. Карнаухов А.П. Адсорбция. Текстура дисперсных и пористых материалов / А.П. Карнаухов. - Новосибирск: Наука, 1999. - 470 с.

5. Дубинин М.М. Микропористость и адсорбционные свойства углеродных адсорбентов / М.М. Дубинин // Изв. АН СССР. Сер. хим. - 1983. -№ 3. -С. 487-493.

6. Головань Л.А. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем / Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // УФН. - 2007. -Т. 46, № 6. - С. 619-638.

7. Nucleation and growth of the nanostructured anodic oxideson tantalum and niobium under the porous alumina film / A. Mozalev, M. Sakairi, I. Saeki, H. Takahashi // Electrochimica Acta. - 2003. - N 48. - P. 3155-3170.

8. Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение : моногр. / В.В. Трегулов ; Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань, 2011. -124 с.

9. Электрохимические методы синтеза гиперболическиъх метаматериалов / А.В. Атращенко, А.А. Красилин, И.С. Кучук, Е.М. Арысланова, С.А. Чивилихин, П.А. Белов // Наносистемы: физика, химия, математика. -

2012. - Т. 3, № 3. - С. 31-51.

10. Наноэлектроника: теория и практика: учеб. / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, А.Л. Данилюк, Е.А. Уткина. - 3-е изд. - М. : БИНОМ, Лаборатория знаний,

2013. - 366 с.

11. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика / Под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова. - М.: Физматлит, 2006. - 552 с.

12. Особенности формирования металлооксидных пористых структур в золь-гель системах SiO2 - SnO2 и SiO2 - CoO/ В.С. Левицкий, А.И. Максимов, Е.В. Мараева, В.А. Мошников // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2012. Т. 12., Вып. 5. - C. 725 - 733.

13. Серегин Д.С. Формирование мезопористых силикатных пленок золь-гель методом с использованием полиэтиленгликолей / Д.С. Серегин, К.А. Воротилов, А.С. Сигов // Вестник МГТУ МИРЭА. - 2015. - № 2(7). - С. 304-315.

14. Дульцев Ф.Н. Тонкие пленки как основа химических и биологических сенсоров: дис. ... д-ра хим. наук: 02.00.21 / Дульцев Федор Николаевич. -Новосибирск, 2007. - 267 с.

15. Сахаров Ю.В. Структура, модели и технологии изготовления нанопористых материалов (обзор) / Ю.В. Сахаров // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. - 2018. - Т.10, № 3. - С. 3-15.

16. Лучкин А.Г. Очистка поверхности подложек для нанесения покрытий вакуумно-плазменными методами / А.Г. Лучкин, Г.С. Лучкин // Вестник КГТУ. - 2012. - № 15. - С. 208-210.

17. Углов А.А. Адгезионная способность пленок / А.А. Углов, Л.М. Анищенко, С.Е. Кузнецов. - М.: Радио и связь, - 1987. - 104 с.

18. Шмаков М. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек / М. Шмаков, В. Паршин, А. Смирнов // Технологии в электронной промышленности. - 2008. - № 5. - С. 76-80.

19. Ионно-плазменные методы получения наноструктур / Т.И. Данилина, П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров, Ю.С. Жидик // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. -2017. - № 3 (20). - С. 40-45.

20. Danilina T.I. Properties of composite films obtained by ion-plasma atomizing / T.I. Danilina, Ju.V. Sakharov // 11th International Scientific and Practical Conference of Students, Postgraduates and Young Scientists «Modem Techniques

and Technologies», MTT' 2005, Tomsk, Russian Federation, 28 March - 1 April 2005. - P. 135-137.

21. Сахаров Ю.В. Электрофизические свойства тонкопленочных оксидных диэлектриков модифицированных углеродом / Ю.В. Сахаров // Материалы XIII международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления, посвященной 55-летию ТУСУРа, Томск, 29 ноября - 1 декабря 2017 г. - 2017. - Ч. 1. - С. 115-119.

22. Способ получения пористого диоксида кремния: патент на изобретение № 2439743 Рос. Федерация: МПК: H01L 21/316, B82B 3/00 / С.П. Усов, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян; заявитель и патентообладатель Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. -№ 2010118778/28; заявл. 11.05.2010; опубл. 10.01.2012, Бюл. № 1.

23. Усов С.П. Влияние углерода на структуру нанопленок двуокиси кремния / С.П. Усов, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Материалы докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 12-15 мая 2009 г. - Томск, 2009. - Ч. 2. - С. 46-48.

24. Троян П.Е. Микроскопические исследования пленок SiO2 с примесью углерода / П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров, А.А. Жигальский // Материалы VII Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2004». - Новосибирск, 2004. - Т. 2. - С. 61-62.

25. Сахаров Ю.В. Разработка технологии напыления пленок ITO методом магнетронного распыления и ее адаптация в условиях промышленного производств / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // Сборник трудов 5-й международной научно-практической конференции «Технология микро и наноэлектроники в наносистемной технике». - Москва, 13-15 апреля 2016 г, ИНМЭ,. - С. 87.

26. Radiation-induced defects in thin Cu(In,Ga)Se2 films on exposure to high-energy electron irradiation / A.V. Mudryi, V.F. Gremenok, A.V. Ivanyukovich, M.V. Yakushev, Y.V. Feofanov // Journal of Applied Spectroscopy. - 2005. - Vol. 72, N 6. - P. 775-780.

27. An electron-microscopic study of SiO2 films with a carbon impurity / P.E. Troyan, Yu.V. Sakharov, A.A. Zhigal'skii, A.S. Makrushin // Russian Physics Journal. -2006. - February. - Vol. 49, Issue 2. - P. 219-220.

28. Сахаров Ю.В. Оптические исследования пленок SiO2+C / Ю.В. Сахаров, А.А. Макрушина // Материалы докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР - 2004». - Томск, 2004. - С. 80-83.

29. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М. Сиха. - М.: Мир, 1987. - 600 с.

30. Рид С. Дж. Б. Электронно-зондовый микроанализ / С. Дж. Б. Рид ; пер. с англ. А.И. Козленкова. - М.: Мир, 1979. - 423 с.

31. Бёккер Юрген. Спектроскопия / Ю. Беккер ; пер. с нем. Л.Н. Казанцевой под ред. А.А. Пупышева, М.В. Поляковой. - М.: Техносфера, 2009. - 527 с.

32. Юхневич Г.В. Инфракрасная спектроскопия воды / Г.В. Юхневич. - М., 1973. - 207 с.

33. Сахаров Ю.В. Структура и свойства оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом / Ю.В. Сахаров // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. - 2018. - Т.10, № 2. - С. 12-19.

34. Карпушин А.А. О механизме адсорбции SO2 на рецепторных центрах, встроенных в пористые пленки SiO2 / А.А. Карпушин, А.Н. Сорокин // Журнал структурной химии. - 1993. - Т. 34, № 6. - С. 131-134.

35. Porous structure of SiO2 films synthesized at low temperature and pressure / М^. Baklanov, F.N. Dultsev, L.L. Vasilyeva Т.А. Gavrilova, KP. Mogilnikov, L.A. Nenasheva // Thin Solid Films. - 1989. - Vol. 171. - P. 43-52.

36. Dultsev F.N. Irregular surface and porous structure of SiO2 films deposited at low temperature and low pressure / F.N. Dultsev, L.A. Nenasheva, L.L. Vasilyeva // J. Electrochem. Soc. - 1998. - Vol. 145, N 7. - P. 2569-2572.

37. Adamyan A. Z. Determination of basic parameters of porous silicon / A.Z. Adamyan, Z.N. Adamian, V.M. Aroutiounian // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2006. - Vol. 39. - P. 3543-3546.

38. ГОСТ 29244-91 (ИСО 483-88) Пластмассы. Небольшие контейнеры для кондиционирования и испытания с использованием водных растворов для поддержания постоянного значения относительной влажности. - Введ. с 01.01.1993 - М.: ИПК Издательство стандартов, 2004. - 9 с.

39. Сахаров Ю.В. Исследование свойств пленок пористого диоксида кремния нанометровой толщины / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, С.П. Усов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2010. - № 1 (21), Ч. 2. - С. 118-122.

40. Сахаров Ю.В. Электрофизические свойства пористых пленок диоксида кремния / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, С.П. Усов // Материалы XII Международной конференции физика диэлектриков. (Диэлектрики-2011), Санкт-Петербург, 23-26 мая 2011 г. - 2011. - Т. 1. - С. 390-392.

41. Сахаров Ю.В. Исследование пористых пленок диоксида кремния / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2011. - № 2(24). - Ч. 2. - С. 77-80.

42. Изолирующие слои многоуровневой разводки интегральных схем с низкой диэлектрической проницаемостью / В.А. Васильев, К.А. Воротилов, А.С. Сигов, А.С. Валеев, В.А. Шишко, Ч.П. Волк, Е.П. Ковсман // Электронная промышленность. - 2004. - № 4. - С. 145-153.

43. Рез И.С. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике / И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. - М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

44. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов / Б.М. Тареев. - М.: Энергоиздат, 1982. -320 с.

45. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков / Ю.М. Поплавко. - Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1980. - 400 с.

46. Сахаров Ю.В. Технология изготовления и электрофизические свойства пористых пленок диоксида кремния / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Материалы всероссийской научной конференции с международным участием

«Полифункциональные химические материалы и технологии», Томск, 21 - 23 ноября 2013 г. - 2013. - С. 230-231.

47. Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках: пат. 2033660 Рос. Федерация: МПК: H01L21/66 / Виноградов А.С., Гуденко Б.В., Орловская С.А., Скупов В.Д. ; заявитель и патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительных систем. - БИ N 11; заявл. 10.12.1991; опубл. 20.04.1995.

48. Кукуев В.И. Адсорбция паров воды в пленочных структурах с упорядоченным расположением мезодефектов/ В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, В.В. Чернышев, И.Г. Шаптала // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2008. - Т.8, № 6. - С. 942-947.

49. Голицына О.М. Влияние влажности на диэлектрические характеристики пористого оксида алюминия с включениями триглицинсульфата / О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Е. Гриднев // Физика твердого тела. -2012. - Т. 54, вып. 10. - С. 1839-1842.

50. Крикоров В.С. Электропроводящие полимерные материалы / В.С. Крикоров, Л.А. Колмакова - М.: Энергоатомиздат, 1984. - 176 с.

51. McClellan A.L. Cross-sectional Areas of Molecules Adsorbed on Solid Surfaces / A.L. McClellan H.E. Harnsberger // J. Colloid Interface Science. - 1967. - Vol. 23. - P. 577-599.

52. Таблицы физических величин: справ. / под ред. И.К. Кикоина. - М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

53. Грег С. Адсорбция, удельная поверхность, пористость / С. Грег, К. Синг. - М.: Мир, 1984. - 304 с.

54. Тутов Е.А. Гетерофазные процессы в пленочных сенсорных структурах на кремнии: автореф. дис. ... д-ра хим. наук / Е.А. Тутов. - 2009. - 32 с.

55. Патрахин И.Ю. Изучение механизма и кинетики адсорбции и десорбции влаги и фторсоединений на металлургических глиноземах с целью снижения потерь фтора в производстве алюминия: дис. ... канд. техн. наук / И.Ю. Патрахин. - Красноярск, 2004. - 139 с.

56. Айлер Р. Химия кремнезема: В 2 ч. / Р. Айлер. - М.: Мир, 1982. - Ч. 2. - 712 с.

57. Аузин А.А. О дисперсии диэлектрической проницаемости геологической среды (применительно к интерпретации материалов георадиолокации) / А.А. Аузин, С.А. Зацепин // Вестник ВГУ. Сер. Геология. - 2015. - № 4. - С. 122-127.

58. МДП-структура с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды / Е.Л. Тутов, Е.Н. Бормонтов, М.Н. Павленко, Г.Л. Нетесова, Е.Е. Тутов // ЖТФ. - 2005. - Т. 75, вып. 8. - С. 85-89.

59. Ivanov P.A. Effective carrier density in porous silicon carbide / P.A. Ivanov, M.G. Mynbaeva, S.E. Saddow // Semicond. Sci. technol. - 2004. - Vol. 19. -P. 319-322.

60. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, В.М. Кашкаров, М.Н. Павленко, Э.П. Домашевская // Журнал технической физики. - 2003. - Т. 73, вып. 11. - С. 83-89.

61. Электрофизические методы в исследовании оксидирования тонких пленок металлов на кремнии / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, В.А. Логачева, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов, А.М. Ховив // Вестник ВГУ. Сер. Физика. Математика. -2007. - № 1. - С. 36-41.

62. Варзарев Ю.Н. Релаксация емкости в структурах металл - пористый SiC -монокристаллический SiC / Ю.Н. Варзпрев // Известия Таганрогского государственного радиотехнического университета. - Таганрог, 2005. - Т. 53. - С. 62-63.

63. Анализ вольт-фарадных характеристик пленок ZnO:RE на кремниевых подложках методом Термана / В.В. Малютина-Бронская, О.А. Гребенщиков, В.Б. Залесский, Т.Р. Леонова // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 4. - С. 433-437.

64. Sakharov Yu.V. Porous silicon dioxide films synthesis and their electrical properties / Yu.V. Sakharov, P.E. Troyan // International Conference on Actual

Problems of Electron Devices Engineering, APEDE, 2014, Saratov, Russian Federation, 25 - 26 September 2014. - 2014. - P. 378-381.

65. Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layer by anodization in HF solution / T. Unagami // J. Electrochem. Soc. - 1980. - Vol. 127, N 2. - P. 476483.

66. Unagam T. Oxidation of porous silicon and properties of its oxide film / T. Unagami // Jpn. J. Appl. Phys. - 1980. - Vol. 19, N 2. - P. 231-241.

67. Биленко Д.И. Электрофизические и оптические свойства пористого кремния / Д.И. Биленко, Э.А. Жаркова, Е.И. Хасина, Ю.Н. Галишникова // ФТП. - 1983. - Т. 17, вып. 11. - С. 2090-2092.

68. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon / M.I. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, N.G. Chew, A.G. Cullis // J. Cryst. Growth. - 1985. - Vol. 73. - P. 622-636.

69. Anderson R.C. Investigations of the electrical properties of porous silicon / R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias // J. Electrochem. Soc. - 1991. - Vol. 138. - P. 3406-3411.

70. First-principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires / A.J. Read, R.J. Needs, K.J. Nash, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, A. Qteish // Phys. Rev. Lett. - 1992. - Vol. 69, N 8. - P. 1232-1235.

71. Tsu R. Doping of a quantum dot / R. Tsu, D. Babic // Appl. Phys. Lett. - 1994. -Vol. 64, N 14. - P. 1806-1808.

72. Resistivity of porous silicon: a surface effect / V. Lehmann, F. Hofmann, F. Muller, U. Gruning // Thin Sol. Films. - 1995. - Vol. 255, N 1-2. - P. 20-22.

73. Зимин С.П. Концентрация носителей заряда в монокристаллической матрице пористого кремния / С.П. Зимин // Письма ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 24. -С. 46-50.

74. Зимин С.П. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки / С.П. Зимин, А.Н. Брагин // ФТП. - 1999. - Т. 33, вып. 4. -С. 476-480.

75. Физика тонких пленок / под ред. Сандомирского. - М.: Мир, 1978. - Т. 8. - 360 с.

76. Sakharov Yu.V. Technology of porous silicon dioxide films syntesis and their electrical properties / Yu.V. Sakharov, P. E. Troyan // 24th International Crimean Conference Microwave & Telecommuncation Technology CriMiCo-2014, September 7-13, 2014, Sevastopol, Crimea, Russia. - 2014. - Vol. 2. - Р. 682683.

77. Казимиров А.И. Исследование гетероструктур на основе слоев с широкой запрещенной зоной / А.И. Казимиров, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2010. - № 2 (22). - Ч. 1. - С. 201-203.

78. Казимиров А.И. Свойства пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом / А.И. Казимиров, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Л.С. Михайленко // Становление и развитие научных исследований в высшей школе: сборник трудов Международной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора А.А. Воробьева. - Томск, 2009. - Т. 1. - С. 339343.

79. Зайцев Н.А. Структурно-примесные и электрофизические свойства систем Si-SiO2 / Н.А. Зайцев, И.О. Шурчков. - М.: Радио и связь, 1993. -192 с.

80. Емельянов А.М. Ловушки электронов в термических пленках SiO2 на кремнии / А.М. Емельянов // Микроэлектроника. - 1986. - Т. 15, вып. 5. -С. 434-472.

81. Корзо В.Ф. Диэлектрические пленки в микроэлектронике / В.Ф. Корзо, В.Н. Черняев. - М.: Энергия, 1977. - 368 с.

82. Барабан А.П. Зарядовая нестабильность структур Si-SiO2 в процессе полевого воздействия / А.П. Барабан, С. Назар, С.Г. Сазонов // Изв. вузов. Электроника. - 2001. - № 1. - С. 45-48.

83. Барабан А.П. О механизме диссипации энергии разогретых электронов в слоях двуокиси кремния / А.П. Барабан, В.В. Булавинов, М.О. Рыбаков // Изв. вузов. Физика. - 1991. - № 4. - С. 36-40.

84. Electron and hole injection in metal-oxide-nitride-oxide-silicon structures / K.A. Nasyrov, S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko, J.H. Han, C.W. Kim, J.-W. Lee // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2006. - Vol. 102, N 5. -P. 810-820.

85. Pollak M. Frequency dependence of conductivity in amorphous solids / M. Pollak // Philosophical Magazine. - 1971. - Vol. 23, N 183. - P. 519-542.

86. Mott N.F. localized electronic states in disordered systems / N.F. Mott // Philosophical Magazine. - 1968. - Vol. 17, N 150. - P. 1259-1268.

87. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Мир, 1982. - Т. 1,2. - 662 с.

88. Зависимость электропроводности пленочных композитов / А.В. Адакимчик, Н.И. Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А. Котиков, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджаев, Ю.В. Сидоренко // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, № 4. - С. 773-778.

89. Королев Ф.А. Импеданс нанопористых оксидов алюминия и титана с адсорбированной водой вблизи фазового перехода вода - лед: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Ф.А. Королев. - М., 2008. - 136 с.

90. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. // Физика и химия стекла. -2001. - Т. 27, № 6. - С. 762.

91. Антонченко В.Я. Основы Физики Воды / В.Я. Антонченко, А.С. Давыдов,

B.В. Ильин. - Киев: Наук. думка, 1991. - 672 с.

92. Massoud Z. Hislam. Analytical relationship for the oxidation of silicon in dry oxygen in the thin-film regime / Hislam Massoud Z., Plummar D. James // J. Appl. Phys. - 1987. - Vol. 62, N 8. - P. 3416-3123.

93. Рыжкин И.А. Протонная структура льда вблизи границы раздела лед -металл / И.А. Рыжкин, В.Ф. Петренко // ЖЭТФ. - 2005. - Т. 128, № 2(8). -

C. 364-369.

94. Бордонский Г.С. Электрическое сопротивление пленок воды на поверхности льда вблизи температуры фазового перехода / Г.С. Бордонский, С.Д. Крылов // Письма в ЖТФ. - 2009. - Т. 35, вып. 7. - С. 80-85.

95. Сахаров Ю.В. Технология синтеза и электрофизические свойства пористых пленок диоксида кремния / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // 11-я международная конференция «Пленки и покрытия - 2013», Санкт-Петербург, Россия. - СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2013. - С. 194-196.

96. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных электрических полей) / Г.И. Сканави. - М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1958. - 909 с.

97. Zeller H.R. Breakdown and prebreakdown phenomena in solid dielectrics / H.R. Zeller // IEEE Transact. Electr. Insulation. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P. 115122.

98. Данилина Т.И. Моделирование микрорельефа и распределение электрического поля в МДМ-структурах / Т.И. Данилина, П.Е. Троян, Н.С. Ивашковская, В.В. Чапля // Материалы IV Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП - 98). - Новосибирск, 1998. - Т. 2. - С. 23-26.

99. Воробьев Г.А. Пробой тонких диэлектрических пленок / Г.А. Воробьев,

B.А. Мухачев. - М.: Советское радио, 1977. - 70 с.

100. Сахаров Ю.В. Технология синтеза и электрофизические свойства пористых пленок диоксида кремния / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития: 4-я международная научно-практическая конференция. - Томск, 2007. - Ч. 2. -

C. 15-16.

101. Воробьев Г.А. Электрический пробой твердых диэлектриков / Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов // Физика твердого тела. - 2005. - № 6. -С.1048-1052.

102. Иванова Е.В. Исследование многократного пробоя тонких диэлектрических пленок в МДМ-системе: дис... канд. техн. наук / Иванова Е.В. - Томск, 1976. - 153 с.

103. Физика диэлектриков (область сильных полей): учеб. пособие / Г.А. Воробьев, Ю.П. Похолков, Ю.Д. Королев, В.И. Меркулов. - Томск: Изд-во ТПУ, 2003. - 244 с.

104. Кислякова Е.В. Механизмы пробоя твердых диэлектриков с неоднородной структурой / Е.В. Кислякова // Молодой ученый. - 2013. - № 3. - С. 1-4.

105. Arnold D. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxde / D. Arnold, E. Cartier, D. DiMaria // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 49, N 15. - P. 10278-10297.

106. Месяц Г.А. О природе «эффекта Воробьевых» в физике импульсного пробоя твердых диэлектриков / Г.А. Месяц // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, вып. 24. - С. 51-59.

107. Васильев Л.Л. Теплофизические свойства пористых материалов / Л.Л. Васильев, С.А. Танаева. - Минск: Наука и техника, 1971. - 59 с.

108. Троян П.Е. Электрическая формовка и пробой структур Mo-Si02 +C-Al / П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров // Тезисы V Международной конференции «АПЭП-2000». - Новосибирск, 2000. - Т. 2. - С. 144-146.

109. Воробьев А.А., Воробьев Г.А., Чепиков А.Т. Закономерности пробоя твердого диэлектрика на границе раздела с жидким диэлектриком при действии импульса напряжения. Приоритет открытия 14.12.1961. Диплом 107 // Научные открытия. Сборник кратких описаний. - М.-СПб.: РАЕН, 1999. -Вып. 1. - С. 36-38.

110. Воробьев Г.А. Критерий внедрения канала разряда в твердый диэлектрик, помещенный в изолирующую жидкость / Г.А. Воробьев, А.Т. Чепиков, В.Ф. Важов // Известия вузов. Физика. - 1998. - Т. 199, № 12. - С. 110-113.

111. Воробьёв Г.А. Эффект внедрения разряда в твердый диэлектрик, погруженный в изолирующую жидкость / Г.А. Воробьев // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, вып. 4. - С. 125-127.

112. Грановский В.А. Методы обработки экспериментальных данных при измерениях / В.А. Грановский, Т.Н. Сирая. Л.: Энергоатомиздат, 1990. -288 с.

113. Елисеева И.И. Общая теория статистики: учеб. / И.И. Елисеева, М.М. Юзбашев ; под ред. И.И. Елисеевой. - 5-е изд., перераб. и доп. - М.: Финансы и статистика, 2004. - 656 с.

114. Диэлектрики в наноэлектронике / В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. - 258 с.

115. Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / В.А. Гриценко [и др.]; отв. ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова [и др.]. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. - 158 с.

116. Перевалов Т.В. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью / Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко // УФН. - 2010. - Т. 180, № 6. - С. 587-603.

117. Shafer H. The modifications of niobium pentoxide / H. Shafer, R. Gruenh, F. Schulte // Angew. Chem. internat. Edit. - 1966. - Vol. 5, N 1. - P. 40-52.

118. Мигас Д.Б. Влияние кристаллической структуры на ширину запрещенной зоны Nb2O5 / Д.Б. Мигас, А.Б. Филонов, В.Е. Борисенко // Материалы и структуры современной электроники: материалы VI Международной научно-практической конференции, Минск, 8-9 октября 2014 г. - 2014. - С. 71-73.

119. Fihlo de A.B. Niobia films: surface morphology, surface analysis, photoelectrochemical properties and crystallization process / D. de A. B. Fihlo [et al.] // J. Mater. Sci. - 1998. - Vol. 33, N 2. - P. 2607-2616.

120. Сахаров Ю.В. Электрические свойства углеродных пленок в нанометровом диапазоне толщин / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, С.П. Усов // Методы и средства управления технологическими процессами МСУТП-2007: материалы 4-й международной конференции, Саранск, 24-26 октября 2007 г. -2007. - С. 50-52.

121. Лобанов М.В. Структура и свойства тонкопленочного диоксида титана, модифицированного ниобием, индием и оловом: дис. ... канд. хим. наук / М.В. Лобанов. - 2015. - 126 с.

122. Nakaruk A. Anatase-rutile transformation through high-temperature annealing of titania films produced by ultrasonic spray pyrolysis / A. Nakaruk, D. Ragazzon, C.C. Sorrell // Thin Solid Films. - 2010. - Vol. 518. - P. 3735-3742.

123. Anatase-to-rutile transition of titania thin films prepared by MOCVD / I.T. Kim, J.W. Jang, K.S. Hong, C. Byun, B.-W. Lee // Materials Research Bulletin. - 1997. - Vol. 32, N 4. - P. 431-440.

124. Brookite versus anatase TiO2 photocatalysts: phase transformations and photocatalytic activities / T.A. Kandiel [et al.] // Photochemical and Photobiological Sciences. - 2013. - Vol. 12, N 4. - Р. 602-609.

125. Герасименко Ю.В. Синтез и свойства тонких пленок диоксида титана / Ю.В. Герасименко, В.А. Логачёва, А.М. Ховив // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12, № 2. - С. 113-118.

126. Сиделёв Д.В. Исследование фазового состава тонких пленок диоксида титана, полученных среднечастотным дуальным магнетронным распылением / Д.В. Сиделёв, Ю.С. Подаруева // Перспективы развития фундаментальных наук: IX Международная конференция студентов и молодых ученых, Россия, Томск, 24-27 апреля 2012 г. - 2012. - С. 215-217.

127. Троян П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных структур металл-диэлектрик-металл в сильных электрических полях / П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров. - Томск: Томск. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники, 2013. - 248 с.

128. Воробьев Г.А. Формовка системы МДМ и ее пробой / Г.А. Воробьев,

B.Ш. Зеленский // Радиотехника и электроника. - 1989. - Т. 34, № 6. -

C.1312-1315.

129. Битнер Л.Р. Влияние верхнего электрода на формовку МДМ-системы / Л.Р. Битнер, Г.А. Воробьев // Радиотехника и электроника. - 1983. -Т. 28, № 6. - C. 1223-1224.

130. Sakharov Yu.V. The effect of water vapor on the Conductivity and Emission Properties of the formed Mo-SixNyOz-Al structure / Yu.V. Sakharov,

R.B. Lubsanov, P.E. Troyan // Russian Physics Journal. - 2004. - Vol. 47, Iss. 1. -P. 69-74.

131. Троян П.Е. Роль углеводородов в процессе электрической формовки МДМ-систем / П.Е. Троян, А.А. Жигальский, Ю.В. Сахаров // Изв. вузов. Физика. -2003. - № 2. - С. 36-39.

132. Sakharov Y.V. Change of properties of a MIM-structure formation of a positive charge in insulator / Y.V. Saharov, A.A. Zhigalsky, P.E. Troyan // J. LE Vide: Science, Technique at Applications. - 2001, July. - P. 313-317.

133. Троян П.Е. Роль углерода в процессе электрической формовки МДМ-систем / П.Е. Троян, А.А. Жигальский, Ю.В. Сахаров // Материалы VI Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП - 2002). - Новосибирск, 2002. - Т. 2. - С. 43-46.

134. Гапоненко В.М. О природе образования формованных каналов в тонкопленочных МДМ-системах / В.М. Гапоненко // Изв. вузов. Физика. -1992. - № 5. - C. 115-120.

135. Троян П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных МДМ-систем / П.Е. Троян // Изв. вузов. Физика. - 1996. - Т. 39, № 5. - C. 55-60.

136. Миллер А.А. Электроннозондовый микроанализ состава диэлектрика формованного канала МДМ-системы / А.А. Миллер // Изв. вузов. Физика. -1983. - № 7. - C. 116-118.

137. Мордвинцев В.М. Вольтамперные характеристики и механизм проводимости нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой в виде открытой сэндвич структуры / В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин // Микроэлектроника. - 1998. - Т. 27, № 1. - C. 49-57.

138. Гапоненко В.М. Исследование электрической формовки и деградационных процессов в формованных системах металл-диэлектрик-металл: дис. ... канд. техн. наук / Гапоненко Владимир Михайлович. - Томск, 1996. - 162 с.

139. Мордвинцев В.М. Модель нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учетом перколяции в изолирующей щели / В.М. Мордвинцев,

С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин // Микроэлектроника. - 1998. - Т. 27, № 4. -С.265-274.

140. Мордвинцев В.М. Электроформовка как процесс самоорганизации нанометрового зазора в углеродистой среде / В.М. Мордвинцев В.Л. Левин, К.А. Валиев // ЖТФ. - 1997. - Т. 67, № 11. - С. 39-44.

141. Троян Л.А. Влияние рельефа поверхности на формовку МДМ-структуры / Л.А. Троян // Радиотехника и электроника. - 1983. - Т. 28, № 7. - С. 13621368.

142. Троян Л.А. Влияние рельефа поверхности и площади на протекание электрических процессов в формованной МДМ-системе: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Троян Лидия Андреевна. - Томск, 1985. - 200 с.

143. Данилина Т.И. Моделирование микрорельефа и распределения электрического поля в МДМ-структурах / Т.И. Данилина, П.Е. Троян // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2009. - № 1. - С. 2226.

144. Бенсон Ф.М. Влияние микрорельефа нижнего электрода на плотность эмиссионных центров МДМ-катода / Ф.М. Бенсон, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1992. - Т. 37, № 7. - С. 1332-1336.

145. Исследование эмиссии электронов в вакуум из формованных МДМ-систем / Ю.А. Бурачевский, Г.А. Воробьев, В.Л. Галанский [и др.] // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. - 1979. - Т. 43, № 9. - С. 1876-1882.

146. Воробьев Г.А. Исследование процессов в отдельных формованных каналах системы металл - диэлектрик - металл / Г.А. Воробьев, Р.Б. Лубсанов, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1985. - Т. 30, № 7. - С. 13801383.

147. Миллер А.А. Электронно-микроскопические исследования структуры и электронных процессов в МДМ-катодах: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Миллер А.А. - Томск, 1983. - 140 с.

148. Бурачевский Ю.А. Изучения свечения формованных МДМ-структур: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Бурачевский Ю.А. - Томск, 1985. - 200 с.

149. Kuniyuki Hamano. Breakdown characteristics in thin SiO2 films / Hamano Kuniyuki // Japanese J. Appl. Phys. - 1974. - Vol. 13, N 7. - P. 181-193.

150. Hogarth C.A. The use of microprobe analysis for the study of the composition of the terminations of conducting filaments of M-I-M structures / C.A. Hogarth,

A. Rakhshani // J. Non-Cryst. Sol. - 1976. - Vol. 21, N 1. - P. 147-150.

151. Жигальский А.А. Электрический пробой и проводимость пленок ZnS-Mn, полученных ВЧ магнетронным распылением / А.А. Жигальский,

B.А. Мухачев, П.Е. Троян // Тезисы докладов Всесоюзной конференции по электролюминесценции. - Ангарск, 1991. - С. 28-32.

152. Жигальский А.А. Исследование электрического пробоя пленок ZnS-Mn, полученных ВЧ-магнетронным распылением / А.А. Жигальский, В.А. Мухачев, П.Е. Троян // Изв. вузов. Физика. - 1993. - Т. 36, № 3. - С. 4143.

153. Zeller H.R. Breakdown and prebreakdown phenomena in solid dielectrics / H.R. Zeller // IEEE Transact. Electr. Insulation. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P. 115122.

154. Гынгазов С.А. Исследование электрофизических свойств тонкопленочных систем металл-диэлектрик-металл в экстремальных условиях внешней среды и электрических полей: дис. ... канд. техн. наук / Гынгазов Сергей Анатольевич. - Томск, 1995. - 171 с.

155. Троян П.Е. Влияние напряжения переключения на характеристики элементов памяти на основе формованной МДМ-структуры / П.Е. Троян // Микроэлектроника. - 1996. - Т. 25, № 2. - С. 150-152.

156. Сахаров Ю.В. Влияние примеси углерода в рабочем диэлектрике на проводимость формованных структур Mo-SiO2+^Al / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Тезисы докладов Девятой международной конференции «Физика диэлектриков». - Санкт-Петербург, 2000. - Т. 1. - С. 59-61.

157. Воробьев Г.А. Влияние паров воды на эмиссионные свойства формованных МДМ-структур / Г.А. Воробьев, Р.Б. Лубсанов, А.В. Сутягин // Тезисы

докладов XIX Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. -Ташкент, 1984. - C. 129.

158. Мордвинцев В.М. Особенности процесса самоорганизации углеродистых проводящих наноструктур при электроформовке открытой «сэндвич»-структуры металл-изолятор-металл с нанометровой изолирующей щелью / В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин // ЖТФ. - 1998. - Т. 68, вып. 11. - С. 85-93.

159. Hogart C.A. Voltage temperature memory and pressure-voltage effect in evaporated films SiO-TiO / C.A. Hogart, M. Ilyas // Thin Solid Films. - 1983. -Vol. 103, N 1. - P. 267-274.

160. Троян П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных структур металл-диэлектрик-металл в сильных электрических полях / П.Е. Троян. - Томск: Изд-во Том. ун-та, 2003. - 178 с.

161. Лубсанов Р.Б. Исследование характеристик МДМ-катодов в отпаянном вакуумном объеме / Р.Б. Лубсанов, А.В. Сутягин, П.Е. Троян // Электронная техника. Сер. 4. - 1982. - Вып. 4. - C. 15-18.

162. Антоненко П.И. Особенности работы матрицы МДМ-катодов в отпаянном ЭВП / П.И. Антоненко, В.А. Бурдовицин, Р.Б. Лубсанов // Электронная техника. Сер. 4. - 1988. - Вып. 3. - С. 66-68.

163. Мордвинцев В.М. Эффект переключения величины туннельного зазора СТМ с диэлектрической пленкой в эмиссионном режиме / В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин // ЖТФ. - 1994. - Т. 64, вып. 4. - С. 124-134.

164. Pagnia H. Bistabile switching in electroformed metal- insulator-metal devices / H. Pagnia, N. Sotnik // Phis. stat. sol (a). - 1988. - Vol. 108, N 1. - P. 11-65.

165. Collins R.A. Electroforming of thin -films MIM devices at atmospheric pressure / R.A. Collins, G. Bowman, R.R. Sutherland // J. Phis. D: Appl. Phis. - 1971. -Vol. 4, N 11. - P. 249-252.

166. Tanaka K. Current voltage characteristics of Al-Al2O3-Au devices in chlorine atmosphere / K. Tanaka, G. Matsamoto // Thin Solid Films. - 1975. - Vol. 27. -P. 5-7.

167. Мордвинцев В.М. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 183-191.

168. Simmons J.C. New conduction and reversive memory phenomena in thin insulating films / J.C. Simmons, R.R. Verderber // Proc. R. Soc. A. - 1967. -Vol. 301. - P. 77-102.

169. Битнер Л.Р. Эффекты переключения и памяти в формованных МДМ-структурах: дис. ... канд. ф.-м. наук / Битнер Лилия Райнгольдовна. - Томск, 1987. - 175 с.

170. Память на основе нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой / К.А. Валиев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин, В.М. Мордвинцев, В.Л. Савасин // Микроэлектроника. - 1997. - Т. 26, вып. 1. - С. 3-11.

171. Сахаров Ю.В. Переходные процессы в формованных МДМ-структурах / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, А.А. Жигальский // Материалы VI Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП - 2002). - Новосибирск, 2002. - Т. 2. - С. 40-42.

172. Dittmer G. Electron conduction, electron emission and electroluminescence of MIM sandwich structures with SiO2, Al2O3 insulating layers / G. Dittmer // Thin Solid Films. - 1972. - Vol. 9, N 2. - P. 141-172.

173. Троян П.Е. Электрическая формовка и пробой тонкопленочных структур металл-диэлектрик-металл / П.Е. Троян, В.В. Каранский // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. -2017. № 20. - С. 152-154.

174. Троян П.Е. Проводимость МДМ-структур после первой стадии формовки / П.Е. Троян, С.С. Крамор // Тезисы V Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-2000). -Новосибирск, 2000. - Т. 2. - С. 140-142.

175. Мордвинцев В.М. Возможный механизм формирования N-образной вольт-амперной характеристики МИИ диода / В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин // ЖТФ. - 1994. - Т. 64, вып. 12. - С. 88-100.

176. Fisheti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalance and tunnel electron injection / M.V. Fisheti // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 57, N 8. -P. 2860-2879.

177. Гапоненко В.М. Влияние напряжения на деградацию формованных каналов в тонкопленочных МДМ-катодах / В.М. Гапоненко // Изв. вузов. Физика. -1992. - № 10. - С. 44-47.

178. Гапоненко В.М. Деградационные процессы в тонкопленочных МДМ-катодах: Расчет распределения температурного поля в формованном канале и его окрестности / В.М. Гапоненко, Е.В. Нефедцев, А.В. Чернявский // Известия вузов. Физика. - 1993. - № 9. - C. 73-78.

179. Троян П.Е. Изменение параметров системы Al-Si3N4-Al во времени / П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1976. - Т. 19, № 7. - C. 15621564.

180. Особенности процесса электрической формовки МДМ систем на основе пленок оксинитрида кремния / В.А. Бурдовицин, В.Л. Галанский, К.И. Смирнова, Ю.Б. Янкелевич // Изв. вузов. Физика. - 1976. - № 5. - C. 7175.

181. Эмиссия горячих электронов из тонкопленочной системы Al-Si3N4-Al / А.В. Баранов, Г.А. Воробьев, П.Е роян [и др.] // Известия АН СССР. Сер. физическая. - 1974. - Т. 38, № 2. - С. 291-295.

182. Воробьев Г.А. О природе эмиссии электронов из системы Al-Si3N4-Al / Г.А. Воробьев, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1975. - Т. 20, № 11. - С. 2415.

183. Lubsanov R.B. Water adsorption influence on the conductivity and emission properties if formed MIM devices / R.B. Lubsanov // Abstracts of the 5th International Vacuum Microelectronics Conference, Vienna. - 1992. - P. 1-16.

184. Гитман Д.М. О температурном режиме «холодного» катода / Д.М. Гитман, Ю.Б. Янкелевич // Изв. вузов. Физика. - 1977. - № 7. - С. 147-153.

185. Гапоненко В.М. Влияние плотности эмиссионных центров на скорость деградационных процессов в тонкопленочных МДМ-катодах / В.М. Гапоненко, В.В. Мотошкин // Изв. вузов. Физика. - 1992. - № 6. -С. 95-98.

186. Киселев А.Д. Процессы получения кремния с низким содержанием примесей с использованием магниетермического восстановления диоксида кремния в аппаратах стесненного падения: дис. ... канд. техн. наук / Киселев Александр Дмитриевич. - Томск, 2014. - 155 с.

187. Wang D. Aluminothermic reduction of silica for the synthesis of alumina -aluminumsilicon composite / D.Wang, S.Shi // J. of Mat. Syn. and Proc. - 2002. -Vol. 9/5. - P. 241-245.

188. Твердофазные взаимодействия пленок алюминия с двуокисью кремния / Я.А. Угай, Л.Я. Тверлохлебова, В.О. Анохин [и др.] // Неорганические материалы. - 1974. - Т. 10, № 6. - С. 1033.

189. Исследования по созданию плоского экрана: Отчет о НИР / науч. рук. П.Е. Троян. - Томск, 1996. - 116 с. - № ГР 01950002003.

190. Исследование наноэффектов, эффектов самоорганизации и процессов в нанозазорах формованных МДМ-структур на основе алмазоподобных и диэлектрических пленок, модифицированных углеродом: заключительный отчет по тематическому плану ТУСУРа г/б 1.5.05 / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Е.М. Окс, В.А. Бурдовицин, Е.В. Саврук, Н.С. Несмелов С.Г. Еханин / науч. рук. П.Е. Троян. - Томск, 2010. - 98 с. - № ГР 0120.0 800867.

191. Лубсанов Р.Б. Электропроводность и деградационные процессы в формованной тонкопленочной структуре металл-диэлектрик-металл на основе оксинитрида кремния: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Лубсанов Ринчин Болданович. - Томск, 1986. - 218 с.

192. Сахаров Ю.В. Технология синтеза полифункциональных прозрачных электропроводящих пленок ITO / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик

// Полифункциональные химические материалы и технологии: материалы всероссийской научной конференции с международным участием, Томск, 21-23 ноября 2013 г. - 2013. - С. 32-33.

193. Сахаров Ю.В. Исследование прозрачной электропроводящей пленки поликристаллического ITO и отработка технологии ее нанесения / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // Материалы международной конференции по применению технологий поверхности в науке и промышленности, Новосибирск, 30 июня - 4 июля 2014 г. - 2014. - С. 106111.

194. Troyan P.E. Synthesis of conducting films In2O3:Sn with the method of magnetron sputtering and their electrophysical properties / P.E. Troyan, Y.S. Zhidik, Y.V. Sakharov // IEEE 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2014, Altai, Russian Federation, 30 June - 4 July 2014. - 2014. - P. 98-101.

195. Троян П.Е. Прозрачные электропроводящие покрытия с контролируемыми значениями коэффициента пропускания и поверхностного сопротивления / П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров, Ю.С. Жидик //Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. -2014. - № 1(31). - С. 99-102.

196. Сахаров Ю.В. Получение низкоомных пленок оксида индия, легированных оловом и измерение их основных параметров / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // Материалы 18-го международного молодежного форума «Радиоэлектроника и молодежь в ХХ1 веке», Харьков, 14-16 апреля 2014 г. -2014. - С. 41-42.

197. Сахаров Ю.В. Процесс электрической формовки и эмиссионные свойства структур Mo-SiO2+C-Al / Ю.В. Сахаров // Материалы Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 30 ноября -3 декабря 1999 г. - 1999. - С. 54.

198. Стеценко Б.В. Отступление от формулы Фаулера-Нордгейма для тока автоэмиссии из наночастиц / Б.В. Стеценко // Журнал технической физики. -2011. - Т. 81, вып. 4. - С. 152-154.

199. Проскуровский Д.И. Эмиссионная электроника / Д.И. Проскуровский. -Томск: Том. гос. ун-т, 2010. - 288 с.

200. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim tunneling in anodized Al-Al2O3-Au diodes / T.W. Hickmott // J. Appl. Phys. 87. - 2000. - P. 79037906.

201. Emission behavior of nm-thick Al2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling / M.B. Lee, S.H. Hahm, J.H. Lee, Y.H. Song // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 86, N 12. - P. 123511-123513.

202. Повышение эмиссионной способности МДМ-катода / Л.А. Троян, П.Е. Троян, И.П. Мезенцева, З.Б. Хоментовская // Тезисы докладов XVIII Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. - М., 1981. - С. 222.

203. Троян П.Е. Разработка и исследование тонкопленочного холодного катода для электровакуумных приборов: дис. ... канд. техн. наук / Троян Павел Ефимович. - Томск, 1976. - 207 c.

204. Эмиссия электронов из системы Al-Si3N4-Al / П.Е. Троян, Л.А. Троян, Ю.Б. Янкелевич, А.Н. Сергеев // Радиотехника и электроника. - 1972. - Т. 17, № 11. - С. 2463-2464.

205. Зеленский В.И. Импульсная электронная эмиссия из систем металл-диэлектрик-металл на основе пленок оксинитрида кремния: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Зеленский Владимир Иванович. - Томск, 1985. - 204 с.

206. Weinberg Z.A. The relation between positive charge and breakdown in metal-oxide-silicon structures / Z.A. Weinberg, T.N. Nguyen // J. Appl. Phys. - 1987. -Vol. 61. - P. 1947-1956.

207. Галанский В.Л. О влиянии водорода на формующийся МДМ-катод / В.Л. Галанский, А.В. Сутягин, Ю.Б. Янкелевич // Тез. докл. III Всесоюзного симпозиума по ненакаливаемым катодам. - Томск, 1977. - C. 58-59.

208. Киселев В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. - М.: Наука, 1978. - 256 с.

209. Зацепина Т.Н. Свойства и структура воды / Т.Н. Зацепина. - М.: Изд-во МГУ, 1974. - 167 с.

210. Замалин Е.Ю. Влияние реактивного ионного травления на пористость и величину заряда пленок диоксида кремния / Е.Ю. Замалин, Г.Н. Гриднева // Микроэлектроника. - 1986. - Т. 25, № 2. - С. 143-145.

211. Никифоров Д.К. Влияние диэлектрического нанослоя на эмиссионные свойства структур Al-Al2O3 и Ве-ВеО / Д.К. Никифоров, А.П. Коржавый, К.Г. Никифоров // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2009. - № 79. - С. 153-159.

212. Никифоров Д.К. Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Ве-ВеО в условиях ионно-электронной бомбардировки: дис. ... канд. физ.-мат. наук / Никифоров Д.К. - М., 2006. - 191 с.

213. Hickmott ^W. Polarization and Fowler-Nordhcim Tunneling in Anodizcd Al-Al2O3-Au Diodes / T.W. Hickmott // J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 87, N 11. -P. 7903-7912.

214. Transport mechanisms in atomic-layer-deposited А1203 dielectrics / M. Specht, X.I. Stadele, S. Jakschik, U. Schroder // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84, N 3. -P. 3076-3078.

215. Saharov Y.V. The electron-energy distribution and angular distribution of electrons radiated by the MIM (metal-insulator-metal) - cathode / P.E. Troyan, Y.V. Saharov // Processing of 14th International Vacuum Microelectronics Conference, August 12-16, Davis, CA, USA. - 2001. - P. 89-90.

216. Sakharov Yu.V. Electron emission of formed structures Mo-SiO2+C-Al / P.E. Troyan, Yu.V. Sakharov // The technical digest of 13th IVMC-2000, 14-17 August, Guangzou, China. - 2000. - P. 260-261.

217. Добрецов Г.А. Эмиссионная электроника / Г.А. Добрецов, Л. Гомоюнова. -М.: Наука, 1966. - 564 с.

218. Канунникова Е.А. Математическое моделирование электрических полей методом инверсии: моногр. / Е.А. Канунникова. - Белгород: Изд-во БГТУ, 2010. - 92 с.

219. Романова Е.Б. Практические задания в системе ELCUT / Е.Б. Романова, С.К. Евстропьев, А.Ю. Кузнецов. - СПб.: Университет ИТМО, 2016. - 47 с.

220. Воробьев Г.А. Влияние плотности эмиссионных центров, площади и температуры на эмиссионную способность МДМ-катода / Г.А. Воробьев, Л.А. Троян // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. - 1985. - Т. 49, № 9. - C. 1734-1737.

221. Косцов Э.Г. Влияние особенностей микрорельефа поверхности электродов на характер нарушения электрической прочности диэлектрических пленок / Э.Г. Косцов // Изв. вузов. Физика. - 1970. - № 7. - C. 63-67.

222. Сахаров Ю.В. Особенности синтеза и свойств формованной МДМ-структуры с пористым диэлектриком / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Известия вузов. Электроника. - 2014. - № 6. - С. 9-13.

223. Изготовление МДМ-катодов с наноострийным нижним электродом / П.Е. Троян, Т.И. Данилина, Ю.Ю. Гребнева, И.А. Кулинич // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 31-32.

224. Особенности эмиссии из тонкопленочной структуры и возможность ее использования для интегральной электроники / Ю.Н. Бузников, Г.А. Воробьев, П.Е. Троян [и др.] // Краткие содержания докладов XV Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. - Киев, 1973. - С. 96-97.

225. Flat display based on the metal-insulator-metal emitter array / P.E. Troyan, R.B. Lubsanov, G.A. Vorobyev, S.A. Ghyngazov, I.V. Lakstroem, S.S. Kramor // Journal of Vac.Sci. Technol. - 1993. - Vol. 11(2). - P. 514-517.

226. Физико-технологические аспекты создания матриц МДМ-катодов для плоского вакуумно-люминесцентного экрана / Г.А. Воробьев, В.М. Гапоненко, С.А. Гынгазов, С.С. Крамор, Р.Б. Лубсанов, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1992. - Т. 37, вып. 4. - С. 713-720.

227. Гапоненко В.М. Влияние верхнего электрода на деградацию МДМ-катода / В.М. Гапоненко, Р.Б. Лубсанов, В.М. Подгорный // Тез. докл. ХХ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. - Киев, 1987. - Т. 1. - С. 169.

228. МДМ-катод с составным верхним электродом / Ю.А. Баренгольц, А.М. Диденко, М.Б. Хаскельберг, Ю.Б. Янкелевич // Тез. докл. IV Всесоюзного симпозиума по ненакаливаемым катодам. - Томск, 1980. -С.232-233.

229. Воробьев Г.А. Замечания к механизму эмиссии электронов из МДМ-катода / Г.А. Воробьев, А.В. Сутягин, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. -1977. - Т. 22, № 8. - C. 1747-1749.

230. Khaskelberg M.B. A Study of the Emission Current of a Formed MIM System in a Wide Temperature Range / M.B. Khaskelberg, S.S. Kramor // Proc. of the 42nd International Field Emission Symposium Madison, Wisconsin, USA, August 7-11, 1995. - 1995. - P. 65.

231. Исследование плотности тока в наноструктурах металл-диэлектрик-металл / П.Ю. Гуляев, В.И. Зеленский, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Л.А. Троян // Ползуновский альманах. - 2011. - № 1. - С. 21-24.

232. Воробьев Г.А. Зависимость плотности тока эмиссии МДМ-катода от площади эмитирующей поверхности / Г.А. Воробьев, Л.А. Троян, П.Е. Троян // Радиотехника и электроника. - 1980. - Т. 25, № 9. - C. 2011-2019.

233. Воробьев Г.А. Процессы при пробое и электрической формовке системы металл-диэлектрик-металл / Г.А. Воробьев, В.М. Гапоненко // Тез. докл. VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков. - Томск, 1988. - С.15.

234. Воробьев Г.А. О природе электрической проводимости тонкопленочных систем МДМ / Г.А. Воробьев, В.М. Гапоненко // Изв. вузов. Физика. - 1991. -№ 1. - С. 65-67.

235. Контроль формовки МДМ-структур наноэлектроники в сильных электрических полях / П.Ю. Гуляев, В.И. Зеленский, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян // Ползуновский вестник. - 2010. - № 2. - С. 68-71.

236. Гапоненко В.М. Исследование механизма деградации эмиссионных центров в тонкопленочных МДМ-катодах / В.М. Гапоненко // Изв. вузов. Физика. -1992. - № 1. - С. 49-52.

237. Мотошкин В.В. Влияние плотности эмиссионных центров на скорость деградационных процессов в тонкопленочных МДМ-катодах / В.М. Гапоненко, В.В. Мотошкин // Известия вузов. Физика. - 1992. - № 6. -C. 95-98.

238. Крамор С.С. Исследование процессов формовки и деградации эмиссионных параметров тонкопленочных систем металл - диэлектрик - металл / С.С. Крамор, М.Б. Хаскельберг // Изв. высших учебных заведений. Физика. - 2000. - № 7. - C. 8-12.

239. Крамор С.С. Исследование импульсной формовки МДМ-катодов / С.С. Крамор, Р.Б. Лубсанов // Тез. докл. Всесоюзной науч.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». - Новосибирск, 1990. - C. 87.

240. DiMaria D. J. Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon / D. J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold // Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 73, №7. - P. 3367-3384.

241. Воробьев Г.А. Матрица МДМ-катодов для плоского вакуумно-люминесцентного экрана / Воробьев Г.А., Гынгазов С.А., Крамор С.С., Лубсанов Р.Б., Троян П.Е. // Известия Академии Наук. Сер. физическая. -1994. - Т. 58, N 10. - С. 80-85.

242. Hickmott ^W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized А1-Аl2О3-Аu / T.W. Hickmott // J. Appl. Phys. -2000. - Vol. 88, N 5. - P. 2805-2812.

243. Hickmott T.W. Polarization measurements in anodized Al-Al2O3-Au diodes / T.W. Hickmott // Appl. Phys. Lett. 75(19). - 1999. - P. 2999-3001.

244. Emmer I. Conducting filaments and voltage controlled negative resistance in Al-Al2O3-Au structure with amorphous dielectric / I. Emmer // Thin Solid Films. -1974. - Vol. 20, N 1. - P. 43-52.

245. Троян П.Е. Физико-химические процессы в слоях диоксида кремния под воздействием сильных электрических полей / П.Е. Троян // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2005. - №12 (48). - С. 70-72.

246. Электрические свойства структуры металл-наночастицы диэлектрика-металл / В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелёв, И.Г. Богораз, О.А. Миловидова // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 12041210.

247. Куликов В.Д. Электрический пробой ионных кристаллов / В.Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, вып. 1. - С. 60-65.

248. Иванов-Омский В.И. Оптические свойства пленок аморфного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита / В.И. Иванов-Омский, А.В. Толмачев, С.Г. Ястребов // Физика и техника полупроводников. - 2001.

- Т. 35, вып. 2. - С. 227-232.

249. Оптические свойства тонких пленок PbS / О.Р. Ахмедов, М.Г. Гусейналиев, Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, С.С. Бабаев, Н.А. Касумов // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, вып. 1. - С. 51-54.

250. Свойства пленок сульфида свинца, осажденных из координационного соединения [РЬ^Н^НСНзСОО^] / В.А. Карнушина, В.Н. Семенов,

A.Н. Лукин, Н.М. Овечкина, Л.Н. Никитин // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2017. - Т. 19, № 2. - С. 215-221.

251. Синтез новых углерод-азотных нанокластеров при термическом отжиге в атмосфере азота алмазоподобных пленок углерода / И.А. Файзрахманов,

B.В. Базаров, Н.В. Курбатова, И.Б. Хайбуллин, А.Л. Степанов // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, вып. 2. - С. 230-234.

252. Коншина Е.А. Корреляция оптической щели и особенности структуры аморфных гидрогенизированных углеродных пленок / Е.А. Коншина // ФТТ.

- 1995. - Т. 37. - С. 1120-1125.

253. Вольпян О.Д. Параметризация модели Фороухи - Блумера - Лорентца для пленок Та205 в области фундаментального поглощения / О.Д. Вольпян, Ю.А. Обод, П.П. Яковлев // Оптический журнал. - 2012. - № 79, 7. - С. 3-9.

254. Рожков В.А. Просветляющие свойства пленок оксида эрбия / В.А. Рожков, М.А. Родионов // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, вып. 2. - С. 67-71.

255. Чуриков В.А. Закон Бугера - Ламберта - Бера для оптических сред с фрактальной структурой в рамках D-анализа / В.А. Чуриков // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2013. - Т. 56, № 11-2. - С. 252-254.

256. Некрашевич С.С. Электронная структура оксида кремния / С.С. Некрашевич, В.А. Гриценко // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 2. - С. 209-223.

257. Сахаров Ю.В. Технология синтеза и свойства пористых оксидных пленок / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. -2015. - № 4(38). - С. 72-75.

258. Tolmachev V.A. Determination of parameter error area in ellipsometry of superthin and 'little contrasting' layers / V.A. Tolmachev // Optics Communications. - 1998. - Vol. 153, N 1-3. - P. 39-44.

259. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования / Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, А.Д. Ременюк, В.А. Толмачев, В.Б. Шуман // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, вып. 10. - С. 1264-1270.

260. Estimation of the average residual reflectance of broadband antireflection coatings / A.V. Tikhonravov, M.K. Trubetskov, T.V. Amotchkina, J.A. Dobrowolski // Applied optics. - 2008. - Vol. 47, N 13. - P. 124-130.

261. Пат. 2127927 Российская Федерация, МКИ H01L21/66. Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках / Скупов В.Д., Смолин В.К., Лашманов В.В.; патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительных систем, заявл. 16.07.1996; опубл. 20.03.1999. - 4 с.

262. Черемский П.Г. Методы исследования пористости твёрдых тел / П.Г. Черемский. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 112 с.

263. Adamyan A.Z. Capacitance method for determination of basic parameters of porous silicon / A.Z. Adamyan, Z.N. Adamian, V.M. Aroutiounian // Phys. Stat. Sol. (c). - 2007. - Vol. 4, N 6. - P. 1976-1980.

264. Тутов Е.А. Адсорбционно-емкостная порометрия / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, Е.Н. Бормонтов // Физика и техника полупроводников. -2001. - Т. 35, вып. 7. - С. 850-853.

265. Тутов Е.А. Емкостные сенсоры влажности с пористым диэлектриком / Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская // VII Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 17-22 сентября 2007 г. - 2007. - С. 282-284.

266. Tutov E.A. Structural-phase parameters found for porous silicon from capacitance measurements / E.A. Tutov, A.Yu. Andryukov, V.M. Kashkarov // Russian journal of applied chemistry. - 2000. - Vol. 73, N 7. - P. 1133-1135.

267. Телеш Е.В. Формирование межуровневого диэлектрика прямым осаждением из ионных пучков / Е.В. Телеш, А.Ю. Вашуров, С.В. Святохо // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г.

268. Шиманович Д.Л. Технологические режимы формирования дополнительных диэлектрических пленок на пористой поверхности алюмооксидных оснований и исследование электрофизических и теплофизических характеристик модифицированных покрытий / Д.Л. Шиманович // Материалы Международной научно-технической конференции INTERMATIC - 2017, 20-24 ноября 2017 г. - 2017. - Ч. 2. - С. 573-576.

269. Термические свойства мембран анодного оксида алюминия / А.В. Дунаев, А.А. Елисеев, А.В. Лукашин, Ю.Д. Третьяков // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2013. - № 4 (1). - С. 120-129.

270. Технология тонких пленок: справ. / под ред. А. Майсела, П. Глэнга. - М.: Сов. радио, 1977. - Т. 2. - 768 с.

271. Головин Ю.И. Наноиндентирование и механические свойства твердых тел в субмикрообъемах, тонких приповерхностных слоях и пленках

/ Ю.И. Головин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 12. - С. 21132142.

272. ГОСТ Р 8.748-2011 (ИСО 14577-1:2002) Государственная система обеспечения единства измерений (ГСИ). Металлы и сплавы. Измерение твердости и других характеристик материалов при инструментальном индентировании. Часть 1. Метод испытаний. Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 13 декабря 2011 г. N 1071-ст. Дата введения 01.05.2013.

273. Новые принципы, техника и результаты исследования динамических характеристик твердых тел в микрообъемах / Ю.И. Головин, А.И. Тюрин,

B.И. Иволгин, В.В. Коренков // ЖТФ. - 2000. - Т.3, вып. 5. - С. 82-90.

274. Шугуров А.Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом наноиндентирования / А.Р. Шугуров, А.В. Панин, К.В. Оскомов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 6. - С. 1007-1012.

275. Поляков В.В. Модули упругости пористых металлов / В.В. Поляков, А.В. Головин // Физика металлов и металловедение. - 1995. - Т. 79, № 2. -

C. 57-60.

276. Влияние длительности электрохимического анодирования на микротвердость макропористого кремния / А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Ефремова,

A.В. Дружкин, Т.О. Коростелева, Д.Г. Гусева // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1234-1236.

277. Гасенкова И.В. Микротвердость анодного оксида алюминия, полученного в комбинированных электролитах / И.В. Гасенкова, Е.В. Остапенко, И.М. Андрухович // Вестник ТГУ. - 2013. - Т. 18, вып. 4. - С. 1603-1604.

278. Твердость микропористой SiC-керамики / А.И. Слуцкер, А.Б. Синани,

B.И. Бетехтин, А.Г. Кадомцев, С.С. Орданьян // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, вып. 12. - С. 59-64.

279. Соколов В.И. Некоторые характеристики пористого кремния (отражение, рассеяние, показатель преломления, микротвердость) / В.И. Соколов, А.И. Шелых // Письма в ЖТФ. - 2008. - Т. 34, вып. 5. - С. 34-39.

280. Chapman В^. Thin-film adhesion / B.N. Chapman // J. Vacuum Science and Technology. - 1974. - Vol. 11, N 1. - P. 106.

281. Jacobson R. Measurement of the adhesion of thin films / R. Jacobson // Thin Solid Films. - 1976. - Vol. 34. - P. 181-199.

282. Жованник Е.В. Механизм адгезии при лазерном напылении пленок / Е.В. Жованник, И.Н. Николаев // Физика и химия обработки материалов. -1998. - № 6. - С. 42-47.

283. Поляков В.В. Моделирование пластической деформации и разрушения пористых материалов / В.В. Поляков, А.В. Егоров, А.А. Лепендин // Письма в Журнал технической физики. - 2005. - Т. 31, № 4. - С. 17-22.

284. Исследование физико-механических свойств износостойких вакуумных покрытий и пленок на специализированном прецизионном оборудовании / В.В. Береговский, И.Ф. Арутюнова, А.В. Даньков, Н.В. Комаров // Тяжелое Машиностроение. - 2013. - № 10. - С. 2-5.

285. Поляков В.В. Зависимость внутреннего трения и упругих характеристик порошкового железа от пористости / В.В. Поляков, А.Н. Алексеев // Порошковая металлургия. - 1994. - № 3-4. - С. 91-92.

286. Поляков В.В. Особенности формирования зон скольжения в пористых металлах / В.В. Поляков, Г.В. Сыров // Известия высших учебных заведений. Физика. - 1995. - Т. 38, № 5. - С. 124-126.

287. Экспериментально-теоретическое исследование отслаивания покрытий при многоцикловом фрикционном нагружении / Е.В. Торская, А.М. Мезрин, И.В. Мосягина, Ю.В. Корнев // Физическая мезомеханика. - 2017. - Т. 20, № 2. - С. 28-35.

288. Никифорова-Денисова С.Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники / С.Н. Никифорова-Денисова, Е.Н. Любушкин. -В 10 кн. Кн. 05. Термические процессы. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.

289. Асташенкова О.Н. Механизмы формирования механических напряжений в плёнках карбида кремния и нитрида алюминия, полученных магнетронным

методом / О.Н. Асташенкова, А.В. Корляков // Современная наука: исследования, идеи, результаты, технологии. - 2014. - № 2 (15). - С. 57-61.

290. Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках / И.Н. Ивукин, Д.М. Артемьев, В.Е. Бугров, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 12. - С. 2294-2297.

291. Коман Б.П. Внутренние механические напряжения, термодинамические и адгезионные параметры в системе металлический конденсат-монокристаллический кремний / Б.П. Коман, В.Н. Юзевич // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1335-1341.

292. Вольпян О.Д. Оптические свойства пленок Та2O5 в коротковолновой области спектра / О.Д. Вольпян, Ю.А. Обод, П.П. Яковлев // Прикладная физика. -2102. - № 4. - С. 47-53.

293. Properties of spray deposited niobium oxide thin films / P.S. Patil, A.R. Patil, S.H. Mujawar, S.B. Sadale // Journal of materials science: materials in electronics. - 2005. - N 16. - P. 35-41.

294. Wang S.F. Microstructural evolution and optical properties of doped TiO2 films prepared by RF magnetron sputtering / S.F. Wang, Y.F. Hsu, Y.S. Lee // Ceramics International. - 2006. - Vol. 32, N 2. - P. 121-125.

295. Mikhelashvili V. Effects of annealing conditions on optical and electrical characteristics of titanium dioxide films deposited by electron beam evaporation / V. Mikhelashvili, G. Eisenstein // Journal of Applied Physics. - 2001. - Vol. 89, N 6. - P. 3256-3269.

296. Брус В.В. Оптические свойства тонких пленок TiO2-MnO2, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения / В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчу // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, вып. 8. - С. 110-113.

297. Соболев В. Вал. Оптические свойства дефектного селенида индия / В. Вал. Соболев, В.В. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2003. -Т. 37, вып. 7. - С. 784-789.

298. Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3 / А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, Н.А. Богословский, И.В. Сагунова, Е.Н. Редичев // Физика и техника полупроводников. - 2017. - Т. 51, вып. 2. - С. 154-160.

299. Гидин И.А. Оптические свойства и дефектная структура кристаллических тел: обзор / И.А. Гидин, Л.А. Чиркина, Э.Н. Метолиди. - М.: ЦНИИатом-информ, 1989. - 28 с.

300. Azim O.A. Structure and optical analysis of Ta2O5 deposited on infrasil substrate / O.A. Azim, М.М. Abdel-Aziz, I.S. Yahia // Appl. Surf. Science. - 2009. - Vol. 255. - P. 4829-4835.

301. Дисперсия оптических констант тонких аморфных пленок Ta2O5 по данным спектроэллипсометрии / В.А. Швец, Д.В. Гриценко, В.Ш. Алиев, С.И. Чикичев, С.В. Рыхлицкий // Микроэлектроника. - 2004. - Т. 33, № 5. -С. 352-358.

302. Первак Ю.А. Многослойные наноструктуры с высокой временной и пространственной дисперсией / Ю.А. Первак, В.Ю. Первак // Наносистеми, наноматерiали, нанотехнологи. - 2008. - Т. 6, № 4. - С. 1103-1110.

303. Головань Л.А. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем / Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // УФН. - 2007. -Т. 46, № 6. - С. 619-638.

304. Шамсутдинова А.Н. Получение и свойства тонких пленок на основе оксидов титана, кремния и никеля / А.Н. Шамсутдинова, В.В. Козик // Химия в интересах устойчивого развития. - 2016. - № 5. - С. 107-112.

305. Синтез и исследование свойств пленок пористого TiO2, полученных анодным окислением / Д.И. Петухов, И.В. Колесник, А.А. Елисеев, А.В. Лукашин, Ю.Д. Третьяков // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - Т. 45, № 1. - С. 65-69.

306. МДМ-катод: патент на полезную модель № 107399 Рос. Федерация: МПК: H01J 9/02. / С.П. Усов, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян; заявитель и

патентообладатель Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - № 2011100753/07; заявл. 12.01.2011; опубл. 10.08.2011, Бюл. № 22

307. Сахаров Ю.В. Исследование механизмов электропроводности пленок оксида индия, легированного оловом / Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, Ю.С. Жидик // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2015. - № 3 (37). - С. 85-88.

308. Чувствительный элемент датчика углеводородов: патент на полезную модель № 101197 Рос. Федерация: МПК: G01N 27/12 / С.П. Усов, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян; заявитель и патентообладатель Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - № 2010116215/28; заявл. 23.04.2010; опубл.10.01.2011, Бюл. № 1.

309. Усов С.П. Датчик газообразных углеводородов на основе пористой пленки SiO2 +С нанометровой толщины / С.П. Усов, П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2010. - № 2(22). - Ч. 1. - С. 187-190.

310. Тонкопленочный нагревательный элемент: патент на полезную модель № 144827 Рос. Федерация: МПК: Н05В 3/84 / Ю.С. Жидик, П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров; заявитель и патентообладатель Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - № 2014109514/07; заявл. 12.03.2014; опубл. 10.09.2014, Бюл. № 25.

311. Данилина Т.И. Создание микрорельефных поверхностей в просветляющих оптических покрытиях для повышения внешней квантовой эффективности синих светодиодов на основе GaN / Т.И. Данилина, П.Е. Троян, И.А. Чистоедова // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2011. - № 2(24). - Ч. 2. - С. 64-67.

312. Способ изготовления светодиода: патент на изобретение № 2485630 Рос. Федерация: МПК: Н0^ 33/00 / Т.И. Данилина, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян, И.А. Чистоедова; заявитель и патентообладатель Томский государственный

университет систем управления и радиоэлектроники. - № 2011132814/28 заявл. 08.04.2011; опубл. 20.06.2013, Бюл. № 17

313. Полупроводниковый светоизлучающий прибор: пат. на изобретение № 2461916 Рос. Федерация: МПК: H01L 33/16 / С.П. Усов, Ю.В. Сахаров, П.Е. Троян; заявитель и патентообладатель Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - № 2011100759/28; заявл. 12.01.2011; опубл. 20.09.2012 Бюл. №26.

314. Ю.В. Сахаров. Технология формирования катодно-анодной части органических светоизлучающих диодов / Ю.В. Сахаров, Ю.С. Жидик, П.Е. Троян // 11 международная конференция «Пленки и покрытия - 2013», Санкт-Петербург, Россия. Издательство Политехнического университета, 06

- 08 мая 2013 г. - С. 191 - 194.

315. Low dielectric constant materials for microelectronics / K. Maex, M.R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S.H. Brongersma and Z.S. Yanovitskaya // J. Appl. Phys.

- 2003. - Vol. 93. - P. 8793

316. Изготовление, анализ структуры и тестирование слоистых наноструктур для генерации острофокусных пучков рентгеновского излучения быстрыми электронам / В.В. Каплин, Ю.В. Сахаров, В.В. Сохорева, П.Е. Троян, С.Р. Углов // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2010. - Т.53, № 10. - С. 247-251.

317. Разработка технологии слоистых наноструктурных планарных рентгеновских волноводов для генерации острофокусных пучков рентгеновского излучения быстрыми электронами / В.В. Каплин, Ю.В. Сахаров, В.В. Сохорева, П.Е. Троян, С.Р. Углов // Сборник трудов Международной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора А.А. Воробьева. - 2009. - Томск, 14-16 сентября 2009. - Т.1. - С. 127-133.

318. Технология изготовления рентгеновских волноводов на основе наноструктур W-C-W / В.В. Каплин, Ю.Е. Перминова, Ю.В. Сахаров, В.В. Сохорева, П.Е. Троян // Материалы докладов Всероссийской научно-технической

конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР - 2010». - Томск, 4-7 мая 2010. - Ч.2. - С. 39-41.

319. Разработка технологии слоистых наноструктурных планарных рентгеновских волноводов для генерации острофокусных пучков рентгеновского излучения быстрыми электронами / В.В. Каплин, Ю.В. Сахаров, В.В. Сохорева, П.Е. Троян, С.Р. Углов // Материалы Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Проведение научных исследований в области индустрии наносистем и наноматериалов».- 2009. -Белгород, 16-20 ноября 2009. - С. 300-303.

320. Создание и тестирование слоистых наноструктур для острофокусных источников рентгеновского излучения / В.В. Каплин, Ю.В. Сахаров, В.В. Сохорева, П.Е. Троян, С.Р. Углов // Известия Вузов. Физика. - 2009. -Т. 52, № 11/2. - С. 242-246.

321. Проблемы и перспективы развития технологии наномембран / Б.В. Мчедлишвили, В.В. Березкин, А.Б. Васильев, А.И. Виленский, Д.Л. Загорский, А.М. Митерев, В.А. Олейников // Кристаллография. 2006. -Т. 51, № 5. - С. 906-919.

322. Нерода А.С. Исследование электрофизических свойств структур Pt-TiO2-Al2O3-Pt, полученных методом атомно-слоевого осаждения / А.С. Нерода, В.П. Колодинов, А.В. Сегодник // Молодой ученый. - 2016. - №15. - С. 5156.

323. Troyan P. Obtaining memristor elements based on non-noble materials / P. Troyan, Y. Sakharov, E. Zhidik // 4th International Young Researchers Conference on Youth, Science, Solutions: Ideas and Prospects, YSSIP - 2107. - MATEC Web of Conferences, Vol.143, 03009 (2018).

Первый заместитель генерального

Акт внедрения ^--"'

результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. на соискание ученой степени доктора технических наук на тему «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом»

Комиссия в составе представителя АО «НПФ «Микран» в лице генерального конструктора, заместителя генерального директора Доценко В.В. и представитель Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (ТУСУР) в лице заведующего кафедрой «Физическая электроника» Трояна П.Е. провела контрольные испытания и составила настоящий акт о внедрении результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом».

Предметом внедрения является технология изготовления пористых пленок диоксида кремния со следующими параметрами (при нормальных условиях):

- диэлектрическая проницаемость на частоте 100 МГц - 1,8 -г 4

- электрическая прочность на постоянном напряжении - не менее 1 МВ/см

- тангенс угла потерь на частоте 100 МГц - не более 0,005

Данные пленки используются при изготовлении тонкоплёночных гибридных интегральных схем и микрополосковых плат ВЧ и СВЧ-диапазона.

Генеральный конструктор,

заместитель генерального директора АО «НПФ «Микшн»

^Доценко В.В.

«Утверждаю» генерального директора аучной работе

Глухов A.B. 2018 г.

АКТ ВНЕДРЕНИЯ

результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. на соискание ученой степени доктора технических наук на тему «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом»

Комиссия в составе: - представителя Акционерного общества «Научно-производственное предприятие «Восток» (АО «НПП «Восток») заместителя генерального директора по научной работе A.B. Глухова; - представителя ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (ТУ СУР) заведующего кафедрой «Физическая электроника» Грояна П.Е.; рассмотрела материалы, провела контрольные испытания и составила настоящий акт о внедрении результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом».

Предметом внедрения является технология изготовления пористых пленок диоксида кремния со следующими параметрами (при нормальных условиях):

- показатель преломления.........................................................................................1,2 — 1,55

- диэлектрическая проницаемость на частоте 1 кГц................................................2,2 - 4,8

- электрическая прочность на постоянном напряжении, MB/см, не

менее.......................................................................................................................................1

- тангенс угла потерь на частоте 1 кГц, не более ..........................................................0,008

Модификации пленок диоксида кремния углеродом приводит к изменению показателя преломления и формированию игловидных волокон, имеющих нанометровые размеры, с поверхностной плотностью до 10|Псм"2. В связи с этим разработанная технология применяется при создании многоэлементных фотоприемников оптического излучения.

Заместитель генеральное по научной работе АО <■

^ Глухов A.B.

;в Е.А.

г.

Акт внедрения

результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. на соискание ученой степени доктора технических наук на тему «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом»

Комиссия в составе представителя АО «НИИПП» в лице главного технолога АО «НИИПП» Е.Ю. Воробинского и представитель Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (ТУСУР) в лице заведующего кафедрой «Физическая электроника» Трояна П.Е. рассмотрела материалы, провела контрольные испытания и составила настоящий акт о внедрении результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. «Структура и свойства пористых оксидных пленок, модифицированных углеродом».

Предметом внедрения является технология изготовления пористых пленок диоксида кремния со следующими параметрами (при нормальных условиях):

Применение данных пленок позволяет значительно снизить паразитные емкостные связи, а также уменьшить постоянную времени резистивно-емкостных цепочек, что способствует увеличению быстродействия и снижению энергопотребления в дискретных полупроводниковых приборах и монолитных интегральных схемах ВЧ и СВЧ-диапазона, производимых АО «НИИПП».

диэлектрическая проницаемость на частоте 100 МГц - 1,8 -г- 4; электрическая прочность на постоянном напряжении - не менее 1 МВ/см; тангенс угла потерь на частоте 100 МГц - не более 0,005.

Главный технолог АО «НИИПП»

Воробинский Е.Ю.

Акт внедрения

диссертационной работы Сахарова Ю.В.

Комиссия в составе представителей АО «СКТБ РТ» в лице руководителя управления по продвижению продукции на внутреннем и внешнем рынках Казакова В,В., заместителя генерального директора по коммерции Плюта С.П. и представитель Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники в лице заведующего кафедрой «Физическая электроника» рассмотрела материалы, провела контрольные испытания и составила настоящий акт о внедрении результатов диссертационной работы Сахарова Ю.В. «Структура и свойства оксидных пленок, модифицированных углеродом»

Предметом внедрения являются пленки пористые пленки диоксида кремния с низкой диэлектрической проницаемостью. Данные пленки используются при проведении НИОКР в качестве межслойной изоляции.

Заместитель генерального

директора по коммерции

Заведующий кафедрой ФЭ