Структура и электрические свойства поликристаллических плёнок теллурида кадмия, синтезированных при различных технологических условиях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович

• Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович

СОДЕРЖАНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Современное состояние физики поликристаллических полупроводников

1.1. Электронные состояния на межзёренных (межкристаллитных) границах (МЗГ) в поликристаллических полупроводниках

1.2. Сравнение с экспериментальными данными, полученными при электрических измерениях на бикристаллах

1.3. Модель электростатического потенциального барьера для МЗГ

в полупроводниках

1.4. Проводимость поликристаллических полупроводников: диффузионная модель и модель термоэлектронной эмиссии

1.5. Равновесные значения интенсивностей захвата и эмиссии электронов, локализованных на поверхности раздела

1.6. Межзёренная граница в условиях приложенного напряжения: стационарное состояние и квазиуровень Ферми электрона на границе

1.7. Определение плотности состояний на МЗГ на основе вольт-амперных характеристик бикристаллов

1.8. Структура и электрические свойства плёнок СёТе, полученных

на различных подложках

Глава 2. Технология получения плёнок и методики измерения

2.1. Некоторые особенности тонкопленочной технологии

2.2. Технология напыления толстых поликристаллических плёнок СсГГе на монокристаллических подложках

2.3. Физические процессы при нанесении плёнок в вакууме

2.4. Методика определения распределения потенциала в плёнке теллурида кадмия

2.5. Методика рентгеновского анализа поликристаллических

веществ

2.5.1. Точность определения межплоскостного расстояния

2.5.2. Оценка размеров кристаллитов

2.6. Методика электрических измерений

Глава 3. Исследование структуры плёнок Сс1Те, полученных

вакуумным напылением в квазизамкнутом объёме

3.1. Изучение структуры плёнок СёТе на различных подложках

3.2. Структура толстых плёнок Сс1Те на различных подложках

3.3. Структурные изменения в монокристаллах СсГГе при облучении

3.3.1. Технология получения поликристаллических плёнок облучением поверхности монокристаллической подложки

3.3.2. Структурные исследования

Глава 4. Электрические и оптические свойства

поликристаллических плёнок СсГГе, полученных при различных технологических условиях 4.1. О механизме токопереноса в поликристаллических плёнках

теллурида кадмия

4.1.1. Электрические свойства толстых плёнок Сс1Те, полученных на различных подложках

4.1.2. Токоперенос в плёнках различной толщины

4.1.3. Температурная зависимость проводимости плёнок СсГГе разной толщины

4.2. Электрические свойства тонких плёнок теллурида кадмия и изучение барьера Шоттки на границе металл-полупроводник (А1/Сс1Те)

4.2.1. Проводимость плёнок

4.2.2. Характеристики барьера Шоттки на плёнках СсГГе

4.3. Оптический метод определения ширины межзонных переходов в тонких поликристаллических плёнках Сс1Те и её зависимость

от технологии получения

4.3.1. Спектры пропускания плёнок, полученных при различных технологических условиях

4.3.2. Вычисление оптических параметров

4.3.3. Влияние технологии получения плёнок на коэффициент поглощения и ширину запрещённой зоны

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и электрические свойства поликристаллических плёнок теллурида кадмия, синтезированных при различных технологических условиях»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Поликристаллические плёнки соединений А2В6, главным образом, теллурида кадмия Сс1Те , все шире используются в основных областях электронной техники, микроэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике.

Возможность получать поликристаллические плёнки с различным удельным сопротивлением, отличающимся на несколько порядков по величине, а также технологические преимущества сделали СёТе очень перспективным материалом для использования во многих дискретных приборах (диоды, транзисторы, солнечные батареи, лазеры) и интегральных схемах.

Многообещающее развитие солнечной полупроводниковой энергетики требует создания дешевого материала для фотопреобразователей с большой площадью. Одним из наиболее перспективных материалов, отвечающих этим требованиям, является поликристаллический СсГГе. Оптимальная ширина запрещённой зоны и высокий коэффициент поглощения в видимой области спектра делает поликристаллический СёТе наиболее перспективным материалом для солнечных преобразователей.

Теллурид кадмия, вследствие больших атомных номеров компонентов, а также большой ширины запрещённой зоны (АЕ=1,5 эВ), в настоящее время представляет собой один из наиболее перспективных материалов для создания дозиметров и счетчиков у- квантов.

Поликристаллические плёнки соединений А2В6 используются в оптоэлектронике для целей электролюминесценции, в частности, для создания цветных экранов большой площади. Однако получение поликристаллических плёнок со стабильно повторяющимися свойствами резко осложняется их структурными особенностями, важнейшим из которых является наличие межзёренных границ (МЗГ). В зависимости от типа границ, характера и взаимодействия с фоновыми и легирующими примесями и, как следствие, концентрации и поведения носителей заряда в

поликристаллических полупроводниковых плёнках, их свойства могут отличаться необычайно резко. Это связано с тем, что МЗГ в полупроводниковых плёнках создают электрически активные центры.

Возможность создания приборов и устройств на основе поликристаллических плёнок СсГГе определяется уровнем технологии синтеза плёнок с воспроизводимыми и контролируемыми свойствами.

Исходя из этого, повышение воспроизводимости в технологии создания пленочных поликристаллических структур является важнейшей задачей микроэлектроники и оптоэлектроники. Её решение определяется возможностью прогнозирования влияния технологических факторов на структуру и электрические свойства плёнок, для чего необходимо моделирование технологических процессов и межоперационный контроль.

Возрастающая потребность в поликристаллических плёнках вызвана и тем, что в монокристаллах, ввиду особенностей механизмов роста, невозможно получить тот спектр структур, который присущ поликристаллическому беспорядку.

В связи с этим синтез поликристаллических плёнок на основе Сс1Те с возможностью ре1улирования, активации или торможения электронных процессов на границе кристаллитов технологическими приёмами и исследование их структуры и электрооптических свойств являются важными и актуальными задачами не только в научном, но и в практическом плане.

Целью работы является разработка технологии синтеза поликристаллических плёнок теллурида кадмия на различных подложках и исследование их структуры (на молекулярном и надмолекулярном уровнях) и электрооптических свойств, которая охватывает следующие задачи:

-разработка технологии синтеза тонких и толстых плёнок теллурида кадмия методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объёме;

-исследование влияния типа подложки на молекулярную и надмолекулярную структуры плёнок, полученных при различных условиях;

-изучение взаимосвязи структурных параметров и электрических свойств поликристаллических плёнок, синтезированных при различных технологических условиях;

-установление механизма проводимости поликристаллических систем на основе модели гетерогенной структуры плёнок, определение величин межкристаллитных барьеров и установление их зависимости от параметров осаждения;

-разработка радиационного способа получения поликристалли-ческого слоя на поверхности монокристаллического теллурида кадмия и исследование его структурно-электрических характеристик;

-исследование структуры и электрических свойств тонких плёнок (до 1 мкм) теллурида кадмия в рамках модели неоднородного полупроводника с межкристаллитными барьерами; оценка величины межкристаллитных барьеров, а так же барьера Шоттки и фактора идеальности на контактах А1/СёТе, Ая/Сс1Те;

-влияние температуры и скорости роста тонких (2 мкм) плёнок на спектр пропускания и коэффициент поглощения плёнок теллурида кадмия; оценка ширины запрещённой зоны на основе оптических данных и её зависимости от технологических условий синтеза плёнок. Научная новизна работы:

-разработана технология синтеза высокоомных поликристаллических плёнок СсГГе толщиной до -500 мкм методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объёме на различных монокристаллических подложках.

-установлено, что синтезируемые плёнки СсГГе толщиной 30^500 мкм на различных подложках обладают поликристаллической структурой с размерами зёрен 150-175 А;

-предложен механизм проводимости поликристаллических высокоомных плёнок СёТе на основе модели потенциальных барьеров между кристаллитами; согласно этой модели проводимость поликристаллических

плёнок обусловливается уменьшением высоты потенциальных барьеров при внешнем смещении и имеет активационную природу;

-произведена оценка высоты межкристаллитных энергетических барьеров для плёнок, полученных при различных технологических условиях, которая составляет величину -0,3 - 0,5 эВ для исходных и термообработанных плёнок СсГГе; показано уменьшение числа барьеров более чем на порядок с ростом температуры отжига;

-разработана технология получения барьера Шоттки на границе плёнок СсГГе и металлов (А1, Ag), исследованы их вольтамперные характеристики и произведена оценка высота барьера Шоттки и параметр идеальности;

-выявлены оптимальные технологические параметры синтезируемой плёнки - температура подложки, температура отжига и скорость роста плёнки, при которых имеет место максимальное поглощение. Из спектральной зависимости коэффициента поглощения оценена величина ширины запрещённой зоны;

-установлена однозначная взаимосвязь между размерами кристаллитов и шириной запрещённой зоны при изменении условий синтеза плёнки; совершенствование и рост кристаллитов сопровождается возрастанием ширины запрещённой зоны.

Практическая значимость.

Результаты, изложенные в диссертации, являются основой для разработки технологии получения приборов для оптоэлектроники и микроэлектроники. Полученные высокоомные плёнки необходимой толщины из СёТе можно использовать в качестве активного элемента в спектрометрических детекторах ядерного излучения, а исследования структуры и электрических свойств тонких плёнок важны для их применения в оптоэлектронике, в частности, для солнечных батарей.

Защищаемые положения:

-технология получения высокоомных плёнок СсГГе и результаты, подтверждающие поликристалличность плёнок, полученных при разных условиях синтеза;

-механизм проводимости поликристаллических высокоомных плёнок СсГГе на основе модели потенциальных межкристаллитных барьеров, согласно которой проводимость плёнок обусловливается уменьшением высоты межкристаллитных барьеров при внешнем смещении;

-экспериментальные результаты по оценке высоты межкристаллитных барьеров методом вольтамперных характеристик и температурной зависимости удельной проводимости, подтверждающие гетерогенную модель поликристаллических плёнок;

-определение высоты барьера Шоттки и параметра идеальности; -оптические исследования, подтверждающие прямые межзонные переходы электронов, выявление корреляции между шириной запрещённой зоны и технологическими параметрами синтезируемых плёнок.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением современных методов исследования структуры, фотоэлектрических и электрофизических свойств поликристаллических плёнок теллурида кадмия.

Личный вклад автора. Автор принимал непосредственное участие в разработке технологии получения плёнок, исследовании их структуры и электрофизических свойств, интерпретации полученных результатов, подготовке основных публикаций по работе.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Республиканской научно-практической конференции молодых учёных и специалистов (Душанбе, 2001); международной конференции «Старение и стабилизация полимеров», Душанбе, 20-21 декабря 2002; международной конференции «Физика конденсированного состояния» (Душанбе, ФТИ, АН РТ, 2004); научно-теоретической конференции «Современные проблемы

физики и астрофизики», посвященной 100-летию теории относительности А. Эйнштейна и 40-летию образования физического факультета ТГНУ, Душанбе, 2005; научно-теоретической конференции «Проблемы современной физики», посвященной 65-летию со дня рождения профессора Саидова Д.С., Душанбе - 2006г.; научно теоретической конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред», посвященной памяти заслуженного деятеля науки Таджикистана, профессора Нарзуллаева Б.Н., Душанбе 2007г.; международной конференции «Наука и современное образование: проблемы и перспективы», Душанбе 2008г.; международной конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред и астрофизики», посвященной 70-летию профессора Султонова Н.,- Душанбе, 2010;

Публикации. По результатам работы опубликовано 15 статьей и 12 тезисов докладов, в том числе, 4 - в рецензируемых журналах из Перечня ВАК РФ.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 129 страницах, включая 37 рисунков, 8 таблиц и списка цитируемой литературы из 162 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович

Выводы

1. Разработана технология получения тонких (до 2 мкм) и толстых (30^-200 мкм) поликристаллических плёнок теллурида кадмия на различных подложках, выявлены оптимальные технологические параметры (температура подложки, температура отжига и скорость роста плёнок) синтеза плёнок из газовой фазы в квазизамкнутом объёме.

2. Установлено, что плёнки, полученные на монокристаллических подложках, имеют поликристаллическую структуру с эффективными размерами кристаллитов 150 -И 75 А; молекулярная и кристаллитная структура плёнок определяется условиями синтеза плёнок из газовой фазы. С ростом толщины плёнок кристаллиты становятся более дефектными.

3. На основе опытов по температурной зависимости проводимости плёнок проведена оценка энергии активации носителей заряда для исходных (ДЕМ),47 эВ) и термообработанных (АЕ ~ 0,41 эВ) плёнок. Обнаружена корреляция между межкристаллитными энергетическими барьерами и размерами кристаллитов для плёнок, полученных при разных температурах подложки и отжига.

4. Предложен механизм проводимости поликристаллических высокоомных плёнок теллурида кадмия на основе модели потенциальных барьеров между кристаллитами. Согласно этой модели, понижение высоты потенциальных барьеров при внешнем смещении сопровождается ростом проводимости плёнок и имеет активационную природу. Установлено, что величина межкристаллитных энергетических барьеров для плёнок, полученных при различных технологических условиях, лежит в пределах -0,3^0,5 эВ.

5. Показано, что направленным изменением структуры операциями тонкоплёночной технологии можно синтезировать сверхтонкие плёнки теллурида кадмия (0,4+ 1 мкм) с регулируемой удельной проводимостью. На основе анализа удельной проводимости и энергии активации носителей установлено, что ограничение темнового тока межкристаллитными границами является доминирующим в механизме прохождения тока в тонких (до 2 мкм) плёнках теллурида кадмия.

6. Разработана технология изготовления барьера Шоттки на основе тонких плёнок теллурида кадмия на границе с алюминием и серебром, исследованы их вольтамперные характеристики и определена высота барьера Шоттки на контакте А1-СсГГе (0,66эВ) и А£-СёТе (0,75эВ).

7. Изучен ближний ИК-спектр пропускания тонких плёнок и найдены технологические условия проявления их высокого пропускания с чётким краем полосы собственного поглощения: на основе данных по спектральной зависимости коэффициента поглощения впервые установлено, что имеют место прямые межзонные переходы в поликристаллических плёнках теллурида кадмия, синтезированных при высоких температурах и средних скоростях роста плёнки.

8. Показана прямая корреляция между шириной запрещённой зоны (Её) и размерами кристаллитов в поликристаллических плёнках, полученных при различных технологических условиях; возрастание размеров кристаллитов и их совершенства сопровождается увеличением ширины запрещённой зоны.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники // М.: Мир, 1989. -341 с.

2. Копецкий Ч.Б., Орлов А.Н., Фионова JI.K. Границы зёрен в чистых полупроводниках // М.: Наука, 1987. -158 с.

3. Carter С.В., Donald A.M. and Sass S.L. Diffraction Effects and Images from Inclined Grain Boundaries in Polycrystalline Thin Films // Phil. Mag. 1979.-A39(5), 533 -549.

4. Кайбышев О. А., Валиев Р.З. Границы зёрен и свойства металлов // М.: Металлургия, 1987. -213 с.

5. Schubert W.K., Lenahan P.M. Spin dependent trapping in a polycrystalline silicon ntegrated circuit resistor // Appl. Phys. Lett., 1983.-43, 497.

6. Ginley D.S., Haaland D.M. Observation of grain boundary hydrogen in polycrystalline silicon with Fourier transform infrared spectroscopy // Appl. Phus. Lett., 1981.-39, 271.

7. Lannoo M., Bourgoin J., Point Defects in Semiconductor I; Theoretical aspects (Springer, Berlin, 1981), Chap. 3. [Имеется перевод: Ланно M., Бургуэн Ж., Точечные дефекты в полупроводниках. I. Теория. - М.: Мир, 1984.]

8. Kaszmerski L.L., Russel P. Е. Chemical and Electrical Characterization of Polycrystaline Semiconductors // Journ. De Phusique (Paris), 1982.-43(CI), 171.

9. Werner J., I; Poly -Micro -Crystalline and Amorphous Semiconductors // Les Ulis France, Ed. de Phys., 1984. -p. 289.

10. Shyu C.M., Cheng L. J. Electronic states associated with grain boundaries in silicon, in Grain Boundaries in Semiconductors, ed. H. J. Leamy, G.E. Pike and C.H. Seager//North Holland, New York, 1982.-p. 131.

11. Broniatowski A., Bourgoin J., Transient- Capacitance Measurement of the Grain Boundary Levels in Semiconductors. // Phys. Rev. Lett., 1982.-48, 424.

12.Spencer M., Stall R., Eastmann L.R., Wood C.E.C., Characterization of grain boundaries using deep level transient spectroscopy // Journ. Appl. Phys., 1979.50, 8006.

13.De Groot A.W., Card H.C Charge emission from interface states at silicon grain boundaries by thermal emission and thermionic -field emission-Part I: // Theory. Electron Devices. 1984.-31,1365.

14.Taylor W.E., Odell N.H., Fan H.Y., Grain Boundary Barriers in Germanium // Phus. Rev., 1952. -88, 867.

15.Seager C.H., Pike G.E. Electrons tunneling through GaAs grain boundaries // Appl. Phys. Lett., 1982.-40,471.

16.Shockley W., Read W.T. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons // Phys. Rev., 1952. -87,835.

17.Vackova S., Zdansky K., Yacek K., Scherback L., Feichouk P., Ilaschouk M. Conductivity change of Au/p-CdTe/Au as a function of the temperature gradient // Journal of Crystal Growth. 1999. - 197, 599-602.

18. Huber W, Loper - Otero A. The electrical properties of CdTe films grown by hot wall epitaxy. // Foureh International Congress on The Films. Long borough, 1978 part. 9., «Thin Solid Films», 1979. - 58. №1, 21-23.

19. Valentovic D., Cervenak J., Luby S., Aldea M.L, Botila T. Some no equilibrium phenomena in sputtered CdTe thin films // «Phys. status solidi» 1979. A56. №1. C. 341-347.

20. Симашкевич A.B., Ташин П.А., Шербан. Д. Н. Шурбан Л.Ф. Исследование кинетики токопрохождения в гетеропереходах CdTe-ZnSe. «Исслед. по.физ. конденсир. сост. Физ. наук». Кишинёв 1980. - С. 12-16.

21.Huber W., Sitter.H. Lopez-Otero A. Wachstum und charakterisierung dinner shichten aus CdTe. // «Vac-Technol», 1980. 29 №2. - C. 35-40.

22. Ciurea M.L. Botila Т. Ловушки в тонких поликристаллических плёках CdTe. Traps in poly crystalline CdTe thin films // «Phys. status soligi» 1980. A.61 №2. - C. 487-491.

23.Беляев А. П. Зибец В. А., Калинкин И. П. Электрофизические характеристики эпитаксиальных плёнок CdTe. //Изв. вузов. Физ. 1990, 33. №3 -С. 71-74.

24. Беляев В.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Электрические свойства плёнок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП, 2003, Т-37. Вып.6. - С. 671-673.

25. Панин Г.Н. Сердюк В.В. Влияние кинетики роста на структурные и электрофизические свойства плёнок CdTe // Поверхность: Физ. химия мех. 1992. №5 -С. 107.

26. Абдиев Б.С., Гарядыев Г., Грин В. Ф., Носков А.И. Электрофизические свойства плёнок CdTe, легированного сурьмой // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1989. 25. №4 -С. 682-682.

27. Дворецкий С.А., Бударных В.И., Инина И.В., Сидоров Ю. Г., Стенин С.И. Двойникование в плёнках CdTe (111) на подложках GaAs(lOO) //Докл. АН СССР. 1989. 304. №3 _с. 604-606.

28. Tatarenko S., Cibert J., Gobil V., Feuillet G., Ligeon E., Dang Le. Si., Saminadayar K. (Ill) CdTe molecular beam epitaxy growth on misoriented (001) GaAs substrate // J. Ciyst. Growth. 1990. 101, №1-4. -C. 126-130.

29.Дворецкий C.A, Зубков В.П., Калинин B.B., Кузьмин В.Д., Сидоров Ю.Г. Стенин С.И. Исследование- лучевой эпитаксии CdTe на GaAs (100) // Поверхность. Физ. Химия. Мех., 1991 №9. - С. 45-52.

30. Orther В., Bauer G. (Ill) CdTe epitaxy on (100) GaAs substrates. // J. Growth. 1988. 82 №1-2. -C. 69-76.

31. Schafes P., Niedsch H. // Growth of (100) and (111) CdTe films an (100) GaAs by hot-wall epitaxy. // «Phys. status so lidi» 1987. A99. №1 K41-44.

32. Kolodziejski L.A., Gunshor R.L., Otsuka N., Choi. C., Epitaxial growth of CdTe on GaAs by molecular beam epitaxy // «J. Vac. Sci. and Technol» 1986. A.4. №4. 2150-2152.

33. Touskova. J., Tousek J., Klier E., Kusel R. Preparation and basic electrical properties of CdTe thick films // «Phys status solidi» 1979. A.56. №1 315-322.

34.Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Механизмы гетероэпитаксиального роста тонких плёнок теллурида кадмия в тепловом поле градиента температуры // ФТТ, 43 (4), 745 (2001).

35.Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние термодиффузии на совершенство кристаллической структуры, формирующейся при конденсации из паровой фазы // ЖТФ, 72 (4), 120 (2002).

36.Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si -CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // ФТП, 36 (7), 843 (2002).

37.Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Формирование ориентированных плёнок теллурида кадмия на аморфной подложке в резко неравновесных условиях//ЖТФ, 71 (4), 133 (2001).

38. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия // ФТП, Т.37, вып.6, 2003. - С. 641-643.

39.Беляев А. П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю., Электрические свойства плёнок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП, Т.37, вып.6, 2003. -С. 671-673.

40.Bilebyck Y., Soshinkob A., Darchuk L., Apatskayc M. Jnflucuce of Substrate materials on the properties of CdTe thin films // J. Crystal Growth. V. 275, 2005. p. 1117-1181.

41.Kumaz V., Gaur J. K., Jharma R. K., Jharma T.R. Electrical properties of CdTe films for photovoltaic Applications // J. Chalcogenide Letters, V. 5, №8, 2008, p. 171-176.

42.Ubale A.U., Kulkarni D. K. Studies on sire dependent properties of CdTe thin films // J. Appl. Phys. V. 44, 2006, p.254-259.

43.Pandey S.K., Umesh Tiwari, Raman R., Chandra Prakash, Vamsi Krishna, Viresh Duttaand K. Zimik, Growth of cubic and hexagonal CdTe thin films by pulsed laser deposition // J. thin solid films, V. 473. №1, 2005, p. 54-57.

44. Wolf H., Filz T., Ostheimer V., Hamann J., Lany S., Defect complexes formed with Ag atoms in CdTe, ZnTe, and ZnSe // J. Crystal Growth v. 214-215, 2000, p. 967-973.

45.Zha M., Gorog, Zappettini A., Bissoli F., Zanottiand L.C. Paorici // Crystal growth of undoped semi-insulating CdTe, v. 234, 2002, 184-189.

46. Romeo N., Bosio A., Tedeschi R., Canevari V., Back contacts to CSS CdS/CdTe solar cells and stability of performances // J. Thin solids Films, V. 361, 2000, c. 327-329.

47.Султонов H.C., Акобирова A.T., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Структура и электрические свойства пленок CdTe. // Вестник таджикского национального университета (Спец выпуск посвящен 20-летию Независимости Республики Таджикистан) №6(70), Душанбе «Сино». -2011.-С. 26-31.

48.Акобирова А.Т., Султонов Н.С., Хамрокулов Р.Б. Влияние режима напыления на характеристики плёнок CdTe // Материалы научно-теоретической конф. профессорского - преподавательского состава и студентов, посвященной 60-летию Победы в Великой Отечественной войне «Во имя мира и счастья на земле» Душанбе, 2005. - С. 42-43.

49.Акобирова А.Т., Султонов Н.С., Хамрокулов Р.Б., Давлатов М. Влияние условий получения плёнок теллурида кадмия на их фотопроводимость // Программа и тезисы докладов научно-теоретической конференции «Проблемы современной физики», посвященной 65-летию со дня рождения доктора физ.-мат. наук, профессора Саидова Д.С. Душанбе, 9 декабря 2006. - С. 37.

50.Аркадьева Е.Н., Маслова JI.B., Матвеев О.А., Прокофьев C.B., Рыбкин С.М., Хусаинов А.Х. Спектрометрические детекторы гамма-квантов на основе кристаллов теллурида кадмия //ДАН СССР. 1975. Том 221, №1. -С. 77-80.

51. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Ростиморфология тонких плёнок // М.: Энергоатомиздат, 1993.-272с.

52.Чернов А.А., в кн. Современная кристаллография // Ред. Б.К. Вайнштейн Т.З.М.: Наука 1980, -7с.

53.Langer J.S. Theory of the condensation poin // Ann. Phys. (N.Y.) 41, 108-157 (1967).

54.0sipov A.V. Kinetic model of vapour-deposited thin film condensation: nucleation stage //Thin Solid Films. 227 (2) (1993) 111-118.

55.Norton Norton M.G., Moeckly B.H., Certer C.B. and Buhrman R.A., Growth Mechanism of YBa2Cu307-d Thin Films on Vicinal MgO // L. Cryst. Growth 114, 1991,258-263.

56.Муравьева K.K. Рубцев В.П. // Изв. вузов, сер. физика №2, 41, 1992.

57.Кукушкин С.А., Селезов В.В. Дисперсные ситемы на поверхности твердых тел. (СПб: Наука, 1996).

58.Кукушкин С.А., Селезов В.В. Кинетика кристаллизации бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов в неизотермических условиях // ФТТ. 1987. т. 29, № 12. 3657-3666.

59.Кукушкин С.А., Селезов В.В. Кристаллизации бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых тел растворов при наличии стоков и источников тепла и вещества. // ФТТ. 1988. т.30. № 2. 3416-3420.

60.Kukushkin S.A., Osipov A.V. Soliton model of island migration in thin films Surface science. V.329. P.135.(1995).

61.Кукушкин С.А., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких плёнок // УФН. Т168, №10, 1998, 1083-11-16.

62.Никифорова- Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Технология полупроводных приборов и изделий в микроэлектронике. Термические процессы // М.: Высшая школа, 1989. -93 с.

63.Минойгев В.Е., Нанесение плёнок в вакууме // М.: Высшая школа, 1989. -109 с.

64.Скалаускас С.Ю., Емкостные методы контроля поверхностей ионнолегированных полупроводников и других материалов // Ионная

имплантация в полупроводниках: Тез. доклад. Межд. Конф. Вильнюс, 1983.-С.271.

65.Умонский M. М., Аппаратура для рентгеноструктурных исследований, М., 1960.-482 с.

66.Комитон А. Н., Аллисон С. К., Рентгеновские лучи в теории и эксперименте, Л.М., 1961. - 524 с.

67.Hoseman R., Bagchi S. N., Durect analisis of dufraction by motter // Amsterdam, 1962. P. 495

68. Stefane Ricq, Francis Glasser, Michel Garcin. CdTe and CdZnTe detectors behavior in X-ray computed tomography conditions // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 442 (2000). - 45-52.

69.Шульженко A.A. и др. Поликристаллические материалы на основе алмаза. Наука, думка Киев (1980). - 192с.

70.Гафуров О.В., Ходжаев Т.А., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Влияние у-облучения на параметры кристаллической решетки монокристаллов // Материалы научно-теоретической конф. профессорского преподавательского состава и студентов, посвященной 60-летию Победы в Великой Отечественной войне «Во имя мира и счастья на земле» Душанбе, 2005. - С. 47-48.

71.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б., Сафаров А. Структурные изменения в монокристаллах теллурида кадмия при облучении ионами аргона // Тезисы докладов научно-теоретической конференции «Современные проблемы физики и астрофизики» посвященной 100-летию теории относительности А. Эйнштейна и 40-летию образования физического факультета ТГНУ, Душанбе, 2005, часть 2. - С. 48.

72.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б. Структурные изменения в монокристаллах теллурида кадмия при облучении ионами аргона // Вестник Таджикского национального университета (научный журнал). №2, Душанбе «Сино». 2006. - С. 55-58.

73.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б. Изучение структуры плёнок теллурида кадмия, полученных на монокристаллических подложках // Программа и тезисы докладов научно-теоретической конференции «Проблемы современной физики», посвященной 65-летию со дня рождения доктора физ.-мат. наук, профессора Саидова Д.С., Душанбе. 9 декабря 2006. - С. 38.

74.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б. Изучение структуры плёнок теллурида кадмия, полученных на монокристаллических подложках // Вестник Таджикского национального университета (научный журнал). Душанбе «Сино». 2006. №5. - С. 96-102.

75.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б. Рентгеновский анализ пленочных детекторных структур, полученных на монокристаллических подложках // Программа и тезисы докладов научно теоретической конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред», посвященной памяти заслуженного деятеля науки Таджикистана, проф. Нарзуллоева Б.Н. Душанбе. 4-5 мая 2007. - С. 48-49.

76.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б. Структура плёнок теллурида кадмия различной толщины // Материалы межд. конф. «Наука и современное образование: проблемы и перспективы» Душанбе. 24-25 октября 2008. - С. 87.

77.Султонов Н.С., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б., Азизов К.Д. Влияние толщины плёнок теллурида кадмия на их надмолекулярную структуру // Материалы международной конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред и астрофизики», посвященной 70-летию профессора Султонова Н. Душанбе. ТНУ. 2010. - С. 10-14.

78.Калинин В.В., Дворецкий С.А., Зубков В.П. и др. Исследование начальных стадий роста при молекулярно-лучевой эпитаксии С(1Те на ваАв (100) // Поверхность. Физика. Химия. Механика - 1991. №9. - С. 4552., Поверхность. Физика. Химия. Механика - 1990. №12. - С. 92-96.

79.Ризохонов М.А., Абрамов Ч. Электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe обусловленные двойной инжекцией // Физика и техника полупроводников, 1979, 13, №11. - С. 2240

80.Беляев А.П. и др. Электрофизические характеристики эпитаксиальных плёнок CdTe // Известия вузов физики, 1990, 33, №3, С. 71-74.

81.Литвиненко Ю.Ю., Панин Г.Н, Сердюк В.В. Влияние кинетики роста на структурные и электрофизические свойства плёнок CdTe // Поверхность Физика. Химия. Механика - 1992, №5. - С. 107.

82.Абдулин В.В., Арафенин Ю.В., Пугачевский А.Н., Собинина И.В. Структура и свойства плёнок CdTe, полученных синтезом из металлооргонических соединений на GaAs // Журнал технической физики, 1988, 58, - С.1991 (метод качания).

83.Дворецкий С.А., Будорных В.И., Путоковский А.К., Сабинина И.В. и др. Двойникование в плёнке CdTe (111) на подложках GaAs (100) // Докл. АН СССР, 1989, №3, - С. 604-606.

84.Hayashi Toshiga, Hayashi Hiroacku, Fukode Mitsuru, Formatcion and propetis of polycrystalline p type high conductivity CdTe films // Jop. J. Appl. Phys. P.l, №10, 1991. P. 2449-2454.

85.Touskova J., Tosek J., Klier E., Preparation and basic electrical properties of CdTe thick films // Phys. Status solioli. A 36, №1, 1979, P. 315-322.

86.Гинье А. Рентгенография кристаллов, из-во M:. 1961.

87.Китайгарадский А.И. Рентгеноструктурный анализ, из-во М:. 1970.

88.Пинес Б.Я. Лекции по структурному анализу // из-во Харьковского университета, 1967с.

89.Tatarenko S., Cubert J., Gobil Y., (111) CdTe molecular beam epitaxy growth on (001) GaAs substráete // Ciyst. Growth, №1-4, 1990, P. 126-130.

90.Мардипов A.C., Михайлов H.H., Швец B.A., Контроль предэпитаксальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных плёнок CdTe // Поверхность. Физика. Химия. Механика - 1990, №12. - С. 92-96.

91.0rther В., Bouer G., (111) CdTe epitaxy on (100) GaAs substrates // J. Cryst. Growth, №1-2, 1988, P. 69-76.

92.Киттел Ч. Введение в физику твердого тела // М.: Из-во физмат литературы. 1962.

93.Полотник Л.С., Попиров И.И., Ориентированная кристаллизация. Из-во Металлургия, М.: 1964.

94.Косевич В.М., Ивлев В.М., Полотник Л.С. Структура межкристаллитных и межфазных границ// Из-во Металлургия, М.: 1980.

95.Гиллер Я.Л. Таблица межплоскостной расстояния // Том 1, из-во «Недра», М.: 1966.

96.Shafes P., Niedsch Н. Growth of (100) and (111) CdTe film an (100) GaAs by hot well epitaxg // «Phys. Status solidt», №1, A99, 1987, P. 41-44.

97.Kolodriejski L.A., Gunshor R.L., OtsukaN, Choi C., Epitaxial growth of CdTe on GaAs by molecular beam epitaxial // J vac. Sci and technoe, A4, №4, 1986, P. 2150-2152.

98.Sana S. Pol U., Chaudchuri A.K., Banepjes H.D., Structure charoctcritotion of thin films of CdTe // «Thin Solid films», №1-2, 1988, P. 85-86.

99.Telaya O., Sancher P., Pena J.L., Characteritation of CdTe Polycrystalline films by X-roy photoelectron and Auger spectroscopys // J. vac. Sci. and Technol., №2, 1989, P. 245-248.

100. Janowitz C., Kipp L., Manike R., Orlowsi B.A. Experimental surface band structure of CdTe (110) // Surface Sci. 1990. 231. №-2. -C. 25-31.

101. Lu P.Y., Willams L.M., Chn N.G., Ciystal orientation of CdTe film on by metal-organical vapor deposition // J. vac. Technol. A4, №8, 1986.

102. Verger L., Boitel M., Gentet M.C., Hamelin R., Mestais C., Mongellaz F., Rustique J., Sanchez G. Chracterization of CdTe and CdZnTe detectors for gamma-ray imaging application // Nuclear instruments and Methods in Physics Research. A 458 (2001), 297-309.

103. Cola, Farella I., Mancini A.M., Donati A. Electric Field Properties of CdTe Nuclear Detectors // 2006, IEEE Nuclear Science Sumposium Conference Record.

104. Fiederle M., Feltgen Т., Rogalla M., Menhardt J., Ludwig J., Runge K., Benz K.W. Characterization of vapour phase grovn CdTe and (Cd,Zn) Те for detector applications Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 434(1999), 152-157.

105. Ede A.M.D., Morton E.J., De Antonis P. Thin-Film CdTe for imaging detector applications // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 458(2001), 7-11.

106. Заверюхин Б.Н., Мирсагатов Ш.А., Заверюхина П.Н., Володарский

B.В., Заверюхина Е.Б. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия // ЖФТ, 2003, том 29, вып.22, -С.80-86.

107. Schieber М., Hermon Н., Zuck A., Melekhov L., Shatunovsky R., Meerson E., Saado H. Theoretical and experimental sensitivity to X-rays of single and polycrystalline Hgl2 compared with different single-crystal detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A 458(2001), 41-46.

108. Аркадьева E.H., Маслова JI.В., Матвеев О.А., Прокофьев С.В., Рыбкин

C.М., Хусайнов А.Х. Спектрометрические детекторы гамма-квантов на основе кристаллов телллурида кадмия // ДАН СССР, 1975.Том 221, №1.

109. Алексеенко М.В., Аркадьева Е.Н., Кисиленко B.C., Маслова Л.В., Матвеев О.А., Прокофьев С.В., Рыбкин С.М., Хусайнов А.Х. Полу изолирующие кристаллы теллурида кадмия и спектрометрические детекторы у-квантов на их основе // ФТП. Том 8, вып. 3, 1974. -С. 550-55.

110. Акобирова А.Т., Султонов Н.С., Хусайнов А.Х. Детекторы ядерного излучения на основе поликристаллического CdTe, полученного облучением ионами аргона // Докл. АН Респ. Таджикистан. 1995. Т.38, №3-4.

111. Немец О. Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике // Киев: Наукова думка, 1975, - 415 с.

112. Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Султонов Н., Хамрокулов Р.Б. Влияние отжига на фотоэлектрических свойства поликристаллических плёнок теллурида кадмия // Материалы международной конференции «Старение и стабилизация», Душанбе, 20-21 декабря 2002. - С. 83-86.

113. Султонов Н., Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Влияние межкристаллических барьеров на проводимость поликристаллических плёнок CdTe // Материалы международной конференции «Старение и стабилизация», Душанбе, 20-21 декабря 2002. - С.87-89.

114. Султонов Н., Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Получение поликристаллических плёнок CdTe и исследование их электрических характеристик // Материалы международной конференции по современным проблемам физико-механических свойств конденсированных сред. Худжанд, 2-4 май 2002. - С60-65.

115. Акобирова А.Т., Султонов Н.С., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Исследование электрофизических и фотоэлектрических характеристик полупроводниковых плёнок CdTe // Научно-теоретический конференции профессорско-преподавательского состава и сотрудников «Человек и вода: история развития, настоящее и будущее». Душанбе, 2003. - С.96.

116. Акобирова А.Т., Султонов Н.С., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Исследования механизма проводимости поликристаллических плёнок арсенида галлия // Научно-теоретический конференции профессорско-преподавательского состава и сотрудников «Человек и вода: история развития, настоящее и будущее». Душанбе, 2003. - С. 97.

117. Султонов Н., Акобирова А.Т., Гафуров О.В., Хамрокулов Р.Б. Влияние условий напыления и отжига на электрофизические и фотоэлектрические свойства теллурида кадмия // Материалы международной конференции «Наука и современное образование: проблемы и перспективы» посвященной 60-летию ТГНУ. Душанбе, 2008. - С. 88.

118. Султонов Н., Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. Исследование проводимости и фоточувствительности плёнок CdTe на

сапфире. Материалы международной конференции «Современные проблемы физики конденсированный сред и астрофизики» (к 70-летю профессора СултоноваН. 21-22- май). Душанбе, 2010. - С. 15-17.

119. Султонов Н., Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. О возможности изготовления высокоэффективных солнечных элементов на основе плёнок CdTe // Материалы международной конференции «Современные проблемы физики конденсированный сред и астрофизики» (к 70-летю профессора Султонова Н. 21-22- май). Душанбе 2010. - С. 197199.

120. Султонов Н., Акобирова А.Т., Азизов К.Д., Хамрокулов Р.Б. О возможности применения поликристаллического CdTe для изготовления детекторов ядерного излучения // Международная научная конференция «Современные проблемы физики» Душанбе, 29-30 октября 2010. 2010.

121. Petritz Е. L. The oryofphotoconductivity in semiconductor films // Phys. Rev., 1956, v.104, 6 p. 1508-1516.

122. KaminsT. I. Hallmobilityin chemically deposited poly crystalline silicon // Appl. Phys. V. 42, 11, 1971, p. 4357-4365.

123. Поликристаллические полупроводники, физические свойства и применение // Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. -344 с.

124. Овсюк В.Н., Ржанов A.B. Электрофизические свойства тонких плёнок полупроводников // Министерство высшего и средне-специального образования РСФСР, Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола. Новосибирск, 1980.— 95 с.

125. Овсюк В.Н. Поверхностные состояния в полупроводниках // Новосибирск, НГУ, 1980. - 91 с.

126. Touskova J., Klier Е., Kuzel R. Preparation and basic electrical properties of CdTe thick films // Phys. status solid. 1979. A56, №1, P. 315-322.

127. Стафеев В.И. Супермногослойные структуры с p-n - переходами // ФТП. 1971. Т. 5, №3.-С. 408-416.

128. Агарев В.Н., Стафеев В.И. О механизме проводимости и фотопроводимости в поликристаллических тонких плёнках // ФТП. 1977. Т. 11, №9.-С. 1684.

129. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, // Ч. 1. пер. с анг. М.: Мир. 1984,-455 с.

130. Бьюб Р.Х. Фотопроводимость // В книге: Физика и химия соединений А2В6. Под. ред. проф. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970, глава 13. - С. 499520).

131. Викулин И.М. Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов // М.: Сов. радио. 1985.-296 с.

132. Аронов Д., Рубинов В.М., Зарипов А. Энергетическое распределение глубоких уровней в плёнках фосфида галлия // ФТП. 1981. Т. 15, №10. - С. 2091.

133. Davis Е.А., States in the gap and defects in amorphous semiconductors // Berlin, Springer, 1989. P. 47.

134. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю.. Электрические свойства плёнок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры. ФТП, 2003. Т. 37, вып. 6. - С. 671-673.

135. Беляев А.П., Рубец В.П. Гетероэпитакция полупроводниковых соединений А2Вбна охлажденной подложке // ФТП. 2001, Т. 35. вып. 3. -С. 294-297.

136. Чопра К., Дас. Тонкопленочные солнечные элементы // Пер. с англ. с сокращениями. М.: Мир, 1986, Сокращенный перевод с английского под ред. Проф. М.М. Колтуна. М: Энергоатомиздат, 1983. -360 с.

137. Bhattacharya R. N. and Rajeshwar К., Heterojunction CdS/CdTe Solar Cells Based on Electrodepositedp-CdTe Thin Films: Fabrication and Characterization // J. Appl. Phys. 58, 3590-3593 (1985).

138. Marsillac, S., Parikh, V. Y., Compaan, A. D. Ultra-thinbifacial CdTe solarcell // Sol. Energ. Sol. C. 2007, 91, 1398-1402.

139. Kumar L., Singh B.P., Misra A., et al., CharacterizationofCdSe x Te 1-x sintered filmsfor photovoltaic applications // Physica B-Condensed Matter 363 (1-4): 102-109(2005).

140. Jharma R.K., Rastogi A.C., Kiran A.C. Microstructural investion on CdTe thin films electrodeposited using high current pulses // Physica B. V. 366, less 1-4, 2005, p.80-88.

141. Jacome C.E., Florez J.M., Gordillo G., Study of electrical transport in polycrystalline CdTe thin films // Thin Solid Films , 396 (2001) 257-263.

142. Pandey, S., Tiwari, U., Raman, R., Prakash, C., Krishna, V., Dutta, V., Zimik, K. Growth of cubic and hexagonal CdTe thin films by pulsed laser deposition // Thin Solid Films, 473, (2005) 54-57.

143. Kumar V., Khan, K.L., Singh G, Sharma, T.P, Husain M. ZnSe Sintered Films: Growth and Characterization // Appl. Surf. Sci. V.253, N7, 2007, p.3543-3546.

144. Campbell D.S. Handbook of Thin Film Technology (Eds., L.I. Maissel and R. Glang), McGraw-Hill Book Compani // New York (1970), p. 5.1.

145. Seto S., Suzuki K., Abastillas V.N., Inabe K. Compensating Related Defects in In-Doped Bulk CdTe // Cryst. Growth. 2000. V. 214/215. № 5. P. 974-978.

146. Bekheet A.E., Zedan J.T. El-Nahass M.M., Electrical Properties of CdSx Tei_x thin films // Physical D, V44, less5, 2007. p. 254-258.

147. Darwish S. DC electric and photoelectric measurements of CdTe thin films in Schottky-barrier cells // Phys. B. V.349, less 1-4, 2004. P. 296-303.

148. Soshnikov A., Bilevych Ye., Darchuk L., Apatskaya M., Tsybrii Z., Vuychyk M., Boka A., Sizov F. Boelling and B. Sulkio-Cleff. The influence of substrate materials to the properties of CdTe thin films grown by HWE // Journal of Crystal Growth, 2005 (275), 1177 - 1181.

149. Clark A. H., Kazmerski L.L. Polycrystalline and Amorphous Thin Film Devices//(Academic, New York, 1980), p. 135.

150. Ng P., Webb J.B. and Brodie D.E., Preparation and properties of amorphous CdTe // Phys. V. 54, Less 4, 1976, p. 446-453.

151. Thutupalli G.K., Tomlin S.G., The optical properties of then films of cadmium and zine selenedes and tellurides // Appl. Phys. V.9, N11, 1976, p. 1639-1644.

152. El-Shazly A. A., El-Shair H. T. Absorption of light in evaporated cadmium telluride thin films in the region of the fundamental absorption edge // Thin Solid Films, v.78, less. 3, 1989. P.295-297.

153. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур //М.: Сов. Радио, 1975. - 175 с.

154. Хевенс О.С. Измерение оптических контакт тонких плёнок // В кн. «Физика тонких плёнок» Т.2. пер. с англ. М.: Мир, 1967.

155. Cardona М., Shaklee K.L., Pollak Р.Н. Electroreflectance at а semiconductor-electrolyte interface // Phys. Rev., 1967, V. 154, IT 3, p. 696720.

156. Chopra K.L., Dutta V., Electronic and optical properties of poly crystalline semiconducting films // Phys. Collogues, 1982. V.43, CI, P. 141-152.

157. John D. Dow, David Redfield. Electroabsorption in Semiconductors: The Excitonic Absorption Edge // Phys. Rev. 1970. В 1, 3358-3371.

158. Bujattiand M., Marcella F., Absorption edge of CdS thin films // Thin Solid Films,V. 11, less 2, 1972, p.249-258.

159. Sun L.Y., Kozmerski L.L., Clark A. H., Morton D.W. Absorption coefficient measurements for vacuum-deposited Cu-ternary thin films // Vac. Sci. Technol, V.15. less.2. 1978, p. 265-269.

160. Burstein E., Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Phys. Rev. V.93, less.3, 1954, P. 632-633.

161. Davis P. W. and Shilliday T. S. Some Optical Properties of Cadmium Telluride // Phys. Rev. V. 118, less.4, 1960, p. 1020-1022.

162. Szerbowski J., Cropla A., Optical absorption in D.C. Sputtered InAs films, Thin solid Films // V.46, less.2, 1990, p.127-137.