Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Борщёв, Кирилл Станиславович

• Борщёв, Кирилл Станиславович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Борщёв, Кирилл Станиславович

Введение.

Глава 1. Полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. ЫОаАзЛЗаАз/АЮаАБ и основные причины насыщения их мощностных характеристик обзор литературы).

§1.1. Мощные лазеры с МтаАБ активной областью.

§ 1.2. Эффекты, ограничивающие максимальную мощность излучения лазерного диода.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Исследование лазеров на основе ТпСаАзЛЗаАБ гетероструктур при высоких уровнях токовой накачки.

§2.1. Изготовление образцов и методы проведения исследования.

§ 2.1.1. Метод изготовления образцов.

§ 2.1.2. Методика измерения ватт-амперных характеристик.

§ 2.1.3. Методика измерения спектральных характеристик.

§ 2.2. Исследование ватт-амперных характеристик.

§ 2.3. Исследование спектральных характеристик.

§ 2.4. Сравнение мощностных и спектральных характеристик. Токовые утечки в волноводном слое.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Теоретические оценки роста концентрации электронов в активной области гетеролазера.

§ 3.1. Время рассеяния энергии носителей тока и время жизни стимулированных излучательных переходов в активной области.

§ 3.2. Зависимости концентрации и температуры электронов от плотности тока в случае спонтанного излучения.

§ 3.3 Зависимости концентрации и температуры электронов от плотности тока в случае стимулированного излучения.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Исследование лазеров на основе 1пР (Я = 1.5-1.8 мкм) при высоких уровнях накачки. Гетероструктура с двумя электронными уровнями и исследование лазеров на её основе.

§ 4.1. Насыщение мощностных характеристик лазеров на основе 1пР.

§ 4.1.1. Исследование импульсных ватт-амперных характеристик лазеров на основе 1пР.

§ 4.1.2. Исследование импульсных спектральных характеристик лазеров на основе 1пР.

§ 4.1.3. Экспериментальные исследования концентрации носителей заряда в активной области за порогом генерации лазеров на основе ваАБ и 1пР.

§ 4.2. Конструкция гетероструктуры с двумя линиями генерации и лазеры на её основе.

§ 4.2.1. Определение параметров гетероструктуры с двумя электронными уровнями.

§ 4.2.2. Ватт-амперная характеристика лазерных диодов с толщиной активной области 10 нм.

§ 4.2.3. Спектральные характеристики лазерных диодов.

Двухполосная генерация.

§ 4.3. Достижение максимальной мощности и исследование угловых характеристик гетеролазеров с толщиной квантовой ямы 10 нм.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки»

Полупроводниковые лазеры имеют огромнейшее значение в современной оптоэлектронной технике. Начиная с 60-х годов прошлого века, быстро увеличивался объём исследований по полупроводниковым лазерам, и изучение приборов на /?-л-переходах представляло собой одну из наиболее быстро развивающихся областей электроники. Изучение лазеров, с целью улучшения их основных выходных параметров, является одной из основных задач мировой науки - всё большее применение находят лазеры в нашей жизни. А уже освоенные сферы - электронная техника, медицина, экология.

В настоящее время мощные лазерные диоды активно используются для накачки волоконных усилителей, твердотельных лазеров, в спектроскопии, в частности, для анализа атмосферных слоёв.

Первоочередными задачами в разработке полупроводниковых лазеров являются увеличение выходной оптической мощности, повышение эффективности и надежности данных приборов. Оптическая мощность излучения является одной из важнейших характеристик лазерного диода. Однако с увеличением тока накачки происходит эффект насыщения ватт-амперной характеристики.

В этой связи тема работы, направленная на изучение стимулированной рекомбинации, которая определяет выходную мощность оптического излучения, в лазерных гетероструктурах ближнего инфракрасного (ИК) диапазона при высоких уровнях токовой накачки, является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения.

Основная цель работы заключалась в исследовании стимулированной рекомбинации в квантово-размерных структурах при высоких уровнях возбуждения при комнатной температуре и разработке мощных импульсных источников излучения в ближнем ИК-диапазоне.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Исследования излучательных характеристик (ватт-амперных, спектральных и угловых) полупроводниковых лазеров ближнего ИК диапазона при высоком уровне возбуждения (до 100 кА/см2) в импульсном режиме (длительность импульса равна 100 не, частота повторения импульсов - 10 кГц) и плотности оптического излучения на грани резонатора до 75 МВт/см2.

2. Определение фундаментальных причин насыщения ватт-амперных характеристик и расширения спектра генерации полупроводниковых лазеров ближнего ИК-диапазона.

3. Разработка и создание мощных импульсных многомодовых полупроводниковых лазеров с одно- и двухполосной генерацией в квантово-размерной активной области гетероструктуры раздельного ограничения.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Проведены теоретические и экспериментальные исследования излучательных характеристик гетеролазеров при высоких уровнях токовой импульсной накачки (до 100 кА/см2).

2. Теоретически и экспериментально определено, что конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах является причиной насыщения мощностных характеристик гетеролазеров.

3. Обнаружен рост концентрации носителей в активной области гетеролазера за порогом генерации.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. В мощных полупроводниковых лазерах, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии на основе ассиметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения с толстым волноводом, достигнута оптическая мощность излучения 145 Вт с лазерного диода с 100 мкм апертурой в импульсном режиме токовой накачки. 2. Получены сравнимые по интенсивности две полосы генерации излучения на длинах волн 1.06 и 0.98 мкм из квантовой ямы лазерного диода.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных и теоретических данных позволяет сформулировать следующие основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Скорость стимулированной рекомбинации в квантовых ямах активной области полупроводниковых лазеров ограничена конечной величиной времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах.

2. Ограничение скорости стимулированной рекомбинации приводит к увеличению концентрации носителей заряда в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера за порогом генерации.

3. Рост концентрации носителей заряда в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях токовой накачки ведёт к появлению второй полосы генерации в коротковолновой области спектра.

Приоритет результатов

Представленные в диссертации результаты исследования излучательных характеристик (ватт-амперных, спектральных и угловых) полупроводниковых лазеров ближнего ИК диапазона при высоком уровне л возбуждения (до 100 кА/см) в импульсном режиме (длительность импульса - 100 не, частота повторения импульсов - 10 кГц) и плотности оптического излучения на грани резонатора до 75 МВт/см2 получены впервые. Достигнутая выходная пиковая мощность (величина 145 Вт) с одного лазерного диода с шириной полоска 100 мкм является рекордным значением в мире на момент написания работы.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на VII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники 2005» (Москва, сентябрь 2005г), на XII международной конференции «Laser Optics - 2006» (Санкт-Петербург, Россия, июнь 2006), на Международной конференции «High Power Laser Beams - 2006» (Нижний Новгород, Россия, июль 2006), на Международной конференции ICONO / LAT 2007 (Минск, Беларусь, май-июнь 2007), а также на научных семинарах лаборатории "Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей" ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 6 работ, список которых приведён в заключение диссертации.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Борщёв, Кирилл Станиславович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Определено, что конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах является фундаментальной причиной насыщения мощностных характеристик гетеролазеров.

2. Проведена экспериментальная оценка времени рассеяния энергии электронов в квантово-размерных областях лазерных гетероструктур раздельного ограничения, которая составила величину порядка 0.5 - 1 пс.

3. Теоретически и экспериментально показано, что концентрация носителей заряда растет в активной области гетеролазера за порогом генерации.

4. В мощных полупроводниковых лазерах, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии на основе ассиметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения с толстым волноводом, достигнута оптическая мощность излучения 145 Вт с лазерного диода с 100 мкм апертурой в импульсном режиме токовой накачки на длине волны генерации 1.06 мкм.

5. Получены сравнимые по интенсивности две полосы генерации излучения на длинах волн 1.06 и 0.98 мкм из квантовой ямы лазерного диода.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, H.A. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, «Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров», ФТП, 2006, том 40, вып. 8, стр. 10171023.

2. Д.А.Винокуров, В.А.Капитонов, А.В.Лютецкий, Д.Н.Николаев, Н.А.Пихтин, А.В.Рожков, Н.А.Рудова, С.О.Слипченко, А.Л.Станкевич, Н.В.Фетисова, М.А.Хомылев, В.В.Шамахов, К.С.Борщёв, И.С.Тарасов, «Исследование характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом (А,=1060 нм) при импульсном режиме накачки», ПЖТФ, 2006, том 32, вып. 16, стр. 47-55.

3. S.O.Slipchenko, N.A.Pikhtin, K.S.Borschev, I.N.Arsentyev, D.A.Vinokurov, A.V.Lyutetskiy, Z.N.Sokolova, I.S.Tarasov, «Reason of maximal output optical power limitation in semiconductor laser at superhigh excitation levels», XII Conference on Laser Optics (L0'2006), Russia, St.Petersburg, 2006, June 26 - 30, Tech. Digest p.29.

4. N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, K. S. Borschev, A. D. Bondarev, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, I. S. Tarasov, «Origin of output optical power limitation in semiconductor laser at superhigh drive currents», Proceedings of the International Conference on High Power Laser Beams, Russia, Nizhny Novgorod, 2006, July 3-8, p.86.

5. Д.А. Винокуров, B.A. Капитонов, A.B. Лютецкий, H.A. Пихтин, C.O. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н.Арсентьев, И.С. Тарасов, «Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (^=1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации», ФТП, 2007, том 41, вып.8, стр.1003 -1008.

6. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А.Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Д.Н.Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л.Станкевич, Н.А. Рудова, Н.В.Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, А.Д. Бондарев, М.К. Трукан, И.С. Тарасов, «Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки», ФТП, 2007, том 41, вып. 10, стр.1247 - 1250.

-108В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научным руководителям Э.П.Домашевской и И.Н.Арсентьеву за огромную помощь в решении поставленных научных задач; И.С.Тарасову, С.О.Слипченко и З.Н. Соколовой за повседневное внимание и обсуждение результатов работы; Н.А.Пихтину, А.В.Лютецкому, Н.В.Фетисовой, М.А.Хомылеву, В.А.Капитонову, при непосредственном участии которых были выполнены исследования; А.В.Рожкову за оказанную помощь в решении технических задач; Л.Е.Воробьёву и В.Л.Зеровой за полезные консультации и за помощь в проведении теоретических расчетов; Д.А.Винокурову, А.Л.Станкевичу, А.Ю.Лешко, В.В.Васильевой, Т.Н.Дрокиной, Л.С.Вавиловой и Н.А.Рудовой за работу по изготовлению образцов для исследований; а также всем сотрудникам лаборатории «Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей» ФТИ им. А.Ф.Иоффе и кафедры «Физики твёрдого тела и наноструктур» Воронежского государственного университета за всестороннюю поддержку.

-106-Заключение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Борщёв, Кирилл Станиславович, 2007 год

1. Н.Г. Басов, Б.М. Вул, Ю.М. Попов. ЖЭТФ, 37, 587 (1959).

2. Н.Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов. ЖТЭФ, 40,1879 (1961).

3. M.G.A. Bernard, G. Duraffourg. Phys. Stat. Solidi., 1, 699 (1961).

4. Д.Р. Наследов, А.А. Рогачев, C.M. Рыбкин, Б.В. Царенков. ФТТ, 4, 10621962).

5. R. N. Hall, G. E. Fenner, J. D. Kingsley, T. J. Soltys, and R. 0. Carlson.

6. Phys. Rev. Lett., 9,366 (1962).

7. NJr. Holonyak, S.F. Bevaqua, Appl. Phys. Lett, 1, 82 (1962).

8. W.L. Bond, B.G. Cohen, R.C.C. Leite, and A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 2,571963).

9. Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов. Авт. Свид. СССР №28448, 1963.

10. Н. Kroemer. Proc. IEEE, 51,1782 (1963).

11. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.М. Корольков, Д.Н Третьяков, В.М. Тучкевич. ФТП, 1,1579 (1967).

12. Н. Rupprecht, J.M. Woodall, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 11, 81 (1967).

13. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, E.JI. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2,1016 (1968).

14. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной, М.К. Трукан. ФТП, 3, 1328 (1969).

15. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.Л. Портной, Е.П. Морозов, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970).

16. G.H.B. Thompson, Р.А. Kirkby. IEEE J. Quant. Electron., 9,311 (1973).

17. M.B. Panish, H.C. Casey, Jr., S. Sumski, P.W. Foy. Appl. Phys. Lett., 22, 590 (1973).

18. G.H.B. Thompson, P.A. Kirkby. Electron. Lett., 9,295 (1973).

19. H.C. Casey, Jr., M.B. Panish, W.O. Schlosser, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 45,322 (1974).

20. A.E. Drakin, P.G. Eliseev, B.N. Sverdlov, L.M. Dolginov, E.G. Shevchenko. Electron. Lett., 20, 559 (1984).

21. Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, С.Ю. Карпов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 19,449 (1985).

22. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И. С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, A.B. Чудинов. ФТП, 19,1420 (1985).

23. И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, A.B. Овчинников, З.Н. Соколова, A.B. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985).

24. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, К.Ю. Кижаев, А.Б. Нивин, С.А. Никишин, A.B. Овчинников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, A.B. Чудинов. Письма в ЖТФ, 12,210 (1986).

25. A.R. Adams. Electron. Lett., 22,249 (1986).

26. Е. Yablonovitch, Е.О. Kane. J. Lightwave Technol., 5, 504; (1986).

27. E. Yablonovitch, E.O. Kane. J. Lightwave Technol., 6,1292 (1988).

28. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Crystal Growth, 27,118 (1974).

29. M.R Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest and D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quantum Electron., 33,2266 (1997).

30. D.Z. Garbuzov, N.Y. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B.Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin and E.U. Rafailov. IEEE J. Quantum Electron., 27,1531 (1991).

31. M. Sagava, T. Toyonaka, K. Hiramoto, K. Shinoda and K. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 1,189 (1995).

32. D.Z. Garbuzov, N.Ju. Antonishkis, S.N. Zhigulin, N.D. Il'inskaya, A.V. Kochergin, D.A. Lifshitz, E.U. Rafailov, and M.V. Fuksman. Appl. Phys. Lett., 62,1062 (1993).

33. J. Diaz, I. Eliashevich, K. Mobarhan, E. Kolev, L.J. Wabg, D.Z. Garbuzov and M. Razighi. IEEE Photon. Technol. Lett., 6,132 (1994).

34. S.L. Yellen, A.H. Shepard, C.M.Harding, J.A. Baumann, R.G. Waters, D.Z. Garbuzov, V. Pyataev, V. Kochergin and P.S. Zory. IEEE Photon. Technol. Lett., 4,1328 (1992).

35. M. Sagava, Т. Toyonaka, К. Hiramoto, К. Shinoda and К. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 1,189 (1995).

36. C. Zamudzinski, D. Botez, L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesdial and R.F. Nabiev. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 1,129 (1995).

37. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesdial, J. Lopez, D. Botez, J.A. Morris and P. Zory. Electron. Lett., 31,1153 (1995).

38. A.V. Syrbu, V.P. Yakovlev, G.I. Suruceanu, A.Z. Mereutza, L.J. Mawst, A.Bhattacharya, M. Nesdial, and D. Botez. IEEE/OSA Conf. Lasers Optics, (Anaheim, CA, USA, June, p. 78-79,1996).

39. D.Z. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forrest, R. Martinelli and J.C. Conolli. Electron. Lett., 32,1717 (1996).

40. N.I.Katsavets, D.A.Livshits, I.S.Tarasov. Proceeding of SPIE's on International Symp. '96 (San Jose, USA, 1996).

41. A. Al-Muhanna, L. Mawst, D. Botez, D. Garbuzov, R. Martinelli, J. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73,1182, (1998).

42. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000).

43. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, H.H. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001).

44. F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, S. Grämlich, R. Staske, H. Wenzel, U. Zeimer, and M. Weyers. Appl. Phys. Lett., 79,1965 (1998).

45. V. Rossin, E. Zucker, M. Peters, M. Everett, B. Acklin. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5336,196 (2004).

46. H.A. Пихтин, C.O. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004).

47. C.O. Слипченко, Д.А. Винокуров, H.A. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38,1477 (2004).

48. С.Н. Henry, P.M. Petroff, R.A. Logan, and F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 50, 3721 (1979).

49. P. W. Epperlein, P. Buchmann, and A. Jakubowicz. Appl. Phys. Lett., 62, 455 (1993).

50. A. Moser and E.E. Latta. J. Appl. Phys., 71,4848 (1992).

51. A. Moser, A. Oosenbrug, E. E. Latta, Th. Forster, and M. Gasser. Appl. Phys. Lett, 59, 2642 (1991).

52. S.L. Yellen, A.H. Shepard, C.M. Harding, J.A. Baumann, R.G. Waters, D.Z. Garbuzov, V. Pjataev, V. Kochergin, P.S. Zory. IEEE Photon. Technol. Lett, 4,1328 (1992).

53. R.E. Mallard and R. Clayton. Proc. SPIE, 3004,145 (1997).

54. H.H. Lee, L. Figucrua. J. Electrochem. Soc., 135, 496 (1988).

55. C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, and B. Schwarz. J.Electrochem. Soc., 127,1366 (1980).

56. H. Kawanishi, H. Ohno, T. Morimoto, S. Kaneiva, N. Miyauchi, H. Huyashi, T. Akagi, Y. Nakajima, and T. Hijikata. Proc. 21st Conf. Solid State Devices Materials, 337 (1989).

57. J.S. Yoo, H.H. Lee, P. Zory. IEEE Photon. Technol. Lett, 3,202 (1991).

58. J.S. Yoo, H.H. Lee, P.S. Zory. IEEE Photon. Technol. Lett, 3, 594(1991).

59. J. Hashimoto, I. Yoshida, M. Murata, T. Katsuyama. IEEE J. Quantum Electron, 33, 66 (1997).

60. K.H. Park, J.K. Lee, D.H. Jang, H.S. Cho, C.S. Park, and K.E. Pyun, J.Y. Jeong, S. Nahm, J. Jeong. Appl. Phys. Lett., 73,2567 (1998).

61. S.N.G. Chu, S. Nakahara, M.E. Twigg, L.A. Koszi, E.J. Flynn, A.K. Chin, B.P. Segner, and W.D. Johnston, Jr. J. Appl. Phys., 63,611 (1988).

62. D.Botez. Appl. Phys. Lett., 74,3102 (1999).

63. D.Z. Garbuzov, M.R. Gokhale, J.C. Dries, P. Studenkov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly, S.R. Forrest. Electron. Lett., 33,1462, (1997).

64. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesnidal, J. Lopez, D. Botez, J.A. Morris, P. Zory. Appl. Phys. Lett., 67,2901-2903 (1995).

65. Д.З Гарбузов, A.B. Овчинников, H.A. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25,928 (1991).

66. Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, М.А. Иванов. ФТП, 28,1983 (1994).

67. B.S. Ryvkin, Е.А. Avrutin. J. Appl. Phys., 97,123103 (2005).

68. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97,113106 (2005).

69. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau and T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000).

70. Г.Г.Зегря, И.Ю.Соловьев. ФТП, 39, 636 (2005).

71. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34, 886 (2000).

72. А.Н. Пихтин, Оптическая и квантовая электроника (М., Высшая школа, 2001).

73. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39,388 (2005).

74. A. Al-Muhanna, A. Mawst, L.J. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. LEOS'97 10th Annual Meeting. Conf. Proc. IEEE, 2, 205 (1997).

75. J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81,3146 (2002).

76. A.A. Chelny, M.Sh. Kobyakova, P.G. Eliseev. IEEE J. Quant. Electron., 40,113 (2004).

77. Y. Nishimura. IEEE J. Quant. Electron., 9,1011 (1973).

78. B. Zee. IEEE J. Quant. Electron., 14, 727 (1978).

79. T. Hone, J. Zavadil. J. Appl. Phys., 73,7978 (1993).

80. M.P. Kesler, C.S. Harder, E.E. Latta. Appl. Phys. Lett., 59,2775 (1991).

81. Д.З. Гарбузов, А.В. Тикунов, В.Б. Халфин. ФТП, 21,1085 (1987).

82. L.A. Coldren, S.W. Corzine, Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley and Sons, inc., 1995).

83. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, A.B. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 21, 825 (1987)

84. A. Dargys and J. Kundrotas. Hand book on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994).

85. JI.E. Воробьев, C.H. Данилов, В.Л. Зерова, ДА. Фирсов. ФТП, 37, 604 (2003).

86. JI.E. Воробьев, C.H. Данилов, E.JI. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниковых наноструктурах (СПб., Наука, 2000).

87. З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 23,1806 (1989).

88. S. Adachi. Physical properties oflll- V Semiconductor Compounds. (John Wiley & Sons, Inc., 1992).

89. N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J.Appl.Phys., 84, 547(1998).

90. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J.Quant.Electron., 39,404 (2003).

91. H.A. Пихтин, C.O. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002).

92. G. Fuchs, С. Schiedel, А. Hangleiter, V. Härle, F. Scholz. AppI.Phys.Lett., 62,396(1993).

93. Y. Zou, J. S. Osinski, P. Grodzinski, and P. D. Dapkus. Appl.Phys.Lett., 62, 175(1993).

94. Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". (St. Petersburg, Russia, June 17-21,2002) p.252.

95. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16,592 (1982).

96. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40,1413 (2004).

97. P. Zory. Quantum Well Lasers. (Academic Press, 1993).