Средства измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.01, кандидат технических наук Вареник, Юрий Александрович

• Вареник, Юрий Александрович
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Вареник, Юрий Александрович

Введение.

1. Анализ моделей полупроводниковых структур и электрических методов измерения их параметров.

1.1 Полупроводниковые микро- и наноструктуры и их эквивалентные схемы.

1.1.1 Эквивалентная электрическая схема р-п-перехода и его параметры, измеряемые вольт-фарадными методами

1.1.2 Эквивалентные электрические схемы МДП-структуры и её параметры, измеряемые вольт-фарадными методами.

1.2 Вольт-фарадные методы измерения параметров полупроводниковых структур

1.2.1 Измерение параметров р-гс-переходов по их вольт-фарадным характеристикам (ВФХ).

1.2.2 Измерение параметров МДП-структур.

1.3 Особенности измерения ВФХ полупроводниковых структур

1.4 Анализ средств измерения параметров полупроводниковых структур

Выводы по главе 1.

2. Исследование влияния метрологических характеристик средств измерения на погрешность измерения электрофизических параметров.

2.1 Исследование влияния характеристик средств измерения на погрешность измерения параметров компонент моделей полупроводниковых структур.

2.2 Анализ влияния погрешностей измерения ВФХ на погрешность косвенного 'измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур.

2.3 Измерение ВФХ сложных полупроводниковых структур.

Выводы по главе 2.

3. Совершенствование аппаратной части средств измерения ВФХ.

3.1 Источники инструментальных погрешностей измерения

3.2 Методика снижения инструментальной погрешности формирования напряжения смещения.

3.3 Формирование напряжений смещения для измерения ВФХ высоковольтных полупроводниковых структур.

3.4 Совершенствование способа формирования тестового воздействия на объект измерения.

Выводы по главе 3.

4. Методики и технические средства снижения инструментальной погрешности измерения ВФХ.

4.1 Методика калибровки средства измерения ВФХ по импедансу при удалённом подключении объекта измерения.

4.2 Методика коррекции инструментальной погрешности импеданса на основе интерполяции Лагранжа.

4.3 Устройства формирования образцовых импедансов.

Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Средства измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур»

В настоящее время в интегральных микросхемах и дискретных приборах микроэлектроники, приборостроения используются различные полупроводниковые структуры, включая планарные структуры диэлектрик-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник или ещё более сложные многослойные системы в том числе металл-сегнетоэлектрик-полупроводник-металл и металл-нитрид кремния-окисел-полупроводник [13, 54, 74]. Свойства и параметры таких структур обуславливают основные характеристики и параметры приборов, схем-и.устройств на их основе. Значительный вклад в развитие физических основ и метрологии полупроводниковых структур внесли представители зарубежных научных коллективов, У.Шокли, Ф.Стем, Г.И.Робертс, С. Зи и отечественных Ж.И.Алфёров, Р.С.Нахмансон, Б.В.Цыпин, Л.С.Берман, В.И.Зубков, Е.Н.Бормонтов, К.Н.Чернецов. С помощью вольт-фарадных методов производят косвенные измерения концентрации основных носителей заряда у полупроводниковых материалов, измерения ёмкости переходов, концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых областях, толщины диэлектрического слоя и спектра поверхностных состояний в МДП-структурах. Принципы измерения ВФХ получили значительное развитие с совершенствованием средств измерения параметров электрических цепей. Значительный вклад в развитие этой области внесли Л.И.Волгин, В.С.Гутников, В.КХКнеллер, КЛ.Куликовский, Е.А.Ломтев, А.И.Мартяшин, П.П.Орнатский, В.М.Шляндин, В.М. Сап ельников, П.П.Чураков, Э.К.Шахов и др. Измерения зависимости импеданса полупроводниковой структуры от напряжения смещения находят применение при контроле изделий в процессе производства интегральных микросхем [84], полупроводниковых приборов, для исследования полупроводниковых струк3 тур и материалов микро- и наноэлектроники с целью получения, заданных параметров, а также при уровневой подготовке специалистов в области микро- и наноэлектроники в высших учебных заведениях страны [2, 33].

В настоящее время для измерения импеданса полупроводниковых материалов и структур часто используют средства измерения параметров электрических цепей, такие как HP4191 А, НР4294А, HP8753В [97-100, 110, 113] фирмы Hewlett Packard [113] или Е7-20, Е7-21, Е7-23, Е7-24 ОАО «МНИПИ». Однако подобные средства измерения недостаточно адаптированы под задачу измерений импеданса полупроводниковых материалов и структур. В первую очередь,, они не обеспечивают требуемые диапазоны и дискретность значений напряжения смещения: для вольт-фарадных измерений современных диодов может требоваться напряжение смещения до 1000В [9, 10]. Во-вторых, схемы и методы измерения у таких средств не учитывают как специфики процессов в полупроводниковых структурах, так и взаимного влияния импедансов отдельных переходов и структур в измеряемых сложных полупроводниковых структурах, включая биполярные или МДП- транзисторы, что приводит к возникновению методических погрешностей и погрешностей согласования таких структур. В связи с этим для измерения параметров полупроводниковых структур, в том числе вольт-фарадными методами, существуют специализированные средства измерения [27, 40 -42, 46, 68, 75, 76]. Одними из первых средств измерения ВФХ полупроводниковых структур были АМЦ1597,,АМЦ1598, АМЦ1530 разработки Пензенского НИИ «Контрольприбор» [31, 85]. В настоящее время находят применение средства измерения такие, как Keitheley 4200-SCS [114] или CSM-Win [116] фирмы MDC. Однако последние обладают относительной инструментальной погрешностью измерения напряжения смещения ±0,1% и компонент импеданса до ±3% при подключении объекта измерения кабелями длиной до Зм [114, 40-42, 46]. Это порождает погрешность косвенного измерения параметров полупроводниковых структур до десятков процентов. Кроме того, частота переменной составляющей тестового напряжения принимает 4-5 дискретных значений в диапазоне 1кГц - 10МГц, что ограничивает возможности построения точной эквивалентной электрической схемы объекта измерения, а нижняя граничная частота не достаточна для реализации метода низкочастотных ВФХ, при котором измерения производятся на частотах порядка 1Гц. Поэтому задача совершенствования средств измерения ВФХ полупроводниковых структур с целью повышения их научно-технических, технико-экономических, оперативных (временных) показателей является актуальной.

Цель диссертационного исследования - разработка методик для уменьшения погрешностей измерения ВФХ полупроводниковых структур и совершенствование существующих схемотехнических решений.

В соответствии с поставленной целью основными задачами диссертации являются:

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы измерения по видам измерений», Вареник, Юрий Александрович

Выводы по главе 4

1. Определены основные источники инструментальной погрешности измерения импеданса средств измерения. Значительный вклад в погрешность вносят паразитные параметры кабелей и зондового устройства, соединяющих объект и средство измерения, снижение коэффициента усиления операционного усилителя с разорванной цепью ООС измерительного преобразователя, паразитные параметры и разброс опорных импедансов в цепи ООС измерительного преобразователя, а также изменение амплитуды и фазовый набег напряжения, вносимые узлами обработки выходного сигнала измерительного преобразователя. На основании произведённой оценки инструментальных погрешностей измерения импеданса очевидна недостаточность использования постоянных поправок и поправочных коэффициентов для коррекции погрешности во всём диапазоне измеряемых импедансов. В связи с этим предложено корректировать инструментальную погрешность измерения путём нахождения функциональной связи между измеренным и действительным значениями импеданса, учитывающей вышеуказанные основные влияющие факторы на погрешность, по ряду измерений образцовых импедансов, формируемых калибрующим устройство.

2. Развита методика снижения инструментальной погрешности измерения импеданса на основе нахождения функции, корректирующей эту погрешность, с использованием интерполяции Лагранжа по измеренным значениям образцовых импедансов. Произведена оценка и экспериментально получены значения относительной инструментальной погрешности измерения мнимой компоненты импеданса полупроводниковой структуры до предельного значения ±0,5% и действительной части до ±1% при значениях ёмкости объекта от ЮпФ до ЮнФ и параллельного сопротивления от 1МОм до 1ГОм в диапазоне частот переменной составляющей тестового напряжения до 10МГц при подключении объекта измерения кабелями до трёх метров.

3. Предложены на основе дискретных компонентов и микромеханических электростатических конденсаторов переменной ёмкости два варианта калибрующих устройств, размещаемых в зондовом устройстве, позволяющих формировать образцовые импедансы. Показано, что применение предложенных микромеханических решений для создания малогабаритных калибрующих устройств, встраиваемых в зондовое устройство, позволяет формировать образцовые импедансы по параллельной эквивалентной схеме включения образцовых ёмкости и сопротивления. Использование микромеханических электростатических конденсаторов переменной ёмкости исключает погрешности, вносимые контактным сопротивлением коммутирующих реле, а использование микромеханических электростатических реле для коммутации образцовых сопротивлений снижает погрешность сопротивления до 0,1%.

Заключение

1. Скорректированы основные требования по диапазонам тестовых воздействий и измеряемых величин, определены предельные значения их погрешностей, которым должны отвечать современные средства измерения ВФХ полупроводниковых структур.

2. Оценены степени влияния основной погрешности измерения параметров ВФХ на погрешность определения по ней параметров полупроводниковых структур. Установлено, влияние с разными весовыми коэффициентами погрешностей измерения ВФХ на погрешности косвенного измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур.

3. Рассмотрены способы измерения ВФХ элементов сложных полупроводниковых структур. Предложено использовать методы и технические решения, применяемые для измерения параметров элементов электрических цепей различной конфигурации, позволяющие исключить или снизить погрешности измерения, обусловленные действием собственных паразитных параметров сложных полупроводниковых структур.

4. Предложена методика, позволяющая снизить инструментальную погрешность установки напряжения смещения в широком интервале значений ±100В до ±0,01% при использовании 12- и 16-разрядных АЦП и ЦАП.

5. Предложено усовершенствование способа формирования тестового воздействия, позволяющее снизить влияние паразитных параметров как самого объекта измерения, так и устройства его подключения на инструментальную погрешность измерения импеданса. Экспериментально установлено снижение последней до 2 раз.

6. Развита методика снижения инструментальной погрешности измерения импеданса на основе нахождения функции, корректирующей эту погрешность, с использованием интерполяции Лагранжа по измеренным значениям образцовых импедансов. Произведена оценка и экспериментально получены значения относительной инструментальной погрешности измерения мнимой компоненты импеданса полупроводниковой структуры до предельного значения ±0,5% и действительной части до ±1% при значениях ёмкости объекта от ЮпФ до ЮнФ и параллельного сопротивления от 1МОм до 1ГОм в диапазоне частот переменной составляющей тестового напряжения до 10МГц при подключении объекта измерения кабелями до трёх метров. Предложены на основе дискретных компонентов и микромеханических электростатических конденсаторов переменной ёмкости два варианта калибрующих устройств, размещаемых в зондовом устройстве, позволяющих формировать образцовые импедан-сы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Вареник, Юрий Александрович, 2010 год

1. Абрамов В.Б. Исследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных характеристик / Абрамов В.Б., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников А.М, Печер-ская P.M. Пенза.: ПТУ, 2004. - 43с.

2. Алексеенко А.Г., Коломбет Е.А, Стародуб Г.И. Применение прецизионных аналоговых микросхем. М.: Радио и связь, 1985. - 304с.

3. Балтянский С.Ш. Методы и средства измерения распределенных параметров комплексной проводимости МДП-структур: Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук: 05.11.05. Пенза, 1993. - 168 с.

4. Балтянский С.Ш. Измерение параметров физических объектов на основе идентификации и синтеза электрических моделей: Монография. Пенза, - 2000. - 179с.

5. Безуглов Д.А., Мищенко E.H. // ПТЭ, 1993, № 1, С. 145.

6. Белов Л. Переключатели сверхвысокочастотных сигналов. / Белов Л. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес.—2006. №1 С.20 - 25.

7. Берман, Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Бер-ман Л. С , Лебедев A.A. Л: Наука, 1981. -176 с.

8. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники: Электрические цепи: Учебник для ВУЗов. 7-е издание. - М.: Высшая школа, 1978. - 528с.

9. Бойков В.И., Смирнов А.В. //ПТЭ, 1991, № 1, С. 133.

10. Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП-структур: Учебное пособие. — Воронеж: ВГУ, 1997. -184с.

11. Бормонтов А.Е. .Влияние флуктуаций встроенного заряда на электрофизические характеристики МДП-структур. / Бормонтов А.Е., Ганжа В.В., Меньшикова Т.Г. // Вестник ВГУ, Серия: Физика, Математика. 2005. - №1. - С.75 - 79.

12. Бормонтов А.Е. Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДГТ-структуры / Бормонтов А.Е., Меньшикова Т.Г. // Письма в ЖТФ. — 2010. Том 36. Вып. 9.

13. Бриндли К. Измерительные преобразователи: Справочное пособие: Пер. с англ. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 144с.

14. Бронштейн И.Н. Справочник по математике / Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. -М.: Наука, 1981.-718с.

15. Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл — полупроводник в электронике. М.: Сов. Радио, 1984. - 304с.

16. Варадин В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. М.: Техносфера, 2004.-528с.

17. Вареник, Ю. А. Формирование тестового воздействия для измерения вольт-фарадных характеристик / Ю. А. Вареник, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника. -2010. -№ 6. С. 17-19.

18. Вареник, Ю. А. Универсальный цифровой измерительный модуль / Ю. А. Вареник, А. М. Метальников, Р. М. Печерская // Информатизация образования. Поволжье-2010 : тр. всероссийской научно-методической конференции. Пенза : Изд-во ПГУ, 2010. - С. 227230.

19. Вареник, Ю. А. Автоматизированная система измерения параметров МДП-структур / Ю. А. Вареник // XV Туполевские чтения : сб. тр. международной молодёжной научной конференции. Казань: КГТУ, 2007. - 2 с.

20. Вареник, Ю. А. Высокоэффективные многоканальные источники питания лабораторных измерительных стендов / Ю. А. Вареник // Университетское образование : сб. тр. XI Международной научно-методической конференции. Пенза: ПДЗ, 2007. - 3 с.

21. Нахмансон P.C. Теория поверхностной емкости. Физ. тверд, тела, 1964, т. 6, № 4, с. 115-124.

22. Войцеховский A.B., Давыдов В.Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников.—Томск: Радио и связь, 1990. - 230 с.

23. Гаевский Ю.С. Преобразователи для измерения вольт-фарадных характеристик емкостей МДП-струкгур. / Гаевский Ю.С., Рыжов В.Ф., Чумаков A.A., Цыпин В.Б.// Приборы и системы управления. -1987. № 8. - С. 28-29.

24. Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов: Учебное пособие. /В.И. Гаман. Томск: Изд-во НТЛ, 2000.426 с.

25. Глинченко A.C. Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий: учеб. пособие. / Егоров Н.М., Комаров В .А., Сарафанов A.B. -М.: ДМК Пресс, 2008. 352с.

26. Горев Н.Б. Вольт-фарадные измерения в тонкоплёночных эпитаксиальных структурах GaAs / Горев Н.Б., Коджеспирова И.Ф., Привалов E.H. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2009. - №5. - С. 25 - 28.

27. ГОСТ. 8.513-84 ГСИ. Поверка средств измерений. Организация и порядок проведения.

28. ГОСТ 8.395-80 ГСИ. Нормативные условия измерений при поверке. Общие требования.

29. Грицик В.Ю. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов. Pb - Si02 - Si / Грицик В.Ю., Калыгина В.М. // Физика и техника полупроводников. - 2009. Том 43. Вып. 6. - С. 780 - 784.

30. Гуртов В.А. Твёрдотельная электроника: Учеб. пособие. Петрозаводск: ПетрГУ,2005.-492с.

31. Давыдов В.Н. Программа расчёта параметров МДП-структуры по методу Термана / Давыдов В.Н., Троян П.Е., Зайцев Н.Г. // Известия Томского политехнического университета. 2006. - Т.309. - №8. - С. 47 - 51.

32. Двинских В.А. Характериограф для снятия вольт-фарадных характеристик р-п-переходов с большими потерями. / Двинских В.А., Парусов В.П., Сергеев A.C. // Приборы и техника эксперимента. -1979. №2. - С.186-189.

33. Дедык А.И. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики керамических материалов на основе титаната бария стронция / Канарейкин А.Д., Ненашева Е.А., Павлова Ю.В., Карманенко С.Ф. // Журнал технической физики. - 2006. Том 76. Вып. 9. - С. 59 - 64.

34. Емельянов A.M. Вольт-фарадные характеристики р-п-структур на основе (111)5/, легированного эрбием и кислородом / Емельянов А.М., Соболев H.A., Якименко А.Н. // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т.З. - Вып.З. - С. 330 - 334.128

35. Ефремов Н.Д. Нанометровые кластеры и нанокристаллы кремния. / Ефремов Н.Д., Аржанникова С.А., Володин В.А., Камев Г.Н., Марин Д.В. // Вестник НСУ, Серия: Физика.- 2007. Том 2. - Выпуск 2. - С51-60.

36. Зайцев Н.Г. Аппаратно-программный комплекс для автоматизации технологического процесса производства приборов микро- и оптоэлектроники: Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук: 05.13.06. Томск.: ТУСУР, 2007.-20с.

37. Зи С., Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. Т. 1. / Зи С. Пер. сангл. М.: Мир, 1984.-456 с.

38. Зубков В. И. Спектроскопия адмитганса полупроводниковых наногетероструктур: Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук: 01.04.10. Санкт-Петербург, 2007. - 334с.

39. Зубков, В.И. Емкостная спектроскопия эффективный метод нанодиагностики квантово-размерных структур / Зубков В.И. // Петербургский журнал электроники. - 2006. -№4.-52-61.

40. Игумнов Д.В. Основы микроэлектроники / Игумнов Д.В., Королёв Г.В., Громов И.С.- М.: Высшая школа, 1991. 254с.

41. КаменевЛ.В. //ПТЭ, 1983, № 6, С. 96.

42. Кардаш И.Е. Химия и применение поли-п-ксилиленов. / Кардаш И.Е., Пе-балк A.B., Праведников A.B. // В кн.:Итоги науки и техники. С. Химия и технология высокомолекулярных соединений. М.: ВИНИТИ, 1984, Т. 19.

43. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука. - 1970, - 399 с.

44. Киселев В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела /В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, A.B. Зотеев. М.: МГУ, 1999,284 с.

45. Кнеллер' В.Ю., Боровских Л.П. Определение параметров многоэлементных двухполюсников.—М.: Энергоатомиздат, 1986.

46. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для ВУЗов. М.: Радио и связь, 1989. - 400с.

47. Колешко В.М., Каплан Г.Д. C-V методы измерения параметров МОП-структур. -М.: ЦНИИ Электроника, 1977. - 83 с.

48. Левшина Е.С., Новицкий П.В. Электрические измерения физических величин: (измерительные преобразователи): Учебное пособие.—JL: Энергоатомиздат., 1983. 320с.

49. Литовченко В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых систем. — Киев.: Наукова думка. 1980, - 284 с.

50. Мазор Ю.Л., Мачусский Е.А., Правда В.И. Радиотехника: Энциклопедия. М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2002. - 944с.

51. Маилян К.А. Структура и свойства поли-п-ксилилена и их зависимость от параметров пиролитической полимеризации 2,2.-парациклофана. Дисс. канд. хим. наук. М.: НИФХИ им. Л.Я. Карпова, 1995. - 119 с.

52. Макаров Е.Г. Инженерные расчёты в Mathcad: учебник. СПб.: Питер, 2005. - 448с.

53. Макс Ж! Методы и техника обработки сигналов при физических измерениях: В 2-х томах. Пер. в франц. М.: Мир, 1983. - 312с.

54. Малинкович М.Д., Наумов М.В. // ПТЭ, 1994, № 4, С.47.

55. Марголин В.И. Физические основы микроэлектроники: учебник студентов высших учебных заведений / Марголин В.И., Жабреев В.А., Тупик В.А. М.: Издательский центр «Академия», 2008.-400 с.

56. Марк Е. Харнитер. Multisim 7. Современная система компьютерного моделирования и анализа электронных, устройств. М.: ДМК Пресс, 2006. - 494с.

57. Мартяшин А.И. Основы инвариантного преобразования параметров электрических цепей / Мартяшин А.И., Куликовский К.Л., Куроедов С.К., Орлова Л.В. — М., Энергоатомиздат, 1990. — С. 113-115.

58. Мельников A.A. ИВК для определения электрофизических параметров полупроводниковых материалов / Мельников A.A., Морозов Н.В., Рыжов В.Ф., Рябинин В.И. // Приборы и системы управления. -1983. №11. - С. 37-38.

59. Мегальников ОБ., Шанин О.И., Шепелев A.B. // ПТЭ, 1989, № 3, С. 118.

60. Микросхемы АЦП и ЦАП. М.: Издательский дом «Додэка-XXt», 2005. - 432с.

61. МУХУРОВ Н.И. Электростатические коммутационные микроустройства на анодом окисле алюминия. / МУХУРОВ Н.И., ЕФРЕМОВ Г. И, МУССКИЙ A.C. // ДОКЛАДЫ БГУИР. 2007. №1(17) - С.79 - 87.

62. Нахмансон P.C. Эквивалентная схема поверхности полупроводника, В сб.: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. Новосибирск, Наука, 1967, с. 86-96.

63. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / Орешкин П.Т. М.: Высш. шк., 1977. - 448 с.

64. Печерская Р.М.Релаксационные явления в активных диэлектриках. Пенза: Изд-во Пенз.гос.ун-та, 1994. — 72с.

65. Пузин И.Б. Автоматический построитель вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур (C-V характериограф) / Пузин И.Б., Хорунжий А.И. // Приборы и техника эксперимента. 1988. - №3. - С. 223 - 227.

66. Пузин И.Б. Установка для исследования параметров дефектов кристаллической решётки в полупроводниковых диодных структурах емкостными методами // Приборы и техника эксперимента. 1983.-№4.-С. 155-157.

67. Ратхор Т.С. Цифровые измерения. Методы и схемотехника. М.: Техносфера, 2004. -376с.

68. Рожков В.А. Электрофизические свойства структур металл-окисел эрбия-кремний / Рожков В.А., Родионов М.А. // Вестник СамГу естественнонаучная сессия. - 2004. - №2. С. 94 100.

69. Савенко В.Г. Измерительная техника: Учебное пособие. М.: «Высшая школа», 1974-335с.

70. Самойлов В.А. Емкостный спектрометр глубоких уровней / Самойлов В.А., Принц В .Я. //Приборы и техника эксперимента. 1985. №5. - С. 178 -181.

71. Сакалаускасс С., Вайгонис 3., Пурас. Р. // ПГЭ, 2007, № 3, С. 61.

72. Соломонов, A.B. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов / Соломонов A.B. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000 . -134 с.\

73. Уолт Кестер. Аналого-цифровое преобразование. М.: Техносфера., 2007. -1016с.

74. Федоров В.К., Сергеев Н.П, Кондрашин A.A. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств. М.: Техносфера, 2005. - 504с.

75. Цыпин Б.В. Повышение точности автоматизированных систем контроля концентрации носителей зарядов в МДП-структурах / Цыпин Б.В., Рыжов В.Ф. // Автоматизация измерений. Рязань, 1982. С. 22-26.

76. AD5933 1 MSPS, 12-Bit Impedance Converter, Network Analyzer. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. 2005.32 p.

77. AD4817-1 / AD4817-2 Low Noise, 1GHz, FastFET Op Amps, www.analog.com Электронный ресурс.: Технический паспорт операционных усилителей AD4817-1 / AD4817-2 на сайте фирмы Analog Devices.

78. Application notes 2239. Gate Dielectric Capacitance-Voltage Characterization Using the Model 4200 Semiconductor Characterization System. 8p. www.keithley.com. Электронный ресурс.:

79. Berman A. Model of high-frequency capacity MOS — the structures, based on redistribution of a charge inversion a layer // Solid State Electron. 1974. - V. 17. - № 7. - P. 735-742.

80. Cohen. A., Zhang. G., Tseng. F., Frodis. U., Mansfeld. F., Will. P., 1999, «EFAB: rapid, low-cost desktop micromachining of high aspect ratio true 3-D MEMS», in Proceeding of IEEE MEMS '99, IEEE. Washington, DC: 244-251.

81. НР4294А Precision Impedance Analyzer, www.hp.com Электронный ресурс.: технический паспорт НР4294А. Компания Hewlett-Packard Development Company.

82. НР4191 RF Impedance Analyzer: www.hp.com Электронный ресурс.: технический паспорт НР4191 А. Компания Hewlett-Packard Development Company.

83. НР4192 LF Impedance Analyzer 5 Hz to 13 MHz: www.hp.com Электронный ресурс.: технический паспорт НР4192А. Компания Hewlett-Packard Development Company.

84. HP4284A Precision LCR Meter Operation Manual. Japan, HewlettPackard, 1996. H P Part No. 04284-90020.

85. Ikuta. К., Hirowatari. К., 1993, «Real three dimensional micro fabrication using stereo lithography and metal molding», in Proceeding of IEEE MEMS '93, IEEE. Washington, DC: 4247.

86. Kazunari Okada, Toshimasa Sekino, Agilent Technologies Co. Ltd. Agilent technologies impedance measurement handbook. December 2003. 81 p.

87. Madden. J.D., Hunter. I.W., 1996, «Three-dimensional microfabrication by localized electrochemical deposition», Journal of Microelectronical Systems 5(1): 24-32.

88. Martin Pedersen. Measurements of C-V characteristics of different components: A capacitor, a p-n junction, and a MOS circuit. Comparison of different methods of measurements: Thesis for University of Southern Denmark (SDU), Odense, 2002. - 65p.

89. Standard Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levelsby Transient Capacitance Techniques. A S T M Standards: F 978 02.2002. 8 p.

90. SP6T RF-MEMS Switch DC to 20 GHz. www.radantmems.com. Электронный ресурс.: технический паспорт МЭМС-реле фирмы Radant MEMS.

91. Takagi. T., Nakajima. N., 1993, «Photo forming applied to fine machining», in Proceeding of IEEE MEMS "93, IEEE. Washington, DC: 173-178.

92. Taylor. C.S., Cherkas. P., Hampton. H., et all, 1994, «A spatial forming a three dimensional printing process», in Proceeding of IEEE MEMS '94, IEEE. Washington, DC: 203-208.