Способы уменьшения динамических потерь в импульсных регуляторах мощности на силовых МДП-транзисторах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.09.03, кандидат технических наук Бочкарев, Дмитрий Олегович

• Бочкарев, Дмитрий Олегович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Бочкарев, Дмитрий Олегович

Введение.

Глава 1 Математические модели и программные средства, использованные для расчета переходных процессов.

Глава2 Методы уменьшения динамических потерь в силовых МДП-транзисторах нереверсивных регуляторов постоянного тока.

2.1 Описание процессов переключения.

2.2 Влияние параметров схемы на динамические потери.

2.3 Энергетические макромодели динамических потерь в нереверсивных регуляторах.

2.3.1 Динамические потери в высоковольтных регуляторах.

2.3.2 Динамические потери в низковольтных регуляторах.

2.4 Влияние температуры эксплуатации на показатели

К коммутационных процессов в нереверсивных регуляторах.

Выводы.

Глава 3. Методы уменьшения динамических потерь в МДП-транзисторах мостовых схем

3.1 Процессы переключения полумостовых схем без внешних блокирующих диодов.

3.2 Процессы переключения полумостовых схем с внешними блокирующими диодами.

3.2.1 Процессы переключения в высоковольтной стойке.

3.2.2 Процессы переключения низковольтной стойки.

3.3 Влияние температуры эксплуатации на показатели коммутационных процессов мостовых схем.

Выводы.

Глава 4. Формирователи низкоэнергетических траекторий как средство уменьшения динамических потерь в МДП-ключах.

4.1 Процессы в схемах с пассивными формирователями.

4.2 Процессы в схемах с рекуперативными формирователями.

Выводы.

Глава 5. Структурная оптимизация цепей управления драйверами как метод уменьшения динамических потерь в мостовых схемах

5.1 Процессы переключения в схемах с гальваническим управлением драйверами.

5.2 Процессы переключения в схемах с оптронным управлением драйверами.

5.3 Процессы переключения в схемах с трансформаторным управлением.

Выводы.

Глава 6. Практическая реализация выводов и рекомендаций диссертации.

6.1 Основные требования к усилителям мощности (драйверам) силовых МДП-транзисторов в составе импульсных регуляторов мощности.

6.2 Анализ технических характеристик зарубежных драйверов.

6.3 Практические схемы драйверов для управления силовыми МДП и IGB транзисторами в составе конверторов и инверторов для авиационных СЭС.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Способы уменьшения динамических потерь в импульсных регуляторах мощности на силовых МДП-транзисторах»

Транзисторные импульсные регуляторы мощности (ИРМ) широко применяются в системах бортовой автоматики. Известны примеры их применения в составе узлов генерирования электроэнергии, централизованных и децентрализованных конверторов и инверторов ИВЭ, систем электропривода, систем распределения электроэнергии летательных аппаратов различных классов с напряжениями основных и промежуточных систем электропитания в десятки-сотни вольт постоянного тока. [ 1-9,59-62] Область применения транзисторных ИРМ постоянно расширяется, захватывая кроме бортовых и такие наземные системы, как автоматизированные комплексы управления станками, насосные агрегаты нефтяной промышленности и др. [10-16,63]

Прогресс в развитии транзисторных ИРМ зависит в первую очередь от достижений в физике и технологии силовых транзисторов. На смену биполярным транзисторам (БТ), определявшим технические характеристики ИРМ до 80-х - 90-х годов, пришли силовые МДП - транзисторы (МДПТ), имеющие преимущества перед БТ по всем ключевым параметрам вплоть до напряжений 100-200 В, а также IGB транзисторы (IGBT), имеющие преимущество перед БТ и МДПТ по статичным потерям при напряжениях свыше 300.500 В. Последние составляют конкуренцию не только БТ и МДПТ, но и тиристорам в устройствах глубоко регулируемого электропривода [17,18,64,65].

Ключевые возможности типовых силовых МДПТ характеризуются, например следующими сочетаниями токов и напряжений: 200В, 450А а для IGBT соответственно 1200А, 3300В и 1400А, 1800В [19,66].

В устройствах бортовой автоматики, питающихся преимущественно напряжениями 30-300 В постоянного тока при максимальных мощностях до единиц киловатт все основные задачи регулирования электроэнергии могут в настоящее время решаться в основном МДПТ и частично IGBтранзисторами. Однако эффективность их применения обеспечивается только после решения следующих задач:

-организации низкоэнергетических процессов переключения в условиях сильного влияния параметров силовых цепей и цепей передачи сигналов, что было не столь актуальным при относительно малых скоростях переключения биполярных схем;

-разработки специализированных машинных программ анализа «быстрых» процессов переключения с использованием адекватных электротепловых моделей силовых приборов, для того, чтобы гарантировать достоверность энергетических расчетов при решении нелинейных уравнений высших порядков;

-обобщения результатов численных энергетических расчетов на ЭВМ в форме относительно простых аналитических выражений, связывающих, например, динамические потери в транзисторах с внешними параметрами схем, что упрощает разработку машинных программ оптимального синтеза силовых полупроводниковых устройств различных классов. К настоящему времени все основные научные и инженерные достижения в области организации и описания процессов переключения силовых транзисторов ИРМ относятся к схемам на биполярных транзисторах:

-исследованы процессы переключения нереверсивных ИРМ и мостовых каскадов реверсивных регуляторов [20,21,67];

-получены приближенные аналитические выражения для динамичных потерь в биполярных ключах [22,23];

-исследованы и разработаны методы борьбы со сквозными токами в мостовых биполярных схемах [20,24,25,68,69,77];

-разработаны цифровые (машинные) модели всех основных типов силовых полупроводниковых приборов, пригодные для анализа быстрых процессов при относительно невысоких скоростях переключения [2632,70-72];

-разработаны и исследованы способы уменьшения динамических потерь в БПТ на основе реактивных формирователей низкоэнергетических траекторий (ФТ) [33-38,73-76];

-предприняты попытки разработки энергетических макромоделей динамических потерь в форме аналитических выражений [28,39]; -имеются публикации по процессам переключения МДПТ в типовых каскадах ИРМ в основном без учета влияния паразитных параметров этих схем на динамические потери [40,78]

Решение этих и ряда других вопросов проектирования ИРМ изложены в работах Конева Ю.И., Глазенко Т.А., Полковникова В.А., Лаптева Н.Н., Машукова Е.В., Токарева А.Б., Васильева B.C., Шевцова Д.А. Отметим, что при проектировании ИРМ может быть использован опыт, накопленный в процессе разработки силовых полупроводниковых устройств других классов, в частности источников вторичного электропитания, изложенный в работах Конева Ю.И., Драбовича Ю.И., Ромаша Э.М., Моина B.C., Лукина А.В., Малышкова Г.М., Бузыкина С.Г., Войтовича И.А., Коняхина С.Ф., Кабелева Б.В.

Следует упомянуть также ряд зарубежных авторов, таких, как Rischmiller К., Uhdeland Т.М., Мс Murrey W., Willams B.W., исследовавших коммутационные процессы в схемах на биполярных и МДП-транзисторах.

Однако можно утверждать, что использование имеющихся результатов проведенных ранее исследований не позволяет в полной мере решить сформулированные выше задачи. Поясним этот вывод.

В первую очередь, следует констатировать отсутствие эффективного инструмента для исследования «быстрых» процессов в МДП - ключах и достоверных результатов динамических потерь - специализированной машинной программы с адекватными моделями силовых приборов. В настоящее время анализ «быстрых» процессов проводится, как правило, с помощью распространенных компьютерных программ класса P-SRICE или МС-6, разработанных первоначально для анализа несиловых электронных схем.[41-43]. Модели транзисторов и диодов, используемых в этих программах, не учитывают ряда особенностей современных мощных полупроводниковых приборов, таких, например, как поэтапный процесс восстановления выпрямительных свойств р-п - переходов, или наличие паразитных индуктивностей выводов. Кроме того, программы исключают возможность введения тепловой обратной связи от корпуса мощного прибора, нагретого собственными потерями, к термозависимым параметрам этого прибора, что очень важно при проектировании силовых устройств. В целом идеализация моделей транзисторов и диодов не позволяет использовать эти программы в энергетических расчетах. Следует отметить, что зарубежные исследователи имеют в своем распоряжении адекватные модели и необходимые программы. Однако, получить их в использование не удается, т.к. их создатели не заинтересованы во внедрении в нашу отечественную практику и охраняют их понятием «коммерческой тайны».

Таким образом, теория и практика построения ИРМ требует прежде всего разработки отечественной программы анализа «быстрых» процессов переключения в типовых каскадах на силовых МДП - транзисторах с учетом паразитных процессов и возможностью введения тепловых обратных связей. Основой такой программы могут стать некоторые из отечественных моделей силовых полупроводниковых приборов, достаточно хорошо отражающих их специфику. Так в [28] предложены нелинейные модели мощного МДП транзистора и мощного биполярного диода, применение которых дает хорошее совпадение с экспериментом при умеренных скоростях переключения. Предварительные исследования показали, что дополненные индуктивностями выводов эти модели могут использоваться и при повышенных скоростях переключения.

С помощью разработанной программы можно будет решить ряд важных задач на пути создания эффективных ИРМ, одной из которых является разработка комплекса методов организации низкоэнергетических траекторий переключения МДПТ, что наряду с уменьшением динамических потерь гарантирует увеличение надежности.

Прежде всего, здесь следует заново оценить эффективность такого известного метода, как форсировка процессов переключения увеличением управляющих токов. В схемах на БПТ форсировка включения неэффективна и даже опасна из-за инерционности ранее применявшихся блокирующих диодов [22].

Форсировка отключения сдерживается фактом сужения области безопасной работы из-за увеличения опасности «вторичного пробоя» [44,45]. К настоящему времени в качестве блокирующих диодов могут применяться высоковольтные диоды Шоттки, имеющие пренебрежимо малые времена восстановления, либо обычные диоды с временами восстановления не более 30.50 не [46,79]. Это снимает ограничение на форсировку включения. Форсировка отключения также возможна из-за практического отсутствия у МДПТ «вторичного пробоя». Открывается путь к оптимизации параметров цепей управления. Однако при этом не следует забывать о связи «быстрых» процессов с перенапряжениями и сверхтоками в транзисторах. Вслед за этим необходимо переоценить энергетические возможности реактивных формирователей траекторий как средства уменьшения потерь. При форсированных процессах роль формирователей могут частично взять на себя паразитные реактивности силовых контуров и реактивности схем замещения силовых приборов, что используется, например, при создании схем высокочастотных ИВЭ [47,48].

Третьей важной задачей является исследование влияния на процессы переключения силовых контуров структурных особенностей и параметров несиловых цепей передачи импульсных сигналов от ШИМ к силовым транзисторам. Если процессы переключения силовых цепей форсированы, то процессы переключения несиловых цепей уже нельзя считать идеализированными. Возникают обратные связи от выходных каскадов на цепи управления через паразитные параметры и появляется опасность нарушения расчетных алгоритмов с увеличением динамических потерь [49]. Необходимо найти способы борьбы с такими явлениями. Последнее особенно важно в реверсивных ИРМ с мостовыми выходными каскадами, поскольку паразитные процессы могут усложнить борьбу со сквозными токами.

Исследование процессов переключения мостовых схем на МДПТ, определение условий возникновения сквозных токов и методов борьбы с ними с учетом влияния паразитных параметров силовых контуров и цепей управления является четвертой задачей анализа «быстрых» процессов в пределах настоящей работы.

Итак, с научной стороны настоящая работа нацелена на минимизацию динамических потерь в типовых каскадах ИРМ на МДПТ, разработку комплекса методов уменьшения потерь и аналитическое их описание, а с практической стороны - на создание инструмента исследований в виде машинной программы анализа, разработку рекомендаций по выбору параметров управляющих цепей, аппаратурные решения по схемам передачи сигналов к силовым транзисторам. Цель работы

Разработка и исследование методов уменьшения динамических потерь в силовых МДП - ключах импульсных регуляторов мощности для повышения их экономичности и надежности. Задачи работы

1. Разработка специализированной машинной программы анализа процессов переключения типовых каскадов ИРМ на МДП транзисторах с учетом паразитных параметров силовых цепей.

2. Разработка методов уменьшения динамических потерь в СТК на основе вариации параметров цепей управления.

3. Обобщение результатов численных расчетов динамических потерь в транзисторах типовых каскадов в форме аналитических выражений, связывающих эти потери с внешними параметрами схем и с параметрами транзисторов, для последующего использования полученных соотношений при оптимальном синтезе силовых устройств.

4. Оценка эффективности реактивных формирователей низкоэнергетических траекторий как средства уменьшения динамических потерь в схемах с силовыми МДП - ключами.

5. Разработка методов уменьшения динамических потерь в СТК мостовых каскадов на основе структурной оптимизации несиловых цепей передачи импульсных сигналов к силовым транзисторам с учетом влияния паразитных параметров этих цепей на расчетные алгоритмы переключения.

6. Разработка практических схем управления силовыми МДП -транзисторами мостовых каскадов в устройствах регулирования электрической энергии.

Методы исследования

Для решения поставленных задач использованы методы теории электрических цепей, компьютерное моделирование, экспериментальные исследования. Научная новизна

1. Разработан алгоритм расчета динамических потерь в типовых каскадах ИРМ с учетом паразитных параметров силовых цепей, послуживший основой создания специализированной компьютерной программы.

2. В ходе компьютерного моделирования процессов переключения типовых каскадов ИРМ на силовых МДП - транзисторах обнаружены ранее неизвестные перегрузки транзисторов мостовых схем, не поддающихся экспериментальным исследованиям. Установлена невозможность точного определения динамических потерь по экспериментальным осциллограммам, а также по результатам моделирования с помощью компьютерных программ класса P-SPICE.

3. Дана оценка влияния внешних параметров исследованных схем и параметров силовых полупроводниковых приборов на динамические потери. Показано в частности, что в нереверсивных регуляторах суммарные потери за цикл переключения слабо зависят от температуры, а в высоковольтных регуляторах увеличиваются при ее снижении. В реверсивных регуляторах отмечается идентичная слабая температурная зависимость.

4. Решена задача оптимизации параметров цепей управления силовыми МДП - ключами в нереверсивных и реверсивных регуляторах по критерию минимальных динамических потерь при ограничениях на допустимое перенапряжение или перегрузку по току.

5. Показана возможность использования собственных реактивностей силовых контуров в качестве формирователей низкоэнергетических траекторий переключения МДП - транзисторов при форсированном их управлении.

6. Обоснована возможность исключения специальных цепей формирования низкоэнергетических траекторий переключения из числа средств для уменьшения динамических потерь при условии форсированного управления транзисторами.

7. Найдены принципы структурной оптимизации цепей передачи импульсных сигналов к «плавающим» транзисторам мостовых схем для исключения отрицательного влияния паразитных параметров этих цепей на динамические потери в силовых транзисторах.

Практическая значимость

1. Разработана специализированная машинная программа анализа процессов переключения и расчета динамических потерь в СТК типовых каскадов ИРМ, реализованная в среде MATLAB с использованием модернизированных моделей силовых полупроводниковых приборов.

2. Получены энергетические макромодели динамических потерь в СТК на МДП - транзисторах для схем нереверсивных и реверсивных ИРМ в аналитический форме, связывающие эти потери с параметрами полупроводниковых приборов и внешними параметрами схем, что существенно упрощает построение компьютерных программ оптимизации силовых электронных регуляторов.

3. Разработаны практические рекомендации по выбору параметров цепей управления силовыми МДП - ключами в расчете на минимизацию динамических потерь при ограничениях на допустимые перегрузки по токам и напряжениям.

4. Разработаны и внедрены на предприятии АКБ «Якорь» практические схемы драйверов силовых МДП - ключей, а также схемы передачи импульсных сигналов к «плавающим» транзисторам мостовых каскадов, свободные от паразитных эффектов, увеличивающих динамические потери.

Апробация работы

Основные положения докладывались и обсуждались на научно-технических семинарах кафедры микроэлектронных электросистем Московского государственного авиационного института (технического университета), 11-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-2004» Реализация результатов

Основные результаты диссертационной работы внедрены на ОАО «АКБ»ЯКОРЬ», а так же в учебный процесс по кафедре 306 Московского государственного авиационного института (технического университета). Публикации

По теме диссертации и результатам выполненных исследований опубликовано 6 научных работ: 5 статей и тезисы докладов. Структура и объем работы

Диссертационная работа включает в себя введение, шесть глав, общие выводы по работе, список литературы, приложение и содержит 160 страниц основного текста, 72 рисунка, 3 таблицы, 82 наименования из списка литературы на 8 страницах.

Заключение диссертации по теме «Электротехнические комплексы и системы», Бочкарев, Дмитрий Олегович

Выводы:

1. Паразитные параметры цепей передачи сигналов к драйверам "плавающих" силовых транзисторов могут вызывать нарушения расчетных алгоритмов управления, что снижает экономичность и надежность устройств. Паразитные процессы переключения свойственны любым типам согласующих устройств: гальваническим, оптронным и трансформаторным.

2. Организация расчетных процессов переключения "плавающих" транзисторов при выбранной структуре силовых цепей и типе согласующего каскада предполагает обязательный анализ паразитных процессов для выбора рационального алгоритма управления и схем соединения СК со входом драйвера и выходом ШИМ.

3. При рационально выбранных алгоритмах управления и схемах включения СК паразитные процессы устраняются переносом задержки включение силовых транзисторов из схем ШИМ в их драйверы.

Глава 6. Практическая реализация выводов и рекомендаций к диссертации

Обобщающим выводом работы является теоретическое положение о том, что для уменьшения динамических потерь в ИРМ необходимо эффективное управление силовыми МДП - ключами, что подразумевает: -форсирование управляющих токов; -оптимизацию параметров цепей управления; -исключение сквозных токов в мостовых схемах;

-компенсацию влияния паразитных параметров цепей передачи импульсных сигналов от ШИМ к усилителям мощности;

Перечисленные задачи решаются при проектировании практических схем управления силовыми транзисторами.

6.1 Основные требования к драйверам силовых МДП - транзисторов в составе импульсных регуляторов мощности.

Транзисторные импульсные регуляторы мощности могут входить в состав источников вторичного электропитания и регуляторов электродвигателей. Для обеспечения универсальности драйверов и возможности их применения в различных классах силовых преобразовательных устройств необходимо обеспечить:

-способность работы в диапазоне изменения коэффициента заполнения 0<Кз<1;

-возможность активного запирания силовых транзисторов от источника отрицательного напряжения для повышения радиационной стойкости; -форсированное управление силовыми ключами при импульсных токах в единицы - десятки ампер;

-надежное запирание силовых транзисторов при отсутствии питающих напряжений;

-наличие в составе драйвера каскада временной задержки отпирания силового ключа;

-универсальность по входу, т.е. возможность управления через оптроны, трансформаторы, или гальванические цепи;

-экономичность;

-устойчивость к помехам от силовых цепей; -наличие в составе драйвера реле напряжения питания; -работоспособность в температурном диапазоне -60 +85 ° С, характерном для авиационных систем.

Ниже приводится краткий обзор драйверов, выпускаемых предприятиями зарубежной промышленности с анализом их технических характеристик на соответствие сформулированным требованиям.

6.2. Анализ технических характеристик зарубежных драйверов

На рис. 6,1 приведена классификация драйверов, структурные и схемотехнические особенности которых известны по описаниям в технической и справочной литературе. Часть из них серийно выпускается зарубежными предприятиями. Классификационными признаками первого уровня являются:

-наличие гальванической развязки по входу; -наличие двуполярного управления; -наличие РНП;

-наличие активного запирания силового ключа при отсутствии питания драйвера.

Признаками второго уровня являются: -тип гальванической развязки;

Рис. 6.1.

Заключение

1. Разработана специализированная компьютерная программа анализа процессов переключения типовых каскадов ИРМ и расчета динамических потерь в силовых МДП-транзисторах, отличающаяся от известных повышенной точностью за счет применения модернизированных моделей современных мощных транзисторов и диодов, учета тепловых обратных связей на их термозависимые параметры и учета паразитных индуктивностей силовых цепей.

2. В ходе компьютерного моделирования процессов переключения нереверсивных и мостовых каскадов ИРМ обнаружен ряд ранее неизвестных особенностей этих процессов, а именно импульсные перегрузки канала транзистора по токам и напряжениям, не поддающиеся экспериментальным исследованиям. Показана некорректность определения динамических потерь в МДП-ключах на отдельных этапах переключения по результатам экспериментального измерения их внешних токов и напряжений.

3. Дана оценка влияния внешних параметров исследованных схем и параметров силовых полупроводниковых приборов на динамические потери. Получены энергетические макромодели динамических потерь в ключах на МДП-транзисторах для схем нереверсивных и мостовых ИРМ в аналитической форме, связывающие эти потери с параметрами полупроводниковых приборов и внешними параметрами схем для последующего использования полученных соотношений при оптимальном синтезе силовых устройств.

4. Разработан комплекс методов уменьшения динамических потерь в силовых МДП - ключах ИРМ. Показано, что основным из них является форсирование управляющих токов с оптимизацией параметров управления в расчете на определяющее участие собственных реактивностей силовых контуров в процессах формирования низкоэнергетических траекторий переключения.

5. Исследована эффективность внешних формирователей низкоэнергетических траекторий как средства уменьшения динамических потерь в МДП - ключах ИРМ. Показано, что при форсированном управлении транзисторами внешние пассивные формирователи способны уменьшить динамические потери не более чем на 20.30 % по режиму включения, либо выключения. Формирователи с рекуперацией энергии обладают несколько большей эффективностью - до 30.50%, но их применение приводит к существенным перегрузкам силового ключа, блокирующего диода и элементов схемы формирователя: как по току, так и по напряжению.

6. Установлена возможность отрицательного влияния паразитных параметров цепей передачи импульсных сигналов к драйверам «плавающих» транзисторов ИРМ на расчетные режимы их переключения. Предложены рациональные структуры таких цепей, свободные от негативного влияния паразитных параметров.

7. Разработаны и внедрены на предприятии АКБ «Якорь» схемы управления силовыми МДП - ключами в составе мощных конверторов и инверторов ИВЭ для авиационных СЭС, реализующие теоретические и практические рекомендации диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Бочкарев, Дмитрий Олегович, 2005 год

1. Синдеев И.М., Савелов А.А.// Системы электроснабжения воздушных судов: учебник для вузов-М.: Транспорт, 1990-296с.

2. Электропривод летательных аппаратов : учебник для авиационных вузов / В.А. Полковников, Б.И. Петров, Б.Н. Попов и др. Под ред. В.А. Полковникова-М.: Машиностроение 1990-352с.

3. Микроэлектронные электросистемы. Применение в радиоэлектронике / Ю.И Конев и др. /под ред. Ю.И. Конева-М.:Радио и связь, 1987 240с.

4. Источники вторичного электропитания В.А. Головацкий и др./ Под ред. Ю.И. Конева -М.:Радио и связь, 1990 280с.

5. Брускин Д.Э., Зубакин С.И. Самолеты с полностью электрифицированным оборудованием // Сер. «Электрооборудование транспорта» (Итоги науки и техники) ВИНИТИ, М.: 1986,6,с1-112

6. Конев Ю.И., Ермошин В.М.Системы электрооборудования летательных аппаратов.// Учебное пособие -М: Из-во МАИ, 1997-С.96

7. Константинов В.Г. и др. Преобразователи и электропривод автономных объектов.// Электротехника -1991-№10 -с 19-23.

8. Ю.Гольц М.Е. и др Быстродействующие электроприводы постоянного тока с широтно-импульсными преобразователями. -М.: Энергоатомиздат 1986-С.183

9. П.Адволоткин Н.П. Овчинников И.Е. Состояние и перспективы развития вентильных электродвигателей для станкостроения и робототехники.// Бесколлекторные регулируемые электрические машины-Л: 1998 с5-19

10. Матисон В.А. и др. Транзисторные преобразователи электроприводов для станкостроения и робототехники.// Тез. Док. ВНТК «Проблемы управления электромеханическими системами» Челябинск 1989с.58-59

11. Каган В.Г. Рояк С.Л.и др. Транзисторные приводы с бесконтактными синхронными двигателями для станков с ЧГГУУ/ Электротехническая промышленность. Электропривод 1984-№1 с.11-14

12. Шевцов Д.А. Машуков Е.В. Ульященко Г.М Преобразователь напряжения для водяной электропомпы. //Теория и практика силовых транзисторных устройств. Тем.сб.н.т. /Под ред. Машукова Е.В.М-«Экон» 2001г.-с.37-40

13. Глушенков В.А. Колязин А.А. Тяговый привод троллейбуса ВМЗ с транзисторными преобразователями. //Применение силовой электроники в электротехнике. : Мат докл н.т.с -М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2000 с. 156-157

14. Чарыков Н.А., Ефремов В.В., Перспективы применения силовых транзисторов в машинах легкой промышленности. //Применение силовой электроники в электротехнике Мат докл н.т.с -М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2000 с. 164-165

15. Но вый подход к проектированию статических преобразователей систем генерирования малых летательных аппаратов. Раххаль А., Вольский С.И. Ломонова Е.А. //Электротехнические комплексы автономных объектов-М.: МЭИ 1999-65-67

16. Вольский С.И Бесконтактная система генерирования переменного тока с транзисторными преобразователями частоты.// Транзисторная энергетическая электроника. М.МАИ 1990 с. 61-70

17. Флоренцев С.Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники. //Применение силовой электроники в электротехнике. Мат.н.т.с.-М.гМНТОЮС имени А.С. Попова с. 10-13

18. Машуков Е.В Диффузионные транзисторы в ключевых регуляторах мощности.// ЭТвА. Сб. стJ под ред Ю.И. Конева.- «Советское радио»1976 вып.8, с. 26-34

19. Глазенко Т.А, Синицин В. А., Томасов B.C. Коммутационные процессы и принципы построения силовых каскадов ШИП и АИМ систем электропривода на защищенных транзисторных ключах//. Электротехника №3 1982г.с.23-29

20. Машуков Е.В, Ульященко Г.М. Транзисторные импульсные регуляторы коллекторных электродвигателей постоянного тока для систем электропривода ЛА. Учебное пособие-М.: изд. МАИ, 1999 с. 60

21. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. М.: изд. Дом «Додека21 век», 2001-е.384

22. Гулый В. Д. Морозов В.Г., Попов В.А. Устранение сквозных токов в транзисторных инверторах.// Проблемы преобразовательной техники-Киев: Из-во ИЭД академии наук УССР.-1979. -4.2-С.138-141

23. А.С. СССР 1603509, Н 02М 7/48,Б.И.№40 Устройство для управления трехфазным мостовым инвертором.

24. Шевцов Д.А. Электротепловая модель мощного полупроводникового диода.// Электрические сети и преобразователи энергии ЛА. Тем. сб. н. т. МАИ,- М.: изд. МАИ 1988 с.76-78

25. Шевцов Д.А Модель мощного биполярного транзистора для машинного анализа электронных схем.// Электромагнитные и полупроводниковые устройства систем управления ЛА. Тем. сб. н.т. -М.: МАИ 1987 с.25-28

26. Машуков Е.В. Хрунов Е.М., Шевцов Д.А., Моделирование ключей на силовых МДП-транзисторах// ЭТвА/Под ред. Ю.И. Конева-М:Радио и связь, 1986, Вып. 17.с 168.

27. Шевцов Д.А, Сергеев В.В. Модели мощных полупроводниковых приборов д ля САПР силовых электрических устройств.// Использование вычислительной техники и САПР в НИОКР. Тез. Докл. .н.т.к-Владимир, изд. В.П.И, 1987 с. 74-76

28. Носов Ю.Р. Петросянц К.О, Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники, М. Советское радио с.304

29. Леонов В.П. Моделирование мощного транзистора в ключевом режиме.//Известия вузов СССР сер. Радиоэлектроника 1982г. том 25 №1-С. 56-61

30. Недолужко И.Г. Новакевич Э. Трехзвенная модель биполярного транзистора для автоматизированного анализа и определения ее параметров с помощью ЭВМ. //Радиотехника 1984 №7 с.60-62

31. Конев Ю.И. Машуков Е.В Мелешин В.И. Уменьшение мощности, рассеиваемой за время переключения в транзисторах с индуктивно-активной нагрузкой.// Полупроводниковые приборы и их применение Сб. ст. ред Я.А. Федотова вып. 18,1967, Сов. радио с. 232-235.

32. Машуков Е.В. Уменьшение динамических потерь в транзисторных импульсных усилителях мощности //ЭТВА, сб. ст. /Под ред. Ю.И. Конева, вып 2, М.:Советское радио, 1971- с.71-80

33. Васильев B.C. Мощные импульсные транзисторные каскады для активно-индуктивной нагрузки. //ЭТВА, сб. ст. Под ред. Ю.И. Конева вып 8 М.:Советское радио, 1976- с.173-183

34. Мустафа Г.М. Голустян Р.С. и др. Коммутационные цепи транзисторных инверторов //Электротехника 1982-№4 с. 41-44

35. Высокочастотные транзисторные преобразователи / Ромаш Э.М., Дробович Ю.И., Юрченко Н.Н. и др. Радио и связь, 1988-288с.

36. Уильяме Б. Силовая электроника, приборы, применение, управление, Пер. с англ., М.: Энергоатомиздат, 1993.

37. Хрунов Е.М. Макромодели силовых ключей на МДП транзисторах //Электрические сети и преобразователи энергии JIA. Тем. сб. н.т./МАИ-М.: Изд. МАИ 1988-С.72-76

38. Машуков Е.В., Леоненко И.М. Хрунов Е.М. Шевцов Д.А. Силовые МДП-транзисторы в импульсных регуляторах электродвигателей . //ЭТВА, сб. ст./ под ред. Ю.И. Конева вып 15 М. -.Советское радио, 1971- с.9-19

39. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap 6. -: Горячая линия-телеком, 2001 , 344 с.

40. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования Design Lab 8.0-М.: Солон-Р, 1999,698 с.

41. Разевиг В.Д. Система проектирования OrCAD 9.2, -М.: Солон-Р, 2001,519 с.

42. Бузыкин С.Г. Пути повышения надежности силовых транзисторных ключей сетевых ИВЭП //Материалы семинаров-М: МДНТП, 1986 с.44-51

43. Бузыкин С.Г. Проблемы реализации основных способов обеспечения безопасности при запирании транзисторных ключей сетевых ИВЭП // Силовые электронные системы и устройства маломощной преобразовательной техники: Труды 1 ВНТК, Алма-Ата 1990

44. Силовые полупроводниковые приборы пер. с англ. /Под ред В.В.Токарева- Воронеж 1995

45. Лукин А.В. Анализ работы преобразователя напряжения с внешним управлением при высокой частоте преобразователя. //ЭТВА, сб. ст. Под ред. Ю.И. Конева вып. ИМ.: Советское радио, 1980- с.95-100.

46. Лукин А.В. Высокочастотные преобразователи напряжения с резонансным переключением .//Электропитание Н.т. сборник вып.1 , Из-во асс. «Электропитание» 1993-с. 15-26

47. Бочкарев Д.О., Шевцов Д.А., Электронные модели транзисторов для компьютерных программ анализа силовых устройств// Тезисы докладов 11-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-2004», М. 2004год, с.68

48. Ануфриев И. Самоучитель Mat Lab 5.3/б.х СПБ, «БХВ- Петербург», 2002, 710 с.

49. Дьяконов В.П. MATLAB 6/6.1/6.5+ Simu link4/5 Основы примененияМ.: «Солон» 2002-707с.

50. Машуков Е.В., Бочкарев Д.О., Поваляев И.Г., Шевцов Д.А. Динамические потери в МДП-транзисторах нереверсивных регуляторов, //Тематический сборник научных трудов под ред. МашуковаЕ.В., вып.1, М.:, 2004 год, с.3-12.

51. Бочкарев Д.О., Шевцов Д.А. Моделирование процессов переключения силовых МДП-транзисторов в нереверсивных регуляторах,// Практическая силовая электроника, Вып. 12, 2003, с.36-40.

52. Бочкарев Д.О Моделирование коммутационных процессов в реверсивных импульсных регуляторах на МДП-транзисторах с использованием внутренних диодных структур,// Тематический сборник научных трудов Под ред. Машукова Е.В., вып.1, М.:, 2004 год, с.12-20.

53. Бочкарев Д.О Анализ результатов моделирования коммутационных процессов в мостовых схемах на МДП-транзисторах с использованием внутренних диодных структур, //Тематический сборник научных трудов под ред. Машукова Е.В., вып.1, М.: 2004 год, с.21-25.

54. Бочкарев Д.О. Шевцов Д.А. Моделирование коммутационных процессов в реверсивных импульсных регуляторах на силовых МДП-транзисторах.//Практическая силовая электроника, Вып. 15, 2004, с.17.

55. Шевцов Д.А., Бочкарев Д.О, Машуков Е.В Процессы переключения силовых транзисторов мостовых каскадов с учетом паразитных параметров управляющих цепей //Практическая силовая электроника, вып. 12,2003 с. 32-36

56. Cronin M.J. The all electric airplane as energy efficient transport//SAE technical paper series-1986 N801131-p. 1-12

57. Van Nocker Richard C. EHAbLoating on the 270V dc Bus //SAE Tech. Pap.-1989 N89225-p.l-661 .Thompson K. Notes on The electric control of large airplanes //"IEEE" airsp. And Electron Syst. Mag-1988-3? N12-p.22-24

58. Lyford Jon R. The second electronics revolution: the impact potential of new power electronic technologies on aircraft actuation systsms// Prof IEEE Nat. Aerosp. and Electron. Lont.: NAECON, 1986 Vol2 p.386-390

59. Kohn E. Transistorgetantetc Stellaentriebe fuz Werkzeugmaschinen // Stellantriebe 1982, 72,N4 sl83-185

60. SEMICRON. Innovation +Service. Partners in Power. Power Electronics 09/2000

61. Rischmuller K. La commutation rapide dies transistors et darligton de puissance //Electroniqne de puissance -1986 N15, p.25-33

62. Rischmuller K. Des transistor de puissance simples a utilizes // Electroniqne de puissanse -1982 N38, p. 137-143

63. ПАТ. США №4912622, HQ2M 7/44

64. Nienhans H.A. Bowers J.C. Herren P.C. F high power MOSFET computer model //IEEE PESC p. 97-10371 .Loen R.W. Tsang D.W. A high performance planar power MOSFET//IEEE Trans 1990 VH.l ED-27 N2 p. 340-342

65. Turgeon L.J. Mathews J.R. A bipolar transistor model of quasi saturation for use in computer aigeg design // INt. Electron. Devices Meet 1980 p. 394397

66. Undeland T.M. Jenet F. A snubber configuration for both power transistor and GTO PWM invertors //IEEE PEST.84 1984 p.42-53

67. McMurey W. Efficient snubbers for voltage-sours GTO inverters //IEEE Transactions on Power Electronics, 1987 N2 p. 264-272

68. CHARLS G. STEYN Analysis and optimization of Regenerative Linear Snubbers //IEEE Transaktions on power Electronics N3 1989 p. 362-370

69. Rischmuller K. Zuverlassig auch am 3 80V Netz //Elektrotehnik 62 H-14. 1980 s. 14-21

70. Barret J. Interactives Schalten in Brucken Zweigen //Electronik Industrie N2 1988 s. 86-88

71. Lorenz L. Amann H. MOS-MODULE: Effektive Leistung Halbleiter schalter bei hohen Taktfrequen//Elektronik N11 1988 s. 74-80

72. International Rectifier Short Form Catalog 1990-2000

73. HEWLETT PACKARD Isolation Circuit for Inverter Gate Drive //www.hp.com/go/isolator.

74. HARRIS Semiconductor Half Bridge 500V dc Driver//www.semi.harris.com

75. CONCEPT IHD 215/280/680 Data Sheet and Application Manual

76. Первый заместитель генерального1. ВСКИЙ1. АКТ

77. О внедрении научных положений и выводов кандидатской диссертации

78. БОЧКАРЕВА ДМИТРИЯ ОЛЕГОВИЧА

79. Московского авиационного института (государственного технического университета).