Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Глазов, Михаил Михайлович

  • Глазов, Михаил Михайлович
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2008, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 113
Глазов, Михаил Михайлович. Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Санкт-Петербург. 2008. 113 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Глазов, Михаил Михайлович

Введение

1 Влияние межчастичного взаимодействия на спиновую релаксацию электронов

1.1 Спиновая релаксация носителей заряда (обзор).

1.2 Кинетическая теория спиновой релаксации с учетом электрон-электронных столкновений

1.2.1 Интеграл межэлектронных столкновений

1.2.2 Спиновое расщепление в полупроводниках.

1.2.3 Решение кинетического уравнения. Тензор обратных времен спиновой релаксации.

1.2.4 Спиновая релаксация невырожденного двумерного электронного газа.

1.2.5 Спиновая релаксация двумерного электронного газа с произвольной степенью вырождения.

1.3 Сопоставление с экспериментальными данными.

1.4 Краткие итоги.

2 Спиновая динамика двумерных электронов в условиях электронного парамагнитного резонанса

2.1 Влияние магнитного поля на спиновую релаксацию носителей (обзор)

2.2 Интерференция ларморовского и циклотронного эффектов.

2.2.1 Релаксация продольной компоненты спина.

2.2.2 Время поперечной релаксации.

2.3 Сравнение с экспериментом

2.4 Спиновая динамика в структурах большим спин-орбитальным расщеплением

2.4.1 Спиновые биения без магнитного поля.

2.4.2 Влияние внешнего магнитного поля на спиновые биения

2.5 Краткие итоги.

3 Спиновые биения электронного газа во внешнем магнитном поле

3.1 Оптическая ориентация спинов свободных носителей в двумерном электронном газе (обзор).

3.2 Механизмы формирования оптических сигналов Керра и Фарадея

3.3 Спиновые биения двумерного электронного газа при резонансном возбуждении трионов и экситонов.

3.3.1 Резонансное возбуждение трионов.

3.3.2 Резонансное возбуждение экситонов.

3.4 Сопоставление с экспериментом.

3.5 Краткие итоги.

4 Тонкая структура и спиновая динамика экситонов в квантовых точках

4.1 Тонкая структура экситонных состояний в квантовых точках (обзор)

4.2 Тонкая структура экситонных состояний в немагнитных квантовых точках.

4.2.1 Структура экситонного уровня S — Р.

4.2.2 Структура экситонного уровня Р — Р

4.3 Экситонные уровни в квантовых точках с единичным магнитным ионом.

4.4 Сравнение с экспериментом

4.5 Краткие итоги.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках»

Теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых наноструктур составляют наиболее активно развивающуюся область современной физики конденсированнного состояния [1, 2]. Движение носителей заряда в таких структурах ограничено в одном или нескольких направлениях, что приводит за счет эффектов размерного квантования к качественной перестройке энергетического спектра носителей заряда и других квазичастиц. Это существенным образом сказывается на оптических и кинетических свойствах низкоразмерных систем, приводит к ряду новых физических явлений.

С другой стороны, возрастающий интерес привлекают спиновые явления в твердых телах. Понижение симметрии наноструктур по отношению к объемным полупроводникам, с одной стороны, и локализация носителей на меньших масштабах, с другой, увеличивают роль спин-орбитального взаимодействия в таких системах. В последние годы значительные усилия направлены на изучение специфики спин-орбитального взаимодействия в низкоразмерных структурах, на исследование спиновой динамики носителей заряда и их комплексов. Достижения в области оптической ориентации спинов электронов и дырок, инжекции спин-поляризованных носителей в гетероструктуры, управлении спиновой динамикой носителей внешними полями открывают возможности для создания устройств, в основе которых заложено применение дополнительной степени свободы частиц -их спина [3]. Особое внимание приковывает изучение спиновой динамики в квантовых точках, где электроны и дырки демонстрируют очень большие времена спиновой релаксации, в то время как их комплексы (экситоны) теряют свой спин на значительно меньших временных масштабах [4, 5]. Перспективной выглядит возможность создания структур, сочетающих полупроводниковые и магнитные материалы, в частности, квантовых точек, содержащих единичные магнитные ионы [6].

Исследование спиновой динамики носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах позволяет извлекать информацию как о кинетических параметрах электронов и дырок (таких как времена релаксации носителей по спину и по импульсу, частоты межчастичных столкновений), т&к и о тонкой структуре энергетического спектра носителей заряда и их комплексов.

Сказанное выше определяет актуальность темы диссертации.

Целью настоящего исследования является изучение кинетических и оптических эффектов в полупроводниковых гетероструктурах: квантовых ямах и квантовых точках - обусловленных процессами спиновой динамики носителей заряда и тонкой структурой их энергетического спектра.

Научная новизна работы состоит в решении конкретных задач:

1. Построить теорию спиновой релаксации электронов проводимости в полупроводниковых квантовых ямах с учетом межчастичного взаимодействия.

2. Изучить влияние внешнего магнитного поля на спиновую динамику электронного газа в квантовых ямах, а также спиновые биения, обусловленные спин-орбитальным расщеплением дисперсионной кривой носителей.

3. Построить теорию оптической ориентации двумерного электронного газа низкой плотности при резонансном возбуждении экситонов и трионов и разработать модель спиновых биений, возникающих в такой системе во внешнем магнитном поле.

4. Исследовать тонкую структуру и спектры фотолюминесценции возбужденных состояний экситона в квантовых точках, в частности, в точках, содержащих единичные магнитные ионы.

Практическая значимость работы заключается "в том, что в ней впервые исследовано влияние электрон-электронного взаимодействия на спиновую релаксацию носителей; впервые подробно изучен вопрос о замедлении магнитным полем спиновой релаксации электронов в квантовых ямах; впервые построена теория тонкой структуры возбужденных состояний экситонов в изотропных и анизотропных квантовых точках, в том числе точках, содержащих магнитный ион. Сопоставление полученных результатов с экспериментальными данными позволяет изучать тонкую структуру энергетического спектра носителей заряда и их комплексов, а также определять ряд кинетических параметров электронов и дырок.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Электрон-электронные столкновения, сохраняющие полный импульс ансамбля носителей, замедляют спиновую релаксацию электронного газа в механизме Дьяконова-Переля так же, как и процессы приводящие к потере полного импульса системы.

2. С увеличением степени поляризации электронного газа обменное взаимодействие между электронами приводит к стабилизации спина ансамбля носителей.

3. В подавлении спиновой релаксации двумерного электронного газа' внешним магнитным полем циклотронный и ларморовский эффекты могут интерферировать.

4. Резонансное возбуждение синглетного состояния триона циркулярно поляризованным светом приводит к спиновой ориентации резидентных электронов в квантовых ямах п-типа.

5. Тонкая структура энергетического спектра экситонов в квантовых точках с единичным ионом марганца определяется конкуренцией между электрон-дырочным дальнодействующим обменным взаимодействием и взаимодействием носителей с rf-электронами магнитного иона.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на семинарах ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИТФ им. Л.Д. Ландау РАН, на рабочих семинарах университетов Клермон-Феррана (Франция) и Саутгемптона (Великобритания), международных симпозиумах "Nanostructures: Physics and Technology" (С.-Петербург 2005, 2007) и VI Российской конференции по физике полупроводников (С.-Петербург 2003), международной школе "2nd International School on Nanophotonics" (Mapa-тея, Италия 2007, приглашенный доклад).

Публикации. По результатам исследований, проведенных в диссертации, опубликовано 10 печатных работ, список которых приведен в Заключении.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения и списка литературы. Она содержит 113 страниц текста, включая 21 рисунок и одну таблицу. Список цитируемой литературы содержит 124 наименования.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Глазов, Михаил Михайлович

Основные результаты диссертационной работы изложены в публикациях:

Al] М.М. Глазов, E.JL Ивченко, Прецессионный механизм спиновой релаксации при частых электрон-электронных столкновениях // Письма в ЖЭТФ 75, 476-478 (2002).

А2] М.М. Глазов, Механизм спиновой релаксации Дьякопова-Переля при частых электрон-электронных столкновениях в квантовой яме конечной ширины // ФТТ 45, 1108-1111 (2003).

A3] М.М. Glazov, E.L. Ivchenko, Dyakonov-Perel's" spin relaxation under electron-electron collisions in QWs // В сб. "Optical Properties of 2D Systems with Interacting Electrons" под ред. W.J. Ossau и R. Suris, 181-192 (2003). .

A4] М.М. Глазов, E.JI. Ивченко, Влияние электрон-электронного взаимодействия на спиновую релаксацию носителей тока в полупроводниках // ЖЭТФ 126, 1465-1478 (2004).

А5] W.J.H. Leyland, G.H. John, R.T. Harley, М.М. Glazov, E.L. Ivchenko, D.A. Ritchie, I. Farrer, A.J. Shields, and M. Henini, Enhanced spin-relaxation time due to electron-electron scattering in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. В 75, 165309 (2007).

A6] М.М. Glazov, Magnetic field effects on spin relaxation in heterostructures // Phys. Rev. В 70, 195314 (2004).

AT] M.M. Glazov, Effect of structure anisotropy on low temperature spin dynamics in quantum wells // Solid State Commun. 142, 531 (2007).

А8] E.A. Zhukov, D.R. Yakovlev, M. Bayer, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, G. Karczewski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Spin coherence of a two-dimensional electron gas induced by resonant excitation of trions and excitons in CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells // Phys. Rev. В 76, 205310 (2007).

A9] M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, R. v. Baltz and E.G. Tsitsishvili, Fine structure of excited excitonic states in quantum disks // Proc. Int. Symp. "Nanostructures: a *

Physics and Technology" (St-Petersburg, Russia, 2005) pp. 348-349.

A10] M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, and H. Mariette // Fine structure of exciton excited levels in a quantum dot with a magnetic ion, Phys. Rev. В 75, 205313 (2007).

Автор выражает благодарность своему научному руководителю E.J1. Ивченко. Работа под его руководством, его внимание и постоянная поддержка были для меня очень важны.

Я признателен участникам Низкоразмерного и Чайного семинаров ФТИ. Обсуждение на этих семинарах работ, вошедших в диссертацию, принесло мне большую пользу.

Я благодарен Н.С. Аверкиеву, JI.E. Голубу, С.А. Тарасенко и С.В. Гупалову за ценные замечания и всем сотрудникам сектора Ивченко за полезные обсуждения, а также М.О. Нестоклону за помощь, любезно оказанную при оформлении g * диссертации и сопутствующих документов.

Заключение

В диссертации получены следующие основные результаты:

• Построена кинетическая теория спиновой релаксации в механизме Дьяконова-Переля с учетом межчастичногр. взаимодействия. Выведен интеграл электрон-электронных столкновений при произвольной степени поляризации электронного газа.

• Показано, что электрон-электронные столкновения замедляют спиновую релаксацию по механизму Дьяконова-Переля так же, как и процессы упругого рассеяния, приводящие к релаксации импульса в ансамбле электронов. Обменное взаимодействие между электронами приводит к дополнительному зач медлению спиновой релаксации с ростом степени поляризации электронного газа.

• Теоретически изучена спиновая релаксация двумерных электронов в классических магнитных полях по механизму Дьяконова-Переля при произвольной анизотропии спинового расщепления и ориентации внешнего магнитного поля. Показано, что циклотронный и ларморовский эффекты внешнего магнитного поля либо аддитивно замедляют спиновую релаксацию, либо частично компенсируют друг друга в зависимости от типа доминирующего вклада в спиновое расщепление и знака электронного ^-фактора.

• Получено выражение для ширины линии электронного парамагнитного резонанса при произвольной анизотропии спинового расщепления и ориентации магнитного поля по отношению к главным осям квантовой ямы. *

Продемонстрировано, что спиновые биения в нулевом магнитном поле, наблюдаемые в структурах, где спиновое расщепление превышает столкнови-тельное уширение уровней, затухают за счет* Анизотропии спинового расщепления, теплового размытия функции распределения носителей и процессов рассеяния электронов.

Показано, что резонансное возбуждение синглетного состояния Х~ триона в квантовой яме с двумерным электронным газом низкой плотности приводит к ориентации резидентных электронов по спину.

Построена теория спиновых биений двумерного электронного газа во внешнем магнитном поле при резонансном возбуждении трионных и экситонных состояний. Получены зависимости начальной фазы спиновых биений от величины магнитного поля. Сопоставление построенной теории и экспериментальных данных позволило определить ^-фактор носителей и время спиновой релаксации электронов.

Построена теория расщепления возбужденных состояний экситонов за счет электрон-дырочного далыюдействующего обменного взаимодействия в аксиально симметричных квантовых точках и в точках с малой степенью анизотропии. Показано, что в аксиально симметричных квантовых точках S — Р экситонный уровень расщепляется на подуровни за счет дальнодействующе-го обменного взаимодействия, а Р—Р уровень - за счет прямого кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой.

В квантовых точках, содержащих единичный магнитный ион, тонкая структура экситонных состояний определяется конкуренцией анизотропного обменного взаимодействия и обменного взаимодействия электрон-дырочной пары с магнитным ионом, при этом спектр возбужденных состояний экситона оказывается чувствительным к положению иона относительно главных осей квантовой точки.

• Сопоставление экспериментальных спектров возбуждения фотолюминесценции одиночных квантовых точек, легированных Мп2+, позволило определить константы обменного взаимодействия между носителями, связанными в нульмерный экситон, и Зй-электронами магаитного иона.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Глазов, Михаил Михайлович, 2008 год

1. Davies J. The physics of low-dimensional semiconductors. — Cambridge University Press, 1998.

2. Ivchenko E. L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. — Alpha Science, Harrow UK, 2005.

3. Zutic I., Fabian J., Sarma S. D. Spintronics: Fundamentals and applications // Rev. Mod. Phys. 2004. - Vol. 76, no. 2. — P. 323.

4. Merkulov I. A., Efros A. L., Rosen M. Electron spin relaxation by nuclei in semiconductor quantum dots // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65. — P. 205309.

5. Photon beats from a single semiconductor quantum dot / T. Flissikowski, A. Hundt, M. Lowisch et al. // Phys. Rev. Lett. — 2001. — Vol. 86. — P. 3172.

6. Probing the spin state of a single magnetic ion in an individual quantum dot / L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault et al. // Phys. Rev. Lett. — 2004. — Vol. 93, no. 20. P. 207403.t *

7. Vina L. Spin relaxation in low-dimensional systems // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. - Vol. 11. - P. 5929.

8. Пику с Г. E., Титков А. Н. Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках // Оптическая ориентация / Под ред. Б. П. Захарченя, Ф. Майер. 1989. — С. 62.

9. Fabian J., Sarma S. D. Spin relaxation of conduction electrons. — 1999. — Preprint arXiv:cond-mat/9901170.

10. Averkiev N., Golub L., Willander M. Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductor systems //J. Phys.: Condens. Matter.— 2002.— Vol. 14.-P. R271.

11. Бир Г. JI., Аронов А. Г., Пикус Г. Е. Спиновая релаксация электронов при рассеянии на дырках // ЖЭТФ. — 1975. — Т. 69. — С. 1382.

12. Elliott R. J. Theory of the effect of spin-orbit coupling on magnetic resonance in some semiconductors // Phys. Rev. — 1954. — Vol. 96, no. 2. — Pp. 266-279.

13. Yafet Y. g-factors and spin-lattice relaxation of conduction electrons // Solid State Physics / Ed. by F. Seitz, D. Turnbull.— Academic, New-York, 1963.— P. 2.

14. Абакумов В. H., Яссиевич И. Н. Аномальный эффект Холла на поляризованных электронах в полупроводниках // ЖЭТФ.— 1971. — Vol. 61. — Р. 2571.

15. Дьяконов М. И., Перелъ В. И. Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии // ФТТ. — 1972. — Т. 13. — С. 3581.

16. Дьяконов М. И., Качоровский В. Ю. Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии // ФТП. — 1986. — Т. 20. — С. 178.

17. Dresselhaus G. Spin-orbit coupling effects in zinc blende structures // Phys. Rev. — 1955. — Vol. 100. P. 580.

18. Bychkov Y., Rashba E. Oscillatory effects and the magnetic susceptibility of carriers in inversion layers // J. Phys. C: Solid State. — 1984. — Vol. 17. — P. 6039.

19. Averkiev N. S., Golub L. E. Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures // Phys. Rev. B. — 1999. — Vol. 60, no. 23. —Pp. 15582-15584.

20. Kainz J., Rossler U., Winkler R. Anisotropic«spin-splitting and spin-relaxation in asymmetric zinc blende semiconductor quantum structures // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 7. — P. 075322.

21. Fishman G., Lampel G. Spin relaxation of photoelectrons in p-type gallium arsenide // Phys. Rev. B. — 1977. Vol. 16, no. 2, — Pp. 820-831.

22. Пику с Г. E., Марущак В. А., Титков А. Н. Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах А3В5 // ФТТ.— 1988. —Т. 22.- С. 185.

23. Room-temperature electron spin relaxation in bulk InAs / T. F. Boggess, J. T. Olesberg, C. Yu et al. // Appl. Phys. Lett2000.— Vol. 77, no. 9.— Pp. 1333-1335.

24. Spin coherence and dephasing in GaN / B. Beschoten, E. Johnston-Halperin, D. K. Young et al. // Phys. Rev. B. 2001.- Vol. 63, no. 12.- P. 121202.

25. Song P. H., Kim K. W. Spin relaxation of conduction electrons in bulk III-V semiconductors // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 3. — P. 035207.

26. Low-temperature spin relaxation in n-type GaAs / R. I. Dzhioev, K. Kavokin, V. Korenev et al. // Phys. Rev. B. — 2002. Vol. 66, no. 24. — P. 245204.i +

27. Spin relaxation in GaAs(llO) quantum wells / Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachiet al. // Phys. Rev. Lett. — 1999. — Vol. 83, no. 20. — Pp. 4196-4199.

28. Spin relaxation in GaAs/Ala;Ga1a;As quantum wells / A. Malinowski, R. S. Britton, T. Grevatt et al. // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62, — P. 13034.

29. Subpicosecond spin relaxation in GaAsSb multiple quantum wells / К. C. Hall, S. W. Leonard, H. M. van Driel et al. // Appl. Phys. Lett — 1999.— Vol. 75, no. 26. Pp. 4156-4158.

30. Picosecond electron-spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells / A. Tackeuchi, T. Kuroda, S. Muto, O. Wada // Physica B. 1999. - Vol. 272. - P. 318.

31. Weng M. Q., Wu M. W. Spin dephasing in 77-type GaAs quantum wells // Phys.а •

32. Rev. B. 2003. — Vol. 68. — P. 75312.

33. Ивченко E. Л. Спиновая релаксация свободных носителей в полупроводниках без центра инверсии в продольном магнитном поле // ФТТ. —. 1973. — Т. 15. С. 1566.

34. Lyo S. К. Electron-electron scattering and mobilities in semiconductors and quantum wells // Phys. Rev. В.— 1986. — Vol. 34, 110. 10. — Pp. 7129-7134.

35. D'Amico I., Vignale G. Coulomb interaction effects in spin-polarized transport // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65, no. 8. P. 085109.

36. Ландау Л. Д., Померанчук И. О свойствах металлов при очень низких температурах // ЖЭТФ. 1936. - Т. 7. - С. 379.

37. Ландау Л. Д. Кинетическое уравнение в случае кулоновского взаимодействия // ЖЭТФ. 1936. — Т. 7. — С. 203.

38. Ландау Л. Д. Теория Ферми-жидкости // ЖЭТФ. — 1956. — Т. 30. — С. 1058.

39. Glazov М., Ivchenko Е. D'yakonov-Perel' Spin Relaxation under Electron-Electron Collisions In QWs // Optical Properties of 2D Systems with Interacting Electrons / Ed. by W. Ossau, R. Suris. — 2003. — P. 181.

40. Wu M. W., Metiu H. Kinetics of spin coherence of electrons in an undoped semiconductor quantum well // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 61. — P. 2945.

41. Weng M. Q., Wu M. W. Spin dephasing in n-type GaAs quantum wells in the presence of high magnetic fields in voigt configuration // Phys. Stat. Sol. B. — 2003. —Vol. 239.- P. 121.

42. Weng M. Q., Wu M. W. Rashba-effect-induced spin dephasing in n-type In As quantum wells //J. Phys.: Condens. Matter. — 2003.—Vol. 15. —P. 5563.

43. Weng M. Q., Wu M. W., Jiang L. Hot-electron effect in spin dephasing in n-type GaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69. — P. 245320.

44. Anisotropic polariton scattering and spin dynamics of cavity polaritons / M. Glazov, I. Shelykh, G. Malpuech et al. // Solid State Commun.— 2005.— Vol. 134.-P. 117.

45. Roessler U., Kainz J. Microscopic interface asymmetry and spin-splitting of electron subbands in semiconductor quantum structures // Solid State , Commun.- 2002.- Vol. 121. — P. 313.

46. Stern F. Polarizability of a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. — 1967. — Vol. 18, no. 14. Pp. 546-548.

47. Чаплик А. В. Энергетический спектр и рассеяние электронов в инверсионных слоях // ЖЭТФ. 1971. - Vol. 60. - Р. 1845.i *

48. Giuliani G. F., Quinn J. J. Lifetime of a quasiparticle in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B. — 1982. — Vol. 26, no. 8. — Pp. 4421-4428.

49. Precession and motional slowing of spin evolution in a high mobility two-dimensional electron gas / M. A. Brand, A. Malinowski, O. Z. Karimov et al. // Phys. Rev. Lett. — 2002. — Vol. 89, no. 23. P. 236601.

50. Spin relaxation times of two-dimensional holes from spin sensitive bleaching of intersubband absorption / P. Schneider, J. Kainz, S. D. Ganichev et al. // Journ. Appl. Phys. 2004. - Vol. 96, no. 1. - Pp. 420-424.

51. Effect of initial spin polarization on spin dephasing and electron g factor in a high-mobility two-dimensional electron system / D. .Stich, J. Zhou, T. Korn et al. — Preprint arXiv:cond-mat/0612477.

52. Марущак В. А., Степанова M. Д., Титков А. Н. Подавление продольным магнитным полем спиновой релаксации электронов проводимости в полупроводниковых кристаллах без центра инверсии // Письма ЖЭТФ. — 1983. — Т. 37. — С. 337.

53. Magnetic-field dependence of electron spin relaxation in n-type semiconductors / F. X. Bronold, I. Martin, A. Saxena, D. L. Smith // Phys. Rev. В.— 2002.— Vol. 66, no. 23. P. 233206.

54. Semenov Y. G. Electron spin relaxation in semiconductors and semiconductor structures // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 67, no. 11. — P. 115319.

55. Suppression of Dyakonov-Perel spin relaxation in high-mobility n-GaAs / R. I. Dzhioev, К. V. Kavokin, V. L. Korenev et al. // Phys. Rev. Lett. — 2004. — Vol. 93, no. 21,- P. 216402.

56. Wilamowski Z., Jantsch W. Suppression of spin relaxation of conduction electrons by cyclotron motion // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 3. — P. 035328.

57. Оптическая ориентация электронов и дырок в полупроводниковых сверхрешетках / Е. J1. Ивченко, П. С. Копьев, В. JI. Кочерешко и др. // Письма ЖЭТФ. 1988. - Т. 47. - С. 407.

58. Spin lifetimes and ^-factor tuning in Si/SiGe quantum wells / W. Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld et al. // Physica E. — 2002. — Vol. 13. — Pp. 504507.

59. Lyubinskiy I. S., Kachorovskii V. Slowing down of spin relaxation in two-dimensional systems by quantum interference effects // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70. P. 205335.

60. Burkov A. A., Balents L. Spin relaxation in gi-two-dimensional electron gas in a perpendicular magnetic field // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 24. — P. 245312.

61. Golub L., Ivchenko E. Spin splitting in symmetrical SiGe quantum wells // Phys. Rev. B. 2004. - Vol. 69. - P. 115333.

62. Nestoklon M. O., Golub L. E., Ivchenko E. L. Spin and valley-orbit splittings in SiGe/Si heterostructures // Phys. Rev. B. — 2006. Vol. 73, no. 23. — P. 235334.

63. Ч.Сликтер. Основы теории магнитного резонанса. — М. Мир, 1982.

64. Tahan С., Joynt R. Spin relaxation in SiGe fwo-dimensional electron gases. — Preprint arXiv:cond-mat/0401615.

65. Гриднев В. H. Теория биений фарадеевского вращения в квантовых ямах с большой величиной спинового расщепления // Письма ЖЭТФ. — 2001. — Т. 74. С. 417.

66. Weng М. Q., Wu М. W., Shi Q. W. Spin oscillations in transient diffusion of a spin pulse in n-type semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69.-P. 125310.

67. Culcer D., Winkler R. Spin polarization decay in spin-1/2 and spin-3/2 systems. — Preprint arXiv:cond-mat/0610779.

68. Grimaldi С. Electron spin dynamics in impure' quantum wells for arbitrary spin-orbit coupling 11 Phys. Rev. B. — 2005. Vol. 72. — P. 75307.

69. Rashba and Dresselhaus Spin-Splittings in Semiconductor Quantum Wells Measured by Spin Photocurrents / S. Giglberger, L. E. Golub, V. V. Bel'kov et al. — Preprint arXiv:cond-mat/0609569.

70. Дьяконов M. И., Перель В. И. Теория оптической ориентации спинов электронов и ядер в полупроводниках // Оптическая ориентация / Под ред. Б. П. Захарченя, Ф. Майер. — 1989. — С. 17.

71. Lampel G. Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. — 1968. — Vol. 20, no. 10. Pp. 491-493.

72. Parsons R. R. Band-to-band optical pumping in solids and polarized photoluminescence // Phys. Rev. Lett.— 1969.— Vol. 23, no. 20.— Pp. 11521154.

73. Екимов А. И., Сафаров В. И. Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма ЖЭТФ. — 1970. — Т. 12. — С. 293.

74. Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs / Б. П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Р. И. Джиоев и др. // Письма ЖЭТФ.— 1971. —Т. 13.-С. 195.

75. Екимов А. И., Сафаров В. И. Наблюдение оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках п-типа // Письма ЖЭТФ.— 1971.— Т. 13. С. 251.

76. Pierce D. Т., Meier F., Zurcher P. Negative electron affinity GaAs: A new source of spin-polarized electrons // Appl. Phys. Lett.— 1975.— Vol. 26, no. 12.— Pp. 670-672.

77. Intrinsic radiative recombination from quantum states in GaAs-Al^Gai-^As multi-quantum well structures / C. Weisbuch, R. C. Miller, R. Dingle et al. // Solid State Comm,un. — 1981. — Vol. 37. — P. 219.

78. Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в GaAs при переходе от двумерных к трехмерным структурам / И. А. Акимов, Д. Н. Мирлин, В. И. Перель, В. Ф. Сапега // ФТП.~ 2001.— Т. 35. — С. 758.

79. Дьяконов М. И., Перель В. И. О возможности оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках // Письма ЖЭТФ. — 1971. — Т. 13. — С. 206.

80. Дьяконов М. И., Перель В. И. Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория // ЖЭТФ.— 1973.— Т. 65.— С. 362.

81. Меркулов И. А., Перель В. И., Портной М. Е. Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в квантовых ямах // ЖЭТФ. 1990. - Т. 99. - С. 1202.

82. Ивченко Е. Л., Тарасенко С. А. Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в объемных полупроводниках и гетероструктурах // ЖЭТФ. 2004. — Т. 126. - С. 426.

83. Spin coherence of two-dimensional electron gas in CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells / E. A. Zhukov, D. R. Yakovlev, M. Bayer et al. // Phys. Stat. Sol. В.— 2006. — Vol. 243. P. 878.

84. Optical initialization and dynamics of spin in a remotely doped quantum well / T. A, Kennedy, A. Shabaev, M. Scheibner et al. // Phys. Rev. В. — 2006.— Vol. 73, no. 4. P. 045307.

85. Optical control of spin coherence in singly charged (In,Ga)As/GaAs quantum dots / A. Greilich, R. Oulton, E. A. Zhukov et al. // Phys. Rev. Lett. — 2006. —a *

86. Vol. 96, no. 22. P. 227401.

87. Hole spin quantum beats in quantum-well structures / X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune et al. // Phys. Rev. В.- 1999. —Vol. 60, no. 8, — Pp. 5811-5817.

88. Oscillator strength of trion states in ZnSe-based quantum wells / G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev et al. // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62.— P. 10345.

89. Optical method for the determination of carrier density in modulation-doped quantum wells / G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev et al. // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65. — P. 115310/ "

90. Golub L. E., Ivchenko E. L., Tarasenko S. A. Interaction of free carriers with localized excitons in quantum wells // Solid State Commun. — 1998. — Vol. 108. — P. 799.

91. Аронов А. Г., Ивченко E. JJ. Дихроизм и оптическая анизотропия в среде с ориентированными спинами свободных электронов // ФТТ.-~ 1973. Vol. 15.-Р. 231.

92. Spin quantum beats of 2D excitons / Т. Amand, X. Marie, P. Le Jeune et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. - Vol. 78, no. 7.- Pp. 1355-1358.

93. Coherent spin dynamics of excitons in quantum wells / M. Dyakonov, X. Marie, T. Amand et al. // Phys. Rev. В.— 1997. — Vol. 56, no. 16. — Pp. 10412-10422.

94. Electron and hole g factors measured by spin-flip raman scattering in CdTe/CdixMgxTe single quantum wells / A. A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona et al. // Phys. Rev. B. 1997. - Vol. 56, no. 4. - Pp. 2114-2119.

95. Optical readout and initialization of an electron spin in a single quantum dot /

96. A. Shabaev, A. L. Efros, D. Gammon, I. A. Merkulov // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 20. P. 201305.

97. Submillisecond electron spin relaxation in InP quantum dots / M. Ikezawa,

98. B. Pal, Y. Masumoto et al. // Phys. Rev. B.~ 2005,— Vol. 72, no. 15.— P. 153302.

99. Woods L. M., Reinecke T. L., Lyanda-Geller Y. Spin relaxation in quantum dots // Phys. Rev. B. — 2002. Vol. 66, no. 16. — P. 161318.

100. Вир Г., Пикус Г. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. — М. Наука, 1972.

101. Denisov М., Makarov V. Longitudinal and transverse excitons in semiconductors // Phys. Stat. Sol. 5. — 1973. — Vol. 56. — P. 9.s *

102. Maialle M., de Andrada e Silva E., Sham L. Exciton spin dynamics in quantum wells // Phys. Rev. В.— 1993. Vol. 47.- P. 15776.

103. Гупалов С. В., Ивченко Е. Л., Кавокин А. В. Тонкая структура уровней локализованных экситонов в квантовых ямах // ЖЭТФ.— 1998.— Vol. 113.— Р. 703.

104. Гупалов С. В., Ивченко Е. Л. Тонкая структура экситонных уровней в на-нокристаллах CdSe // ФТТ. — 2000. — Т. 42. — С. 1976.

105. Maialle М. Z. Spin dynamics of localized excitons in semiconductor quantum wells in an applied magnetic field // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 61. — P. 10877.

106. Takagahara Т. Theory of exciton doublet structures and polarization relaxation in single quantum dots // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62. — P. 16840.

107. Electrodynamical treatment of the electron-hole long-range exchange interaction in semiconductor nanocrystals / S.V.Goupalov, P.Lavallard, G.Lamouche, D.S.Citrin // ФТТ. 2003. - Vol. 45. - P. 730.

108. Гупалов С. В., Ивченко Е. JI. Обменное взаимодействие между электроном и дыркой в полупроводниках в методе сильной связи // ФТТ.— 2001.— Т. 43. —С. 1791.

109. Franceschetti A., Zunger A. Direct pseudopotential calculation of excitoni 4coulomb and exchange energies in semiconductor quantum dots // Phys. Rev. Lett. — 1997. — Vol. 78, no. 5. Pp. 915-918.

110. Bester G., Nair S., Zunger A. Pseudopotential calculation of the excitonic fine structure of million-atom self-assembled In1a.Gaa;As — GaAs quantum dots // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 67. — P. 161306.

111. Bester G., Zunger A. Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quanttim dots do not have cylindrical symmetry: Atomistic symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric effects // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71. — P. 45318.

112. Fine structure splitting in the optical spectra *of single GaAs quantum dots / D. Gammon, E. Snow, B. Shanabrook et al. // Phys. Rev. Lett.— 1996.— Vol. 76. P. 3005.

113. Fine structure of neutral and charged excitons in self-assembled InGaAs-AlGaAs quantum dots / M. Bayer, G. Ortner, O. Stern et al. // Phys. Rev. В. — 2002.— Vol. 65.-P. 195315.

114. Bright-exciton fine structure and anisotropic exchange in CdSe nanocrystal quantum dots / M. Furis, H. Htoon, M. A. Petruska et al. // Phys. Rev. B.— 2006. — Vol. 73, no. 24. P. 241313.

115. Gourdon C., Lavallard P. Fine structure of heavy excitons in GaAs/AlAs superlattices // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46. — P. 4644.

116. Fine structure of biexciton emission in symmetric and asymmetric CdSe/ZnSe single quantum dots / V. D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 82. — P. 1780.

117. Carrier-induced spin splitting of an individual magnetic atom embedded in a quantum dot / L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault et al. // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71. P. 161307(R).s '

118. Geometrical effects on the optical properties of quantum dots doped with a single magnetic atom / Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault et al. // Phys. Rev. Lett. — 2005. — Vol. 95, no. 4. P. 047403.

119. Govorov A. O. Optical probing of the spin state of a single magnetic impurity in a self-assembled quantum dot // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70. — P. 35321.

120. Fernandez-Rossier J. Single exciton spectroscopy of semimagnetic quantum dots // Phys. Rev. B. 2006. - Vol. 73.- P. 045301.

121. Excitonic absorption in a quantum dot / P. Hawrylak, G. A. Narvaez, M. Bayer, A. Forchel // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol. 85. - P. 389.

122. Que W. Excitons is quantum dots with parabolic confiment // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45. P. 11036.

123. Семина M. А., Сергеев P. A., Сурис P. А. Локализация электрон-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям // ФТП.— 2006.— Т. 40. С. 1373.

124. Efros A. L., Rosen M. Quantum size level structure of narrow-gap semiconductor nanocrystals: Effect of band coupling // Phys. Rev. В.— 1998.— Vol. 58, no. 11. —Pp. 7120-7135.

125. Kinetic exchange between the conduction band electrons and magnetic ions in quantum-confined structures / I. A. Merkulov, D. R. Yakovlev, A. Keller et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 83. - P. 1431.

126. Spontaneous formation and photoluminescence of ZnSe dot arrays / B. P. Zhang, W. X. Wang, T. Yasuda et al. // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 71, no. 23. — Pp. 3370-3372.

127. Алейнер И. JI., Ивченко Е. Л. Природа анизотропного обменного расщепления в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II // Письма ЖЭТФ.— 1992.— Т. 55. С. 662.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.