Спектроскопия упругого отражения электронов как метод диагностики поверхности твердого тела тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Чистотин, Игорь Андреевич

• Чистотин, Игорь Андреевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Чистотин, Игорь Андреевич

Глава 1 СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ОБ УПРУГОМ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОНОВ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ

1.1. Вторично-эмиссионные методы исследования поверхности твердого тела

1.2. Экспериментальные результаты по исследованию интегрального коэффициента упругого отражения электронов

1.3. Экспериментальные результаты по исследованию углового распределения упруго отраженных электронов >

1.4. Упругое рассеяние электронов на атомах

1.5. Неупругие потери энергии электронов в твердом теле

1.6. Модель однократного упругого рассеяния электронов

1.7. Модель кратного упругого рассеяния и уравнение переноса для расчета характеристик упругого отражения электронов

1.8. Применение метода Монте-Карло для расчета характеристик упругого отражения электронов

1.9. Аналитическое применение спектроскопии упругого отражения электронов для анализа свойств поверхности твердого тела

1.10. Выводы из первой главы

Глава 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ

ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Экспериментальная методика комплексного исследования упругого и неупругого взаимодействия электронов с твёрдым телом

2.1.1. Экспериментальный прибор для комплексного исследования дифференциальных и интегральных характеристик взаимодействия электронов с твёрдым телом

2.1.2. Блок-схема экспериментальной установки

2.1.3. Исследуемые образцы и вакуумные условия

2.2., Угловое разрешение энергоанализатора' и искажающее влияние коллиматора

2.3. Погрешности измерений интегральных вторично-эмиссионных характеристик

2.4. Компенсация электрических и магнитных полей

Глава 3 РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ДИАГНОСТИКИ

ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА НА ОСНОВЕ ИЗУЧЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК УПРУГОГО ОТРАЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ

3.1. Измерение дифференциальных коэффициентов упругого отражения электронов от поверхностей твердого тела

3.2. Расчет характеристик упругого отражения, электронов по методу Монте-Карло

3.3. Влияние взаимодействия атомов в твердом теле на рассчитываемые угловые распределения упруго отраженных электронов

3.4; О возможности модификации модели однократногоупругого рассеяния электронов

3.5. Определение роли однократного упругого рассеяния в . упругом отражении электронов средних энергий от поверхностей твердых тел

3.6. Применение спектроскопии упругого отражения электронов для определения концентрации компонентов многокомпонентных твердых тел и длин свободного пробега электронов

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектроскопия упругого отражения электронов как метод диагностики поверхности твердого тела»

Одним из приоритетных направлений современной физики конденсированного состояния является исследование низкоразмерных систем. Одним из важных типов таких систем является.поверхность твердого тела. Приповерхностная область оказывает существенное влияние на характеристики- различных твердотельных систем. Известно, в частности, влияние поверхности на свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников. В связи с этим, актуальным представляется развитие методов диагностики поверхности, среди которых одними из самых информативных являются методы электронной спектроскопии. Эти методы базируются на закономерностях энергетического и пространственного-распределения- электронов, как эмитированных из твердого тела, так и отраженных от него при облучении поверхности первичными электронами. С помощью этих методов можно получить информацию о свойствах поверхности на атомарном уровне. Прежде всего, имеются в виду такие характеристики поверхности, как элементный и химический состав, структура и динамические свойства.

Можно отметить несколько методов, нашедших наибольшее применение на практике. Электронная- Оже-спектроскопия стала одним из популярнейших методов анализа элементного и химического состава приповерхностной области, дифракция* медленных электронов. -распространенный метод исследования кристаллической структуры поверхности; с помощью спектроскопии.характеристических потерь.энергии, получают информацию-о колебательных свойствах электронной подсистемы. Использование во - всех методах в качестве зондирующих частиц электронов* определяет возможность варьирования толщины анализируемого слоя путем изменения энергии первичных электронов и высокую локальность. анализа при облучении остросфокусированным пучком электронов и развертки его в растр по исследуемой поверхности. В среднем диапазоне энергий (Е ~ 0,1 10 кэВ) глубина анализа находится в пределах от долей до десятков нанометров. Такой диапазон энергий является наиболее предпочтительным для диагностики наноструктур, в том числе и приповерхностной области твердого тела.

Использование любого метода электронной спектроскопии требует учета упругого взаимодействия электронов с твердым телом. В существующих исследованиях интегральные и дифференциальные характеристики такого взаимодействия изучались в различных экспериментальных условиях. Недостаточная точность и противоречивость экспериментальных результатов затрудняет сопоставление с ними теоретических расчетов, что в свою очередь сдерживает развитие модельных представлений, а значит и возможность развития методов электронной спектроскопии на основе их использования.»

В то же время спектроскопия- упругого отражения электронов в-настоящее время выступает и как самостоятельный вид электронной-спектроскопии, который в известных из литературы работах используется в основном для определения длины свободного пробега электронов до неупругого взаимодействия для однокомпонентных по элементному составу твердых тел. Актуальность приобретает развитие методов спектроскопии упругого отражения» электронов для получения информации- о поверхности многокомпонентных твердых тел, в том числе- и такой важной, как ее элементный состав и его изменение с глубиной. Существующие методики определения распределений элементов по глубине, как правило, связаны с разрушением поверхности. Принципиальной особенностью, развиваемых в работе методов является их неразрушающий характер.

Целью настоящей работы является развитие методов спектроскопии упругого отражения электронов на основе совершенствования соответствующих модельных представлений.

В качестве объектов исследования выступали однокомпонентные и многокомпонентные твердотельные системы, в том числе халькогенидные стеклообразные полупроводники.

В диссертационном исследовании решались следующие задачи:

1) разработка и апробация экспериментальной установки; позволяющей исследовать в едином измерительном пространстве как интегральные, так и дифференциальные характеристики упругого отражения электронов; необходимые для количественной диагностики поверхности твердого тела;

2) анализ возможности применения при расчетах интегральных и дифференциальных характеристик упругого отражения электронов аналитических выражений, полученных в моделях однократного и кратного упругого рассеяния;

3) разработка методики определения распределений элементов по глубине в- приповерхностной; области многокомпонентных твердых тел на основе спектроскопии упругого отражения электронов;

4) определение длины свободного пробега до неупругого соударения и распределений элементного состава по глубине для ряда халькогенидных стеклообразных полупроводников.

Научная новизна полученных результатов.

В отличие от предшествующих работ по исследованию характеристик твердого тела методом спектроскопии упругого отражения электронов, в, которых в основном определялись характеристики однокомпонентных твердых тел, в, настоящей работе разработана и апробирована методика определения распределений элементов по* глубине в приповерхностной-области многокомпонентных твердых тел. Для чего: разработана экспериментальная методика, позволяющая в одном измерительном пространстве определять значения интегральных и дифференциальных по углу коэффициентов упругого отражения электронов от поверхности твердого тела;

- в модели кратного рассеяния рассчитан вклад электронов, рассеянных с разной' кратностью, в интегральный и дифференциальный коэффициенты упругого отражения электронов от поверхности конденсированных сред для элементов с порядковым номером Z от 3 до 82 в диапазоне энергий Е — 0,1 -МО кэВ; модифицирована модель однократного рассеяния с косвенным учетом кратного рассеяния- в приповерхностной области твердых тел, позволяющая в области средних энергий электронов определять значения интегрального и дифференциального коэффициентов упругого отражения электронов с точностью 10%;

- предложена модификация алгоритма метода Монте-Карло при теоретическом описании явления упругого отражения, позволяющая рассчитывать средние глубины выхода упруго ^ отраженных электронов от конденсированных сред в зависимости от углов рассеяния и энергий электронов; определено, что последовательное использование моделей» однократного и кратного рассеяния обеспечивает решение задачи определения распределений элементов по глубине в приповерхностной области многокомпонентных твердых тел.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Разработанная* и апробированная методика измерения абсолютных значений интенсивностей потоков упруго отраженных электронов- от поверхностей твердых тел в узком телесном угле может являться экспериментальной базой спектроскопии упругого отражения» электронов.

2. Модифицированная модель однократного упругого рассеяния электронов с косвенным учетом их кратного рассеяния в приповерхностной области твердых тел позволяет в области средних энергий электронов получать значения как интегрального, так и дифференциального (для больших углов рассеяния) коэффициентов упругого отражения с точностью не хуже 10%.

3. Модели однократного и кратного рассеяния электронов могут являться теоретической основой спектроскопии упругого отражения в части определения распределений элементов по глубине в приповерхностной области многокомпонентных твердых тел.

Теоретическая значимость работы определяется тем, что полученные результаты дают обширный материал для дальнейшего уточнения представлений об упругом взаимодействии электронов с поверхностью конденсированного состояния и совершенствования на этой основе методов электронной спектроскопии твердого тела.

Практическая значимость работы определяется тем, что в ней разработана неразрушающая методика определения распределений элементов по глубине- в приповерхностной области многокомпонентных твердых тел, основанная на исследовании интегральных и дифференциальных характеристик упругого рассеяния. Разработанная методика апробирована и использована для изучения характеристик ряда халькогенидных стеклообразных полупроводников. Полученные результаты представляют интерес для физики халькогенидных стеклообразных полупроводников и могут быть использованы» при создании устройств.на их основе: Кроме того, экспериментальные и теоретические результаты представляют интерес для совершенствования других методов электронной-спектроскопии.

Результаты работы могут быть использованы в учебном-процессе при подготовке магистрантов»и аспирантов.в>области физики конденсированного состояния.

Достоверность и научная обоснованность полученных результатов и выводов обеспечивалась адекватностью экспериментальных методик поставленным задачам, корректным учетом систематических ошибок измерений, проведением экспериментов в сверхвысоком вакууме с контролем состояния поверхности, воспроизводимостью результатов измерений, использованием для интерпретации экспериментальных результатов современных модельных представлений, а также сопоставлением с имеющимися литературными данными по проблеме исследования.

Личный вклад автора. В совместных с сотрудниками работах автору принадлежит проведение- большинства экспериментов и расчетов, а также обобщение полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были доложены на следующих конференциях:

- Х-ой Международной конференции «International« Conference on Electron Spectroscopy and Structure» (ICESS 10) Бразилия, Рио-де-Жанейро, 2006;

- П-ой Международной конференции «Наноразмерные системы (строение - свойства - технологии)» (НАНСИС 2007) Украина, Киев, 2007; а также на семинарах кафедры физической электроники РГПУ им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург (апрель, сентябрь 2007 года).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 печатных работы, из них 2 статьи в рецензируемых журналах.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. Полный объем составляет 159 страниц, в том числе 80 рисунков, 5 таблиц и список литературы (130 ссылок) на 14 страницах.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Чистотин, Игорь Андреевич

Основные результаты и общие выводы работы состоят в следующем:

1. Разработана оригинальная экспериментальная методика, позволяющая в одном измерительном пространстве определять значения интегральных и дифференциальных по углу коэффициентов упругого отражения электронов от поверхности твердого тела.

2. Определены значения интегрального и дифференциального коэффициентов упругого отражения электронов при различных энергиях и углах падения электронов на образец для Та и Ва.

3. Модифицирована модель однократного упругого рассеяния (с косвенным учетом кратности рассеяния), позволяющая получать значения интегрального и дифференциального (при больших углах рассеяния) коэффициента упругого отражения в средней области энергий с точностью 10%.

4. Выяснено, что взаимодействие между отдельными атомами в твердом теле практически не влияет на рассчитываемые значения интегрального коэффициента упругого отражения и сказывается на значениях дифференциального коэффициента только в минимуме их пространственного распределения.

5. Определен вклад однократного упругого рассеяния в упругом отражении электронов от поверхности конденсированных сред для элементов с порядковым номером 2 от 3 до 82 в диапазоне энергий £ = 0,1 - Ю кэВ.

6. На основе метода Монте-Карло получены распределения УОЭ по глубинам их выхода при разных углах рассеяния для различных веществ и энергий.

7. Методом сопоставления расчетных и экспериментальных результатов пространственного распределения коэффициента упругого отражения электронов в узком телесном угле получены значения длины свободного пробега до неупругого соударения для Та и Ва при различных энергиях электронов.

8. Разработана неразрушающая методика определения распределений элементов по глубине в приповерхностной области многокомпонентных твердых тел, которая основана на исследовании интегральных и дифференциальных характеристик упругого рассеяния и на возможности описания этих характеристик с помощью моделей однократного и кратного рассеяния.

9. Методом спектроскопии упругого отражения электронов обнаружено повышенное содержание серы в приповерхностной области трисульфида мышьяка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Чистотин, Игорь Андреевич, 2008 год

1. J1.H. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. -564 с.

2. И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. -407 с.

3. А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. -551 с.

4. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы поверхности и тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. -344 с.

5. В.А. Морозов. Отражение электронов средних энёргий от твёрдых тел. Диссертация, ЛПИ, Ленинград, 1973.

6. R. Schmid, К.Н. Gaukler and H. Seiler. Measurement of elastically reflected electrons (E<2,5keV) for imaging of surfaces in a sample ultrahigh vacuum scanning electron microscope//Scanning Electron Microscopy. 1983, v.l 1, p.501-509.

7. И.И. Хинич. Особенности упругого и неупругого взаимодействия электронов малых и средних энергий (1-1000 эВ) с упорядоченными и неупорядоченными слоями твёрдого тела. Диссертация, ЛГПИ, 1982.

8. J.S. Schilling, М.В. Webb. Low-energy electron diffraction from liquid Hg: multiple scattering, scattering factor, and attenuation//Phys. Rew., ser. B, 1970, v.2, n.6, p.1665-1676.

9. И.М. Бронштейн, В.П. Пронин. Упругое отражение электронов средних энергий от твердых тел//ФТТ.1975, т.17, в.7, с.2086-2088.

10. И.М. Бронштейн, В.П. Пронин. Упругое рассеяние электронов средних энергий металлическими пленками//ФТТ, 1975, т.17, в.8, с.2431-2433.

11. И.М. Бронштейн, В.П. Пронин. Упругое рассеяние электронов при адсорбции золота на бериллий и бериллия на золото//ФТТ, 1975, т. 17, в.8, с.2502-2504.

12. И.М. Бронштейн, А.А. Васильев, В.П. Пронин, И.И. Хинич. Упругое отражение электронов средних энергий от неупорядоченных металлических поверхностей//Известия АН СССР, сер. физич., 1985, т.49, №9, с.1755-1759.

13. В.П. Пронин. Упругое отражение электронов средних энергий от поликристаллических металлических поверхностей. Диссертация, J ДНИ, 1976.

14. G. Gergely. Elastic backscattering of electrons: determination of physical parameters of electron transport processes by elastic peak electron spectroscopy// Prog. Surf. Sci., 2002, v.71, p.31-88.

15. B.A. Канченко, Ю.Н. Крынько, П.В. Мельник, Н.Г. Находкин. Упругое отражение электронов от неупорядоченных мишеней//ФТТ, 1983, т.25, в.5, с.1448-1452.

16. Н. Мотт, Г. Месси. Теория атомных столкновений. Пер. с англ.-М.: Мир, 1969, -756 с.

17. Н. Faxen, J. Holzmark. Beitrag zur Theorie des Durchganges langsainer electronen durch gase//Z. Phys., 1927, v.45, p.307-324.

18. H.S. Massey, Burhop. Collision of electrons with atoms//Electronic and Ionic Impact. Phenom., 1969, v.l, 704, n.10, p.800.

19. R.F. Benck, J.W. Ward, E.W. Bloore. Multiple Collision Method of measuring Sticking Coefficients and Studying Reflections on Oxide Surfaces//.!. Vac. Sci., 1970, v.7, i.3, p.403-409.

20. M. Fink, A.L. Yates. Atomic Data. 1970, v.l, n.2, p.385.

21. C.J. Powell, A. Jablonski. NIST electron elastic-scattering cross-section database. Version 3.1, Standard Reference Data Program Database 64, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, 2003.

22. C.M. Kwei, Y.F. Chen, C.J. Tung. Elastic reflection of low-energy electrons from polycrystalline gold targets//J. Phys. D: Appl. Phys., 1998, v.31, p.36-42.

23. A. Jablonski, C.J. Powell. Effects of interaction potential on elastic-electron-scattering parameters in surface-sensitive electron spectroscopies// Surf. Sci., 2000, v.463, p.29-54.

24. G. Garcia, J.L. de Pablos, A. Williart. Total and elastic electron scattering cross section from Xe at intermediate and high energies//.!. Phys. B., 2002, v.35, p.4657-4667.

25. Y.F. Chen. Effect of surface excitations in determining the inelastic mean free path by elastic peak electron spectroscopy//!. Vac. Sci. Technol. A, 1995, v.l3(6), p.2665-2670.

26. K.N. Joshipura and S. Mohanan. Scattering of fast electrons by vapor-atoms and by solid-atoms a comparison/ZInternational Journal of Modern Physics B, 1988, v.2, n.3&4, p.461-469.

27. D.B. McGarrah, A.J. Antolak, W. Williamson. Elastic scattering of electrons by free and bound zinc and cadmium atoms//J. Appl. Phys. 1991, v.69, n.10, p.6812-6815.

28. J.M. Fernandez-Yarea. Cross-section for electron interactions in condensed matter//Surf. Interface. Anal., 2005, v.37, n.l 1, p.824-832.

29. M. Dapor. An analytical approximation of the differential elastic scattering cross-section for electrons in selected oxides//Phys. Lett. A, 2004, v.333, n.5-6, p.457-467.

30. J.C. Ashley. Interaction of low-energy electrons with condensed matter: stopping powers and inelastic mean free paths from optical data//J. Electron Spectroscopy Relat. Phenom., 1988, v.46, p.199-214.

31. S. Tougaard. Low energy inelastic electron scattering properties of noble and transition metals//Solid State Communications, 2002, v.61, n.9, p.547-549.

32. B. Deghfel. Transmission and backscattering energy distributions of slow electrons from metallic targets//Phys. Status solid B, 2003, v.238, n.l, p. 136143.

33. M.A. Stepovich, A.G. Khokhlov, A. A. Samokhvalov, M.M. Tchaikovsky. Approximation of electron beam energy loss in homogeneous semi conducting materials//Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 2003, v.5398, n.l, p.152-158.

34. C.J. Powell. The Energy Dependence of Electron Inelastic Mean Free Paths// Surf. Interface Anal., 1987, v. 10, p.349-354.

35. C.J. Powell. Inelastic mean free paths and attenuation lengths of low-energy electrons in solids//Scanning electron microscopy, 1984, IV, p. 1649-1664.

36. R. Shimizu, Ding Ze Jun. Monte-Carlo modeling of electron-solid interaction//Rep. Prog. Phys., 1992, v.l, p.487-531.

37. C.J. Powell, A. Jablonski. NIST electron inelastic-mean-free-path database. Version 1.1, Standard Reference Data Program Database 71, US

38. Department of commerce, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, 2000.

39. C.J. Powell. Attenuation lengths of low-energy electrons in solids//Surf. Sei., 1974, v.44, p.29-46.

40. B. Gruzza, C. Robert, L. Bideux. EPES applied to the study of gold/alumina interfaces//Appl. Surf. Sei., 2003, v.212-213, p.667-673.

41. S. Tanuma, C.J. Powell and D.R. Penn. Calculations of electron inelastic mean free paths for 31 materials//Surf. Interface Anal., 1988, v.l 1, p.577-589.

42. C.J. Powell. Recent developments in quantitative surface analysis by electron spectroscopy//!. Vac. Sei. Technol., 1986, v.4(3), p. 1532-1539.

43. A. Jablonski, B. Lesiak, G. Gergely. Derivation of the electron inelastic mean free path from the elastic peak intensity//Physical Scripta, 1989, v.39, p.363-366.

44. M.P. Seah, W.A. Dench. Quantitative electron spectroscopy of surface: a standard data base for electron inelastic mean free paths in solids//Surf. Interface Anal., 1979, v.l, n.l, p.2-11.

45. P. Mrozek, A. Jablonski, A. Sulyok. The inelastic mean free path of electrons in the ordered Al48Ni52 alloy//Surf. Interface Anal., 1988, v.ll, p.499-501.

46. Z. Berenyi, B. Aszalos-Kiss, J. Toth, D. Varga, L. Kover, K. Tokesi, I. Oserny, S. Tanuma. Inelastic mean free paths of Ge in the range of 2-10 keV electron energy//Surf. Sei., 2004, v.394, n.4-6, p.280-282.

47. D.R. Penn. Electron mean-free-path calculations using a model dielectric fimction//Phys. Rev. B, 1986, v.35, n.2, p.482-486.

48. J.C. Ashley, C.J. Tung, R.H. Ritchie. Electron inelastic mean free paths and energy losses in solids//Surf. Sei., 1979, v.81, p.409-426.

49. J.C. Ashley, C.J. Tung, R.H. Ritchie. Electron inelastic mean free paths and energy losses in solids II//Surf. Sei., 1979, v.81, p.427-439.

50. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Proposed formula for electron inelastic mean free paths based on calculations for 31 materials//Surf. Sci., 1987, v.192, p.L849-L857.

51. И.Ф. Коваль, Ю.Н. Крынько, П.В. Мельник, Н.Г. Находкин. Длина свободного пробега электронов для образования поверхностных плазмонов в алюминии//ФТТ, 1976, т.8, в.9, с.2572-2575.

52. A. Dubus, A. Jablonski, S. Tougaard. Evaluation of theoretical models for elastic electron backscattering from surfaces//Prog. Surf. Sci., 2000, v.63, p.135-175.

53. C.M. Kwei, S.S. Tsai, C.J. Tung. Angular distribution of electrons elastically backscattered from amorphous overlayer systems//Surf. Sci., 2001, v.473, p.50-58.

54. A. Jablonski, J. Zemek, P. Jiricek. Elastic electron backscattering from surfaces in selected angular ranges//Appl. Surf. Sci., 2004, v.229, n.1-4, p.67-80.

55. A. Jablonski. Analytical applications of elastic electron backscattering from surfaces// Prog. Surf. Sci., 2003, v.74, p.357-374.

56. В.П. Афанасьев, A.B. Лубенченко, С.Д. Федорович, А.Б. Паволоцкий. Отражение электронов килоэлектронвольтных энергий от многослойных поверхностей//ЖТФ, 2002, т.72, вып.11, с. 100-108.

57. A. Jablonski, J. Zemek. Maximum probability of elastic electron backscattering from surfaces of amorphous and polycrystalline solids//Surf. Sci., 1996, v.347, p.207-214.

58. W.S.H. Werner. Trajectory reversal approach for electron backscattering from solid surfaces//Phys. Rev. B, Condensed Matter Mater. Phys., 2005, v.71, n.l 1, p.l 15415-1-12.

59. A. Jablonski. Modeling of elastic and inelastic electron backscattering from surfaces//Prog. Surf. Sci., 2005, v.79, n.l, p.3-27.

60. L.G. Glazov, S. Tougaard. Electron backscattering from surface: the invariant embedding approach//Phys. Rev. B Condens. Matter Mater. Phys., 2003, v.68, n.15, p.155409-1-15.

61. C.M. Kwei, Y.C. Li. Energy spectra of electrons quasi-elastically backscattered from solid surfaces//J. Phys. D. Appl. Phys., 2004, v.37, n.2, p. 13941399.

62. W.S.M. Werner, I.S. Tilinin, M. Hayek. Angular distribution of electrons reflected elastically from noncristalline solid surfaces//Phys. Rew. B, 1994, v.50, n.7, p.4819-4833.

63. G. Gergely. Elastic Peak Electron Spectroscopy//Scanning, 1986, v.8, p.203-214.

64. D. Srbillean. Electron spectroscopies and their use for- materials characterization//Nucl. Sci. Tech., 2002, v.14, n.l, p.28-48.

65. F. Salvat, R. Mayol, E. Molins, J. Parellada. A simple model for electron scattering: elastic cross sections//J. Phys. D: Appl. Phys., 1985, v.18, p.1401-1414.

66. G.T. Orosz, G. Gergely, M. Menyhard, J. Toth, D. Varga, B. Lesiak, A. Jablonski. Hydrogen and surface excitation in electron spectra of polyethylene//Surf. Sci., 2004, v.566-568, p.544-548.

67. W.S.M. Werner. Differential probability for surface and volume electronic excitations in Fe, Pd and Pt//Surf. Sci., 2005, v.588, n.1-3, p. 26-40.

68. J. Zemek, P. Jiricek, B. Lesiak, A. Jablonski. Surface excitations in electron backscattering from silicon surfaces//Surf. Sci., 2004, v.562, p.92-100.

69. В. Lesiak, A. Kosinski and other. Influence of recoil effect and surface excitations on the inelastic mean free paths of electrons in polymers//Asta. Phys. Pol. A, 2006, v.109, n.6, p.789-800.

70. J. Zemek, P. Jiricek, B. Lesiak, A. Jablonsky. Surface excitation effects in elastic peak electron spectroscopy//Surf. Sci., 2003, v.531, p.L335-L339.

71. W.S.H. Werner, L. Kover, S. Egni, J. Toth, P. Varga. Measurement of the surface excitation probability of medium energy electrons reflected from Si, Ni, Ge and Ag surfaces//Surf. Sci., 2005, v.585, n.1-2, p.85-94.

72. T. Nagatomi, K. Goto. Absolute determination of inelastic mean-free paths and surface excitation parameters by absolute reflection electron energy loss spectrum analysis//Phys. Lett., 2005, v.87, n.22, p.22407-1-3.

73. W.S. Werner, C. Eisenmender-Sittner, J. Zemek, P. Jiricek. Scattering angle dependence of the surface excitation probability in reflection electron energy loss spectra//Phys. Rev. B. Condensed Matter Phys., 2002, v. 15, p. 155412-1-9.

74. J. Zemek, P. Jiricek, B. Lesiak, A. Jablonski. Surface excitation effects in elastic peak electron spectroscopy//Surf. Sci., 2002, v.531, n.l, p.335-9.

75. W.S.M. Werner. Obtaining quantitative information on surface excitations from reflection electron energy loss spectroscopy (REELS)//Surf. Interface Anal., 2003, v.35, n.4, p.347.

76. И.М. Бронштейн, В.П. Пронин. Учет кратности рассеяния при упругом отражении электронов средних энергий//Вопросы атомной науки и техники. Серия: общая и ядерная физика, 1985, вып.3(32), с.167-172.

77. R. Shimizu, Т. Ikuta, К. Murata. The Monte Carlo calculations technique as applied to the fundamentals of EPMA and SEM//J. Appl. Phys., 1972, v. 43, n.10, p.4233-4249.

78. V. Stary. Monte-Carlo simulation of electron interaction with a thin film//Thin Solid Films, 2002, v.433, n.l, p.326-31.

79. S. Ichimura, M. Aramata, R. Shimizu. Monte Carlo calculation approach to quantitative Auger electron spectroscopy//!. Appl. Phys., 1980, v.51, n.5, p.2853-2860.

80. L. Zommer, A. Jablonski. EPES sampling depth paradox for overlayer/substrate system//J. Electron Spectroscopy Relat. Phenom., 2006, v. 150, n.l, p.56-61.

81. E.L. Atanassov, I. Dimov, A. Dubus. A new weighted Monte-Carlo algorithm for elastic electron backscattering from surfaces//Math. Comput. Simul., 2003, v.62, n.3-6, p.297-305.

82. K. Murata, T. Matsukawa, R. Shimizu, Monte Carlo calculations of electrons scatterings in a solid targets//Jap. J. Appl. Phys., 1974, v. 10, n.6, p.678-686.

83. T. Nobuo, M. Yasuda, H. Kawata. A Monte-Carlo calculation of secondary electron emission from organic compounds/ZDigest of papers microprocesses and nanotechnology, 2003, p.312-313.

84. Z.J. Ding, X.P. Tany, H.M. Li. Monte Carlo calculation of the energy distribution of backscattered electrons//Int. I. Mod Phys. B, 2002, v. 16, n.28-29, p.4405-4412.

85. M. Kotera, K. Murata, K. Nagami. Monte-Carlo simulation of 1-10-keV electron scattering in a gold target//J. Appl. Phys., 1981, v.52(2), p.997-1003.

86. M. Kotera, K. Murata, K. Nagami. Monte-Carlo simulation of 1-10-keV electron scattering in an aluminum target//J. Appl. Phys., 1981, v.52(12), p.7403-7408.

87. R. Chacarova. Monte-Carlo model of electron elastic scattering in solids//Surf. Sci., 1996, v.351, p.303-308.

88. Z.J. Ding, H.M. Li, Q.R. Pu, Z.M. Zhang. Reflection electron energy loss spectrum of surface plasmon excitation of Ag: a Monte-Carlo study//Phys. Rev. B. Condens Matter Phys, 2002, v.66, n.8, p.85411.

89. M. Dapor. Backscattering of low energy electrons from carbon films deposited on aluminum: a Monte-Carlo simulation//.!. Appl. Phys., 2003, v.95, n.2, p.718-721.

90. G.T. Orosz, A. Sulyok, G. Gergely, S. Gurban, M. Menyhard. Calculation of the surface excitation parameter for Si and Ge from measured electron backscattered spectra by means of a Monte-Carlo simulation/ZMicrosc. Microanal., 2004, v.9, n.4, p.343-348.

91. R. Shimizu, S. Ichimura. Direct Monte-Carlo simulation of scattering processes of kV electrons in aluminum: comparison of theoretical N(E) spectra with experiment//Surf. Sci., 1983, v. 133, p.250-266.

92. J. Zemek, P. Jiricek, W.S.M. Werner, B. Lesiak, A. Jablonski. Angular-resolved elastic peak electron spectroscopy: experiment and Monte-Carlo calculations//Surf. Interface Anal., 2006; v.38, p.615-619.s

93. С.М. Kwei, P. Su, Y.F. Chen, C.J. Tung. Monte Carlo calculations of the reflection electron energy loss spectra in gold//J. Phys. D: Appl. Phys., 1997, v.30, p.13-18.

94. C.M. Kwei, Y.F. Chen, C.J. Tung. Elastic reflection of low-energy electrons from polycrystalline gold targets//J. Phys. D: Appl. Phys., 1998, v.31, p.36-42.

95. A.L. Pregenzer. Monte-Carlo calculation of Low Energy Electron Backscatter coefficient//Nucl. Instr. Meth., 1985, v.36, n.3, p.542-545.

96. G.T. Orosz, G. Gergely, S. Gurban, M. Menyhard, A. Jablonski. Inelastic mean free path data for Si corrected for surface excitation//Microsc. Microanal., 2005, v.ll, no.6, p.581-585.

97. R. Jung, J.C. Lee, G.T. Orosz, A. Sulyck, G. Zsolt, M. Menyhard. Determination of effective electron inelastic mean free path in Si02 and Si3N4 using Si reference//Surf. Sci., 2003, v.543, n.1-3, p. 153-61.

98. B. Lesiak, A. Jablonski, J. Zemek, P. Jiricek. Determination of the inelastic mean free paths of electrons in copper and copper oxides by elastic peak electron spectroscopy (EPES)//Surf. Interface Anal., 1998, v.26, i.5, p.400-411.

99. B. Lesiak, A. Jablonski, A. Kosinski, L. Kover, J. Toth, D. Varga, I. Cserny, M. Hasik. Determination of the inelastic mean free paths of electrons by elastic peak electron spectroscopy in organic samples//Surf. Sci., 2002, v.507, p.900-905.

100. L. Kover, J. Toth, D. Varga, В. Lesiak, A. Jablonskh, Surface composition of alloys derived from elastic peak intensity//Surf. Sci., 2002, v.507, p.895-899.

101. В.П. Артемьев, В.В. Макаров, Н.Н. Петров. О возможностях применения метода резерфордовского обратного рассеяния электронов; дляСисследования приповерхностных, слоев твердых тел//Известия АН- СССР, серия физическая, 1985, т.49, №9, с.1765-1769.

102. В.П. Артемьев, В.В. Макаров,. С.И. Игонин, Н.Н. Петров. Высокоразрешающая спектроскопия упругого отражения быстрых электронов//В сб. "Проблемы физической электроники 91", J1.: ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, 1991, с.5-30.

103. D.J. Szostak, J.Hi Thomas. Elastic electron backscattering for quantitative elemental analysis of laser diode structures//Surf. Interface Anal., v.ll, 1988, p.312-316.

104. С.М. Ермаков. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. М.: Наука, 1971.-368 с.

105. И.М. Соболь. Метод Монте-Карло. М.: Наука, 1968. -64 с.

106. Д. Худсон. Статистика для физиков. М.: Мир, 1967. -242 с.

107. A. Jablonski. Elastic backscattering of electrons from surfaces//Surf. Sci., 1985, v.151, p.166-182.

108. И.М. Бронштейн, В.П. Пронин, И.И. Хинич, И.А. Чистотин. Спектроскопия упругого отражения электронов как эффективный метод диагностики поверхности твердого тела//Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, сер. физическая. 2006, н.6(15), с.151-165.

109. М. Vos, M.R. Went. High-resolution study of quasi-elastic electron scattering from a two-layer system//Surf. Sci., 2006, v.600, n.10, p.2070-2078.

110. V. Afanasiev, A. Lubenchenko, M. Gubkin. Quantitative interpretation of EELS and REELS spectra//Eur. Phys. J. В., 2003, .v.37, n.l, p.117-125.

111. В.П. Пронин, И.И. Хинич, И.А. Чистотин. Однократное и кратное рассеяние в упругом отражении электронов поверхностью твердого тела//Физический вестник, в.1. Сборник научных статей. С-Пб.: Ин-т профтехобразования. РАО, 2007, с.79-85.

112. A.M. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М: Высшая школа, 1982. -367 с.

113. V.M. Lubin, М.К. Klebanov, L.I. Shapiro, М. Lisiansky, В. Spektor, J. Shamir. Peculiarities of fotorefraction effect in thick glassy As2S3 Films//J. of optoelectr. and adv. Mater., 1999, v.l, n.3, p.31-35.

114. Keiji Tanaka. Photoinduced structural changes in amorphous semiconductors//OTn, 1998, т.32, № 8, c.964-989.

115. И.В. Фекешгази, K.B. Май, Н.И. Мателешко, B.M. Мица, Е.И. Боркач. Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As2S3/AUTn, 2005, т. 39, № 8, с.986-989.

116. Л.П. Казакова, К.Д. Цэндин, М.А. Тагирджанов, Н.С. Аверкиев. Обратимые фотоиндуцированные изменения в спектре локализованных состояний в пленках AsSe//OTTT, 2005, т. 39, № 8, с.998-1003.

117. A.A. Бабаев, И.К. Камилов, П.П. Хохлачев, С.Б. Султанов, Е.И. Теруков. Особенности электропроводности стекол As2S3(Au) и As2S5(Au)//rDKTO, 2003, т. 29, № 20, с.5-11.