Спектроскопия фотоотражения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия и фосфида индия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Боков, Павел Юрьевич

• Боков, Павел Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Боков, Павел Юрьевич

Введение.

Глава 1. Теория фотоотражения полупроводниковых структур. Типы спектров фотоотражения и методы их анализа.

1.1. Эффект Франца-Келдыша.

1.2. Типы спектров фотоотражения.

1.3. Анализ многокомпонентных спектров фотоотракения.

1.3.1. Анализ модуля изменения коэффициента отражения.

1.3.2. Фазочувствительный анализ спектров фотоотражения.

1.3.3. Фурье-анализ спектров фотоотражения.

1.4. Основные трудности модуляционной спектроскопии.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1. Методы регистрации спектров фотоотражения.

2.2. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора.

2.3. Программное обеспечение для анализа спектров фотоотражения.

2.4. Регистрация спектров комбинационного рассеяния света.

Глава 3. Исследование методом фотоотражения легированных полупроводников 1пР и СаАв.

3.1. Исследование процесса активации примеси в легированных имплантацией ионов подложках 1пР и ваАБ.

3.1.1. Исследование 1пР, легированного ионами бериллия.

3.1.2. Исследование ОаАэ, легированного ионами марганца.

3.2. Исследование пленок ОаАэ, легированных кремнием.

Глава 4. Исследование методом фотоотражения гетероструктур

СаАв/АЮаАв с квантовыми ямами.

4.1. Исследование электронных переходов в нелегированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами.

4.1.1. Спектры фотоотражения нелегированных гетероструктур с квантовыми ямами.

4.1.2. Расчет энергий межзонных переходов в одиночных квантовых ямах.

4.1.3. Параметр уширения линий в спектрах фотоотражения нелегированных структур с одиночными квантовыми ямами.

4.2. Исследование электронных переходов в нелегированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными квантовыми ямами.

4.2.1. Исследование электронных переходов в двойных квантовых ямах.

4.2.2. Исследование электронных переходов в двойных квантовых ямах с разной толщиной центрального барьера.

4.3. Исследование электронных переходов в одиночных и двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs с модулированным легированием барьеров.

4.3.1. Модулировано легированные гетероструктуры.

4.3.2. Самосогласованный расчет энергий и вероятностей межзонных переходов в модулировано легированных гетероструктурах с квантовыми ямами.

4.3.3. Спектры фотоотражения модулировано легированных гетероструктур с квантовыми ямами.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектроскопия фотоотражения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия и фосфида индия»

Полупроводниковые структуры на основе арсенида галлия и фосфида индия в настоящее время широко используются для создания фотодетекторов, оптических модуляторов, мощных и сверхбыстрых транзисторов и других приборов опто - и наноэлектроники.

Одним из важных технологических процессов при изготовлении такого рода структур является легирование. К числу эффективных методов легирования относят имплантацию ионов с последующим термическим отжигом. Преимущества данного метода [1] состоят в контролируемости пространственного распределения примеси, локальности легирования, возможности точной дозировки примеси, высокой воспроизводимости дозировок. Особый интерес представляет модулированное легирование, которое позволяет изготавливать полупроводниковые структуры с высокой подвижностью носителей.

Так как оптические свойства полупроводников тесно связаны с их электрофизическими свойствами [2-4], для неразрушающей диагностики легированных полупроводниковых структур могут быть использованы оптико-спектроскопические методы, такие как комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция, спектроскопия поглощения, методы модуляционной спектроскопии.

Новый этап в развитии полупроводниковой опто- и наноэлектроники связан с применением квантово-размерных гетероструктур, в том числе, структур с квантовыми ямами [5]. Согласно теоретическим расчетам [6 - 7], квантование электронов и фононов в квантовых ямах должно уменьшать электрон-фононное взаимодействие и тем самым приводить к повышению подвижности электронов. Последнее должно способствовать уменьшению пороговых токов и увеличению квантового выхода полупроводниковых излучателей (светодиоды, полупроводниковые лазеры), улучшению соотношения «сигнал/шум» фотоприемников, росту быстродействия так называемых НЕМТ (high electron mobility transistor) -транзисторов.

Актуальность исследования такого рода структур оптическими методами обусловлена тем, что основные тенденции современной электроники направлены на создание полупроводниковых приборов с размерами порядка нескольких нанометров (в том числе и интегрированных в микросхемы), диагностика которых традиционными методами (например, эффект Холла) оказывается затруднительной.

В то же время, использование для диагностики полупроводниковых структур таких оптических методов как комбинационное рассеяния света, фотолюминесценция, спектроскопия поглощения связано с рядом трудностей. Так, определение концентрации носителей п методом спектроскопии комбинационного рассеяния света на связанных фонон-плазмонных модах практически ограничивается диапазоном (1018<п<1019) см"3, и только для полупроводников п-типа [8]. Исследования полупроводниковых структур методами фотолюминесценции и спектроскопии поглощения сопряжены, как правило, с использованием низкотемпературной (вплоть до жидкого гелия) техникой [9]. Поэтому в последнее время все большую популярность приобретают методы модуляционной спектроскопии, особенно, электро- и фотоотражение.

Метод спектроскопии фотоотражения (обзоры [10 - 12]) позволяет бесконтактно определять величины встроенных электрических полей и особенности их пространственного распределения в полупроводниковых структурах, давать оценки концентрации носителей. Этот метод особенно интересен для исследования квантово-размерных эффектов в полупроводниковых структурах, так как он позволяет определять энергии межзонных переходов даже при комнатной температуре.

Однако при анализе спектров фотоотражения многослойных полупроводниковых структур возникают сложности, связанные с идентификацией вкладов в спектр каждой из областей исследуемой структуры. Для решения этих проблем были разработаны такие методы анализа спектров как фазочувствительный анализ [13], анализ среднеполевых спектров с применением преобразования Фурье [14], анализ модуля изменения коэффициента отражения [15] (соотношения Крамерса-Кронига). Следует отметить, что использование преобразования Фурье и соотношений Крамерса-Кронига допустимо только при условии однородности встроенного электрического поля в полупроводнике. В связи с тем, что данное условие далеко не всегда оказывается выполнимым, актуальной является разработка методов, позволяющих выделять отдельные спектральные компоненты на стадии регистрации спектров фотоотражения. Например - использование модулирующего излучения с разными длинами волн.

Кроме того, ионизированная примесь и пространственная локализация носителей приводят к появлению дополнительных встроенных электрических полей [16], которые модифицируют профиль зонной структуры. Это приводит к изменению энергетического спектра электронов и дырок, и, следовательно, к изменению оптических свойств структуры. Неконтролируемое изменение энергетического спектра электронов и дырок в такого рода структурах возможно также непосредственно в ходе экспериментальных исследований. Так, применение метода фотолюминесценции для исследования легированных полупроводниковых структур сопряжено с применением больших плотностей мощности (до 10 Вт/см и более [17]) возбуждающего лазерного излучения. Последнее приводит не только к локальному разогреву образца, но и модифицирует его зонную структуру за счет фотовольтаического эффекта [10, 18].

Хильдебрандтом (ИЫеЬгапск) [19] при исследовании легированных пленок п-ОаАз методом спектроскопии фотоотражения, было показано, что с изменением плотности мощности модулирующего излучения от

1 л

2-10" до 2 Вт/см не только увеличивается интенсивность линий в спектре фотоотражения, но также изменяется их форма. Последнее обусловлено изменением зонной структуры образца в ходе эксперимента. Трудность учета такого рода неконтролируемого воздействия на образец усложняет анализ получаемой из спектров информации. В связи с этим актуальной задачей является разработка методов регистрации спектров фотоотражения, в которых влияние зондирующего и модулирующего излучений на образец сведено к минимуму.

Исследования эффектов размерного квантования в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами проводились такими модуляционными методами как пьезоотражение [20], электроотражение [11] и фотоотражение [12]. Важной задачей было получение модуляционного сигнала от одной квантовой ямы. Затем исследовались квантовые ямы разного профиля: прямоугольные [11, 21], треугольные [21], параболические [20]. Для анализа полученных из эксперимента энергий межзонных переходов в квантовых ямах чаще всего использовали метод огибающей волновой функции в простом приближении: не учитывались конечность потенциальных барьеров, различие эффективных масс носителей в слоях ямы и барьеров, непараболичность закона дисперсии в зоне проводимости. Фактически это означало, что анализ экспериментальных данных проводился лишь в рамках простых моделей. В этой связи актуальной задачей является моделирование зонной структуры реальных полупроводниковых квантовых ям.

Проводимые методом спектроскопии многочисленные исследования полупроводниковых гетероструктур - прототипов транзисторов преследуют следующие цели: оценка величин встроенных электрических полей [22], оценка плотности двумерного электронного газа в канале транзистора [23], установление влияния параметров модулированного легирования на энергетический спектр электронов и дырок в квантовых ямах. Решение данных вопросов также сопряжено с моделированием зонной структуры исследуемых объектов.

Указанные обстоятельства позволяют сформулировать цель работы: исследовать особенности фотоотражения в легированных полупроводниковых структурах на основе ОяАб и 1пР, а также в полупроводниковых квантовых ямах на основе ОаАБ/АЮаАБ, для чего разработать методику регистрации спектров фотоотражения с минимальным воздействием зондирующего излучения на образец. При этом решались следующие конкретные задачи:

1. Разработать методику регистрации спектров фотоотражения полупроводниковых структур с минимальным воздействием на исследуемый образец зондирующего излучения и отсутствием засветки фотоприемника модулирующим излучением.

2. Выяснить возможности метода спектроскопии фотоотражения для диагностики электрофизических параметров легированных слоев 1пР и ваАБ, для чего:

• Установить корреляцию спектров фотоотражения образцов 1пР, имплантированных ионами Ве+ с энергией 100 кэВ и дозой 1013 см"2 и подвергнутых термическому отжигу с их структурными и электрофизическими свойствами.

• Установить корреляцию спектров фотоотражения образцов ваАэ, имплантированных ионами Мп+ с энергией 200 кэВ и дозой 5-1015 см"2 и подвергнутых термическому отжигу с их структурными и электрофизическими свойствами.

• Провести исследование методом спектроскопии фотоотражения пленок п-ОэАб толщиной 200 нм, легированных в процессе эпитаксиального роста Б! (концентрация носителей от 3.7-1016 до 7-Ю18 см"3). Для установления вкладов в спектры фотоотражения различных областей образцов использовать в ходе исследований в качестве модулирующего излучение узконаправленных светодиодов с различными длинами волн. Исследовать методом фотоотражения спектр электронно-дырочных состояний в полупроводниковых квантовых ямах СаАБ/АЮаАБ, для чего:

• Выявить в спектрах фотоотражения одиночных и двойных квантовых ям на основе ОаАз/АЮаАБ особенности, обусловленные эффектами размерного квантования электронов и дырок, а также, модулированным легированием барьеров.

• Разработать программное обеспечение для расчета энергий электронов и дырок в полупроводниковых квантовых ямах в рамках модели огибающей волновой функции. Сопоставить энергии межзонных переходов, определенные из спектров фотоотражения, с теоретически рассчитанными.

На защиту выносятся следующие положения:

Особенности спектров фотоотражения, обусловленные электрической активацией примеси в ионно-легированных 1пР и ваАБ могут проявляться как в виде осцилляций Франца-Келдыша, так и в виде переходов с участием акцепторного уровня, в зависимости от энергии активации акцептора.

Обнаруженные в спектрах фотоотражения легированных кремнием пленок ваАБ осцилляции Франца-Келдыша двух различных частот связаны с вкладом в спектр сигналов от приповерхностной области пространственного заряда и границы раздела «легированная пленка п-ОаАэ - полуизолирующая подложка СаАэ».

Полученные из спектров фотоотражения энергии межзонных переходов нелегированных гетероструктур с квантовыми ямами ОаАБ/АЮаАБ соответствуют рассчитанным в рамках модели огибающей волновой функции для прямоугольного потенциала с учетом правил отбора по четности.

4. Основным механизмом уширения спектральных линий фотоотражения, связанных с межзонными переходами в области квантовой ямы GaAs/AlGaAs является пространственная неоднородность гетерограниц.

5. Расщепление линий в спектрах фотоотражения двойных квантовых ям связано с взаимодействием одиночных квантовых ям через туннельно-прозрачный барьер AlAs. Величина расщепления уменьшается с ростом толщины барьера AlAs и увеличивается с ростом энергии уровня в квантовой яме.

Основные результаты диссертации изложены в работах [49 -51, 74

81 - 102] и докладывались:

1. на международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов 99», г. Москва, 1999

2. на Всероссийской научно-технической конференции «Микро - и нано - электроника 2001» (МНЭ-2001), г. Звенигород, 2001

3. на первой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению, г. Калуга, 2001

4. на второй международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 2001», г. Санкт-Петербург, 2001

5. на 19th Condensed Matter Division conference (19th CMD), Brighton, 2002

6. на международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов 2002», г. Москва, 2002

7. на конференции «Оптика, оптоэлектроника и технология» (ООТ-2002), г. Ульяновск, 2002

8. на Conference on Lasers, Applications, and Technologies 2002 (LAT-2002), г. Москва, 2002

9. на 8 международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (GaAs-2002), г. Томск, 2002

10. на четвертой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников, полупроводниковой опто- и наноэлектронике., г. Санкт-Петербург, 2002

11. на Всероссийской научно-технической конференции «Микро - и нано - электроника 2003» (МНЭ-2003), г. Звенигород, 2003

12. на международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 2003», г. Санкт-Петербург, 2003

13. на международной конференции студентов и аспирантов «Ломоносов 2004», г. Москва, 2004

14. на International Workshop on Modulation Spectroscopy of

Semiconductor Structures (MS-3), Wroclaw, 2004 th

15. на 20 General Conference Condensed Matter Division EPS, Prague, 2004

16. на шестой молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, 2004

17. на 13th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (Euro MBE 2005), Grindenwald, 2005

18. на международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью 2005», г. Звенигород, 2005

Практическая ценность работы:

1. Данные, полученные из спектров фотоотражения ионно-легированных InP и GaAs, могут быть использованы для выбора оптимальных режимов отжига при ионном легировании.

2. Результаты исследования модулировано легированных структур с квантовыми ямами на основе гетеропары GaAs/AlGaAs методом фотоотражения, и их интерпретация на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона позволяют получать информацию об изменении заселенности подзон размерного квантования, что может быть использовано при разработке прототипов НЕМТ транзисторов.

3. Методики, предложенные в диссертации, могут быть использованы для бесконтактного неразрушающего контроля оптических (ширина запрещенной зоны, энергии межзонных переходов в квантово-размерных структурах) и электрофизических (величины и пространственное распределение встроенных электрических полей, величина поверхностного потенциала, концентрация носителей) параметров.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 102 наименования. Работа содержит 132 страницы, в том числе, 50 рисунков и 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Боков, Павел Юрьевич

Заключение. Основные результаты и выводы

В настоящей работе приведены результаты исследования методом спектроскопии фотоотражения легированных полупроводниковых структур на основе ваАБ и 1пР, а также, одиночных и двойных полупроводниковых квантовых ямх на основе гетеропары ваАз/АЮаАз.

1. Разработана схема регистрации спектров фотоотражения полупроводниковых структур, в которой уменьшено воздействие на образец зондирующего излучения. Это позволило избежать неконтролируемых разогрева образца и изгиба зон, связанного с фотогенерацией носителей.

2. Установлено, что особенности спектров фотоотражения, обусловленные электрической активацией примеси в 1пР, легированном ионами Ве+, и СаАБ, легированном ионами Мп+, могут проявляться как в виде осцилляций Франца-Келдыша, так и в виде переходов с участием акцепторного уровня, в зависимости от энергии активации акцептора.

3. Показано, что обнаруженные в спектрах фотоотражения легированных кремнием пленок п-ваАБ осцилляции Франца-Келдыша двух различных частот связаны с вкладом в спектр сигналов от приповерхностной области пространственного заряда и области, связанной с границей раздела «легированная пленка -полуизолирующая подложка».

4. Показано, что полученные из спектров фотоотражения энергии межзонных переходов нелегированных гетероструктур с квантовыми ямами ОаАБ/АЮаАБ, соответствуют рассчитанным в рамках модели огибающей волновой функции для прямоугольного потенциала с учетом правил отбора по четности. В модулировано легированных квантовых ямах СаАз/АЮаАБ при концентрации

I о ч легирующей примеси в барьерах, порядка 2- 10 см", происходит изменение типов межзонных переходов. Это подтверждается самосогласованным решением уравнений Пуассона и Шредингера. Установлено, что основным механизмом уширения спектральных линий фотоотражения, связанных с межзонными переходами в области квантовой ямы СаАэ/АЮаАБ является пространственная неоднородность гетерограниц.

Обнаруженное в спектрах фотоотражения двойных квантовых ям расщепление спектральных линий связано с взаимодействием одиночных квантовых ям через туннельно-прозрачный барьер А1Аб. Величина расщепления спектральных линий уменьшается с ростом толщины барьера А1АБ и увеличивается с ростом энергии уровня в квантовой яме.

Разработана программа для анализа спектров фотоотражения с применением моделей Аспнеса и Штудны, фазового анализа, преобразования Фурье, соотношений Крамерса-Кронига. Разработана программа для расчета энергетических уровней электронов и дырок, а также, энергий межзонных переходов в полупроводниковых квантовых ямах в рамках модели огибающей волновой функции.

В заключении мне хотелось бы выразить благодарность своему научному руководителю Льву Павловичу Авакянцу за предложенную интересную тему работы и постоянное внимание, и помощь в ходе ее выполнения. Старшему научному сотруднику кафедры общей физики Анатолию Васильевичу Червякову за неустанное внимание и помощь в проведении экспериментов. Ивану Алексеевичу Китову за помощь в автоматизации экспериментальной установки.

Хочется также поблагодарить коллег, изготовивших и предоставивших для исследования образцы. Это старший научный сотрудник ФИ РАН Игорь Петрович Казаков, ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Галиб Бариевич Галиев, старший научный сотрудник НИФТИ ННГУ Юрий Александрович Данилов, старший научный сотрудник НИИ «Оптрон» Тамара Павловна Колмакова, ведущий научный сотрудник кафедры физики полимеров и кристаллов физического факультета МГУ Александр Николаевич Образцов.

121

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Боков, Павел Юрьевич, 2005 год

1. Мейер Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. «Ионное легирование полупроводников» изд. «Мир», Москва (1973)

2. Sydor М., Jahren N., Mitchel W.C., Lampert W.V., Haas T.W., Yen M.Y., Mudare S.M., Tomich D.H. «Photoreflectance of AlxGai.xAs and AlxGaj.xAs/GaAs interfaces and high-electron-mobility transistors» J. Appl. Phys. Vol. 64, No 12, p. 7423 (1990)

3. Гук А.В., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Фёдоров Ю.В., Хабаров Ю.В. «Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах п-AlxGabxAs/GaAs». ФТП том 31, выпуск 11, стр. 1367 (1997)

4. Алфёров Ж.И. «История и будущее гетероструктур». ФТП, том 32, выпуск 1, стр. 3 (1998)

5. Pozela J., Namajunas A., Pozela К., Juciene V. «Electrons and phonons in quantum wells». ФТП том 33, выпуск 9, стр. 1049 (1999)

6. Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. «Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах». ФТП том 34, выпуск 9, стр. 1053 (2000)

7. Gargouri М., Prevot В., Schwab С. «Raman scattering evaluation of lattice damage and electrical activity in Be implanted GaAs» J. Appl. Phys. Vol. 62(9), p. 3902 (1987)

8. Kawai H., Kaneko J., Watanabe N. «Doublet state of resonantly coupled AlxGaixAs/GaAs quantum wells grown by metaloorganic vapor deposition». J. Appl. Phys. Vol. 58, № 3, p. 1263 (1985)

9. Shen H., Dutta M. «Franz-Keldysh oscillations in modulation spectroscopy» J. Appl. Phys. Vol. 78(4), p. 2151 (1995)

10. Pollak F.H. «Non-destructive, room temperature, characterization of wafer-sized III-V semiconductor device structures using contactless electromodulation and surface photovoltage spectroscopy». SPIE proc. Vol. 3944 p. 408(2000)

11. Misiewicz J., Sitarek P., Sek G., Kudrawiec R. «Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy» Mat. Scie. Vol. 21(3), p. 263 (2003)

12. Ганжа A.B., Кирхер В., Кузьменко Р.В., Шрайбер Й., Хильдебрандт Ш. «Фазочувствительный анализ спектров фотоотражения n-GaAs» ФТП, том 32(3), стр.272 (1998)

13. Sheibler Н.Е., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terekhov A.S. «Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectnace spectra of multilayered structures» Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 152, p. 113 (1995)

14. Hosea T.J.S. «Estimating critical-point parameters from Kramers-Kronig transformations of modulated reflectance spectra» Phys. Stat. Sol: (b) Vol. 182, p. K43 (1994)

15. Херман M. «Полупроводниковые сверхрешетки», Москва, Мир (1983)

16. Airaksinen V.M., Lipsanen H.K. «Photoreflectance study of photovoltage effects in GaAs diode strucrures» Appl. Phys. Lett. Vol. 60(17), p. 2110 (1992)

17. Hildebrandt S., Murtagh M., Kuzmenko R., Kircher W., Schreiber J. «Analysis of synchronous phase, pump power, and pump wavelengthdependent complex PR spectra from GaAs MBE structures» Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 152, p. 147(1995)

18. Lee Y. R., Ramdas A. K., Moretti A. L., Chambers F. A., Devane G. P., Ram-Mohan L. R. «Piezomodulated reflectivity spectra of GaAs/AlxGai xAs single-parabolic-quantum-well heterostructures» Phys. Rev. В Vol. 41, p. 8380(1990)

19. Qiang H., Pollak F.H., Huang Y-S., Chi W.S., Droopad R., Mathine D.L., Maracas G.N. «Photoreflectance study of GaAs/GaAlAs digital alloy compositionally graded structures» Proc. SPIE Vol. 2139, p. 11 (1993)

20. Hughes P.J., Weiss B.L., Hosea T.J.S. «Analysis of Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra of a AlxGaixAs/GaAs single quantum well structure». J. Appl. Phys. Vol. 77, № 12, p. 6472 (1995)

21. Oelgart G., Proctor M., Martin D., Morier-Genuad F., Reinhart F.K., Orschel В., Andreani L.C., Rhan H. «Experimental and theoretical study of excitonic transition energies in GaAs/AlxGaixAs quantum wells». Phys Rev В vol. 49, № 15, p. 10456 (1994)

22. Jâger A., Weiser G., Wiedemann P. «Inhomogeneous Exciton Broadening and Mean Path in InixGaxAsyPi.y-InP Heterostructures» IEEE Journal of selected topics in quantum electronics. Vol. 1, No 4, p. 1113 (1995)

23. Фальковский JI.A. «Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света» УФН том 174(3), стр. 259(2004)

24. Иванов Ю.Л., Агринская Н.В, Петров П.В., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. «Проявление А(+) центров в люминесценции двумерных структур GaAs/AlGaAs» ФТП том 36, №8, стр. 993 (2002)

25. Franz W. «Einflusseines elektrischen Felden auf eine optische absorption Skante» Z. Naturforschung Vol. 13, No 5, p. 484 (1958)

26. Келдыш JI.B. «О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов» ЖЭТФ том 34, №5, стр. 1138(1958)

27. Tharmalingam К. «Optical absorption in the presence of an uniform field» Phys. Rev. Vol. 130, No 8, p. 2204 (1963)

28. Aspnes D.E. «Band nonparabolicities, broadening, and field distributions: The spectroscopy of Franz-Keldysh oscillations» Phys Rev B. Vol. 10, p. (1974)

29. Aspnes D.E. «Third-derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance». Surf. Science. Vol. 37, p. 418 (1973)

30. Каваляускас Ю., Кривайте Г., Шаронова Л.В., Шилейка А., Шмарцев Ю.В. «Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs Alo.3Gao.7As» ФТП том 27, вып. 7, стр. 1086 (1993)

31. Aspnes D.E., Shtudna А.А. «Schottky-Barrier Electroreflectance: Application to GaAs» Phys Rev B. Vol. 7, p. 4605 (1973)

32. Rudin S., Reinecke T.L., Segall B. «Temperature dependent exciton linewidths in semiconductors» Phys. Rev. В Vol. 42(17), p. 11218 (1990)

33. Selei S., Cricenti A., Righini M., Petrillo C., Sacchetti F., Alexandre F., Chiarotti A. «Evaluation of electron-phonon coupling of Alo.27Gao.73As/GaAs quantum wells by normal incidence reflectance» Solid State Comm. Vol. 79(7), p. 561 (1991)

34. Qiang H., Pollak F.H., Sotomayor Tores C.M., Leitich W., Kean A.H., Storscio M.A., Iafrate J. «Size dependence of the thermal broadening of the exciton linewidth in GaAs/Gao^AlojAs single quantum wells» Appl. Phys. Lett. Vol. 61(12), p. 1411 (1992)

35. Hosea T.J.S. «Estimating critical-point parameters of modulated reflectance spectra» Phys. Stat. Sol. (b) Vol. 189, p. 531 (1995)

36. Ландау Л.Д., Лифшиц И.М. «Теория поля», Москва, Наука, 1980

37. Jezierski K., Markiewicz P., Misiewicz J., Panek M., Sciana B., Korbutowicz R., Tlaczala M. «Application of Kramers-Kronig analysis to photoreflectance spectra of heavily doped GaAs/Si-GaAs substrates» J. Appl. Phys. Vol. 77(8), p. 4139 (1995)

38. Yan D., Quiang H., Pollak F.H. «New offset technique for suppression of spurious signals in photoreflectance spectra» Rev. Scie. Instr. Vol. 65(6), p. 1988 (1994)

39. Chen Y. H., Ye X. L., Wang J. Z., Wang Z. G., and Yang Z. «Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGaixAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy» Phys. Rev. B Vol. 66, p. 195321 (2002)

40. Blossey D. F. «Wannier Exciton in an Electric Field. II. Electroabsorption in Direct-Band-Gap Solids» Phys. Rev. B Vol. 3, p. 1382 (1971)

41. Enderlein R. «Mechanisms of photoreflectance from superlattices and quantum wells». Proc. SPIE. Vol. 1286, p. 188 (1990)

42. Lazarenkova O.L., Pikhtin A.N. «Simulation of photoreflectance and phototransmittance excitonic spectra applied to quantum well characterization» Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 175, p. 51 (1999)

43. Herasimovich A., Shorhovets S., Goldhahn R., Gobsch G. «The dielectric function of a GaAs/AlGaAs single quantum well: calculation and comparison with experiment» Thin Solid Films. Vol. 450, p. 199 (2004)

44. Battacharya R.N., Shen H., Parayanthal P., Pollak F.H., Coutts T., Aharoni H. «Electroreflectance and photoreflectance study of spacecharge region in semiconductors: (In-Sn-0)/InP as a model system» Phys. Rev. B. Vol. 37(8), p. 4044 (1988)

45. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков A.B. «Размерное квантование в гетероструктурах GaAs/AlxGai.xAs по данным спектроскопии фотоотражения». Вестн. Моск. Ун-та. Серия 3. Физика. Астрономия. Том 32, № 4, стр. 48 (2002)

46. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков A.B. «Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора», ЖТФ, том 75(10), стр. 66 (2005)

47. Якубовский C.B., Ниссельсон Л.И., Кулешова В.И., Ушибышев В.А., Топешкин М.И. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. Справочник» стр. 349, изд. «Радио и связь», Москва (1989)

48. Авакянц Л.П., Китов И.А., Червяков A.B. «Автоматизированная установка для разностной спектроскопии комбинационного рассеяния» ПТЭ, том. 2, стр. 145 (1988)

49. Pavesi L., Guzzi M. «Photoluminescence of AlxGaixAs alloys». J. Appl. Phys. Vol. 75, №10, p. 4779 (1994)

50. Ю П., Кардона М. «Основы физики полупроводников» изд. Физматлит, Москва (2002)

51. Svavarsson Н. G., Gudmundsson J. Т., Gislason Н. P. «Impurity band in lithium-diffused and annealed GaAs: Conductivity and Hall effect measurements» Phys. Rev. B. Vol. 67, p. 205213 (2003)

52. Johnson N. M., Herring C., Bour D. «Diffusivity of positively charged hydrogen in GaAs» Phys. Rev. B. Vol. 48, p. 18308 (1993)

53. Aspnes D.E., Shtudna А.А. «Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV» Phys. Rev. B. Vol. 27, p. 985 (1983)

54. Sarma S.D., Fabian J., Ни X., Zutic I. «Spintronics: electron spin coherence, entanglement and transport» Superlatt.Microstr. Vol. 27, p. 289(2000)

55. Данилов Ю.А., Круглов A.B., Питиримова E.A., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Бехар М., Пудензи М.А.А. «Структура и свойства слоев GaAs<Mn>, сформированных ионной имплантацией» Известия РАН. Серия физическая том 68, стр. 65 (2004)

56. Ченг Л, Плог К. «Молекулярно лучевая эпитаксия и гетероструктуры», изд. Мир, Москва (1989)

57. Кардона М. «Модуляционная спектроскопия» Москва, «Мир», 197269. http://www.corvette-lights.ru/gdiods/leds/narrow/index.html

58. Chandra A., Wood С.Е.С., Woodard D.W., Eastman L.F. «Surface and interface depletion corrections to free carrier-density determinations by Hall measurements» Surf. Solid. Electr. Vol. 22, p. 645 (1979)

59. Badakhshan A., Sydor M., Alavi K., Teraguchi N., Morkoc H. «Application of differential photoreflectance spectroscopy in selective modulation of a layer within multiplayer device structures». SPIE proc. Vol. 1678, p. 159(1992)

60. Kaiser H-K., Rehberg J. «About a one-dimensional stationary Schrôdinger-Poisson system with Kohn-Sham potential» Z. angew. Math. Phys. Vol. 50, p. 423 (1999)

61. Weisbuch C., Winter B. «Quantum Semiconductor Structures. Fundamental and Applications.» Acad. Press. (1991)

62. Herman M., Bimberg D., Christen J. «Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation by luminescence techniques» J. Appl. Phys. Vol. 70(2), p. R1 (1991)

63. Yariv A., Lindsey C., Sivan U. «Approximate analytic solution for electronic wave functions and energies in coupled quantum wells». J. Appl. Phys. Vol. 58. p. 3669 (1985)

64. Bayer M., Timofeev V.B., Faller F., Gutbrod T., Forchel A. «Direct and indirect excitons in coupled GaAs/AlxGai„xAs double quantum wells separated by AlAs barriers». Phys. Rev. В Vol. 54. p. 8799 (1996)

65. Sqk G., Ryczko K., Kubisa M., Misiewicz J., Koeth J., Forchel A. «Photoreflectance study of coupling effects in double quantum wells» Proc. SPIE Vol. 3725, p. 201 (1999)

66. Sqk G., Ryczko K., Kubisa M., Misiewicz J., Bayer M., Wang T., Koeth J., Forchel A. «Photoreflectance spectroscopy of coupled InxGai xAs/GaAs quantum wells». Thin Solid Films Vol. 364, p. 220 (2000)

67. Pan N., Zheng X.L., Hendriks H., Carter J. «Photoreflectance characterization of AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures» J. Appl. Phys. Vol. 68(5), p. 2355 (1990)

68. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. «Исследование встроенного электрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения», Вестн. Моск. Ун-та. Физика. Астрономия, том 1, с.45 (2004)

69. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. «Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения», ФТП, 38(12), с. 1429 (2004)

70. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. «Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения» ФТП том 39(2), стр. 189 (2005)

71. Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Kazakov I.P. «Photoreflectance study of GaAs/AlxGaixAs quantum well structures» Тезисы докладов 19th Condensed Matter Division conference (19th CMD), Brighton, United Kingdom 7-11 april 2002

72. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков A.B. «Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs» Материалы 8 международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (GaAs-2002), стр. 214, Томск, 1-4 октябрь 2002

73. Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil'evskij I.S. «Room temperature photoreflectance investigation of undoped and doped GaAs/AlGaAs quantum well structures» Proc. SPIE Vol. 5401, p. 605 (2003)

74. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. «Особенности спектров фотоотражения InP при имплантации ионами Ве» Тезисы докладов международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 2003», стр. 258, Санкт-Петербург, октябрь 2003

75. Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V. «Characterization of structural and electrical properties of Be+ implanted InP by RamaniLscattering» Abstracts of 20 General Conference Condenced Matter Division EPS p. 130, Prague, 19-23 July 2004