Создание матричных автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода для приборов вакуумной электроники на основе комплекса лазерных технологических процессов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.02, кандидат технических наук Попов, Иван Андреевич

• Попов, Иван Андреевич
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Попов, Иван Андреевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. Современное состояние проблемы создания автоэмиссионных

катодов для вакуумной электроники. Обзор и анализ

1.1 Технологические особенности создания автоэмиссионных источников электронов

1.2 Автоэмиссионные катоды на основе углеродных материалов и способы их получения

1.2.1 Углеродные нанотрубки

1.2.2 Алмазные и алмазоподобные пленки

1.2.3 Углеродные волокна

1.2.4 Стеклоуглерод

1.3 Свойства стеклоуглерода 35 Выводы

2 Обоснование целесообразности применения ультракоротких

импульсов лазерного излучения при формировании малогабаритных МАЭК из монолитного стеклоуглерода

2.1 Теоретические основы взаимодействия лазерного излучения с веществом

2.2 Исследование особенностей микрообработки хрупких материалов импульсным лазерным излучением нано и пикосекундной длительности

2.3 Оценка прочности заготовок из монолитного стеклоуглерода при воздействии серии мощных импульсов лазерного излучения

нано- и пикосекундной длительности

2.3.1 Математическая модель исследуемого процесса

2.3.2 Постановка задачи

2.3.3 Решение поставленной задачи

2.3.4 Исследование поведения пластины при воздействии серии 69 импульсов лазерного излучения

2.3.5 Оценка прочности заготовок из монолитного стеклоуглерода при воздействии импульсов лазерного излучения нано - и

пикосекундной длительности

Выводы 88 3 Изготовление МАЭК из стеклоуглерода. Оборудование и

методика лазерной обработки стеклоуглерода

3.1 Анализ использования специализированного лазерного оборудования для создания МАЭК из стеклоуглерода

3.1.1 Твердотельные лазеры с модулированной добротностью

3.1.2 Иттербиевый волоконный лазер с модуляцией добротности

3.1.3 Фемтосекундная лазерная система на основе многопроходового усилителя «МРА-30»

3.1.4 Фемтосекундный Yb:KYW лазер с диодной накачкой

3.1.5 Твердотельный лазер NdrYAG с импульсной ламповой накачкой

и модулированной добротностью - ЛТИ-214

3.1.6 Установка на базе волоконного лазера YLP-0,5-100-20-10-RG

3.1.7 Установка на базе твердотельного лазера Nd:YAG KLS-246

3.2 Создание МАЭК с микроструктурированной поверхностью с применением лазерных технологий

3.2.1 Скрайбирование заготовки

3.2.2 Фрезерование

3.2.3 Лазерная очистка

3.2.4 Применение лазерного микроспектрального анализа при разработке способа создания МАЭК из стеклоуглерода

3.2.5 Лазерное микроструктурирование поверхности автоэмиссионного катода

3.3 Испытания автоэмиссионных катодов в диодном режиме 120 Выводы 124 Заключение 125 Список использованных источников 128 Приложения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание матричных автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода для приборов вакуумной электроники на основе комплекса лазерных технологических процессов»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы

Около пятидесяти лет назад в США были начаты работы по созданию матричных автоэмиссионных катодов (МАЭК), в результате получивших наименование катодов Спиндта. В настоящие время появилось множество публикаций по разработке и конструкции различных типов МАЭК и катодно-сеточных узлов (КСУ), построенных на принципах конструкции Спиндта. Существенный вклад в развитие физики и технологии автоэмиссионных источников электронов внесли и российские ученые: Бондаренко Б.В, Горфинкель Б.И., Григорьев Ю.А., Гуляев Ю.В., Рахимов А.Т., Синицын Н.И., Торгашов Г.В., Фурсей Г.Н, Шешин Е.П. и многие другие.

Преимущества МАЭК по сравнению с другими источниками свободных электронов (устойчивость к колебаниям температуры, малая чувствительность к радиации, безынерционность, высокая крутизна вольтамперных характеристик) определяют их область применения, которая охватывает почти все типы электровакуумных приборов от ЛБВ и клистронов до быстродействующих коммутационных приборов. Конструктивно автоэмиссионные структуры МАЭК выполняются на основе различных материалов, в том числе углеродных, среди которых выделяются катодные структуры из монолитного стеклоуглерода. Они отличаются повышенной механической прочностью, хорошей стабильностью тока автоэмиссии, способны выдержать интенсивную бомбардировку ионами остаточных газов и пондеромоторные нагрузки в несколько кг/см . Кроме того, стеклоуглерод обладает пониженной адсорбцией остаточных газов по сравнению с другими катодными материалами. Это обусловливает перспективность его использования в конструкциях электронно-оптических систем электровакуумных приборов.

Наиболее распространенная в настоящее время технология изготовления МАЭК содержит протяженный технологический маршрут, включающий фотолитографию, термохимическое травление в среде водорода в присутствии металлического катализатора, ионно-плазменное заострение, электроискровую

обработку и операции химической очистки поверхности стеклоуглерода как перед выполнением, так и после каждого из указанных технологических процессов. Недостатками данной технологии являются: сложный и длительный маршрут изготовления, дорогостоящее оборудование, экологически грязное производство, наличие примесей в приповерхностных слоях полученных микроструктур, ухудшающих эмиссионные свойства катода, что затрудняет промышленное освоение МАЭК. Поэтому разработка новых нетрадиционных способов изготовления многоострийных МАЭК, обеспечивающих повышение средней плотности токоотбора с их поверхности и снижение трудоемкости их изготовления, является весьма важной и актуальной научной и практической задачей. И наиболее перспективным в этом направлении представляется широкое использование лазерных технологий на всех этапах изготовления многоострийных МАЭК из монолитного стеклоуглерода.

Возможность применения отдельных лазерных операций для обработки стеклоуглерода рассматривается в работах Zhao, Ueno, Вае, Кучерика А.О., Kuhnke М., Шешина Е.П. Для лазерной модификации поверхностей с целью получения массива микроострий ранее были предложены: метод формирования самоорганизующихся структур под действием лазерного излучения и метод пересекающихся перпендикулярных линий, основанный на формировании острий лазерной микрогравировкой. Однако первый из них для создания многоострийных эмитирующих структур на основе монолитного стеклоуглерода вообще неприменим. Второй метод, хотя и может быть применен в производстве МАЭК, но имеет пока ограниченное применение, так как не позволяет создавать автоэмиссионные структуры с высокой плотностью упаковки острий с периодом меньше диаметра пятна лазерного излучения. К тому же полный технологический цикл изготовления МАЭК из монолитного стеклоуглерода с применением метода ЛМГ до сих пор не разработан. Недостаточно изучены физические процессы, происходящие при формировании микроострий этим методом, не отработаны технологические режимы получения микроразмерных матричных структур из

(\ О

стеклоуглерода с плотностью упаковки острий 10 см". Не определена

последовательность лазерных операций обработки стеклоуглерода при изготовлении МАЭК с высокими энергетическими характеристиками, сводящая эти операции в единый комплекс технологий. Не разработаны способы оценки прочности стеклоуглерода как хрупкого материала при воздействии серии коротких и ультракоротких импульсов лазерного излучения с высокой плотностью энергии. Отсутствуют математические модели для оценки возникающих при лазерной обработке стеклоуглерода механических напряжений и деформаций.

Цель работы: создание новой технологии изготовления МАЭК из монолитного стеклоуглерода СУ-2000 с высокой плотностью упаковки микроострий на катодных выступах и повышенной воспроизводимостью их геометрических параметров на основе разработанного комплекса лазерных технологических операций.

Для достижения поставленной цели решались следующие научно-технические задачи:

• проведение аналитического обзора современного состояния исследований в области разработок МАЭК из углеродных материалов;

• разработка методики численно-аналитического моделирования напряженно-деформированного состояния хрупких материалов при воздействии серии коротких и ультракоротких импульсов лазерного излучения с высокой плотностью энергии

• численное моделирование напряженно-деформированного состояния заготовок МАЭК из стеклоуглерода при воздействии коротких и ультракоротких импульсов лазерного излучения с высокой плотностью энергии;

• разработка технологических режимов получения микроразмерных

6 2

матричных структур из стеклоуглерода с плотностью упаковки острий 10 см' ;

• определение последовательности лазерных операций обработки стеклоуглерода при изготовлении МАЭК с целью объединения этих операции в единый комплекс технологий;

• получение рекомендаций по выбору параметров лазерного излучения, необходимых для создания МАЭК из стеклоуглерода;

• внедрение результатов работы в опытное производство МАЭК.

Методы и средства исследований. При выполнении работы использованы

научные основы вакуумной электроники и электроники СВЧ, квантовой электроники, оптики, механики деформируемого твердого тела и основные положения теории теплопередачи. Экспериментальные исследования проводились на базе стандартных лазерных технологических установок «Квант-15», «4р222ф2», «ЛТИ-502», «ЛТИ-701», «ДМарк-06 RL», «KLS 246-102», металлографических микроскопов NU (Carl Zeiss), Биолам-М и ММР-2Р, установки лазерного эмиссионного микроанализа на базе спектроаналитического комплекса.

Достоверность полученных результатов подтверждается корректностью постановки задач, выбора соответствующих физических моделей, сопоставлением расчетных данных с данными экспериментальных исследований и использованием сертифицированной стандартной аппаратуры. Обработка результатов выполнена на компьютере класса Athlon 64x2 5600+ с использованием программного пакета инженерных расчетов Mathcad 14 Enterprise Edition.

На защиту выносятся:

1. Математическая модель для оценки механических напряжений и деформаций, возникающих в заготовке из монолитного стеклоуглерода при воздействии на нее в процессе изготовления МАЭК коротких и ультракоротких лазерных импульсов с высокой плотностью энергии. Модель позволяет, не прибегая к натурным экспериментам, оперативно определить и исключить режимы лазерного излучения, вызывающие деградацию катодной поверхности: образование трещин и скалывание острий.

2. Предложенный «метод глухих отверстий» обеспечивает при лазерном формировании многоострийной микроструктуры на поверхности МАЭК из стеклоуглерода повышение плотности упаковки острий в 1,5-2 раза, хорошую

воспроизводимость геометрической формы и топологической равномерности получаемых структур, по сравнению с методом «пересекающихся перпендикулярных линий», что позволяет поставить в одинаковые автоэмиссионные условия большинство микроострий по всей катодной матрице и повысить плотность автоэмиссионного тока до 5-10 А/см .

3. Единый комплекс лазерных технологических операций, включающий операции: микроструктурирования, фрезерования, резки и лазерной очистки, обеспечивает по сравнению с известной технологией изготовления МАЭК из монолитного стеклоуглерода (фотолитография, термохимическое травление, электроэрозионная обработка) снижение операционного времени изготовления катодной матрицы в 10-12 раз.

Научная новизна работы:

• исследованы закономерности напряженно-деформированного состояния заготовок МАЭК из стеклоуглерода при воздействии на них сфокусированного короткоимпульсного лазерного излучения высокой интенсивности;

• разработана математическая модель, позволяющая исследовать напряженно-деформированное состояние заготовок МАЭК из стеклоуглерода при воздействии коротких и ультракоротких импульсов лазерного излучения с высокой плотностью энергии;

• предложен новый способ лазерного микроструктурирования монолитного стеклоуглерода, обеспечивший создание микроразмерных автоэмиссионных матричных структур из пирамидальных острий с периодом 10 мкм и повышенной, по сравнению с известным методом «пересекающихся перпендикулярных линий», не менее чем в 1.5-2 раза, плотностью упаковки острий и хорошей воспроизводимостью геометрической формы эмитирующих микроструктур в сочетании с повышенной производительностью и плотностью упаковки острий N=5*105 - 106см'2;

• разработан способ получения МАЭК из монолитных подложек стеклоуглерода СУ-2000, состоящий из комплекса лазерных технологических операций лазерной резки, фрезеровки, микроструктурирования и лазерной

очистки обрабатываемой поверхности, позволивший полностью реализовать процесс их изготовления на одной и той же лазерной установке с единой точкой позиционирования заготовки, обеспечивает по сравнению с известной технологией изготовления МАЭК из монолитного стеклоуглерода (фотолитография, термохимическое травление, электроэрозионная обработка) снижение операционного времени изготовления катодной матрицы в 10-12 раз;

• даны рекомендации по выбору технологических режимов лазерной обработки при изготовлении МАЭК из стеклоуглерода СУ-2000.

Практическая значимость. На основании проведенных исследований разработан комплекс лазерных технологических процессов, позволяющий снизить временные затраты и повысить экономическую эффективность изготовления одного образца МАЭК из монолитного стеклоуглерода в 3-5 раз по сравнению с существующими методами. Технология изготовления МАЭК прошла апробацию на ФГУП «Н1111 «Алмаз». Полученные экспериментальные результаты и методики позволят разработать ЭВП СВЧ с микросекундным временем готовности.

Подана заявка №2013101115 от 9.01.13 на патент «Способ изготовления автоэмиссионного катода».

Внедрение результатов работы. Разработанный комплекс лазерных технологических процессов внедрен в опытное производство МАЭК из монолитного стеклоуглерода в НПЦ «Электронные системы ОАО «НПП «Алмаз» и НПФ «Прибор-Т» СГТУ имени Гагарина Ю.А.

Большая часть исследований проведена при выполнении грантов в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы НК-423П/52 НК-566П/8; 2012-1.2.1-12-000-1010-071; Грант Президента РФ МК-8473.2010.8; ФЦП мероприятия 1.4 «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах» 2009 г., 2011 г., 2012 г.

Материалы диссертации используются в учебном процессе на кафедре «Электронное машиностроение и сварка» СГТУ имени Гагарина Ю.А. при подготовке бакалавров и магистров по направлению № 150200.

Апробация работы. Материалы работы доложены и обсуждены на VI Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (МАТИ, Москва, 2007, 2008), 7-й Всероссийской молодежной научной школе «Нано-, микро, оптоэлектроники и Волоконной оптики: физические,свойства и применение» (Саранск, 2008, 2010) 16th International School on Quantum Electronics "Laser physics and applications" (Болгария, Нессебр, 2010), International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (Казань, 2010), IV Российском семинаре по волоконным лазерам (Ульяновск, 2010), International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (Казань, 2010), 13-14th International Conference Laser 0ptics'2008-2010 (Санкт-Петербург, 2008, 2010), XV International School for Young Scientists and Students on Optics, Laser Physics & Biophysics (Саратов, 2010, 2011, 2012), XVI Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2010» (Москва, 2010, 2011), 20th International Laser Physics Workshop LPHYS'l 1 (Сараево, Босния и Герцеговина, 2011), 16-20th International Conference on Advanced Laser Technologies (Венгрия, 2008, Турция, 2009, Нидерланды, 2010, Болгария, 2011, Швейцария, 2012)

Работа удостоена гран-при на VII, серебряной медали на IV, V, VI и бронзовой медали на III и VII «Саратовском салоне изобретений, инноваций, инвестиций»; диплома II степени на конкурсе Международной научно-технической организации «Лазерная ассоциация» на лучшую отечественную разработку в области лазерной аппаратуры и лазерно-оптических технологий.

Публикации. По теме диссертации опубликованы 16 работ, в том числе 5 статей в журналах, рекомендованных ВАК РФ, и 11 статей в научных сборниках.

Личный вклад автора заключается в постановке цели и задач исследований, проведении численных расчетов, необходимых для интерпретации полученных экспериментальных и теоретических результатов, разработке экспериментального

оборудования, проведении экспериментальных исследований. Обсуждение полученных теоретических и экспериментальных результатов проводилось совместно с соавторами научных статей.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованной литературы, включающего 150 наименования, и акта внедрения. Диссертация изложена на 140 листах машинописного текста, содержит 60 рисунков и 5 таблиц.

1 СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ СОЗДАНИЯ АВТОЭМИССИОННЫХ КАТОДОВ ДЛЯ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.

ОБЗОР И АНАЛИЗ

1.1 Технологические особенности создания автоэмиссионных источников

электронов

Среди перспективных задач современной вакуумной микроэлектроники важное место отводится поиску стабильных быстродействующих автоэмиссионных катодов. Поэтому в настоящее время ведутся активные исследования возможностей использования новых материалов для создания эффективных холодных источников электронных потоков. Преимущества автоэлектронных катодов по сравнению с другими видами источников свободных электронов хорошо известны [1]. К их числу относятся: отсутствие накала, высокая плотность тока автоэмиссии, безынерционность, устойчивость к колебаниям температуры, малая чувствительность к внешней радиации, экспоненциально высокая крутизна вольтамперной характеристики. Совокупность перечисленных свойств определяет перспективность применения автоэмиссионных катодов в различных типах вакуумных СВЧ приборов.

Создание и применение электронных пушек, изготовленных на основе автоэмиссионных катодов, является одним из перспективных путей изготовления современных высокоэффективных, мощных ЭВП. Совокупность свойств углеродных матричных автоэмиссионных катодов делает их привлекательными в качестве источников свободных электронов и стимулирует разработку и изготовление на их основе ЭВП средней и большой мощности. Для приборов с автоэмиссионными катодами ожидается микросекундное быстродействие и высокая экономичность, обусловленная отсутствием накала.

Основная трудность в создании стабильных автоэлектронных катодов состоит в высокой чувствительности автоэмиссии к изменениям геометрической формы рельефа поверхности катода. В электровакуумных приборах поверхность

автоэмиссионного катода подвергается ионной бомбардировке, воздействию пондеромоторных нагрузок, десорбции и адсорбции молекул и ионов остаточных газов. Перечисленные процессы, как в совокупности, так и по отдельности, в зависимости от режима эксплуатации и конструкции автоэмиссионного катода способны привести к ряду эффектов, вызывающих изменения параметров его работы. К таким эффектам относятся: изменение количества и расположения микровыступов, разогрев катода и появление механических напряжений, распыление материала эмиттера, изменение работы выхода электронов.

Развитие технологий применяемых в твердотельной микроэлектронике позволило расширить возможности их использования в электровакуумной отрасли в производстве автоэмиссионных катодов и получении приборов со сверхмалыми размерами. Межэлектродные расстояния в некоторых приборах достигают микронных размеров, а эмитирующие острия имеют радиус кривизны десятки нанометров. Необходимость разработки стабильных автоэмиссионных катодов для их практического применения в СВЧ приборах определяет важность исследований автоэлектронной эмиссии различных групп материалов, а также решение фундаментальных физических проблем, связанных с определением закономерностей автоэлектронной эмиссии этих материалов.

На сегодняшний день наибольшее распространение получили технологии изготовления автоэмиссионных катодов, базирующихся преимущественно на использовании технологий микро- и наноэлектроники [1-6]. В 60-е годы прошлого века Спиндт и его сотрудники начали исследования по созданию матричных структур с микроостриями с целью их применения в качестве автоэмиссионных катодов [2-5]. За основу были взяты новейшие достижения в тонкопленочной технологии и электронно-лучевой литографии. Предложенная технология была использована для изготовления матричных автоэмиссионных катодов (МАЭК) с различным числом молибденовых микроострий [2,3]. Высота эмиттеров составляла около 1.5 мкм, радиус кривизны вершины острий - 0.05 мкм. Кроме точности, с которой можно размещать отдельные острия, и возможности размещения большого числа острий на малой площади, главное

преимущество таких катодов состоит в низком рабочем напряжении - от 100 до 300 В по сравнению с диапазоном напряжений от 1000 до 3000 В для традиционных эмиттеров, получаемых методами травления. Малое рабочее напряжение таких катодов делает их менее уязвимыми к пробою за счет слабой ионизации окружающих остаточных газов. Как отмечают авторы [2], хотя молибден и считается хорошим материалом для изготовления острий, но он не является идеальным в связи с ощутимой разницей коэффициентов термического расширения молибдена и кремния, служащего подложкой для выращивания острий. Следствиями этого являются принципиальная неустранимость с поверхности острий адсорбированных газов и возможность их вторичного поглощения при прогревах и охлаждениях. Другим недостатком подобных структур является необходимость поддержания достаточно высокого вакуума на уровне 10"7-10~8Па [2-5].

Следует отметить, что технология создания катодов Спиндта требует создания особо чистых помещений и применения дорогостоящего технологического оборудования. Процесс изготовления катода состоит из нескольких основных этапов. На подложку кремния наносится слой двуокиси кремния методами окисления (толщина слоя более 1 мкм), затем на БЮг напыляется слой молибдена толщиной ~ 0.4 мкм. Методами травления формируется окно в молибденовом слое, и плавиковой кислотой стравливают слой БЮг до кремниевой подложки. Пленка молибдена нависает над отверстием, так как кислота не действует на неё. После этого на сформированную структуру в вакууме наносится слой алюминия, который вызывает "зарастание окон", оставляя отверстие необходимой величины, через которое производят напыление молибденовых острий. Затем производится растворение алюминия, в результате чего образуется катод, изображенный на рисунке 1.1. Изображение катода на рисунке 1.1 получено методом растровой электронной микроскопии (РЭМ).

Используя описанную выше технологию, были созданы катоды Спиндта с плотностью упаковки острий 6,4x105 см"2 [8]. Однако проблема стабильной

работы данного типа катодов не решена для наиболее часто используемых давлений остаточных газов в электровакуумных приборах порядка р=10"4-Ч0"5 Па.

а, 0 к V к I а . й к* 'й и иУ т

а

{ 0.5-1.5 мкм

к

основание

Мо сетка

0.2-0.4мкм

ЭЮ2 изолятор

Мо эмиттер

Рис. 1.1 Катода Спиндта: а) схематическое изображение; б) РЭМ изображение [7].

Другое технологическое направление связано с разработкой автоэлектронных эмиттеров, полностью построенных на кремниевой основе, стабильность и долговечность которых сохраняется в условиях ионной бомбардировки. Кроме того, автоэлектронная эмиссия кремния слабо зависит от величины давления остаточных газов. Развитие технологии МАЭК на основе кремния и результаты их исследований представлены в [9].

В разработке кремниевых МАЭК определенный прогресс был достигнут в исследовательском центре Херста (вЕС, Великобритания). Были созданы с помощью метода ультрафиолетовой литографии и травления острийные структуры пирамидальной формы с плотностью упаковки 2-107см~2. Данная матрица, содержащая 80 кремниевых эмиттеров п-типа, обеспечивала ток эмиссии до 10 мкА при напряжении 200-К300 В. [10].

Сравнительный анализ характеристик полностью кремниевых и тонкопленочных эмиссионных матриц показал, что кремниевые матрицы имеют более низкие плотности тока на острие, чем молибденовые или вольфрамовые. Преимущества кремниевых эмиттеров состоит в том, что они обладают большей структурной прочностью в силу ограниченной подвижности носителей заряда в кремнии.

В последние годы наметились технологии, использующие нелитографические способы формирования автоэмиссионных микро- и наноструктур.

В работе [11] рассматривается повышение автоэлектронной эмиссии приборов на основе кремния методами электрохимического структурирования поверхности. Были получены столбчатые эмитирующие острия диаметром до 100 нм и разбросом высот от 1 до 50 мкм, в зависимости от параметров процесса структурирования. Морфологическая характеристика проводилось на основе анализа изображений, полученных на растровом электронном микроскопе (РЭМ изображение). На рисунке 1.2 показаны игольчатые структуры, возникающие на поверхности кремниевых пирамид.

Рис 1.2: Эмитирующие острия на поверхности кремниевых пирамид

Автором [12] всесторонне рассматриваются свойства микроструктурированной поверхности кремния, полученной воздействием излучения фемтосекундного лазера, и применение первых результатов в оптоэлектронных приборах. Облучение поверхности кремния короткими лазерными импульсами высокой интенсивности в среде гексафторида серы приводит к резкому изменению морфологии поверхности и её оптических

свойств. После облучения на поверхности кремния образуется квазиупорядоченный массив микроразмерных конических структур (рисунок 1.3).

Рис. 1.3: РЭМ изображение типичной структуры на поверхности кремния после воздействия лазерного излучения фемтосекундной длительности

Оба изображения структурированной поверхности кремния на рисунке 1.3 получены на растровом электронном микроскопе под углом 45 градусов.

1.2 Автоэмиссионные катоды на основе углеродных материалов и способы

их получения

На рисунке 1.4 представлена классификация искусственных углеродных материалов, которые, по мнению автора работы [13], представляют интерес для использования в качестве исходных при создании автоэлектронных катодов. Эта классификация в достаточной степени условна. Основные группы материалов: углеродные волокнистые материалы, конструкционные массивные материалы различной технологии изготовления, пленки и композиционные материалы. В отдельную группу выделены новые и модифицированные углеродные материалы, которые разрабатывают направленно с улучшенными автоэмиссионными свойствами.

Композиционные материалы

Конструкционные материалы

Углеродные материалы для автоэмиссии

Новые и модифицированные материалы

углеродные пленки

Углеродные волокна

На основе ПАН

На основе пека

Пироугеродные

Алмазоподобные пленки

Нанотрубки

Фуллерены

Рис. 1.4: Классификация типов углеродных материалов, представляющих интерес

для изготовления автокатодов

Все группы углеродных материалов имеют широкое применение. Для автоэлектронных катодов выбирают те модификации, которые обладают наилучшими автоэмиссионными свойствами. Далее будут рассмотрены материалы и группы материалов, которые получили наибольшее распространение при создании МАЭК, а также технологии их изготовления.

1.2.1 Углеродные нанотрубки.

В настоящее время теоретические и экспериментальные исследования автоэмиссионных свойств углеродных нанотрубок (УНТ) вызывают повышенный интерес ученых [14-40]. Разрабатываются технологии создания знакосинтезирующей техники [41], различных датчиков и наноразмерных электронных приборов [42-44].

В основе создания углеродных нанотрубок и материалов на их основе лежат различные технологии: дуговой разряд, лазерное испарение и осаждение, высокочастотная плазма, пиролиз. Наиболее эффективны и популярны на

сегодняшний день технологии пиролиза углеводородов (CVD- Chemical vapor deposition — химическое газофазное осаждение) и плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD). Каталитический пиролиз углеводородов заключается в следующем. На подложки для роста нанотрубок наносят слой металла катализатора в виде наночастиц, чаще всего используют никель, кобальт [45], железо, или их сочетание [46]. Диаметр получаемых нанотрубок зависит от размера частиц металла катализатора. Подложку нагревают приблизительно до 700° С. Чтобы стимулировать рост нанотрубок, в реактор подаются два газа: технологический газ (например, аммиак, азот или водород) и углеродосодержащий газ (например, ацетилен, этилен, этанол или метан). Нанотрубки начинают расти на частицах металлического катализатора. При распаде углеродосодержащих газов на поверхности частиц катализатора образуется избыток молекул углерода, который вызывает рост нанотрубок на одной из граней частицы катализатора. Этот механизм еще изучается [47]. Каталитический пиролиз углеводорода становится активной областью исследований и может быть перспективным маршрутом для массового производства УНТ.

Эксперименты, описанные в работе [48], показали, что отдельные углеродные нанотрубки - отличные полевые эмиттеры. Их эмиссионные характеристики напрямую связаны с уникальной структурой и химической связью УНТ. Однако ситуация усложняется для макроскопических катодов, содержащих ассамблеи УНТ (рис. 1.5).

Понимание связи между структурой индивидуальных УНТ, их высокоуровневой архитектурой и макроскопическими свойствами эмиссии остается сложной научной задачей и является важным для технологических применений. При разработке и изготовлении катодов необходимо учитывать несколько важных параметров, таких как: тип УНТ (многостенные или одностенные); ориентация, пропорции и плотность УНТ; взаимодействие нанотрубок с поверхностью подложки и равномерность их распределения. В идеальном варианте (рис 1.5 (а)), углеродные нанотрубки должны быть

ориентированы в направлении поля, и отношение расстояния между отдельными нанотрубками к их высоте должно быть больше единицы, что уменьшает электрическое экранирование [48].

Ш

Идеальный вариант, нет экранирования

ориентированные многостенные нанотрубки э/И -0.015

ттштшшшшшш

(с) пленка из смешанных нанотрубок в/И - ?

Рис. 1.5: Схемы иллюстрирующие различные геометрии макроскопического поля катодов из нанотрубок и изображения изготовленных структур.

Существует немало публикаций об использовании углеродных нанотрубок для создания холодных катодов в СВЧ-приборах. В работе [49] сообщается о создании СВЧ-приборов на основе автокатодов, покрытых пленкой из вертикально ориентированных нанотрубок. После отжига и тренировки катода из нанотрубок авторами в непрерывном режиме при напряженности поля 7 В/мкм была достигнута плотность автоэмиссионного тока 5 мА/см2. Пороговая напряженность поля при этом составляла от 1 до 2 В/мкм. Необходимо заметить,

что авторами исследовался прототип автоэмиссионного катода для лампы бегущей волны (ЛБВ), далекий от реального применения в приборах. Для того, чтобы подобные катоды нашли широкое применение в СВЧ-приборах, значения их плотности токов эмиссии пока остаются недостаточными.

В работе [50] сообщается о развитии в США исследований автоэмиссионных катодов на основе углеродных нанотрубок с целью увеличения тока эмиссии и площади эмитирующей поверхности. Отмечается, что при больших токах эмиссии такие катоды имеют относительно короткое время жизни, обусловленное термическим разрушением нанотрубок. Однако проблема практически снимается при импульсном режиме работы катода, характерном для мощных источников СВЧ-излучения. В 2004 году появилось сообщение о том, что в одном из университетов штата Северная Каролина (США) разработан импульсный источник с нанотрубным катодом, обеспечивающий рекордную

3 2

импульсную плотность тока электронной эмиссии до значений 2-10 А/см при длительности импульса 1 мкс.

Существенный вклад в решении проблемы использования углеродных нанотрубок в качестве источника автоэлектронов сделала группа ученых из Иллинойского университета и корейских университетов (Kwangwoon University, Sungkyunkwan University), выполнившая проектирование и экспериментальное исследование автоэлектронных катодов для ЛБВ [51]. Описываемый в данной работе автоэмиссионный катод имел сферическую форму и изготовлялся на основе пасты, приготовленной из порошка, состоящего из многослойных углеродных нанотрубок. При приготовлении этой пасты использовались органические растворители и неорганические связующие вещества. Даная паста наносилась печатным способом на сферический катод, который имел диаметр 4,3 мм и радиус кривизны сферы 9,73 мм. На рисунке 1.6 представлена схема испытания катода в диодном режиме. Зазор между катодом и анодом составлял 480 мкм, при этом площадь, покрытая пастой, равнялась 0,15 см .

Рис. 1.6: Конструкция и схема измерения параметров автоэлектронной пушки в

диодном режиме

При анодном напряжении 2400 В и напряженности поля 5 В/мкм удалось получить стабильный ток эмиссии ~11 мА и плотность тока ~ 73 мА/см . Измерения проводились в непрерывном режиме при давлении 3-10"6 торр.

1.2.2 Алмазные и алмазоподобные пленки

В качестве новых и перспективных материалов также можно рассматривать алмазоподобные и алмазные пленки. Алмазные материалы обладают высокой химической стойкостью, твердостью и теплопроводностью при комнатной температуре, а также обладают стойкостью к ионной бомбардировке. Алмазные пленки имеют запрещенную зону равную 5.5 эВ, диэлектрическую проницаемость ~ 5.6, подвижность дырок 1600см/В-с, подвижность электронов 2400 см/В-с,

п

поле пробоя (2-10 В/см) и теплопроводность (2000 Вт/К-м). Появление у алмазных материалов эмиссии электронов при низких напряженностях электрического поля (менее 1 В/мкм) наблюдается благодаря отрицательному электронному сродству. Создание катодов из алмазных материалов с большей стабильностью, чем металлические, возможно из-за более устойчивой структуры

кристаллической решетки [52, 53]. Описанные выше свойства алмазных материалов позволяют развивать исследования по разработке и созданию различных электронных и оптоэлектронных радиационностойких быстродействующих высокочастотных приборов, способных работать в условиях высоких температур.

Впервые алмазные пленки были получены осаждением из пучков ионов углерода [54]. Пленки состояли практически полностью из атомов углерода (а-С пленки) с алмазной гибридизацией валентных электронов (sp3- гибридизация), но размеры кристаллографически упорядоченных областей при этом не превышали нескольких десятков нанометров. Свойства а-С пленок удалось улучшить благодаря использованию пучка ионов аргона для распыления графитовой мишени (с последующим осаждением атомов углерода на подложку) и для воздействия на покрытие во время роста [55]. Алмазоподобные пленки, получаемые методами химического осаждения из газообразных углеводородов, активированных с помощью радиочастотной [56], микроволновой [57] и других видов плазмы, содержат значительное количество водорода (до 50 %) и состоят из нескольких фаз (мелкодисперсных алмазной, графитовой и полимерной). Тем не менее такие покрытия по ряду свойств близки к алмазу и называются аморфными алмазоподобными гидрогенизированными пленками, или а-С:Н пленками. Наибольшие скорости получения подобных пленок достигают десятков микрон в час[58]. В работах [59-63] описаны другие способы создания клинообразных и острийных автоэмиссионных матриц на основе алмаза

На рисунке 1.7 показаны фотографии алмазных пленок, полученных авторами работы [64] методом химического газофазного осаждения (CVD -chemical vapor deposition) и выдержанных в смеси водорода и метана, что повлияло не только на структуру покрытия, но и на его эмиссионные свойства. На рисунке 1.7 (а) изображены алмазные покрытия, полученные в среде водорода, разбавленного 1% метана, в течение 2 ч; на рисунке 1.7 (Ь) - полученные в среде водорода, разбавленного 1% метана в течение 18 ч; на рисунке 1.5 (с) - в смеси метанола с этанолом при соотношении по массе 100:5.

Недостатками автокатодов на основе алмазных материалов являются низкие плотности токов и высокие пороговые напряжения автоэлектронной эмиссии, составляющие 22...72 МВ/м и более.

(с)

Рис. 1.7: РЭМ фотографии алмазных покрытий полученных в микроволновой плазме при температуре подложки 800° С [64]

Особые надежды в устранении этих недостатков возлагаются на получение композитных наноалмазных эмиттеров, в которых, кроме уже названных традиционных свойств алмаза, присущих массивному кристаллическому состоянию, будут присутствовать квантовые эффекты, характерные для низкоразмерных систем [65]. Сущность этих эффектов подробно изложена в работе [66].

1.2.3 Углеродные волокна

Еще одним материалом, применяемым в автокатодах, являются углеродные волокна. В зависимости от исходного сырьевого материала эти волокна подразделяются на углеродные волокна на основе полиакрилонитрильных нитей, углеродные волокна на основе пеков и пироуглеродные волокна. Волокна первых двух типов выпускаются в промышленных масштабах и их механические свойства перекрывают широкий диапазон значений модуля упругости (20-70 ГПа) и прочности (2000-4000 МПа). Пироуглеродные волокна (пироусы) не нашли широкого применения в промышленности и точных данных по ним нет [13]

Средний диаметр углеродных волокон около 7 мкм. Слои атомов углерода такого волокна образуют фибриллы длиной 250-И 000 А и диаметром 20-^-50 А. У автоэмиссионных катодов, основанных на подобных волокнах, центрами эмиссии являются микровыступы, которые образуются на торцевых поверхностях фибриллами и их совокупностями. В работе [67] авторы описывают метод создания автоэлектронного катода, где по специальной технологии пучок углеродных волокон помещают в стеклянный капилляр для выравнивания и ориентирования вдоль оси (рисунки 1.8, 1.9).

100 цм

Рис. 1.8: Пучок из полиакрилонитрильных углеродных волокон [13]

Рис 1.9: Фотография рабочей поверхности углеродного волокна.

Проведение испытаний подобных катодов, состоящих из 300-^-400 волокон, показало, что катоды обладают хорошей стабильностью при достигнутом токе до 20(Н500 мкА. Это дает возможность применения таких катодов в знакосинтезирующей технике и источниках света. На рисунке 1.9 показаны изображения поверхности углеродного волокна до работы (верхняя) и после работы (нижняя).

1.2.4 Стеклоуглерод

Уникальными свойствами обладают автоэмиссионные острийные катоды из монолитных материалов на основе углерода [68, 69]. Большое количество работ по исследованию автоэлектронной эмиссии острийных катодов из таких материалов проводятся не только на территории России, но и за рубежом. При

работе в высоковольтном диодном режиме МАЭК на основе углеродных материалов в условиях вакуума Ю'^Ю^Па обладают стабильностью автоэмиссионных свойств и способны выдержать интенсивную бомбардировку ионами остаточных газов и пондеромоторные нагрузки в несколько кг/см2. Предельный ток эмиссии, не приводящий к плавлению и разрушению материала, с одного острия может достигать 150 мкА. Для достижения больших значений токов применяются конструкции многоострийных катодов, острия располагаются в виде массива упорядоченной структуры на рабочей поверхности катода. Применение конструкций автоэмиссионных катодов лезвийного типа позволяют увеличить общую площадь эмитирующей поверхности и соответственно величину общего тока катода. Микрошероховатость поверхности углеродных материалов позволяет использовать относительно простые технологии изготовления низковольтных автоэмиссионных матриц с управляющим напряжением до 100В, и по сравнению с металлическими катодами зазор катод-модулятор может достигать 10 мкм, а не 0,5-^1 мкм. Углеродные материалы обладают способностью к регенерации эмиссионной поверхности в сильном электрическом поле, а также в сравнении с металлами меньшей адсорбцией остаточных газов, что вызывает необходимость поиска новых конструкторских и технологических решений для создания многоострийных автоэмиссионных

л

катодов, обладающих средней плотностью тока 10-100 А/см при токоотборе 0.5-1 А, а так же высокой стабильностью и долговечностью.

Механическая прочность эмитирующей структуры автоэмиссионных катодов из монолитных материалов на основе углерода объясняется тем, что острия формируются из материала подложки, являющейся основанием катода.

На российских предприятиях на протяжении более 20 лет ведутся технологические и экспериментальные исследования по созданию более технологичных и устойчивых к ионной бомбардировке матричных многолучевых автоэмиссионных катодов на основе углеродных материалов [70-72].

Изготовление матричных углеродных многоострийных микроразмерных структур на заготовках из монолитного стеклоуглерода для автоэмиссионных

катодов осуществлялось методом термохимического травления монолитной подложки из стеклоуглерода с использованием тонкопленочной литографии [73,74]. Последовательность технологических операций изготовления многоострийной матрицы из стеклоуглерода представлена на рисунке 1.10.

шлифовка и полировка

Заключение диссертации по теме «Вакуумная и плазменная электроника», Попов, Иван Андреевич

124 Выводы.

Анализ результатов, проведенных в данной главе исследований, позволяет сделать следующие выводы:

1) На основе разработанного комплекса лазерных технологических операций, включающих в себя:

- лазерное скрайбирование с последующим разломом для изготовления заготовки;

- лазерное фрезерование для формирования тела будущего катода и создания лучей (элементарных катодов);

- лазерное микроструктурирование эмитирующих поверхностей на поверхностях лучей;

- промежуточную и окончательную лазерную очистку, -целесообразно создание экологически чистого и экономически выгодного полного производственного цикла изготовления многоострийных автоэмиссионных микроструктурированных матричных катодов из монолитного стеклоуглерода СУ-2000.

2) Методом лазерного микроспектрального анализа установлено отсутствие проникновения каких-либо примесей вглубь обрабатываемого материала на всех этапах изготовления катода. Нарушений структуры стеклоуглерода и его химического состава вследствие лазерного воздействия не обнаружено.

3) По результатам испытаний в диодном режиме опытных образцов многолучевых многоострийных автоэмиссионных матричных катодов из монолитного стеклоуглерода СУ-2000, изготовленных на базе предложенного комплекса лазерных технологических операций, установлено соответствие их вольтамперных характеристик требованиям, предъявляемым к элементам такого рода при создании современных электровакуумных приборов.

125

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных теоретических и экспериментальных исследований на основе разработанного комплекса лазерных технологических операций решена актуальная научно-техническая задача по созданию многоострийных МАЭК из монолитного стеклоуглерода с высокой плотностью тока, обеспечивающих возможность практической реализации эффективных приборов вакуумной сверхвысокочастотной электроники с микросекундным временем готовности.

1. Определены особенности механизма локального разрушения стеклоуглерода импульсным лазерным излучением с различной частотой и длительностью импульса.

2. Предложена математическая модель для исследования напряженно-деформированного состояния заготовок из стеклоуглерода при воздействии импульсов сфокусированного лазерного излучения короткой и ультракороткой длительности импульса и высокой интенсивности. Полученные результаты расчетов положены в основу выбора режимов лазерной обработки формирования микроструктурированных поверхностей МАЭК из заготовок стеклоуглерода импульсным лазерным излучением, при которых сохраняется их целостность за пределами зоны обработки.

3. Разработан метод получения микроструктурированных эмиттерных поверхностей для МАЭК из монолитного стеклоуглерода методом перекрывающихся глухих отверстий (лунок), который позволяет получить на имеющемся лазерном оборудовании структуру с плотностью упаковки в 2 раза большей по сравнению с известным методом двухкоординатного сканирования. Структурированная поверхность состоит из массива острий в виде четырехгранных пирамид высотой 15-20 мкм и шириной основания 10-15 мкм. Максимальная плотность упаковки острийной эмитирующей структуры составила порядка 106 см"2. i ы

I» 7

4. Опробованы и выбраны обоснованные технологические режимы лазерных операций фрезеровки, прошивки отверстий, резки, структурирования поверхности, скрайбирования и очистки стеклоуглерода импульсным лазерным излучением для различных плотностей мощности, частоты следования и длительностей импульсов для различных лазерных систем. Даны рекомендации по выбору технологических режимов лазерной обработки при изготовлении МАЭК из стеклоуглерода СУ-2000.

5. Разработан комплекс лазерных операций изготовления многоострийных автоэмиссионных микроструктурированных матричных катодов из монолитных подложек стеклоуглерода СУ-2000 с применением методов лазерной резки, фрезеровки, гравировки, микроструктурирования и лазерной очистки обрабатываемой поверхности (заявка №2013101115 приоритет от 9.01.13 на патент «Способ изготовления автоэмиссионного катода»). Разработанный комплекс лазерных технологических процессов внедрен в опытное производство МАЭК из монолитного стеклоуглерода в НПЦ «Электронные системы ОАО «НПП «Алмаз» и НПФ «Прибор-Т» СГТУ имени Гагарина Ю.А.

6. Опробованы и выбраны обоснованные технологические режимы лазерных операций фрезеровки, прошивки отверстий, резки, структурирования поверхности, скрайбирования и очистки стеклоуглерода импульсным лазерным излучением для различных плотностей мощности, частоты следования и длительностей импульсов для различных лазерных систем. Даны рекомендации по выбору технологических режимов лазерной обработки при изготовлении МАЭК из стеклоуглерода СУ-2000.

7. Получены опытные образцы МАЭК из монолитного стеклоуглерода марки СУ-2000 с применением комплекса лазерных технологических процессов.

8. Экспериментально исследованы эмиссионные характеристики опытных образцов МАЭК из монолитного стеклоуглерода СУ-2000 с площадью катодной матрицы 5^=0.8-10"2см2 и плотностью упаковки микроострийной эмитирующей структуры порядка 1><105 см"2

9. Показано что МАЭК, полученные с помощью разработанных технологий, обеспечивают стабильную работу в режиме автоэмиссии со средней по матрице плотностью тока до 1 А/см в импульсном режиме. Максимально достигнутое значение плотности тока составило 10 А/см2 в режиме коротких импульсов т=5 мкс и скважности 10000, при плотности упаковки К=106 см"2.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Попов, Иван Андреевич, 2013 год

Список использованных источников

1. Ненакаливаемые катоды / Под ред. Елинсона М.И. . - М: Сов. радио, 1974. 336 с.

2. Spindt G.A. A thin-film field-emission cathode // J. Appl. Phys. 1968. V.39. No.6. P.3504-3505.

3. Spindt G.A., BrodieL, HempheyL., Westerberg E.R. // J. Appl. Phys. 1976. V.47.No.l2. P.5248-5263.

4. Spindt G.A., Holland G.A., Stowele R.D. // Appl. Surt. Sci. 1983. V.16. No.1-2. P.268-272.

5. Brodie I., Spindt G.A. Vacuum Microelectronics//Advances in Electronics and Electronic Physics. 1992, Vol.83. P. 1-106.

6. Синицын Н.И. и др. Углеродные нанокластерные структуры - один из материалов эмиссионной электроники будущего // Радиотехника 2000. №2. С.9.

7. Wilferta St., Edelmannb Chr. Field emitter-based vacuum sensors // Vacuum. -2012.-№86(5).-P. 556-571.

8. Spindt G.A., BrodieL, HempheyL., Westerberg E.R. // J. Appl. Phys. 1976. V.47.N0.12. P.5248-5263.

9. Green R. F., Gray H.F. P-N junction controlled field emitter array cathode // US Patent №4 513308., Int. CI.HC>IL29/06Apr.23,1985.

10. Lee R.A. Return of the vacuum valve // Electron and Wireless World, 1989.V.1639.

11. Electrochemical microstructuring of silicon surfaces for field emission enhancement.// URL: http://www.electrochem.org/dl/ma/203/pdfs/2798.pdf (дата обращения: 05.11.2012).

12. James E. Carey III, Femtosecond-laser microstructuring of silicon for novel optoelectronic devices.: Dissertation for the degree of PhD in the subject of Applied Physics - Harvard University,Cambridge:- Massachusetts, July 2004

И.Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства

углеродных материалов. - М.: МФТИ, 2001. - 287 с. M.Rinzler A.G., Hafner J.H., Nikolaev P., et al. Unraveling Nanotubes - FieldEmission from an Atomic Wire // Science. - 1995. - V.269. - P. 1550-1553.

15. De Heer W. A., Chatelain A., Ugarte D. A Carbon Nanotube Field-Emission Electron Source // Science. 1995. - V. 270. - P. 1179-1180.

16.Collins P.G., Zettl A. // Phys. Rev. B, 1997, V. 55, N. 15, P. 9391.

17.De Heer W.A., Bonard J.-M., Fauth K. et al. // Adv. Mater., 1997, V. 9, N. 1, P. 87.

18. Kanemaru S., Itoh J. Fabrication and characterization of lateral field-emitter triodes // IEEE Trans, on ED. 1991, Vol. ED-38, N 10. P.2334-2336.

19. Saito Y., Uemura S. // Carbon, 2000, V. 30, P. 169.

20. Fan S., Chapline M.G., Franklin N.R. et al. II Science, 1999, V. 283, P. 512.

21. Bai X.D. et al. // Appl. Phys. Lett., 2000, V. 76, P. 2624.

22. Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli T. et al. // Appl. Phys. A, 1999, V. 69, P. 245.

23. Fransen M.J., Damen E.P.N., Schiller C. et al. // Appl. Surf. Sci., 1996, V. 94/95, P. 107.

24. de Heer W.A., Chatelain A., Ugarte D. // Science, 1995, V. 270, P. 1179.

25. Lee Y.H., Kim S.G., Tomanek D. // Chem. Phys. Lett., 1997, V. 265, P. 667.

26. Zhou O., Gao В., Bower C. et al. // Mol. Crys. and Liq. Crys., 2000, V. 340, P. 541.

27. Zhu W., Bower C., Zhou O., et al. // Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75. N. 6, P. 873.

28. Nilsson L., Groening O., Emmenegger O. et al. // Appl. Phys. Lett., 2000, V. 76, N. 15, P. 2071.

29. Adessi Ch., Devel M. // Phys. Rev. B, 2000, V. 62, P. R13314.

30. Hamada N., Sawada S.-I., Oshyama A., Phys. Rev. Lett., 1992, V. 68, P. 1579.

31. Saito Y., Uemura S., Carbon, 2000, V. 30, P. 169.

32.Wildoer J.W.G., Venema L.C., Rinzler A.G. et al. // Nature, 1998, V. 391, N. 6662, P. 59.

33. Odom T.W., Huang J.-L., Kim Ph., Lieber Ch.M. // Nature, 1998, V. 391, N. 6662, P. 62.

34. Treacy M.M.J., Ebbesen T.W., Gibson J.M. // Nature (London), 1996, V. 381, P. 678.

35. Falvo M.R., Clary G.J., Taylor R.M. et al. // Nature, 1997, V. 389, N. 6651, P. 582.

36. Wong E.W., Sheehan P.E., Lieber Ch.M. // Science, 1997, V. 277, P. 1971.

37. Salvetat J.-P., Briggs G.A.D., Bonard J.-M. et al. // Phys. Rev. Lett., 1999, V. 82, N. 5, P. 944.

38. Yu M.-F., Lourie O., Dyer M.J. et al. //Science, 2000, V. 287, P. 637.

39. Ryabushkin S.L., Elmanov V.I., Sinitsyn N.I. et al. // Tech. Digest of 12-th International Vacuum Microelectronics Conf., Germany, 1999, P. 252

40. L. Lou et al. // Phys. Rev. B, 1995, V. 52, N. 3, P. 1429.

41. Abanshin N., Muchina E., Nikishin N. et al. // Proceedings of 4 of International Vacuum Electron Source Conf. 2002, Saratov, Russia, Suppl. 13.

42. Musatov A.L., Kiselev N.A., Zakharov D.N., et al.// Applied Surface Science, 2001, V. 183,N. 1-2, P. 111.

43.Kenneth B. K. Teo, Eric Minoux, Ludovic Hudanski h up. Microwave devices: Carbon nanotubes as cold cathodes I I Nature, 2005, V. 437, P. 968

44.M.E. Read, W.G. Schwartz, M.J. Kremer h ap- Carbon nanotube-based cathodes for microwave tubes// Proceedings of the 2001 Particle Accelerator Conference, 1026

45.1nami, Nobuhito; Ambri Mohamed, Mohd; Shikoh, Eiji; Fujiwara, Akihiko Synthesis-condition dependence of carbon nanotube growth by alcohol catalytic chemical vapor deposition method // Sci. Technol. Adv. Mater.. - 2007. - V.8 (4). - P. 292..

46.1shigami; Ago H., Imamoto K., Tsuji M., Iakoubovskii K., Minami N. Crystal Plane Dependent Growth of Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire // J. Am. Chem. Soc.. - 2008. - V.130 (30). - P. 9918-9924.

47.Naha, Sayangdev, Ishwar K. Puri A model for catalytic growth of carbon nanotubes // Journal of Physics D: Applied Physics . - 2008. - №V.41№6..

48.Wen J.G., Huang Z.P., Wang D.Z., Chen J.H., Yang S.X., Ren Z.F., Wang J.H., Calvet L.E.,Chen J., Klemic J.F., Reed M.A. Growth andcharacterization of aligned carbon nanotubes from patterned nickel nanodots and uniform thin films //J. Mater. Res.. - 2001. - №16. - P. 3246-3253.

49. Яфаров P.K. Получение наноалмазных композиционных материалов в плазме микроволнового газового разряда низкого давления // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 1. С.42- 48.

50.Сильноточный катод на основе нанотрубок (США, Северная Каролина) // IEEE Trans. Plasma Sci. 2004. 32. P.2152.

51. Новости СВЧ-техники. 2007, №4, С.7-13.

52. Robertson J. Mechanism of electron field emission from diamond, diamond-like carbon, and nanostructured carbon // J. Vac. Sci. Technol. В 17(2). - 1999. -P.659-665.

53.Ji H., Jin Z. S., at all. Field Emission characteristics of diamond films with different surface morphologies // Techn. Digest JVMC, USA. - 1998. - P.248-249.

54.Aisenberg S., Chabot R. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. P. 2953.

55.Spencer E., Shmidt P. // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 29. P. 118.

56.Zhiao Z. // Vacuum. 1990. Vol. 40. N 6. P. 505.

57.Moller W. // Proc. of 3d TATF. Strasbourg (France), 1991. P. 273.

58.Бугаев С. П. Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении / С. П. Бугаев, А. Д. Коротаев, К. В. Оскомов, Н. С. Сочугов // Журнал технической физики /. - 15/08/1997 . - Т. 67, N8, С.100-105.

59.Н., Jin Z. S., at all. Field Emission characteristics of diamond films with different surface morphologies // Techn. Digest JVMC, USA. - 1998. - P.248-249.

i"

<1

60.Wachter R., Cordery A., Proffitt S., Foord J. S. Influence of film deposition parameters on the field emission properties of diamond-like carbon films // Diamond and related materials. - 1998.- V.7.- P.687-691.

61.Akkerman Z.L., Efstathiadis H., Smith F.W. Thermal stability of diamond-like carbon films // J. Appl. Phys. - 1996. -V.80. -№5-P.3068-3075

62.Hoffman V., Weber A., Lohken T. Electron field emission of amorphous carbon films // Diamond and related materials. - 1998.- V.7.-P.682-686.

63.Ding M.Q., Gruen D.M., Krass A.R., at all. Studies of field emission from bias-grown diamond thin films // J. Vac. Sci., Technol. - 1999. - V.B17. - №2. -P.705-709.

64.Yonhua Tzenga, Chao Liua, Atsushi Hiratab/Effects of oxygen and hydrogen on electron field emission from microwave plasma chemically vapor deposited microcrystalline diamond, nanociystalline diamond, and glassy carbon coatings // Diamond and related materials. - 2003.- V.12.- P.456-463.

65.Балан H.H., Ивашов E.H., Лучников П.А., Невский А.Б. Острийные эмиттеры электронов микроприборов и конструктивно-технологические особенности их изготовления // Вестник науки Сибири. - 2012. , №3 (4), С. 89-98.

66.Покровский Я.Е. Влияние поверхностных уровней на электрические свойства мелкозернистых пленок // ЖТФ. - 1954. - Т. 24. - № 7. - С. 1229.

67.Baturin A.S., Eskin I.N., Trufanov A.I et al. Electron gun with field emission cathode of carbon fiber bundle // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. B21. №1. P. 354357

68.MahovV.I. Field emission cathode technology and its application // Technical Digest of IVMS-91. Nagama. 1991. P.40-43.

69.Бондаренко Б.В. Радиотехника и электроника // 1983. Т.28. Вып. 12. С.2305-2312.

70.М.П. Апин, Н.А. Бушуев, Ю.А. Григорьев, и др. Многолучевые электронные пушки с сеточным управлением на основе углеродных наноострийных матричных катодов с полевой эмиссией для перспективных

V

3'.

СВЧ ЭВП// Материалы научно-технической конференции «Электронные приборы и устройства СВЧ», Саратов, 2007 С.82-90.

71.Григорьев Ю. А., Шалаев П. Д., Бурцев А. А., Пименов В. Г., Рехен Г. А. Исследование вакуумных автоэмиссионных микродиодов с изменяющимся зазором // Нано микросистемная техника №7(96), 2008 С.47-52.

72.Григорьев Ю. А., Бурцев А. А., Шалаев П. Д., Пименов В. Г. Исследование вакуумных автоэмиссионных катодов с углеродными микронаноструктурами// Вестник Саратовского государственного технического университета №3(35) Выпуск 2, 2008. С.87-94.

73. Григорьев Ю.А., Васильковский С.В., Шестеркин В.И., Ярцева З.А. Патент 1738013. Заявл. 09.04.90г. Опубликован 12.02.93г.

74.Бурцев А.А. Матричные автоэмиссионные катоды из монолитных углеродных материалов для приборов вакуумной электроники.: дис. ... канд. техн. наук: 05.27.02: защищена 24.01.11: — Саратов., 2011. — 128 с.

75.Utsumi Т. // IEEE Trans. Electron Devices. 1991. V.38. No.10. P.2283

76. Sohda et al.: Fabrication of arrayed glassy carbon FEs/ J. Vac. Sci. Technol. В 15(2), Mar/Apr 1997 p343-348

77. Microstructuring of glassy carbon: comparison of laser machining and reactive ion etching/ Kuhnke M.; Lippert Th.; Ortelli E.; Scherer G.G.; Wokaun A.// Thin Solid Films, Volume 453-454, issue (April 1, 2004), p. 36-41.

78.Mering J., Maire J. // J. chim. phys. et de phys. - Chim. boil. - 1960 V.57-№10 P.803-814.

79.Свойства конструкционных материалов на основе углерода / Нагорный В.Г., Котосонов А.С., Островский B.C. и др., Под ред. Соседова В.П. - М.: Металлургия, 1975. - 336 с.

80. Э.Н. Мармер Углеграфитовые материалы. Справочник. М.- Металлургия, 1973. 135с.

81.Федоров В.Б., Шоршоров М.Х., Хакимова Д.К. Углерод и его взаимодействие с металлами. М.: Металлургия, 1978. 208 с.

I «

j

82. Григорьева A.C., Ботвин В.В., Шамаев П.П. О термохимическиъх методах обработки алмазов с новых позиций // Наука и техника в Якутии № 1, 2002 С. 3-5.

83. Рыкалин H.H., Углов A.A., Какора А.Н. Лазерная обработка материалов. -М.: Машиностроение, 1975. - 295 с.

84.Вейко В.П., Либенсон М.Н. Лазерная обработка. Л.: Лениздат, 1973, 191с.

85.Laser Ablation: Principles and Applications / Ed. J С Miller. - Vol. 28. - Berlin: Springer-Verlag, 1994.

86.Laser Ablation of Electronic Materials: Basic Mechanisms and Applications/ Eds E Foga- rassy, S Lazare //Proc. European Materials Res., Vol. 4, - Amsterdam: North-Holland, 1992.

87.Laser Ablation/ Eds E Fogarassy, D Geohegan, M Stuke// Proc. European Materials Res., Vol. 55, -Amsterdam: Elsevier, 1996

88.Laser Ablation: Proc. of the Fourth Intern/ Eds R Russo et al.//Conf. on Laser Ablation, COLA-IV, - Amsterdam: North-Holland, 1998

89.BaE uerle D Laser Processing and Chemistry. - 3rd ed. - Berlin: Springer, 2000.

90.Emil N. Sobol Phase transformations and ablation in laser-treated solids. - New York: Wiley, 1995. - 332 p.

91.BaE uerle D et al., in Ref. [3] p. 39

92. BaE uerle D et al., in Excimer Lasers / Ed. L D Laude// NATO ASI Series, Ser. E, Vol. 265, Dordrecht: Kluwer Academic Publ., 1994 p. 39

93.Анисимов С. И., Лукъянчук Б. С. Избранные задачи теории лазерной абляции / УФН. 2002. Т. 172, № 3. С. 301-333.

94.D. Bäuerle, Laser Processing and Chemistry. - Berlin: Springer, 2000

95.A. Ruf, Modellierung des Perkussionsbohrens von Metallen mit kurz- und ultrakurzgepulsten Lasern Ph.D. thesis, Universitaet Stuttgart, 2004

96. E.N. Glezer, Y. Siegal, L. Huang, and E. Mazur, Behavior X(2) of during a laser-induced phase transition in GaAs // Phys. Rev. B. - 1995. - №51.pp. 9589-9596.

91.A. Miotello, R. Kelly, Laser-induced phase explosion: new physical problems when a condensed phase approaches the thermodynamic critical temperature//, Appl. Phys. A Suppl. - 1999, №69, pp. S67-S73.

98. K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, M. Boing, and A. Cavalleri, D. von der Linde, Thermal and nonthermal melting of gallium arsenide after femtosecond laser excitation// Phys. Rev. B. - 1998,№ 58, pp. RI 1805-R11808.

99. Molecules and Clusters in Intense Laser Fields / Edd. by Jan Posthumus. -Cambridge: Cambridge University , 2001. - 272 p.

100. A.C. Tam, H.K. Park, and C.P. Grigoropoulos, Laser cleaning of surface contaminants//Appl. Surf. Sci., 1998, 127-129, pp. 721-725.

101. J.L. Brand and A.C. Tam, Mechanism of picosecond ultraviolet laser sputtering of sapphire at 266 nm // Appl. Phys. Lett. - 1990, №56, pp. 883-885.

102. D. Ashkenasi, A. Rosenfeld, H. Varel, M. Waehmer, and E. Campbell, Laser processing of sapphire with picosecond and sub-picosecond pulses//Appl. Surf. Sci., - 1997, №120, pp. 65-80.

103. Kurt Weingarten, Optimizing cold ablation processing with picosecond micromachining // Laser+Photonics, - 2012, №3, pp. 44-46

104. Koji Sugioka, Michel Meunier, Alberto Piqufe Laser Precision Microfabrication, 1st Edition. Springer Series in Materials Science, Vol. 135,., XVI, 344 p

105. Laser Processing of Materials/Peter Schaaf Editor// Springer Series in Materials Science, Vol. 139, 2010, XIV, 234 p.

106. J. Perriere, C. Boulmer-Leborgne, R. Benzerga, S. Tricot Nanoparticle formation by femtosecond laser ablation// J. Phys. D Appl. Phys. -2007.№40, pp. 7069

107. S. Amoruso, et al. Generation of silicon nanoparticles via femtosecond laser ablation in vacuum// Appl. Phys. Lett. 2004, ;№ 84, pp. 4502-4505.

108. S. Amoruso, et al. Ultrashort laser ablation of solid matter in vacuum: a comparison between the picosecond and femtosecond regimes// J. Phys. B-At. Mol. Opt. -2005. №38, L329

109. S. Noel, J. Hermann, T. Itina Nanoparticle generation in plasmas produced by ultra-short laser pulses// Appl. Surf. Sci.-2007 №253(15), p.6310-6315

110. S. Amoruso, R. Bruzzese, X. Wang, J. Xia Propagation of a femtosecond pulsed laser ablation plume into a background atmosphere//Appl. Phys. Lett. -2008. №92, 3p.

111. S. Amoruso, et al. Femtosecond laser ablation of nickel in vacuum// J. Phys. D Appl. Phys. -2007. №40. p 331

112. M.E. Povarnitsyn, et al., Phys. Rev. B.-2007. №75, p.235414

113. L.J. Lewis, D. Perez, Appl. Surf. Sci. D01:10.1016/j.apsusc.2008.07.116

114. S. Amoruso, et al. Femtosecond laser pulse irradiation of solid targets as a general route to nanoparticle formation in a vacuum// Phys. Rev. B. - 2005, №71, 033406 (4 pages)

115. E. Millon, et al. Femtosecond pulsed-laser deposition of ВаТЮЗ// Appl. Phys. A-Mater. -2003. №77, p. 73

116. Samuel S. Mao Laser ablation. Fundamentals and applications. University of California at Berkeley, 2005. - 39 p.

117. Samuel S. Mao Experimental and Theoretical Studies of Picosecond Laser Interactions with Electronic Materials-Laser Ablation/University of California at Berkeley, -2000, 81 p.

118. Чеботаревский Ю.В. Построение расчетной модели для исследования напряженного состояния хрупких неметаллических материалов при локальном нагреве с учетом появления пластических деформаций //Межвуз. научн. сб.: Механика деформированных сред. Саратов ,- СГТУ, 1985.-Вып.9.- С. 49-57

119. Филин П. А. Прикладная механика твердого деформируемого тела. т. 2, «НАУКА», ГИФМЛ, -М., 1978, 616 с.

120. Самуль В.И. Основы теории упругости и пластичности: Учеб. пособие для студентов вузов. — 2-е изд., перераб. — М.: Высш. школа, 1982. — 264с

121. Корн Г., Корн Е. Справочник по математике для научных работников и инженеров. Изд - во «НАУКА», ГИФМЛ, - М., 1970, 720 с.

122. Чеботаревский Ю.В., Ягубова О.А. Поперечные колебания круглой пластины, нагреваемой внутренними импульсными источниками тепла.// Сарат. поличехнич. Ин-т.-Деп. Вв ВИНИТИ, 1983. №1841-83- Саратов,- 8 с.

123. Чеботаревский Ю.В., Ягубова О.А. Задача об изгибе круглой пластинки, нагреваемой линейными импульсным внутренними источниками тепла. //Прикладная механика , 1985.- 21-№10-С. 58-64.

124. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. «НАУКА». ГИФМЛ, - М. 1979, 228с.

125. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. Градштейн И.С., Рыжик И.М., 4-е изд. — М. Физматгиз, 1963 - 1100 с.

126. Попов И.А. Подгонка высокоточных плёночных сопротивлений излучением маломощных лазеров / Попов И.А., Конюшин А.В., Соколова Т.Н., Сурменко Е.Л., Шолохов Е.М., Курков А.С. // Мат. III Росс, семинара по волоконным лазерам. - Ред.-изд. Комплекс УГАТУ. - 2009. - С.91-93.

127. Попов И.А. Применения волоконных лазеров в установках подгонки резисторов / И.А. Попов, А.В. Конюшин, Е.Л. Сурменко [и др.] // Материалы нано-, микро, оптоэлектроники и Волоконной оптики: физические свойства и применение : сб. тр. 7-й Всерос. молодеж. науч. шк. / Институт физики и химии МГУ им.Н.П.Огарева. - Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2008. - С. 160-161.

128. Popov I.A. Fiber laser trimming of high-precision resistors (тезисы, англ. яз.) / T.N. Sokolova, E. L. Surmenko, Yu. V. Chebotarevsky, I. A. Popov, A. S. Kurkov, E. M. Sholokhov // University of Szeged. - International Conference Advanced Laser Technologies ALT'08. Book of Abstracts. - Siôfok, Hungary, 2008.-P. 112.

129. Popov I.A. Surface Modification of Thin-Film Resistors with Fiber Lasers/ T. N. Sokolova, E. L. Surmenko, A.V. Konyushin, I.A. Popov, A.S. Kurkov, E.M. Sholokhov //20th Intl. Laser Physics Workshop LPHYS'll. Seminar 5. 05_P_05.pdf

130. Popov I.A. Application of fiber lasers for laser trimming in electronics / E. L. Surmenko, I. A. Popov, A. S. Kurkov, E. M. Sholokhov, T.N. Sokolova // Tech. Dig. of Conf. LO'2008. - 2008. - St.Petersburg, Russia. - C.79.

131. Фемтосекундная лазерная система на основе многопроходового усилителя «МРА-30». руководство пользователя, AVESTA PROJECT ltd., Троицк 2006г 27 с.

132. Попов И.А. Исследование возможности технологического применения фемтосекундных лазеров для обработки диэлектриков / И.А. Попов, А.В. Конюшин, E.JI. Сурменко, Т.Н. Соколова // Труды НИЦ фотоники и оптоинформатики. Сб. статей. - ИТМО: СПб. - 2009. - С.204-214

133. Попов И.А. Лазерные технологии и современное оборудование при изготовлении автоэмиссионных катодов из монолитного стеклоуглерода / Е.Л. Сурменко, И.А. Попов, Т.Н. Соколова, Ю.В. Чеботаревский // Вакуумная техника и технология. - 2011. - Т. 21. - № 2. - С. 95-98.

134. Popov I.A. Laser treatment of monolithic glass-carbon / E. L. Surmenko, T.N. Sokolova, I. A. Popov, A.V. Konyushin // SPb.: National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics Press. -International Conference "Fundamentals of Laser Assisted Micro- & Nanotechnologies". Book of Abstracts. - 2010. - P. 103.

135. Попов И.А. Лазерная очистка микроструктурированной поверхности микроострийных автоэмиссионных катодов / Е.Л. Сурменко, И.А. Попов, Т.Н. Соколова, Ю.В. Чеботаревский // Вестник СГТУ. - 2010. - № 4. - Вып. 1.-С. 170-175.

136. Попов И.А. Очистка наноструктурированной поверхности микроострийных автоэмиссионных катодов / И.А. Попов, Т.Н. Соколова, Е.Л. Сурменко, А.В. Конюшин // Материалы IV Российского семинара по волоконным лазерам / под. ред. проф. А.С. Куркова. - Ульяновск : УлГУ, 2010. -С.54-55.

137. Попов И.А. Лазерная модификация поверхности материалов, используемых в производстве электронных приборов/ И. А. Попов, А. В.

Конюшин, Т. Н. Соколова, Е. JI. Сурменко // Быстрозакаленные материалы и покрытия : матер. VII Всероссийской с международным участием науч.-техн. конф. / МАТИ. - М., 2008. - С. 198-199.

138. Kriger А.Е., Surmenko E.L., Surmenko L.A., Tuchin V.V. Applications of direct atomic laser spectral analysis of laser plasma for determination of inorganic components presence in biological objects // Proc. SPIE. Bellingham, SPIE. -1999. - V.4001. P.299-303.

139. Серт. RU.C.37.006.A №18673. Регистраторы спектров многоканальные измерительные МИРС Per. №27644-0499109237; Внесён в Гос. реестр 08.10.2004

140. Попов И.А. Комплекс лазерных технологических процессов для создания микроострийной эмитирующей поверхности автоэмиссионных катодов из монолитного стеклоуглерода / И. А. Попов, А. В. Конюшин, Т. Н. Соколова, Е. JI. Сурменко // Быстрозакаленные материалы и покрытия : матер. VI Всероссийской с международным участием науч.-техн. конф. / МАТИ. - М., 2007. - С. 261-266.

141. Popov I.A. Manufacture of microstructured glass-carbon surface using laser technologies / E. L. Surmenko, T.N. Sokolova, I. A. Popov // Institute of Electronics Bulgarian Academy of Sciences Press, 16thInternational School on Quantum Electronics "Laser physics and applications". Book of Abstracts. -2010.-P.45.

142. Popov I.A. Complex of Laser Technologies for Manufacture of Microstructured Glass-Carbon Surface / T. N. Sokolova, I. A. Popov, E. L. Surmenko, A.V. Konyushin // International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2010) International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT 2010). Book of summaries. - 2010. -YSTuE31

143. Popov I.A. Laser nanostructuring of glass-graphyte surface / T. N. Sokolova, I. A. Popov, E. L. Surmenko, A.V. Konyushin // 14th International Conference Laser Optics'2010. Book of summaries. - 2010. - C.630.

144. Popov I.A. Laser structuring of glass-carbon for improvement of its emitting properties/ T.N. Sokolova, E.L. Surmenko, I.A. Popov, Yu.V. Chebotarevsky//International Conference Advanced Laser Technologies ALT'12. Book of Abstracts. - 2012. - P.315.

145. Popov I.A. Laser Structuring of the Emitting Surface of Metal Porous Cathodes/ T. N. Sokolova, E. L. Surmenko, A.V. Konyushin, I.A. Popov, Yu.V. Chebotarevsky,G.V. Sahaji //20th Intl. Laser Physics Workshop LPHYS'll. Seminar 5. 05_P_05.pdf

146. Попов И.А. Лазерная обработка поверхности металло-пористых катодов в целях улучшения эмиссионных характеристик электронных компонентов /Ю.В. Чеботаревский, А.В. Конюшин, Е.Л. Сурменко, Т.Н. Соколова, И.А. Попов//Известия Волгоградского государственного технического университета. 2012. Т. 6. № 6. -С. 113-115.

147. Попов И.А. Катодно-сеточные узлы / А.С. Белов, Г.В. Сахаджи, Ж.Н. Бабанов, Попов И.А.// Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2010. - №49. - С. 161-165.

148. Popov I.A. Laser Structuring of the Emitting Surface of Metal Porous Cathodes/ T. N. Sokolova, E. L. Surmenko, A.V. Konyushin, I.A. Popov, Yu.V. Chebotarevsky,G.V. Sahaji //20th Intl. Laser Physics Workshop LPHYS'll. Seminar 5. 05_P_05.pdf

149. Конюшин A.B., Соколова Т.Н., Сурменко Е.Л.. Лазерные технологии в изготовлении многоострийных автоэмиссионных катодов из монолитного стеклоуглерода для вакуумных СВЧ-приборов. Вакуумная наука и техника. Материалы XIV научно-технической конференции. Под ред. д.т.н. проф. Д.В.Быкова. М.-: МИЭМ. 2007, -С. 268-271.

150. Григорьев Ю.А., Шалаев П.Д., Пименов В.Г., Бурцев А.А., Конюшин А.В., Соколова Т.Н. Экспериментальное исследование матричных многоострийных полевых катодов, получаемых из монолитного стеклоуглерода микрогравировкой и фрезерование лазерным лучом.// Материалы научно-технической конференции «Электронные приборы и устройства СВЧ », -Саратов: Изд. Саратовского ун-та. 2007. -С.90-98.

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Государственное образовательное

профессионального образования «Саратовский государственный

учреждение высшего

технический университет имени Гагарина Ю.А.»

(СГТУ имени Гагарина Ю.А.)

научно-производственная фирма «прибор-т»

(НПФ «Прибор-Т» СГТУ имени Гагарина ю.а.)

ул. Политехническая, 77, г. Саратов, 410054 Телефоны: [phone], 77-27-11, 47-98-53; Факс:[phone] E-mail: [e-mail], [e-mail] http://www.pribor-t.ru

результатов диссертационной работы Попова И. А. на соискание степени кандидата технических наук «Создание матричных автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода для приборов вакуумной электроники на основе комплекса

Настоящим актом подтверждаем, что результаты диссертационной работы Попова И. А. использованы в проведении НИР НК-423П/52 «Разработка комплекса лазерных технологий для изготовления многоострийных автоэмиссионных катодов из монолитного стеклоуглерода» и в разработках технологических процессов по темам Столб П2, Столб П1.

АКТ ВНЕДРЕНИЯ

лазерных технологических процессов»

Ведущий электроник НПФ «Прибор-СГТУ имени Гагарина Ю.А.

Директор НПФ «Прибор-Т» СГТУ имени Гагарина Ю.А.

E.J1. Сурменко

Т.Н. Соколова