Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, доктор физико-математических наук Кайдашев, Евгений Михайлович

• Кайдашев, Евгений Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2018

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кайдашев, Евгений Михайлович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

1. Получение и исследование элементов устройств на тонких пленках

и массивах наностержней (Обзор)

1.1. Метод импульсного лазерного напыления полупроводниковых нанокристаллов

1.2. Метал-полупроводник-металл фотоприемники на основе пленок и наностержней ZnO

1.3. УФ фотоприемники на поверхностных акустических волнах с чувствительными элементами на пленках и наностержнях ZnO

1.4. Оптические плазмонные наноантенны на вертикально-ориентированных массивах металлических и полупроводниковых наностержней

2. Метод импульсного лазерного напыления эпитаксиальных пленок

ZnO с высокой электронной подвижностью

2.1. Эпитаксиальные пленки ZnO на ^сапфире , полученные новым методом многоступенчатого импульсного лазерного напыления

2.2. Эпитаксиальные пленки ZnO на a-сапфире , полученные методом многоступенчатого импульсного лазерного напыления

2.3. Получение эпитаксиальных пленок ZnMgO, ZnCdO, ZnGaO , ZnAЮ методом многоступенчатого лазерного напыления и исследование структурных , электрических и оптических свойств

2.4. Получение и исследование структурных и оптических свойств эпитаксиальных пленок ZnO:Sb 106 Выводы

3. Получение и исследование одномерных наноструктур на основе оксида цинка 116 3.1. Новый метод импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона высокоориентированных в направлении оси с

решеток из наностержней на основе ZnO

3.2. Лазерный синтез и исследование структурных и оптических свойств наностержней оксида цинка на подложках GaN

3.3. Импульсное лазерное напыление нанокристаллов 7пО , допированных Mg

3.4. Импульсное лазерное напыление нанокристаллов ZnO , допированных Мд и Со

3.5. Лазерное напыление наностержней ZдO по самокаталитическому механизму

3.6. Карботермический синтез и исследование свойств наностержней оксида цинка 159 Выводы 172 4. Создание и исследование одномерных наногетероструктур

методами импульсного лазерного напыления

4.1. Получение и исследование наногетероструктур типа наностержень-пленка

4.2.Лазерное напыление и исследование морфологии поверхности и кристаллической структуры наностержней ZдO на эпитаксиальном проводящем подслое Zд0.95Ga0.05 О

4.3. Лазерное напыление наностержней оксида цинка на поверхность тонкопленочной структуры ZдGaO/ZдMgO/ZдGaO

4.Получение и исследование решеток ZnO наностержней с тонкопленочной квантовой ямой ZnMgO/ZдO/ZдMgO на конце 195 Выводы

5. Создание и исследование плазмонных наноантенн , микро-и наноразмерных резонаторов, металл-полупроводник -металл и ПАВ 200 фотоприемников и ПАВ хемосенсоров , на основе тонких пленок и одномерных наноструктур

5.1. Получение и исследование массивов наностержней ZдO,

покрытых тонкой пленкой серебра , как плазмонных наноантенн оптического и ближнего ИК диапазона

5.2. Исследование оптических мод в кольцевых наноразмерных ZnO резонаторах с постепенно уменьшающимся размером резонансной полости

5.3. Создание и исследование фотоприемников металл-полупроводник-металл УФ и видимого диапазона на основе наностержней оксида цинка

5.4. Создание и исследование УФ фотоприемника на поверхностных акустических волнах с чувствительным элементом на пленке оксида цинка

5.5. Создание и исследование сенсора СО на поверхностных акустических волнах с чувствительным элементом из массива наностержней оксида цинка

5.6. Создание и исследование СВЧ свойств плоскопараллельного резонатора, образованного сверхпроводящими пленками УВа2Си307-х , полученными новым методом теневого внеосевого лазерного напыления 259 Выводы 268 Заключение 271 Список сокращений и условных обозначений 274 Список использованных источников

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

В настоящее время на основе тонких пленок и наностержней оксида цинка создаются новые устройства микро-и наноэлектроники и фотоники . Оксид цинка-широкозонный прямозонный полупроводник , с большой энергия связи экситона (60 мэВ ) , высокой радиационной стойкостью , что позволяет использовать его в быстродействующих высоко чувствительных фотоприемниках УФ и видимого диапазона . При допировании магнием диапазон чувствительности фотоприемников может быть расширен до 200 нм . Допирование его галлием и алюминием позволяет создавать прозрачные в видимом диапазоне хорошо проводящие электроды используемые в солнечных элементах, фотоприемниках, в качестве метаматериалов для сверхскоростной модуляции света в ближнем ИК диапазоне. ZnO наноструктуры используются при создании нанолазеров, оптических плазмонных наноантенн , приемников терагерцового диапазона. Наноструктуры на основе оксида цинка допированных галлием, алюминием, сурьмой перспективны при создании одномерных термоэлектрических преобразователей , в том числе плазмонных термоэлектрических преобразователей с высоким КПД . Оксид цинка обладает хорошими пьезоэлектрическими свойствами . Высокоразвитая поверхность массивов из наностержней оксида цинка и чувствительность его поверхности к адсорбции различных газов или биологических веществ позволяет использовать его в высокочувствительных пьезо-хемо-биосенсорах.

Перспективным методом создания тонкопленочных структур, массивов из наностержней, гибридных структур пленка-наностержень необходимых при разработке ряда радиофизических устройств является метод импульсного лазерного напыления . Конгруэнтный характер импульсного лазерного испарении многокомпанентных соединений, возможность в широких пределах менять плотность пара, долю ионной составляющей, скорость осаждения , пересыщение на поверхности роста за счет изменения энергии лазерного

импульса, частоты следования, длины волны излучения, а также возможность осаждать пленки, наностержни или массивы наночастиц меняя давление или тип рабочего газа - преимущества этого метода. Осаждение материалов из эрозионной лазерной плазмы позволяет получать как тонкопленочные наноматериалы из сверхтонких пленок полупроводников , диэлектриков, металлов и сверхпроводников , включая сверхрешетки, так и достаточно "толстые "( до нескольких мкм толщиной) пленки необходимые при создании различных радиофизических устройств . Метод особенно перспективен при создании в едином технологическом цикле многослойных тонкопленочных устройств, включающих пленки полупроводников, высокотемпературных сверхпроводников, сегнетоэлектриков, мультиферроиков и манганитов со структурой перовскита.

В настоящей диссертации предложены новые подходы к созданию и исследованию элементов новых радиофизических устройств на основе тонких полупроводниковых , металлических и сверхпроводящих пленок и наноструктур из оксида цинка, получаемых методами импульсного лазерного напыления, карботермического и термического синтеза .

В последние годы интерес к оптическим плазмонным антеннам постоянно растет благодаря их потенциальным применениям в фотоприемниках, светоизлучающих структурах и лазерах, плазмонных поглотителях , плазмонных эмиттерах, плазмонных термопреобразователях, нелинейно-оптических преобразователях света, плазмонных нелинейных просветляющихся фильтрах, плазмонных волноведущих системах, высокоскоростных модуляторах света, широкополосных поглотителях солнечного света, плазмонных усилителям флюоресценции органических молекул, плазмонных сенсорах сверхмалых концентраций органических и биологических веществ на основе гиганского рамановского рассеяния. Актуальным направлением исследований является разработка плазмонных антенн видимого и ИК диапазона на основе прозрачных проводящих оксидных полупроводниковых наноструктур. В настоящей диссертации приводятся результаты по получению и исследованию плазмонных антенн нового

типа - вертикально ориентированных массивов из наностержней оксида цинка, покрытых тонкой пленкой серебра.

Резонаторы, образованные в поперечном сечении наностержней , активно используются для создания лазеров УФ диапазона на основе оксида цинка. Актуальными являются исследования мод распространяющихся в гексагональном поперечном сечении 7пО наностержней с постепенно уменьшающимся размером (сравнимым с длиной волны света) резонансной полости.

Фотоприемники УФ излучения находят широкое применение в системах космического мониторинга (изменения озонового слоя Земли, загрязнений атмосферы) , в системах пожарной сигнализации , для детектирования УФ излучения от источников высоких температур, в системах космической связи, в астрофизических исследованиях. Актуальными являются исследования направленные на повышение фототочувствительности УФ фотоприемников за счет использования массивов из наностержней 7пО, декорирования поверхности плазмонными наночастицами, а также расширение спектрального диапазона фоточувствительности до 200 нм за счет допирования Mg . Массивы наностержней с развитой поверхностью более эффективно (в некоторых случаях в 1000 раз) , чем пленка 7пО, поглощают УФ излучение. Повышение поглощения УФ при декорировании наностержней оксида цинка плазмонными наночастицами вызванно резонансной связью экситонов в 7пО и локализованных поверхностных плазмонов наночастиц . Возрастание энергии поглощения приводит к увеличению генерации электронно-дырочных пар и повышению фоточувствительности. Высокую актуальность имеют исследования по повышению быстродействия фотоотклика и уменьшение времени восстановления УФ фотоприемников. В настоящей диссертации быстродействие фотоотклика и уменьшение времени восстановления металл-полупроводник-металл фотоприемника на наностержнях 7пО было улучшено за счет использования золотых пленочных контактов Шоттки к наностержням оксида цинка.

В основе сенсоров ультрафиолетового излучения на поверхностных акустических волнах (ПАВ) лежит акустоэлектронное взаимодействие ПАВ с

носителями заряда, генерируемыми светом в слое полупроводника, расположенного на поверхности пьезоэлектрического звукопровода. Акустоэлектронное взаимодействие приводит к увеличению затухания ПАВ и уменьшнию ее скорости, что приводит к дополнительному фазовому сдвигу и увеличению задержки . Затухание и дополнительный фазовый сдвиг в устройствах на ПАВ являются нелинейными функциями длины акустической волны, длины и интенсивности детектируемого оптического излучения. Спектральная селективность детектора и его чувствительность определяется свойствами слоя генерирующего свободные носители заряда. Для увеличения чувствительности фотоприемника на ПАВ также используют акустические волны более высоких частот , используются полупроводниковые наноструктуры и плазмонные наночастицы для повышения поглощения света. При использовании ZдO в качестве фоточувствительного слоя кислородные вакансии и структурные особенности определяют фоточувствительность, спектральную избирательность и быстродействие сенсора. Часто не удаётся одновременно достичь высокое быстродействие и чувствительность . Более того, большинство существующих фотодетекторов на ПАВ имеют низкое быстродействие . Поэтому актуальным является повышение чувствительности и быстродействия УФ фотоприемников на ПАВ. В настоящей диссертации исследован сенсор УФ на ПАВ нового типа со схемой детектирования, позволяющей повысить чувствительность фотоприемника за счёт многократных переотражений ПАВ .

Перспективным направлением исследований является разработка сенсоров на ПАВ для измерения концентрации токсичных газов. Измерение концентрации молекул адсорбированного газа на поверхности пьезоэлектрического звукопровода осуществляется за счет изменения скорости распространения, затухания и фазы ПАВ. Газы адсорбируются на поверхности пьезозвукопровода, вдоль которого распространяется ПАВ. Это может приводить к постепенному необратимому изменению его параметров и может приводить к выходу прибора из строя. ПАВ устройства, работающие на высоких частотах, особенно подвержены такой постепенной деградации . Беспроводные сенсоры как правило

высочастотные, так как при этом размеры приемо-передающих антенн становятся малыми. Поверхностная акустическая волна испытывает значительное затухание при контакте газа с пьезоэлектрическим звукопроводом. Исследование сенсоров на ПАВ с чувствительным элементом вынесенным из акустического канала является актуальной научной задачей . Изменение сопротивления чувствительного элемента сенсора за счет адсорбции газа массивом из 7пО наностержней и будет влиять на параметры радиосигнала, отраженного от ПАВ сенсора. Большая площадь боковой поверхности массивов из наностержней и хорошие адсорбционные свойства позволяют создавать на их основе высокочувствительные хемосенсоры для экологического мониторинга. В диссертации представлены результаты исследований ПАВ сенсора СО с чувствительным элементом из наностержней оксида цинка, вынесенным из акустического канала .

Актуальным направлением исследований является создание микроэлектронных СВЧ-компонент на пленках высокотемпературного сверхпроводника УВа2Си3О7-х (Тс =90К) с низкими потерями . Чрезвычайно широкий спектр применения ВТСП-материалов обусловлен отсутствием потерь на постоянном токе и небольшими потерями на переменном , экранированием магнитных и электромагнитных полей , возможностью передачи сигналов с минимальными искажениями, а также выполнения аналоговых и цифровых функций при многократном (1000 раз) уменьшении мощности рассеяния и значительном (10-20 раз) повышении быстродействия в сравнении с современными полупроводниковыми приборами . Сегодня уже созданы первые образцы пассивных СВЧ-компонентов на пленках ВТСП (фильтры, резонаторы, фазовращатели, антенны, линии задержки и др.), рабочие характеристики которых позволяют использовать их в системах мобильной радиосвязи.

Цель работы и основные научные задачи

Целью диссертационной работы являлось создание и исследование новых радиофизических устройств : плазмонных наноантенн , микро-и наноразмерных резонаторов, металл-полупроводник -металл и ПАВ фотоприемников и ПАВ хемосенсоров , на основе тонких пленок и одномерных наноструктур , в результате . развития методов эпитаксиального роста тонких полупроводниковых и сверхпроводящих пленок ; многослойных тонкопленочных структур ; ориентированных массивов из наностержней ; наногетероструктур -наностержней оксида цинка, покрытых тонкой полупроводниковой или металлической пленкой , комплексного исследования радиофизических , электрофизических, оптических, структурных и морфологических свойств полученных тонкопленочных структур и наноматериалов на основе оксида цинка.

Основные научные задачи работы:

-создание и исследование радиофизических свойств оптических плазмонных наноантенн из ориентированных наностержней оксида цинка, покрытых тонкой пленкой серебра;

-получение и исследование оптических микро-и нанорезонаторов на наностержнях оксида цинка с постепенно уменьшающимся размером резонансной полости;

-создание и исследование оптических свойств фотоприемников металл-полупроводник-металл с двойными диодами Шоттки УФ и видимого диапазона на пленках золота и массивах наностержней оксида цинка ; -создание и исследование фотоприемников УФ диапазона на основе акустоэлектронного взаимодействия фотовозбужденных носителей с поверхностной акустической волной ; -

создание и исследование сенсора монооксида углерода на поверхностных акустических волнах ;

-создание и исследование СВЧ свойств плоскопараллельного резонатора образованного двумя сверхпроводящими пленками УВа2Си3О7-х разделенными

тонким диэлектриком ;

-развитие новых методов синтеза эпитаксиальных пленок и одномерных наногетероструктур на основе оксида цинка, используемых для создания устройств электроники и фотоники.

Научная новизна.

1. Разработан метод создания и исследованы оптические плазмонные наноантенны нового типа , образованные полупроводниковым нанокристаллом, покрытым тонкой пленкой серебра . Проведено сравнение теоретических электродинамических расчетов и экспериментальных характеристик оптических наноантенн различной длины . Экспериментально обнаружены максимумы в кривых коэффициента экстинкции . Установлено, что эти максимумы определяются плазмонными резонансами оптической антенны .

2. Методом пространственно разрешенной катодолюминесценции впервые исследованы моды типа шепчущей галереи в диэлектрических наноразмерных 7пО резонаторах с гексагональным поперечным сечением в видимой области спектра для полостей резонаторов с диаметрами меньшими или сравнимыми с длиной волны света. Модель интерференции волн в поперечном сечении описывающая спектральные позиции и ширины мод находится в хорошем соответствии с экспериментом.

3. Методами лазерного , карботермического и термического синтеза созданы и исследованы фотоприемники УФ и видимого диапазона с двойным диодом Шоттки на массиве наностержней оксида цинка и пленок золота с высокой фоточувствительностью и быстродействием .

4. Исследован фотоприемник УФ диапазона на поверхностных акустических волнах нового типа с повышенной фоточувствительностью за счёт многократных переотражений ПАВ .

5. Создан и исследован сенсор на ПАВ нового типа для определения малых концентраций газов с чувствительным элементом в виде решетки из параллельно -соединенных наностержней оксида цинка , подсоединенного в качестве нагрузки

к одному из отражательных ВШП линии задержки на ПАВ .

6. Для создания тонкопленочных элементов радиофизических устройств разработан новый метод многоступенчатого импульсного лазерного напыления эпитаксиальных пленок ZnO с использованием сверхтонких буферных слоев и эпитаксиальных прослоек , осажденных при пониженной температуре , а также метод одноступенчатого двухстороннего теневого внеосевое лазерного напыления сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7-x . .

7. Для создания одномерных элементов радиофизических устройств разработан новый метод импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона высокоориентированных в направлении оси с решеток наностержней ZnO, ZnO:Mg , ZnO:Co , ZnO:Mn и новые методики лазерного синтеза одномерных наногетероструктур типа сердцевина-оболочка ZnO наностержень-эпитаксиальная пленка ZnO:Mn(ZnO:Co) или типа ZnO наностержень с тонкопленочной ZnO/MgZnO/ZnO квантовой ямой на конце.

Достоверность результатов

Все научные выводы основаны на экспериментальных и теоретических результатах или на сравнении с результатами полученными другими авторами. Достоверность результатов исследований подтвеждена комплексным характером исследования структурных, электрических и оптических свойств наноструктур и пленок на основе оксида цинка методами оптической и растровой электронной микроскопии, дифракции быстрых электронов на отражение, высокоразрешающей трансмиссионной электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифракции, оптической спектроскопии, вынужденного комбинационного рассеяния, методами Ван-дер Пау, фото- и катодолюминесценции. Совместные исследования полученных ZnO наноструктур и сверхпроводящих пленок проводились с российскими организациями ИРЭ РАН, ИФТТ РАН, ФТИ РАН. Многие исследования выполнены в соавторстве с зарубежными исследователями из Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Germany; Departamento de Física, Universidade de Aveiro, Portugal .

Образцы ZnO наностержней исследовались также в MPI Microstructure Physics, Halle/Saale, Germany; в Electron Microscopy for Materials Science, University of Antwerp, Belgium; Institut N'eel, CNRS and Universit'e Joseph Fourier, Grenoble, France; National Center for Scientific Research Demokritos, Institute of Materials Science, Greece. Результаты исследований представленные в диссертации докладывались и обсуждались на всероссийских и международных конференциях и опубликованы в журнальных статьях ведущих российских и международных изданий.

Научная и практическая значимость работы

Исследования оптических наноантенн , образованных полупроводниковым наностержнем , покрытым тонкой пленкой серебра, имеют высокую практическую ценность , так как открывают новое направление создания плазмонных оптических наноантенн видимого и ИК диапазона, из проводящих полупродниковых оксидов на основе ZnO.

Исследование оптических мод в кольцевых микро и -наноразмерных ZnO резонаторах образованных в гексагональном поперечном сечении наноиглы оксида цинка с высоким аспектным отношением имеют практическую ценность для создания нанолазеров УФ диапазона .

Практическую ценность имеют разработанные в диссертации фотоприемники УФ и видимого диапазона с двойным диодом Шоттки на массиве наностержней оксида цинка и пленок золота с высокой фоточувствительностью и быстродействием.

Практически важными являются разработанная в диссертации методика изготовления и исследования фотоприемника УФ на ПАВ нового типа, где предложена схема детектирования, позволяющая повысить чувствительность фотопреобразователя за счёт многократных переотражений ПАВ . При этом сенсор может быть пассивным и беспроводным .

Важным практическим результатом полученным в диссертации является создание ПАВ сенсора монооксида углерода . Показана возможность

конструирования пассивных датчиков для определения параметров газовых сред на основе линии задержки из двух однонаправленных ВШП, один из которых нагружен на сопротивление связанных наностержней оксида цинка. Проведенные исследования составят основу для разработки новых систем беспроводного дистанционного контроля параметров газовых сред с чувствительными элементами из наностержней оксида цинка.

Разработанный метод теневого внеосевого лазерного напыления эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника может быть использован при получении широкого круга перспективных материалов (сегнетоэлектриков, мультиферроиков и манганитов). Данная модификация лазерного напыления может быть успешно применена для напыления пленок ВТСП большой площади для СВЧ применений или получения пленочных сверхпроводящих проводов.

Для повышения чувствительности и быстродействия фотоприемников УФ диапазона имеют большую практическую ценность эпитаксиальные пленки оксида цинка с гладкой морфологией поверхности , низкими механическими напряжениями , высоким структурным и оптическим совершенством и высокой электронной подвижностью синтезированные новым методом многоступенчатого импульсного лазерного напыления с использованием сверхтонких буферных слоев и эпитаксиальных прослоек, осажденных при пониженой температуре.

Массивы из высокоориентированных в направлении оси с решеток из наностержней на основе 7пО синтезируемые новым методом импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона составят основу для создания ряда перспективных устройств : оптических наноантенн, плазмонных поглотителей и эмиттеров ИК излучения, УФ фотоприемников, нанолазеров , одномерных термопреобразователей , приемников терагерцового диапазона , хемо-и био сенсоров .

Высокую научную и практическую значимость имеет разработанная в диссертации новая методика импульсного лазерного напыления наноструктур типа 7пО наностержень-эпитаксиальная пленка с использованием единой

технологии ИЛН наностержней при высоком давлении аргона и теневого внеосевого ИЛН эпитаксиальных полупроводниковых пленок при повышенном давлении кислорода . Методика может быть успешна использована для широкого круга наноструктур , в том числе оптических плазмонных наноантен ИК диапазона на основе новых метаматериалов таких как 7пО^а , 7пО;А1 и других материалов.

Разработанная в диссертации методика импульсного лазерного напыления тонкопленочной гетероструктуры 7пО/М§7пО/7пО квантовой ямы на вершине наностержней 7пО имеет высокую практическую ценность при создании нанолазеров УФ диапазона.

Разработаная в диссертации новая лазерная методика низкотемпературного синтеза наностержней /пО диаметром менее 10 нм с высоким аспектным отношением имеет практическую ценность для создания высокочувствительных пьезо-и хемосенсоров .

При выполнении диссертации получены 4 патента РФ на изобретения , связанные с применением тонких пленок и наностержней оксида цинка в ПАВ фотоприемниках УФ излучения и ПАВ хемосенсорах.

Полученные в диссертационной работе научные результаты соответствуют паспорту специальности; в части формулы специальности «...изучением общих закономерностей генерации,

передачи, приема, регистрации и анализа колебаний и волн различной физической природы и разных частотных диапазонов, а также их применением в фундаментальных и прикладных исследованиях. Общность изучаемых радиофизических закономерностей излучения , распространения, взаимодействия и трансформации колебаний и волн в различных средах»; в части область исследования: пункту 2 « Изучение линейных и нелинейных процессов излучения, распространения, дифракции, рассеяния, взаимодействия и трансформации волн в естественных и искусственных средах»; пункту 3 « Разработка, исследование и создание новых

электродинамических систем и устройств формирования и передачи радиосигналов: резонаторов, волноводов, фильтров и антенных систем в радио, оптическом и ИК - диапазоне» и пункту 6 «Разработка физических основ и создание новых волновых технологий модификации и обработки материалов »

Основные положения выносимые на защиту

1. Установлено, что радиофизические свойства наностержней оксида цинка, покрытых тонкой пленкой серебра , позволяют рассматривать их как новый тип плазмонных оптических антенн видимого и ближнего ИК диапазона. Теоретически и экспериментально обнаружены плазмонные резонансы оптической наноантенны.

2. Методом пространственно разрешенной катодолюминесценции в видимой области спектра впервые исследованы моды типа шепчущей галереи в диэлектрических наноразмерных 7пО резонаторах с гексагональным поперечным сечением для полостей резонаторов с диаметрами сравнимыми с длиной волны света. Модель интерференции волн в поперечном сечении, описывающая спектральные позиции и ширины мод, находится в хорошем соответствии с экспериментом.

3. Показано, что созданные методом импульсного лазерного напыления и исследованные фотоприемники УФ диапазона на поверхностных акустических волнах нового типа имеют повышенную фоточувствительность и быстродействие благодаря детектированию импульсных откликов после мнократного прохождения ПАВ волной фоточувствительной пленки оксида цинка , вызванных переотражениями от однонаправленных ВШП линии задержки. В отличие от ранее использованных подходов для УФ ПАВ детекторов света использованы вторые, третьи и более высокие отражения ПАВ для регистрации низкой интенсивности света.

4. Исследованы , созданные методами лазерного, карботермического и термического синтеза, фотоприемники УФ и видимого диапазона с двойным

диодом Шоттки на основе массива наностержней оксида цинка и пленок золота с высокой фоточувствительностью и быстродействием .

5. Установлено ,что эпитаксиальные пленки оксида цинка синтезированные новым методом многоступенчатого импульсного лазерного напыления с использованием сверхтонких буферных слоев и эпитаксиальных прослоек , осажденных при пониженой температуре , имеют высокую электронную подвижность , гладкую морфологию поверхности , низкие механические напряжения , высокое структурное и оптическое совершенство , что позволяет создавать из них элементы фотоприемников УФ и видимого диапазона , в том числе ПАВ фотоприемников , с высокой фоточувствительностью и быстродействием .

6. Для создания одномерных элементов радиофизических устройств разработан новый метод импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона высокоориентированных в направлении оси с решеток из структурно-совершенных наностержней оксида цинка . Сохранение стехиометрии при испарении в атмосфере аргона , позволило использовать данный метод для получения ряда новых наноматериалов на основе оксида цинка ; 7пМ§О , 7пМдО , 7пСоО . Оптимизация условий лазерного синтеза позволяет получать массивы из наностержней оксида цинка диаметром менее 10 нм по самокаталитическому механизму.

7. Созданы и исследованы сверхпроводящие тонкопленочные элементы СВЧ устройств с низкими потерями и 7пО наностержни с тонкопленочной 7пО/М§7пО/7пО квантовой ямой на конце . Для этого разработаны новый метод одноступенчатого двухстороннего теневого внеосевое лазерного напыления сверхпроводящих пленок и новые методики лазерного синтеза одномерных наногетероструктур типа /пО нанокристалл-эпитаксиальная пленка.

Личный вклад автора в диссертационную работу.

Участие автора заключалось в постановке всех задач, синтезе тонких пленок и наноструктур на основе оксида цинка, создании элементов радиофизических устройств , планировании и проведении изложенных в работе экспериментов. Диссертация является обобщением работ, выполненных автором в лаборатории Наноматериалов Института математики , механики и компьютерных наук им. И.И.Воровича Южного федерального университета и на кафедре Нанотехнологии физического факультета Южного федерального университета. Часть результатов получена автором в лаборатории импульсного лазерного напыления Института экспериментальной физики II Лейпцигского университета (Германия). При проведении исследований методом рентгеноструктурного анализа была оказана помощь к.ф.-м.н. Захарченко И.Н. и д.ф.-м.н. Абдулвахидовым К.Г., при исследованиях ZnO наноструктур методами растровой-электронной микроскопии- к.ф.-м.н. Лянгузовым Н.В. , в компьютерном моделировании-д.ф.-м.н. Лерером А.М.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кайдашев, Евгений Михайлович, 2018 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Wagner R. S., Ellis W. C.// Appl. Phys. Lett.-1964.-V.4.-P.89.

2. Givargizov E. I.// J. Crystal Growth.-1975.-V. 31.-P. 20.

3. Sakaki, Н. Scattering Suppression and High-Mobility Effect of Size-Quantized Electrons in Ultrafine Semiconductor Wire Structures// Jpn. Appl. Phys. -1980. Vol. 19.-P. L735.

4. Gudiksen, M. S., Lieber, C.M. Diameter-selective synthesis of semiconductor nanowires// Journal American Chemical Society. -2000.- Vol. 122.- 36.-P. 8801-8802.

5. Дубровский, В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения// Физика и техника полупроводников.- 2009.- Т. 43. N. 7.- С. 1585-1591.

6. K. Tomioka , K. Ikejiri, T. Tanaka , J. Motohisa , S. Hara , K. Hiruma} and T.Fukui,Selective-area growth of III-V nanowires and their applications/Journal of Materials Research.- 2011.-V. 26.- N. 14. -P. 2127-2141.

7. Xiangfeng, D., Lieber, C.M. General Synthesis of Compound Semiconductor Nanowires// Advanced materials. -2000.- 4.-P. 298-301.

8. Mark S. Gudiksen, Jianfang Wang, and Charles M. Lieber, Synthetic Control of the Diameter and Length of Single Crystal Semiconductor Nanowires//J. Phys. Chem. B.-2001.- 105.-P. 4062-4064.

9. Gudiksen, M. S., Lieber, C.M. Diameter-selective synthesis of semiconductor nanowires. Journal American Chemical Society. 2000, Vol. 122, 36, pp. 8801-8802.

10.Granqvist C.G. // Thin Solid Films.- 1990. - V.193. - P.730.

11.Vanheusden K., Warren W.L., Seager C.H., Tallant D.R., Voight J.A., Gnade B.E. // J. Appl. Phys.- 1996. - V.79. - P.7983.

12.Srikant V., Clarke D.R. // J. Appl. Phys.- 1998. - V.83. - P.5447.

13.Kim K.J., Park Y.R. // Appl. Phys. Lett.- 2001. - V.78. - P.475.

14. W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, and T.Venkatesan, Compositionally-tuned epitaxial cubic MgxZn1-xO on Si (100) for deep ultraviolet photodetectors// Appl. Phys. Lett.- 2003.-v.82.-P.3424-3426.

15.C. Yang, X.M. Li, X.D. Gao, X. Cao , R. Yang , Y.Z. Li , ZnMgAlO based transparent conducting oxides with modulatable bandgap// Solid State Communications.-2011.- 151 .-P. 264-267.

16.K.W. Liu , J.G. Ma , J.Y. Zhang , Y.M. Lu , D.Y. Jiang , B.H. Li , D.X. Zhao ,

Z.Z. Zhang , B. Yao , D.Z. Shen, Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film//Solid-State Electronics.-2007.-51.-P. 757-761.

17.Sun J., Dai Q., Liu F.J., Huang H.Q., Li Z.J., Zhang X.Q.,Wang Y.S. The ultraviolet photoconductive detector based on Al-doped ZnO thin film with fast response // Science China Physics, Mechanics & Astronomy.- 2011.- Vol.54.- No.1.- P.102-105.

18. Liu K W, Ma J G, Zhang J Y, et al. Ultraviolet photoconductive detector with high visible rejection and fast photoresponse based on ZnO thin film. Solid-State Electron.-2007.- 51(5).-P. 757-761.

19. Xu Q A, Zhang J W, Ju K R, et al. ZnO thin film photoconductive ultraviolet detector with fast photoresponse// J Cryst Growth.- 2006.- 289(1).-P. 44-47.

20. Zheng X G, Li Q S, Zhao J P, et al. Photoconductive ultraviolet detectors based on ZnO films// Appl Surf Sci.- 2006.- 253(4).-P. 2264-2267.

21. Zheng X G, Li Q S, Hu W, et al. Photoconductive properties of ZnO thin films grown by pulsed laser deposition// J Lumin.- 2007.- 122.-P. 198-201.

22.W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, and T.Venkatesan, Compositionally-tuned epitaxial cubic MgxZn1-xO on Si (100) for deep ultraviolet photodetectors// APPLIED PHYSICS LETTERS.- 2003.-v.82.- P.3424-3426.

23. L. W. Ji, S. M. Peng, Y. K. Su, S. J. Young, C. Z. Wu, W. B. Cheng, Ultraviolet photodetectors based on selectively grown ZnO nanorod arrays// APPLIED PHYSICS LETTERS.- 2009.- 94.-P.203106.

23. S. Bai , W. Wu , Y.Qin , N.Cui , D. J. Bayerl , X. Wang, High-Performance Integrated ZnO Nanowire UV Sensors on Rigid and Flexible Substrates//Adv. Funct. Mater.- 2011.- 20.-P. 1-6.

24Junfeng Lu, Chunxiang Xu, Jun Dai, Jitao Li, Yueyue Wang, Yi Lin and Panlin Li, Improved UV photoresponse of ZnO nanorod arrays by resonant coupling with surface plasmons of Al nanoparticles // Nanoscale.- 2015.- 7.-P. 3396-3403.

25. A. Marcu, C. Viespe, Sensors and Actuators B.- 2015.-208.-P. 2 .

26. Sharma P., Sreenivas K. Highly sensitive ultraviolet detector based on ZnO/LiNbO3 hybrid surface acoustic wave filter // Appl. Phys. Lett. -2003. -V. 83. P.3617-3619.

27.Tsai W.C., Kao H.L., Liao K.H., Liu Y.H., Lin T.P. and Jeng E. S. Room temperature fabrication of ZnO/ST-cut quartz SAW UV photodetector with small temperature coefficient // Optics Express.- 2015. -V. 23.- P. 2187-2195.

28.Kumar S., Kim G.-H., Sreenivas K., Tandon R.P. ZnO based surface acoustic wave ultraviolet photo sensor // Journal of Electroceramics. 2009. V. 22. P. 198-202.

29.Emanetoglu Nuri W., Zhu J., Chen Y., Zhong J., Chen Y., Lu Y. Surface acoustic wave ultraviolet photodetectors using epitaxial ZnO multilayers grown on r-plane sapphire // Appl. Phys. Lett. -2004.- V. 85.- P. 3702-3704.

30.Kumar S., Sharma P., Sreenivas K. Low-intensity ultraviolet light detector using a surface acoustic wave oscillator based on ZnO/LiNbO3 bilayer structure // Semicond. Sci. Technol.- 2005.- V. 20 . -P. L27-L30.

31.Pang H.F., Fu Y.Q., Li Z.J., Li Y., Ma J.Y., Placido F., Walton A.J., Zu X.T. Love mode surface acoustic wave ultraviolet sensor using ZnO films deposited on 36o Y-cut LiTaO3 // Sens. Actuators A Phys.- 2013- V. 193.- P. 87- 94.

32.Sharma P., Mansingh A., Sreenivas K. Ultraviolet photoresponse of porous ZnO thin films prepared by unbalanced magnetron sputtering // Appl. Phys. Lett. -2002.- V. 80.-P. 553-555.

33.Wei C.L., Chen Y.C., Cheng C.C., and Cheng P.S. Highly sensitive ultraviolet detector using a ZnO/Si layered SAW oscillator // Thin Solid Films. -2010.- V. 518.-№11.- P. 3059-3062.

34.Peng W., He Y., Wen C., Ma K. Surface acoustic wave ultraviolet detector based on zinc oxide nanowire sensing layer // Sens. Actuators A Phys. - 2012. -V. 184.- P. 34-40.

35.Wang W., Gu H., He X., Xuan W., Chen J., Wang X., Luo J. K. Thermal annealing effect on ZnO surface acoustic wave-based ultraviolet light sensors on glass substrates // J. Appl. Phys.- 2014.- V. 104.- P. 212107-212110.

36.He X. L., Zhou J., Wang W. B., Xuan W. P., Yang X., Jin H. and Luo J. K. High performance dual-wave mode flexible surface acoustic wave resonators for UV light sensing // J. Micromech. Microeng.- 2014. -V. 24.- P. 055014-055021.

37.Cheng D.L., Kao K.S., Lo C.H., Liang C.H., Chan L.P., Tsung C.W., Li Y.Y. Ultraviolet sensing system using ZnO based surface acoustic wave oscillator // Proc. of the 3rd International Conf. on Industrial Application Engineering.- 2015.- P. 435-438.

38. Wang W. S., Tsai C. J., Ma C. C. Qualitative and quantitative analysis of surface-acoustic-wave-based ultraviolet photodetectors // J. Appl. Phys.- 2013. -V. 114.- P. 064911-064919.

39. Wei C. L., Chen Y.C., Kao K.S., Wu K.T., Cheng D.L., Hsieh P.T. Characterization of ZnO films of surface acoustic-wave oscillators for ultraviolet sensing applications // J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS.- 2010.- 9(3).-P. 031009. 40.Sharma S., Tran A., Nalamasu O., and Dutta P. S. Spin-coated ZnO thin films using ZnO nano-colloid // J. Electron. Mater.- 2006.- V. 35.- P. 1237-1240.

41.Chivukula V., Ciplys D., Shur M., Dutta P. ZnO nanoparticle surface acoustic wave UV sensor // Appl. Phys. Lett.- 2010.-V. 96. -P. 233512-233514.

42.W., Jhao R.-Y., Ji L.-W., Fang T.-H., Chen S.-E. Love wave ultraviolet photodetector using ZnO nanorods synthesized on 90°-rotated ST-cut (42°45') quartz // Sens. Actuators A Phys. -2010.- V. 161.- P. 6-11.

43.Wang W.S., Wu T.T., Chou T.H. and Chen Y.Y. A ZnO nanorod-based SAW oscillator system for ultraviolet detection // Nanotechnology. -2009.- V. 20. -P. 135503135507.

44.Kumar S., Sharma P., Gulia V. and Sreenivas K.. Low Intensity Ultraviolet Light Detection Using a ZnO/LiNbO3 SAW Oscillator // Website, URL:

http: //een. iust.ac. ir/profs/Sadr/Papers/int3. 6 .pdf

45.Dasgupta D., Sreenivas K. Frequency hopping due to acousto-electric interaction in ZnO based surface acoustic wave oscillator // J. Appl. Phys. -2011.- V. 110.- P. 0445021-044502-8.

46.Phan D.T., Chung G.S. Fabrication and characteristics of a surface acoustic wave UV sensor based on ZnO thin films grown on a polycrystalline 3C-SiC buffer layer // Current Applied Physics.- 2012.- V. 12. -P. 521-524.

47.Peng W., He Y., Xu Y., Jin S., Ma K., Zhao X., Kang X., Wen C. Performance improvement of ZnO nanowire based surface acoustic wave ultraviolet detector via poly(3,4-ethylenedioxythiophene) surface coating // Sens. Actuators A Phys. -2013. -V. 199.- P. 149-155.

48.Feng X., Feng L., Jin M., Zhai J., Jiang L., Zhu D. Reversible super-hydrophobicity to superhydrophilicity transition of aligned ZnO nanorod films // J. of the American Chemical Society.- 2004.- V. 126. -P. 62-63.

49.Integrated tunable surface acoustic wave technology and sensors provided thereby: US Patent No. US 6,621,192 B2; Date of Patent: 16.09.2003 // Lu Y., Emanetoglu N.W.

50.Minuk J., Lee K. J., Yang S. S. Sensitivity improvement of the surface acoustic wave ultraviolet sensor based on zinc oxide nanoparticle layer with an ultrathin gold layer // Sens. Actuators A Phys.- 2014.- V. 210.- P. 59-66.

51.Zhou W, Dridi M, Suh J Y, Kim C. H, Co D T, Wasielewski M. R, Schatz G. C. and Odom T. W.// Nat. Nanotechnol. -2013.-11.-P. 8 506

52. Zhang W, Ding F, Li W. D, Wang Y, Hu J. and Chou S. Y. Nanotechnology.-2012.- 23.- P.225301.

53.Wang G, Lu H, Liu X, Mao D. and Duan L.Opt. Express.-2011.-19.- P.3513.

54. Zhang S, Genov D A, Wang Y, Liu M and Zhang X 2008 Phys. Rev. Lett. 101 047401

55. Si G. et al 2013 Nanoscale 5 6243-8

56. Krasavin A. V. and Zayats A. V. Appl. Phys. Lett.- 2010.-P. 97.

57. Liu Z, Liu X, Huang S, Pan P, Chen J, Liu G and Gu G. 5 Acs Appl. Mater. Interfaces.- 2015.-7.-P. 4962.

58. Zhou L, Tan Y, Wang J, Xu W, Yuan Y, Cai W., Zhu S. and Zhu J. Nat. Photon.-2016.-P. 10 393.

59. H. Song, J.Zhang, G. Fei, J. Wang, K. Jiang,P. Wang, Y.Lu, I. Iorsh, W. Xu, J. J., L. Zhang,Y. S Kivshar and L. Zhang, Near-field coupling and resonant cavity modes in plasmonic nanorod metamaterials//Nanotechnology.- 2016.- 27.P. 415708.

60. Boltasseva, A.; Atwater, H. A. Low-Loss Plasmonic Metamaterials// Science.-2011.- 331.-P. 290-291.

61. Kanehara, M.; Koike, H.; Yoshinaga, T.; Teranishi, T. Indium Tin Oxide Nanoparticles with Compositionally Tunable Surface Plasmon Resonance Frequencies in the Near-IR Region// J. Am. Chem. Soc.- 2009.- 131.-P. 17736-17737.

62. Rhodes, C.; Franzen, S.; Maria, J.-P.; Losego, M.; Leonard, D. N.; Laughlin, B.; Duscher, G.; Weibel, S. Surface Plasmon Resonance in Conducting Metal Oxides// J. Appl. Phys. -2006.- 100.-P. 054905.

63. Losego, M. D.; Efremenko, A. Y.; Rhodes, C. L.; Cerruti, M. G.; Franzen, S.; Maria, J. P. Conductive Oxide Thin Films: Model Systems for Understanding and Controlling Surface Plasmon Resonance// J. Appl. Phys.- 2009.- 106.-P. 024903.

64. Kawata, S.; Ono, A.; Verma, P. Subwavelength Colour Imaging with a Metallic Nanolens// Nat. Photon.- 2008.- 2.-P. 438-442.

65. Kawata, S.; Inouye, Y.; Verma, P. Plasmonics for Near-Field Nano-Imaging and Superlensing// Nat. Photon.- 2009.- 3.-P. 388-394.

66. Brongersma, M. L.; Shalaev, V. M. The Case for Plasmonics// Science.- 2010.-498.-P. 2009-2010.

67. S. Q. Li, P. Guo, L. Zhang, W.Zhou, T. W. Odom, T. Seideman,

J. B. Ketterson, R. P. H. Chang, Infrared Plasmonics with Indium Tin-Oxide Nanorod Arrays//Asc Nano.- 2011. -V. 5 .- N. 11 . -P..9161-9170.

68. Bourlange, A.; Payne, D. J.; Jacobs, R. M. J.; Egdell, R. G. Foord, J. S.; Schertel, A.; Dobson, P. J.; Hutchison, J. L. Growth of Microscale In2O3 Islands on Y-Stabilized Zirconia (100) by Molecular Beam Epitaxy// Chem. Mater.- 2008.- 20.- P.4551-4553.

69. Podolskiy, V. A.; Sarychev, A. K.; Narimanov, E. E.; Shalaev, V. M. Resonant Light Interaction with Plasmonic Nanowire Systems// J. Opt. A: Pure Appl. Opt.- 2005.7.- P.32-37.

70. Chaumet, P. C.; Rahmani, A.; Bryant, G. W. Generalization of the Coupled Dipole Method to Periodic Structures// Phys. Rev. B -2003.- 67.-P. 165404.

71. Kullock, R.; Grafstrom, S.; Evans, P. R.; Pollard, R. J.; Eng, L. M.Metallic Nanorod Arrays: Negative Refraction and OpticalProperties Explained by Retarded Dipolar Interactions//J. Opt. Soc. Am. B.- 2010.- 27.-P. 1819-1827.

72. Zhao, L. L.; Kelly, K. L.; Schatz, G. C. The Extinction Spectra of Silver Nanoparticle Arrays: Influence of Array Structure on Plasmon Resonance Wavelength and Width// J. Phys. Chem. B.- 2003.- 107.-P. 7343-7350.

73.Freeman, A. J.; Poeppelmeier, K. R.; Mason, T. O.; Chang,R.P.H.;Marks,T. J. Chemical andThin-FilmStrategies forNewTransparent Conducting Oxides// MRS Bull.-2000.- 25.-P. 45-51.

74. S. Li, , K. Sakoda, J. B. Ketterson, R. P. H. Chang, Broadband resonances in indium-tin-oxide nanorod arrays//Appl. Phys. Lett. 2015. V.107, 031104(pp.5)

75. C. G. Granqvist and A. Hultaker, Thin Solid Films.-2002.- 411.-P. 1-5 .

76. B. Tian, X. Zheng, T. J. Kempa, Y. Fang, N. Yu, G. Yu, J. Huang, and C. M. Lieber, Nature.-2007.- 449(7164).-P. 885-889 .

77. J. Svensson, N. Anttu, N. Vainorius, B. M. Borg, and L.-E. Wernersson, Nano Lett. -2013.-13(4).-P. 1380-1385.

78. B. Wild, L. Cao, Y. Sun, B. P. Khanal, E. R. Zubarev, S. K. Gray, N. F. Scherer, and M. Pelton, ACS Nano.-2012.- 6(1).-P. 472-482.

79. E. Cubukcu and F. Capasso, Appl. Phys. Lett.- 2009.- 95(20).-P. 201101 .

80. C. A. Balanis, Advanced Engineering Electromagnetics (Wiley, New York, 1989), Vol. 20

81. L. Novotny, Phys. Rev. Lett.-2007.- 98(26).-P. 266802.

82. Transparent conducting oxides, edited by D. S. Ginley, C. Bright in Materials Research Society Bulletin.-2000.- 25.-P. 15 .

83. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, T. Yao, Abstracts of 2nd International

Workshop on Zinc Oxide, October 23-25, 2002, Dayton, OH, edited by D. C. Look, Materials Research Society, p. 4.

84. K. Nakahara, H. Takasu, P. Fons, A. Yamada,K. Matsubara, K. Ikata, S. Niki, Abstracts of 2nd International Workshop on Zinc Oxide, October 23-25, 2002, Dayton, OH, edited by D. C. Look, Materials Research Society, p. 37.

85. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragama, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. Floro, E. Chason, J. Figiel, Jap. J. Appl. Phys.-1998.- 37.-P. 1540 .

86. H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, I. Akasaki , MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.-1999.- 4.-P. 10.

87. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W.Ager, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin , E. R. Weber, M. D. Dremser, R. F. Davis, Phys. Rev. -1996.- 54.-P. 17745.

88. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stolmer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, V. Lang, R. J. Molnar , Appl. Phys. Lett.-2000.- 77.-P. 2888.

89. H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Wetzel, I. Akasaki , phys. stat. sol. (b).-1999.- 216.-P. 683.

90. J. Han , K. E. Waldrip , S. R. Lee, J. J. Figiel , S. J. Hearne, G. A. Peterson , S. M. Mayers, Appl. Phys. Lett.-2001.- 78.-P. 67.

91. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R. P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliadis, D. C. Look, Appl. Phys. Lett.-1999.- 75.-P. 3947.

92. E.M.Kaidashev, M.Lorenz, ,H. von Wenckstern, A.Rahm, C.Semmelback, K.H.Han, G.Benndorf, C.Bundesmann, H.Hochmuth,M.Grudmann, High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multi-step pulsed laser deposition//Appl. Phys. Lett.-2003.- 82.-P.901-3903.

93. M. Lorenz, E.M. Kaidashev, H. von Wenckstern, V. Riede, C. Bundesmann, D. Spemann, G. Benndorf, H. Hochmuth, A. Rahm, H.-C. Semmelhack, M. Grundmann , Optical and electrical properties of epitaxial (Mg, Cd)xZn1-xO, ZnO and ZnO: (Ga, Al) thin films on c-plane sapphire grown by pulsed laser deposition// 9 th International Workshop on Oxide Electronics 2002, St. Pete Beach, Florida, USA, 20-23 October 2002(Solid- State Electronics 47, 2003, 2205-2209)

94. Bundesmann C., Schubert M., Spemann D., Butz T., Lorenz M., Kaidashev E. M., Grundmann M., Ashkenov N., Neumann H., Wagner G. Infrared dielectric functions and phonon modes of wurtzite MgxZn1-xO (x<=0.2) // Appl. Phys. Lett.- 2002.-81.-P. 2376-2378 .

95. Ashkenov N., Wagner G., Neumann H., Mbenkum B. N, Bundesmann C., Riede V., Lorenz M., Kaidashev E. M., Kasic A., Schubert M., Grundmann M. Infrared dielectric functions and phonon modes of high-quality ZnO films // J. Appl. Phys.-2003.- 93.-P.126-133.

96.R. Schmidt, B. Reinländer, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M.Lorenz, M. Grundmann, UV-VIS-Dielectric Funktion of PLD-grown ZnMgO thin films//Appl.Phys.Lett.-2003.-82 .-P.2260-2262.

97.C. Bundesmann, N. Askenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, M. Grundmann Raman scattering in ZnO thin films doped with Fe, Sb, Al, Ga and Li// Appl. Phys. Lett.-2003.- 83.-P.1974-1976.

98. G. Koster, G. J. H.Rijnders, D. H. Blank, H. Rogalla , Appl. Phys. Lett.-1999.-74.-P. 3729.

99. Ye, S. Gu, S. Zhu, T. Chen, L. Hu, F. Qin, R. Zhang, Yi. Shi, Y. Zheng, J. Cryst. Growth .-2002.-243.P. 151 .

100. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett.-1998.- 73.-P. 821.

101. Speman D.,Kaidashev E.M.,Lorenz M.,Vogt J.,Butz T.Ion beam analysis of epitaxial (Mg,Cd)xZn1-xO and ZnO:(Li,Al,Ga,Sb) thin films growth on c-plane sapphire //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-B.-2004.-v.219-220.-P.891-896.

102. N. Ohashi, I. Sakaguchi, S. Hishita, Y. Adachi, H. Hareda, T. Ogino, J. Appl. Phys.-2002.- 92.-P. 2378.

103. Ohtomo A., Kawasaki M., Koida T., Masubuchi K., Koinuma H., Sakurai Y., Yoshida Y., Yasuda T., Segawa Y. Mg xZnO1-x as a II-IV widegap semiconductor alloy // Appl. Phys. Lett. -1998.- V.72.- № 19.- P.2466-2468.

104. Ohtomo A., Kawasaki M.,Koida T.,Koinuma H., Yoshida Y.,Sumiya M., Fuke S.,Yasuda T., Segawa Y.// Mater. Sci. Forum. -1998.- V.264. -P.1459.

105. Tang Z.K.,Wong G.K.L., Yu P., Kawasaki M., Ohtomo A., Koinuma H.,Segawa Y.Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films // Appl. Phys. Lett.- 1998.- V.72.- № 25.- P.3270-3272.

106. Ohta H., Kawamura K., Orita M., Hirano M., Sarukura N., Hosono H.Current injection emission from a transparent p-n junction composed of p -SrCu2O2/ n -ZnO // Appl. Phys. Lett. -2000.- V.77. -№ 4.- P.475-477.

107. Kawaszoe H., Yanagi H., Ueda K., Hosono H. Transparent p - type conducting oxides : design and fabrication of p-n heterojunctions // MRS Bulletin. 2000. August. P.28-36.

108. Guo X., Choi J.-H., Tabata H., Kawai T. Fabrication and optoelectronic properties of a transparent ZnO homostructural licht-emitting diode // Jpn. J.Appl. Phys.- 2001.-V.40. -P. 177-180.

109. Josefh M., Tabata H., Saeki H., Ueda K., Kawai T. Fabrication of the low-resistive p-type ZnO by codoping method // Physica B. -2001.- V.302-303.- P.140-148.

110. Guo X.-L., Tabata H., Kawai T. Pulsed laser reactive deposition of p-type ZnO film enhanced by an electron cyclotron resonance source // Journal of Crystal Growth.-2001. -V.223.- P.135-139.

111. Vispute R.D.,Talyansky V., Choopun S., Sharma R.P.,Venkatesan T.,He M.,Tang X., Halpern J.B., Spencer M.G., Li Y.X., Salamanca-Riba L.G., Iliadis A.A., Jones K.A. Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hibrid optoelectronic devices // Appl. Phys. Lett. -1998.- V.73. -№ 3.- P.348-350.

112. Diagne M., He y., Zhou H., Makarona E., Nurmikko A.V., Han J., Waldrip K.E., Figel J.J., Takeuchi T., Kramers M. Vertical cavity violet licht emitting diode incorporating an aluminium gallium nitride distributed Bragg mirror and a tunnel junction // Appl. Phys. Lett.- 2001. -V.79.- № 22.- P.3720-3722.

113. Song Y.K., Diagne M., Zhou H., Nurmikko A.V.,Schneider R.P., Takeuchi T. Resonant-cavity InGaN quantum-well blue licht-emitting diodes// Appl. Phys.Lett.-2000. -V.77.- № 12.- P.1744-1746.

114. Hiramatsu M., Imaeda K.,Horio N., Nawata M. Transparent conducting ZnO thin films prepared by XeCl excimer laser ablation // J.Vac.Sci.Technol.- 1998.- V.16.- № 2. -P.669-673.

115. Susuki A., Matsushita T., Sakamoto Y., Wada N., Fukuda T., Fujiwara H., Okuda M. Surface flatness of transparent conducting ZnO:Ga2O3 grown by pulsed laser deposition // Jpn. J. Appl. Phys.-1996. -V.35. -P.5457-5461.

116. Rieger W., Metzger T., Angerer H., Dimitrov R., Ambacher O., Stutzmann M. Influence of substrate-induced biaxial compressive stress on the optical properties of thin GaN films // Appl. Phys.Lett.- 1996.- V.68. -№ 7.- P.970-972.

117. Lee In-Hwan., Choi In-Hoon., Lee C.R., Noh S.K. Evolution of stress relaxation and yellow luminiscence in GaN/sapphire by Si incorporation // Appl. Phys. Lett.-1997.- V.71.- № 10.- P.1359-1361.

118. Han J., Waldrip K.E., Lee S.R., Figiel J.J., Hearne S.J., Peterson G.A., Mayers S.M. Control and elimination of cracking of AlGaN using low-temperature AlGaN interlayers // Appl. Phys. Lett.-2001. -V.78.- № 1.- P.67-69.

119. Waldrip K.E., Han J., Figiel J.J., Zhou H., Makarona T., Nurmikko A.V. Stress engineering during metalorganic chemical vapor deposition of AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors // Appl. Phys. Lett. -2001. -V.78. -№ 21.- P.3205-3207.

120. Chen Y., Bagnal D.M., Koh H., Park K., Hiraga K., Zhu Z., Yao T. Plasma asisted molecular beam epitaxy of ZnO on c-plane sapphire :Growth and characterization // Appl. Phys. Lett. -1998.- V.84. -№ 7. -P.3912-3918.

121. Choopun S., Vispute R.D., Noch W., Balsamo A., Sharma R.P.,Venkatesan T., Iliadis A., Look D.C. Oxygen pressure-tuned epitaxy and optoelectronic properties of laser-deposited ZnO films on sapphire // Appl. Phys. Lett. -1999. -V.75. - № 25. P.3947-3949.

122. Lorenz M., Kaidashev E.M., Wenckstern H.V., Riede V., Spemann D., Bundesmann C., Lenzner J., Wagner G., R.Pickenhain R., Grundmann M. Electronic

and optical properties of Zn(Ga,Al,Mg,Cd)O thin films on c-plane sapphire grown by pulsed laser deposition. // 9th International Workshop on Oxide Electronics . 2002. Oktober 20-23. Florida, USA. P.51.

123. Lorenz . M, Kaidashev E. M., Rahm A., Semmelhack H.-C., Schmidt R.,Rheinländer B., Riede V., Spemann D., Wenckstern H. von, Grundmann M. // Structural, optical and electrical properties of PLD Zn(Ga,Al,Mg,Cd)O thin films on sapphire // Materials Research Society. 2nd International Workshop on Zinc Oxide. 2002. October 23-25. Dayton, Ohio, USA. P.44.

124. Wenckstern H. von, Pickenhain R., Lorenz M , Kaidashev E. M., Riede V.,Bundesmann C., Grundmann M. // Electrical properties of PLD Zn(Ga,Al,Mg,Cd)O thin films on c- and r-plane sapphire// Materials Research Society. 2nd International Workshop on Zinc Oxide. 2002. October 23-25. Dayton, Ohio, USA. P.43.

125. Bundesmann C., Schubert M., Spemann D., Butz T., Lorenz M., Kaidashev E. M., Grundmann M., Ashkenov N., Neumann H., Wagner G.// Infrared dielectric functions and phonon modes of wurtzite MgxZn1-xO (x<=0.2) //Applied Physics Letters.- 2002.-V. 81. -N.13.- P.2376-2378.

126. Schmidt . R., Bundesmann C., Ashkenov N., Rheinländer B., Schubert M., Lorenz M., Kaidashev E. M., Spemann D., Wagner G., Rahm A., Grundmann M. // Optical properties of ternary MgxZn1-xO thin films // Poster at the 26 th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2002. July 29 - August 2. Edinburgh., UK.

127. Lorenz M., Kaidashev E.M, .Wenckstern H.v., Bundesmann C., Riede V, Lenzer J., Grundmann M. Electronic properties of doped ZnO and (ZnO-MgCd)O thin films prepared by PLD // 66. Frühjahrstagung der DPG. Regensburg.Germany. 2002 . S.200.

128. Schmidt R., C. Bundesmann C., Kasic A., Kaidashev E. M.,.Rheinländer B., Lorenz M., Schubert M. , Grundmann M. Dielektrische Funktion im Bereich der Absorptionskante von ZnO und ZnO-MgO- und ZnO-Ga2O3-Mischkristallen untersucht mittels spektroskopischer Ellipsometrie // 66. Frühjahrstagung der DPG. Regensburg. Germany. 2002 . S.199.

129. Bundesmann C., Ashkenov N., Kasic A., Riede V., Schubert M., Kaidashev E. M., Lorenz M., Schmidt R., Reinländer B., Lenzner J., Wenckstern H. v., Grundmann M. Properties of pulsed-laser-deposited Zn1-x(Al, Ga, Mg, Cd)xO compound thin films // 66. Frühjahrstagung der DPG. Regensburg. Germany. 2002 .- S.177.

130. Ashkenov N., Bundesmann C., Kasic A., Mbenkum B., Schubert M., Lorenz M., Kaidashev E. M., Grundmann M. Phonon modes and free carrier properties of Al- and Ga-doped ZnO and (ZnCdMg)O thin films // 66. Frühjahrstagung der DPG. Regensburg. Germany. 2002. S.201.

131. Z. Zi-Wen, H. Li-Zhong, Z. He-Qiu, S. Jing-Chang, B. Ji-Ming, S. Kai-Tong, C. Xi, Chin. Phys. Lett.-2010.- 27.-P. 017301.

132.X. Pan, Z. Ye, J Li, X.Gu, Y. Zeng, H. He, L. Zhu, Y.Che, App. Surface Science.-2007.- 253.-P. 5067-5069.

133.B. L. Zhu, S. J. Zhu1, X. Z. Zhao,F.H.Su, G.H.Li,X.G.Wu and J. Wu, Phys. Status Solidi A.-2011.- 208.-P. 843850 .

134.A. S. Puzikov, N. V. Lyanguzov, D. G. Nesvetaev, I. N. Zakharchenko and E. M. Kaidashev, Chapter 3.Characterization of Antimony Doped ZnO Films Designed by Pulsed Laser Deposition //Advanced Materials - Studies and Applications, Editors: Ivan A. Parinov, Shun-Hsyung Chang and Somnuk Theerakulpisut , 2015, ISBN: 978-1-63463-749-7 ,Nova Science Publishers, pp. 39-49

135.Гиваргизов Е.И.Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Москва: Наука, 1977.-304с

136. Kaidashev E. M., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M. ZnO - Nanodrähte und Kristallite aus thermischer Verdampfung - Morphologie und optische Eigenschaften// DPG-Frühjahrstagung.2003.Dresden.Germany.Poster HL 49.56. p.260.

137. Lorenz M., Lenzner J., Kaidashev E.M., Hochmuth H., Grundmann M.Cathodoluminescence of selected single ZnO nanowires on sapphire//Annalen der Physik.-2004.-V.2.-N1.-P.39-42.

138. Bjork M.T.,Ohlsson B.J.,Sass T.,Persson A.L.,Thelander C.,Magnusson M.H.,Deppert K.,Wallenberg L.R.,Samuelson L.One-demensional heterostructures in semiconductor nanowhiskers //Appl.Phys.Lett.-2002.-V.80.-P.1058-1060.

139. Wu Y.,Fan R.,Yang P.Block-by-block growth of single-crystalline Si/SiGe superlattice nanowires //NanoLetters.-2002.-v.2.-p.83-86.

140.Gudiksen M.S.,Lauhon L.J.,Wang J.,Smith D.C.,Lieber C.M.Growth of nanowire superlattice structures for nanoscale photonics and electronics//Nature.-2002.-V.415-416.-P.617-620.

141. Kaidashev E. M, Lorenz M., Hochmuth H., Natusch D., Nobis T., Rahm A., Lenzner J., Grundmann M. A novel high-pressure pulsed laser deposition process for ZnO nanostructures // DPG.- Frühjahrstagung .2004.Regensburg.Germany.2004.Poster HL 12.71.

142. Rahm A, Nobis Th., Kaidashev E., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M. Wachstum und strukturelle Charakterisierung von ZnO Mikrokristallen und Nanodrähten // DPG.Frühjahrstagung.2004. Regensburg.Germany.Poster HL 17.3.

143. Nobis Th., Rahm A., Kaidashev E. M., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M. Ortsaufgelöste Kathodolumineszenz an ZnO Mikrokristallen und Nanodrähten // DPG.Frühjahrstagung.2004. Regensburg.Germany.Poster HL 17.5.

144. Nobis T., Kaidashev E.M., Rahm A., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M.Spatially Inhomogeneous Impurity Distribution in ZnO Micropillars // NanoLetters. -2004.-V. 4.-P. 797 - 800.

145. NobisT, Kaidashev E.M., Rahm A., Lorenz M, Grundmann M.Whispering gallery modes in nano-sized dielectric resonators with hexagonal cross section//Phys. Rev. Lett.-2004.-V.93.-N10.-P.1039031-1039034.

146.Кайдашев E.M.,Lorenz M.,Lenzer J.,Ramm A.,Grundmann M.,Абдулвахидов К.Решетки ZnO микро-и нанокристаллов,полученные методом импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона//ODPO-2004.Россия.с.120-122.

147. Lorenz M., Lenzner J., Kaidashev E.M., Hochmuth H., Grundmann M.Cathodoluminescence of selected single ZnO nanowires on sapphire//Annalen der Physik.-2004.-V.2.-N1.-P.39-42.

148.Kaidashev E. M., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M. ZnO - Nanodrähte und Kristallite aus thermischer Verdampfung - Morphologie und optische Eigenschaften// DPG-Frühjahrstagung.2003.Dresden.Germany.Poster HL 49.56. p.260.

148.Alivov Ya. I., Van Nostrand J. E., LookM D. C..ChukichevB V.. Ataev M.Observation of 430 nm electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes//Appl.Phys.Lett.-2003.-v. 83.-P. 2943-2945.

149.Park B.W., Yi G.C. Electroluminescence in n-ZnO nanorods arrays vertically grown on p-GaN//Advanced materials.- 2004.-N.16.-P.87-89

150.M. Lorenz, E. M. Kaidashev, A. Rahm, Th. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner,D. Spemann, H. Hochmuth, and M. Grundmann MgxZn1-xO ( x<0.2) nanowire arrays on sapphire grown by high-pressure pulsed-laser deposition//Appl.Phys.Lett.-2005.-v. 86.-P. 143113-143115.

151. V.G. Dubrovskii , N.V. Sibirev Growth rate of crystal facet of arbitrary size and growth kinetics of vertical nanowires// Phys. Rev. E.- 2004.-70. -P. 031604.

152. M. Lorenz, E. M. Kaidashev, A. Rahm, Th. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner, D. Spemann, H. Hochmuth, and M. Grundmann MgH Zn1-xO ( x<0.2) nanowire arrays on sapphire grown by high-pressure pulsed-laser deposition//Appl.Phys.Lett.-2005.-v. 86.-P. 143113-143115.

153.A.Rahm, E.M. Kaidashev, H.Schmidt, M.Diaconu, A.Pöppl, R.Böttcher, Ch.Meinecke, T.Butz, M.Lorenz and M.Grundmann, Growth and Characterization of Mn- and Co-Doped ZnO Nanowires// Microchimica Acta.-2006.-P.1436-5073.

154. Amelia O. Ankiewicz, Wolfgang Gehlhoff, Joana S. Martins, Angela S. Pereira, Sergio Pereira,Axel Hoffmann, Evgeni M. Kaidashev, Andreas Rahm, Michael Lorenz, Marius Grundmann,Maria C. Carmo, Tito Trindade, and Nikolai A. Sobolev, Magnetic and structural properties of transition metal doped

zinc-oxide nanostructures//Phys. Status Solidi B .-2009.- 246.- No. 4.- P.766-770.

155.Lorenz M., Hochmuth H., Schmidt-Grund R., Kaidashev E.M., Grundmann M.Advances of pulsed laser deposition of ZnO thin films, Annalen der Physik.-2004.- 13.-N.1 .-P.59-61.

156. В.Е. Кайдашев, Е.М. Кайдашев, M. Peres, T. Monteiro, M.R. Correia, N.A. Sobolev Оптические и структурные свойства наностержней ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления без катализатора //Журнал технической физики.- 2009.- т. 79.- вып. 11.-C.45-49.

157. Huang M.H., Mao S., Feick H., Yan H., Wu Y., King H., Weber E., Russo R., P. Yang P. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers// Science.-2001. -V.292.-P. 1897-1899.

158. Konenkamp R., Boedecker K., Lux-Steiner M.C., Poschenrieder M. Thin film semiconductor deposition on free-standing ZnO columns// Appl. Phys. Lett. -2000.-V.77.-P.2575-2577.

159. Kind B. H., Yan H., Messer B., Law M., Yang P.// Adv. Mater.-2002.-V.14.-P. 158.

160. Pan Z. W., Dai Z. R., Wang Z. L.Nanobelts of semiconducting oxides// Science.-2001.-V.291.-P.1947-1949.

161. Wu Y., Yan H, Huang M.,Messer B., Song J. H., Yang P.// Chem. Eur. J.-2002.-V. 8.-P.1261.

162.Huang M. H., Wu Y., Feick H., Tran N. ,Weber E., Yang P.Catalytic growth of zinc oxide nanowires by vapor transport// Adv. Mater. -2001.-V.13.-N2.-P.113-116.

163.Yao B. D., Chan Y. F., Wang N. Formation of ZnO nanostructures by a simple way of thermal evaporation//Appl. Phys. Lett.- 2002.-V.81.-P.757-759.

164.Park K., Lee J., Sung M., Kim S.Structural and optical properties of ZnO nanowires syntesed from ball-milled ZnO powders// Jpn. J. Appl. Phys.-2002. -V.41 .-P.7317-7321.

165. Satoh M., Tanaka N., Ueda Y., Ohshio S., Saitoh H.Epitaxial growth of zinc oxide whiskers by chemical-vapor deposition under atmospheric pressure// Jpn. J. Appl. Phys.- 1999.-V. 38.-P.586-589.

166.Park W. I., Kim D. H., Jung S. W., Yi G.Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of vertically well-aligned ZnO nanorods// Appl. Phys. Lett.- 2002.-V. 80.-P.4232-4234.

167. Гиваргизов Е.И.Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Москва: Наука, 1977.-304с.

168.Kaidashev E. M., Lorenz M., Lenzner J., Grundmann M. ZnO - Nanodrähte und Kristallite aus thermischer Verdampfung - Morphologie und optische Eigenschaften// DPG-Frühjahrstagung.2003.Dresden.Germany.Poster HL 49.56. p.260.

169. Park W. Controlled synthesis and properties of ZnO nanostructures grown by metal organic chemical vapor deposition: a review// Met Mater Int 2008;14:659 - 65. 170.Sharma S.,Sunkara M.K.Direct Syntesis of gallium tubes,nanowires and nanopaintbrushes//J.Am.Chem.Soc.-2002.-V.124.-P12288-12293.

171. Bootsma G.A.,Gassen H.J.//J.Crystal Growth.-1971.-V.10.-P.223.

172. Wagner R.S.//J.Appl.Phys.-1967.-V.38.-P.1554.

173. Gao P., Wang Z.L.// J. Phys. Chem. B.-2002.-V. 106.-P.12653.

174. Park W.I., Jun Y. H., Jung S. W., Yi G.C.Exiton emission observed in ZnO single crystal nanorods//Appl. Phys. Lett. -2003.-V.82 .-P.964-966.

175. Zhao Q. X., Willander M., Morjan R. E., Hu Q-H., Campbell E. E. B.// Appl. Phys. Lett.-2003.-V. 83.-P.165.

176. Lorenz M., Lenzner J., Kaidashev E.M., Hochmuth H., Grundmann M.Cathodoluminescence of selected single ZnO nanowires on sapphire//Annalen der Physik.- 2004.-13.-No.1.-P.39-42.

177. Guda. A.A., Smolentsev N. , Verbeeck J. , Kaidashev E.M. , Zubavichus Y. , Kravtsova A.N. , Polozhentsev O.E., Soldatov A.V.X-ray and electron spectroscopy investigation of the core-shell nanowires of ZnO:Mn// Solid State Communications. -2011.-v. 151.-p. 1314-1317.

178. A. A. Guda, N. Smolentsev, M. Rovezzi, E. M. Kaidashev, V. E. Kaydashev, A. N. Kravtsova, V. L. Mazalova, A. P. Chaynikov, E. Weschke, P. Glatzel and A. V. Soldatov, Spin-polarized electronic structure of the core-shell ZnO/ZnO:Mn nanowires probed by X-ray absorption and emission spectroscopy// J. Anal. At. Spectrom.- 2013.-28.-P. 1629-1637.

179. Кайдашев Е.М. Эпитаксиальные пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x . Получение и использование // Кандидатская диссертация .-1995.- Москва. ИРЭ РАН.- с.1-113.

180. Kaidashev E.M., Dneprovski V.G., Breus D., Sheftal R.N. Shadowed off-axis pulsed laser deposition of YBa2Cu3O7-x thin films // Journal of Superconductivity.- 2000.- Vol.13.- No.3.- P.407-410.

181.Лянгузов Н.В., Кайдашев В.Е., Кайдашев Е.М., Абдулвахидов К.Г. Исследование влияния толщины медного катализатора и пленочного подслоя на морфологию наностержней ZnO/Шисьма в ЖТФ.- 2011.-т.37.-вып.5.-С1-8.

182.M. Lorenz,, A.Rahm, B.Cao, J.Zuniga-Perez,, E.M. Kaidashev, N. Zakharov, G. Wagner, Th. Nobis, Ch. Czekalla, G. Zimmermann,,

M. Grundmann //Self-organized growth of ZnO-based nano- and microstructures//Phys. Status Solidi B.-2010.- v.247.-p.1265.

183.V.E. Kaydashev, E.M. Kaidashev, M. Peres, T. Monteiro, M.R. Correia, N.A. Sobolev, L.C. Alves, N. Franco, and E. Alves, Structural and optical properties of Zn0,9Mn01O/ZnO core-shell nanowires and Zn0,9Mn01O nanorods designed by pulsed laser deposition// J.Appl. Phys.- 106.-2009.-P. 093501.

184. O.E. Polozhentsev, V.L. Mazalova, V.E. Kaidashev1, E.M. Kaidashev, Ya.Zubavichus, A.V.Soldatov, ZnO:Mn nanorods and ZnO/ZnO:Mn core/shell structures:Synthesis and local atomic structure.//Journal of Physics: Conference Series.-2009. -v.190 .-P. 012138-012141.

185.S.S. Shinde, K.Y. Rajpure, Fast response ultraviolet Ga-doped ZnO based photoconductive detect// Materials Research Bulletin .-2011.-46.-P. 1734-1737.

186.A. L. Nikolaev, G. Ya. Karapetyan, D. G. Nesvetaev, N. V. Lyanguzov, V. G. Dneprovski, E. M. Kaidashev, Chapter 3. Preparation and Investigation of ZnO Nanorods Array Based Resistive and SAW CO Gas Sensors//Advanced Materials Springer Proceedings in Physics. -2014.-V.152. -P. 27-36.

187.Карапетьян Г.Я.,Кайдашев Е.М.,Николаев А.Л.,Несветаев Д.Г., Лянгузов Н.В.Датчик на поверхностных акустических волнах для измерения концентрации моноокиси углерода. Патент РФ №2550697. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений РФ 13.04.2015

188. Карапетьян Г.Я.,Кайдашев Е.М.,Николаев А.Л.,Несветаев Д.Г., Жилин Д.А.Пассивный беспроводный датчик на поверхностных акустических волнах для измерения концентрации моноокиси углерода. Патент РФ №2581570.Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений Российской Федерации 24.03.2016 года

189. X. Qiu, J. Zhu, J. Oiler, C. Yu, Z. Wang, H. Yu, Film bulk acoustic-wave resonator based ultraviolet sensor// APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 151917 2009

190.Z. Yan, X. Y. Zhou ,G. K. H. Pang,T. Zhang, W. L. Liu, J. G. Cheng, Z. T. Song, S. L. Feng, L. H. Lai , J. Z. Chen, Y. Wang, ZnO-based film bulk acoustic resonator for high sensitivity biosensor applications// APPLIED PHYSICS LETTERS.-2007.- 90.-P. 143503.

191. X. Bian1 , H. Jin , X. Wang , S. Dong , G. Chen , J. K. Luo, M. J. Deen , B. Qi, UV sensing using film bulk acoustic resonators based on Au/n-ZnO/ piezoelectric-ZnO/Al structure//SCIENTIFIC REPORTS | 5 : 9123 | DOI: 10.1038/srep09123

192. C. Czekalla, J. Guinard, C. Hanisch, B. Cao, E.M. Kaidashev, N. Boukos, A. Travlos, J. Renard, B. Gayral, D. Le Si Dang, M. Lorenz, M. Grundmann ,Spatial fluctuations of the optical emission from single ZnO/MgZnO nanowire quantum wells //Nanotechnology.-2008.v.19.- P.115202-115208.

193.Osgood R., et al. // Proc. of SPIE.- 2009.- V. 7394.- P. 1L1.

194.Mlinar V. // Nanotechnology.- 2013. -V. 24. -P. 042001.

195.Mikovsky N.M., et al. // J. Nanotechnology. -2012.- P. 1.

196.Lyvers D.P., Moon J.M., Kildishev A.V., Shalaev V.M., Wei A. // ACS NANO.-2008.- V. 2.- N. 12.- P. 2569.

197.Imafidon O., Georgakopoulos SVabbina., Ph.K., Pala N. // Proc. SPIE.- 2010. -V. 5.- P 7679.

198.Salomon L., Grillot F., Zayats A.V., Fornel F. // Phys. Rev. Lett.- 2001.- V.86.- P. 1110.

199.Garcia-Vidal F.J., et al. // J. Lightwave Technology.- 1999. -V. 17.- P. 2191.

200.Климов В.В. Наноплазмоника. М.: Физматлит, 2009.- 480 с.

201.Garcia-Vidal F.J., Martin-Moreno L., Pendry J.B. // J. Optics. A. -2005.- V.7.- P. 97.

202.Martin-Moreno L ., et al. // Phys. Rev. Lett.- 2001. -V. 86.- P. 1114.

203.Harries M.D., Summers H.D. // IEEE Photonics Technology Lett. -2006. -V. 18. -Р. 2197.

204.Zhmakin A.I. // Phys. Reports.- 2011.- V. 498.- P. 189.

205.Dintinger J., et al. // Adv. Materials.- 2006.- V.18. -P. 1645.

206.Padilla W.J., et al. // Phys. Rev. Lett. -2006.- V.96. -P. 107401.

207. Е.М. Кайдашев, Н.В. Лянгузов, А.М. Лерер, Е.А. Распопова , Экспериментальное и теоретическое исследование массивов наностержней ZnO, покрытых пленкой серебра, как антенн оптического и ближнего ИК диапазона// Письма в ЖТФ.-2014.-т.40.-вып.7.-C .79-86.

208. Е. М. Кайдашев, А. М. Лерер, Е. В. Головачева, В. Е. Кайдашев, Н. В. Лянгузов, Е. А. Цветянский, Экспериментальное и теоретическое исследование оптических антенн на основе наностержней ZnO, покрытых тонкой пленкой серебра //Радиотехника и электроника .- 2017.- т. 62.- № 12.- с. 1173-1181.

209.Головачева Е.В., Лерер А.М., Пархоменко Н.Г. // Вестник МГУ. -2011.-Серия 3.- №1.- C. 6.

210.Головачева Е.В., Лерер А.М., Махно П.В., Синявский Г.П. // Электромагнитные волны и электронные системы.- 2011.- Т. 16.- № 5. -С. 9.

211.А.М.Лерер//Радиотехника и электроника.-2012.-т.57.-№11.-с.1160.

212. А.М.Лерер,Е.А.Цветянский//Письма в ЖТФ.-2012.-т.38.-вып.21.-С77.

213. Н.В. Лянгузов, Е.М. Кайдашев, И.Н. Захарченко, О.А. Бунина, Оптимизация карботермического синтеза массивов микро- и наностержней оксида цинка и их морфометрических параметров// Письма в ЖТФ.- 2013.- т. 39.- вып. 17.-C.27-34.

214. http://www.luxpop.com

215. N. V. Lyanguzov, D. A. Zhilin, E. M. Kaidashev , Chapter 4. Carbothermal Synthesis and Characterization of ZnO Nanorod Arrays//Advanced Materials Springer Proceedings in Physics. -2014. -V.152.-P. 37-44

216.NobisT, Kaidashev E.M., Rahm A., Lorenz M, Grundmann M.Whispering gallery modes in nano-sized dielectric resonators with hexagonal cross section// Phys.Rev.Lett.-2004.-v. 93.-N.10.-p.1039031-1039034.

217. S. L. McCall et al., Appl. Phys. Lett.-1992.- 60.-P. 289.

218. S. Chang et al., Appl. Phys. Lett.-1999.- 75.-P. 166 .

219. K. J. Luo et al., Appl. Phys. Lett.-2000.- 77.-P. 2304.

220. X. Liu et al., Appl. Phys. Lett.-2004.- 84.-P. 2488.

221. A. F. J. Levi et al., Appl. Phys. Lett.-1993.- 62.-P. 2021.

222. S.M. Spillane, T. J. Kippenberg, and K. J. Vahala, Nature (London).- 2002.- 415.-P. 621.

223. M.V. Artemyev, U.Woggon, and R.Wannemacher, Appl. Phys. Lett.-2001.- 78.-P. 1032.

224. I. Braun et al., Appl. Phys.-2000,-v. 70.-P. 335.

225. U. Vietze et al., Phys. Rev. Lett.-1998.- 81.-P. 4628.

226. M. H. Huang et al., Science.-2001.- 292.-P. 1897 .

227. J.Wiersig, Phys. Rev. A.-2003.- 67.-P. 023807 .

228. J.Wiersig, J. Opt. A.-2003.- 5.-P. 53.

229. J. D. Jackson, Classical Electrodynamics ,Wiley, New York, 1999.

230. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett.- 2001.- 79.-P. 943.

231. Schmidt R., Rheinländer B., Schubert M., Spemann D., Butz T., Kaidashev E. M., Lorenz M., Grundmann M. Dielectric functions (1 to 5 eV) of wurtzite Mgx Zn1-x O(x< 0.29) thin films // Appl. Phys. Lett. -82.- No. 14.-2003.- P.2260-2262.

232. N.V. Lyanguzov, D. A. Zhilin, E. M. Kaidashev , Chapter 4. Carbothermal Synthesis and Characterization of ZnO Nanorod Arrays//Advanced Materials Springer Proceedings in Physics.- 2014.- V.152.- P. 37-44.

233. D. A. Zhilin, N. V. Lyanguzov, V. I. Pushkariov, L. A. Nikolaev, V.E. Kaydashev, E. M. Kaidashev, Chapter 5. Photoelectric Properties of Metal-Semiconductor-Metal Structure Based on ZnO Nanorods Designed Thermal Evaporation and Carbothermal Methods//Advanced Materials - Studies and Applications, Editors: Ivan A. Parinov, Shun-Hsyung Chang and Somnuk Theerakulpisut .- 2015.- ISBN: 978-1-63463-749-7 .-Nova Science Publishers.-P. 57-64.

234. V. I. Pushkariov, A. L. Nikolaev and E. M. Kaidashev, Chapter 4. Influence of Zn Vapor Supersaturation on Morphology and Optical Properties of ZnO Nanorods Grown by CVD Technique//Advanced Materials - Studies and Applications, Editors: Ivan A. Parinov, Shun-Hsyung Chang and Somnuk Theerakulpisut.- 2015.- ISBN: 978-1-63463-749-7.-Nova Science Publishers.-P.51-56.

235.Pushkariov, V.l. , Nikolaev, A.L. , Kaidashev, E.M. Synthesis and characterization of ZnO nanorods obtained by catalyst-free thermal technique //Journal of Physics: Conference Series.- 2014.-V. 541.- No. 1.-P.012031.

236. D. A. Zhilin, N. V. Lyanguzov, , L. A. Nikolaev, V. I. Pushkariov, E. M. Kaidashev ,Photoelectric properties of MSM structure based on ZnO nanorods, received by thermal evaporation and carbothermal syntesis // Journal of Physics: Conference Series.-2014.-V. 541.-No. 1.-P. 012038.

237.The Design of Construction Elements for Piezoelectric Rezonators and Chemosensors Based on Zinc Oxide Nanorods // Proceedings of the 2016

International Conference on "Physics, Mechanics of New Materials and Their Applications".- 2017.-P. 495-502.

238. Marcu A, Viespe C 2015 Laser-grown ZnO nanowires for room-temperature SAW-sensor applications Sensors and Actuators B 208 2

239. Sharma P., Sreenivas K. Highly sensitive ultraviolet detector based on ZnO/LiNbO3 hybrid surface acoustic wave filter// Appl. Phys. Lett. -2003.- 83.-P. 3617.

240.Tsai W. C., Kao H. L., Liao K. H., Liu Y. H., Lin T. P, Jeng E. S. Room temperature fabrication of ZnO/ST-cut quartz SAW UV photodetector with small temperature coefficient// Opt. Express. -2015.-23.-P. 2187.

241. Kumar S, Kim G H, Sreenivas K, Tandon R P ZnO based surface acoustic wave ultraviolet photo sensor// J. Electroceram.- 2009.- 22.-P. 198.

242.Emanetoglu N. W., Zhu J., Chen Y., Zhong J., Chen Y. and Lu Y. Surface acoustic wave ultraviolet photodetectors using epitaxial ZnO multilayers grown on r -plane sapphire// Appl. Phys. Lett.- 2004.- 85.-P. 3702.

243.Wei C. L., Chen Y. C., Cheng C. C., Kao K. S., Cheng D. L., Cheng P. S. Highly sensitive ultraviolet detector using a ZnO/Si layered SAW oscillator// Thin Solid Films.-2010.- 518.-P. 3059.

244.Peng W., He Y., Wen C., Ma K. Surface acoustic wave ultraviolet detector based on zinc oxide nanowire sensing layer// Sens. and Actuators A.-2012.- 184.-P. 34.

245. Chivukula V., Ciplys D., Shur M., Dutta P. ZnO nanoparticle surface acoustic wave UV sensor //Appl. Phys. Lett.- 2010.-P. 96 233512.

246.Jo M., Lee K. J., Yang S. S. Sensitivity improvement of the surface acoustic wave ultravioletsensor based on zinc oxide nanoparticle layer with an ultrathin gold layer// Sensors and Actuators A.-2014.- 210.-P. 59.

247. Peng W., He Y., Xu Y., Jin S., Ma K., Zhao X., Kang X., Wen C. Performance improvement of ZnO nanowire based surface acoustic wave ultraviolet detector via poly(3,4-ethylenedioxythiophene) surface coating //Sensors and Acuators A.-2013.-199.-P. 149.

248. Kumar S., Sharma P. and Sreenivas K. Low-intensity ultraviolet light detector using a surface acoustic wave oscillator based on ZnO/LiNbO3 bilayer structure //Semicond. Sci. Technol.- 2005.- 20.- P.27.

249. He X. L., Zhou J., Wang W. B., Xuan W. P., Yang X., Jin H. and Luo J. K. High performance dual-wave mode flexible surface acoustic wave resonators for UV light sensing //J. Micromech. Microeng.- 2014.- 24.-P. 055014.

250. Pang H. F., Fu Y. Q., Li Z. J., Li Y. F., Ma J. Y., Placido F., Walton A. J., Zu X. T. Love mode surface acoustic wave ultraviolet sensor using ZnO films deposited on 36°Y-cut LiTaO3 Sensors and Actuators A.-2013.- 193.- P.87.

251. Wang W., Gu H., He X., Xuan W., Chen J., Wang X., Luo J. K. Thermal annealing effect on ZnO surface acoustic wave-based ultraviolet light sensors on glass substrates// Appl. Phys. Lett.- 2014.- 104.-P. 212107.

252. Rotter M., Wixforth A., Ruile W., Bernklau D., and Riechert H. Giant acoustoelectric effect in GaAs/LiNbO3 hybrids// Appl. Phys. Lett.-1998.-73.-P. 2128.

253.G. Y. Karapetyan, V. E. Kaydashev, T. A. Minasyan, D. A. Zhilin, K. G. Abdulvakhidov and E. M. Kaidashev, Use of multiple acoustic reflections to enhance SAW UV photo-detector sensitivity // Smart Materials and Structures.-2017.- v.26.-P. 035029.

254.Карапетьян Г.Я., Кайдашев Е. М., Кайдашев В.Е., Жилин Д.А. Пассивный беспроводный датчик ультрафиолетового излучения на поверхностных акустических волнах. Патент РФ № 2613590. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений РФ 17.03. 2017.

255. A. L. Nikolaev, G. Ya. Karapetyan, D. G. Nesvetaev, N. V. Lyanguzov, V. G. Dneprovski, E. M. Kaidashev, Preparation and Investigation of ZnO Nanorods Array Based Resistive and SAW CO Gas Sensors // Advanced Materials Springer Proceedings in Physics.-2014. -V.152.P. 27-36.

256. Карапетьян Г.Я., Кайдашев Е.М. ,Николаев А.Л., Несветаев Д.Г., Лянгузов Н.В. Датчик на поверхностных акустических волнах для измерения концентрации моноокиси углерода, Патент №2550697, Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ 13.04.2015

257. Карапетьян Г.Я., Кайдашев Е. М., Николаев А. Л., Несветаев Д. Г., Жилин Д. А. «Пассивный беспроводный датчик на поверхностных акустических волнах для измерения концентрации моноокиси углерода». Патент №2581570, Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ 24.03.2016

258. Ting-Jen Hsueh, Yi-Wen Chen, Shoou-Jinn Chang, Sea-Fue Wang, Cheng-Liang Hsu, Yan-Ru Lin, Tzer-Shen Lin, and I-Cherng Chene, ZnO Nanowire-Based CO Sensors Prepared at Various Temperatures // Journal of The Electrochemical Society.-2007.- V.154.- N.12.- P. 393-396.

259. Lorenz M., Kaidashev E. M., Wenckstern H., Riede V., Bundesmann C., Spemann

D., Benndorf G., Hochmuth H., Rahm A., Semmelhack H.-C., Grundmann M.Optical and electrical properties of epitaxial (Mg, Cd)xZn1-xO, ZnO, and ZnO:(Ga, Al) thin films on c-plane sapphire grown by pulsed laser deposition // Solid State Electronics.-2003.-47.-P. 2205-2208.

260. Schmidt-Grund R., Schubert M., Rheinländer B., Fritsch D., Schmidt H., Kaidashev E.M., Lorenz M., Hochmuth H., Grundmann M.UV-VUV Spectroscopic ellipsometry of ternary MgxZn1-xO (0<x<0.53) thin films // Thin Solid Films.-2004.-v. 455-456.-P.500-504.

261. Guzman E., Hochmuth H., Lorenz M., Wenckstern H., Rahm A.,Kaidashev E.M., Ziese M., Setzer A., Esquinazi P., Pöppl A., Spemann D., Pickenhain R., Schmidt H., Grundmann M. Pulsed laser deposition of Fe- and Fe, Cu-doped ZnO thin films //Annalen der Physik.- 2004.-13.-P. 57 - 58.

262.Wenckstern H., Kaidashev E.M., Lorenz M., Hochmuth H., Biehne G., Lenzner J., Gottschalch V., Pickenhain R., Grundmann M. Lateral homogeneity of Schottky contacts on n-type ZnO // Applied Physics Letters.-2004.- 84.-P.79-81.

263.Bundesmann C., Ashkenov N., Schubert M., Rahm A., Wenckstern H., Kaidashev

E. M., Lorenz M., Grundmann M. Infrared dielectric functions and crystal orientation of a-plane ZnO thin films on r-plane sapphire determined by generalized ellipsometry // Thin Solid Films.- 2004.- 455-456.- P. 161-166.

264. Speman D.,Kaidashev E.M.,Lorenz M.,Vogt J.,Butz T.Ion beam analysis of epitaxial (Mg,Cd)xZn1-xO and ZnO:(Li,Al,Ga,Sb) thin films growth on c-plane sapphire

//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-B.-2004.-v.219-220.-P.891-896.

265. R. Schmidt-Grund,_ B. Rheinlaender, E. M. Kaidashev, M. Lorenz ,M. Grundmann, D. Fritsch,,M. M. Schubert,,H. Schmidt,C. M. Herzinger Vacuum Ultraviolet Dielectric Function and Band Structure of ZnO //Journal of the Korean Physical Society.- 2008.- V. 53.- No. 1.-P. 88-93.

266.Еремеев В. А., Кайдашев Е. М., Соловьев А. Н. Конечно-элементное моделирование в динамических задачах для упругих решеток микро- и нанокристаллов из оксида цинка// Вестник ЮНЦ РАН.- 2006. -Т. 2.- № 1.-C.10-15.

267.Еремеев В.А.,Кайдашев Е.М.,Соловьев А.Н. Моделирование в динамических задачах для упругих решеток микро-и нанокристаллов//Экологический вестник .-2006.-C.18-25.

268.A.O.Ankiewicz,M.C.Karmo,N.A.Sobolev,W.Gehlhoff,E.M.Kaidashev,A.Rahm,M. Lorenz,M.Grundmann,Electron paramagnetic resonance in transition metal-doped ZnO nanowires// Journal Applied Physics.- 2007.-v.101.-p.0243241-0243246.

269. E. M. Кайдашев, M. Lorenz, J. Lenzner,A. Ramm,T. Nobis,M. Grundmann, N.Zakharov А.Т.Козаков, С.И.Шевцова, К.Г.Абдулвахидов, В.Е.Кайдашев,Структура и оптические свойства ZnO нанокристаллов , полученных методом импульсного лазерного напыления на пленках GaN/Si(111) с использованием Au и NiO -катализаторов // Известия РАН. Серия физическая.-2008.-т.72.-№.8.-С1212-1214.

270. M. Grundmann, A. Rahm, Th. Nobis, M. Lorenz, Ch.Czekalla, E. M. Kaidashev, J. Lenzner, N. Boukos, A. Travlos Growth and characterization of ZnO nano- and microstuctures in: Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, M. Henini, ed. Elsevier. Amsterdam, 2008. P. 293-323.

271.В.Е. Кайдашев, Е.М.Кайдашев, О.В.Мисочко, М.Ю.Максимук, Т.Н.Фурсова, А.В.Баженов, Ориентированные наностержни ZnO и их ИК спектры отражения// Известия РАН. Серия физическая.-2009.-т.73.-№П.-С1628-1632.

272. В.Е. Кайдашев, О.В. Мисочко, M.R. Correia, M. Peres,T. Monteiro, N.A. Sobolev, Е.М. Кайдашев// Исследование рамановского рассеяния на обертонах полносимметричного LO фонона в нанокристаллах Zn0.9Mn0.1O при резонансном возбуждении//Письма в ЖТФ.- 2009.- т. 35.- вып. 23.-C.32-39.

273. А.В. Баженов, Т.Н. Фурсова, М.Ю. Максимук, Е.М. Кайдашев, В.Е. Кайдашев, О.В. Мисочко //Выращивание нанокристаллов ZnO импульсным лазерным напылением на сапфире и кремнии и их инфракрасные спектры //Физика и техника полупроводников.- 2009.- т. 43.- вып. 11.-C.1576-1582.

274. Ishioka K. , Petek H. , Kaydashev V.E. , Kaidashev E. M., Misochko O. V. Coherent optical phonons of ZnO under near resonant photoexcitation //J. Phys.: Condens. Matter.-2010.-v. 22.-P. 465803.

275.Лянгузов Н.В.,Кайдашев В.Е.,Захарченко И.Н.,Куприна Ю.А.,Бунина О.А.,Юзюк Ю.И.,Киселев А.П.,Кайдашев Е.М.Использование различных катализаторов роста для лазерного напыления микро-и наностержней ZnOZ/Журнал технической физики.-2012.-т.82.-вып.4.-C.114-122.

275. Н.В. Лянгузов, В.Е. Кайдашев, В.Б. Широков, Е.М. Кайдашев, Магнетронное и импульсное лазерное напыление наночастиц и несплошных пленок Ag и Au и исследование их оптических свойств// Журнал технической физики.- 2012.- т. 82.-вып. 10.-C.90-95.

276. В.Е.Кайдашев,Н.В.Лянгузов,Ю.И.Юзюк,Е.М.Кайдашев,Усиление комбинационного рассеяния локализованными плазмонами в наночастицах серебра и золота на поверхности наностержней оксида цинка//Журнал технической физики. -2012.-т.82. -вып.10. -P.85-89.

277 .В. Лянгузов, А.С. Анохин, Д.И. Левшов, Е.М. Кайдашев, Ю.И. Юзюк, И.Н. Захарченко, О.А. Бунина. Особенности оптических фононов в спектрах комбинационного рассеяния света массива вертикальных микростержней ZnO на кремнии//Физика твердого тела. -2014.-т.56.-М3.-С542-548. 278. Mezdrogina M.M., Eremenko M.V., Levitskii V.S., Petrov V.N., Terukov E.I., Kaidashev E.M., Langusov N.V. Effect of self-organization, defects, impurities, and

autocatalytic processes on the parameters of ZnO films and nanorods// Semiconductors .- 2015.-v.49.-P. 1473-1482.

279.Puzikov, A.S. , Lyanguzov, N.V., Kaidashev, E.M. Pulsed laser deposition and investigation of antimony-doped ZnO films //Journal of Physics: Conference Series.-2014.-V. 541.No 1.-P. 012004.

280. A.M. Lerer , P. E. Timoshenko, G. A. Kalinchenko, E. M. Kaidashev, and A. S. Puzanov, Dispersion characteristics of Zinc oxide nanorods organaized in two-dimensional uniform arrays// PIERS Proceedings. Prague. Czech Republic.- 2015.-P.994-998.

281. A.M. Lerer, P.E. Timoshenko, E.M. Kaidashev, A.S. Puzanov and T.Y. Chernikova, Chapter 22. Dispersion Characteristics of Zinc Oxide Nanorods Coated with Thin Silver Layer and Organized in Two-Dimensional Uniform Arrays, Springer Proceedings in Physics.-2016.- V. 175.-P.317-326.

282. A. M. Lerer ; P. E. Timoshenko ; V. V. Zemlyakov ; E. M. Kaidashev ; A. S. Puzanov, Optical nanowaveguides based on zinc oxide plasmonic materials // Progress in Electromagnetic Research Symposium (PIERS).- 2016.-P.1616 - 1620.

283. A.M. Lerer , P.E. Timoshenko , E.V. Golovacheva , E.M. Kaidashev, A.S.Puzanov, Optical nanowaveguides based on zinc oxide plasmonics materials //Journal Physics : Conference Series .-2016.-v.741.-P. 012159.

284. A.M. Lerer , P.E. Timoshenko , E.V. Golovacheva , E.M. Kaidashev, A.S.Puzanov,Optical nanowaveguides based on zinc oxide plasmonics materials //Journal Physics : Conference Series .-2016.-v.741.-P. 012159.

285. A. M. Lerer, P. E. Timoshenko, T. Yu. Chernikova, E. V. Golovacheva, E. M. Kaidashev and A. J. Emaimo, Chapter 20. Refractive Properties of Nanorod-Type 2D Photonic Crystals // Proceedings of the 2016 International Conference on "Physics, Mechanics of New Materials and Their Applications".- 2017.-P. 141-146.

286. G. Ya. Karapetyan and E. M. Kaidashev , Chapter 70. Investigation of the Wireless Reading from Signal Passive SAW Sensors with Reflective Interdigital Transducers // Proceedings of the 2016 International Conference on "Physics, Mechanics of New Materials and Their Applications".- 2017.- P. 513-518.

287. Карапетьян Г.Я., Кайдашев Е. М., Кайдашев В.Е., Жилин Д.А. Пассивный беспроводный датчик ультрафиолетового излучения на поверхностных акустических волнах. Патент РФ № 2613590. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений РФ 17.03. 2017.

288. Карапетьян Г.Я., Кайдашев Е.М.,Кайдашев В.Е.,Минасян Т.А. «Способ измерения физических величин с помощью датчиков на поверхностных акустических волнах», Патент РФ 2629892. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений РФ 17.03. 2017.

289. B.Holzapfel, B.Roas, L.Schulz, P.Bauer, G.Saeman-Ischenko, Off-axis deposition of YBa2Cu3O7-x thin films // Appl.Phys.Lett.- 1992- v.61-P.3178-3180.

290. K. Kinoshita, T.Tshibashi , Improved surface smoothness of YBa2Cu3O7-x films and related multilayers by ArF excimer laser deposition with shadow mask "eclipse metod"// Jap.J.Appl.Phys.-1994.-v.33.-P.417-420.

291. E.Kaidashev , V.Dneprovski, R.N.Sheftal , Optical control of growth mechanism in pulsed laser deposition of YBa2Cu3O7-x films// Czechoslovak Journal of Physiks.-1996.- v.46.-Suppl.S3.-P.1527-1528.

292. Корольков Д.С., Кайдашев E.M., Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. Влияние наноразмерных эффектов на структуру эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7-y // Письма в ЖТФ.-2004.-30.-С15-19.

293. R. C. Taber. A parallel plate resonator technique for microwave loss measurements on superconductors// Rev. Sci. Instrum.-1990. -v. 61.- № 8.- P. 2200-2206.