Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Шипицын, Дмитрий Святославович

• Шипицын, Дмитрий Святославович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шипицын, Дмитрий Святославович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КВАНТОВОГО АНАЛОГА КМОП- ТРАНЗИСТОРА.

1.1. Гетероструктуры на основе ОаАй.

I. 1.1. Приборы с резонансным туннелированием электронов.

1.1.2. Приборы на сверхрешетках.

1.1.3. Гетероструктуры с селективным легированием и двумерным электронным газом.

1.2. Омические контакты к гетерострукт урам с квантовыми ямами.

1.2.1. Омические контакты к структурам на СаАя.

1.2.2. Омические контакты к отдельным квантовым ямам.

1.3. Латеральный транспорт в одноямных структурах.

1.4. Эффекты трансформации волновой функции электронов в многоямных структурах.

1.5. Выводы по Главе 1.

ГЛАВА 2. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР СА(Ш)А8/АЬОАА8.

2.1. Описание установки молекулярно-лучевой эпитаксии ЦНА-18.

2.2. Получение сверхвысокого вакуума.

2.3. Материалы для МЛЭ.

2.4. Подготовка подложек.

2.5. Эпитаксиальный рост.

2.5.1. Анализ поверхности в ходе эпитаксиального роста.

2.5.2. Автоматизация процесса роста.

2.6. Влияние условий роста на свойства гетероструктур ОаАб/АьОаАз.

2.7. Особенности роста гетероструктур 1ыОаА8/АьОаА8.

2.7.1. Выращивание образцов.

2.7.2. Рентгенодифракционные исследования.

2. 7.3. Фотолюминесценция.

2. 7.4. Расчет Ее\.ш и определение параметров квантовых ям.

2.8. Исследования рНЕМТ - структур с высокой концентрацией 2В - газа.

2.9. Выводы по Главе 2.

ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К СТРУКТУРАМ И КВАНТОВЫМ ЯМАМ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ САА8.

3.1. Омические контакты к структурам на основе ОаА8.

3.2. Независимые омические контакты к отдельным квантовым ямам.

3.2.1. Методика создания селективных омических контактов.

3.2.2. Теоретическое обоснование методики.

3.2.3. Технология получения экспериментальных образцов.

3.2.4. Результаты.

3.3. Выводы по Главе 3.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАТЕРАЛЬНОГО ТРАНСПОРТА В СТРУКТУРАХ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ САА8/АЬСАА8.

4.1. Исследование латерального транспорта электронов в одноямных структурах с прямоугольными квантовыми ямами.

4.2. Транзистор с модулированной подвижностью электронов.

4.3. Выводы по Главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора»

КМОП элементная база в настоящее время не удовлетворяет требованиям разработчиков аппаратуры, прежде всего по потребляемой мощности. Поэтому актуальна задача разработки новой элементной базы, обладающей более высокой экономичностью по энергопотреблению в сочетании с высоким быстродействием и высокой плотностью компоновки.

Одним из основных направлений развития высокопроизводительной вычислительной техники, средств связи и систем обработки видеоинформации является разработка приборов на новых физических принципах, которые обеспечивают меньшее энергопотребление и большую скорость обработки и преобразования сигналов. Достигнутый в настоящее время уровень технологии позволяет создавать структуры с характерными размерами толщин слоев порядка нескольких нанометров, что сравнимо с длиной волны электрона. Физические свойства таких структур определяются законами квантовой механики. Это открывает путь к использованию фундаментальных квантовомеханических эффектов для обработки и преобразования информации. Основные особенности квантовых структур обусловлены размерным квантованием энергетического спектра и интерференцией различных квантовых состояний. Цифровое кодирование информации предполагает наличие у прибора дискретных логических уровней. Различные логические уровни отвечают устойчивым состояниям физического прибора и характеризуются заданными распределениями заряда и тока. В классическом приборе такие устойчивые состояния формируются в результате диффузионно-дрейфового перераспределения носителей заряда. Дискретность состояний квантовых систем носит фундаментальный характер и внутренне присуща этим системам.

Был предложен и развивается подход, в котором носителем информации выступает амплитуда электронной волновой функции в данной области квантовой системы (максимуму амплитуды отвечает логическая "1", минимуму амплитуды - логический "О"). Приложение к структуре внешнего напряжения изменяет энергетический спектр и позволяет управлять квантовой интерференцией. Это вызывает контролируемую передислокацию электронной плотности в системе, соответствующую преобразованию информации по заданному закону.

В качестве физической основы для ре&тизации приборов- с управляемой передислокацией электронной плотности предполагалось использовать структуру с набором туннельно-связанных квантовых ям. Так как время выполнения логической операции в такой структуре определяется временем туннелирования, то, теоретически, оно может быть меньше 1 псек. Указанный принцип позволяет реализовать квантовые аналоги КМОП схем, не потребляющие энергии в стационарном состоянии. Энергопотребление квантового прибора в переходном режиме также может быть существенно снижено, что создает уникальные перспективы для построения сверхбыстродействующих систем сверхвысокой степени интеграции. К началу данного исследования были разработаны теоретические основы для создания таких приборов.

Для реализации квантового аналога КМОП- транзистора необходимы высококачественные гетероструктуры с высокими электрофизическим параметрами, технология формирования независимых омических контактов к отдельным квантовым ямам для снятия информации о состоянии квантовой системы (существующие на сегодня технологии сложны и не годятся для производства интегральных схем), а также информация о механизмах латерального транспорта в структурах с квантовыми ямами. Это обусловливает актуальность представленной работы.

Целью данной работы являлось создание элементов квантового аналога КМОП- транзистора, а именно: создание высококачественных гетероструктур с квантовыми ямами на основе соединений 1пОаА8/АЮаА8; изучение латерального транспорта и эффектов взаимодействия квантовых ям в многоямных структурах; разработка технологии формирования омических контактов к отдельным квантовым ямам.

В связи с вышесказанным, в настоящей работе ставились задачи:

1. Создание высококачественных гетероструктур с квантовыми ямами на основе соединений Са(1п)А8/АЮаА8 методом молекулярно-лучевой эпитаксии на установке "ЦНА-18" и изучение влияния технологических условий роста на электрофизические (концентрация и подвижность двумерного газа электронов) и фотолюминесцентные (положение, интенсивность и ширина линий) свойства полученных гетероструктур.

2. Разработка технологии формирования омических контактов к отдельным квантовым ямам в двухъямных структурах,

3. Исследование латерального транспорта и эффектов взаимодействия электронов в квантовых ямах в структурах с двумя прямоугольными туннельно-связанными квантовыми ямами.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые численно, с помощью уравнения Шредингера в одноэлектронном приближении в рамках метода огибающей волновой функции рассчитаны энергии переходов с первого электронного уровня на уровень тяжелых дырок в структурах ОаАзЛпСаАз с прямоугольными квантовыми ямами с учетом областей сегрегации;

2. Проведены комплексные исследования влияния условий роста и параметров структур АЮаАяЛпОаАз/ОаЛх на их электрофизические характеристики и вид спектров фотолюминесценции и впервые показано, что вид спектров определяется соотношением интегралов перекрытия волновых функций электронов первой и второй подзон с волновой функцией тяжелых дырок.

3. Впервые предложена и реализована методика создания селективных омических контактов к системе двух независимых или туннельно-связанных квантовых ям, основанная на использовании различающихся по составу квантовых ям;

4. Впервые предложена и реализована структура транзистора с модулированной подвижностью с рекордной глубиной модуляции, равной 30 при температуре 77 К.

Практическая значимость работы определяется тем, что:

1. С помощью комплекса методов исследования выполнены оценки степени совершенства эпитаксиальных структур ОаА8/1пСаА8 и выявлены причины образования дефектных областей. Установлена связь электрофизических параметров структур АЮаАзЯпОаАз/ОаАз с технологическими режимами роста, химическим составом и толщинами слоев. Оптимизированы технологические условия роста и получены гетероструктуры с высокими -у |2 параметрами (концентрация двумерного газа электронов - 1.5' 10 -ь2.8-10 см"", подвижность при 77 К - 7000-^21100 см"/В-с). На основе полученных структур изготовлены транзисторы с длиной канала 1 мкм и крутизной вольт-амперной характеристики 300 мСм/мм;

2. Предложена и реализована методика создания селективных омических контактов к системе двух независимых или туннельно-связанных квантовых ям, основанная на использовании различающихся по составу квантовых ям. Предложенная методика открывает новые возможности не только для исследования свойств отдельных квантовых ям и их взаимодействия, но и для создания приборов на основе новых физических принципов (например, туннельно-резонансного транзистора).

3. Оптимизирована структура невплавных омических контактов к структурам на СаАв, основанная на применении приконтактного варизонного слоя 1пхСа^хА8. На основе данной технологии изготовлены базовые матричные кристаллы (БМК), содержащие 40 тыс. транзисторов с длиной затвора 1 мкм в кристалле размером 7.3x7.3 мм, позволяющие сформировать более 10 тыс. вентилей;

4. На основе структуры с двумя асимметричными туннельно-связанными квантовыми ямами реализован макет транзистора с модулированной подвижностью с глубиной модуляции, равной 30 при температуре 77 К. Модуляция подвижности осуществляется за счет делокализации волновой функции электронов из широкой квантовой ямы с высокой подвижностью при приложении внешнего электрического поля.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Впервые, с помощью решения уравнения Шредингера в одноэлектронном приближении в рамках метода огибающей волновой функции, рассчитаны энергии переходов с первого электронного уровня на первый уровень тяжелых дырок в структурах ОаАвЛпОаАз с учетом областей обеднения атомами индия.

2. Вид спектров фотолюминесценции структур АЮаАзЛпОаАз/ОаАв с

12 1 ^ ^ концентрацией двумерного газа электронов 1.5'10 - 2.8' 10 " см"-определяется соотношением интегралов перекрытия волновых функций электронов первой и второй подзон с волновой функцией тяжелых дырок. Интегралы перекрытия определяются встроенным электрическим полем, обусловленным наличием двумерного газа электронов.

3. Впервые предложена и реализована методика создания селективных омических контактов к системе двух независимых или туннельно-связанных квантовых ям изотипной проводимости, основанная на использовании различающихся по составу квантовых ям.

12

Считаю своим приятным долгом поблагодарить соавторов по публикациям и коллег по научной работе за всестороннюю помощь и поддержку.

Выражаю глубокую благодарность Садофьеву Юрию Григорьевичу (ФИ РАН) и Евстигнееву C.B. (МИЭТ) за неоценимую помощь при подготовке работы.

Хочу выразить благодарность Колтыженкову В.М., Бирюлину П.В., Цибизову А.Г (НОЦ "Квантовые приборы и нанотехнологии") за помощь при проведении компьютерного моделирования и Шмелеву С.С. (НОЦ "Квантовые приборы и нанотехнологии") за подготовку образцов.

Хочу поблагодарить Капаева В.В. (ФИ РАН) за предоставленные программы компьютерного моделирования и Трофимова В.Т. (ФИ РАН) за измерение вольт-амперных характеристик образцов.

Весьма благодарен Хабарову Ю.В. (ИРЭ РАН) за измерение спектров фотолюминесценции, а также Имамову P.M., Ломову A.A. и Чуеву М.А. (Институт кристаллографии РАН) за измерение и обработку спектров двухкристалльной рентгеновской дифрактометрии.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Шипицын, Дмитрий Святославович

4.3. Выводы по Главе 4.

1. На основе структуры с двумя асимметричными туннельно-связанными квантовыми ямами реализован транзистор, в котором изменение проводимости определяется модуляцией подвижности. Впервые получена глубина модуляции подвижности более 30 при температуре 77 К. Модуляция подвижности осуществляется за счет делокализации волновой функции электронов из широкой квантовой ямы с высокой подвижностью при приложении внешнего электрического поля. Структура эффективно управляется одним затвором.

Заключение

Основные положения и выводы:

1. Профиль распределения атомов индия в структурах с ОаЛзЛпОаАз квантовыми ямами сильно зависит от условий роста: толщина области обеднения атомами индия, обусловленной сегрегацией, возрастает с увеличением температуры роста и увеличением потока атомов индия.

2. Впервые, с помощью решения уравнения Шредингера в одноэлектронном приближении в рамках метода огибающей волновой функции, рассчитаны энергии переходов с первого электронного уровня на первый уровень тяжелых дырок в структурах ОаАзЛпОаАБ с учетом областей обеднения атомами индия.

3. Вид спектров фотолюминесценции структур АЮаАзЛпОаАз/СаАз с концентрацией двумерного газа электронов 1.5 1012 - 2.8 1012 см"2 определяется соотношением интегралов перекрытия волновых функций электронов первой и второй подзон с волновой функцией тяжелых дырок. Интегралы перекрытия определяются встроенным электрическим полем, обусловленным наличием двумерного газа электронов.

4. Впервые предложена и реализована методика создания селективных омических контактов к системе двух независимых или туннельно-связанных квантовых ям изотипной проводимости, основанная на использовании различающихся по составу квантовых ям. Контакты к нижней квантовой яме с меньшей шириной запрещенной зоны формируются путем напыления алюминия на боковые поверхности меза-структуры.

Публикации по теме диссертации

1. Игнатьев A.C., Копылов В.Б., Шмелев С.С., Шипицин Д.С., Евстигнеев C.B. Локальные контакты и латеральный перенос носителей в системах с асимметричными квантовыми ямами. Тезисы доклада на Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика". Москва,

1995 г., стр. 13-14.

2. Бирюлин П.И.,. Волчков Н.А,. Евстигнеев С.В, Трофимов В.Т., Шипицин Д.С. Полевой транзистор с модулированной подвижностью на основе MQW-структуры AlGaAs/GaAs. Тезисы доклада на межвузовской научно-технической конференции "Микро-электроника и информатика". Москва,

1996 г., стр. 8.

3. Евстигнеев C.B., Шипицин Д.С. Формирование независимых омических контактов к двухъямной гетероструктуре с GaAs и InxGajxAs квантовыми ямами. Тезисы доклада на межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика". Москва, 1997 г., стр. 31.

4. Евстигнеев C.B., Шипицин Д.С. Несплавные омические контакты к структуре рНЕМТ-транзистора. Тезисы доклада на межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика". Москва, 1998 г., стр. 28.

5. Евстигнеев C.B., Садофьев Ю.Г., Шипицин Д.С., Шмелев С.С. Невплавные алюминиевые омические контакты к структуре рНЕМТ-транзистора. Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. 1998. №4, стр. 21-24.

6. Евстигнеев C.B., Копаев Ю.В., Садофьев Ю.Г., Шипицин Д.С., Шмелев С.С. Несплавной селективный омический контакт к системе параллельных

126 квантовых ям изотипной проводимости. Микроэлектроника. 1998. Том 27, №4, стр. 317-320.

7. Евстигнеев C.B., Шипицин Д.С. Новые подходы к созданию омических контактов к гетероструктурам с квантовыми ямами. Физическое образование в ВУЗах. 1999. Том 5, №1, стр. 85-91.

8. Евстигнеев C.B., Имамов P.M., Ломов A.A., Садофьев Ю.Г., Хабаров Ю.В., Шипицин Д.С. Исследование InxGai.xAs/GaAs квантовых ям, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Тезисы доклада на Российской конференции "Полупроводники-99". Новосибирск, 1999 г.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шипицын, Дмитрий Святославович, 1999 год

1. Reed M. A. et all. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, p. 1034.

2. Chang L.L. et all. J. Vacuum Sci. Technol., 1973, v.10, p. 11.

3. Petroff P.M. et all. Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, p. 635.

4. Stiles P.J. Surf. Sci., 1978, v. 73, p. 252.

5. Hirakawa K. et all. Phys. Rev. Lett., 1985, v. 54, p. 1279.

6. Margaritondo G. Surf. Sci., 1983, v. 132, p. 468.

7. Duke C.B. J. Vacuum Sci. Technol. A, 1984, v.2, p. 139.

8. Sakamoto T. et all. Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 347.

9. D. S. Tsui et al. Appl. Phys. Lett. 1983. N2, V42.

10. Diette F., Langrez D., Codron J.L., Delos E., Theron D., Salmer G. / Electron Lett. 1996, V. 32, p. 848

11. Y. Shiraishi, T. Yoshida et al. International symposium on GaAs and related compounds, Karuizava, Japan, 1992, 324-327.

12. T. Nittono, H. Ito, O. Nakajima, T. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. Vol. 27, 1718-1723.

13. S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami, T. Mimura, M. Abe. IEEE Trans. Electron Devices 1989. Vol. ED-36, 2196-2200.

14. A. Lahav, F. Ren, R.F. Kopf. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54, 1693-1696.

15. C. K. Peng, G. Ji, N.S. Kumar, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53, 900-903.

16. N. S. Kumar, J.-I. Chyi, C. K. Peng, H. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55, 775778.

17. K. Ploog, H.Kunzel, J. Knecht et.al. Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 38. P. 870.

18. J.P. Einsenstein, L.N.Preiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 2324.

19. N.K.Patel, M.P. Grimshaw, J.H. Burroughes et. al. Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 848.

20. K.M. Brown, E.H. Linfield, D.A. Ritche et.fl.Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 1827.

21. N.K. Pattel, E.H. Linfield, K.M. Brown et. al. Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 3018.

22. I.S.Millard, N.K. Patel, E.N. Linfield et. al. Semicond. Sci. Technol. 1996. Vol. 11. P. 483.

23. H. Rubel, E.H. Linfield, D.A. Ritche et. al. Semicond.Sci. Technol. 1995. Vol. 10. P. 1229.

24. H. Sohn, C. Artmor,M. Pieree. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 5.

25. S. Malzer, M. KneisslJP. Kiesel et. al. J. Vac. Sci. technol. 1996. Vol. B14. P. 2175.

26. K. Lee et al. J. Appl. Phys. 1983. N11, V54.

27. L. J. Van der Pauw. Phylips technical review. 1958/1959, N8, V20.

28. Pam6a 3. H. OTR 1986. Bwn.6. T.20.

29. Карасик В. Р. Физика и техника сильных магнитных полей. М. Наука, 1964.

30. К. Y. Cheng. Appl. Phys. Lett. 1982. V40.

31. К. Ploog et al. J. Appl. Phys. 1977. N13, V54.

32. Андо Т., Фаулер JI., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1985.

33. Н. Sakaki et al. Appl. Phys. Lett. 1987. N23, V51.

34. Кукушкин И.В., Мешков С.В., Тимофеев В.Б. УФН. 1988. Вып.2. Т. 155.

35. Т. Wang et al. J. Appl. Phys. 1993. N1, V74.

36. H.Sakaki. Japanese J.Appl.Phys., v.21 n.6, p.L381 (1982).

37. K.Hirakawa, H.Sakaki, J.Yoshino. Phys.Rev.Lett., v.54, n.12, p.1279-1282 (1985).

38. A.Kurobe, J.E.F.Frost, D.A.Ritchie, G.A.C.Jones, M.Pepper. Appl.Phys.Lett., v.60, n.29, p.3268-3270 (1992).

39. P.M.Owen, M.Pepper. Semicond.Sci.Technol., v.8, p.123-126 (1993).

40. A.Kurobe, I.M.Castleton, E.H.Linfield, M.P.Grimshaw,K.M.Brown, D.A.Ritchie, G.A.C.Jones, M.Pepper. Semicond.Sci.Technol., v.9, p. 1744-1747 (1994).

41. A.Palevski, F.Beltram, F.Capasso, L.Pfeiffer, K.W.West. Phys.Rev.Lett., v.65, n.15, p.1929-1932 (1990).

42. Y.Ohno, M.Tsuchiya, H.Sakaki. Appl.Phys.Lett., v.62, n.18, p.1952-1954 (1993).

43. J.P. Einsenstein, L.N.Preiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. P. 1497.

44. J.A. Simmons et all. J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 84. - P. 5626.

45. A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Ya. Kremlev. Physics of Low-Dimensional Structures, N4/5, p.57, 1994.

46. A.A. Горбацевич, B.B. Капаев, Ю.В. Копаев, В.Я. Кремлев. Микроэлектроника, 23, 17 (1994).

47. A.A. Горбацевич, B.B. Капаев, Ю.В. Копаев, В.Я. Кремлев. Электронная промышленность, N 4-5, с.28-31, 1995.

48. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. ЖЭТФ, 107, 1320 (1995).

49. Kircher P.D. at all. J. Vac. Sci. Technol., 1981, v. 19, p. 604.

50. Cho A.Y. J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 1722.

51. Ilegems M. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, p. 1278.

52. Foxon C.T. at all. J. Ciyst. Growth, 1978, v. 44, p. 75.

53. S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami, T. Mimura, M. Abe. IEEE Trans. Electron Devices. 1989. V. ED-36, p. 2196.

54. Wojtowicz M., Pascua D., Han A.-C., Block T.R., Streit D.C. J. Cryst. Growth. 1997. V. 175-176, p. 930.

55. Andersson T.G., Chen Z.G., Kulakovskii V.D., Uddin A., Vallin J.T. Phys. Rev. В. V. 37, p. 4032.

56. Афанасьев A.M., Чуев M.A., Имамов P.M., Ломов A.A. и др. Кристаллография. 1997. Том 42. №3, с. 514.

57. Kuphal E., Pocker A., Eisenbach A. J. Appl. Phys. 1993. V. 73, p. 4599.

58. Goetz K.H., Bimberg D., Jurgensen H., Solders J., Solomonov A.V., Glinski G.F., Razeghi M. J. Appl. Phys. 1983. V. 54, p. 4543.

59. Wang T.Y., Stringfellow G.B. J. Appl. Phys. 1994. V. 67, p. 344.

60. Bradley I.V., Gillin W.P., Homewood K.P., Webb R.P. J. Appl. Phys. 1993. V. 73, p. 1686.

61. Haines M.J.L.S., Ahmed N., Adams S.J.A., Mitchell K., Agool I.R., Pidgeon C.R., Cavenett B.C., O'Reilly E.P., Ghiti A., Emeny M.T. Phys. Rev. B. 1991. V.43, p. 11944.

62. Moore K.J., Duggan G„ Woodbridge K., Roberts C. Phys. Rev. B. 1990. V.41, p. 1090.

63. Dodabalapur et al. J. Electron. Mat., 1990, 19, 265.

64. Brugger et al. Appl. Phys. Lett., 1991, 59, 2739.

65. Brierley et al. Appl. Phys. Lett., 1991, 59, 3306.

66. Brierley S.K. J. Appl. Phys. 1993. V. 74, p. 2760.

67. Schulman J.N., Waldner M. J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P.2859.

68. Simmons J.A., Blount M.A., Moon J.S., Lyo S.K., Baca W. E., Wendt J.R., Reno J.L., Hafiche M.J. J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P.5626.

69. Kawamura Y., Wakita K., Mikami O. Appl. Phys. Lett., 1988, V. 53. P. 14621464.

70. Губанков B.H., Лисицкий М.П., Шмелев C.C. Письма в ЖЭТФ. 1998. т. 24. С. 56.132

71. Rhoderick E.H. Transport properties in Schottky diodes, in Inst. Phys. Conf. Ser. No. 22. Ed. by Pepper K.M. institute of Physics, Manchester, England, 1974. P. 3.

72. Kajiyama K., Mizushima Y., Sakata S. Appl. Phys. Lett. 1973. V. 23. P. 458.

73. Sakaki, T. Nöda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett. Vol. 51, Num. 23, 1934-1936 (1987).