Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ершов, Владимир Петрович

• Ершов, Владимир Петрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ершов, Владимир Петрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Традиционные и скоростные методы выращивания водорастворимых кристаллов.

1.1 Традиционные методы выращивания водорастворимых кристаллов.

1.2 Скоростные методы выращивания водорастворимых кристаллов.

ГЛАВА 2. Необходимые условия скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов.

2. 1. Принципиальная схема метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов.

2.2. Необходимые соотношения скоростей роста граней для получения моносекториального кристалла.

2.3. Необходимые гидродинамические условия около растущей грани.

2.4. Обеспечение устойчивости раствора к спонтанной кристаллизации.

2.5. Сравнение метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов с другими методами выращивания.

ГЛАВА 3. Проблемы скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов типа КОР.

3.1. Влияние гидродинамических условий на рост нослойно растущей грани кристалла. Пространственное распределение величины локального наклона относительно сингулярной грани

3.1Л.Влияние неоднородностей толщины диффузионного слоя и 1: ; „ . положений центров роста на качество кристаллов.29'

3.1.2 Возникновение дефектов на послойно растущей грани кристалла.

3.1.3 Послойный рост грани кристалла в касательном потоке раствора.

3.1.4 Смена ведущего центра роста.

3.2 Влияние примесей на рост граней кристаллов типа КХ>Р. Методика экспресс-анализа качества растворов для выращивания кристаллов.

3.2.1 Поляризационно-интерференционная установка для измерения скорости роста граней двулучепреломляющих кристаллов.

3.2.2 Влияние примесей Ре** на кинетику роста кристаллов КОР и ВКОР, растущих в режиме концентрационной конвекции при различных температурах. Методика экспресс-анализа качества растворов для выращивания кристаллов.

3.3 Кинетика роста граней в условиях естественной и вынужденной конвекции.

3. 4 Влияние добавки ортофосфорной кислоты к растворам на рост граней {100} и {101} кристаллов АЪР и ИКОР.

3.5 Устойчивость раствора к спонтанной кристаллизации.

3.5.1 Сравнение экспериментальных результатов по устойчивости растворов КОР с теоретическими оценками.

3.5.2 Кристаллизация в каплях раствора.

ГЛАВА 4. Метод скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов.

4.1(Конструкция кристаллизаторов..

4.2 Основные требования к кристаллизационной аппаратуре.

4.3 Подготовка затравок.—.

4.4 Подготовка раствора и деталей кристаллизатора перед выращиванием кристалла.

4.5 Сборка кристаллизатора.

4.6 Заливка кристаллизатора. Регенерация затравки. Выход на рабочий режим.

4.7 Проведение выращивания.

4.8 Завершение процесса выращивания. Разборка кристаллизатора.

4.9 Оптическое качество кристаллов.

4.9.1 Оптическая однородность кристаллов.

4.9.2 Спектроскопия скоростных кристаллов.

4.9.3 Оптическая стойкость.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP»

Актуальность выбранной темы. Состояние проблемы к началу работ по скоростному выращиванию. Цель и задачи исследования. Краткая аннотация содержания работы по главам.

Ведущиеся в последние годы исследования по взаимодействию излучения мощных лазеров оптического диапазона с веществом показали возможность решения в ближайшем будущем одной из фундаментальных задач: получения управляемой термоядерной реакции (путем квазиоднородного обжатия Д-Т мишени мощными импульсами излучения). Постройке соответствующих лазерных систем - драйверов термоядерного реактора сейчас ведут США (проект "National Ignition Facility), Франция (проект "Megajoule"), Япония (проект "Gekko") и другие страны.

В России ведущим центром, где ведутся разработки лазеров-драйверов и исследования по их применению, является РФЯЦ-ВНИИЭФ (г.Саров). Здесь построены установки на основе йодных лазеров - "Искра-4" и "Искра-5". В настоящее время осуществляется проектирование лазерной системы на неодимовом стекле - "Искра-6".

Как известно, самыми мощными и высокоэффективными являются лазерные системы на неодимовом стекле (NIF, MJ, Gekko, Искра-6) и на иоде (Искра-4, Искра-5). Эти лазеры генерируют излучение ближнего ИК-диапазона (длина волны Я = 1.06 мкм и Л= -1.315 мкм). Между тем, для применений в УЛТС (управляемом лазерном термоядерном синтезе) необходимо излучение видимого и ближнего УФ-диапазона. Поэтому возникает задача высокоэффективного преобразования инфракрасного излучения мощных лазеров в излучение видимого и ближнего УФ-диапазона. Перед коллективом исследователей РФЯЦ-ВНИИЭФ и ИПФ РАН такая задача возникла в начале 80-х годов, когда для выполнения ряда важных научно-технических задач потребовалось преобразовать инфракрасное ( Я = 1.315 мкм) излучение мощных лазеров "Искра-4" и "Искра-5" в видимое (красное Я = 0.657 мкм и синее Я = 0.438 мкм) излучение с коэффициентом полезного действия ~ 50%. Световая апертура одного канала должна была составлять от 30 до 52 см. Наиболее эффективным способом получения такого излучения является преобразование ЯК-излучения (неодимовых или йодных лазеров) в коротковолновое излучение путем генерации гармоник в нелинейных кристаллах. Многочисленные исследования показали, что наиболее подходящими для этих целей являются кристаллы KDP (.КН2РО4) и их дейтерированные аналоги DKD? (KD2P04). Кроме преобразования частоты оптические элементы из этих кристаллов выполняют в лазерных системах функции формирования лазерного импульса. Эти кристаллы имеют достаточную оптическую нелинейность, высокую оптическую прочность. Они прозрачны в широком диапазоне частот излучения. И что очень существенно - они выращиваются из водных растворов широко распространенной соли КН2РО4 при температурах, близких к комнатной, и поэтому могут быть, в принципе, выращены достаточно больших размеров и относительно дешево. Представление о параметрах кристаллических оптических элементов можно получить, исходя из проекта NIF, В 192 лучах драйвера этого проекта должно содержаться по 1 оптическому элементу ячейки Поккельса из кристалла DKDP и по 2 элемента преобразователя частоты в 3-ю гармонику из KDP и DKDP, Размеры элементов 410 х 410 х 10 мм. Оптическая стойкость до 18 ГВт/см на третьей гармонике при длительности импульса г = 3 не, коэффициент преобразования в 3-ю гармонику— 80 - 90%. При этом предъявляются высочайшие требования к оптической однородности элементов. Никакие другие известные ныне материалы не удовлетворяют этим условиям. ' . ' '

Первым и основным звеном в производстве таких элементов является выращивание кристаллов большого размера < и высокого качества. Существовавшие до 80-х годов "традиционные" методы выращивания кристаллов не удовлетворяют следующим современным требованиям:

1.В конце 70-х - начале 80-х годов не существовало технологии выращивания кристаллов KDP, DKDP, пригодных для изготовления оптических элементов необходимых размеров. Традиционные методы позволяли регулярно выращивать кристаллы с поперечным размером до ~ 150лш.

2. Кристаллы выращиваются в естественной огранке, образованной гранями бипирамиды (101) и призмы (100). Вследствие этого кристалл имеет полисекториальную структуру, что априори приводит к оптическим неоднородностям.

3.Оптические элементы мощных систем имеют, как правило, форму пластин, ориентированных под углом в = 0° (z - пластины ячеек Поккельса) или в - 41 - 59° (элементы преобразования частоты), где в - угол между нормалью к элементу и оптической осью z кристалла. При вырезке таких элементов из кристаллов отходы составляют до 60 %.

4. Скорость роста кристаллов составляет 0.5 -1 мм в сутки вдоль оси z. Поскольку для изготовления заготовки элемента удвоения частоты с сечением ~ 400 х 400 мм требуется вырастить кристалл длиной ~ 900 мм, ясно, что это займет 2-3 года. Все это приводит к чрезмерно высокой стоимости оптических элементов.

В ИПФ РАН указанные недостатки традиционных методов были поняты в начале 80-х годов, когда встал вопрос об оснащении установки "Искра - 4" элементами преобразования частоты из кристаллов DKDP (которые существенно дороже KDP). В результате было принято решение о развитии скоростного метода выращивания профилированных и заданным образом ориентированных моносекториальных кристаллов, основой которого послужили экспериментальные исследования, проведенные в ИПФ РАН в конце 70-х годов.

Развитие скоростного метода выращивания моносекториальных кристаллов потребовало решения целого ряда физических, химических и конструкторско-технологических задач разного плана.

Во-первых, встала задача определения оптимальных технологических параметров выращивания: требований к гидродинамике и температурно-концентрационному режиму раствора, химическому составу исходного сырья. Для этого потребовалось проведение как теоретических, так и целой программы экспериментальных исследований.

Во-вторых, возникла необходимость изучить свойства кристаллов, выращенных новым методом, сравнить их со свойствами "традиционных кристаллов", а также провести поиск способов повышения качества кристаллов, в частности, повышения оптической стойкости.

И наконец, нужно было не только создать технологию, но разработать и изготовить необходимое оборудование.

Целями настоящей работы были:

- исследование возможности существенного увеличения скорости роста кристаллов группы КОР по сравнению со скоростями, достигаемыми при использовании традиционных методов выращивания без ухудшения качества кристаллов путем выращивания моносекториальных кристаллов в специальных кристаллизационных камерах;

- теоретические и экспериментальные исследования влияния различных факторов, таких, как химический состав раствора, гидродинамические условия около растущего кристалла на скорость роста и качество кристалла с целью определения оптимальных условий выращивания крупных (до 400 лш) кристаллов; разработка аппаратуры и технологии скоростного ' выращивания моносекториальных профилированных кристаллов фуппы КОР.

Работа состоит из четырех глав и заключения.

В первой главе приводится литературный обзор традиционных и скоростных методов выращивания водорастворимых кристаллов.

Во второй главе описана принципиальная схема кристаллизатора и ; сформулированы основные условия осуществления скоростного 1 выращивания моносекториальных профилированных кристаллов.

Третья глава посвящена исследованиям, направленным на решение основных проблем, возникающих при реализации метода скоростного выращивания, а также совершенствованию технологии скоростного выращивания.

В четвертой главе описано современное состояние технологии скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов.

Основные результаты диссертационной работы сформулированы в заключении.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ершов, Владимир Петрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Впервые показана возможность выращивания кристаллов группы КОР со скоростями в 10 - 20 раз превышающими скорости роста в традиционных методах выращивания. Выращиваемые кристаллы по своему оптическому качеству не уступают кристаллам, получаемым традиционными методами, а по некоторым параметрам превосходят их.

2. Разработан новый способ и создана аппаратура для скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов группы КОР.

3. Разработана экспресс-методика и создана установка для оценки качества раствора, предназначенного для выращивания крупных кристаллов. Данная методика основана на анализе получаемой зависимости скорости роста граней небольшого 2x2x5 мм) кристалла, растущего в исследуемом растворе, от пересыщения.

4. Добавка ортофосфорной кислоты к водному раствору КОР или БКЭР приводит к увеличению скорости роста граней кристалла (при том же пересыщении), растущего в нем, причем увеличение скорости роста граней {100} значительно больше, чем для граней {101}. Изменяя концентрацию кислоты, можно изменять отношение скоростей роста граней призмы и бипирамиды, что важно при осуществлении скоростного роста моносекториальных кристаллов.

5. В рамках модели дислокационного послойного роста грани кристалла в растворе при учете неоднородной толщины диффузионного слоя вдоль нее найдено выражение, позволяющее определить величину пересыщения и ' . 131 величину локального наклона относительно сингулярной грани в любой точке растущей грани. Это позволило определить условия, при которых на грани начинают образовываться дефекты, а также условия выживания и смены ведущих центров роста

6. Пересыщение в каплях раствора, находящихся на деталях кристаллизатора, может сильно превышать пересыщение в объеме рабочего раствора. Вследствие этого кристаллизация в каплях может явиться источником появления паразитных кристаллов в рабочем растворе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ершов, Владимир Петрович, 2007 год

1. Бакли Г. Рост кристаллов. Изд. Ил, М., 1954.

2. Вильке К.-Т. Методы выращивания кристаллов. Изд. Недра, Л., 1968.

3. Чернов A.A., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Современная кристаллография. М.: Наука, 1980, Т. 3.

4. Белюстин A.B., Степанова Н.С. Метод выращивания кристаллов из растворов в статических условиях. Кристаллография, Т.10, вып. 5, 1965, -с. 743-745.

5. Колыбаева М.И., Сало В.И., Притула И.М., Велихов Ю.Н., Воронов А.П., Ткаченко В.Ф., Пузиков В.М. Выращивание крупногабаритных монокристаллов KDP для ультрафиолетовой области спектра. Кристаллография, т. 49, №2, 2004, с. 320 324.

6. Аншелес О.М., Татарский В.Б., Штернберг A.A. Скоростное выращивание однородных кристаллов из растворов. Ленинградское газетно-журнальное и книжное издательство., 1945. .

7. Величко И.А., Смирнова О.М., Тютюнникова Т.В. Получение калия фосфорнокислого однозамещенного для монокристаллов. Тез. докл. IV Всесоюзной конференции «Физико-химические исследования фосфатов», Минск, 1976, с. 56.

8. Ершов В.П., Кацман В.И. Способ выращивания кристаллов типа KDP. Патент РФ № 955741.

9. В.И.Бсспалов, В.И.Бредихин, В.П.Ершов, В.И.Кацман, Н.В.Киселева, С.П.Кузнецов Оптические свойства кристаллов KDP и DKDP,7 " выращенных с большой скоростью. Квантовая электроника, i 982, т.9, с.2343-2345.;', .Г" ' ." ■

10. Бредихин В.И., Быстрой В.Е., Ершов В.П., Лавров Л.А., Кацман В.И. Устройство для выращивания профилированных кристаллов. Патент РФ № 1342056. •

11. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov and V.I.Katsman. -•.

12. High-Rate Growth of Large-Size Profiled Monosectorial Water-Soluble (KDP,

13. DKDP) Crystals. Jemna Mechaika a Optika., 5 6/95,1995, p. 156 - 159.

14. Амандосов A.T., Пашина 3.C., Рашкович Л.Н. Качество кристаллов ADP, полученных быстрым выращиванием на точечной затравке. Квантовая электроника, 1983, т. 10, № 3, с. 469 740.

15. Рашкович Л.Н. Скоростное выращивание из раствора крупных кристаллов для нелинейной оптики. Вестник АН СССР, 1984, № 9, с. 15 -19.

16. Амандосов А.Т. Скоростное выращивание монокристаллов дигидрофосфатов аммония и калия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М., 1983.

17. Зайцева Н.П. • Скоростное выращивание кристаллов KDP и DKDP из высокопересыщенных растворов. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М., 1989.

18. N.P. Zaitseva, J,J. De Yoreo, M.R. Dehaven, R.L. Vital, L.M. Carman and H.R. Spears. Rapid growth of large-scale (40 55 cm) KDP crystals. Preprint UCRL-JC-126805, Lawrence Livcrmore National Laboratory, 1996.134

19. M. Yan, R. Torres, M. Rankel, B. Runkel, B. Woods, 1. Hutcheon, N. Zaitseva and J. De Yoreo. Impurities and Iaser-indused damage in the growth sectors of rapidly grown KDP crystals. Preprint UCRL-JC-126804, Lawrence Livermore National Laboratory, 1996.

20. M. Runkel, M. Yan, J. De Yoreo, N. Zaitseva. The effect of impurities and stress on the damage distribution of rapidly grown KDP crystals. Preprint UCRL-JC-128091, Lawrence Livermore National Laboratory, 1997.

21. N. Zaitseva, L. Carman, I. Smolsky, R. Torres, M. Yan. The effect of impurities and supersaturation on the rapid growth of KDP crystals. Journal of crystal growth, v. 204 (1999), p. 512 524.

22. N. Zaitseva, L. Carman, I. Smolsky. Habit control during rapid growth of KDP and DKDP crystals. Journal of crystal growth, v. 241 (2002), p. 363 373.

23. N. Zaitseva and L. Carman. Rapid growth of KDP-type crystals. Progress in crystal growth and characterization of materials. 2001, p. 1 118.

24. K.Fujioka, S. Matsuo, T. Kanabe, H, Fujita, M. Nakatsuka. Optical properties of rapidly grown KDP crystal impruved by thermal conditioning. Journal of crystal growth, v. 181 (1997), p. 265-271.

25. Yang Shangfeng, Su Genbo, Li Zhengdong, Jiang Rihong. Rapid growth of KH2PO4 crystals in aqueous solution with additives. Journal of crystal growth, v. 197 (1999), p. 383 -387. .

26. Yang Shangfeng, Su Genbo, Tang Jing, Mao Bingwei, Mu Jianmin, Li Zhengdong. Surface topography of rapidly grown KH2P04 crystals with additives: ex situ investigation by atomic force microscopy. Journal of crystal growth, v. 269 (2004), p. 443 447.

27. Conference on Crystal Growth. July, 1986, York, England. Program and Abstracts, PA 1/418.

28. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov, V.I.Katsman, L,A. Lavrov. Crystals KDP and DKDP for nonlinear optics grown at high rate. J.Cryst. Growth, v. 82 (1987), p. 776-778.

29. V.P. Ershov, V.I. Bredikhin, G.L. Galushkina, V.I. Rubakha, N.R. Shvetsova. Rapid growth of DKDP crystals from high-acidity solutions. Journal of Crystal Growth, 207 (1999), v.l, p. 122 126.

30. Чернов A.A., Рашкович Jl.H. Поверхностные процессы роста кристаллов группы KDP и проблема скоростного выращивания. Препринт ИКАН СССР №01,1986, М., 40 с.

31. Трейвус Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. JL: Изд во ЛГУ, 1979,248 с.

32. Парвов В.Ф. О выращивании кристаллов из раствора с применением центробежной помпы в качестве мешалки. Кристаллография, Т. 10, № 2, . 1965, с. 253.

33. А.А. Chernov, N.P. Zaitseva and L.N. Rashkovich. Secondary nucleation indused by the cracking of a growing crystal: KH2P04 (KDP) and K(H,D)2P04 (DKDP). Journal of Crystal Growth, V. 102 (1990), p. 793 800.

34. Смольский И.Л., Чернов A.A., Кузнецов Ю.Г. и др. Вицинальная секториальность в секторах роста граней {011} кристаллов ADP. Кристаллография. 1985, Т. 30, вып. 5, с. 971 979.136

35. Беспалов В.И., Бредихин В.И., Ершов В.П., Кацман В.И., Потапенко С.Ю. Некоторые проблемы скоростного выращивания монокристаллов типа KDP. В Сб. Рост кристаллов. М.: Наука, 1988, т. 17, с. 150 -164.

36. Mullin J.W., Amatavivadhana A. Growth kineics of ammonium and potassium-dihydrogen phosphate crystals. J. Appl. Chem. 1967, Vol. 17, N 5, p. 151-156.

37. Рашкович JI.H., Шекунов Б.Ю. Влияние примесей на кинетику роста и морфологию граней призмы кристаллов ADP и KDP. В Сб. Рост кристаллов. М.: Наука, 1990, т. 18, с. 124 -139.

38. Van Enckevort W.P.J., Janssen-van Rosmalen R., Klapper H., van der Linden W.H. Growth phenomena of KDP crystals in relation to the internal structure. J. Cryst. Growth, 1982, Vol. 60, p. 67 68.

39. Фишман Ю.М. Рентгенотопографическое исследование дислокаций, возникающих в кристаллах дигидрофосфата калия при росте из раствора. Кристаллография. 1972, Т. 17, вып. 3, с. 607-611.

40. Ершов В.П., Потапенко С.Ю., Хлюнев Н.В. Послойный рост грани кристалла в касательном потоке раствора. Препр. ИПФ АН СССР № 129. Горький, 1985, 23 с.

41. Рашкович Л.Н., Израиленко А.Н., Лещенко В.Т., Пашина З.С. Колебания скоростей роста граней {001} кристаллов ТГС. В кн: Расширеннные тезисы 6 международной конференции по росту кристаллов. Москва, 1980, с. 30-31.

42. А.Н. Винчелл, Г. Винчелл. Оптические свойства искусственных минералов. М. Изд-во «Мир» 1967.

43. Бредихин В.И., Потапенко С.Ю. О конвективном массопереносе на вертикальную грань при послойном росте кристалла. Кристаллография. 1989,7.34, вып. 1, с. 266-267.

44. Рашкович J1.H., Мкртчян А.Ф., Чернов А.А. Интерференционно-оптическое исследование морфологии и кинетики роста грани (100) ADP из водного раствора. Кристаллография. 1985, Т.ЗО, вып. 2, с. 380 387.

45. Рашкович Л.Н., Молдажанова Г.Т. Влияние кислотности раствора на кинетику роста кристаллов KDP. Кристаллография. 1994, Т. 39, № 1, с. 135 -140.

46. Чернов А.А., Смольский И.Л., Парвов В.Ф. и др. Исследование кинетики роста кристаллов ADP из раствора методом in situ рентгеновской топографии. Докл. АН СССР, 1979, Т. 248, № 2, с. 356 -358.

47. Кузнецов Ю.Г. Кинетика роста кристаллов ADP и рентгеновская топография их дефектов. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Москва, 1987.

48. T.Sasaki. A.Yokotani Growth of large KDP crystals for laser fusion experiments. Journal of Crystal Growth, v.99 (1990), p. 820 826.

49. L.N. Rashkovich, KDP Family of Crystals, Hilger-Bristol, 1991.

50. Ефремова Е.П., Зайцева Н.П., Клмимова А.Ю., Охрименко Т.М., Барсукова М.Л., Спицына В.Д., Кузнецов В.А. Особенности кристаллизации,-КН2РО4. Неорганические материалы, т. 27, №12, 1991, с. 2600-2605.

51. L.N.Rashkovich, N.V.Kronsky. Influence of Fe3+ and Al3+ ions on the kinetics of steps on the {100} faces of KDP. Journal of Crystal Growth, v. 182 (1997), p. 434-441.

52. Велихов Ю.Н. Физико-химические особенности кинетики роста монокристаллов дигидрофосфата калия. Диссертация на соискание степени кандидата химических наук. Харьков, 1992.

53. L.N. Rashkovich, G.T. Moldazhanova. Growth kinetics and morphology of potassium dihydrogen phosphate crystal faces in solutions of varying acidity. J. Crystal Growth, Vol. 151 (1995), p. 145 152.• 138 ;;

54. Д.А. Воронцов, В.П. Ершов. Методика оценки качества растворов для выращивания кристаллов DKDP. Вестник ННГУ. В печати.

55. Бытева И.М., Влияние рН среды и скорости вращения кристаллоносца на рост кристаллов дигидрофосфата аммония. Рост кристаллов. Т.З, М: АН СССР, 1961, с.296-299.

56. Велихов Ю.Н., Демирская О.В. Некоторые аспекты кинетики роста кристаллов KJDP. Кристаллография, Т. 38, вып. 2, 1993, с. 239 245.

57. Ефремова Е.П., Кузнецов В.А., Климова А.Ю., Качалов О.В., Смольский И.Л., Наумов B.C., Колыбаева М.И., Сало В.И. Влияние рН на рост исвойства кристаллов KDP. К Кристаллография, Т. 38, вып. 5,1993, с. 171 -181.

58. S.K. Sharma, Sunil Verma, В.В. Shrivastava, У.К. Wadhawan. In situ measurement of pH and supersaturation-dependent growth kinetics of the prismatic and pyramidal facets of KDP crystals. J.Crystal Growth, V.244, 2002, p. 342-348.

59. Шлыков A.B. и Горбачев CJB. Исследование кристаллизации солей из пересыщенных водных растворов. Журнал физической химии, т. XXIX, вып. 4 (1955), с. 607-614.

60. Шлыков А.В. и Горбачев С.В. Влияние степени очистки раствора на предельное пересыщение. Журнал физической химии, т. XXIX, вып. 5 (1955), с. 797-801.

61. Baby К. Paul and M.S. Joshi. The effect of supersaturation on the induction period of potassium dihydrogen phosphate crystals grown from aqueous solution. J. Phys. D: Appl. Phys., Vol. 9,1976.

62. M.S. Joshi and A.V. Antony Nucleation in supersaturated potassium dihydrogen orthophosphate solutions. Journal of Crystal Growth, v. 46 (1979), p.7-9.

63. S. Nagalingam, S. Vasudevan, P. Ramasamy. Crystal Research and technology, v. 16, №6 (1981), p. 647-650.

64. Чернов A.A., Рашкович JI.H., Мкртчян A.A. Интерференционно -оптическое исследование поверхностных процессов роста кристаллов KDP, DKDP и ADP. // Кристаллография. 1987. Т. 32. С. 737 -754.

65. W. Cook Thermal Expantion of Crystals with KH2PO4 structure. J. Appl. Phys., v. 38, №4 (1967), p. 1837.

66. V.P.Ershov, N.V. Khlyunev and N.R.Shvetsova, Spurious crystallization as a result of crystallization in solution drops. The Twelfth International Conference on Crystal Growth. July 26 31,1998, Jerusalem, Israel, Abstracts, p.377.

67. Краткий курс физической химии. Под редакцией доц. С.Н. Кондратьева. М., «Высшая школа», 1978.

68. Бредихин В.И., Кузнецов С.П. Измерение аномальной двуосности в кристаллах с использованием циркулярно-поляризованного света. Кристаллография, т.32, вып. 1. с. 252-254 (1987).

69. Смольский И.Л., Чернов А.А., Кузнецов Ю.Г., Парвов В.Ф., Рожанский В.Н. Вицинальная секториальность и ее связь с кинетикой роста кристаллов ADP. ДАН СССР, т. 278, 1984, с. 358 - 361.

70. V.I. Bespalov, V.I. Bredikhin, V.P. Ershov, V.V. Zil'berberg, V.I. Katsman, S.Y. Potapenko. Effective technology for fabricating KDP, DKDP crystals to be used in high-energy lasers. Proc. SPIE Vol. 2633 (1995), p. 732-739.

71. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov, V.V.Zilberberg, V.I.Katsman. Gained experience in production of wide-aperture optical elements using KDP, DKDP crystals rapid growth technology Proc. SPIE V.4424 (2001), p. 124-128.

72. В.И! Бредихин, В.П. Ершов, В.Н. Буренина, А.Н. Малышков, А.К. Потемкин. Возможности повышения порога оптического пробоя кристаллов KDP. Квантовая электроника. В печати.

73. Список научных работ В.П. Ершова, опубликованных по темедиссертации.

74. В.И.Беспалов, В.И.Бредихин, ВЛХЕршов, В.И.Кацман, Н.В.Киселева, С.П.Кузнецов Оптические свойства кристаллов KDP и DKDP, выращенных с большой скоростью. Квантовая электроника, 1982, т.9, с. 2343-2345.

75. Ершов В.П., Потапенко А.Ю., Хлюнев Н.В. Послойный рост грани кристалла в касательном потоке раствора. Препринт № 129, ИПФ АНг СССР, Горький, 1985,23 с.

76. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov , V.I.Katsman, L,A. Lavrov. Crystals

77. KDP and DKDP for nonlinear optics grown at high rate. J.Cryst. Growth, v. 82, p. 776-778.

78. V.I.Bredikhin, V.P.Ershov, V.V.Korolikhin, V.N.Lizyakina, S.Yu. Potapenko and .N.V.Khlyunev Mass transfer processes in KDP crystal growth from solutions, Journal of Crystal Growth, 84 (1987), pp.509-514.

79. Беспалов В.И., Бредихин В.И, Ершов В.П., Кацман В.И., Лавров Л.А. Скоростное выращивание водорастворимых кристаллов и прблемы создания большеапертурных преобразователей частоты света. Изв. АН СССР, сер. физич. 1987, т.8, с 1354 1360.

80. В.И.Бредихин, В.П.Ершов, В.В.Королихин, В.Н.Лизякина Влияние примесей на кинетику роста кристалла KDP, Кристаллография, т. 32, Вып. 1, 1987г., с. 214-219 "142 ; •

81. High-Rate Growth of Large-Size Profiled Monosectorial Water-Soluble (KDP, DKDP) Crystals. Jemna Mechaika a Optika., 5 6/95, 1995, p. 156 -159.

82. V.P. Ershov, V.I. Bredikhin, G.L. Galushkina, V.I. Rubakha, N.R. Shvetsova. Rapid growth of DKDP crystals from high-acidity solutions. Journal of Crystal Growth, 207 (1999), 1, 122-126. \

83. Д.А. Воронцов, В.П. Ершов. Методика оценки качества растворов для выращивания кристаллов DKDP. Вестник ННГУ, 2006, 1(9). С. 132- 136.

84. V.P.Ershov, N.V. Khlyunev and N.R.Shvetsova, Spurious crystallization as a result of crystallization in solution drops. The Twelfth International

85. Берштейн И.Л., Ершов В.П., Кацман В.И., Рогачев В.А. Интерференционная установка для исследования скоростей роста кристаллов. Расширенные тезисы 6 Международной конференции по росту кристаллов. М., 1980, т.4, с.10 -11.

86. Бредихин В.И., Ершов В.П., Королихин В.В., Лизякина В.Н. Влияние примесного состава на процессы массопереноса при росте кристаллов. Тезисы . всесоюзного семинара «Тепломассоперенос при росте кристаллов»., М., ВИЭМС, 1985, с. 66-67.

87. Bredikhin V.I., Ershov V.P., Korolikhin V.V., Lizyakina V.N., Potapenko S.Yu., Khlyunev N.V. Mass transfer processes in KDP crystal grown fromsolution. Ibid, PA 1/419.

88. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov , V.I.Katsman, L.A.Lavrov KDP and DKDP crystals for nonlinear optics grown at a high rate. VIII International Conference on Crystal Growth. July, 1986, York, England. Program and' Abstracts, PA 1/418.

89. Ершов В.П., Кацман В.И. Способ ¡зыращивания кристаллов типа KDP. Патент РФ № 955741. .•• г ■ ■ ■ ■■"■" '145 ."

90. Бредихин В.И., Быстрое В.Е., Ершов ВЛ., Лавров Л. А.,. Кацман В.И.--------

91. Устройство для выращивания профилированных, кристаллов. Патент РФ № 1342056. ;

92. Ершов В.П., Зильберберг В.В., Кацман В.И. и Потапенко С.Ю. Способ . получения затравочной пластины. Патент РФ № 1732701.

93. V.I.Bespalov, V.I.Bredikhin, V.P.Ershov, V.I.Katsman, "High-rate growth of large-size profiled monosectorial water-soluble (KDP, DKDP) crystals", JMO 56, 1995, p.156.

94. V.I. Bredikhin, V.P. Ershov, N.V. Khlunev. Express-technique of solution quality determination used for KDP-group crystal growth. XIII International146 . Л ,

95. Conference on Crystal Growth. July-August, 2001, Kyoto, Japan. Abstracts, 01p-K32-13, p. 197.