Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Разина, Алиса Геннадьевна

• Разина, Алиса Геннадьевна
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Разина, Алиса Геннадьевна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1.1. Получение, исследование структуры, состава и свойств тонких 10 пленок селенида свинца

1.1.1. Технологии получения пленок РЬБе

1.1.2. Структура, оптические и электрофизические свойства пленок РЬБе

1.2. Структура и свойства линейно-цепочечного углерода

1.3. Электронные неустойчивости в полупроводниках

1.4. Терморезисторы

1.5. Выводы по главе 1

2. МЕТОДИКА ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Методика синтеза тонких пленок

2.2. Методы исследования состава, структуры и морфологии

пленок

2.3. Методы измерения оптических свойств

2.4. Методы исследования электрофизических свойств

2.5. Выводы по главе 2

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ

3.1. Состав, структура и поверхностная морфология пленок РЬБе

3.2. Исследование оптических свойств пленок РЬБе, РЬБе-ЛЦУ

3.3. Исследование электрофизических свойств пленок РЬБе, РЬБе-ЛЦУ

3.4. Обсуждение результатов

3.5. Выводы по главе 3

4. ЗАВИСИМОСТЬ СТРУКТУРНЫХ И СПЕКТРАЛЬНЫХ СВОЙСТВ

ПЛЕНОК РЬБе ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

4.1. Температурная зависимость спектров комбинационного рассеивания света

4.2. Исследование спектрального распределения коэффициента отражения при различных температурах

4.3. Исследование термической стабильности методом РФЭС

4.4. Выводы по главе 4

4.5. Общее обсуждение результатов 85 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 87 ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ 89 СПИСОК НАУЧНЫХ РАБОТ АВТОРА, ОТРАЖАЮЩИХ ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ 90 СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования и степень ее разработанности

На современном этапе развития науки и техники особое внимание уделяется изучению возможностей тонкопленочных технологий для создания различных приборов и устройств.

Тонкие пленки широко используются в электронной промышленности для создания полупроводниковых приборов, микросхем и других тонкопленочных элементов. К настоящему времени физика тонких пленок достигла значительных успехов в понимании процессов их формирования и свойств. Однако есть немало вопросов, интересующих исследователей в этой области. К ним относятся, например, вопросы синтеза пленок, методика измерения параметров и модели расчета различных физических процессов и, конечно, новые физические явления в пленках, отсутствующих в массивных образцах.

Свойства тонких пленок в значительной степени определяются технологией их синтеза, а также материалом и качеством поверхности подложки, составом распыляемого вещества, составом рабочих газов и применяемых химических реактивов. Поэтому разработка методов синтеза пленок, исследования их оптических, магнитных, электрических и структурных свойств, изучение различных поверхностных явлений, и установление взаимосвязи между исследуемыми свойствами и эксплуатационными характеристиками является важнейшей задачей.

В ЧГУ им. И.Н. Ульянова начиная с 2007 г. проводятся исследования взаимодействия пленок линейно-цепочного углерода (ЛЦУ, Бр1 состояние) с атомами других элементов. Основные результаты работ отражены в отчетах по выполнению НИР [66, 67]. Использование пленок линейно-цепочечного углерода в синтезе бинарных систем приводит к изменению полупроводниковых свойств пленочных систем, улучшению их характеристик, что позволяет расширить их возможности в создании новых элементов, на основе которых могут быть созданы полупроводниковые приборы с новыми функциональными возможностями.

Среди широко используемых материалов селениды свинца занимают одно из важнейших мест благодаря большому разнообразию оптических, электрических и других свойств. В частности, было выявлено, что селенид свинца обладает фоточувствительными свойствами [1-5], что стимулировало совершенствование технологических процессов получения фоточувствительных пленок и изготовления приборов на их основе.

Данная диссертационная работа посвящена исследованию структуры, оптических и электрофизических свойств тонких пленок на основе селенида свинца, полученных методом твердофазного синтеза - терморезистивного испарения с последующим отжигом в атмосфере азота.

Проблемой в практическом использовании пленок PbSe является нестабильность свойств, связанная с окислением, что приводит с течением времени к полному разрушению пленки.

Решение этой проблемы возможно за счет стабилизации фаз, для чего нужно использовать защитное покрытие. Защитным слоем может служить пленка линейно-цепочечного углерода. Поэтому в работе исследовалось взаимодействие пленок PbSe с линейно-цепочечным углеродом состояние).

Объект исследования: полупроводниковые тонкие пленки PbSe, PbSe-

ЛЦУ

Предмет исследования: структура, оптические и электрофизические свойства исследуемых пленок.

Цель диссертационной работы: исследование структуры, оптических и электрофизических свойств пленок PbSe, установление связи спектральных характеристик с особенностями их структуры при изменении температуры, оценка возможности использования пленки линейно-цепочечного углерода в качестве защитного слоя с целью снижения процессов окисления.

В задачи исследования входили:

1. Разработка низкотемпературной технологии формирования тонких пленок PbSe, пригодных для создания полупроводниковых элементов.

2. Исследование электрофизических свойств, состава полученных пленок РЬБе и детальная аттестация их структурного состояния.

3. Оценка влияния углерода в состоянии sp1 на свойства пленок РЬБе, его электрофизические параметры.

4. Установление взаимосвязи изменения структуры и спектральных характеристик пленок РЬБе с его электрофизическими свойствами под действием температуры.

Методы исследования: сканирующая атомно-силовая микроскопия (АСМ), спектрофотометрия, эллипсометрия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), электронная оже- спектроскопия (ЭОС),

вольтамперометрия, рентгеновская дифракция (РФА), рамановская спектроскопия.

Научная новизна полученных результатов

На основе проведенного комплексного исследования свойств пленок РЬБе, полученных твердофазным синтезом, обнаружены возникновение фазового перехода полупроводник - металл и эффект электрического переключения. Установлено, что эффект переключения с ^образной вольтамперной характеристикой обусловлен фазовым переходом полупроводник - металл в пленке РЬБе.

При исследовании с помощью атомно-силового микроскопа структуру поверхности пленок селенида свинца, полученных твердофазным синтезом, выявлена неоднородность структуры поверхности, которая содержит глубокие каверны, приводящие к активному взаимодействию с кислородом воздуха.

Установлено, что временная стабильность образцов может быть многократно увеличена путем покрытия этих пленок пленками линейно -цепочечного углерода.

При выполнении сравнительного анализа спектров отражения и спектров комбинационного рассеяния света пленок РЬБе при температурах 300 К и 370 К выявлено изменение спектральных характеристик: увеличение спектра отражения, изменение интенсивности и сдвиг колебательных мод.

Достоверность полученных результатов подтверждается воспроизводимостью экспериментальных данных, полученных комплексом современных исследовательских методик.

Научная и практическая значимость результатов работы заключается в исследовании структуры, морфологии, фазового и элементного состава пленок PbSe, полученных методом твердофазного синтеза, изучении их полупроводниковых и электрофизических свойств.

Обнаружен фазовый переход типа полупроводник-металл в исследуемых пленках.

Получены данные, характеризующие зависимость структурных, оптических, электрофизических свойств пленок РbSe от температуры.

Исследовано взаимодействие образцов РbSe с пленками углерода в состоянии sp1.

Установлено, что пленка углерода уменьшает сопротивление и смещает критическую температуру перехода образцов PbSe в сторону высоких температур.

Практическая значимость работы заключается в том, что новые эффекты (фазовый переход полупроводник-металл и электрическое переключение), обнаруженные в процессе исследований, могут быть использованы в микроэлектронике, например, для разработки терморезисторов с нелинейной N образной вольт-амперной характеристикой. Результаты исследований структуры, оптических и электрофизических свойств пленок PbSe также могут быть полезны при анализе фундаментальных физических свойств полупроводниковых бинарных систем, полученных методом твердофазного синтеза.

На защиту выносятся:

Выявление основных особенностей структуры, морфологии, состава и полупроводниковых свойств пленок PbSe при комнатной температуре по данным РФЭС, ОЭС, АСМ, РФА и Фурье - ИК- спектроскопии.

Обнаружение электронных неустойчивостей пленок PbSe - фазовый переход полупроводник-металл и эффект электрического переключения по данным температурной зависимости сопротивления и ВАХ.

Особенности температурной трансформации структуры пленок РЬБе, обусловленных фазовым переходом полупроводник-металл, состоящие в изменении оптических свойств.

Установление термической нестабильности пленок РЬБе по данным РФЭС.

Обнаружение замедления процесса окисления пленок РЬБе за счет покрытия их пленкой линейно-цепочечного углерода.

Внедрение результатов работы

Результаты работы отражены в отчетах по выполнению НИР в соответствии с ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 г.» (14.В37.21.0172, СПбГЭТУ); тематическими планами НИР в рамках государственного задания вузу Минобрнауки РФ в 2014 г. (№ 2.1351.2011); заданиями по гранту УМНИК «Участник молодежного научно-исследовательского конкурса» фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере в 2013-2015 г. (№338ГУ1/2013, №338ГУ2/2014).

Личный вклад

Автором внесен определяющий вклад в получение основных экспериментальных результатов от синтезирования образцов до проведения экспериментов по исследованию их свойств. Проведены анализ и интерпретация полученных данных, сформулированы основные положения и выводы диссертации.

Соответствие диссертации научной специальности

Диссертация соответствует специальности 01.04.10 «Физика полупроводников». Полученные в работе научные результаты соответствуют пп. 1 «Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе», 2 «Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе» Паспорта специальности.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: VII международной молодежной научной школе-конференции «Современные проблемы физики и технологий», Москва, НИЯУ МИФИ, 2018; международной молодежной научной конференции «XII Тинчуринские чтения», Казань, КГЭУ, 2017; конкурсе научного научно-технического творчества молодежи в рамках Молодежного инновационного форума Приволжского федерального округа, Ульяновск, УГТУ, 2015; V Всероссийской молодежной конференции «Фундаментальные и инновационные вопросы современной физики», Москва, ФИАН, 2013; IX Всероссийской научно-технической конференции «Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем», Чебоксары, ЧГУ, 2013; 9-ой Всероссийской научно-технической конференции «Информационные технологии в электротехнике и электроэнергетике» Чебоксары, ЧГУ, 2012; I, II, III Всероссийской научной конференции «Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечных элементов 3-го поколения, Чебоксары, ЧГУ, 2013-2015; 42, 43, 44, 45 Всероссийской конференции по гуманитарным, техническим, естественным наукам Чебоксары, ЧГУ, 2012-2015; Республиканском конкурсе научно-исследовательских работ студентов, молодых ученых и специалистов Наука XXI века, Чебоксары, ЧРИО, 2013, 2014; VIII Республиканском конкурсе инновационных проектов по программе УМНИК, Чебоксары, МГОУ, 2013 .

Публикации

Основные результаты диссертации изложены в 1 журнале, включенном в международную систему цитирования SCOPUS, в 4 научных журналах, входящих перечень ВАК, и в 7 материалах докладов международных и всероссийских конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация изложена на 107 страницах машинописного текста, состоит из введения, 4 глав с выводами, заключения и списка литературы, включающего 132 наименования. Работа содержит 42 рисунка и 4 таблицы.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1.1. Получение, исследование структуры, состава и свойств пленок

селенида свинца

История интенсивного изучения свойств селенида свинца берет свое начало после второй мировой войны. В настоящее время разработаны многочисленные технологии получения и накоплено большое количество сведений, относящееся к физико-химическим и электрическим характеристикам объемных и пленочных образцов селенида свинца. Выполнено большое число обзорных работ, написан ряд монографий [1-3] и диссертаций [7-13]. Эти исследования в большей степени были стимулированы разработкой ИК-оптоэлектроники и термоэлектричества.

В данном разделе кратко изложены основные методы получения и сведения из самых характерных свойств селенида свинца. Критерием выбора данных являлось их дальнейшее использование в экспериментах и теоретических расчетах.

1.1.1. Технология получения пленок РЬ8е

По мнению авторов [20], осажденные тонкие пленки были получены в 1887 г. Фарадеем при проведении им опытов по взрыву металлических проволочек в инертной атмосфере. В 1887 г. Нарволд на примере проволок из платины продемонстрировал возможность синтеза тонких металлических пленок в вакууме с использованием джоулева тепла. Годом позже Кундт применил этот же метод для измерения показателя преломления пленок металлов. В последующие десятилетия тонкие пленки использовались только для чисто физических исследований. На сегодняшний день область применения тонких пленок значительно расширились.

Основные методы получения пленок можно подразделить на группы:

1. химические вакуумные (реактивное катодное распыление, газофазная и жидкофазная эпитаксия);

2. химические вневакуумные методы (электрохимическое осаждение, гидрохимическое осаждение и др.);

3. физические вакуумные (термовакуумное напыление, ионно-плазменный и ионно-лучевой методы, молекулярно-лучевая эпитаксия, лазерное распыление).

Самым распространенным методом получения пленок халькогенидов металлов является химический метод осаждения из водных растворов. В основе данного метода лежит реакция, протекающая между растворимой солью металла и халькогенизатором - веществом, способным при своем разложении поставлять в раствор селеносодержащие ионы [43]. В большинстве случаев образование селенида имеет место в щелочной среде, требующейся для разложения халькогенизатора, к числу которых, в первую очередь, относят селеномочевину или селеносульфат натрия. Помимо основных реагентов, образующих твердую фазу, вводятся лиганды, которые способны связывать ионы металла в прочные комплексы [11]. Комплексообразующий реагент значительно снижает концентрацию свободных ионов металла в растворе и, следовательно, замедляет процесс образования твердой фазы, предотвращает быстрое выпадение ее в осадок, обеспечивая рост однородной пленочной структуры. Образующиеся комплексы ионов металла и природа лигандов существенно влияют на весь процесс гидрохимического синтеза [11]. В качестве щелочи, как правило, используют КОН, №ОН, КН4ОН, гидразин или этилендиамин [23].

Впервые попытки синтезировать пленку PbSe были сделаны в Германии в годы II мировой войны [15]. В 1948 г. Wilman [16] описал образование тонкой зеркальной пленки селенида свинца на поверхности раствора уксуснокислого свинца, через который пропускался селеноводород [11]. Г.А. Китаев и соавторы синтезировали пленки PbSe, используя нитрат [17-19] или ацетат [22] натрия и селеномочевину. Процесс проводился при температуре 298 К. В работах [17-19]

цитрат натрия использовался для связывания ионов свинца в прочный комплекс с целью предотвращения выпадения в осадок РЬ(ОН)2 в слабощелочной среде. Применялся гидразин в качестве мягко действующего основания для создания нужной щелочности среды. Ввиду неустойчивости селеномочевины в водных растворах последние готовились непосредственно перед каждым опытом растворением навески селеномочевины в дистиллированной воде с добавкой сульфида натрия в качестве антиоксиданта в молярном соотношении к селеномочевине 1:10 [17]. Исследован механизм образования и роста тонких пленок селенида свинца, изучено влияние обработки стекла хлористым оловом. Было показано, что реакция образования РЬБе представляет собой гетерогенный процесс, в котором роль катализатора играет возникающая поверхность селенида свинца. Установлено [18], что скорость реакции образования РЬБе лимитируется стадией разложения селеномочевины в щелочной среде на каталитической поверхности селенида свинца. В работе [19] была предпринята проверка возможности осаждения пленок РЬБе с применением тиосульфатного комплекса свинца. При этом концентрация нитрата свинца, рН раствора и селеномочевины не менялись. Исследовано влияние природы аддента и щелочного агента на процесс образования пленок. Также установлено, что данным методом синтеза можно получать слои любой заранее заданной толщины от нескольких сот до нескольких тысяч ангстрем.

В работе [21] пленки РЬБе получены на диэлектрические подложки из этилендиамин-ацетатных реакционных смесей при температуре 309-353 К, в состав которых входили следующие компоненты: ацетат свинца (II), этилендиамин, ацетат аммония, селеномочевина, сульфит натрия, йодид аммония. Синтезирование пленок проводилось в реакторах из молибденового стекла при термостатировании. Для обеспечения фоточувствительности полученные пленки подвергали термообработке в температурном диапазоне 523-723 К. После отжига по данным рентгеновских исследований выявлено образование кислородосодержащих фаз РЬО, РЬБеОз, 4РЬО-РЬ8еО3 .

Авторами [24-30] исследована кинетика гидрохимического осаждения селенида свинца из растворов в зависимости от состава [28, 29], от количественного содержания реагентов реакционной смеси [24-25] и от температуры процесса [26-28, 30]. Установлено, что с ростом температуры осаждения происходит увеличение размеров кристаллитов пленок селенида свинца, что приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны. В работе [29] отмечено, что с ростом концентрации реакционной смеси ацетата свинца увеличивается толщина пленки. Авторы предполагают, что за счет роста концентрации халькогенизатора происходит увеличение концентрации ионов Se2 и соответственно, растет скорость образования PbSe. Аналогичная зависимость изменения толщины пленки от состава реакционной смеси, времени осаждения и температуры была отмечена в работах [31]. Пленки селенида свинца были получены при температурах 308-363 К на диэлектрические подложки из этилендиамин-ацетатных реакционных смесей, содержащих йодид аммония, ацетат аммония, сульфит натрия, селеномочевина, этилендиамин, ацетат свинца (II). В работе отмечено, что за счет повышения в реакторе содержания ацетата аммония происходит снижение толщины пленки селенида свинца. Авторы данное явление связывают образованием прочных ацетатных комплексов свинца в растворе и снижением доли свободных ионов Pb2+, способных вступать в реакцию образования селенида свинца. Рост концентрации селеномочевины в реакционной смеси приводит к повышению количества Se - - ионов. В связи с чем возрастает скорость образования твердой фазы PbSe и соответственно толщина пленки на подложке. Также толщина пленки увеличивается практически линейно с ростом температуры и времени осаждения. Содержание йодида аммония различной концентрации в реакционных ваннах не влияет на толщины синтезируемых пленок PbSe.

В работе [32] авторами показано, что увеличение в реакционной смеси концентрации йодида аммония приводит к уменьшению размера микрокристаллов (100-20 пт) с одновременным увеличением параметра решетки PbSe (6.11-6.16 А). Данные пленки толщиной ~ 400-700 пт были получены

химическим осаждением из водных реакционных смесей, в состав которых входили следующие компоненты: цитрат и сульфит натрия, ацетат свинца, селенокарбамид, аммиак. Для легирования пленок йодом в реакционные растворы добавляли иодид аммония.

В последнее время для получения тонких пленок PbSe используется электрохимическое осаждение. Принцип электрохимического осаждения состоит в осуществлении химической реакции получения халькогенида металла при протекании электрического тока [23]. Данный метод позволяет контролировать состав, морфологию и толщины путем регулирования электрических параметров, при которых ведется осаждение, а также состава электролитического раствора [11].

Электрохимический метод для синтеза пленок селенида свинца описан в работах [33-36]. В работе [33] исследована кинетика электрохимического осаждения пленок PbSe, полученных из кислого водного раствора HNO3, содержащего соединение SeIV и растворимую соль PbII. Авторами [34] было изучено влияние потенциала осаждения, концентрации исходных материалов, плотности тока на свойства пленок. В статье [35] показано, что с ростом температуры осаждения увеличиваются размеры зерна. Также исследована зависимость изменения толщины пленки от времени синтеза. Данная зависимость линейна, с ростом времени осаждения толщина пленок увеличивается.

В работе [36] рассмотрены термодинамические (выбор потенциалов электросинтеза) и кинетические аспекты электросинтеза пленок селенида свинца. Проанализирован процесс недонапряжений (underpotential deposition -UPD) свинца на селеносодержащие электроды. Для электросинтеза PbSe авторами было предложено сочетать процесс UPD адатомов Pb и процесс осаждения Se в условиях перенапряжения. Обязательным условием получения однофазной системы является контроль скорости осаждения Se. Также показано, что на величину недонапряжения влияют полупроводниковые свойства электрода.

Оценивая преимущества химического метода осаждения по сравнению с другими пленочными технологиями, следует отметить его высокую

производительность, возможность контролировать состав, морфологию и толщины. Несмотря на положительные стороны процесса, метод не является достаточно экономичным, в связи с использованием дорогостоящих реактивов.

Для получения пленок селенида свинца широко используются различные варианты термического вакуумного напыления. Вакуумное осаждение пленок состоит из трех основных процессов: 1) переход вещества из конденсированной фазы в газообразную; 2) перенос паров вещества в пространстве от испарителя до подложки при пониженном давлении газа; 3) конденсация паров вещества на подложке [20].

Пленки селенида свинца синтезируют либо термическим напылением из шихты (полученные ампульным методом) или прессованных таблеток.

Авторами работ [9, 10, 41] пленки селенида свинца были синтезированы термическим испарением в вакууме из шихты PbSe. В работе [10] для приготовления шихты использовали свинец марки С-0000, селен чистый для анализа (ЧДА). Синтез материалов производился сплавлением компонентов в кварцевых ампулах. Ампула откачивалась до вакуума 1-10- Па и помещалась вертикально в печь. Градиент температуры в месте установки не превышал 275 К/ см [42]. Температура синтеза превышала температуру плавления селенида свинца минимум на 293 (Тпл=1353 К). При температуре синтеза ампула выдерживалась не менее двух часов, для гомогенизации жидкой фазы. Затем осуществлялась закалка ампулы в холодной воде [42].

В работе [9] испарение шихты проводилось в интервале температур 1173...1573 К из танталового испарителя квазизамкнутого типа, нагреваемого прямым током. Вакуум в рабочей камере контролировался ионизационным датчиком и составлял 10- Па. Были проведены исследования взаимосвязи таких параметров как расстояние испаритель - подложка, масса испаряемого вещества с толщиной, в ходе которого были выбраны оптимальные параметры синтеза. В качестве подложек были использованы стекла и полированный сапфир. Так же отмечено, что при использовании стекла в качестве подложек, увеличение

температуры осаждения 573-623 К приводило к растрескиванию слоев, что может быть связано с возникновением повышенных температурных напряжений.

В работе [38] тонкие поликристаллические слои PbSe изготавливались конденсацией в вакууме на установках типа УВН-8, путем термического испарения навесок исследуемых составов на подложки (BaF2), нагретые до 423 -623 К. Толщина слоев порядка 0,5 мкм. Образцы имели зеркальную поверхность. Особые требования предъявлялись к однородности образцов по толщине.

В статье [39] исследованы толщинные зависимости транспортных свойств в тонких пленках селенида свинца с целью дифференцирования влияния классического и квантового размерных эффектов. Эпитаксиальные пленки PbSe различных толщин ( 5,5-410,0 нм) были получены термическим испарением стехиометрического кристалла р- PbSe в вакууме (10-5 - 10-6) Па с последующим осаждением на подложки (001) KCl при температуре (520±10) К. Скорость конденсации составляла 0.1-0.3 нм/c. Поверх пленки электронно-лучевым методом был нанесен слой EuSe для предотвращения окисления пленки PbSe.

В статье [40] пленки селенида свинца были сформированы в вакуумной установке напыления УВН-71-3 на стеклянные подложки марки С-29. В качестве источника для напыления пленок была использована прессованная таблетка селенида свинца, сформированная в специальной прессформе методом холодного прессования под давлением 2т/см2 из порошка и термообработанная в динамическом вакууме. Толщина пленок составляла 0,5 - 1,5 мкм, а единичный рабочий элемент имел размер 1х2 мм.

Авторами работы [42] пленки селенида свинца были получены из паровой фазы методом термического испарения. В испаритель засыпался свежеприготовленный синтезированный порошок. Подложка размещалась на расстоянии 0,2 м от источника и нагревалась до температуры 553 К. Температуру испарителя, отделенную заслонкой от подложки, повышали до ~ 1070 К. При этом начинается испарение вещества. После образования слоя необходимой толщины подложка с пленкой охлаждаются в вакууме. В качестве подложки был использован монокристаллический кремний p-Si (100).

Метод молекулярной эпитаксии с «горячей стенкой» так же может быть использован для получения тонких слоев PbSe [37]. Разработан рентгеновский метод для определения толщины слоев. Авторами отмечено, что в температурном и временном диапазоне 613-573 К и 120-0.75 мин соответственно толщины слоев на подложках №С1, ВаР2, Si, СаР2 менялись в пределах 0.02-4 мкм. Такие толщины удовлетворяют условиям создания ИК лазеров и фотоприемников с напряженными слоями.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Разина, Алиса Геннадьевна, 2018 год

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Равич, Ю. И Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. - М.: Наука, 1968. - 384 с.

2. Зимин, С. П. Наноструктурированные халькогениды свинца: монография / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев. - Ярославль: ЯрГУ, 2011. - 232 с.

3. Александрова, О. А. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение / О. А. Александрова, А. И. Максимов, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснакова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с.

4. Абрикосов, Н. Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^В^ / Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова. - М.: Наука, 1975. - 195 с.

5. Грин, М. Поверхностные свойства твердых тел / М. Грина, В. Б. Киселева. -М.: Мир, 1972. - 428 с.

6. Патли, Е. Сульфид, селенид и теллурид свинца / Е. Патли // Материалы, используемы в полупроводниковых приборах. - М.: Мир, 1968. - С. 97-147.

7. Суворова, Н. А. Влияние изоэлектронного легирования оловом и кислородом на энергетический спектр селенида свинца по данным оптического поглощения: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Суворова Наталья Александровна. - СПб., 1996. - 150 с.

8. Олеск, С. А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Олеск Светлана Александровна. - Л., 1990. - 135 с.

9. Писаревский, М. С. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Писаревский Мстислав Сергеевич. - СПб., 2002. - 148 с.

10. Голубченко, Н. В. Влияние примесей на кинетику и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца при формировании

фоточувствительных структур: дис. ... канд. технических наук : 01.27.06 / Голубченко Надежда Владимировна. - СПб., 2004. - 193 с.

11. Третьякова, Н. А. Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe, SnSe, Pb1-xSnxSe: дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Третьякова Наталья Александровна. - Екатеринбург, 2006. - 165 с.

12. Тропина, Н. Э. Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Тропина Наталья Эдуардовна. - СПб., 2013. - 173 с.

13. Мухамедзянов, Х. Н. Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания фоточувствительных ИК-детекторов: дис. ... канд. техн. наук : 05.17.02 / Мухамедзянов Хафиз Науфалевич. - Екатеринбург, 2010. - 192 с.

14. Бондоков, Р. Ц. Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Бондоков Роберт Цветанов. - СПб., 1999. - 221 с.

15. Milher, C. Lead selenidephotoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts // Nature. - 1949. - V.163. - P. 322-326.

16. Wilman, H. The structure of photosensitive lead sulfide and lead selenide deposits and the effect of sensitization by oxygen / H. Wilman // Proc. Phys. Soc. - 1948. -V.60. - No.2. - P. 117-132.

17. Лундин, А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1965. - Т.1. - №12. - С. 2102-2106.

18. Лундин, А.Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1965. - Т.1.-№12. - С. 2107-2112.

19. Китаев, Г. А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г. А. Китаев, А. Б. Лундин, С. Г. Мокрушкин // Изв. Высш.уч.зав.СССР «Химия и химическая технология». - 1966. - №4. - С.574-576.

20. Технология тонких пленок: справочник / М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. -М.: Сов. радио, 1977. - Т. 1. - 664 с.

21. Баканов, В. М. Термосенсибилизация химически осажденных пленок селенида свинца / В. М. Баканов, З. И. Смирнова, Х. Н. Мухамедзянов, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Конденсированные среды и межфазные границы. -2011. - Т.13. - № 4. - С. 401-408.

22. Марков, В. Ф. Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен соосаждением из водных растворов / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Л. Д. Лошкарева, С. Н. Уймин, Г. А. Китаев // Изв. РАН. Неорган. Матер. - 1997. -Т. 33. - №6. - С. 665-668.

23. Зарубин, И. В. Гидрохимический синтез, состав, структура, функциональные свойства пленок PbS, Cu2S, PbSe, Te для контроля водных сред : дисс. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Зарубин Иван Владимировч. - Екатеринбург, 2014. - 168 с.

24. Gorer, S. Quantum Size Effects in Chemically Deposited, Nanocrystalline Lead Selenide Films / S. Gorer, A. Albu-Yaron, G. Hodes // J. Phus. Chem. - 1995. - V. 99. - P. 16442-16448.

25. Gorer, S. Chemical Solution Deposition of Lead Selenide Films: A Mechanistic and Structural Study / S. Gorer, A. Albu-Yaron, G. Hodes // Chem. Mater. - 1995. - V. 7. - P. 1243-1256.

26. Grozdanov, I. A simple solution growth technique for PbSe thin films / I. Grozdanov, M. Najdoski, S. K. Dey // Materials Letters. - 1999. - V. 38. - P. 28-32.

27. Shandalov, M. Microstructure and morphology evolution in chemical solution deposited PbSe films on CaAs(100)/ M. Shandalov, Y. Colan // Eur. Phys. J. Appl. Phys. - 2003. - V.24. - P. 13-20.

28. Третьякова, Н. А. Кинетика гидрохимического осаждения пленок селенида свинца, их состав, структура и свойства / Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Х. Н. Мухамедзянов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2005. - Т. 7. - №2. - С. 189-194.

29. Sarkar, S. K. Effects of Solution pH and Surface Chemistry on the Postdeposition Growth of Chemical Bath Deposited PbSe Nanocrystalline Films / S. K. Sarkar, S.

Kababya, S. Vega, H. Cohen, J. C. Woicik, A. I. Frenkel, G. Hodes // Chem. Mater. -2007. - V.19. - P. 879-888.

30. Kassim, A. XRD, AFM and UV-Vis Optical Studiesof PbSe Thin Films Produced by Chemical Bath Deposition Method / A. Kassim, S. M. Ho, A. H. Abdullah, S. Nagalingam // Transactions C: Chemistry and Chemical Engineering. - 2010. - V. 17. -No.2. - P. 139-143.

31. Миронов, М. П. Исследование структуры и состава, морфологии, элементного и фазового состава химически осажденных пленок PbSe, SnSe и сендвич-структур на их основе / М. П. Миронов, A. Ю. Кирсанов, В. Ф. Дьяков, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Филипович // Бутлеровские сообщения. - 2010. - Т.19. -№3. -С. 45-53.

32. Smirnova, Z. I. Effect of an Iodine_Containing Additive on the Composition,Structure, and Morphology of Chemically Deposited Lead Selenide Films / Z. I. Smirnova, V. M. Bakanov, L. N. Maskaeva, V. F. Markov, V. I. Voron // Physics of the Solid State. - 2014. - V. 56. - No. 12. - P. 2561 - 2567.

33. Streltsov, E. A. Electrochemical deposition of PbSe films / E. A. Streltsov, N. P. Osipovich, L. S. Ivashkevich, A. S. Lyakhov anV. V. Sviridov // Electrochimica Acta. - 1988 - V. 43. - No. 8. - 869-873.

34. Saloniemi, H. Electrodeposition of lead selenide thin films / H. Saloniemi, T. Kanniainen,fM. Ritala, M. Leskela and R. Lappalainenb// J. Mater. Chem. - 1998. - V. 8. - No.3. - P. 651-654.

35. Li, K. W. Electrodeposition and characterization of PbSe films on indium tin oxide glass substrates / K. W. Li, X. T. Meng, X. Liang, H. Wang, H. Yan // J Solid State Electrochem. - 2006. - V.10. - P. 48-53.

36. Стрельцов, Е. А. Электрохимическое осаждение тонких пленок и наноструктур полупроводниковых халькогенидов металлов / Е. А. Стрельцов // Вестник БГУ. - 2011. - Сер. 2. - № 3. - С.15-19.

37. Пашаев, А. М. Исследование тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца // А. М. Пашаев, О. И. Даварашвили, В. А.Алиев, Г. Г. Гегиадзе, Р. Г.Гуляев, М. И.

Енукашвили, В. П. Зломанов// Химический Журнал Грузии. - 2009 - Т.9. - №3 -С.201-203.

38. Плетнев, Р. Н. ЯМР 63Си, 139Ьа и химическая связь в аниондефицитном перовските / Р. Н. Плетнев, Э. И. Юрьева, С. В. Верховский, Г. В. Базуев // Журнал структурной химии - 2005. - Т.46. - №1. - С.63-69.

39. Рогачева, Е. И. Размерные эффекты в тонких пленках PbSe / Е. И. Рогачева, О. Н. Нащекина, С. И. Ольховская, М. С. Дресселхаус // Термоэлектричество. -2012. - №4. - С. 27-35.

40. Попов, В. П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В. П. Попов, П. А. Тихонов, В. В. Томаев // Физика и химия стекла. - 2003. - Т.29. - №5. - С. 686-694.

41. Гамарц, А. Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа / А. Е. Гамарц, В. М. Лебедева, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т.38. - Вып.5. - С. 1195-1199.

42. Власенко, А. И. Оптические свойства халькогенидов свинца / А. И. Власенко, С. Н. Левицкий, П. А. Генцарь, Ц. А. Крыськов // Материалы IV Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (ФТТ 2009). - Минск: изд. Вараксин А. Н., 2009. - С.72-74.

43. Катышева, А. С. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PЬSeySy-1: состав, структура, свойства: дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Катышева Анна Сергееевна. - Екатеринбург, 2012. -151 с.

44. Ягодин, С. И. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения, состав, структура, свойства пленок твердых растворов CdxPb1-xSe: диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.04 / Ягодин Семен Иванович. -Екатеринбург, 2011. - 148 с.

45. Гамарц, А. Е. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения / А. Е.

Гамарц, Ю. М. Канагеева, В. А. Мошников // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т.39. - Вып.6. - С.667-668.

46. Мараева, Е. В. Получение и исследование наноструктуированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Мараева Евгения Владимировна. - СПб., 2014. - 156 с.

47. Глобус, Т. Р. Спектры оптического поглощения и зонная структура PbSe / Т. Р. Глобус, А. О. Олеск // Физика и техника полупроводников. - 1985.- Т.19. -Вып. 4. - С.621-626.

48. Глобус, Т. Р. Оптические характеристики PbSe p и n-типа. Зонная структура / Т. Р. Глобус, Н. Д. Малькова, А. О. Олеск // Физика и техника полупроводников. -1987. -Т.21. - Вып. 9. - С.1572-1583.

49. Kassim, А. Preparation and characterization of PbSe thin films by chemical bath deposition / A. Kassim ,T. W. Teea, D. K. Abdullaha, Md. J. Harona, H. S. Mina, S. Monohorna, S. Nagalingamb // Jurnal Kimia 4 (1). - 2010. - P.1-6.

50. Begum, A. Effect of deposition temperature on the structural and optical properties of chemically prepared nanocrystalline lead selenide thin films / A. Begum, A. Hussain, A. Rahman // Beilstein J Nanotechnol. - 2012. - V.3. - P.438-443.

51. Barrios-Salgado, E. Chemically deposited thin films of PbSe as an absorber component in solar cell structures / E. Barrios-Salgado, M.T.S. Nair, P.K. Nair, R. A. Zingaro // Thin Solid Films 519. - 2011. - P. 7432-7437.

52. Лукашин, А. В. Синтез полупроводниковых наночастиц сульфида свинца и сульфида кадмия / А. В. Лукашин, А. А. Елисеев // Химические методы синтеза неорганических веществ и материалов. - М.: Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова, 2008. - С. 100-130.

53. Prabahar, S. Lead selenide thin films from vacuum evaporation method-structural and optical properties / S. Prabahar, N. Suryanarayanan, K. Rajasekar, S. Srikanth // Chalogenide Letters. -2009 - V.6. - No.5. - P.203-211.

54. Кречко, Л. М. Карбин - третья аллотропная кристаллическая форма углерода: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Кречко Людмила Михайловна -М., 1994. - 18 с.

55. Babaev, V. G. Ion-assisted condensation of carbon / V. G. Babaev, M. B. Guseva // Carbyne and Carbynoid Structures, ed. By R. B. Heimann, S. E. Evsyukov, L. Kavan, Klüver Academic Publishers. - Dordrecht/Boston/London, 1999. - pp. 159 - 171.

56. Коробова, Ю. Г. Особенности атомной и электронной структуры различных форм sp-углерода с учетом влияния примесей водорода, фтора и кислорода: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04, 01.04.07 / Коробова Юлия Геннадьевна. - М., 2013. - 134 с.

57. M. V. Guseva, V. G. Babaev, N. D. Novikov, PCT Patent. International Application Number PCT/IB96/01487. December 18 (1996);WO 97/25078, July 17 (1997). US Patent 6.454.797 B2, US Patent 6.335.350 B1.

58. Сладков, А. М. Полисопряженные полимеры / А. М. Сладков. - М.: Наука, 1989. - 120 с.

59. Бабаев, В. Г. Высокоориентированные пленки sp1- углерода / В. Г. Бабаев, М. Б. Гусева, Н. Ф. Савченко, Н. Д. Новиков, В. В. Хвостов, П. Флад // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. - 2004. - №3. - С.16-27.

60. Бабина, В. М. Линейно-цепочечный углерод. Модификация структуры. Фазовые переходы : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук. 01.04.04 / Бабина Виорика Михайловна - М., 1997. - 20 с.

61. Babaev, V. G. Carbon material with a Highly Ordered Linear-Chain Structure / V. G. Babaev, M. B. Guseva, N. D. Novikov, V. V. Khvostov, P. Flood // Franco Cataldo, Polyynes Synthesis, Properties, and Aplications, CRC Press Taylor &Francis, Boca Raton. -London, New: CRC Press, 2006. - P. 219-252.

62. Кочаков, В. Д. Интеркалирование серебра в пленку линейно-цепочечного углерода / В. Д. Кочаков, Н. Д. Новиков // Вестник Чувашского университета. -2007. - №2. - С. 20-25.

63. Хвостов, В. В. Исследование электронной структуры карбина методом Оже-спектроскопии / В. В. Хвостов [и др.] // Физика твердого тела. - 1985. - Т. 7. - № 3. - С. 887-891.

64. Коршак, В. В. Экспериментальное подтверждение новой структурной гипотезы карбина / В. В. Коршак [и др.] // Доклады Академии наук СССР. - 1987. - № 2. - С. 393-396.

65. Korshak, V. V. Electronic structure of carbynes studied of Auger and electron energy loss spectroscopy Carbon / V. V. Korshak [et al.] // Carbon. - 1987. - V.25. - Р. 735-738.

66. Исследование свойств легированных и интеркалированных пленок линейно-цепочечного углерода : отчет о НИР / Кочаков, В. Д. - Чебоксары: Чувашский государственный университет, 2007. - 68 с.

67. Синтез на основе углеродных и полупроводниковых пленок элементов пассивной и активной электроники : отчет о НИР / Кочаков, В.Д. - Чебоксары: Чувашский государственный университет, 2012. - 60 с.

68. Бугаев, А. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение / А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский. - Л.: Наука, 1979. -182 с.

69. Игнатенко В. М. Исследование фазового перехода металл-полупроводник в тонких пленках двуокиси ванадия: автореф. дис. ... канд. физ-мат наук : 01.04.07 / Игнатенко Виктория Михайловна - Сумы, 1993. - 19 с.

70. Томаев, В. В. Диэлектрические свойства и фазовый переход в композитном материале PbSe+PbSeO3 / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин, П. А. Тихонов // Физика и химия стекла. - 2005. - Т.31. - №6. - С.1117-1127.

71. Томаев, В. В. Исследование электрических свойств двухфазного композита PbSe+PbSeO3 методом импедансной спектроскопии / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т.32. - №5. - С.795-801.

72. Томаев, В. В. Влияние технологии изготовления двухфазного композита состава PbSe+PbSeO3 на его сопротивление / В. В. Томаев, В. П. Мирошкин, Л. Н. Гарькин // Физика и химия стекла. - 2006. - Т.32. - №5. - С.789-793.

73. Тимофеева, И. О. Структурно-чувствительные нелинейные оптические свойства поликристаллических и аморфных слоев оксидов и халькогенидов переходных металлов при фазовом переходе «металл-полупроводник» и их применение: дисс... канд. физ-мат. наук : 01.04.07 / Тимофеева Ирина Олеговна. -СПб., 2002. - с.163.

74. Стефанович, Г. Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов: дисс. док. физ-мат наук: 01.04.10 / Стефанович Генрих Болеславович. - Петрозаводск, 1997. - 362 с.

75. Лебедев, А. И. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTe1-xSx и Pb1-xGexTe / А. И. Лебедев, И.А. Случинская // ФТТ. - 1993. - Т.35. - №3. - С. 629-635.

76. Волков, Б. А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 при структурных фазовых переходах/ Б. А. Волков, В. П. Кушнир, О. А. Панкратов // ФТТ. - 1982. - Т.24. - №2. - С. 415-422.

77. Давыдов, С. Ю. Адсорбированные пленки в поликристаллических полупроводниковых сенсорах / С. Ю. Давыдов, В. А. Мошников, В. В. Томаев // СПбГЭТУ. - 1998. - С.56.

78. Смирнов, И. А. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)/ И. А. Смирнов, В. С. Оскотский // Успехи физических наук. - 1978. - Т.124. - С.241-279.

79. Ильинский, А. В. Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл / И. А. Ильинский, В. А. Климов, С. Д. Ханин, Е. Б. Шадрин // Изв. РГПУ им. А.И. Герцена. - 2006. - Т.6. - №5. - С.100-120.

80. Викулин, И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В.И. Стафеев. - М.: Радио и связь, 1990. - 246 с.

81. Костылев, С.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С.А. Костылев, В.А. Шкут. - Киев: Наукова думка, 1978. - 203 с.

82. Пергамент, А. Л. Электронные неустойчивости в соединениях переходных металлов: дис. ... доктора физ-мат наук : 01.04.07 / Пергамент Александр Лионович. - СПб, 2007. - 302 с.

83. Кулдин, Н. А. Электронные эффекты в слоистых структурах на основе диоксида ванадия: дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.04 / Кулдин Николай Александрович - Петрозаводск, 2006. - 105 с.

84. Мэклин, Э. Д. Терморезисторы / Э. Д. Мэклин . - М.: Радио и связь, 1983. -208 с.

85. Минкин, С. Б. Позисторы / С. Б. Минкин , А. Г. Шашков - М.: Энергия, 1973.

- 55 с.

86. Окадзаки, К. Полупроводники на основе титаната бария / К. Окадзаки. - М.: Энергоиздат, 1982. - 327 с.

87. Кузнецова, Т. К. Влияние фазового состава и микроструктуры на полупроводниковые и позисторные свойства материалов на основе феррониобата свинца : дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Кузнецова Татьяна Констатинова. Ростов-на-Дону, 1999. - 209 с.

88. Шефтель, И. Т. Терморезисторы: монография / И.Т. Шефтель. - М.: Наука, 1973. - 415 с.

89. Хейванг, В. Аморфные и поликристаллические полупроводники / В. Хейванг.

- М.: Мир, 1987 - 160 с.

90. Scanlon, W. W. Recent Abvances in the Optical and Electronic Properties of PbS, PbSe, PbTe and their Alloys / W.W. Scanlon // J. Phys. Chem. Sol. - 1959 - №8 - P. 423-428.

91. Новиков, Н. Д. Физические основы управляемого ионно-плазменного синтеза функциональных углеродных покрытий: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 : защищена 22.04.98 : утв. 11.06.98 / Новиков Николай Дмитриевич. - М., 1998. -215 с

92. Цендин, К.Д. Неустойчивости с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками и фазовые переходы в халькогенидных стеклообразных

полупроводниках и полимерах / К.Д. Цэндин, Э.А. Лебедев, А.Б. Шмелькин // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47. - В.3 - С. 427-432.

93. Chung, F. H. Quantitative interpretation of X-ray diffraction patterns of mixtures / F. H. Chung // J. Appl. Cryst. - 1974. - V. 7. - P. 519-525.

94. Аткарская, А. Б. Влияние диффузии натрия из стеклянной подложки на оптические свойства композитов/ В. М. Нарцев, Д. С. Прохоренков, В. Г. Шеманин // Оптический журнал. - 2016. -Т.83. - №7. - С. 15-19.

95. Gautier, C. Study of PbSe lauer oxidation fyl oxide dissolution / C. Gautier, M. Combon - Muller, M. Averous // Appl. Surf. Science. - 1999. - V. 141. - P. 157-163.

96. Лебедев, A. И. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в полупроводниках группы A4B6, обусловленные нецентральными примесями: автореф. ... док. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Лебедев Александр Иванович. - М., 1994. - 28 с.

97. Ahuja, R. High pressure structural phase transition in IV-VI semiconductors / R. Ahuja // Physica status solidi (b) - 2003. - V.235. - №2 - P.341-347.

98. Семерчан, А. А. Изменение электрического сопротивления PbS, PbSe и PbTe под давлением до 200000 кг/ см2 / А. А. Семерчан, Н. Н. Кузин, Л. Н. Дроздова, Л. Ф. Верещагин // ДАН СССР. - Физика. - 1963. - Т.152. - Вып.5 -С. 1079-1081.

99. Крылова, С. Н. Комбинационное рассеяние света и фазовые переходы в перовскитоподобных кристаллах Rb2KcF6 и RbMnCl3: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Крылова Светлана Николаевна. - Красноярск, 2005. -149 с.

100. Мягков, В. Г. Структурные превращения и химические взаимодействия в двухслойных металлических нанопленках: дис. ... док. физ.- мат. наук: 01.04.07 / Мягков Виктор Григорьевич. - Красноярск, 2008. - 296 с.

101. Коротков, П. К. Температура фазовых превращений в тонких двухслойных металлических пленках / П. К. Коротков, Р. А. Мусуков, Т. А. Орквасов, В. А. Созаев // Xимия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. VII Международная конференция. - Кисловодск -Ставрополь: СевКавГТУ, 2007 - 510 с.

102. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. - М.: Наука, 1990. - 685 с.

103. Панов, М. Ф. Оптические отражения в инфракрасной области спектра окисленных пленок РЬБе / М. Ф. Панов, В. В. Томаев // Физика и химия стекла. 2012. - Т.38. -№4. - С.543-552

104. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. - М.: Наука, 1977. - 366 с.

105. Томаев, В. В. Исследование продуктов окисления селенида свинца методом ИК спектроскопии / В. В. Томаев, И. В. Чернышева, П. А. Тихонова // Физика и химия стекла. - 2007 - Т.33. -№6. - С. 883-889.

106. Неустроев, Л. Н. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенида свинца / Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов // Микроэлектроника. - 1988 - Т.17. - В.5. - С. 399-416.

107. Вейс, А. Н. Энергетический спектр теллурида свинца, имплантированного кислородом, по данным оптического поглащения / А. Н. Вейс // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т.31. - №12. - С.1419-1421.

108. Вейс, А. Н. Энергетический спектр селенида свинца, имплантированного кислородом / А. Н. Вейс, Н. А. Суворова // Физика и техника полупроводников. -1999. - Т.33. - №10. - С.1179-1182.

109. Мадатов, Р. С. Влияние примесных атомов Бш на эффект переключения в тонких пленках ОеБ / Р. С. Мадатов, А. С. Алекперов, А. Э. Набиев // Изв. Сарат. ун-та. Физика. -2016. - Т.16. - В.4. - С.212-217

110. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. -М.: Мир, 1979. - 416 с.

111. Волькенштейн, Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемсорбции / Ф. Ф. Волькенштейн. - М.: Наука, 1987. - 431 с.

112. Салий, Я. П. Температурные зависимости электрических свойств монокристаллических пленок п-РЬБе при облучении а-частицами / Я. П. Салий, Р. Я. Салий // Физика и техника полупроводников. -2000. - Т.34. - В. 6. - С. 667-669.

113. Герасимова, Ю. В. Фазовые переходы и процессы упорядочения в кристаллах оксифторидов - исследование методом комбинационного рассеяния света: дис. ...

канд. физ.- мат. наук: 01.04.05 / Герасимова Юлия Валентиновна. - Красноярск, 2006. - 93 с.

114. Nillohit Mukherjee Experimental study on electron field emission, Raman scattering, and low temperature electrical properties of nanocrystalline lead selenide thin films/ Nillohit Mukherjee , Sk. F. Ahmed, Swarup Kumar Maji, and Anup Mondal // Journal of Applied Physics. - 2011. - V.109. - P. 104312.

115. Yang Ai-Ling Raman Scattering Study of PbSe Grown on (111) BaF2 Substrate / Yang Ai-Ling, Wu Hui-Zhen, Li Zhi-Feng, Qiu Dong-Jiang, Chang Yong, Li J McCann, X M Fang // Chinese Physics Letters. -2000 - V.17 - №8 -P.606-608

116. Manciu F. S. Size-dependent Raman and infrared studies of PbSe nanoparticles/ F. S. Manciu, Y. Sahoo, F. Carreto1 and P. N. Prasad // J. Raman Spectrosc -2008 -V.39. - P.1135-1140

117. Huaqiang Cao Generation and superhydrophobicity of complex PbSe crystalline nanodendrites/ Huaqiang Cao, Yujiang Xiaoab and Renlong Liangab// Cite this: CrystEngComm. - 2011. - V.13. - P. 5688-5691.

118. Wen-Shiang Chang Synthesis and characterization of [Pb{Se2P(Oi Pr)2}2]n pseudo polymorphs: Polymeric, single source precursor enabling preparation of shape-controlled lead selenide structures / Wen-Shiang Chang, Yi-Feng Lin, Bijay Sarkar, Yu-Min Chang,c Ling-Kang Liud and C. W. Liu // Dalton Trans. - 2010. - V. 39. - P. 2821-2830.

119. Romano-Trujillo, R. Synthesis and characterization of PbSe nanoparticles obtained by a colloidal route using Extran as a surfactant at low temperature/ R. Romano-Trujillo , E. Rosendo , M. Ortega , A. Morales-Sanchez, J. M Gracia , T. Diaz , G. Nieto , G. Garcia, J. A. Luna-Lopez ' and M. Pacio1// Nanotechnology. - 2012. - V.23. - P. 185602 (6pp).

120. Черевков, С. А. Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах полупроводников халькогенидов кадмия и свинца : дис. ... канд. физ.- мат. наук: 01.04.05 / Черевков Сергей Александрович - Красноярск, 2013. -116 с.

121. Кузиванов, М. О. Комбинационное рассеяние света пленками селенида свинца при низких уровнях возбуждения / М. О. Кузиванов, С. П. Зимин, А. В. Федоров, А. В. Баранов // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т.119. - №6. - С.925-930.

122. Федорова, С. С. Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода : автореф. дис. ... канд.тех. наук : 05.27.06 / Федорова Светлана Станиславовна. - М., 2005. -157 с.

123. Зломанов, В. П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца: автореф. дис. ... канд.хим.наук / Зломанов Владимир Павлович. - М., 1962 - 13 с.

124. Степанов, Н. П. Спектры плазменного отражения кристаллов твердых растворов Bi2Te3 - Sb2Te3 в инфракрасной области / Н. П. Степанов, А. А Калашников, И. И Худякова, В. Ю. Наливкин // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2013. -№154. - C.80-90.

125. Павлов, П. В. Физика твердого тела: учебное пособие / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. - М.: Высшая школа, 2000. - 494 с.

126. Кайданов, В. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI / В. И. Кайданов, Ю. И. Равич / УФН. -1985. -Т.145. -В.1. - С. 51-85.

127. Sigaev, V. N. Structure of lead germinate glasses by Raman spectroscopy / V. N. Sigaev, I. Gregora, P. Pernice, B. Champagnon, E. N. Smelinskaya. A. Aronne, P. D. Sarkisov // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2001. - V.279. - P. 136-144.

128. Войтова, В. М. Исследование стеклообразующих систем PbO-GeO2 и PbO-B2O3 методом спектроскопии КР / В. М. Войтова, О. В. Куликова, С. В. Лотарев, В. Н. Сигаев, В. В. Колташев, В. Г. Плотниченко // Успехи в химии и химической технологии. - T.21. - 2007. - №7 (75). - С. 46-49.

129. Шур, Д. В. Углеродные наноматериалы и фазовые превращения в них: монография / Д. В. Шур, З. А. Матысина, С. Ю. Загинайченко. - Днепропетровск: Наука и образование, 2007 - 680 с.

130. Чижиков, Д. М. Селен и селениды / Д. М. Чижиков, В. П. Счастливый. - М.: Наука. - 1964. - 322 с.

131. Булатов, М. Ф. Состояние ионов переходных металлов и природа нелинейных явления в ферромагнитных полупроводниках / М. Ф. Булатов // Материалы электронной техники. - 2005. - №2. - С. 58-64.

132. Базуев, Г. В. Загадки стабилизированного купрата лантана / Г. В. Базуев, В. Г. Зубков // В сб. Российская наука: грани творчества на грани веков. - М.: Научный мир. Природа, 2000. - С. 128-137.