Синтез нанокристаллических тонких плёнок оксида цинка ZnO и их модификация методом высокодозной ионной имплантации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Лядов Николай Михайлович

• Лядов Николай Михайлович
• кандидат наук
• 2022

Оглавление диссертации кандидат наук Лядов Николай Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1. 1 Основные физико-химические свойства и структурные параметры оксида цинка (ZnO)

1.1.1 Кристаллическая структура и параметры решётки

1.1.2 Зонная структура

1.1.3 Электрофизические свойства

1.1.4 Оптические свойства

1.2 Методы формирования тонких плёнок оксида цинка ZnO

1.2.2 Ионно-плазменные методы

1.3 Легирование оксида цинка ZnO

1.3.1 Проблемы и успехи в создании примесной проводимости р-типа методом ионной имплантации

1.4 Оптические свойства металлических наночастиц (МН) в диэлектриках и оксидных полупроводниках

1.4.1 Модель Друде-Зоммерфельда для описания оптических свойств объёмных металлов

1.4.2 Поверхностный плазмонныйрезонанс (ППР) сферических наночастиц благородных металлов в оптически прозрачных матрицах

1.4.3 Поверхностный плазмонный резонанс МН в оксиде цинка ХпО

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Ионно-плазменные методы формирования и модификации тонких плёнок оксида цинка

2.1.1 Ионно-стимулированное осаждение

2.1.2 Ионная имплантация

2.2 Методики исследований

2.2.1 Рентгеноструктурный анализ (РСА)

2.2.2 Электронная микроскопия и элементный микроанализ

2.3 Методики исследования оптических и электрических свойств

2.3.1 Двухслойная модель для определения оптических параметров тонких плёнок

2.3.2 Четырёхзондовый метод измерения электросопротивления тонких плёнок. Эффект Холла

ГЛАВА 3. ИСХОДНО-ОСАЖДЕННЫЕ ПЛЕНКИ ОКСИДА ЦИНКА ZnO, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОСАЖДЕНИЯ (ИСО)

3. 1 Структура и элементно-фазовый состав исходно-осаждённых плёнок оксида цинка ZnO

3.1.1 Морфология поверхности и элементный состав исходных плёнок ZnO

3.1.2 Рентгеноструктурный фазовый анализ исходных плёнок оксида цинка ZnO

3.1.3 Механизм увеличения параметра решётки тонких плёнок, осаждаемых методом ИСО

3.1.4 Просвечивающая электронная микроскопия исходных плёнок оксида цинка ZnO78

3.2 Оптические и электрические свойства исходно-осаждённых плёнок оксида цинка ZnO

3.2.1 Определение ширины запрещённой зоны исходных плёнок оксида цинка ZnO из данных оптических измерений

3.2.2 Тип проводимости, удельное сопротивление, подвижность и концентрация носителей заряда для исходных плёнок оксида цинка ZnO

3.2.3 Энергия активации и механизмы проводимости в исходно-осаждённых плёнках оксида цинка ZnO

3.2.4 Влияние термического отжига на структуру, оптические и электрофизические свойства плёнок оксида цинка ZnO

3.3 Основные результаты и выводы по главе

ГЛАВА 4. МОДИФИКАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА ZnO ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНАМИ СЕРЕБРА

4.1 Структура и элементно-фазовый состав плёнок оксида цинка ZnO, имплантированных ионами серебра

4.1.1 Моделирование профилей распределения примеси серебра в плёнках оксида цинка ZnO с учётом коэффициента ионного распыления

4.1.2 Влияние режимов ионной имплантации серебра на морфологию поверхности и элементный состав плёнок оксида цинка ZnO

4.1.3 Рентгеноструктурный фазовый анализ плёнок оксида цинка ZnO, имплантированных ионами серебра с высокой плотностью ионного тока

4.1.4 Просвечивающая электронная микроскопия плёнок оксида цинка ZnO с наночастицами серебра (ZnO:Ag)

4.2 Оптические и электрические свойства плёнок оксида цинка ZnO, имплантированных ионами серебра

4.2.1 Влияние режимов облучения ионами серебра на спектральную зависимость оптического поглощения плёнок оксида

4.2.2 Корреляции между режимами облучения, концентрацией серебра и оптическим поглощением синтезированных нанокомпозитов ZnO:Ag

4.2.3 Электрофизические характеристики плёнок оксида цинка имплантированных ионами серебра ZnO:Ag

4.3 Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

БЛАГОДАРНОСТИ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Введение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез нанокристаллических тонких плёнок оксида цинка ZnO и их модификация методом высокодозной ионной имплантации»

Актуальность темы

Известно, что оксид цинка ZnO со структурой вюрцита имеет высокую оптическую прозрачность в видимой и ближней ультрафиолетовой областях спектра, низкое удельное сопротивление, проявляет пьезоэлектрический и фотоэффект, имеет высокую радиационную стойкость и т.д., что важно для практического применения [1, 2].

Оксид цинка - прямозонный полупроводник с шириной запрещённой зоны ~ 3,3 эВ и высокой энергией связи экситонного состояния ~ 60 мэВ. Такое удачное сочетание физических параметров применительно к тонким плёнкам оксида цинка делает данный материал перспективным для создания ультрафиолетовых, синих, зелёных и белых светодиодов, оптических и газовых сенсоров, пьезодатчиков, дисплеев, прозрачных контактов и т.п. Особое внимание в последнее время уделяется синтезу тонких нанокомпозиционных плёнок на основе оксида цинка, поскольку они позволяют расширить область применения оксида цинка в различных приложениях микроэлектроники, оптоэлектроники и спинтроники [3-5].

Оксид цинка имеет электронный тип (п-тип) проводимости с достаточно низким удельным сопротивлением (р ~ 10-3-10-4 Ом-см), высокой концентрацией

20 21 3

носителей заряда п-типа (~ 10 -10 см-), и относительно низкой подвижностью (и ~ 5-20 см /В-сек.). Для получения тонких плёнок оксида цинка п-типа с электрическими параметрами, к которым предъявляются более высокие требования, в качестве легирующей примеси в основном используют алюминий. Наиболее сложным оказалось получение стабильной дырочной проводимости. Но и здесь имеются определённые успехи. Успешное легирование оксида цинка акцепторными примесями во многом, как оказалось, связано с методиками

синтеза, различными условиями осаждения, роста и постростовой обработки [611].

В последнее время повышенный научный и прикладной интерес вызывают структуры на основе широкозонных оксидных полупроводников и диэлектриков (7пО, А1203, SiO2 и т.п.) с наночастицами благородных металлов (Аи, Ag, Си) [1215]. Известно, что подобные нанокомпозиционные материалы имеют линейные и нелинейные оптические свойства, связанные с коллективным возбуждением электронов проводимости наночастиц металла электромагнитной волной -поверхностный плазмонный резонанс (ППР). В условиях резонанса происходит существенное увеличение коэффициента поглощения среды, значительное усиление локальных полей вблизи наночастиц, что в свою очередь может, например, усиливать комбинационное рассеяние, люминесценцию и т.д. [16, 17]. С другой стороны, характеристики плазмонного поглощения во многом определяются, хотя и нелинейно, размерами металлических наночастиц (МН). Это позволяет применять относительно простой и доступный метод оптической фотометрии при исследованиях по синтезу наночастиц благородных металлов в различных матрицах [18, 19].

Среди методов легирования можно выделить ионную имплантацию, как наиболее прецизионный и контролируемый метод введения примесей в полупроводниковые материалы [20, 21]. Ионное облучение сопровождается генерацией большого количества дефектов структуры и даже ведёт к аморфизации имплантированного слоя. Известно, что оксид цинка 7пО является радиационно-стойким материалом и не аморфизуется даже при высоких энергиях ионов и дозах ионной имплантации [1]. Исследования по ионной имплантации оксида цинка в подавляющей массе выполнены на монокристаллических образцах или эпитаксиальных плёнках.

Большой научный и практический интерес представляют

нанокристаллические материалы, которые по своим свойствам конкурируют с

обычными материалами и, кроме того, проявляют интересные и практически

важные размерные эффекты. В связи с этим разработка методов формирования

6

нанокристаллических плёнок оксида цинка и управления их структурными и физическими свойствами является актуальной задачей.

Многочисленные исследования показывают, что структурные параметры плёнок зависят от способов и режимов их осаждения. Ионно-стимулированное осаждение (IBAD - ion beam assisted deposition) является перспективным методом формирования тонких плёнок, которые могут иметь интересные физико-химические свойства, связанные с особенностями структуры формирующейся плёнки, а возможности ионной имплантации для модификации структуры и свойств материалов в настоящее время хорошо известны. Отсюда вытекают цели и задачи данной диссертационной работы.

Цели и задачи диссертационной работы

Основной целью данной работы является формирование методом ионно-стимулированного осаждения тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка и разработка методов управления их структурными и физическими (оптическими и электрическими) свойствами с использованием метода ионной имплантации серебра.

Оксид цинка наиболее востребован для приложений в оптике и оптоэлектронике и поэтому легирующим элементом было выбрано серебро, которое может проявлять поверхностное плазмонное резонансное (ППР) поглощение в видимой области спектра. Кроме того, серебро является для ZnO акцепторной легирующей примесью.

В связи со сказанным, в рамках данной диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи:

- разработать методику ионно-стимулированного осаждения нанокристаллических плёнок оксида цинка;

- изучить структуру, морфологию, оптические и электрофизические свойства исходных плёнок оксида цинка;

- исследовать влияние дозы имплантации ионами Ag+ и плотности ионного тока на структурные параметры, морфологию, элементный состав, оптические и электрофизические свойства тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка 7пО.

Для решения поставленных задач был использован широкий набор как технологического оборудования, так и методов исследований.

Научная новизна

1. Разработан оригинальный метод ионно-стимулированного осаждения тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка, основанный на ионном распылении мишени из цинка в атмосфере кислорода.

2. Обнаружено, что параметры решётки тонких нанокристаллических плёнок (оксид цинка, железо и никель), синтезированных разработанным способом, значительно (~ 3 %) превышают стандартные значения постоянных решёток для этих материалов, что на порядок больше предела упругой деформации для твёрдых тел (~ 0,1 %).

3. Впервые предложен механизм увеличения параметра кристаллической решётки тонких нанокристаллических плёнок, формируемых методом ионно-стимулированного осаждения: внедрение в нанокристаллиты "высокоэнергетичных" распылённых атомов мишени в процессе осаждения тонкой плёнки.

4. Впервые установлено, что проводимость тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка в области температур 5 К < Т < 50 К осуществляется по механизму прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка (по Мотту) по локализованным состояниям. Установлено, что в области температур 110 К < Т< 230 К, проводимость осуществляется по активационному механизму с энергии активации носителей заряда АЕ ~ 0,01 эВ.

5. Установлено, что максимальная концентрация имплантированных ионов серебра в нанокристаллические пленки оксида цинка 7пО ограничена по причине большого коэффициента распыления (4,6 атом/ион).

6. Впервые установлено, что ионная имплантация тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка при повышенных плотностях ионного тока (8 и 12 мкА/см ) ведёт к кристаллизации аморфных областей, увеличению размеров нанокристаллитов и изменению параметров решётки нанокристаллитов оксида цинка 7пО до стандартных значений.

7. Впервые получены распределения наночастиц серебра по размерам в тонкой пленке и их зависимость от режимов имплантации ионов серебра.

8. Обнаружена инверсия типа носителей заряда от электронной к дырочной у тонких плёнок оксида цинка, имплантированных минимальной дозой ионов серебра и при минимальной плотности ионного тока. Концентрация дырок составила 2,8-1016 см-3, подвижность - 1,2 см2/В-с.

9. Установлено, что высокодозная имплантация ионов серебра в плёнки оксида цинка приводит к значительному увеличению их удельного сопротивления до значения ~ 10 Ом-см.

Научная и практическая значимость

1. Разработан новый способ формирования тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка, основанный на ионном распылении мишени из цинка в атмосфере кислорода. Плёнки имеют высокий коэффициент пропускания и относительно низкое удельное сопротивление.

2. Определены режимы ионно-лучевого синтеза наночастиц серебра в нанокристаллической матрице оксида цинка и установлены их влияние на распределение наночастиц серебра по размерам, а также параметры поверхностного плазмонного резонансного поглощения.

3. Определены параметры ионной имплантации, позволяющие формировать слои оксида цинка с наночастицами серебра, одновременно проявляющие ППР поглощение и дырочный тип проводимости.

Достоверность полученных результатов

Достоверность полученных результатов обеспечивается корректностью постановки задачи, использованием большого набора современных экспериментальных методов исследования микроструктуры, оптических, электрофизических свойств тонких плёнок, использованием известных положений фундаментальной науки, согласованием теоретических результатов с экспериментальными. Основные результаты неоднократно обсуждались на конференциях и семинарах, а также прошли рецензию в печатных изданиях.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Метод ионно-стимулированного осаждения тонких плёнок, основанный на ионном распылении, позволяет получать тонкие плёнки оксида цинка в нанокристаллическом состоянии с параметрами кристаллической решётки значительно (Да/а0 >> 0,1 %) превышающими стандартные значения а0.

2. Электропроводимость нанокристаллических плёнок оксида цинка в низкотемпературной области осуществляется по механизму прыжковой проводимости по Мотту с переменной длиной прыжка между локализованными состояниями, а в области температур выше 110 К действует активационный механизм проводимости с энергией активации носителей заряда ДЕ ~ 0,01 эВ.

3. Метод ионной имплантации серебра позволяет формировать слои оксида цинка, проявляющие одновременно р-тип проводимости и поверхностное плазмонное резонансное поглощение в видимой области спектра.

4. Ионная имплантация при повышенной плотности ионного тока позволяет восстановить параметры кристаллической решётки оксида цинка до стандартных

значений, но при этом снижается интенсивность поверхностного плазмонного резонансного поглощения.

Личное участие автора

Личный вклад автора состоял в участии в постановке задач и планировании экспериментов, интерпретации результатов и написании статей. Непосредственно автором осуществлена подготовка образцов, выполнена основная часть экспериментальных исследований методами сканирующей электронной микроскопии с микроанализом, просвечивающей электронной микроскопии, оптической фотометрии и рентгеновской дифракции. Автором проведены измерения электрического сопротивления при комнатной температуре как исходных, так и имплантированных серебром тонких плёнок оксида цинка, а также холловские измерения. Автором предложена физическая модель, описывающая однородное увеличение постоянных решётки тонких нанокристаллических плёнок оксида цинка, железа и никеля. Автором сформулирована и обоснована физическая модель поведения температурной зависимости электрического сопротивления в области температур ниже комнатной.

Апробация работы

Основные выводы и результаты работы обсуждались на учёном совете КФТИ

ФИЦ КазНЦ РАН, докладывались на семи Всероссийских и пяти Международных

конференциях: 12-th International Conference "Ion Implantation and other

Applications of Ions and Electrons" ION (Kazimierz Dolny, 2012), Российская

молодёжная конференция по физике и астрономии "ФизикА.СПБ" (Санкт-

Петербург, 2013), V Всероссийская конференция "Физические и физико-

химические основы ионной имплантации" ФФХОИИ-2014 (Нижний Новгород,

2014), XIV Международная конференция "Мёссбауэровская спектроскопия и ее

11

применения" (Казань, 2016), VI Всероссийская конференция "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" ФФХОИИ-2016 (Нижний Новгород, 2016), Итоговая конференция молодых ученых КФТИ КазНЦ РАН (Казань, 2017), IX Всероссийская (с международным участием) научно-техническая конференция с элементами научной школы "Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий" НТП ПНФП-2017 (Казань, 2017), X юбилейная международная научно-техническая конференция "Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий" НТП ПНФП-2018 (Казань, 2018), Academician G.B. Abdullayev Centenary International Conference and School "Modern Trends in Condensed Matter Physics" MTCMP-2018 (Baku, 2018), VII Всероссийская конференция и школа молодых учёных и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" ФФХ0ИИ-2018 (Нижний Новгород, 2018, два доклада), 13-я Международная конференция "Взаимодействие излучений с твёрдым телом" ВИТТ-2019 (Минск, 2019).

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка литературы, содержащего 129 наименований. Работа изложена на 148 страницах, включая 55 рисунков и 16 таблиц.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 22 печатные работы. Из них 9 статей в рецензируемых журналах, 13 тезисов докладов на Всероссийских и Международных научных конференциях.

ГЛАВА 1. Обзор литературы

Глава 1 посвящена обзору литературы, где обсуждаются кристаллическая структура, типы кристаллических структур, параметры решётки, зонная структура, оптические и электрические свойства тонких плёнок и монокристаллов оксида цинка.

1.1 Основные физико-химические свойства и структурные параметры оксида цинка (7пО)

1.1.1 Кристаллическая структура и параметры решётки

В настоящее время, наноструктурированные и нанокомпозитные материалы на основе оксида цинка ZnO имеют большой научный и прикладной интерес. В доказательство этому можно привести временную зависимость числа публикаций за последние 45 лет, где в той или иной степени, основным объектом исследования является оксид цинка ZnO (рисунок 1.1). Из этой зависимости следует, что интерес к этому материалу неуклонно растёт. Стоит добавить, что

Рисунок 1.1 - Временная зависимость количества публикаций по тематике оксида цинка ZnO с 1975 г. по настоящее время, согласно данным "web of science"[23].

оксиду цинка посвящают отдельные научные конференции и рабочие встречи (workshop). К наиболее известной конференции можно отнести, например "ZOTERAC" [22].

Оксид цинка встречается в природе в виде сравнительно редкого минерала цинкита, который имеет гексагональную кристаллическую структуру типа вюртцита (WT) с пространственной группой симметрии P63mc [24]. Плотность материала составляет 5,67 г/см3 [25]. Температура плавления оксида цинка

о

1975 C [26]. Природный цинкит имеет красный либо оранжевый окрас, что обусловлено наличием примеси марганца. По данным рентгеноструктурного анализа гексагональная элементарная ячейка оксида цинка ZnO со структурой вюрцита имеет параметры решётки a = 0,325 нм и c = 0,52066 нм. Комбинация атомов кислорода и цинка, представляет собой элементарную ячейку, в которой атомы цинка находятся в тэтраэдрическом окружении атомов кислорода (рисунок 1.2а). Наиболее распространены кристаллографические ориентации оксида цинка (0001) и (0001) (базисные плоскости), (1010) и (112 0) (призматические плоскости) и (1121) (пирамидальная плоскость). Среди искусственно выращенных монокристаллов, больше всего востребованы ориентации (1120), (0001) и (1102) (рисунок 1.2б).

Тонкие плёнки и монокристаллы оксида цинка ZnO формируются в основном со структурой типа вюртцита. Однако встречаются и другие типы структур, такие как хлорид натрия NaCl и цинковая обманка (ZnS - cфалерит, ZB-zinc blende). Структура типа вюртцита является наиболее стабильной, в отличие от структуры хлорида натрия NaCl и сфалерита ZnS. Значения постоянной решётки a и c для оксида цинка ZnO со структурой вюрцита, полученные различными экспериментальными измерениями и теоретическими расчётами, хорошо согласуются между собой. Параметр решётки a принимает значения в диапазоне от 0,32475 нм до 0,32501 нм, а параметр c в диапазоне от 0,52042 нм до 0,52501 нм. В идеальном монокристалле оксида цинка ZnO со структурой

вюрцита, соотношение c/a и параметр и, определяются как uc/a = ^3/8, где

с/а = ^8/3, а и = 3/8 (и - мера величины, на которую каждый атом смещается относительно следующего вдоль оси с). Для оксида цинка ZnO со структурой вюрцита реальные значения и и с/а были определены экспериментально и составили и = 0,3817-0,3856 и с/а = 1,593-1,6035 [27, 28, 29]. Если эти значения изменяются, то происходит отклонение структуры оксида цинка от структуры правильного оксида цинка ZnO со структурой вюрцита. Отклонение от идеальной кристаллической структуры вюртцита происходит таким образом, что тетраэдрические расстояния (параметр решётки а) в решётке остаются примерно одинаковыми.

а) б^

Рисунок 1.2 - а) Элементарная ячейка (жирная линия) кристаллической решётки вюртцита внутри гексагональной призмы, и б) Схематическое изображение плоскостей с различными кристаллографическими ориентациями в гексагональном монокристалле [2].

1.1.2 Зонная структура

На рисунке 1.3 показана теоретически рассчитанная зонная структура оксида цинка ZnO. Из рисунка видно, что оксид цинка ZnO со структурой вюрцита является прямозонным полупроводником, поскольку максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости находятся в точке Г при к = 0. Дно валентной зоны, - -20 эВ, заканчивается кислородным 2s подобным состоянием. Эти линии энергий не представлены на рисунке, поскольку они не вносят существенного вклада в плотность состояний. Далее, около десяти широких и

близкорасположенных зон энергий в диапазоне от - -8 до -9 эВ соответствуют 3d уровням цинка. Следующие шесть валентных зон (-5-0 эВ) соответствуют 2р орбиталям кислорода. Экспериментально установлено, что валентная зона расщепляется на три энергетических состояния А, В и С благодаря спин-орбитальному взаимодействию (рисунок 1.3б). Подзоны А и С, обладают симметрией Г7, а средняя (В) имеет симметрию Г9. Первые два состояния зоны проводимости сильно локализованы на Zn и соответствуют пустым уровням Zn 3s. Ширина запрещённой зоны согласно этим расчётам составляет - 3,77 эВ, что находится в неплохом соответствии с экспериментальными данными [30].

а) б)

Рисунок 1.3 - а) Зонная структура оксида цинка ZnO со структурой вюрцита [30], б) расщепление валентной зоны благодаря спин-орбитальному взаимодействию.

1.1.3 Электрофизические свойства

Электрофизические свойства не легированного (чистого) оксида цинка ZnO

со структурой вюртцита варьируются в зависимости от способов получения и

условий синтеза. Поэтому говорить об эталонных значениях проводимости,

подвижности и концентрации носителей заряда нельзя. В связи с этим далее будут

приведены наиболее высокие значения этих параметров. По своей природе оксид

16

цинка обладает проводимостью п-тиш, которая обусловлена наличием собственных точечных дефектов донорного типа, к которым относят кислородные вакансии, междоузельный цинк, междоузельный кислород и антиструктурные дефекты цинк-кислород /п-О. В настоящее время достигнута проводимость п-типа - 3,7-104 Ом-1 см- . Такие большие значения проводимости наблюдаются в поликристаллических плёнках оксида цинка /пО с большим количеством дефектов донорного типа [31].

По данным различных источников максимальная концентрации носителей

20 3 16 3

заряда п-тиш составляет -10 см- [32], а в среднем составляет - 10 см- . Концентрация носителей заряда р-типа достигает значения 1019 см-3 [33]. Такое высокое значение концентрации носителей заряда р-типа для 7пО экспериментально проверено и подтверждается многими сообщениями, о которых пойдёт речь в разделе 1.3. Установлено, что эффективная масса электронов проводимости в оксиде цинка /по тп = 0,24т0, а эффективная масса дырки тр = 0,59т0.

К следующему важнейшему электрофизическому параметру можно отнести

подвижность носителей заряда. При комнатной температуре подвижность

2 -1 -1

носителей заряда п-тиш может достигать значения 200 см •В- •с- , а для носителей

2 -1 -1

р-типа 5-50 см •В •с [34]. Подвижность л связана с временем релаксации носителей заряда следующим выражением:

"=7г> (1Л)

тп

где тп - эффективная масса электрона, q - заряд электрона, и (т) - усреднённое по энергетическому распределению электронов время релаксации. Полное время релаксации тт, с учётом различных механизмов рассеяния, определяется правилом Маттиссена:

Г^р (1.2)

ТТ Т1

где I представляет собой каждый механизм рассеяния электрона, независимо от другого.

Большой набор экспериментальных данных относительно электрофизических параметров окисда цинка 7пО можно разделить на две группы по "качеству" образцов: монокристаллические и поликристаллические образцы. В [3] представлены сводные данные электрофизических параметров монокристаллических и поликристаллических образцов оксида цинка 7пО со структурой вюрцита, синтезированных различными методами. Наибольшее значение проводимости п-тиш соответствует поликристаллическим тонкоплёночным образцам. Это в очередной раз доказывает дефектную природу проводимости в 7пО п-тиш. Из этого вывода также следует, что для получения проводимости р-типа необходимо синтезировать образцы оксида цинка с очень малой долей собственных дефектов. Это объясняется тем, что при легировании акцепторной примесью, большая часть легирующей примеси уходит на компенсацию доноров, и эффективность акцепторного легирования существенно снижается.

1.1.4 Оптические свойства

Оксид цинка - прямозонный полупроводник с шириной запрещённой зоны - 3,3 эВ и высокой энергией связи экситонного состояния - 60 мэВ. Экситоны разделяют на свободные и связанные. В оксиде цинка 7пО вблизи максимума валентной зоны имеются три уровня А, В и С, расщепление на которые происходит благодаря спин-орбитальному взаимодействию (рисунок 1.3) [35]. Свободные экситоны возникают вследствие переходов электронов из этих трёх энергетических состояний в валентной зоне в зону проводимости. Такие переходы можно наблюдать как в спектрах оптического поглощения в области края фундаментального поглощения, так и в спектрах фотолюминесценции (рисунок 1.4).

Связанные экситоны обусловлены наличием примеси и дефектов структуры, которые создают дискретные электронные состояния в запрещённой зоне

(рисунок 1.4). Электронные состояния связанных экситонов сильно зависят от зонной структуры полупроводника. Донорно- и акцепторно- связанные экситоны являются наиболее важными для прямозонных полупроводников.

Одной из особенностей оптических свойств оксида цинка ZnO, связанной с дефектами, является наличие широкого пика фотолюминесценции в интервале энергий от - 1,9 до - 2,8 эВ. Не совсем ясна природа центров, ответственных за зелёную полосу фотолюминесценции (Я = 500-540 нм). В некоторых работах её относят к однократно заряженным кислородным вакансиям, по аналогии с F+ -центрами щелочно-галоидных кристаллов, образованных щелочным металлом и галоидом [36]. В других работах её объясняют неконтролируемой примесью меди (см. например [37]), которая всегда присутствует в оксиде цинка ZnO в небольшом количестве.

г t г » , » г I » т 1 . . т т . . > 1 1 т » . Г| . • I I | • » » • I I • ■ I I . • . i | » » i I I • » » « 1 . I » » I « » I ■ I

I I I I . I . | . I I I ... I | ... 1.......... . . . * I . . I . \ I . . . t I . . , 1 . . . . 1 . . . . I

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4

Energy (eV)

Рисунок 1.4 - Спектр фотолюминесценции оксида цинка ZnO с проводимостью n-типа,

полученный при температуре 4,2 K [35].

Основным инструментом для исследования таких фундаментальных оптических характеристик оксида цинка ZnO, как показатель преломления n и диэлектрическая проницаемость е, является высокочувствительный поляризационно-оптический метод спектроскопической эллипсометрии (СЭ).

В работе [38] авторы исследовали оптические константы оксида цинка ZnO методом СЭ в диапазоне 1,5-5 эВ при комнатной температуре. Измерения проводились на монокристаллическом образце, поверхность которого параллельна оси с, что позволило определить оптические константы для света, поляризованного перпендикулярно (Е±с) и параллельно оси с (Ецс). Значения диэлектрических констант е0 и для Е±с и Ецс представлены в таблице 1.3, где е0 и - статическая и высокочастотная диэлектрическая проницаемость.

Таблица 1.3 - Статическая (е0) и высокочастотная (еда) диэлектрическая проницаемость плёнки и монокристаллов оксида цинка ZnO для Е±с и Ецс.

Плёнка [39] Монокристалл [39] Монокристалл [38]

~ ~с 7,46 7,77

Ецс 8,59 8,91

Е±с 3,7 3,6 3,68

Ецс 3,78 3,66 3,72

На рисунке 1.5 представлена зависимость показателя преломления в широкой спектральной области (1-3,5 эВ) для Е±с и Ецс в т.ч., в области края фундаментального поглощения [38].

Рисунок 1.5 - Показатель преломления оксида цинка ZnO в области края поглощения для а) Е±с и б) Ецс. Точками показаны данные СЭ, а сплошной линией представлены

рассчитанные данные [38].

1.2 Методы формирования тонких плёнок оксида цинка ZnO

Для получения тонких плёнок оксида цинка используются большое разнообразие традиционных методов осаждения. Это химические методы, к которым относятся осаждение из паровой фазы (общепринятая аббревиатура CVD - chemical vapour deposition), пиролитическое распыление и золь-гель метод. К ионно-плазменным методам относят магнетронное и ионно-лучевое осаждение. Импульсное лазерное осаждение (общепринятая аббревиатура PLD - pulsed laser deposition) и молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) также являются широко используемыми методами для получения плёнок оксида цинка ZnO. В данном разделе диссертации будут обсуждаться только ионно-плазменные методы синтеза, поскольку они наиболее близки к теме диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лядов Николай Михайлович, 2022 год

Список литературы

1. Jagadish, C. Zinc Oxide - Bulk, Thin Films and Nanostructures - Processing, Properties and Applications / C. Jagadish, S. Pearton. - Amsterdam: Elsevier Science, 2006. - 600 p.

2. Ellmer, K. Transparent Conductive Zinc Oxide. Basics and Applications in Thin Film Solar Cells. Springer Series in Materials Science / K. Ellmer, A. Klein, B. Rech. - Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 2008. - 446 p.

3. Ozgur, U. A comprehensive review of ZnO materials and devices / U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol. 98. - P. 041301 (103 pages).

4. Ueda, K. Magnetic and electrical properties of transition-metal-doped ZnO films / K. Ueda, H. Tabata, T. Kawai // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 79, No 7. - P. 988-990.

5. Kolodziejczak-Radzimska, A. Zinc Oxide - From Synthesis to Application: A Review / A. Kolodziejczak-Radzimska, T. Jesionowski // Materials. - 2014. - Vol. 7. - P. 2833-2881.

6. Ryu, Y.R. Synthesis of p-type ZnO films / Y.R. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, H.W. White // J. Cryst. Growth. - 2000. - Vol. 216. - P. 330334.

7. Kaminska, E. p-type conducting ZnO: fabrication and characterization / E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Kossut, R. Butkute, W. Dobrowolski, R. Lukasiewicz, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, E. Przezdziecka, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, and E. Kowalczyk // phys. stat. sol. (c). - 2005. - Vol. 2, No 3. - P. 1119-1124.

8. Xu, Y. Influence of Ag-S codoping on silver chemical states and stable p-type conduction behavior of the ZnO films / Y. Xu, T. Yang, B. Yao, Y.F. Li, Z.H. Ding, J.C. Li, H.Z. Wang, Z.Z. Zhang, L.G. Zhang, H.F. Zhao, D.Z. Shen // Ceram. Int. - 2014. - Vol. 40. - P. 2161-2167.

9. Wang, G. Synthesis and characterization of Ag-doped p-type ZnO nanowires / G. Wang, Sh. Chu, N. Zhan^H. Zhou, J. Liu // Appl. Phys. A. - 2011. - Vol. 103. - P. 951-954.

10. Azarov, A. Silver migration and trapping in ion implanted ZnO single crystals / A. Azarov, L. Vines, P. Rauwel, E. Monakhov, B. G. Svensson // J. Appl. Phys. -2016. - Vol. 119. - P. 185705 (5 pages).

11. Wonbae, K. Structural and Luminescence Features of Lithium-Doped p-Type Film-Like ZnO Nanorods / K. Wonbae, L. Sanghyo, P.H. Jin // J. Nanosci. Nanotechnol. - 2015. - Vol. 15, No 11. - P. 8679-8683.

12. Koleva, M.E. Modification of plasmon resonance properties of noble metal nanoparticles inside the glass matrices / M.E. Koleva, N.N. Nedyalkov, D. Karashanova, G.B. Atanasova, A.L. Stepanov // Appl. Surf. Sci. - 2019. - Vol. 475. - P. 974-981.

13. Synthesis and characterization of surface embedded silver nanoparticles in ZnO matrix // 20th International Conference and School on Quantum Electronics: Laser Physics and Applications. - Edited by Dreischuh T.N., Avramov L.A.. Proceedings of the SPIE, Vol. 11047 (2019), P. 110470I.

14. Kavetskyy, T.S. Optical Properties of the Synthesized ZnO with Ion Implanted Silver Nanoparticles / T.S. Kavetskyy, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, Yu.N. Osin, and

A.L. Stepanov // Tech. Phys. Lett. - 2015. - Vol. 41, No 6. - P. 537-539.

15. Лядов, Н.М. Исследование оптических свойств ZnO и Al2O3, имплантированных ионами серебра / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев,

B.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов // ЖТФ. - 2014. - Т. 84, № 5. - С. 62-65.

16. Набиев, И.Р. Гигантское комбинационное рассеяние и его применение к изучению биологических молекул / И.Р. Набиев, Р.Г. Ефремов, Г.Д. Чуманов // УФН. - 1988. - Т. 154, № 3. - С. 459-496.

17. Klingshirn, C.F. Zinc Oxide. From Fundamental Properties to wards Novel Applications / С. F. Klingshirn, B. K. Meyer, A. Waag, A. Hoffman, J. Geurts. -N.Y.: Springer. - 2010. - 359 p.

18. Arnold, G.W. Near-surface nucleation and crystallization of an ion-implanted lithia-alumina-silica glass / G.W. Arnold // J. Appl. Phys. - 1975. - Vol. 46. - P. 4466-4473.

19. Arnold, G.W. Aggregation and migration of ion-implanted silver in lithia-alumina-silica glass / G. W. Arnold, J. A. Borders // J. Appl. Phys. - 1977. - Vol. 48, No 4. - P. 1488-1496.

20. Bernas, H. Materials Science with Ion Beams / H. Bernas. - Berlin: SpringerVerlag, - 2010. - 376 p.

21. Риссел, Х. Ионная имплантация / Х. Риссел, И. Руге. - М.: Наука, -1983. -386 с.

22. URL: http://www.zoterac.eu/ , 2016 (дата обращения: 04.06.2020).

23. URL: https://www.webofscience.com/wos/woscc/basic-search (дата обращения: 05.06.2020).

24. Wyckoff, R.W.G. Crystal structures / R.W.G. Wyckoff. - New York: Interscience Publishers, 1963. - Vol.1. - 467 p.

25. Khan, A.A. X-ray determination of thermal expansion of zinc oxide / A.A. Khan // Acta Cryst. - 1968. - Vol. A24. - P. 403.

26. Pearton, S.J. Recent progress in processing and properties of ZnO / S.J. Pearton, D.P. Norton, K. Ip, Y.W. Heoa, T. Steiner // Prog. Mater. Sci. - 2005. - Vol. 50. -P. 293-340.

27. Kisi, E.H. u Parameters for the Wurtzite Structure of ZnS and ZnO using Powder Neutron Diffraction / E.H. Kisi, M.M. Elcombe // Acta Cryst. - 1989. - Vol. C45. - P. 1867-1870.

28. Jaffe, J.E. Hartree-Fock study of phase changes in ZnO at high pressure / J.E. Jaffe, A.C. Hess // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 48, No 11. - P. 7903-7909.

29. Gerward, L. The High-Pressure Phase of Zincite / L. Gerward, J. Staun Olsen // J. Synchrotron Rad. - 1995. - Vol. 2. - P. 233-235.

30. Vogel, D. Ab initio electronic-structure calculations for II-VI semiconductors using self-interaction-corrected pseudopotentials / D. Vogel, P. Kriiger, J. Pollmann // Phys. Rev. B. - 1995. - Vol. 52, No 20. - P. R14316-R14319.

132

31. Lyadov, N.M. Optical and electrical studies of ZnO thin films heavily implanted with silver ions / N.M. Lyadov, A.I. Gumarov, V.F. Valeev, V.I. Nuzhdin, R.I. Khaibullin, I.A. Faizrakhmanov // J. Phys.: Conf. Ser. - 2014. - Vol. 572. - P. 012002 (5 pages).

32. Li. X, Hydrogen passivation effect in nitrogen-doped ZnO thin films / X. Li, B. Keyes, S. Asher, S.B. Zhang, S-H. Wei // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 86. - P. 122107 (3 pages).

33. Joseph, M. p-Type Electrical Conduction in ZnO Thin Films by Ga and N Codoping / M. Joseph, H. tabata, T. kawai // Jpn. J. Appl. Phys. - 1999. - Vol. 38, Pt. 2, No 11A. - P. L1205-L1207.

34. Lin, C-C. Properties of nitrogen-implanted p-type ZnO films grown on Si3N4/Si by radio-frequency magnetron sputtering / C-C. Lin, S-Y. Chen, S.-Y. Cheng, H-Y. Lee // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84, No 24. - P. 5040-5042.

35. Meyer, B.K. Bound exciton and donor-acceptor pair recombinations in ZnO / B.K. Meyer, H. Alves, D.M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A.V. Rodina // phys. stat. sol. (b). - 2004. - Vol. 241, No 2. - P. 231-260.

36. Аливов, Я.И. Зелёная полоса люминесценции плёнок оксида цинка, легированных медью в процессе термической диффузии / Я.И. Аливов, М.В. Чукичев, В.А. Никитенко // ФТП. - 2004. - Т. 38, вып. 1. - С. 34-38.

37. Garces, N.Y. Role of copper in the green luminescence from ZnO crystals / N.Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N.C. Giles, L.E. Halliburton, G. Cantwell // Appl. Phys. Lett. - 2002. - Vol. 81, No 4. - P. 622-624.

38. Yoshikawa, H. Optical Constants of ZnO / H. Yoshikawa, S. Adachi // Jpn. J. Appl. Phys. - 1997. - Vol. 36. - P. 6237-6243.

39. Ashkenov, N. Infrared dielectric functions and phonon modes of high-quality ZnO films / N. Ashkenov, B.M. Mbenkum, C. Bundesmann, V. Riede, M. Lorenz, D. Spemann, E.M. Kaidashev, A. Kasic, M. Schubert, M. Grundmann, G. Wanger, H. Neumann, V. Darakchieva, H. Arwin, B. Monemar // J. Appl. Phys. - 2003. - Vol. 93. - P. 126-133.

40. Duan, X. High optoelectronic performance of magnetron sputtered ZnO thin films co-doped with F and Ga: Experiment and first-principles calculations / X. Duan, J. Song, W. Qu, H. Wu, J. Xue, B. Han, X. Meng, F. Yang, Q. Song, Y. Wang // Mater. Res. Bull. - 2021. - Vol. 138. - P. 111240 (9 pages).

41. Kostishin, V.G. Structural Features of Textured Zinc-Oxide Films Obtained by the Ion-Beam Sputtering Method / V.G. Kostishin, A.Yu. Mironovich, A.V. Timofeev, I.M. Isaev, R.I. Shakirzyanov, A.I. Ril, A.A. Sergienko // Semiconductors. -2021. - Vol. 55, No 3. - P. 308-314.

42. Fan, R. ZnO films deposited on various diamond film substrates with different surface roughness / R. Fan, L. Wang, J. Huang, K. Tang, J. Zhang, W. Shi, Y. Xia // Adv. Mater. Res. - 2011. - Vol. 287-290. - P. 2347-2350.

43. Tang, K. Growth and application of high quality ZnO films grown on diamond Substrates / K. Tang, L. Wang, J. Huang, J. Zhang, W. Shi, Y. Xia // Adv. Mater. Res. - 2011. - Vol. 295-297. - P. 2011-2014.

44. Yang, W. Comparative Study of ZnO Thin Films Grown on Quartz Glass and Sapphire (001) Substrates by Means of Magnetron Sputtering and High-Temperature Annealing / W. Yang, F. Wang, Z. Guan, P. He, Z. Liu, L. Hu, M. Chen, C. Zhang, X. He, Y. Fu // Appl. Sci. - 2019. - Vol. 9. - P. 4509 (12 pages).

45. Yuan, X. Interface structures of inclined ZnO thin film on (011)-MgO substrate with bulk-like optical properties / X. Yuan, H. Zhou, H-Q. Wang, X-D Wang, W. Geng, H. Zhan, K. Kisslinger, L. Zhang, M. Xu, Q. Y. Chen, J. Kang // Appl. Surf. Sci. - 2020. - Vol. 509. - P. 144781 (7 pages).

46. Chawich, J. Deposition and characterization of ZnO thin films on GaAs and Pt/GaAs substrates / J. Chawich, S. Kuprenaite, S. Margueron, P. Boulet, J.J. Dubowski, C. Elie-Caille, T. Leblois // Mater. Chem. Phys. - 2020. - Vol. 247. -P. 122854 (11 pages).

47. Melnichuk, O. Optical, structural and electrical characterization of pure ZnO films grown on p-type Si substrates by radiofrequency magnetron sputtering in different atmospheres / O. Melnichuk, L. Melnichuk, Ye. Venger, C. Guillaume, M-P.

Chauvat, X. Portier, I. Markevich, N. Korsunska, L. Khomenkova // Semicond. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 35. - P. 095034 (13 pages).

48. Jeong, S. Photoluminescence dependence of ZnO films grown on Si 100 by radio-frequency magnetron sputtering on the growth ambient / S. Jeong, B. Kim, B. Lee // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 82, No 16. - P. 2625-2627.

49. Chen, S.J. Effects of thermal treatment on the properties of ZnO films deposited on MgO-buffered Si substrates / S.J. Chen, Y.C. Liu, J.G. Ma, Y.M. Lu, J.Y. Zhang, D.Z. Shen, X.W. Fan // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 254. - P. 86-91.

50. Nandi, R. Vertically aligned ZnO nanorods of high crystalline and optical quality grown by dc reactive sputtering / R. Nandi, Shravan K. Appani, S.S. Major // Mater. Res. Express. - 2016. - Vol. 3. - P. 095009 (10 pages).

51. Shen, J. Low-Temperature Preparation of Undoped ZnO Films with High Transparency and Conductivity by Ion Beam Deposition / J. Shen, S. Yeh, H. huang, D. Gan, N. Ho // J. Electron. Mater. - 2010. - Vol. 39, No 5. - P. 612-618.

52. Hirvonen, J.K. Ion Beam Assisted Thin Film Deposition. Materials and Processes for Surface and Interface Engineering. NATO ASI Series (Series E: Applied Sciences) / J.K. Hirvonen. - Dordrecht: Springer, - Vol. 290. - P. 215-274.

53. Köhl, D. Highly textured zinc oxide films by room temperature ion beam assisted deposition / D. Köhl, M. Luysberg, M. Wuttig // Phys. Status Solidi RRL. -2009. - Vol. 3, No 7 - 8. - P. 236-238.

54. Gu, Q.L. Deep level defects in a nitrogen-implanted ZnO homogeneous p-n junction / Q.L. Gu, C.C. Ling, G. Brauer, W. Anwand, W. Skorupa, Y.F. Hsu, A.B. Djurisi, C.Y. Zhu, S. Fung, L.W. Lu // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 92. -P. 222109 (3 pages).

55. Lee, W. Defect properties and p-type doping efficiency in phosphorus-doped ZnO / Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 73. - P. 024117 (6 pages).

56. Fan, J.C. p-Type ZnO materials: Theory, growth, properties and devices / J.C. Fan, K.M. Sreekanth, Z. Xie, S.L. Chang, K.V. Rao // Prog. Mater. Sci. - 2013. - Vol. 58. - P. 874-985.

57. Ziegler, J.F. The stopping and range of ions in solids / J.F. Ziegler, J.P. Biersak, U. Littmark. - New york: Pergamon, 1996. - 192 p.

58. Lin, B. Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates / B. Lin, Z. Fu, Y. Jia // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 79, No 7. - P. 943-945.

59. Kohan, A.F. First-principles study of native point defects in ZnO / A.F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, C. G. Van de Walle // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61, No 22. - P. 15019-15027.

60. Morko?, H. Zinc Oxide Fundamentals, Materials and Device Technology / H. Morko?, Ü. Özgür. - Weinheim: Wiley-VCH, 2009. - 488 p.

61. Singh, A. Synthesis of p-n junctions in ZnO nanorods by O+ ion implantation / A. Singh, K. Senapati, D.P. Datta, R. Singh, T. Som, S. Bhunia, D. Kanjilal, P. K. Sahoo // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. - 2017. - Vol. 409. - P. 143-146.

62. Chen, Z.Q. Production and recovery of defects in phosphorus-implanted ZnO / Z.Q. Chen, A. Kawasuso, Y. Xu, H. Naramoto, X.L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, T. Ohdaira // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol. 97. - P. 013528 (6 pages).

63. Vaithianathan, V. Photoluminescence in phosphorous-implanted ZnO films / V. Vaithianathan, S. Hishita, J.Y. Park, S.S. Kima // J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 102. - P. 086107 (3 pages).

64. Xue, Y.H. Electrical and optical properties of ZnO films sequentially implanted with P ions // Y.H. Xue, X.D. Zhang, Y.Y. Shen, D.C. Zhang, F. Zhu, L.H. Zhang, C.L. Liu // Semicond. Sci. Technol. - 2011. - Vol. 26. - P. 125016 (5 pages).

65. Heo, Y.W. Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films / Y.W. Heo, S.J. Park, K. Ip, S.J. Pearton, D.P. Norton // Appl. Phys. Lett. - 2003. - Vol. 83, No 6. - P. 1128-1130.

66. Kim, H.S. Behavior of rapid thermal annealed ZnO:P films grown by pulsed laser deposition / H.S. Kim, S.J. Pearton, D.P. Norton // J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 102. - P. 104904 (8 pages).

67. Allenic, A. Amphoteric Phosphorus Doping for Stable p-Type ZnO / A. Allenic, W. Guo, Y. Chen, M.B. Katz, G. Zhao, Y. Che, Z. Hu, B. Liu, S.B. Zhang, X. Pan // Adv. Mater. - 2007. - Vol. 19. - P. 3333-3337.

68. Yan, Y. Doping asymmetry in wide-bandgap semiconductors: Origins and solutions / Y. Yan, S. Wei // phys. stat. sol. b. - 2008. - Vol. 245, No 4. - P. 641652.

69. Duan, L. Influence of post-annealing conditions on properties of ZnO:Ag films / L. Duan, W. Gao, R. Chen, Zh. Fu // Solid State Commun. - 2008. - Vol. 145. - P. 479-481.

70. Duan, L. ZnO:Ag film growth on Si substrate with ZnO buffer layer by rf sputtering / L. Duan, X. Yu, L. Ni, Z. Wang // Appl. Surf. Sci. - 2011. - Vol. 257. - P. 3463-3467.

71. Kang, H.S. Structural, electrical, and optical properties of p-type ZnO thin films with Ag dopant / H.S. Kang, B.D. Ahn, J.H. Kim, G.H. Kim, S.H. Lim, H.W. Chang, S.Y. Lee // J. Appl. Phys. - 2006. - Vol. 88. - P. 202108 (3 pages).

72. Kim, I.S. Investigation of p-type behavior in Ag-doped ZnO thin films by E-beam evaporation / I.S. Kim, E. Jeong, D.Y. Kim, M. Kumar, S. Choi // Appl. Surf. Sci. - 2009. - Vol. 255. - P. 4011-4014.

73. Reynolds, J.G. Progress in ZnO Acceptor Doping: What Is the Best Strategy? / J.G. Reynolds, C.L. Reynolds // Adv. Condens. Matter Phys. - 2014. -Vol. 2014. - P. 457058 (15 pages).

74. Shalaev, V.M. Electromagnetic properties of small-particle composites / V.M. Shalaev // Phys. Rep. - 1996. - Vol. 272. - P. 61-137.

75. Wu, Y. Silver Nanoparticles Enhanced Upconversion Luminescence in Er3+/Yb3+ Codoped Bismuth-Germanate Glasses / Y. Wu, X. Shen, S. Dai, Y. Xu, F. Chen, C. Lin, T. Xu, Q. Nie // J. Phys. Chem. C. - 2011. - Vol. 115. - P. 25040-25045.

76. Rajaramakrishna, R. Nonlinear optical studies of lead lanthanum borate glass doped with Au nanoparticles / R. Rajaramakrishna, S. Karuthedath, R.V. Anavekar, H. Jain // J. Non-Cryst. Solids. - 2012. - Vol. 358. - P. 1667-1672.

77. Singla, S. Influence of the size of gold nanoparticles dispersed in glass matrix on optical properties / S. Singla, V.G. Achanta, O.P. Pandey, G. Sharma // Ceram. Int. - 2020. - Vol. 46. - P. 9907-9912.

78. Набиев, И.Р. Гигантское комбинационное рассеяние и его применение к изучению биологических молекул / И.Р. Набиев, Р.Г. Ефремов, Г.Д. Чуманов // УФН. - 1988. - Т. 154, вып. 3. - С. 459-492.

79. Klingshirn, C.F. Zinc Oxide. From Fundamental Properties Towards Novel Applications. Springer Series in materials science / C.F. Klingshirn, B.K. Meyer, A. Waag, A. Hoffmann, J. Geurts. - Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 2010. -Vol.120. - 300 p.

80. De Angelis, F. Breaking the diffusion limit with super-hydrophobic delivery of molecules to plasmonic nanofocusing SERS structures / F. De Angelis, F. Gentile,

F. Mecarini, G. Das, M. Moretti, P. Candeloro, M. L. Coluccio, G. Cojoc, A. Accardo, C. Liberale, R. P. Zaccaria, G. Perozziello, L. Tirinato, A. Toma, G. Cuda, R. Cingolani, E. Di Fabrizio // Nat. Photonics. - 2011. - Vol. 5. - P. 682687.

81. Gérard, D. Nanoaperture-enhanced fluorescence: Towards higher detection rates with plasmonic metals / D. Gérard, J. Wenger, N. Bonod, E. Popov, H. Rigneault // Phys. Rev. B. - 2008. - Vol. 77. - P. 045413 (8 pages).

82. Willets, K.A. Localized Surface Plasmon Resonance Spectroscopy and Sensing / K.A. Willets, R.P. Van Duyne // Annu. Rev. Phys. Chem. - 2007. - Vol. 58. - P. 267-297.

83. Kreibig, U. Optical properties of metal clusters / U. Kreibig, M. Vollmer. - Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 1995. - Vol.25. - 535 p.

84. Mie, G. Beiträge zur Optik trüber Medien, speziell kolloidaler Metallösungen /

G. Mie // Ann. Phys. - 1908. - Vol. 25. - P. 377-445.

85. Garnett, J. C. M. Colours in metal glasses and in metallic films / Garnett J. C. M // Phylos. Trans. R. Soc. London. Ser. A. - 1904. - V. 203. - P. 385-420.

86. Климов, В.В. Наноплазмоника / В.В. Климов. - М.: Физматлит, 2009. - 480 с.

87. Петров, Ю.И. Кластеры и малые частицы / Ю.И. Петров. - М.: Наука, 1986. -368 с.

88. Huo, C. Tunable photoluminescence effect from ZnO films of Ag-decorated localized surface plasmon resonance by varying positions of Ag nanoparticles /

C. Huo, H. Jiang, Y. Lu, S. Han, F. Jia, Y. Zeng, P. Cao, W. Liu, W. Xu, X. Liu,

D. Zhu // Mater. Res. Bull. - 2019. - Vol. 111. - P. 17-23.

89. Lee, K. Size effect of Ag nanoparticles on surface plasmon resonance / K.C. Lee, S. Lin, C. Lin, C. Tsai, Y. Lu // Surf. Coat. Technol. - 2008. - Vol. 202. - P. 53395342.

90. Lim, S.K. Surface-plasmon resonance of Ag nanoparticles in polyimide / S. K. Lim, K.J. Chung, C.K. Kim, D.W. Shin, Y. Kim, C.S. Yoona // J. Appl. Phys. -2005. - Vol. 98. - P. 084309 (4 pages).

91. Wang, Y. Structural and Optical Characteristics of Ag Nanoparticles Embedded in Homoepitaxial SrTiO3 Thin Films / Y. Wang, W. Huang, J.Y. Dai // Integrated Ferroelectrics. - 2013. - Vol. 142, No 1. - P. 96-102.

92. Yoshino, T. Preparation of ZnO/Au Nanocomposite Thin Films by Electrodeposition / T. Yoshino, S. Takanezawa, T. Ohmori, H. Masuda // Jpn. J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 35, Pt 2, No11B. - P. L1512-L1514.

93. Степанов, А.Л. Применение ионной имплантации для синтеза наночастиц меди в оксиде цинка с целью создания новых нелинейно-оптических материалов / А.Л. Степанов, Р.И. Хайбуллин, Н. Кан, Р.А. Ганеев, А.И. Ряснянский, К. Бухал, С. Уюсал // ПЖТФ. - 2004. - Т. 30, № 20. - С. 8-16.

94. Vazques-cuchillo, O. Study of the optical absorption of Cu clusters in the Cu/ZnO system / O. Vazques-cuchillo, A. Bautista-hernandez, U. Pal, L. Meza-Montes // Mod. Phys. Lett. B. - 2001. - Vol. 15, No 17-19. - P. 625-629.

95. Kono, K. Modification in optical properties of negative Cu ion implanted ZnO / K. Kono, S.K. Arora, N. Kishimoto // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. -2003. - Vol. 206. - P. 291-294.

96. Петухов, В.Ю. Радиационная физика твёрдого тела. Лабораторный практикум по ионно-лучевому синтезу: Учебно-методическое пособие /

139

B.Ю. Петухов, М.И. Ибрагимова, И.А. Файзрахманов, Г.Г. Гумаров. -Казань: КГУ, 1998. - 108 с.

97. Kaufman, H.R. Broad-beam ion source technology and applications / H.R. Kaufman, R.S. Robinson // Vacuum. - 1989. - Vol. 39, No 11/12. - P. 11751180.

98. Раков, А.В. Спектрометрия тонкоплёночных полупроводниковых структур / А.В. Раков. - М.: Советское радио, 1975. - 176 с.

99. Метфессель, С. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение /

C. Метфессель. - М.: Госэнергоиздат, 1963. - 405 с.

100. Marton, J.P. Optical constant of thin discontinuous nickel films / J.P. Marton, M. Schlesinger // J. Appl. Phys. - 1969. - Vol. 40. - P. 4529-4533.

101. URL: https: //www. gel. usherbrooke. ca/casino/index.html (дата обращения: 08.21.2020).

102. Миркин, Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л.И. Миркин. - М.: Физматгиз, 1961. - 863 с.

103. Deng, R. Thermal conductivity in Bi05Sb15Te3+x and the role of dense dislocation arrays at grain boundaries / R. Deng, X. Su, Z. Zheng, W. Liu, Y. Yan, Q. Zhang, V. P. Dravid, C. Uher, M. G. Kanatzidis, X. Tang // Sci. Adv. - 2018. - Vol. 4. -P. eaar5606 (8 pages).

104. Zhao, Y. Effect of strain on the structural and optical properties of Cu-N co-doped ZnO thin films / Y. Zhao, M. Zhou, Z. Li, Z. Lv, X. Liang, J. Min, L. Wang, W. Shi // J. Lumin. - 2011. - Vol. 131. - P. 1900-1903.

105. Santhosh, B. Effect of stress, strain and optical properties in vacuum and normal annealed ZnO thin films using RF magnetron sputtering / B. Santhosh Kumar, K. Purvaja, N. Harinee, C. Venkateswaran // AIP Conf. Proc. - 2018. - Vol. 1953. -P. 10056 (5 pages).

106. Храмов, А.С. Рентгеноструктурный анализ поликристаллов. Часть II. (Элементы теории, руководство и задания к лабораторным работам): Учебно-методическое пособие / А.С. Храмов. - Казань: К(П)ФУ, 2013. - 36 с.

107. Nolze, G. Powdercell 2.0 for Windows / G. Nolze, W. Kraus // Powder Diffr. -

1998. - Vol. 13. - P. 256-259.

108. Lutterotti, L. MAUD: A friendly Java program for material analysis using diffraction / L. Lutterotti, S. Matthies, H.R. Wenk // Newsletter of the CPD. -

1999. - Vol. 21. - P. 14-15.

109. Чичерская, А.Л. Скорость распыления металлов в тлеющем разряде постоянного тока, используемом в атомно-эмиссионной спектрометрии / А.Л. Чичерская, А.А. Пупышев // Аналитика и контроль. - 2015. - Т. 19, № 3. - С. 230-241.

110. Lyadov, N.M. Deposition rate effect on microstructure and perpendicular magnetic anisotropy of iron films prepared by ion-beam-assisted deposition / N.M. Lyadov, F.G. Vagizov, I.R. Vakhitov, A.I. Gumarov, S.Z. Ibragimov, D.M. Kuzina, I.A. Faizrakhmanov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov // Vacuum. - 2019. - Vol. 168. - P. 108860 (8 pages).

111. Лядов, Н.М. Особенности структуры нанокристаллических плёнок никеля, сформированных методом ионного распыления / Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, Ш.З. Ибрагимов, Д.М. Кузина, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов // ФТТ. - 2021. - Т. 63, № 10. -С. 1687-1693.

112. Lyadov, N.M. Structural and magnetic studies of thin Fe57 films formed by ion beam assisted deposition / N.M. Lyadov, V.V. Bazarov, F.G. Vagizov, I.R. Vakhitov, E.N. Dulov, R.N. Kashapov, A.I. Noskov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov, I.A. Faizrakhmanov // Appl. Surf. Sci. - 2016. - Vol. 378. - P. 114-119.

113. Kapaklis, V. Structure and Magnetic Properties of hcp and fcc Nanocrystalline Thin Ni Films and Nanoparticles Produced by Radio Frequency Magnetron Sputtering / V. Kapaklis, S.D. Pappas, P. Poulopoulos, D. Trachylis, P. Schweiss, C. Politis. // J. Nanosci. Nanotechnol. - 2010. - Vol. 10, No 9. - P. 6024-6028.

114. Lanping, Y. Magnetic properties of disordered Ni3C / Y. Lanping, R. Sabiryanov, E.M. Kirkpatrick, D.L. Leslie-Pelecky // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 62, No 13. -P. 8969-8975.

115. Wyckoff, R.W.G. Crystal structures / R.W.G. Wyckoff. - New York: Interscience Publishers, 1963. - Vol.1. - 467 p.

116. Комаров, Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы / Ф.Ф. Комаров. - М.: Металлургия, 1990. - 216 с.

117. Юм-Розери, В. Введение в физическое металловедение / В. Юм-Розери. - М.: Металлургия, 1965. - 203 с.

118. Ормонт, Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б.Ф. Ормонт. - М.: Высш. школа, 1982. - 528 с.

119. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит. - М.: Мир, 1982. - 560 с.

120. Грибковский, В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В.П. Грибковский. - Мн.: Наука и техника, 1975. - 464 с.

121. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. - М.: Мир, 1974. - 472 с.

122. Грашин, А.Ф. Квантовая механика / А.Ф. Грашин. - М.: Просвещение, 1974. - 207 с.

123. Хеннея, Н.Б. Полупроводники / Н.Б. Хеннея, Б.Ф. Ормонт. - М.: Изд-во иностр. лит., 1962. - 667 с.

124. Мейер, Д. Ионное легирование полупроводников / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Девис. - М.: Мир, 1973. - 296 с.

125. Ачкеев, А.А. Особенности глубинных профилей распределения имплантированных ионов кобальта в рутиле TiO2 / А.А. Ачкеев, Р.И. Хайбуллин, Л.Р. Тагиров, A. Mackova, V. Hnatowicz, N. Cherkashin // ФТТ. - 2011. - Т. 53. - С. 508-517.

126. Машкова, Е.С. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Е.С. Машкова. - М.: Мир, 1989. - 349 с.

127. Лядов, Н.М. Влияние режимов имплантации ионов серебра на структуру и оптические свойства нанокристаллических плёнок оксида цинка / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, В. А. Шустов, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов // ЖТФ. - 2016. - Т. 86, № 8. - С. 118-124.

128. Sun, F. A reproducible route to p-ZnO films and their application in light-emitting devices / F. Sun, C.X. Shan, B.H. Li, Z.Z. Zhang, D.Z. Shen, Z.Y. Zhang, D. Fan // Opt. Lett. - 2011. - Vol. 36. No 4. - P. 499-501.

129. Duan, L. Stable p-type ZnO films dual-doped with silver and nitrogen / L. Duan, W. Zhang, X. Yu, P. Wang, Z. Jiang, L. Luan, Y. Chen, D. Li // Solid State Commun. - 2013. - Vol. 157. - P. 45-48.

Список публикаций по теме диссертации

Статьи в рецензируемых научных журналах:

А1. Лядов, Н.М. Исследование оптических свойств ZnO и Al2O3, имплантированных ионами серебра [Текст] / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов // ЖТФ. -2014. - Т. 84, № 5. - С. 62-65.

А2. Lyadov, N.M. Optical and electrical studies of ZnO thin films heavily implanted with silver ions [Text] / N.M. Lyadov, A.I. Gumarov, V.F. Valeev, V.I. Nuzhdin, R.I. Khaibullin, I.A. Faizrakhmanov // J. Phys.: Conf. Ser. - 2014. - Vol. 572. -P. 012002 (5 pages).

А3. Лядов, Н.М. Структура и оптические свойства ZnO c наночастицами серебра [Текст] / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, Р.Н. Кашапов, А.И. Носков, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин, И.А.Файзрахманов // ФТП. -2016. - Т. 50, № 1. - С. 44-50.

А4. Лядов, Н.М. Влияние режимов имплантации ионов серебра на структуру и оптические свойства нанокристаллических плёнок оксида цинка [Текст] / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, В.А. Шустов, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов // ЖТФ. - 2016. - Т. 86, № 8. - С. 118-124.

А5. Lyadov, N.M. Structural and magnetic studies of thin Fe57 films formed by ion beam assisted deposition [Text] / N.M. Lyadov, V.V. Bazarov, F.G. Vagizov, I.R. Vakhitov, E.N. Dulov, R.N. Kashapov, A.I. Noskov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov, I.A. Faizrakhmanov // Appl. Surf. Sci. - 2016. - Vol. 378. - P. 114119.

А6. Lyadov, N.M. On the question of structure of ZnO thin films formed by IBAD and subsequently implanted with silver ions [Text] / N.M. Lyadov, R.N. Kashapov, I.R. Vakhitov, A.I. Gumarov, V.A. Shustov, I.A. Faizrakhmanov // J. Phys.: Conf. Ser. - 2018. - Vol. 1058. - P. 012077 (7 pages).

А7. Lyadov, N.M. Deposition rate effect on microstructure and perpendicular magnetic anisotropy of iron films prepared by ion-beam-assisted deposition [Text] / N.M. Lyadov, F.G. Vagizov, I.R. Vakhitov, A.I. Gumarov, S.Z. Ibragimov, D.M. Kuzina, I.A. Faizrakhmanov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov // Vacuum. - 2019. - Vol. 168. - P. 108860 (8 pages).

А8. Лядов, Н.М. Особенности структуры нанокристаллических плёнок никеля, сформированных методом ионного распыления [Текст] / Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, Ш.З. Ибрагимов, Д.М. Кузина, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов // ФТТ. - 2021. - Т. 63, № 10. - С. 1687-1693.

А9. Лядов, Н.М. Механизм увеличения параметра решётки тонких плёнок, формируемых методом ионно-стимулированного осаждения [Текст] / Н.М. Лядов, И.А. Файзрахманов // Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского. Ежегодник. - 2022. - Т. 21. - С. 112-114.

Тезисы докладов и труды научных конференций:

А10. Lyadov, N.M. Optical studies of ZnO and Al2O3 implanted with silver ions / N.M. Lyadov, V.F. Valeev, V.I. Nuzhdin, A.L. Stepanov, I.A. Faizrakhmanov // Ion Implantation and other Applications of Ions and Electrons: Abstract book of 12th Intern. Conf. ION, 25-28 June 2012, Kazimierz Dolny, Poland. - 2012. - P. 31.

А11. Лядов, Н.М. Оптические и электрические свойства тонких плёнок ZnO, имплантированных ионами серебра / Н.М. Лядов, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, И.А. Файзрахманов // Российская молодёжная конференция по физике и астрономии: Сборник тезисов конференции ФизикА.СПБ, Санкт-Петербург, Россия, 23-24 октября 2013 г. - Санкт-Петербург: СПБГПУ, 2013. - С. 315316.

А12. Лядов, Н.М. Структура и оптические свойства тонких плёнок ZnO с наночастицами серебра, сформированными методом ионной имплантации / Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.В. Базаров, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, Р.И. Хайбуллин, И.А. Файзрахманов // Физические и физико-химические

основы ионной имплантации: Сборник тезисов V Всероссийской конференции, Н. Новгород, Россия, 27-31 октября 2014 г. - Н. Новгород: ННГУ, 2014. - С. 96-97.

57

А13. Лядов, Н.М. Анализ структуры и магнитно-фазового состава плёнок Fe, сформированных по технологии ионно-стимулированного осаждения / Н.М. Лядов, В.В. Базаров, Ф.Г. Вагизов, В.А. Шустов, Е.Н. Дулов, А.И. Носков, Р.И. Хайбуллин, И.А. Файзрахманов // Мёссбауэровская спектроскопия и ее применения: Сборник материалов XIV Международной конференции, Казань, Россия, 28 сентября - 1 октября 2016 г. - Казань: Изд-во Казан. Ун-та, 2016. - С. 90.

А14. Лядов, Н.М. Влияние режимов имплантации ионов серебра на структуру и оптические свойства плёнок 7пО / Н.М. Лядов, В.А. Шустов, Р.И. Баталов, И.А. Файзрахманов, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Сборник тезисов VI Всероссийской конференции, Н. Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г. - Н. Новгород: ННГУ, 2016. - С. 103-104.

А15.Лядов, Н.М. Исследование структурно-фазового состава и магнитных свойств тонких плёнок железа / Н.М. Лядов, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов, И.А. Файзрахманов // Итоговая конференция молодых ученых КФТИ КазНЦ РАН: сборник материалов конференции, Казань, Россия, 13 апреля 2017 г. - Казань: Изд-во Казан. Ун-та, 2017. - С. 23-26.

А16. Лядов, Н.М. Структура и магнитные свойства тонких плёнок №, сформированных методом ионно-стимулированного осаждения / Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов // Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий: Труды IX Всероссийской (с международным участием) научно-технической конференции с элементами научной школы, Казань, Россия, 5-8 ноября 2017 г. - Казань: Изд-во Казан. Ун-та, 2018. - С. 145-148.

А17.Зинатуллин, А.Л. Гамма-резонансные исследования тонких плёнок железа, синтезированных методом ионно-стимулированного осаждения / А.Л. Зинатуллин, Н.М. Лядов, И.А. Файзрахманов, Ф.Г. Вагизов // Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий: Труды IX Всероссийской (с международным участием) научно-технической конференции с элементами научной школы, Казань, Россия, 5-8 ноября 2017 г. - Казань: Изд-во Казан. Ун-та, 2018. - С. 91-95.

А18.Абдуллин, Р.Р. Влияние режимов осаждения на структуру и магнитно-фазовый состав тонких плёнок 57Fe, синтезированных по технологии ионно-стимулированного осаждения / Р.Р. Абдуллин, Н.М. Лядов, Ф.Г. Вагизов,

A.И. Гумаров, Ш.З. Ибрагимов, Д.М. Кузина, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов // Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий: Труды X юбилейной международной научно-технической конференции, Казань, Россия, 5-8 ноября 2018 г. -Казань: Изд-во Казан. Ун-та, 2019. - С. 238-241.

A19.Lyadov, N.M. Microstructure and perpendicular anisotropy of thin iron films formed by ion-beam assisted deposition / N.M. Lyadov, F.G. Vagizov, I.R. Vakhitov, A.I. Gumarov, Sh.Z. Ibragimov, D.M. Kuzina, I.A. Faizrakhmanov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov // Modern Trends in Condensed Matter: Abstract book of Academician G.B. Abdullayev Centenary International Conference and School, 24-26 September 2018, Baku, Azerbaijan. - 2018. - P. 98.

57

А20. Лядов, Н.М. Структура и магнитные свойства плёнок Fe, полученных при различных скоростях ионно-стимулированного осаждения / Н.М. Лядов, Н.Н. Халитов, В.В. Базаров, А.И. Гумаров, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин,

B.А. Шустов, Д.М. Кузина, Ш.З. Ибрагимов, Ф.Г. Вагизов // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Сборник тезисов VII Всероссийской конференции и школы молодых учёных и специалистов, Н. Новгород, Россия, 7-9 ноября 2018 г. - Н. Новгород: ННГУ, 2018. - С. 125126.

А21.Халитов, Н.И. Ионно-стимулированный синтез тонких плёнок никеля с перпендикулярной магнитной анизотропией / Н.И. Халитов, Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, Ш.З. Ибрагимов, Д.М. Кузина, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Сборник тезисов VII Всероссийской конференции и школы молодых учёных и специалистов, Н. Новгород, Россия, 7-9 ноября 2018 г. - Н. Новгород: ННГУ, 2018. - С. 124125.

А22. Лядов, Н.М. Синтез и исследование тонких плёнок никеля, сформированных методом ионно-стимулированного осаждения / Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, И.А. Файзрахманов, В.А. Шустов // Взаимодействие излучений с твёрдым телом: материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент.-3 окт. 2019 г. - Минск: БГУ, 2019. - С. 464467.