Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I), (II) и получение медных пленок на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Лисковская, Татьяна Ивановна

• Лисковская, Татьяна Ивановна
• кандидат химических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат химических наук Лисковская, Татьяна Ивановна

ВВЕДЕНИЕ.

1.ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Медная металлизация в интегральных микросхемах с субмикронными проектными нормами.

1.1.1. Основные направления и задачи исследований.

1.1.2. Преимущества метода CVD по сравнению с физическими методами осаждения.

1.2. Комплексы меди(1) и (II) — предшественники в методе CVD. 17 1.2.1. Основные требования к предшественникам в методе CVD

1.2.2. Синтез и реакция восстановления (3-дикетонатов меди(П)

1.2.3. Синтез и реакция диспропорционирования производных меди(1).

1.3. УФ-стимулированные процессы в растворах и газовой фазе.

1.4. Термолиз комплексов меди(1) и (И).

1.4.1. Исследование термической устойчивости (3-дикетонатов меди(П) в конденсированной фазе.

1.4.2. Температурные зависимости давления насыщенных паров комплексов меди(1) и (И) и механизмы их термораспада.

1.4.3. Кинетика и механизмы реакции разложения комплексов меди(1).

1.5. Электронная структура.

1.6. Тонкие медные пленки: структура и характеристики.

1.6.1. Влияние подложки.

1.6.2. Селективность осаждения.

1.7. Медные пленки на основе (hfa)Cu-Cod.

1.8. Постановка задачи исследования.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Синтез, очистка и идентификация комплексов меди (I) и (II).

2.1.1. Исходные реагенты.

2.1.2. Методики синтеза.

2.1.3. Способы очистки.

2.1.4. Идентификация полученных соединений.

2.2. Исследование спектральных характеристик комплексов меди (I) и (II) физическими методами.

2.2.1. Оптические спектры поглощения.

2.2.2. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия.

2.3. Исследование термических свойств комплексов меди(1) и (II).

2.3.1 Термоаналитическое исследование

2.3.2 Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара.

2.4. Описание экспериментов для исследования механизмов реакций.

2.4.1. Реакции термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod.

2.4.2. Вакуумный УФ-стимулированный термолиз комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках.

2.4.3. Фотолиз перфторкарбоксилатных комплексов меди(И) в спиртовых обескислороженных растворах.

2.5. Получение и исследование медных пленок.

2.5.1. Подготовка подложек.'.

2.5.2. Осаждение медных пленок методом CVD при атмосферном и пониженном давлении.

2.5.3. Аппаратура и методы исследования медных пленок.

3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1.Синтез и очистка хелатных комплексов меди(1) и (И).

3.2. Исследование термических свойств медных комплексов.

3.2.1. Термоаналитические исследования.

3.2.2. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара.

3.2.3. Исследование реакции термолиза (hfa)Cu-Cod.

3.2.4.Механизм высоковакуумного УФ-стимулированного. термолиза (hfa)Cu-Cod.

3.3. Электронная структура (hfa)Cu-Cod.

3.3.1. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия.

3.3.2. Детали расчета и оптимизации геометрии комплекса.

3.3.3. Диаграмма энергетических уровней комплекса.

3.3.4. МО комплекса и особенности фотоэлектронного спектра

3.3.5 .Анализ МО комплекса.

3.3.6. Выводы.

3.4. Фотолиз карбоксилатных комплексов меди(П).

3.4.1. Электронные спектры поглощения перфторалкилкарбок-силатов меди(Н).

3.4.2. Фотолиз ацетата меди(И) в спиртовых растворах.

3.4.3. Фотохимия перфорированных карбоксилатов меди(Н) в спиртовых растворах.

3.5. Получение медных пленок и их исследование.

3.5.1. Получение медных пленок при атмосферном давлении.

3.5.2. Исследование медных пленок, полученных методом

CVD при пониженном давлении.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I), (II) и получение медных пленок на их основе»

Актуальность темы Конец XX и начало XXI веков ознаменованы интенсивным развитием электронной промышленности, которая является одной из основ научно-технического прогресса. Стремление к миниатюризации интегральных микросхем (ИМ) и повышение их функциональной сложности предъявляют все более высокие требования к металлическим проводникам, роль которых выполняют тонкие проводящие пленки. Многоуровневая металлизация с промежуточными изолирующими слоями, применяемая в ИМ с ультрабольшой степенью интеграции (более 16 млн компонентов на одну ИМ), обусловливает необходимость уменьшения ширины тонкопленочных проводников. Большие плотности тока, возникающие из-за малого поперечного сечения, приводят к таким проблемам как электромиграция, стресс-миграция (трещины), что характерно для металлизации алюминием и его сплавами.

Современная технология полупроводниковой микроэлектроники переходит на медную металлизацию, так как медь обладает значительной устойчивостью по отношению к электромиграции, высокими теплоемкостью, тепло- и электропроводностью. Но актуальность исследований для решения многих вопросов, связанных с медной металлизацией, по-прежнему значительна.

Медь может наноситься физическим осаждением из газовой фазы, то есть испарением и конденсацией в вакууме, распылением, гальваническими способами. Но химическое осаждение тонких медных пленок из газовой фазы (метод CVD — Chemical Vapor Deposition) предпочтительно при получении конформных (имеющих одинаковую толщину на горизонтальных и вертикальных ступеньках рельефа) и селективных покрытий, а также при заполнении отверстий и канавок в структурах, имеющих высокое AR (aspect ratio) — геометрическое отношение глубины узкого пространства между элементами к величине зазора между ними. Актуальны исследования с использованием дополнительных методов стимуляции CVD процессов (УФ-облучение, воздействие лазером, плазмой и т.д.).

Одним из наиболее широко исследуемых классов исходных веществ для получения тонких медных пленок являются (3-дикетонатные комплексы ме-ди(1) с основаниями Льюиса. Однако механизмы реакций термического и фо-толитического разложения летучих медьсодержащих соединений остаются пока во многом неясными. Важной задачей является изучение влияния условий процесса осаждения и материала подложки на структуру, рельеф поверхности и электропроводность получаемых пленок меди. Также актуальны активные исследования по поиску новых классов соединений меди(1) и(П) для использования в качестве предшественников при получении пленок металлической меди.

Работа проводилась по плану Института неорганической химии СО РАН (Новосибирск) и в рамках проекта РФФИ (99-03-32272). Работа поддержана грантом Фонда Сороса.

Целью настоящей работы является синтез исходных комплексов ме-ди(1) и (II) для получения пленок меди методом CVD, исследование термических свойств и механизмов разложения молекул (термолиз, фотолиз), определение приемлемых режимов процесса осаждения и изучение свойств полученных медных пленок.

При этом решались следующие задачи:

• синтез и физико-химическое исследование новых метокси-(3-дикетонатов меди(Н), не содержащих атомов фтора, для использования в CVD-процессе получения пленок меди;

• оптимизация методики синтеза комплекса гексафторацетилацетоната ме-ди(1) с 1,5-циклооктадиеном - (hfa)Cu-Cod;

• масс-спектрометрическое исследование механизма образования металлической меди в реакциях термолиза и УФ-стимулированных термолитических превращениях на различных подложках комплекса (hfa)Cu-Cod, определение кинетических параметров реакции;

• исследование электронной структуры комплекса (hfa)Cu-Cod;

• измерение температурных зависимостей давления насыщенного пара комплексов меди(1) и (II) и определение термодинамических характеристик процессов парообразования;

• исследование фотолитических (без термической составляющей) превращений диоксановых перфторакилкарбоксилатных комплексов меди(И) в спиртовых растворах

• выбор приемлемых параметров осаждения пленок меди из предшественников меди(1) и (II) на различные подложки в процессах CVD при атмосферном и пониженном давлениях;

• исследование процесса роста пленок, морфологии поверхности и электрофизических свойств в зависимости от условий осаждения и материала подложки ,

Научная новизна. Синтезирован и охарактеризован ряд новых веществ-предшественников - метокси-|3-дикетонатов меди(П). Некоторые из этих веществ — жидкости, что предпочтительно для CVD-процессов нанесения пленок. Показана возможность их использования в качестве CVD-предшественников,

Измерены температурные зависимости давления насыщенных паров комплекса меди (I) - (hfa)Cu-Cod и жидкого метокси-(3-дикетоната меди(П) -Cu(L2)^ —5йс(2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди(И)) масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена. Вычислены термодинамические параметры процесса сублимации и испарения.

Методом масс-спектроскопии исследована реакция термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod и УФ-стимулированный термораспад молекул этого комплекса на различных подложках. Предложена схема УФ-стимулированного термораспада.

Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда летучих диоксановых комплексов пер-фторалкилкарбоксилатов меди(П).

Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (СКа-спектры), а также неэмпирического кванто-вохимического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP методом),

Практическая значимость. Усовершенствована методика синтеза одного из широко используемых предшественников - (hfa)Cu-Cod, что позволило получать данное вещество с высоким выходом без использования шленков-ской технологии и сухой камеры.

Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из новых жидких метокси-(3-дикетонатов меди(П) в вертикальном CVD-реакторе с холодными стенками при атмосферном давлении. Показана возможность их использования в качестве CVD - предшественников.

Практическую значимость представляют данные о морфологии поверхности (определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности) и электропроводности пленок меди на различных подложках (Ti, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт), полученных в условии однократных столкновений с подложкой (молекулярного пучка) из комплекса (hfa)Cu-Cod при давлении 1-Ю"5 Торр.

На защиту выносятся:

• синтез и физико-химические свойства новых жидких и легкоплавких исходных летучих метокси-(3-дикетонатов меди(П);

• усовершенствованная методика синтеза комплекса меди (I) (hfa)Cu-Cod;

• данные по электронной структуре комплекса (hfa)Cu-Cod;

• результаты исследования температурных зависимостей давления насыщенного пара и термодинамические параметры процессов сублимации и парообразования комплексов меди(1) и (II);

• исследование образования металлической меди в реакциях термолиза комплекса меди(1) (hfa)Cu-Cod и механизм термических превращений с УФ-стимулированием при осаждении на различные типы подложек;

• механизм фотолиза комплексов меди(И) в спиртовых обескислороженных растворах;

• данные по исследованию морфологии поверхности и электрофизических свойств пленок меди в зависимости от условий осаждения и материала подложки.

Работа выполнена в соответствии с планами НИР ИНХ СО РАН «Изучение химии простых и комплексных летучих соединений» номер госрегистрации № 1860108864 и «Новые материалы и вещества - основа создания нового поколения техники, технологии. Синтез и исследование свойств и процессов разложения летучих металлорганических соединений как исходных материалов для получения покрытий» Шифр 10.1.5.4. и в рамках проекта РФФИ (9903-32272). Работа поддержана грантом фонда Сороса.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на XVIII Международной конференции по фотохимии (Варшава, Польша 1997); XVII Симпозиуме ИЮПАК по фотохимии (Барселона, Испания 1998); III Научно-технической конференции «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (Зеленоград, Россия, 2000); XIII Европейской конференции по химическому осаждению из газовой фазы «EUROCVD 13» (Глифада, Греция, 2001); XVII Межреспубликанской конференции «Численные методы решения задач теории упругости и пластичности» (Новосибирск, Россия, 2001); XIV Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, Украина, 2002).

Публикации по работе. Основное содержание работы изложено в десяти научных публикациях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и изложена на 140 страницах, включая 27 рисунков, 13 таблиц и список литературы (125 наименований)

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Лисковская, Татьяна Ивановна

выводы

1. Синтезированы и охарактеризованы семь новых летучих метокси-Р-дикетонатов меди(П). Методом ДТА обнаружено, что при нагревании в атмосфере гелия комплексы полностью переходят в газовую фазу. Впервые получены тонкие пленки меди из жидких метокси-Р-дикетонатов меди(П) с хорошей адгезией к подложке Si3N4/Si.

2. Усовершенствована методика синтеза перспективного предшественника для низкотемпературного получения пленок меди — комплекса (hfa)Cu-Cod. Методом масс-спектрометрии исследован термораспад комплекса, установлены газообразные продукты и температурные интервалы их образования. Определены эффективные кинетические параметры реакции.

3. Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (С&х-спектры), а также неэмпирического квантово-химического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP метод).

4. Масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара (hfa)Cu-Cod и 2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди(И) — Си(Ь2)г. Из экспериментальных данных Р = j(T) рассчитаны термодинамические параметры сублимации и парообразования комплексов (АН°Г и AS°t).

5. Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследован УФ-стимулированный термораспад молекул комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках. Предложена схема термораспада.

6. Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда полифторкарбоксилатов меди(Н), протекающего с образованием металлической меди. Определены продукты превращений. Показано, что протекание как реакции фотолиза, так и темновых процессов может приводить к образованию производных меди(1).

7. Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из комплекса (hfa)Cu-Cod на различные подложки (Ti/ситалл, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт) в процессах CVD при пониженном давлении. Удельное электросопротивление полученных пленок меди на подложках Ti/ситалл и Si02/Si составляет 1,67-1,71 мкОм-см, что соответствует чистой металлической меди. Исследована морфология поверхности пленок, определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Лисковская, Татьяна Ивановна, 2002 год

1. Gardini P., Glaze J.,Williams O. The SIAs National Technology Roadmap for Semiconductors IJ Solid State Technology 1998. - V.41, N 1. - P. 73-76.

2. The Chemistry of Metal CVD (Ed. T.T.Kodas, M.J.Hampden-Smith). Wein-heim, 1994.-P. 175-238.

3. Ни C.-K., Small M.B., Kaufman F., Pearson D.J. Tungsten and Other Advansed Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, 1990.-P. 369-373.

4. Arita Y., Awaya N., Amazawa Т., Mutsuda T. Deep submicron Cu planar interconnection technology using Cu selective chemical vapor deposition // Intl. Electron Devices Meet. Tech. Digest IEEE 1989. - P. 893-895.

5. Pai P.-L., Ting C.H. Copper as future interconnection material // VLSI Multilevel Interconnection Conf. 1989. - V.6. - P. 258-264.

6. Gutmann R.J., Chow T.P., Kaloyeros A.E, Lanford W.A., Muraka S.P. Thermal stability of on chip copper interconnect structures // Thin Solid Films. 1995. -V.262. - P.177-186.

7. Wang M.T., Lin Y.C., Chen M.C. Barrier Properties of Very Thin Та and TaN Layers Aganist Copper Diffusion // J.Electrochem. Soc. 1998. V.145. - P. 2538-2544.

8. П.Васильев В.Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике // Микроэлектроника -1999. Т.28, №3. - С.-175-200.

9. Baum Т.Н. and Larson С.Е. A novel copper and CVD precursor: (r) -butyne) copper^) hexafluoroacetylacetonate // Chem. Mater- 1992. V.4, N2. - P.365-369.

10. Doppelt P. Why is coordination chemistry stretching the limits of micro-electronics technology//Coord.Chem.Rev.,Pt.2.- 1998.-V.l 78-180.-P. 1785-1809.

11. Doyle G., Eriksen K.A., Engen D.V. Alkene and carbon monoxide derivatives of copper (I) and silver (I) |3- diketonates // Organometallics. 1985. -V.4. -P. 830-835.

12. Choi E.S., Park S.K., Shin H.K., Lee H.H. Chemical vapor deposition of copper with a new metalorganic source//Appl.Phys.Lett. 1996. - V.68.N12. -P. 1017-1019.

13. Kang S.-W., Park M.-Y., Rhee S.-W. Hexafluoroacetylacetonate Cu vinylcyclohex-ane as a liquid precursor for low temperature chemical vapor deposition of copper thin films //Electrochem. and Solid-State Lett. -1999. - V.2, N1. - P. 22-23.

14. Maury F. Recent Trends in the Selection of Metal-Organic Precursors for MOCVD Process // J.Physiq. IV 1995. - V.l. - P.5. 449-463.

15. Roger C., Corbitt T.S., Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Aerosol-assisted chemical vapor deposition of copper: a liquid delivery approach to metal thin films // Appl.Phys.Lett 1994. - V.65, N8. - P. 1021-1023.

16. Petersen G.A., Parmeter J.E.,Apblett C.A. Gonzales M.F.,Smith P.M., Omstead T.R., Norman J.A.T. Enhanced Chemical Vapor Deposition of Copper from (hfac)Cu(TMVS) Using Liquid Coinjection of TMVS // J.Electrochem.Soc. -1995.- V.142, N3. P. 939-944.

17. Moller A., Kail R., Till V., Wortberg G., Adomeit G. Experimental and theoretical investigation of low-pressure CVD of Cu using Cul as precursor // J. Crystal Growth 1997. - V.174.-P. 837-844.

18. Chichibu S., YoshidaN., Higuchi H., Matsumoto S. Chemical Vapor Deposition of Cu Film on Si02 Using Cyclopentadienylcoppertriethylphosphine // J.Appl.Phys. -1992. V.31.-P. L1778-L1780.

19. Turgambaeva A.E., Bykov A.F.,Igumenov I.K.Mass Spectrometric Study of Cop-per(II) (3-Diketonates Vapor Thermolys Mechanism and Kinetics //J. Physique IV -1995.-V.5.-P.C5-221-228.

20. Bykov A.F. Semyannikov P.P. Igumenov I.K. Mass spectrometric study of thermal stability of copper(II) bis(dipivaloylmethanate) vapor // J.Therm.Anal. 1992. -V.38. -P.1463-1475.

21. Гиричев Г.В., Гиричева Н.И., Белова H.B., Кузьмина Н.П., Кауль А.Р., Горбенко О.Ю. Изучение процессов межлигандного обмена между Cu(AA)2 и У(ДПМ)з в газовой фазе // Журн. неорг.химии. 1993. - Т.38, вып.8 - С.1359-1364.

22. Цыганова Е.И., Дягилева Л.М. Реакционная способность Р-дикетонатов металлов в реакции термораспада // Усп. Химии. 1996. - Т.65, вып.4. -С.334-349.

23. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В. , ЗемсковС.В. Тенземетрическое изучение летучих Р-дикетонатов металлов П В кн.: Проблемы химии и применения летучих Р-дикетонатов металлов. М.: Наука, 1982. С 100-120.

24. Troyanov S.I., Gorbenko O.Yu., Bosak A.A. Synthesis and crystal structure of copper(II) 2,2,6,6-tetramethylheptan 3,5-dionate adduct with o-phenanthroline // Polyhedron. 1997.- V.16. - P.l595-1598.

25. Б.ГГрибов, ГАДомрачев, Б.В.Жук, Б.С.Каверин, Б.И.Козыркин, В.В.Мельников, О.Н.Суворова. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. (Под ред. Г.А.Разуваева).Москва, Наука, 1981.

26. Строение, свойства и применение (3-дикетонатов металлов. М.: Наука 1978.-203с.

27. Van Hemert R.L., Spendlove L.B., Sievers R.E. Vapor Deposition of Metals by Hydrogen Reduction of Metal Chelates // J.Electrochem.Soc. 1965. - V.112. -P. 1123-1126.

28. Temple D, Reisman A. Chemical Vapor of Copper from Copperfll) Hexafluoroacetylacetonate//J. Electrochem. Soc.-1989.-V.136, N 11. -P. 3525-3528.

29. Hazuki Y., Yano H., Horioka K., Hayasaka N., Okano H. Tungsten and Other Advanced Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, -1990. P. 351-357.

30. Kaloyeros A.E., Feng A., Carhart J., Brooks K.S., Ghosh S.K., Saxena A.N. Luehers F. // J.Electronic.Mater. -1990. V. 19. - P.271

31. Lai W.G., Xie Y.,Griffin G.L. Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of Copper Thin Films // J.Electrochem.Soc. 1991. - V.l 38. - P.3499-3504.

32. Awaya N., Arita Y Advanced Metal for VLSI/ULSI Application, Rana. V.V.S. Joshi R.V. Ohdomari I. (eds.), Material Research Society, Pittsburg, PA. -1992. -P. 345-354.

33. Chemical Vapor Deposition Precursor (1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-2,4-pentandionato) (^i -1,5-cyclooctadiene) copper(I) Studied by variable Temperature X-ray Crystallogrffy and solid state NMR-Spectroscopy // Chem. Mater. -1992. V.4. - P. 577-582.

34. Henne A.L., Newman M.S., Quill L.L.,Staniford R.A. The Alkaline Condensation of Fluorinated Ethers with Ether and Ketones // J.Am.Chem.Sos. 1947. - V.69. -P.1819-1820.

35. Вертопрахов B.H., Круподер C.A. Тонкие пленки меди, получаемые из паровой фазы летучих производных меди (П) и меди (I) CVD-методом. // Успехи химии -2000. Т.69, вып.12. - С. 1149-1177.

36. Belford R.L., Martell А.Е., Calvin М. Influence of fluorine substitution on the properties of metal chelate compounds // J.Inorg.Nucl.Chem. -1956. V.2. - P.l 1 -31.

37. Pauleau Y., Fasasi A.Y. //Chem. Mater. 1991. - V.3. -P. 45-50.

38. Zheng B, Eisenbraun E.T., Liu J.,Kaloyeros A.E. Device-quality copper using chemical vapor deposition of P-diketonate source precursors in liquid solution // Appl.Phys.Lett. 1992. - V.61. -P. 2175-2178.

39. Kim J.Y., Lee Y.K.^ark H.S., Park J.W., Park D.K., Joo J.H., Lee W.H., Ко Y.K.,Reucroft PJ.,Cho B.R. Deposition mechanism of MOCVD copper films in the presenceof water-vapor// Thin Solid Films. -1998. V.330, N2. - P. 190-195.

40. Son J.H., Park M.Y., Rhee S.W. Growth-rate and microstructure of copper thin-films deposited with metal-organic chemical-vapor-deposition fromhexafluoroacetylacetonate copper (I) allyltrimethylsilane // Thin Solid Films -1998. -V.335, N1-2.-P. 229-236.

41. Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Chemical vapor depositon of copper from (hfac)CuL compounds // Polyhedron. -1995. V. 14. - N6. - P. 699-732.

42. Norman J.A.T. Advances in copper CVD for the semiconductor industry // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 497-503.

43. Питерских И.А., Салоутин В.И., Пашкевич К.И., Постовский И .Я. // Журн. Общей Химии. -1981. Т.51. - Р. 706.

44. Салоутин В.И., Пашкевич К.И, Питерских И. А., Постовский И.Я. Фотовосстановление медных солей гидратов фторсодержащих а-кетокислот // Изв. АН СССР. Сер. Хим. -1981. -Т.10. С. 2379-2381.

45. Martin A J., Bulk R.H., Loasby R.G., Savage J. The production of electrically conductive Tracks by electron or laser-beam decomposition of inorganic metallic compounds. Oxide system // Thin Solid Films. 1968. - V.2. - P. 253

46. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н.Айнспрука, Д. Брауна. М.:Мир. 1987.470с.

47. Perry W.L., Jain A., Kodas Т.Т., Hampden-Smith M.J. Selective chemical vapor deposition on excimer laser patterned polytetrafluoroethylene from hexafluoroacetylacetonate copper (I) vinyltrimethylsilane // Thin Solid Films 1995. -V.262,Nl-2. -P.7-11.

48. Jones C.R, Hoyle F.A., Kovac C.A., Baum Т.Н. // Appl. Phys. Lett. 1985. - V.46. -P. 97

49. Chen Y.D., Reisman A., Turlik I., Temple D. Cu CVD from соррег(П) hexafluoroacetylacetonate. IA cold wall reactor desing blanket growth rate and natural selectivity // J. Electrochem. Soc. -1995. V. 142. -P. 3909-3911.

50. Hoyle F.A., Wilson R.J., Ваши Т.Н. // J. Vac. Sci. Technol. -1986. V.A4. - P. 2452

51. Hoyle F.A. // Appl.Phys. -1986. V.A41. - P. 315

52. Быков А.Ф. Масс-спектрометрическое исследование термораспада паров ряда (3-дикетонатов металлов, образующих оксиды в конденсированной фазе: Автореферат дисс. канд. ф.-м. Наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1995.-18с.

53. Гуревич М.З., Сас Т.М., Зеленцов В.В., Степин Б.Д., Мазепова Н.Е. Влияние фторзамещения в лиганде на термическую устойчивость (3-дикетонатов переходных элементов // Журн. неорг.химии. 1975. - Т.ХХ, вып.2. - С. 452-458.

54. Мазуренко Е.А., Зуб В .Я., Врочинский СЛ., Вожов С.В. Кинетика термической диссоциации бис-р-дикетонатов меди(П) // Укр. хим. журн. 1988. - Т.54, N12. -С.1235-1237.

55. Стабников П.А. .// Межмолекулярное взаимодействие в кристаллах (3-дикетонатов меди: Автореф. дисс .канд. хим. наук: 02.00.01 / ИНХ СО АН СССР. Новосибирск, 1988. 18с.

56. Ohrbach К.-Н., RadhofF G.,Kettrup A. TG-DTA-MS investigation of copper chelates with various P-diketones as ligands // Thermochim.Acta. 1983. - V.67. - P. 197-203.

57. Александров Ю.А., Дягилева JIM., Цыганова Е.И. Термическое разложение органических производных переходных металлов. М.: Наука. 1993. 208с.

58. Li X., Bancroft G.M., Pudderhatt R.J., Yuan Zh., Tan K.H. Electronic structures of copper(I) and silver(I) p-diketonate complexes // Inorg.Chem. -1996. V.35. - P. 50405049.

59. Гэрбэлэу H.B., Индричан K.M. Масс-спектрометрия координационных соединений. Кишинев: Штиинца. 1984. -338с.

60. Малкерова И.П., Алиханян А.С., Филатов Н.Ю., Казанская И.Л., Севастьянов В.Г. Летучесть и строение ацетилацетонатов CuD, Pdn, Rhn и пропионилацетоната С¥/ Журн.неорг.химии. -1991. Т.36, вьш.12. -С. 3112-3118.

61. Wolf W.R., Siever RE., Brown G.H. // Inorg.Chem. 1972. - V. 11. - P.l 99

62. Reynolds S. K., Smart С J., Baran E.F., Baum Т.Н., Larson C.E., Brock P.J. Chemical vapor deposition of copper from 1,5-cyclooctadiene copper (I) hexafluoroacelylacetonate// Appl.Phys.Lett. -1991. V.59, N18. - P.2332 -2335.

63. Norman J.A.T., Muratore B.A. Dyer P.N., Roberts D.A., Hochberg A.K. // J.de Physique. -1991. V. IY(1). - P. C2-271

64. Чемлева T.A., Кузьмина Н.П., Исаева E.B., Ильина Е.Г. Корсаков И.Е. Вааль Г. Математическое моделирование кинетики испарения летучих координационных соединений // Журн. неорг. химии. -1999. Т.44, вып.2. - С. 285-289.

65. Тургамбаева A.E. Масс-спектрометрическое исследование термических превращений паров Р-дикетонатов меди (П): Автореферат дисс. .канд. х. наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1996.

66. Naik M.B.,.Lakshmanan S.K, Wentorf R.N., Reeves R.R, Gill W.N. Thermal chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacelylacetonate Cu(I) vmyltrimethylsilane: kinetic studies // Journal of Crystal Growth -1998. V.193. - P. 133-147.

67. Jain A.,Chi K.-M., Kodas T.T., Hampden-Smith M.J., Farr J.D. and Paffett M.F. Selective low temperature chemical vapor deposition of copper from new copper (I) compounds // Proc. SPIE Int.Soc.Opt. -1991 1596. - P. 23-33.

68. A Jain, K.M.Chi, J.Farkas, M.J.Hampden-Smith, T.T.Kodas, M.F.Paffett, J.D.Farr.// J. Mater. Res. -1992. V.7 - P. 261.

69. Jeffries P.M., Dibois L.H., GirolamiG.S. // Chem.Mater. -1992. V.4. - P. 1169

70. Вовна В.И., Львов И.Б., Иванов Ю.В. Электронная структура и фотоэлектронные спектры Р-дикетонатных комплексов никеля(И) и меди(П) // Поверхность. -1997. №8.-С. 31-39.

71. Устинов А.Ю., Устинова О.М., Вовна В.И. Электронная спектроскопия и электронная структура трис-Р-дикетонатов металлов // Поверхность -1997. №8. -С. 47-51.

72. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж.Поуга, К.Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982.

73. Домрачев Г.А. Резистивные пленочные материалы, полученные по металл оорганической технологии // Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов: Тез. докл. IV Всесоюзной школы. Горький, 1989С.74-86.

74. Технология тонких пленок: Справочник. Под ред. Л.Майссеяа, Р.Глэнга. М.,: Советское радио, 1977, Т. 1

75. Cohen S.L., Liehr M, Kasi S. Selectivity in copper chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. -1992. V.60. - P. 1585-1587.

76. Potochnic S.J., Pehrsson P.E., Hsu D.S.Y., Galvert J.M. Selecive copper chemical vapor deposition using Pd-activated organosilane films // Langmuir. 1995 - V.l 1, N6. - P. 1841-1845.

77. Webb J.B., Northcott D.,Emesh I. Growth, selectivity and adhesion of CVD-deposited copper from Cu+1 (hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane) and diclorodimethylsilane //Thin Solid Films. -1995. V.270. - P. 483-488

78. Stumm Т.Н., Bergh H. Selectivity in low pressure chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacetylacetonate-copper (I) trimethylvinylsilane in the presence of water//Mater. Sci. and Eng. -1994. - V.B23. - P. 48-53.

79. Awaya N., Arita Y. Cany-gas effects on characteristics of copper chemical vapor deposition using hexafluoro-acetylacetonate-copper(l) trimethylvinylsilane // Thin Solid Films.- 1995.-V.262.-P. 12-19.

80. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969.

81. Chae Y.K., Shimogaki Y., Komiyama H. The role of gas-phase reaction during chemical vapor deposition of copper from (hfac)Cu (tmvs) // J.Electrochem.Soc. -1998. V.145. - N12. - P.4226-4233.

82. Gleizes A.N., Vidal S., Davazoglou D. Fabrication of fine copper lines AZ 5214™ patterned silicon substrates by selective chemical vapor deposition // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 1197-1201.

83. Kroger R., Eizenberg M., Rabkin E., Cong D., Chen L. The role of kinetics in the nucleation and void formation in copper films produced by chemical vapor deposition // J. Appl. Phis. 2000. - V.88. - N4. - P. 1867-1872.14.

84. Inorganic syntheses.V.2. Coper(I) chloride. P. 1-4.

85. Krupoder S.A., Danilovich V.S., Miller A.O., Furin G.G. Polyfluorocarboxylates. I. СоррегЩ) trifluoroacetate and its analogues // J. Fluor. Chem. -1995. V.73. - P. 13 -15.

86. Гранкин В.М.,Семянников П.П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента -1991.-N4.-С. 129-132.

87. Сидоров JI.H., Коробов М.В., Журавлева JI.B. Масс-спектральные термодинамические исследования.-М. :Изд.МГУ,1985.-208с.

88. Титов В.А.,Коковин Г.А. Математические проблемы химии./ Под ред. В.Д. Кудрина. Новосибирск: Изд.СО АН СССР, 1975. - С. 25-34.

89. Grivin V.P., Khmelinsky I.V., Pliusnin V.F., Blinov I.I., Balashev K.P. // J.Photochem.Photobiol. A: Chem. -1990. V.51, N3. - P. 167-.

90. Занина A.C., Шерпша С.И., Хабибулина Г.И. и др. Синтез р-дикетонов и ацетиленовых кетонов на основе простых эфиров третичных диацетиленовых спиртов // Изв. АН СССР Сер.хим. -1977. N.12. - С.2781-2784.

91. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния.-JL: Химия, 1970.-207с.

92. Becke A.D. Density-functional thermochemistry. Ill The role of exact exchenge // J. Chem. Phys. 1993. - V.98. - P. 5648-5652.

93. Jaguar 3.5, Schrodinger, Inc., Portland, OR, 1998.

94. Мурахтанов B.B., Мазалов Л.Н., Булушева Л.Г. Пофрагментарный анализ молекулярных орбиталей ряда замещенных бензолов // Журн.структ.хим. -1989. -Т.30.-С. 31-39.

95. Schaftenaar, G. MOLDEN(CAOS/CAMMCenter, The Netherlands, 1991).

96. Bulusheva L.G., Okotrub A. V., Liskovskaya Т. I., Krupoder S. A., Gusel'nikov A. V., Manaev A. V, and Traven V. F. Electronic Structure of 1,5-Cyclooctadiene-copper(I)-hexafluoroacetylacetonate // J. Phys.Chem., Pt. A -.2001. V.105. - P. 8200-8205.

97. H. Remy. Treatise on inorganic chemistry, Amsterdam: Elsevier, 1956, V. 1, P. 809.

98. Van Niekerk J.N. and Shoening F.R. A new type of copper complex as found in the crystal structure of cupric acetate Cu2(CH3C00)42H20 // Acta Cryst. -. 1953.- V.6.-P. 227.

99. Takeda K. and Iwakura Y. //Bull. Chem. Soc. Japan. 1968. - V.41 - P. 268.

100. Gafhey H.D. and Lintvedt R.L Photochemical Reactions of copper (П) -1,3-diketonate Complexes // J.Amer.Chem.Soc. -1971. V.93. - P. 1623-1628.

101. Marchiniak B.and Buono-Core G.E. // J. Photochem. Photobiol. A.:Chem. 1990 -V.52.-P. 1.

102. Johnson D.W., Salmon G.A. // Can. Chem. J. 1977. - V.55. - P.2030.

103. Brailn W., Rajbenbach L., Eirich F.R. // J.Phys.Chem. -1962. V.66. - P. 1591

104. Bullock G.and Cooper R. Reactions of Aqueous Trifluoromethyl Radicals // Trans. Faraday Soc. 1970. - V.66 - P. 2055-2064.

105. Дзюба C.A., Райцимринг A.M., Цветков Ю.Д Масштаб пространственного перемещения свободной валентности в ходе низкотемпературных радикальных реакций в изопропаноле // Теор. Экспер. Хим. -1979. Т.15 - С. 541-546.

106. Chow Y.L.,Buono-Core G.E. //Can. J. Chem. -1983.- V.61 -P. 795.