Синтез и строение координационно насыщенных алкоксоацетилацетонатов циркония и титана-прекурсоров для CVD и золь-гель техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Симоненко, Елизавета Петровна

• Симоненко, Елизавета Петровна
• кандидат химических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат химических наук Симоненко, Елизавета Петровна

Содержание.

Список сокращений.

Введение.

1. Литературный обзор.

1.1. Прекурсоры для получения материалов методом золь-гель и CVD-техники.

1.1.1. Статистический анализ литературы по типам прекурсоров для золь-гель и CVD-техники.

1.1.2. Соединения, являющиеся перспективными прекурсорами для золь-гель техники.

1.1.3. Соединения, являющиеся перспективными прекурсорами для MOCVD-процесса.

1.2. Методы исследования строения веществ, используемые в представленной работе.

1.2.1. Метод газовой электронографии.

1.2.2. Рентгеноструктурный анализ.

1.2.3. Исследование строения молекул методами компьютерной химии.

1.3. Термохимические данные о титан- и цирконийсодержащих металлоорганических прекурсорах.

1.4. Использование структурно-термохимического подхода в рамках направленного синтеза прекурсоров для CVD- и золь-гель техники — постановка задачи.

1.4.1. Структурно-термохимический подход.

1.4.2. Постановка задачи.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Получение высокотемпературных композиционных материалов с использованием золь-гель техники.

2.1.1. Получение композитов, допированных высокодисперсными частицами диборида титана, методом золь-гель техники и высокотемпературного синтеза.

2.1.2. Получение карбидокремниевой матрицы для композиционного материала C/SiC с использованием методов золь-гель техники и высокотемпературного синтеза.

2.2. Синтез, исследование строения и парообразования координационных соединений - перспективных прекурсоров для CVD.

2.2.1. Синтез и исследование строения перспективных прекурсоров для CVD-техники.

2.2.1.1. Направленный синтез и исследование строения смешаннолигандного координационного соединения бис( 1,1,1,3)3,3-гексафтор-2-пропоксо)-бис((2,4-пентандионато)циркония(1У) [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2].

2.2.1.2. Синтез и исследование особенностей строения смешаннолигандных краунсодержащих р-дикетонатов стронция [Sr(15C5)(C5H02F6)2] и бария

Ba(18C6)(C5H02F6)2].

2.2.2. Анализ процесса парообразования прекурсоров для

2.2.2.1. Анализ парообразования модельных титансодержащих соединений [Ti((0CH2CH2)2NCH3)(0C(CH3)2C(CH3)20)]2 и [Ti((0CH2CH2)2NCH3)(0C(C2H5)2C(C2H5)20)]2.

2.2.2.2. Анализ процесса парообразования соединения [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2], термодинамический анализ возможности протекания реакций гидролиза соединения в газовой фазе.

2.2.2.3. Анализ процесса парообразования соединений [Sr(15C5XC5H02F6)2] и [Ba(18C6)(C5H02F6)2]. vv Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и строение координационно насыщенных алкоксоацетилацетонатов циркония и титана-прекурсоров для CVD и золь-гель техники»

Актуальность. Задача получения химически чистых дисперсных порошков и тонких пленок бинарных соединений (оксиды, карбиды, бориды) решается в основном с использованием двух методов: MOCVD* и золь-гель техники. Оба способа имеют ряд преимуществ перед физическими методами (различными видами PVD), а сферы их применения соприкасаются лишь частично. Например, при нанесении пленок из газовой фазы методом CVD химическая чистота покрытий значительно выше, чем при использовании золь-гель техники. С другой стороны, золь-гель техника дает возможность получать объемно допированные образцы, в то время как при получении подобных образцов методом газовой инфильтрации (СVI) сталкиваются с серьезными трудностями, связанными, в первую очередь, с необходимостью обеспечить объемную однородность распределения дисперсного компонента (конструкционные затруднения).

Эффективное применение упомянутых методов возможно при использовании направленного выбора и синтеза прекурсоров, к которым предъявляется ряд требований. Например, для CVD-процесса выбирают соединения, обладающие летучестью в заданном интервале температур в соответствии со степенью заполнения сферы центрального атома и в зависимости от типов и количества групп в молекуле, определяющих энтальпию парообразования вещества. Прекурсоры должны переходить в газовую фазу без разложения, продукты их термолиза — быть химически пассивны по отношению к деталям аппаратуры и материалу подложки. Индивидуальные прекурсоры для золь-гель техники в зависимости от задачи (необходимой дисперсности частиц, состава целевой системы оксидов металлов) должны иметь также определенную степень заполнения координационной сферы центрального атома, которая позволила бы

В соответствии с принятыми в научной литературе обозначениями MOCVD - metalorganic chemical vapor deposition; CVD - chemical vapor deposition; PVD - physical vapor deposition. предотвратить неконтролируемый гидролиз. Тем не менее, степень экранирования не должна превышать некоего предела (координационное насыщение), после которого гидролиз слишком затруднен или невозможен.

Для синтеза соединений с желаемой летучестью или гидролитической активностью следует определить оптимальную степень заполнения координационной сферы атома металла, которая достигается путем получения смешаннолигандных соединений и уменьшения или увеличения по необходимости стерического объема лигандов.

Несмотря на обширный экспериментальный материал по синтезу практически важных металлоорганических соединений, в частности титан-, цирконий-, барий- и стронцийсодержащих прекурсоров для золь-гель и CVD-техники, не достаточно развита общая концепция, связывающая строение и параметры парообразования или гидролитическую активность веществ. Поэтому направленный синтез перспективных прекурсоров для золь-гель техники и CVD является важной и актуальной задачей.

Целью работы является: Обзорный анализ с помощью теоретического моделирования молекулярного дизайна перспективных прекурсоров с точки зрения химических и термохимических свойств синтезированных соединений. Выбор потенциально возможных прекурсоров для золь-гель и CVD техники — как модельных, так и позволяющих решать практически важные задачи. Направленный синтез исходных реагентов и прекурсоров. Изучение строения полученных и выбранных в качестве модельных соединений. Анализ гидролитической активности и параметров парообразования с точки зрения структурно-термохимического подхода. Апробация прекурсоров в процессах получения конкретных материалов.

Научная новизна.

1. Выбраны стартовые реагенты для получения с использованием золь-гель техники допированных карбидом кремния или диборидом титана композиционных материалов; проведено совместное осаждение гидроксоформ титана и бора. Проведен высокотемпературный синтез композитов (УПВ2, TiB2/TiB2+Al203 и C/SiC в восстановительной и инертной атмосфере в температурном интервале, определенном на основании термодинамического анализа систем с использованием ресурсов банка данных ИВТАНТЕРМО (C/TiB2 - 2000°С, /ПВгЛПВг+АЬОз - 1000°С, C/SiC - 1800°С).

2.а. Синтезировано модельное координационно насыщенное летучее соединение [Zi^CsHyC^MCCFs^CHO^] из [Zr(C5H702)4] по разработанной методике направленного синтеза смешаннолигандных соединений типа алкоксо-2,4-пентандионатов методом замещения лиганда; предварительно обоснован выбор алкоксо-группы для замещения 2,4-пентандионато-группы. Модифицированы известные методики синтеза гомолигандных 2,4-пентандионатов (рН) и алкоксидов (выбор растворителя).

2.6. Исследовано методом газовой электронографии с привлечением данных ИК-спектроскопии и компьютерной химии строение молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола (далее гексафторизопропанола), а также синтезированных соединений [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr(OCH(CF3)2)4]. Рассчитаны термодинамические функции соединений в интервале 300-1000 К. Оценены значения энтальпии образования AtH°(298.15) соединений методом аддитивных вкладов, кроме того, для (CF3)2CHOH и методом изодесмических реакций.

3.а. Разработаны методики синтеза из водно-спиртовых растворов неорганических солей (нитратов, хлоридов) летучих координационных соединений бария и стронция [Ba(18C6)(C5H02F6)2] и [Sr(15C5)(C5H02F6)2], перспективных прекурсоров для получения тонких пленок титаната бария и стронция методом CVD.

З.б. Для соединения цис-[Ва(18С6)(С5НС>2рб)2] исследовано строение выращенных монокристаллов методом рентгеноструктурного анализа. 4. Проанализирован процесс парообразования синтезированных [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2], [Ba(18C6)(C5H02F6)2], [Sr(15C5)(C5H02F6)2] и модельных [Г1(((ХН2СН2^СН3Х0С(СНз)5С(а13)20)Ь и

Ti((0CH2CH2)2NCH3)(0C(C2H5)2C(C2H5)20)]2 соединений с использованием экспериментальных и теоретических методов.

Практическая значимость диссертации заключается в разработке методов направленного синтеза координационных соединений — прекурсоров для CVD, и прекурсоров и стартовых смесей для золь-гель техники. Разработанный метод синтеза алкоксо-2,4-пентандионатов из тетракис(2,4-пентандионато)циркония(1У) и краун-содержащих фторированных р-дикетонатов из растворов неорганических солей может быть использован для получения соединений, родственных описанным в работе с широким спектром прогнозируемых свойств и возможностей практического применения.

Полученные результаты могут быть использованы для выявления общих закономерностей строение - летучесть или гидролитическая активность. Детальное исследование процессов парообразования и термолиза соединений позволит применять их в качестве прекурсоров для нанесения оксидных пленок металлов (в том числе, и сложного состава) через газовую фазу. Например, синтез комплексов с заданной летучестью даст возможность путем испарения из одной камеры координационных соединений с различными центральными атомами (например, титана и бария) достигать строго определенного соотношения металлов в пленке.

Результаты структурных исследований, наряду с термодинамическими характеристиками, могут быть полезны в качестве справочных данных.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Выбор и синтез исходных реагентов применительно к процессу получения дисперсных допирующих компонентов SiC>2 и Ti02+B203 в углеграфитовой матрице и матрице из грубодисперсного диборида титана. Высокотемпературный синтез композиционных материалов C/SiC, СЛПВг и TiB2/TiB2+Al203 в условиях, определенных путем термодинамического анализа систем.

2. Направленный синтез летучего модельного алкоксоацетилацетоната циркония из тетракисацетилацетоната циркония, а также летучих смешаннолигандных соединений стронция и бария с макроциклическими полидентатными лигандами.

3. Структурные параметры молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3 -гексафтор-2-пропанола для уточнения его стерических характеристик, а также структурные параметры синтезированных координационных соединений циркония [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr((CF3)2CHO)4], полученные с использованием данных газовой электронографии, расчетных методов и ИК-спектроскопии; термодинамические функции указанных соединений в интервале 3001000 К и оценка их AfH°(298.15).

4. Анализ процессов парообразования модельных соединений титана с хелатными лигандами большой координационной емкости таСХВДдаСНзХОДСНз^СНз^ и ^((Xb^a^NCHaXOQQHs^QHs^b и синтезированных соединений [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2], [Sr(15K5)(C5H02F6)2] и [Ba(18K6)(C5H02F6)2] в рамках структурно-термохимического подхода.

Апробация работы. Основные результаты исследований докладывались на XI Конференции по химии высокочистых веществ (г. Н.Новгород, 2000); Международной конференции «Металлоорганические соединения - материалы будущего тысячелетия» (III Разуваевские чтения) г. Н.Новгород, 2000); XII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Харьков, Украина, 2001); XIV Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике» (г. Харьков, Украина, 2002); II Международном симпозиуме «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах» (г. Минск, Беларусь, 2002); Международной конференции «Новые идеи в химии элементоорганических и координационных соединений. Взгляд из XXI века», (г.Н.Новгород, 2002); Европейском конгрессе «Materials Week 2002» (г. Мюнхен, Германия, 2002); IX Международном симпозиуме «Высокочистые металлические и ? полупроводниковые материалы и сплавы» (г. Харьков, Украина, 2003); Европейском конгрессе «Euromat 2003» (г. Лозанна, Швейцария, 2003); X Международной конференции «Карбид кремния и родственные материалы 2003» ICSCRM 2003 (г. Лион, Франция, 2003); V Международной конференции «Высокотемпературные керамоматричные композиты» НТСМС-5 (г. Сиэтл, США, 2004).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 4 статьи в реферируемых научных журналах, 2 статьи в сборниках трудов институтов (МИТХТ и ИТЭС), 3 полных текста докладов в рецензируемых сборниках трудов международных конференций, 3 полных текста доклада в нерецензируемых сборниках трудов международных конференций и 5 тезисов докладов на международных научных конференциях.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, литературного обзора, двух экспериментальных глав, включающих обсуждение полученных результатов, выводов и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 188 страниц печатного текста, в том числе, 44 рисунка, 39 таблиц. Список литературы включает 229 наименований. Отдельные таблицы и рисунки вынесены в приложения.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Симоненко, Елизавета Петровна

ВЫВОДЫ

1. Осуществлен направленный выбор и синтез комплексных соединений, имеющих молекулярное строение, заданную степень координационного насыщения и прогнозируемые свойства (гидролитическую активность или летучесть) элементов IV группы (кремний, титан, цирконий) и НА группы (стронций, барий) - перспективных прекурсоров для получения простых и сложных оксидов металлов методами CVD и золь-гель техники. Изучено строение синтезированных соединений в связи с практически важными свойствами.

2. Выбраны исходные реагенты для получения допированных диборидом титана или карбидом кремния материалов с использованием золь-гель техники; проведено также совместное осаждение гидроксоформ титана и бора. Осуществлен высокотемпературный синтез композиционных материалов в условиях, определенных на основании термодинамического анализа систем с использованием ресурсов комплекса ИВТАНТЕРМО.

3. Синтезировано соединение [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2] из [Zr(C5H702)4] по разработанной оригинальной методике направленного синтеза смешаннолигандных соединений типа алкоксо-р-дикетонатов; предварительно обоснован выбор алкоксо-группы для замещения р-дикетонатной группы. Усовершенствованы известные методики синтеза гомолигандных 2,4-пентандионатов и алкоксидов.

4. Исследовано строение молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола, а также синтезированных веществ [Zr(C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr(OCH(CF3)2)4] методом газовой электронографии с привлечением данных расчетных методов и ИК-спектроскопии. Рассчитаны термодинамические функции соединений в интервале 300-1000 К. Оценены значения их энтальпий образования AfH°(298.15) методом ад дитивных вкладов и изодесмических реакций.

Синтезированы летучие координационные соединения [Bal8C6(C5H02F6)2] и [Sr 15C5(C5H02F6)2] по новой методике из водно-спиртовых растворов неорганических солей (нитратов, хлоридов).

Проанализирован процесс парообразования синтезированных [Zr(CsH702)2((CF3)2CH0)2], [Bal 8C6(C5H02F6)2], [Sr 15C5(C5H02F6)2] и модельных соединений [^((ОШгШ^НШзХЩСНзЩСНз^Ь и [Ti((0CH2CH2)2NCH3)(0C(C2H5)2C(C2H5)20)]2 с использованием методов структурно-термохимического подхода.

Заключение

2.2.2.3. «Анализ процесса парообразования соединений [Sr(15C5)(C5H02F6)2] и [Ba(18C6)(C5H02F6)2]»

1. Определены с использованием структурно-термохимического подхода а) степень экранирования центрального атома, б) число и типы вероятных межмолекулярных контактов, Рассчитаны по методу аддитивных вкладов значения энтальпий испарения.

2. Выявлен эффект теплового «дыхания» кольца макроциклического лиганда — структурные изменения при переходе в газовую фазу с появлением дополнительных межмолекулярные взаимодействий, что проявляется в несовпадении теоретических и экспериментальных значений энтальпий сублимации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Симоненко, Елизавета Петровна, 2004 год

1. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат. — 1991. 1232с.

2. Лидин Р.А., Молочко В.А., Андреева Л.Л. Химические свойства неорганических веществ. -М.: Химия, Наука. — 1997. -С.112, 83, 358.

3. Лидин Р.А., Андреева Л.Л., Молочко В.А. Справочник по неорганической химии. -М.: Химия. 1987. -С. 164, 197, 205.

4. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. — М.: Химия. — 1968. 472 с.5. http://www.stn-international.ru/BASES/compende.html

5. Wright P.J., Crosbie M.J. et al. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) of oxides and ferroelectric materials // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2002. - Vol. 13. - 11.- P. 671 -678.

6. Andrieux M., Viallet V. et al. Dual-source chemical vapour deposition of strontium and zirconium p-diketonates for strontium zirconate perovskite films // Applied Surface Science. 2004. - Vol. 222. - 1-4. - P. 351-356.

7. Song H.Z., Wang. H.B. et al. Aerosol-assisted MOCVD growth of Gd203-doped Ce02 thin SOFC electrolyte film on anode substrate// Solid State Ionics. 2003. — Vol. 156.-3-4.-P. 249-254.

8. Goswami J., Wang. Chang-Gong et al. MOCVD of Platinum Films from (CH3)3CH3CpPt and Pt(acac)2: Nanostructure, Conformality, and Electrical Resistivity // Advanced Materials. 2003. - Vol. 15.-16. -P. 213-220.

9. Nable, Jun C. et al. MOCVD of aluminum oxide barrier coating // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2002. - Vol. 750 - P. 437-442.

10. Singh M.P., Raghavan G. et al. Carbonaceous alumina films deposited by MOCVD from aluminium acetylacetonate: A spectroscopic ellipsometry study // Bulletin of Materials Science. 2002. - Vol. 25. - 2- P. 163-168.

11. Skordas S., Papadatos F. et al. Low temperature metal organic chemical vapor deposition of aluminum oxide thin films for advanced CMOS gate dielectric applications // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2002. — Vol. 716 —P. 183-188.

12. Chang, Yuneng, Yeh, Chihhsiang Zinc oxide/copper oxide mixed films deposited by CVD // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2001. - Vol. 672. - P. 08.37.1-08.37.6.

13. Fischer Rivera E., Atakan B. et al. CVD deposition of cobalt oxide (C03O4) from Co(acac)2 // Journal De Physique IV: JP .- 2001. Vol. 11. - 3. -P. Pr3629-Pr3635.

14. Shalini K., Mane A.U. et al. Epitaxial growth of C03O4 films by low temperature, low pressure chemical vapor deposition // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. - Vol. 619. - P. 129-134.

15. Bertrand G.L., Caboche G., Dufour L.-C. Low-pressure-MOCVD LaMn03; very thin films on YSZ (100) optimized for studies of the triple phase boundary // Solid State Ionics. 2000. - Vol. 129. -1. -P. 219-235.

16. Wang A., Edleman N.L. et al. Metal-organic chemical vapor deposition of Zn-In-Sn-O and Ga-In-Sn-O transparent conducting oxide thin films // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. — Vol. 607. - P. 345-352.

17. Matsuura Yuji, Miura Daisuke, Miyagi Mitsunobu Fabrication of hollow fibers for C02 laser by using MOCVD method // The International Society for Optical Engineering: Proceedings of SPIE. 1998. - Vol. 3262. - P. 119-124.

18. Meng G.Y., Huang L. et al. Preparation and characterization of Pd and Pd-Ni alloy membranes on porous substrates by MOCVD with mixed metal P-diketone precursors // Materials Research Bulletin. 1997. - Vol. 32. - 4. -P. 385-395.

19. Kim Seok, Choi Doo-Jin et al. Characteristics of chemical-vapor-deposited copper on the Cu-seeded TiN substrates // Thin Solid Films. — 1997. Vol. 311.-1-2.-P. 218-224.

20. Lang, Frank-Rene; Dahmen, Klaus-Hermann Influence of deposits in a metal-organic chemical vapor deposition apparatus on the stability of precursors // Thin Solid Films. 1994. - Vol. 241. - 1-2. - P. 378-382.

21. Chevalier S., Bonnet G., Larpin J.P. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Cr203 and Nd203 coatings. Oxide growth kinetics and characterization // Applied Surface Science. 2000. - Vol. 167. - P. 125-133.

22. Pyo Sung Gyu, Min Woo Sig et al. Superfilling characteristic and evaluation of chemically enhanced CVD(CECVD) Cu process // Advanced Metallization Conference (AMC). 2001. - P. 209-214.

23. Condorelli G.G., Gennaro S., Fragala I.L. In-situ synthesis of the anhydrous La(hfac)3 precursor: A viable route to the MOCVD of LaF3 // Advanced Materials. -2001.-Vol. 13. P. 151-156.

24. Babcock J.R., Wang A. et al. Development and implementation of new volatile Cd and Zn precursors for the growth of transparent conducting oxide thin films via MOCVD // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. - Vol. 623,-P. 317-328.

25. Barreca D., Benetollo F. et al. Metal organic chemical vapor deposition of Co-, Mn-, Co-Zr and Mn-Zr oxide thin films // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. - Vol. 606. - P. 69-74.

26. Amjoud, M., Mauiy F. MOCVD and properties of in situ doped Pt-Sn02 thin films // Journal De Physique. IV : JP.- 1999. Vol. 9 pt 2. - 8. - P. Pr8-643 - Pr8-650.

27. Kaloyeros Alain E., Feng Aiguo etal. Low-temperature metal-organic chemical vapor deposition (LTMOCVD) of device-quality copper films for microelectronic applications // Journal of Electronic Materials. — 1990. Vol. 19. — 3.-P. 271-276.

28. Hones Peter, Levy Francis et al. MOCVD of thin ruthenium oxide films: Properties and growth kinetics // Advanced Materials. — 2000. Vol. 12. — 15. - P. 193-198.

29. Brooks Jonathan, Davies Hywel O. etal. Crystal structure of unadducted strontium bis-tetramethylheptanedionate: the standard precursor for the MOCVD of strontium-containing oxides // Advanced Materials. 2000. - Vol. 12. - 7. - P. 66-69.

30. Boo Jin-Hyo, Lee Soon-Bo et al. Growth of magnesium oxide thin films using single molecular precursors by metal-organic chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1999. - Vol. 341. - 1-2. - P. 63-67.

31. Dubourdieu C., Kang S.B. et al. Solid single-source metal organic chemical vapor deposition of yttria-stabilized zirconia // Thin Solid Films. 1999. - Vol. 339.- 1-2.-P. 165-173.

32. Hendricks Warren C., Desu Seshu В., Tsai Chubg Yi Structure and kinetics study of MOCVD lead oxide (PbO) from lead bis-tetramethylheptadionate

33. Pb(thd)2) // Materials Research Society Symposium Proceedings: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. — 1994. Vol. 335. - P. 215220.

34. Si Jie, Desu Seshu В., Tsai Ching Yi Metal-organic chemical vapor deposition of Zr02 films using Zr(thd)4 as precursors // Journal of Materials Research. -1994. Vol. 9.-1.- P. 1721-1727.

35. Becht M., Atamny F. et al. Morphology analysis of nickel thin films grown by MOCVD // Surface Science. 1997. - Vol. 371. - 2-3. - P. 399-408.

36. Becht M., Morishita T. Thin film growth and microstructure analysis of Ce02 prepared by MOCVD // Chemical Vapor Deposition. 1996. - Vol. 2. - 5. - P. 191-197.

37. Becht M., Morishita T. Thin film growth and microstructure analysis of Ce02 prepared by MOCVD // Advanced Materials. 1996. - Vol. 8. - 9. - P. 191-197.

38. Rappoli B. J., DeSisto W.J. MOCVD HTSC precursor delivery monitored by UV spectroscopy // Materials Research Society Symposium: Proceedings Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. 1996. - Vol. 415. -P. 149-154.

39. Lane P.A., Crosbie M. J. et al. The metal-organic CVD of lanthanum nickelate electrodes for use in ferroelectric devices // Advanced Materials. — 2003. Vol. 15. - 6. - P. 87-92.

40. Tu R., Kimura Т., Goto T. Rapid synthesis of yttria-partially-stabilized zirconia films by metal-organic chemical vapor deposition // Materials Transactions. — 2002. -• Vol. 43. 9. - P. 2354-2356.

41. Nagashima К., Funakubo H. et al. Thermal stability of Pb(CnH,902)2 used as the lead source in MOCVD // Advanced Materials. 2000. - Vol. 12. - 22. - P. 311-314.

42. Wang A., Cheng S.C. et al. Metal-organic chemical vapor deposition routes to films of transparent conducting oxides // Materials Research: Chemical Aspects of Electronic Ceramics Processing. 1998. - Vol. 495. - P. 3-10.

43. Dutta A., Goswami J., Shivashankar S.A. Nucleation and growth study of copper thin films on different substrates and wetting layers by metal-organic chemical vapour deposition // Bulletin of Materials Science. -1995. Vol. 18. - 7. -P. 901-910.

44. McAleese J., Plakatouras J.C., Steele B.C.H. Use of Ce(fod)4 as a precursor for the growth of ceria films by metal-organic chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1996. - Vol. 280. - 1-2. - P. 152-159.

45. Hwang C. S., Kim H.J. Deposition of Pb(Zr,Ti)C>3 thin films by metal-organic chemical vapor deposition using P-diketonate precursors at low temperatures // Journal of the American Ceramic Society. 1995. - Vol. 78. - 2. - P. 329-336.

46. Li W.J., Wu Z.M. et al. Preparation and structural evolution of ТЮ2 thin films by low pressure MOCVD // Acta Metallurgica Sinica (English Letters). — 2000. -Vol. 13.-6.-P. 1113-1118.

47. Angelescu A., Kleps I. et al. Ti02-M0CVD thin films on large area macroporous silicon for capacitor applications // Proceedings of the International Semiconductor Conference. CAS. 1999. - Vol. 1. - P. 209-212.

48. Gao Y. In-situ IR and spectroscopic ellipsometric analysis of growth process and structural properties of TiixNbx02 thin films by metal-organic chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1999. - Vol. 346. - 1-2. - P. 73-81.

49. Babelon P., Dequiedt A.S. et al. SEM and XPS studies of titanium dioxide thin films grown by MOCVD // Thin Solid Films. 1998. - Vol. 322. - 1-2. - P. 636785. 190.

50. Jin H., Huang C. Research on thin ТЮ2 films prepared by MOCVD // Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors. —1997. Vol. 18. - 2. - P. 97102.

51. Battiston G.A., Gerbasi R. et al. MOCVD deposition of ТЮ2 thin films on titanium dental implants // Le Vide Science and Technique and Applications. Hard Coatings. 1996.-279.- P. 215-217.

52. Kaiser D. L., Vaudin M. D. et al. Growth of BaTi03 thin films by MOCVD // Materials Research Society Symposium Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. 1994. - Vol. 335. - P. 47-52.

53. Chandler C.D., Hampden-Smith M.J., Schwartz R.W. Ferroelectric thin films via sol-gel processing of single-source precursor // Materials Research Society Symposium Proceedings. Ferroelectric Thin Films III. 1993. - Vol. 310. - P. 357362.

54. Kim Jimin, Han Gui Young, Chung Chan-Hwa Encapsulating the electroluminescent phosphor micro-particles using a pulsed metal-organicchemical vapor deposition process in a fluidized bed // Thin Solid Films.- 2002. -Vol. 409.-1.-P. 58-65.

55. Barreca D., Battiston G.A. et al. А12Оз growth optimisation using aluminium dimethylisopropoxide as precursor as a function of reaction conditions and reacting gases // Journal De Physique. IV : JP. 2001. - Vol. 11. - 3. - P. Pr3539-Pr3546.

56. Bellman R., Raj R. Design and performance of a new type of Knudsen cell for chemical beam epitaxy using metal-organic precursors // Vacuum. 1997. - Vol. 48.-2.-P. 165-173.

57. Frohlich K., Machajdik D. et al. Growth of SrTi03 thin epitaxial films by aerosol MOCVD // Thin Solid Films. 1995. - Vol. 260. - 2. - P. 187-191.

58. Hofinan R., Westheim J.G.F. et al. Protection of alloys against high temperature sulphidation by Si02-coatings deposited by MOCVD // Materials and Manufacturing Processes. 1992. - Vol. 7. - 2. - P. 227-238.

59. Seifried, S.; Winterer, M.; Hahn, H. Nanocrystalline gradient films through chemical vapor synthesis // Scripta Materialia. 2001. - Vol. 44. - 8-9. - P. 21652168.

60. Malandrino G., Borzi A.M. et al. Synthesis, crystal structure and mass transport properties of novel thallium ion precursors for MOCVD applications // Journal of the Chemical Society. Dalton Transactions. — 2003. — 3. P. 369-374.

61. Garcia G., Caro J. et al. Pulsed Injection MOCVD of YSZ Thin Films onto Dense and Porous Substrates // Advanced Materials. 2003. - Vol. 15. — 20. - P. 279-284.

62. Schumacher M., Lindner J. et al. MOCVD for complex multicomponent thin films A leading edge technology for next generation devices // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2002. - Vol. 5. - 2-3. - P. 85-91.

63. Condorelli G.G., Gennaro S., Fragala I. L. In-situ gas-phase FTIR monitoring of MOCVD processes: LaF3 films using the second generation La(hfac)3•diglyme precursor // Advanced Materials. 2000. - Vol. 12. - 15. - P. 185-192.

64. Teren A.R., Belot J.A. et al. MOCVD of epitaxial BaTi03 films using a liquid barium precursor // Advanced Materials. 2000. - Vol. 12.- 15. - P. 175-177.

65. Malandrino G., Lo Nigro R. et al. . Volatile Ce(III) hexafluoroacetylacetonate glyme adducts as promising precursors for the MOCVD of Ce02 thin films.// Advanced Materials. 2000. - Vol. 12. - 19. - P. 233-238.

66. Wang Z., Oda Sh. Atomic layer-by-layer metal-organic chemical vapor deposition of SrTi03 films with a very smooth surface // Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers. 1998. - Vol. 37. - ЗА. - P. 942-947.

67. McAleese J., Darr J. A., Steele B.C.H. Synthesis and thermal evaluation of a novel cerium precursor to grow thick ceria films by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) // Chemical Vapor Deposition. 1996. - Vol. 2. - 6. - P. 244-247.

68. McAllese J., Plakatouras J.C., Steele B.C.H. Thin film growth of gadolinia by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) // Thin Solid Films. 1996. -Vol. 286.- 1-2.-P. 64-71.

69. Meinema H.A., Timmer K. et al. Synthetic strategies for MOCVD precursors for HTcS thin films // Materials Research Society Symposium Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. — 1994. Vol. 335. -P. 193-201.

70. Zurcher S., Morstein M. et al. New single-source precursors for the MOCVD of high- dielectric zirconium silicates to replace Si02 in semiconducting devices // Advanced Materials. 2002. - Vol. 14. - 13-14. - P. 171-177.

71. Min Y.S., Cho Y.J. et al. Influence of thermal decomposition behavior of titanium precursors on (Ba,Sr)Ti03 thin films // Journal De Physique. IV : JP. — 2001. Vol. 11. - 3. - P. Pr3675-Pr3682.

72. Gallegos J.J. III, Ward T.L. et al. Neo-pentoxide precursors for MOCVD thin films of Ti02 and Zr02// Advanced Materials. 2000. - Vol. 12. - 3. - P. 21-26.

73. Roeder J.F., Baum Т.Н. et al. Liquid-delivery MOCVD: Chemical and process perspectives on ferro-electric thin film growth // Advanced Materials for Optics and Electronics. 2000. - Vol. 10. - 3-5. - P. 145-154.

74. Jones A.C., Leedham T.J. et al. MOCVD of zirconia thin films by direct liquid injection using a new class of zirconium precursor // Advanced Materials. — 1998. -Vol. 10.-4.-P. 46-49.

75. Neumayer D.A., Duncombe P.R. et al. Chemical solution deposition of BaSrTi03 films // Integrated Ferroelectrics. 1997. - Vol. 18. - 1-4. pt 2. - P. 297309.

76. Leedham T.J. From proposal to product: scaling up the chemical synthesis of MOCVD oxide precursors // Materials Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. -1996. Vol. 415.-P. 79-85.

77. Otway D.J., Luten H.A. et al. Investigation into the role of incorporated solvent (Et0H/H20) molecules on the structure of group 2 metal bis(P-diketonate) complexes: ramifications for CVD precursors of electronic materials // Materials

78. Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. 1996. - Vol. 415. - P. 105-110.

79. Beach D.B., Vallet C.E. MOCVD of very thin films of lead lanthanum titanate // Materials Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics IL 1996. - Vol. 415. - P. 225-230.

80. Miki H., Ohji Yu., Tachi Sh. Sub-nanometer-equivalent PZT thin films fabricated by low-temperature MOCVD // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993. - Vol. 284. - P. 535-540.

81. Park H.-Ho, Yoon S. et al. Electrical properties of PZT thin films by photochemical deposition // Thin Solid Films. 2004. - Vol. 447-448.- P. 669-673.

82. Dougherty Т. K., Drab J. et al. A new ferroelectric varactor from water based inorganic precursors // Materials Research Society Symposium Proceedings. -2002. - Vol. 720. - P. 23-28.

83. Kaddouri A., Gronchi P. et al. On the preparation of Ni-La supported on silica by sol-gel process via propionates // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2000. - Vol. 62. - 3. - P. 609-619.

84. Accoroni M., Battiston G.A., Gerbasi R., Tiziani A. MOCVD engineering and economic analysis for biomaterial coatings // Materials Science Forum. — 2000. Vol. 352. - P. 159-164.

85. Westin G., Ekstrand A., Zangellini E., Borjesson L. Preparation and optical studies of Er-doped Al-Si-Ti oxide glasses using the ErAl3(OPri)12 isolated Er-ion precursor // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. - Vol. 61. — 1. - P. 67-74.

86. Battiston G.A., Gerbasi R. et al. Dental implants of complex form coated by nanostructured ТЮ2 thin films via MOCVD // Materials Science Forum. 2000. -Vol. 352.-P. 151-158.

87. Kaddouri A., Mazzocchia C. et al. J. Sol-gel processing of copper-chromium catalysts for ester hydrogenation // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. — 1998. Vol. 53. - 2. - P. 533-545.

88. Laubersheimer J., Ritzhaupt-kleissl H.-J. et al. Electrophoretic deposition of sol-gel ceramic microcomponents using UV-curable alkoxide precursors // Journal of the European Ceramic Society. 1998. - Vol. 18. - 3. - P. 255-260.

89. Ravichandran D., Meyer R. Jr. et al. Sol-gel synthesis of Ba(Mg1/3Ta2/3)03: phase pure powder and thin films // Materials Research Bulletin. — 1996. Vol. 31. -7.-P. 817-8251.

90. Spiccia L., Watkins I.D., West B.O. Sol-gel processing of ceramics // Materials Forum. Materials Processing. 1996. - Vol. 20. - P. 171-191.

91. Akin Y., Celik E., Sigmund W., Hascicek Y.S. Textured Ce02 thin films on nickel tape by sol-gel process // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 2003. - Vol. 13.-2 III. - P. 2563-2566.

92. Akin Y., HeibaZ.K., Sigmund W., Hascicek Y.S. Engineered oxide thin films as 100% lattice match buffer layers for YBCO coated conductors // Solid-State Electronics.- 2003. Vol. 47. - 12. - P. 2171-2175.

93. Yamane M. Preparation of thick PZT ceramic film by an interfacial polymerization // Journal of Sol-Gel Science and Technology. — 1998. Vol. 13 -1-3.-P. 821-825.

94. Зимон А.Д., Лещенко Н.Ф. Коллоидная химия. М.: Химия. 1995. - С. 222, 234-237.

95. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. М.: Химия. 1989. - С. 314-318.

96. Воюцкий С.С. Курс коллоидной химии. М.: Химия. 1975. - С. 223-254.

97. Харламов А.Н., Лунина Е.В., Лунин В.В. //Журн. физической химии. -1994. Т. 68. -4. -С. 692-697.

98. Горохова Е.В., Назаров В.В., Медведкова Н.Г. и др.// Коллоид, журн. -1993.-Т. 55.-1.-С. 30-34.

99. Назаров В.В., Доу Шэн Юань, Фролов Ю.Г.// Коллоид, журн. 1991. - Т. 53.-5.-С. 880-882.

100. Горощенко Я.Г. Химия титана. Киев: Наукова думка. — 1972. — С. 30.

101. Bischoff F., Adkins Н.// J. Am. Chem. Soc. 1924. - 46. - P. 256.

102. Wright D.A., Williams D.A.// Acta Cristallogr. Sect. 1968. - 24. - P. 1107.

103. Яновский А.И., Долгушин Ф.М. и др.// Журн. Неорган. Химии. — 1997.— 42.-С. 450.

104. Boyle Т.J., Alam Т.М., Mechenbier E.R., Scott B.L., Ziller J.M.// Inorg. Chem. 1997. - 36. - P. 3293.

105. Day V.W., Eberspacher T.A., Klemperer W.G., Park C.W.// J. Am. Chem. Soc.-1993.-115.-P. 8469.

106. Day V.W., Eberspacher T.A., Klemperer W.G., Park C.W., Rosenberg F.S. // J. Am. Chem. Soc. 1991. - 113. - P. 8190.

107. Day V.W., Eberspacher T.A., Yuewu Chen, Jinling Hao, Klemperer W.G. // Inorg. Chim. Acta. 1995. - 226. - P. 391.

108. Эмсли Дж. Элементы. M.: Мир. - 1993. - С.22,90,222.

109. Yamada К. et al.// J. Non-Crystalline Solids. 1998. - 100. - P. 316-320.

110. Guinebretiere R., Dauger A., Lecomte A., Vesteghem H. //J. of Non-Crystalline Solids. 1992. - 147-148. - P. 542-547.

111. Samuels J.A., Lobkovsky E.B. et al.// J. Am. Chem. Soc. 1993. - 115. - P. 5093.

112. Fisher J., Vandersluys W.G., Huffman J.C., Sears J.//Synthesis and Reactivity in Inorgganic and Metal-Organic Chemistry. 1993. - 23. - 3. - P. 479.

113. Campbell C., Bott S.G., Larsen R., Van der Sluysw G. // Inorg. Chem. -1994.-33.-P. 4950.

114. Pajot N., Papiernik R., Hubert-Pfalzgraf L.G., Vaissermann J., Parraud S. // J. Chem. Soc. Chem. Comm. 1995. - P.l 817.

115. Boyle T.J., Schwartz R.W., Doedens R.J., Ziller J.W. // Inorg. Chem. 1995. -34.-P. 1110.

116. Schubert U., Tewinkel F., Moller F. // Inorg. Chem. 1995. - 34. - P. 995.

117. Lubben T.V., Wolczansky P.T. // J. Am. Chem. Soc. 1987. - 109. - P. 424.

118. Gautier-Luneau I., Mosset A., Galy J. // Z. Krissstallogr. 1987. - 180. - P. 83.

119. Wakeshima I., Ohta K., Kasma Y. // Nippon Kagaku Kaishi. 1994. - 9. - P. 805.

120. Errington R.J., Ridland J., Clegg W., Coxall R.A., Sherwood J.M. // Polyhedron. 1998. - 17. - P. 659.

121. Moran P.D., Rickard C.E.F., Bowmarker G.A., Cooney R.P., Bartlett J.R., Woolfrey J.L. // Inorg. Chem. 1998. - 37. - P. 1417.

122. Jin Ling, Wang Fang, Ming Miao, Xiu Ju, Fan Xiao, Feng Ji, Tao Wang II Acta Cryst.,C(Cr. Str. Comm.). 1990. - 46. - P. 1633.

123. Вилков JI.B., Мастрюков B.C., Садова Н.И. Определение геометрического строения свободных молекул. -М.: Химия. -1978. -С. 5, 131.

124. Рамбиди Н.Г., Спиридонов В.П. // Теплофизика высоких температур.-1964. -Т. 2. -2. -С. 280.

125. Wierl R. // Ann. Physik. -1931. -8. -P. 521.

126. Спиридонов В.П., Рамбиди Н.Г., Алексеев Н.В. // Журн. структ. химии. — 1963.-Т. 4. -5.-С. 779.

127. Молекулярные структуры. Прецизионные методы исследования. / Под ред. Доменикано А., Харгиттаи И. —М.: Мир. -1997. -671с.

128. Рамбиди Н.Г., Ежов Ю.С. //Журн. структур.химии.-1968.-Т.9. -2. -С.363-371.

129. Benston О J., Ewbank J.D., Paul D.W. et al. // Appl. Specrtosc. 1984. - Vol. 38.-2.-P. 204-208.

130. Hagen K., Hedberg K. // J. Amer. Chem. Soc. 1973. - Vol. 95. - 25. - P. 263-266.

131. Marstokk K.-M., Mollendal H. // J. Mol. Struct. -1977. Vol. 40. - 1. - P. 111.

132. Lowrey A.H., Georg C., D'Antonio P., Karle J. Structure of Acetylacetone by Electron Diffraction // J. Amer. Chem. Soc. 1971. - Vol. 93. - 24. -P. 63996403.

133. Andreassen A.L., Bauer S.H. The Structures of Acetylacetone, Trifluoroacetylacetone and Trifluoroacetone // J. Mol. Struct. 1972. - Vol. 12. -3. -P. 381-403.

134. Iijima K., Ohnogi A., Shibata S. The Molecular Structure of Acetylacetone an Studied by Gas-Phase Electron Diffraction //J. Mol. Struct. 1987. - Vol. 156.-1-2. - P. 111-118.

135. Andreassen A.L., Zebelman D., Bauer S.H. Hexafluroacetylacetone and Hexafluoroacetic Anhydride // J. Amer. Chem. Soc. — 1971. —Vol. 93. 5. -P. 1148-1152.

136. Ежов Ю.С., Комаров C.A., Севастьянов В.Г. Строение молекулы ацетилацетонатов гафния и циркония М^Н/Ог^ Н Ж. Структ. Химии — 1998.-Т. 39.-1.-С. 46-54.

137. Glegg W. // Acta Crystallogr. 1987. - 43С. - 4. - P. 789-795.

138. Пентин Ю.А., Вилков Л.В., Физические методы исследования в химии. -М.: Мир.-2003.-683 с.157. www.webbook.nist.gov

139. Pedley J.B., Computer Analysed Thermochemical Data: Organic and Organometallic Compounds. University of Sussex, Brigton.-1977

140. Bradley D.C., Hillyer M.J.//Trans. Faraday Soc.-1966. -62. -P. 2374.

141. Lappert, M.F.; Patil, D.S.; Pedley, J.B.// J. Chem. Soc., Chem. Commun.-1975.-P. 830.

142. Samsonov D.P., Grinberg E.E., Efremov A.AM Zhur. Prikl. Khim. 1979. -Vol. 52. -P. 1909-1911.

143. Sostero S., Traverso O., Magonh D., Photochemistry of uranium(IV) 1,3-diketonates in organic solvents // J. Chem. Soc. Dalton. Trans. 1980. — 8. - P. 1324-1327.

144. Grinberg E.E., Chernaya N.G., Efremov, A.AM Vysokochist. Veshchestva. -1988.-180.

145. Tolman С.А. // J. Amer. Chem. Soc. -1970.-92.-P.2956-65.

146. Tolman C.A. //Chem. Rev.-1977.-77.-P.313-348.

147. Bondi I// Chem. Rev.-1967.-Vol. 67.-6.-P.565-580.

148. Захаров JLH., Домрачев Г.А., Стручков Ю.Т.// Ж.структ.химии.-1983.-24. -3.-С.75-82.

149. Кузнецов Н.Т., Севастьянов В.Г., Филатов И.Ю., Захаров JI.H., Домрачев Т.AM Высокочистые вещества. 1989. - 6. - С. 42.

150. Домрачев Г.А., Севастьянов В.Г., Захаров Л.Н., Краснодубская С.В.// Высокочистые вещества. 1987. - 2. - С. 129.

151. Карапетьянц М.Х. Методы сравнительного расчета физико-химических свойств. -М.: Наука, 1965, -С. 404.

152. Лебедев Ю.А., Мирошниченко Е.А. Термохимия парообразования органических веществ. М.: Наука, 1981, -С.216

153. Яровой С.С. Методы расчета физико-химических свойств углеводородов. М.: Химия, 1978. -С.256

154. Gavezzotti A.//J. Amer. Chem. Soc. -1985, -Vol. 107. -4. -P.962.

155. Sevast'yanov V.G., Simonenko E.P. et al. Production of Composite Materials for Synthesis of Fullerene-like Clusters through Hydrolytically Active Solutions // European Congress Advaced Materials "Materials Week 2002". Q-339.

156. Sevasf yanov D.V., Sevast'yanov V.G., Simonenko E.P. et al. Vaporization of molecular titanium coordination compounds — a structural-thermochemical approach. // Thermochimica Acta. -2002. -V.381. 2. -P. 173.

157. Елютин В.П., Павлов Ю.А. Высокотемпературные материалы. М.: Металлургия, 1972. - 263с.

158. Gurvich L.V., Iorish V.S., et. al. IVTANTERMO.- A thermodynamic Database and Software System for the Personal Computer. User's Guide. CRC Press. Inc. Boca Raton. -1993

159. Иориш B.C., Белов Г.В., Юнгман B.C. Программный комплекс ИВТАНТЕРМО для Windows и его использование в прикладном термодинамическом анализе. Препринт ОИВТАН № 8-415. — М.: АП «Шанс», 1998. 56с.

160. Самсонов Г.В., Серебрякова Т.И., Нероков В.А. Бориды. -М.: Атомиздат, 1975. С.205.

161. Chase M.W., Jr. NIST-JANAF Thermochemical Tables, Forth Edition, J. Phys. Chem. Ref. Data.- Monograph 9.- 1998. -Vol.1.

162. Лучинский Г.П. Химия титана. M.: Химия, 1971. - С.186.

163. Кузьма Ю.Б., Чабан Н.Ф. Двойные и тройные системы, содержащие бор. Справочник. М.: Металлургия, 1990. - 317с.

164. Гусев А.И. // Докл. АН. 1996. - Т. 350. - 2. - С.209-212.

165. Jeung G.H., Koutecky J. //J.Chem. Phys. 1988. - Vol. 88. - 6. - P. 37473760.

166. Kerkines I.S.K., Mavridis A. //J.Phys. Chem. A. 2000. - Vol. 101.-50. P. 11777-11785.

167. Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. M.: Металлургия, 1977. -216 с.

168. Gardner,U.S. 6,673,279, January 6, 2004 Method of forming ecoceramic-based silicon-carbide tooling for composites and method for forming composites using same.

169. Шрейдер В.А., Туревская Е.П., Козлова Н.И., Турова Н.Я.// Изв. АН СССР. Сер. хим. 1981. - Т. 10. - 8. - С.1687.

170. Kemmit T.,.Daglish М.// J. Inorg. Chem. 1998. - .37. - С. 2063.

171. Morstein M. Volatile zircdonium bis(acetylacetonato)bis(alcoholato) complexes containing heterosubstituted alcoholato ligands // Inorg. Chem. — 1999.-38.-1.-P. 125-131.

172. Morstein M., Pozsgai I., Spencer N.D. Composition and microstructure of zirconia films obtained by MOCVD with a new, liguid, mixed acetylacetonato-alcoholato precursor // Chem. Vapor Deposition. 1999- Vol. 5. - 4. -P. 151-158.

173. Симоненко Е.П., Севастьянов В.Г, Кузнецов Н.Т. // Химия. Сб. научн. трудов. М.:МИТХТ. - 1999. - С.45.

174. Севастьянов Д.В.// Не опубликованные данные.

175. Кузнецов Н.Т.,. Севастьянов В.Г, Симоненко Е.П. и др.// XI Конференция по химии высокочистых веществ: Тез. докл. Н.Новгород. -2000. - С.280.

176. Рамбиди Н.Г., Ежов Ю.С. // Журн. структур, химии. -1967. Т.8,- С. 1218.

177. Наумов В.А., Катаева О.Н. Молекулярное строение органических соединений кислорода и серы в газовой фазе. М.: Наука, - 1990. - С. - 5 - 7.

178. Ulenikov O.N., Molikova А.В. // J.MoI.Struct. -1991. -Vol. 145. 2. -P. 262-269.

179. Симоненко Е.П., Севастьянов В.Г., Ежов Ю.С., Исследование строения молекулы 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола методом газовой электронографии // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 2004. - Т. 8. - С. 39.

180. Краснощекое С.В., Степанов Н.Ф., Панченко Ю.Н. // Ж. структ. химии.-1998.-Т. 39.-2.-С.210.

181. Новиков В.П., Малышев А.И.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1980.-Т.ЗЗ. 3. - С.545-548.

182. Внутреннее вращение молекул/ Под ред. В. Дж. Орвилл-Томаса. -М.: Мир. -1977. -С.155, 168.

183. Тюлин В.И., Бачи-Том П.А.Л., Матвеев В.К.// Изв.Акад.наук, сер.химическая. 1999. - 3. -С.239.

184. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание в 4-х т./ Л.В. Гурвич, И.В. Вейц, В.А. Медведев и др. — М.: Наука, 1982.-Т. I, И, IV.

185. Green J.H.S.//Trans. Far. Soc.-1963.-Vol. 59. 7.- Р.1559-1563.

186. Полянская Т.М., Гатилов Ю.В., Мартынова Т.Н., Никулина Л.Д. // Журн. Структурн. Химии. -1992. -Т. 33. -2. -С.190.

187. Севастьянов В.Г., Симоненко Е.П., Севастьянов Д.В., Кузнецов Н.Т. Парообразование молекулярных Р-дикетонатов стронция и бария Sr(15K5)(C502F6H)2. и [Ва(18К6)(С502рбН)2].- структурно-термохимический подход. // Координационная Химия, 2004. в печати

188. Norman J.A.T., Pez G.P. Volatile Barium, Strontium and Calcium bis(hexafluoroacetylacetonate)(crown ether) Complexes. // J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1991. - 14. -P.971.

189. Севастьянов Д.В., Севастьянов В.Г., Симоненко Е.П., Кеммит Т. и др.// 12-ый Международный симпозиум "Тонкие пленки в электронике": Сб. докл. Харьков. -2001. -С. 182.

190. Kemmitt Т., Gainford G.J., Robson-Marsden Н.// Manuscript in preparation.

191. Микельсаар P.-X.H., Брусков В.И., Полтнев В.И. Новые прецизионные модели: Информационный материал. — Пушино. 1985.

192. Sevasf yanov D.V./ unpublished computer program. — 1999.

193. Spek A.L.// Acta Cryst. 1990. - A46. - P. 34.

194. Sevast'yanov D.V., Sevasf yanov V.G.// unpublished computer program. — 1999.

195. Benson S.W., Buss J.H. // J. Chem. Phys. 1958. - 29. - P. 546.

196. Benson S.W., Gruickshank D.M., Golden D.M. et al./ Chem. Rev. 1969. -69.-P. 279.

197. Redley J.B., Naylor R.D., Kirby S.P., Thermochemical Data of Organic Compounds. London, New York. - 1986.

198. Карапетьянц X. Химическая термодинамика. M.JI.: Госхимиздат, 1953.

199. Buckley Е., Herington E.F.G. Equilibria in some secondary alcohol + hydrogen + ketone systems/ATrans. Faraday Soc. 1965. - 61. - P. 1618-1625.

200. Дорофеева O.B., Юнгман B.C. Неэмпирические квантовомеханические расчеты термодинамических свойств газообразных бифенила, 2,2'- и 4,4'-дихлорбифенилов // Сборник «Теплофизические свойства веществ». — 2001. — С. 59-64.

201. Ежов Ю.С., Симоненко Е.П., Севастьянов В.Г. Строение молекулы и термодинамические свойства 1,1,1,3,3,3 -гексафтор-2-пропанола (гексафторизопропанола)// Журн.Физ.химии. 2002. - Т.76. - 5. -С. 883-887.

202. Tables of interatomic distances and configuration in molecules and ions, Special Publication № 11, w. 1, London, The chemical society Burlington House, 1958. P. M128, Ml20, M106, M105.

203. Тельной В.И., Рабинович И.Б. Термохимия органических соединений переходных металлов//Успехи химии. — 1977. Т.64. 8. - С. 1337—1367.

204. Севастьянов В.Г. Летучие координационно-насыщенные соединения урана: Дисс. д-ра хим. наук. — М., 1991. -393с.

205. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. -Л.: Химия, 1977,-С. 21.

206. Хьюи Дж. Неорганическая химия. М.: Химия, 1987. - С. 174.