Синтез и очистка GaEt3 и [SiH2]5-прекурсоров для создания полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.08, кандидат химических наук Шатунов, Валерий Владимирович

• Шатунов, Валерий Владимирович
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Шатунов, Валерий Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ХИМИЯ ГАЛЛИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ И

ЦИКЛОСИЛАНОВ КАК ПРЕКУРСОРОВ НОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Некоторые исторические аспекты физики полупроводников и их применения.

Т. 1.1. Транзисторы.

1.1.2. Преобразователи солнечной энергии (солнечные элементы).

1.1.3. Физика полупроводников в настоящее время.

1.2. Эпитаксиальные методы выращивания полупроводниковых структур. Сравнительный анализ.

1.2.1. Жидкостная эпитаксия (LPE).

1.2.2. Газовая эпитаксия (VPE).

1.2.3. Молекулярная эпитаксия (МВБ).

1.2.4. Металлоорганическая газовая эпитаксия (MOVPE).

1.3. Концепция химии высокочистых веществ.

1.4. Методы синтеза галлийорганических соединений.

1.4.1. Синтез галлийорганических соединений через алюминийорганические соединения.'.

I. 4.2. Синтез галлийорганических соединений через цинкорганические соединения.

1.4.3. Синтез галлийорганических соединений через ртутьорганические соединения.

1.4.4. Синтез галлийорганических соединений через органические производные лития.

1.4.5. Электрохимический способ получения галлийорганических соединений.

1.4.5.1. Электролиз диметилмагния.

1.4.5.2. Электролиз реактивов Гриньяра.

1.4.6. Прямой синтез органических производных галлия.

1.4.7. Синтез галлийорганических соединений с использованием реактива Гриньяра.

1.5. Комплексные галлийорганические соединения.

1.5.1.Теоретические основы электроно-донорно-акцепторного (ЭДА) взаимодействия.

1.5.1.1. Потенциал ионизации донора.

1.5.1.2.Принцип максимума перекрывания орбиталей. Возникновение дативного взаимодействия.

1.5.2. Комплексные соединения органических производных галлия.

1.5.3. Новые комплексные соединения галлия с органическими производными элементов 15 и 16 групп.

1.5.3.1. Комплексные соединения с производными азота.

1.5.3.2. Комплексные соединения с производными фосфора и мышьяка.

1.6. Циклополисиланы.

1.6.1. Циклотрисиланы.

1.6.2. Циклотетрасиланы.

1.6.3. Циклопентасиланы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и очистка GaEt3 и [SiH2]5-прекурсоров для создания полупроводниковых структур»

Бурное развитие техники во второй половине прошлого века в области создания средств автоматизации, управления, информации выдвинуло перед электронной промышленностью требования к надёжности, микроминиатюаризации, быстродействию, стабильности параметров и другим свойствам электронных устройств. Это привело к интенсивному развитию технологии создания микроэлектронных приборов на твердотельных подложках. В свою очередь проблемы развития технологии изготовления таких приборов выдвинули совершенно новые повышенные требования, как к используемым материалам, так и к технологии производства электронных приборов [1].

Основными приборами, используемыми в современной электротехнике, являются генераторы, усилители, ' выпрямители, запоминающие устройства, переключатели и некоторые другие. Большинство этих приборов может быть сделано на основе электровакуумной или твёрдотельной технологии [2].

Широкое применение этих приборов и многообразие задач, решаемых с их использованием, от приборов бытовой электронной техники до космической техники и радиоастрономии, делает необходимым поиск и использование самых разнообразных материалов и разработки новой технологии изготовления приборов на их основе [3].

Одной из основных отраслей электроники является микроэлектроника, основанная на использовании электронных эффектов в твёрдом теле, которые реализуются, например, в интегральных схемах, изготовляемых по специальной,технологии [1-3].

Для производства интегральных схем применяются различные специальные материалы, идущие на создание активных и пассивных элементов микросхем, а именно полупроводниковые монокристаллы, эпитаксиальные слои, проводящие, резистивные и диэлектрические плёнки, а также вспомогательные материалы [2,3].

Плёнки различного назначения, используемые в электронике, могут быть получены такими методами, как осаждение из газовой или паровой фазы, напыление в вакууме, катодное распыление, химическое или электролитическое осаждение, а также разложение под воздействием электронного луча, излучения оптических квантовых генераторов и в плазме газового разряда [4].

Применяемые во второй половине прошлого века материалы, а также методы получения плёнок были далеки от совершенства и не лишены целого ряда недостатков, что вызывало настоятельную потребность поиска новых материалов и разработки новых технологических приёмов их использования. В этом плане перспективным направлением становится использование особо чистых металлоорганических соединений и новых пергидрированных кремниевых интермедиатов в электронике. Например, применение в промышленных масштабах в процессах МОУРЕ (металлоорганическая парофазная эпитаксия) триметил- и триэтилгаллия позволяет выращивать двухкомпонентные (ОаТчГ, ОаАз), трёхкомпонентные (АЮаАз, 1пОаАБ, ¡пваР) и четырёхкомпонентные (АЮа1пР, АЮаТпАэ) эпитаксиальные структуры. Одним из незаменимых элементов в этих технологиях является галлий, а именно его органические производные ОаА1к3.

Известно [5], что алкильные производные галлия для использования в выращивании полупроводниковых слоёв различного типа должны содержать минимальное количество примесных элементов. Их суммарное содержание не должно превышать определённого предела, который, как правило, измеряется миллионными долями. Это делает данную область химии особенно специфичной и уникальной. Совокупность взаимосвязи методов синтеза и очистки является определяющей в доступности и себестоимости конкретного продукта. Физико-химические свойства галлийорганических соединений сильно влияют на выбор методов их получения. Так, например, 9 для триметилгаллия (ТМГ) (Ткнп. = 55 °С) хорошо известен и распространён синтез через реактив Гриньяра с последующей аддуктной очисткой с использованием диизоамилового эфира [6], но этот метод совершенно не пригоден для очистки триэтилгаллия (ТЭГ) с ТК11П=143°С вследствие относительно небольшой разности в температурах кипения диизоамилового эфира и ТЭГ. Пропильные и бутильные гомологи, а также их изомеры обладают ещё большими температурами кипения. Это заставляет совершенствовать и разрабатывать новые подходы к решению поставленных задач синтеза особо чистых производных галлия.

Для применения в методах СУГ> (химическое парофазное осаждение) для металлоорганических соединений необходимо знать набор известных, экспериментально определенных физико-химических параметров: 1) данных по температурной зависимости давления пара; 2) температурных режимов пиролитической диссоциации и энтальпии диссоциации; 3) времени пребывания фрагментов пиролитической реакции в зоне роста слоя [5]. Последний параметр определяется косвенно измерением подвижности и концентрации носителей полученных слоев при различных условиях ведения процесса роста.

Общая тенденция в гомологическом ряду ОаА11с3 показывает, что при удлинении алкильной цепи или её разветвлённости температура эндотермического разрушения металлоорганического соединения уменьшается в ряду: ОаМе3 (222°С) > ваЕ^ (212°С) > Оа(г-Рг)3 (184°С). Это следует из значения величины энергии связи Оа-С. Средняя энергия связи в ОаМе3 составляет 247 кДж/моль, а в СаЕ^ - 217 кДж/моль [7]. Удлинение цепи и разветвлённость радикала обусловливает протекание Р-гидридного распада [8] этих соединений при повышенных температурах.

Использование таких производных галлия как Оа(/-Рг)3 [9,10], Оа(/-Ви)3 [9,11], Оа(г'-Ви)3 [11,12] в СУГ) имеет ряд преимуществ перед ОаЕ1:3. Однако, достаточно высокие температуры кипения рассматриваемых соединений: 95-98°С при 60 мм 36-37°С при 0,05 мм и 94°С при 12 мм Щ ю соответственно, а также высокая склонность к (3-распаду при нагревании и, как следствие, трудности на стадии очистки не способствуют их широкому применению в промышленности.

Таким образом, для применения в С\Т) из известных галлийтриалкилов наиболее привлекательны ТМГ и ТЭГ. В силу своих физико-химических параметров области их использования несколько различаются. ТЭГ имеет ряд выгодных преимуществ по сравнению с ТМГ [9]. ТЭГ подвергается пиролизу в более мягких условиях, чем ТМГ. ТЭГ широко используется в процессах вакуумного осаждения в отличие от ТМГ. Поэтому потребность в ТЭГ растёт год от года.

Наряду с потребностями в алкилных производных Ъп, Сё, А1, ва, 1п, Аэ, БЬ, В1, Б, 8е, Те, также велики потребности в особо чистом полупроводниковом кремнии. Одним из новых интермедиатов на пути к полупроводниковому кремнию является циклопентасилан (ЦПС), применяемый для нанесения слоёв особо чистого, кремния струйно-принтерным методом [13], а также для получения эпитаксиальных слоёв полупроводниковых материалов на основе легированного кремния. Интерес к нему возрос в связи с возможностью использования в так называемых ристорных («мокрых») технологиях получения транзисторов, как альтернативных широко применяемым «сухим» процессам осаждения полупроводниковых материалов из паровой фазы при производстве изделей микроэлектроники [13]. «Силановая» технология (производство изделий микроэлектроники с использованием моносилана) давно принята на вооружение промышленностью из-за детально отработанной технологии получения моносилана. Однако эта технология не является безопасной и эффективной по сравнению с апробируемыми в последнее время «мокрыми» технологиями, на которые возлагаются большие надежды. Широкое внедрение этих технологий в микроэлектронике может способствовать резкому удешевлению процессов производства и снижению количества отходов. Использование «мокрой» технологии рассматривается в литературе в широком круге областей практического применения [14-18], в первую очередь, из-за возможности формирования полупроводниковых изделий струйно-принтерной техникой. Исследования применения «мокрой» технологии были сосредоточены на органических прекурсорах [19,20]. Струйно-принтерным методом нанесения удалось изготовить тонкоплёночные полупроводниковые структуры и транзисторы на их основе с хорошими электрофизическими свойствами из раствора селенида кадмия [19]. Показано, что эффект достигался за счёт выращивания данным методом нанокристаллов размером менее 2 нм. Этот класс материалов в настоящий момент исследуется на предмет возможной замены поликристаллического кремния, но пока является достаточно сложным и дорогостоящим в применении [13]. Большие надежды возлагаются многочисленными исследователями на получение тонких полупроводниковых плёнок кремния из жидкофазных прекурсоров. Сообщается [13], что электрофизические свойства транзисторов, полученных на основе поликристаллических силиконовых плёнок «мокрой» технологией, уже на первичных экспериментальных стадиях изготовления лучше электрофизических свойств транзисторов, приготовленных на основе органических полупроводников.

Основными источниками (прекурсорами) силиконовых тонкоплёночных структур являются гидрированные соединения кремния. Это циклические (SinH2n) и ациклические (SinH2n+2) соединения. В случае п>3 - это жидкие при комнатной температуре соединения, разлагающиеся с образованием a-Si при нагревании до 300°С и выше. Однако, низкомолекулярные гидридсиланы с п<10 обладают ТК<300°С и поэтому в процессе получения слоёв испаряются с подложки раньше начала процесса их термического разложения. Вследствие этого гидрированные полисиланы являются потенциальным сырьём для производства полупроводниковых кремниевых слоёв, только если подобрать к конкретному полисилану подходящий растворитель. Гидрированные силаны плохо растворимы. Это в свою очередь резко сужает возможности их использования в микроэлектронике. К счастью, выход был найден благодаря способности низших циклосиланов (п = 3-7) к фотоинициируемой полимеризации [23,24]. Сами малые циклы оказались хорошо растворимыми в углеводородах, а при УФ-облучении они легко превращаются в олигомеры, пригодные для использования в ристорной технологии.

Таким образом, целевым источником для изготовления кремниевых тонкоплёночных транзисторов могут служить низшие циклополисиланы [8Щ2]п, п = 3-7. В связи с вышеизложенным, данный класс соединений вызывает огромный интерес. Поэтому требует особого внимания изучение как самих циклополисиланов, так и синтетических аспектов получения их предшественников для нахождения оптимальных методов получения целевых продуктов с возможностью осуществления синтеза циклосиланов в лабораторных, а в перспективе и в промышленных масштабах.

Цель настоящей диссертационной работы заключалась в разработке эффективных методов получения особо чистых ваЕ^ и пригодных для последующего применения в технологиях микроэлектроники. Взаимосвязь этих двух актуальных на сегодняшний день соединений намного теснее, чем могло бы показаться на первый взгляд. Эту общность демонстрируют следующие объединяющие факторы:

- Применение в микроэлектронике.

- Высокая степень требуемой чистоты.

- Схожие приёмы синтеза, выделения и очистки, особенно на последних стадиях.

- Высокая востребованность.

- Высокие требования безопасности при получении и дальнейшем использовании.

Использование современного специфического оборудования при работе с самовоспламеняющимися и светочувствительными веществами.

Настоящая работа посвящена изучению синтеза и глубокой очистки различными физико-химическими методами высоко востребованного в настоящее время триэтилгаллия, а также синтезу и очистке труднодоступного до сегодняшнего времени циклопентасилана.

Заключение диссертации по теме «Химия элементоорганических соединений», Шатунов, Валерий Владимирович

выводы

1. Установлено, что наиболее эффективным методом синтеза триэтилгаллия, пригодным для промышленного использования, является магнийорганический метод, для которого экспериментально определено и реализовано на практике оптимальное мольное отношение реактива Гриньяра и трихлорида галлия.

2. Разработан и внедрен в производство метод глубокой очистки триэтилгаллия от следов диэтилового эфира и металлоорганических примесей высокоэффективной ректификацией при атмосферном давлении. Определены типы и механизм генерирования образующихся при этом побочных продуктов частичного разложения триэтилгаллия.

3. Впервые предложен и апробирован метод физико-химической очистки триэтилгаллия, заключающийся в его взаимодействии с металлическим алюминием или трихлоридом галлия с образованием комплексов, связывающих диэтиловый эфир, с последующей вакуумной ректификацией целевого продукта.

4. Методами спектроскопии ЯМР и РСА впервые детально изучено комплексообразование триметильных и триэтильных соединений А1, ва, 1п с трифенилфосфином, 1,3-бис(дифенилфосфино)пропаном и 1,5-бис(дифенилфосфино)пентаном. Выявлены некоторые параметры и закономерности донорно-акцепторного взаимодействия атомов металлов и фосфора, термическая и окислительная стабильность аддуктов, параметры регенерации исходных комплексообразователей.

5. Установлено, что наиболее эффективным методом глубокой очистки триэтилгаллия является аддуктная очистка через использование обратимого комплексообразования с фосфинами и дифосфинами с последующей вакуумной ректификацией целевого продукта, исключающей потери вещества за счет его термического разложения.

6. Разработана эффективная технология синтеза и очистки декафенилциклопентасилана, основанная на использовании ультра мелкодисперсного металлического лития и проведении процесса в интервале температур -15 - -5°С.

7. Определены оптимальные условия и некоторые побочные продукты превращения декафенилциклопентасилана в декахлорциклопентасилан и далее в циклопентасилан — исходный мономер для получения полупроводникового кремния.

1.7. Заключение.

На основании изложенного литературного обзора становится очевидно, что наиболее оптимальным методом получения сверхчистого триэтилгаллия

75 является магнийорганический способ получения технического продукта с его последующей очисткой различными физическими и химическими методами, включая обратимое комплексообразование. Синтез особо чистого циклопентасилана целесообразно апробировать, исходя из цепочки превращений дифенилдихлорсилана в декафенилциклопентасилан, декахлорциклопентасилан и затем в декагидроциклопентасилан. Настоящая диссертационная работа и посвящена отработке указанных методов синтеза и очистки триэтилгаллия и циклопентасилана, как чрезвычайно актуальных прекурсоров современных полупроводниковых материалов.

Глава II. Обсуждение результатов.

ПЛ.Синтез технического триэтилгаллия.

Анализ литературных данных по методам синтеза галлийтриалкилов показал, что одним из наиболее эффективных способов их получения является магнийорганический метод. Нами установлено [197,198], что высокоэффективный метод синтеза ОаЕ^ может быть осуществлен алкилированием трихлорида ваС13 реактивом Гриньяра в диэтиловом эфире по схеме:

Е120 СаС13

ЗМ8 + ЗЕ1Вг -->- ЗЕ1Г^Вг -->- Е13Оа:ОЕ12

Реакция трихлорида галлия с реактивами Гриньяра, среди которых был использован этилмагнийбромид, дает максимальные выходы при использовании в качестве растворителя диэтилового эфира. Экспериментально установлено, что оптимальное мольное отношение Е1М§ВгЛлаС13 составляет 3,4. При этом соотношении реагентов, как видно из таблицы 11, достигается максимальный выход ваЕ13. Продукт выделяли фракционной перегонкой. При уменьшении значения мольного соотношения Е1М£ВгАЗаС1з выход ОаЕ13 снижается. Увеличение мольного соотношения нецелесообразно, так как оно не ведет к повышению выхода целевого продукта. Установленное оптимальное соотношение реагентов можно объяснить, по-видимому, тем, что первая стадия процесса, приготовление реактива Гриньяра, из-за известных побочных процессов протекает с выходом около 90%. Количественно реактив Гриньяра определяли по методу Чугаева — Церевитинова.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Шатунов, Валерий Владимирович, 2011 год

1. Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачеев Г.А., Саломатин Б.А. Металлоорганические соединения в микроэлектронике. — М.: Наука, 1972, 479 с.

2. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: «Советское радио», 1971, 376 с.

3. Полторацкий Э.А., Ильичёв Э.А., Рычков Г.С. Особенности развития интегральных схем на арсениде галлия.// Электронная промышленность, Т. 65, С. 7-8, (1994).

4. Фёдоров Л.П., Багров В.М., Тихонов Ю.Н. Производство полупроводниковых приборов. М.: «Энергия», 1979, 432 с.

5. Jones А.С., O'Brien P. CVD of compound semiconductors: precursor synthesis, development and applications, Weinheim, New York, Basel, Cambridge, Tokyo, 1997, 338 р.

6. Jones A.C., Holiday A.K., Cole-Hamilton D.J., Ahmad M.M., Gerrard N.D. Routes to ultra-pure alkyls of indium and gallium and their adducts with ethers, phosphines and amines.// J. Crystal. Growth., Vol. 68, P. 1-9, (1984).

7. Sykes P. Guidebook to mechanisms in organic chemistry. Chap. 11. Longman, London, 1970.

8. Henrickson C.H., Eyman D.P. Lewis acidity of alanes. Interactions of trimethylalane with sulfides.//Inorg. Chem., Vol. 6, P. 1461-1465, (1967).

9. Jones A.C., Lane P.A., Martin Т., Freer R.W., Calcott P.D.J., Houlton M.R., Whitehouse C. R. New metalorganic gallium precursors for the growth of GaAs and AlGaAs by СВЕ.//У. Cryst. Growth, Vol. 124, P. 81-87, (1992).

10. Freer R.W., Martin Т., Lane P.A., Whitehouse C.R., Hogan R., Foord J.S., Jones A.C. Mechanistic studies of the CBE growth of (100) GaAs using the new precursor tri-isopropylgallium.// J. Cryst. Growth, Vol. 127, P. 152-157, (1993).

11. Foord J.S., Singh N.K., FitzGerald E.T., Davies G.J., Jones A.C.

12. Abernathy C.R., Ren F., Pearton S.J., Wisk P.W., Bohling D.A., Muhr G.T., Jones A.C., Stavola M., Kozuch D.M.// J. Cryst. Growth, Vol. 136, P. 11-17, (1994).

13. Shimoda T., Matsuki Y., Furusawa M., Aoki T., Yudasaka I., Tanaka H., Iwasawa H., Wang D., Miasaka M., Takeuchi Y. Solution-processed silicon films and transistors.// Nature, Vol. 440, P. 783-786, (2006).

14. Peumans P., Uchida S., Forrest S.R. Efficient bulk heterojunction photovoltaic cell using small-molecular-weight organic thin films.// Nature, Vol. 425, P. 158-162, (2003).

15. Okamura S., Takeuchi R., Shozaki T. Fabrication of ferroelectric Pb(Zr,Ti)3 thin films with various Zr/Ti ratio by inkjet printing.// Jpn. J. App. Phys., Vol. 4J, P. 6714-1717, (2002).

16. Tehar R.B.H., Ban T., Ohya Y., Takahashi Y. Optical, structural, and electrical properties of indium oxide thin films prepared by the sol-gel method.// J. App. Phys. Vol. 82, P. 865-870, (1997).

17. Патент США № US 2006/0198966 Al. Method for forming a silicon-containig film. 07.09.2006.

18. Патент США № US 7.173.180 B2. Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method. 06.02.2007.

19. Sirringhaus H. High-resolution inkjet printing of all-polymer transistor circuits.// Science, Vol. 290, P. 2123-2126, (2000).

20. Afzali A., Dimitrapoulos C.D., Breen T.L. High-performance solution-processed organic thin films transistors from novel pentacene precursors.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 124, P. 8812-8813, (2002).

21. Ridley B.A., Nivi В., Jacobson J.M. All-organic field effect transistors fabricated by printing.// Science, Vol. 286, P. 746-749, (1999).

22. Mitzi D.B., Kosbar L.L., Murray C.E., Copel M., Afzali A. High-mobility ultrathin semiconducting films preparing by spin coating.// Nature, Vol. 428, P. 299-303, (2004).

23. Suzuki M., Kotani J., Gyobu S., Kaneko T, Saegusa T. Synthesis of sequence-ordered polysilane by anionic ring-opening polymerization of phenylnonamethycyclopentasilane.// Macromolecules, Vol. 27, P. 2360-2363, (1994).

24. Cypryk M., Gupta Y., Matyjaszewski K. Anionic ring-opening polymerization of l,2,3,4-tetramethyl-l,2,3,4-tetraphenylcyclotetrasilane.// J. Am. Chem. Soc., Vol. ДЗ, P. 1046-1047 (1991).

25. Bardeen J.,Brattain W. H. The transistor, a semi-conductor triode.// Phys. Rev., Vol. 74, P. 230-231, (1948).

26. Chapin D. M., Fuller C. S., Pearson G. L. A new silicon p-n junction photocell for converting solar radiation into electrical power.// J. Appl. Phys., Vol. 25, P. 676-678,(1954).

27. Reynolds D.C., Leies G., Antes L.L., Marburger R.E. Photovoltaic effect in cadmium sulfide.//Phys. Rev., Vol. 96, P. 533-534, (1954).

28. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи.//M.: «Советское радио», 1971, 568 с.

29. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов.// М.: «ФИЗМАТЛИТ», 2008, 488 с.

30. Gerald В., Stringfellow G.B.Organometallic Vapour Phase Epitaxy: Theory, Practice. 2nd ed. Academic Press., London, 1999, 572 p.

31. Sringfellow G.B. Epitaxy.// Rep. Prog. Phys., Vol. 45, P. 469-526, (1982).

32. Guster J.S., Polman A., Van Pinxteren H.M. Erbium in crystal silicon: Segregation and trapping during solid phase epitaxy of amorphous silicon.// J. Appl. Phys., Vol. 75, P. 2809-2817, (1994).

33. Mirabella S., Impellizzeri G., Bruno E., Romano L., Grimaldi M.G., Priolo F. Fluorine segregation and incorporation during solid-phase epitaxy of Si.// Appl. Phys. Lett., Vol. 86, 121905, 2005.

34. Beuchet G., in Semiconductors and Semimetals, Ed. Tsang W.T., Academic Press, Orlando, 22 A, P. 261, (1985).

35. Tsang W.T., in Semiconductors and Semimetals, Ed. Tsang W.T, Academic Press, Orlando, 22 A, P. 95, (1985).

36. Cho A.Y. Growth of III-IV semiconductors by molecular beam epitaxy and their properties.// Thin Solid Films, Vol. 100, P. 291-317, (1983).

37. Cheng K.-Y. Molecular beam epitaxy technology of III-V compound semiconductors for optoelectronic applications.// Proceedings of the IEEE, Vol. 85, P. 1694-1714,(1997).

38. Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates.// Appl. Phys. Lett., Vol. 12, P. 156-159, (1968).

39. Manasevit H.M., Simpson W.I. The use of metal-organics in the preparation of semiconductor materials.// J. Electrochem. Soc., Vol. 116, P. 1725-1732, (1969).

40. Manasevit H.M. The use of metalorganics in the preparation of semiconductor materials: growth on insulating substrates.// J. Ciyst. Growth, Vol. 13-14, P. 306-314(1972).

41. Stangl J., Holy V., Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures.//Rev. Mod. Phys., Vol. 76, P. 725-783, (2004).

42. Shchukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces.//Rev. Mod. Phys., Vol. 71, P. 1125-1171, (1999).

43. Den Baars S.P., Maa B.Y., Dapkus P.D., Danner A.D., Lee H.C. Homogeneous and heterogeneous thermal decomposition rates of trimethylgallium and arsine and their relevance to the growth of GaAs by MOCVD.// J. Cryst. Growth, Vol. 77, P. 188-193, (1986).

44. Murrell A.J., Wee A.T.S., Fairbrother D.H., Singh N.K., Foord J.S., Davies G.J., Andrews D.A. Surface studies of the thermal decomposition of triethylgallium on GaAs (100).//J. Crystal Growth, Vol. 105, P. 199-202, (1990).

45. Reep D.H., Ghandhi S.K. Deposition of GaAs epitaxial layers by organometallic CVDJI J. Electrochem. Soc., Vol. 130, P. 675-680, (1983).

46. Watkins S.P., Haacke G. Carbon acceptor incorporation in GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition: arsine versus tertiarybutylarsine.// Appl. Phys. Lett, Vol. 59, 2263, (1991).

47. Kushibe M., Eguchi K., Funamizu M., Ohba Y. Heavy carbon doping in metalorganic chemical vapor deposition for GaAs using a low V/III ratio.// Appl. Phys. Lett, Vol. 56, 1248, (1990).

48. Hanna M.C., Lu Z.H., Oh E.G., Mac E., Majerfield A. Intrinsic carbon incorporation in very high purity MOVPE GaAs.// J. Crystal. Growth, Vol. 124, 443-448, (1992).

49. Kuech T.F., Veuhoff E. Mechanism of carbon incorporation in MOCVD GaAs Л J. Crystal. Growth, Vol. 68, 148-156, (1984).

50. Dapkus P.D., Manasevit H.M., Hess K.L., Low T.S., Stillman G.E. High purity GaAs prepared from trimethylgallium and arsine.// J. Crystal. Growth, Vol. 55, 10-23,(1981).

51. Nakanisi Т., Udagava Т., Tanalca A., Kamai K. Growth of high-purity GaAs epilayers by MOCVD and their applications to microwave MESFET's.// J. Crystal. Growth, Vol. 55, 255-262, (1981).

52. Чурбанов М.Ф. Современные задачи химии высокочистых веществ.// Тезисы докладов XIII конференции. Высокочистые вещества и материалы: Получение, анализ, применение.: Нижний Новгород: Изд-во Ю.А. Николаева.,2007. - с. 3-9.

53. Девятых Г.Г., Еллиев Ю.Е. Введение в теорию глубокой очистки веществ. -М.: Наука, 1981, 320 с.

54. Захаркин Л.И., Охлобыстин О.Ю. Использование алюминийтриалкилов для синтеза элементоорганических соединений.// ДАН СССР, Т. 116, С. 236238, (1957).

55. Honeycutt J.B., Riddle J.M. Triorganoboranes as alkylating agents.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 82, P. 3051-3052, (1960).

56. Захаркин JI.И., Охлобыстин О.Ю. Синтез некоторых металл органических соединений с помощью алюминийтриалкилов.// ЖОХ, Т. 31, С. 3662-3665, (1961).

57. Eisch J.J. Organometallic compounds of group III. The preparation of gallium and indium compounds.// J. Am. Chem. Soc., Vol.84, P. 3605-3610, (1962).

58. Gaines D.F., Borlin J., Fody E.P. Main group and actinide compounds. 45. Trimethylgallium. Inorg. Synth., Chap. 8, P. 203-207.

59. Coats G., Green M., Wade K. "Organometallic Compounds The main group of elements". Vol. 1, Methuen, London, 1967, P. 173-373.

60. Kraus C.A., Toonder F.E. Trimethyl gallium, trimethyl gallium etherate and trimethyl gallium ammine.// Proc. Nat. Acad. Sci., Vol. 19, P. 292-298, (1933).

61. Wiberg E., Johannsen T., Stecher O. Zur Kennfhis des galliumtrimethyls.// Z. Anorg. Chem., 251, 114, (1943).

62. Coats G E. Trimethylgallium. Part I. The relative stabilities of its coordination compounds with the methyl derivatives of group Vb and VIb, and the thermal decomposition of some trimethylgallium-amine complexes.// J. Chem. Soc., P. 2003-2013, (1951).

63. Dennis L.M., Patnode W. Gallium triethyl monoetherat, gallium triethyl, gallium triethyl ammine.//./ Am. Chem. Soc., Vol. 54, P. 182-188, (1932).

64. Laubengayer A.W., Gilliam W.F. Alkyls of the third group elements. I. Vapour Phase studies of the alkyls of aluminum, gallium and indium.// J. Am. Chem. Soc.,Vol. 63, P. 477-479, (1941).

65. Oliver P.I., Stevens L.G. The preparation of trivinilgallium.// J. Inorg. Nucl. Chem., Vol.19, P. 378-379, (1961).

66. Moy D., Oliver J.P., Emerson M.T. Organogallium compounds. IV. Exact analysis of the nuclear magnetic resonance spectra of trivinil- and tripropenylgallium-trimethylamine adducts.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 86, P. 371377, (1964).

67. Gilman H., Jones R.G. Triphenylgallium.// J. Am. Chem. Soc.,Vol. 62, P. 980-982, (1940).

68. Jones A.C., Cole-Hamilton D.J., Holiday A.K., Ahmad M.M. Electrochemical studies of group III alkyl derivatives. Part 1. Synthesis of trimethylgallium adducts.// J. Chem. Soc. Dalton Trans., P. 1047-1049, (1983).

69. Гурьянова E.H., Гольдштейн И.П., Ромм И.П. «Донорно-акцепторная связь», М., «Химия», 1973. с. 350 (всего 400).

70. Манн Ч., Барнес К. Электрохимические реакции в неводных системах.// М.: Химия, 1974. с. 271-275.

71. Jones А.С., Gerrard N.D., Cole-Hamilton D.J., Holiday A.K. Electrochemical studies of group III alkyl derivatives. II. Synthesis of adducts of trimethylindium and trimethylgallium.// J. Organometal. Chem., Vol. 265, P. 9-15, (1984).

72. Брегадзе В.И., Голубинская JI.M., Тоноян Л.Г., Козыркин Б.И., Грибов Б.Г. Прямой синтез триалкильных производных галлия.// Докл. АН СССР., Т. 212, С. 880-881,(1973).

73. Starowieski К.В., Klabunde K.J. Organogallium compounds from metallic gallium through using metal-vapor synthesis.// Apll. Organomet. Chem., Vol. 3, P. 219-224,(1989).

74. Гавриленко B.B., Фатюшина Н.П., Львова B.A., Колесов B.C., Караксин Ю.Н., Захаркин Л.И. Получение комплексов триметилгаллия с гидридами щелочных металлов.// Изв. АН СССР, сер. Хим. С. 126-127, (1973).

75. Мардыкин В.M., Гапоник П.Н., Саевич В.К. Феноляты и анизоляты триэтилалюминия и диэтилалюминийбромида.// ЖОХ, Т. 36, С. 2162-2164, (1966).

76. Todt Е., Dötzer R. Darstellung von indium-trialkylen über In Mg-legierung oder-mischung.// Z. Anorgan. und Allgem. Chem., Bd. 321, S. 120-123, (1963).

77. Захаркин Л.И., Гавриленко В.В. Фатюшина Н.П. Простой синтез несольватированных галлийтриалкилов.// Изв. АН СССР, сер. Хим., С. 392393, (1997).

78. Zakharkin L.I., Gavrilenko V.V. A simple synthesis of non-solvated trimethylgallium and triethylgallium.// Synth. React. Inorg. Met.-org. Chem., Vol. 29, P. 1243-1247, (1999).

79. Жунь В.И., Тен M. К. Шелудяков В.Д. Синтез магнийорганических соединений. Обзорн. инф. Сер. «Общеотраслевые вопросы». М.: НИИТЭХИМ, 1989.

80. Renwanz G. Organogalliumverbindungen: trimethylgallium-atherat.// Chem. Ber. 65, 1308, (1932).

81. Hartmann H., Lutsche H. // Darstellung von gallium-tri-n-propyl.// Naturwiss., Bd. 48, S. 601, (1961).

82. Hartmann H., Lutsche H. Über gallium- und indiumalkyle.// Natunviss., Bd. 49, S. 182-183,(1962).

83. Викторова И.М., Шевердина Н.И., Делинская Е.Д., Кочешков К.А. Галлийорганические соединения класса Ar3Ga и их диоксанаты.// Докл. АН СССР., Т.152, С. 609-610, (1963).

84. Потапов В.К. Потенциалы ионизации ароматических и гетероциклических соединений.// Успехи Химии, Т. 39, Вып. 11, С. 2078-2094, (1970).

85. Арзаманова И.Г., Гурьянова E.H. Свойства межмолекулярных связей в комплексах с переносом заряда типа па Л Докл. АН СССР., Т. 166, №5, С. 1151-1154,(1966).

86. Гольштейн И.П., Харламова Е.Н., Гурьянова Е.Н. Перенос заряда и прочность межмолекулярных связей в комплексах донорно-акцепторного типа.//ЖОХ.,Т. 38, Вып. 9, С. 1984-1992, (1968).

87. Ромм И.П., Гурьянова Е.Н. Строение и свойства комплексов бромистого алюминия с эфирами, сульфидами и аминами.//ЖОХ.,Т. 38, Вып. 9, С. 1927-1937,(1968).

88. Гурьянова E.H., Ромм И.П., Гольдштейн И.П. Дипольные моменты теплоты образования комплексов трёххлористого галлия с аминами, эфирами и сульфидами.//ЖОХ.,Т. 39, Вып. 4, С. 754-761, (1969).

89. Greenwood N.N., Srivastava T.S. Relative acceptor strength of gallium trihalids towards oxygen and sulphur donors.// J. Chem. Soc. A, P. 270-273, (1966).

90. Гурьянова Е.Н. Закономерности образования комплексов донорно-акцепторного типа.// Успехи Химии, Т. 37, Вып. 11, С. 1981-2002, (1968).

91. Fowell Р.А., Mortimer С.Т. The heat of formation of trimethylgallium.// J. Chem. Soc., P. 3734-3736, (1958).

92. Yasuda K., Okawara R. Organogallium, indium and tallium compounds.// Organomet. Chem. Rev., Vol. 2, P. 255-277, (1967).

93. DeRoos J.B., Oliver J.P. Nuclear magnetic resonance studies on exchange reactions of group III alkyl addition coumpounds.// Inorg. Chem., Vol. 4, P. 17411746, (1965).

94. Грибов Б.Г., Козыркин Б.И., Зорина Е.Н. Координационные соединения алкильных производных галлия с алкильными соединениями элементов V А группы.// Докл. АН СССР., Т. 204, № 2, С. 350-351, (1972).

95. Грибов Б.Г., Гусаков Г.М., Козыркин Б.И., Зорина E.H. Спектры Я.М.Р. некоторых координационных соединений галлия с триэтилмышьяком.// Докл. АН СССР., Т. 210, № 6, С. 1350-1351, (1973).

96. Stevens L.G., Park В., Oliver J.P. Organogallium compouds III. The heat of dissociation of triethyl and trivinilgallium addition compounds.// J. Inorg. Nucl. Chem., Vol. 26, P. 97-102, (1964).

97. Coates G.E., Hayter R.G. Trimethylgallium. Part II. Reactions with hydroxyl- and similar compounds.//./ Chem. Soc. P. 2519-2524, (1953).

98. Coates G.E., Mukherjee R.N. Trimethylgallium. Part IV. Dimethyl-gallium and aluminium derivatives of some oxy- and thio-acids.// J. Chem. Soc. P. 12951303, (1964).

99. Schmidbaur H., Füllen H.J., Köhler F.H. Phosphonium-betain mit organogallium-, indium-, und thallium-struktureinheiten.// J. Organomet. Chem. Bd. 99, S. 353-357, (1975).

100. Beachley O.T., Coates G.E. Trimethylgallium. Part V. Reactions trimethylaluminium, -gallium, and -indium with some primary and secondary phosphines and arsines.// J. Chem. Soc., P. 3241-3247, (1965).

101. Beachley O.T., Coates G.E., Kohnstam G. Trimethylgallium. Part VI. The infrared spectra and phase transitions of the dimethylamino-derivatives of dimethyl-aluminium, -gallium, and -indium.// J. Chem. Soc., P. 3248-3252, (1965).

102. Coates G.E., Graham J. Trimethylgallium. Part III. Reactions with diphenylphosphin and arsine.// J. Chem. Soc., P. 233-237, (1963).

103. Atwood D.A., Jones R.A., Cowley A.H., Bott S.G., Atwood J.L. Primary amido and amine adduct complexes of gallium: synthesis and snructures of /-Bu2Ga(//-NHPh)]2 and i-Bu3Ga:NH2Ph.// Polyhedron, Vol. 10, P. 1897-1902, (1999).

104. Jutzi P., Bangel M., Neumann B., Stammler H-G. Synthesis, structure, and properties of gallium compounds with the heterodifunctional 2-(N,N-Dimethylamino)ethyl]cyclopentadienyl ligand.// Organometallics, Vol. 15., P. 4559-4564, (1996).

105. Zhang Y., Budzelaar P.H.M., Smits J.M.M., Gelder R., Hageman P.R., Gal A.W. Reactions of cis-2,3-Dimethylaziridine, 3-pyrroline and pyrrolidine with Me3Al and Me3Ga: adducts and dimeric amides.// Eur. J. Inorg. Chem., P. 656665, (2003).

106. Lake C.H., Schauer S.J., Krannich L.K., Watkins C.L. X-ray structural analysis of Me3M:HN(CH2Ph)2 (M=Ga, In) adducts. // Polyhedron, Vol. 18, P. 879, (1999).

107. Bradford A.M., Bradley D.C., Hursthouse M.B., Motevalli M. Interactions of l,4-diazabicyclo2,2,2]octane with group III metal trimethyls: structures of Me3M:N(C2H4)3N:MMe3. (M = AI, Ga).// Organometallics, Vol. JJ, P. 111-115, (1992).

108. Byers J.J., Pennington W.T., Robinson G.H. Bis-adducts of trimethylaluminium and trimethylgallium with N,N,N'N'-tetramethyl-ethylendiamine.// Crystallogr., Sect. C: Cryst. Struct. Commun., Vol. 48, P. 20232025, (1992).

109. Park J.E., Bae B-J., Lee K., Park J.T., Chang H.Y., Choi M-G. Reaction of GaMe3 with H2NCH2CH2NMe2: Synthesis and characterization of adducts and imidogallane.// Organometallics, Vol. 19, P. 5107-5112, (2000).

110. Obrey S J., Bott S.G., Barron A.R. Aluminum, gallium and copper complexes of 2,2-dimethyl-l,3-propanediamine.// J. Organomet. Chem., Vol. 643, P. 53-60, (2002).

111. Hill J.B., Eng S.J., Pennington W.T., Robinson G.H.// J. Organomet. Chem., Vol. 445, P. 11-18,(1993).

112. Coward K.M., Jones A.C., Pemble M.E., Rushworth S.A., Smith L.M., Martin T. Next generation adduct purification techniques for low oxygen content metal alky Is.// J. Electronic Materials, Vol. 29, P. 151-155, (2000).

113. Kuczkowski A., Schulz S., Nieger M. Structural comparisons between analogously substituted gallane-pnictine adducts.// Appl. Organometal. Chem., Vol. 18, P. 244-251, (2004).

114. Boardman A., Small R.W.H., Worrall I.J. The crystal and molecular structure of l,2-bis-(diphenylphosphino)ethane-bis(trimethylgallium).// Inorg. Chim. Acta, Vol. 119, P. L13-L14, (1986).

115. Cowley A.H., King C.S., Decken A. (Cyclopentadienylalkyl)-phosphine derivatives of gallium(III) and indium(III).// Organometallics, Vol. 14, P. 20-23, (1995).

116. Lee B., Pennington W.T., Robinson G.H. Unusual trigonal-bipyramidal coordination of gallium by an aza crown ether. Synthesis and molecular structure of Ga(CH3)2][Ci2H25N204][Ga(CH3)3]2.// Organometallics, Vol. 9, P. 1709-1711, (1990).

117. Lustig C., Mitzel N.W. Methylthiomethyl compounds of aluminum, gallium, and indium.// Organometallics, Vol. 21, P. 3471-3476, (2002).

118. Schulz S., Nieger M. Synthesis and structural characterization of first completely alkyl-substituted Ga-Sb acid-base adducts.// J. Chem. Soc., Dalton Trans., P. 639, (2000).

119. Wells R.L., Foos E. E. Synthesis and characterization of feri-butylgallium-antimony compounds: X-ray crystal structures of i-Bu3Ga:Sb(SiMe3)3, t1581.1

120. Bu2GaSb(SiMe3)2.2, and ¿-Bu2GaSb(SiMe3)2Ga(i-Bu)2Cl, the first example of a gallium-antimony mixed-bridge compound.// Organometallics, Vol. 16, P. 47714775, (1997).

121. Baldwin R. A., Foos E. E., Wells R.L. Synthesis and characterization of potential single-source precursors to group 13-antimonides.// Organometallics, Vol. 15, P. 5035-5038, (1996).

122. Kuczkowski A., Thomas F., Schulz S., Nieger M. Synthesis and X-ray crystal structures of novel Al-Bi and Ga-Bi compounds.// Organometallics, Vol. 19, P. 5758-5762, (2000).

123. Kuczkowski A., Schulz S., Nieger M., Saarenketo P. Reactivity of distibanes toward trialkylalanes and -gallanes: Syntheses and X-ray structures of bisadducts and heterocycles.// Organometallics, Vol. 20, P. 2000-2006, (2001).

124. Kuczkowski A., Fahrenholz S., Schulz S., Nieger M. Reactions of distibines Sb2R4 and dibismuthine Bi2Et4 with trialkyltrieles MR3.// Organometallics, Vol. 23, P. 3615-3621,(2004).

125. Kuczkowski A., Schulz S., Nieger M. Reactions of Et4Bi2 with (i-Bu)3M (M=A1, Ga) — synthesis of complexes with a bidentate dibismuthane ligand.// Angew. Chem., Int. Ed., Vol. 40, P. 4222-4225, (2001).

126. Krause H., Sille K., Hausen H.-D., Weidlein J. Trimethylmetall-urotropinaddukte des aluminiums, galliums, indiums und thallums.// J. Organomet. Chem., Vol. 235, P. 253- 264, (1982).

127. Hengge E.F. Cyclic silanes.// J. Organomet. Chem. Rev., Vol. 9, P. 261-294 (1980).

128. Gilman H., Schwebke G.L. Organic substituted cyclosilanes.// Adv. Organomet. Chem., Vol. J, P. 89-141 (1964).

129. Burkhard C.A. Polydimethylsilanes.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 21, P. 963964, (1949).

130. Hengge E., Janoschek R. Homocyclic silanes.// Chem. Rev., Vol. 95, P. 1495-1526 (1995).

131. Cartledge F.K. Steric effects on reactivity in silicon chemistry.// Organometallics, Vol. 2, P. 425-430, (1983).

132. Weidenbruch M., Thorn K.-L., Pohl S., Saak W. Siliciumverbindungen mit starken intramolekularen sterischen Wechselwirkungen: XXVIII. Neue Cyclotrisilane und Cyclotetrasilane.// J. Organometal. Chem., Vol. 329, P. 151-167,(1987).

133. Watanabe H., Shimoyama H., Muraoka T., Kuogo Y., Kato M., Nagai Y. The ring opening reaction of cyclopolysilanes, (R2Si)n (n=3-6), with iodine. A kinetic study.// Bull. Chem. Soc. Jpn., Vol. 60, P. 769-770, (1987).

134. Brough L.F., West R. Cyclic polysilanes. XIX. A temperature study of redistribution equilibria between permethylcyclopolysilanes.// J. Organometal. Chem. 1980. Vol. 194. 139-145.

135. Brough L.F., West R. The permethylcyclosilanes (Me2Si)5 through (Me2Si)35.//./ Am. Chem. Soc., Vol. 103, P. 3049-3056 (1981).

136. Masamune S., Hanzawa Y., Murakami S., Bally T., Blount J.F. Cyclotrisilane (R2Si)3 and disilene (R2Si:SiR2) system: synthesis and characterization.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 104, P. 1150-1153 (1982).

137. Masamune S., Murakami S., Snow J.T., Tobita H., Williams D.J. Molecular structure of tetrakis(2,6-diethylphenyl)disilene.// Organometallics, Vol. 3, P. 333-334,(1984).

138. Dewan J.C., Murakami S., Snow J.T., Collins S., Masamune S. Crystal structures of two isomeric cyclotrisilanes.// J. Chem. Soc., Chem. Commun., P. 892-894, (1985).

139. Watanabe H., Okawa T., Kato M., Nagai Y. The preparation and properties of the peralkylcyclotrisilane, hexaneopentylcyclotrisilane, and the peralkyldisilene, tetraneopentyldisilen.// J. Chem. Soc., Chem. Commun., P. 781-782, (1983).

140. Beltzner J. Synthese und ungewöhnliche Reaktivität eines Cyclotrisilans.// J. Organometal. Chem., Vol. 430, C51-C55, (1992).

141. Masamune S., Murakami S., Tobita H. Disilene system (R2Si:SiR2). The tetra-tret-butyl derivatives.// Organometallics, Vol. 2, P. 1464-1466, (1983).

142. Watanabe H., Muraoka T., Kageyama M., Yoshizumi K., Nagai Y. Synthesis and some spectral properties of peralkylcyclopolysilanes, R]R2Si]n (n = 4-7).// Organometallics, Vol. 3, P. 141-147, (1984).

143. Schäfer A., Weidenbruch M., Peters K., Von Schnering H.G. Hexa-tert-butylcyclotrisilane, a strained molecule with unusually long Si-Si and Si-C bonds.// Angew. Chem., Int. Ed. Engl., Vol. 23, P. 302-303, (1984).

144. Batcheller S.A., Tsumuraya T., Tempkin O., Davis W.M., Masamune S. (Z)-l,2-bis(2,6-diisopropylphenyl)-l,2-dimesityldigermene. Synthesis, crystal structure, and pi.-bond energy.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 112, P. 9394-9395, (1990).

145. Masamune S., Tobita H., Murakami S. Hexaalkylcyclotrisilanes (R2Si)3: hexakis(l-ethylpropyl) and hexaisopropyl derivatives.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 105, P. 6524-6525, (1983).

146. Gilman H., Peterson D. J. Jarvie A. W. Winkler H. J. S. The reaction of dichlorodiphenylsilane with sodium.// J. Am. Chem. Soc., Vol. 82, P. 2076, (1960).

147. Chen Y. S., Gaspar P. P. Octakis(trimethylsilyl)cyclotetrasilane. A stable cyclotetrasilane from a silylene precursor.// Organometallics, Vol. 1, P. 1410-1412,(1982).

148. Matsumoto H., Minemura M., Takatsuna K., Nagai Y., Goto M. Octaneopentylcyclotetrasilane. Sinthesis and unusual properties.// Chem. Lett., Vol. 14, P. 1005-1006, (1985).

149. Watanabe H., Muraoka T., Kageyama M.-A., Nagai Y. Preparation and properties of perisopropylcyclotetrasilane, (Me2CH)2Si]4.// J. Organometal. Chem., Vol. 216, № 3, C45-C47, (1981).

150. Weidenbruch M., Thom K.-L., Pohl S., Saak W. Siliciumverbindungen mit starken intramolekularen sterischen Wechselwirkungen. XXIX Octacyclohexylcyclotetrasilan.//Monatsh. Chem., Vol. 119, P. 65-70, (1988).

151. Hengge E., Kovar D. Darstellung und Charakterisierung eines neuen cyclischen Siliciumchlorides Si4Cl8.//Z Anorg. Allg. Chem., Vol. 458, P. 163-167,1979).

152. Kovar D., Utvary K., Hengge E. 29Si-NMR-Untersuchungen an einigen Cyclosilanderivaten.//Monatsh. Chem., Vol. HO, P. 1295-1300, (1979).

153. Hengge E., Kovar D. Periodated Cyclosilanes.// Angew. Chem., Int. Ed. Engl., Vol. 20, P. 678,(1981).

154. Hengge E., Schuster H. G., Peter W. Eine neue darstellungsmethode für permethylierte cyclosilane.// J. Organometal Chem., Vol. 186, № 2, C45-C48,1980).

155. Weidenbruch M. Cyclotrisilanes.// Chem. Rev., Vol. 95, P. 1479-1493, (1995).

156. Boudjouk P., Samaraweera U., Sooriyakumaran R., Chrusciel J., Anderson K. R. Convenient routes to di-tert-butylsilanediyl: chemical, thermal and photochemical generation.// Angew. Chem., Int. Ed. Engl., Vol. 27, P. 1355-1356, (1988).

157. Hengge E., Firgoi H. An electrochemical method for the synthesis of siliconsilicon bonds.// J. Organometal. Chem., Vol. 212, P. 155-161, (1981).

158. Umezawa M., Takeda M., Ichikawa H., Ishikawa T., Koizumi T., Fuchigami T., Nonaka T. Electroreductive polymerization of organodichloromonosilanes.// Electrochim. Acta, Vol. 35, P. 1867-1872, (1990).

159. Watanabe Ii., Muraoka T., Kageyama M., Yoshizumi K., Nagai Y. Synthesis and some spectral properties of peralkylcyclopolysilanes, RlR2Si]n (n = 4-7). // Organometallics, Vol. 3, P. 141-147, (1984).

160. Hassler K., Kovar D., Söllradl H., Hengge E. Darstellung und spektroskopische Eigenschaften einiger Perbromierter und periodierter Oligosilane.// Z Anorg. Allg. Chem., Vol. 488, P. 27-37, (1982).

161. Becker G., Hartmann H.-M., Hengge E., Schrank F. Molekül- und Kristallstruktur des l,4-Bistris(tetrahydrofuran)lithium]-octaphenyltetrasilans.// Z Anorg. Allg. Chem., Vol. 572, P. 63-74, (1989).

162. West R. The chemistry of organic silicon compounds. Ed. Patai S., RappoportZ. Chapter 19. Polysilanes., P. 1207-1240, (1989).

163. Hengge E., Miklau G. Darstellung und Charakterisierung von, a,co-Dihydroperchloroligosilanen.//Z. Anorg. Allg. Chem., Vol. 508, P. 33-42, (1984).

164. Carlson C. W., West R. Ring-insertion and ring-opening reactions of octaethylcyclotetrasilane.// Organometallics, Vol. 2, P. 1801-1807, (1983).

165. Hengge E., Schuste H. G. Darstellung von 2,3,4,5-tetrakis(dimethyl)-sulfocyclo-pentasilan und 2,3,4,5-etrakis(dimethyl)selenacyclopenta-silan.// J. Organometal. Chem., Vol. 231, № 2, C17-C20, (1982).

166. Carlson C. W., West R. Formation and rearrangement of sulfur-insertion products of octaethylcyclotetrasilane.// Organometallics, Vol. 2, P. 1798-1801, (1983).

167. Carlson C. W., West R. The perethylcyclopolysilanes (Et2Si)4 through (Et2Si)8.// Organometallics, Vol. 2, P. 1792-1797, (1983).

168. Hengge E., Bauer G. Darstllung und Eigenschaften von Cyclopentasilan.// Monatsh. Chem., Vol. 106, P- 503-512, (1975).

169. Hengge E., Kovar D. Periodated cyclosilanes.// Angew. Chem., Int. Ed. Engl, Vol. 20, P. 678, (1981).

170. Brough L.F., West R. Cyclic polysilanes: XIX. A temperature study of redistribution equilibria between permethylcyclopolysilanes.// J. Organomet. Chem., Vol. 194, P. 139-145, (1980).

171. Краснова Т.Л., Мудрова H.A., Бочкарёв В.Н., Кисин A.B. Взаимодействие органохлорсиланов с кислородосодержащими гетроциклами и литием.//Журн. Общ. Химии, Т. 55, С. 1528-1533. (1985).

172. Ishikawa М., Watanabe М., Iyoda J., Ikeda Н., Kumad М. Aluminum chloride catalyzed skeletal rearrangement of permethylated cyclic polysilanes.// Organometallics, Vol. J, P. 317-322, (1982).

173. Hengge, E. Jenkner P. K., Spielberger A., Gspaltl P. Ein neuer Weg zu Cyclopentasilanderivaten.// Monatsh. Chem., Vol. 124, P. 1001-1009, (1993).

174. Blinka T.A., West R. Metal halide catalyzed rearrangements of alkylcyclosilanes.// Organometallics, Vol. 5, P. 128-133, (1986).

175. Carlson С. W., Matsumura K., West R. Perethylcyclopolysilanes: (Et2Si)4 through (Et2Si)s.// J. Organometal. Chem., Vol. .194, № 1, C5-C6, (1980).

176. Watanabe H., Muraoka Т., Kohara Y., Nagai Y. Preparation of peralkylcyclopentasilanes R2Si]5.// Chem. Lett., Vol. 9, P. 735-736, (1980).

177. Katti A., Carlson C.W., West R. The ethylmethylcyclosilanes.// J. Organometal. Chem., Vol. 271, P- 353-367, (1984).

178. Helmer B. J., West R. Synthesis and properties of the geometrical isomers of tert-butylmethylcyclosilanes, (MeSiCMe3)4 and (MeSiCMe3)5.// Organometallics, Vol. I, P. 1458-1463,(1982).

179. Schuster H. G., Hengge E. Zur Reaktion von Permethylcyclosilanen mit Halogenen.// Monatsh. Chem., Vol. U4, P- 1305-1310, (1983).

180. Jenkner P. K., Hengge E. Reaktionen von Decamethylcyclopentasilan mit Halogeniden (Lewis-Säuren).//Z. Anorg. Allg. Chem., Vol. 604, P. 69-76, (1991).164

181. Jenkner P. К., Spielberger A., Hengge E. The behaviour of medium-sized permethylated cyclosilanes towards SOCl2 and SOCl2-HC(OCH3)3.// J. Organometal. Chem., Vol. 427, P. 161-164, (1992).

182. Шатунов B.B., Лебедев A.B., Шелудяков В.Д., Козыркин Б.И., Орлов В.Ю. Промышленный синтез галлийорганических соединений.ч

183. Сравнительная оценка и оптимизация магнийорганического метода.// Хим. Пром. Сегодня, Вып. 11, С. 27-34, (2009).

184. Шатунов B.B., Лебедев A.B., Шелудяков В.Д., Козыркин Б.И., Орлов В.Ю. Приготовление гранулята трёххлористого галлия.// Хим. Пром. Сегодня, Вып. 1, С. 23-24, (2010).

185. Рохов Ю., Херд Д., Льюис Р. Химия металлоорганических соединений. М.: ИИЛ, 1963, с. 64, (всего 360).

186. Poulin J.-C., Dang Т-Р, Kagan Н.В. Hydrogenation catalytique homogene a l'aide de complexes rhodium—diphosphines.// J. Organomet. Chem., Vol. 84^ P. 87-92, (1975).

187. Luther III G.W., Beyerle G. Lithium diphenylphosphide and diphenyl(trimethylsilyl)phosphine.//Inorg. Synth., Vol. 17, P. 186-188, (1977).

188. Barron A.R. Adducts of trimethylaluminium with phosphine ligands; electronic and steric effects.// J. Chem. Soc. Dalton Trans., P. 3047-3050, (1988).165

189. Tolman C.A. Steric effects of phosphorus ligands in organometallic chemistry and homogeneous catalysis.// Chem. Rev., Vol. 77, P. 313-348, (1977).

190. Shannon R. D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides.// Acta Cryst. A, Vol. 32, P. 751-767,(1976).

191. Haaland A. Covalent versus dative bonds to main group metals, a useful distinction.// Angew. Chem. Int. Ed., Vol. 28, P. 992-1007, (1989).

192. Hengge E., Bauer G. Cyclopentasilan, das erste unsubstituierte cyclische Siliciumhydrid.// Angew. Chem., Vol. 85, P. 304-305, (1973).

193. Hengge E., Bauer G. Darstllung und Eigenschaften von Cyclopentasilan.// Monatsh. Chem., Vol. 106, P. 503-512, (1975).

194. Lee W.L., Park Y.W., Han J.S., Yoo B.R. Dephenylation of decaphenylcyclopentasilane with HC1 catalyzed by aluminium chloride: facile sintetic route to cyclopentasilane.// Bull. Korean Chem. Soc., Vol. 30, P. 24432445, (2009).

195. Parkanyi L., Salvari K., Declercq J.P., Germain G. The crystal and molecular structure of decaphenylcyclopentasilane, C6oH50Si5.// Acta Crystallogr. Sect. В., Vol. 34, P. 3678-3682, (1978).

196. Патент РФ № 2400485. Стороженко П.А., Шелудяков В.Д., Лебедев

197. A.В., Лебедева А.Б., Устинова О.Л., Шатунов В.В., Козыркин Б.И., Орлов

198. B.Ю. Способ получения чистого декафенилциклопентасилана. 07.05.2009.

199. Шатунов В.В., Лебедев А.В., Овчарук С.Н., Устинова О.Л., Лебедева А.Б., Шелудяков В.Д., Стороженко П.А. Синтез циклопентасилана SiH2]5.// Хим. Пром. Сегодня, Вып. 8, С. 16-21, (2010).

200. Kaesz H.D., Stone F.G.A. Conversion of methyltrichorosilane into derivatives of silane.// J. Chem. Soc., P. 1433-1435, (1957).215. . Sheldrick G. M SHELXTL, Version 5.10, Bruker-AXS Inc., Madison, WI-53719, USA, (1997).

201. M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, J. A. Montgomery, Jr., T. Vreven, K. N. Kudin, J. C. Burant, J. M.166