Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Базаров, Валерий Вячеславович

• Базаров, Валерий Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Базаров, Валерий Вячеславович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Методы получения, структура и свойства алмазоподобных плёнок углерода (обзор).

ГЛАВА 2. Техника и методика экспериментов.

2.1. Оптическая спектроскопия отражения и пропускания

2.2. Эллипсометрия

2.3. Спектроскопия комбинационного рассеяния

2.4. Исследование структуры и фазового состава

2.5. Техника ионной имплантации

2.6. Методика измерения температурной зависимости электросопротивления

2.7. Техника отжига

ГЛАВА 3. Разработка метода синтеза алмазоподобных плёнок углерода с использованием процесса ионно-стимулированного осаждения графита.

3.1. Схема установки для синтеза алмазоподобных плёнок углерода

3.2. Методики приготовления образцов

3.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение

ГЛАВА 4. Оптическое поглощение 7С-кластеров (расчёт и эксперимент).

ГЛАВА 5. Исследование влияния параметров ионной имплантации на структуру, оптические и электрофизические свойства алмазоподобных плёнок углерода.

5.1. Исследование влияния имплантации лёгких ионов ( С)

5.2. Исследование влияния имплантации тяжёлых ионов ( Хе)

5.3. Исследование влияния химической природы внедряемых ионов (,4N)

5.4. Термический отжиг алмазоподобных плёнок углерода в атмосфере азота с примесью кислорода

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок»

Одним из наиболее впечатляющих результатов применения ионно-стимулированных процессов для осаждения тонких плёнок является синтез алмазоподобных плёнок углерода (diamond-like carbon, DLC). Впервые DLC плёнки были получены Айзенбергом (США) [1] и несколько позднее Голяновым с сотрудниками (ИАЭ им. Курчатова) [2] и Стрельницким с сотрудниками (Харьковский ФТИ) [3] конденсацией ионов углерода из потоков, создаваемых распылением графитовой мишени, и осаждением из плазмы вакуумной дуги с графитовым катодом, соответственно. Эти плёнки обладают уникальным сочетанием физико-химических и механических свойств, близких к алмазу, что определило широкие перспективы практического применения DLC плёнок, в частности в оптическом производстве в качестве многофункциональных покрытий. Кроме того, они могут использоваться в качестве материалов для низкополевых эмиттеров, а также солнечных элементов, о чём свидетельствуют появившиеся в последнее время публикации .

По мере развития методов получения алмазоподобных плёнок, а также становления таких новых направлений как наноэлектроника и физика наноструктур, области возможных применений этих материалов вышли за рамки традиционных, а их нанокластерная структура стала объектом интенсивных исследований фундаментального характера. Дело в том, что в отличие от классических аморфных полупроводников, таких как a-Si и a-Ge, структура плёнок образована алмазоподобной аморфной матрицей, в которую встроены фрагменты графитовых плоскостей нанометрового размера - графитоподобные нанокластеры. При этом размеры и концентрация нанокластеров решающим образом влияют на электронные свойства плёнок. В частности, благодаря размерному квантованию, оптическая щель этих плёнок отлична от нуля и определяется средним размером нанокластеров.

Вот почему сохраняется устойчивый и повышенный интерес к этим материалам, хотя со времени первых публикаций по алмазоподобным плёнкам прошло уже 30 лет. Естественно, что направленность работ существенно изменилась и они теперь в основном посвящены изучению возможности управления электронными свойствами алмазоподобных плёнок путем введения легирующих примесей, модификации нанокластерной структуры с помощью различных энергетических обработок, синтезу нанокомпозитных материалов.

Здесь уместно заметить, что, как свидетельствуют исследования последних лет, ионная имплантация является прежде всего одним из наиболее эффективных методов создания нанокомпозитных сред. Другим, не менее важным и интересным потенциальным качеством метода ионной имплантации может стать возможность прецизионной модификации свойств наноструктурных материалов. Это направление исследований в настоящее время развито ещё слабо. Здесь, на что мы хотим обратить внимание читателя, имеется принципиальное отличие от ионно-лучевой модификации однородных по структуре материалов, которое обусловлено малым размером структурных составляющих (например, наночастиц) таких сред, а именно: 1. Близость границы у каждой наночастицы, являющейся эффективным стоком для радиационных дефектов, может препятствовать накоплению радиационных дефектов в наночастицах, что делает наноструктурные материалы в целом радиационно - устойчивыми. 2. Нанометровые размеры структурных элементов приводят к тому, что взаимодействие каждого элемента даже с одним примесным атомом или молекулой может кардинально изменить электронный спектр элемента и, следовательно, электронные свойства всего нанокомпозита в целом.

Как уже было сказано выше, одним из наиболее отличительных и интригующих особенностей DLC плёнок является их нанокластерная структура. В результате этого такие фундаментальные свойства, как оптическое поглощение, электропроводимость алмазоподобных плёнок проявляют квантово-размерную зависимость и это вызывает повышенный интерес у многих исследователей. Начало наших исследовании связано с возникновением идеи научиться управлять размерами и концентрацией нанокластеров, используя для этой цели высокоэнергетичные ионные пучки. Другая цель этих изысканий заключалась в определении области доз облучения, где структура и свойства плёнок существенно не меняются. Эти данные были крайне необходимы, поскольку предполагалось использовать ранее разработанный в нашей лаборатории метод имплантации атомов отдачи для повышения адгезии DLC плёнок, которая представляет серьезную проблему из-за специфики формирования этих плёнок. В дальнейшем нами был разработан специальный метод осаждения, который практически полностью решил эту достаточно острую для DLC покрытий проблему.

С учетом вышеизложенного целью данной диссертационной работы является разработка физических основ применения ионной имплантации для синтеза и прецизионной модификации структуры и электронных свойств алмазоподобных углеродных плёнок.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Базаров, Валерий Вячеславович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе проведено комплексное исследование влияния параметров ионной имплантации на структуру и электронные свойства алмазоподобных углеродных плёнок. Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработан и практически реализован оригинальный метод синтеза алмазоподобных плёнок углерода, основанный на одновременном облучении одним и тем же пучком быстрых ионов графитовой мишени в режиме интенсивного её распыления, а подложки - в режиме многократного малоуглового рассеяния для реализации процесса ионно-стимулированного осаждения распыляемых атомов углерода и роста формируемой плёнки.

2. Предложен и апробирован новый режим ионно-стимулированного осаждения алмазоподобных плёнок углерода, обеспечивающий их высокую адгезионную прочность, основанный на создании на начальном этапе формирования плёнки переходного слоя с использованием для этого эффекта каскадного (баллистического) перемешивания атомов плёнки и подложки.

3. В рамках модели нанокластерной структуры алмазоподобных плёнок углерода впервые выполнены расчёты коэффициента поглощения плёнок в видимом и ближнем УФ диапазонах длин волн.

Установлено однозначное соответствие между параметрами

1 /2 зависимости Тауца ((аЕ) = B(E-EgT) ), а именно, между EgT - шириной оптической псевдощели и коэффициентом, характеризующим наклон зависимости Тауца - В, с одной стороны, и концентрацией и характерными размерами графитоподобных нанокластеров с другой, что позволяет бесконтактным способом определять эти важные характеристики алмазоподобных плёнок из результатов оптических измерений.

Показано, что известная зависимость оптической щели от размера нанокластера должна быть модифицирована в случае больших нанокластеров, средний размер которых превышает 2.5 нм. Предложена модель туннельных барьеров, позволившая получить зависимость низкотемпературной проводимости алмазоподобных плёнок от размера графитоподобных нанокластеров, которая вполне корректно описывает экспериментально полученные температурные зависимости сопротивления.

Изучено влияние параметров ионной имплантации (доза облучения, масса иона, химическая активность атома) на микроструктуру и соответственно на оптические и электрические свойства алмазоподобных плёнок углерода и установлены следующие основные закономерности и особенности в их поведении: показано, что оптические и электрические свойства проявляют сильную зависимость от дозы облучения, что обусловлено изменением размеров нанокластеров и, соответственно, их электронной структуры (квантово-размерный эффект); обнаружено, что доминирующими эффектами являются увеличение размеров нанокластеров и накопление радиационных дефектов. При этом последний эффект сдвинут в область более высоких доз облучения по сравнению с однородными по структуре материалами; впервые установлено, что при облучении тяжёлыми ионами ( Хе )

12 13 2 при сверхнизких дозах облучения ЧЮ - 101J) см возникают специфические особенности - уменьшение концентрации и размеров нанокластеров, что проявляется в уменьшении коэффициента поглощения и увеличении оптической щели алмазоподобных плёнок; установлено, что имплантация азота приводит к существенному изменению как электронной, так и колебательной структуры графитоподобных нанокластеров. 6. Обнаружены существенные изменения колебательного спектра и оптических свойств углеродных плёнок при термическом отжиге (Т=400 °С) в атмосфере азота с примесью кислорода, сходные с наблюдаемыми при ионной имплантации азота. Эти изменения носят обратимый характер.

Установлено, что модификация плёнок идет, по крайней мере, в два этапа: на первом этапе формируется нанопористая углеродная плёнка; на втором - диффузия молекул азота по нанопорам и их адсорбция на поверхности графитоподобных нанокластеров.

Предложена качественная модель, объясняющая наблюдаемые изменения, основанная на взаимодействии адсорбированных молекул азота с графитоподобными нанокластерами по интеркаляционному механизму с формированием нового типа азот-углеродных нанокластеров.

В заключение автор выражает глубокую признательность Файзрахманову Ильдару Абдулкабировичу и Хайбуллину Ильдусу Бариевичу за постановку задачи и руководство работой. Автор искренне благодарен всем сотрудникам лаборатории Радиационной физики за участие и дружескую поддержку в период работы над диссертацией, а также Надежде Васильевне Курбатовой за спектры комбинационного рассеяния алмазоподобных плёнок.

105

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Базаров, Валерий Вячеславович, 2003 год

1. Авторский список литературы

2. A2. Faizrakhmanov I.A., Bazarov V.V., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. Optical and electrical properties of C+-implanted amorphous diamond-like carbon films // Nucl. Istr. and Meth. in Phys. Res.(B). 1997. - V.B127 - P.719-722.

3. A4. Faizrakhmanov I.A., Bazarov V.V., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. The investigation of optical and electrical properties of N+-implanted DLC films // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res.(B).- 1999. V.B148. - P. 669-672.

4. A5. Faizrakhmanov I.A., Bazarov V.V., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. Influence of Xe-ion irradiation on microstructure of diamond-like carbon films // Abstract of 10 Int. Conf. on Radiation Effects in Isolators. Jena, Germany, 1999.-P.181.

5. A6. Faizrakhmanov I., Bazarov V., Zhikharev V., Khaibullin I. Influence of Xe+-ion irradiation on microstructure of diamond-like carbon films // Abstracts of III Int. Symp ION2000. Lublin, Poland, 2000. - P.29.

6. A7. Faizrakhmanov LA., Bazarov V.V., Zhikharev V.A., Stepanov A.L., Khaibullin LB. Influence of Xe+ -ion irradiation on the microstructure of diamond-like carbon films // Vacuum. 2001. - V.62. - P. 15-19.

7. А8. Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б. Влияние бомбардировки ионами углерода на микроструктуру алмазоподобных плёнок // Физика и техника полупроводников. 2001.- Т.35. №5. - С.612-618.

8. Aisenberg S., Chabot R. Ion beam deposition of thin films of diamondlike carbon // J. Appl. Phys. 1971. - Vol.42. - P.2953-2958

9. A.c. 411037 СССР /В.М.Голянов, В.П.Демидов:

10. Рентгенографические исследования метастабильной модификации кубического алмаза / Н.Н.Матюшенко, В.Е.Стрельницский, А.А.Романов,

11. B.Т.Толок. // ДАН УССР. 1976. - сер.А(5). - С.459-461.

12. Formation of thin superconducting YBaCuO layers by oxygen implantation / V.V. Bazarov, V.Yu. Petukhov , I.A. Faizrahmanov et al. // Physica C. 1997. - Vol.282-287. -P.589-590.

13. Vora H.and Moravec T.J. Structural investigation of thin films of diamond-like carbon//J. Appl. Phys. 1981. - Vol.52. - P.6151-6157.

14. Effect of ion beam assistance on the microstructure of non hydrogenated amorphous carbon / F.Rossi, B.Andre, A. van Veen et al. // J. Appl. Phys. -1994. Vol.75(6). - P.3121-3129.

15. Savvides N. Optical constants and associated functions of metastable diamondlike amorphous carbon films in the energy range 0.5-7.3 eV // J. Appl. Phys. 1986. - Vol.59. - P.4133-4145.

16. Оптические характеристики алмазоподобных углеродных плёнок /

17. C.И.Вакула, В.Г.Падалка, В.Е.Стрельницский, А.И.Усоскин // Письма в ЖТФ. 1979. - Т.5. - С.1362-1366.

18. Microstructure of amorphic diamond films / С.В. Collins, F. Davanloo,

19. D.R. Jander et al. // J. Appl. Phys. 1991. - Vol.69. - P.7862-7870.

20. Robertson J. Prog. Hard amorphous (diamond like) carbons // Solid St. Chem. -1991. Vol.21. - P. 199-333.

21. Subplantation model for film growth from hyperthermal species / Y. Lifshiz, S.R. Kazi, J.W. Rabalais, W. Eckstein // Phys. Rev. B. 1990. - Vol.41. -P.10468-10480.

22. McKenzie D.R., Miller D., Pailthope B.A. Compressive-stress induced formation of thin film tetrahedral amorphous carbon // Phys.Rev. Lett. 1991. -Vol.67. - P.773-776.

23. Rf- plasma deposited amorphous hydrogenated hard carbon thin films: preparation, properties, and applications / A. Bubenzer, B. Dischler, G. Brandt and P. Koidl // J. Appl.Phys.- 1983. Vol.54(8). - P.4590-4595.

24. Robertson J. and O'Relly E.P. Electronic and atomic structure of amorphous carbon // Phys.Rev.B. 1987. Vol.35. - P.2946-2957.

25. Kakiuchi H., Kobayashi Т., Terai T. Property change of diamond-like carbon thin films due to ion implantation // Nucl.Instr. and Meth. In Phys.Res. B. -2000. Vol.166-167. - P.415-419.

26. Robertson J. and O'Relly E.P. Preparation and properties of amorphous carbon // J. Non-Crystalline Solids. 1991. - Vol.137-138. - P.825-830.

27. FrovaA. and Selloni A. The optical threshold of hydrogenated amorphous silicon, in Tetrahedrally // Bonded Amorphous Semiconductors./Под ред.

28. D.Adler and H.Fritzsche. Plenum Press, 1985. - P.271-285.

29. Pascual E., Serru C. and Bertran E. Optical absorption from graphitic clusters of hydrogenated amorphous carbon thin films // J. Appl. Phys. 1991. - Vol.70. - P.5119-5121.

30. Mikulski P., Patyk J., Rozploch F. Gaussian interpretation of the optical absorption edge tail in amorphous hydrogenated carbon a-C:H // J. Non-Crystalline Solids. 1994. - Vol.176. - P.230-234.

31. Superhard and Elastic carbon nitride thin films having fullerenlike microstructure / H. Sjostrom, S. Stafstrom, M. Boman and J.-E. Sundgren // Phys.Rev.Lett. 1995. - Vol.75(7). - P.1336-1339.

32. Иванов-Омский В.И., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия аморфного углерода // ФТП. -Т.34, №12. С.1409-1416.

33. WadaN., Gaczi P.J. and Solin S.A. "Diamod like" 3 fold coordinated amorphous carbon //J. Non-Crystall Solids. 1980. - Vol.35-36. - P.543-548.

34. Dillon R.O. and Woollam John A., Katkanant V. Use of Raman scattering to investigate disorder and crystallite formation in as-deposited and annealed carbon films // Phys.Rev.B. 1984. - Vol.29(6). - P.3482-3489.

35. Tuinstra F. and Koenig J.L. Raman Spectrum of Graphite // The Journal of chemical physics. 1970. - Vol.53. - N3. - P. 1126-1130.

36. Origin of dispersive effects of the Raman D band in carbon materials / M.J. Matthews, M.A. Pimenta, G. Dresselhaus et al. // Phys.Rev. B. 1999. -Vol.59. - N10. - P.R6585-R6588.

37. Интерпретация некоторых особенностей в спектрах комбинационного рассеяния графита и стеклоуглерода / А.В. Баранов, А.Н. Бехтерев, Я.С. Бобович, В.И. Петров //Оптика и спектроскопия. 1987. - Т.62, №5. -С.1036-1042.

38. Correlation of the optical gaps and Raman spectra of hydrogenated amorphous carbon films / M.A. Tamor, J.A. Haire, C.H. Wu and K.C. Hass // Appl.Phys.Lett. 1989. - Vol.54. - P. 123-125.

39. Raman spectroscopy on amorphous carbon films / J. Schwan, S. Ulrich, V. Batori et al. // J. Appl. Phys. 1996. - Vol.80. - N1. - P.440-447.

40. Photoluminescence of RF glow discharge amorphous carbon films / K. Fabisiak, F. Rorploch, J. Szatkowski, P. Targowski // Phys. Status Sol. (a). -1991. Vol.126(1). - P.275-280.

41. Smith F.W. Optical constants of hydrogenated amorphous carbon films // J. Appl. Phys. 1984. - Vol.55. - P.764-771.

42. Electrical and optical properties and structural changes of diamond like carbon films during thermal annealing / T.M. Wang, W.J. Wong, B.L. Chen and S.H. Zhang // Phys.Rev. B. 1994. - Vol.50(8). - P.5587-55899.

43. Фотолюминесценция слоев Si02 , имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме / Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа и др. // ФТП. 1997. - Т.31. - С. 730-734.

44. Effect of heavy ion irradiation on amorphous hydrogenated (diamondlike) carbon films / S. Prawer, R. Kalish, M.E. Adel, V. Richter // J. Appl. Phys. -1987. Vol.61. - P.4492-4500. ; v.62(10), p.4096-4099 (1987).

45. Ion beam induced conductivity and structural changes in diamondlike carbon coatings / S. Prawer, R. Kalish, M.E. Adel, V. Richter // Appl. Phys. Lett. -1986. Vol.49(18). - P. 1157-1159.

46. Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных плёнок / В.В. Сухоруков, А.А. Ежевский, Е.И. Зорин и др. // Поверхность. 1991. - №5. - С.92-96.

47. Liu A.Y. and Cohen L. Prediction of new low compressibility solids // Science. 1989.-Vol.245.-P.841-842.

48. Liu A.Y. and Cohen L. Structural properties and electronic structure of low compressibility materials: p-Si3N4 and hypothetical f3-C3N4 // Phys.Rev. B. -1990. Vol.41(15). - P. 10727-10734.

49. The effect of implantation temperature on surface hardness, elastic modulus and Raman scattering in amorphous carbon / Deok-Hyung Lee, Byugwoo Park, David B. Poker, Riester Laura // Appl.Phys.Lett. 1997. - Vol.70(23). -P.3104-3106.

50. Thermal properties of DLC thin films bombarded with ion beams / Y. Funada, K. Awazu, K. Shimamura, M. Iwaki // Surface and Coatings Technology. -1998. Vol.103-104. - P.389-394.

51. Hoffman A., Gouzman I., Brener R. Possibility of carbon nitride formation by low energy nitrogen implantation into graphite: In situ electron spectroscopy studies // Appl. Phys. Lett. 1994. - Vol.64. - P.845-847.

52. Characterization of high fluence nitrogen ion implanted pyrolytic graphite / J. Hartmann, A. Koniger, H. Huber et al. // Nucl. Instr. Methods Phys. Res. -1996. Vol.B 117.-P.392-396.

53. Structural investigation of two carbon nitride solids produced by cathodic arc deposition and nitrogen implantation / A.R. Merchant, D.G. McCulooch, D.R. McKenzie et al. // J. Appl. Phys. 1996. - Vol.79. - P.6914-6919.

54. Structural properties of carbon nitride films prepared by high dose nitrogen implantation into carbon thin films / H. Xin, C. Lin, W.-P. Xu et al. // J.Appl.Phys. 1996. - Vol.79. - P.2364-2365.

55. Low energy 15N implantation in carbon for the synthesis of carbon nitride layers / F. Link, H. Baumann, A. Markwitz et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1996. - Vol.Bl 13. - P.235-238.

56. S. Grigull, W. Jacob, D. Henke et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. - Vol.70. -P.1387.

57. Aarao Reis F.D.A. and Franceschini D.F. Two species model for deposition and erosion of carbon-nitrogen films // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol.74(2). -P.209-211.

58. Transport and structural modification during nitrogen implantation at hard amorphous carbon films / S. Grigull, W. Jacob, D. Henke et al. // J.Appl.Phys.- 1998. -Vol.83(10). P.5185-5194.

59. Kaufman J.H., Metin S., Saperstein D.D. Symmetry breaking in nitrogen-doped amorphous carbon: Infrared observation of the Raman-active G and D bands // Phys.Rev. B. 1989. - Vol.39(18). - P.13053-13060.

60. Superhard and elastic carbon nitride thin films having fullerenelike microstructure / H. Sjostrom, S. Stafstrom, M. Boman and J.-E. Sungren // Phys. Rev. Lett. 1995. - Vol.75(7). - P. 1336-1339.

61. Interpretation of x-ray photoelectron spectra of elastic amorphous carbon nitride thin films / B.C. Holloway, O. Kraft, D.K. Shuh et al. // Appl.Phys.Lett.- 1999. Vol.74(22). - P.3290-3292.

62. Bhattacharyya Somnath, Cardinaud C. and Turban G. Spectroscopic determination of the structure amorphous nitrogenated carbon films // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.83(8). - P.4491-4499.

63. Раков A.B. Спектроскопия тонкоплёночных полупроводниковых структур. М.:Советское радио, 1975. - 176с.

64. Метфессель С. Тонкие плёнки, их изготовление и измерение. -М.:Госэнергоиздат, 1963. 235с.

65. Marton J.P., Schlesinger М. Optical constant of thin discontinuous nicel films // J.Appl.Phys. 1969. - Vol.40. - N11. - P.4529-4533.

66. Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии. / И.Г.Бурыкин, Л.П.Воробьев, В.В.Грушецкий, Э.Е.Дагман, Р.И.Любинская, Г.А.Сапрыкина, К.К.Свиташев,

67. А.И.Семененко, Л.В.Семененко; Под. ред. А.В.Ржанова. Новосибирск:Наука, 1980. 79с.

68. Файзрахманов И.А., Хайбуллин И.Б. Исследование методом оптической спектроскопии микроструктуры плёнок а-С, полученных ионно-стимулированным осаждением // Поверхность. 1994. - №10-11. - С.57-61.

69. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. / Под ред. Р.Бериша. -М.:Мир, 1984.-Т.1. 336с.

70. Yoshikawa М. Raman spectra of diamondlike amorphous carbon films // J. Appl. Phys. 1988. - Vol.64. - P.6464.

71. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Государственное издательство физ.-мат. лит., 1961 г, -421 с.

72. Титов В.В. Роль механических напряжений при легировании материалов с помощью ионных пучков // ИАЭ-3774/11, 1983. - №7. - 47с.

73. Файзрахманов И.А., Шустов В.А., Хайбуллин И.Б. Влияние ионной имплантации на адгезионную прочность и механические напряжения текстурированных плёнок алюминия // Поверхность. 1989. - №8. - СЛ14-119.

74. Berman R. and Simon F. // Z.Electrochem. 1955. - Vol.59. - P.333.

75. О у-углероде / Л.С. Палатник, М.Б. Гусева, В.Г. Бабаев и др. // ЖЭТФ. -1984. Т.87. - С.914-917.

76. Hauser J. Electrical, structural and optical properties of amorphous carbon // J.Non-cryst. Solids. 1977. - Vol.23. - P.21-41.

77. Dawson J.C. and Adkins J. Condaction mechanisms in amorphous carbon prepared by ion-beam sputtering // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. - Vol.7. -P.6297-6315.

78. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. - 472 с.

79. Entin-Wohlman О., Gefen Y. and Shapira Y. Variable-range hopping conductivity in granular materials // J. Phys. C: Solid State Phys. 1983. -Vol.16. - P.l 161-1167.

80. Davis E.A. and MottN.F. Conduction in non-crystalline systems // Phil.Mag. -1970. Vol.22. -P.903-922.

81. Сивухин Д.В. Оптика: Учеб.пособие. 2-е изд., испр. - М.:Наука, Гл.ред.физ.-мат.лит., 1985.-752 е., ил. - (Общ.курс.физики).

82. Electrical properties of nitrogen incorporated tetrahedral amorphous carbon films / Z.Y.Chen, Y.H. Yu, J.P.Zhao et al. // Thin Solid Films. 1999. -Vol.339. - P.74-77.

83. Sreenivas G., Ang S.S. and Brown W.D. Effects of nitrogen doping on the growth and properties of plasma-enhanced chemical-vapor-deposited diamondlike-carbon films //J. of Electronic Materials. -1994. -Vol.23. -N 6. -P.569-575.

84. Hall effect measurement of surface conductive layer on undoped diamond films in N02 and NH3 atmospheres / Gi.Ri. Sung, Kazuhiro Tashiro, Seiichi Tanaka et al. // J. Appl. Phys. 1999. - Vol.38. - P.3492-3496.

85. Иванов-Омский В.И., Сморгонская Э.А. Модифицирование электронного спектра и колебательных свойств аморфного углерода примесью меди // ФТП. 1998. - Т.32, № 8. - С.931-938.

86. Diamond-like carbon films as electron-injection layer in organic light emitting diodes / K. Lmimouni, C. Legrand, C. Dufour et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol.78. - N 17. - P.2437-2439.