Синтез, фото-, катодолюминесценция и радиационная устойчивость фосфоров на основе галлата и сульфида цинка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Никишин, Николай Владимирович

  • Никишин, Николай Владимирович
  • кандидат химических науккандидат химических наук
  • 1999, Саратов
  • Специальность ВАК РФ02.00.04
  • Количество страниц 142
Никишин, Николай Владимирович. Синтез, фото-, катодолюминесценция и радиационная устойчивость фосфоров на основе галлата и сульфида цинка: дис. кандидат химических наук: 02.00.04 - Физическая химия. Саратов. 1999. 142 с.

Оглавление диссертации кандидат химических наук Никишин, Николай Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Фосфоры на основе галлата цинка.

1.2 Фотолиз цинккадмийсульфидных люминофоров.

1.3 Деградация фосфоров под действием электронной бомбардировки.

2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Характеристика исходных веществ.

2.2 Синтез фосфоров с зеленым, синим и красным цветом свечения в системе Zn0-Ga203-Li20.

2.2.1. Фосфор ZnGa204:Mn.

2.2.2. Фосфоры (LixGai-x)yZni-yGa204.

2.2.3. Фосфор ZnGa204:Cr.

2.3. Методы исследования оптико-люминесцентных характеристик.

2.4. Методы исследования характеристик катодолюминесценции.

2.5. Методики определения электропроводности люминофора в реальном вакуумном ВФД.

2.5. Анализ поверхности фосфора KJI-экранов вакуумных флуоресцентных дисплеев.

3. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА НА ФОТО- И КАТОДОЛЮМИНЕС-ЦЕНЦИЮ ФОСФОРОВ В СИСТЕМЕ Zn0-Ga203-Li20.

3.1. Зеленый фосфор ZnGa204:Mn.

3.2. Синий фосфор в системе Zn0-Ga203-Li20.

3.3. Красный фосфор ZnGa204:Cr.

4. ФОТОЛИЗ ЦИНККАДМИЙСУЛЬФИДНЫХ ФОСФОРОВ И ФОСФОРОВ НА ОСНОВЕ ГАЛЛАТА ЦИНКА.

4.1. Фотохимическая деградация фосфоров.

4.2. Механизм фотолиза.

5. ДЕГРАДАЦИЯ ФОСФОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА

И СУЛЬФИДА ЦИНКА.

5.1. Факторы, влияющие на эффективность и долговечность катодолюми-несцентных экранов, возбуждаемых медленными электронами.

5.2. Связь долговечности экранов с плотностью тока и содержанием элек тропроводной добавки.

5.3. Радиационная стойкость экранов на основе оксида и сульфида цинка.

6. ВЫВОДЫ.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физическая химия», 02.00.04 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, фото-, катодолюминесценция и радиационная устойчивость фосфоров на основе галлата и сульфида цинка»

Актуальность темы. Кристаллофосфоры на основе оксида цинка, сульфидов цинка и кадмия и их твердых растворов широко используются в настоящее время в качестве излучающих компонентов катодолюминесцентных (КЛ) экранов в вакуумных флуоресцентных дисплеях (ВФД) и дисплеях с полевой эмиссией (ДПЭ).

Принципиальным отличием полноцветных ВФД и ДПЭ от электроннолучевых трубок телевизионного типа является более жесткий режим возбуждения КЛ: очень высокие (до 10 мА/см2) средние плотности тока при низких (10100 эВ) и средних (100-500 эВ) энергиях возбуждающих электронов. Поскольку низкая энергия первичных электронов приводит к тому, что последние проникают лишь на несколько атомных слоев в глубь кристалла, то основные процессы преобразования энергии первичного электронного потока происходят в тонком поверхностном слое. Таким образом, эффект низковольтной катодо-люминесценции (НВКЛ) является ярко выраженным поверхностно-чувствительным эффектом, при котором яркость и эффективность КЛ фосфора будут определяться не только химическим составом и структурой его матрицы, но и состоянием поверхности зерна кристаллофосфора и, следовательно, условиями его синтеза.

Так как в ДПЭ и ВФД плотности тока на три-четыре порядка выше, чем в электронно-лучевых трубках, а глубина проникновения первичных электронов не превышает нескольких нанометров, то в результате в приповерхностном слое зерна фосфора создается очень высокая концентрация неравновесных электронов и дырок, то есть восстановителей и окислителей, стимулирующих химические реакции разложения матрицы фосфора. В связи с этим, возникает проблема долговечности КЛ экранов ДПЭ и ВФД. В настоящее время она является одной из серьезнейших проблем, с которой сталкиваются разработчики этих типов дисплеев.

Несмотря на то, что в низковольтном и средневольтовом диапазоне возбуждения цинккадмийсульфидные фосфоры обладают большей эффективностью КЛ, чем такие оксидные материалы, как галлаты, силикаты и некоторые другие матрицы, последние представляют значительный интерес с точки 6 зрения их высокой стабильности как к фотохимической деградации, так и к бомбардировке медленными электронами при повышенных плотностях тока.

В связи с этим целью настоящей работы является разработка эффективных и стабильных к электронной бомбардировке цинкгаллатных фосфоров и установление механизма фотохимической деградации фосфоров на основе сульфида цинка.

Для достижения этой цели необходимо:

- определить оптимальные условия синтеза цинкгаллатных фосфоров с зеленым и синим свечением: состав матрицы фосфора, концентрацию активатора, атмосферу и температурно-временные режимы синтеза;

- исследовать влияние условий синтеза на интенсивность фотолюминесценции и эффективность катодолюминесценции этих фосфоров;

- провести сравнительное изучение фотохимической деградации (фотолиза) цинкгаллатных фосфоров и фосфоров на основе твердых растворов сульфидов цинка и кадмия;

- изучить влияние условий возбуждения фосфоров в стационарном и импульсном режимах в реальных ВФД на яркость и эффективность КЛ;

- разработать оптимальные методики тестирования, позволяющие исключить влияние конструктивных особенностей дисплея на электрофизические свойства люминесцентных экранов.

Научная новизна: Впервые: синтезирован новый люминофор в системе ЪпО-С&гОъ-^лгО с синим цветом свечения, всесторонне исследована его катодолюминесценция при возбуждении электронами с энергией 50-1500 эВ в стационарном и импульсном режимах в широком интервале плотностей возбуждения; синтезирован новый люминофор 2пОа2С>4:Сг с красным цветом свечения, перспективный для высоковольтных (3-5 кВ) дисплеев; разработана оригинальная методика измерения проводимости люми-нофорного слоя экрана в реальном вакуумном флуоресцентном дисплее; проведено сравнительное исследование фотолиза цинккадмийсульфид-ных фосфоров и фосфоров в системе 2п0-0аг0з-ь120, установлен механизм их деградации при УФ облучении из области фундаментального поглощения. 7

Практическая значимость.

Разработан высокоэффективный кристаллофосфор ZnGa204'.Mn с зеленым свечением, цвет которого соответствует международному телевизионному стандарту (CIE, 1931), определены его оптимальный состав и концентрация активатора (Мп), атмосфера и температурно-временные режимы твердофазного синтеза. Фосфор в настоящее время внедряется в производство опытных партий ВФД и ДПЭ в ОАО "Волга-Свет" (г.Саратов).

Разработана методика синтеза самоактивированного фосфора с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga203-LÍ20, определен его оптимальный состав, спектральные характеристики и координаты цветности.

Выяснено влияние плотности тока и энергии возбуждающих электронов на радиационную стойкость фосфоров KJT экранов и долговечность их в ВФД и ДПЭ, как в стационарном, так и в импульсном режиме монохромного дисплея 1/4 VGA.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Методика синтеза люминофора ZnGa204:Mn с зеленым цветом свечения и его состав, позволяющий достигнуть максимальную эффективность КЛ при возбуждении медленными (50-1000 эВ) электронами.

2. Методика синтеза и оптимальный состав нового самоактивированного люминофора в системе Zn0-Ga203-LÍ20 с синим цветом свечения.

3. Механизм фотолиза цинккадмийсульфидных фосфоров и результаты исследования фотохимической деградации фосфоров в системе Zn0-Gai03lí2o.

4. Методика измерения электрофизических характеристик и истинной эффективности люминофорного слоя KJI экрана в реальном ВФД.

5. Факторы, определяющие долговечность экранов ВФД и ДПЭ при повышенных плотностях тока возбуждения.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физическая химия», 02.00.04 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Никишин, Николай Владимирович

ВЫВОДЫ

1. Разработан средневольтовый катодолюминофор 2пОаг04:Мп с координатами цветности х=0,16, у=0,71, определены его оптимальный состав матрицы и концентрация активатора. Показано, что в стационарном режиме эффективность КЛ в области возбуждающих энергий 200-500 эВ достигает 1,5 лм/Вт, а максимальная яркость составляет 1700-1800 кд/м2.

2. Синтезирован новый самоактивированный средневольтовый катодолюминофор с синим цветом свечения в системе 7п0-0а20з-1л20. Его координаты цветности х=0,21, у=0,23. Максимальная яркость и эффективность в средневольтовом диапазоне достигают 1800-1850 кд/м2 и 0,3 лм/Вт при составе [(Ыо>450ао)55)о,5гпо,5]0а204.

Синтезирован новый фосфор гп0аг04:Сг с красным цветом свечения с координатами цветности х=0,68, у=0,24. Показано, что оптимальная концентрация активатора составляет 1,5-2,0 ат.%.

3. Разработана оригинальная методика тестирования, позволяющая оценивать проводимость люминофорного слоя экрана вакуумного флуоресцентного дисплея, ускоряющее напряжение первичного электронного потока и "истинную" эффективность его катодолюминесценции.

4. Показано, что цинкгаллатные фосфоры более устойчивы к фотохимической деградации по сравнению с цинккадмийсульфидными. Установлено, что основная причина спада интенсивности ФЛ цинккадмийсульфидных фосфоров обусловлена образованием поглощающих пленок цинка и кадмия на поверхности зерна фосфора. Показано, что степень деградации возрастает с увеличением содержания сульфида цинка в твердом растворе.

5. При исследовании вольт-яркостных характеристик, зависимости яркости от плотности тока, разгорания и затухания КЛ в реальных ВФД установлено, что оксидные фосфоры менее склонны к насыщению КЛ и обладают более коротким послесвечением по сравнению с сульфидными фосфорами.

6. Показано, что при непрерывной эксплуатации дисплея до 4000 часов в жестком (1а= 5-10 мА/см2,11а=300-500 13) режиме оксидные фосфоры значительно более устойчивы по сравнению с их сульфидными аналогами. Максимальный спад яркости фосфоров на основе галлата цинка в течение 4000 часов не превышает 10 %. Установлено, что он обусловлен образованием погло

125 щающей металлической пленки цинка и нелюминесцирующего оксида галлия на поверхности зерен фосфора. Для фосфоров на основе сульфида цинка происходит отравление оксидного катода продуктами взаимодействия серы с остаточной атмосферой дисплея - SO2, H2S, COS.

БЛАГОДАРНОСТИ Автор выражает благодарность сотрудникам НИИ знакосинтезирующей электроники "Волга": Михайловой В.В., Алавердян Л.Е., Кушнаревой Л.В. за изготовление катодолюминесцентных экранов и контрольных ВФД, а также Миронову Б.Н. и Якореву С.Н. за снятие Оже-электронных спектров и экранов на их основе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Никишин, Николай Владимирович, 1999 год

1. Petersen R.O. Low Voltage (-300 V) Cathodoluminescent Properties of Red, Green and Blue phosphor Materials // Extended Abstracts of the 1-st Int. Conf. on the Scie. and Tech. of Display Phosphors. San Diego, CA, 14-16 Nov. 1995. -P. 11-13.

2. Балодис Ю. H. Катодолюминофоры на основе редкоземельных элементов // В сб.: Неорганические люминофоры прикладного назначения. Вып. 1. -Л.: ГИПХ, -1972. -С. 4-51.

3. Низковольтная катодолюминесценция некоторых кислородосодержащих соединений циркония и галлия / Галактионов С.С., Власьяну Р.Г. и др. // В сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, -1984. -Вып. 27. -С. 65-70.

4. НВКЛ некоторых кислородосодержащих соединений циркония и галлия / Галактионов С.С., Валасьянц Г.Р., Воробьев В.А., Васильев Р.Ф. // В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. Ставрополь. -1984. -С. 65-70.

5. Toli Т., Kataoka Н., Itoh S. ZnGa204:Mn green cathodoluminescent phosphor for VFDs //Japan Display. -1992. -P. 421.

6. Photoluminescence characteristics of ZnGa204:Mn phosphors codoped with Ag,Cu, and A1 / Park Y.K., Han J.I., Ju S.H. et al. // Proc. of IDW'96. -P. 73-76.

7. Дрезин Д.И., Воробьев В.А., Галактионов С.С. Механизм люминесценции галлата цинка, активированного марганцем // В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. Ставрополь. -1984.-С. 61-64.

8. Suh К., Cho К., Lee Y. Photoluminescence characteristics of ZnGa204 phosphors depending on the composition and reducting condition // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sci. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997.-P. 241-244.

9. Oshima H., Toda K. Low-Voltage ZnGa204:Mn Phosphor and its Application to VFDs // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sci. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 133-136.

10. Cho S.H., Yoo J.S. Preparation of Spherical Phosphors by Aerosol Pyrolysis // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sei. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 307-310.

11. Itoh S., Toki H. Phosphor for Full-Color low-voltage FEDs // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sei. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 275-278.

12. Воробьев B.A., Ведхин А.Ф., Тимофеева T.M., Галактионов С.С. Низковольтная катодолюминесценция ^п.\^)0-люминофоров // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1987. -Вып. 1(116). -С. 3-5.

13. Синтез, оптические свойства и низковольтная катодолюминесценция твердых растворов Zm-xMgxO / Дмитриенко А.О., Шмаков C.JI., Букесов С.А., ГоряиноваТ.И. //Журн. неорг. химии. -1991. -Т. 36. -Вып. 2. -С. 480-484

14. The ZnGa2Ü4 Phosphor for Low Voltage Blue Cathodoluminescence / Itoh S., Toki H., Sato Y. et al. //J. Electrochem. Soc. -1990. -V. 137. -P. 1436.

15. Patent 63-135481 Japan. Phosphor excited by an electron beam / Nakamura Ryodzi, Toki Khitisi, Sato Iositaka. Futaba Corp. 1988.

16. PL Studies on Znx(Lio.5Gao.5)i-x Ga2Ü4 Phosphors / Suh K.S., Cho K.I., Jang S.J. et al. // Technical Digest of IVMC'97. Kyongju, Korea, 1997. -P. 687-691.

17. Ткачев A.B. Спектры возбуждения и затухания люмнесценции некоторых люминофоров красного цвета свечения // IV Всесоюзное совещание "Физика, химия и технология люминофоров". Часть I. Ставрополь, 1989. -С. 129.

18. An XPS and Mossbauer study of electrinic properties os ZnCrxGa2-x04 spinel solid / Battistoni C., Dormann J.L., Fiotani D. et al. // Solid Stat Comnun. -1981, № 4. -P. 581-585.

19. Мацубара Тецухито Ниппон денки к.к.. Япония. Заявка кл. С 09К 11/38. Н 01J 29/20. N55-86868. Заявл. 25.12.78. Опубл. 01.07.80. № 53-161732.

20. Толстой H.A. Бериллиевая шпинель, активированная хромом // Оптика и спектроскопия. -1963. -Т. 14, № 1. -С. 49-56.

21. Mikenda W., Preisinger A. N-lines in the luminescence spectra of Cr3+-doped spinels. II Origins of N-lines //J. Luminescence, -1981. -№ 1-2. -P. 67-83.

22. О некоторых факторах, определяющих уровень и стабильность параметров низковольтных индикаторов / Абалдуев Б.В., Горфинкель Б.И., Гуткина Г.И. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1974. -Вып. 9. -С. 3-11.

23. Seitz F. Absorption in Zinc Sulphide // Proc. Internat. Conf. Luminescence, 1966. Akademiai Kiado, Budapest, 1968. -P. 75.

24. Коккота Л.А., Шерстнев Л.Г. Экспериментальное исследование стойкости сульфидных катодолюминофоров при облучении фотонами // Тр.Талл. политехнич. ин-та. -1972. -№ 323. -С.133-140.

25. Свиридов В.В. Фотохимия и радационная химия неорганических веществ. -Минск, 1964.- 366 с.

26. Becker Е. Uber die photochemischen Empfmdligkeit des Zinkculfid. -München,-1926.- 186 S.

27. Leverer H.W. Introduction to Luminiscence of colids N.V. -London, 1950. -376 p.

28. Lenard P. Uhber die Lichtwirkung auf Zinksulfid // Annalen der Physik. -1922. -IV Folge. -Bd. 68, № 15/16. -S. 553-573.

29. Job A., Emschwiller G. On the luminescent properties of ZnS phosphors prepared at room temperature // Comptes rendus. -1923. -V. 177. -P. 313.

30. Gordon N.T., Seitz F., Guinband F. Photoluminescence of ZnS powders // J. Chem. Phys. -1938. -V. 7, № 4. -P. 4-11.

31. Seitz F. Electroluminescence and Photoluminescence of Thin Films of ZnS Dopped with Rate-Eartr Metods //J. Appl. Phys. -1942. -V. 13, № 10. -P. 636-642.

32. Gobrecht H., Kunz W. Der Zusammenhang von Schwahrzung und Lumineszenzvermohgen beim Zinksulfid // Zs. Phys. -1953. -Bd. 136. -S. 21-25.

33. Merz W.J. Schwahrzung von ZnS und CdS-Einkristallen durch Licht // Helv. Phys. Acta. -1957. -V. 30. -P. 244-246.

34. Исследование сорбционных процессов на поверхности цинк-сульфидных фосфоров / Гурвич A.M., Шаманов A.A., Бирман Т.М., Ильина М.А. // Изв. АН СССР, сер. физ. -1974. -Т. 38, № 6. -С. 1320-1324.

35. Semiconductor photocatalysis. Photoreductiv hydrogen evolution induced by excitation to the surface forbidded band states of ZnS / Yanagida Shizo Y.,Yosho M., Yoshihide M. et al. // Chem. Express. -1986. -V. 1, № 7. -P. 399-402.129

36. Photogeneration of hydrogen from water overan alumina-supported ZnSCdS catalyst / Junya K., Kenichi K., Hiroshi T. et al. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. -1987. -PT 1. -V. 83, № 5. -P. 1395-1404.

37. Sviszt P. Investigation of the photochemical behaviour of ZnS single crystals // Phys. Stat. Sol. -1964. -V. 4. -P. 631-638.

38. Левшин В.П. Люминесценция как явление и как наука // Изв. АН СССР, сер. физ. -1970. -Т. 34, № 3. -С. 477-483.

39. Букесов С.А. Свойства поверхности и низковольтная катодолюминесценция цинккадмийсульфидных кристаллофосфоров. Дис. . канд. хим. наук. -Саратов: СГУ. 1994. -124 С.

40. Sviszt P. Ultraviolet irradiation of ZnS single crystals kept in the atmosphere of different gases // Чехословацкий физический журнал. Серия В. -1963. -Т. 13. -С.88-90.

41. Sviszt P. On the darkening of ZnS single crystals by light // Acta physica Polonica. -1964. -V. 26, № 3-4. -P. 823-827.

42. Henglein A. Fluorescence, photochemistry and size quantization effects of colloidal semiconductor particles // J. chim. phys. et phys.-chem. biol. -1987. -V. 84, №9.-P. 1043-1047.

43. H.W.Leverenz. Luminescence of Solids; Wiley: New York, 1950.- 284 p.

44. Photochemistry of colloidal semiconductors. 20. Surface modification and stability of strong luminescing CdS particles / Henglein A., Spanhel L., Haase M. et al. //J. Amer. chem. Soc. -1987. -V. 109, № 19. -P. 5649-5655.

45. Samelson H., Lempicki A. Fluorescence of Cubic ZnS:Cl Crystals // Phys. Rev. -1962. -V. 125, № 3. -P. 901-909.

46. Morrison S.R. Electrochemistry at Semiconductor and Oxidised Metal Electrodes; Plenum: New York, 1980.- 484 p.

47. Luminescence and photophysics of cadmium sulphide semiconductor clusters: the nature of the emitting electron state / Chestnoy N., Harris T.D., Hull R., Brus L.E. // J. Phys. Chem. -1986. -V. 90, № 12. -P. 3393-3398.

48. Dunstan D.E. et al. Importance of Surface Reactions in the Photochemistry of ZnS Colloids // J. Phys. Chem. -1990. -V. 94, № 17. -P. 6797-6804.130

49. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Механизмы фотохимических реакций в чистых и легированных кристаллах CdS // Укр. физ. журн. -1973. -Т. 18, № 10. -С. 1678-1683.

50. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных Си / Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В. и др. // В сб.: Физ. процессы в кристаллах с дефектами. Киев. -1972. -С. 15-24.

51. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. О механизме образования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия // В сб.: Физ. процессы в кристаллах с дефектами. Киев. -1972. -С. 25-46.

52. Meissner D., Bendorf С., Memming R. Photocorrosion of cadmium sulphide: analysis by photoelectron spectroscopy // Appl. Surf. Sei. -1987. -V. 27, № 4. -P. 423-436.

53. Верещагин И.К., Кокин С.М., Мухин C.B. Изучение процессов, приводящих к потемнению сульфида цинка // Журн. физ. химии. -1984. -Т. 58. -Вып. 7. -С. 1798-1799.

54. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982.- 412 с.

55. Platz Н., Schenk P. Die Abnahme der Kathodolumineszenz von ZnS:Ag durch Bestralung mit 16 kV-Electronen // Z. angew. Chem. -1936. -Bd. 49, № 10. -S. 822-834.

56. Gordon N.T., Seitz F. On the nature of Fluorescent Centers and Traps in Zinc Sulfide // J. Chem. Phus. -1939. -№. 7. -P. 4-12.

57. Cawley J. // Chem. news. -1882. -V. 44. -P. 167; -1891. -V. 63. -P. 89; -1892. -V. 15. -P. 1351; -1891. -V. 24. -P. 389.

58. Obrien W. Fluorescence of colloidal ZnS particles // J. Phys. Chem. -1915. -№ 19. -P. 113.

59. Loeb L.B., Schmiedeskamp L. Analysis of stability properties of ZnS:Cu powders // Proc. Nat. Acad. Soc. -1921. -№ 1. -P. 7-12.

60. Itoh H., Tonegawa Т., Morimoto K. Surface Analysis of Zni-xCdxS Phosphors Exposed to UV Light Irradiation // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology -1987. -№ 10. -P. 2628-2631.131

61. Hayes R., Freeman P.A., Mulvaney P., Grieser F., Healy T.W. Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem. -1987. -Bd. 91. -P. 231.

62. Buchler M., Reber J.F., Meier K. Photochemical hydrogen production with cadmium sulphide suspensions // J.Phys. Chem. -1984. -V. 88, № 12. -P. 3261-3268.

63. Hangos I. Beitrage zur Photolyse von ZnS-Phosphoren. // Festkohrperphysik. Berlin, Akad. Verl. -1961. -P. 327-332.

64. Weller H., Koch U., Gutierrez M., Henglein A. Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem.-1984. -Bd. 88.-P. 649.

65. Gerischer H., Willig F. Reaction of excited dye molecules at electrodes // Top. Curr. Chem. -1976. -V. 61. -P. 31-84.

66. Henglein A., Fojtik A., Weller H. Reaction of cadmium sulphide: analysis by photoelectron spectroscopy // Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem., 1987. -V. 91, № 4. -P. 423-436.

67. Ramsden J.J., Grätzel M. Photoluminescence properties of Zinc Sulfide // J.Chem. Soc., Faraday Trans. -1984. -V. 80, № 5. -P. 919-924.

68. Klassen D.B.M., deLeeuw D.M., Welker Т. The use of secondary electron emission to obtain trigger of relay action // J. Lumin. -1987. -V. 37, № 1. -P. 21-24.

69. Degradation of coated and uncoated sulfide-based cathodeluminescent phosphors / Sebastian J.B., Jones S.L., Trottier T.A. et al. // Journal of the SID. -1995. -V. 3,№4. -P. 147.

70. Itoh S., Kmizuka Т., Tonegawa T. Degradation Mechnism for Low Voltage Cathodoluminescence of Sulfide Phosphors // J. Electrochem. Soc. -1989. -V. 136, №6.-P. 1819-1823.

71. Toki H., Kataoka H., Itoh S. ZnGa2Ü4 Phosphor for low-voltage blue cathodoluminescence//J. Electrochem. Soc. -1991. -V. 138, № 5. -P. 1509-1512.

72. Абалдуев Б.В. Низковольтная катодолюминесценция. // Обзоры по электронной технике. Сер. 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. -1977. Вып. 1(457). М., ЦНИИ "Электроника", -32 С.132

73. Борисов B.JI. Определение пробегов электронов в окиси магния // Изв. АН СССР, сер. физ. -1979. -Т. 43, № 12. -С. 2659-2662.

74. Gy.Gerlegy. The cathodoluminescence efficiency of thin microcrystalline layers. Part II. The intrinsic efficiency // Z. phys. Chem. -1959. -№ 5-6. -P. 274-281.

75. Синельников Б.М. и др. // Сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь. -1974. -Вып. 10. -С. 125.

76. Дмитриенко А.О., Князев Ю.В. О закономерностях образования твердых растворов в системе сульфид цинка-сульфид кадмия // В сб.: Исследования в области неорганической и аналитической химии. -Саратов: Издат. Саратовского университета, 1975. -С. 7-9.

77. Смирнова В.И. О характеристике объемных дефектов в некоторых окислах в связи с с проблемой концентрации вакансий // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1966. -Т. 2, № 7. с. 1261-1268.

78. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. -М.: Наука, 1970.- 354 с.

79. Гурвич A.M. Исследование физико-химической природы сульфидных рентгено- и фотолюминофоров и процессов их образования. -М.: Химия, 1968.216 с.

80. Clark С.В., Kaisel S.F. //"J. О. S. A." -1954. -V. 44, № 2. -P. 134.

81. Petermann L.A. Gas Desorption Efficiency Under Electron Bombardment // Suppl. ofNuovo Cimemto. -1961. -V. 1. -№2. -P. 601.

82. Hanle W., Rau К.Н. Lichtausbeuten und Zerstohrung von Leuchtstoffen bei Electronen- und Ionenstoss // Zs. Phys. -1952. -Bd. 133, № 1/2. -S. 297-308.

83. Rottgardt K.H.J. Lumineszenzzerstohrung an Leuchtschirmen von Kathodenstrahlrohren durch Electronen // Zs. angew. Phys. -1954. -Bd. 6, № 4. -S. 160-163.

84. Phosphor degradation under electron excitation with varying anode voltage / Bechtel H., Czarnojan W., Haase M., Wadow D. // Jornal of the SID. -1996. -V. 4, №3. -P. 219-222.

85. Berthold W., Rottgard K.H.J. Reversible Leuchtstoffschahdigung durch positive Ionen //Naturwiss. -1955. -Bd. 42, № 15. -S. 436-437.

86. Gilfrich H.P. Anregung und Zerstohrung von Leuchtstoffen durch H+-Io-nen // Zs. Phys. -1956. -Bd. 145, № 2. -S. 241-248.

87. Характеристики экранов с като до люминофорами после облучения их электронами / Ведехин А.Ф., Кастерин С.В., Кузнецов В.Б. и др. // В сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь. -1975. -Вып. 13. -С. 31-37.

88. Pfahnl A. Advances in Electron Tube Techniques. -Pergamon. New York. -1961.-204 p.

89. Bliss W.H., Joung C.J. Characterization of luminescent materials and devices // RCA Rev. -1957. -V. 15. -P. 275-281.

90. Rottgardt K.H.J., Berthold W. Verahnderung von Leuchtschirmeigenschaften unter Elektronenbestrahlung in Kathodenstrahlrohhren // Zs. Naturforsch. -1955. -Bd. 10a, № 9/10. -S. 736-440.

91. Martin W. Beeinflussung der Lumineszenzeigenschaften von Phosphoren durch H2+-Ionen // Zs. Phys. -1957. -Bd. 147, № 12. -S. 582-592.

92. Degradation of zinc sulfide phosphors under electron bombardment / Swart H.C., Sebastian J.S., Trottier T.A. et al. // J. of Vacuum Sei. and Tech. -1996. -V. 34, № 10. -P. 2620-2625.

93. Phosphor depreciation by ion bombardment / Osamu Т., Kukio Т., Toshiaki T. et al. //J. Electrochem. Soc. -1984. -V. 131, №6. -P. 1365-1369.

94. Sinharoy S., Manocha A.S., Ryan F.M. Surface stability studies on some CRT phosphors //J. Electrochem. Soc. -1980. -V. 127, № 3. -P. 101.

95. Гугель Б.М. Люминофоры для электровакуумной промышленности. -М.: Энергия, 1967.-256 с.

96. Гугель Б.М. Эксплуатационная стойкость катодолюминофоров на основе скльфидов цинка-кадмия // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества". -Ставрополь. -1971. -Вып. 5. -С. 52-61.

97. Dégradation of ZnS phosphors / Holloway P.H., Sébastian J., Trottier T., Swart H. // Solid Shate Technol. -1995. august, -P. 47-52.

98. Абалдуев Б.И. Долговечность низковольтных вакуумных катодолюминесцентных индикаторов // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРГГ. -1989. -Вып. 4(127), -С. 19-25.

99. Дмитриенко А. О. Физико-химические основы люминесценции полупроводниковых кристаллофосфоров, возбуждаемой медленными электронами. Диссертация . доктора химических наук. Саратов, 1994.- 262 с.

100. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодолюминесценцию полупроводниковых фосфоров / Дмитриенко А.О., Шмаков C.JL, Букесов С.А., Филипченко В.Я. // Поверхность. Физика, химия, механика. -1993. -№ 4. -С. 119-124.

101. Иконникова Л.Ф., Минакова Т.С. Исследование адсорбции паров воды на цинксульфидных люминофорах // В сб.: Физико-химия поверхности. Томск.-1979.-С.79-102.

102. Влияние поверхностной обработки цинк-кадмий-сульфидных люминофоров на адсорбцию паров воды / Шиляев Л.П., Щгнева Т.П., Минакова Т.С., Стародубцева Е.В. // Томский ун-т. Томск, 1983. 10 с. (Деп. в ОНИИТЭхим. г. Черкассы 29 авг. 1983 г. № 845хп-Д83)

103. Исследование адсорбционных и каталитических свойств цинккадмийсульфидных люминофоров с поверхностной пленкой SnO? / Петрова Н.И., Белоусова В.Н., Минакова Т.С., Синещук Т.И. // Журн. физ. химии. -1983. -Т. 57, № 1. -С. 163-165.

104. Адсорбция паров воды на цинк-кадмий-сульфидных люминофорах / Шиляев Л.П., Минакова Т.С., Огнева Т.П., Орлова О-Н. // В сб.: Синтез и реакционная способность вещества. -Томск. -1984. -С. 203-206.

105. Shimio T., Kikuta S. Electron stimulated desorption of ZnS phosphors in vacuum fluorescent display. Дэнки кагаку оби буцури кагаку. -1988, -Т. 56, № 10. -С. 870-873.135

106. Degradation of FED phosphors / Holloway P.H. Trottier T.A., Sebastian J. et al. // Ext. abstr. of 3-d Int. Conf. Sei and Tech. of Display Phosphors. -1997. Nov. 3-5. California. -P. 7-10.

107. Кабакова A.M., Роговец Э.В. Температурная зависимость низковольтной катодолюминесценции // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1978. -Вып. 6. -С. 96-101.

108. Оценка коэффициента теплопроводности люминофорного слоя экрана электронно-лучевой трубки / Ведехин А.Ф. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1975. -Вып. 4. -С. 27-34

109. Ведехин А.Ф. Причина уменьшения начальной яркости вакуумных люминесцентных индикаторов // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества", -Ставрополь. -1985. -Вып. 29. -С. 38-45.

110. Экспериментальное исследование температурного тушения низковольтной катодолюминесценции / Роговец Э.В. Морозова В.В., Кабакова A.M. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1988. -Вып. 4(127). -С. 31-34.

111. Ведехин А.Ф., Пивнева С.П., Булгакова К.И. Влияние низких температур на яркость свечения низковольтных катодолюминофоров // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Исследования люминофоров и технология их производства". -Ставрополь -1987. -Вып. 32. -С. 29-34.

112. Ковалев Б.А. Спектры излучения состаренных электролюминофоров // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Методы получения люминофоров и сырья для них". -Ставрополь. -1980. -Вып. 19. -С. 43-47.

113. Карякин Ю.В., Ангелов И.И. Чистые химические вещества. -М.: Химия, 1974.-407 с.

114. Крылов О.В., Киселев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. -М.: Химия, 1981.- 312 с.

115. Пека Г.П. Роль электронных явлений в фотолюминесценции полупроводников //Журн. физич. химии. 1978. -Т.52, № 12. -С. 3087-3089.

116. Ведехин А.Д., Кузнецов В.Б. // Сб тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. -Ставрополь, 1985. -Вып. 28. -С. 109.

117. Дмитриенко А.О., Шмаков C.JL, Букесов С.А., Филипченко В.Я. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодо-люминесценцию полупроводниковых кристаллофосфоров // Поверхность. -1993. -№ 4. -С. 119-124.

118. Букесов С.А., Дмитриенко А.О., Шмаков СЛ. Проблема измерения контактной разности потенциалов в вакуумных катодолюминесцентных дисплеях с полупродводникоым экраном // Известия вузов. Физика. -1995. -№ 1. -С. 118-119.

119. A.C. № 549758 с приоритетом от 30 января 1975. Щепетов А.П. Способ определения сопротивления люминофора управляемого вакуумного индикатора.

120. Клейнер Э.Ю. Основы теории электронных ламп. -М.: "Высшая школа", 1974.-562 с.

121. Никишин Н.В., Букесов С.А., Дмитриенко А.О. Методы оценки электропроводности экрана в реальном дисплее // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

122. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.- 568 с.

123. Toli Т., Kataoka Н., Itoh S. ZnGa204:Mn green cathodoluminescent phosphor for VFDs // Japan Display'92. -1992. -P. 421-424.

124. Photoluminescence characteristics of ZnGa204'Mn phosphors codoped with Ag, Cu, and AI / Y.K.Park, J.I.Han, S.H.Ju et al. // Proc. of IDW'96. -1996. -P. 73-76.

125. Дрезин Д.И., Воробьев В. А., Галактионов С.С. Механизм люминесценции галлата цинка, активированного марганцем //В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. -Ставрополь.-1984.-С. 61-64.

126. Фосфор с зеленым цветом свечения ZnGa204:Mn, эффективно возбуждаемый медленными электронами / Дмитриенко В.П., Никишин Н.В.,

127. Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Букесов С.А. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

128. PL Studies on Znx(Lio,5Gao,5)i-x Ga204 Phosphors / Suh K.S., Cho K.I., Jang K.J. et al. //Technical Digest of IVMC'97. Kyongju, Korea. -1997. -P. 687-691.

129. Blue phosphor in the systen Zn0-Ga203-Li20 for FED / Dmitrienko V.P., Nikishin N.V., Dmitrienko A.O., Bukesov S.A. and Kim J.M. // Proc. of the Society for Information Display Conf. -Anaheim, USA, 1998. (SID'98). -P. 581-584.

130. Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О. Фосфор с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga203-Li20 для дисплеев с полевой эмиссией. // Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии: Тез. докл. Всерос. семинара. -Саратов, 1998. -С. 36.

131. Фосфор с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga2Û3-Li20 для дисплеев с полевой эмиссией / Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Букесов С.А. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

132. Физика и химия соединений AIIBVI / Под. ред. Медведева С.А.// М.: Мир, 1970,-624 с.

133. Катодолюминофоры с зеленым и красным цветом свечения на основе ZnGa2C>4 / Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О. Щепихин C.B. // Сб. научных трудов "Химические науки-99". -Саратов: Изд-во ГосУНЦ "Колледж". -1999. -С. 38-41.

134. Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Букесов С.А. Фосфор с зеленым цветом свечения ZnGa204.'Mn, эффективно возбуждаемый медленными электронами // Электронная промышленность -1999. -№2. -С. 36-39.

135. Мень А.Н., Черепанов В.П. Энергетический спектр примесных парамагнитрых ионов в идеальной шпинели // Изв. АН СССР, сер. физ. -1964. -T. XXVIII, № 3. -С. 462-468.

136. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л.: Химия, 1986.- 288 с.

137. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия неорганичеких веществ. -Минск: Наука и техника, 1964. -366 с.

138. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -M.: Высшая школа, 1982,- 350 с.

139. Физика и химия соединений AnBVI (под ред. С.А. Медведева). -М.: Мир, 1970.-642 с.

140. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. -М.: Мир, 1983,- 408 с.

141. Ведехин А.Ф. Причина уменьшения начальной яркости вакуумных люминесцентных индикаторов // Сб. научн. тр. "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества". Ставрополь. -1985. -Вып.29. -С. 38-45.

142. Низковольтные катодолюминофоры и особенности их исследования / Галактионов С.С., Турецкая З.И., Воробьев А.Н., Ткачев А.В. // Тр. МХТИ им. Д.И.Менделеева. -1981. -№ 120. -С. 64-83.

143. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодолюминесценцию полупроводниковых фосфоров / Дмитриенко А.О., Шмаков С.Л., Букесов С.А., Филипченко В.Я. // Поверхность. -1993. -№ 4. -С. 119-124.139

144. Сощин Н.П. Волновые, одноэлектронные и коллективные процессы возбуждения катодолюминесценции // Тез. докл. VII Всесоюзного I международного совещания. Физика, химия, и технология люминофоров. Ставрополь, 29 сентября 1 октября 1992. -С. 137.

145. Абалдуев Б.В. Некоторые особенности тонких прямонакальных оксидных катодов в низковольтных катодолюминесцентных индикаторах // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1980. -Вып. 3. -С. 66-68.

146. RGB-phosphors for FED: Surface properties and low-energy cathodoluminescence I Dmitrienko A.O., Gorfmkel B.I., Mikhailova V.V. et. al. // Technical Digest of IVMC'97. 17-21 August 1997. -P. 281-285.

147. Букесов C.A., Никишин H.B., Дмитриенко A.O. Факторы, влияющие на эффективность катодолюминесценции экранов, возбуждаемых медленными электронами. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

148. Nonlinear effects at extcitation of RGB phosphors by low-energy electrons / S.A.Bukesov, A.O.Dmitrienko, N.V.Nikishin, S.L.Shmakov. // Extended140

149. Abstracts of The Third Internatiunal Conference on the Science and Technology of Display Phosphors. 3-5 November 1997. -P. 245-248.

150. Electrophysical characteristics and low-energy cathodoluminescence of VFD and FED screens / Bukesov S.A. Nikishin N.V. Dmitrienko A.O. et. al. // Technical Digest of IVMC'97. 17-21 August 1997. -P. 663-666.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.