Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Чаплыгин, Алексей Николаевич

• Чаплыгин, Алексей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Чаплыгин, Алексей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ I АНАЛИЗ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СИЛЛЕНИТОВ КАК НЕРСНЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1.1 Свойства приповерхностных областей кристаллов силленитов и границ

Глава силленит электрод

1.1.1 Свойства поверхности твердых тел

1.1.2 Границы

Глава металл силленит

1.2 Структура и свойства кристаллов силленитов

1.2.1 Физико-химические свойства кристаллов силленитов

1.2.2 Контактные явления в силленитах

1.2.3 Спектральные характеристики поглощения в кристаллах силленитов

1.2.4 Фотохромный эффект и фотохимические процессы в фоточувствительных структурах на основе кристаллов силленитов

1.3 Особенности технологии изготовления фоточувствительных структур на основе кристаллов силленитов

1.4

Выводы II РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ И ЭКСНЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ИЗМЕНЕНИЯ ФОТОТОКА В КРИСТАЛЛАХ СИЛЛЕНИТОВ

2.1 Технические требования к экспериментальной установке для исследования кинетики изменения фототока в кристаллах силленитов .2 Экспериментальная установка для исследования кинетики изменения фототока в кристаллах силленитов при фотоактивации

2.3 Экспериментальная установка для фотохимической обработки кристаллов силленитов

2.4 Методики изготовления экспериментальных образцов и проведения исследований

2.5 Аналитическое описание экспериментальных кинетических зависимостей фототока в кристаллах силленитов с химико-механически полированной поверхностью III ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ПРОЦЕССЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДОВ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ 0КСИДНБ1Х СОЕДИНЕНИЯХ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА

3.1 Оценка влияния нарушенного слоя поверхности на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита

3.2 Разработка механизма фотохимических процессов, протекающих в приповерхностных областях кристалла силленита при фотоактивации

3.3 Анализ влияния оптического возбуждения на процессы перестройки внутренней структуры кристалла силленита

3.4 Аналитическое описание процессов пространственного распределения зарядов в кристалле силленита с химико-механически полированной поверхностью при фотоактивации IV РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СПОСОБОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПРИП0ВЕРХН0СТНБ1Х ОБЛАСТЕЙ КРИСТАЛЛА СИЛЛЕНИТА ДЛЯ СОЗДАНИЯ УСТРОЙСТВ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СИГНАЛОВ

4.1 Сенсибилизация кристаллов силленитов путем асимметричного легирования его приповерхностной области

4.2 Результат практического применения сенсибилизированного кристалла силленита

4.3 Аналитическая модель работы акустооптического устройства преобразования сигналов на основе кристалла силленита

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов»

Актуальность работы. В настоящее время новышение технических характеристик электронных устройств сбора и обработки информации достигается увеличением степени интеграции элементов на кристалле, что связано с необходимостью технологических проблемы процессов. в реализации более сложных Перспективный создании путь дорогостоящих указанной и решения заключается устройств, детектирующих обрабатывающих осуществить информацию оптическими методами, что позволит параллельную обработку больших массивов многомерных сигналов с высокой скоростью. Основой таких устройств служат оптически активные регистрирующие параметры. и преобразующие среды, имеющие оптическими распределенные Наиболее перспективными средами являются монокристаллы со структурой силленита, описываемые общей химической формулой Bii2R02o, где R Si, Ge, Ti. Указанные кристаллы обладают уникальным сочетанием практически значимых высокие физических характеристик, среди которых следует выделить фоточувствительность и пьезоактивность. Существующие неконкурентоспособны в настоящее время онтические среды по сравнению с аналогичными электронными элементами, в частности по таким важным параметрам как частотный диапазон и энергетическая чувствительность. является отсутствие данных о влиянии Одной из причин этого технологии формирования приповерхностных областей оптически активных сред на протекающие в них физико-химические процессы. В частности, модельные представления физических процессов в кристаллах силленитов идеализированы и зачастую противоречивы, что не позволяет создать отработанные технологические подходы к реализации фоточувствительных структур с распределенными параметрами на основе силленитов и ограничивает возможности практического использования этих материалов. Цель работы. Разработка физико-технологических процессов формирования приповерхностных областей кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов. Научная формирования задача заключается в определении и закономерности кинетико- приповерхностных областей механизма релаксационных процессов перераспределения зарядов в монокристаллах со структурой силлепита в зависимости от технологии обработки поверхности, с целью направленного соверп1епствования В рамках характеристик основной научной устройств задачи преобразования сигналов. сформулированы следующие частные задачи: 1. Оценка влияния нарушенного слоя поверхности на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита. 2. Разработка механизма фотохимических процессов, протекающих в приповерхностных областях кристалла силленита при фотоактивации.3. Анализ влияния оптического возбуждения на процессы перестройки внутренней структуры кристалла силленита. 4. Разработка технологических способов формирования приповерхностных областей кристалла силленита для создания устройств преобразования сигналов. Научная новизна. 1. Определен механизм влияния нарушенного слоя в зависимости от его толщины и структуры на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита, путем исследования изменения локальных участков кинетической кривой фототока. 2. На основе зонной теории и системы уравнений непрерывности получены аналитическая и зонная модели процессов пространственного распределения зарядов в кристалле силленита, учитывающие физико- химические особенности поверхности с нарушенным слоем. 3. Разработан механизм фотохимических процессов, протекающих в приповерхностных основанный областях кристалла механизмов силленита Митчелла при фотоактивации, и Герни-Мотта с на интеграции аналитическим описанием, полученным на основе уравнения Нернста. 4. Исследованы гистерезисные явления в кристалле силленита, вызванные перестройкой его внутренней структуры, которая обусловлена образованием и разрушением наноразмерных предцентров и субцентров дислокационных кластеров висмута.На защиту выносятся; 1. Результаты оценки влияния толщины и структуры нарушенного слоя поверхности силленита. 2. Аналитическая и зонная модели процессов прострапственного на пространственное распределение зарядов в кристалле распределения зарядов в кристалле силленита, учитывающие существование на его поверхности нарушенного слоя. 3. Механизм фотохимических нроцессов, протекающих в приповерхностных областях кристалла силленита при фотоактивации. 4. Результаты оценки влияния оптического возбуждения на процессы перестройки внутренней структуры кристалла силленита, основанные на анализе динамических вольт-амперных характеристик. Достоверность полученных результатов. Для проведения исследований использовались экспериментальные установки, характеристики соответствии приборами, с теорией генераторами и точность которых находились в полном измерений, с поверенными и малошумящими измерительными стабилизированными источниками питания. В качестве объектов исследования использовались образцы кристаллов силленитов, характеристики и свойства которых контролировались в процессе и после их изготовления. Результаты, полученные на образцах с типовыми и оригинальными методами обработки приповерхностных областей, имеют общие закономерности, хорошо выводами работы. согласуются между собой и теоретическими Для аналитического описания процессов, протекающих в исследуемых кристаллах силленитов получены классических соотношения, которые основаны на физики полупроводников и апробированных теориях диэлектриков, и достаточно адекватно отражают существо наблюдаемых явлений. Практическая значимость. 1. Разработаны технологические процессы и методики изготовлепия кристаллов силленитов повышенной фоточувствительности. 2. Разработаны методики формирования и модифицирования приповерхностных областей кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов. 3. Показана возможность расширения частотного диапазона кристаллов силленитов с модифицированными приповерхностными областями до частот звукового диапазона (до 18 кГц) и повышения на порядок энергетической чувствительности для создания преобразователей акустических сигналов. 4. Результаты работы могут найти практическое применение при создании устройств функциональной электроники, в частности для создания пространственно-временных модуляторов света (ПВМС), виброчувствительных элементов и устройств обработки речевых сигналов.АНАЛИЗ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ КАК СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ МАТЕРИАЛОВ СИЛЛЕНИТОВ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1.1 Свойства нриноверхностных областей кристаллов силленитов и границ

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Чаплыгин, Алексей Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В рамках диссертационной работы определены закономерности формирования приповерхностных областей и механизма кинетико-релаксационных процессов перераспределения зарядов в монокристаллах со структурой силленита в зависимости от технологии обработки поверхности, с целью существенного улучшения частотных и энергетических характеристик устройств преобразования сигналов и получены следующие основные результаты:

1. Определены закономерности влияния нарушенного слоя в зависимости от его толщины и структуры на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита, заключающиеся в изменении характерных локальных участков кинетической кривой фототока. Указанные изменения связаны с протеканием двух конкурирующих механизмов: генерационно-рекомбинационного и поляризационного в нарушенном слое, которые сопровождаются ионизацией ловушек с последующим выходом электронов в электрод, с одной стороны, и диффузионно-дрейфовый в объеме с другой стороны. По результатам исследований на основе зонной теории и системы уравнений непрерывности, уточнены аналитическая и зонная модели процессов пространственного распределения зарядов в кристалле силленита, с учетом физико-химических особенностей поверхности с нарушенным слоем.

2. Разработан механизм фотохимических процессов, протекающих в приповерхностных областях кристалла силленита при фотоактивации, основанный на интеграции механизмов Митчелла и Герни-Мотта с аналитическим описанием, полученным на основе уравнения Нернста. На основе наблюдаемых явлений и разработанного механизма проявления висмута установлено, что: - проявляющий раствор оказывает ярко выраженное каталитическое действие на процесс восстановления висмута на поверхности кристалла силленита; - процессы создания и разрушения скрытого изображения в кристалле осуществляются с участием наноразмерных предцентров и субцентров, количество которых определяется концентрацией ионов висмутила.

3. Исследованы гистерезисные явления в кристалле силленита, вызванные перестройкой его внутренней структуры, которая обусловлена образованием и разрушением наноразмерных предцентров и субцентров дислокационных кластеров висмута. Анализ полученных экспериментальных данных показал, что наблюдаемые явления связаны с процессами переполяризации, которые протекают в кристаллах в условиях перестройки внутренней структуры, а также с инерционностью релаксационных процессов пространственного зарядового перераспределения. Значительное влияние на количественные и качественные характеристики этих процессов оказывают: длина волны и плотность мощности экспонирующего излучения, а также толщина и структура нарушенного слоя находящегося на поверхности кристалла.

4. Разработаны технологические способы формирования приповерхностных областей кристалла силленита для создания устройств преобразования сигналов. Установлено, что значительное расширение частотного диапазона (до 18 кГц) и увеличение энергетической чувствительности (на порядок) кристалла силленита достигается путем асимметричной ионной имплантации ионов различных элементов в его приповерхностные области. Определены новые области применения структур на основе сенсибилизированных кристаллов силленитов в качестве виброчувствительных элементов и устройств обработки речевых сигналов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Чаплыгин, Алексей Николаевич, 2007 год

1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. 488 с.

2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1976.416 с.

3. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции/ Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера: Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 576 с.

4. Тарасова JI.C. Растворение поверхности монокристаллов германатов и силиката висмута со структурами силленита и эвлетина: Автореф. Дис. . канд. хим. наук./ АН СССР. ИОНХ. М., 1985. 23 с.

5. Кацавец Н.И., Кулева Л.Б., Леонов Е.И., Никитина И.П., Титкова О.В. Фотоэлектрические и структурные свойства поверхности монокристаллов Bii2GeO20 и Bi,2SiO20// ЖТФ. 1989. Т. 59, вып. 12. С. 107 110.

6. Захаров Н.П., Багдасарян А.В. Механические явления в интегральных структурах. М.: Радио и связь, 1992. 144 с.

7. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука, 1983. 270 с.

8. Fontaine J.P., Extremet G.P., Chevrier V., Launay J.C. Experimental and theoretical treatments of the Czochralski growth of Bii2Si02o// J. Crystal Growth. 1994. V. 139, № 1-2. P. 67 80.

9. Santos M.T., Marin C., Dieguez E. Morphology of Bii2Ge02o crystals grown along the (111) directions by the Czochralski method// J. Crystal Growth. 1996. V. 160, № 3-4. P. 283 288.

10. И. Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С. Получение монокристаллических пластин Са(УОд)2 и Bii2Si02o из расплава способом Степанова// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. Т. 47, № 2. С. 395 398.

11. Harris М., Larkin J., Cormier J.E., Armington A.F. Optical studies of Czochralski and hydrothermal bismuth silicate// J. Crystal Growth. 1994. V. 137, № 1-2. P. 128-131.

12. Багликов В.Б., Дмитриев B.A., Корнетов B.H., Огнев А.Н., Попов Б.Н. Кристаллическая структура и электрофизические свойства пленок германата висмута// Неорг. материалы. 1985. Т. 21, № 5. С. 830 835.

13. Nomura К., Ogawa Н. Electrooptic effects of electron cyclotron resonance plasma-sputtered Bi12Si02o thin film on sapphire// J. Appl. Phys. 1991. V 70. P. 3234 3238.

14. Youden K.E., Eason R.W., Gover M.C., Vainos N.A. Epitaxial growth of Bi12Ge02o thin film waveguides using excimer laser ablation// Appl. Phys.1.tt. 1991. V. 59. P. 1929- 1931.

15. Фотоиндуцированные явления в силленитах/ Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И.- Новосибирск. Наука. Сиб. отделение, 1990.-160 с.

16. Картин Ю.Ф., Бурков В.И., Марьин А.А., Егорышева А.В. Кристаллы Bii2Mx02o+8 со структурой силленита. Синтез, строение, свойства. М.: ИОНХ им. Н.С. Курнакова, 2004. 316 с.

17. Сафронов Г.М., Батог В.Н., Красилов Ю.И. и др. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1970. Т. 6, №2. С.284 288.

18. Aldrich R.E., How S.L., Harvill M.L. Electrical and optical properties of Bi12SiO20//J. Appl. Phys. 1971. V. 42, № 1. P. 493 494.

19. Lenzo P.L. Light- and electronic-field-dependend oscillation of spasecharge-limited current in Bii2Ge02o// J- Appl. Phys. 1973. V. 43, № 3. P. 1107-1112.

20. Захаров И.С., Акинфиев П.П., Петухов П.А., Скориков В.М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута//Изв. вузов. Физика. 1978. №3. С. 121 124.

21. Peltier М., Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in Bi12GeO20, Bi12SiO20// J. Appl. Phys. 1977. V. 48, № 9. P. 3683 3690.

22. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bi12SiO20// J. Appl. Phys. 1973. V. 44, № 6. P. 2652 2658.

23. Гуенок Е.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Стимулированнаяпроводимость монокристаллов Bi12Ge02o// Укр. физ. журн. 1976. Т. 21, №5. С. 866 867.

24. Гудаев О.А. О типе основных носителей в кристаллах германата висмута//Автометрия. 1980. №1. С. 106 108.

25. Алексеев А.Н., Бондаренко B.C. Электроупругие коэффициенты кристалла Bii2GeO20// ФТТ. 1976. Т. 18, вып. 9. С. 2736 2738.

26. Сперанская Е.П., Скориков В.М. К вопросу о силленит-фазе// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3, №2. С. 345 350.

27. Сперанская Е.П., Аршакуни А.А. Система окись висмута двуокись германия//ЖНХ. 1964. Т. 9, вып. 2. С. 414 - 421.

28. Сперанская Е.П., Скориков В.М., Сафронов Г.М., Миткина Г.Д. Система Bi203-Si02// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1968. Т. 4, № 8. С. 1374- 1375.

29. Гудаев О.А., Косцов Э.Г., Малиновский В.К. Инжектирующий контакт к широкозонным диэлектрикам// Автометрия, 1978. № 1. С. 92 96.

30. Кацавец Н.И., Кудрик И.Е., Леонов Е.И. Инжекционные свойства контакта электролит германат висмута // ЖТФ, 1985. Т. 55. Вып. 12. С. 2372-2376.

31. Захаров И.С., Петухов П.А., Скориков В.М. Импульсная фотопроводимость в кристаллах германата висмута// Изв. вузов. Физика. 1978. №5. С. 132- 134.

32. Красинькова М.В., Мойжес Б.Я. О центрах примесной фотопроводимости и скрытого изображения в кристаллах Bii2Si02o и его аналогах// ФТТ. 1989. Т. 31, № 9. С. 81 86.

33. Кацавец Н.И. Влияние ультрафиолетовой подсветки на вольт-амперные характеристики структуры металл силикат (германат) висмута -металл.// ЖТФ. 1984. Т. 54, вып. 9. С. 1812 - 1814.

34. Астратов В.Н., Ильинский А.В. Прямое исследование распределения электрического поля в кристалле Bi)2Ge02o с помощью поперечного электрооптического эффекта// ФТТ. 1982. Т. 24. № 1. С. 108 115.

35. Анцыгин В.Д., Гудаев О.А., Малиновский В.К. Нелинейный фотоотклик в структурах M(Bii2Ge02o)M// Автометрия. 1980. № 1. С. 109-113.

36. Грачев А.И. Влияние глубоких примесей на фотоэлектрические явления в кристаллах Bii2Si02o// ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 1. С. 227-233.

37. Гудаев О.А., Малиновский В.К. Эксклюзия в широкозонных полупроводниках//ФТП. 1981. Т. 15, № 5. С.868 872.

38. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 494 с.

39. Лайнс М., Глас А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы. М.: Мир, 1981.736 с.

40. Сенокосов Э.А., Макаревич А.Л., Сорочан В.В. Исследование механизма переключения в слоях nCdTe:In// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2005. №6. С. 41 45.

41. Гусев В.А., Детиненко В.А., Соколов А.П. Фотохромный эффект и оптическая запись информации в силленитах германия, кремния и титана // Автометрия. 1983. №5. С. 34 44.

42. Александров К.С., Анистратов А.Т., Грехов Ю.Н. и др. Оптические свойства монокристаллов Bi12Ge02o, легированных алюминием и бором // Автометрия. 1980. №1. С. 99-101.

43. Гусев В.А., Деменко С.И., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Пространственно-временной модулятор света типа ПРИЗ с повышенной фоточувствительностью// Автометрия. 1984. №1. С. 108 109.

44. Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И., Малиновский В.К. Стимулированное полем восстановление висмута в силленитах (Bi)2Si02o, Bi,2Ge02o) // ФТТ. 1985. Т. 27, вып. 9. С. 2786 2789.

45. Колосов Е.Е., Шилова М.В., Орлов В.М. Релаксация оптического пропускания монокристаллов Bii2SiO20 // Неорган, материалы. 1986. Т. 22. В. 7. С. 1222- 1223.

46. Martin J.J., Foldvari I., Hunt C.A. The low-temperature photochromic response of bismuth germanium oxide // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. № 12. P.7554 7559.

47. Спирин E.A. Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов: Дис. .кандидата физ.-мат. наук. Курск. 2000. 138 с.

48. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учеб. пособие для специальности «Полупроводники и диэлектрики» вузов. М.:1. Высш. школа, 1977. 448 с.

49. Захаров И.С. Пространственно-временные модуляторы света. Томск: Изд-во Томского университета, 1983. 265 с.

50. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. СПб.: Наука. С.-Петербургское отд-ние, 1992. 320 с.

51. Пространственные модуляторы света/ А.А. Васильев, Д. Касасент, И.Н. Компанец, А.В. Парфенов. М.: Радио и связь, 1987. 320 с.

52. Думаревский Ю.Д., Кофтонюк Н.Ф., Хожанов В.В. Оптически управляемые транспаранты на основе структур МДП жидкий кристалл// Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. М.: Изд-во ЦНИИ «Электроника», 1986. 89 с.

53. Акаев А.А., Майоров С.А. Оптические методы обработки информации. М.: Высш. школа, 1988. 237 с.

54. Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Физические особенности работы модуляторов света на основе кристаллов силленитов// Автометрия. 1987. №3. С. 100- 108.

55. Ковтонюк Н.Ф., Сальников Е.Н. Фоточувствительные МДП -приборы для преобразования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с.

56. Захаров И.С. Оптико-электронные процессы в фоточувствительных электооптических кристаллах типа силленита и многослойных структур на их основе: Дис. . доктора физ.-мат. наук. Томск. 1988.

57. Егорышева А.В, Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Волков В.В. Оптические свойства монокристаллов Bii2Ti02o и Bii2Si02o, легированных кобальтом// Неорганические материалы, 1995. Т. 31, № 8. С. 1087 1093.

58. Карпович И.А., Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Орлов В.М., Шилова М.В. Фотопроводимость монокристаллов Bi.2Si02o, легированных Mn, Ni, Сг// Неорганические материалы, 1985. Т. 21, № 6. С. 965 967.

59. Егорышева А.В., Волков В.В., Скориков В.М. Фотоиндуцированное поглощение в монокристаллах Bii2Ti02o, легированных Fe и Си// Неорганические материалы, 1994. Т. 30, № 5. С. 653 660.

60. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Куча В.В. Влияние легирования на электрооптические свойства монокристаллов Bi12SiO20// Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8, вып. 4. С. 205 -207.

61. Гусев В.А., Деменко С.И. Пропускание силленитов в инфракрасной области спектра// Автометрия. 1986. № 2. С. 110 112.

62. Гудаев О.А., Гусев В.А., Детиненко В.А., Елисеев А.П., Малиновский В.К. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bi12GeO20, Bii2SiO20// Автометрия. 1981. № 5. С. 38 47.

63. Леонов Е.И., Щербаков А.Г. Локальные колебания примеси ванадия в кристаллах со структурой силленита// ФТТ. 1986. Т. 28, вып. 3. С. 916 918.

64. Кацавец Н.И., Леонов Е.И., Орлов В.М., Шадрин Е.Б. Голографическая запись в легированных кристаллах силиката и германата висмута// Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9, вып. 7. С. 424 428.

65. Ефименко И.М., Захаров И.С., Каргин Ю.Ф., Кичуткин К.М., Скориков В.М. Параметры структур МДП ЖК на основе силиката висмута в динамическом режиме// Автометрия. 1986. № 2. С. 84 - 87.

66. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 328 с.

67. Берлин Е.В., Воробьев А., Сейдман Л.А. Получение чередующихся слоев диэлектриков на основе кремния// Электроника. 2002. № 5. С. 50 52.

68. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических пленок для ИС// Зарубежная электронная техника. 2000. Вып. 4. С. 62 91.

69. Маилян К.А., Пебалк А.В., Мишина Е.И., Кардаш И.Е. Физико-механические свойства и морфология поверхности пленок поли-п-ксилилена// Высокомолекулярные соединения. 1991. Т. 33, № 7. С. 1530 535.

70. Маилян К.А., Чвалун С.Н., Пебалк А.В., Кардаш И.Е. Рентгенографические исследования кристаллической структуры пленок поли-п-ксилилена// Высокомолекулярные соединения. 1992. Т. 34, № 9. С. 53-61.

71. Герштенберг Д. Тонкопленочные конденсаторы// Технология тонких пленок. Справочник. Т. 2/ Под ред. JI. Майссела, Р. Гленга. М.: Сов. радио, 1977. С. 652 -653.

72. Детиненко В.А., Жбанов О.В., Клипко А.Т., Покровский Л.Д. Получение пленок силиката висмута и их диффузионное взаимодействие с электродами// Автометрия. 1976. № 4. С. 55 57.

73. Мурыгин И.В. Электродные процессы в твердых электролитах. М.: Наука, 1991.351 с.

74. Тагиров Р.Б., Зюзин Н.А., Назипов Р.А. К вопросу о существовании переходного слоя на поверхности твердого тела// Вакуумная техника и технология. 2005. Т. 15, № 3. С. 251 256.

75. Атамалян Э.Г. Приборы и методы измерения электрических величин: учебное пособие для втузов/ Э.Г. Атамалян. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Дрофа, 2005.415 с.

76. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов/ Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; Под ред. О.П. Глудкина. М.: Горячая Линия Телеком, 2002. 768 с.

77. Беликов Е.Н., Долгих С.В., Чаплыгин А.Н. Определение класса шероховатости поверхности материалов методами цифровой обработки изображений// Сборник материалов 25-й научно-технической конференции. Ч. 9. Курск, 2004. С. 7-9.

78. Косолапова О.Н., Самбур В.А., Долгих С.В., Чаплыгин А.Н., Беликов Е.Н. Получение электропроводящих слоев на полимерных пленках// Сборник материалов 25-й научно-технической конференции. Ч. 10. Курск, 2004. С. 34-37.

79. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь, 1989. 288 с.

80. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968.464 с.

81. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоиздат, 1982. 320 с.

82. Физика. Большой энциклопедический словарь/ Гл. ред. A.M. Прохоров. 4-е изд. М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. 944 с.

83. Кухаркин Е.С. Основы инженерной электрофизики. Ч. 1. Основы технической электродинамики: Учеб. пособие для студентов вузов./ Под ред. П.А. Ионкина. М.: Высшая школа, 1969. 512 с.

84. Стильбанс JI.C. Физика полупроводников. М.: Советское радио, 1967. 452 с.

85. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. Издание седьмое, исправленное. М.: Наука, 1979. 942 с.

86. Несеребряные фотографические процессы./ Под ред. A.JL Картужанского. Д.: Химия, 1984. 376 с.

87. Свиридов В.В., Шевченко Г.П., Логинова Н.В. Бессеребряная фотографическая эмульсия. Авторское свидетельство № 736039 от 25.05.1980 г.

88. Свиридов В.В., Шевченко Г.П., Логинова Н.В. Фотографический материал. Авторское свидетельство № 615444 от 15.07.1978 г.

89. Свиридов В.В., Шевченко Г.П., Логинова Н.В. Фотографический материал. Авторское свидетельство № 781748 от 23.11.1980 г.

90. Крешков А.П., Ярославцев А.А. Курс аналитической химии. Книга первая. М.: Изд-во «Химия», 1968. 496 с.

91. Редько А.В., Константинова Е.В. Фотографические процессы регистрации информации: Учебное пособие/ Под ред. д-ра техн. наук, проф. А.В. Редько. СПб.: Политехника, 2005. 573 с.

92. Жакин А.И. Приэлектродные и переходные процессы в жидких диэлектриках// Успехи физических наук. 2006. Т. 176, № 3. С. 289 310.

93. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.

94. Некрасов Б.В. Основы общей химии. Т.1. Издание 3-е, исправленное и дополненное. М.: Химия, 1973. 656 с.

95. Косолапова О.Н., Сизов А.С., Чаплыгин А.Н., Долгих С.В., Беликов Е.Н. Механизмы химических процессов в кристаллах силленитов при их обработке в реактивах// Сборник материалов 25-й научно-технической конференции. Ч. 10. Курск, 2004. С. 37 39.

96. Гришин С.Я., Косолапова О.Н., Михайлов С.Н., Чаплыгин А.Н. Механизм повышения фоточувствительности кристаллов силленитов// Научно-технический сборник трудов ФГУП «Курский НИИ» МО РФ, 2004. №4(147). С. 24-29.

97. Чаплыгин А.Н., Спирин Е.А., Сизов А.С. Влияние фотохимических процессов в кристаллах силленитов на кинетику фотоотклика// Известия Курского государственного технического университета. 2007. №3 (20). С. 51-54.

98. Калинцев Ю.К. Разборчивость речи в цифровых вокодерах. М.: Радио и связь, 1991. 220 с.

99. Фрайден Дж. Современные датчики. Справочник. М.: Техносфера, 2005. 592 с.

100. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. Учебник для вузов. Изд. 3-е, перераб. и доп. М.: «Сов. радио», 1977. 608 с.