Самодифракция световых пучков в электрооптической ЦТСЛ-керамике тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Сайкин, Анатолий Семенович

• Сайкин, Анатолий Семенович
• кандидат физико-математических наук
• 1983

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сайкин, Анатолий Семенович

Введение.

1. ЗАВИСЬ ДИНАМИЧЕСКИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРШ>АКТИВНЬ1Х

СРЕДАХ.

1.1. Модель Чена.

1.2. Модель Днонстона.

1.3. Аномальный фотовольтаический эффект.

1.4. Фоторефрактивная запись голограмм в электрооптических средах.

1.5. Взаимодействие световых пучков при записи динамических голограмм.

1.6. Запись голограмм в ЦТСЛ-керамике.

1.7. Светочувствительность сегнетоэлектриков

1.8. Влияние поглощения регистрирующем среды на свойства голограммы.

1.9. Влияние амплитудной составляющей на свойства фазовой решетки

2. ОБРАЩЕНИЕ ВОЛНОВОГО ФРОНТА НА даШЧЕСКИХ ГОЛОГРАММАХ

2.1. Обращение волнового фронта световых пучков

2.2. Обращение волнового фронта в средах с локальным откликом

2.3. Обращение волнового фронта в средах с нелокальным откликом.

2.4. Четырехволновое взаимодействие в электрооптических средах.

1 стр.

2.5. Выводы по обзору литературы и постановка задачи исследований

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.

3.1. Приготовление образцов

3.2. Электрооптические измерения.

3.3. Методика проведения голографических экспериментов

3.4. Эксперимент по обращению волнового фронта

4. ЭКСПЕРШ/ШТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАПИСИ ДИНАМИЧЕСКИХ ГОЛОГРАММ В ЦТСЛ-КЕРАШКЕ.

4.1. Электроуправляемое рассеяние света в ЦТСЛ-ке-рамике.

4.2. Влияние поглощения света в керамике на параметры записываемых решеток

4.3. Асимметричность дифракционного спектра решеток

4.4. Дифракционная эффективность голографических решеток.

4.5. Энергообмен между записывающими пучками при записи динамических голограмм

4.6. Запись амплитудно-фазовых голограмм

4.7. Механизм "проявления" записанной дифракционной решетки в электрическом поле

4.8. Фоторефрактивная чувствительность ЦТСЛ-керамики.

-4стр." *

5. ОБРАЩЕНИЕ ВОЛНОВОГО ФРОНТА В ЩСЛ-КЕРА1ЖЕ.

5.1. Зависимость эффективности обращения волнового фронта от интенсивностей пучков накачки

5.2. Зависимость эффективности обращения волнового фронта от полярности внешнего электрического поля.

5.3. Зависимость эффективности обращения волнового фронта от внешнего электрического поля и периода решетки.

5.4. "Качество" волны с обращенным фронтом. III

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Самодифракция световых пучков в электрооптической ЦТСЛ-керамике»

В связи с развитием систем оптической связи, передачи, хранения и обработки информации в настоящее время актуальными являются поиск и исследования новых бессеребряных регистрирующих сред для голографии. Основными требованиями, предъявляемыми к этим материалам являются: возможность работы в реальном времени; работа при нормальных температурных режимах; реверсивность среды, т.е. возможность многократного выполнения циклов "запись - считывание - стирание" без ухудшения голографических параметров; высокая чувствительность; хорошее оптическое качество и некоторые другие.

Помимо практических целей изучение новых регистрирующих сред представляет чисто научный интерес в связи с исследованием новых физических явлений в оптически активных материалах.

В настоящее время среди реверсивных регистрирующих материалов наибольшими перспективами обладают электрооптические (ЭО) кристаллы. Относительно высокая чувствительность (SE>H;BS0) хорошее оптическое качество, реверсивность, высокая разрешающая способность, малые времена записи - все это позволяет надеяться на создание реальных устройств на основе этих материалов. Однако необходимо отметить, что сегнетоэлектрические монокристаллы дороги, изготовление их представляет существенную трудность.

В настоящей работе приведены результаты исследования прозрачной электрооптической сегнетокерамики ЦТСЛ, составов, обладающих квадратичным электрооптическим эффектом. Эти составы керамики обладают рядом интересных свойств, в частности: сильной зависи-'мостью процесса фоторефракции от внешнего электрического поля.

По сравнению с электрооптическими монокристаллами ЦТСЛ-кера-мика менее дорога, дает возможность получать образцы практически любой формы и размера. Технология изготовления позволяет изменять её свойства в широких пределах. К основным её недостаткам необходимо отнести более низкую фоторефрактивную чувствительность по сравнению с монокристаллами и меньшую разрешающую способность, которая вызвана более низким оптическим качеством.

Исследование голографических свойств ЦТСЛ-керамики необходимо для оптимизации процессов записи и считывания информации и проведения целенаправленных работ по улучшению её свойств для целей динамической голографии.

Настоящая работа содержит введение, пять глав, выводы и список литературы.

Первая глава является хронологическим обзором. В ней рассмотрено развитие теории записи динамических голограмм в фото-рефрактивных кристаллах.

В настоящее время созданы довольно полные динамические теории записи голограмм в электрооптических средах, однако ни одна из них не описывает полностью всего многообразия экспериментальных данных для различных материалов.

Во второй главе дан краткий обзор экспериментальных результатов и теоретических моделей процесса обращения волнового фронта при четырехпучковом взаимодействии в электрооптических средах с точки зрения динамической голографии. Отмечается перспективность применения этого процесса для создания корректоров волновых фронтов и оптических процессоров.

В третьей главе описана экспериментальная методика и установка, используемые нами для исследования записи динамических голограмм и обращения волнового фронта в ЦТСЛ-керамике составов 9-10/65/35.

Четвертая глава посвящена анализу экспериментальных результатов по записи динамических голограмм в ЦТСЛ-керамике. Основное внимание уделено голографическим характеристикам ЦТСЛ-керамики: чувствительности, частотно-дифракционной характеристике, угловой селективности решеток, а также влиянию внешнего электрического поля на параметры решеток. Проанализирована запись амплитудно-фазовых голограмм. Показана возможность определения знаков зарядов фотоносителей и поглощающих центров, ответственных за создание амплитудного компонента.

В пятой главе приводятся экспериментальные результаты по обращению волнового фронта в ЦТСЛ-керамике. Рассмотрено влияние полярности внешнего поля на эффективность процесса в различных разновидностях схемы обращения и при наличии амплитудной составляющей решетки. Выявлено цротиворечие экспериментальных результатов с существующей теоретической моделью процесса обращения волнового фронта в средах с нелокальным откликом: отсутствие анизотропии эффективности процесса обращения волнового фронта от полярности внешнего поля. Этот факт позволяет предположить, что модель процесса обращения волнового фронта в ЦТСЛ-керамике 9-10/65/35 несколько отличается от приведенной в /84/.

I. ЗАПИСЬ ДИНАМИЧЕСКИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРВ£РАКТИВНЫХ СРЕДАХ

Исследования кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков типа LiH60i , LiTaOb , baTiOb и др. в связи с возможностью их применения в качестве электрооптических (ЭО) модуляторов и дефлекторов света, а также для генерации второй гармоники лазерного излучения привели к обнаружению явления фоторефракции (ФР). В 1966 году Ашкин и др. /I/ впервые наблюдали эффект возникновения неоднородности показателя преломления под действием света (Optical damage ). Этот эффект наиболее сильно был выражен в Li N6 03 и меньше - в LiTaOi и BaTiO, . Эксперимент показал, что при достаточной мощности лазерного излучения возникал градиент показателя преломления для необыкновенного луча, в основном, по оси С кристалла. Обнаруженное явление ФР в значительной степени препятствовало практическому использованию этих веществ. Были предприняты попытки устранения эффекта ФР различными методами /2/. В это же время /3/ Ченом с сотрудниками была осуществлена запись фазовых голограмм с использованием эффекта ФР, после чего началось интенсивное исследование этого эффекта в электрооптических материалах с целью использования его для записи информации и создания различных оптических цроцессо-ров. Для объяснения эффекта ФР были предложены две основные физические модели, которые впоследствии дополнялись и уточнялись.

I.I. Модель Чена

Чен предположил /4/, что в кристаллах типа UN&Oi имеется "встроенное" внутреннее поле. При освещении кристалла светом лазера с энергией, достаточной для фотоионизации., часть электронов переходит в зону проводимости и, дрейфуя под действием встроенного" поля, захватывается ловушками на границах освещенной области. Таким образом создается перераспределение объемного заряда и, следовательно, поле пространственного заряда Ь. Е , что вызывает изменение показателя преломления из-за линейного электрооптического эффекта. Однако, в этой модели природа внутреннего поля оставалась неясной.

1.2. Модель Джонстона

Джонстон /5/ полагает, что необходимое для дрейфа электронов поле в кристалле возникает в момент воздействия на кристалл пучка света. В сегнетоэлектриках диполъный момент единичной ячейки, содержащей дефект, отличен от момента совершенной ячейки. В реальном кристалле макроскопическая поляризация Р (f~) является слабоменяюцейся функцией положения и пропорциональна средней плотности дефектов. Джонстон предполагает, что в процессе фотоионизации и захвата электронов меняется дипольный момент ячейки. Направление вектора Р (г) не меняется, удовлетворяя требованиям симметрии кристалла. Результирующая плотность поляриза ционного заряда уОмл = - V Р , возникающего под действием света, действует как источник электрического поля, влияя, в свою очередь, на дрейф электронов из освещенной области. В стационарном состоянии устанавливается равновесие между полем реальных пространственных зарядов и полем, которое направлено противоположно и связано с поляризационным зарядом. Макроскопическое поле Д Е , связанное с реальным JDSC , также изменяет Р : д Р = (£-1) л Е, ш где £ - диэлектрическая постоянная.

В стационарном случае макроскопическое полное поле равно нулю, это значит: v(P + P+)=U-l)/sc ; (2) v где: R- - заполненные ловушки; R- - ионизированные доноры. По мнению Джонстона следует употреблять следующее выражение для

5п.=-(игД)[^д?(Н)], сз) где 7^ и 7зз - электрооптические коэффициенты; П0 и Не -обыкновенный и необыкновенный показатели преломления. ■ Однако, при изучении влияния примесей на чувствительность кристаллов /6,7/ выяснилось, что данная модель неспособна объяснить ряд зависимостей.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Сайкин, Анатолий Семенович

результаты работы использованы ные результаты: получемы патенты, авторские свидетельства, результаты) в IMP институт опубликованы в печати, созданы приборы, изделия, конструкции, технологические процессы и т. д., исиодьаооаиы ори составлении проектов, проведении научных исследований и пр.) ожидаемый

Годовой экономический аффект фактический -х&ЯВаРв настоящее время оценке не подлежит . цифрами и и ^описью)

К акту прилагается расчет годового экономического эфф^до^Я&Дщк. санный отдегсгревдши представителями организации, ви^араюшейлре;' ,vN f зультаты НИР, скрепленный печатью. fa- .i&WM'i J\S • /ГУ V, %\\

Ц - , , ./{%ц*\>

МП. Представитель организации/( J 1 ' ^ ' \СЛ, м а

Х " -и У* /j Представители вуза ж

ЛПИ. Эак 15)2--8000. 08.01.82, у

У U и. fi cli'

АКТ

ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ (ВНЕДРЕНИИ) НИР

Мы, представители предприятия

ЯНЛЗРЯ 1983г. п/я А-7638 нанмеиэаанне предприятия) ——— , (фамилия, имя. отчестао, должность) с одной стороны, и представители вуза лик» Р.П1-Туу-яяту;.пинт яг.п. А. П. (Зайки и ,

• ('фамилия, имя, отчество, должность) с другой стороны, составили настоящий акт в том, что хоздоговорная л v 902202 госбюджетная) научно-исследовательская работа А» —

Исследование возможности создания ЭО элементов длн: питание работы) построения .очислит - ист

ЧП Р стоимостью-------тыс. руб., начата в 198*~" году закончена и при нята заказчиком -- 198'^ года

Внедрена (использована) п/я А-7638 место внедрения— предприятие, отрасль)

При внедрении (использовании) работы достигнуты следующие основные результаты: ПОЛуЧвННЫв 3 КС.ПвРИМСЛТаЛЬКЫе С0Г '

Тнолуче-'Ы патенты, авторские мы: -.-л.-.ст.и. р* г-.-льпгш, управляемых голографических решеток исподьзуются опублпл' »aw и печ.пы. созл'шы гри'бчры, .»''•»•,••. г ».- i ли. техжыоп?1 ^'.с.;, для проведения-научн-лс иссдедог.аняГ:. г 1 процессы- ,i т. д.; Исно-иосваны врИ составлении проект»", проаедс ,лк и :. ксслсл- ■ > .

И Пр.) . ожидаемый ПЯ^Т^Ч Годовой экономический эффект "фактический. составил —^baun.V .-.т-1поисковая, экономический. эффект' оценен б:гь « цифрам* и и&ощккк») можот.

К акту прилагается расчет годового экономического эффекта, по ля и сапный отнетстпеннмми представителями организации,1 внедряющей результат и НИР, скрепленный печатью. /

М. II . Представитель организации y'f 1

М П. Представители вуза '

ЛГ1И. Зак 1212-8000. 08.01.82. с. ' v.; • / , а f ^7/ ц '', 4

-J 21 ' / I"1

АКТ

ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ (ВНЕДРЕНИИ) НИР , -ir. iwfei I

11

20 . января ', ,aa4jT

Мы, представителе предприятия • ' ■ * (наименование предприятия) нач.отд. З.Н.Рыжиков, ст.н.с.л,^.Базарова фамилия, имя, отчество, должность) с одной стороны, и представители вуза ст«н.с. А.в.цБанов, мд.н.с. ^.шугухватудин. асп. фамилия, кия, отчество, должность) ИК ЙН с другой стороны, составили настоящий акт в том, что хоздоговорная эоггоь госбюджетная) научво-нсследовательская работа №--исследование эдектрооптической керамики и ее название работы) применений в устройствах оптоэлектронкки 60 стоимостью:-тыс. руб., начата в 198 году закончена и принята заказчиком

-198 J года.

Внедрена (использована) Д^П-ЩЯ THS П/Я . г (место внедрения—предприятие, отрасль)

При внедрении (вспользовакин) работы достигнуты следующие основные результаты- Дезудь та ты исследований и свёто фи ль тр г (п.)л--че^'ы патенты, авторские свидетельстве. резхльтаты) с Управляемой цветностью используются в НАР опубликованы и печата созданы грийоры, изделия, конструкции, технологические предприятия процессь, и т. д., испо-ььэвана ври составлении проектор, проведении научных исследований и пр.) ожидаемый

Годовой экономический эффект фактический ' составил-б настоящее Бремя сценке не подлежит цифрам» и прописью)

К акту прилагается расчет годового экономического эффекта, подпи-•саиный ответственными представителями организации, внедряющей результаты НИР, скрепленный печатью. • -. f-t 'Л

М. П. Представитель организации iV.

М. П. Представители вуза

Л ПИ. Зак 1212-8000. 08.0) .82.

Q } c-C i,*—- (Г . f г,

Л.-г/

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сайкин, Анатолий Семенович, 1983 год

1. Ashkin A., Boyd G.D., Dzeidzic J.M., Smith E.G., Ballman A.A., Levinstein J.J., Nassau K. Optically-induced refractive index inhomogeneities in LiNbO^ and LiTaO^. - Appl. Phys. Lett.,1966, v. 9, N 1, p. 72-74.

2. Levinstein II.J., Ballman A.A., Penton R.T., Ashkin A., Dzeidzic J.M. Reduction of susceptibility to optically induced index inhomogeneities in LiTaO^ and LiNbO^. J. of Appl. Phys.,1967, v. 61, IT 2, p. 203-208.

3. Chen F.S., La Macchia Y.T., Fraser D.B. Holographic storage in lithium niobate. Appl. Phys. Lett., 1968, v. 13, N 7, p. 223-225.

4. Chen F.S. Optically induced change of refractive indices in LiNbO^ and LiTaO^. J. of Appl. Phys., 1969, v. 40, N 8, p. 3389-3396.

5. Johnston W.D. Optical index damage in LiFbO^ and other pyro-electric insulators. J. of Appl. Phys., 1970, v. 41, Ы 8, p. 3279-3285.

6. Peterson G.E., Glass A.M., Negran T.J. Control of susceptibility of lithium niobate to laser induced refractive index changes. Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, N 5, p. 130-132.

7. Townsend R.Z., La Macchia Y.T. Optically induced refractive index changes in BaTiO^. J. of Appl. Phys., 1970, v. 41, N 13, Р- 5188-5192.

8. Фридкин B.M. Сегне то электрики—полупроводники. M., Наука, 1976. - 408 с.

9. Греков А.А.,Малицкая М.А.,Спицина В.Д.,Фридкин В.М. Фотосег-нетоэлектрические эффекты в сегнетоэлектриках полупроводниках типа AVBVI С^'с низкотемпературными фазовыми переходами.-123- Кристаллография. 1970,т.15, вып.З, с.500-509. ~

10. Glass A.M., D. ноп der Linde, Auston D.II., Negran T.J. Excited state polarization, bulk photovoltaic effect and the photorefractive effect in electrically polarized media. J. of Electronic Materials, 1975, v. 4, N 5, p. 915-943.

11. Glass A.M., D. von der Linde, Negran T.J. High-voltage bulk photovoltaic effect and the photorefractive process in LilTbO^. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 4, p. 233-255.

12. Фридкин B.M. Фотосегнетоэлектрики.-М.: Наука, 1979.- 264 с.

13. Amodei J.J. Analysis of transport processes during holographic recording in insulators. RCA Rev., 1971, v. 32,p. 185-198.

14. Staebler D.L., Amodei J.J. Coupled-wave analysis of holographic storage in LiNbO^. J. of Appl. Phys., 1972, v. 43,1. 3, p. 1042-1049.

15. Kogelnik H. Coupled wave theory for thick hologram gratings.-Bell system techn. Journal, 1969, v. 48, N 9, p. 2909-2947.

16. Young L., Wong W.K.I., Thewalt M.L.W., Cornish W.D. Theory of formation of phase holograms in lithium niobate. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 24, N 6, p. 264-265.

17. Alphonse G.A., Alig R.C., Staebler D.L., Phillips W. Time dependent characteristics of photoinduced space-charge field and phase holograms in niobate and other photorefractive media. RCA Rev., 1975, v. 36, p. 213-229.

18. Ninomiya Y. Recording characteristics of volume holograms. -J. of Opt. Soc. of Am., 1973, v. 63, N 9, p. 1124-1130.

19. Magnusson R., Gaylord Т.К. Use of dynamic theory to describe experimental results from volume holography. J. of Appl. Phys., 1976, v. 47, N 1, p. 190-199.

20. Vahey D.W. A nonlinear coupled-wave theory of holographic storage in ferroelectrics materials. J. of Appl. Phys., 1975, v. 46, Ы 8, p. 35Ю-3515.

21. Van E. Wood. Optical damage and internal fields in pyroelec-trics. J. of Appl. Phys., 1973, v. 44, N 3, p. 1391-1392.

22. Dae M. Kim, Rajiv R. Shah, Rabson T.A., Tittel F.K. Nonlinear dynamic theory for photorefractive phase hologram formation. Appl. Phys. Lett., 1976, v. 28, N 6, p. 338-340.

23. Дейген М.Ф.,Одулов С.Г.,Соскин М.С.,Шанина Б.Д. Фазовые голографические решетки в неметаллических кристаллах.- ФТТ, 1974, т.16, №7, с.I895-1902.

24. Kukhtarev N.V., Markov Y.B., Odulov S.G., Soskin M.S., Vine-tskii V.b. Holographic storage in electrooptic crystals. I. steady state. Ferroelectrics, 1979, v. 22, p. 949-960.

25. Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G., Soskin M.S., Vine-tskii V.L. Holographic storage in electrooptic crystals. II. Beam coupling-light amplification. Ferroelectrics, 1979, v. 22, p. 961-964.

26. Moharam M.G., Young L. Hologram writing by the photorefractive effect. J. of Appl. Phys., 1977, v. 48, N 8, p. 32303236.

27. Винецкий В.Л.Духтарев H.B., Марков В.Б., Одулов С.Г., Сос-кин М.С. Усиление когерентных световых пучков динамическими голограммами в сегнетоэлектрических кристаллах.- Известия АН СССР, 1977, т.44, М, с.811-820.

28. Cornish W.D., Young L. Influence of multiple internal reflection and thermal expansion on the effective diffraction efficiency of holograms stored in lithium niobate. J. of Appl. Phys., 1975, v. 46, N 3, p. 1252-1254.

29. Micheron P., Mayeux C., Trotier J.C. Electrical controling ! photoferroelectric materials for optical storage. Appl.

30. Opt., 1974, v. 13, N 4, p. 784-787.

31. Micheron P. Holographic storage in quadratic PLZT ceramics. -J. of Am. Cer. Soc., 1974, v. 57, N 7, p. 306-308.

32. Burgess J.W., Ilurditch R.J., ICirkby C.J., Scrivener G.E. Holographic storage and photoconductivity in PLZT ceramic materials. Appl. Opt., 1976, v. 15, N 6, p. 1550-1557.

33. Шварц K.K., Готлиб В.Й., Криотапсон Я.Ж. Оптические регистрирующие среды. Рига: Зинатне, 1976, 184 с.

34. Houlier В., Micheron P. Photoinduced charge-transfer process in PLZT ceramics. J. Appl. Phys., 1979, v. 5, N 1, p. 34-3345.

35. Бутусов M.M., Князьков А.В., Круминь А.Э., Кухтарев H.В.,Сайкин А.С. Усиление световых пучков динамическими голограммами в ЦТСЛ-керамике.Письма в ОТ, 1981,т.7,вып.15, с.914-917.

36. Butusov M.M., Kukhtarev N.V., Krumins A.E., iQiyazkov A.V., Saikin A.S. Beam coupling and sensitivity at hologram writing in transparent PLZT-type ferroelectrics ceramics. Salas-pils, 1981. - 11p. (Preprint: LAFI - 031).

37. Amodei J.J., Staebler D.L. Holographic recording in lithium niobate. RCA Rev., 1972, v. 33, p. 71-93.

38. Thaxter J.B., Kestigian M. Unique properties of SBN and their use in a layered optical memory. Appl. Opt., 1974, v. 13,1. N 4, p. 913-924.

39. Su S.P., Gaylord Т.К. Determination of physical parameters and processes in hologram formation in ferroelectrics. J. of Appl. Phys., 1976, v. 47, N 6, p. 2757-2758.i

40. Озолс A.O., Шварц K.K. Критерии светочувствительности сред и оптимизация записи голограмм.--Квантовая электропика,"1982,т.9, № 12, с.2441-2448.

41. Диссертация,Ильин У. 10. Эффект оптически индуцированного изменения двупреломления в сегнетокерамике.-Дис.на соиск.уч.ст. канд.ф-м.наук.-Рига,1978.-171 с. (ЛГУ им.П.Стучки).

42. Kurz Н. Wavelength dependence of the photorefractive process in doped LiNbO^. Ferroelectrics, 1974, v. 18, p. 437-439.

43. Amodei J.J., Staebler D.L., Stephens A.W. Holographic storage in doped Barium Sodium Niobate. Appl. Phys. Lett., 1971,v. 18, N 11, p. 507-509.

44. Воронов B.B. Дузьминов Ю.С., Осико B.B. Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой гологра-фической памяти (обзор).-Кв.электроника,1976,т.3,Я> 10, с.2101-2126.

45. Leith E.N., Kozma A., Upatnicks J., Marks J., Massey N. Holographic data storage in three-dimensional media. Appl. Opt., 1966, v. 5, N 8, p. 1303-1311.

46. Burckhardt C.B. Diffraction of a plane wave at a sinusoidally stratified dielectric grating. J. of Opt. Soc. Am., 1966, v. 56, N 11, p. 1502-1509.

47. Bloteko'aer K. Theory of hologram formation in photorefractive media. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, N 6, p. 2495-2501.

48. Uchida N. Calculation of diffraction efficiency in hologramgratings attenuated along the direction perpendicular to the grating vectors. J. of Opt. Soc. of Am., 1973, v. 63, N 3, p. 280-287.

49. Morosumi S. Diffraction efficiency of hologram gratings with modulation changing through the thickness. Jap. J. of Appl. Phys., 1976, v. 15, N 10, p. 1929-1935.

50. Kermisch D. Nonuniform sinusoidally modulated dielectric gratings. J. of Opt. Soc. of Am., 1969, v. 59, n Ц9 p. 1409-14-14.

51. Куликов В.В., Степанов С.И. Механизмы голографической записи и термического фиксирования в фоторефрактивн.ыыьо^: Ре.- ФТТД979, т.21, JJj II, с.3204 3208.

52. Митяева М.Г., Шарланджиев П.С. Об экспериментальном разделении амплитудной и фазовой компоненты голографической записи.-В кн.: физические основы Голографии.-Л.,1979, с.49-57. (Материалы XI Всесоюзной школы по голографии).

53. Алексеев-Попов А.В., Дьяченко Н.Г., Мандель В.Е., Тюрин А.В. Особенности записи голограмм в кристалл.КС1 на основе F—x преобразования.-Письма в ЖТФ, 1979,т.5, вып.12,с.702-712.

54. Magnusson R., Gaylord Т.К. Diffraction regimes of transmission gratings. J. of Opt. Soc. of Am., 1978, v. 68, N 6,p. 809-814.

55. Alterness R. Analysis of optical propagetion in the thick holographic gratings. Appl. Phys., 1975, v. 7, p. 29-33.

56. Bader Т.Е. Hologram gratings: amplitude and phase components.- Appl. Opt., 1975, v. 14, N 12, p. 2818-2819.

57. Алексеев-Попов A.B., Дьяченко Н.Г., Мандель В.Е., Тюрин А.В. Дисперсия оптических параметров в толстых амплитудно-фазовыхголо граммах,- Оптика и спектроскопия, 1979, тГ47, вып.З, 1 с.583-587.

58. Алексеев-Попов А.В., Гевелюк С.А. Определение вкладов амплитудной и фазовой модуляции в дифракционную эффективность объемных отражательных голограмм,- ЖТФ, 1982,т.52,вып.10, с.2100-2102.

59. Соскин М.С.Дижняк А.И. Современное состояние голографичес-ких методов динамической коррекции лазерных пучков.-Известия АН СССР, 1980, т.44Д> 8, с.1585-1592.

60. Одулов С.Г., Салькова Е.Н., Соскин М.С.,Суховерхова Л.Г. Устранение наводимых в усилителях искажений лазерных пучков ме тодами динамической голографи и.-Укр.фи з.журнал,1978,т.23, .■£ 4,с.562-567.

61. Ананьев Ю.А. О возможности динамической коррекции волновых фронтов,- Кв.электроника, 1974, t.I,!,V7, с.1669-1672.

62. Зуев B.C.,Кузнецова Т.И. О применении нестационарной голографии для улучшения направленности излучения лазера,.- Письма в ЕЭТФ, 1972, т.16, вып. 8, с.466-468.

63. Кружилин Ю.И. Самонастраивающаяся система лазер-мишень для лазерного термоядерного синтеза.- Кв.электроника, 1978, т.5,3,с.625-631.

64. Долгополов Ю.В. Исследование обращения волнового фронта при ВРМВ и его применение в установках для лазерного термоядерного синтеза.- В сборнике научных трудов Ин-та прикл.физики

65. АН СССР, отв.ред.Беспалов В.И., Горький, I979,c.II7-I30.

66. Ивакин E.B., Петрович И.П., Рубанов А.С. Самодифракция излучения на светоиндуцированных фазовых решетках.- Кв.эл.,1978, т.I,с.96-102.

67. Jeffrey 0. White, Amnon Yariv. Real-time image processing via fowr wave mixing in a photorefractive medium. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, N 1, p. 5-7.

68. Зельдович Б.Я., Поповичев В.И., Рагульский В.В., Файзулов Ф.С. О связи между волновыми фронтами отраженного и возбуждающего света при вынужденном рассеянии Манделыптама-Бриллюэна.-Письма в ЖЭТФ, 1972,т.15, вып.З, с.160-164.

69. Woerdman J.P. Formation of a transient free carrier hologram in Si. Opt. Commun., 1970, v. 2, H 5, p. 212-214.

70. Носач О.Ю., Поповичев В.И., Рагульский В.В., Файзулов Ф.С. Компенсация фазовых искажений в усиливающей среде с помощью "Бриллюэновского зеркала".- Писзвма в ЖЭТФ, 1972,т. 16,вып.II, с.617-621.

71. Степанов Б.И., Ивакин Е.В., Рубанов А.С. О регистрации плоских и объемных динамических голограмм в просветляющихся веществах.- ДАН СССР,1971, т.196, № 3, с.567-569.

72. Денисюк Ю.Н. Об отображении оптических свойств объекта в волновом поле рассеянного им излучения.- Оптика и спектроскопия,1965, т.8, № 2, с.275-283.

73. Зельдович Б.Я., Пилецкий Н.Ф., Шкунов В.В. Обращение волнового фронта. УФН, 1982, т.138, № 2, с. 249-288.

74. Hellwarth R.W. Generation of time-reversed wave fronts by-nonlinear refraction. J. of Opt. Soc. Am., 1977, v. 67, N 1, p. 1-3.

75. Yariv A., Pepper David M. Amplified reflection, phase conjugation and oscillation in degenerate four-wave mixing. -Opt. Lett., 1977, v. 1, N 1, p. 16-18.

76. Chiao B.Y., Kelley P.L., Garmire E. Stimulated four-photon interaction and its influence on stimulated Reyleigh-wing scattering. Phys. Rev. Lett., 1966, v. 17, N 22, p. 11581161.

77. Carman R.L., Chiao B.Y., Kelley P.L. Observation of degenerate stimulated four-photon interaction and four-wavw parametric amplification. Phys. Rev. Lett., 1966, v. 17, N 26, p. 1281-1283.

78. Bloom D.II., Liao P.P., Economou N.P. Observation of amplified reflection by degenerate four-wave mixing in atomic sodium vapor. Opt. Lett., 1978, v. 2, N 3, p. 58-60.

79. Liao P.P., Bloom D.M., Economou N.P. Cw optical wave-front conjugation by saturated absorption in atomic sodium vapor. -Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32, N 12, p. 813-815.

80. Соскин M.C., Хикняк А.И. О встречном взаимодействии четырех плоских волн в среде с безынерционной кубической нелинейностью.- Кв.электроника, 1980, т.7, № I, с.42-49.

81. Соскин М.С. Динамическая голография и преобразование лазерных пучков.- Фундаментальные основы оптической памяти и среды; Республиканский межвед.науч.сб. MB и ССО УССР,Киевский гос.ун-т, вып.З, I97I,c.3-2I.

82. Борщ А.А., Бродин М.с.,Волков В.И. ,Кухтарев И.В. Эффекты самовоздействия при вырожденном четырехволновом взаимодействии в кристал. ZnSe. -Письма в ЖТФД979, т.5, вып. 20,с.1240-1244.

83. Кондиленко В.П., Одулов С.Г., Соскин М.С. Усиленное отражение волн с обращенным волновым фронтом в кристаллах с линейным электрооптическим эффектом во внешнем электрическом поле.-Известия АН СССР, 1981, тАЬ,1Ь 6, с.958-962.

84. Борщ А.А., Бродин М.С., Волков В.И., Кухтарев Н.В. Обращение волнового фронта при вырожденном четырех и шестифотонном взаимодействии в полупроводниках.- Известия АН СССР, 1981, т.45,$ 6. с.938-944.

85. Кухтарев Н.В., Одулов С.Г. Обращение волнового фронта при четырехволновом взаимодействии в средах с нелокальной нелинейностью.- Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, вып.1, с.6-11.

86. Odulov S., Soskin М., Vasnetsov М. Compensation for time dependent phase inhomogenity via degenerate four-wave mixing in LiTaO^. Opt. Commun., 1980, v. 32, N 2, p. 355-358.

87. Gunter P.N. Electric-field dependence of phase-conjugate wave-front reflectivity in reduced KNbO^ and Bi^GeOgQ. -Opt. Lett., 1982, v. 7, N 1, p. 10-12.

88. Krumins A., Gunter P. Diffraction efficiency and energy transfer during hologram formation in reduced KXTbO^. Appl. Phys., 1979, v. 19, p. 153-163.

89. Marrakchi A., Huignard J.P., Gunter P. Diffraction efficiency and energy transfer in two-wave mixing experiments with

90. S Bi12Si020 crystals. Appl. Phys., 1981, v. 24, p. 131-138

91. Kukhtarev N., Odulov S. Degenerate four-wave mixing in LiNbOjand LiO?aO^. Opt. Commun., 1980, v. 32, N 1, p. 183-186.

92. Кондиленко В.П., Марков В.В., Одулов С.Г., Соскин М.С. Нестационарный энергообмен при записи динамических голограмм в кристаллах с фотовольтаическим эффектом,- Укр.физ.зщш., 1978, т.23., № 12, с.2039-2043.

93. Baruch Fischer, Mark Gonin-Goolomb, Jeffrey о.White, Amnon Yariv. Amplifying continuous wave phase conjugate mirror with strontium barium niobate. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, N 10, p. 863-865.

94. Karl K., Geisen K. Dielectric and optical properties of quasi-ferroelectric PLZT ceramic. Proceedings of the IEEE, 1973, v. 61, N 7, p. 967-974.

95. Haertling G.H., Land C.E. Hot-pressed (Pb, La) (Zr, Ti) 0^ ferroelectrics ceramics for electrooptic applications. J. of Am. Ceramic Soc., 1971, v. 54, N 1, p. 1-11.

96. Land C.E., Thacher D.P. Ferroelectric ceramic electrooptic materials and devices. Proceedings of the IEEE, 1969,v. 57, N 5, p. 751-768.

97. Кольер Р.,Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография.-М: Мир, 1973.- 686 с.

98. Butusov М.М., Knyazkov A.V., Saikin A.S., Kukhtarev N.Y., Krumins A.E. Stationary energy transfer controlled by applied field at hologram formation in PLZT ceramics. Ferroelectrics, 1982, v. 45, N 1, 2, p. 63-69.

99. Князьков А.В., Сайкин А.С., Рыжиков ЭЛ., Базарова Л.Ф.,

100. Бутусов М.М., Круминь А.Э., Князьков А.В., Сайкин А.С. Электроуправление фоторефракцией в ЦТСЛ-керамике.- Тез. докл. У Всесоюзное совещание по поликристаллическим оптическим материалам.- М., 1982, с.34.

101. Князьков А.В., Сайкин А.С. Модуляция когерентного света при дифракции на динамических голограммах в ЦТСЛ-керамике.- Тез. докл. 1У Всесоюзной школы по оптической обработке информации, Минск, 1982 г., т.2, с.259-260.

102. Бутусов М.М., Князьков А.В., Сайкин А.С. Применение ЦТСЛ-керамики для обращения волнового фронта когерентного излучения. (там же), с.257-258.

103. Алексеев-Попов А.В., Князьков А.В., Сайкин А.С. Особенности записи объемных амплитудно-фазовых голограмм в ЦТСЛ- керамике.- Письма в ЖТФД983, т.9, вып.18,с.П08-Ш2.

104. Бережной А.А., Попов В.В.,Шерстнева Т.Н., Скрытая оптическая память в сегнетоэлектрической керамике.- Письма в НТФ, 1982, т.8, вып.19, с.1200-1203.

105. Димза В.И., Круминь А.Э. Особенности аномального фотоволь-таического эффекта и электропроводности в сегнетокерамике ЦТСЛ,- Изв.АН ССР, сер.физ.техн.наук, 1979, 6, с.53-59.

106. Moharam M.G., Gaylord. Т.К., Magnusson R., Young L. Holographic grating in photorefractive crystals v/ith arbitrary electron transport lenghts. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 9, p. 5642-5651.

107. Князьков А.В., Круминь А.Э., Сайкин А.С., Сеглинып А.Я. Исследование фотоиндуцированного переноса заряда в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-9 голографическим методом.- ФТТ, 1983, т.25, вып.5, с.1570-1572.

108. Суханов В.И., Ащеулов Ю.В., Петников А.Е., Мамонтов Ш.Я.

109. Исследование динамики процесса записи голограмм на кристаллах ниобата лития.- Сб.ст. "Оптическая голография и ее применение" ред. Ю.Н.Денисюк.- Л.:Наука, 1977, с.13-27.

110. Шерклиф У. Поляризованный свет.- М.гМир, 1965, 264 с.