Рост кристаллов триглицинсульфата из водных растворов и их свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Стеханова, Жаннета Дмитриевна

• Стеханова, Жаннета Дмитриевна
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Стеханова, Жаннета Дмитриевна

• Стр.

Введение.

1. ВОДА И ВОДНЫЕ СИСТЕМЫ (обзор литературы).

1.1. Структура воды и ее свойства.

1.1.1. Строение молекулы воды.

1.1.2. Вода при температуре ниже О °С.

1.2. Водные растворы.

1.3. Выращивание кристаллов.

1.3.1. Процесс кристаллизации. ф 1.3.2. Кинетика и механизм роста кристаллов.

1.3.3. Методы выращивания кристаллов из низкотемпературных водных растворов.

1.3.4. Теория микроблочного роста кристаллов.

I 1.4. Физико-химические свойства кристаллов триглицинсульфата.

J 1.4.1. Сегнетоэлектрики.

1.4.2. Триглицинсульфат (ТГС).

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Определение концентрации растворов методом рефрактометрии.

2.2. Потенциометрическое титрование.

2.2.1. Метод потенциометрии. ф 2.3. Фракционное плавление льда в водных растворах.

2.4. Выращивание кристаллов ТГС из водных растворов.

2.5. Метод изопиестирования.

2.5.1. Активность воды в насыщенном растворе.

2.5.2. Взаимодействие кристаллов ТГС с парами воды.

2.6. Рентгенофазовый анализ.

2.7. Оптическая спектроскопия.

2.8. Измерение электрических свойств.

2.8.1. Приготовление образцов для определения электрических j параметров. i 2.9. Определение плотности кристаллов.

2.9.1. Методика определения содержания воды в кристаллах при нагревании.

2.9.2. Методика определения содержания воды методом материального баланса.

2.10. Исследование морфологии и микроструктуры кристаллов ТГС.

2.11. Обработка экспериментальных данных.

3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1. Распределение компонентов при кристаллизации и плавлении льда в водных системах, содержащих аминокислоты и их соединения.

3.1.1. Распределение компонентов при кристаллизации и плавлении льда в системах «вода - лизин», «вода - гидрохлорид лизина».

3.2. Свойства водных растворов ТГС.

3.2.1. Потенциометрическое титрование растворов ТГС, глицина и серной кислоты.

3.2.2. Исследование влияния поверхностного натяжения растворов ТГС на рост кристаллов.

3.3. Влияние температуры на рост и свойства кристаллов ТГС.

3.3.1. Исследование кристаллов ТГС методом изопиестирования.

3.3.2. Рентгенофазовый анализ.

3.3.3. Электрические свойства кристаллов.

3.3.4. Содержание воды в кристаллах ТГС и плотность кристаллов.

3.3.5. Оптические свойства кристаллов, выращенных при различных температурах.

3.4. Влияние кремния на рост кристаллов ТГС.

3.4.1. Влияние пористого кремния на рост кристаллов ТГС.

4. ОСОБЕННОСТИ ЗАРОЖДЕНИЯ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ ТГС

ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рост кристаллов триглицинсульфата из водных растворов и их свойства»

Актуальность работы

Кристаллы триглицинсульфата (NH2CH2C00H)3-H2S04 - (ТГС) являются сегнетоэлектриками с водородными связями, свойства которых определяются порядком распределения протонов на этих связях. Точка Кюри равна 49 °С [1]. Выращивание и исследование кристаллов аминокислот и их соединений в настоящее время является актуальной научно-технической проблемой, важной для многих отраслей науки и техники: неорганической химии, физики и химии твердого тела, твердотельной электроники, биологии и т.д. С научной точки зрения наиболее важным является то, что понять структуру и свойства сложных органических и неорганических композиций, в состав которых входят различные аминокислоты, можно только детально изучив условия формирования и свойства достаточно совершенных монокристаллов тех компонентов, из которых они строятся. Кристаллы ТГС являются очень важным модельным объектом для решения такой задачи. Их растят обычно из водных растворов, и при этом большое значение имеет состояние воды в соответствующих водных системах, в том числе водородных связей, формирующих эти системы. Поэтому изучение особенностей взаимодействия ТГС с водой на разных стадиях формирования кристаллов и их дальнейшего использования также является актуальной научной задачей. Рост кристаллов ТГС осуществляют, в основном при температурах от комнатной и выше. В то же время сама вода претерпевает, как известно, наиболее важные фазовые превращения при температурах вблизи О °С, где происходит кардинальная перестройка ее собственных водородных связей. Такая перестройка оказывает влияние на состав, структуру и свойства кристаллов ТГС, полученных из водных растворов при соответствующих условиях. Поэтому выращивание кристаллов ТГС при Т < О °С может дать новую ценную информацию об особенностях водных систем, претерпевающих фазовые превращения в этих условиях.

В данной работе исследовано взаимодействие ТГС с водой, в том числе и при Т < О °С, начатое в работе [2]. Особое внимание уделено таким условиям, при которых одновременно происходят фазовые превращения и растворителя — воды, и растворенного вещества - ТГС, что имеет место в областях изменения температуры и концентрации водных растворов, прилегающих к точке эвтектики на фазовой диаграмме системы «Н20 -ТГС». Изучено также влияние монокристаллов основного материала твердотельной электроники - кремния на условия зарождения, роста и свойства кристаллов ТГС в водных растворах, в объеме и на поверхности кремния.

Цель настоящей диссертационной работы состояла в установлении закономерностей, связывающих между собой условия зарождения и роста кристаллов ТГС в водных растворах - их температуру и концентрацию, со свойствами этих кристаллов.

В соответствии с поставленной целью решали задачи:

1. Развить методику фракционного плавления льда [2] с целью применения ее к различным водным системам, в том числе содержащим аминокислоты и их соединения, установив при этом степень общности тех представлений, которые были сформулированы ранее для водно-солевых систем, по отношению к водным системам с более сложным ионно-молекулярным составом;

2. Определить оптимальные условия для выращивания кристаллов ТГС при Т < О °С, сопоставить полученные данные с результатами для кристаллов, выращенных по стандартным методикам Т > 20 °С;

3. Исследовать взаимодействие кристаллов ТГС с парами воды методом изопиестирования, изучить физико-химические свойства водных растворов ТГС, использовав, измерение поверхностного натяжения, потенциометрическое титрование.

4. Исследовать условия зарождения и роста кристаллов ТГС в водных растворах в присутствии пластин монокристаллического кремния с разными методами обработки его поверхности, используемыми в твердотельной кремниевой планарной технологии: покрытие слоем термического и пиролитического SiC^,, поликремния, пористого кремния, металла.

5. На основе анализа полученных результатов сделать заключение о механизме изменения условий зарождения, роста, состава, структуры и свойств кристаллов ТГС при изменении температуры и концентрации исходного раствора в область их значений, близких к эвтектике.

Научная новизна. Установлено, что смещение состава и температуры исходного раствора в область эвтектики приводит к резкому изменению всего комплекса свойств кристаллов ТГС: электропроводности, диэлектрической проницаемости, поляризуемости, реакционной способности по отношению к воде, оптических свойств, параметров решетки.

Обнаружено повышение точки Кюри на 0,2 - 1,3 °С для кристаллов ТГС, выращенных при Т < 0 °С, относительно кристаллов, выращенных по классическим методикам (Т > 20 °С).

Показано, что характер взаимодействия воды и компонентов кристаллов ТГС в водных растворах, при снижении температуры раствора предопределяет все изменения в свойствах кристаллов ТГС.

Обнаруженные закономерности объясняются тем, что в эвтектической области механизм послойного роста кристалла сменяется механизмом блочного роста, а захват воды кристаллом приводит к ее агрегатированию по границам блоков, что, в частности, изменяет условия формирования сегнетоэлектрических доменов и весь комплекс их электрических свойств.

Практическая значимость работы определяется возможностью использования кристаллов ТГС в изделиях электронной техники, в первую очередь с кремниевыми твердотельными электронными схемами. Поэтому изучение взаимодействия ТГС с поверхностью монокристаллов кремния, после различных режимов его обработки, имеет научно-техническое, практическое значение.

Результаты исследований могут быть использованы для оптимизации процессов синтеза нового поколения неорганических материалов на основе кристаллов полупроводников (Si) и сегнетоэлектриков.

На защиту выносятся:

1. Данные о физико-химических свойствах кристаллов ТГС, синтезированных из водных растворов в эвтектической области составов и температур.

2. Представления о роли температуры в механизме зарождения и роста кристаллов ТГС в водных растворах.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях: Forth International Conference Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer. (Obninsk 2001 г.); EMF2003: The 10th European Meeting on ferroelectricity (Cambridge UK 2003г.); XV Международном совещании «Рентгенография и кристаллохимия минералов», (Санкт-Петербург 2003г.); II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» ФАГРАН-2004 (Воронеж 2004г.); научных сессиях ВГУ (2002, 2003гг.); Конференции «Фракталы и прикладная синергетика» (Москва 2005г.).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 10 статьях и тезисах докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы (84 наименований), приложения. Работа изложена на 167 страницах, содержит 74 рисунка и 16 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Стеханова, Жаннета Дмитриевна

Выводы ф 1. Определены оптимальные условия для выращивания кристаллов ТГС из водных растворов при Т < О °С. Они включают: концентрацию исходного раствора 16 масс. % при температуре 20 °С, постепенное снижение температуры до + 5 °С, изотермическую выдержку при этой температуре в течение 24 часов, снижение температуры до - 5 °С в течение 72 часов.

2. Установлено, что смещение состава и температуры исходного раствора в область эвтектики приводит к резкому изменению всего комплекса изученных свойств кристаллов ТГС: электропроводности,

• диэлектрической проницаемости, поляризуемости, реакционной способности по отношению к воде, оптических свойств, параметров решетки.

3. Установлено, что электрические свойства кристаллов ТГС резко и закономерно изменяются при снижении температуры роста кристаллов от Т 20 - 40 0 С до Т = - 5 до +5 °С: диэлектрическая проницаемость снижается больше, чем на порядок; уменьшается спонтанная поляризация, изменяются их полевые и температурные зависимости, увеличивается коэрцитивное поле; температура в точке Кюри для низкотемпературных кристаллов увеличивается на 0,5 - 1,3 °С; петли диэлектрического гистерезиса ф становятся ассиметричными, начинают разворачиваться в достаточно больших полях (200 В/см).

4. Определено влияние поверхности монокристаллов кремния на условия зарождения и роста кристаллов ТГС при различных условиях обработки поверхности кремния и различных условиях роста кристаллов ТГС: температуре и концентрации исходного раствора. Оно заключается в том, что размеры кристаллов ТГС увеличиваются, по сравнению с теми, которые были получены в аналогичных условиях без кремния, в растворе , появляются направления преимущественного роста кристаллов, и при этом микроструктура кристаллов приобретает блочный характер.

5. Анализ полученных результатов и их сопоставление с литературными данными позволяют предположить, что снижение температуры роста кристаллов изменяет состояние воды в них. Это изменение может быть связано с изменением механизма зарождения и роста кристаллов от послойно - молекулярного к блочному.

154

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Стеханова, Жаннета Дмитриевна, 2006 год

1. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. (в зависимости от условий выращивания)/ М.С. Цедрик.- М.: Наука и техника, 1986. -216с.

2. Чудотворцев И.Г. Кристаллизация компонентов водных растворов хлоридов и сульфатов металлов, мочевины, Тиомочевины и триглицинсульфата при температурах ниже О °С. Дис. канд. хим. наук / И.Г. Чудотворцев. Воронеж, 2003. - 138 с.

3. Синюков В. В. Вода известная и неизвестная / В.В. Синюков. М.: Знание,1987.- 176 с.

4. Маэно Н. Наука о льде / Н. Маэно. (Пер с яп.) М.: Мир, 1988. - 231 с.

5. Гайгер А. Структура стабильной и метастабильной воды. Анализ многогранников Вороного молекулярно-кинетических моделей / А. Гайгер, Н. Н. Медведев, Ю. И. Наберухин // Журнал структурной химии. -1992. -№2. -С.79-87.

6. Маленков Г.Г., Структура воды/ Физическая химия. Современные проблемы / Г.Г.Маленков под ред. Я.М. Колотыркина. М.: Химия, 1984 -С. 41-76.

7. Зенин С.В. Гидрофобная модель структуры ассоциатов молекул воды / С.В. Зенин, Б.В. Тяглов // Физическая химия растворов. 1994. - Т. 68,4. с. 636-641.

8. Маленков Г.Г. Динамика сеток водородных связей в жидкой воде по данным численного эксперимента / Г.Г. Маленков, Д.Л. Тыник // Методы молекулярной динамики в физической химии: сб. статей / под ред. Ю. К. Товбина. М.: Наука, 1996. - С.204-234.

9. Наберухин Ю. И. Загадки воды / Ю. И. Наберухин // Соровский образовательный журнал.- 1996. -№2. С.72-78.

10. Пространственная локализация и динамика молекул воды с хорошим тетраэдрическим окружением/ Ю. И. Наберухин и др. // Журнал структурной химии. 1997. - Т. 38, №4, С. 713-721.

11. Кирш Ю.Э. Особенности ассоциации молекул воды в водно-солевых и водно-органических растворах / Ю.Э. Кирш, К.К. Калниньш // Журнал прикладной химии. 1999. - Т. 72, вып. 8. - С. 1233-1246.

12. Киров М.В. Конформационная концепция протонной упорядоченности водных систем / М. В. Киров // Журнал структурной химии.- 2001. Т. 5.-С. 958-965.

13. Даниилов В.И. Строение и кристаллизация жидкостей / В.И. Даниилов. -Киев: Из-во АН УССР. 1956. - 305с.

14. Железный Б. В. / Журнал физической химии, 1969, Т.43, №9, С.2343

15. Буторин Г.Т. Кристаллография / Г.Т. Буторин, В.П. Скрипов. М: Наука. -1972.-96с.

16. Meijer Paul Н. Е., Clause Danielе/ Physica 1983,V. ВС 119, №3. Р. 243

17. Антоненко В. Я. Физика воды/ В.Я. Антоненко. Киев: Из-во Наукова думка. - 1986. - 126с.

18. Андрианова И.С. Теплопроводность и структура воды / И.С. Андрианова, О.Я. Самойлов, И.З. Фишер // Журнал структурной химии. 1967. - Т.8, №5.-С. 813-816.

19. Александров В.Д. Термические эффекты при кристаллизации капель воды в естественных условиях / В.Д. Александров, А.А. Баранников // Журнал физической химии. 2000. - Т. 74, № 4. - С. 595-599.

20. Бернал Дж. Структура воды и ионных растворов / Дж. Бернал, Р. Фаулер // Успехи физических наук. 1934. - Т. XIV, вып. 5. - С. 586-644.

21. Самойлов О.Я. Структура водных растворов электролитов и гидратация ионов / О.Я. Самойлов М.: Изд-во АН СССР. - 1957. - 181 с.

22. Глебов А.Н Структурно-динамические свойства водных растворов электролитов / А.Н. Глебов, А.Р. Буданов // Соросовский образовательный журнал. 1996. -№ 9. - С. 72-78.

23. Bjerrum N. Structure and properties of ice / N. Bjerrum // Dan. Mat Fys. Medd., 1951.-V.27,N1.

24. Синюков B.B. Структура одноатомных жидкостей, воды и водных растворов электролитов. Историко-химический анализ / В.В. Синюков -М.: Наука. 1976.-256 с.

25. Pople J.A. Molecular Association in Liquids. II. Theory of Structure of Water. / J.A. Pople-Proc. Roy. Soc. 1951. - A205.-P. 163-178.

26. Фрицман Э.Х Природа воды. Тяжелая вода / Э.Х. Фрицман Л.: ОНТИ -Химтеорет, 1935.

27. Frank H.S. Ion-solvent Interaction in Aqueous Solution: a Suggested Picture of Water Structure /H.S. Frank, W.Y. Wen //Disc. Faraday Soc. 1957. - V. 24. -P. 133-140.

28. Pauling L. The Nature of the Chemical Bond / L. Pauling. New York, Cornell University Press, 1960.

29. Frank H.S. Pauling's Model and the Thermodynamic Properties of Water / H.S. Frank, A.S. Quist // J. Chem. Phys. 1961. - V. 34. - P. 604-611.

30. Гуриков Ю.В. О механизме самодиффузии в воде / Ю.В. Гуриков // Журнал структурной химии. 1964. - Т.5, № 2. - С. 188-192.

31. Структурная неоднородность аморфного льда низкой плотности и ее влияние на динамику молекулы воды / В.П. Волошин и др. // Журнал структурной химии.- 2001. Т. 42, № 5, С. 948-957.

32. Структурная неоднородность аморфного льда высокой плотности / В.П. Волошин и др. // Журнал структурной химии. 2002. - Т 43, № 5 С. 844850.

33. Хоббс Т. В. Плоскостной рост льда из чистой воды / Т.В. Хоббс., У.М. Китчем. JL: Гидрометеоиздат, 1973 - С. 9-11.

34. Вода и водные растворы при температуре ниже О °С / под ред. Ф. Франка. -Киев: Наукова думка, 1985. 388 с.

35. Белов Н. В. Процессы реального кристаллообразования/ Н. В. Белов.-М: Наука, 1971.-235с.

36. Frank H.S. Free Volume and Entropy in Condensed Systems / Frank iH.S., Evans M.V. // J. Chem. Phys. 1945. - V. 13. - P. 507-532. J;

37. Satoh T. A simple model of aqueous solution of strong electrolyte / T. Satoh // J. Phys. Soc. Japan, 1960. V.15, N 6. - P. 1134.

38. Зацепина Г. H. Физические свойства и структура воды / Г.Н. Зацепина. -М.:МГУ, 1987.-247с.

39. Гордон Ж. Органическая химия растворов электролитов / Ж. Гордон. -М.: Мир, 1979.-712с.

40. Кирш Ю. Э. / тезисы докладов всероссийской конференции по мембранам «Мембрана 98» / Ю.Э. Кирш. М.: Октябрь, 1998. - С. 34.

41. И.В. Мелихов. Закономерности кристаллизации с образованием нанодисперсных твердых фаз / И.В. Мелихов // Журнал неорганические материалы. 2000. Т.36, №3.- С.350-359.

42. Практикум по химии и технологии полупроводников» под ред. Я. А. УГАЯ. Воронеж: Изд-во Воронеж, ун-та. 191 с.

43. Вайнштейн Б. К. Современная кристаллография в 4 томах / Б.К. Вайнштейн М.: Наука, 1981 - Т. 3: Образование кристаллов. - 1981. -402с.

44. Бушманов Б.Н. Физика твердого тела./ Б. Н. Бушманов, Ю.А. Хромов. М: Высшая школа, 1971. - 221с.

45. Хенней Н. Химия твердого тела / Н. Хенней. М.: Мир. 1981. 420 с.

46. Данилов В. И. Строение и кристаллизация жидкости / В. И. Данилов. -Киев: Академия наук УССР, 1956.-568 с.

47. Юшкин Н. П. Теория микроблочного роста кристаллов в природных гетерогенных растворах / Н. П. Юшкин Сыктывкар, 1971.-51 с.

48. Дерягин Б. Теория устойчивости сильно заряженных лиофобных золей и слипания сильно заряженных частиц в растворах электролитов./ Б. Дерягин, JI. Ландау // Журнал экспериментальной и теоретической физики, Т.15, вып. 11.

49. Бахрах Г. С. К оценке толщины адсорбционно-сольватного слоя битумов на поверхности минеральных частиц. / Г. С. Бахрах , Ю. М. Малинский // Коллоидный журнал.- 1969. Т.31, №1. -2 С. 35-42.

50. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы./ М. Лайнс, А. Гласс. М.: Мир, 1981. - 736с.

51. Желудев И. С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев М: Атомиздат, 1973. - с.472.

52. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д.Ширане М.: Мир, 1965 - 600с.

53. Сонин А. С. Введение в сегнетоэлектричество. Учебн. пособие для вузов / А.С. Сонин, Б.А. Струков. М., Высш. школа, 1970. - 271с.

54. Сирота Н.Н. Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в зависимости от условий выращивания / Н.Н. Сирота, М.С. Цедрик, Л.Н. Марголин // Докл.АН БССР. 1970.- Т.14, № 8. - С.693-696.

55. Иоффе Б.В. Рефрактометрические методы химии / Б.В. Иоффе Л.: Химия, 1983.-350с.

56. Носов Г.А. Концентрирование водных растворов методом контактного фракционного плавления / Г.А. Носов, Н.А. Михайлова // Химическая промышленность, 1999. -№ 9 (561). С. 27-31.

57. Гельперин Н.И. Основы техники фракционной кристаллизации // Н. И. Гельперин, Г.А. Носов М.: Химия, 1986. - 215с.

58. Киргинцев А.Н. Очерки о термодинамике водно-солевых систем / А.Н. Киргинцев — Новосибирск: Наука, 1976. 200 с.

59. Драго Р. Физические методы в химии / Р. Драго. М.: Мир. 1981. - 420 с.

60. Углянская В.А. Инфракрасная спектроскопия ионообменных материалов / В.А. Углянская, Г.А. Чикин, В.Ф. Селеменев, Т.А. Завьялова Воронеж, 1989.-206 с.

61. Шувалов JI.A., Мнацаканян А.В. изучение аномалий внутреннего трения сегнетоэлектрических фосфатов в окрестности их точек Кюри /JI.A. Шувалов,А.В. Мнацаканян // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1965. - Т. 29, № 11.

62. Яценко О.Б. Особенности водно-солевых систем при низких температурах / О.Б. Яценко, Д. JI. Котова, В. Ф. Селеменев, Я. А. Угай, Т. А. Крысанова // Журнал прикладной химии, 1997. Т. 70, Вып. 12. - С. 1948-1954.

63. Яценко О.Б. Особенности кристаллизации и плавления льда в водно-солевых системах / О. Б. Яценко, Д. JI. Котова, В. Ф. Селеменев, Я. А. Угай., А.А. Федорец // Конденсированные среды и межфазные границы.-1999. -Т.1, №1. С.87-91.

64. Яценко О.Б. Выращивание кристаллов различных хлоридов металлов в водных системах при низких температурах / О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев, А.А. Федорец, Д.Л. Котова, И.А. Попова // Неорганические материалы.- 2001. -Т.37, № 5. С. 617-621.

65. Яценко О.Б. Кристаллизация и плавление льда в водно-солевых системах / О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев // Неорганические материалы. 2002. -Т.38, № 9. — С.1079 - 1086.

66. Яценко О.Б. Особенности кристаллизации и плавления компонентов в водных растворах / О.Б. Яценко, Д.Л. Котова, А.А. Федорец, И.Г. Чудотворцев // Конденсированные среды и межфазные границы, 1999. -Т.1, № 4. — С.328-333.

67. Грег Г. Адсорбция. Удельная поверхность. Пористость / Г. Грег, К. Синг. М.: Мир, 1984.-306с.

68. Шувалов JI.A. Изучение аномалий внутреннего трения сегнетоэлектрических фосфатов в окрестности их точек Кюри / Л. А. Шувалов, А.В. Мнацаканян // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1965. Т. 29, № 11.

69. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика / Л. Д. Ландау, Е.М. Лифшиц М.: Наука. Физматлит, 1995- 608 с.

70. Александров В.Д. Термические эффекты при кристаллизации капель воды в естественных условиях / В.Д. Александров, А.А. Баранников // Журнал физической химии. 2000. - Т. 74, № 4. - С. 595-599.

71. Залкин В.М. О превращении раствора NaCl в воде при низких температурах в коллоидный раствор / В.М. Залкин // Журнал физической химии, 1995. Т. 62, № 2. - С. 373-382.

72. Залкин В. М. Природа эвтектических сплавов и эффект контактного плавления / В.М. Залкин. М.: Металлургия, 1987.- 152с.

73. Хачатурян А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов / А. Г. Хачатурян. М.:Наука, 1974 - 384с.

74. Анохин В.З. Кинетика и механизм термического окисления кремния / В. 3. Анохин, Из-во Воронеж, ун-та, 1983. 196с.

75. Гаврилов С. А. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF : HCL : С2Н5ОН / С.А. Гаврилов, А. И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников. 2002. - Т.36 -С.104-107.

76. Зенин С. В. Природа гидрофобного взаимодействия. Возникновение ориентационных полей в вводных растворах / С. В. Зенин, Б. В. Тяглов // Журнал физичекой химиии. 1994. - Т 68, № 3, С. 500 - 503

77. Зенин С.В. Гидрофобная модель структуры ассоциатов молекул воды / С.В. Зенин, Б.В. Тяглов // Журнал физической химии. 1994. - Т. 68, № 4. -С. 636-641.

78. Леманов В. А. Пьезоэлектрические свойства кристаллов некоторых белковых аминокислот и соединений на их основе / В. Леманов, С. Н. Попов, Г. А. Панков // Физика твердого тела, 2002, Т. 44, вып. 10, С. 18401846

79. Вайнштейн Б. К. Современная кристаллография в 4 томах / Б.К. Вайнштейн М.: Наука, 1981 - Т. 4: Свойства кристаллов. - 1981. - 407 с.

80. Гаврилин И.В. К расчету температур плавления металлов и эвтектических сплавов / И. В. Гаврилин. Металлы, № 6, 2001, С 35-39.

81. Беляев А. П. Кристаллизация расплава Pb Sn эвтектического состава в тепловом поле градиента температуры / А. П. Беляев, С. А. Кукушкин, В. П. Рубец // Физика твердого тела, 2001, Т. 43,вып. 4, с. 577-580.

82. Яценко О. Б. Выращивание кристаллов солей и аминокислот из водных растворов при температурах ниже 0 °С / О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев, И.А. Попова // IX Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2000. Москва, 15-20.10.2000 г. С.382

83. Яценко О.Б. Рост и свойства кристаллов в бинарных водных системах при Т от + 25 до 30 °С / О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев // X Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2002. Москва, 24-29.11.2002 г. Тез. докл. С. 261.