Роль структурных дефектов в процессе лазерной десорбции-ионизации органических соединений с поверхности кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, кандидат физико-математических наук Жабин, Сергей Николаевич

• Жабин, Сергей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Жабин, Сергей Николаевич

Введение

Глава 1. Обзор литературы. Методы лазерной масс-спектроскопии

1.1 Селективная фотоионизация

1.2 Лазерная десорбция и ионизация

1.3 Матрично-активированная лазерная десорбция и ионизация

1.3.1 В Механизм ионизации в методе МАЛДИ

1.3.2 Недостатки метода МАЛДИ

1.4 Поверхностно-актививированная лазерная десорбцияионизация (SALDI)

1.4.1 SALDI с использованием наночастиц

1.4.2 Лазерная десорбция ионизация с поверхности пористого кремния (DIOS)

1.5 Особенности материалов эмиттеров ионов SALDI

1.6 Особенности структуры аморфного кремния

1.7 Модели поверхностно активированной лазерной десорбцииионизации

1.7.1 Модель лазерной десорбции предварительно образованных ионов

1.7.2 Модель десорбции и последующей ионизации в газовой фазе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Роль структурных дефектов в процессе лазерной десорбции-ионизации органических соединений с поверхности кремния»

Актуальность темы

Развитие лазерной техники в последние десятилетия привело к появлению новых методов высокочувствительного определения органических и биоорганических соединений. К числу наиболее перспективных и интенсивно развивающихся относится метод поверхностно активированной лазерной десорбции и ионизации SALDI (Surface Assisted Laser Desorption Ionization). В этом методе определяемые органические или биоорганические соединения предварительно наносятся из раствора или адсорбируются из газовой фазы на поверхность специально приготовленной подложки - эмиттера ионов. Затем на поверхность эмиттера воздействуют лазерным излучением, что приводит к ионизации и десорбции ионов определяемых соединений, которые затем анализируются масс-спектрометром.

Несмотря на успешное применение метода SALDI для высокочувствительного определения различных органических и биоорганических соединений с массой меньше 1000 а.е.м., механизм образования ионов все ещё остается предметом дискуссий. Уже на ранних этапах развития метода было установлено, что для эффективного образования ионов необходимо сформировать на поверхности специальную структуру (например, пористый или шероховатый слой). Поэтому в ходе развития метода SALDI в литературе неоднократно предлагались простые модели, связывающие эффективность образования ионов с особенностями структуры эмиттера ионов. Однако за последние годы накопились много новых экспериментальных и теоретических результатов, которые невозможно объяснить в рамках предложенных моделей.

Поэтому для дальнейшего целенаправленного развития этого метода крайне актуальной является задача определения механизма образования и десорбции ионов в SALDI. Для построения корректной модели необходимо учитывать не только роль морфологической структуры подложки, но и другие факторы, основными из которых являются лазерное излучение, химический состав поверхности и концентрация дефектов структуры материала эмиттера ионов.

Цель работы заключалась в теоретическом и экспериментальном исследовании факторов, определяющих эффективность SALDI, и разработке на этой основе модели лазерной десорбции и ионизации с поверхности кремния.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- Создать оптическую схему для подачи лазерного излучения различных длин волн в ионный источник SALDI масс-спектрометра.

- Исследовать кремниевые подложки с различным химическим составом, морфологией поверхности и структурой приповерхностного слоя в качестве эмиттеров ионов в методе SALDI.

- Изучить зависимость выхода ионов от параметров лазерного излучения для различных типов эмиттеров ионов и на основе полученных результатов определить основные функции лазерного излучения в методе SALDI.

- Провести численные расчёты для оценки изменения температуры кремниевых поверхностей при воздействии на них импульса лазерного излучения.

- Провести квантово-механические расчёты, моделирующие процесс переноса протона от поверхностного протонодонорного центра к адсорбированной молекуле.

Определить оптимальные условия детектирования органических соединений и оценить эффективность SALDI на примере молекул кофеина.

Научная новизна

Впервые показано, что эффективность SALDI определяется концентрацией структурных дефектов типа оборванных связей, выступающих в роли центров захвата фотоиндуцированных носителей заряда.

Определены основные функции лазерного излучения, состоящие в очистке и активации поверхностного разупорядоченного слоя, генерации фотоиндуцированных носителей в этом слое и его разогреве, обеспечивающем десорбцию протонированных ионов анализируемых соединений.

Показано, что для эффективной ионизации методом SALDI необходима предварительная активация поверхностного разупорядоченного слоя путём обработки кремниевой поверхности лазерным излучением в присутствии паров воды.

На основе квантово-механических расчётов определено, что локализация положительного заряда на поверхностном SiOH-центре принципиально (на 4 эВ) понижает барьер передачи протона адсорбированной на нём молекуле.

Определена эффективность ионизации молекул кофеина методом SALDI, о составившая величину -10" .

На основе теоретических и экспериментальных исследовании предложена новая модель SALDI, которая описывает процессы формирования ионов и их десорбцию с кремниевых поверхностей.

Практическая значимость

Предложено использовать плёнки аморфного кремния a-Si в качестве высокоэффективных эмиттеров ионов в SALDI. Показано, что такие плёнки обеспечивают более высокую воспроизводимость и чувствительность анализа по сравнению с известными эмиттерами ионов в SALDI.

Предложенная модель SALDI позволяет оптимизировать факторы, определяющие эффективность ионизации органических соединений, а также осуществлять целенаправленный поиск новых материалов для использования в качестве эмиттеров ионов.

Показано, что с учётом накопления анализируемых молекул на активированной кремниевой поверхности метод SALDI позволяет реализовать рекордно высокие чувствительности определения ряда азотсодержащих органических соединений. Полученные результаты могут быть использованы для терапевтического лекарственного мониторинга, для решения задач фармакокинетики, в аналитической практике для высокочувствительного определения органических соединений в природных и промышленных объектах.

Выносимые на защиту положения

- Эффективность SALDI с кремниевых поверхностей определяется концентрацией структурных дефектов типа оборванных связей, выступающих в роли центров захвата фотоиндуцированных носителей заряда.

- Источником протонов в методе SALDI являются поверхностные SiOH-группы, образующиеся при диссоциации молекул остаточных паров воды на поверхности кремния.

- Для эффективной ионизации необходима предварительная активация эмиттера ионов, осуществляемая путём обработки кремниевой поверхности лазерным излучением в присутствии паров воды.

- Локализация положительного заряда на поверхностном SiOH-центре адсорбции/десорбции принципиально (на 4 эВ) понижает барьер передачи протона адсорбированной молекуле.

- Основные функции лазерного излучения в процессе SALDI заключаются в очистке и активации поверхностного слоя эмиттера ионов, генерации фотоиндуцированных носителей и разогреве приповерхностного слоя, обеспечивающем десорбцию протонированных ионов анализируемых соединений.

- При найденных оптимальных условиях анализа метод SALDI позволяет реализовать рекордно высокие чувствительности определения ряда азотсодержащих органических соединений.

Апробация работы

Результаты работы были представлены на Всероссийской конференции «Аналитика России» (2004), Ii-ом международном семинаре-школе «Масс-спектрометрия в химической физике, биофизике и экологии» (2004), XXII международной Чугаевской конференция по координационной химии (2005, Молдавия), на VI Всероссийской Конференции-школе «Фундаментальные вопросы масс-спектрометрии и её аналитические применения» (2010), на IV Всероссийской конференции с международным участием «Масс-спектрометрия и её прикладные проблемы» (2011).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 3 статьи и 6 тезисов докладов. Структура и объём работы

Диссертация состоит из введения, 4 глав и списка литературы. Диссертация изложена на 115 страницах, содержит 40 рисунков и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Лазерная физика», Жабин, Сергей Николаевич

Выводы

1. Исследованы поверхности кремния, полученные методами анодного, газофазного травления, а также путём нанесения аморфного слоя. Показано, что эффективность SALDI процесса определяется концентрацией структурных дефектов типа оборванных связей, выступающих в роли центров захвата фотоиндуцированных носителей заряда.

2. Проведены расчёты энергии, необходимой для отрыва протона от поверхностного SiOH центра адсорбции, и показано, что локализация положительного заряда на поверхностном центре принципиально (на 4 эВ) понижает барьер передачи протона адсорбированной на нём молекуле.

3. Экспериментально исследованы зависимости выхода ионов от плотности энергии и длины волны лазерного излучения. Показано, что SALDI сигнал может быть получен в достаточно широком диапазоне длин волн излучения и экспоненциально нарастает с увеличением плотности энергии лазерного излучения.

4. Установлено, что основные функции лазерного излучения состоят в очистке и активации поверхностного разупорядоченного слоя, генерации фотоиндуцированных носителей в этом слое и его разогреве, обеспечивающем десорбцию протонированных ионов анализируемых соединений.

5. На примере молекул кофеина определена эффективность SALDI ионизации, составившая величину 10"3. Показано, что с учётом накопления анализируемых молекул на активированной поверхности метод SALDI позволяет реализовать рекордно высокие чувствительности определения ряда азотсодержащих органических соединений.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Жабин, Сергей Николаевич, 2012 год

1. Летохов B.C. Нелинейные селективные фотопроцессы в атомах и молекулах. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1983, с 41

2. Летохов B.C. Лазерная фотоионизационная спектроскопия. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1987, с 14.

3. Летохов B.C. О возможности разделения изотопов матодами резонансной фотоионизации атомов и фотодиссоциации молекул лазерным излучением: Отчёт ФИАН СССР, 1969 Препринт Интститута спектроскопии РАН СССР -М„ 1979, №1, с. 1.

4. Летохов B.C. Авт. свид. № 784679 с приоритетом от 30.03.70. Бюллетень изобретений, 1982, № 8, с. 308.

5. Letokhov V.S. Ambartzumian R.V. IEEE J. Quant. Electron., 1971, v. QE-7, p. 305.

6. Амбарцумян P.B. Калинин В.П., Летохов B.C. Письма в ЖЭТФ, 1971, т. 13 с. 305.

7. Hercules D.M., Day R. J., Balasanmugam К., Dang T.A., Li C. P. Lasermicroprobe mass spectrometry. 7. Applications to structural analysis // Anal. Chem. 1982. Vol. 54, N 2. P. 280A-305A.

8. Tanaka K., Ido Y., Akita S., Yoshida Y., Yoshida T. Proc. Second Japan-ChinaJoint Symposium on Mass Spectrometry. Osaka, Japan, 15-18 September 1987

9. Tanaka K., Waki H., Ido Y„ Akita S„ Yoshida Y„ YoshidaT., Matsuo T. Protein and polymer analysis up to m/z 100,000 by laser ionization time-of-flight mass spectrometry // Rapid Commun. Mass Spectrom. 1988. Vol. 2, N 8. P. 151-153

10. Karas M., Bachmann D., Bahr U., Hillenkamp F. Matrix-assisted ultraviolet laser desorption of non-volatile compounds // Int. J. Mass Spectrom. 1987. Vol. 78, N 1. P. 53-68.

11. Dass C. Fundamentals of contemporary mass spectrometry. New Jersey: John Wiley & Sons. 2007

12. R. Knochenmuss R. Zenobi MALDI Ionization: The Role of In-Plume Processes. R Knochenmuss Ion formation mechanisms in UV-MALDI, K. Dreisewerd The Desorption Process in MALDI

13. MALDI MS. A Practical Guide to Instrumentation, Methods and Applications. Edited by Franz Hillenkamp and Jasna Peter-Katalinic' Copyright © 2007 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 978-3-527-31440-9

14. R. Knochenmuss. A quantitative model of ultraviolet matrix-assisted laser desorption/ionization // J. Mass Spectrom. 2002. № 37. C. 867

15. Sunner J., Dratz E., Chen Y.C. Graphite surface-assisted laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometry of peptides and proteins from liquid solutions //Anal. Chem. 1995. Vol. 67, N 23. P. 4335-4342

16. S. Alimpiev, S. Nikiforov, A. A. Grechnikov, V. Karavanskii, and Y. O. Simanovsky, RF Patent No. 2285253 October 10, 2006

17. Chen W.-Y., Wang L.-S., Chiu H.-T. Carbon nanotubes as affinity probes for peptides and proteins in MALDI MS analysis // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2004. Vol. 15, N 11. P. 1629-1635.

18. Pan C., Xu S., Zou H., Guo Z., Zhang Y., Guo B. Carbon nanotubes as adsorbent of solid-phase extraction and matrix for laser desorption/ionization mass spectrometry // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 2. P. 263-270.

19. Ren S.-F., Guo Y.-L. Oxidized carbon nanotubes as matrix for matrix-assisted laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometric analysis of biomolecules // Rapid Commum. Mass Spectrom. 2005. Vol. 19, N 2. P. 255-260.

20. Ren S.-F., Zhang L., Cheng Z.-H. Immobilized carbon nanotubes as matrix for MALDI-TOF-MS analysis: applications to neutral small carbohydrates // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 3. P. 333-339.

21. Ren S.-F., Guo Y.-L. Carbon nanotubes (2,5-dihydroxybenzoyl hydrazine) derivative as pH adjustable enriching reagent and matrix for MALDI analysis of trace peptides // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2006. Vol. 17, N 7. P. 1023-1027.

22. Wen X., Dagan S., Wysocki V.H. Small-molecule analysis with siliconnanoparticle-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2007. Vol. 79, N 2. P. 434-444.

23. E. P. Go, J. V. Apon, G. Luo, A. Saghatelian. R. H. Daniels, V. Sahi, R. Dubrow, B. F. Cravatt, A. Vertes, and G. Siuzdak, «Desorption/ionization on Silicon Nanowires» //Anal. Chem. 2005 V.77, P. 1641

24. Turney K., Drake T.J., Smith J.E. Functionalized nanoparticles for liquid atmospheric pressure matrix-assisted laser desorption/ionization peptide analysis // Rapid Commun. Mass Spectrom. 2004. Vol. 18, N 20. P. 2367-2374.

25. Chen C.-T., Chen Y.-C. Molecularly imprinted Ti02-matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry for selectively detecting a-cyclodextrin // Anal. Chem. 2004. Vol. 76, N 5. P. 1453-1457.

26. Chen C.-T., Chen Y.-C. Fe304/Ti02 core/shell nanoparticles as affinity probes for the analysis of phosphopeptides using Ti02 surface-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2005. Vol. 77, N 18. P. 5912-5919.

27. Kirwan L.J., Fawell P.D., van Bronswijk W. In situ FTIR-ATR examination of poly(acrylic acid) adsorbed onto hematite at low pH // Langmuir. 2003. Vol. 19, N 14. P. 5802-5807.

28. Sano A., Nakamura H. Chemo-affinity of titania for the column-switching HPLC analysis of phosphopeptides // Anal. Sci. 2004. Vol. 20, N 3.

29. Teng C.-H., Ho K.-C., Lin Y.-S. Gold nanoparticles as selective and concentrating probes for samples in MALDI MS analysis // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 11. P. 3392-3393.

30. Shieh D.-B., Su C.-H., Chang F.-Y. Aqueous nickel-nitrilotriacetate modified Fe304-NH3 + nanoparticles for protein purification and cell targeting // Nanotechnology. 2006. Vol. 17, N 16. P. 4174-4182.

31. Lee K-B., Park S., Mirkin C.A. Muticomponent magnetic nanorods for biomolecular separations // Angew Chem. Int. Ed. 2004. Vol. 43, N 23. P. 30483050.

32. Xu C., Xu K., Gu H. Dopamine as a robust anchor to immobilize functional molecules on the iron oxide shell of magnetic nanoparticles // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 32. P. 9938-9939.

33. Pinkse M.W.H., Uitto P.M., Hilhorst M.J. Selective isolation at the femtomole level of phosphopeptides from proteolytic digests using 2D nanoLC-ESI-MS MS and titanium oxide precolumns // Anal. Chem. 2004. Vol. 76, N 14. P. 3935-3943.

34. Bertozzi C.R., Kiessling L.L. Chemical glycobiology // Science. 2001. Vol. 291, N5512. P. 2357-2364

35. Xu C., Xu K., Gu H. Nitrlotriacetic acid-modified magnetic nanoparticles as a general agent to bind histidine-tagged proteins // J. Am. Chem Soc. 2004. Vol. 126, N 11. P. 3392-3393

36. Shariatgorji M., Amini N., Thorsen G., Crescenzi C., Ilag L.L. m-Trap for the SALDI-MS screening of organic compounds prior to LC/MS analysis // Anal. Chem. 2008. Vol. 80, N 14. P. 5515-5523

37. Amini N., Shariatgorji M., Thorsen G. SALDI-MS signal enhancement using oxidized graphitized carbon black nanoparticles // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2009. Vol. 20, N 6. P. 1207-1213

38. Rowell E., Hudson K., Seviour J. Detection of drugs and their metabolites in dusted latent fingermarks by mass spectrometry // Analyst. 2009. Vol. 134, N 4. P. 701-707

39. Benton M., Chua M.J., Gu E., Rowell F., Ma J. Environmental nicotine contamination in latent fingermarks from smoker contacts and passive smoking // Forensic Sci. Int. 2010. Vol. 200, N 1-3. P. 28-34

40. Pan C„ Xu S., Hu L, Su X., Ou J., Zou H„ Guo Z., Zhang Y„ Guo B. Using oxidized carbon nanotubes as matrix for analysis of small molecules by MALDITOF MS // J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2005. Vol. 16, N 6. P. 883-892

41. Chun-Yuan Lo, Jia-Yi Lin, Wei-Yu Chen, Cheng-Tai Chen,and Yu-Chie Chen J Surface-Assisted Laser Desorption/ionization Mass Spectrometry on Titania Nanotube Arrays Am Soc Mass Spectrom 2008, 19, 1014 -1020

42. Wei J., Buriak J., Siuzdak G. Desoption-ionization mass spectrometry on porous silicon // Nature. 1999. Vol. 399, N 6733. P. 434-444.

43. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 38, N 1-3. P. 1-126.

44. Kim E.-M. Lee C.-S., Lee S.-H., Kim M.-S., Kim Y.-K., Kim B.-G. Enhancement of Analyte Ionization in Desoprtion/Ionization on Porous Silicon (DIOS)-Mass Spectrometry (MS) // Biotech, and bioprocess engin. 2005. Vol. 10, N 3. P. 212217.

45. Shen Z., Thomas J.J., Averbuj С., Broo K.M., Engelhard M., Crowell J.E., Finn M.G., Siuzdak G. Porous silicon as a versatile platform for laser desorption/ionization mass spectrometry // Anal. Chem. 2001. Vol. 73, N 3. P.

46. Никифоров C.M. Алимпиев С.С., Гречников А.А., Караванский В.А., Саннер Ж., Method of forming rough surface of silicon substrate and electrolyte for anodic etching of silicon substrates, in RF Patent No. 2217840. 2003.

47. Alimpiev S., Nikiforov S., Karavanskii V., Sunner J. On the Mechanism of Laser-Induced Desorption-Ionization of Organic Compounds from Etched Silicon and Carbon Surfaces // J. Chem. Phys. 2001. Vol. 115, N 4. P. 1891 -1901.

48. Chen Y., Vertes A. Adjustable fragmentation in laser desorption/ionization from laser-induced silicon microcolumn arrays // Anal. Chem. 2006. Vol. 78, N 16. P. 5835-5844.

49. J. Kanasaki, «Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces» // Physica В 2006 V. 376, P. 834

50. F. Sanchez, J. L. Morenza, R. Aguiar, J. C. Delgado, and M. Varela, «Dynamics of the hydrodynamical growth of columns on silicon exposed to ArF excimer-laser irradiation» // Appl. Phys. Lett. 1996 V.69, P.620

51. Т. H. Her, R. J. Finlay, C. Wu, and E. Mazur, // Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2000 V.70, P.383

52. R.A.Street, Hydrogenated Amorphous Silicon // Cambridge University Press, Cambridge, 2006

53. И.Лифшиц О структуре энергетического спектра и квантовых состояний неупорядоченных конденсированных систем. // УФН Том LXXXIII вып. 4 1964г.

54. М.Н. Brodsky R.S.Title, «Electron Spin Resonance in Amorphous Silicon, Germanium, and Silicon Carbide» // Phys. Rev. Lett. 1969 V.23, P.581

55. F. WangR. Schwarz//Phys. Rev. В 1995 vol 52, P. 14586-14597

56. К. P. H. Lui and F. A. Hegmann, //J. Appl. Phys. 2003 V.93, P.9012

57. A. Esser, К. Seibert, Н. Kurz, G. N. Parsons, С. Wang, В. N. Davidson,G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, // Phys. Rev. В 1990 V.41, P.2879

58. R. G. Hennig, P. A. Fedders, and A. E. Carlsson Electronic structure of dangling bonds in amorphous silicon studied via a density-matrix functional method //PHYSICAL REVIEW В 2002 V.66, P. 195213

59. A. Matsuda, «Recent understanding of the growth process of amorphous silicon from a silane glowdischarge plasma» // Plasma Phys. Controlled Fusion V. 39, P. A431

60. A. Matsuda, «Recent understanding of the growth process of amorphous silicon from a silane glowdischarge plasma» // Plasma Phys. Controlled Fusion V. 39, P. A431

61. Kruse R.A., Li X., Bohn P.W., Sweedler J.V. Experimental factors controlling analyte ion generation in Laser Desorption/Ionization mass spectrometry on porous silicon // Anal. Chem. 2001. Vol. 73, N 15. P. 3639-3645. 123

62. Xiao Y., Retterer S.T., Thomas D.K., Tao J.-Y., He L. Impacts of surface morphology on ion desorption and ionization in Desorption Ionization on Porous Silicon (DIOS) mass spectrometry // J. Phys. Chem. C. 2009. Vol. 113, N 8. P. 3076-3083.

63. Luo G., Chen Y., Siuzdak G., Vertes A. Surface modification and laser pulse length effects on internal energy transfer in DIOS // J. Phys. Chem. B. 2005. Vol. 109, N 51. P. 24450-24456.

64. Гречников А.А., Бородков А.С., Алимпиев С.С., Никифоров С.М., Симановский Я.О., Караванский В.А. // Масс-спектрометрия, 2010. 7 (1), 53.

65. Chen Y., Chen Н., Aleksandrov A., Orlando Th.M. // J. Phys. Chem., 2008 V. 112, P.695375.0kuno S., Arakawa R., Okamoto K., Matsui Y., Seki S., Kozawa Т., Tagawa S., Wada Y. // Anal. Chem., 2005 V.77, P.5364

66. Разников В.В., Пихтелев А.Р., Разникова М.О. // Масс-спектрометрия, 2006. 3 (2), с.113

67. Bisi О., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 38, N 1-3. P. 1-126.

68. Гречников А.А., Алимпиев С.С., Караванский В.А., Никифоров С.М., Симановский Я.О. Способ получения наноструктурированных кремниевых подложек. // Патент РФ № 2364983. 05.12.2007

69. Е.С. Вентцель "Теория вероятностей" // изд. Высшая школа, 2001

70. Bomchil G., Halimaoui A., Herino R. « Porous silicon: The material and its applications in silicon-on-insulator technologies» // Appl. Surf. Sci., 1989, V.41-42, P. 604

71. Northen T.R., Woo H.K., Northen M.T., Nordstrom A., UritboonthailW., Turner K.L., Siuzdak G. //J. Am. Soc. Mass Spectrom., 2007 V.18, P. 1945

72. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun., 1986 V.58, P.739

73. Киселев В.Ф., Крылов О.В. «Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках» // М.: Наука, 1979

74. Дэвисон С., Леви Дж. Поверхностные (таммовские) состояния. // М.: Мир, 1973. с. 232 с

75. Fundamental Physics of Amorphous Semiconductors: Proc. of the Kyoto Summer Institute. Kyoto, Japan, September 8—1 1, 1980/Ed. by F. Yonezawa. Berlin; Heidelberg; New York: Springer-Verlag, 1981

76. Alex A. Granovsky, Firefly version 7.1.G, www http://classic.chem.insu.su/gran/firefly/index.html

77. Дж. Слетер «Электронная структура молекул» // пер. с англ. Изд. Мир 1965

78. ERNEST R. DAVIDSON and DAVID FELLER «Basis Set Selection for Molecular Calculations» Chem.Rev.(1988).86.661-696.

79. Zhurko G.A., Zhurko D.A., Программа chemcraft для визуализации квантовых расчётов молекулярных систем URL http://chemcraftprog.com.

80. Г. Герцберг «Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул» //пер. с англ. Изд. Иностранной литературы Москва 1949

81. Эткинс П. "Физическая химия" Т. 1 // пер. с англ. Изд. МИР Москва 1980

82. Нее К. Park, Xianfan Xu, and Costas P. Grigoropoulos, Nhan Do Leander Klees, P. T. Leung, and Andrew C. Tam Temporal profile of optical transmission probefor pulsed-laser heating of amorphous silicon films // Appl. Phys. Lett. 1992 V.61 (7), P. 17

83. Singh R., Viatella J. Simulation of Laser Interactions with Materials // Gainesville: University of Florida, 2006.

84. М.Борн,Э.Вольф «Основы оптики» // Изд. Наука 1973

85. База данных оптических параметров компании Angstrom Sun Technologies Inc. URL: http://www.angstec.com/

86. База данных института им. Иоффе URL: http://www.iоffe.ru/SVA/NSМ/

87. M.O.Lampert, J.M. Koebel, P. Siffer "Temperarute dependence of the reflectance of solid and luquid silicon" // J. Appl. Phys. 1981 V.52(8)

88. H. Nagai, Y. Nakata, T. Tsurue, H. Minagawa, K. Kamada, E. Gustafsson, and T. Okutani, // Jpn. J. Appl. Phys., 2000 Part 1 39, P. 1405

89. Xiao Liu, J. L. Feldman, D. G. Cahill, R. S. Crandall, N. Bernstein 1, D. M. Photiadis, M. J. Mehl, and D. A. Papaconstantopoulos "High Thermal Conductivity of a Hydrogenated Amorphous Silicon Film" // PHYSICAL REVIEW LETTERS 2009 V.102 P.035901

90. S. Volz, X. Feng, C. Fuentes, P. Guerin and M. Jaouen «Thermal Conductivity Measurements of Thin Amorphous Silicon Films by Scanning Thermal Microscopy, // International Journal of Thermophysics, Vol. 23, No. 6, November 2002 P. 1645

91. Hidekazu Kobatake, Hiroyuki Fukuyama, and Izuru Minat Takao Tsukada Satoshi Awaji Noncontact measurement of thermal conductivity of liquid silicon in a static magnetic field // APPLIED PHYSICS LETTERS 2007, V.90, P.094-102

92. Griesser U.J., Szelagiewicz M., Hofmeier U.Ch., Pitt C., Cianferani S. // J. Therm. Anal. Calorim.,1999 V.57, P.45

93. Список публикаций по теме работы

94. Alimpiev. S., Grechnikov A., Sunner J., Karavanskii V., Simanovsky Ya., Zhabin S., and Nikiforov S. On the role of defects and surface chemistry for surface-assisted laser desorption ionization from silicon // J. Chem. Phys. 2008. V.128. P. 014711(19).

95. Вклад соавторов печатных работ