Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и электрофизическое состояние поверхности некоторых свинецсодержащих материалов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Никольский, Анатолий Викторович

• Никольский, Анатолий Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Никольский, Анатолий Викторович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ РЕНТГЕНОВСКОГО ФОТОЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРОМЕТРА С АНАЛИЗАТОРОМ ТИПА СФЕРИЧЕСКИЙ ДЕФЛЕКТОР

1.1. Сравнительный анализ светимости анализаторов типа сферический дефлектор (СД) и цилиндрическое зеркало (ЦЗ)

1.2. Аппаратная функция анализатора СД

1.3. Влияние торможения электронов перед входом в анализатор на характеристики спектрометров

1.4. Конструкция и устройство спектрометра РФЭС-1

1.5. Электронно-оптические характеристики спектрометра

1.6. Результаты и выводы

2. ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ И МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН НА ИХ ОСНОВЕ

2.1. Строение поверхности и приповерхностных слоев свинцово-силикатных стекол и микроканальных пластин (обзор литературы)

2.2. Методика получения и характеристики исследованных образцов

2.3. Состав поверхности и диффузионные явления в свинцовосиликатных стеклах

2.4. Химсвязь и состав поверхности микроканальных пластин

2.5. Особенности формирования проводящего слоя в модельных образцах и микроканальных пластинках

2.6. Диффузионные явления на поверхностях конструктивных элементов микроканальных пластин

2.7. Выводы

3. ПРОЯВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ УГЛЕЙ В ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ ИХ РФЭ-СПЕКТРОВ

3.1. Эффекты зарядки на поверхности непроводящих объектов

3.2. Характеристики РФЭ-спектров полисахаридов и углей

3.3. Изменение РФЭ-спектров углей в ряду метаморфизма

3.4. Связь параметров РФЭ-спектров с электрофизическими свойствами

3.5. Выводы

4. СОСТАВ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНОНИОБАТА СВИНЦА

4.1. Поверхность сегнетоэлектрических материалов

4.2. Изменение состава поверхности МК РМИ при температурных воздействиях

4.3. Состав поверхности МК и его электрофизические свойства

4.4. Выводы

5. СПЕКТРОСКОПИЯ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МАГНОНИОБАТЕ СВИНЦА

5.1. Спектры эмиссии электронов малых энергий, возбужденных мягким рентгеновским излучением

5.2. Аномальная электронная эмиссия с поверхности монокристаллов магнониобата свинца

5.3. Модель ЭЭ из сегнетоэлектрика-электрета

5.4. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и электрофизическое состояние поверхности некоторых свинецсодержащих материалов»

ВВЕДЕНИЕ

Определяющее влияние поверхности на физико-химические свойства веществ в конденсированном состоянии стало осознаваться исследователями по мере развития в 60е-70е годы техники сверхвысокого вакуума (СВВ) и таких поверхностно-чувствительных методов исследования как ультрафиолетовая (УФЭС) и рентгеновская (РФЭС) фотоэлектронная спектроскопия, а также электронная оже-спектроскопия (ЭОС [1-4]. Исторически впервые такое понимание появилось при исследовании проблем гетерогенного катализа, при котором микроскопические количества ультрадисперсных катализаторов кардинально изменяют ход химических процессов. Развитие производства новых материалов, особенно полупроводниковых, и приборов микроэлектроники на их основе сделало актуальной задачу обнаружения и идентификации различных примесей, появляющихся в результате диффузионных процессов как на свободных поверхностях, так и на границах раздела (металл-полупроводник, р-п-переход и т.п.) Использование при создании полупроводниковых устройств таких технологических приемов как ионная имплантация и молекулярно-лучевая эпитаксия приводит к появлению поверхностных структур, чрезвычайно чувствительных к свойствам исходной поверхности полупроводника. Проблемы появления сверхструктурных перестроек (81) или изменений углов связей (ваАв) на свободных поверхностях полупроводников, влияющие на их электрофизические свойства, также далеки от своего разрешения.

Помимо прикладных аспектов интереса к поверхности имеется и фундаментальный, связанный с рассмотрением поверхности как особой разновидности дефекта твердого тела, вызывающего нарушения идеальной периодической структуры твердого тела. Образование поверхности, вызывая нарушение трансляционной симметрии в одном из направлений, приводит к появлению новых локализованных электронных и колебательных состояний. Их вид и характер распределения во многом определяют физико-химические свойства поверхности и объекта в целом.

Особую роль поверхностные состояния (ПС) играют в сегнетоэлектриках (СЭ), поскольку в них большая часть компенсирующего заряда локализуется на поверхности. Как было показано [5], при достаточно большой плотности ПС (N5 ~ 1014 см"2-эВ"!) поведение СЭ в основном будет определяться именно структурой поверхностных уровней. Такая величина плотности ПС выглядит, возможно, слишком большой для идеальной поверхности, однако она вполне реализуема для реальной поверхности монокри-

сталла. Структура ПС реальной поверхности будет складываться как из собственных, так и примесных ПС, в т.ч. адсорбционного происхождения. Причем процесс ее формирования будет самосогласован с диффузионными процессами: заряд на ПС исходной поверхности вызывает изменения в равномерном распределении примесей (в т.ч. вакансий) в объеме кристалла, а диффузионные явления, изменяя состав поверхности, влияют на ее абсорбционные способности, что в свою очередь, приводит к изменению зарядового состояния поверхности и т.д. Определение физической природы тех или других ПС на поверхности реальных твердых тел и их влияние на электрофизические свойства объектов является чрезвычайно важной задачей как для понимания фундаментальных основ сегнетоэлектричества, так и в плане практических применений конкретных материалов. Экстремальные значения плотности поверхностных зарядов (Р5 >: 10"5 Кл-см"2) отмечаются для сегнетоэлектриков из класса оксидов семейства перовскита (ОСП), обладающих и многими другими уникальными электрофизическими свойствами [6]. В процессе переполяризации свинцовосодержащих ОСП, являющихся не только СЭ, но и хорошими изоляторами, важную роль играют так называемые "сверхмедленные релаксации". Моделирование такого рода процессов удается осуществить при релаксации электретного заряда в поляризованных электретах - СЭ. Высокие значения (т > 105 с) характерного времени "сверхмедленных релаксаций" в свинецсодержащих ОСП сопоставимы с диффузионными временами носителей, что может приводить к взаимному влиянию процессов диффузии и переполяризации. Это влияние возрастает при термополевых воздействиях на образец в процессе его подготовки и эксплуатации.

Аналогичное влияние диффузионных процессов, изменяющих как состав приповерхностного слоя, так и его электрофизические характеристики, отмечается для свинцовосиликатных стекол (ССС), служащих основой для производства детекторов частиц и ионизирующих излучений [7].

Метод РФЭС является мощным инструментом исследования элементного состава поверхности твердых тел, а высокая чувствительность РФЭ-линий элемента к его химическому окружению, приводящая к изменениям их энергетического положения (химсдвигам), позволяет идентифицировать не только сам элемент, но и функциональную группу, в состав которой он входит [8,9]. Все это нашло отражение в первоначальном названии метода РФЭС: Электронная Спектроскопия для Химического Анализа (ЭСХА) [1], зачастую используемый и сегодня. Однако при таком подходе почти полностью игнорируется информация, заключенная в энергетических характеристиках

РФЭ-спектров (исключая химсдвиг). Более того, уширение РФЭ-линий и их энергетический сдвиг, возникающие в следствие так называемой "зарядки" слабопроводящих образцов (полупроводников и изоляторов), как правило, рассматриваются как мешающие факторы, отрицательно влияющие на точность и вопроизводимость получаемых аналитических результатов [8-10]. А ведь в энергетических характеристиках РФЭ-спектров содержится информация об электрофизических свойствах поверхности объекта, в т.ч. ее зарядовом состоянии. Несмотря на богатую историю развития метода РФЭС, его использование в качестве инструмента исследования электрофизичских свойств полупроводников и изоляторов практически равно нулю.

Таким образом комплексное использование аналитических возможностей метода РФЭС (определение состава и характера химсвязей) и учет влияния электрофизических свойств образцов на энергетические характеристики РФЭ-спектров, необходимы при исследовании процессов на поверхностях полупроводниковых и диэлектрических (в т.ч. сегнетоэлектрических) материалов. Кроме того исследование веществ, являющихся в том числе эмиттерами электронов, фотоэлектронным методом (РФЭС) позволят получать информацию об их эмиссионных характеристиках непосредственно из их РФЭ спектров.

Актуальность темы. Актуальность проблемы деградации свободных поверхностей однородных кристаллов и границ раздела различных фаз под влиянием адсорбционных и диффузионных процессов, протекающих в приповерхностных (приграничных) слоях вещества, вытекает из все более широкого использования именно поверхностных (граничных) свойств твердых тел в конкретных приборах и устройствах. Задача получения стабильных характеристик исходных поверхностей создаваемых, как правило, в целом ряде технологических циклов, усугубляется проблемой их сохранения в процессе эксплуатации прибора. Если учесть, что изготовление и эксплуатация прибора сопровождается воздействием различных факторов (температуры, полевые, ионизирующие излучения и т.д.), то для уменьшения их влияния на характеристики прибора необходимо точное знание характера и величины каждого из этих воздействий на свойства поверхности.

Бурно растущее использование электрически активных материалов (в том числе свинецсодержащих ОСП) в составе переключающих элементов (оптических модулято-

ров и преобразователей, ВЧ-полевых эмиттеров и т.п.) делает актуальной выяснение причин усталостных явлений, приводящих к ухудшению характеристик приборов и их выходу из строя.

Понимание природы процессов, происходящих на поверхности твердого тела, позволит не только улучшить характеристики приборов и увеличить их долговечность, но и окажет положительное влияние на развитие фундаментальных основ физики эмиссионных и поляризационных явлений.

Целью работы является :

1. Оценка принципиальной возможности получения информации об электрофизических свойствах поверхностных слоев твердых тел из характеристик их РФЭ-спектров.

2. Установление взаимосвязи между элементным составом поверхности и ее электрофизическими свойствами, находящими свое отражение в РФЭ-спектрах образцов.

3. Исследование химсвязи и элементного состава поверхностей свинцовосиликатных стекол и монокристаллов магнониобата свинца после различных физико-химических воздействий.

Объекты исследования: свинцовосиликатные стекла типа 6Ва 4 и микроканальные пластины (МКП) на их основе; поликристаллы каменных углей и полисахаров; монокристаллы магнониобата свинца (МК PMN).

Методы исследования - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС); электронная Оже-спектроскопия (ОЭС) в совокупности с послойным ионным травлением; растровая электронная микроскопия (РЭМ) и рентгеноспектральный микроанализ (РСМА).

Научная новизна. Впервые исследованы комплексом методом (РФЭС, ЭОС, РСМА) поверхности МКП и элементов их сборки (ОЖС и МЖС), подвергнутые различным воздействиям (химическое травление, отжиг на воздухе, восстановление в водороде) и установлены кардинальные отличия в химсвязи и составы поверхностей МКП по сравнению с поверхностями исходных ССС. Для модельных стекол установлен новый механизм образования барьерного слоя, препятствующего диффузии свинца к поверхности, отличающийся от механизма его формирования в исходных ССС. Показано, чт(

именно формирование этого слоя в МКП, происходящее на стадиях предварительного прогрева на воздухе в присутствии механических нагрузок, полностью определяет диффузионные процессы в приповерхностных слоях МКП.

Впервые систематически исследованы методом РФЭС каменные угли в ряду метаморфизма и установлено немонотонное изменение энергетических характеристик РФЭ-спектров с максимальными значениями для углей с содержанием углерода ~ 90-91 %. Показано, что энергетические характеристики РФЭ-спектров углей отражают изменения их электропроводности, которая имеет примесный характер и определяется содержанием кислорода в углях.

Впервые исследованы комплексом методов (РФЭС, ЭОС и РСМА) МК РМИ и установлены закономерности формирования состава их приповерхностных слоев в различных внешних условиях.

Впервые установлены корреляционные зависимости между сверхстехиометриче-ским содержанием свинца на поверхности МК РМЫ и его электретными свойствами при поляризации в коронном разряде.

Впервые разработаны основы методики спектроскопии рентгеновской эмиссии электронов малых энергий (РЭЭМЭ) (0-20 эВ), возбужденной мягким рентгеновским излучением, и показана перспективность ее использования для исследования электрофизических свойств твердых тел.

Применение данной методики в исследовании электретного состояния МК РМЫ позволило впервые обнаружить дополнительную электронную эмиссию, возбужденную рентгеновским излучением, с поверхности сегнетоэлектрика, в которую инжектирован электронный заряд (явление аномальной электронной эмиссии - АЭЭ). Исследование временных зависимостей характеристик спектров АЭЭ показали их однозначную зависимость от величины электретного заряда, а также возможность получения информации о распределении потенциала по глубине образца из спектров АЭЭ.

Практическая ценность. Численные расчеты анализаторов типа сферический дефлектор (СД) с использованием аналитических выражений, полученных в настоящей работе, позволили установить оптимальные значения геометрических параметров анализаторов типа СД с различным энергетическим разрешением Я. Полученные результаты позволили создать в НИИ Физики РГУ рентгеновский фотоэлектронный спектрометр РФЭС-1, с анализатором типа СД (К = 10'2), по своим электронно-оптическим

свойствам не уступающий выпускаемым аналогам, а также могут быть использованы при расчетах анализаторов заряженных частиц.

Экспериментально установленный в настоящей работе технологический этап производства МКП, на котором происходит формирование барьерного слоя, изменяющего диффузионные характеристики МКП, создает базу для внесения изменений в технологию изготовления МКП с целью улучшения их эмиссионных характеристик.

Установленные в работе закономерности формирования состава поверхности и его влияния на электрофизические свойства полупроводников и изоляторов, которые отражаются в энергетических характеристиках их РФЭ-спектров, позволяют не только исследовать, но и прогнозировать некоторые электрофизические свойства (величину и тип проводимости, электретные свойства и т.п.) этих объектов по их РФЭ-спектрам.

Разработанная в настоящей работе методика спектроскопии электронов малых энергий (РЭЭМЭ) является новым перспективным инструментом исследования неравновесных состояний в сегнетоэлектрических материалах, позволяя, в частности, получать информацию о распределении потенциала по глубине образца (до <100 нм) и его изменении во времени.

Объем и структура работы . Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 166 страницах, и содержит 74 рисунка, 13 таблиц и библиографию из 183 названий.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Энергетические характеристики Cl s- и Ois- спектров углей и полисахаров, отражают электрофизические свойства их поверхности (в частности приповерхностную проводимость), обусловленные акцепторными (кислород) и донорными (кислородные вакансии) примесями, а интенсивности высокоэнергетических компонент этих спектров определяются абсолютными величинами концентраций этих примесей.

2. Сверхстехиометрическое содержание свинца на поверхности МК PMN, полученной после температурных воздействий, определяет величину и знак приповерхностного изгиба зон, обуславливающего, в конечном счете, электретные свойства МК PMN при его поляризации коронным разрядом.

3. Электронная эмиссия (ЭЭ), возбуждаемая мягким рентгеновским излучением с поверхностей сегнетоэлектрика-электрета, в которые инжектирован электронный заряд, обусловлена наличием в приповерхностном слое ускоряющего электрического

поля 9-109 В/м, возникающего в результате отклика сегнетоэлектрика на инжектированный при его поляризации заряд и способствующего выходу электронов в вакуум (явление Аномальной Электронной Эмиссии).

4. Спектры АЭЭ отражают существующее в приповерхностном слое кристалла распределение потенциала ср(г) по глубине, а их изменение с течением времени после поляризации позволяет исследовать кинетику релаксации электретного заряда в течение всего времени его существования.

Личный вклад автора Автор диссертации непосредственно участвовал в выводе уравнений и численных расчетах светимости и аппаратных функций анализаторов типа СД, в конструкторской разработке, изготовлении и наладке блоков и узлов (в том числе комплекса измерительной и питающей аппаратуры) рентгеноэлектронного спектрометра, в отборе образцов и их подготовке к исследованиям. Им были разработаны и осуществлены оригинальные методики получения спектров (в том числе и РЭЭМЭ) и внесены необходимые изменения в конструкцию прибора и измерительную аппаратуру. Автором были получены и обработаны все РФЭ-епектры образцов, лежащих в основе настоящей работы, а также сделан основной вклад в интерпретацию полученных результатов и формулировку основных выводов работы.

Научный руководитель осуществлял постановку задач, общее руководство и обсуждение результатов.

Роль соавторов опубликованных работ заключалась в следующем: Колесников В.В. разработал теоретическую модель неравновесного состояния в сегнетоэлектрике с инжектированным зарядом и участвовал в обсуждении и интерпретации результатов исследования электрофизических свойств углей и сегнетоэлектрических материалов; Сахнененко В.П. участвовал в разработке теоретической модели и обсуждении результатов исследования сегнетоэлектрических свойств материалов; Шевцова С.И. провела измерения состава и изучение морфологии поверхностей ССС и МКП; Демьянченко В.А. - получил профили интенсивностей оже-линий элементов по глубине монокристалла РМИ; Мазурицкий М.И. получил спектры квантового выхода фотоэффекта для

модельных стекол и участвовал в обсуждении результатов исследований стекол и МКП. Панасюк Б. А. получил профили концентраций элементов по глубине модельных стекол; Панасюк М.А. участвовала в разработке программного обеспечения для обработки РФЭ-спектров; Панченко Е.М., Трусов Ю.А. предоставили образцы МК PMN, провели поляризацию образцов и измерения их электретных потенциалов и участвовали в обсуждении результатов электретных свойтсв МК PMN; Новиков И.В. участвовал в численных расчетах модельных распределений потенциалов в сегнетоэлектриках-электретах, получил спектры АЭЭ полупроводниковых керамик ПКР-70 и участвовал в обсуждении результатов их исследований.

Апробация работы . Основные результаты, полученные в данной работе, доложены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

1. На Всесоюзном совещании "Рентгеновские и рентгеноэлектронные спектры и электронная структура металлов, сплавов и химических соединений (Ижевск, 1979 г.).

2. На XIII Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Львов, 1981 г.);

3. На Всесоюзной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Воронеж, 1982 г.);

4. На Всесоюзной конференции "Квантовая химия и спектроскопия твердого тела" (Свердловск, 1984);

5. На международной конференции "International processes in atoms, molecules, and solids" (USA, 1984);

6. На IX Всесоюзной конференции "Локальные рентгеновские исследования и их при-менение"(Устинов, 1985);

7. На XV Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Ленинград, 1988 г.);

8. На III Всесоюзной конференции "Квантовая химия и спектроскопия твердого тела" (Свердловск, 1989);

9. На II Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости (Киев, 1989);

10. На 2-й региональной научно-технической конференции "Триботехника - производству" (Таганрог, 1991 г.);

11. На XII конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 1992г.)

12. На Всесоюзной научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной микроэлектроники (Таганрог, 1995 г.);

13. На семинаре у проф. Р. Сцаргана (Лейпцигский университет, г. Лейпциг, ФРГ,

1996.)

14. На XXVII-ой международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 26-28 мая 1997 г.

15. In 2-nd germany-russian symposium on electron and x-ray spectroscopy. 2-5 November

1997.

16. Ha XV-ой научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь." г. Новоуральск, Свердловской обл. 9-12 декабря 1997 г.

17. На XXVIII -ой международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 25-27 мая 1998 г.

18. In 8-th international meeting on ferroelectrics-semiconductors (IMFS-8). Rostov-on-Don. august 30-september 5 1998.

19. In second international seminar on relaxor ferroelectrics. Dubna, Russia. June 23-26 1998

1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ РЕНТГЕНОВСКОГО ФОТОЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРОМЕТРА С АНАЛИЗАТОРОМ ТИПА СФЕРИЧЕСКИЙ ДЕФЛЕКТОР

1.1. Сравнительный анализ светимости анализаторов типа сферический дефлектор (СД) и цилиндрическое зеркало (ЦЗ)

Для характеристики спектрометров, используемых в методах рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) обычно рассматривается тип инициирующего излучения, диапазон анализируемых энергий электронов, минимальный разрешимый интервал энергий (МРИЭ), интенсивность (I) и контрастность (К) электронного спектра. В качестве инициирующего излучения используется рентгеновское излучение (РФЭС) и первичный электронный пучок (ЭОС). Диапазон анализируемых энергий в основном определяется параметрами инициирующего излучения: энергией характеристической рентгеновской линии (РФЭС) или энергией первичного пучка электронов (ЭОС), и, обычно, не превышает 1,5 - 2,0 кэВ. Такие же параметры спектрометров, как МРИЭ, интенсивность и контрастность спектров во многом определяются характеристиками анализаторов, используемых в спектрометрах для разложения вторичных электронов в спектр по кинетическим энергиям.

Учитывая большое многообразие типов энергоанализаторов, а тем более их модификаций [11,12], выбор энергоанализатора для рентгеноэлектронного спектрометра оказывается довольно сложной задачей. К середине 70-х годов сложилось устойчивое мнение, что наилучшим соотношением параметров (светимости и разрешения) обладают анализаторы типа сферический дефлектор (СД) и цилиндрическое зеркало (ЦЗ). Однако, сравнение характеристик этих анализаторов между собой, проводимое разными авторами, приводило к противоречивым результатам. В первую очередь эта противоречивость объясняется использованием разными авторами различных критериев при сравнении анализаторов между собой. Кроме того, допускаются методические ошибки при сравнении светимостей анализаторов разных типов, рассчитываемых по принципиально разным схемами. Исходя из вышеизложенного, в работе [13] был проведен численный расчет светимости анализатора типа 180 -ный сферический дефлектор и проведено сравнение со светимостью анализатора типа ЦЗ, причем, как и в [14], в качестве основного критерия при сравнении используется равенство между собой средних длин траекторий в обоих типах анализаторов. Этот критерий кажется наиболее естественным при сравнении анализаторов с одинаковым разрешением и сравнимых габаритах.

В качестве параметра расчета использовалось расстояние от образца до входной щели анализатора в геометрии, представленной на рис.1.1.). Как видно из рис. 1.1., светимость будет определяться как площадью образца, так и величиной телесного угла Г2(а,Р) для каждой точки образца.

Рис. 1.1. Взаимное расположение образца и входной щели сферического дефлектора а) - определение угла а; б) определение угла р.

1 - образец; 2 - входная щель; 3 - внешняя полусфера; 4 - внутренняя полусфера; 5 - входня щель; б - детектор.

В основу расчета светимости анализатора СД положена методика [15], применяемая при расчете анализаторов для космических исследований. Уравнение

2 21у у2 +12

будет определять допустимый интервал углов а в плоскости, перпендикулярной длине щели, без учета ограничивающего действия входной щели. В случае входной щели прямоугольной формы интервал углов а будет задаваться уравнением

Ь±у

011,2=—(1.2)

Таким образом совместное решение уравнений (1.1) и (1.2) будет задавать разрешаемый интервал углов а, двигаясь в котором электроны из источника пройдут через анализатор и попадут в детектор.

Предельные разрешенные углы влета (3 в анализатор в плоскости, расположенной вдоль щели и перпендикулярной плоскости углов а (рис. 1.1,6), для образца, находящегося на расстоянии 1 от прямоугольной щели длиной 2э, ограничиваются только размерами щели (рис. 1.16) и равны

Ь = агс^

(1.3)

Светимость анализатора СД из [И]

(1.4)

где Да(у) определяется в каждом конкретном случае из совместного решения уравнений (1.1) и (1.2).

Была рассчитана светимость Ь анализатора СД с радиусом средней траектории го = 100 мм для различных расстояний 1 между образцом и входной щелью. Ширина входной и выходной щелей равна 2Ъ - 1 мм; длины щелей были равны 2в = 8 мм и определялись размерами входного отверстия ВЭУ-6, используемого в качестве детектора. Энергетическое разрешение анализатора в этом случае равно Я = 5-Ю"3. На рис. 1.2 приведена рассчитанная по (1.4) светимость Ь анализатора СД в зависимости от расстояния 1 от образца до входной щели. Как видно, светимость Ь быстро уменьшается (с 20 до 4 % от 4п) при увеличении 1 от 0 до 8 мм, а затем выходит на асимптотику так, что увеличение расстояния 1 от 10 до 30 мм уменьшает светимость в « 2 раза.

Для сравнения светимостей анализаторов СД и ЦЗ (с фокусировкой кольцо-ось) необходимо привести в соответствие геометрические размеры обоих анализаторов, исходя из выбранного критерия сравнения. При равенстве средних длин траекторий в анализаторах СД и ЦЗ и равном разрешении Я = 5-Ю"3 ширина входной щели, являющейся ионно-оптическим источником ЦЗ, равна 0,35 мм, а его светимость Ь = 0,5 %-мм2 [14].

Для анализатора типа ЦЗ положение образца относительно входной щели определяется условием фокусировки (а = 38 °50') и является величиной фиксированной. В анализаторе типа СД расстояние 1 между образцом и входной щелыо может варьироваться в широких пределах. Как видно из рис. 1.2., светимость Ь анализатора СД при всех реальных величинах 1 в несколько раз (до 10) больше светимости анализатора типа ЦЗ соответствующих размеров.

Правильность оценок соотношения светимости анализаторов типа СД и ЦЗ была подтверждена на основе анализа литературных данных и собственных экспериментальных данных по анализатору типа ЦЗ, что предопределило выбор в качестве анализатора для рентгеноэлектронного спектрометра 180 °-ного сферического дефлектора.

20 н

ЦУоММ2)

I I I

4 8

12

16

20

24

28

1(мм)

Рис. 1.2. Зависимость светимости Ь сферического дефлектора от расстояния I между образцом и входной щелью.

1.2. Аппаратная функция анализатора СД

Рассмотрению электронно-оптических свойств анализаторов типа СД посвящено огромное количество работ [11,12]). В работе [11] расчет траекторий движения частиц в сферическом конденсаторе проведен в аналитическом виде в цилиндрической системе координат с целью упрощения сшивки решений на границах поля. Предположение малости углов раствора а и у пучков частиц позволило в уравнениях движения ограничиться малыми величинами до второго порядка включительно и получить решения в виде ряда по степени малости углов а и у. Такой подход подразумевает расчет большого числа аберрационных коэффициентов и не позволяет рассчитать аппаратную функцию СД в случае широких пучков.

Другие работы [15-19] посвящены расчету аппаратной функции анализаторов типа СД, используемых в космических исследованиях, т.е. работающих с широкими пучками частиц. В этом случае аппаратную функцию рассчитывают для параметров пучков, ограничиваемых только геометрическими размерами анализатора. Автор работы [16] провел расчет аппаратной функции 180 °-ного сферического дефлектора для широкого пучка частиц (у = ±90 °). Однако использование в работе только одной угловой координаты ("двумерный случай"), значительно упрощающее вывод решений, не позволяет учесть влияние второй угловой координаты на аппаратную функцию СД.

Подробные расчеты аппаратных функций СД проведены в работах [17,18], где реальные эллиптические траектории заменены набором окружностей, имеющих разные

центры. Расчет проведен с учетом сферической симметрии центрального поля, в котором движутся частицы, и в предположении использования некоторых экспериментальных данных. Если в [17] при расчете учитывалась лишь одна угловая координата, то в [18] авторы учли зависимость аппаратной функции и от второй компоненты. Расчет проводился в приближении малости расстояния Дг между обкладками конденсатора по сравнению с радиусом го основной траектории, т.е. Дг « го, и вопрос зависимости аппаратной функции от геометрических размеров анализатора не рассматривался .

В настоящей работе было получено выражение для расчета координат выхода электронов из анализатора СД в случае широких входных пучков, учитывающее обе угловые переменные д и у.(рис. 1.3) Используя полученные выражения, была рассчитана аппаратная функция анализатора типа СД и исследовано влияние геометрических факторов анализатора на параметры аппаратной функции.

Решив уравнение движения электрона в центральном поле сферического конденсатора, получили выражение, связывающие координаты начальной г„ и конечной гу точек траектории:

которое является уравнением траектории движения электронов в полусферическом дефлекторе, полученном без каких-либо ограничений на параметры входного пучка.

*

Рис. 1.3 Схема 180°-ного сферического дефлектора. Определение углов уи О

(1.5)

На основе уравнения (1.5) были рассчитаны аппаратные функции анализаторов типа 180 °-ный СД с одинаковым радиусом основной траектории го = 50 мм., но различным разрешением II = 10"2, 10"3 и 10"4. В качестве параметра расчета использовалось расстояние Дг между электродами анализатора с целью нахождения оптимального соотношения между светимостью анализатора и его минимальным разрешаемым интервалом энергий (МРИЭ). Как показал расчет, аппаратная функция СД определяется только энергетическим разрешением К (в соответствующем интервале межэлектродных расстояний) и не зависит от абсолютного значения радиуса го основной траектории. По теореме подобия [11] все геометрические размеры, получаемые для СД с го = 50 мм, пе-ресчитываются для анализаторов с другими го1 простым перемножением на масштабный множитель К = го'/го .

Расчет аппаратной функции проводился в предположении точечного источника электронов одинаковой яркости для всех анализаторов, испускающих электроны в интервалах углов уг < у\ < У1 иЭ2< < и энергией Е2 < Е; < Е| . Угловые и энергетические интервалы разбивались на дискретные участки с определенным шагом, величина которого зависела от разрешения II: для анализаторов с лучшим разрешением величина шага уменьшалась. Для данного К величина шага подбиралась таким образом, что его дальнейшее уменьшение не приводило к изменению формы аппаратной функции. Для электрона с исходными углами у] и и энергией Е; по уравнению (1.5) определялась координата точки выхода. Учет вклада данного электрона в аппаратную функцию проводился при выполнении ограничительных условий:

Б? Ь,

Го - у<Гу]<Го+ —

р

«2 - ширина выходной щели, а также Г[ < гтах< г2 < гтш< г2 где гтах= -- и г|11т=

1-8

Р

--- координаты экстремальных точек траектории данного электрона.

1 + Б

В результате перебора всех значений углов и энергий формируется матрица К(Еиуи$0 - трехмерный аналог матрицы пропускания, введенной в [17].

Были проведены численные расчеты аппаратных функций анализаторов типа СД с различным энергетическим разрешением Я = 10'4, 10'3 и 10 2. Аппаратные функции для каждого разрешения Я рассчитывались для энергии настройки анализатора >У = 1000 эВ и для некоторых интервалов изменения величины межэлектродного расстояния Дг. Форма аппаратной функции для другой энергии пропускания не изменяется, лишь

ее ПШПВ будет отличаться в W7W раз. Результаты такого расчета для анализатора типа СД с разрешением 11=10" представлен на рис. 1.4.

юоо

энергия Ек,эВ

Рис. 1.4. Аппаратные функции анализатора СД с разрешением R- 10'2 и радиусом ос-новиой траектории г0= 50 мм для раз личных межэлектродных расстояний Лг : 1-2 мм; 2-5мм; 3 - 7мм; 4-9 мм; 5-16 мм; 6-24 мм

Результаты расчета показывают, что аппаратные функции анализатора типа СД обладают асимметрией, обусловленной аберрациями, величина которых зависит от межэлектродного расстояния. С увеличением Дг растет вклад в аппаратную функцию электронов с большими кинетическими энергиями. Рост площади под аппаратной функцией, характеризующий увеличения пропускания Т анализатора с ростом Дг, сопровождается увеличением искажений формы аппаратной функции, ведущим к росту ее ПШПВ, т.е. к ухудшению разрешающих характеристик анализатора. Для нахождения оптимальных значений межэлектродного расстояния Дг0Р1 были построены зависимости отношения пропускания Т анализатора к ПШПВ ЛЕ1/2 аппаратной функции для данного значения Дг для анализаторов с различными И. Результаты вычислений для Я = 10"

, 10"3 и 10*^ представлены на рис. 1.5. Было установлено, что кривые зависимости от-

v2

ношения пропускания к МРИЭ для анализаторов с Я = Ю"4!! 10° имеют ярко выраженные экстремумы, что означает достижение оптимального соотношения между этими электронно-оптическими характеристиками анализатора при конкретных значениях

v3

межэлектродного расстояния Дг. Для анализатора с R = 10*4 такое расстояние Aropt= 1

Л

мм, для анализатора с R = 10" - Aropt = 3 мм. Анализатор с R = 10" не имеет ярко выраженного максимума в зависимости Т/АЕ от Дг, но значения оптимального межэлектродного расстояния могут быть выбраны из интервала Aropt = (7-9) мм.

ЧдЕш

Зависимость относительной чувствительности анализатора (1/АЕшт(Лг)) от расстояния между электродами анализатора Лг.

Оценка влияния аппаратного угла у на аппаратную функцию СД была провел

дена для анализаторов с R = 10' и го = 50 мм. Были рассчитаны аппаратные функции СД с вышеприведенными параметрами для случая малых yi = 7 0 и широких у2 = 180 0 пучков, результаты которых представлены на рис. 1.6 а,б. В случае малых апертур (рис. 1.16 а) увеличение межэлектродного расстояния Дг не приводит к существенным увеличениям аберраций, и форма аппаратной функции остается практически симметричной. При работе анализатора с широкими пучками у = 180 0 (см. рис. 1.6,6) происходит существенное изменение формы аппаратной функции СД при увеличении межэлектродного расстояния Дг, что влечет за собой увеличение ее ПШПВ и сказывается на МРИЭ анализатора.

Для оценки влияния учета второй угловой координаты & на параметры аппаратной функции были проведены расчеты аппаратной функции СД с разрешением R = 10"2 и го = 50 мм для различных межэлектродных расстояний Дг. Было установлено, что в случае узких пучков (у = 7 °) зависимость ПШПВ аппаратной функции от межэлектродного расстояния Дг как с учетом, так и без учета второй угловой компоненты & дает совпадающие результаты. При использовании широкого входного пучка (у = 180 °) расчет аппаратной функции без учета угла Э дает завышенные значения ПШПВ, по сравнению с учетом второй угловой компоненты. Кроме того, при расчете аппаратной функции СД без учета угла & отсутствует максимум в зависимости величины Т/ДЕ от межэлектродного расстояния Дг.

Рис. 1.5.

18 Дг,мм

Г ■--1-----1. I 1 1-1--1----L 1000 а ■ ■ 1 Ек,эВ

/ 3 \\

Л ____ г\\

/ 1 \\\ 2,5*10Э

1 и 1 1 1 1 >\ >« N 1 1

1000

Ек,эВ

Рис. 1.6. Аппаратные функции анализатора СД с R = J О'2 и г0 = 50 мм, рассчитанные для межэлектродных расстояний Лг (обозначения кривых те же, что и на рис. 1.4). а -малая входная апертура у = 7°, б - большая входная апертура у = 180°.

Таким образом "двумерное" приближение [19] достаточно хорошо описывает аппаратную функцию СД с малыми межэлектродными расстояниями Дг, но для расчета аппаратной функции анализатора с большими межэлектродным расстоянием Дг требуется использование "трехмерной" формулы (1.5).

1.3. Влияние торможения электронов перед входом в анализатор на характеристики спектрометров

Применение торможения электронов перед входом в анализатор путем создания задерживающего электрического поля позволило [20] уменьшить размеры анализатора без существенного ухудшения его светимости и разрешения. Влияние торможения на энергетический спектр электронов рассматривалось в ряде работ [11,20-22], где было установлено, что предварительное торможение приводит к некоторым искажениям формы рентгеноэлектронной линии. Использование гауссового распределения для описания аппаратной функции анализатора и формы электронной линии позволило авто-

рам [22] получить в аналитическом виде выражения для интенсивности и энергетического сдвига электронной линии в случае предварительного замедления электронов.

Поскольку форма рентгеноэлектронной линии близка к дисперсионной [23], так же как и форма аппаратной функции анализаторов с невысоким разрешением, представляет интерес рассмотреть влияние торможения на интенсивность и форму электронной линии в случае ее аппроксимации дисперсионной кривой и кроме того, рассмотреть вопрос о влиянии параметров линии и аппаратной функции на величину искажений электронного спектра. В рамках вышесказанного было получено [24] аналитическое выражение для энергетического сдвига РФЭ-линий, в качестве параметров в котором использовались величины ПШПВ дисперсионных кривых РФЭ-линий (я) и аппаратной функции (яо), а также энергии настройки анализатора и начальной кинетической

I

энергии электрона Еко.

Результаты численных расчетов интенсивности и сдвига электронных линий, проведенных в рамках предложенной модели, показывают, что искажение формы спектра при использовании предварительного замедления происходит всегда, но его величина существенно зависит от степени торможения и вида распределения интенсивности в исходной линии и в аппаратной функции. Электронные линии, описываемые лорен-цевой кривой, искажаются существенно больше, чем в случае гауссовых кривых при одинаковых значениях их параметров ^ и яо). Величина энергетического сдвига зависит от энергии настройки анализатора Для малых энергий сдвиг линий велик, однако он уменьшается с ростом становясь пренебрежимо малым (=10 мэВ) для энергий настройки = 50 и 100 эВ.

Увеличение ширины возбуждающей рентгеновской линии (приводящее к росту qo) приводит к большим искажением формы линий при использовании предварительного

л

замедления. Из анализа результатов следует, что для анализатора с Я = 10" при использовании в качестве возбуждающего излучения А1Ка - линии нижней границей энергии настройки анализатора можно считать = 25 эВ. Что касается линий с разной кинетической энергией Е'^о > то она зависит от степени замедления, т.е. от соотношения Е'ко и У/. Для данной энергии настройки интенсивности линий I] и Ь обратно пропорциональны их кинетическим энергиям, т.е.

I. Ек1 1

, так что I

I Р Р

1г к2 кО

(1.6)

Интенсивности одной и той же линии с кинетической энергий Е'ко, снятой при разных энергиях настройки анализатора, прямо пропорциональны энергии настройки V/:

I~ w

(1.7)

Съемка рентгеноэлектронных линий с большой ПШПВ (рост ц) при прочих равных условиях вызывает рост интенсивности зарегистрированной линии. Так при увеличении я от 0,5 до 1,5 эВ интенсивность линии с первоначальной энергией Е'ко = 1255 эВ увеличивается в 1,5 раза при любой степени задержки. Ухудшение разрешения анализатора при прочих равных условиях (исходной интенсивности линии и степени замедления) вызывает уменьшение интенсивности зарегистрированной линии. Так при увеличении я от 0,5 до 1,5 эВ интенсивность линии с первоначальной энергией Е'^о = 1255 эВ уменьшается в = 2 раза при любой степени задержки (от 5 до 100 эВ).

ПШПВ рентгеноэлектронной линии на входе в анализатор определяется как собственной шириной уровня ДЕ|еу, гак и ПШПВ возбуждающей рентгеновской линии ДЕу . В случае использования А1Ка- или М^К«- линий в качестве возбуждающих излучений величина ДЕу будет равна 0,9 или 0,7 эВ, соответственно. ПШПВ рентгеноэлектронной линии на выходе из анализатора будет определяться сверткой двух функций: исходной линии и аппаратной функции [11,12]. Если не принимать во внимание ширину уровня ДЕ^у, то (в предположении гауссовой формы аппаратной функции и исходной линии) ПШПВ рентгеноэлектронной линии на выходе из анализатора можно определить из выражения:

где ДЕарр- ПШПВ аппаратной функции, ДЕГ возбуждающей рентгеновской линии.

Таким образом энергетическое разрешение рентгеноэлектронного спектрометра в целом определяется не только разрешением анализатора, но и шириной возбуждающей рентгеновской линии. Можно сказать, что ПШПВ рентгеновской линии является естественным пределом минимального разрешаемого интервала энергий (МРИЭ) спектрометра. Поэтому оптимизацию параметров анализатора (светимости, разрешения и его размеров) необходимо проводить с учетом ограничений, накладываемых на разрешение спектрометра естественной шириной рентгеновской линии.

Для выбора оптимальных размеров анализатора типа СД для рентгеноэлектронного спектрометра был проведен расчет светимости L 180 °-ных сферических дефлекторов с различными радиусами основной траектории го = 25, 100 и 360 мм для нескольких значений энергетического разрешения R = 10'2,10"3,10 4 с учетом использования или не использования предварительного замедления электронов. Расчет светимости L проводился для каждого анализатора и заданного разрешения по формуле (1.4) с учетом ограни-

(1.8)

чений, накладываемых на углы вылета электронов в анализатор расстояниями между обкладками конденсатора, ширинами и длинами входной и выходной щелей. Использование предварительной задержки на входе в анализатор изменяло область разрешаемых углов, что учитывалось при расчете светимости Ь анализатора с замедлением электронов. Для каждого значения светимости Ь рассчитывалось уширение рентгеноэлек-тронной линии, обусловленное анализатором (АЕУ), по формуле (1.8). Уменьшение интенсивности рентгеноэлектронной линии при торможении в соответствии с (1.6) принималось пропорциональным степени торможения \\7Е'ко . Результаты такого расчета светимости Ь анализаторов различных размеров (го) и разрешений (К) для рентгеноэлектронной линии с начальной кинетической энергией Е'ко= 1000 В с учетом и без учета предварительного торможения представлены на рис. 1.7. Полученные результаты позволили сравнить между собой характеристики анализаторов разных размеров и установить степень влияния торможения на их характеристики.

10'

10е

10

10"'

1_,мм2*%

Рис. 1.7. Зависимость между светимостью Ь и минимальным разрешаемым интервалом энергий ЛЕ анализатора СД с различным разрешением Я(10'2,10'3,10'4) и различными радиусами основной траектории г0:

1-25 мм; 2-50 мм; 3-100 мм; 4 - 360 мм.

Сплошные линии соответствуют отсутствию предварительной задержки электронов, штриховые - предварительному торможению.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Никольский, Анатолий Викторович

5.4. Выводы

1. Энергетические и токовые характеристики спектров эмиссии электронов малых энергий (0-20 >В), возбужденных мягким рентгеновским изучением (РЭЭМЭ), несут информацию об электрических свойствах образца и электрических условиях в его приповерхностном слое толщиной, равной глубине выхода медленных электронов /у > 10 нм, величина которой на порядок больше глубины метода РФЭС.

2. Спектры ЭЭ, полученные с "отрицательных" поверхностей сегнетоэлсктрика-электрета, содержат дополнительный эмиссионный пик, отсутствующий в спектрах "нейтральных" и "положительных" поверхностей кристалла, интегральная интенсивность которого на 2-3 порядка выше интенсивности спектров "нейтральной" поверхности (явление Аномальной Электронной Эмиссии - АЭЭ).

3. Предложена модель, в которой появление АЭЭ объясняется наличием немонотонного распределения потенциала ср(г) по глубине образца, возникающего в результате отклика СЭ па инжектированный при его поляризации заряд и способствующего выходу электронов из кристалла. Эмиссионный ток имеет туннельный характер, усилению которого способствует ускоряющее электрическое иоле величиной £>

8- Ю9 В/м, существующие в приповерхностном слое, толщиной ~/у.

4. Спектры АЭЭ отражают распределение потенциала 9(2) по глубине, причем положение начала спектра Ешш соответствует величине поверхностного потенциала <р*, а положение максимума спектра Е,пах - экстремальному значению потенциала <ртах на некоторой глубине /о~ /о-5. Спектры АЭЭ существуют все время существования электретного заряда, а их изменения отражают изменения в распределении зарядов по глубине образца с течением времени после его поляризации, что позволяет исследовать кинетику релаксации электретного заряда по спектрам АЭЭ. В частности, характерные времена т изменения энергетических параметров спектров АЭЭ (Еп,ьь Етах) совпадают с временем т релаксации электретного заряда в МК РМЫ, измеренными электрофизическими методами.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения настоящей работы получены следующие научные результаты:

1. Создан рентгеновский фотоэлектронный спектрометр с анализатором 180 СД с оптимальными геометрическими размерами , электронно-оптические характеристики которого не уступают серийно выпускаемым аналогам.

2. Обнаружен новый механизм образования барьерного слоя, препятствующего диффузии свинца к поверхности модельных ССС, полностью определяющий эмиссионные характеристики этих ССС.

3. Установлена гиперболическая зависимость энергетических характеристик Cl s- и

01 s- спектров полисахаров от объемного содержания кислорода Со в них, ч то объясняется монотонным ростом их поверхностной проводимости с ростом С().

4. Немонотонное изменение энергетических характеристик Cl s- и Ois- спектров углей в ряду метаморфизма, принимающих максимальные значения для углей с содержанием углерода Сс~ (90=91) %, объясняется немонотонным характером зависимости их поверхностной проводимости, величина которой определяется не только объемной концентрацией кислорода, но и относительным его дефицитом в приповерхностной области, имеющим максимальное значение для углей с Cç~- (90-91 ) %.

5. Естественное старение в воздушной среде при комнатной температуре МК PMN сопровождается ростом поверхностной концентрации магния, что объясняется максимальной (из возможных) величиной теплоты образования его окисла (MgO). Увеличение температуры и времени отжига приводит к усилению диффузии свинца к поверхности и формированию фаз с дефицитом или полным отсутствием ниобия.

6. Кагиоиный состав поверхности МК PMN, полученной после отжига, определяет' се электретные свойства. Рост сверхстехиометрического содержания свинца на поверхности, обуславливающий ослабление степени ее дефектности, приводит к уменьшению величины электрического потенциала при увеличении времени её релаксации.

7. Разработаны физические основы и экспериментальные методики получения спектров эмиссии электронов малых (0-20 эВ) энергий, возбужденных мягким рентгеновским излучением (спектроскопия РЭЭМЭ),

8. Установлено наличие в спектрах ЭЭ с "отрицательных" поверхностей сегнетоэлек-трика-электре га дополнительного пика, отсутствующего в спектрах "нейтральных" и "положительных" поверхностей, имеющего интенсивность на 2-3 порядка большую, чем с нейтральной поверхности (явление Аномальной Электронной Эмиссии).

9. Предложена модель, объясняющая АЭЭ наличием ускоряющего электрического поля в приповерхностном слое, возникающего в результате отклика СЭ на инжектированный при его поляризации заряд и способствующего выходу электронов в вакуум. Перепад потенциалов в приповерхностной области достигает ~ 100 В, а спектры АЭЭ отражают существующее распределение потенциала ф(г) по глубине образца.

Ю.Изменения спектров АЭЭ с течением времени после поляризации, отражая изменения в распределении потенциала ф(г), позволяют исследовать кинетику релаксации электретного заряда в течение всего времени его существования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Никольский, Анатолий Викторович, 1999 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Зигбан К., Нордлинг К., Фольмен А. и др. Электронная спектроскопия.- М: Мир, 1971.-493 с.

2. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. - М: Мир, 1987, 600 с

3. Вудраф Д. Дел чар Т. Современные методы исследования поверхности. М. Мир, 1989.-568

4. Карлсон Т.Фотоэлектронная и оже-спектроскопия. Л.: Машиностроение, 1981.- 431 с.

5. Селюк Б.В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических кристаллов// Кристаллография. - 1974. - Т. 19, N 2. - С. 221-227.

6. Фесенко Е.Г. Семейство перовскитаи сегнетоэлектричество. - М: Атомиздат, 1972. -248 с.

7. Айнбунд М.Р.. Поленов Б.В. Вторично-элект ронные умножители открытого типа и их применение. М: Энергоиздат, 1981. - 138 с.

8. Нефедов В.И.. Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. - М: Науки, 1983. - 296 с.

9. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. - М:Химия, 1983. - 296 с.

10. Немошкалеико В.В. Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. - Киев: Наукова думка, 1976. - 336 с

11. Афанасьев В.П., Явор С.Я. Электростатические энергоанализаторы для пучков заряженных частиц. - М: Наука, 1978. -224 с

12. Козлов И.Г. Современные проблемы электронной спектроскопии

13. Козаков А. Г.. Никольский A.B. О светимости анализатора типа сферический дефлектор для целей рентгеноэлекгроиной спектроскопии

14. Зашквара В.В., Корсунский М.И., Лавров В.П., Редькин B.C. О влиянии конечного размера конечного размера источника на фокусировку пучка заряженных частиц в электростатическом спектрометре с цилиндрическим полем// ЖТФ. -1971. - Т. 41, N 1.-С. 187-192.

15. Мельников В.В., Савенко И.А., Савин Б.И. О применении электростатических анализаторов для изучения легкой заряженной компоненты космического излучения// Геомагнетизм и аэрономия. - 1961. - Т. 1, N 6. - С. 981-994.

16. Савин И.Б. Светосильный электростатический анализатор, принимающий частицы из полусферы// Геомагнетизм и аэрономия. - 1961. - Т. 1, N 6. - С. 995-998.

17. Paolinu F.R., Tlieodoridis G.C. Charged particle transmission through spherical plate electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. - 1967/ V. 38, N 5. - P. 579-588.

18. Tlieodoridis G.C., Paolinu F.R. The angular response of spherical plate electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. - 1969. - V. 40, N 5. - P. 621-631.

19. Chaise L.M. the geometrical factor of large aperture hemispherical electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. - 1973. - V. 44, N 8. - P. 998-1003.

20. Helmer J.S.. Weicheit N.I I. Enhancement of sensivity in ESCA spectrometer// Appl. Phys. Lett. - 1968.-V. 13, N2.-P. 266-268.

21. Афанасьев В.П., Явор С.Я. О возможности увеличения светимости энергоанализаторов за счет оптимизации параметров пучка// ЖТФ. - 1975. - Т.45, N 3,-с. 471-480.

22. ICemeny Р.С., Mchachlan A.D., Baltge F.L. et al. An analysis of the transmission properties of spherical electrostatic electron spectrometer// Rev. Sci. Instr. - 1972. - V. 44, N9.-P. 1197-1203.

23. Мазалов Л.И.. Юматов В.Д., Мурахтанов B.B. и др. Рентгеновские спектры молекул.- Новосибирск: Наука, 1977. - 334 с.

24. Козаков А.Т., Никифоров И.Я., Никольский А.В. Шагский ГШ. Влияние тормозящего электрического поля на входе в анализатор на положение и интенсивность рентгеноэлектронных линий. - Рукопись представлена Ростовским госунивесш етом. Деп ВИНИТИ 04.12.81 N 5526-81. - 16 с.

25. Fraser W.A., Florio J.V., Delgass W.N., Robertson W.D. Au X-ray pholoclcctron spectrometer designed for surface research// Rev. Sci. Instr. - 1973. - V. 44, N 10. - P. 1490-1496.

26. Артамонов O.M., Болотов Б.Б., Гелевер В.Д., Кремков М.В. Спектрометр медленных электронов для исследования поверхности твердых тел// ПТЭ. - 1973. - N 6. - С. 3032.

27. Simson J.A. High resolution low energy electron spectrometer// Rev. Sci. Instr. - 1964. -V. 35,N 12. - P. 1698-1704.

28. Евдокимов Ю.И., Колесников В.И., Козаков А.Т., Никольский A.B. Исследование фрикционного переноса политетрафторэтилена методом рентгеноэлектронной спектроскопии// Вестник машиностроения. - 1985. - N 2. - С. 33-36

29. Никольский A.B., Козаков А.Т., Кравченко В.Н. Динамика изменения химического состояния поверхностей трения металлополимерных сопряжений в процессе фрикционного взаимодействия // Трение и износ. - 1988. - Т. 9, N 5. - С. 860-869.

30. Кужаров A.C.. Сучков В.В., Козаков А.Т., Никольский A.B. Исследование комплексобразования при трибохимических превращениях 1 - (теноил-2) - 3.3.3. трифторацетона//Трение и износ. - 1989.-Т. 10, N6.-С. 1031-1037.

31. Козаков А.Т., Любимов Д.Н., Никольский A.B., Иванов А.Е., Панасюк М.М., Козаченко H.H. Влияние структуры "третьего тела" на фрикционные характеристики сопряжения эпоксидный композит- металл. // Трение и износ. - 1992. -Т. 13, N 6.-С. 1032-1038.

32. Козаков А.Т., Любимов Д.Н., Никольский A.B., Иванов А.Е., Панасюк М.М., Козаченко 11.11. Исследование фрикционного взаимодействия поверхностей материалов при избирательном переносе в сопряжении эпоксидный композит -металл// Трение и износ. - 1992. - Т. 13, N 5. - С. 918-924.

33. Blodgeü K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment// J. Amer. Ceram. Soc. - 1951. - V. 34, N 1. - P. 14-17.

34. Шелюбский В.И. Исследование процесса восстановления свинца при обработке свинцового стекла в восстановительном пламени// ДАН СССР. - 1954. -Т. 96,N 4. - С. 745-747.

35.. Файнберг Е.А. Химический состав фазы восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде// Журнал прикладной химии. - 1965. - Т. 38, N 10. - С. 2192-2196.

36. Trap H.J.l. Les effect de quelques traitements conventionnels sur la conductibilité superficielle du verre// Verres et refract. - 1969. - V. 23, N 1. - P. 28-37.

37. Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Копаева Г.Я., Печерская К.П. Исследование пропускания ССС, подвергнутых термоводородному восстановлению// Журнал прикладной химии. - 1978. - Т. 51, N 4. - С. 933-935.

38. Тютиков A.M. О режиме восстановления некоторыз ССС, используемых для изготовления микроканалтных пластин// Оптико-механич. промышл. - 1974. - N 9. -С. 41-45.

39. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies channel plate surfaces// Adv. Electr. and Electon Phys. - 1976. - V. 40A. - P. 153-165.

40. Тютиков A.M., Королев M.B., Топсева M.H., Петухов Jl.B., Харин A.C. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол// Оитико-механ. пром. - 19807 - N 4. - С. 11-13.

41. Винокуров В.М. Исследование процессов полировки стекла. - М.: Машиностроение, 1967. - 230 с.

42. Жуковский О.В., Канчиев З.И., Петровский Г.Т., Саттаров Д.К. Изменение свойств и структуры с в ип цово-сил и кати ы х стекол в ходе термоводородного восстановления// Журнал прикладной химии. - 1980. - N 5. - С. 977-984.

43. Артамонов A.M., Смирнов О.М., Терехов А.Н., Харьгоров В.А., Чебан Г.А. Исследование восстанавливающихся свинцовосиликатных стекол методом спектроскопии медленных электронов// Физика и химия стекла. - 1981. - Т.7, N 4. -

C. 470-476.

44. Артамонов A.M., Костиков Ю.Н., Новолодский В.А., Саттаров Д.К., Смирнов О.М., Терехов А.Н., Харьюзов В.А. Исследование эмиссионными методами поверхности восстанавленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. - 1985. -T.11.N3. - С. 326-330.

45. Sakai J., Moganii A. Study of gain fatigue mechanism in channel electron multipliers// Surface Sei. - 1979. - V. 86. - P. 359- .

46. Kanaya Koihi, Ono S., Ichidaki F. Secondary electron emission from insulators// J. Phys.

D. Appl. Phys. - 1978. - V. 11, N 17. - P. 2425-2437.

47. Елисеев C.A., Новолодский B.A., Смирнов O.M., Харыозов В.А. Применение оже-спектроскопии для изучения распределения элементов в приповерхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. - 1985. -T.11.N5. -С. 600-602.

48. Елисеев С.А.. Новолодский В.А., Полухин В.Н., Смирнов О.М., Харыозов В.А. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. - 1985. - Т. 11, N 5. - С. 603604.

49. Канчиев З.И., Борина Р.П., Макарова Т.М., Исаев Е.А. Удаление растворимой жилы из матрицы микроканальных пластин// Журнал приклад, химии. - 1979. - Т. 52, N 8. -С. 1718-1724.

50. Гречанин Л.А., Терпогосова И.З., Козловский С.Ф. и др. Изменение состава и свойств стекла в процессе изготовления микроканальных пластин// Электронная техника. - 1984. - Сер. 6, N 12. - С. 45-52.

51. Свиридов С.И., Жабрев В.А., Костин К.Б., Мухенбер K.M., Взаимная диффузия в стеклообразных расплавах при наличии градиента концентрации оксидов двух- и трехвалентных элементов// Физика и химия стекла. - 1988. - Т. 14, N 5. - С. 699-705.

52. Татаринцев Б.А., Апаев В.А. Диффузия щелочных ионов и кислорода на границах спеченных щелочнобариевоборатных и щелочпосвиицовосиликатпых стекол// Физика и химия стекла. - 1990. - Т. 16, N 2. - С. 228-233.

53. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Капчиев З.И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцовосиликатных стекол// Физика и химия сте4кла. - 1981. - Т. 7, N 4. - С. 457-469.

54. Улько 10.1 L, Файнберг Е.А. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии// Изв. АН СССР, неорг. мат. - 1967. - Т. 3, N 2. - С. 345-346.

55. Siddiqui S.H. An investigation jf active surfaces jf microchanncl plates using Auger electron ESC A spectroscopic techniques//J. Appl. Phys. - 1977. - V. 48, N 7. - P. 30533057.

56. Белюстин A.A., Шульц M.M., Взаимодиффузия катионов и сопутствующие процессы в поверхностных слоях щелочносиликатных стекол, обработанными водными растворами// Физика и химия стекла. - 1983. - Т.9. N 1. - С. 3-27.

57. Клещевников A.M., Миловапов А.П., Моисеев В.В., Нефедов В.И. Исследование методом РФЭС поверхности натриевосиликатных стекол, прошедших ионно-обменную обработку// Физика и химия стекла. - 1983. - Т.9, N 5. - С. 622-628.

58. Миловапов А.П., Моисеев В.В., Портнягин В.И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла// Физика и химия стекла. - 1985. - Т.11, N 1. - С. 323.

59. Черлов Г.Б., Фрейдман С.Н., Зацепин А.Ф., Кортов В..С. Губанов В.А.Исследование электронного строения диоксида кремния в кластерном приближении// физика и химия стекла. - 1985 - Т. 11, N 5. - с. 513-517.

60. Козаков А. Г., Никольский A.B., Мазурицкий М.И., Демьянчешсо В.А., Кулов С.К., Полянский М.П., Асламурзаев К.С. Сравнительный анализ состояния поверхности

свинцовосиликатных стекол и микроканальных пластин// Физика и химия стекла.-1991,- Т. 17. N 6.- С.928-935.

61. Козаков А. Г.. Никольский A.B., Мазурицкий М.И., Кулов С.К., Панасюк Б.А., Полянский М.П., Панасюк М.А., Асламурзаев К.С. Связь особенностей диффузии свинца с механизмом формирования поверхностного слоя в свинцовосиликатпых стеклах и мпкроканальнах пластинках// Письма в ЖТФ.- 1991.- Т. 17, N2,- С. 9-13.

62. Шевцова С.И. Козаков А.Т., Демьянченко В.А. Статистический подход при исследовании многофазных материалов методом рентгеноспектрального анализа // Заводская лаборатория. - 1992. - N 9. - С. 20-23.

63. Johanson G., Hedman J. Berndtsson A., Klasson M. and Nilson R. Calibration of electron spectra//J. Electron Spcctrosc. - 1973. - V. 2, N 2. - P. 295-317.

64. Hnatowich 13.J., Hudis J., Perlman M.L. and Ragaini R.C. Hi. Appl. Phys. - 1971. - V. 42, N 12.-P. 4883-?

65. Ley L„ Pollack R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.P.. and Shirley D.A. //Phys. Rev. - 1974. - V. B9, N 2. - P. 600- ?.

66. Hedman J., Bayer Y„ Berndtsson A., Klasson M., Leonhardt G. et al. // J. Electron. Spectrosc. - 1972. - V. 1, N 1. - P. 101-?.

67. Wagner L.F., Spicer W.E. // Phys. Rev. Lett. - 1972. - V. 28, N 21. - P. 1381-?

68. Смит P. Полупроводники. - M.: Мир, 1982. - 558 с.

69. Шульман A.P., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. - М., 1977. - 551 с.

70. Ebel M.F., Ebel Н. About the charging effect in X-ray photoelectron Spectrometry// J. Electron Spectrosc. - 1974. - V. 3, N 3. - P. 169-180.

71. Lohnciss H. Anwendungen der Electronen spectroscopie bei Rontgenanregung (ESCA) anf organische und anorganische Verbindungen. - Dissertation ... Doct Naturwissenschaft. -München, 1974,- 162 p.

72. Саранчук В.И., Айруни К.Е. Надмолекулярная организация, структура и свойства углей.-Киев, 1988.- 192 с.

73. Юркевич 51., Рошковский С. Углсхимия. М., 1973. - 381 с.

74. Гагарина С .Г., Скрипченко Г.Б. современные представления о химической структуре углей// Химия твердого топлива. - 1986. - N 3. - С. 3-13.

75. Ван-Крсвелен Д.В., Шур Ж. Наука об угле. - М, 1960. - 303 с.

76. Метан в угольных пастах, Сб. Трудов ИТД им. А,А, Скочинского. - 1953.

77. Писаренко А.П., Поспелова К.А., Яковлев А.Г. Курс коллоидной химии. - М., 1964. -420 с.

78. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. - М., 1987. - 287 с.

79. Несмеянов А.IL, Несмеянов H.A. Начала органической химии. - М.: Химия, 1974. -Т. 1. - 623 с.

80. Геолого-географическая карта Донецкого бассейна. - Вып. 8. - М„ 1954. - 430 е.

81. Видавский В.В., Прокопец Е.И. Изучение коксующей способности ме тодом нафталинового экстрагирования// Сб. работ по химии угля. - Харьков, 1932. - С. 1218.

82. Гречухин В.В. Изучение угленосных формаций геофизическими методами. - М., 1980. -360 с.

83. Фрэнкл Д.Р. 11оверхностиые состояния// Новое в исследовании поверхности твердого тела. - Вып. 2. - М., 1977. - С. 208-242.

84. Мэни А. Связь между физическими и химическими процессами на поверхност и полупроводников// Новое в исследовании поверхности твердого тела. - Вып. 2. - ML, 1977.-С. 306-343.

85. Моррисом С. Химическая физика поверхности твердого тела. - М., 1980. - 488 с.

86. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х частях. - Ч. 1. - М., 1984.-350 с.

87. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.Т. Физическая природа аномалий в рентгеноэлестройных спектрах и электрофизические свойства нелинейных углей. Препринт. - Ростов-на-Дону: СКНЦ ВШ, 1993. - 48 с.

88. Саранчук В.И., Реиун В.В., Поздняков Г.А. Электрические поля в потоке аэрозолей. - Киев: Наукова думка, 1981. - 112 с.

89. Журавлев В.К. Электризация частиц угольной пыли при ее распылении// Энергетика и электрификация. - 1971. - N 1. - С. 125-129.

90. Саранчук В.И., Рспун В.В., Поздняков Г.А. Исследование электризации аэрозоля в процессе дробления и распыления угля// Химия твердого топлива. - 1977. - N 1. - С, 75-71.

91. Саранчук В.И., Реиун В.В., Поздняков Г.А. Изменение физико-химических и электрических свойств углей при измельчении// Химия твердого топлива. - 1977. - N 4.-С. 37-38.

92. Хрусталев Ю.А., ХрепковаТ.М., Лебедева В.В. и др. Эмиссия электронов в процессе измельчения углей// Докл. АН СССР.- 1981. - Т. 257, N 2. - С. 418-422.

93. Губкин А.Н., Зайцев ПЛ., Загоруйко В.А., Панченко Е.М. и др. Новый метод прогнозирования склонности каменных углей к внезапным выбросам// Письма в ЖТФ. - 1990. - Т. 16, Вып. 5. - С. 88-90.

94. Панченко Е.М., Прокопало О.И., Зайцев ПЛ., Сахненко В.П., Савенко Ф.И. Сверхмедленная релаксация электрической поляризации в каменных углях и прогнозирование выброса угля и газа. Препринт. - Ростов-на-Дону, 1992. - 40 с.

95. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников,- М., 1973. - 400 с.

96. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. - М.: Мир, 1974. - 472 с.

97. Гуфан Ю.М., Мощенко И.11. Модель структурных изменений в углях при метаморфизме. Препринт СК11Ц Bill. Ростов-на-Дону, 1992. - 24 с.

98. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. - М.: Мир, 1981. - 736 с.

99. Электреты.1 Под ред. Г. Сесслера. - М.: Мир, 1983. - 486 с.

100. Губин А.И. Электреты. - М.: Наука, 1978.- 191 с.

101. Иона Ф., 1Инране Д. Сегпетоэлектрические кристаллы. - М.,1965.- 562 с.

102. Травление полупроводников/ Под ред. СЛ. Горина. - М., 1965. - с.

103. Интегральная оптика/ Под ред. Т. Гамира. - М., 1978. - 344 с.

104. Сергеев АЛ. Тугоплавкие оксиды и их соединения в топком слое. - Томск, 1989. -289 с.

105. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегиетоэлектричсских пленок. - Изд-во Ростовского госуниверситета, 1979. - 190 с.

106. Anliker М., Brugger H.R., Kanzig W. Das Verhalten von Kolloidalen Seignetleclektrika. 3. Bariiuntitanal BaTi03 // Helv. Phys. Acta. - 1954. - V.27. - S. 99- .

107. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. Дифрактометрическое исследование состояния поверхности монокристаллов титаната бария, выращенных по методу Ремейки// Изв. АН СССР, сер.физ. - 1967. - Т. 31, N . - С. 1779- ,

108. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. О поверхностном слое кристаллов гитапата бария// Электронная техника. Сер. 14. - 1970. -Вып. 4. - 130-135.

109. Захарченко И.Н., Дудкевич В.П., Бондаренко Е.Г., Фесенко Е.Г.. Рентгеноструктурное исследование тонких кристаллов титаната бария// Физика и химия твердого тела. - 1975. - Вып. 6. - С. 112- 115.

110. Dvorak V. On surface layers of BaTi03 single crystals// Czech. J. Phys. - 1959. - B9. - S. 710- .

111. Дудкевич В.П., Захарченко И.И., Бондаренко B.C., Колесова Р.В., Стойнов А.Г., Фесенко Е.Г. О поверхностном слое кристаллов титанага бария. - кристаллография. -1973.-Т. 18, N5.-С. 1095-1097.

112. Дудкевич В.П., Цихоцкий Е.С., Захарченко И.Н., Фесенко Е.Г Поверхностный слой титанага свинца// ФТТ. - 1974. - Т. 16, N 12. - С. 3492-3493.

113. Бородин В.З., fax С.Г., Кузнецов В.Г. и др. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. - Изд-во Ростовского госуниверситета, 1969. - С. 98- 106.

114. Бородин В.З., Гах С.Г., Кузнецов В.Г. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. - Изд-во Ростовского госуниверситета, 1969. - С. 107- 118 .

115. Бородин В.З., Гах С.Г., Краморов О.П., Кузнецов В.17/ Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. - Изд-во Ростовского госуниверситста, 1969. - С. 119126 .

116. Borodin V.Z., Gach S.G., Zapharov Y.N. ct al. The state of polarization in the surface layer of the unipolar crystal and pyroelectric responses// Ferroelectries. - 1973. - V. 6. - P. 83-86.

117. Шнейдер Э.У., Гах С.Г. Бородин В.З., Экнадиосянц Е.Н. Процессы обратного переключения в монокристаллах BaTiOj // Кристаллография. - 1983. - Т. 28, N 6. - С. 1161-1164.

118. Бородин В.З., Гах С.Г. Унигюлярность процессов иереполяризации в кристаллах титаната бария// Изв. АН СССР, сер. физ. - 1984. - Т. 48, N 6. - С. 1081-1085.

119. Шнейдер Э.У., Шпитальник Б.И., Проскуряков Б.Ф., Захаров 10.11., Бородин В.З. Особенности переполяризации кристаллов титаната бария, содержащих вольфрам// Изв. АН СССР, сер. физ. - 1975. - Т. 39, N 4. - С. 861-863.

120. Проскуряков Б.Ф , Шгшталышк Б.Ц., Шнейдер Э.У., Бородин В.З. и др. Изменение структуры и свойств поверхностного слоя при модификации кристаллов ВаТЮ3// Изв. АН СССР, сер. физ. - 1975. - Т. 39, N 5. - С. 1049-1051.

121.. Прокопаю О.И. Точечная дефектность, электропроводность и энергетические спектры электронных уровней окислов семейства перовскита// ФТТ. - 1979. - Т. 21, N 10.-С. 3073-3076.

122. Прокопало О.И , Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Титаиат бария. - Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1971. - 214 с.

123. Procopalo O.I. Electrical conductivity and slow polarisation process in lead-titanate ceramics// Ferroelectrics. - 1974. - V. 7. - P. 333-335.

124. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл - титанаг бария. - М„ 1968. - 464 с.

125. Мень А.Н., Воробьев Ю.П., Чуфаров Г.И. Физико-химические свойства иестехиометрических окислов. - Л.: Химия, 1973. - 222 с.

126. Уэдлси А.Д. // Нестехиометрические соединения. - М.: Химия, 1971. - С. 102-200.

127. Tanaka М, l lonjo G. Electron optical studies of barium titanate single crystals films// J. Phys. Soc. Japan. - 1964. - V. 19. - P. 954- .

128. Квантов M.A., Костиков Ю.П. Магнетохимическое исследование восстановленного титаната бария// Изв. АН СССР, неорг. матер. - 1980. - Т. 16,N2 -С. 328-331.

129. Томашпольский Ю.Я., Лубиин Е.Н., Севастьянов М.А., Кукуев В.И. Строение кристаллических поверхностей сложных оксидов (100) Ва'ПОз, (100), (110) Sr'l'iOi в интервале температур от комнатной до 1200 °С// Кристаллография. - 1982. - Т. 27, N 6.-С. 1152-1158.

130. Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. - М.: Связь, 1984. - 193 с.

131. Томашпольский Ю.Я. Строение сегиетоэлсктрических поверхностей.// Изв. АН СССР, сер. физ. - 1987. - Т. 51, N 12. - С. 2263-2268.

132. Кузьминов 10.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. - М: Наука, 1982. - 400 с.

133. Лодис Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. - М.: Мир, 1974. - 540 с.

134. Емельянов С.М., Проденко Н.П., Загоруйко В.А., Соколова Т.В., Зайцев С.М. Выращивание кристаллов магнониобата свинца// Изв. АН СССР, сер. физ. - 1975. -Т. 39, N5. -С. 1049-1051.

135. Bonnean P.. Gamier P., Husson Е., Gavarri J.R., Hewat A.W. and Morrell A. X-ray and neutron diffraction studies of the diffuse phase transition in PbMgiaNbjnOj ceramics// J. Solid State С hem. - 1989. - V. 93. - P. 350- 356.

136. Bonnean P., Gamier P., Husson E. and Morrell A. Structural studies of PMN ceramics, by X-ray diffraction between 297 and 1023 К // Mat. Res. Bull. - 1989 - V. 24. - P. 201206.

137. Verbaere A.. Piffard J., Ye Z.G., Husson E. Lead magnoniobate crystal strycture determination// Mat. Res. Bull. - 1992 - V. 27. - P. 1227-1234.

138. Карапетьянц M.X., Карапетьянц M.Jl. Главные термодинамические постоянные неорганических и органических веществ. - М.: Химия, 1968. - 472 с.

139. Трусов 10.А. Медленная поляризация и электретное состояние в некоторых свинец-содержащих оксидах со структурой перовскита. Диссерт. канд. физ.-мат. наук. - Ростов-на-Дону: РГУ, 1994. - 198 с.

140. Прокопало О.И., Раевский И.П. Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита. - Ростов-па-Дону, 1985. - 104 с.

141. Szot К., Hillebrecht F. U., Sarma D.D., Campagua М., Arend П. Surface defect segregation in the perovskite-type ferroelectric КЫЬОз// Appl. Phys. Lett. - 1986. - V. 48, N 2. - P. 490-492.

142. Wolf P.A. Theory of secondary cascade in metals// Phys. Rev. - 1954. - V. 95.- P. 56-66.

143. Kane H.O. electron scattering by pair production in silicon// Phys. Rev. - 1967. - V. 159.-P. 624-631.

144. Berglund C.N., Spicer W.E.// Phys. Rev. - 1964. - V. 136, N 4А,- P. A1030-A1044.

145. Feuerbacher В., Christensen N. Photoemission studies of copper and silver: theory// Phys. Rev. В - 1974. - V. 10, N 6,- P. 2373-2390.

146. Willis R.F. Secondary electron emission spectroscopy dependence and phenomenology// Phys. Rev. Lett.- 1973. - V. 34, N 11 .- P. 670-674.

147. Артамонов O.M., Терехов A.M. Влияние одноэлектрониой плотности состояний на вторично-эмиссионные свойства монокристаллического вольфрама//ФТТ. - 1979. - Т. 21, Вып. 4.- С. 1102-1108.

148. Артамонов О.М., Смирнов O.I I., Терехов A.1I Влияние энергетической структуры приповерхностной области кристалла на энергетический спектр вторичных электронов/'ФТТ. - 1981. - Т. 23, Вып. 5. - С. 1558-1560.

149. Кораблсв В.13., Кудинов Ю.А., Сысоев С.И. Проявление зонной структуры твердого тела в спектрах вторичных электронов с угловым разрешением// ФТТ. -1986. - Т. 28, Вып. 9. - С. 2648-2654.

150. Кораблей В.В., Кудинов Ю.А., Сыеоев С.И Расчетные и экспериментальные спектры медленных вторичных электронов, эмитированных под разными углами к поверхности W (100). //ФТТ. - 1987. - Т. 29, Вып. 3. - С. 702-705.

151. Панченко О.Ф., Шаталов В.М. Стационарное распределение неравновесных носителей в металлах// ЖЭТФ. - 1987. - Т. 93, Выи 1(7). - С. 222-230.

152. Артамонов Ü.M., Виноградов А.Г., Панченко О.Ф., Терехов А.И., Шаталов В.М. Связь топкой структуры спектров вторичной электронной эмиссии кремния с законом дисперсии и длиной свободного пробега электронов//ФТТ. - 1989. - Т. 31, N 1,-С. 57-61.

153. Бобыкин Б.В., Любов С.И., Невинный 10.А. Изучение электронной системы адсорбированных пленок посредством радиационной электронной эмиссии// Поверхность. Физика, химия, механика. - 1992. - N 9. - С. 71-76.

154. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский A.B., Сахненко В.11. Вторично-эмиссионные процессы в спектроскопии твердых тел// Изв. Вузов Сев.-Кав. Регион, спец.вып. - 1994. С. 93-98.

155. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский A.B., Сахненко В.П. Анализ поверхности твердого тела но спектрам медленных электронов, возбужденных мягким рентгеновским излучением //ФТТ. - 1994. - Т. 36, N 2. - С. 317-329.

156. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский A.B., Сахненко В.I I. Анализ поверхностных слоев и объема твердого тела но спектрам эмиссии медленных электронов. I Чувствительность спектров к состоянию поверхности. //ФММ. - 1994. -Т. 77, Вып. 6.-С. 109-117.

157. Козаков /V.T.. Колесников В.В., Никольский A.B., Сахненко В.П. Анализ поверхностных слоев и объема твердого тела по спектрам эмиссии медленных электронов. 11. Физические аспекты явления. //ФММ. - 1994. - Т. 77, Вып. 6. - С. 118127.

158. Бронштейн И.М. Вторичная электронная эмиссия. - М,1969. - 314 с.

159. Мойжес Б .Я Физические процессы в оксидном катоде. - М, 1968. - 479 е.

160. Яснопольский К.Л., Тягунов Г.А. О вторичной эмиссии электронов// ЖТФ. - 1939. -Т. 9, Вып. 17.-С 1573-1589.

161. Кадышевич А.Е. Распределение вторичных электронов но скорости для различных эмиттеров// ЖЭТФ. - 1945. - Т. 15, Вып. 10. - С. 600-604.

162. Райе Т., Хенсел Дж„ Филипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. - М, 1980. - 347 с.

163. Бронштейн 11.M., Сегаль Р.Б. Пробег медленных электронов в металле и роль нсупругого отраженных электронов во вторичной электронной эмиссии//ДАН АН СССР. - 1958. - Т. 123, N 4. - С. 639-642.

164. Бронштейн 11.M., Проценко А.Н. Неупругое рассеяние электронов и вторичная электронная эмиссия диэлектриков// Р и Э. - 1970. - Т. 15, N 4. - С. 805-811.

165. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. - 1957

166. .Количественный электронно-зондовый микроанализ/ Под ред. В. Скотта, Г. Лава. - М: Мир, I486. -352 с.

167. Козаков А.Т., Никольский A.B. Исследование возбужденных мягким рентгеновским излучением спектров медленных электронов// ЖТФ. - 1997. - т. 67, N3. - С. 73-77.

168. Козаков А.Т., Колесников В.В., Сахненко В.П. Никольский A.B., Новиков И.В., Панчеико Е.М., Емельянов С.М. Аномалия возбужденной мягким рентгеновским излучением эмиссии медленных электронов из магнониобата свинца// ФТТ. - 1996. -т. 38, N3 8 - С. 2524-2536.

169. Никольский A.B., Козаков А.Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца// ФТТ. - 1997. - т. 39, N8.-С. 1446-1451.

170. Ченский Е.В. О монодоменной поляризации ссгнетоэлектриков с фазовым переходом первого рода// ФТТ. - 1970,- T.12,N 2. - С 586-592.

171. Гуро P.M., Иванчик И.И. Ковтонюк Н.Ф. //ФТТ. - 1968. - Т. 10, N 1. - С. 135-143.

172. Фишер Р.. Нойман X. Поверхностные свойства твердых тел/под ред. М. Грина. -М: Мир, 1972. - 432 с.

173. Фишер Р.. Нойман X. Автоэлектронная эмиссия твердых тел полупроводников. -М: Наука, 1971.

174. Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники. - М., 1982.-608 с.

175. Piteili Е. Tunneling emission into an insulating films with trap. // Solid state Electron. V.6. -P.667-671.

176. Серебров Л. А., Фридрихов C.A.// P и Э. - 1962. - т. 7. - С. 1649-1656.

177. Яснопольский H.JL, Малышева B.C. // Р и Э. - 1962. - т. 7. - С. 1657-1668.

178. Фридрихов С.А., Шойхет Ф.Н. Об аномальном характере кривых зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии, усиленной полем, от энергии первичных электронов// Р и Э. - 1968. - т. 13. - С. 1483-1488.

179. Simmons J.G., Verderker R.R. New thin film resistive memory.// Radio Electron. Eng. -1967-V.34.-P.81-89.

180. Simmons J.G., Verderker R.R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating film. // Proc. Roy. Soc.-1967-A301-P.77-102.

181. Козаков Л.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Сахненко В.Г1. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития// ФТТ. - 1997. -Т. 39, N 4. - С. 679-682.

182. Никольский А.В., Козаков А.Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца// ФТТ. - 1997. - Т. 39, N 8.-С. 1446-1451.

183. Козаков А.Т., Никольский А.В., Новиков И.В. Стимулированная мягким рентгеновским излучением электронная эмиссия с поверхности поляризованных сегнетоэлекгриков// Журнал структурной химии. - 1998. - Т.39, N6. - С.1031-1036.