Рентгеновская диагностика в изучении особенностей формирования полупроводниковых наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Субботин, Илья Александрович

• Субботин, Илья Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Субботин, Илья Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

Раздел 1. Полупроводниковая наноэлектроника на гетероструктурах с нанометровыми размерами слоев.

Раздел 2. Методы получения нанометровых гетероструктур.

Раздел 3. Методы структурной диагностики низкоразмерных гетерокомпозиций.

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

Раздел 1. Высокоразрешающая рентгеновская диагностика в различных схемах дифракции.

Раздел 2. Рентгеновская рефлектометрия.

ГЛАВА 3. Результаты экспериментальных исследований и их обсуждение.- 59 Раздел 1. Наноразмерные гетероструктуры для создания мощных СВЧ-транзисторов.

Раздел 2. Сверхрешетки 8ь81Се и структуры с квантовыми точками 2п8е-Сс18е в качестве активной области полупроводниковых лазеров.

Раздел 3. Разбавленные магнитные полупроводники

СаА5/5-МпЛлаА5/(1п,Са)А5/СаА5 как основа для создания спинтронных устройств.

Раздел 4. Развитие метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и анализа экспериментальных данных.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рентгеновская диагностика в изучении особенностей формирования полупроводниковых наноструктур»

С середины XX века, когда появились способы манипулировать отдельными атомами и молекулами, развитие науки пошло по пути создания новых, специально сконструированных материалов с заданными характеристиками. Такие материалы легли в основу устройств и приборов квантовой электроники, микро-, опто- и наноэлекгроники нового поколения, особенностью которых является использование гетероструктур с нанометровыми размерами отдельных слоев.

Основным методом получения многослойных структур со сверхтонкими слоями является молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Этот метод позволяет слой за слоем, чередуя источники определенного сорта ионов или атомов, строить с атомарным разрешением различные структуры, в том числе, и несуществующие в природе. Как показали первые попытки исследования и практического использования структур с размерами менее 100 нм, поведение таких наноструктур качественно отличается от поведения систем с большими размерами. Уменьшение линейных размеров (хотя бы в одном измерении) кардинально меняет характер квантовых состояний электронов, ярко проявляя свойства, присущие системам пониженной размерности. Вследствие такого уменьшения размеров выращиваемых слоев граница раздела между двумя однородными составляющими имеет атомный масштаб. Эпитаксиальный рост на ориентированной атомно-гладкой поверхности подложки предполагает послойное наращивание полупроводникового соединения, как совпадающего с материалом подложки, так и существенно отличающегося своими характеристиками. Современные технологии роста позволяют создавать структуры с квантовыми точками, которые образуются в кристаллах на принципах самоорганизации, многослойные полупроводниковых гетерокомпозиции (в том числе сверхрешётки) с квантовыми ямами, проволоками и точками.

Однако, несмотря на уникальные возможности МЛЭ в создании структур с резкими границами между слоями, здесь ещё имеется много вопросов. Главная трудность заключается в существовании протяженных переходных областей переменного химического состава. Так, например, размытость гетерограниц влияет на рассеяние носителей заряда в канале, низкое структурное качество - на подвижность носителей и т.д. Необходимо, чтобы размеры переходных областей были сравнимы с постоянной кристаллической решётки.

Дальнейшее углубление знаний о гетероструктурах со сверхтонкими слоями не может быть осуществлено без детального исследования их строения и знания структурных параметров с высоким разрешением по глубине вплоть до отдельных монослоев, другими словами, детальная информация о структуре отдельных слоев и интерфейсов становится одной из наиболее важных предпосылок для дальнейшего прогресса в этой области.

Развитие технологических методов формирования полупроводниковых гетерокомпозиций, и, прежде всего, молекулярно-лучевой эпитаксии, позволило создавать гетероструктуры с толщиной активной области до одного нанометра. Конструирование новых материалов, совершенствование их структуры и свойств, создание наноматериалов и наносистем на основе молекулярной архитектуры неразрывно связаны с использованием адекватных (атомного разрешения) диагностических средств.

В настоящее время вопрос получения нанокомпозиций с заданными параметрами и характеристиками в силу своей актуальности занимает ведущее положение в развитых странах Запада. По существу решение этой задачи является приоритетным в вопросах дальнейшей экономической безопасности страны. О необходимости создания новых материалов и приборов на их основе свидетельствует то, что в последнее десятилетие в мире наблюдается интенсивное развитие в области научных исследований и промышленного освоения новых материалов СВЧ приборов, лазеров, приборов спинтроники и др.

Прогресс в получении высококачественных гетероструктур может быть достигнут путем оптимизации технологии их выращивания, что невозможно без детального изучения структурных характеристик получаемых гетеросистем.

В ряду методов исследования сложных гетерокомпозиций с нанометровыми размерами слоев рентгеновские методы диагностики занимают одно из ведущих мест. В силу информативности и высокой чувствительности к структурным нарушениям рентгеновские методы наиболее пригодны для исследования нарушенных приповерхностных слоев монокристаллов после различных технологических процессов обработки (имплантация, эпитаксия, различного рода травления поверхности и др.). Во-первых, в случае наноструктур и наноматериалов всегда имеется в виду либо системы с малым числом атомов, рассеивающих рентгеновское излучение, либо поверхность, рентгеновский сигнал от которой трудно выделить на фоне сильного рассеяния объемом исследуемого объекта. Во-вторых, выделив это слабое рентгеновское рассеяние от поверхности или наносистемы, необходимо измерить его с достаточной точностью. В то же время применение рентгеновского излучения для анализа наноматериалов и наноструктур связано с решением ряда сложных задач в области физики рассеяния рентгеновских лучей.

В представленной работе методы рентгеновской диагностики (рентгеновской дифрактометрии в различных схемах дифракции и рентгеновской рефлектометрии) применяются для изучения структурного совершенства полупроводниковых материалов и гетерокомпозиций. Достоинствами этих методов являются как их неразрушающий характер, так и высокое пространственное разрешение, а также возможность изучения особенностей структуры с масштабами порядка длины волны рентгеновского излучения. При этом комбинирование различных экспериментальных методик позволяет получать более детальную информацию об исследуемой структуре.

В настоящей работе для изучения структурного совершенства полупроводниковых материалов и гетерокомпозиций были применены методы рентгеновской дифрактометрии в различных схемах дифракции и рентгеновской рефлектометрии. Достоинствами этих методов являются как их неразрушающий характер, так и высокое пространственное разрешение, а также возможность изучения особенностей струюуры с масштабами порядка длины волны рентгеновского излучения. При этом комбинирование различных экспериментальных методик позволяет получать более детальную информацию об исследуемой структуре.

Основной целью работы являлось изучение особенностей формирования полупроводниковых низкоразмерных гетероструктур и определение их структурных параметров методами рентгеновской диагностики для установления связи условий роста гетероструктур на электрофизические характеристики и параметры создаваемых на их основе приборов, разработка новых методик обсчета экспериментальных кривых дифракционного отражения и рентгеновской рефлектометрии.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

• Методами прецизионной рентгеновской дифрактометрии и высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии определены структурные параметры сверхрешеток 81/8Юе и Сс18е/2п8е, используемых в качестве активной области полупроводниковых лазеров. Показано, что проведение комплексного анализа позволяет получать достоверные результаты, служащие основой для улучшения структурных и электрофизических характеристик этих материалов. В частности, эти исследования позволили определить эллипсоидальную форму выращенных квантовых точек СсШе в матрице 2п8е.

• Проведение рентгенодиагностических исследований на всех этапах роста позволило установить оптимальные технологические параметры для получения высококачественных гетероструктур 1пОаА5ЯпА1Аз на подложках 1пР, предназначенных для изготовления СВЧ приборов.

• Проведены комплексные исследования структурных, магнитных и электрофизических свойств квантовых ям СаА5/Са1.х1пхА5/СаА5 со слоем Мп толщиной 0.5-1.8 М1, отделенным от квантовой ямы спейсером толщиной 3 нм. Впервые результаты магнитных и электрофизических свойств таких систем проанализированы на основе тщательного исследования их реальной структуры методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии. Восстановлены реальные профили распределения структурных параметров не только квантовых ям, но и очень тонких слоев Мп. Установлено, что распределение атомов Мп неоднородно как в плоскости структуры, так и в направлении ее роста, что позволило проанализировать особенности магнитных и транспортных свойств исследованных структур в рамках модели, основанной на представлении о разбиении объема образца на области ферромагнитного упорядочения и парамагнитные области. • Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии изучено строение псевдоморфной гетероструктуры А1хОа1.хА5ЯпуОа1.уА5/ОаА5. Использование методики одновременного анализа кривых дифракционного отражения от кристаллографических плоскостей (004) и (113) позволило установить размытие гетерограниц квантовой ямы ЫваАБ и спейсерного слоя АЮаАБ. Показано, что электрофизические характеристики этих материалов непосредственно связаны со структурным качеством наноразмерных эпитаксиальных слоёв и состояния интерфейсов в этих структурах.

Достоверность научных результатов и выводов подтверждена их соответствием общепринятым теоретическим и экспериментальным фактам, согласием эксперимента с теорией, обеспечена публикациями и обсуждениями на российских и международных научных конференциях.

Практическая значимость.

Примененный метод одновременного анализа кривых дифракционного отражения от нескольких кристаллографических плоскостей и данных рентгеновской рефлектометрии позволил не только уточнить структурные характеристики исследуемых гетерокомпозиций, но и получить дополнительную информацию об анизотропии распределения хаотических смещений атомов в плоскости слоев и перпендикулярно им. Этот подход может быть использован в дальнейшем путем одновременного анализа данных рентгеновской дифрактометрии в различных схемах дифракции и рентгеновской рефлектометрии.

Оптимизирована технология получения высококачественных гетероструктур на базе 1пСаА5ЯпА1Аз на подложках 1пР, предназначенных для изготовления СВЧ приборов. Параметры двумерного электронного газа, измеренные при температурах 77К и 300К, в таких гетероструктурах не уступают мировому уровню и являются пригодными для изготовления транзисторов и интегральных усилителей, работающих на частотах 40 ГГц и более.

Результаты определения параметров слоев и гетерограниц в структурах с квантовыми ямами, квантовыми точками и сверхрешетками позволили оптимизировать технологические процессы роста сложных многослойных гетерокомпозиций, пригодных для создания на их основе приборов с заданными характеристиками или же скорректировать характеристики уже готовых приборов.

Впервые результаты магнитных и электрофизических свойств разбавленных магнитных полупроводников проанализированы на основе тщательного исследования их реальной структуры методами высокоразрешающей рентгеновской дифракгометрии и рефлектометрии, что позволило проанализировать особенности магнитных и транспортных свойств исследованных структур в рамках модели, основанной на представлении о разбиении объема образца на области ферромагнитного упорядочения и парамагнитные области.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на XI и XII национальных конференциях по росту кристаллов (НКРК), Москва 2004, 2006; II Украинской научной конференции по физике полупроводников, Черновцы, Украина 2004; Международной научной конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры», Москва 2004; V Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ), Москва 2005; International Conference «Micro- and nanoelectronics» ICMNE'05, Звенигород 2005; International Symposium on Compound Semiconductors, Фрайбург, Германия, 2005; 12th International conference on II-VI compounds, Варшава, Польша, 2005; International Conference «Crystal Materials 2005», Харьков, Украина, 2005; International Workshop on Semiconductor Nanocrystals, Будапешт, Венгрия, 2005; International Workshop on Nanostructured Materials, Анталия, Турция, 2006, 8th International Conference on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, Кадис, Испания, 2006; Конференции «Нанофизика и наноэлектроника-2007», Нижний Новгород, 2007.

По материалам диссертации опубликовано 7 статей в рецензируемых отечественных и зарубежных научных журналах, 5 статей в трудах конференций, а также 14 тезисов докладов.

Положения, выносимые на защиту.

• Усовершенствованная методика одновременного анализа кривых дифракционного отражения от различных кристаллографических плоскостей, позволяющая не только повысить достоверность информации о реальной структуре исследуемых образцов, но и получать дополнительную информацию об анизотропии распределения хаотических смещений атомов в плоскости слоев и перпендикулярно им.

• Оптимизированная технология роста структур 1пОаАзЛпА1А8 на подложках 1пР, дающая возможность получать высококачественные гетеросистемы, предназначенные для создания СВЧ-приборов.

• Модель структур разбавленных магнитных полупроводников, основанная на представлении о разбиении 20 канала на ферромагнитные и парамагнитные области вследствие неоднородного распределения магнитных ионов для объяснения обнаруженных особенностей данных структурных и электрофизических исследований материалов спинтроники.

• Методика совместного анализа данных рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии, позволяющая установить распределение Мп в структуре РМП, а также определить параметры ультра-тонких слоев марганца.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Субботин, Илья Александрович

Основные результаты и выводы, полученные при выполнении настоящей работы, заключаются в следующем:

1. Оптимизирована методика обсчета кривых дифракционного отражения. Показано, что одновременный анализ кривых дифракционного отражения от нескольких кристаллографических плоскостей позволяет не только повысить достоверность модели структуры, но и получить дополнительную информацию об анизотропии распределения хаотических смещений атомов в плоскости слоев и перпендикулярно им.

2. Показано, что совместный анализ экспериментальных данных рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии позволяет получить всестороннюю и достоверную информацию о параметрах и качестве исследуемых сложных многослойных гетероструктур.

3. Методами прецизионной двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии исследованы сверхрешетки ZnSe-CdSe и Si-SiixGex с целью определения их структурных параметров. Показано, что их совместный анализ позволяет выбрать наиболее достоверную модель исследуемой структуры. В результате проведенного анализа была оптимизирована технология получения этих гетероструктур.

4. Определены структурные параметры сложных псевдоморфных гетерокомпозиций InGaAs/GaALAs на подложках GaAs, предназначенных для создания СВЧ - транзисторов. Корректировка технологии роста таких гетероструктур с учетом полученных рентгенодиагностических результатов позволила создать твердотельные приборы с заданными характеристиками

5. Установлены оптимальные параметры роста для получения высококачественных гетероструктур InGaAsAnAlAs на подложках InP, Получаемые гетероструктуры пригодны для создания на их основе транзисторов и интегральных усилителей, работающих на частотах 40 ГГц и более.

6. Определены структурные характеристики разбавленных магнитных полупроводников. Предложена процедура анализа транспортных, магнитных и электрофизических свойств, основанная на их структурной диагностике.

7. Предложена модель поведения Мп в структуре РМП, согласно которой атомы Мп отсутствуют в объеме квантовой ямы. При этом, проводимость и эффект Холла таких структур, определяемые транспортом дырок по квантовой яме, демонстрируют свойства присущие ферромагнитным системам, которые свидетельствуют о наличии спиновой поляризации носителей в квантовой яме.

В заключение выражаю глубокую благодарность своим научным руководителям кандидату физ.-мат. наук, старшему научному сотруднику Пашаеву Э.М. и кандидату физ.-мат. наук, доценту Зайцеву А.А. за предложенную тему и всестороннюю помощь в выполнении работы.

Выражаю благодарность д.ф.-м.н. ЧуевуМ.А. за помощь в теоретической обработке экспериментальных результатов и большой интерес к работе, д.ф.-м.н., профессору Имамову P.M. за ценные замечания и полезные обсуждения диссертационной работы, к.ф.-м.н. Аронзону Б.А., к.ф.-м.н. Казакову И.П., к.ф.-м.н. Якунину С.Н., д.ф.-м.н. Галиеву Г.Б. и Рзаеву М.М. за предоставленные образцы, ценные консультации и замечания, а также всему коллективу сотрудников лаборатории дифракгометрии кристаллических слоев ИКРАН и кафедры "Полупроводниковые приборы" МИРЭА.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Субботин, Илья Александрович, 2007 год

1. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998 т.32, №1, с.З

2. Nakagawa Т., Kawai N.J., Ohta К. Design principles for CHIRP superlattice devices // Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 187

3. Paalanen M.A., Tsui D.C., Lin B.J., Gossard A.C. Localization of 2D electrons in GaAs-AlxGaixAs heterostructures // Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 29

4. Tien P.K. Intergrated optics and new wave phenomena in optical waveguides // Rev. Mod. Phys., 1977, v.49, p.361

5. Stormer H.L. Novel physics in two dimensions with modulation-doped heterostructures // Surf. Sci., 1984, v.142, p.130

6. Capasso F. New device applications of bandedge discontinuities in multilayer heterojunction structures // Surf. Sci., 1983, v. 132, p.527

7. Ricco В., Azbel M.Y. Physics of resonant tunneling. The one dimensional double -barrier case. // Phys. Rev. B, 1984, v.29, № 4, p. 1970

8. Singh I., Hong S., Bhattacharya P. K. Quantum confined Stark effect of exitonic transitions in GaAs/AlGaAs MQW structures for implementation of neutral networks: Basic device requirements //Appl. Opt. 1988. Vol. 27. P. 4554-4560

9. ChangL.L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers //Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 24. P. 593-595

10. Bate R. T. Nanoelectronics // Nanotechnology. 1989. Vol. 1. P. 1-7

11. В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, A.B. Гук, Л.Э. Великовский, В.Э Каминский. Наноэлектронные СВЧ транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом // Зарубежная радиоэлектроника. №8. 1998. с.40

12. А. А. Кальфа, А. С. Тагер. Гетероструктуры с селективным легированием и их применение в полевых транзисторах СВЧ. // Электронная техника, серия «Электроника СВЧ», 1982, вып. 12 (348), с. 26-38

13. Goldman R.S., Kavanagh K.L., Wieder Н.Н., and Ehrilch S.N. Modulation doped Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As heterostructures grown on GaAs substrates using step -graded InxGa,.xAs buffers. J. Vac. Sci. Tecnol., 1996, v. В14. № 4, pp3035-3039

14. Gill D.M., Kane B.C., Svensson S.P., Tu D.-W., Uppal P.N., Byer N.E. Highperformance, 0.1 (im InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors on GaAs // IEEE Electron Device Lett., 1996, v. 17, n.7, pp328-330.

15. Chertouk M., Heiss H., Xu D., Kraus S. Klein W., Bohm G„ Trankle G„ Weimann G. Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrates with a novel composite channels design // IEEE Electron Device Lett., 1996, v. 17, n.6, pp273-275

16. В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, и др. Подвижнось электронов в квантовой яме AlGaAs/GaAs/AlGaAs // ФТП, т.36, в.6, с.713 (2002)

17. Mokerov V.G., Gulyev Yu.V., Bugaev A.S. at all., Physics of semiconductor devices, VI1, pp.884-891. Varoja Publishing House, 1998

18. Херман M. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ.- М.: Мир, 1989.240 с.

19. Loi D. Nguyen, April S. Brown, Mark A. Thompson, L. M. Jelloian. 50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GalnAs High Electron Mobility Transistors. // IEEE Trans, of Electron Dev., Vol.39, No.9, Sept. 1992, pp. 2007-2014.

20. T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. High Conined Two-Dimensional Electron Gas in an Ino.52Alo.48As/Ino.53Gao.47As Modulation-Doped Structure with Strained InAs Quantum Well. // J. of Electronic Materials, Vol. 25, N0.4, April 1996.

21. T. Nakayama, H. Miyamoto, E. Oishi and N. Samoto. High Electron Mobility 18300 cm2/Vs in the InAlAs/InGaAs Pseudomorphic Structure Obtained by Channel Indium Modulation. // J. of Electronic Materials, Vol. 25, No. 4, April 1996.

22. K.Onda, A. Fujihara, A.Wakejima et. al. InGaAs/InAlAs Channel Composition Modulated Transistors with InAs Channel and AlAs/InAs Superlattice Barrier Layer // IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 19, No. 8, August 1998, pp. 300-302.

23. D. Xu., J. Osaka, Y. Umeda, et. al. Modulation-Doped Field-Effect Transistors with an 8-nm InGaAs/InAs/InGaAs Quantum Well // IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 20, No. 3, March 1999, pp. 109-112.

24. D. Streit, A. Oki, R. Lai, A. Gutierrez-Aitken, et. al. How Cost-Efficient Indium Phosphide Changes the Telecommunication Industry's Competitive Landscape // Conference on Compound Semiconductor. Florida. 2000. S. 145

25. D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, et. al. HEMT Structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range. GAAS 2001 Conference. London, 2001, pp. 53-56

26. K.Y. Hur, R.A. McTaggart, M.P. Ventresca, et. al. High Gain AlInAs/GalnAs/InP HEMT's with Individually Grounded Source Finger Vias. // IEEE Electr. Dev. Lett., Vol. 16, No. 9,1995, pp. 390-392

27. R.C. Ashoori. Electrons in artificial atoms. // Nature 379 (1996)

28. N. Kristaedter, O.G. Schmidt, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Gain and differential gain of single layer InAs/GaAs guantum dot injection lasers. // Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1226

29. Zh.I. Alferov, F. Heinrichsdorff, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, J.A. Lott. Edge and vertical cavity surface emitting InAs quantum dot lasers. // Sol.-Stat. Electron. 42 (1998) 1433

30. E. Leobandung, L. Guo, S.Y. Chou. Single hole quantum dot transistors in silicon. // Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2338

31. L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. A silicon single electron transistor memory operating at room temperature. // Science 275 (1997) 649

32. K.K. Likharev, Correlated descrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions. // IBM J. Res. Dev. 32 (1988) p.144

33. D. Loss, D.P. DiVincenzo. Quantum computation with quantum dots. // Phys. Rev. A 57(1998) 120

34. K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, N. Yokoyama. New Optical Memory Structure Using Self-Assembled InAs Quantum Dots // Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1445

35. G.L. Snider, A.O. Orlov, I. Amlani, G.H. Bernstein, C.S. Lent, J.L. Merz, W. Porod. A functional cell for quantum dot cellular automata. // Sol.-Stat. Electron. 42 (1998)1355

36. S. Kim, H. Mohseni, M. Erdtmann, E. Michel, C. Jelen, M. Razeghi. Grown and characterization of InGaAs/InGaP quantum dots for midinfrared photoconductive detector. // Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 963

37. Wojtowicz Т., Lim W.L., Liu X., et al. Enhancement of Curie temperature in GaixMnxAs/GaiyAlyAs ferromagnetic heterostructures by Be modulation doping. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4220.

38. Nazmul A.M., Amemiya Т., Shuto Y., et al. High Temperature Ferromagnetism in GaAs-Based Heterostructures with 8-Mn Doping. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 017201.

39. Nazmul A.M., Sugahara S., Tanaka M. Ferromagnetism and high Curie temperature in semiconductor heterostructures with Mn 8-doped GaAs and p-type selective doping. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 241308R.

40. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.- М.: Металлургия, 1983

41. Федосюк В.М., Шелег М.У., Касютич О.И. Многослойные магнитные структуры // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. № 5. С. 88-97.

42. Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М: Мир, 1989. - 344 с.

43. A. Bosacchi, P. Frigeri, S. Franchi, P. Allegri, V. Avanzini, InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown by ALMBEand MBE. // Journal of Crystal Growth 1997, 175/176, p.771-776

44. Manasevit Н.М. Single-Crystal Gallium Arsenide On Insulating Substrates // Appl. Phys. Lett. 1968. Vol.12, No. 4., P. 156

45. Einstein T.L. Extended, fine structure analysis of surface structure. // Appl. Surf. Science, 1982, v.l 1-12, p.42-63.

46. Зотов A.B., Коробцов B.B., Лифшиц В.Г. Изучение методами оже-электронной спектроскопии и дифракцией медленных электронов эпитаксии Si на Si(l 11). // Поверхность, 1988, .№6, с. 77-88.

47. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. -М.: Металлургия, 1982,632 с.

48. Уваров О.В., Киселев Н.А., Балыченко А.А., Гудков А.Л. Просвечивающая электронная микроскопия джозефсоновских переходов. // Поверхность, 1989, .№7, с. 83-88.

49. Петров Н.Н., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков.- Л.: Изд-во ЛГУ, 1977

50. J.R. Bird, J.S. Williams, Ion Beam for Materials Analysis. Academic Press, Australia, 1989.52