Релаксация электросопротивления твердотельных датчиков газов под влиянием внешних воздействий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Русских, Дмитрий Викторович

• Русских, Дмитрий Викторович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Русских, Дмитрий Викторович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. АТОМНАЯ СТРУКТУРА, СТРОЕНИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИОКСИДА ОЛОВА

1.1. Атомная структура и строение кристаллической решетки 8п02.

1.2. Физико-химические свойства диоксида олова.

1.3. Газочувствительные свойства тонких пленок диоксида олова.

1.4. Теория протекания и электропроводность сильно неоднородных сред

1.5. Возможные механизмы воздействия света на электрофизические свойства полупроводников.

1.6. Влияние подсветки на газочувствительные свойства полупроводников.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ ГАЗОВ НА РАЗЛИЧНЫХ КОНСТРУКЦИЯХ ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР

2.1. Конструкция и технологический маршрут изготовления тестовых структур микроэлектронных датчиков газов.

2.2. Методика исследования условий термостабилизации электрических параметров микроэлектронных датчиков газов на различных конструкциях тестовых структур.

2.3. Методика исследования газовой чувствительности микроэлектронных датчиков газов на различных конструкциях тестовых структур к различным газам на воздухе.

2.4. Методика исследования свойств тестовых структур микроэлектронных датчиков газов при воздействии подсветки при различных температурах.

ГЛАВА 3. ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ ГАЗОВ

3.1. Термостабилизация электрических параметров тестовых структур после длительного хранения на воздухе.

3.2. Газовая чувствительность микроэлектронных датчиков газов к парам этилового спирта в воздухе.

3.3. Газовая чувствительность микроэлектронных датчиков газов к парам ацетона в воздухе.

3.4. Газовая чувствительность микроэлектронных датчиков газов к парам изопропилового спирта в воздухе.

3.5. Отклик микроэлектронных датчиков газов к водороду.

3.6. Исследование условий хранения тестовых структур микроэлектронных датчиков газов.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. РЕЛАКСАЦИЯ ОПТИЧЕСКИ СТИМУЛИРОВАННОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ ГАЗОВ

4.1. Релаксация оптически стимулированного электросопротивления микроэлектронных датчиков газов.

4.2. Влияние термостабилизации на релаксацию оптически стимулированного электросопротивления чувствительных элементов микроэлектронных датчиков газов.

4.3. Влияние интенсивности облучения на релаксацию электросопротивления чувствительных элементов микроэлектронных датчиков газов.

4.4. Влияние температуры на релаксацию оптически стимулированного электросопротивления чувствительных элементов микроэлектронных датчиков газов.

4.5. Газовая чувствительность оптически стимулированных сенсорных слоев датчиков газов типа В к парам этилового спирта в и ацетона воздухе.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Релаксация электросопротивления твердотельных датчиков газов под влиянием внешних воздействий»

Актуальность темы

В связи с интенсивным ростом промышленного производства и увеличением выбросов в атмосферу опасных для здоровья и жизни человека веществ стало актуальным использование различных систем мониторинга технологических процессов и состояния окружающей среды. В таких системах чаще всего используются относительно дешевые, малогабаритные, но при этом обладающие высокой чувствительностью полупроводниковые датчики газов [1]. В связи с этим ведущие мировые производители (Rilken Keiki, Nippon Monitors, Figaro, Taguchi и др.) вот уже несколько десятилетий занимаются исследованиями, разработкой и производством сенсоров такого типа. Серийно выпускаемые в мире сенсоры получают в основном по керамической и толстопленочной технологии. Главными недостатками таких датчиков являются: дрейф электрических параметров сенсорных слоев при длительном хранении на воздухе, необходимость нагрева до высоких температур порядка 500 °С при определении газовой чувствительности и десорбции газов, что ограничивает их использование для контроля легковоспламеняющихся и взрывоопасных газов, и недостаточная селективность к различным газам. Например, температура максимальной газовой чувствительности к этанолу и ацетону для различных датчиков на основе SnC>2 лежит в пределах 330 - 400 °С [2]. Для снижения температуры максимальной газовой чувствительности можно легировать плёнку SnC>2 примесями химических элементов редких земель или благородных металлов [3], но это усложняет технологический процесс и увеличивает стоимость таких датчиков.

Некоторые исследователи для решения этих проблем и интенсификации электронно-ионных процессов на поверхности полупроводников пытались воздействовать на тонкую пленку SnC>2 ультрафиолетовым (УФ) светом большой интенсивности, и ими были получены многообещающие результаты [4]. Однако они не рассматривали механизмы такого воздействия, не исследовали характер изменения сопротивления при включении и выключении УФ-света и не предприняли попыток для определения температуры максимальной газовой чувствительности при одновременном воздействии на образцы УФ-света и газа, а используемые в их исследованиях стационарные источники УФ-света могут применяться только для научных исследований, так как имеют большую мощность и размеры.

Можно с уверенностью сказать, что все известные данные о влиянии света на газочувствительные свойства полупроводников довольно неоднозначны. В одних статьях можно найти эксперименты по снижению температуры максимальной газовой чувствительности [5-6], в других - по увеличению величины максимальной газовой чувствительности в результате подсветки УФ-светом [4], в третьих - рассказывается о том, что и красный, и желтый, и зеленый, и синий свет увеличивает величину максимальной газовой чувствительности [7]. Поэтому судить о механизмах воздействия света на тонкие пленки металлооксидных полупроводников еще рано.

Таким образом, вопросы исследования и анализа релаксационных процессов, возникающих при воздействии различных внешних условий, таких как температура, свет, наличие газов в атмосфере, в сенсорных слоях микроэлектронных датчиков газов являются актуальными.

Работа выполнялась по плану работ ГБ 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов (81, А3В5, А4В6), приборов и технологии их изготовления» (№ г.р. 0120.0412888) кафедры полупроводниковой электроники и наноэлектроники ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет», а также в соответствии с программой региональных грантов РФФИ «Использование нанокристаллических многокомпонентных композитов для разработки высокочувствительных датчиков газов» (06-02-96500-рцентрофи), «Микроэлектронный датчик и индикатор токсичных и взрывоопасных газов на его основе» (08-02-99005-рофи).

Цель работы заключалась в установлении характера изменения основных параметров микроэлектронных датчиков газов в результате воздействия температуры, света и газов, а также условий хранения.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1) исследовать условия термостабилизации электрических параметров микроэлектронных датчиков газов после длительного хранения тестовых структур;

2) исследовать газовую чувствительность микроэлектронных датчиков газов к примесям различных газов в воздухе;

3) установить характер изменения электросопротивления и газочувствительных свойств микроэлектронных датчиков газов под действием УФ-света слабой интенсивности при различных температурах;

4) исследовать влияние условий хранения тестовых структур микроэлектронных датчиков газов на их основные параметры.

Объектами исследований служили два типа тестовых структур микроэлектронных датчиков газов с тонкими пленками диоксида олова, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления олова на постоянном токе.

Научная новизна работы

1. Установлено, что термостабилизация электрических параметров тонкопленочных тестовых структур после длительного хранения на воздухе происходит на 1 - 2 порядка быстрее, чем в керамических датчиках зарубежных производителей.

2. Показано существенное влияние влажности на электрические параметры при хранении тестовых структур микроэлектронных датчиков газов на воздухе.

3. Установлен характер изменения электросопротивления сенсорного элемента при воздействии УФ источника света слабой интенсивности, обусловленный процессами протекания электрического тока через мелкокристаллические структуры.

4. Установлено влияние оптической активации электронно-ионных процессов на параметры газочувствительных свойств поликристаллических пленок БпОг.

Практическая значимость работы

1. Режимы термостабилизации и чувствительности к газам в воздухе тестовых структур микроэлектронных датчиков газов могут использоваться как в стационарных, так и в портативных устройствах индикации и аварийной сигнализации для предупреждения чрезвычайных ситуаций на производстве или в быту.

2. Тестовые структуры микроэлектронных датчиков совместно с УФ-светодиодом могут применяться в экономичных устройствах индикации и сигнализации наличия легковоспламеняющихся и взрывоопасных газов в воздухе.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Сокращение более, чем в 30 раз, времени термостабилизации электрических параметров тонкопленочных датчиков газов после длительного хранения на воздухе по сравнению с датчиками фирмы «Фигаро». Уменьшение степени изменения электросопротивления чувствительных слоев датчиков газов при их хранении в осушенном воздухе.

2. Характер изменения электросопротивления чувствительных элементов на основе пленок БпОг с 1 % ат. 81 при взаимодействии с газами-восстановителями (С2Н5ОН, СзН60 и др.). Результаты измерений газовой чувствительности к сверхмалым концентрациям (1 ррт) паров этилового и изопропилового спиртов в воздухе.

3. Особенности снижения электросопротивления сенсорных слоев на основе пленок S11O2 с 1 % ат. Si под действием облучения светодиодом (X = 405 нм, Р = 76 мВт), обусловленные активацией электронно-ионных процессов на поверхности чувствительных элементов тестовых структур.

4. Снижение температуры максимальной газовой чувствительности тестовых структур с чувствительными элементами на основе пленок S11O2 с 1 % ат. Si толщиной 0,25 мкм при воздействии облучения светодиодом с длиной волны 405 нм.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический унивеситет» (Воронеж, 2005 - 2008); Всероссийской научно-практической конференции курсантов, слушателей, студентов, адъюнктов и соискателей «Актуальные вопросы эксплуатации систем охраны и защищенных телекоммуникационных систем» (Воронеж, 2005); Всероссийской научно-практической конференции «Охрана, безопасность и связь - 2005» (Воронеж, 2005); Всероссийском электротехническом конгрессе «ВЭЛК-2005» (Москва, 2005); III и IV Всероссийских конференциях «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж, 2006, 2008); II Международном симпозиуме «Качество, инновации, образование и CALS-технологии» (Египет, Хургада, 2006); VI - VIII Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2006 -2008); VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия нано-систем и материалы)» (Воронеж, 2007); Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, 2007); International Conference on Nanoscience and Technology (China, Beijing, 2007); I Международной научной конференции «Наноструктурные материалы - 2008» (Минск, 2008); VII научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва, 2008).

Публикации

По материалам диссертации опубликована 21 научная работа, в том числе 2 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, подана заявка на патент. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: [1, 9 - 10, 12 - 13, 15, 17, 20] исследование фотоэлектрических свойств нанокомпозитов на основе БпОг при различных условиях проведения эксперимента, обработка и аппроксимация полученных зависимостей при помощи персонального компьютера (ПК), [2 - 8, 11, 14, 16, 18 - 19, 21] исследование электрических параметров, термической стабильности и газочувствительных свойств тестовых структур микроэлектронных датчиков газов.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 77 наименований. Основная часть работы изложена на 162 страницах, содержит 2 таблицы и 65 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Русских, Дмитрий Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Установлено, что время десорбционного и стабилизирующего отжига зависит от длительности хранения тестовых структур на воздухе и от начального сопротивления чувствительных элементов. Время десорбционного и стабилизирующего отжига для тестовых структур с тонкопленочными сенсорными слоями на основе ЗпОг, хранившихся на воздухе более 150 дней, составляет от двух до пяти часов. При длительном хранении тестовых структур сопротивление чувствительных элементов претерпевает наименьшие изменения в осушенной атмосфере воздуха.

2. Исследована газовая чувствительность тестовых структур датчиков газов к парам этанола, ацетона и изопропилового спирта в воздухе. Определен характер зависимостей максимальной газовой чувствительности от концентрации газов в воздухе. Установлено, что тестовые структуры датчиков газов с толщиной газочувствительной пленки 0,25 мкм обладают гораздо большей чувствительностью к этиловому спирту, чем тестовые структуры с толщиной газочувствительной пленки 1 мкм и способны определять его наличие в воздухе даже при концентрации 1 ррш.

3. Исследован отклик тестовых структур микроэлектронных датчиков газов типа А к проточному водороду. Установлено, что температура максимального отклика к водороду около 40 °С и датчик может быть использован для контроля утечек водорода.

4. Облучение тестовых структур светом с длиной волны 405 нм приводит к уменьшению электросопротивления чувствительных элементов, которое может быть описано тремя экспонентами, отражающими различные электронно-ионные процессы. Термостабилизация тестовых структур микроэлектронных датчиков газов ускоряет релаксационные процессы при включенном свете и замедляет при выключенном свете. Отжиг не оказывает влияния на параметры первой экспоненты и при включенном свете, и при выключении света. Значительное воздействие отжиг оказывает на параметры второй экспоненты и при включении, и при выключении света. Параметры третьей экспоненты с отжигом не изменяются.

5. Оптическая активация электронно-ионных процессов в пленке БпОг снижает температуру максимальной газовой чувствительности к этиловому спирту до 100 °С и к ацетону до 50 °С.

Автор выражает благодарность своему научному руководителю, Заслуженному деятелю науки, доктору физико-математических наук, профессору С.И. Рембезе, а также кандидату физико-математических наук В.А. Бу-слову и кандидату технических наук Д.Ю. Куликову за помощь в изготовлении тестовых структур микроэлектронных датчиков газов и участие в совместном обсуждении, полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Русских, Дмитрий Викторович, 2008 год

1. Виглеб Г. Датчики: устрйство и применение / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989. 196 с.

2. Figaro: датчики газов. М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2002.64 с.

3. Goyat D. Effect of dopant incorporation on structural and electrical properties of sprayed Sn02: Sb films / D. Goyat, C. Agashe, B. Marather // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. No 11. P. 7520-7523.

4. Comini E. UV light activations of tin oxide thin films for NO2 sensing at low temperature / E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri // Sensors and Actuators В Chemical. 2001. Vol. 78. P. 73 77.

5. Light enhanced gas sensing properties of indium oxide and tin oxide sensors / E. Comini, A. Cristalli, G. Faglia, G. Sberveglieri // Sensors and Actuators В Chemical. 2000. Vol. 65. P. 260 263.

6. Рембеза С.И. Влияние оптического возбуждения на электрические свойства пленок Sn02 / С.И. Рембеза, С.А. Сушков, A.M. Кошелев // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2003. Вып. 3. С. 47 52.

7. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г.В. Самсонов и др. М.Металлургия, 1978. 390 с.

8. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений группы AIVBVI / В.В. Соболев. Кишинев: ШТИИНЦА, 1981. 284 с.

9. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. М.: Наука, 1983. 239 с.

10. Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г.В. Самсонов и др. М.:Металлургия, 1969. 456 с.

11. Смирнов В.П. Зоны Си20/ В.П. Смирнов // Вестник Ленинградского государственного университета. 1965. Т. 22. № 1. С. 7 13.

12. Adler D. The properties of oxides / D. Adler // Solid State Phys. 1968. Vol. 21. P. 1-79.

13. Dahl J.P. Energy bands of Cu20 / J.P. Dahl, A.C. Switendick // J. Phys. Chem. Solids. 1966. Vol. 27. No. 6. P. 931 942.

14. Bloch P.D. Exciton spectra of Cu20 / P.D. Bloch, C. Schwab // Phys. Rev. Lett. 1978. Vol. 41. No. 5. P. 514-516.

15. Рогинский С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С.З. Рогинский. М.: АН СССР, 1948. 278 с.

16. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауф-фе. М.: Иностранная литература, 1963. 456 с.

17. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев. М.: Наука, 1970. 399 с.

18. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1973. 400 с.

19. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С .Г. Калашников. М.: Наука, 1977. 528 с.

20. Yamazoe N. Interaction of tin oxide surface with 02, H20 and H2 / N. Yamazoe, J. Fuchigami, M. Kishikawa, T. Seiyama // Surface Sci. 1979. Vol. 86. P. 335 344.

21. Моррисон C.P. Химическая физика поверхности твердого тела / С.Р. Моррисон. М.: Мир, 1982. 583 с.

22. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э.Е. Гутман // Журн. физ. химии. 1984. Т. LVIII. Вып.4. С. 801 821.

23. Chang S.C. Sensing mechanism of thin film tin oxide / S.C. Chang // Proc. 1st Meet. Chemical Sensors. Fukuoka, 1983. P.78 83.

24. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1987. 432 с.

25. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 based devices / D. Kohl // Sensor and Actuators В Chemical. 1989. Vol. 18. P. 71-114.

26. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В Л. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С. А. Завьялов. М.: Наука, 1991.327 с.

27. Сухарев В.Я. Теоретические основы метода полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов / В.Я. Сухарев, И.А. Мясников // Журн. физ. химии. 1986. Т. LX. Вып.10. С. 2385 2401.

28. Hubner H.R. Gas sensors based on metal oxide semiconductors / H.R. Hubner, E. Obermeier // Sensor and Actuators В Chemical. 1989. Vol. 17. P. 351 380.

29. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников / А.И. Бутурлин, Г.А. Габузян, Н.А. Голованов, И.В. Бараненков, А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, В.Г. Фадин, Ю.Д. Чистяков // Зарубежная электронная техника. 1983. № 10. С. 3 38.

30. Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. М.: Наука, 1979. 416 с.

31. Kirkpatrick S. Classical transport in disordered media: scaling and effective-medium theories / S. Kirkpatrick// Phys. Rev. Lett. 1971. V. 27. P. 1722.

32. Ambegaorar V. Hopping conductivity in disordered systems / V. Am-begaorar, B.I. Haiperin, J.S. Langer // Phys. Rev. 1971. V. B4. P. 2612.

33. Pollar M. A percolation treatment of d.c. hopping conduction / M. Pollar //J. Non-Cryst. Solids. 1972. V. 11. P. 1.

34. Шкловский Б.И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1971. Т. 60. С. 867.

35. Kirkpatrick S. Percolation and conduction / S. Kirkpatrick // Technical report of ISSP. Ser. B. 1973. No. 15. P. 18.

36. Seager C.H. Percolation and conductivity: a computer study II / C.H. Seager, G.E. Pire // Phys. Rev. 1974. V. BIO. P. 1435.

37. Kurkijarvi J. Conductivity in random systems. II. Finite-size-systems percolation / J. Kurkijarvi // Phys. Rev. 1974. V. B9. P. 770.

38. Шкловский Б.И. Предэкспоненциальный множитель прыжковой проводимости / Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1. С. 174.

39. Лашкарев В.Е. Кинетика фотопроводимости полупроводников / В.Е. Лашкарев // ЖЭТФ. 1949. Вып. 19. С. 876.

40. Лашкарев В.Е. Некоторые особенности фотопроводимости монокристаллов CdS / В.Е. Лашкарев, Г.А. Федорус // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1952. Вып. 16. С. 81.

41. Жузе В.П. Фотопроводимость закиси меди / В.П. Жузе, С.М. Рыбкин // ДАН СССР. 1949. Вып. 68. С. 673.

42. Жузе В.П. Фотопроводимость закиси меди / В.П. Жузе, С.М. Рыбкин // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1952. Вып. 16. С. 93.

43. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М. Рыбкин. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1963. 496 с.

44. Рыбкин С.М. К вопросу о релаксации неравновесной проводимости при рекомбинации через ловушки / С.М. Рыбкин, И.Б. Строкан // ДАН СССР. 1959. Вып. 124. С. 1039.

45. Калашников С.Г. Рекомбинация электронов и дырок при наличии ловушек разного типа / С.Г. Калашников // ЖТФ. 1956. Вып. 26. С. 241.

46. Адирович Э.И. Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках / Э.И. Адирович, Г.М. Гуро // ДАН СССР. 1956. Вып. 108. С. 417.

47. Иглицин М.И. Время жизни неравновесных носителей заряда в германии при произвольных уровнях инъекции / М.И. Иглицин, Ю.А. Концевой, А.И. Сидоров //ЖТФ. 1957. Вып. 27. С. 2461.

48. Clarke D. Время жизни в полупроводниках как функция плотности рекомбинационных состояний / D. Clarke // J. Electr. a. Control. 1957. V. 3. P. 375.

49. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков. М.: Мир, 1973. 456 с.

50. R.H. Bube //Journ. Chem. Phys. 1957. Vol. 27. P. 496.

51. A. Kobayashi, S. Kawaji // Journ. Phys. Soc. 1955. Vol. 10. P. 270.

52. S.R. Morrison // Journ. Phys. Chem. 1953. Vol. 57. P. 860.

53. Ф.Ф. Волькенштейн, И.В. Карпенко // Journ. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. P. 460.

54. G. Brincourt, S. Martinuzzi // Compt. Rend. 1968. Vol. 266. P. 1283.

55. Shapira Y. Relationship between photodesorption and surface conductivity in ZnO / Y. Shapira, R.B. McQuistan, D. Lichtman // Physical Review B. 1977. Vol. 15. No. 4. P. 2163 -2169.

56. Photosensitivity activation of Sn02 thin film gas sensors at room temperature / P. Camagni, G. Faglia, P. Galinetto, C. Perego, G. Samoggia, G. Sberve-glieri // Sensors and Actuators В Chemical. 1996. Vol. 31. P. 99 103.

57. Detection mechanism of metal oxide gas sensor under UV radiation / S. Mishra, C. Ghanshyam, N. Ram, R.P. Bajpai, R.K. Bedi // Sensors and Actuators В Chemical. 2004. Vol. 97. P. 387 390.

58. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices: second, ed. / S.M. Sze. New York: Miley, 1981. 255 p.

59. Мухина // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 742 -746.

60. Пат. 2114422 Российская Федерация, МПК6 G 01 N 27/12 Полупроводниковый датчик газов / С.И. Рембеза, Ю.Б. Ащеулов, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, Г.В. Горлова № 97106228/25; Бюл. №18.-3 е.: ил.

61. Технологические схемы изготовления микроэлектронных датчиков газов / С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов // Электроника и информатика: материалы IV Междунар. науч.-техн. конф. М.: МИЭТ, 2002. С. 342 343.

62. Джоветт Ч.Е. Технология тонких и толстых пленок для микроэлектроники: пер. с англ. / Ч.Е. Джоветт. М.: Металлургия, 1980. 112 с.

63. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов / С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов, Д.Ю. Куликов // Сенсор.2004. № 1(10). С. 20-28.

64. Рембеза С. И. Термостабилизация микроэлектронных датчиков газов / С.И. Рембеза, Д.В. Русских // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Вып. 5. С. 125 128.

65. Высокотемпературный отжиг тестовых структур полупроводниковых датчиков газов / Д. В. Русских, С. И. Рембеза, В. А. Буслов, Д. Ю. Куликов // Актуальные проблемы физики твердого тела: сборник докладов Междунар. науч. конф. Минск, 2007. Т. 2. С. 375 377.

66. Свистова Т.В. Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов: дис. канд. техн. наук: 05.27.01 / Свистова Тамара Витальевна. Воронеж, 1999. 186 с.

67. Газовая чувствительность микроэлектронных датчиков газов / Д.А. Кравцов, Д.Ю. Куликов, Д.Б. Просвирин, Д.В. Русских, С.И. Рембеза // Охрана, безопасность и связь: материалы Всерос. науч.-практ. конф. Воронеж,2005. С. 27.

68. Газовая чувствительность датчика изготовленного по микроэлектронной технологии / С.И. Рембеза, В.А. Буслов, Д.Ю. Куликов, С.Ю. Жи-ронкин // ФАГРАН-2006: материалы III Всерос. конф. Воронеж, 2006. Т. 1. С. 422 424.

69. Пантелеев В.И. Исследование чувствительности микроэлектронных датчиков газов к водороду / В.И. Пантелеев, Д.В. Русских // Вестник научно-исследовательской работы студентов физико-технического факультета: сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 9 16.

70. Сборник трудов по полупроводниковым материалам, приборам и их применению. Воронеж: Коммуна, 1973. 204 с.

71. Рембеза С.И. Изменение электросопротивления тонких пленок SnC>2 под действием оптического возбуждение / С.И. Рембеза, Д.В. Русских // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Т. 2.№ 11. С. 73-77.

72. S. Samson, C.G. Fonstad // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. No. 10. P. 4618 -4621.

73. C.G. Fonstad, R.H. Rediker // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. No. 7. P. 2911 -2918.148