Релаксационная поляризация в диэлектриках с большой сквозной электропроводностью тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Богатин, Александр Соломонович

• Богатин, Александр Соломонович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Богатин, Александр Соломонович

Введение.

1 Релаксационная поляризация в диэлектриках.

1.1 Виды релаксационной поляризации.

1.2 Поляризация, связанная с электрическими неоднородностями.

1.3 Сегнетоэлектрики-релаксоры.

1.4 Позисторы.

1.5 Влияние сквозной электропроводности на дебаевские спектры.

1.6 Недебаевские распределения релаксаторов.

2 Методики экспериментальных исследований.

2.1 Получение керамических образцов.

2.2 Методики исследований.

3 Сильные и слабые релаксационные поляризации в недебаевских диэлектриках.

3.1 Релаксационные поляризации с распределением

Коула-Коула.

3.2 Распределения Дэвидсона-Кола, Гавриляка-Негами, Диссадо-Хилла.

3.3 Релаксационные поляризации с ограниченной частотной областью распределения релаксаторов.

3.4 Причины разделения релаксационных поляризаций на сильные и слабые

3.5 Диэлектрики с сильными и слабыми релаксационными поляризациями.

4 Импедансная спектроскопия как способ описания релаксационной поляризации.

4.1 Мнимая часть импеданса и модуль отклика.

4.2 Эффекты электрической гетерогенности.

4.3 Гигантское увеличение диэлектрической проницаемости и удельной электропроводности гетерогенных диэлектриков.

4.4 Повышение чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий.

4.5 Частотное управление температурным коэффициентом сопротивления диэлектрика в процессе релаксационной поляризации.:.

5 Взаимосвязь частотных областей дисперсии диэлектрической проницаемости и электропроводности.

6 Тепловые и электрические релаксационные процессы в электрических цепях с позисторами.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Релаксационная поляризация в диэлектриках с большой сквозной электропроводностью»

Актуальность темы. Процессы релаксационной поляризации дают информацию об энергетических спектрах широкого круга активных материалов, таких как электреты, сегнетоэлектрики, ферриты, мультиферроики и другие, которые традиционно являются объектами физики конденсированного состояния. Во многих из них сквозная электропроводность велика, а ее влияние на процесс исследования релаксационной поляризации в диэлектриках принято было считать одной из основных трудностей таких исследований. Увеличение сквозной электропроводности приводит к сглаживанию частотных зависимостей, как мнимых частей комплексной диэлектрической проницаемости, так и тангенса угла диэлектрических потерь, что затрудняет, а при достаточно больших величинах <ту/ и вовсе делает невозможным определение параметров процессов релаксационной поляризации. Во всех учебниках и монографиях по физике диэлектриков наличие электропроводности признается фактором, мешающим исследованиям, но специального изучения влияния сквозной электропроводности на диэлектрические спектры не проводилось.

Изучение закономерностей влияния сквозной электропроводности на диэлектрические спектры диэлектриков с различным распределением релаксаторов и выявление условий возникновения этого явления, безусловно, необходимо. Необходимо также классифицировать диэлектрики по различной степени влияния сквозной электропроводности на процессы релаксационной поляризации, что позволило бы глубже разобраться с физическими причинами подобной классификации, что, в свою очередь, позволило бы уточнить причины влияния электропроводности на диэлектрические спектры.

Релаксационная поляризация и, в частности, процессы, связанные с гетерогенностью диэлектриков по электрическим свойствам их компонентов и фаз, выходят на первое место при разработке материалов, обладающих уникальными физическими свойствами. Свойствами элементов из этих материалов можно управлять, меняя частоту электрического поля, и получать элементы, обладающие гигантской диэлектрической проницаемостью и гигантской электропроводностью в переменных электрических полях. Интересно, что эти уникальные физические свойства в ряде случаев усиливаются за счет возрастания сквозной электропроводности. Развитие методов использования релаксационной поляризации для создания элементов с частотно управляемым температурным коэффициентом сопротивления, увеличения чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий, управления взаимосвязью между гигантским ростом диэлектрической проницаемости и гигантским ростом электропроводности, несомненно, актуально.

Анализ тепловых и электрических релаксационных процессов, возникающих при протекании электрического тока через терморезисторы, и разработка физических основ работы этих устройств позволяют разработать физические методы термостабилизации с использованием позисторов на основе сегнетоэлектриков в режиме неизменного тока для создания твердотельных датчиков и самоуправляемых позисторных термостатов. Их широко используют в энергетике и автоматике, их физические принципы лежат в основе некоторых энергосберегающих технологий.

Таким образом, возникает актуальное научное направление исследования взаимодействия сквозной электропроводности, релаксационных и быстрых поляризационных явлений, на основе которого выявляются новые физические закономерности, управляющие свойствами активных материалов, что позволяет создавать принципиально новые элементы и устройства. Поэтому тема диссертации, где предложено и развивается это направление, актуальна и своевременна. Работа призвана сыграть роль связующего звена между возможностями развития релаксационных поляризаций в диэлектриках с большой сквозной электропроводностью и использованием этих процессов для создания элементов твердотельной электроники.

Цель работы: выявить закономерности влияния большой сквозной электропроводности на релаксационную поляризацию в твердых диэлектриках с различным распределением релаксаторов и определить физические основы получения активных материалов на их основе для создания принципиально новых элементов и устройств.

Основные задачи работы:

1. Подробный анализ влияния сквозной электропроводности на диэлектрические спектры различных диэлектриков.

2. Определение соотношения между вкладами в диэлектрическую проницаемость релаксационных и быстрых поляризационных процессов, приводящих к принципиально различному влиянию сквозной электропроводности на частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь.

3. Определение соотношения между вкладами в диэлектрическую проницаемость релаксационных и быстрых поляризационных процессов, приводящих к различной частотной зависимости мнимых частей комплексной проводимости.

4. Разработка классификации диэлектриков с релаксационной поляризацией по соотношению между вкладами в диэлектрическую проницаемость релаксационных и быстрых поляризационных процессов и выявление физических причин существования двух видов таких диэлектриков.

5. Установление причин развития дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости в различных частотных диапазонах для недебаевских диэлектриков.

6. Выявление оптимальных характеристик релаксационной поляризации в твердых диэлектриках, имеющих большие величины электропроводности.

7. Разработка твердотельных элементов и методов, улучшающих их функционирование за счет использования процессов релаксационной поляризации.

8. Разработка новых направлений использования позисторов на основе анализа релаксационных тепловых и электрических процессов в терморезисторах при протекании в них электрического тока.

Объекты исследования: твердые диэлектрики, в которых имеют место процессы релаксационной поляризации и сквозная электропроводность, но отсутствует взаимодействие на микроуровне между релаксаторами и частицами, отвечающими за перенос заряда при сквозной электропроводности - в теории;

- поликристаллические Ва8пОз, СсГПОз, РЬРе1/2№>1/20з, ^Ре^шОз (А = Ва, 8г и Са; В = №>, Та и 8Ь) и легированный полупроводниковый ВаТЮз - в эксперименте;

- поликристаллические ВаРе^Мэ^Оз; (1 -х)РЬ(Ре2/3 \¥1/з)Оз-.х:РЬТЮз (х = 0,1); Ьа2/5Саз/5Мп2/5Т1з/5Оз; ЬаМп^Со^Оз^; Ьа2/5Саз/5Мп2/5Т1з/5Оз; Ьа3/28г1/2№04; Ьа5/з8г1/з№04; МпРе204; (МЪ8е4)31; НаМп7012; СаСи3Т14012; Са1.3х/2НЬхСи3Т14012; и Ь1-М-7п; пленки 8го;94В13;24Та209 и некоторые пластифицированные нанокомпозитные полимеры - из литературы.

Научная новизна. Большинство концепций диссертационной работы является новым. Для диэлектриков при релаксационных поляризациях с различными распределениями релаксаторов впервые обнаружено влияние электропроводности на частотную зависимость тангенса угла диэлектрических потерь, приводящее в экстремумах к увеличению разности значений тангенса угла диэлектрических потерь, а не к ее уменьшению, как полагали ранее. Впервые определены величины электропроводности диэлектриков, при которых отсутствуют экстремумы в частотных зависимостях мнимых частей их комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Впервые выявлены условия возникновения экстремумов в частотных зависимостях мнимых частей комплексной проводимости.

Показано, что мнимая часть диэлектрической проницаемости - менее информативная физическая величина, характеризующая релаксационную поляризацию при большой электропроводности диэлектриков, по сравнению с тангенсом угла диэлектрических потерь. Найдена причина различия дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости в различных частотных диапазонах для недебаевских диэлектриков. Показана необходимость и обоснована физика разделения процессов релаксационной поляризации в диэлектриках на два вида. Определены отношения электрических параметров компонентов гетерофазных диэлектриков, необходимые для гигантского роста диэлектрической проницаемости и проводимости вместе или порознь.

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА

ЗАЩИТУ

1. В диэлектриках с большой сквозной электропроводностью и большой релаксационной поляризацией возможны два вида частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь: с экстремумами и без экстремумов. В первом случае релаксационная поляризация названа сильной, во втором - слабой. В частотных зависимостях мнимой части комплексной проводимости для недебаевских диэлектриков экстремумы имеются только при развитии сильной релаксационной поляризации.

2. Причиной перехода от слабой релаксационной поляризации к сильной является увеличение относительного вклада в поляризованность диэлектрика релаксационной (медленной) поляризации, по сравнению с быстрыми поляризационными процессами.

3. Экстремумы в частотных зависимостях тангенса угла диэлектрических потерь для недебаевских диэлектриков сохраняются при больших величинах сквозной электропроводности, чем экстремумы в частотных зависимостях мнимых частей диэлектрической проницаемости, что позволяет обнаруживать релаксационную поляризацию по частотным зависимостям тангенса угла диэлектрических потерь при больших величинах сквозной электропроводности, чем по частотным зависимостям мнимых частей диэлектрической проницаемости.

4. Для недебаевских диэлектриков, характеризующихся ограниченной со стороны малых времен непрерывной областью распределения времен релаксации, имеет место значительное различие средних частот релаксации проводимости и диэлектрической проницаемости, что обусловлено увеличением статистического веса релаксационных процессов с малыми временами релаксации и большой начальной проводимостью абсорбционных токов.

5. Совместное включение в электрическую цепь терморезисторов с разными по знаку температурными коэффициентами сопротивления позволяет осуществлять индуцированную термостабилизацию — поддержание неизменности температуры одного из терморезисторов при изменении температуры окружающей среды за счет автоматического воздействия второго терморезистора.

Научная и практическая значимость основных результатов. Результаты изучения влияния электропроводности на диэлектрические спектры диэлектриков позволяют существенно упростить их диэлектрические исследования. Для определения энергии активации релаксационного процесса в ряде случаев отпадает необходимость учитывать вклад сквозной электропроводности в величинах тангенса угла диэлектрических потерь. Таким образом, появляется обоснованная возможность с равным успехом определять эту энергию либо из частотных и температурных зависимостей мнимых частей комплексной диэлектрической проницаемости и/или тангенса угла диэлектрических потерь, либо из частотных зависимостей мнимых частей комплексной электропроводности.

Установленные закономерности развития процессов релаксационной поляризации позволили предложить способы увеличения чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий, частотного управления знаком и величиной температурного коэффициента сопротивления диэлектриков и на этой основе созданы защищенные авторскими свидетельствами материалы для конденсаторов с частотно зависимой емкостью и другие устройства. В результате анализа режимов саморегулирования температуры в терморезисторах разработаны принципы создания новых датчиков перегрева и переохлаждения помещений, простые по устройству терморегулирующие элементы, генераторы инфранизкочастотных электрических и тепловых колебаний.

Апробация основных результатов работы происходила на 5 - 7, 9 - 12 Всесоюзн. конф. по физике сегнетоэлектриков (Днепропетровск, 1966, Рига, 1968, Воронеж, 1970, Ростов-на-Дону, 1979, Минск, 1982, Черновцы, 1986, Ростов-на-Дону, 1989); 13, 15 и 18 Всероссийск. конф. по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 1992, Ростов-на-Дону, 1999, С.-Петербург, 2008), Всесоюзн. межвуз. конф. по элементам радиоэлектронных устройств и микроэлектроники на диэлектриках (Киев, 1967); Всесоюзн. конф. «Новые пьезоматериалы и их применение» (Москва, 1969); 3 и 4 Всесоюзн. сов. по химии твердого тела (Свердловск, 1981, 1985); Всесоюзн. сем. «Состояние и перспективы развития методов получения и анализа ферритов, сегнето-, пьезоэлетрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них» (Донецк, 1983); 2 Всесоюзн. конф. «Актуальные проблемы получения и применения сегнето-, пьезоматериалов» (Москва, 1984); 6 Всесоюзн. конф. по физике диэлектриков (Томск, 1988), 3 Всесоюзн. конф. по физико-химическим основам техники сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород, 1988); Междунар. симп. по применению сегнетоэлектриков (Иллинойс, США, 1990); 7 Европейск. конф. по сегнетоэлектрикам (Дижон, Франция, 1991); 6 и 8 Междунар. сем. по физике полупроводников-сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1993, 1998), Российск. научно-техн. конф. по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 1993, 1997); 9 Междунар. конф. по сегнетоэлектрикам (Сеул, Корея, 1997), 4 Европейск. конф. по сегнетоэлектрикам и их применению (Швейцария, 1997); 9, 11 и 12 Междунар. конф. по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 2000, 2008, 2011); 3 Междунар. сем. по сегнетоэлектрикам-релаксорам (Дубна, 2000); 5, 7, 11 - 13 Междунар. междисцип. симп. «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (п. JIoo, 2002, 2004, 2008, 2009, 2010); 11-13 Междунар. междисцип. симп. «Упорядочение в минералах и сплавах» (п. JIoo, 2008, 2009, 2010), 6 Междунар. сем. по сегнетоэластикам (Воронеж , 2009); 22 Междунар. конф. «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010).

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано 115 работ, из них 29 в журналах, рекомендованных ВАК Минобрнауки РФ, получено 5 авторских свидетельств СССР. Основными публикациями являются 53 статьи и 5 авторских свидетельств СССР, список которых приведен в конце автореферата.

Личный вклад автора в разработку проблемы. Постановка цели, задач, планирование работы, анализ результатов проводились автором совместно с научным консультантом профессором Туриком A.B. и при участии соавторов совместных публикаций. Изготовление образцов керамических материалов на основе титаната бария проводились автором при участии доцента Богатиной В.Н., остальные исследованные материалы были предоставлены профессором Раевским И.П. Измерения и обработка их результатов проводились совместно с соавторами соответствующих публикаций. Большую помощь в компьютерных расчетах оказали доцент Ковригина С.А. и аспирант Андреев Е.В. Автору принадлежат идеи:

- возможности двух видов частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь и мнимых частей комплексной проводимости;

- изменения вида этих зависимостей при изменении соотношения вкладов в поляризованность вещества релаксационных и быстрых поляризационных процессов;

- повышения чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий с использованием релаксационной поляризации;

- возможности частотного управления температурным коэффициентом электрического сопротивления в диэлектриках с релаксационной поляризацией;

- возможности осуществления индуцированной термостабилизации терморезисторов и их детермостабилизации;

Автором лично сформулированы основные научные положения, выносимые на защиту, результаты и выводы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Богатин, Александр Соломонович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ: ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. При некоторых взаимосвязях между быстрыми и релаксационными поляризациями в диэлектриках большая сквозная электропроводность не вызывает исчезновения экстремумов в частотных зависимостях тангенса угла диэлектрических потерь. По воздействию сквозной электропроводности на частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь релаксационные поляризации разделены на две группы, поляризации в которых названы нами: сильные и слабые.

2. При развитии сильной релаксационной поляризации в диэлектриках в частотных зависимостях мнимых частей комплексной проводимости имеются экстремумы, при развитии слабых релаксационных поляризаций они отсутствуют.

3. Тангенс угла диэлектрических потерь является более чувствительной характеристикой процесса релаксационной поляризации при наличии в диэлектрике сквозной электропроводности, чем мнимая часть диэлектрической проницаемости.

4. Установлена причина разделения релаксационных поляризаций на сильные и слабые - изменение соотношения между вкладами в поляризованность вещества релаксационных и быстрых поляризационных процессов.

5. Исследование релаксационных поляризаций с распределениями релаксаторов : Коула-Коула, Дэвидсона -Коула, Гавриляка-Негами, Фрелиха, Хигаси, Диссадо-Хилла и некоторыми другими позволило определить границы между сильными и слабыми релаксационными поляризациями при различных параметрах распределения этих поляризаций.

6. По литературным данным найдены диэлектрики с сильными релаксационными поляризациями.

7. Высказано мнение о причинах нелинейности зависимости 1пт (1/Т) в позисторах.

8. Разработаны материалы для конденсаторов с переменной частотно управляемой емкостью, защищенные авторскими свидетельствами Разработан метод частотного управления температурным коэффициентом электрического сопротивления в диэлектриках с релаксационным процессом поляризации, метод повышения чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий с использованием процессов релаксационной поляризации. На основе разработанных методов созданы реализующие их устройства.

9. Для недебаевских диэлектриков, имеет место значительное различие средних частот релаксации проводимости и диэлектрической проницаемости. Найдена причина этого явления.

10. Исследована динамика установления теплового равновесия в терморезисторах, через которые протекает электрический ток. Выявлены особенности наступления этого равновесия в режимах неизменного напряжения и неизменного тока. На основе этого обсуждены возможности осуществления автотермостабилизации, детермостабилизации, индуцированной термостабилизации, получения тепловых и электрических инфранизкочастотных колебаний. Часть эффектов исследована экспериментально, для остальных проведено компьютерное моделирование.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Богатин, Александр Соломонович, 2011 год

1. Розенберг, Ф. История физики. Т.2. / Ф. Розенберг // ОНТИ / M-JI, 1937. -312 с.

2. Иоффе, А.Ф. Избранные труды в 2 т. Т.1. Механические и электрические свойства кристаллов / А.Ф. Иоффе // Наука, 1974. 326 с.

3. Kronig, R.de L. On the theory of dispersion of Х-rays/ R.de L. Kronig //J.Opt.Soc. Am.-1926.-V.12.-P.547-557.

4. Фрёлих, Г. Теория диэлектриков. / Г. Фрёлих // Издательство иностранной литературы / М, 1960. 251 с.

5. Maxwell, J.C. A Dynamical Theory of the Electromagnetic Field / J.C. Maxwell//Oxford, 1864.

6. Курчатов, И.В. Собрание научных трудов. Сегнетоэлектрики. Т.1 / И.В. Курчатов // Наука, ГТТИ / М, 1933. 576 с.

7. Френкель, Я.И. Кинетическая теория жидкости / Я.И. Френкель // Изд. АН СССР/М-Л, 1945.-592 с.

8. Дебай, П. Полярные молекулы / П. Дебай // ГНТИ / М-Л, 1931. 247 с.

9. Сканави, Г.И. Физика диэлектриков / Г.И. Сканави // ГИТТЛ / М-Л, 1949. 500 с.

10. Smyth, С.Р. Dielectric behavour and structury / C.P. Smyth // New York, 1955. 1 l.Pellat, С Polarisation et Optique Cristalline. Саггй / С. Pellat // Paris, 1896. -285 p.

11. Сурис, P.А. К теории диэлектрической проницаемости анизотропной среды, поляризуемой с конечной скоростью / Р.А. Сурис, В.Н. Финкельштейн // Изв. АН СССР, сер. физ. 1960. - Т.24, №1 - С. 189-191.

12. Сканави, Г.И. Диэлектрические поляризации и потери в стеклах и керамических материалах с высокой диэлектрической проницаемостью / Г.И. Сканави // Госэнергоиздат / М-Л, 1952-185 с.

13. Сканави, Г.И. Новый вид диэлектрической поляризации и потерь в поликристаллических диэлектриках / Г.И. Сканави, А.И. Демишина //

14. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1949. - Т. 19, № 1. - С. 3-17.

15. Реймеров, JI.P^Электронно-релаксационные процессы в двуокиси титана / Л.И. Реймеров // Журнал технической физики. 1959. - Т. 29, № 2. - С. 261266.

16. Богородицкий, Н.П. Электрофизические основы высокочастотной керамики / Н.П. Богородицкий, Н.Д. Фридберг// Госэнергоиздат / M-J1, 1958. 192 с.

17. Volger, J., Electric Dipoles due Trapped Electrons / J. Volger, J.M. Stevels // Philips Res. Rep. 1956. - V. 11. № 79. - P. 452.

18. Wagner, K.W. Erklärung der dielektrishcen Nachwirkungsvorgange auf Grund Maxwellscher Vorstellungen. / K.W. Wagner // Arch. Elektrotechn., 1914. B.2 -S. 371-387.

19. Брагин, C.M. Теория и практика пробоя диэлектрика / С.М. Брагин, А.Ф. Вальтер, Н.И. Семенов // М-Л, 1929. 383 с.

20. Нетушил, A.B. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников / Б.Я. Жуховицкий, В.Н. Кудин, Е.П. Парини // ГЭИ / М-Л, 1959. 480 с.

21. Воробьев, Г.А. Физика диэлектриков / Г.А.Воробьев // Изд-во Томского ун-та / Томск, 1977. 252 с.

22. Губин, С.Н. Физика диэлектриков / С.Н. Губин // ВШ / М, 1971. 268 с.

23. Койков, С.Н. Физика диэлектриков. Область сильных полей (конспект лекций) / С.Н. Койков // Изд-во Ленинградского ун-та/ Л, 1974. 185 с.

24. Борисова, М.Э. Физика диэлектриков / М. Э. Борисова, С.Н. Койков // Изд-во Ленинградского ун-та/ Л, 1979. 239 с.

25. Челидзе, Т.Л. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем / А.И. Деревянко, О.Д. Куриленко // Наукова думка / Киев, 1977. 230 с.

26. Хиппель, А.Р. Диэлектрики и волны / А.Р. Хиппель // Издательство иностранной литературы. М, 1960. 440 с.

27. Shen, M. Dielectric enhancement and Maxwell-Wagner effects in poly crystalline ferroelectric multi-layered thin films // M. Shen, GeS. CaOw // J. Phys. D. Appl. Phys. 2001. - V. 34. - P. 2935-2938.

28. Харитонов, E.B. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой / Е.В. Харитонов // Радио и связь / М, 1983. 128 с.

29. Старусева, С. Ф. Определение предельного коэффициента абсорбции и эффективного времени релаксации / С. Ф. Старусева, Н.А Моисеева, И.Б. Оболочик и др. // Вест. Харьковского политехнического института, 1981. -Вып. 7, № 150.-С.603-509.

30. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем. 2. Статистические смеси невытянутых частиц / В.И. Оделевский // ЖТФ. 1951. - Т.21Б, № 6. - С. 678-685.

31. Bruggeman, D.A. Verschidener physikalischen Konstanten von heterogenen Substanzen / D.A. Bruggeman G. Berechnung// Ann. Phys. 1935. - B. 24, № 5. -S. 636-679.

32. Харитонов, E.B. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой / E.B. Харитонов // Радио и связь / М, 1983. 128 с.

33. Samara, G.A. The relaxational properties of compositionally disordered ABO3 perovskites / G.A. Samara //J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - V.15. - P.R367-R411.

34. Cross, L.E. Relaxor ferroelectrics / L.E. Cross // Ferroelectrics. 1987. - V.76, №1/2.-P.241-267.

35. Cross, L.E. Relaxor ferroelectrics: an overview / L.E. Cross // Ferroelectrics. -1994. V.151. - P.305-320.

36. Исупов, В.А. Природа физических явлений в релаксорах /В.А. Исупов // Физика твердого тела. 2003. - Т.45, №6. - С. 1056-1060.

37. Гриднев, С.А. Введение в физику неупорядоченных полярных диэлектриков: Учеб. пособие / С.А. Гриднев, JI.H. Коротков // Воронеж, гос. техн. ун-т/ Воронеж, 2003. 199 с.

38. Glinchuk, M.D. Random field theory based model for ferroelectric relaxors / M.D. Glinchuk, R.A. Farhi // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. - V.8. - P. 69856996.

39. Ravez, J. Some solid state chemistry aspects of lead-free relaxor ferroelectrics / J. Ravez, A. Simon // J. Solid State Chem. 2001. - V.162. - P.260-265.

40. Chen, A. Ferroelectric relaxor Ba(Ti,Ce)03 / A Chen, J. Zhi, Y. Zhi // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V.14. - P.8901-8912.

41. Salak, A.N. Evolution from Ferroelectric to Relaxor Behavior in the (1-x)BaTi03 xLa(Mg1/2Ti1/2)03 System / A.N. Salak, M.P. Seabra, V.M. Ferreira // Ferroelectrics. - 2005. - V.318. - P.185-192.

42. Levstik, A. Glassy freezing in relaxor ferroelectric lead magnesium niobate / A. Levstik , Z. Kutnjak, C. Filipic, R. Pirc // Phys.Rev. 1998. - V. B57, №18. -P.l 1204-11211.

43. Полупроводники на основе титаната бария. // Энергоиздат / М, 1982. -328 с.

44. Sauer, H.A. Positive temperature coefficient thermistors / H.A. Sauer, S.S. Flaschen // Proceedings of the Electronic Components Symposium, Washington. -1956. P. 41-46.

45. Harman, G.G. Electrical properties of BaTi03 containing samarium/ G.G. Harman // Phys. Rev. 1957. - V. 106. - P. 1358-1359.

46. Roup, R.R. A review of developments and current trends in ceramic dielectrics used for capacitor applications / R.R. Roup // J. Amer. Ceram. Soc. 1958. - V.41. -P. 499-501.

47. Keller, C.P. Optical spectra of rare earth activated BaTi03 / C.P. Keller, A.D. Pettit J. // Chem. Phys. 1959. - V. 31. - P. 1272-1279.

48. Sauer, H.A. Piezoresistance and piezocapacitance effect in barium strontium titanate / H.A. Sauer, S.S. Flaschen, D.C. Hoestereg // J. Amer. Ceram.Soc. 1959.- V. 42. P. 363-366.

49. Saburi, O. Properties of semiconductive barium titanates / O. Saburi // J. Phys. Soc. Japan. 1959. - V. 14. - P. 1159-1174.

50. Saburi, O. Piezoresistivity in semiconductive barium titanates / O. Saburi // J. Phys. Soc. London. 1960. - V.15. - P. 733-734.

51. Saburi, O. Physical Properties of BaTi03 semiconductors. / O. Saburi // -3Bussei. -1961, № 2. - P. 581-593.

52. Saburi, O. Semiconducting bodies in the family of barium titanates / O. Saburi // J. Amer. Ceram. Soc. 1961. - V.44. - P. 54-63.

53. Heywang, W. Uber Anomale Halbleitereffekte in BaTi03 / W. Heywang // Solid State Physics in Electronics and Telecommunications. 1960. - V. 4. - P. 877-881.

54. Heywang, W. Bariumtitanat als Sperrschtalbleiter / W. Heywang // Solid-State Electronics. 1961. - V. 3. - P. 1-58.

55. Heywang, W. Die Verlauf des komplexen Widerstandes von BaTi03 Kaltleiter als Bestätigung des Sperrschichtmodells / W. Heywang // Z. angew. Phys. 1963.- Bd.6.-S. 1-5.

56. Богданов, C.B. Полупроводниковые свойства BaTi03 / C.B. Богданов, B.A. Рассушин // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. - Т. 24. - С. 1248-1250.

57. Яценко, А.Ф., Некоторые электрические свойства титаната бария с добавлениями редкоземельных элементов / А.Ф. Яценко, Т.П. Попова // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. - Т.24. - С. 1310-1313.

58. Яценко, А.Ф. Зондирование поля кристаллической решетки BaTi03 с добавлением редкоземельных элементов / А.Ф. Яценко, JI.M. Рабкин // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. - Т. 24. - С. 1314-1317.

59. Текстер-Проскурякова, Г.Н. Полупроводниковые титанаты бария и стронция с положительным температурным коэффициентом сопротивления /Т.Н. Текстер-Проскурякова // Физ. твердого тела. 1963. - Т. 5. - С. 34633472.

60. Шефтель, И.Т. Терморезисторы. / И.Т. Шефтель // М, 1973. с. 416.

61. Прокопало, О.И. Электропроводность сегнетоэлектриков со структурой перовскита / О.И. Прокопало // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. - Т. 39, № 5. -С. 995-999.

62. Kawabe, К. Electrical conduction and breakdown in ВаТЮз single crystals / K. Kawabe, S. Uemats, Y. Inuishi // J. Inst. Elect. Engrs. Japan. 1964. - V. 84. - P. 1414-1420.

63. Ротенберг, Б.А. Электрические и радиоспектроскопические исследования титаната бария с добавками трехвалентных элементов / Б.А. Ротенберг, Ю.Л. Данилюк, Е.И. Гиндин и др. // Физика твердого тела. 1965. - Т.7. - С. 30483053.

64. Murakami, T. The barrier height of metal- ВаТЮзх contacts / T. Murakami // J. Phys. Soc. Japan. 1967. - V. 23. - P. 457-462.

65. Забара, Ю.В. Положительный температурный коэффициент сопротивления в монокристалле BaTi03 вблизи точки Кюри / Ю.В. Забара, А.Ю. Кудзин, А.С. Барабан // Изв. Вузов. Физика. 1972. - № 11. - С. 134137.

66. Gerthsen, Р. Eine Methode zum direkten Nachweise von Leitfakigkeitsinhomogenitaten an Korngranzen / P. Gerthsen, K.N. Hardtl // Z. Naturforsch. 1963. - Bd. 18a. - S. 423-424.

67. Heywang, W. Zum Aufbau der Sperrschichten in kaltleitenden Bariumtitanat / W. Heywang, H. Brauer // Solid State Electronics. 1965. - V. 8. - P. 129-135.

68. Rehme, H. Elektronenmicroskopischen Nachweis von Sperrschichten in Bariumtitanat Kaltleiterkeramik / H. Rehme // Phys. Status Solidi. - 1966. - V. 18.-P. 101-102.

69. Бойс, Г.В. Релаксационная поляризация в полупроводниковом титанате бария / Г.В. Бойс, H.A. Михайлова // Физ. твердого тела. 1968. - Т. 10. - С. 630-633.

70. Прокопало, О.И. Титанат бария / О.И. Прокопало, Е.Г. Фесенко и др. // Издательство Ростовского ун-та / Ростов-на-Дону, 1971. С. 214.

71. Pat. № 3116262 USA. Ceramic composition Cl. 252-519 // Goodman G. 1963.

72. Numara S. PTC effect in PbFe1/2Nbi/203 / S. Numara, K. Doi // Japan. J. Appl. Phys. 1970. - V. 9, № 6. - P. 716.

73. Гуревич, B.M. Электропроводимость сегнетоэлектриков. / B.M. Гуревич // Изд. Комитета стандартов / М, 1969. 384 с.

74. Раевский, И.П. Аномалии электропроводности сегнетоэлектриков в области фазовых переходов различных типов / И.П. Раевский, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. - Т. 51, № 12. - С. 22622264.

75. Бондаренко, Е.И. Эффект положительного температурного коэффициента сопротивления в титанате калия-висмута / Е.И. Бондаренко, А.Н, Павлов, И.П. Раевский, О.И. Прокопало, С.М. Емельянов, П.Ф. Тарасенко // ФТТ. -1985. Т. 27, № 8. - С. 2530-2533.

76. Раевский, И.П. Позисторный эффект в титанатах калия-висмута, натрия-висмута и твердых растворах на их основе / С.Н. Емельянов, A.JI. Боков, Ю.М. Попов, А.Н. Павлов // ЖТФ. 1988. - Т. 58, № 9. - С. 1762-1768.

77. Nemoto, H. Direct examination of PTC action of single grain boundaries in semiconducting ВаТЮз ceramics / H. Nemoto, I. Oda // J. Amer. Ceram. Soc. -1980. V.64, № 78. - P. 398-401.

78. Bramecha, B.G. Resistivity anomaly in semicondacting ВаТЮз / B.G. Bramecha, K. P. Sinha // Japan. J. Appl. Phys. 1971. - V. 10, № 4. - P. 496-504.

79. Vinetskii, V.L. On the nature of the anomalous electric conductivity of ferroelectrics in the phase transition region / V.L. Vinetskii, M.A. Itskovskii, L.S. Kukushkin // Phys. Status. Solidi. 1970. - V. 39, №1. - P. K23-K27.

80. Peria, W.T. Possible explanation of positive temperature coefficient in resistivity of semiconductivity ferroelectrics / W.T. Peria, W. R. Bratchan, R.D. Fenity // J. Amer. Ceram Soc. 1963. - V. 46, № 1. - P. 48-54.

81. Goodman, G. Electrical conduction anomaly in samariumdoped barium titanate / G. Goodman // J. Amer. Ceram. Soc. 1963. - V. 46, № 1. - P. 48-54.

82. Brauer, H. Widerstandsanomalie in halbleitender BaTi03 keramik in bereich unterhalb der Curietemperatu / H. Brauer // Solid State Electron. 1974. - V. 17, № l.-P. 1013-1019.

83. Валеев, X.C. Нелинейные металлооксидные полупроводники. / X.C. Валеев, В.Б. Квасков // Энергоиздат / М, 1983. 160 с.

84. Heywang, W. Resistivity anomaly in doped barium / W. Heywang // J. Amer. Ceram Soc. 1964. - V. 47, №10. - P. 484-490.

85. Mallick, G.T. Current-voltage characteristics of semiconducting barium titanate ceramics / G.T. Mallick, P.R. Emtage // J. Appl. Phys. 1968. - V. 39, № 7. - P. 3089-3094.

86. Kulwicki, B.M. Diffusion potentials in BaTi03 and the theory of PTC materials / B.M. Kulwicki, A.J. Purdes // Ferroelectrics. 1970. - V.l, № 4. - P. 253-263.

87. Ковригина, C.A. Процессы релаксационной поляризации дебаевского и квазидебаевского типа в диэлектриках. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук/С.А.Ковригина// Ростов-на-Дону.-2008.-26 с.

88. Бердов, Г.И. К вопросу о диэлектрических потерях. / Г.И. Бердов // Известия ВУЗов. Физика. 1962. - №3. - С.9-11.

89. Богородицкий, Н.П. Теория диэлектриков. / Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волоковинский, А.А. Воробьев // Энергия / М, 1965. 344 с.

90. Cole,K.S. Dispersion and Absorbtion in Dielectrics / K.S. Cole and R.H. Cole //J. Chem. Phys.-1941.-V.9.- P.341-351.

91. Dawidson, D.W. Dialectric relaxation in Glycerol, Propylene Glucol and n-Propanol / D.W. Dawidson, R.H.Cole // J.Chem.Phys. 1951. - V.l9, №12. - P. 1484-1490.

92. Havriliak, S. Complex plane analysis of a-dispersions in some polymer systems / S. Havriliak, S.A.Negami // J. Polymer Sci.-Part. C-№14. P.99-117.

93. Nakamura, E. A Note of the Dielectric Relaxation in Ferroelectics/ E. Nakamura and K. Ishida// J. Phys. Soc. Japan. 1970.- V.29.- P.695-697.

94. Jonscher, A.K. Dielectric relaxation in solids/ A.K. Jonscher// J. Phys. D.: Appl. Phys.- 1999.- V.32.- P.57-70.

95. Dissado, L.A. / Non-exponential decay in dielectrics and dynamics of correlated systems / L.A.Dissado, R.M.Hill // Nature. 1979. - V.279. - P. 685689.

96. Matsumoto, A. Dielectric relaxation of nonrigal molecules at lower tempe rapture / A.Matsumoto, K.Higasi // J.Chemical Physick.- 1962. V.36, No7. -P. 1776-1787.

97. Hanai, Tetsuya. Dielectric Relaxation Profiles in a Theory of Interfacial Polarization Developed for Concentrated Disperse Systems of Spherical Particles/ Tetsuya Hanai,Yasuo Kita// Bull.Inst. Res., Kyoto Univ.-1980.-V.58,No 5-6.-P.534-547.

98. Dinzart, F. Improved five-parameter fractional derivative model for elastomers /F.Dinzart// Arcy. Mech., Warszawa. 2009.- V.61, №6.- P.459-474.

99. Asami, Koja. Characterization of heterogeneous systems by dielectric spectroscopy/ Koja Asami// Prog.Polym. Sci.- 2002.- V.27.- P. 1617-1659.

100. Bozdemir, Suleyman. A Critical examination of the dielectric Relaxation Teories About Non-Debye Response/ Suleyman Bozdemir//Commun.Fac.Sci.Univ.Ank. Serie A2,A3.-1989.- V.38.- P.47-66.

101. Ongaro, Roger. Comparison of the Bolzmann-Hopkinson and Debye-type approaches of the principle of superposition/ Roger Ongaro, Mochammed Garoum//J. Phys.l 11 France.-1994.- V.4.- P. 1033-1044.

102. Inoue,Masayoshi. Dielectric Relaxation in Ferroelectrics/ Masayoshi Inoue, Kazuo Furtjkawa// Rep.Fac.Sci. Kagoshima Univ. (Math. Phys. Chem.).-1974,- No 7.- P.37-45.

103. Hilfer, R. Fittung the exess wing in the dielectric a-relaxation of propylene carbonate/ R.Hilfer// J.Phys.:Condens.Matter.- 2002.- V.14.- P.2297-2301.

104. Dias, C.J. Determination of a distribution of relaxation frequencies based on experimental relaxational data1 C.J.Dias// Physical Review B.-1966.- V.53 (21).-P.14 212-222.

105. Pottier,N. Relaxation times distributions for anomalously diffusing particle/ N. Pottier// Physical Mechanics and its Applications.- 2011.- V.390 (16).-hal-00594695.

106. Fouss, Raymond M. Dipole Moments in Polyvinil Chloride-Dipheny Systems / Raymond M. Fouss, Joho G. Kirkwood //J.Amer. Chem.Soc.- 1941.- V.43,№2.-P.385-394.

107. Williams,G. Non symmetrical dielectric relaxation behavior arising from a simple empirical decay function / G. Williams, and D.C.Watts// Transaction of the Faraday Society Jap.-1970.- V.66,№1.- P.80-85.

108. Yeung, Y.Y. Pulse response of dielectric susceptibility/ Y.Y. Yeung, F.G.Shin// J.of Mater.Science-1991.- V.26.- P.1781-1787.

109. Kabir, Mohammed Firoz. Equivalent Circuit Modeling of the Dielectric Properties of Rubber Wood at Low Frequency/ Mohammed Firoz Kabir, Wan M. Daud, Kaida B.Khalid, Aziz H.A. Sidek// Wood and Fiber Science.-2000.- V.32 (4).- P.450-457.

110. Brachman, Malcolm K. Relaxation-Time Distribution Wiel Functions and the Kramers-Kronig Relations/ Malcolm K. Brachman, J.Ross. Macdonald// Physica XX.-1954.- P.1266-1270.

111. Brachman, Malcolm K. Generalized Immitance Kernels and the Kramers-Kronig Relations/ Malcolm K. Brachman, J.Ross. Macdonald// Physica XXI1.-1956.- P.141-148.

112. Zorn, Reiner. Logarithmic momentsof relaxation time distributions/ Reiner Zorn//J.of chemical Physics.- 2002.- V.l 16 (8).- P.3204-3209.

113. Shin, F.G.On the Connection Between the Spectral Function for Dielectric Susceptibility and non- linear differential Equation/ F.G. Shin, Y.Y. Yeung// J.of Mater. Sci.Lett.-1988.- V.7.- P. 1066-1067.

114. Barsoukov, Evgeniy. Impedance spectroscopy: theory, experiment and applications.- 2005.- John Wiley and Sons.- 595 p.

115. Новиков, Г.Ф. Явления переноса, электропроводность в диэлектриках (учебное пособие к курсу лекций)// -2000.-Воронеж-Черноголовка.- 202 с.

116. Кингери, У.Д. Введение в керамику/ У.Д.Кингери// М.-Издательство литератры по строительству.- 1967.- 499 с.

117. Джонс, В.Д. Прессование и спекание/ В.Д.Джонс/ М.-Мир.-1965.- 403 с.

118. Гегузин, Я.Е. Физика спекания/ Е.Я.Гегузин//М.-Наука.-1967.- 360 с.

119. Юшкевич, М.О. Технология керамики/ М.О.Юшкевич, М.И.Роговой // М.- Издательство литератры по строительству. -1969.-350 с.

120. Глозман, И.А. Пьезокерамика/ И.А.Глозман// Энергия.-М.-1972.- 288 с.

121. Новиков, В.В. Диэлектрическая релаксация Коул-Коула/ В.В.Новиков, О.А. Комкова //Технология и конструирование в электроаппаратуре.-2004.-Т.5.- С. 61-64.

122. Ярмаркин, В.К. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл /В.К.Ярмаркин, С.П.Тесленко // ФТТ .-1998.- Т.40,№10.- С.1915-1918.

123. Береснев, JI.A. Доменная мода в диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрических жидких кристаллов/ Л.А.Береснев, М.П.Пфайффер, В.Хаазе, М.В.Лосева, Н.И.Чернова, П.В.Адоменос// Письма в ЖЭТФ.- 1991.-Т.53 (3).- С.170-175.

124. Рагимов, Д.А. Теоретическая интерпретация областей абсорбции «средних частот» слабопроводящих диэлектриков при обмене полярными группами/Д.А.Рагимов, З.А.Татиев, Е.А.Алиев// Проблемы энергетики.-2004,№2.- С. 15-24.

125. Chobani,A. Bayesian inference of the Cole-Cole parameters from time- and frequency domain in duced polarization/ A.Chobani, C. Camerlynck, N.Florsch, P.Cosenza, A.Pevil// Geophysical Prospecting.- 2007.-V.55.- P.589-605.

126. Кобелев, A.B.Температурная зависимость СВЧ-диэлектрических свойств водных растворов иодидата калия// Журнал неорганической химии.-2011.-Т.56(4).- С.697-704.

127. Беляев, Б.А. Восстановление функций распределения времен релаксации жидких кристаллов 7СВ и 70СВ по диэлектрическим спектрам/ Б.А.Беляев, Н.А.Дрокин, В.Ф.Шабанов // ФТТ.- 2006.- Т.48,№5.- С.724-729 .

128. Солодуха, A.M. Степенные показатели релаксационных процессов в неоднородных диэлектриках/А.М.Солодуха, Г.С.Григорян// Конденсированные среды и межфазные границы.-2007,- Т.9(3).- С.263-265.

129. Журавлев,В.И. Диэлектрические свойства многоатомных спиртов. Асимметричная дисперсия в бутандиолах/ В.И.Журавлев, Н.В.Лифанова, Е.М.Усачева// Журнал физической химии.-2009.- Т.83(2).- С.213-219.

130. Беляев,Б.А. Функция распределения времен релаксации для жидких кристаллов 4-п-пентил-4'-цинабефинил / Б.А.Беляев, Н.А.Дрокин, В.Ф.Шабань// ФТТ.-2005.- Т.47(9).- С. 1722-1726.

131. Журавлев, В.И.Динамические диэлектрические свойства бутиндиолов/ В.И.Журавлев, Е.М.Усачева // Вестник Московского университета. Серия 2.Химия.-2010.-Т.51 (2).- С.91 -95.

132. Войлов, Д.Н. Диэлектрический отклик наночастиц ZnS в нанокомпозите цеолит-полупроводник Hbeta: ZnS / Д.Н.Войлов, Г.Ф.Новиков, Ю.Б.Нетелева-Фишер// Конденсированные среды и межфазные границы.-2008.-Т.10(1).- С.44-46.

133. Subocz,J. Effect of the carbon C60,C70 contents on the dielectric properties of polimide films/ J.Subocz, A. Valozhyn, M. Zenker //Rev. Adv. Mater. Sci.-2007.-V.14.- P.193-196.

134. Weron, K. Havriliak-Negami response in the framewokk of the continuous-time rondom walk/ K.Weron, A.Jurlwicz, M.Magdziarz// Acta Physica Polonica B.-2005.- V.36(5).- P.1855-1868.

135. Havriliak Yr,S. Comparison of the Havriliak-Negami andstretched exponential functiems/ S. HavriliakYr, S.I. Havriliak //Polymer.-1996.-V.37(18).- P/4107-4110.

136. Miskinis, Paulius. The Havriliak-Negami Susceptibility as a nonlineur and nonlocal process/ Paulius Miskinis// Physica Scripta.-2009.- V.136.- 0140193pp).

137. Reunyuk, T.A. Relaxation processes in nonlinear optical polymer films/ T.A. Reunyuk, S.N.Fedosov// J.Nano-Electron.Phys.-2010.- V.2(8).- P.5-11.

138. JIotohob,A.M. Диэлектрические свойства монокристаллов диглициннитрата вблизи точки фазового перехода в диапазоне частот 1Гц-10 МГц/ А.М.Леонов// Вестник московского университета. Серия 3:Физика. Астрономия.- 2009,№5.- С.48-50.

139. Новиков, В.В. Диэлектрическая релаксация Гавриляка-Негами/ В.В.Новиков, О.А.Комкова, О.В.Жарова// Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 2005,№2.- С.62-64.

140. Турик, А.В. Диэлектрические потери в материалах с ограниченной областью распределения времен релаксации/ А.В. Турик, М.Ю. Родинин// Письма в журнал технической физики.-2010.-Т.З6, №1.- С.37-43.

141. Karasawa, N. Dielectric properties of polyvinylidene fluoride from molecular dynamics simulations / N.Karasawa ,W.A. Goddard III // Macromolecules. 1995. - V.28. - P. 6765-6772.

142. Тиллес, В.Ф. Исследование релаксационных процессов в сегнетокерамике/ В.Ф. Тиллес// Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 2001.-№2.- С. 56-58.

143. Jackie,J. Why Retardation Takles More Time Than Relaxation in Linear System / J.Jacle ,R.Richert// Phys.Rev.- 2008.- V.E 77.- 031201.1-031201.6.

144. Павленко, А.В. Диэлектрическая релаксация в керамике PbFei/2Nbi/203/ А.В. Павленко, А.В.Турик, Л.А.Резниченко, Л.А.Шилкина, Г.М.Константинов// ФТТ.-2011.- Т.53(9).- С. 1773-1776.

145. Pradhan, Dillip К. Studies of dielectric relaxation and ac conductivity behavior of plasticized polymer nanocomposite electrolytes / Dillip K. Pradhan, R. N. P. Choudhary, В. K. Samantaray // Int. J. Electrochem. Sci. 2008. - V.3. -P.597-608.

146. Sengwa, R.J. Low frequency dielectric relaxation processes and ionic conductivity of montmorillonite clay nanoparticles colloidal suspension in poly(vinyl pyrrolidone)-ethylene glycol biends / R.J.Sengwa, S.Choudhary,

147. S.Sankhla // Express Polymer Letters. 2008. - V.2, №11.- P.800-809.

148. Abdullah, Mustaffa Hj. Microstructural and dielectric properties of Ni-Zn and Li-Ni-Zn ferrites by impedance spectroscopy / Mustaffa Hj. Abdullah and Ahmad Nazlim Yusoff // Pertanika J. Sci. & Technol. 1998. V.6, №2. - P.95-105.

149. Васильев, A.H. Новые функциональные материалы АС3В4О12/ A.H. Васильев, О.С.Волкова/ /Физика низких температур.- 2007.- Т.33,№11.-С.1181-1205.

150. Rivas-Murivas, В. Dielectric characterization of the charge-ordered nickel oxides:La 3/2 Sr ./2 NiO 4 and La 5/3 Sr 1/3 NiO 4 / B.Rivas-Murivas, J.Mira,

151. A.Fondado, M.A.Senaris-Rodrigues, J.Rivas // Boletin de la Sociedad Espanola de Ceramica у Vidrio 2006.-V.45, №3. - P. 169-174.

152. Wang, Ying. Effects of Nd-substitution on microstructures and dielectric characteristics of CaCu 3Ti 40 i2 ceramics / Ying Wang, Lei Ni, Xiang Ming Chen // J.Mater Sci: Mater Electron. 2010. - DOI 10.1007s 10884-010-0140-9.

153. Primus, Walter Chartes. Dielectric properties of La 0 4Ca обМп 04Ti ПбО 3 ceramic oxide / Walter Chartes Primus, Abdul Halim Shaari, Wan Mohd, Daur Wan Yusoff, Zainal Abidin Talib, Mazni Mustafa / J. of Fundament. Sci. 2009.-V.5. - P.63-68.

154. Малышкина, И.А. Диэлектрическая спектроскопия сульфированного политетрафторэтилена в набухшем состоянии / И.А. Малышкина, С.Е.Бурмистров, Н.Д.Гаврилова // Высокомолек.соед., сер.Б. 2005.-Т.47,№8. - С. 1563-1568 .

155. Малышкина, И.А. Релаксация проводимости в системе полвинилкапролактам-вода/ И.А.Малышкина, Н.Д.Гаврилова, Е.Е.Махаева// Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011). Материалы 12 Международной конференции . Том 2.- 2011.- Санкт-Петербург.- С.100-103.

156. Staresinic, D. Giant dielectric responsein the one-dimensional charge-ordered semiconductor (NbSe4)3I. / D.Staresinic, P.Lunkenheimer, J.Hemberger, K.Biljakovic, A.Loidl // Physical Rev. Lett. -2006. V.96. - 046402.

157. Feng, L. Phase diagram and phase transitions in the relaxor ferroelectric Pb(Fe2/3Wi/3)03+PbTi03 System // L. Feng and Z.-G. Ye / Journal of Solid State Chemistry.- 2002. V. 163. - P.484-490.

158. Kim, 111 Won. Low-frequency dielectric relaxation and ac conduction of SrBi2Ta209 thin film grown by pulsed laser deposition /111 Won Kim and Chang Won Ahn / Appl. Phys. Lett. 2002.- V.80, №21 .- P.4006-4008.

159. Ke,Shanming. Giant low freqwency dielectric tenability in high-k BaFeo.5Nbo.5O3 ceramics at room temperature/ Shanming Ke and Haitao Huang// Journal of applied physics.- 2010.- V.108.- 064104.

160. Sinclair, D.C. Impedance and modulus spectroscopy of semiconducting BaTi03 showing positive temperature coefficient of resistance/D.C/Sinclair, A.R.West// Journal of Applied Physics.- 1989.- V.66, N08. -P.3 850-3 856.

161. West, A.R. Characterization of Electrical Materials, Especially Ferroelectrics, by Impedance Spectroscopy/ A.R.West, D.C.Sinclair, N.Hirose // Journal of Electroceramics . -1997.- V.l (1), P. -65-71.

162. Cho, J.-H. Equivalent circuit analysis for ferroelectrics / J.-H.Cyo, H.-T. Chung, Y.-G.Kim// Ferroelectrics. -1997. -V.l98 (1-4)- P. 1-10 .

163. Young, Lee Hee. Complex impedance analysis of doped barium titanates /Lee Hee Young, Cho Kyeong Ho, Nam,Hyo-Duk // Ferroelectrics.-1994. V.l54 (1 -4 pt 4).- P. 143-148 .

164. Hirose, N., West A.R. Impedance spectroscopy of undoped BaTiO 3 ceramics/ N.Hirose, A.R.West // Journal of the American Ceramic Society.- 1996 . -V.79 (6). P. 1633-1641.

165. Rao, K.SImpedance spectroscopy study of the ferroelectric Pb0.sK o.iDyo.iNb206 ceramics / K.S.Rao, T.S.Latha, P.M.Krishana, D.M.Prasad// Modern Physics Letters. -2008.V.- В 22 (12).- P. 1251-1264.

166. Khodorov, A. Impedance spectroscopy study of a compositionally graded lead zirconate titanate structure / A.Khohodorov, S.A.S.Rodrigues, M.Pereira, M.J.M.Gomes// Journal of Applied Physics.- 2007.- V.102 (1 l).-art. no. 114109.

167. Yue ,X., Tu R., Goto A.C. impedance spectroscopy of b-axis oriented SrO substituted BaTi205 prepared by arc-melting / X.Yue, R Tu, A.C. Goto// Key Engineering Materials . 2007. - V.352. - P. 277-280.

168. Олехнович, H.M. Диэлектрические свойства перовскитной керамики Bi(Mgi/2Tii/2)03 no данным импедансной спектроскопии./ Н.М.Олехнович, А.Н.Салак, А.В.Пушкарев, Ю.В.Радюк, Н.П.Вышатко, Д.Д.Халявин,У.М.Репа//ФТТ.-2009.- Т.51(3).- С.547-553.

169. Поклонский, Н.А. Основы импедансной спектроскопии композитов. Курс лекций //Н.А.Поклонский, Н.И.Горбачук /2005.-Минск БГУ .-130с.

170. Солодуха, A.M. Диэлектрические свойства пленок цирконата-титаната свинца, синтезированных окислением металлических слоев / А.М.Солодуха, И.Е.Шрамченко, А.М.Ховин, В.А.Логачева //ФТТ.- 2007.- Т.49(4) .-С.719-722.

171. Григорян, Г.С. Релаксационные процессы в параэлектрической фазе керамических оксидов со структурой пероаскита / Г.С.Григорян, А.М.Солодуха//ФТТ.- 2009.- Т.51(7 ). С.1375-1377.

172. Солодуха, A.M. Определение диэлектрических параметров керамики на основе дисперсии комплексного электрического модуля/ А.М.Солодуха, З.А.Либерман // Вестник ВГУ. Серия физика, математика .-2003. -№2. -С.67-71.

173. Графов, Б.М. Электрохимические цепи переменного тока/Б.М.Графов,Е.А.Укше // 1973.-М.-Наука. 128 с.

174. Иванов-Шиц, А.К. Ионика твердого тела. Т.1./ А.К.Иванов -Шитт, И.В.Мурин //2000.- С.-Птб.- Изд-во С-Птб. университета .-616 с.

175. Стройнов, З.Б., Электрохимический импеданс/ З.Б.Стройнов, Б.М.Графов, Б.СМавова-Стройнова, В.В. Елкин/ / 1991.- Наука.- М. 336с.

176. Bauerle, J.E. Study of Solid electrolyte polarization by a complex admittance method /J.E. Bauerle//J.Phys.and Chem. Solids.-1969.- V.30(12). P.2557-2670.

177. Impedance spectroscopy/ Ed. J.R.Macdonald //1987. New York.- John Wiley and Songs. -420 p.

178. Macdonald, J.Ross. Impedance Spectroscopy/ J.Ross Macdonald// Annals of Biomedical Engineering . -1992.- V.20 .- P.289-305 .

179. Couturier, G. A study of the metal-ionic conductor interface capacitances/

180. G.A.Couturier,Y.Danto,A.Hakam, J.Salardenne//Solid State Ionics.-1981.-V/2(2).-P.121-126.

181. Gabrielli, C. Electrochemical impedance spectroscopy: principles, instrumentation, and application / C.Gabriellic // Physical Electrochemistry / I. Rubinstein ed. Marcel Dekker.1995.- New York. P.243-247.

182. Тарасевич, M.P. Спектроскопия электрического импеданса реакции ионизации водорода в газовых смесях, содержащих С02 на Pt,Pd, PdRu катализаторах в 0,5 М растворе H2S04/ М.Р.Тарасевич, З.А.Ротенберг,

183. H.М.Загудваки, М.Р.Эренбург, В.А.Богдановская// International Scietific Journal of Energy and Ecology ISIAEE .-2007.-№2 (46).- C.l 18-123.

184. Бурмистров, C.E. Импедансная спектроскопия сульфоидированного поли тетрафторэтилена в набухшем состоянии / С.Е.Бурмистров, И.А.Малышкина//Высокомолекулярные соединения сер.А.- 2007.- Т.49,№8.-С.1596-1600.

185. Аванесян ,В.Т. Дисперсия диэлектрических характеристик полимерных структур на основе комплекса Си (II)/ В.Т.Аванесян, Е.Г. Водокайло // ФТТ.-2010 .-Т52(10).- С.2052-2055.

186. Малышкина, И.А. Исследование процессов диэлектрической релаксации в сополимерах винилиденфторида и гексафторропилена / И.А.Малышкина, Г.В.Маркин, В.В.Когервинский // ФТТ.- 2006 .- Т.48 (6).- С. 1127-1129.

187. Macdonald , J.R. Analysis of dispersed Conductiving-Sistponsem frequency-response data/ J.R.Macdonald //J.Non-Cryst.solids.-1996. -V.197.- P.83-110.

188. Солодуха, A.M. Определение диэлектрических параметров на основе дисперсии комплексного электрического модуля/ A.M. Солодуха, З.А.Либерман/ /Вестник ВГУ. Серия физика, математика.-2003.-№12.-С.67-71.

189. Григорян, Г.С.Релаксационные процессы в параэлектрической фазе керамических оксидов со структурой перовскита/ Г.С.Григорян, А.М.Солодуха// ФТТ.-2009.-Т.51(7).- С.1375-1377.

190. Солодуха, A.M. Диэлектрическая релаксация в твердом растворе титаната бария -стронция/ А.М.Солодуха, Г.С.Григорян // Вестник ВГУ. Серия физика, математика.- 2010, №1.- С.51-54.

191. Раевский, И.П. Электрическая проводимость и позисторный эффект в оксидах семейства перовскита / И.П.Раевский, О.И.Прокопало, А.Е.Панич // Издательство СКНЦВШ. Ростов-на-Дону .- 2002. С. 138.

192. Fiorenza, P.R. Direct imaging of the core-shell effect in positive temperature coefficient of resistance-BaTi03 ceramics/ P. Fiorenza, R. Lo Nigro, P. Delugas, V. Raineri, A. G. Mould, D. C. Sinclair //Appl. Phys. Lett.- 2009.- V. 95.1. P. 142904.

193. Xu, Jon. Universal dielectric relaxation in lightly doped-n-type phombohedral Bati0j85O3 : Та ferroelectric ceramics / Jon Xu, Mitsura Itoh // Chem. Mater. 2005. V. 17, No 7. -P. 1711-1716.

194. Sinclair, D.C. Impedance and modulus spectroscopy of semiconducting BaTi03 showing positive temperature coefficient of resistance. / D.C. Sinclair, A.R. West // Journal of Applied Physics. 1989. - V.66, №8. - P. 3850-3856.

195. Tseng, Т. Y. Ac electrical properties of higt-Curie-point barium-lead titanate PTCR ceramics / T.Y.Tseng, S.H.Wang // Materialsletters . 1990. - V.9, №No 4. -P.164-168.

196. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. / Ч. Киттель // Мир/.-М.- 1981.-792 с.

197. Koops, C.G. On the Dispersion of Resistivity and Dielectric Constant of Some Semiconductors at Audifrequencies / C.G. Koops // Phys. Rev. 1951. -V.83, №1. - P.121-124.

198. Diu, J. Large dielectric const and Maxwell-Wagner relaxation in Bi2/3Cu3Ti4Oi2 / J. Diu, C.-G. Duan, W.-G. Yin, W.N. Mei, R.W. Smith, J.R. Hardy // Phys. Rev. B. 2004. - V. 70. - P. 144106-1-144106-7.

199. Lemanov, V.V. Giant dielectric relaxation in SrTi03-SrMgi/3Nb2/303 and SrTi03-SrSci/2Tai/203 solid solutions / V.V. Lemanov, A.V. Sotnikov, E.P. Smirnova, M. Weihnacht // ФТТ. 2002. - T. 44, № 11. - C. 1948-1957.

200. Tuncer, E. Non-Debye dielectric relaxation in binary dielectric mixtures (SOSO) :Randomness and regularity in mixture topology / E. Tuncer, B. Nettelblad, S.M. Gubanski // Journal of Applied Physics. 2002. - V.92, №8. - P.4612-4624.

201. Tuncer, E. Electrical properties of 4*4 binary dielectric mixtures / E. Tuncer, S.M. Gubanski, B. Nettelblad // Journal of Electrostatics. 2002, - V. 56, Issue 4. -P. 449-463.

202. Hallouet, В. 3D-simulation of topology-induced changes of effective permeability and permittivity in composite materials / B. Hallouet, R. Pelster // Journal of nanomaterials. V. 2007. - P.8.

203. Турик, С.А. Неупорядоченные гетерогенные системы: переход диэлектрик-проводник / С.А. Турик, А.И. Чернобабов, A.B. Турик, Г.С. Радченко // Электронный журнал «Исследовано в России». http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2004/191.pdf.

204. Емец, Ю.Л. Дисперсия диэлектрической проницаемости двухкомпонентных сред / Ю.Л. Емец // ЖЭТФ. 2002. - Т. 121, № 6. - С. 1339-1351.

205. Турик, A.B. Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты / Г.С. Радченко, А.И. Чернобабов, С.А. Турик, В.В. Супрунов // Физика твердого тела. 2006. - Т. 48, В. 6. - С. 1088-1090.

206. Белова, Л.А. Позисторный эффект в оксидах со структурой перовскита/ Л.А.Белова, Ю.И.Гольцов, О.И.Прокопало, И.П.Раевский, П.Ф.Тарасенко, В.П.Филиппенко// Известия СКНЦ ВШ. Серия : технические науки.- 1975.-№2.- С.95-97.

207. Блат, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах/ Ф. Блат// 1971.- М.- Мир.- 470 с. ,

208. Киреев, П.С. Физика полупроводников/ П.С.Киреев/1975.- М.- Высшая школа.- 584 с.

209. Варданя., В.Р. Датчик давления/ В.Р.Варданян, В.Х.Оганесян, А.Г.Манукян //Авторское свидетельство СССР №410 270.

210. Павлов, А.Н. Пьзорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках полупроводниках/ А.Н.Павлов, И.П.Раевский // ФТТ.-2002.-Т44,№9.- С.1671-1675.

211. Shannon, R.D. Singlecristal synthesis and electrical properties of CdSn03, Cd2Sn04, In2Te02, and Cd2In04 / R.D. Shannon, J.L.Gillson, R.J.Bouchard

212. J.Phys.Chem. Solids.- 1977.- V.38,№8.- P.877-881.

213. Ланчиков, Л.H. Пьезорезистивный материал и способ его получения/ Л.Н.Ланчиков,Н.Г. Золотухин/ /Патент РФ № 2006078 от 15.01.1994.

214. Турик, А.В. Диэлектрические потери в материалах с ограниченной областью распределения времен релаксации/ А.В.Турик, М.Ю.Родинин //ПЖТФ.- 2010.- Т.36(1).- С.37-43.

215. Krohns, S. Collosal dielectric constant in single-cristalline and ceramic CaCu3Ti4Oi2 investigated by broadband dielectric spectroscopy/ S.Krohns, P.Lunkenheimer, S.G. Ebbinghaus, A.Loidl // J.of Applied Physics.- 2008.-V.103.- 084107.

216. Жуков, O.K. К вопросу о температурной автотермостабилизации сегнетокерамики / O.K. Жуков, С.Д.Миловидова, А.Н.Чиркин / Известия АН СССР. Серия физическая.-1965.-Т. 24 (11).-С.2101-2103.

217. Русаков, Л.З. Сегнетоэлектрический автотермостабилизирующий элемент/ Л.З.Русаков// Авторское свидетельство СССР.- I960.- №149955.

218. Glane, A. Ttmperature autostabilisation effect of TGS monocrystals in an ac electric field/ A.Glanc, V.Dvorak, V.Janovee, E.Rechziegel, V.Janousek// Phys. Letts.-1963.- V.7(2).- P. 106-107.

219. Миронова, Е.И. Использование явлений автотермостабилизации в монокристаллах и керамике на основе титаната бария/ Е.И.Миронова, А.И.Токарев, В.М.Плужников // Титанат бария.- 1973.- М.-Наука.- С. 185-188.

220. Andrich,E. РТС thermistors as self-regulating heating elements /Е. Andrich// Philips. Tech.Rev.-1969.- V.30.- P.170-177.

221. Шинков, А.Д. Саморегулирующиеся позисторные термостаты/

222. A. Д.Шинков, В.И.Стречень, И.Т.Шефтель// Приборы и системы управления.- 1970.- №10.- С.25-27.

223. Andrich,E. Anwendung von РТС-Widerstanden /Е. Andrich// Intern.Electronische Rundschau.- 1963.- Bd.17.- S.132-138.

224. Brauer, H. Kaltlaiter ein Bauelement mit positive Temperaturkoefficient/ H.Brauer, E.Fenner// Siemens Z.- 1964.- Bd.38.- S.369-375.

225. Hahn, H. Termistoren mit positive Temperaturkoefficienten (PTC) / H.Hahn // SEL-Nachr.- 1964.- Bd. 12.- S.216-218.

226. Andrich, E. Herstellung, Anwendung und Lebensdauer von halblaitedem (Ba,Pb)Ti03./E.Andrrich// Ber.Deuschen Keram.Gesell.-1970.- Bd.47.- S.639-642.

227. Козлов, В.Г. Микротермостат с позисторным нагревателем/В.Г.Козлов,

228. B.П.Алексеев, Д.В.Озеркин// Патент РФ .- 2001.- №2164709.

229. Reenstra, A.L. А low-frequency oscillator using РТС and NTC termistors/A.L. Reenstra //Ieee Trans .Electron Devices.-1969.- V.ED-16.- P.544-554.

230. Мелких, A.B. Влияние доли полупроводниковых включений на свойства автоколебаний в системе металл-полупроводник/ A.B.Мелких, А.А.Повзнер , А.Н.Черепанова//Письма в ЖТФ.- 2009.-Т.79,№11.- С.144-147.

231. Мелких, A.B. Распределенная модель организации автоколебаний в полупроводнике,вызванных джоулевым саморазогревом/ A.B.Мелких, Ф.И.Рыбаков, А.А.Повзнер // Письма в ЖТФ.- 2005.-Т.31, №16.- С.67-71.

232. Повзнер A.A. Условия существования автоколебаний в полупроводнике при наличии саморазогрева./ A.B.Мелких, А.А.Повзнер// Письма в ЖТФ.-2003.- Т.29, №6 С.14-18.

233. Собурь, С.В. Установки пожарной сигнализации: Учебно-справочное пособие 5 изд.- 2006.- М.-ПожКнига. -280 с.1. СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА

234. А2. Гольцов, Ю.И. Электрические свойства титаната бария, модифицированного лантанидами/ Гольцов Ю.И., Богатин A.C., Прокопало О.И.// Тезисы докладов Всесоюзной конференции по вопросам сегнетоэлектричества.-1966.- Днепропетровск.- С. 115.

235. A3. Гольцов, Ю.И. Электрические свойства поликристаллического титаната бария, модифицированного лантанидами/ Ю.И. Гольцов, A.C. Богатин, О.И. Прокопало// Известия Академии Наук СССР.Серия физическая- 1967.-Т.31,№ 11.-С. 1821-1823.

236. B.Я.// Новые пьезо- и сегнетоматериалы и их применение. Москва,1969.- С. 149.

237. А10. Богатин, A.C. Термостабилизирующие свойства титаната бария/ A.C. Богатин, О.И. Прокопало// Известия АН СССР. Серия физическая1970.-Т.34, № 12.- С. 2626-2627.

238. Т.Д. Загоруйко// Полупроводники сегнетоэлектрики.- Ростов н/Д.-Изд-во РГУ.-1978. - С. 97-101.

239. А25. Богатин, A.C. Электрофизические свойства гетерофазных окислов семейства перовскита/ Богатин A.C., Богатина В.Н., Тарасенко П.Ф.// Тезисы докладов ВСС 9. - Ростов-на-Дону.-1979 .- С.54.

240. А26. Богатина, В.Н. Процессы релаксационной поляризации в оксидах со структурой типа перовскита/ Богатина В.Н., Филиппенко В.П., Богатин A.C.// Тезисы докладов ВСС 9. - Ростов-на-Дону.- 1979.-С.55.

241. А28. Тарасенко, П.Ф. Метод определения термоэдс кристаллитов и прослоек поликристаллических веществ/ П.Ф. Тарасенко, A.C. Богатин, В.Н. Богатина// Известия СКНЦ ВШ. Естественные науки. 1980.-№ 1 (29).-С. 44-46.

242. А29. Богатин, A.C. Низкочастотная электрическая дисперсия в дефектных оксидах семейства перовскита/ Богатин A.C., Богатина В.Н.,

243. Бурланков В.Е.// Тезисы докладов III Всесоюзного совещания по химии твердого тела.- Свердловск.- 1981.- ч. 2.- С. 25.

244. АЗО. Богатин, A.C. Электретный эффект в стеклокерамиках сложных свинецсодержащих окислов/ Богатин A.C., Гольцов Ю.И., Нестеренко П.С., Панченко Е.М., Прокопало О.И.// Физика диэлектриков и полупроводников.- Волгоград.- 1982.- С.122-126.

245. А31. Богатин, A.C. Процессы релаксационной поляризации в ОСП и их практическое применение/ Богатин A.C., Богатина В.Н., Прокопало

246. И.// 10 Всесоюзная конференция по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве.- Минск.-1982.- ч. 2. С.19.

247. A3 5. Богатин, A.C. Электрические свойства кристаллитов и их границ в полупроводниковом титанате бария/ Богатин A.C., Богатина В.Н., Тарасенко П.Ф.// 4 Всесоюзное совещание по химии твердого тела. Тезисы докладов.-ч. 3.- Свердловск.- 1985 .- С. 84.

248. А36. Богатин, A.C. Пьезоемкостный и пьезорезистивный эффекты в оксидах семейства перовскита/ Богатин A.C., Богатина В.Н., Тарасенко П.Ф.// XI Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Т. 1,- Черновцы, Киев.- 1986.- С. 163.

249. A3 7. Богатин, A.C. Повышение чувствительности резистивных и емкостных датчиков внешних воздействий/ A.C. Богатин, В.Н. Богатина, О.И. Прокопало// Сегнето- и пьезоэлектрики в ускорении научно-технического прогресса.- 1987.- М.- С. 116-119.

250. А41. Богатин, A.C. Характеристики процессов релаксационной поляризации в диэлектриках/ A.C. Богатин, В.Н.Богатина // VI

251. А45. Богатин, A.C. Пространственно-неоднородное упорядочение ионов В' и В" в сегнетоэлектрике РЬВ05В05О3 / A.C. Богатин, А.А.Боков,

252. И.П.Раевский, В.П.Филиппенко // Тезисы докладов 7 Международной конференции по сегнетоэлектричеству.- Саарбрюкен. ФРГ.- 1989.- С. 496.

253. А47. Bogatin, A.S. Spatially inhomogeneous ordering of В' and В" ions in ferroelectric ceramics PbB05B05O3 / A.S. Bogatin, A.A. Bokov, I.P. Rayevsky, V.P. Filippenko // Ferroelectrics.-1990.- V. 108. P. 232-236.

254. А48. Богатин, A.C. Электретный эффект в композитах на основе титаната кальция/ A.C. Богатин, Е.М. Панченко, Ю.И Гольцов, Ю.А. Трусов // ЖТФ.- 1991.- Т. 61, № 1.- С. 51-54.

255. А49. Раевский, И.П. Пороговые устройства температурной сигнализации на позисторе/ И.П.Раевский, М.А. Малицкая, A.C. Богатин, В.Н. Богатина, П.Ф. Тарасенко // Электронные датчики Сенсор-91. Выборочные материалы IV конференции.- С.-Пб.- 1991.- С. 21.

256. A51. Раевский, И.П. Новые применения позисторов/ И.П. Раевский, М.А. Малицкая, A.C. Богатин, В.Н. Богатина// Тезисы докладов XIII конференции по физике сегнетоэлектриков.- Тверь.-1992 .- Т. 2.- С. 145.

257. А52. Богатин, A.C. Процессы релаксационной поляризации в полупроводниковой керамике/ A.C. Богатин, В.Н. Богатина, И.П. Раевский, М.А. Малицкая // 6 Международный семинар по физике сегнетоэлектриков-полупроводников.- Ростов-на-Дону. -1993.- С. 43.

258. А54. Раевский, И.П. Позисторы в режиме постоянного тока новые применения/ И.П. Раевский, М.А. Малицкая, A.C. Богатин, В.Н. Богатина // 6 Международный семинар по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. - Ростов-на-Дону.- 1993.- С. 98.

259. А55. Богатин, A.C. Процессы релаксационной поляризации и электрическая проводимость в диэлектриках/ A.C. Богатин //

260. Российская научно-техническая конференция по физике диэлектриков с международным участием «Диэлектрики 93». Тезисы докладов. Часть 1.- С.-Петербург.- 1993.-С. 180.

261. А57. Раевский, И.П. Новые применения позисторов/ И.П. Раевский, A.C. Богатин, М.А. Малицкая, В.Н. Богатина// Известия РАН. Серия физическая. -1993.- Т. 57, № 6.- С. 151-154.

262. А58. Богатин, A.C. Обратная задача теории гетерофазных диэлектриков/ A.C. Богатин // Международная научно-техническая конференция по физике твердых диэлектриков Диэлектрики-97. Тезисы докладов.-Санкт-Петербург.-1997.- С. 99-101.

263. A65. Богатин, А.С. Влияние сквозной проводимости на определение характеристик процессов релаксационной поляризации/ А.С. Богатин, И.В. Лисица, С.А. Богатина// Письма в ЖТФ.- 2002. Т.28, № 18.- С. 61-66.

264. А66. Раевский, И.П. Влияние упорядочения катионов на температуры сегнетоэлектрического и антиферромагнитного фазовых переходов в PbFe1/2Nb1/203 / И.П. Раевский, В.В. Китаев, С.А. Брюгеман, Д.А. Сарычев, А.С. Богатин, B.C. Николаев, С.А. Богатина, Л.А.

265. Богатин, И.П. Раевский// «Порядок, беспорядок и свойства оксидов». Седьмой международный симпозиум (ODPO-2004) / Сочи.- С.37-38.

266. А73. Лисица, И.В. Решение обратной задачи теории гетерофазных сред для матричной системы с кубическими включениями для случая простой кубической решетки/ И.В. Лисица, A.C. Богатин// Известия высших учебных заведений. Физика.- 2005.- № 6.- С. 91-92.

267. А74. Куропаткина, С.А. Гигантское увеличение диэлектрической проницаемости и электропроводимости в неоднородных диэлектриках/ С.А. Куропаткина, И.П. Раевский, A.C. Богатин// Известия РАН. Серия физическая.- 2007.- Т.71, № 2.- С.238-239.

268. Abstr. 9 Russian-CIS-Baltic-Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-9).- Vilnius, Lithuania.- 2008.- P. 183.

269. D.A. Sarychev, M.A. Malitskaya, A.S. Bogatin, I.N. Zakharchenko// Ferroelectrics. -2009.- V.379.- P.48-54.

270. А90. Богатин, A.C. Влияние сквозной проводимости на описание релаксационной поляризации в недебаевских диэлектриках/ A.C. Богатин, A.B. Турик, С.А. Ковригина, Е.В. Андреев// Известия РАН. Серия физическая.-2010.- Т.74, № 9.- С.1266-1267.

271. А95. Богатин, A.C. Сильные и слабые процессы релаксационной поляризации в твердых диэлектриках/ A.C. Богатин, A.B. Турик, В.Н.

272. Богатина , С.А. Ковригина , Е.В. Андреев // 22 Международная научная конференция «Релаксационные явления в твердых телах». Тезисы докладов. Воронеж, Россия. 14-17 сентября 2010.- Воронеж.-2010. С.86-87.

273. A99. Богатин, A.C. Сильные и слабые релаксационные поляризации/ А.С.Богатин, A.B. Турик, В.Н. Богатина, Е.В. Андреев, С.А. Ковригина // Физика диэлектриков (Диэлектрики 2011). Материалы 12 Международной конференции.- Санкт-Петербург.- 2011. С.6-8.

274. AI00. Богатин, A.C. Модуль отклика при релаксационной поляризации/ A.C. Богатин, В.Н. Богатина, Е.В. Андреев, С.А. Ковригина // Физика диэлектриков (Диэлектрики 2011). Материалы 12 Международной конференции. - Санкт-Петербург. -2011. С.47-49.

275. AI01. Турик, A.B. Взаимосвязь частотных областей дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости/ A.B. Турик, A.C. Богатин, Е.В. Андреев, Ю.А. Игнатова // Физика диэлектриков

276. Диэлектрики 2011 ). Материалы 12 международной конференции. -Санкт-Петербург. -2011.- С.147-150.

277. AI02. Турик, A.B. Диэлектрические спектры неупорядоченных гетерогенных систем: статистические смеси/ A.B. Турик, С.И. Гармашов, A.C. Богатин //19 Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов.- М.- 2011.-С.64.

278. А103. Богатин, A.C. Сильные и слабые релаксации в сегнетоэлектриках-релаксорах/ A.C. Богатин, И.П. Раевский, С.И. Раевская, Е.В. Андреев // 19 Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов.- М.- 2011. С. 123.

279. AI04. Богатин, A.C. Сильные и слабые релаксации при распределении релаксаторов Диссадо-Хилла/ A.C. Богатин, A.B. Турик, Ю.А. Игнатова, Е.В. Андреев //19 Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. М.- 2011.- С. 142.

280. AI06. Богатин, A.C. Диэлектрики с сильными и слабыми процессами релаксационной поляризации/ A.C. Богатин// Известия РАН. Серия физическая.-2011.- Т.75,№9.- С.1190-1192.

281. AI07. Богатин, A.C. Релаксационные поляризации и сквозная электропроводность/ A.C. Богатин// Труды 14 международного междисциплинарного симпозиума «Порядок, беспорядок и свойства оксидов».-Ростов-на-Дону, n.JIoo.-2011.- Т.1.-С.80-83.