Развитие методов расчётно-экспериментального моделирования радиационных эффектов при проектировании и испытаниях радиационно-стойких изделий электронной техники космического применения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Таперо, Константин Иванович

• Таперо, Константин Иванович
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Таперо, Константин Иванович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1 АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МЕТОДОВ РАСЧЁТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ЭКБ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА (ОБЗОР)

1.1 Основные виды радиационных эффектов

1.1.1 Ионизационные дозовые эффекты в ЭКБ в условиях космического пространства

1.1.2 Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и микросхемах в условиях космического пространства

1.1.3 Одиночные радиационные эффекты при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства

1.2 Методы расчётно-экспериментального моделирования радиационных эффектов в ЭКБ в условиях космического пространства

1.2.1 Моделирование дозовых эффектов с учетом эффектов структурных повреждений

1.2.2 Моделирование ионизационных дозовых эффектов в условиях низкоинтенсивного облучения

1.2.3 Моделирование одиночных радиационных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц

1.3 Изделия электронной техники космического назначения

1.3.1 Конструктивно-технологический базис радиационно-стойких изделий электронной техники космического назначения

1.3.2 Методы обеспечения радиационной стойкости изделий электронной техники космического назначения

1.4 Выводы по обзору

2 РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ИОНИЗАЦИОННЫХ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ В АНАЛОГОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ МИКРОСХЕМАХ В УСЛОВИЯХ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ

2.1 Экспериментальное моделирование ионизационных дозовых эффектов в аналоговых биполярных схемах с учетом эффекта БЬВКБ

2.2 Экспериментальное моделирование ионизационных дозовых эффектов в аналоговых схемах БиКМОП-технологии с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения

2.3 Экспериментальное моделирование ионизационных дозовых эффектов в аналоговых схемах МОП-технологии с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения

2.4 Определительные испытания кремниевых интегральных схем с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения

2.5. Выводы

3 РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ С УЧЕТОМ СТРУКТУРНЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ

3.1 Разработка методов расчетно-экспериментального моделирования деградации изделий с аддитивным характером ионизационных

дозовых эффектов и эффектов структурных повреждений

3.1.1 Методика расчетно-экспериментальной оценки срока службы изделий с аддитивным характером ионизационных и структурных эффектов в заданных радиационных условиях космического пространства

3.1.2 Пример реализации методики расчетно-экспериментальной оценки срока службы изделий с аддитивным характером ионизационных и структурных эффектов в заданных радиационных условиях космического пространства

3.2 Разработка методов расчетно-экспериментального моделирования деградации изделий с неаддитивным характером ионизационных дозовых эффектов и эффектов структурных повреждений

3.2.1 Результаты исследования деградации оптронов вследствие ионизационных дозовых эффектов и эффектов структурных повреждений

3.2.2 Методика расчетно-экспериментальной оценки срока службы изделий с неаддитивным характером ионизационных и структурных эффектов в заданных радиационных условиях космического пространства

3.3 Развитие расчетно-экспериментальных методов определения срока службы солнечных батарей на основе полупроводниковых

3

соединений А В в условиях воздействия ионизирующих излучений космического пространства

3.3.1 Анализ существующих методов расчетно-экспериментального моделирования деградации солнечных батарей при воздействии радиационных факторов космического пространства

3.3.2 Результаты экспериментальных исследований деградации ОаАвЮе солнечных батарей при облучении нейтронами и электронами

3.3.3 Методика расчетно-экспериментальной оценки срока службы

3

солнечных батарей на основе полупроводниковых соединений А3В5 с использованием нейтронного облучения

3.4 Выводы

4 РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ РАСЧЕТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ИОНИЗАЦИОННЫХ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ В МОП-СТРУКТУРАХ

И ПРИБОРАХ НА ИХ ОСНОВЕ

4.1 Моделирование радиационного накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при высокой и средней мощности дозы ионизирующего излучения

4.2 Моделирование накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при воздействии импульсного ионизирующего излучения

4.3 Моделирование накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства

4.4 Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном облучении

4.5 Моделирование процесса накопления поверхностных состояний

при радиационном облучении МОП-структур

4.6 Учет влияния вносимых при облучении структурных повреждений

на кинетику накопления зарядов в МОП-структуре

4.7 Моделирование влияния накопления заряда в полевом диэлектрике

на периферии основного n-канального транзистора

4.7.1 Общая методология моделирования радиационно-индуцированного накопления заряда в диэлектрике МОП-транзистора с учетом влияния полевого оксида

4.7.2 Геометрическое представление периферийной области полевого оксида

4.7.3 Консервативный метод оценки заряда, накопленного в

полевом оксиде

4.8 Выводы

5 РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ РАСЧЕТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ОДИНОЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ОТДЕЛЬНЫХ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

5.1 Описание общих подходов, применяемых при моделировании диффузионного сбора заряда из треков тяжелых заряженных частиц

5.2 Консервативный метод моделирования сбора заряда из треков тяжелых заряженных частиц

5.3 Выводы

6 ПРИМЕНЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ДИССЕРТАЦИИ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ И ИСПЫТАНИЯХ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ

6.1 Применение разработанных методов моделирования при проектировании цифровых интегральных схем космического назначения с учетом одиночных радиационных эффектов

6.1.1 Краткий анализ типов избыточности

6.1.2 Оптимизация методов защиты сложных цифровых блоков от одиночных сбоев

6.1.3 Определение вероятности безотказной работы при комплексной оптимизации элементов сложных функциональных блоков в САПР

6.2 Применение результатов диссертации в нормативно-методическом обеспечении радиационных испытаний электронной компонентной

базы космического назначения

6.3 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЕ А (справочное) Акт внедрения результатов диссертации в АО «НИИЭТ»

ПРИЛОЖЕНИЕ Б (справочное) Акт внедрения результатов диссертации в АО «НИИП»

ПРИЛОЖЕНИЕ В (справочное) Акт внедрения результатов диссертации в ФГБОУ ВО «ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова»

ПРИЛОЖЕНИЕ Г (справочное) Акт внедрения результатов диссертации в НИТУ «МИСиС»

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методов расчётно-экспериментального моделирования радиационных эффектов при проектировании и испытаниях радиационно-стойких изделий электронной техники космического применения»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы. В современном мире электронная компонентная база (ЭКБ) во многом определяет развитие научно-технического потенциала любой страны и, в частности, непосредственно влияет на развитие таких отраслей промышленности, как разработка и создание специальной и космической техники. Срок активного существования космических аппаратов (КА) в условиях воздействия ионизирующих излучений (ИИ) космического пространства (КП) напрямую зависит от показателей радиационной стойкости ЭКБ, а также её способности сохранять работоспособность в различных условиях внешних воздействий (механических, температурных, электрических и др.). Следовательно, обеспечение радиационной стойкости ЭКБ космического применения является важнейшей проблемой, решение которой необходимо для успешного развития космической техники, причем значимость этой проблемы возрастает по мере увеличения сроков активного существования проектируемых КА.

Важным элементом обеспечения радиационной стойкости ЭКБ космического применения является моделирование (расчетное, экспериментальное и расчетно-экспериментальное) радиационных эффектов, возникающих при воздействии ИИ КП. Работы в этой области проводятся, начиная с 1960-х годов, и сейчас имеют широкое распространение. К таким работам следует отнести исследования сотрудников АО «НИИЭТ» (г. Воронеж) В.Н. Ачкасова, В.П. Крюкова, И.П. Потапова, В.А. Смерека; ФГУ «ФНЦ НИИСИ РАН» (г. Москва) В.Б. Бетелина; НИЯУ «МИФИ» (г. Москва) В.С. Першенкова, В.А. Тельц, А.Ю. Никифорова, А.И. Чумакова; АО «НИИП» (г. Лыткарино Московской области) В.Н. Улимова, В.В. Емельянова, В.Ф. Зинченко и многих других. В этих работах были предложены математические модели, описывающие физические процессы деградации ЭКБ, методы защиты и способы определения параметров чувствительности ЭКБ к воздействию ИИ КП.

В определенное время казалось, что проблема обеспечения радиационной стойкости ЭКБ разрешима, как это было в 80-х годах прошлого века с биполярными микросхемами малой и средней степени интеграции. В те годы для изделий данного класса были достигнуты предельно высокие уровни стойкости к воздействию ИИ КП. Однако развитие систем управления специального и космического назначения потребовало использования новых технологий, а также конструктивных и схемотехнических решений для реализации специфических задач предметной области. Развитие ЭКБ переориентировалось от создания унифицированных изделий на разработку и изготовлению функционально-ориентированных изделий. Появились «системы на кристалле» и, как частный случай, «системы в корпусе», что, прежде всего, было достигнуто за счет уменьшения проектных норм, глубокой интеграции элементов на кристалле, применения новых конструктивных и схемотехнических решений по их расположению и взаимодействию. В результате изме-

нился характер проявления радиационных эффектов, некоторые физические процессы, которые раньше игнорировались, стали доминировать, появились радиационные эффекты нового вида. Примером могут служить локальные эффекты от воздействия отдельных ядерных частиц, называемые одиночными радиационными эффектами (ОРЭ). Если вплоть до конца прошлого века эти эффекты практически не учитывались при разработке КА, то в настоящее время они рассматриваются как один из основных видов эффектов, определяющих вероятность безотказной работы бортовой аппаратуры за требуемый срок активного существования КА.

Другой важной составляющей стало уточнение радиационной обстановки в космическом пространстве. Были уточнены характеристики полей ИИ КП на околоземных орбитах, был освоен дальний космос, получены данные по деградации ЭКБ в условиях длительного воздействия излучений в течение 10-15 лет срока активного существования КА на околоземных орбитах с учетом низкоинтенсивного воздействия, комплексного воздействия нескольких видов излучения и др.

Важным фактором также явилось насущное требование контроля радиационной стойкости ЭКБ в процессе её производства, предъявляемое промышленностью. Если ранее стойкость определялась в ходе приемосдаточных испытаний при сдаче опытно-конструкторской работы, то теперь было поставлено требование определения стойкости каждой выпускаемой партии изделий.

К настоящему моменту получено множество экспериментальных данных по радиационной деградации ЭКБ, которые невозможно объяснить с помощью существующих моделей радиационных эффектов (либо расчет по существующим моделям обладает значительными погрешностями, устранение которых требует крайне большого объема работ и технологического оборудования высочайшего класса чистоты для экстракции параметров моделей). Кроме того, ограничение временных и технологических средств оценки стойкости при крайне высокой функциональности изделия в ряде случаев приводит к невозможности адекватно оценить стойкость с помощью существующих аппаратных и методических средств. Это послужило причиной возникновения множества новых проблем и задач в области обеспечения радиационной стойкости ЭКБ космического применения, в частности:

- возникла необходимость учета влияния интенсивности излучения КП на степень деградации ЭКБ, которая зависит от конструкции, технологии и схемотехники (низкая интенсивность в некоторых случаях приводила к уменьшению степени деградации, а в некоторых — к увеличению; были обнаружены «окна», когда при накоплении дозы изделие отказывало, а потом, при последующем облучении, становилось работоспособным);

- появилась неоднозначность в оценке деградации ЭКБ за счет дозовых эффектов в заданных радиационных условиях КП для изделий с аддитивным и неаддитивным характером ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений;

- возникла необходимость разработки оперативных методов оценки срока службы в заданных радиационных условиях КП для некоторых элементов, полученных с использованием новых гетероструктурных технологий, в частности, для солнечных батарей на основе полупроводниковых со-

3 5

единений А В (существующие методы требуют большого объема экспериментов с использованием ускорителей электронов и протонов разных энергий, а также большого количества образцов испытываемых изделий, что определяет высокую стоимость испытаний и практически исключает оперативный контроль радиационной стойкости в процессе производства);

- в существующих моделях радиационных эффектов не учтено влияние на кинетику протекания физических процессов одновременного воздействия различных видов ИИ, а также условий облучения;

- появились локальные сбои и отказы при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства, при которых отказывает не один элемент, а целые «кластеры», причем форма этих кластеров существенно зависит от топологии изделия, расположения и «геометрии» шин металлизации, а также применяемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений;

- появились локальные радиационные эффекты за счет прямой ионизации при воздействии протонов КП, что требует своего особого решения, которое в настоящий момент отсутствует в существующих методах расчетно-экспериментального моделирования радиационных эффектов;

- функциональное усложнение ЭКБ, её насыщенность различными элементами, временные ограничения при проведении испытаний и ограничения в доступных технологических средствах, а также отсутствие методической базы консервативной оценки стойкости в ряде случаев определяет невозможность адекватной оценки стойкости испытываемой ЭКБ к воздействию ИИ КП.

Это далеко не полный перечень задач, требующих решения и воплощения в методах испытания и оценки стойкости ЭКБ к воздействию ИИ КП, а также в методах моделирования радиационных эффектов. При этом развитие методов расчетно-экспериментального моделирования радиационных эффектов актуально как для проектирования, так и для испытаний радиаци-онно-стойкой ЭКБ космического применения.

Актуальность развития методов моделирования радиационных эффектов при проектировании радиационно-стойкой ЭКБ и интеграции разрабатываемых моделей физических процессов в системы автоматизированного проектирования (САПР) определяется тремя основными причинами. Во-первых, при проектировании ЭКБ необходимо определить параметры чувствительности к воздействию ТЗЧ КП, что позволит применить необходимые способы защиты. Во-вторых, из-за высокой размерности задачи моделирования воздействия ТЗЧ в элементах ЭКБ, число которых в современных цифровых интегральных схемах (ИС) может достигать нескольких сотен миллионов вентилей, необходима достаточно высокая степень автоматизации данного про-

цесса. В-третьих, для радиационно-стойкой ЭКБ космического применения необходимо уже на этапе проектирования провести оценку параметров чувствительности к воздействию поглощенной дозы ИИ КП, причем важность этой задачи возрастает с увеличением срока активного существования разрабатываемых космических аппаратов.

Актуальность задачи развития методов экспериментального и расчет-но-экспериментального моделирования радиационных эффектов при испытаниях ЭКБ космического назначения определяется рядом факторов. Во-первых, в настоящее время практически отсутствуют методики испытаний с целью определения фактических характеристик стойкости ЭКБ к воздействию поглощенной дозы ИИ КП, учитывающие комплексный характер деградации за счет ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений. Существующие методы испытаний, в частности, методы, определенные в ОСТ 134-1034-2012, направлены на подтверждение соответствия заданным требованиям, т. е. относятся к контрольным испытаниям. Во-вторых, существующие методы испытаний ЭКБ на стойкость к воздействию ИИ КП в части ионизационных дозовых эффектов с учетом эффектов длительного низкоинтенсивного облучения требуют развития в таких направлениях, как выявление эффекта повышенной чувствительности к низкоинтенсивному облучению для изделий биполярной технологии, разработка методов испытаний с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения для изделий «смешанных» технологических вариантов (например, БиКМОП), учет при радиационных испытаниях специфики деградации аналоговых схем КМОП-технологии в условиях низкоинтенсивного облучения.

Решению указанных актуальных задач, являющихся неотъемлемой частью важнейшей проблемы обеспечения радиационной стойкости ЭКБ космического применения, посвящена настоящая диссертация.

Актуальность работы подтверждается участием автора в ряде работ данной направленности в соответствии с программами Министерства образования и науки, Министерства промышленности и торговли, Государственной корпорации по атомной энергии «Росатом», Федерального космического агентства, которые осуществлялись АО «НИИП», а также НИТУ «МИСиС», в частности:

- НИР «Комплекс работ в обеспечение создания ядерных энергетических установок в составе космических комплексов с высокой энерговооруженностью»;

- НИР «Развитие методической и экспериментальной базы радиационных исследований и испытаний элементов и систем вооружений, военной техники и ядерных энергетических установок»;

- НИР «Разработка методов испытаний элементов и блоков РЭА к воздействию электронов, протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на моделирующих установках НИИП»;

- ОКР «Радиационные испытания ЭРИ и аппаратуры МЦА»;

- федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России», проект «Исследование влияния радиационно -термической обработки на фотоэлектрические характеристики наногетеро-структурных солнечных элементов», 12.04.2010-26.07.2011;

- федеральная целевая программа «Развитие электронной компонентной базы», проект «Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники», 05.03.2014-15.11.2015;

- федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России», проект «Разработка нового типа детекторов ядерного излучения, обладающих внутренним усилением, на основе GaAs и его твердых растворов», 28.10.2011-03.06.2013;

- федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», мероприятие 1.3, проект «Разработка автономного источника питания на основе радиоизотопных материалов и кремниевой р-ьп структуры», 27.06.2014-31.12.2016;

- договор № 086/035 от 09 ноября 2009 г. между НИТУ «МИСиС» и Фондом инфраструктурных и образовательных программ Роснано по разработке и апробации образовательной программы опережающей подготовки кадров и учебно-методического комплекса (УМК), ориентированных на инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области производства мультикас-кадных наногетероструктурных солнечных элементов и солнечных батарей

3 5

космического назначения на основе полупроводниковых материалов А3В5 (разработан учебно-методический комплекс по дисциплине «Основы надёжности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства»).

Объектом исследования являются приборы твердотельной электроники, радиоэлектронные компоненты, изделия микро- и наноэлектроники.

Предметом исследования являются методы и модели радиационных эффектов в элементах ЭКБ в условиях воздействия ионизирующих излучений космического пространства.

Цель исследования состоит в разработке средств расчётно-экспериментального моделирования радиационных эффектов при проектировании и испытаниях ЭКБ космического применения.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

- проанализировать состояние средств моделирования радиационных эффектов в ЭКБ, оценить их недостатки и определить направления их устранения;

- определить направления развития методов экспериментального моделирования ионизационных дозовых эффектов в аналоговых кремниевых микросхемах в условиях низкоинтенсивного облучения;

- разработать методы и модели для расчетно-экспериментального моделирования дозовых эффектов с учетом структурных повреждений;

- разработать методы и модели для расчетного моделирования ионизационных дозовых эффектов в МОП-структурах и приборах на их основе;

- разработать методы и модели для расчетного моделирования одиночных радиационных эффектов при воздействии отдельных тяжелых заряженных частиц;

- с помощью разработанных средств определить применение разработанных методов моделирования при проектировании изделий электронной техники космического назначения с учетом одиночных радиационных эффектов.

Методика исследования. Для достижения поставленной цели и решения указанных задач использованы: методы численного моделирования физических процессов, экспертные оценки, эксперименты с применением моделирующих установок.

Научная новизна. В результате проведенных исследований получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

- методы экспериментального моделирования ионизационных дозовых эффектов в аналоговых микросхемах на основе кремния, отличающиеся учетом «усиленной» деградации биполярных изделий в условиях низкоинтенсивного облучения, в первую очередь, в части выявления данного эффекта, а также особенностей проявления эффектов низкоинтенсивного облучения в аналоговых БиКМОП и КМОП-микросхемах;

- методы расчетно-экспериментального моделирования дозовых эффектов с учетом структурных повреждений для ЭКБ c аддитивным и неаддитивным характером деградации за счет ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений и разработанные на их основе новые методики оценки срока службы данных изделий в условиях воздействия ИИ КП;

- экспериментальный и аналитический методы оценки срока службы

3 5

солнечных батарей на основе полупроводниковых соединений A B в заданных радиационных условиях космического пространства, основанные на использовании облучения быстрыми нейтронами, а также на обобщении результатов исследования деградации гетероструктурных солнечных батарей различных конструктивно-технологических вариантов при воздействии высокоэнергетических электронов и протонов;

- методы расчетного моделирования ионизационных дозовых эффектов в МОП-структурах и приборах на их основе, учитывающие различные условия облучения (стационарное облучение при высокой или средней интенсивности, импульсное облучение, длительное низкоинтенсивное облучение), влияние вносимых при облучении структурных повреждений на кинетику накопления зарядов в МОП-структуре, а также влияние заряда, накопленного в полевом оксиде, на деградацию МОП-транзисторов;

- метод моделирования сбора заряда из трека ТЗЧ, позволяющий оптимизировать процесс оценки стойкости КМОП интегральных схем к воздействию ТЗЧ в части одиночных радиационных эффектов за счет использова-

ния консервативной оценки основных характеристик чувствительности на основе полученных результатов моделирования.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

- методы экспериментального моделирования ионизационных дозовых эффектов в аналоговых кремниевых микросхемах, позволяющие определить изменение их параметров с учетом характеристик низкоинтенсивного излучения космического пространства;

- методы расчетно-экспериментального моделирования дозовых эффектов с учетом структурных повреждений для ЭКБ с аддитивным и неаддитивным характером ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений;

- экспериментальный и аналитический методы оценки срока службы

3 5

солнечных батарей на основе полупроводниковых соединений A B в заданных радиационных условиях космического пространства;

- методы расчетного моделирования ионизационных дозовых эффектов в МОП-структурах и приборах на их основе, обеспечивающие широкий комплексный подход для различных технологий изготовления и возможность оценки стойкости изделий в условиях стационарного облучения при высокой и низкой интенсивности, а также в условиях импульсного облучения;

- метод моделирования сбора заряда из треков отдельных тяжелых заряженных частиц, обеспечивающий комплексный подход с возможностью консервативной оценки основных характеристик чувствительности к воздействию ТЗЧ КП в части одиночных радиационных эффектов.

Практическая значимость и результаты внедрения:

1. Разработаны рекомендации по совершенствованию существующих методов испытаний аналоговых биполярных ИС в части ионизационных до-зовых эффектов с учетом особенностей длительного низкоинтенсивного облучения. Применение данных рекомендаций в процессе радиационных испытаний позволяет снизить трудозатраты на их проведение и при этом повысить достоверность получаемых результатов.

2. Предложены методы испытаний кремниевых аналоговых ИС, изготовленных по технологии «смешанного» типа (БиМОП, БиКМОП) на стойкость к воздействию поглощенной дозы ИИ КП с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения. Данные методы дополняют существующие методы испытаний ИС биполярной и КМОП-технологии, что обеспечивает полный охват методическим обеспечением всех классов кремниевых ИС в части испытаний данного вида.

3. Разработанные рекомендации по оптимизации экспериментальных методов оценки стойкости аналоговых КМОП ИС к воздействию поглощенной дозы ИИ КП с учетом эффектов низкоинтенсивного облучения позволяют учесть вклад генерируемого излучением ионизационного тока, что повышает достоверность результатов радиационных испытаний.

4. Разработанные расчетно-экспериментальные методы оценки срока службы ЭКБ в заданных радиационных условиях космического пространства

для изделий с аддитивным и неаддитивным характером ионизационных до-зовых эффектов и эффектов структурных повреждений решают проблему отсутствия методов определительных испытаний на стойкость к воздействию ИИ КП в части дозовых эффектов для изделий, деградация которых в условиях КП определяется совместным действием этих эффектов.

5. Разработаны методы аналитической и расчетно-экспериментальной оценки срока службы солнечных батарей на основе полупроводниковых со-

35

единений А3В5 в условиях воздействия ИИ КП. Внедрение данных методов в практику радиационных испытаний позволит оптимизировать затраты на их проведение и повысить достоверность получаемых результатов.

6. Разработанные методы расчетного моделирования дозовых эффектов и одиночных радиационных эффектов могут быть использованы в системах автоматизированного проектирования радиационно-стойкой ЭКБ космического применения.

Разработанные методы расчетного моделирования радиационных эффектов внедрены в АО «НИИЭТ» (г. Воронеж) при создании систем проектирования радиационно-стойких микросхем, а также в АО «НИИП» (г. Лыткарино Московской области) при разработке методического обеспечения испытаний ЭКБ на стойкость к воздействию ИИ КП. Предложенные методы проектирования были внедрены в учебный процесс ВГЛТУ (г. Воронеж) для направления подготовки «Информационные системы и технологии» и дополнительного образования «Разработчик профессионально-ориентированных компьютерных технологий» в виде элементов лекций, лабораторных, курсовых и дипломных работ. Полученные автором результаты использовались при разработке ряда нормативно-технических документов, выпущенных Министерством обороны и Федеральным космическим агентством и регламентирующих методы испытаний и оценки стойкости ЭКБ к воздействию ИИ КП: РД В 319.03.38-2000, РД 134-0139-2005, РД В 319.03.58-2010, РД 134-0191-2011, РД 134-0192-2011. Результаты диссертационной работы были использованы в НИТУ «МИСиС» (г. Москва) при разработке учебно-методического комплекса по дисциплине «Основы надёжности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства» по направлению подготовки магистров 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», а также рабочей программы дисциплины «Основы радиационной стойкости приборов и изделий электронной техники» по направлению подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». Результаты внедрения показали высокую эффективность разработанных средств.

Соответствие паспорту специальности. Работа защищается по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» и соответствует областям исследований:

- разработка и исследование схемотехнических и конструктивных основ создания и методов совершенствования ЭКБ;

- разработка и исследование технологических основ создания и методов совершенствования ЭКБ;

- разработка и исследование физических и математических моделей ЭКБ, в том числе для систем автоматизированного проектирования;

- исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик ЭКБ, включая вопросы качества, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, а также вопросы эффективного применения.

Апробация работы. Предложенные в работе научные результаты прошли апробацию на отраслевых совещаниях и научно-технических конференциях.

Результаты докладывались на конференциях:

- международных — ISROS-2012 (Кальяри, Италия, 2012), ESREF-2014 (Берлин, Германия, 2014), ISROS-2014 (Тулуза, Франция, 2014), IEEE NSREC - 2014 (Париж, Франция, 2014); IEEE Aerospace conference - 2014 (Биг Скай, США, 2014); RADECS-2015 (Москва, Россия, 2015), ISROS-2016 (Отвоцк, Польша, 2016);

- российских — «Радиационная стойкость электронных систем» (г. Лыткарино Московской области, ежегодно с 1996 по 2016 гг.), «Сертификация ЭКБ» (г. Санкт-Петербург, 2012, 2013 гг.), «МЭС-2010» (г. Черноголовка, 2010 г.).

Результаты использовались при подготовке лекций, представленных на международной школе-семинаре SERESSA (ежегодно с 2013 по 2016 гг.), а также на Российской летней школе-семинаре «Методы оценки и обеспечения радиационной стойкости изделий электронной техники» (2015, 2016 гг.).

Публикация результатов работы

По тематике диссертации всего опубликовано 126 печатных работ, в том числе 37 статей, включенных в Российский индекс научного цитирования, в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК, 14 статей в зарубежных журналах и материалах международных научно-технических конференций, из которых 9 входят в международную базу цитирования Scopus, 6 монографий, 2 учебных пособия, одно из которых имеет гриф УМО, 45 тезисов докладов российских научно-технических конференций. Общий объем публикаций, не считая монографии и учебные пособия, составляет 331 стр., при этом лично автором выполнено не мене 70 % данного объема.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести разделов, заключения, списка литературы и приложений. Материалы диссертации изложены на 269 страницах, включая 87 рисунков, 3 таблицы, список литературы из 174 наименований, 4 приложения.

1 АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МЕТОДОВ РАСЧЁТНО -ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ЭКБ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА (ОБЗОР)

1.1 Основные виды радиационных эффектов

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Таперо, Константин Иванович, 2017 год

ЛИТЕРАТУРА

[1] Barth, J.L. Modeling Space Radiation Environments [Text] / J.L. Barth // 1997 IEEE NSREC Short Course Notes. - 1997. - P. I-1 - I-83,

[2] Stassinopoulos, E.G. The Space Radiation Environment for Electronics [Text] / E.G. Stassinopoulos, J.P. Raymond // Proc. IEEE. - 1988. - Vol. 76 (11).

- P. 1423-1442.

[3] Srour, J.R. Radiation Effects on Microelectronics in Space [Text] / J.R. Srour, J.M. McGarrity // Proc. IEEE. - 1988. - Vol. 76 (11). - P. 1443-1469.

[4] Таперо, К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения [Текст]: монография / К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012.

- 304 с.

[5] Таперо, К.И. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники: радиационные эффекты в изделиях электронной техники: уч. пособие [Текст] / К.И. Таперо, С.И. Диденко. - М.: Изд. Дом МИСиС, 2013.

- 349 с.

[6] Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов [Текст] / Под науч. ред. д.т.н., проф. Г.Г. Райкунова. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2013.

[7] Действие проникающей радиации на изделия электронной техники [Текст] / Под ред. Е.А. Ладыгина. - М.: Сов. радио, 1980.

[8] Ладыгин, Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов [Текст]: монография / Е.А. Ладыгин. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.

[9] Коршунов, Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах [Текст] / Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. - Минск: Науки и техника, 1978.

[10] Першенков, В.С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем [Текст] / В.С. Першенков, В.Д. Попов, Г.М. Шальнов. - М.: Энергоатомиздат, 1988.

[11] Чумаков, А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы [Текст] / А.И. Чумаков. - М.: Радио и связь, 2004.

[12] Schwank, J.R. Total Dose Effects in MOS Devices [Text] / J.R. Schwank // 2002 IEEE NSREC Short Course Notes. - 2002. - P. III-1 - III-123.

[13] Javanainen, A. Heavy-Ion Induced Charge Yield in MOSFETs [Text] / Javanainen A., Schwank J.R., Shaneyfelt M.R. [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 2009. - Vol. 56(6). - P. 3367-3371.

[14] Benedetto, J.M. The Relationship between 60Co and 10-keV Damage in MOS Devices [Text] / J.M. Benedetto, H.E. Boesch Jr. // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 1986. - Vol. 33(6). - P. 1318-1323.

[15] Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра [Текст]: монография /

П.Р. Машевич, В.К. Зольников, К.И. Таперо. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006. - 179 с.

[16] Ачкасов, А.В. Проектирование комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства [Текст]: монография / А.В. Ачкасов, В.К. Зольников, К.И. Таперо. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006. - 156 с.

[17] Зыков, В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии [Текст]: дисс. ... д-ра техн. наук.: 01.04.10 / Зыков Владимир Михайлович. - Томск, 2002.

[18] Hughes, R.C. Hole Mobility and Transport in Thin SiO2 Films [Text] / R.C. Hughes // Appl. Phys. Lett. - 1975. - Vol. 26(8). - P. 436-438.

[19] Hughes, R.C. Charge Carrier Transport Phenomena in Amorphous SiO2: Direct Measurement of the Drift Mobility and Lifetime [Text] / R.C. Hughes // Phys. Rev. Lett. - 1973. - Vol. 30(26). - P. 1333-1336.

[20] Boesch, H.E., Jr. Temperarure- and Field-Dependent Charge Relaxation in SiO2 Gate Insulators [Text] / H.E. Boesch Jr., J.M. McGarrity, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1978. - Vol. 25(3). - P. 1012-1016.

[21] Shaneyfelt, M.R. Field Dependence of Interface-Trap Buildup in Polysilicon and Metal Gate MOS Divices [Text] / M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1990. - Vol. 37. - P. 16321640.

[22] Dozier, C.M. Photon Energy Dependence of Radiation Effects in MOS Structures [Text] / C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1980.

- Vol. 27(6). - P. 1694-1699.

[23] Dozier, C.M. Effects of Photon Energy on the Response of MOS Devices [Text] / C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1981.

- Vol. 28(6). - P. 4137-4141.

[24] Brown, D.B. Electron-Hole Recombination in Irradiated SiO2 from a Microdosimetry Viewpoint [Text] / D.B. Brown, C.M. Dozier // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1981. - Vol. 28(6). - P. 4142-4144.

[25] Dozier, C.M. An Evaluation of Low-Energy X-Ray and Cobalt-60 Irradiations of MOS Transistors [Text] / C.M. Dozier, D.M. Fleetwood, D.B. Brown, P.S. Winokur // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1987. - Vol. 34(6). - P. 1535-1539.

[26] Srour, J.R. Charge Transport Studies in SiO2: Procesing Effects and Implications for Radiation Hardening [Text] / J.R. Srour, O.L. Curtice Jr., K.Y. Chiu // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1974. - Vol. 21(6). - P. 73-80.

[27] Winokur, P.S. Field- and Time-Dependent Radiation Effects at the Si/SiO2 Interface of Hardened MOS Capacitors [Text] / P.S. Winokur, H.E. Boesch Jr., J.M. McGarrity, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1977.

- Vol. 24(6). - P. 2113-2118.

[28] Schwank, J.R. Radiation-Induced Interface-State Generation in MOS Devices [Text] / J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1986. - Vol. 33(6). - P. 1178-1184.

[29] Saks, N.S. Time Dependence of Interface Trap Formation in MOSFETs Following Pulsed Irradiation [Text] / N.S. Saks, C.M. Dozier, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1988. -Vol. 35(6). - P. 1168-1177.

[30] Boesch, H.E., Jr Time-Dependent Interface Trap Effects in MOS Devices [Text] / H.E. Boesch Jr. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1988. - Vol. 35(6).

- P. 1160-1167.

[31] Shaneyfelt, M.R. Interface Trap Buildup Rates in Wet and Dry Oxides [Text] / M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1992. - Vol. 39(6). - P. 2244-2251.

[32] Saks, N.S. Effects of Switched Bias on Radiation-Induced Interface Trap Formation [Text] / N.S. Saks, D.B. Brown, R.W. Rendell // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1991. - Vol. 38(6). - P. 1130-1139.

[33] Lelis, A.J. Response of Interface Traps During High-Temperature Anneals [Text] / A.J. Lelis, T.R. Oldham, W.M. DeLancey // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 1991. - Vol. 38(6). - P. 1590-1597.

[34] Fleetwood, D.M. High-Temperature Silicon-On-Insulator Electronics for Space Nuclear Power Systems: Requirements and Feasibility [Text] / D.M. Fleetwood, F.V. Thome, S.S. Tsao [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1988.

- Vol. 35(5). - P. 1099-1112.

[35] Schwank, J.R. Latent Interface-Trap Buildup and Its Implications for Hardness Assurance [Text] / J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1992. - Vol. 39(6). - P. 1953-1963.

[36] Griscom, D.L. Diffusion of Radiolytic Molecular Hydrogen as a Mechanism for the Post-Irradiation Buildup of Interface States in SiO2-on-Si Structures [Text] / D.L. Griscom // J. Appl. Phys. - 1985. -Vol. 58(7). - P. 25242533.

[37] Fleetwood, D.M. Border Traps in MOS Devices [Text] / D.M. Fleetwood // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1992. - Vol. 39(2). - P. 169-271.

[38] Winokur, P.S. Two-Stage Process for Buildup of Radiation-Induced Interface States [Text] / P.S. Winokur, H.E. Boesch Jr., J.M. McGarrity, F.B. McLean // J. Appl. Phys. - 1979. - Vol. 50(5). - P. 3492-3495.

[39] McLean, F.B. A Framework for Understanding Radiation-Induced Interface States in SiO2 MOS Structures [Text] / F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1980. - Vol. 27(6). - P. 1651-1657.

[40] Lai, S.K. Interface Trap Generation in Silicon Dioxide when Electrons Are Captured by Trapped Holes [Text] / S.K. Lai // J Appl. Phys. - 1983.

- Vol. 54. - P. 2540-2546.

[41] Emelianov, V.V. Modeling the Field and Thermal Dependence of Radiation-Induced Charge Annealing in MOS Devices [Text] / V.V. Emelianov, A.V.

Sogoyan, O.V. Meshurov [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1996. - Vol. 43(6).

- P. 2572-2578.

[42] Pershenkov, V.S. Proposed Two-Level Acceptor-Donor (AD) Center and Nature of Switching Traps in Irradiated MOS Structures [Text] / V.S. Pershenkov, S.V. Cherepko, A.V. Sogoyan [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 1996. - Vol. 43(6). - P. 2579-2587.

[43] Schwank, J.R. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices [Text] / J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1987. - Vol. 34(6).

- P. 1152-1158.

[44] Helms, C.R. The Silicon-Silicon-Dioxide Sistem: Its Microstructure and Imperfections [Text] / C.R. Helms, E.H. Poindexter // Rep. Prog. Phys.

- 1994. - No. 57. - P. 791-852.

[45] Таперо, К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур [Текст]: дисс. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Таперо Константин Иванович. - М., 1997. - 189 с.

[46] Паничкин, А.В. Управление электрофизическими параметрами кремниевых МДП- и КМДП-структур при радиационно-термической обработке [Текст]: дисс. ... канд. техн. наук: 01.04.10 / Паничкин Александр Валентинович. - М., 1987.

[47] Крылов, Д.Г. Кинетика накопления и отжига радиационных центров в физических областях кремниевых комплементарных МОП-структур [Текст]: дисс. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Крылов Дмитрий Германович. - М., 1990.

[48] Warren, W.L. Paramagnetic Point Defects in Amorphous Silicon Dioxide and Amorphous Silicon Nitride Thin Films [Text] / W.L. Warren, E.H. Poindexter, M. Offenberg, W. Muller-Warmuth // J. Electrochem. Soc. - 1992.

- Vol. 139(3). - P. 872-880.

[49] Lenahan, P.M. Hole Traps and Trivalent Silicon Centers in Metal/Oxide/Silicon Devices [Text] / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J. Appl. Phys. - 1984. - Vol. 55(10). - P. 2495-2499.

[50] Conley, J.F. Electron Spin Resonance Study of E' Trapping Centers in SIMOX Buried Oxides [Text] / J.F. Conley, P.M. Lenahan, P. Roitman // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1991. - Vol. 38(6). - P. 1247-1252.

[51] Herve, D. Comparative Study of Radiation-Induced Electrical and Spin Active Defects in Buried SiO2 Layers [Text] / D. Herve, J.L. Leray, A.B. Devine // J. Appl. Phys. - 1992. - Vol. 72(8). - P. 3634-3640.

[52] Warren, W.L. Paramagnetic Defect Centers in BESOI and SIMOX Buried Oxides [Text] / W.L. Warren, M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1993. - Vol. 40(6). - P. 1755-1764.

[53] Lenahan, P.M. An Electron Spin Resonance Study of Radiation-Induced Electrically Active Paramagnetic Centers at the Si/SiO2 Interface [Text] /

P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J. Appl. Phys. - 1983. - Vol. 54(3).

- P. 1457-1460.

[54] Таперо, К.И. Исследование собственных шумов датчиков дозы ионизирующего излучения на основе МДП-структур [Текст] / К.И. Таперо, В.В. Емельянов, О.В. Мещуров, А.П. Галеев // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2002. - Вып. 1-2. - С. 50-52.

[55] Ладыгин, Е.А. Исследование влияния электронного облучения на параметры КМДП-структур [Текст] / Е.А. Ладыгин, К.И. Таперо, А.М. Муса-литин [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1996. - Вып. 1-3.

- С. 63-65.

[56] Агаханян, Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Т.М. Агаханян, Е.Р. Аствацатурьян, П.К. Скоробогатов / Под ред. Т.М. Агаханяна. - М.: Энергоатомиздат, 1989.

[57] Мещуров, О.В. Полупроводниковые датчики для дозиметрического мониторинга радиоэлектронной аппаратуры объектов ядерной энергетики и систем космической связи [Текст] / О.В. Мещуров, В.В. Емельянов, К.И. Таперо [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2001.

- Вып. 1-2. - С. 82-86.

[58] Мещуров, О.В. Полупроводниковые детекторы дозы ионизирующего излучения на основе МНОП-структур [Текст] / О.В. Мещуров, В.В. Емельянов, К.И. Таперо [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».

- 2002. - Вып. 3. - С. 81-84.

[59] Мещуров, О.В. Дозиметрический контроль на борту космических аппаратов с помощью МДП-дозиметров [Текст] / О.В. Мещуров, К.И. Тапе-ро, В.В. Емельянов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2002.

- Вып. 4. - С. 34-38.

[60] Scarpa A., Paccagnella A., Montera F. et al. Ionizing Radiation Induced Leakage Current on Ultra-Thin Oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997. Vol. 44, no. 6, pp. 1818-1825.

[61] Ceschia, M. Radiation-Induced Leakage Current and Stress Induced Leakage Current in Ultra-Thin Gate Oxides [Text] / M. Ceschia, A. Paccagnella, A. Cester [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998. - Vol. 45(6). - P. 2375-2382.

[62] Boesch, H.E., Jr. Interface-State Generation in Thick SiO2 Layers [Text] / H.E. Boesch Jr. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1982. - Vol. 29(6). - P. 14461451.

[63] Boesch, H.E., Jr. Hole Transport and Trapping in Field Oxides [Text] / H.E. Boesch Jr., F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1985. - Vol. 32(6).

- P. 3940-3945.

[64] Shaneyfelt, M.R. Challenges in Hardening Technologies Using Shallow-Trench Isolation [Text] / M.R. Shaneyfelt, P.E. Dodd, B.L. Draper, R.S. Flores // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998. - Vol. 45(6). - P. 2584-2592.

[65] Pease, R.L. ELDRS in Bipolar Linear Circuits: a Review [Text] / R.L. Pease, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2009.

- Vol. 56(6). - P. 1894-1908.

[66] Schrimpf, R.D. Physics and Hardness Assurance for Bipolar Technologies [Text] / R.D. Schrimpf // 2001 IEEE NSREC Short Course. - 2001.

- P. IV-1 - IV-67.

[67] Schmidt, D.M. Comparison of Ionizing-Radiation-Induced Gain Degradation in Lateral, Substrate, and Vertical PNP BJTs [Text] / D.M. Schmidt, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1995. -Vol. 42. - P. 1541-1549.

[68] Согоян, А.В. Особенности пострадиационных релаксационных процессов в КНС ИС [Текст] / А.В. Согоян, Г.Г. Давыдов // Радиационная стойкость электронных систем: научн.-техн. сб. - 2005. - Вып. 8. - С. 49-50.

[69] Shaneyfelt, M.R. Thermal-Stress Effects and Enhanced Low Dose Rate Sensitivity in Linear Bipolar ICs [Text] / M.R. Shaneyfelt, J.R. Witczak, J.R. Schwank [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2000. - Vol. 47(6). - P. 2539-2545.

[70] Fleetwood, D.M. Using Laboratory X-Ray and Co-60 Irradiations to Predict CMOS Device Response in Strategic and Space Environments [Text] / D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, J.R. Schwank // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1988.

- Vol. 35(6). - P. 1497-1505.

[71] Schwank, J.R. Physical Mechanisms Contributing to Device Rebound [Text] / J.R. Schwank, P.S. Winokur, P.J. McWhorter [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1984. - Vol. 31(6). - P. 1434-1438.

[72] Derbenwick, G.F. CMOS Hardness for Low-Dose-Rate Environments [Text] / G.F. Derbenwick, H.H. Sander // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1977.

- Vol. 24(6). - P. 2244-2247.

[73] Lelis, A.J. Reversibility of Trapped Hole Charge [Text] / A.J. Lelis, H.E. Boesch Jr., T.R. Oldham, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1988.

- Vol. 35(6). - P. 1186-1191.

[74] Lelis, A.J. The Nature of the Trapped Hole Annealing Process [Text] / A.J. Lelis, T.R. Oldham, H.E. Boesch Jr., F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 1989. - Vol. 36(6). - P. 1808-1815.

[75] Warren, W.L. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices [Text] / W.L. Warren, M.R. Shaneyfelt, D.M. Fleetwood [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41(60. - P. 1817-1827.

[76] Fleetwood, D.M. The Role of Border Traps in MOS High-Temperature Postirradiation Annealing Response [Text] / D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt, L.C. Reiwe [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1993. - Vol. 40(6).

- P. 1323-1334.

[77] McWhorter, P.J. Modeling the Anneal of Radiation-Induced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment [Text] / P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1990. - Vol. 37(6). - P. 1682-1689.

[78] Oldham, T.R. Spatial Dependence of Trapped Holes Determined from Tunneling Analysis and Measured Annealing [Text] / T.R. Oldham, A.J. Lelis, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1986. - Vol. 33(6). - P. 1203-1209.

[79] McWhorter, P.J. Modeling the Memory Retention Characteristics of SNOS Transistors in a Varying Thermal Environment [Text] / P.J. McWhorter, S.L. Miller, T.A. Dellin // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 68(4). - P. 1902-1908.

[80] Winokur, P.S. Total-Dose Radiation and Annealing Studies: Implications for Hardness Assurance Testing [Text] / P.S. Winokur, F.W. Sexton, J.R. Schwank [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1986. - Vol. 33(6). - P. 1343-1351.

[81] Jonston, A.H. Super Recovery of Total Dose Damage in MOS Devices [Text] / A.H. Jonston // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1984. - Vol. 31(6).

- P. 1427-1433.

[82] Jonston, A.H. Total Dose Effects in Conventional Bipolar Transistors and Linear Integrated Circuits [Text] / A.H. Johnston, G.M. Swift, B.G. Rax // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41(6). - P. 2427-2436.

[83] Jie Chen, X. Modeling the Dose Rate Response and the Effects of Hydrogen in Bipolar Technologies [Text] / X. Jie Chen, H.J. Barnaby, P. Adell [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2009. - Vol. 56(6). - P. 3196-3202.

[84] Tapero, K.I. Comparison of irradiation at low dose rate and irradiation at elevated temperature to reveal ELDRS in bipolar linear circuits [Text] / K.I. Tapero, A.S. Petrov, P.A. Chubunov [et al.] // 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS). 2015. - P. 1-5. DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365593.

[85] Johnston, A.H. Enhanced Damage in Bipolar Devices at Low Dose Rates: Effects at Very Low Dose Rates [Text] / A.H. Johnston, C.I. Lee, B.G. Rax // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1996. - Vol. 43(6). - P. 3049-3059.

[86] Witczak, S.C. Accelerated Tests for Simulating Low Dose Rate Gain Degradation of Lateral and Substrate pnp Bipolar Junction Transistors [Text] / S.C. Witczak, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996, vol. 43, no. 6, pp. 3151-3160.

[87] Романенко, А.А. Влияние ионизирующего излучения низкой интенсивности на биполярные изделия электронной техники [Текст] / А.А. Романенко // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2002. - Вып. 4.

- С. 121-132.

[88] Fleetwood, D.M. Physical Mechanisms Contributing to Enhanced Bipolar Gain Degradation at Low Dose Rates [Text] / D.M. Fleetwood, S.L. Kosier, R.N. Nowlin [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41(6). - P. 18711883.

[89] Fleetwood, D.M. Radiation Effects in Low Electric Fields in Thermal, SIMOX, and Bipolar Base Oxides [Text] / D.M. Fleetwood, L.C. Reiwe, J.R. Schwank [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1996. - Vol. 43(6). - P. 2537-2546.

[90] Witczak, S.C. Space Charge Limited Degradation of Bipolar Oxides at Low Electric Fields [Text] / S.C. Witczak, R.C. Lacoe, D.C. Mayer [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998. - Vol. 45(6). - P. 2339-2351.

[91] Graves, R.J. Modeling Low-Dose-Rate Effects in Irradiated BipolarBase Oxides [Text] / R.J. Graves, C.R. Cirba, R.D. Schrimpf [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998. - Vol. 45(6). P. 2352-2360.

[92] Rashkeev, S.N. Physical Model for Enhanced Interface-Trap Formation at Low Dose Rates [Text] / S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2002. - Vol. 49(6). - P. 2650-2655.

[93] Hjalmarson, H.P. Mechanisms for Radiation Dose-Rate Sensitivity of Bipolar Transistors [Text] / H.P. Hjalmarson, R.L. Pease, S.C. Witczak [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2003. - Vol. 50(6). - P. 1901-1909.

[94] Tsetseris, L. Common Origin for Enhanced Low-Dose-Rate Sensitivity and Bias Temperature Instability under Negative Bias [Text] / L. Tsetseris, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2005. - Vol. 52(6).

- P. 2265-2271.

[95] Boch, J. Dose Rate Effects in Bipolar Oxides: Competition between Trap Filling and Recombination [Text] / J. Boch, F. Saigne, A.D. Touboul [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 88, 232113.

[96] Boch, J. Physical Model for Low-Dose-Rate Effect in Bipolar Devices [Text] / J. Boch, F. Saigne, R.D. Schrimpf [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2006.

- Vol. 53(6). - P. 3655-3660.

[97] Fleetwood, D.M. Electron Capture, Hydrogen Release and Enhanced Gain Degradation in Bipolar Linear Devices [Text] / D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2008. - Vol. 55(6).

- P. 2986-2991.

[98] Hjalmarson, H.P. Calculations of Radiation Dose-Rate Sensitivity of Bipolar Transistors [Text] / H.P. Hjalmarson, R.L. Pease, R. Devine // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2008. - Vol. 55(6). - P. 3009-3015.

[99] Belyakov, V.S. Use of MOS Structures for the Investigation of Low-Dose-Rate Effects in Bipolar Transistors [Text] / V.S. Belyakov, V.S. Pershenkov, A.V. Shalnov, I.N. Shvetzov-Shilovsky // IEEE Trans. Nucl. Sci.

- 1995. - Vol. 42(6). - P. 1660-1666.

[100] Freitag, R.K. Study of Low-Dose-Rate Effects in Commercial Linear Bipolar ICs [Text] / R.K. Freitag, D.B. Brown // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998.

- Vol. 45(6). - P. 2649-2658.

[101] Johnston, A.H. Optoelectronic Devices with Complex Failure Modes [Text] / A.H. Johnston // 2000 IEEE NSREC Short Course Notes. - 2000.

- P. III-1 - III-73.

[102] Poivey, C. Displacement Damage Mechanism and Effects [Text] / C. Poivey, G. Hopkinson // Proc. of «Space Radiation and Its Effects on EEE Components». - 2009.

[103] Summers, G.P. Displacement Damage Mechanisms and Measurements [Text] / G.P. Summers // 1992 IEEE NSREC Short Course Notes. - 1992.

- P. IV-1 - IV-58.

[104] Шалимова, К.В. Физика полупроводников: Учебник для вузов. [Текст] / К.В. Шалимова. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоатомиздат, 1985.

[105] Киреев, П.С. Физика полупроводников: Учебное пособие для ВТУЗов [Текст] / П.С. Киреев. - М.: Высшая школа, 1969.

[106] Johnston, A.H. Rules to Initiate a Total Non-Ionizing Dose Evaluation Plan [Text] / A.H. Johnston // 2011 RADECS Short Course Notes. - 2011.

[107] Srour, J.R. Basic Mechanisms of Radiation Effects on Electronic Materials, Devices and Integrated Circuits [Text] / J.R. Srour // 1982 NSREC Short Course Notes. - 1982.

[108] Таперо, К.И. Радиационно-термическая обработка как способ снижения погрешности определения температуры с помощью прямосмещен-ного кремниевого диода [Текст] / К.И. Таперо, В.В. Емельянов, О.В. Мещу-ров [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2002. - Вып. 1-2.

- С. 44-49.

[109] Sukhaseum, N. Linear Integrated Circuits Cumulated Dose Test Representativeness for High Energy Electron Environment Applications [Text] / N. Sukhaseum, A. Samaras, J. Abadie [et al.] // 2013 RADECS Data Workshop.

- 2013.

[110] Rose, B.H. Proton Damage Effects on Light Emitting Diodes [Text] / B.H. Rose, C.E. Barnes // J. Appl. Phys. - 1982. - Vol. 53(3). - P. 1772.

[111] Галеев, А.П. Влияние электронного облучения на электрические и оптические параметры фотоприемников [Текст] / А.П. Галеев, Е.А. Ладыгин, Т.Ю. Таперо // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1996. - Вып. 1-3.

- С. 104-107.

[112] Мещуров, О.В. Исследование деградации отечественных изделий оптоэлектроники вследствие структурных повреждений при воздействии ионизирующего излучения [Текст] / О.В. Мещуров, К.И. Таперо, В.С. Фигу-ров [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2011. - Вып. 2.

- С. 24-28.

[113] Таперо, К.И. Исследование деградации GaAs/Ge солнечных элементов вследствие радиационно-индуцированных эффектов структурных повреждений [Текст] / К.И. Таперо, Г.В. Демидась, И.В. Щемеров // Вопросы

атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2011. - Вып. 3. - С. 46-51.

[114] Tapero, K.I. Degradation of GaAs/Ge solar cells due to displacement damage caused by fast neutrons [Text] / K.I. Tapero // ISROS 2014 Proceedings.

- 2014.

[115] Marshall, C.J. Proton Effects and Test Issues for Satellite Designers: Displacement Effects [Text] / C.J. Marshall // 1999 NSREC Short Course Notes.

- 1999. - P. IV-50 - IV-110.

[116] Messenger, S.R. Modeling Solar Cell Degradation in Space: A Comparison of the NRL Displacement Damage Dose and the JPL Equivalent Fluence Approaches [Text] / S.R. Messenger, G.P. Summers, E.A. Burke [et al.] // Progress in Photovoltaics: Research and Application. - 2001. - Vol. 9. - P. 103-121.

[117] Мещуров, О.В. Сравнительные исследования воздействия различных видов ионизирующих излучений на деградацию оптоэлектронных ключей [Текст] / О.В. Мещуров, К.И. Таперо // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2011. - Вып. 3. - С. 41-45.

[118] Rax, B.G. Total Dose and Proton Damage in Optocouplers [Text] / B.G. Rax, C.I. Lee, A.H. Johnston, C.E. Barnes // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1996.

- Vol. 43. - P. 3167-3173.

[119] Mangeret, R. Radiation Characterization and Test Methodology Study of Optocouplers Devices for Space Applications [Text] / R. Mangeret, L. Bonora, T. Bouchet [et al.] // Proc. of RADECS 2001 Conference. - 2001.

[120] Miyahira, T.F. Trends in Optocoupler Radiation Degradation [Text] / T.F. Miyahira, A.H. Johnston // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2002. - Vol. 49(6).

- P. 2868-2873.

[121] Bregoli, M. Recent Proton and Co60 Radiation Test Data from a Newly Developed European Optocoupler Source for Space Application [Text] / M. Bregoli, S. Hernandez, C. Ress [et al.] // Proc. of RADECS 2013 Conference.

- 2013.

[122] Tapero, K. Some Aspects of Radiation Testing of Optocouplers for Space Application [Text] / K. Tapero, O. Meschurov // ISROS 2012 Proceedings and Tutorials. - 2012. - P. 49-53.

[123] Yu, Q. Investigation on Irradiation Test Method of Optoelectronics for Space [Text] / Q. Yu, M. Tang, M. Meng [et al.] // ISROS 2012 Proceedings and Tutorials. - 2012.

[124] Martinez, N. Prelimenary Space Assessments of Radiation Tolerant Optocouplers from AVAGO Technologies [Text] / N. Martinez, A. Costantino, O. Gilard [et al.] // ISROS 2012 Proceedings and Tutorials. - 2012.

[125] Costantino, A. Optimized Radiation Testing Methodology to Predict on Optocouplers Degradation for Space Application [Text] / A. Costantino, S. Hernandez, G. Quadri [et al.] // ISROS 2012 Proceedings and Tutorials. - 2012.

[126] Colinge, J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects [Text] / J.P. Colinge // RADECS-97 Short Course. - 1997.

[127] Weatherford, T. From Carriers to Contacts, a Review of SEE Charge Collection Processes in Devices [Text] / T. Weatherford // 2002 IEEE NSREC Short Course Notes. - 2002. - P. IV-1 - IV-53.

[128] EIA/JESD57 Test Procedures for the Measurement of Single-Event Effects in Semiconductor Devices from Heavy Ion Irradiation. - Electronic Industries Association, Engineering Department. - 1996.

[129] Потапов, И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий [Текст]: монография / И.П. Потапов, В.М. Антимиров, Ю.К. Фортинский, К.И. Таперо. - Воронеж: Изда-тельско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007. - 121 с.

[130] Потапов, И.П. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] / И.П. Потапов, В.Н. Ачкасов, К.И. Таперо // Радиационная стойкость электронных систем: научн.-техн. сб. - 2008. - Вып. 11. - С. 105106.

[131] Таперо, К.И. Исследование воздействия тяжелых заряженных частиц на микросхемы [Текст] / К.И. Таперо, И.П. Потапов // Моделирование систем и процессов. - 2008. - № 3-4. - С. 85-88.

[132] Смерек, В.К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц [Текст] / В.К. Смерек, В.К. Зольников, К.И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2010.

- № 1-2. - С. 41-48.

[133] Зольников, В.К. Модель радиационных эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц в КМОП-элементах микросхем [Текст] / В.К. Зольников, К.И. Таперо, В.А. Смерек, Т.П. Беляева // Программные продукты и системы. - 2011. - № 3(95). - С. 17-21.

[134] MIL-STD-883J. Method 1019.9. Ionizing Radiation (Total Dose) Test Procedure. - USA Department of Defense. - 2013.

[135] ESCC Basic Specification No. 22900. Total Dose Steady-State Irradiation Test Method. - ESCC. - 2010.

[136] ОСТ 134-1034-2012 Аппаратура, приборы, устройства и оборудование космических аппаратов. Методы испытаний и оценки стойкости бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию электронного и протонного излучений космического пространства по дозовым эффектам. - M.: ФГУП ЦНиИмАШ, 2012.

[137] Schwank, J.R. Radiation Hardness Assurance Testing of Microelectronic Devices and Integrated Circuits: Radiation Environments, Physical Mechanisms, and Foundations for Hardness Assurance [Text]: Sandia National Laboratories Document Sand-2008-6851P / Schwank J.R., Shaneyfelt M.R., Dodd P.E.

- 2008.

[138] Boch, J. Dose Rate Switching Technique to Estimate the Low Dose Rate Response of Bipolar Technologies [Text] / J. Boch, A. Michez, M. Rousselet [et al.] // 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. - 2015. - P. 1-4. DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365604.

[139] РД 134-0196-2011 Аппаратура радиоэлектронная бортовая космических аппаратов. Типовая методика контроля стойкости к ионизирующим излучениям космического пространства в части дозовых эффектов, отбора и отбраковки биполярных электрорадиоизделий. - M.: ФГУП ЦНИИМАШ, 2011.

[140] Petrov, A.S. Some features of degradation in bipolar transistors at different test conditions for total ionizing dose effect [Text] / A.S. Petrov, V.N. Ulimov // Microelectronics Reliability. - 2012. - V. 52. - P. 2435-2437.

[141] Zebrev, G.I. Simulation of Bipolar Transistor Degradation at Various Dose Rates and Electrical Modes for High Dose Conditions / G.I. Zebrev, A.S. Petrov, R.G. Useinov [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2014. - Vol. 61(4).

- P. 1785-1790.

[142] Петров, А.С. Применение испытательного стенда контроля стойкости электронной компонентной базы для испытаний биполярных операционных усилителей [Текст] / А.С. Петров, М.С. Петров, К.И. Таперо [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2013. - Вып. 1. - С. 14-17.

[143] Таперо, К.И. Особенности радиационных испытаний аналоговых биполярных микросхем с учетом эффекта ELDRS [Текст] / К.И. Таперо, А.С. Петров, В.Н. Улимов, А.М. Членов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2013. - Вып. 4. - С. 5-10.

[144] Petrov, A.S. Roscosmos test facilities for total ionizing dose testing of electronic components [Text] / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov [et al.] // 2014 IEEE NSREC Radiation Effects Data Workshop. - 2014. DOI: 10.1109/REDW.2014.7004585.

[145] Petrov, A.S. Influence of temperature and dose rate on the degradation of BiCMOS operational amplifiers during total ionizing dose testing [Text] / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov // Microelectronics Reliability. 2014.

- Vol. 54. - P. 1745-1748.

[146] Tapero, K.I. Dose Effects in CMOS operational amplifiers with bipolar and CMOS input stage at different dose rates and temperatures [Text] / K.I. Tapero, A.S. Petrov, P.A. Chubunov [et al.] // 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2015. - P. 1-4. DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365602.

[147] Таперо, К.И. Радиационно-индуцированная деградация КМОП операционных усилителей в зависимости от мощности дозы и температуры при облучении [Текст] / К.И. Таперо, А.С. Петров, В.Н. Улимов // Известия

высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2016. -Т. 19.

- № 1 (в печати).

[148] Buchner, S. Proton Test Guideline Development — Lessons Learned [Text] / S. Buchner, P. Marshall, S. Kniffin, K. LaBel. - NASA-GSFC, 2002.

[149] ОСТ 134-1044-2007. Аппаратура, приборы, устройства и оборудование космических аппаратов. Методы расчета радиационных условий на борту космических аппаратов и установления требований по стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к воздействию заряженных частиц космического пространства естественного происхождения. - M.: ФГУП ЦНИИМАШ, 2007.

[150] Petrov, A. Radiation testing of optocouplers intended for space application using the consecutive modelling of ionizing and displacement damage effects [Text] / A. Petrov, K. Tapero, G. Mosina // ISROS 2016 Proceedings. - 2016.

[151] Таперо, К.И. Определение срока службы оптронов в условиях космического пространства с использованием последовательного моделирования ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений [Текст] / К.И. Таперо, А.С. Петров, Г.М. Мосина // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 2016. - Вып. 3. - С. 23-29.

[152] Градобоев, А.В. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами [Текст] / А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов // Журнал радиоэлектроники. - 2013. - № 4. Режим доступа: http: //j re.cplire.ru/j re/apr 13/index_e.html.

[153] Green, M.A. Solar Cell Efficiency Tables (Version 23) [Text] / M.A. Green, K. Emery, D.L. King [et al.] // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. - 2004. - Vol. 12(1). - P. 55-62.

[154] Iles, P.A. Evolution of Space Solar Cells [Text] / P.A. Iles // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2001. - Vol. 68(1). P. 1-13.

[155] Karam, N.H. Recent Developments in High-Efficiency Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge Dual- and Triple-Junction Solar Cells: Steps to Next Generation PV Cells [Text] / N.H. Karam, R.R. King, M. Haddad [et al.] // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2001. - Vol. 66(1). - P. 453-466.

[156] Schermer, J.J. Thin-Film GaAs Epitaxial Lift-Off Solar Cells for Space Application [Text] / J.J. Schermer, P. Mulder, G.J. Bauhuis [et al.] // Progress in Photovoltaics: Research and Application. - 2005. - Vol. 13. - P. 587-596.

[157] Орлова, М.Н. Изучение деградации фотоэлектрических преобразователей на основе наногетероструктур АШВ'У в условиях ионизирующего излучения [Текст] / М.Н. Орлова, С.Ю. Юрчук, С.И. Диденко, К.И. Таперо // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.

- 2014. - Т. 17. - № 3. - С. 217-223. D0I:10.17073/1609-3577-2014-3-217-223.

[158] Orlova, M.N. Study of Degradation of Photovoltaic Cells Based on

л с

A B Nanostructures Under Ionizing Radiation [Text] / M.N. Orlova, S.Yu. Yur-

chuk, S.I. Didenko, K.I. Tapero // Modern Electronic Materials. - 2015.

- Vol. 1(2). - P. 60-65. DOI: 10.1016/j.moem.2016.01.003.

[159] Wang, R. Displacement Damage Dose Used for Analyzing Electron Irradiation-Induced Degradation of GaInP/GaAs/Ge Space Solar Cells [Text] / R. Wang, M. Lu, Y. Liu, Zh. Feng // Science China: Physics, Mechanics & Astronomy. - 2001. - Vol. 54. - Suppl. 2. - P. s296-s299.

[160] Messenger, S.R. Application of Displacement Damage Dose Analysis to Low-Energy Protons on Silicon Devices [Text] / S.R. Messenger, E.A. Burke, G.P. Summers, R.J. Walters // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2002. - Vol. 49(6).

- P. 2690-2694.

[161] Ачкасов, В.Н. Средства автоматизации проектирования и управления разработкой электронной компонентной базы специального назначения [Текст]: монография / В.Н. Ачкасов, К.И. Таперо, В.К. Зольников, Т.П. Беляева. - Воронеж: ВГЛТА, 2012. - 300 с.

[162] Лавлинский, В.В. Научные основы синтеза виртуальной реальности для проектируемой электронной компонентной базы специального назначения при воздействии тяжелых ядерных частиц [Текст]: монография / В.В. Лавлинский, В.К. Зольников, К.И. Таперо. - Воронеж: ФГБОУ ВО «ВГЛТУ», 2016. - 256 с.

[163] Таперо, К.И. Влияние эффекта смещения атомов на формирование зарядов в КМДП-структурах при облучении [Текст] / К.И. Таперо // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1996. - Вып. 1-3. - С. 65-67.

[164] Ладыгин, Е.А. Экспериментальная оценка вклада физических процессов в подзатворном диэлектрике, на границе раздела кремний-диэлектрик и в приповерхностном слое кремния в радиационную стойкость КМОП БИС [Текст] / Е.А. Ладыгин, К.И. Таперо, Г.А. Осипов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1996. - Вып. 1-3. - С. 58-60.

[165] Ладыгин, Е.А. Исследование влияния электронного облучения на параметры КМДП-структур [Текст] / Е.А. Ладыгин, К.И. Таперо, А.М. Мусалитин, А.В. Паничкин // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1996.

- Вып. 1-3. - С. 63-64.

[166] Таперо, К.И. Кинетика отжига радиационных дефектов в кремниевых МОП- и КМОП-структурах [Текст] / К.И. Таперо, Е.А. Ладыгин // Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». - 1999. - Вып. 1-2. - С. 39-42.

[167] Васин, С.В. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами: дисс. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Васин Сергей Вячеславович. - Ульяновск, 1999. - 158 с.

[168] Ning, T.H. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide [Text] / T.H. Ning // J. Appl. Phys. - 1976. - Vol. 47(2).

- P. 1079-1081.

[169] Johnson, W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators [Text] / W.C. Johnson // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1975. - Vol. 22(6). - P. 21442150.

[170] Гадияк, Г.В. Моделирование распределения водорода при ин-жекции электронов в пленках SiO2 в сильных электрических полях [Текст] / Г.В. Гадияк // ФТП. - 1997. - Т. 31. - № 3. - С. 257-263.

[171] Edmonds, L.D. A Time-Dependent Charge-Collection Efficiency for Diffusion [Text] / L.D. Edmonds // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2001. - Vol. 48(5).

- P. 1609-1622.

[172] ] Edmonds, L.D. Electric Currents through Ion Tracks in Silicon Devices [Text] / L.D. Edmonds // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1998. - Vol. 45(6).

- P. 3153-3164.

[173] Edmonds, L.D. Charge Collection from Ion Tracks in Simple EPI Diodes [Text] / L.D. Edmonds // IEEE Trans. Nucl. - 1997. - Vol. 44. - P. 14481463.

[174] РДВ 319.03.38-2000 Изделия электронной техники. Микросхемы интегральные. Методы взаимного пересчета параметров моделей одиночных сбоев БИС и СБИС при воздействии отдельных высокоэнергетичных ТЗЧ ГКЛ и СКЛ и протонов космического пространства. - М.: ФГУ 22 ЦНИИИ МО РФ, 2000.