Развитие физико-химических принципов оценки влияния поверхностной энергии на свойства материалов и процессы для технологии микроэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор наук Бокарев Валерий Павлович

• Бокарев Валерий Павлович
• доктор наук
• 2020

Оглавление диссертации доктор наук Бокарев Валерий Павлович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ПОВЕРХНОСТНАЯ ЭНЕРГИЯ КРИСТАЛЛА И СПОСОБЫ ЕЁ ОПРЕДЕЛЕНИЯ

1.1. Поверхность и свойства кристаллического вещества

1.2. Экспериментальные методы определения поверхностной энергии

1.3. Теоретические расчёты поверхностной энергии

1.4. Предплавление в кристаллах

1.5. Экспериментальное наблюдение поверхностного плавления кристаллов

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ НА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

НАНО-, МИКРО- И МАКРОКРИСТАЛЛОВ

2.1. Вклад поверхностной энергии во внутреннюю энергию кристалла

2.2. Методы исследования поверхности и реальной структуры кристалла

2.3. Влияние высокоэнергетических воздействий на реальную структуру кристаллов

2.4. Влияние высокоэнергетических воздействий на скорость протекания фазовых превращений

2.5. Влияние поверхности на активность гетерогенных катализаторов

3. РОЛЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ ЭНЕРГИИ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ХИМИЧЕСКИХ СИНТЕЗАХ

3.1. Разработка процесса криогенной очистки кремниевых пластин от органических и механических загрязнений

3.2. Разработка процессов фотолитического селективного травления

81 и 81О2

3.3. Разработка процесса высокотемпературной стабилизации свойств фоторезистивных масок для технологии изготовления СБИС

3.4. Поверхностная энергия и контактное плавление кристалличеких веществ

3.5. Влияние поверхности на химическую активность

3.6. Использование анизотропии поверхностной энергии кристалла при изготовлении тестового объекта для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах

4. ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ ЭНЕРГИИ НА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛА

4.1. Энергетический критерий аморфизации кристаллов

4.2. О пределе дробления кристаллических веществ

4.3. Влияние поверхностной энергии на температуру плавления микрочастиц и плёнок

4.4. Модель координационного плавления кристалла

5. ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ НА СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

5.1. Влияние поверхностной энергии на температуру аморфизации плёнок

5.2. Решёточная модель кристалла и расчёт среднего координационного числа атомов в монокристаллических элементах конечного размера

5.3. Поверхностная энергия и огранка кристаллов

5.4. Расчёт температуры поверхностного плавления монокристаллов элементарных веществ

5.5. Влияние поверхностной энергии на спекание порошкообразных веществ

5.6. Кристаллическая структура и анизотропия работы выхода электрона на разных гранях кристалла

5.7. Кристаллическая структура и анизотропия работы адгезии на разных гранях кристалла

6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ 254 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Технологии изготовления изделий микроэлектроники и микросистемной техники основаны на направленном изменении поверхностных свойств материалов, т.е. непосредственно связаны с поверхностными свойствами твёрдых тел, наиболее важной термодинамической характеристикой которых является поверхностная энергия. Поверхностная энергия кристаллических веществ имеет исключительное значение, как для фундаментальной, так и для прикладной науки не только в области физической химии твердого тела, но и в различных отраслях техники. Без знания поверхностных свойств невозможно прогнозировать использование конкретных веществ в технологии микро- и наноэлектроники, в технологических процессах гетерогенного катализа, процессах спекания порошкообразных веществ, процессах получения композиционных веществ и во многих других процессах.

Быстро развивающаяся технология микроэлектроники перешла в область наноразмеров. В настоящее время лидерами микроэлектронной промышленности освоено производство изделий с проектными нормами 16-14 нм, осваивается технология уровня 10-7 нм, разрабатываются соответствующее новым потребностям материалы и оборудование, накапливаются экспериментальные результаты. Однако переход технологии в нанообласть сопряжен не только с техническими трудностями. Данный переход является качественно новым переходом технологии на работу с материалами, имеющими размерную зависимость свойств. Поэтому при разработке полупроводниковых устройств с нанометровыми технологическими элементами становится необходимым учет размерного эффекта, т.е. зависимости свойств наноэлементов от их линейных размеров. Наглядно такая зависимость проявляется в размерной зависимости свойств материалов при уменьшении их линейных размеров до наноуровня. При этом определяющая роль в изменении свойств материалов принадлежит поверхностной энергии кристалла. Разработка технологий изготовления полупроводниковых устройств нанометро-вого уровня столкнулась с необходимостью применения новых материалов, как в

транзисторной структуре, так и в металлических контактах и разводке. В настоящее время большие надежды возлагаются на применение новых материалов в монокристаллическом состоянии, что при наноразмерных функциональных элементах требует разработки новых технологий их получения и дополнительных исследований анизотропии их поверхностных свойств, которая зависят от симметрии кристаллической структуры и величин удельной поверхностной энергии кристалла. Уже сейчас имеются данные о важности учёта поверхностных свойств кристаллических материалов при разработке оптимальных по своим рабочим параметрам транзисторов. Так в работе [1] были исследованы пределы производительности двухполюсных MOSFET транзисторов с германиевым каналом. Было показано, что лучший по величине баллистический ток получается на подложке с ориентацией (110) при ориентации каналов в направлении [110]. То есть анизотропия поверхностных свойств при наноразмерах играет определяющую роль в формировании рабочих характеристик нанотранзисторов. В работе [2] данный вывод был подтверждён на примерах применения для изготовления каналов нано-транзисторов таких материалов как, ОаЛБ, 1пЛб Ое, и др. Было показано, что лучший баллистический ток через каналы из GaAs, InAs и в nDGFETs также получен на поверхности (110) для каналов, расположенных в направлении [110], что открывает новые возможности в оптимизации параметров квазибаллистических устройств с альтернативными материалами каналов.

Поверхностные процессы имеют определяющее значение в проведении физико-химических превращений и синтезов, происходящих в твёрдых веществах при воздействии на них сдвиговых деформаций при высоких давлениях. Такие воздействия на кристаллические вещества и их смеси приводит к химическим синтезам и фазовым превращениям веществ в метастабильные при нормальных условиях структуры. Причём все эти превращения происходят с аномально высокой скоростью за времена пластического течения веществ при высоком давлении [3-12]. Так как при таких воздействиях происходит дробление кристаллических веществ на блоки и увеличение концентрации дефектов в кристаллах, то для выяснения механизма таких превращений необходимо знать основные факторы,

влияющие на увеличение внутренней энергии веществ при таких воздействиях. Для этого необходима разработка основанных на термодинамических законах моделей, наиболее полно и адекватно описывающих энергетику поверхности, в том числе и энергетику границ зёрен, а также зависимости физико-химических свойств веществ от их линейных размеров.

Теоретическим и экспериментальным исследованиям поверхностных явлений посвящено множество работ, в которых рассмотрены основные термодинамические и кинетические факторы, влияющие на процессы образования новых фаз и поверхностные свойства твёрдых веществ [13-49]. Разработанные к настоящему времени модели можно подразделить на модели, использующие при расчётах первые принципы термодинамики [13, 15-31], включая полуэмпирические модели, и модели с применением статической электронной теории, а также модели с использованием теории функционала плотности (БСЭ) [33-39], в которых при расчёте поверхностных энергий одноэлектронные уравнения решаются с помощью метода, разработанного Скривером и Розенгардом из первых принципов с учётом площадей зарядовой плотности [35] и которые позволяют строить базис сильной связи и находить параметры гамильтониана из первых принципов, а также с применением метода линейных «маффин-тин» орбиталей (ЬМТО) [36, 37]. Данными методами были рассчитаны поверхностные энергии более 60 металлов Периодической системы элементов. Кроме того во многих работах для улучшения упрощённых расчётов суммарной энергии металлических систем применяется метод встроенного атома, проводимый по модели Томаса-Ферми-Дирака-фон Вайцзакера для кинетической энергии с локальным обменом и корреляцией в распределении замороженных электронов [40-49], а также модифицированный метод погруженного атома [47,48] позволяющий не только рассчитать поверхностные энергии металлов, но и делать расчёты напряжений в тонких поликристаллических плёнках металлов.

Модели, основанные на применении законов равновесной термодинамики, выявили основные причины изменения физико-химических свойств материалов при уменьшении их размеров до наноуровня. Подробное изложение размерных

зависимостей свойств наноразмерных объектов, подтверждённое строгими термодинамическими расчётами, приведено в работах академика А.И. Русанова [1518]. Применив теорию гетерогенных равновесий Ван-дер-Ваальса к термодинамике поверхностных явлений, А.И. Русанов вывел уравнения, связывающие равновесное состояние фаз и межфазных поверхностей с температурой, давлением, поверхностной энергией и молярной долей компонентов [15]. Однако подобные уравнения оказались слишком сложными для использования при расчётах поверхностных энергий кристаллов. Поэтому большое распространение получили модели с расчётами, основанными на иных моделях. К основным из применяемых при расчёте поверхностных энергий моделям можно отнести модели с применением плазмонной теории поверхностной энергии металлов [20-22], модели с применением электронно-статистического метода Френкеля-Гамбоша-Задумкина [26-31], модели использующие теорию функционала плотности [33-39], а также модели с использованием метода «встроенного атома» [40-43] и их модифицированные разновидности [44-49], с использованием которых рассчитывали поверхностные свойства не только кристаллов с металлической связью, но и кристаллов с ионной и ковалентной связями.

Большинство теоретических моделей основываются на проведении упрощённых квантовохимических расчётов с использованием подгоночных коэффициентов и потенциалов. Во многих случаях поверхностную энергию рассматривают как поверхностное натяжение, т.е. как изотропную величину, что облегчает проведение расчётов, но отдаляет их от реальности. С использованием аппарата квантовой химии рассчитывают как поверхностные энергии веществ, так и их анизотропию. Однако при этом не выявляется связь между кристаллической структурой веществ и анизотропией их поверхностных свойств, т.к. зачастую в результате расчётов получаются противоречивые значения анизотропии для кристаллических веществ, обладающих одной и той же кристаллической структурой. Кроме того, ни в одной из применяемых при расчётах поверхностной энергии моделей не принимается во внимание фундаментальное свойство кристаллов - координационное окружение атомов, которое изменяясь, резко изменяет физические

свойства кристалла. В свою очередь симметрия координационного окружения атома (иона, молекулы) в кристалле формирует пространственную симметрию кристаллической структуры. А кристаллическая структура определяет анизотропию свойств кристалла, в том числе и анизотропию поверхностной энергии. Поэтому поверхностная энергия, фигурирующая во всех формулах, связывающих поверхностные явления с термодинамическими и физическими свойствами кристалла, относится к наиболее важным поверхностным свойствам кристаллического состояния.

Поверхность кристалла является самым важным нарушением трёхмерной периодической структуры кристаллов, основным её макродефектом, существующим у самых совершенных кристаллов. Изменение структуры кристалла на его поверхности приводит к адекватному изменению на ней всех физико-химических свойств и термодинамических постоянных.

Поверхность монокристалла обладает анизотропией свойств, в частности -анизотропией удельной поверхностной энергии - <гш. Общеизвестна роль поверхностной энергии в образовании зародыша кристалла и в эпитаксиальном росте кристаллических слоёв [50].

Огранка кристалла также должна отражать анизотропию поверхностной энергии. Однако экспериментальные данные по скоростям роста граней с различной величиной Ош противоречивы.

Поверхностная энергия ответственна не только за размерную зависимость свойств наноразмерных материалов, она определяет процессы зарождения, роста и плавления твёрдой фазы, а в случае монокристаллических веществ - анизотропию их свойств. В связи с тем, что технология микроэлектроники, как и нанотех-нологии, является технологией обработки и модифицирования поверхностных слоёв монокристаллических, поликристаллических и аморфных материалов важность получения сведений о поверхностной энергии материалов и её анизотропии является неоспоримой. А при нанотолщинах функциональных слоёв учёт анизотропии поверхностной энергии становится важнейшей характеристикой, влияющей на свойства 2D и 3D транзисторов.

Кроме того данные знания в равной степени необходимы не только прикладной, но и фундаментальной науке, т.к. многие проблемы в областях науки имеющих дело с поверхностью требуют своего решения. До настоящего времени не решена проблема теоретического расчёта морфологии кристаллов, представляющая огромный интерес для кристаллохимии и проясняющая природу процессов происходящих на поверхности кристалла при его росте.

Несмотря на значительное влияние внешней среды на габитус растущего кристалла, определяющее влияние на габитус оказывает кристаллическая структура данного вещества. На связь габитуса кристалла с его кристаллической структурой указывал О.Бравэ, введший понятие о ретикулярной плотности грани и показавший, что огранка кристалла определяется наиболее медленно растущими гранями. Впоследствии его выводы были подтверждены в работах П.Кюри и Г.Вульфа и получили название Правила Кюри-Вульфа, согласно которому наиболее развитыми гранями на поверхности кристалла являются грани с наименьшими скоростями роста. Для снятия найденных позже отклонений от закона Бравэ, различными учёными вносились поправки. Так Г. Донней (Donnay J.D.H.) и Д. Хар-кер (Harker D.) показали, что грани, перпендикулярные простым осям и плоскостям симметрии, чаще проявляются в габитусе кристаллов, чем грани, перпендикулярные винтовым осям и плоскостям скользящего отражения [51]. Однако кристаллографический подход не объяснил всё многообразие облика природных кристаллов. Привлечение законов термодинамики для объяснения свойств кристаллов и разработка термодинамического подхода к поверхности привели к разработке учения о важнейшей термодинамической характеристики поверхности -поверхностной энергии. Данная термодинамическая характеристика непосредственно отвечает за свойства поверхности и, являясь анизотропной величиной, влияет на рост кристалла и его габитус. К сожалению, экспериментальное определение точных значений поверхностной энергии оказалось фактически невозможным, а многочисленные теоретические оценки зачастую противоречат друг другу либо экспериментальным данным. До настоящего времени однозначно не решён вопрос о причинах аномально высоких скоростей химических реакции и фазовых

превращений при воздействии сдвиговых деформаций при высоких давлениях и при ударно-волновом воздействии на исходные смеси веществ.

Цель диссертационной работы

Цель диссертационной работы заключалась в развитие физико-химических принципов оценки влияния величин удельной поверхностной энергии на поверхностные свойства кристаллических материалов, в частности влияния поверхностной энергии на химическую активность, каталитическую активность, работу выхода электрона, величиу адгезии, температуру плавления нанокристаллов, температуру поверхностного плавления монокристаллов и учёта такого влияния в технологических процессах микроэлектроники.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие физико-химических принципов оценки влияния поверхностной энергии на свойства материалов и процессы для технологии микроэлектроники»

Задачи работы

Для достижения поставленной цели в работе были рассмотрены и решены следующие задачи:

1. Разработать необходимые методы исследования и провести анализ воздействия на свойства поверхности кристаллических материалов сдвиговых деформаций при высоких статических давлениях.

2. Разработать технологические процессы обработки кристаллических материалов для технологии микроэлектроники, в том числе: криогенной очистки поверхности кремневых пластин; высокоселективного фотолитического травления материалов; высокотемпературной стабилизации размеров и профиля низкоплавких фоторезистивных масок.

3. Разработать термодинамическую модель расчёта величин удельной поверхностной энергии кристаллов элементарных веществ.

4. Рассчитать по разработанной методике: величины удельных поверхностных энергий монокристаллов элементарных веществ; анизотропию поверхностных энергий металлов с ОЦК- , ГЦК- и ГПУ- структурой и элементарных полу-

проводников с алмазной структурой; температуру поверхностного плавления металлов и льда; анизотропию работы выхода электрона на разных поверхностях кристалла и анизотропию работы адсорбции на разных гранях кристалла.

5.Разработать методику и провести расчёт изменения среднего координационного числа атомов в кубических кристаллических структурах элементов при уменьшении линейных размеров кристалла до наноуровня.

6. Оценить влияние удельной поверхностной энергии веществ на физико -химические свойства материалов и процессы для технологии микроэлектроники по разработанным модели и методикам путём сопоставления рассчитанных величин анизотропии поверхностных свойств с известными из литературных источников экспериментальными значениями и с теоретическими расчётами по другим моделям.

Научная новизна полученных результатов

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Разработаны новые способы обработки поверхности материалов для технологии микро- и наноэлектроники, в том числе: способы увеличения химической активности неорганических веществ и гетерогенных катализаторов; криогенной очистки поверхности кремневых пластин; высокоселективного фотолитического травления материалов и высокотемпературной стабилизации размеров и профиля низкоплавких фоторезистивных масок.

2. Определена минимальная толщина поверхностного слоя гомодесмическо-го кристалла, переходящего в расплав при температуре плавления, как толщина первой координационной сферы атомов в направлении, перпендикулярном к данной поверхности, что позволило рассчитать анизотропию поверхностной энергии металлов и элементарных полупроводников на основе его структурных, физических и термодинамических свойств.

3. Разработана модель координационного плавления кристалла, связавшая анизотропию удельной поверхностной энергии кристалла с его физическими,

термодинамическими и структурными свойствами, что позволило рассчитать величины удельных поверхностных энергий кристаллов химических элементов.

4. Рассчитаны зависимости среднего координационного числа атомов в кристалле от его линейных размеров для кристаллов с примитивной кубической, ОЦК и ГЦК структурами, позволившие связать температуру термодинамической стабильности кристаллической фазы нанокристаллов с изменением среднего координационного числа атомов при наноразмерах.

5. С использованием расчётов по модели координационного плавления кристалла и введением в рассмотрение гомологических рядов поверхностной энергии металлов показано, что максимальным значениям удельной поверхностной энергии соответствуют максимальные значения работы выхода электрона.

6. Основываясь на экспериментальных результатах российских и зарубежных исследователей показана связь анизотропии удельной поверхностной энергии кристаллов с величиной адгезии на разных гранях кристалла и объяснены выявленные при исследованиях противоречия.

7. С использованием модели координационного плавления кристалла рассчитаны температуры поверхностного плавления кристаллов большинства металлов и льда, значения которых не противоречат известным из литературных источников.

Теоретическая и практическая ценность полученных результатов

Применённые экспериментальные методы позволили:

- изучить влияние высокоэнергетических воздействий на физико-химические свойства кристаллических материалов;

- выявить связь активности гетерогенных катализаторов с кристаллографической ориентацией их поверхности, размерами блоков мозаики, величиной микроискажений на границах блоков и пространственным расположением атомов на поверхности, входящих в первые координационные сферы атомов;

- объяснить атермический механизм высоких скоростей физико-химических превращений в веществах при воздействии на них сдвиговых деформаций при высоком давлении дроблением кристаллов на блоки с линейными размерами сопоставимыми с размером первой координационной сферы атомов, что обеспечивает снятие энергетических барьеров на перестройку структуры в термодинамически стабильную при данных Р,Т - параметрах.

- разработать способы обработки материалов с учётом влияния на результат обработки поверхностной энергии, в том числе:

способ криогенной очистки кремниевых пластин от органических примесей и механических частиц позволяющий заменить технологическую операцию жидкостной очистки поверхности на не менее эффективную сухую очистку за счёт уменьшения поверхностной энергии на границах раздела очищаемой поверхности и примеси;

способы фотолитического высокоселективного травления слоёв Si и SiO2 под воздействием ВУФ-излучения, позволяющие производить прецизионное селективное сухое травление поверхностных слоёв, основанное на активации ВУФ излучением травящих газов, адсорбированных на поверхностях травимых слоёв, адсорбционные свойства которых пропорциональны величине их поверхностной энергии, что приводит к различной скорости травления разных материалов;

способ высокотемпературной стабилизации свойств низкоплавких фоторези-стивных масок, основанный на поверхностной и объёмной полимеризации фоторезиста с увеличением его адгезии к подложке, что позволило повысить производительность высокоэнергетических процессов ПХТ металла и ионной имплантации при изготовления СБИС.

Разработанная модель координационного плавления кристалла позволяет рассчитывать величины удельных поверхностных энергий элементарных веществ, анизотропию поверхностной энергии, анизотропию работы выхода электрона из разных граней кристалла и анизотропию работы адсорбции на разных гранях кристалла, а также температуру поверхностного плавления кристаллов, используя

при расчётах только хорошо изученные физико-химические свойства веществ, приведённые в справочной литературе.

Результаты расчётов анизотропии свойств поверхности кристаллов необходимы для дальнейшего развития технологии производства интегральных микросхем, улучшения адгезионных и электрических свойств наносимых слоёв с учётом их анизотропии, а также при расчётах оптимальных свойств поверхности новых кристаллических материалов для использования в технологии микроэлектроники.

Основные результаты проведённых исследований используются при чтении лекций по спецкурсу «Физическая химия поверхности материалов микро- и нано-электроники» на базовой кафедре МФТИ. По результатам работы получено два акт о внедрении.

На защиту выносятся следующие основные положения

1. Способ криогенной очистки поверхности полупроводниковых пластин от механических загрязнений и органических примесей, позволяющий очищать рельефную поверхность пластин от органических загрязнений со сглаженным профилем в результате снижении поверхностной энергии на границе раздела фаз в соответствии с эффектом Ребиндера и фотохимической деструкцией органических соединений;

3. Способ фотолитического высокоселективного травления слоёв Si и SiO2 в смесях и Ar+SF6 под воздействием ВУФ-излучения;

4.Способ высокотемпературной стабилизации линейных размеров и профиля фоторезистивной маски на основе низкоплавких фоторезистов;

5.Модель координационного плавления кристалла, учитывающая сохранение первой координационной сферы атомов при достижении кристаллом температуры плавления;

6.Методика расчёта изменения средних координационных чисел атомов в гомодесмических кристаллах элементарных веществ при уменьшении их линейных размеров до наноуровня;

7.Методики расчёта: величин и анизотропии удельной поверхностной энергии кристаллов; температуры поверхностного плавления кристалла; анизотропии работы выхода электрона и анизотропии работы адсорбции на разных гранях кристалла.

Соответствие диссертации Паспорту научной специальности

Приведённые в диссертации научные положения соответствуют области исследования специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». Полученные научные результаты соответствуют пунктам 1, 3, 4, 5, 6. паспорта специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».

Обоснованность и достоверность полученных в диссертации результатов

Обоснованность и достоверность полученных в диссертации экспериментальных данных по реальной кристаллической структуре, каталитической активности, удельной поверхности, фазовому составу, линейным размерам, наличию загрязнений и физико-химическим свойствам веществ получены с применением современных методов исследований.

Обоснованность и достоверность результатов модельных расчётов основана на применении при разработке методики расчёта анизотропии удельной поверхностной энергии кристаллов общепризнанных термодинамических законов и структурных характеристик кристаллов, опубликованных в справочной литературе, в отсутствии подгоночных коэффициентов при выводе формул для расчёта поверхностных свойств, а также в отсутствии противоречий с результатами экспериментальных работ и ряда теоретических расчётов.

Личный вклад автора

Автору принадлежит инициатива в выборе направления работы, постановке конкретных задач и подходов к их решению, а также систематизация литературных данных и результатов исследования. Все приведённые результаты получены лично автором или при его непосредственном участии.

Апробация работы

Основные результаты исследований представлялись автором на Всесоюзных, Всероссийских и Международных конференциях, совещаниях, симпозиумах, семинарах: на III Всесоюзном Симпозиуме по импульсным давлениям. М.:ВНИИФТРИ,1979; на Всесоюзном совещание "Применение высоких давлений для получения новых материалов и создания интенсивных процессов химических технологий." М.: МГУ, 1986; The Forth APS Topical Conference on Shock Wave in Condensed Matter. USA, 1985; на сессии Межведомственного Совета по комплексным проблемам физики, химии и биологии при Президиуме РАН. Москва, 1995 г.; на XIV Всесоюзной конференции «Физика сегнетоэлектриков», г. Иваново, 1995 г.; на I научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1998; на II Юбилейной научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1999; на III научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2000; на IV научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2001; на Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника 2001» Звенигород, 2001 г; на V научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2002; на Всероссийском Совещании по росту кристаллов плёнок и дефектам структуры кремния. «КРЕМНИИ-2002» Новосибирск, 2002 г.; на Международной научно-технической конференции «Тонкие плёнки и слоистые структуры» «ПЛЁНКИ-2002» М.: 2002; на VI научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-

МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2003; на III Российской конференции по материаловедению и физ.-хим. основам технологи получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний-2003», Москва, , 2003; на IV Российской конференции по материаловедению и физ.-хим. основам технологи получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний-2004», Иркутск, 2004; на VI Национальной конференции по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов «РСНЭ-2007» Москва, 2007; на 4-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» , Международного форума «Микроэлектроника-2018», Республик Крым, Алушта; на XXI Менделеевском съезде по общей и прикладной химии. Санкт-Петербург, 2019 г.; на 5-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули», «Микроэлектро-ника-2019», Республик Крым, Алушта.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 103 печатных работы (из них 46 работ, входящих в перечень ВАК; 11 патентов на изобретение; одна монография; две статьи в сборниках работ, диссертация, два учебных пособия и 40 докладов в трудах конференций).

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов, списка литературы (348 наименований), изложена на 299 страницах с приложениями, содержит 40 рисунков и 52 таблицы.

Работа выполнена в Акционерном обществе «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники».

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1. ПОВЕРХНОСТНАЯ ЭНЕРГИЯ КРИСТАЛЛА И СПОСОБЫ ЕЁ

ОПРЕДЕЛЕНИЯ

1.1. Поверхность и свойства кристаллического вещества

Поверхность твёрдого вещества отличается по своим физико-химическим свойствам от его объёмных свойств. Основной энергетической характеристикой поверхности, образованной кристаллографической плоскостью (Ък1) кристалла является величина удельной поверхностной энергии - они, т.е. той энергии, которая поглощается (выделяется) при образовании (уничтожении) единицы поверхности кристалла с кристаллографической ориентацией (Ък1).

Внутреннюю энергию кристалла, обладающего поверхностью А можно представить в виде: и = ТБ - РУ + ^Ы + £оНы А ны ,

где член ЕоНы А ш отвечает за увеличение внутренней энергии из-за наличия поверхности. Понятно, что вклад поверхностной энергии в энергетику кристалла при макроразмерах ничтожен. Однако при наноразмерах именно поверхностная энергия будет определять свойства кристалла.

Несмотря на своё незначительное влияние на объёмные свойства макрокристаллов, поверхностная энергия определяет все его поверхностные свойства, имеющие огромное значение в технологических процессах изготовления интегральных микросхем (ИС) и различных микро электромеханических устройств (МЭМС), а также в химической технологии. К таким свойствам относятся анизотропия скорости травления и роста монокристаллов, анизотропия работы выхода электрона, анизотропия работы адгезии и каталитическая активность кристаллографически разных граней монокристалла. Кроме того, поверхностная энергия имеет непосредственное влияние на зарождение и рост кристаллов.

Роль поверхности проявляется фактически во всех процессах производства интегральных микросхем и МЭМС, но её влияние учитывается, в основном, в процессах глубокой очистки поверхности от примесей при проведении последующих технологических операций.

До настоящего времени учёт анизотропии поверхностных свойств при разработке технологических процессов не проводится из-за отсутствия полного понимания роли поверхностной энергии и сложностей в её измерении. Исключением является давно изученная и широко применяемая в технологии жидкостного травления кремния анизотропия скорости травления, а также процессы роста вискерсов на поверхности монокристаллов. Хотя и в этих случаях механизмы роста вискерсов и травления монокристаллического кремния не находят однозначной связи с поверхностной энергией.

Изучение высокоэнергетических воздействий на твёрдые тела динамического давления и сдвиговых деформаций при высоком статическом давлении показало необъяснимо высокие скорости протекания физических и химических превращений при таких воздействиях и образование в результате таких воздействий мета-стабильных веществ. Подобные эффекты однозначно связаны с процессами, происходящими на поверхности и границах зёрен кристаллов. Но если в случае воздействия интенсивных ударных волн (УВ) на твёрдые вещества высокие скорости реакций могут объясняться высокой температурой разогрева систем при таком воздействии, то моделирующее такое воздействие сдвиговое деформирование веществ при высоком статическом (квазигидростатическом) давлении исключает влияние на скорости протекания процессов температуры р, т.к. при таком воздействии увеличение температуры не превышает 10 0С [52, 53]. Кроме того, происходящее при таких воздействиях увеличение суммарной поверхностной энергии веществ из-за их дробления на блоки является эндотермическим процессом, а сокращение поверхности из-за объединения кристаллиттов в поликристалл - экзотермическим. Поэтому именно изменение суммарной поверхностной энергии определяет результаты таких воздействий.

Многочисленные сложности в получении достоверных экспериментальных данных о величинах поверхностной энергии кристаллов на различных гранях и недостатки различных модельных расчётов поверхностной энергии, базирующихся на различных теориях и плохо учитывающих основные структурные характеристики кристаллов, такие как координационное число атомов ( молекул) и их симметрию, обуславливают необходимость дальнейшего развития экспериментальных методов и модельных расчётов поверхностной энергии.

Рассмотрим основные экспериментальные и модельные методы определения поверхностной энергии.

Если представлять кристалл в виде примитивной кубической решетки, то любая поверхность с кристаллографическим индексом У. Миллера (Miller, W.H.) (hkl) при h, к, l Ф 0 будет представлена в виде ступенек, образованных поверхностями типа (100), (010) и (001). В таком случае зависимость удельной поверхностной энергии от полярного угла будет характеризоваться минимальными поверхностными энергиями в точках возврата, соответствующих плоскостям с рациональными индексами Миллера [54]. Поверхностные энергии соответствующие вицинальным плоскостям, с незначительным отклонением угла от поверхностей типа (100) будут иметь повышенные на энергию образования ступенек значения поверхностной энергии: а(0) = cj100 + (Е/а)|0|,

где 0 - угол отклонения вицинальной плоскости от плоскости (100), а - постоянная решетки, Е - энергия образования ступеньки.

Однако данный вывод базируется на примитивном геометрическом представлении образования поверхностей кристаллической структуры и не объясняет с термодинамической точки зрения факт образование кристаллов, ограненных ви-цинальными поверхностями. Равновесную форму кристалла, исходя из геометрической кристаллографии и требования минимизации внутренней энергии ограниченного кристалла, впервые рассчитал Г.В. Вульф [55]. В химической термодинамики энергия образования единицы поверхности твёрдого тела называется удель-

Л

ной полной поверхностной энергией 6hkl обычно её измеряют в эрг/см . Уравне-

ние Гиббса-Гельмгольца определяет величину удельной свободной поверхностной энергии - £hkl.

£кы = 6hki + T(d6hk/dT)v Экспериментально показано, что при комнатной температуре 6hkl отличается от £hkl не более чем на 2%. В отличие от жидкости, анизотропия свойств кристалла приводит к анизотропии свойств его кристаллографически разных поверхностей.

Энергию образования единицы поверхности жидкости называют поверхностным натяжением у и измеряют в дин/см. Данная величина изотропна.

Так как эрг = динсм, то поверхностное натяжение и поверхностную энергию можно измерять в одинаковых единицах.

В соответствие с принципом Гиббса-Кюри термодинамически устойчивой является форма тела, при которой его суммарная свободная поверхностная энергия будет минимальной:

mkiShki = min

Развивая идею Гиббса-Кюри, Г.В. Вульф предположил, что минимальная поверхностная энергия кристалла при данном объёме достигается при таком взаимном расположении граней кристалла, при котором они удалены от общего центра на расстояния, пропорциональные их удельным свободным поверхностным энергиям:

ri: Г2 : r3: rn = 6l: 62 : £3: £n Применение законов классической термодинамики при изучении зарождения кристаллов и физических свойств твёрдых веществ привело исследователей к необходимости знания величин поверхностной энергии. Однако данная проблема окончательно не решена до настоящего времени. К настоящему времени не разработаны экспериментальные и теоретические методы точного определения величин поверхностной энергии, применимые для всех классов веществ.

Большинство современных исследований равновесной формы кристаллов, а значит, во многих случаях и огранки природных кристаллов, базируется на выводах Г. Вульфа, развитых Дж. Гиббсом и П. Кюри. Так, авторы работы [56] обнаружили, что равновесная форма микрокристаллов свинца представляет из себя

кубооктаэдр. Из чего авторы сделали вывод об анизотропии удельной поверхностной энергии кристаллов свинца: минимальное значение имеют грани {111}, немного большее - {100}и ещё большее - {110}. Все же остальные грани имеют значения ahki, превышающие а111, а во многих случаях и а100 с а110. Причём все отношения ahkl/a111 для температур больших 200 0С не превышают 1,06. Данный вывод основан на теории равновесной формы кристалла Г. Вульфа, Дж. Гиббса, П. Кюри, т.е. предполагает, что равновесной форме кристалла соответствует минимум общей поверхностной энергии его граней. Однако в экспериментальных работах отсутствуют доказательства того, что экспериментально обнаруженные формы кристаллов являются термодинамически равновесными, а не обусловленными механизмом и кинетикой зарождения и роста кристаллов. Можно обратить внимание хотя бы на такой парадокс: чем выше значение поверхностной энергии грани кристалла, тем прочнее на ней удерживаются атомы (молекулы, ионы), а значит, при зарождении кристалла в равновесных условиях он должен быть образован гранями с максимальными значениями поверхностной энергии, т.к. они являются самыми устойчивыми в равновесном процессе роста - растворения кристалла. Кроме того, при образовании единицы поверхности нового слоя кристалла, максимальное значение энергии выделяется при росте поверхности с максимальным значением поверхностной энергии, что термодинамически выгодно. Поэтому вопрос об анизотропии поверхностной энергии граней кристалла может быть окончательно решён только при получении экспериментально или теоретически абсолютных значений поверхностных энергий кристаллографически разных граней кристалла, без учёта выводов Г. Вульфа, Дж. Гиббса, П. Кюри о равновесной форме кристалла. Но данная проблема до настоящего времени не решена. Автором данной работы предпринята попытка на основании предлагаемого механизма плавления рассчитать значения поверхностных энергий химических элементарных веществ и ряда химических соединений, определив при этом и анизотропию поверхностной энергии, что сделать экспериментально исключительно сложно.

1.2. Экспериментальные методы определения поверхностной энергии

твёрдых тел

1.2.1. Метод нулевой ползучести

Данный метод основан на непосредственном проявлении сил поверхностного натяжения при температурах близких к температуре плавления - Тпл, т.к. при таких температурах твёрдые тела начинают пластически деформироваться под воздействием поверхностных сил. Оказалось, что зависимость скорости деформации от напряжения при таких температурах фактически линейна [57]. Если предположить, что скорость деформации при нулевой нагрузке обусловлена поверхностным натяжением вещества, то по напряжению, необходимому для поддержания нулевой скорости деформации можно определить поверхностное натяжение по окружности твёрдого тела. Данный метод применяется для определения поверхностного натяжения металлов и легкоплавких веществ. Измеренное этим методом поверхностное натяжение медной проволоки оказалось равным 1370 дин/см [58]. В работе [57] измерялось поверхностное натяжение - у золота при 1000 оС. Были получены величины у от 1300 до 1700 дин/см (отличия составляют 30%). По данным [59] при 50 оС у твёрдого парафина приближается к 50 дин/см, тогда как у жидкого парафина у = 25 дин/см. Рассчитанная методом нулевой ползучести поверхностная энергия меди при примерно одинаковой температуре из-

Л

мерения находится в пределах от 1390 до 1800 эрг/см [60]. Вайтом рассчитал величину поверхностного натяжения чистого цинка в точке плавления, получив значение 770 эрг/см2 [61]. 1.2.2. Метод раскола (расщепления)

Этот метод определения поверхностной энергии основан на явлении спайности, свойственном многим кристаллам, когда при определённых напряжениях кристалл расщепляется на две части параллельно приложенному напряжению с образованием двух зеркальных поверхностей. Рассматривая свойство слюды рас-

щепляться, Е. Оровэн (Orowan E.) вывел формулу для нахождения поверхностной энергии слюды по плоскости спайности: 2с = Th/2E,

где Т - напряжение в расщепляемом листке толщиной - h, а Е - модуль упругости [62]. Так как процесс расщепления, как правило, не обратим, то получаемые величины являются приблизительными. Кроме того, в данном методе не учитывается дислокационный механизм расщепления и участие адсорбированного слоя посторонних атомов. Поэтому получаемые данным методом поверхност-

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Бокарев Валерий Павлович, 2020 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1]. Low T., Hou Y.T., Li M.F., Zhu C., Chin A., Samudra G., Chan L., Kwong D. L. Investigation of Performance Limits of Germanium Double-Gated MOSFETs.// International Electron Device Meeting. Tech Dig. - 2003. - P. 961-964.

[2]. Rafhay Q., Clerc R., Bescond M., Ferrier M., Ghibaudo G. Impact of Channel Orientation on Ballistic Current of nDGFETs with Alternative Channel Materials // SolidState Electronics. - 2008. - V. 52. - №4. - P. 540-547.

[3]. Leiserowitz L., Schmidt G.M.G., Shamgar A. Shock-induced Irreversible Phase Transitions in Inorganic Solids // J. Phis. Chem. Solids. -1966. - V.27. - No.9. - P. 1453-1457.

[4]. Бацанов С. С. Физико-химия ударного сжатия // Изв. Сибирск. Отд. АН СССР. Сер. Хим. Наук. - 1967. - Т. 14. - №6. - С. 22-35.

[5]. Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов. М.: Мир, 1972. 408 С.

[6]. Ададуров Г.А., Гольданский В.И. Превращения конденсированных веществ при их ударно-волновом сжатии в регулируемых термодинамических условиях // Успехи химии. - 1981. -Т. 50. - №10. - С. 1810-1827.

[7]. Ярославцев В.А. ,Ждан П.А. ,Коломийчук В.Н., Бацанов С.С. О поведении монокристаллов щелочных галогенидов различной кристаллографической ориентации при динамическом сжатии // Физ.и техн.обработки материалов. -1974. -№2. - С.101-104.

[8]. Бацанов С.С. Химические превращения неорганических веществ при ударном сжатии // Журн.неорган.химии. -1983. -Т. 28. -№11. -С.2723-2731.

[9]. Жорин В.А.,Жаров А.А. ,Киссин Ю.В. ,Ениколопян Н.С. Совместная полимеризация стирола и метилметакрилата при высоких давлениях в сочетании с деформациями сдвига // Докл.АН СССР. -1974. -Т. 219. - №3. - С. 647-649.

[10]. Жаров А.А., Казакевич А.Г., Ениколопян Н.С. Механизм полимеризации ак-риламида в условиях высоких давлений и деформаций сдвига // Докл. АН CCCP. -I976. - T. 230. - №2. - P. 354-357.

[11]. Абрамов B.C., Жаров А.А., Жулин В.М. Превращение твёрдых смесей мале-инового ангидрида и нафталина при их деформации в сжатом состоянии // Докл. АН СССР. - 1981. - Т. 258. - №5. - С. 1127-1130.

[12]. Яковлева И.И.. Жаров А.А., Жулин В.М. Реакция этерификации при деформации твёрдых органических кислот и спиртов под высоким давлением // Изв. АН СССР. Серия химическая. - 1983. -№9. - С. 2174-2175.

[13].Гиббс Д. В. Термодинамические работы. М-Л.: Гостехиздат, 1950. 492 C.

[14]. Адамсон А. Физическая химия поверхностей. М.: Мир, 1979. 568 C.

[15]. Русанов А.И. Термодинамика поверхностных явлений. Л.: ЛГУ, 1960. 181 C.

[16]. Русанов А.И. Термодинамика процессов образования новых фаз. // Успехи химии. - 1964. - Т. 33. - Выпуск 7. - С. 873-899.

[17]. Русанов А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления. Л.: Химия, 1967. 388 С.

[18]. Русанов А. И. Термодинамические аспекты материаловедения // Успехи хмии. - 2016. - Т. 85. - Выпуск 1. - С. 1-13.

[19]. Skapski A. S. A theory of surface tension of solids-1 Application to metals // Acta metallurgies - 1956. - V. 4. - P. 576-582.

[20]. Schmit J., Lucas A. A. Plasmon theory of the surface energy of metals - I.// Solid State Communications. - 1972. - V. 11. - P. 415-418.

[21]. Schmit J., Lucas A. A. Plasmon theory of the surface energy of metals - II. Transition metals // Solid State Communications. - 1972. - V. 11. - P. 419-422.

[22]. Heinrichs J. Theory of the plasmon contribution to the surface energy of metals // Solid State Communications. - 1973. - V. 13. -P. 1599-1602.

[23]. Hodkin E.N., Nicholas M.G., Poole D.M. The surface energies of solid molybdenum, niobium, tantalum and tungsten // Journal of the Less-Common Metals. - 1970. - V. 20. - P. 93-103.

[24]. Tyson W. R.Surface free energies of solid metals" estimation from liquid surface tension measurements // Surface Science. - 1977. - V. 62. - P. 267-276.

[25]. Lee W. H., Vanloon K. R., Petrova V., Woodhouse J. B., Loxton C. M., Masel R.

I. The Equilibrium Shape and Surface Energy Anisotropy of Clean Platinum // Journal of Catalysis - 1990. - V. 126. - P. 658-670.

[26]. Задумкин С.Н. Новый вариант статистической электронной теории поверхностного натяжения металлов // Физика металлов и металловедение. - 1961. - Т.

II. - №3. - С. 331-346.

[27]. Задумкин С.Н. К статистической электронной теории межфазной поверхностной энергии металлов на границе кристалл-расплав // Физика металлов и металловедение. -1962. -Т. 13. - №1. - С. 24-32.

[28]. Задумкин С.Н., Шебзухова И.Г. Приближенная оценка ориентационной зависимости поверхностной энергии и поверхностного натяжения металлического кристалла // Физика металлов и металловедение. -1969. -Т.28. -№3. - С. 434-439.

[29]. Задумкин С. Н., Шебзухова И. Г., Алчагиров Б. Б. Поверхностная энергия и работа выхода гладких граней металлического монокристалла. // Физика металлов и металловедение. - 1970. - Т. 80. - № 6. - С. 1313-1315.

[30]. Дигилов A.M., Созаев В.А., Хоконов Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода простых металлов // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1987. - №1. - С. 13-19.

[31]. Шебзухова И.Г., Арефьева Л.П., Хоконов Х.Б. Зависимость поверхностной энергии граней кристаллов полиморфных фаз актинидов от температуры // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105. - №4. - С. 366-370.

[32]. Desjonqueres M.C., Cyrot-Lackmann F. On the anisotropy of surface tension in transition metals //Surface Science. - 1975. - V. 50. - P. 257-261.

[33]. Lang N. D., Kohn W. Theory of Metal Surfaces: Work Function // Physical Rview B. - 1971. - V. 3.- P. 1215-1223.

[34]. Jones W., Young W. H. Density functional theory and the von Weizsacker method // J. Phys. C: Solid St. Phys. - 1971. - V. 4. - P. 1322-1330.

[35]. Skriver H. L., Rosengaard N. M. Surface energy and work function of elemental metals // Phys. Rev. B. - 1992. - V. 46. - No11. - P. 7157-7168.

[36]. Kollar J., Vitos L. Surface energy and work function of the light actinides // Physical Review B. - 1992. - V. 49. - No16. - P. 288-292.

[37]. Vitos L., Kollar J. Skriver H. L. Full charge-density calculation of the surface energy of metals //Physical Review B. - 1994. - V. 49. - No. 23. - P. 694-701.

[38]. Vitos L., Ruban A.V., Skriver H.L., Kollar J. The surface energy of metals // Surface Science. - 1998. - V. 411. - P. 186-202.

[39]. Wojciechowski K.F. Surface energy of metals: theory and experiment // Surface Science. - 1999. - V. 437. - P. 285-288.

[40]. Daw M. S. Application of the embedded atom method to phonons in transition metals // Solid State Communications. - 1985. - V. 56. - No8. - P. 697-699.

[41]. Foiles S. M., Baskes M. I., Daw M. S. Embedded-atom-method functions for the fcc metals Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, and their alloys//Physical Revie B - 1986. - V. 33. -№12. - P. 7983-7991.

[42]. Baskes M. I. Application of the Embedded-Atom Method to Covalent Materials: A Semiempirical Potential for Silicon // Physical Review Letters. - 1987. - V. 59. - No23. - P. 2666-2669.

[43]. Murray S. Daw. Model of metallic cohesion: The embedded-atom method // Physical Review B. - 1989. - V. 39. - No11. - P. 7441-7452.

[44]. Lee B.J., Baskes M.I., Kim H., Cho Y.K. Second nearest-neighbour modified embedded atom method potentials for BCC transition metals // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - P. 184102-184112.

[45]. Hu W.Y., Zhang B.W., Huang B.Y., Gao F., Bacon D.J. Analytic modified embedded atom potentials for HCP metals // J. Phys. Condens. Mat. - 2001. - V. 13. - P. 1193-1213.

[46]. Xiaochun Wang, Yu Jia, Qiankai Yao, Fei Wang, Jianxin Ma, Xing Hu. The calculation of the surface energy of high-index surfaces in metals at zero temperature // Surface Science 2004. - V. 551. - P. 179-188.

[47]. Jian-Min Zhang, Fei Ma, Ke-Wei Xu. Calculation of the surface energy of FCC metals with modified embedded-atom method // Applied Surface Science. - 2004. - V. 229. - P. 34-42.

[48]. Jian-Min Zhang, Dou-Dou Wang, Ke-Wei Xu. Calculation of the surface energy of HCP metals by using the modified embedded atom method // Applied Surface Science. - 2006. - V. 253. - P. 2018-2024.

[49]. Erhieyovwe Akpata, Edison E. A., Iyayi S.E. Comparison of Surface Energy of ВСС Alkali Metals and Transition Metals Using MAEAM // Review of Advances in Physics Theories and Applications. - 2014. -V. 1. - №1. - P. 34-41.

[50]. Современная кристаллография. T. 3. Образование кристаллов. Под ред. Вайнштейна Б.К., Чернова А.А., Шувалова Л.А. М.: Наука,1980. 408 C.

[51]. Donnay J.D.H., Harker D. A New law of crystal morphology extending the law of Bravais //Journal mineralogical society of America. - 1937. - P. 446-467.

[52]. Бриджмен П. Исследования больших пластических деформаций и разрыва. -.М.: Иностранная литература, 1955. 444 C.

[53]. Calvert P., Brown T.J., Uhlmann D.R. Thermal Effects of Shear in Opposed-Anvil high-pressure Devices // Am. Mineralogist. -1969. -V.54. - No 11-12. - P. 1732-1736.

[54]. Ландау Л.Д. Собрание трудов. М.: Наука, 1969. 450 С.

[55]. Wulff G. Zur Frage der Geschwindigkeit des Wachstums und der Auflösung der Kristallflächen. // Z. F. Kristallog. - 1901. - V.34. - P.449 - 530.

[56]. Heyraud J.C., Metois J.J Equilibrium shape and temperature; Lead on graphite // Surface Science. - 1983. - V.128. - P.334 - 342.

[57]. Alexander B.H., Dawson M.H., Kling H.P. The Deformation of Gold Wire at Elevated Temperatures // J.Appl.Phys. - 1951. - V.22. - P.439 - 443.

[58]. Udin H., Shaler A.J.,Wulff J. The surface tension of solid copper-discussion // J. Metals. - 1949. - V. 1. - No.2. - P. 186-190.

[59]. Greenhill E.B., McDonald S.R. Surface Free-Energy of Solid Paraffin Wax // Nature. -1953. - V. 171. -P. 37-42.

[60]. Гегузин Я.Е., Овчаренко Н.Н. Поверхностная энергия и процессы на поверхности твёрдых тел// Успехи физ. Наук. - 1962. -Т. LXXVI. - Вып. 2. -С. 283 - 328.

[61]. White D.W.G. The surface tension of zinc // Trans. Metallurg. Soc. AIME. - 1966. - V. 236. -No5. - P. 796-803.

[62]. Orowan E. Die Zugfestigkeit von Glimmer und das Problem der technischen Festigkeit //Z.Phys. - 1933. - V. 82. - P. 235-266.

[63]. Bailey A.I. The adhesion of mica surfaces//Proc.Intern.Congr. Surface Activity, 2nd, London, 1957. - Vol. III. - P. 406-416.

[64]. Gilman J.J. Direct measurement of the surface energies of crystal. //J. Appl. Phys. - 1960. - V. 31. - №12. - P. 2208-2218.

[65]. Westwood A.R.C.,Hitch T.T. Surface energy of (100) potassium chloride. // J. Appl. Phys. - 1963. - V.34. - No.10. - P. 3085-3089.

[66]. Benson G.C., Schreiber H.P., van Zeggeren F. An experimental determination of the surface enthalpy of sodium chloride //Can.J.Chem. - 1956. -V. 34. - P. 1553-1556.

[67]. Lipsett S.G., Johnson F.M.G., Maass O. The surface energy of solid sodium chloride. III. The heat of solution of finely ground sodium chloride.//J.Amer.Chem.Soc. -1928. - V. 50. - P. 2701-2703.

[68]. Benson G. C., Benson G. W. Adiabatic Calorimeter for Measuring Heats of Solution at Room Temperature // Review of Scientific Instruments. - 1955. -V. 26. - P. 477-481.

[69].Brunauer S., Kantro D.L., Weise C.H The surface energy of tobermorite. // Can. J. Chem. - 1959. - V. 37. - P. 714-724.

[70]. Jura G., Garland C. W. Additional comments on thermodynamic functions for surfaces of crystals// J.Am.Chem.Soc. - 1953. - V. 75. - No3. - P. 1006-1007.

[71]. Nelson R.S., Marzey D.J., Barnes R.S. The thermal equilibrium shape and size of holes in solids // Phil.Mag. - 1965. - V.11. - №109. - P.91 - 111.

[72]. Kirchner H.O.K., Chadwick G.A. Anisotropy of surface free energy of cadmium and magnesium // Phil.Mag. - 1969. - V.20. - No.164. - P.405-411.

[73]. Polanyi M. Über die Natur des Zerreißvorganges // Z.Phys.- 1921.- V. 7.- P. 323327.

[74]. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1968. 487 C.

[75]. Shuttleworth R The surface tension of solids // Proc.Phys.Soc. - 1950. - V. - A63. -P. 444-457.

[76]. Benson G.C., Claxton T.A Estimation of the surface energy of inert gas crys-tals»//Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1964. - V. 25. - No 4. - P. 367378.

[77]. Fletcher N.H. Structural aspects of the ice-water system // Reports on Progress in Physics. - 1971. - V.34. - P.913 - 994.

[78]. de Reuck A.V.S. The Surface Free Energy of Ice // Nature. -1957. - V.179. -P.1119 - 1120.

[79]. Ketcham W.M., Hobbs P.V. An experimental determination on the surface energies of ice //Phil.Mag. - 1969. - V.19. - N162. -P.1161 - 1173.

[80]. Jellinek H.H.G. Liquid-like (transition) layer on ice // J. Colloid Interface Sci. -1967. - V.25. -P.192 - 205.

[81]. Orem M.W., Adamson A.W. Physical adsorption of vapor on ice: II. «-alkanes // J. Colloid Interface Sci. - 1969. - V.31. - P.278 - 286.

[82]. Harkins W.D. Energy relations of the surface of solids. I. Surface energy of the diamond //J.Chem.Phis. - 1942. - V.10. - Issue 5. - P.268 - 272.

[83]. MacKenzie J.K., Moor A.J.W.,Nicholas J.F. Bonds broken at atomically flat crystal surfaces //J.Phys.Chem.Solids. - 1962. - V.23. - P. 185 - 205.

[84]. Reiss H., Frisch H.L., Hefland E., Lebowitz J.L. Aspects of the statistical thermodynamics of real fluids //J.Chem.Phys. - 1960. - V.32. - P.119 - 124.

[85]. Shonborn H. Comments on "Dispersion energies and surface tensions of noble metals"//J.Phys.Chem. - 1967. - V.71. - No. 13. - P.4578 - 4580.

[86]. Брегер А.Х., Жуховицкий В.А. Поверхностное натяжение металлов. -Ж.физ.химии. - 1946. - Т.20. - № 4-5. - C.355-362.

[87]. Huang K., Wyllie G. On the surface free energy of certain metals // Proc. Phys. Soc. (London). - 1949. - V. A62. - No. 351A. - Part 3. - P. 180-191.

[88]. Huntington H.B. Calculations of Surface Energy for a Free-Electron Metal // Phys. Rev. - 1951. - V. 81. - P. 1035 - 1039.

[89]. Burton J.J., Jura G. Surface distortion in face-centered cubic solids//J.Phys.Chem. - 1967. - V. 71. - N.6. - P. 1937-1940.

[90]. Born M., Mayer J.E. Zur Gittertheorie der Ionenkristalle //Z.Phys. - 1932. -V. 75. -P.1-18.

[91]. Lennard-Jones J.E., Teylor P.A. Some Theoretical Calculations of the Physical Properties of Certain Crystals //Proc.Roy.Soc. (London).Series A. - 1925. - V. 109. -No.751. -P. 476-508.

[92]. Lennard-Jones J.E., Dent B.M. The Change in Lattice Spacing at a Crystal Boundary //Proc.Roy.Soc.(London). Series A. - 1928. - V. 121. - No.787. - P. 247-259.

[93]. Dent B.M. The effect of boundary distortion on the surface energy of a crystal // Phil. Mag. - 1929. - V. 8. - No.51. - P. 530-539.

[94]. Shuttleworth R. The surface tension of solids // Proc. Phys. Soc. - 1950. - V. A63. -P. 444-457.

[95]. Huggins M.L., Mayer J.E. Interatomic distances in crystals of the alkali halides // J. Chem. Phys. - 1933. -V. 1. - P. 643-646.

[96]. van Zeggeren F., Benson G.C. Calculation of the Surface Energies of Alkali Hal-ide Crystals // J. Chem. Phys. - 1957. - V. 26. - P. 1077 - 1082.

[97]. Benson G.C., Mcintosh R. Some calculations of the surface energy of magnesium oxide //Can.J.Chem. - 1955. - V.33. - No.11. - P.1677-1681.

[98]. Verwey E.J.W. Lattice structure of the free surface of alkali halide crystals // Rec. Trav. Chim. - 1946. - V. 65. - No.7. - P. 521-528.

[99]. Benson G.C., Freeman P.I. Dempsey E. Calculation of the distortion in the surface region of an alkali halide crystal bounded by a {100} face // Advances Chem. Ser. -1961. - V. 33. - P. 26-34.

[100]. Benson G.C. Recalculation of the surface energies of alkali halide crystals //J.Chem.Phys.- 1961. - V.35. - P.2113-2116.

[101]. Benson G.C., Dempsey E. The cohesive and surface energies of some crystals possessing the fluorite structure //Proc.Roy.Soc. (London). -1962. - V. A266. - P. 344358.

[102]. Benson G.C., Claxton T.A. Calculation of the surface energy of the {110} face of some crystals possessing the fluorite structure // Can. J. Phys. - 1963. -V. 41. - P. 1287-1293.

[103]. Benson G.C., Freeman P.I. Dempsey E. Calculation of cohesive and surface energies of thorium and uranium oxides //J. Am. Ceram. Soc. - 1963. - V.46. - P. 43-47.

[104]. Reiss H., Mayer S.W. Theory of surface tension of molten salts // J. Chem. Phys. -1961. -V. 34. - P. 2001-2003.

[105]. Caglioti G., Rizzi G., Bilello J.C. Surface Energy for Brittle Fracture in Metals from Phonon Frequencies //J.Appl.Phys. - 1971. -V.42. - No.11. -P.4271-4276.

[106]. Gilman J. J. Cleavage, Ductility and Tenacity in Crystals //in Fracture. B. L. Averbach, D. K. Felbeck, G. T. Hahn and D. A. Thomas, eds., John Wiley and Sons, Inc., New York. 1959. P. 193-224.

[107]. Bilello J.C., Caglioti G. On the fracture energy of molybdenum // Scripta Metal-lurgica. 1972. V. 6. P. 1041-1042.

[108]. Уббелоде А. Плавление и кристаллическая структура. М.:Мир,1969. 420 C.

[109]. Ubbelohde A.R. Structure and thermodynamic properties of long-chain compounds // Trans. Faraday Soc. 1938. V. 34. P. 282-.

[110]. Lennard-Jones J.E., Devonshire A.F. Critical and cooperative phenomena. III. A theory of melting and the structure of liquids // Proc.Roy.Soc.1939. V. A169. P. 317338.

[111]. Clusius K., Staveley L.A.K. Wird die Schmelzscharfe durch die Isotopie beein flusst? Die Tripelpunktsdrucke des Gase CO, A, N20, HCl und HBr //Zs.phys.Chem.

1941. V. B 49, P. 1-12.

[112]. Faraday M. On Regelation and the Conservation of Force // Philos. Mag. 1859. V. 17. P. 162-169.

[113]. Lukasik S.J. Heterophase Fluctuations near the Freezing Point // Journ. Chem. Phys, 1957. v.27. No.2. p.523-527.

[114]. Stranski I.N. Über den Schmelzvorgang bei nichtpolaren Kristallen // Naturwiss.

1942. V. 30. P. 425-433.

[115]. Jach J, Sebba F. The melting of gallium// Trans.Farad.Soc. 1954. V. 50. P. 226231.

[116]. Frenken J.W.M., Van der Veen J.F. Observation of Surface Melting// Phys. Rev.Letters. - 1985. - V.54. - №2. - P.134 - 137.

[117]. Kiselev V.F., Krylov O.V. Adsorption Processes on Semiconductor and Dielectric Surfaces. Berlin: Springer, 1985. 285 P.

[118]. Sheiko N.L., Aktan O.Yu., Zabashta Yu.F., Nikolayenko T.Yu. Shear elasticity of ice near its melting point //Ukr. J. Phys. - 2010. - V. 55. - № 3. -P. 299 - 305.

[119]. Kvlividze V.I., Kiselev V.F., Kurzaev A.B., Ushakova L.A. The mobile water phase on ice surfaces // Surface Science. - 1974. - V.44. -№1. -P. 60-68.

[120]. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.:Мир,1990. 536 C.

[121]. Татаринова Л.И. Структура твёрдых аморфных и жидких веществ. М.:Наука, 1983. 150 C.

[122]. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986. 368 C.

[123]. Kass M., Magun S. Zur Uberhitzung am Phasenubergang fest-flüssig.// Z. Kris-tallogr. - 1961. - V.116. - P. 354 - 370.

[124]. Plester D.W., Rogers S.E., Ubbelohde A.R. Melting and Crystal Structure Mechanisms of Melting of Alkali Thiocyanates // Proc. Roy. Soc.Lond. A. -1956. -V. 235. -P.469-481.

[125]. Fletcher N.H. Surface structure of water and ice // Philos. Mag. - 1968. - V.18. -№156. -P. 1287-1300.

[126]. Stoltze P., Norskov J.K., Landman U. Disordering and Melting of Aluminum Surfaces // Phys.Rev.Lett. - 1988. - V.61. - №4. P.440-443.

[127]. Hondros E.D., Gladman D. Surface energy and impurity adsorption on gold heated in air // Surface Science. - 1968. - V.9. - №3. - P.471-475.

[128]. Hoss A., Romahn U., Nold , Blanckenhagen P.V., Meyer O. Experimental Observation of Blocked Melting on the Au (111) Surface // Europhys. Lett. - 1992. - V. 20. - P. 125 - 130.

[129]. Греэг С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М.: Мир, 1984. 306 C.

[130]. Bergman O.R., Barrington J. Effect of Explosive shock Waves on Ceramic Powders // J. Amer. Ceram. Soc. - 1966. - V. 49. - No9. - P. 502-507.

[131]. Williamson G.K., Smallman R.E. Dislocation Densities in some Annealed and Cold-Worked Metals from Measurement on the X-ray Debye-Sherrer Spectrum // Phil. Mag. - 1956. - V. 1. - No1. - P. 34-46.

[132]. Бокарев В.П. Горнев Е.С., Красников Г.Я., Тодуа П.А. Тестовый объект для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах. // Патент РФ № 2519826, 2014.03.11, Заявка на изобретение №2013102777 от 23.01.13г.

[133]. Kumakhov M.A., Bokarev V. P., Mikhin, O.V., Gorbunov S.S., Nikitina S.V. Portable X-ray Complex for Micro-diffration and Micro-analysis of Element Composition of Poly-crystal Materials// Acta Cryst.A. - 2005. - V.61. - No. A1. -P.142 А61. -С142

[134]. Бокарев В.П., Ибраимов Н.С., Кумахов М.А., Лютцау А.В., Сенков В.М., Турьянский А.Г. Новые возможности детектирующих блоков на основе позици-онно-чувствительных детекторов // В сборнике Тез. докл. VI Национальной конференции по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов «РСНЭ-2007». Москва, ИК РАН. C. 569.

[135]. Кумахов М.А., Ибраимов Н.С., А.Г.Турьянский А.Г., Бокарев В.П., Лютцау А.В. Детектирующий узел ионизирующего излучения // Патент России N2300783 от 10.06.2007 г .

[136]. Бокарев В.П., Горнев Е.С. Прецизионный детектирующий узел ионизирующего излучения.// Патент России №2439618 от 02.12.2010 г.

[137]. Bergman В., Harrington J. Effect of Explosive Shock Waves on Ceramic Powders// .J. Amer. Ceram. Soc. - 1966. - V. 49. - № 9. - P. 502-507.

[138]. Ивлев В.И. О возможности монотропного плавления в кристаллах с высокой плотностью дефектов // Журн. Физ. Химии . -1983. - Т. 57. - №2. - С. 455457.

[139]. Артемова А. А., Бацанов С.С., Дудин В.В., Копанева Л. И., Смыслов Е. Ф., Стреляев А. Е. Ударный синтез керамики Al203 -Мо и Al2O3 - SiC // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1974. - Т. 10. - № 12. - С. 2228-2229.

[140]. Бацанов С. С. Структурный аспект распространения ударных волн в кристаллах // Докл. I Всесоюз. симп. по импульсным давлениям. М.: ВНИИФТРИ, 1974. С. 4-16.

[141]. Темницкий И. Н., Копанева Л. И.. Артемова А. А., Заворуева Р. С. Шелюб-ский В. П., Бацанов С. С. Исследование керамики из MgO, полученной ударным сжатием // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1977. - Т. 13. - № 11. -С. 2022-2025.

[142]. Миркин Л. И. Смыслова Е. П.. Смыслов Е. Ф. Структура и свойства металлов после импульсных воздействий. М.: МГУ, 1980. 168 С.

[143]. Бацанов С. С. Ударное сжатие неорганических материалов // Физические методы исследования неорганических материалов М.: Наука, 1981. С. 71-82.

[144]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Семин В.П., Темницкий И.Н. Моделирование ударно-волнового воздействия на вещество статическим давлением в присутствии сдвиговых деформаций. II. Действие на реальную структуру кристал-лов//Журн.физич.химии. - 1984. - Т. 58. - №8. - С. 2080-2081.

[145]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Зубова Е.В. Воздействие сдвиговых деформаций при высоком статическом давлении на реальную кристаллическую структуру неорганических соединений // Тез.докл. науч.конф. Применение высоких давлений для получения новых материалов и создания интенсивных процессов химических технологий. Часть I. M.: МГУ, 1986. - С. 20-21.

[146]. Васильев Д. M., Смирнов Б. П. Некоторые рентгенографические методы изучения пластически деформированных металлов // Успехи физ. наук. - 1961. -Т. 73. - Вып. 3. - С. 503-558.

[147]. Бацанов С. С. Бокарев С. С, Мороз И. X. О твёрдых растворах в системе Ка-CsCl // Журн. неорган, химии. - 1981. - Т. 26. - Вып. 11. - С. 2911-2914.

[148]. Бокарев В. П.. Бокарева О. М., Бацанов С. С. Роль сдвиговых деформаций в образовании твёрдых растворов при высоких давлениях // Журн. неорган. химии. - 1985. - Т. 30. - Вып. 5. - С. 1249-1253.

[149]. Bridgman P. W. Effect of High Shearing Stess Combined with High Hydrostatic

Pressure// Phys. Rev. -1935. - V. 48. - No.15. - P. 825-847.

[150]. Bridgman P.W. Shearing Phenomena at High Pressure, Particularly in Inorganic Compounds//Proc.Amer.Acad.Sci. - 1937. - V. 71. - P. 378-460.

[151]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Темницкий И.Н., Бацанов С.С. Влияние сдвигового деформирования на протекание фазовых превращений в BaF2 и SrF2 // АН СССР. Физика твердого тела. - 1986. - Т. 28. - №3. - C. 813-816.

[152]. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы соединений при высоком давлении. М.: Наука, 1983. 280 C.

[153]. Nomura Y. Improvement of Surface Activity of Acetylene Black by Explosive Shock Loading // Carbon. 1965. V. 2. P. 436-437.

[154]. Бацанов С.С., Боресков Г.К., Гридасова Г.В., Кейер Н.П., Кефели Л.М., Ку-динов Л.М.,Мали Н.И., Сазонова И.С. Влияние ударного сжатия на каталитические свойства окисных полупроводниковых катализаторов.// Кинет. и катализ. -1967. - Т. 8. - №6. - С. 1348-1355.

[155]. Golden J., Williams F., Morosin B., Venturini E.L.,Graham R.A. Catalytic Activity of Shock-loaded TiO2 Powders // Shock Waves in Condensed Matter. -1981. Ed. by Nellis P.J. - N.Y., 1982. - P.72.

[156]. Venturini E.L., Morosin B., Graham R.A. Paramagnetic Defects in Shock-loaded TiO2// Shock Waves in Condensed Matter. -1981. Ed. by Nellis P.J. - N.Y., 1982. - P. 77-81.

[157]. Бацанов С.С.,Бокарев В.П.,Бокарева О.М.,Мардашев Ю.С.,Семин В.П. Влияние высокого статического давления со сдвигом на каталитическую активность флюорита в реакциях конверсии изопропилового спирта // Журн. физич. химии. -1982. - Т. 56. - №8. - С. 2070-2071.

[158]. Бокарев В.П. Влияние деформирования под давлением на физико- химические свойства неорганических фторидов и некоторых других соединений// Дисс. на соиск. уч. степени кандидата химических наук, Москва,1988. 177 C.

[159]. Eckell J. Uber Zusammenhangezwischen Katalysator struktur und chemischer Umset Zung// Z. Electrochem. - 1933. - Bd. 39. - No.7a. - S. 433-444.

[160]. Uhara I., Yanagimoto S., Tani K., Adachi G. Dislocations as Active Centers in Heterogeneous Catalysis// Nature. -1961. - V. 192. - No.4805. - P. 867-868.

[161]. Uhara I., Yanagimoto S., Tani K., Adachi G-Y., Teratani S. The Structure of Active Centres in Copper Catalyst // J. Phys. Chem. - 1962. - V. 66. - No.12. - P. 26912693.

[162]. Uhara I., Kishimoto S., Yoshida Y., Hikino T. Dislocations as Active Centers of Catalysis and Chemical Action in Silver // J. Phys. Chem. - 1965. - V. 69. - No.3. -P.880-882.

[163]. Kishimoto S., Nishioka М. Catalytic activity of cold-worked and quenched gold for the decomposition of hydrogen peroxide. // J. Phys. Chem. - 1972. - V. 76. - No13.

- P. 1907-1908.

[164]. Uhara I., Hikino T., NumataY., Hamada H., Kageyama V. The Structure of Active Centers in Nickel Catalyst // J. Phys. Chem. -1962.-V.66.-No.7. P. -1374-1375.

[165]. Uhara I., Kishimoto S., Hikino T., Kageyama V., Hamada H., NumataY. The Structure of Active Centers in Nickel Catalyst // J. Phys. Chem. -1963. -V. 67. - No.5.

- P. 996-1001.

[166]. Clarebrough L.M., Hargreaves M.E., West G.W. Density Changes during the Annialing of Deformed Nickel // Phil. Mag. - 1956. - V. 1. - No.6. - P. 528-536.

[167]. Kishimoto S. Studies on thermoelectric Force and Lattice Defects as Active Centers in Metallic Catalysts // J. Phys. Chem. - 1962. -V. 66. -No.12. -P. 2694-2696.

[168]. Bhakta M.A., Taylor H.A. Sites for the Dehydrogenation of Formic Acid on Gold // J. Chem. Phys. - 1966. - V. 44. - No.3. - P. 1264-1270.

[169]. Kishimoto S. Studies on thermoelectric Force and Lattice Defects as Active Centers in Platinum Catalysts // J. Phys.Chem. - 1963. -V.67. -No.5. - P. 1161-1162.

[170] Bagg J., Jaeger H., Sanders J.V. The Influence of Defects and Surface Strusture on the Catalytic Activity of Silver Films // J. Catal. -1963. -V. 2. -No.6. -P. 449-464.

[171]. Томас Дж., Томас У. Гетерогенный катализ. М.: Мир, 1969. 452 C.

[172]. Yall G.W., Rase H.F. Dislocations and Catalysis // Nature. - 1963. - V. 199. -No.4893. - P. 585 - 588.

[173]. Gilman J.J. Dislocation Sources in Crystals // J. Appl. Phys. - 1959. - V. 30. -No.10. - P. 1584-1594.

[174]. Gilman J.J., Johnston W.G. Observation of Dislocation Glide and Climb in Lithium Fluoride Crystals // J. Appl. Phys. - 1956. - V. 27. -No.9. - P.1018-1022.

[175]. Batsanov S.S., Bokarev V.P., Kostenchuk I.A., Mardashev Yu.S., Temnitskii I.N. Effect of Explosion on the Catalytic Activity and Selectivity of_Natural Fluorite. // React. Kinet. Catal. Lett. - 1982. - V. 20. - No.1-2. - P.43-45.

[176]. Бацанов С.С., Бокарев В.П., Темницкий И.Н., Мардашев Ю.С. Способ получения катализатора на основе фторида кальция, например, для дегидрирования циклогексана //. A.C. СССР. № 1128979.от 03.09.1982.

[177]. Bokarev V.P., Тemnitskii I.N., Bondarev Y.M., Mardashev Y.S., Batsanov S.S. Effect of Explosion Shock Loading on the Catalytic Properties of Stochiometric Inorganic Substances.// The Forth APS Topical Conference on Shock Wave in Condened Matter. Conference Digest. USA. 1985. - P. 37.

[178]. Bokarev V.P., Temnitskii I.N., Bondarev Y.M., Mardashev Y.S., Batsanov S.S. Effect of Explosion Shock Loading on the Catalytic Properties of Stochiometric Inorganic Substances.// Bull. Amer. Phys. Soc. - 1985. - V. 30. - N8. - P.1319.

[179]. Bokarev V.P., Temnitskii I.N., Bondarev Y.M., Mardashev Y.S., Batsanov S.S. Effect of Explosion on the Catalytic Properties of Stochiometric Inorganic Substances.// Shock Wave in Condensed Matter.New York: Plenum Publshing Corporation. - 1986. -P. 827-830.

[180]. Бреусов О.Н. Воздействие ударных волн на неорганические соедине-ния//Дисс.на соиск.уч.степени доктора хим.наук. -М.:Черноголовка, 1975. 397 С.

[181]. Горячева В.Н., Бондарев Ю.М., Ерофеев Б.В., Мардашев Ю.С. Железо-медные катализаторы на фторидных подложках в реакции дегидрирования цикло-гексанола // Изв. АН БССР. - 1983. - №3. - C. 8-9.

[182]. Бекренев А.Н., Гелунова З.М., Герасименко Л.И. Исследование субструктуры никеля после нагружения взрывом // ФММ. -1970. -Т. 30. -№5. -С. 1003-1006.

[183]. Бокарев В.П., Темницкий И.Н. Влияние ударно-волновой обработки при разных температурах на реальную кристаллическую структуру MgO, LiF, MgF2 и

их смесей // Известия. АН СССР, Неорганические материалы. -1987. -Т. 23. -№10. - С. 1700 - 1703.

[184]. Жорин В.А. ,Максимычев А.В. ,Кушнеров М.Я. ,Шашкин Д.П., Ениколопян Н.С. Изменение кристаллической структуры молекулярных кристаллов после воздействия высоких давлений и деформаций сдвига // Журн. физич. химии. -1979. -Т. 53. -№11. -С. 2772-2775.

[185]. Жорин В.А., Макаров В.А., Козлова 0.С, Голиков В.А., Потапов Л.П. Кристаллизация аморфных сплавов Ое-В при воздействии высоких давлений и сдвиговых деформаций//Докл.АНСССР. - 1982. - Т. 265. - №3. - С. 646-649.

[186]. Жорин В.А., Алексеев Н.И., Грознов И.Н. ,Кузнецов В.Д., Бакман А.С., Нагорных В.Г., Гольданский В.И., Ениколопян Н.С. Разрушение частиц металла и начальные стадии образования молекулярных комплексов металла со слоистыми соединениями при воздействии высокого давления и сдвиговых деформаций // Докл. АН СССР. - 1982. - Т. 266. - №2. - С. 391-393.

[187]. Жорин В.А. ,Кушнеров М.Я. ,Шашкин Д.П., Нагорный В.Г. , Ениколопян Н.С. Структурные изменения в графите, вызванные совместным воздействием высоких давлений и сдвиговых деформаций // Журн. физич. химии. - 1982. - Т. 56. - №10. -С. 2486-2490.

[188]. Жорин В.А.,Шашкин Д.П.,Ениколопян Н.С. Дробление кристаллов в процессе пластического течения при высоком давлении // Докл. АН СССР. - 1984. -Т.278. -№1. - С. 144-147.

[189]. Жорин В.А., Грознов И.Н., Киреев Н.В., Михайлов Н.Н., Смирнова М.Н., Гольданский В.И.,Ениколопян Н.С. Изменение структуры и температуры перехода в сверхпроводящее состояние соединений со структурой А-15 после воздействия высокого давления и сдвиговых деформаций // Докл. АНСССР. - 1985. -Т. 280. - №2. - С. 388-391.

[190]. Кевдина И.Б. ,Жорин В.А. ,Шантарович В.П. ,Гольданский В.И., Ениколо-пян Н.С. Позитронное исследование структурных дефектов в ме-ди,сформированных при пластическом течении под высоким давлени-ем//Докл.АНСССР. -1985. -Т.280. -№2. - С.394-398.

[191]. Бланк В.Д.,Богуславский Ю.Я. ,Еремец М.И. ,Ицкевич Е.С., Коняев Ю.С, Широков A.M., Эстрин Э.И. Эффект самомультипликации давления при фазовом переходе в квазигидростатических условиях // ЖЭТФ. - 1984. - Т. 87. - №3. - С. 922-926.

[192]. Жорин В.А.,Шашкин Д. П.,Ениколопян Н.С. Рентгенографическое исследование металлов после воздействия высокого давления и сдвиговых деформа-ций//Журн.физич.химии. -1985. - Т. 59. - №12. - С. 3052-3055.

[193]. Бондарев Ю.М., Козлова Н.Е., Бокарев В.П.,Темницкий И.Н., Пилипенко

A.А. ,Пирогова Г.Н., Бацанов С.С., Мардашев Ю.С. Структура и каталитические свойства ацетилацетонатов переходных металлов, закрепленных на ионных носи-телях//Тез.докл^-го Международного симпозиума по связи между гомогенным и гетерогенным катализом. -Новосибирск,1986.

[194]. Bokarev V.P., Bondarev Y.M., Temnitskii I.N., Kozlova N.E., Batsanov S.S., Mardashev Y.S. Catalytic Properties of Cu(Acac)2 Anchored to Shock-Compressed MgO and MgF2 Supports. // React. Kinet. Catal. Lett.-1985.-V. 27. -No1. -P.181-184.

[195]. Бацанов С.С., Бокарев В.П., Бокарева О.М., Бондарев Ю.М., Мардашев Ю.С, Семин В.П. Влияние высоких статических давлений в сочетании со сдвиговыми деформациями на активность катализаторов Pt/MeF2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) // Химическая физика. -1983. -№10. - С. 1440-1441.

[196]. Бацанов С.С., Бокарев В.П., Бокарева О.М., Мардашев Ю.С., Семин В.П. Влияние высокого статического давления со сдвигом на каталитическую активность флюорита в реакциях конверсии изопропанола. // АН СССР, Ж. физ. Химии. -1982. -Т.56. -N8. -С.2070-2071.

[197]. Каталитические свойства веществ // Справочник. Под ред. Ройтера В.А. Киев: Наукова думка, 1968. 1463 С.

[198]. Бокарев В.П., Темницкий И.Н., Бацанов С.С., Бондарев Ю.М., Горячева

B.Н.,Мардашев Ю.С. Способ приготовления катализатора для дегидрирвания циклогексанола. // А.С. №1273156 от 19.02.1985 г.

[199]. Мерецкий А.М., Кудряшов И. В., Белик В. В., Савицкий Е.М., Полякова В.П., Горина Н. Б.. Влияние кристаллографической ориентации на адсорбцион-

ные и электрокаталитические свойства Rh // в сб Монокристаллы тугоплавких и редких металлов, сплавов и соединений. М.: Наука, 1977. C.119-124.

[200]. Бокарев В.П. Геометрическая оценка координационных чисел атомов в дефектных кристаллах неорганических веществ.// Известия АН СССР, Неорганические материалы -1986. -Т. 22. -№2. - C. 347-348.

[201] Полторак О.М. Лекции по теории гетерогенного катализа.-М.: МГУ, 1968. 155 С.

[202] Бацанов С.С., Бокарев В.П., Максимов И.И., Туманов В.А. Образование пемз при динамико-статическом сжатии порошкообразных двуокисей кремния, германия, олова. // РАН Физика горения и взрыва. - 1993. - №5. - C.652.

[203] Бокарев В.П., Горнев Е.С., Гущин О. П., Близнецов В.Н. Опыт эксплуатации безмасляных средств откачки в процессах ПХТ. // Сб. трудов Юбилейной 2й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 1999. - C. 205-206.

[204] Гущин О.П., Бокарев В. П., Трусов А.А., Горнев Е.С., Просий А.Д., Allison R.W. Модернизация нижнего электрода реакционных камер установок ПХТ "Электроника ТМ-1104 (1105,1106)" // Сб. трудов 5й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН», 2002. - С. 160 - 163.

[205] Robert W.Allison, I.Amirov, Valeriy Bokarev, Eugenie Gornev, Oleg Gouschin, Greg Hall,Ziv Jacob, Richard Kulkaski, Anton Prosiy, Anatoliy Trusov. High Selectivity Processes RIE on the Basis of the Modernized Installations "Electronics TM-1104(1105, 1106) and GIR-260 // Abstracts of Technical Symposium Papers. SEMI, Expo CIS 2002.September 24-25 New Manege Exhibition Hall Moscow. - P.51-52.

[206] Valeriy Bokarev, Eugenie Gornev, Oleg Gouschin, Ivan Gomjin, Dmitriy Efremov, Eduard Lebedev, Anton Prosiy, Anatoliy Trusov. The Process Capabilities of the Home-Grown Plasma Processor ("Plazma-150A") Fitted With the Remote Downstream High Density Plasma Reactor// Abstracts of Technical Symposium Papers. SEMI, Expo CIS 2002.September 24-25 New Manege Exhibition Hall Moscow. - P.61

[207] Амиров И.И., Бокарев В.П., Горнев Е.С., Гущин О.П., Изюмов М.О., Просий А.Д., Трусов А.А. Процесс высокоселективного анизотропного травления ди-

электрика в реакторе высокоплотной плазмы ВЧ - индукционного разряда. // Сб. трудов 5й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН», 2002. -С. 69-70.

[208] Бокарев В. П., Горнев Е. С., Просий А.Д., Гущин О. П., Амиров И. И. Современные реакторы высокоплотной плазмы // Сб. трудов 5й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН», 2002. - С. 150 - 152.

[209] Белый В.К., Бокарев В.П., Покровский В.В. Способ плазмохимического травления материалов. // Патент России № 2031480 от 22.10.1991.

[210] Трусов А.А., Гущин О.П., Бокарев В.П. Способ реактивно-ионного травления нитрида кремния // Патент России. № 2194336 от 01.06.2001г.

[211] Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов А.А. Высокоскоростное анизотропное травление SiO2. // Сб. трудов Юбилейной 2й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ, 1999. - С. 169.

[212] Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов АА., Просий А.Д. РИТ субмикронных контактных окон. // Сборник трудов 3-й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». // М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2000. - Т.1. - С.140.

[213] Амиров И.И., Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов АА.,Просий А.Д. Исследование процессов травления SiO2 в реакторе индукционно связанной плазмы.// Сб. трудов 4-й научно-технической конференции АООТ«НИИМЭ-МИКРОН», 2001. -С.54-55.

[214] Амиров И.И., Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов АА. Пассивация алюминия после процессов РИТ в реакторе с индукционно-связанной плазмой // Сборник трудов 3-й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». // М.: МИКРОН-ПРИНТ, 2000. - Т.1. - С. 153.

[215] Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов А.А., Просий А.Д., Дюпина А.Н. Формирование субмикронных поликремниевых затворов в двухстадийном процессе реактивно-ионного травления// Микросистемная техника. - 2001. - №9. - С. 40 - 41.

[216] Бокарев В.П., Волк Ч.П., Гущин О.П., Гомжин И.В., Ефремов Д.А., Лебедев Э.А., Трусов А.А. Исследование и разработка процессов плазмохимического уда-

ления органических и минеральных остатков после РИТ. // Сб. трудов 6-й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН», 2003. - С. 97 - 103.

[217] В.П. Бокарев, Е.С. Горнев, И.В. Кирюшина, С.О. Ранчин, А.А. Трусов О жидкостной химической очистке пластин перед проведением термических операций // «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». - 2015. - №1 (157). -С.25 - 32.

[218]. Stuart A. Hoenig. Cleaning Surfaces with Dry Ice//Compressed Air Magazine. August 1986. - 22-24.

[219]. McDermott W.T., Ockovic R.C., Wu J.J., Cooper D.W., Snwarz A. , Wolfe H.L. Патент EP 0461476 А2 от 29.05.91, H 01 L 21/306, приоритет 05.06.90.

[220]. Бокарев В.П., Горнев Е.С., Гущин О.П., Просий А.Д. Способ очистки поверхности // Патент РФ № 2195046 от 15.06.2000 г.

[221]. Бокарев В.П., Гущин О.П., Зайцев Н.А. Применение криоаэрозолей инертных газов в субмикронной технологии очистки пластин // Сб. трудов 1й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1998. С.197-199.

[222]. Бокарев В.П., Гизатуллин М.Р., Вахрушев М.Ю., Гребеньков В.С., Попов А.П. Установка для обработки излучением вакуумного ультрафиолета ( X = 115 -165 нм)// РАН Приборы и техника эксперимента. -1993. - N3. - C.8.

[223]. Бокарев В.П., Гущин О.П.. Зайцев Н.А. Глубокий ультрафиолет и его применение в субмикронной технологии // Сб. трудов 1й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1998. С.189-191.

[224]. Gray D.C., Butterbaugh W., Hiatt CF., Lowing A.S., Sawin H.H. Photochemical Dry Etching of Doped and Undoped Silicon Oxides // J.Electrochem. Soc. - 1995. - V. 142. -No.11. - P. 3859-3863.

[225]. Seiichi W., Shinjirou U., Norio N., Mikio Т. Photolytic etching of polycrystalline silicon in SF6 atmosphere. // Jap.J.Appl.Phys. -1986. -V.25. -№11. -P.2. - P.881-884.

[226]. Бокарев В.П., Гущин О.П., Макаревич В.Н., Просий А.Д., Трусов А.А., Волк Ч.П. Исследование процесса травления Si и SiO2 во фторсодержащих газах

под воздействием ВУФ излучения.// Микросистемная техника. - 2001. - №11. -C.29-31.

[227]. Бокарев В.П. Горнев Е.С., Трусов А.А. Способ фотолитического селективного травления двуокиси кремния.// Патент России №2257641, от 29.05.2003 г.

[228]. Ребиндер П. А., Щукин Е. Д. Поверхностные явления в твёрдых телах в процессах их деформации и разрушения // Успехи физических наук. - 1972. - Т. 108, - № 9. - С. 3-42.

[229]. Бокарев В.П., Гущин О.П., Лискин Л.А. Пути повышения качества фоторе-зистовой маски на пластинах диаметром более 150 мм. // Сб. трудов Юбилейной 2й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1999. С.165 -166.

[230] Loretice B., Cheh D., Mullen B., Gurer E., Savage R., Reynolds R. How to minimize reset usage during spin coating. // Semiconductor International. - 1998. - № 6. -P. 179-190.

[231] Бокарев В. П., Горнев Е.С., Гущин О. П., Данильченко А. М., Лискин Л. А., Просий А.Д., Трусов А. А. Использование ГУФ излучения для стабилизации свойств низкотемпературных позитивных фоторезистов. // Сб. трудов Юбилейной 2й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.: МИКРОН-ПРИНТ,1999. С. 172- 179.

[232]. Валиев К.А., Великов Л.В., Душенков С.Д., Иванова М.И. Воздействие коротковолнового ультрафиолетового излучения на тонкие слои органических веществ. // Микроэлектроника АНСССР. - 1988. - Т. 17. - Вып.6. - С.522-527.

[233]. Груздев В.А., Данильченко А.М., Мирончик Г.В., Чаброва Т.Д., Щукин Л.И. // Электронная техника. Серия 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. -1982. -Вып.3(92). -C. 41-42.

[234] Бокарев В.П., Гущин О.П., Макаревич В.Н., Просий А.Д., Трусов А.А., Дюпина А.Н. ГУФ стабилизация фоторезистовых масок в технологии полумикронных и субполумикронных СБИС.// Микросистемная техника. - 2001. -№12. -C. 23 -25.

[235] Бокарев В. П., Гущин О. П., Просий А.Д., Лискин Л. А., Макаревич В.Н., Трусов А. А. Разработка процесса ГУФ стабилизации ФРМ для субмикронной технологии переноса изображения. // Сб. трудов 3й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». М.:МИКРОН-ПРИНТ,2000. T.1. C.132-150.

[236]. UV/BakeTM Process.User' s Guide.Fusion Semiconductor.(Revision 1 - August 1993)

[237]. Бокарев В.П., Красников Г.Я. Использование ультрафиолетового излучения в технологии микро- и наноэлектроники.//«Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». - 2016. - №3 (163). - С.58- 62.

[238]. Бокарев В.П., Гущин О.П., Трусов А.А., Просий А.Д.,Макаревич В.Н., Дюпина А.Н.*, Шишко В.А. ПХТ металлизации с применением ГУФ стабилизации ФРМ. .// Сб. трудов 5й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ-МИКРОН». .М.: МИКРОН- 2002, - С.10--13.

[239]. Флавицкий Ф.М. Исследования эвтектического сплава азотнокислых солей серебра и аммония по методу плавления//ЖРХО. - 1909. - T.41. - C.739-740.

[240]. Савинцев П.А., Калачникова Л.Я. Об анизотропии при контактном плавлении веществ, образующих тройную эвтектику. // Изв. Томского политехнического института. - 1951. - Том.68. - Вып.1. - С.195-196.

[241]. Бокарев В.П. Поверхность и физико-химические свойства кристаллов. М.: МФТИ, 2018. 146 С.

[242]. Руманс К. Структурные исследования некоторых окислов и других халько-генидов при нормальных и высоких давлениях. М.: Мир, 1969. 207 С.

[243]. Бацанов С. С. В книге: Детонация. Критические явления. Физико-химические превращения в ударных волнах. Черноголовка: Изд. ИХФ АН СССР, 1978. С.126.

[244]. Бацанов С.С. Особенности твердофазных превращений, инициированных ударными волнами. // Успехи химии. - 2006. - Т. 75. - №6. - С. 669-686.

[245]. Бацанов С.С., Дорогова Г.В., Бокарев В.П. Ударный синтез твёрдых растворов халькогенидов неодима и самария.//АН СССР, Ж. неорг. Химии. - 1985. - Т. 30. - №1. - С. 246-248.

[246]. Бацанов С. С. О фазовых превращениях и синтезе неорганических веществ при ударном сжатии // Журн. неорган. Химии. - 1983. - Т. 28. - № 11, - С. 27232727.

[247]. Дорогова Г. В., Бокарев В. П., Темницкий Н.Н., Бацанов С. С. Взаимодействие оксидов магния, цинка и алюминия с их фторидами // Ж. Неорг. Химии.

- 1986. - Т. 31. - №.6. - С. 1623-1624.

[248]. Бацанов С.С., Шевцова Н.Н., Темницкий И.Н., Бокарев В.П. Термический и ударный синтез смешанных дихалькогенидов германия // АН СССР. Ж. Неорг. Химии. -1986. -Т. 31. -№.6. - С.1613-1615.

[249]. Шевцова Н.Н., Темницкий И.Н., Бацанов С.С., Бокарев В.П. Ударный синтез а- Р-модификаций ОеБеТе. // Журнал неорганической химии. - 1987. -Т. 32.

- №10. -С. 2595-2598.

[250]. Бацанов С. С., Золотова Е. С. Ударный синтез халькогенидов хрома // Докл. АН СССР. - 1968. - Т. 180. - № 1. - С. 93-94.

[251]. Бацанов С.С., Бокарев В.П., Лазарева Е.В. Влияние ударно-волнового воздействия на химическую активность. //АН СССР, Физика горения и взрыва. -1989. -N1. -С. 94 -95.

[252]. Уэдсли А. Нестехиометрические соединения. М.: Химия. 1971, 607 С.

[253]. Бацанов С.С., Бокарев В.П., Бокарева О.М., Семин В.П. Моделирование ударно-волнового воздействия на вещество статическим давлением в присутствии сдвиговых деформаций.1. Образование твёрдых растворов // АН СССР, Ж. физ. Химии. - 1983. - Т. 57. - N9. - С. 2336-2337.

[254]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Бацанов С.С. Роль сдвиговых деформаций в образовании твёрдых растворов при высоких давлениях.// АН СССР, Ж. неорг. Химии. - 1985. - Т. 30. - №5. - С. 1249-1253.

[255]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Темницкий И.Н. О механизме образования твёрдых растворов в бинарных смесях щелочных галогенидов под воздействием динамического давления // АН СССР, Химич. Физика. - 1985. - Т. 4. - N9. - С. 1281-1284.

[256]. Бокарев В.П., Бокарева О.М., Дорогова Г.В., Гаврюшин В.И. О сопоставимости результатов различного механо-химического воздействия на свойства неор-

ганических веществ // Сборник научных трудов. Метрология и физика динамических давлений. М.:ВНИИФТРИ,1989. С. 70-75.

[257]. Урусов В.С. Теория изоморфной смесимости. М.: Наука, 1977. 251 C.

[258]. Клюев Ю.А. Разрушение твёрдого раствора NH4Cl-KCl давлением // Журн. физ. химии. -1966. - Т. 40. - №10. - C. 2497-2499.

[259]. Acampora F.M., Tompa A.S.,Smith N.O. Homogenezation of Solid Solution. A proposed New Technique // J.Chem.Phys. - 1956. - V.24. - No.4. - P.1104-1104.

[260]. Бокарев В.П., Паршуков А.В. О фазовых переходах в твёрдых растворах MeBr-CsBr, где Me=Rb, K, NaV/Журн.неорган.химии. - 1982. - Т.27. - №11. -С.2912 - 2915.

[261]. Larsen H. A., Drickamer H. G. Chemical Effects on Plastic Deformation at High Pressure//J.Phys.Chem. -1957. - V.61. - P.1249-1252.

[262]. Дремин A. H., Бреусов О. H. Процессы, протекающие в твёрдых телах под действием сильных ударных волн//Успехи химии.-1968.-Т. 37.-№ 5.-C. 898-916.

[263] Ждан П. А. Воздействие активирующей обработки на реальную кристаллическую структуру некоторых ионных соединений: Дисс. на соиск. уч.степени канд.хим.наук. -Новосибирск,1973. 167 С.

[264]. Филипович В. Н., Калинина А. М.// В сб. «Структурные превращения в стеклах при повышенных температурах». М.: «Наука», 1955. C. 44.

[265]. Ададуров Г.А., Гольданский В.И. Превращения конденсированных веществ при их ударно-волновом сжатии в регулируемых термодинамических условиях // Успехи химии. - 1981. - Т. 50. - №10. - С.1810 - 1827.

[266]. Яцимирский В. К. В сб. «Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твёрдых тел». Киев, «Наукова думка», 1972. C. 127.

[267]. Мороз Э.М., Свинина С.В., Бацанов С.С. Изменение реальной структуры некоторых фторидов в результате ударного сжатия // Журн. структурн. химии . -1972 . -Т. 13. -№2. -С. 337-340.

[268]. Альтшулер Л.В., Бражник М.И. ,Герман В.Н. ,Миркин Л.И. Взрывная деформация монокристаллов // ФТТ. -1967. -T. 9. -№4. -С. 3063-3069.

[269]. Бацанов С.С., Бокарев В.П. О пределе дробления кристаллов неорганических веществ.// Изв. АНСССР. Неорганические материалы. - 1980. - Т.16. - N.9. -C. 1650 - 1652.

[270]. Свойства элементов. Ч.1. Физические свойства. Справочник в 2-х частях. М.: Металлография, 1976. 600 С.

[271]. Полторак О. М. Термодинамика в физической химии. М.: Высшая школа, 1991. 319 C.

[272]. Gladkich N., Nidermayer H., Spiegel R. Nachweis grober Schmel-rpunktserniedrigungen bei dunnen Metallschichten // Phys. status solidi. - I966. - V. 15. - № 1. - Р. 181-192.

[273]. Шоршоров М.Х. Ультрадисперсное структурное состояние металлических сплавов. М.: Наука, 2001. 155 С.

[274]. Бацанов С. С. Физико-химические эффекты действия взрыва на вещество.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1970. -Т. 6. -№ 4. -С. 697 -707.

[275]. Бокарев В.П. Поверхностная энергия и плавление кристаллов // В сборнике Труды Межведомственного Совета по комплексным проблемам физики, химии и биологии при Президиуме РАН. Москва - Екатеринбург, 1995. С. 67-68.

[276]. Бокарев В.П. Влияние поверхности на свойства макро- и нанокристалов. // Кристаллография. -2000, -Т. 45, -№ 3, -C. 568-572.

[277]. Красников Г.Я., Бокарев В.П. Поверхностная энергия и огранка кристаллов элементарных полупроводников и некоторых других веществ.// Доклады Академии Наук. -2002. -Т.382. -№2. -С. 225-229.

[278]. Wang Jian, Wang Shao-Qing. Surface energy and work function of FCC and BCC crystals: Density functional study//Surface Science. -2014. -V.630. -P. 216-224.

[279]. Лодиз Р., Паркер Р. Рост кристаллов. М.: Мир, 1974. C.403.

[280]. Steiner D., Gyftopoulos E.P. An Equation for the Prediction of Bare Work Functions// In Proc. 27th Conf. on Phys. Electronics, Cambridge, Mass. 1967. P. 160168.

[281]. Murr L.E., Horylev R.J., Wong G.Measurement of Absolute Interfacial Free Energies in a NiCr Alloy. // Surface Sci. - 1971. - V.26. - No.1. -P.184 - 196.

[282]. Antonov A. V., Shvindlerman L. S. Grain boundary and surface energy solid-gas in zinc // Solid State Physics. - 1973. - V. 15. - P. 1614-1616.

[283]. Красников Г.Я., Бокарев В.П. Оценка температур рекристаллизации поликристаллических и рентгеноаморфных плёнок кремния// Тез.докл.Зй Российской конференции по материаловедению и физ-хим основам технологи получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе "Кремний-2003". Москва.: МИСиС, 2003. C. 311-313.

[284]. Бокарев В.П., Горнев Е.С. Оценка температур плавления нанокристалличе-ских и нанотолщинных плёнок.// Наноиндустрия. -2010. -№2 (20). - C. 16-17.

[285]. Richter S., Cachen D., Cohen S.R., Gartsman K., Lyakhovistskaya V., Nanassen V. Fabrication of sub-цт bipolar transistor structures by scanning probe microscopy // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 73. - P. 1868-1870.

[286]. Miller R.E., Shenoy V.B. Size-dependent elastic properties of nanosized structural elements // Nanotechnology. -2000. -V. 11. -№3. - P. 139 - 147.

[287]. Dryakhlushin V.F., Klimov A.Yu., Rogov V.V., Shashkin V.I., Suchodoev L.V., Volgunov D.G., Vostokov N.V. Development of contact scanning probe lithography methods for the fabrication of lateral nano-dimensional elements // Nanotechnology. -2000. - V. 11. - №3. - P. 188-191.

[288]. Механоэмиссия и механохимия твёрдых тел. Фрунзе: Илим.1974. 277 C.

[289]. Бокарев В.П. Размерные ограничения в нанотехнологии // Микросистемная техника. -2001. - №6. - С. 26 - 29.

[290]. Иоффе А.Ф. Некоторые задачи дальнейшего развития учения о полупроводниках // Журнал технической физики. - 1957. - Т. 27. -Вып. 6. - С. 1153-1160.

[291]. Ioffe A.F. and Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors / // Progress in semiconductors. - 1960. - Vol. 4. - P. 239-291.

[292]. Регель А. Р., Глазов В. М. Закономерности формирования структуры электронных расплавов. М: Наука,1982. 320 C.

[293]. Бацанов С.С. Экспериментальные основы структурной химии. М.: Издательство стандартов,1986. 240 C.

[294]. Бокарев В.П., Вахрушев М.Ю. Об изменении свойств кристаллических элементов кремниевой матрицы в результате субмикронной и нанометровой технологии.// РАН, Микроэлектроника. -1992. -Т.21. -№3. -C.66-69.

[295]. Бокарев В.П., Красников Г.Я. Оценка изменения физико-химических свойств наноразмерных кристаллических материалов.// Доклады академии наук. -2008. - Т.420. - №2. - C. 186-189.

[296]. Бацанов С.С., Бокарев В.П. О существовании полиморфных модификаций в аморфном состоянии. // Изв. АН СССР, Неорган. Материалы. - 1987. -Т.23. - N6. - C.1054-1055.

[297]. Бокарев В.П., Горнев Е.С., Зайцев Н.А. Роль поверхности в изменении свойств кристаллов// Труды 1 -й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и МИКРОН». М.:МИКРОН-ПРИНТ,1998. C.185-188.

[298]. Бокарев В.П. Оценка изменения физико-химических свойств основных материалов микроэлектроники при наноразмерах.// Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника 2001» Звенигород, 2001. -Т.2. -Р2-12.

[299]. Красников Г.Я., Бокарев В.П. Оценка размерных зависимостей свойств монокремниевых наноструктур// Тезисы докладов конференции «КРЕМНИИ-2002» Новосибирск, 2002. - C.55.

[300]. Бацанов С. С. О фазовых превращениях и синтезе неорганических веществ при ударном сжатии.// Журн. неорган. Химии. -1983. -Т. 28. -№ 11.-C.2723-2726.

[301]. Бацанов С. С. Некоторые особенности фазовых превращений при ударном сжатии.// Хим. Физика. -1983. -№ 5. -C. 669-674.

[302]. Davison Lee, Graham R. A. Shock Compression of Solids.// Phys. Rept. - 1979. -V. 55. - № 4. -P. 255-279.

[303]. Штремелъ M. А. Прочность сплавов. Ч. V. Дефекты решетки. М.: Металлургия, 1982. C. 63.

[304]. Салли И.В., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1970. 152 C.

[305]. Farrell K., Loh B.T.M., Stiegler J.O. Morphologies of Bubbles and Voids in Tungsten // Trans. Amer. Soc. Metal. -1967. -V. 60. - P. 485-493.

[306]. Hayakawa Teruo. The Adsorption of Non-Polar Gases on Alkali Halide Crystals. II. Calculations of The Adsorption Behaviour of Non-Polar Gases on Cubic Sodium Chloride // Bull. Chem. Soc. Jap. -1957. -V. 30. -№3. -P. 236-243.

[307]. Беломестных В.Н., Сухушин Ю.Н. Связь между модулем сдвига и поверхностной энергией щелочногалоидных соединений. // Известия Томского политехнического института. -1973. -Т.257. -C. 192 - 199.

[308]. Дэна Д.Д., Дэна Э.С., Пэлач Ч., Берман Г., Фрондель К. Система минералогии. Т.1, полутом 1. Элементы, сульфиды, сульфосоли. М.: Иностранная литература, 1951. 608 C.

[309]. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969. 336 C.

[310]. Келли А. Высокопрочные материалы. М.: Мир,1976. 264 C.

[311]. Deal B.E. Thermal oxidation kinetics of silicon in pyrogenic H20 and 5% HCl/H20 mixtures // J. Electrochem. Soc. -1978. -V. 125. -№4. - P. 576-579.

[312]. Matsuo Naoto, Hirofuji Yuichi. The Orientation Dependence of Impurity Sticking on Si Molecular Beam Epitaxy //Extend. Abstrs 18th (1986 Int) Conf. on Solid State Devices and Materials. Tokyo, 1986. P. 41-44.

[313]. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под ред. Г.В.Самсонова. М:. Металлургия, 1978. 472 C.

[314]. Бокарев В.П., Горнев Е.С., Тодуа П.А. Оценка температуры поверхностного плавления монокристаллов элементарных веществ.// Кристаллография. - 2013. -Т.58. - №1. - C. 155-157.

[315]. Barnet R.N., Landman U. Surface premelting of Cu (110). // Phys.Rev.B. - 1991. - V.44. - №7. -P.3226-3239.

[316]. Allen B. C. The Surface Tension of Liquid Metals // in Liquid Metals - Chemistry and Physics, ed. S. Z. Beer. Marcel Dekker. New York, 1972. P. 161--212.

[317]. Красников Г.Я., Бокарев В.П. Поверхностное плавление кристаллов и спекание порошкообразных веществ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2015. - № 10. - С. 109 - 112.

[318]. Ивенсен В.А. Феноменология спекания и некоторые вопросы теории. М.: Металлургия, 1985. 247 C.

[319]. Либенсон Г.А., Лопатин В.Ю., Комарницкий Г.В. Процессы порошковой металлургии. В 2-х т., Т.2. Формование и спекание. М.: МИСИС, 2002. 320 C.

[320]. German R. M., Suri P., Park S. J. Review: liquid phase sintering. // J. Mater. Sci. - 2009. - V. 44. - P. 1 - 39.

[321]. Лякишев Н.П., Алымов М.И. Получение и физико-механические свойства объёмных нанокристаллических материалов. М.: ЭЛИЗ, 2007. 148 C.

[322]. Алымов М.И. Порошковая металлургия нанокристаллических материалов. М.: Наука, 2007. 169 C.

[323]. Троицкий В.Н., Рахматуллина А.З., Берестенко В.И., Гуров С.В. Температура начала спекания ультрадисперсных порошков // Порошковая металлургия. -1983. - №1. - С.13 - 15.

[324]. Uchikoshi T., Sakka Y., Ozawa E. Sintering and gas release of Ag ultrafine pow-ders//J. Jap. Inst. Metals. - 1989. - V. 53. - № 6. - P. 614 - 620.

[325]. Iwama S., Sahashi T. Sintering of ultrafine metal powders. I. Coalescence growth stage of Au and Ag // Jap. J. Appl. Phys. - 1980. - V. 19. - № 6. -P. 1039 - 1044.

[326]. Бокарев В.П., Красников Г.Я. Анизотропия физико-химических свойств монокристаллических поверхностей // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. - 2016. - № 4 (164). - С. 25-30.

[327]. de Boer F.R., Boom R., Mattens W.C. M., Miedema A.R., Niessen A.K. Cohesion in Metals. North-Holland, Amsterdam, 1988. 758 P.

[328]. Michaelson H. B. The work function of the elements and its periodicity //J. Appl. Phys. - 1977. - V.48. - P.4729 - 4733.

[329]. Владимиров А.Ф. Анизотропия работы выхода электрона и ретикулярное уплотнение «рыхлых» граней металлических кристаллов // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1999. - №9. - C. 58 - 66.

[330]. Шебзухова И. Г. Поверхностные энергия и натяжение металлических кристаллов, кинетика адсорбции компонентов бинарных систем.// Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Нальчик - 2013. 45 C.

[331]. Олешко В.С., Пиговкин И.С. Оперативное определение поверхностной энергии металлических деталей авиационной техники // Интернет-журнал «НАУКОВЕДЕНИЕ» - 2016. - Т. 8. - №3: http://naukovedenie.ru/PDF/131EVN316.pdf

[332]. Bokarev V.P., Krasnikov G.Ya. Model of coordination melting of crystals and anisotropy of physical and chemical properties of the surface // Surface Science. - 2018. - V. 668. - P. 73-79.

[333]. Physics of Solid Surfaces, G. Chiarotti, editor, volume 24b, of Landolt-Bornstein, New Series III, chapter 3.1.2.4, Springer-Verlag, Berlin, 1993. P. 56-67.

[334]. Монокристаллы тугоплавких и редких металлов. М.: Наука, 1969. 124 C.

[335]. Gartland P.O., Berge S., Slagsvold B.J. Photoelectric Work Function of a Copper Single Crystal for the (100), (110), (111), and (112) Faces // Phys.Rev.Lett. - 1972. -V.28. - P.738-739.

[336]. Eastment R.M., Mee C.H.B. Work function measurements on (100), (110) and (111) surfaces of aluminium // J.Phys. E.: Metal Phys.-1973.-V.3.-№9. - Р.1738-1745.

[337]. Бокарев В.П., Горнев Е.С., Красников Г.Я., Тодуа П.А. Анизотропия работы выхода электронов и поверхностная энергия металлов // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. - 2014. - №1 (156). - C. 18-27.

[338]. Бокарев В.П. Кристаллическая структура и адгезионные свойства материалов.// «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». - 2016. - №2 (162). -C. 56-59

[339]. Freund H.-J. Metal clusters and islands on oxides: from catalysis via electronics and magnetism to optics // Surf. Sci. - 2002. - V. 500. - №1/3. - P. 271-299.

[340]. Henrich V.E., Cox P. A. The surface science of metal oxides. Cambridge: Cambridge University Press, U.K., 1994. 452 P.

[341]. Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Бучин Э.Ю. Увеличение адгезии металлических плёнок к кремнию с помощью ионной бомбардировки в процессе их роста //Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79. - ып. 7. - C. 146 - 149.

[342]. Matsuo Naoto, Hirofuji Yuichi. // Extend. Abstracts XVIII Intern. Conf. Solid State Devices and Mater., 20-22 Aug.Tokyo, 1986. P. 41 - 44.

[343]. Бокарев В.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С. Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и её роль в технологии микроэлектроники. // «Наноинду-стрия». - 2019. - № S89. - С. 175-179.

[344]. Мельников В.В., Еремеев С.В., Кулькова С.Е.. Изучение адгезии плёнок ниобия на разно-ориентированных поверхностях a-Al2O3 // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81. - Вып. 10. - C. 114-121.

[345]. Иноуе К., Китахара А., Косеки С., Мамамуси Р., Накаса С., Сома X., Тамару К., Танака X. Капиллярная химия. М.: Мир, 1983. 272 С.

[346]. Batirev I.G., Kleinman L. In-plane relaxation of Cu (111) and Al(111) / alpha-Al2O3 (0001) interfaces // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - P. 1-4.

[347]. Plummer E.W., Rhodin Н. Atomic Binding of Transition Metals on Clean Single-Crystal Tungsten Surfaces.// J. Chem. Phys. - 1968. - V. 49. - P. 3479-3496.

[348]. Бокарев В.П., Красников Г.Я. Таблица Д.И. Менделеева и анизотропия физико-химических свойств поверхности кристаллов. // Тезисы докладов XXI Менделеевского съезда по общей и прикладной химии в 6 томах. Том 1. Фундаментальные проблемы химической науки. Санкт-Петербург, 2019. - С.134.

ПРИЛОЖЕНИЕ

УТВЕРЖДАЮ

Генеральный директор

Ай^киимэь

^ Г. Я. Красников » 2020 г.

гШиимэ»

Г. Я. Красников

2020 г.

исио.'шзонаттия при выиолншгин государственного оборон hoi о заказа ОАО «НИИМЭ и \1 икрон» материалов работ Бокарева Валерия Павловича

Материалы работ Бокаревн В. П.: Высокоскоростное анизотропное травление SiО2. Соавторы: Гущин O.TL, Трусов А.Л.; Разработка процесса ['УФ стабилизации ФРМ субмикрошюй технологии переноса изображения. Соавторы:-Гунщн Q.IL, Лросчй Л.Д., Лис кии ЛА., Макаревич В .П., Труспи АА,; РИТ субмикропггых коитшсгных окон. Сол&шры: Гущвн 0,1 [., Трусов АА., Просий А.Н,; Пассивации алюминия после пропесшж РИТ р реакторе с инлукцвонно-связаиттой плазмой. Соавторы: Амиров И.И., Гущин O.TL, Трусов АА.; Формирование еубмикрсшых ]ниш кремниевых затннрога р двухстадиГшом процессе реакгннно-ионного -финлин™, Соавторы: Гущин O.IL, Трусов А.А., Просий А,Н,, Дюиина АН.; ПХ'Г металлизации t применением ГУФ стабилизаци и ФРМ. Соавторы: Гупщн О.П., Дгонина А.Н,, Макаревич В.Н Трусик А. А.? Швшко В.А,; Процесс высожоселектиппого анизотропного травления диалектрика в реакторе высокоплотилй плазмы ВТ - индукционного разряда. Соавторы: Амиров И.И., Горпев КС., Гущин О.П., Илттов М.О., ■у Прочий А.Д-? Трусов А. А.^ использовались при выполнении госулар^тнснипго «боронного заказаОАО «1ШИШ н Микрон» в период 1995 -2004 it. гто темам:

ОКР «Инструмент ССИС»; ОКР «Можжевельник»; ОКР «Изразец»; ОКР «Исотра»; OKI1 «Тема-5»; ОКР «Ириска-.!»; ОКР «Осеш-29»; ОКР «Грузових-3»; OKI1 «Ириска-5»; ОКР «Генеалогия»; ОКР «Ин'шксшсапия»; ОКР «Разводчик-ОКР «Носильщик».

Зам. ГД по модернизаций и впелрению микросхем

УТВЕРЖДАЮ Зам, генерального директора tr по производству k^^^Y _ ^ ранчнн

* Iii »

АКТ

202ÜI

внедрения в опытную эксплуатацию б«масляной откачной системы -QDm^MBSm фнрмыEdwards, для вакуумирмяширеакционны*каиер установок РИТ «Электроника TM 1104,1105»

Комиссия в состав председателя . вдыест™* генерального директора но производству Ртачнш С.О. и -и™ ^еинте^ нзчаль™

цеяа Гурсхого Ю,н. н ведущего ннжеттери-техтлот IIWo В.А. сосма настоящий акт в том, что в цехе ^стального иро^водота была внедрена в желлуатаишо беэмклянад овеит-мя система QDPSO^ME5<)OF фирмы EdwanJa дла установок штшмох^тсского травле™, алюшшия, поэгашищая ЭКОшМИтъ расход дорог^тоащих масел и источил! загрязнение поверхности ipasEM^x пластин с метаплюшЯ парами ]

: масел.

Огкачныс системы

с масляным уплотненней тала СРЭОбЗР-н

приметаемые в серийных установки РИТ «Элекфоншя- Ш 1104. 1105» втащатся в еявмсопшоЙ замени масла типа Fonblin в количеств* 7 лжгрои при испапиовании в хлорном процессе РИТ алалшння, т.е. расходую! И литра дорогостоящего масла в год. Прк этом не учитываете возможность

попадания паров масея в вахуумйр^мы, рвавднные K3MBpüi ^ ^^^

к резкому изменению адрмионны* свой,:™ поверхности обрабатываемых пластин л к внедрении углерода в поверхгюстаый июй Прн ийследуюпмк термически* ойротках, т.е. укачивает привноошу* дефектное и влияет нз выход годных, здо было пошзаиа в работах Еокарсаа В. И.

1

УТВЕРЖДАЮ Зам. генерального директора

^ПЭДЗ^М^кроа» гюч:раиэвсдотву .О. Рйнчин

2020 г

N.

С

АКТ

использования размотанного про^ РИТ нитрида ^емми* прн огработлв т^кнштопш^о™™ СБИС с субмикронными прскктнима нормами и крнетильнол производстве.

Кпмисшм в составе председателя -