Разработка подсистем электро-теплового моделирования БИС и печатных плат в среде промышленной САПР тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Козынко, Пётр Александрович

• Козынко, Пётр Александрович
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Козынко, Пётр Александрович

Введение.

Глава 1. Структура 2-х уровневой элекгро-тепловой САПР БИС и ПП.

1.1 Обзор современного состояния работ в области теплового и электр о-тепл о -вого моделирования БИС и ПП.

1.2 Специфика подсистем электро-теплового моделирования в составе промышленных САПР БИС и ПП.

1.3 Общая структура электро-тепловой САПР БИС и ПП.

1.4 Выводы.

Глава 2. Подсистема электро-теплового моделирования ИС.

2.1 Структура автоматизированной подсистемы электро-теплового моделирования в составе промышленной САПР БИС Mentor Graphics.

2.2 Выбор программы теплового моделирования БИС.

2.3 Метод смешанного электро-теплового моделирования БИС.

2.4 Практические примеры электро-теплового проектирования ИМС.

2.5 Выводы.

Глава 3. Подсистема электро-теплового моделирования ПП.

3.1 Структура автоматизированной подсистемы электро-теплового моделирования печатных плат в составе промышленной САПР ПП Mentor Graphics.

3.2 Примеры электро-теплового проектирования печатных плат.

3.3 Выводы.

Глава 4. Аппаратно-программный комплекс для измерения, исследования и верификации результатов расчёта тепловых полей БИС и ПП.

4.1 Структура аппаратно-программного тепловизионного измерительного комплекса.

4.2 Описание аппаратной части измерительного ИК-тепловизионного комплекса

4.3 Обработка тепловых изображений в структуре промышленной САПР БИС и ПП.

4.4 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка подсистем электро-теплового моделирования БИС и печатных плат в среде промышленной САПР»

Актуальность темы

Надёжное функционирование электронной аппаратуры возможно лишь при условии обеспечения тепловых режимов её элементов в заданных пределах. Современные дискретные элементы, логические устройства, микропроцессоры и др., как правило, упаковываются в малогабаритные корпуса, а плотность их размещения на печатных платах (ПП) постоянно повышается. Как следствие, во многих случаях увеличиваются удельные рассеиваемые мощности элементов, повышаются их рабочие температуры, что заставляет разработчиков искать новые конструктивно-технологические решения и совершенствовать способы отвода тепла.

Таким образом, расчёт тепловых режимов электронных устройств на ПП предI ставляет собой чрезвычайно важную и актуальную задачу для обеспечения их работоспособности и надёжности [1], [2].

В ещё большей степени учёт тепловых эффектов важен для ИС и БИС. Уменьшение размеров элементов современных БИС, увеличение плотности их размещения на полупроводниковом кристалле, совмещение в одной схеме цифровых и аналоговых блоков, интеграция в единой конструкции элементов малой, средней и большой мощности резко обостряют сложный комплекс проблем, связанных с повышением удельной мощности, рассеиваемой элементами, и, как следствие, увеличением их рабочих температур и взаимным нагревом близко расположенных друг к другу элементов.

Мощность, рассеиваемая некоторыми типами БИС и СБИС может составлять десятки — сотни ватт, что приводит к существенному нагреву полупроводникового кристалла. К таким схемам в первую очередь относятся интеллектуальные силовые БИС промышленного и бытового назначения, площадь мощных выходных каскадов и/или приборов которых составляет 30-70% площади всего кристалла. Другим характерным примером являются СБИС процессоров ЭВМ. В частности, для процессора Xeon серии 7100 фирмы Intel, изготовленного по глубоко субмикронной

0,065 мкм КМОП-технологии и потребляющего мощность 150 Вт, рабочая температура на поверхности корпуса микросхемы составляет 70 °С, а на поверхности полупроводникового кристалла 90 °С. Практика показывает, что для полупроводниковых кремниевых БИС рабочая температура на кристалле не должна превышать 120150 °С.

Для целого ряда БИС, в основном аналоговых и аналого-цифровых, критичной является не только величина самой температуры, но и величина градиента температуры на кристалле. Так разница температур транзисторов, включенных в разные плечи дифференциальных каскадов ОУ, компараторов, высокоразрядных ЦАП/АЦП, не должна превышать, как правило, 0,1-0,3 °С.

Известно, что элементы полупроводниковых БИС весьма термочувствительны. Так при увеличении температуры на 1 °С напряжение на прямо смещённом р-n переходе уменьшается на 2 мВ, а при увеличении на 10 °С ток утечки обратно смещённого р-n перехода удваивается.

Таким образом, появление на печатной плате или на кристалле БИС "горячих точек", то есть областей локального перегрева, приводит к заметному изменению электрических параметров одного или группы элементов, что в свою очередь вызывает ухудшение работоспособности всей схемы. При повышенных температурах ухудшаются не только электрические параметры, но и ускоряется протекание нежелательных физико-химических процессов в материалах и конструкциях компонентов, могущих привести в конечном итоге к выходу схемы из строя.

Перечисленные выше факторы заставляют разработчиков строго ограничивать рабочие температуры элементов, создавать цепи температурной защиты и совершенствовать способы отвода тепла. Как следствие, одним из важнейших этапов проектирования современных ПП и БИС является этап электро-тегшового моделирования.

Состояние исследований по проблеме

Современные программы теплового анализа печатных плат представляют собой, как правило, автономные продукты, ориентированные на определенные системы проектирования ПП. Наиболее популярными по оценкам специалистов являются программы: HyperLynx Thermal (ранее BETAsoft Board) фирмы Mentor Graphics [3], Flo/PCB фирмы Mentor Graphics [4], TASPCB фирмы ANSYS [5], АСОНИКА-Т [6], разработанная КГТУ и МИЭМ и др. Программа HyperLynx Thermal поставляется как штатное средство для теплового моделирования в составе САПР компании Mentor Graphics. Разработчиков ПП привлекает, во-первых, высокая достоверность получаемых результатов и, во-вторых, то обстоятельство, что реализован встроенный интерфейс связи с ней в мощном пакете разработки печатных плат Expedition PCB, который позволяет напрямую обмениваться с ней данными, описывающими конструкцию ПП: позиционные обозначения, типы компонентов, их форма и координаты и т.п. Программа Flo/PCB интегрирована с пакетом Allegro фирмы Cadence, однако она не может описывать объекты сложной геометрии, такие как радиаторы, сложные элементы теплоотвода и т.д. Программа TASPCB имеет удобный интерфейс для описания компонентов и плат со сложной геометрией, однако не предусматривает передачу значений температуры компонентов и тепловых параметров в пакет Allegro или др. пакеты. Отечественный пакет теплового моделирования АСОНИКА-Т, разработанный коллективом авторов Ю.Н. Кофанов, С.А. Васильчиков, С.Ю. Мельников, A.B. Сарафанов, И.В. Скворцов, Д.А. Соловкин и др. [7], имеет редактор, позволяющий формировать геометрическую модель ПП, а также специализированный модуль подготовки тепловых моделей, однако для неё отсутствуют сведения об интеграции в другие современные системы проектирования ПП.

К сожалению, для всех перечисленных программ процедуры передачи и обмена данными с программами расчёта электрического режима и проектирования топологии не автоматизированы, а выполняются вручную. Кроме того, существующие пакеты теплового моделирования ПП не учитывают того обстоятельства, что параметры таких распространённых компонентов, как дискретные полупроводниковые приборы и микросхемы, в значительной степени зависят от температуры, что сильно меняет их электрический режим. Таким образом, для современных ПП необходимо электро-тепловое моделирование, которое совмещает тепловой расчёт с электрическим.

Для современных ИС и БИС можно считать общепринятым, что для учёта тепловых эффектов наиболее эффективным средством является электро-тепловое моделирование.

Существуют два основных подхода к электро-тепловому моделированию.

Первый, так называемый - метод совмещения сред, подразумевает использование двух сред моделирования: одной для численного решения задачи теплопроводности, и другой для электрического расчёта схемы с помощью программы Spiee или её модификации в одном итерационном цикле. Достоинства: высокая точность, возможность визуализации, возможность перемещать разные компоненты (источники тепла) по топологии кристалла/платы для корректировки температурного распределения. Стационарные 2-х и 3-х мерные температурные профили по кристаллу или плате позволяют напрямую определить горячие точки и "слабые" компоненты. Недостатки подхода: в случае сильной электро-тепловой связи между компонентами сходимость к решению задачи не гарантируется; способ требует большого времени вычислений. На этом подходе в Фраунгоферском институте интегральных схем (г. Дрезден) построена подсистема электро-теплового моделирования, объединяющая в единый цикл расчётов известные программы SABER и ANSYS [8], а также подсистема электро-теплового моделирования ИС, разработанная специалистами фирм AMI Semiconductor, IMEC и Gradient Design Automation, объединяющая в единый цикл программу теплового расчёта CircuitFire и схемотехнические пакеты Spectre или UltraSim [9].

Второй, так называемый - метод электро-тепловой аналогии, представляет тепловую модель ИС в виде аналога электрической цепи, а затем программа схемотехнического моделирования (Spiee, Spectre, Eldo) осуществляет совместное моделирование электрической и тепловой цепей. Достоинства: возможность быстро получить тепловое решение даже в случае сильно связанной электро-тепловой задачи; более простая подготовка и реализация задания на расчёт. Недостатки: менее точное решение, получаемое в виде усреднённых температур компонентов; ограниченные I возможности для изменения расположения компонентов на п/п кристалле с целью улучшения тепловых условий. Типичными представителями программ, реализованных на базе этого метода, являются SISSI [10] и ILLIADS-T [11]. SISSI (Simulator for Integrated Structures by Simultaneous Iteration) предназначена для расчёта статических, временных и частотных характеристик аналого-цифровых БИС с учётом тепловых эффектов. Она эксплуатируется совместно с системой проектирования БИС компании Cadence. ILLIADS-T является автономной специализированной программой расчёта тепловых режимов для КМОП БИС.

Существенный вклад в развитие методов электро-теплового моделирования БИС внесли зарубежные учёные V. Székely, А. Рорре, M. Rencz [12]; S. Wiïnshe [8]; среди отечественных специалистов необходимо отметить А.Г. Мадеру [13], [14], К.О. Петросянца, Н.И. Рябова [15] и др. [16].

Ряд ведущих производителей электронных компонентов, понимая всю важность теплового анализа, разработали собственные узкоспециализированные программы электро-теплового анализа. В частности, компания International Rectifier разработала автономный пакет Hexrise, предназначенный для электро-теплового моделирования устройств на базе мощных полевых транзисторов [17]. Компания Infineon Technology AG разработала на базе программы SABER собственный пакет электро-теплового моделирования устройств на базе мощных МОП транзисторов [18]. Аналогичные разработки проводятся и другими ведущими фирмами — производителями электронных компонентов и микросхем. Большой вклад во внедрение экспериментальных и расчётных методов исследования тепловых режимов п/п приборов, ИС и 1111 внесли отечественные специалисты Д.И. Закс (ОАО "НИИМЭ и Микрон") [19], [20] Е.И. Асвадурова [21], В.Ф. Синкевич [22] (ФГУП "НПП "Пульсар"), В.В. Гольдин, В.Г. Журавский (НИИАА) [23] и др.

К сожалению, полностью автоматизированные подсистемы электро-теплового моделирования, встроенные в промышленные САПР БИС, на сегодняшний день ни у нас в стране, ни за рубежом не разработаны. Как следствие, возможности промышленных САПР БИС Cadence, Mentor Graphics, Synopsys ограничены, особенно для разработки мощных аналоговых и смешанных ИС для промышленного контроля, автомобильной электроники, мощных стабилизаторов, преобразователей и др., где требуется детальный учёт температурных режимов.

К подсистемам электро-теплового моделирования, разрабатываемым для промышленных САПР, предъявляется ряд важных требований, продиктованных спецификой реального производства. Это прежде всего: исключение ошибок за счёт действий, выполняемых вручную; минимизация затрат на подготовку и обработку исходных данных и результатов расчёта; резкое сокращение времени счёта и получение достоверного результата с высокой вероятностью; наличие интерфейсов, обеспечивающих автоматический обмен данными с другими подсистемами - проектирования топологии, верификации проекта, расчёта надёжности и др. Особое значение имеет достоверность результатов проектирования, которая должна обеспечиваться путём совпадения с заданной точностью результатов расчёта и измерения тепловых режимов и/или полей в конструкциях ПП или БИС. Поэтому подсистема элек-тро-теплового моделирования должна быть сопряжена с аппаратно-программным комплексом для измерения тепловых характеристик. К сожалению, эти задачи в приведённых выше примерах не решены.

Настоящая диссертационная работа ставит своей целью устранение перечисленных недостатков и направлена на решение научно-технических задач разработки и развития методов и средств теплового и электро-теплового проектирования ПП и БИС, ориентированных для применения в промышленных САПР. Цель работы и задачи исследования

Целью диссертации является разработка автоматизированных подсистем электро-теплового проектирования БИС и ПП, встроенных в промышленную САПР.

Для достижения поставленной цели решаются следующие научно-технические задачи:

1) Разработка и практическая реализация методов, методик и программного обес- > печения для создания подсистем автоматизированного электро-теплового проектирования БИС и ПП. в

2) Разработка аппаратно-программного комплекса для измерения, исследования и верификации тепловых полей и тепловых режимов БИС и ПП, совместимого по средствам обработки и визуализации результатов измерений и форматам данных с подсистемами электро-теплового моделирования БИС и ПП.

3) Включение подсистем пп. 1 и 2 в среду промышленной САПР БИС и ПП Mentor Graphics. Методы исследования

Методы исследования включают: аппарат теории электрических цепей; методы математического моделирования с помощью ЭВМ; экспериментальные методы исследования температурных полей в электронных компонентах, схемах и ПП с помощью ИК-термографии; математические методы обработки результатов измерений; блочно-иерархический подход к проектированию сложных систем. Научная новизна

1) Предложены структуры подсистем электро-теплового моделирования БИС и печатных плат, которые, в отличие от существующих аналогов, включают набор дополнительных модулей — диспетчеров и трансляторов данных, что позволяет полностью автоматизировать процедуры обмена информацией между программами теплового и электрического моделирования и управления процессом расчёта.

2) В традиционный маршрут электро-теплового проектирования БИС и ПП введён новый этап верификации результатов теплового расчёта.

3) Разработана структура аппаратно-программного комплекса, реализующего процедуру верификации результатов электро-теплового моделирования.

4) Предложен метод смешанного электро-теплового моделирования БИС, объединяющий метод электро-тепловой аналогии и метод совмещения физических сред моделирования (электрической и тепловой), что существенно повышает точность расчётов температуры в сложных 2-х и 3-х мерных конструкциях БИС и расширяет круг решаемых задач в части учёта различных вариантов топологических и конструктивно-технологических решений п/п кристалла БИС, элементов теплоотвода и корпуса.

Практическая значимость работы

1) Разработанные подсистемы элекгро-теплового моделирования БИС и ПП встроены в промышленную САПР Mentor Graphics и могут быть использованы широким кругом разработчиков для решения задач теплового и элекгро-теплового проектирования БИС и ПП различной номенклатуры.

2) Разработанный тепловизионный измерительный комплекс может быть использован как автономно для измерения и исследования тепловых полей и тепловых режимов БИС и ПП широкой номенклатуры, так и совместно с подсистемами моделирования для верификации результатов теплового и элекгро-теплового проектирования БИС и ПП.

Реализация результатов работы

Разработанные подсистемы элекгро-теплового моделирования и измерительный комплекс были использованы для теплового и электро-теплового проектирования микросхем- стабилизаторов напряжения серий К142ЕН9, К142ЕН10, разрабатываемых в ООО «НПП «Томилинский электронный завод» и микросхемы СВЧ усилителя мощности L диапазона, разрабатываемого ФГУП «НПП «Пульсар»; а также при выполнении 11 гос. бюджетных и хоз. договорных НИОКР в МИЭМ и ГУ «НИИ МЭИИТ МИЭМ».

Апробация результатов работы

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

1) Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Москва, 2004, 2005, 2006, 2007, 2010;

2) Микроэлектроника и информатика - 2004. 11-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Москва, Зелено. град, 2004;

3) Международный симпозиум "Электроника и электрооборудование транспорта". Суздаль, 2005;

4) Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем (МЭС). Москва, 2006, 2008, 2010;

5) Отраслевая научно-техническая конференция приборостроительных организаций Роскосмоса «Информационно-управляющие и измерительные системы». ФГУП НПО Измерительной техники, г. Королёв, Моск. обл., 2006, 2008;

6) Семинар Mentor Graphics по проектирования систем на печатных платах. Москва, 2007; '

7) IEEE East-West Design & Test Symposium [EWDTS]. Ереван, 2007; Москва, 2009; Санкт-Петербург, 2010;

8) Russian-Finnish Seminar and Exhibition "Russian Advanced Information Technologies." Хельсинки, Финляндия, 2008;

9) International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC). Рим, Италия, 2008; Лёвен, Бельгия, 2009; s

10)VIII научно-техническая конференция Твёрдотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА (Пульсар-2009). Дубна, 2009;

11)V Научно-технический семинар по твердотельной СВЧ электронике "Практика применения тепловых моделей и расчётов при проектировании нового поколения СВЧ транзисторов и твердотельных модулей". Москва, ФГУП "НПП "Пульсар", 2010.

Практические результаты работы демонстрировались в виде экспонатов на следующих российских и международных выставках:

1) Международная выставка информационных и компьютерных технологий CeBIT. Ганновер, Германия, 2006, 2007, 2008;

2) Российская национальная выставка. Пекин, КНР, 2006;

3) International Data Processing, Multimedia and Communications Show SIMO 2007. Мадрид, Испания, 2007;

4) 4-я Международная специализированная выставка "Силовая электроника". Москва, ЦМТ, 2007;

5) Российская национальная выставка. Йоханнесбург, ЮАР, 2007; I

6) 1-я Международная выставка и конференция "Электротехника и промышленная электроника". Москва, ЦМТ, 2008;

7) 19-я Ежегодная выставка информационных технологий и компьютеров SofTool. Москва, ЦБК "Экспоцентр", 2008.

8) 1-я Специализированная выставка "Потенциал 2010" в рамках "Российской недели электроники". Москва, ЦВК "Экспоцентр", 2010.

Публикации

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 21 научном труде: в 10 статьях, в том числе 5 работ в изданиях, рекомендованных в Перечне ВАК для публикации результатов диссертаций; в 11 тезисах докладов. Получены 4 свидетельства о государственной регистрации программ для ЭВМ.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Козынко, Пётр Александрович

4.4 Выводы

Разработан тепловизионный измерительный комплекс, который может быть использован как автономно для измерения и исследования тепловых полей и тепловых режимов БИС и ПП широкой номенклатуры, так и совместно с подсистемами моделирования для верификации результатов теплового и элекгро-теплового проектирования БИС и ПП.

Разработанный комплекс удовлетворяет требованиям, необходимым для его интеграции в промышленную САПР: унифицированы форматы данных и программы анализа тепловых изображений; введены средства расчёта коэффициентов излучения и коррекции изображений по всем точкам тепловой панорамы.

Комплекс может бьггь оснащён тепловизионными камерами известных фирм FLIR и NEC, при необходимости и других производителей, в частности, термомикроскопом Infrascope HS с линейным разрешением 1,1 мкм, для чего необходима незначительная адаптация конвертеров.

Разработаны специальные конвертеры, с помощью которых в основную программу анализа и обработки изображений возможно передавать не только результаты измерений," но и результаты элекгро-теплового моделирования. Что позволяет провести процедуру верификации результатов теплового моделирования БИС и ПП.

Комплекс использован для анализа тепловых режимов и верификации элекгро-теплового моделирования микросхем серий К142ЕН9 и К142ЕН10 (ООО НПП "Томилинский электронный завод"), различных конструктивных вариантов СВЧ усилителя мощности L диапазона частот (ФГУП "НПП "Пульсар") и др., а также ряда ПП и блоков РЭА.

Заключение

Общим итогом настоящей диссертационной работы является разработка двух новых подсистем электро-теплового проектирования БИС и печатных плат, реализованных в среде промышленной САПР Mentor Graphics, а также интегрированного с ними тепловизионного измерительного аппаратно-программного комплекса для измерения тепловых полей и режимов БИС и ПП и верификации результатов тепловых расчётов."

Получены следующие научно-технические и практические результаты:

1) Предложена универсальная структура подсистемы электро-теплового расчёта БИС, в которой автоматизация обмена информацией между программами теплового и электрического моделирования достигается за счёт применения двух программных модулей: программы-генератора тепловой модели БИС, которая конвертирует данные топологического редактора в формат программы численного моделирования 3-х мерных температурных полей, и программы-диспетчера, которая осуществляет последовательный вызов программ электрическога и теплового моделирования в ходе итерационного процесса.

2) Предложена структура подсистемы электро-теплового моделирования печатных плат, в которой за счёт введения специальной программы-диспетчера полностью автоматизированы процедуры обмена информацией между программами теплового и электрического моделирования и управления процессом расчёта.

3) В подсистеме электро-теплового моделирования БИС предложено совместно использовать два метода расчёта: метод электро-тепловой аналогии и/или метод совмещения физических сред моделирования (электрической и тепловой), что существенно повышает точность расчётов температуры в сложных 2-х и 3-х мерных конструкциях БИС и расширяет круг решаемых задач в части учёта различных вариантов топологических и конструктивно-технологических решений п/п кристалла БИС, элементов теплоотвода и корпуса.

4) Разработанные подсистемы элекгро-теплового моделирования БИС и ПП встроены в промышленную САПР Mentor Graphics и могут быть использованы широким кругом разработчиков при решении задач теплового и элекгро-теплового проектирования БИС и 1111 различной номенклатуры.

5) Эффективность разработанных подсистем элекгро-теплового моделирования БИС и ПП подтверждена официальным дистрибьютором Mentor Graphics в России и странах СНГ компанией ЗАО МЕГРАТЕК. Подсистемы рекомендованы к практическому использованию в маршрутах проектирования БИС и ПП компании Mentor Graphics.

6) Разработанный тепловизионный измерительный комплекс может быть использован как автономно для измерения и исследования тепловых полей и тепловых режимов БИС и ПП широкой номенклатуры, так и совместно с подсистемами моделирования для верификации результатов теплового и электро-тепло-вого проектирования БИС и 1111.

7) Разработанные подсистемы элекгро-теплового моделирования и измерительный комплекс были использованы для теплового и элекгро-теплового проектирования микросхем-стабилизаторов напряжения серий К142ЕН9, К142ЕН10, разрабатываемых в ООО НПП «Томилинский электронный завод» и различных конструктивных вариантов микросхемы СВЧ усилителя мощности L диапазона, разрабатываемого ФГУП «НПП «Пульсар»; а также при выполнении 11 гос. бюджетных и хоз. договорных НИОКР в МИЭМ и ГУ "НИИ МЭИИТ МИЭМ" за период с 2004 по 2010 гг. [77-83].

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Козынко, Пётр Александрович, 2010 год

1. Л.Л. Роткоп, Ю.Е. Спокойный Обеспечение тепловых режимов при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. М.: «Сов. радио», 1976. — 232 с.

2. А.В. Сарафанов, B.M. Галиулин, А.И. Манохин Применение подсистемы АСО-НИКА-Т при проектировании изделий электронной техники // Электронная техника. Сер. 5. "Радиодетали и радиокомпоненты": Науч.-техн. журн. М., 1990. Вып. 4 (81) - С. 28-31.

3. S. Wtinshe, С. ClaulS, P. Schwarz, F. Winkler Electro-Thermal Circuit Simulation Using Simulator Coupling // IEEE Transactions on VLSI Systems — September 1997 Vol. 5 - No. 3 - Pp. 277-282.

4. R. Gillon, P. Joris, H. Oprins, B. Vandevelde, A. Srinivasan, R. Chandra Practical chip-centric electro-thermal simulations // Rome: THERMINIC Proceedings, Septermber 2008. - Pp. 220-223.

5. V. Székely, A. Pâhi, A. Poppe, M. Rencz, A. Csendes SISSSI a tool for dynamic electro-thermal simulation of analog VLSI cells // Proc. of European Design and Test Conference, 1997, P. 617.

6. Y.-K. Cheng, C.-H. Tsai, C.-C. Teng, S.-M. Kang Electrothermal Analysis of VLSI Systems Kluwer Academic Publishers, 2000.

7. V. Székely, A. Poppe, A. Páhi, A. Csendes, G. Hajas, M. Rencz Electro-Thermal and Logi-Thermal Simulation of VLSI Designs // IEEE Transactions on VLSI Systems, September 1997. Vol. 5. - # 3. - Pp. 258-269.

8. А.Г. Мадера Расчет динамического режима полупроводниковых микросхем с учётом тепловой обратной связи. Микроэлектроника. - 1982. — Т. 2. - С. 175177.

9. А.Г. Мадера Моделирование теплообмена в технических системах. — М.: НО Научный фонд «Первая исследовательская лаборатория имени академика

10. B.А. Мельникова», 2005. 208 с.

11. Н.И. Рябов Моделирование электрических и тепловых полей в полупроводниковых и гибридных ИМС. Канд. диссертация. - М.: МИЭМ, 1986. — 221 с.

12. О.М. Драпкин, В.К. Шмат Электротепловое взаимодействие между элементами интегральных схем. // Электронная техника. — Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1982. - Выпуск 4. - С. 56-63.

13. А. Колпаков Расчёт тепловых режимов MOSFET транзисторов с помощью программы HEXRISE // Компоненты и технологии, № 5. 2002. — С. 20-23.

14. М. März, Р. Nance Thermal Modeling of Power-electronic Systems. Munich: Infineon Technologies AG, 2000. - Pp. 1-20.

15. Д.И. Закс Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем. М.: Радио и связь, 1983. - 128 с.

16. Д.И. Закс, Н.М. Наумов Анализ температурного поля полупроводниковой микросхемы. // Известия вузов СССР. Радиоэлектроника, 1975. — Т. 18. № 1.1. C. 60-63.

17. А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов. М.: Радио и связь, 1983. — 184 с.

18. Б.С. Кернер, A.M. Нечаев, Е.А. Рубаха, В.Ф. Синкевич Расчет на ЭВМ рас-предлений плотности тока и температуры в транзисторных структурах. Микроэлектроника. - 1978. - Т. 7. - Выпуск 2. - С. 147-151.

19. J.D. Parry CFD for Electronics Cooling: MCAD and EDA Embedded vs. Standalone // Proceedings of 14th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2008). Rome, Italy, 2008. - Pp. 1-7.

20. М. Rencz, V. Szekely, А. Рорре A fast algorithm for the layout based electro-thermal simulation — IEEE Proc. of Design, Automation and Test in Europe — 2003—vol. 1—p. 11032

21. M. Pedram, S. Nazarian Thermal Modeling, Analysis, and Management in VLSI Circuits: Principles and Methods // Proceedings of the IEEE 2006, Vol. 94, Issue 8. - Pp. 1487-1501.

22. M.-N. Sabry, A. Bontemps, V. Aubert, R. Vahrmann Realistic and Efficient Simulation of Electro-Thermal;Effects in VLSI Circuits IEEE Transactions on VLSI Systems, Vol. 5, September 1997 - Pp. 283-288.

23. G. Digele, S. Lindenkreuz, E. Kasper Fully Coupled Dynamic Electro-Thermal Simulation // IEEE Transactions on VLSI Systems September 1997 — Vol. 5 -№ 3, Pp. 250-257.

24. K.O. Petrosjanc, I.A. Kharitonov, P.P. Maltcev, N.I. Rjabov High-Speed Digital GaAs ICs Electro-Thermal Simulation with PSPICE // Proc. of the 5-th Therminic Workshop, October 1999. Rome, Italy. - Pp. 103-106.

25. M. Rencz, V. Szekely, A. Poppe, K. Torki, B. Courtois Electro-thermal simulation for the prediction of chip operation within the package // 19th Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Managment Simposium. 2003. -Pp. 168-175.

26. T.-Y. Wang, C.C.-P. Chen SPICE-Compatible Thermal Simulation with Lumped Circuit Modeling for Thermal Reliability Analysis based on Modeling Order Reduction // Proc. of the International Symposium on Quality Electronic Design -2004-Pp. 357-362.

27. D. Marsh Thermal modeling heats up for the MAINSTREAM // Electronics Design Strategy, News, June 2002. # 27. - Pp. 59-68.

28. E. Monier-Vinard, A. Le Gal PCB design flow under thermal control // ITHERM'04. The Ninth Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems, IEEE, 2004. Vol. 1. - Pp. 693-699 .

29. R. Dallas Integrating Thermal Analysis with the Front to Back PCB Design Process // CDN Live, 2006. Session 5.3. - 7 pp.

30. J.-H. Yu, G. Farkas, Q. van Voorst Vader Transient thermal analysis & board level // TIMA Editions, Grenoble, France , 2006.

31. П.А. Козынко Методика теплового расчета монолитных и гибридных ИС в САПР Mentor Graphics // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2005. -С. 335.

32. К.О. Petrosjanc, I.A. Kharitonov, N.I. Ryabov, P.A. Kozynko Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components // Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Moscow, Russia, 2009. -Pp. 247-250.

33. К.О. Петросянц, Н.И. Рябов Программа для ЭВМ «Перегрев-МС». Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2007613306, заявка № 2007613088, дата поступления 26 июля 2007 г., зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 6 августа 2007 г.

34. К.О. Петросянц, Н.И. Рябов Моделирование электрических и тепловых режимов элементов БИС с малыми размерами // Известия вузов МВССО СССР. Радиоэлектроника 1986. - т. 29. - № 1. - С. 93-95.

35. К.О. Петросянц, П.П. Мальцев, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов, М.М. Крымко Электротепловое проектирование мощных "интеллектуальных" интегральных схем // Научно-технический журнал «Известия вузов. Электроника». — М.: МИЭТ, 1998. -№ 3 С. 73-82.

36. Стародубов А.Ю. Электротепловая модель БТИЗ для программы PSPICE // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2006.

37. А.Ю. Степанов, П.А. Козынко Сравнение методов электротеплового моделирования полупроводниковых приборов // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2010. - С. 358-359.

38. К.О. Petrosjanc, Р.А. Kozynko Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System // Proceedings of 14th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2008). Rome, Italy, 2008.-Pp. 76-79.

39. П.А. Козынко Исследование точности моделирования печатных плат в программах теплового анализа // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2004. - С. 440-442.

40. Ю. Потапов Тепловое моделирование // EDA Expert. — декабрь 2002. — №10 (73). С. 60-62.

41. K.O. Petrosjanc, P.A. Kozynko Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System // Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium EWDTS'07. Yerevan, Armenia, 2007. - Pp. 599-602.

42. K.O. Петросянц, П.А. Козынко Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics // Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» М. : МИЭТ, 2007. - №6 - С. 33-38.

43. П.А. Козынко Взаимодействие компонентов САПР Mentor Graphics при решении задач электро-теплового расчета печатных плат // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2006. - С. 285.

44. П.А. Козынко Программа TransPower для совмещённого электро-теплового моделирования ПП в пакете САПР Mentor Graphics // Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2007. - С. 376-378.

45. А. Завричко Вариант регулируемого стабилизатора // Журнал «Радио». — 1999. № 6. - С. 39.

46. Ж. Госсорг Инфракрасная термография. Основы, техники, применение: Пер. с франц. М.: Мир, 1988. - 416 с.

47. К.О. Петросянц, П.А. Козынко, Н.И. Рябов и др. Thermal Analysis and Modeling of Electronic Components: Semiconductor Devices, Chips, PCBs and Units // Catalogue "Russian Information Technologies", CeBIT 2006. Hannover, Germany, 2006. - C. 62-63, 96-97.

48. НИР «Физико-технологическое моделирование транзисторных структур силовой электроники» (заказчик Минобрнауки РФ). 2004.

49. НИР «Разработка и развитие инновационных методов проектирования библиотечных элементов цифровых и аналого-цифровых СБИС на базе перспективных технологий субмикронного и глубоко субмикронного уровня» (заказчик ИППМ РАН). № 0120.0713.098. 2007.

50. НИР «Исследование и оптимизация энергетических характеристик интеллектуальных силовых модулей для энерго- и ресурсосберегающих систем» (заказчик Федеральное агентство по науке и инновациям). 2009.

51. НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей» (заказчик РФФИ). 2010.

52. УТВЕРЖДАЮ" Генеральный директор ЗАО МЕрЗДТЕК

53. Селиванов И.В. Рабовалюк А.В.1. УТВЕРЖДАЮ"

54. Технический директор НПП «ТЗЗ»1. А.В. Ботов1. Члены комиссии:

55. Зам. Главного конструктора ИТЦ. д.т.н.1. Л.С. Адонин

56. Главный конструктор ОКР «Топаз»1. В.Г, Куленкамп

57. УТВЕРЖДАЮ Генеральный директор ФГУП «НПП «Пульсар» д.ф.-м. н., профессор' \ \ • -' « •£-» декабря 2010 г.-'I ■ .1. А.Г. Васильев1. АКТвнедрения результатов научной работы аспиранта Козынко П.А.

58. Начальник Центра проектирования1. ФГУП «НПП «Пульсар»

59. Главный конструктор ОКР «Изотопия»Ж1. Е.М. Савченкоо внедрении результатов к

60. П А. Козынко на 1ем\ "Разработка подсиспем эдектро-теплового моделирования БИС и печатных плат в среде промышленной САПР"1. Диреки^&^ШВДЮИИТ МИЭМ"

61. A« jb .j&f. А . Э fr Ч ® ^1. Ъ. <s .«.«»! v.' > " j!

62. Акт внедрения в учебный процесс МИЭМрезультатов кандидатской диссертации П.А. Козыико "Разработка подсистем электро-теплового моделирования БИС и печатных плат в среде промышленной САПР".

63. Начальник учебно-методического управления1. В.С Ершов

64. Зав. кафедрой ''Электроника и электротехника".91. К.О. Петросянц

65. Профессор кафедры "Электроника и электротехника'',1.Ц/хсу, И А. Харитонов.