Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Шангереева, Бийке Алиевна

• Шангереева, Бийке Алиевна
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шангереева, Бийке Алиевна

• ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННО

СТИ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

1.1. Технологические особенности изготовления мощных транзисторов

1.2. Конструктивные особенности изготовления мощных транзисторных структур

1.3. Особенность требований, предъявляемых к параметрам силовых кремниевых транзисторов

ГЛАВА 2. МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

2.1. Модель очистки поверхности кремниевых пластин 39 2.1Л. Метод динамического равновесия в процессе очистки поверхности кремниевых пластин в деионизованной воде 40 2.1.2. Фильтрационная модель очистки поверхности кремниевых пластин

2.2. Модель диффузии фосфора с применением твердого планарного источника

2.2.1. Диффузия в технологии полупроводниковых приборов

2.2.2. Моделирование диффузионного процесса

2.2.3. Расчет технологических режимов диффузии фосфора 57 2.-3. Математическая модель пирогенного окисления

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН 82 ■ 3.1. Модернизация оборудования химобработки кремниевых 4 пластин

3.2. Методы контроля очистки пластин

3.3. Определения контроля поверхностного сопротивления

3.4. Методика исследования параметров окисных пленок

ГЛАВА 4, ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ

АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 9 \

4.1. Оптимизация технологического процесса очистки пластин 91 ■ 4.2. Оптимизация технологического процесса диффузии фосфора для формирования диффузионных кремниевых структур

4.3. Оптимизация технологического процесса пирогенного окисления

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов»

Актуальность темы.

Развитие современной науки и техники немыслимо без электроники, ведущей отраслью которой является полупроводниковая и твердотельная микроэлектроника.

Прогресс большинства областей современной техники неразрывно связан с успехами силовой электроники. Активными элементами силовой электроники являются силовые полупроводниковые приборы, работающие в ключевом режиме и применяющиеся в различных видах преобразовательной техники: диоды, тиристоры, биполярные и МДП-транзисторы, транзисторы с изолированным затвором.

Важнейшей проблемой, стоящей перед современной полупроводниковой электроникой, является широкая и полная автоматизация производства с внедрением автоматических систем управления технологическими процессами. Задачи и вопросы повышения эффективности любого производства всегда были и будут в центре внимания всех, кто занимается его организацией. При производстве изделий микроэлектроники снижение затрат на него и повышение качества изделий особенно важны, так как они закладывают качественную и стоимостную основу будущих радиоэлектронных устройств, которые сегодня во многом определяют уровень жизни общества. В то же время эти задачи далеко не просты, так как в основе производства изделий электронной техники лежит сложная технология, требующая высокого уровня ее реализации и больших затрат. Повышение эффективности этого производства путем его автоматизации также затруднено из-за сложной многооперационной технологии.

Исследования, проводимые в последние годы в области технологии полупроводникового производства, обусловлены нахождением оптимальных материалов, технологических методов и режимов обработки изделий, обеспечением надежного контроля качества, разработкой специального технологического и испытательного оборудования.

В связи с этим решаемая проблема комплексного подхода к разработке технологии изготовления транзисторных структур высокого качества с минимальными производственными затратами является актуальной.

Цель этих исследований состоит в нахождении оптимальных материалов, технологических методов и режимов обработки изделий, обеспечении надежного контроля качества, разработке специального технологического и испытательного оборудования.

В данной работе решается проблема комплексного подхода к разработке отдельных базовых процессов формировании активных областей силовых кремниевых транзисторов высокого качества с минимальными производственными затратами.

Цель работы.

Совершенствование базовых технологических процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов для улучшения параметров и повышения процента выхода годных.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) анализ существующих технологических методов формирования кристаллов силовых полупроводниковых приборов, особенностей планарной технологии и технологических требований, предъявляемых к производству кристаллов транзисторов;

2) разработка и оптимизация математических моделей технологических процессов очистки полупроводниковых пластин, глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника и пирогенного окисления; 3). исследование базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов: очистка кремниевых пластин, глубокая диффузия фосфора с введением водяных паров, пирогенное окисление. Все исследования проводились автором на Махачкалинском заводе полупроводниковых приборов - ОАО "Эльдаг" в условиях массового производства транзисторов.

Новизна и научная ценность.

Разработан новый метод очистки поверхности силовых кремниевых структур, путем введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой, которая позволяет эффективно очистить поверхность кремниевых пластин за счет:

• эффективного смывания загрязнений с поверхности кремниевой структуры потоком деионизованной воды, направленной под определенным углом и давлением на кассету с пластинами.

• сброса деионизованной воды, исключающей повторное оседание остатков реагента и сторонних частиц на поверхность полупроводниковой пластины.

Разработана математическая модель технологического процесса очистки кремниевых пластин в стоп-ванне с душевой отмывкой с учетом влияния входных параметров процесса (давление и угол подачи деионизованной воды, диаметр отверстий), базирующаяся на решениях уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики.

Установлена связь зависимости сопротивления деионизованной воды от количества циклов отмывки в стоп-ванне при различных углах наклона струи, зависимость константы равновесия от времени очистки.

Разработан алгоритм математической модели технологического процесса глубокой диффузии фосфора с твердого планарного источника (технологический процесс), учитывающей граничные условия: рабочую температуру, расходы газов, температуру источника диффузанта, изменение концентрации диффу-занта в потоке.

• Разработана модель процесса пирогенного окисления с учетом поверхностной концентрации окислителя, значения эффективного коэффициента диффузии, а также коэффициент диффузии для кислорода.

Практическая ценность работы.

Разработанные процессы формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов могут быть успешно использованы при совершенствовании метода очистки поверхности кремниевых структур, а также изготовлении силовых транзисторов с заданными параметрами. Отдельные разработки при непосредственном участии автора внедрены в производство на ОАО «Эльдаг», в частности, для формирования активных областей кремниевого силового транзистора.

Полученные результаты исследования могут найти практическое применение на предприятиях НПО «Интеграл», «ФЗМТ» и т.д.

Основные результаты диссертационной работы внедрены на ОАО «Эльдаг», а также в учебный процесс Дагестанского государственного технического университета.

Отдельные разработки при непосредственном участии автора испытаны, внедрены в производство. Применение транзисторов полученных по новой технологии на предприятиях позволило достичь существенного экономического эффекта.

Результаты работы оформлены соответствующими актами внедрения.

На защиту выносятся:

1) очистка поверхности пластин, за счет введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой;

2) отдельные базовые технологические процессы формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов;

3) технологические режимы глубокой диффузии фосфора с применением

• твердого планарного источника;

4) технологические режимы получения окисла кремния методом пирогенно-го окисления и контроля качества окисных пленок.

Апробация результатов.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались:

- на научно-технической конференции преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов ДГТУ. - Махачкала, 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Современные информационные технологии в управлении» ДГТУ. - Махачкала, октябрь 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» ДГТУ. - Махачкала, декабрь 2003 г.;

- на Международной НТК «Измерение, контроль, информатизация», АГТУ им. И.И. Ползунова. - Барнаул, 2004 г.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 13 печатных работах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, вывода, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 148 страниц, в нее включены 22 рисунков, 9 таблиц и приложения. Список цитированной литературы составляет 133 наименования.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шангереева, Бийке Алиевна

Выводы:

Разработана модель технологического процесса очистки кремниевых пластин в стоп - ванне с душевой отмывкой, с учетом влияния входных параметров процесса (давление, угол подачи деионизованной воды) на основе совместного решения уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики. Разработана модель технологического процесса глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника (ТПИ), учитывающая граничные условия:

• изменение температуры источника диффузанта;

• изменение расхода газов (носителя диффузанта и окислителя), который приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке;

• увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя - к ее увеличению.

Разработана модель технологического процесса пирогенного окисления, где учитывается поверхностная концентрация окислителя; значения эффективного коэффициента диффузии и концентрации окислителя на поверхности; коэффициент диффузии для кислорода и коэффициент диффузии паров воды.

3. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН

3.1. Модернизация оборудования химической обработки кремниевых пластин Технолргические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов, включают химические операции: очистку подложек перед выполнением технологических операций, травление на подложках примесносили-катных стекол, диэлектрических и металлических пленок, удаление фоторезиста.

Очистка пластин должна обеспечивать полное удаление с их поверхности органических и механических загрязнений. Обычно очистка начинается с обезжиривания в щелочных растворах или органических растворителях. В ряде случаев для удаления загрязнений, химически связанных с материалом подложки,, допрлнител ьно применяется травление серной и азотной кислотой, водным раствором фтористоводородной кислоты и другими реактивами. Для интенсификации обезжиривания обработка подложек может вестись в нагретых реактивах или их парах, при воздействии на реакционный объем вибраций или ультразвуковых колебаний. Применяется также обработка подложек струей или распыленным потоком реактива, дополнительное воздействие на них щетками и кистями.

Перечисленные виды химической обработки пластин предъявляют к промышленному химико-технологическому оборудованию ряд специфических требований.,

Для проведения химической обработки пластин в производстве кристаллов полупроводниковых приборов используется комплекс универсального оборудования. На линии можно проводить отмывку пластин перед окислением, диффузией, напылением и травление слоев окиси кремния, нитрида кремния, фос-форо- и боросиликатных стекол, травление металлов, удаление фоторезиста с окисленных и металлизированных подложек.

Установки включают также в состав рабочий стол, блок пылезащиты, технологические ванны и камеры, блоки гидравлической, пневматической и контрольно-измерительной аппаратуры. Установка химической обработки содержит две ванны, выполненные из фторопласта и трехкаскадную ванну из полипропилена - для каскадной отмывки пластин в деионизованной воде. В каждой ванне могут размещаться две унифицированные 25-местные кассеты

В процессе серийного производства кристаллов мощных транзисторов возникла необходимость модернизации оборудования химобработки для обеспечения качественной отмывки пластин даже при повторной обработке (около 50 светящихся точек - пылевых частиц на пластине). В таблице 3.1.1 представлены основные требования по технологии отмывки полупроводниковых пластин, возможности установки химобработки и модернизированные элементы конструкции.

Основные требования к установке химобработки

Заключение

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы: 1. Разработан метод эффективной очистки поверхности кремниевых пластин введением в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой.

2. Разработана модель технологического процесса глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника, учитывающая влияние температуры источника диффузанта и концентрации газов носителей.

3. Определены оптимальные значения параметров расхода воды, давления и угла наклона струи воды в стоп - ванне с душевой отмывкой, при которых достигается эффективная очистка кремниевых структур после химобработки в перекисно-аммиачном растворе и снижение времени очистки в два раза.

• 4. Определены оптимальные технологические режимы процессов загонки и разгонки фосфора с применением твердого планарного источника для формирования диффузионных кремниевых структур с глубиной диффузионного слоя 110±20 мкм.

5. Результаты исследований технологических процессов диффузии фосфора из твердого планарного источника, пирогенного окисления и очистки пластин позволили усовершенствовать технологический маршрут изготовления структур силовых кремниевых транзисторов с улучшенными параметрами.

6. Разработана структура силового кремниевого транзистора, которая позволила получить приборы с улучшенными электрическими параметрами и повышенным процентом выхода годных за счет снижения разброса технологических параметров.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шангереева, Бийке Алиевна, 2006 год

1. Atalla М.М., Semiconductor Surfaces and Films; the SÍ-SÍO2 System, Properties of Elemental and Compound Simiconductors, Gatos H. (ed.), Interscience, -New York, 1960 vol. 5, P. 163-181.

2. Аваев H.A., Наумов Ю.Е. Элементы сверхбольших интегральных схем. -М.: Радио и связь, 1986. -168 с.

3. Аваев H.A., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. -М.: Радио и связь, 1991. -288 с.

4. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия, 1974.

5. Аксенов А.И., Гребенников Г.И., Нефедов A.B., Феоктистов Ю.Ф. Технологические программы, достижения и возможности микроэлектроники //Зарубежная электронная техника. М.: 1992. -№ 1, С. 13-16.

6. Бачурин В.В., Бельков А.К., Пыхтунова А.И. « Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах «, Часть! Обзоры по электронной технике. -М.: НИИ. Электроника, 1980. -С. 68.

7. Бачурин В.В., Бельков А.К., Дьяконов В.П. «Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах « , -М.: ЦНИИ Электроника, 1981. -С. 60. •

8. Берисфорд Р. «Фирма RCA» собирается выпускать мощные МОП транзисторы «, Электроника, 1981. -№ 15, -Т. 54. -С. 6-7. Пер. с англ. -М.: Мир.

9. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. -М.: Высшая школа, 1989. -320 с.

10. William H. A., Branwar S., Khoi P. Linewidth Metrology Requirement for submicron Litography //Solid State Technology. Feb. 1992. -P. 139-144.

11. Багдановский Ю.Н., Верников M.A., Коледов JI.А., Пих B.C. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС /Зарубежная электронная техника, 1982, -№ 8 , -С. 60-90.

12. Бер А.Ю., Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1986. -279 с.

13. Березовский Б.А., Барышников Ю.М., Борзенко В.И., Кемпнер JI.M. Математические аспекты /Многокритериальная оптимизация. -М.: Наука, 1989.-128 с.

14. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1961. -335 с.

15. Boone B.G., Moorjani К., Abita J.L., Kim B.F. Development of High-Temperature superconducting Thin Film Devices for Hybrid Microelectronics // Hybrid Circuit Technology. Jule 1989. -Vol 6. -№ 7. -P. 47-53.

16. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. -М.: Энергия, 1968. -261 с.

17. Гаврилов Р.А., Скворцов A.M. Основы физики полупроводников. -М.: Машиностроение, 1986. -356 с.

18. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А. Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -280 с.

19. Гаскаров Д.В., Дахнович А.А. Оптимизация технологических процессов в производстве электронных приборов. -М.: Высшая школа, 1986. -191 с.

20. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Анализ и контроль технологических процессов производства РЭА. -М.: Радио и связь, 1983. -310 с.

21. Grove A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, -New York, 1967.-Ch.2.

22. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. -С. 139-145.

23. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А. Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -280 с.

24. Jerzy Ruzyllo. Issues in Dry Cleaning of Silicon Wafers //Solid State Technology . March 1990. -P. 82-86.

25. David Rupprecht, Joseph Stach. Oxidized Boron Nitride Wafers as an In-Situ

26. Bjron Dopant for Silicon Diffusions //Solid-State Science and Technology. September 1973. -№ 9. -P 1266-1271.

27. Jerzy Ruzyllo. Issues in Dry Cleaning of Silicon Wafers //Solid State Technology . March 1990. -P. 82-86.

28. Долгов Ю.А., Шестакова T.B. Метод моделирования технологических процессов серийного производства //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Одесса. 1993. -№ 4-92. -С. 20-23.

29. Дьяков Ю.Н., Лукичев A.B., Тимофеев Б.В. Современные требования к технологическим средам и химикатам, используемым для микроэлектроники //Электронная промышленность. 1986. -№ 7, -С. 2-11.

30. Давыдов A.A. Оптимизация ТП диффузии примеси из твердых планар-ных источников (ТЛИ).- //Тез. докл. республиканской научно-практической конференции «Радиоэлектроника нар. хозяйству». — Махачкала: 1983. -С. 49-50.

31. Electronic Today International. March 1993. -P. 5-14.

32. Evans U.R., The Relationship Between Tarnishing and Corrosion, Trans. Electrochem. -Soc. 46. 247. 1924.

33. Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология микросхем. -М.: Сов. Радио, 1980. -252 с.

34. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. -М.: Высшая школа, 1987. -416 с.

35. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. -М.: Высшая школа, 1986. -464 с.

36. Завод «Эльтав» «.в технологии среди первых .» один из крупнейших в СНГ производителей электронных компонентов //Приборы и системы управления. -Москва. 1993. -№ 4, -С. 46.

37. Замалин Е.Ю., Боднарь О.Б. Некоторые задачи моделирование технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники // Микроэлектроника. -Москва. Июль-август 1995. -№ 4, -Т. 24, -С. 309 315.

38. Замалин Е.Ю. О применении метода суперпозиции в ограниченных диффузионных задачах //Изв. ВУЗов. 1985. -№ 5, -С. 147-148.

39. Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы математической физики. М.: Наука, 1973.-351 с.

40. Игумнов Д.В. ДСостюнина Г.П., Громов И.С. Элементы твердотельной электроники. Издательство Саратовского университета, 1985. -328 с.

41. Исмаилов Т.А. Термоэлектрический полупроводниковый интенсифика-тор теплопередачи для элементов радиоэлектроники. //Тезисы Всесоюзной НТК: Холод.-народному хозяйству. JL: 1991.

42. Исмаилов Т.А., Гаджиева С.М. Экспериментальные исследования полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи контактного типа. //Изв. Вузов. Приборостроение. -1995, -№ 3-4, -Т. 38. -С. 51-53

43. Исмаилов Т.А., Алиев Ш.Д., Шахмаева А.Р. и Шангереева Б.А. Технология отмывки кремниевых пластин в деионизованной воде. //Вестник ДГТУ. Технические науки. Вып.6. -Махачкала, 2004г. -С. 12-16 .

44. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Алиев Ш.Д. Метод удаления кристаллитов с поверхности кремниевой пластины. //Изв. вуов. Приборостроение. -2004, -№7, -Т.47. -С. 63-65.

45. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. и Шангереева Б.А. Фильтрационная модель отмывки поверхности полупроводниковых пластин. //Научно-тематический сборник статей: Материалы 10 научной сессии. Международная Академия информатизации. -Махачкала. 2005. -С. 95-97.

46. Кафаров В.В., Глебов М.Б. Математическое моделирование основных процессов химических производств. -М.: Высш. Шк., 1991. -400 с.

47. Климачев И.И., Литвинова Т.В., Сидоренко С.И. Исследование стабильности системы Cr-Cu-Ni-Au , со слоями, полученными электролитическим осаждением. Микроэлектроника. 1994, -Т.23. Вып. 2. -С. 91-95.

48. Коледов JI.A., Волков В.А., Докучаев Н.И. и др. Конструирование итехнология микросхем. -М.: Высшая школа, 1984. -231 с.

49. Коледов JI.A. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. -М.: Радио и связь, 1989. -400 с.

50. Коледов JI.A. Теория процессов осаждения пленок из газовой фазы в цилиндрическом проточном реакторе. Часть 1. Анализ оптимального случая. //Электронная техника. Сер. 3 Микроэлектроника. 1979, вып.1 (79), -С. 40-52.

51. Коледов JI.A. Теория процессов осаждения пленок из газовой фазы в цилиндрическом проточном реакторе, Часть 2. Анализ неоптимального случая //Электронная техника. Сер. 3 Микроэлектроника. 1979, вып. 2 (80), -С. 48-56.

52. Кремлев В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. -М.: Высшая школа, 1990. -143 с.

53. Кремниевые планарные транзисторы /Под редакцией профессора Федотова А. -М.: Советское радио, 1973. -336 с.

54. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1986. -368 с.

55. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высш. шк., 1979. -367 с.

56. Кулаичев А.П. Методы и средства анализа в среде Windows. STADIA 6.0. М.: Информатика и компьютеры. 1996. -257 с.

57. Левинштейн Г.С., Симен Г.С. Барьеры. -М.: Наука, 1987. -320 с.

58. Луппова A.A. Унификация химического процесса обработки полупроводниковых пластин //Электронная промышленность. -М.: 1995, -№ 5, С. 36.

59. Law М.Е., Dutton R.W. Verification on Analitic Point Defect Models Using SUPREM-IV// IEEE Trans. Comp. 1988. -V.7. -№ 2. -P.l81-190.

60. Merckel G. Process and Divice Modeling for 1С Desing, (F. Van de Wiele, W. L. Engl., P.G. Jespers, Editors), Noordholf, Ley den, 1977. -705 p

61. Maekawa S., Oshida F. Diffusion of boron in silicon. J.Phys.Soc. of Japan, 1967. -vol.19,-№3.-235 p.

62. Мазель Е.З. Мощные транзисторы (Библиотека по радиоэлектронике, Вып. 22).-М.: Энергия, 1969. -280 с.

63. Мазель Е.З. и Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов, -М.: Энергия, 1974. -384 с.

64. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. -М.: Мир, 1989.-630 с.

65. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. -М.: Радио и связь, 1991. -341 с.

66. Мартынов В.В., Базарова Т.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.8. Литографические процессы. -М.: Высшая школа, 1990. -С. 5-61.

67. Мартынов В.В. Чистые комнаты для производства СБИС //Зарубежная электронная техника. 1986. -№ 12. -С. 3-27.

68. Математическое моделирование: Методы описания и исследования сложных систем /Под ред. A.A. Самарского, H.H. Моисеева, A.A. Петрова. -М.: Наука, 1989. -271 с.

69. Материалы конференции «Чистота и микроклимат 88». Май 1988. МИЭТ//Электронная промышленность. 1988. -№ 10.

70. Мейзда Ф. Интегральные схемы. Технология и применения. Пер. с англ. /Под ред. М.В. Гальперина. -М.: Мир, 1981. -278 с.

71. Микроэлектроника ключевая технология. Пер. с нем./А.А.Браун, В. Хайд ель, В. Хюбнер и др. М.: Экономика, 1987. -272 с.

72. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. //Сборник статей. Под редакцией A.A. Васенкова и Я.А. Федотова. Вып. 10. -М.: Радио и связь, 1989. 192 с.

73. Минайчев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Нанесение пленок в вакууме; Кн.6. -М.: Высшая школа, 1989.-110 с.

74. Минскер Ф.Е. Организация труда в чистых модулях по производству БИС и СБИС. -М.: Высшая школа, 1989. -80 с.

75. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов /Под ред. Д. Миллера. -М.: Радио и связь. 1989. -277 с.

76. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под редакцией Антонетти П. И др. -М.: Радио и связь, 1988. -496с.

77. Моро У. Микролитография. Часть 1. -М.: Мир, 1990. -605 с.

78. Моро У. Микролитография. Часть 2. -М.: Мир, 1990. -632 с.

79. Моряков О.С. Сборка. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 9. -М.: Высшая школа, 1990. -126 с.

80. Мощные кремниевые переключательные транзисторы /Краткий спра-вочно-информационный каталог. Ульяновск, 1985. -127 с.

81. Мушик Э. Мюллер П. Методы принятия технических решений: Пер. с нем. -М.: Мир, 1990. -208 с.

82. Мягков А.Т., Корсетов Е.М. Химико-технологическая аппаратура микроэлектроники.-М.: Энергия, 1979.-312 с.

83. Nicollian E.H., Breuws J.R., MOS Physics and Technology, Willey, New • York, 1982.

84. Новиков B.B. Расчет распределения концентрации примеси при диффузии из окисного слоя в кремний. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, 1970.-Вып.4,-С. 8-19.

85. Никифорова-Денисова С.Н. Механическая и химическая обработка. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 4, -М.: Высшая школа. 1989. -95 с.

86. Новицкий П.В. Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измере87