Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Королева Анна Николаевна

• Королева Анна Николаевна
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Королева Анна Николаевна

Перечень сокращений

Введение

Глава 1. Базовые технологии, используемые при проектировании и производстве современных сверхбольших интегральных схем (СБИС)

1.1 Базовые технологии для разработки и производства СБИС

1.2 Организационные модели реализации процессов проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий

1.3 Методы управления качеством базовых технологий в действующих и перспективных нормативных документах

Выводы по главе

Глава 2. Формирование модели управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве СБИС

2.1 Структурный анализ элементов базовой технологии, влияющих на качество проектирования и производства СБИС

2.2 Модели организационно-технических интерфейсов при реализации элементов базовых технологий в цепочках создания ценности

2.3 Алгоритм квалификационной оценки элементов БТ и интегральной оценки базовой технологии

2.4 Анализ факторов изменчивости и алгоритм управления изменениями базовых технологий

Выводы по главе

Глава 3. Анализ условий проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий

3.1 Анализ результативности макропроцесса проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий

3.2 Структура и состав специализированной базы данных для анализа условий проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий

Выводы по главе

Глава 4. Структура и состав документации системы менеджмента качества макпропроцесса проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий

4.1 Обоснование и структура специализированной СМК для управления ключевыми элементами базовых технологий и их взаимодействием

4.2 Рекомендации по содержанию документов СМК для управления качеством элементов макропроцесса проектирования и производства СБИС

4.3 Рекомендации по содержанию совместной документации СМК для реализации организационно-технического интерфейса в цепочке создания ценности

Выводы по главе

Основные результаты и выводы

Список литературы

Перечень сокращений

БД - база данных

БТ - базовая технология

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ВМ - ведомость материалов

ВП - военное представительство, категория качества

ВТД - ведомость технологической документации

ГК - главный конструктор

ГОСТ - государственный стандарт Российской Федерации

ГОСТ РВ - государственный военный стандарт Российской Федерации

ДЦ - дизайн-центр, предприятие-разработчик СБИС

ЕСТД - единая система технологической документации

ИД - исходные данные

ИС - интегральная схема

КД - конструкторская документация

КК - контрольная карта

КСП - комплект средств проектирования для базовых технологий

КЭ - карта эскизов (рецептов технологических операций)

МК - маршрутная карта

МОП - метал-окисел полупроводник

ОКР - опытно-конструкторская работа

ОКУ - операционная карта универсальная

ОСТ - отраслевой стандарт

ПВГ - процент выхода годных

ПМ - параметрический монитор

ПХТ - плазмохимическое травление

САПР - системы автоматического проектирования

СБИС - сверхбольшая интегральная схема

СЛ - сопроводительный лист

СМК - система менеджмента качества

СТИ - служебная технологическая информация

СТО - стандарт организации

СЧ - составная часть

ТД - технологическая документация

ТИ - технологическая инструкция

ТНК - технико-нормировочная карта

ФЛ - фотолитография

ФШ - фотошаблон

ЦСЦ - цепочка создания ценности

ЭКБ - электронная компонентная база

ЭРИ - электро-радио изделия

Cpk - индекс воспроизводимости и настроенности процесса

DRC - design rule check, проверка топологии на соответствие правилам

проектирования для БТ DRM - design rule manual, правила проектирования

ISO - международная организация по стандартизации

JEDEC - Joint Electron Device Engineering Council, — комитет инженерной

стандартизации полупроводниковой продукции LVS - проверка топологии кристалла СБИС на соответствие схеме

электрической

MG - model guide, отчет о результатах экстракции моделей

MPW - multi project wafer, мультипроектная пластина

P-cell - параметризованные ячейки

PDK - process design kit

SEMI - Semiconductor Equipment and Materials International, отраслевая

ассоциация, занимающаяся проектированием изделий электроники и производством материалов и оборудования

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка научно-методических основ управления качеством базовых технологий, используемых при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем»

ВВЕДЕНИЕ

Уровень развития современной микроэлектронной промышленности является одним из важнейших факторов, определяющих развитие перспективных направлений экономики передовых стран: цифровизации, систем искусственного интеллекта, а также космической, оборонной, транспортной, медицинской техники. Высокие требования к качеству и надежности изделий микроэлектроники, в первую очередь, сверхбольших интегральных микросхем (СБИС) в этих отраслях, невозможно реализовать без применения специализированных высокоразвитых систем менеджмента качества (СМК) с использованием комплекса специализированных стандартов MIL STD 883 в США, стандартов «Климат -7» в РФ. Основные положения этих стандартов, разработанные в 90 - х годах, получили в последние годы дальнейшее развитие. Применяемые на большинстве микроэлектронных предприятий СМК обеспечивают управляемые условия выполнения технологических процессов, жесткую систему контроля и испытаний при разработке и производстве продукции.

Дальнейшее развитие и совершенствование полупроводниковых технологий и электронного машиностроения позволили достичь высокой воспроизводимости физической структуры элементов на пластинах. На рубеже конца 90-х и начала 2000-х годов в мире начал формироваться новый подход к созданию перспективных сверхбольших интегральных схем (СБИС), ключевым этапом которого стала разработка базовых технологий (БТ) в комплекте с соответствующими средствами проектирования (КСП), включающими широкий набор программных инструментов проектирования, которые дают возможность разработчику СБИС применять их в различных комбинациях и условиях. Данный подход существенно расширил как возможности проектировщиков СБИС, так и состав участников процесса проектирования и изготовления - появились цепочки создания ценности (ЦСЦ). Основополагающим фактором, позволяющим успешно реализовывать процессы проектирования и производства СБИС высокой степени

интеграции, с проектными нормами на уровне нескольких десятков нанометров и менее, является качество разработки базового технологического процесса. Обеспечение при этом высокой стабильности создаваемой физической структуры библиотечных элементов позволяет получать и использовать при проектировании СБИС их Брюе-модели, характерные для конкретной производственной линии.

В РФ данный подход начал активно развиваться по определенным историческим и экономическим причинам с некоторой задержкой, в других условиях и с существенными ограничениями по доступным ресурсам, что в свою очередь обостряет проблему снижения количества итераций вариантов конструкции СБИС и, соответственно, снижения количества запусков партий пластин для их изготовления. При этом существенной особенностью реализации данного подхода в РФ является значительное количество внешних факторов, влияющих на воспроизводимость параметров физической структуры на пластинах, что может влиять на адекватность моделей библиотечных элементов и требует проведения анализа для подтверждения их адекватности.

Таким образом, анализ опыта разработки и применения базовых технологий при интегрированном рассмотрении процесса проектирования СБИС с использованием БТ, позволяет сформулировать ряд нерешенных актуальных системных проблем, а именно:

1. Сложные и длительные процессы разработки БТ, КСП и конструкции СБИС, содержащие большое количество этапов, каждый из которых имеет высокий внутренний потенциал изменчивости в совокупности с неочевидным характером влияния отклонений на конечный результат, требуют выделения критичных изменяемых частей процесса и их адекватной верификации.

2. Значительные объемы информации, генерируемые на различных этапах разработки БТ, КСП, конструкции СБИС в сочетании с многообразием семейств БТ создают риски неполноты выполнения верификационных процедур различными исполнителями и требуют ее структурирования и формализованного подхода к управлению, не зависящего от конкретного исполнителя.

3. Влияние таких внешних факторов, как необходимость смены поставщиков материалов из-за ресурсных ограничений, а также временные ограничения по разработке схем специального назначения в условиях опытно -конструкторских работ, создают необходимость разработки и использования оперативных и более экономичных методов оценки адекватности моделей.

4. В связи с отсутствием отраслевой нормативной базы и единых критериев для верификации и квалификации как частей процесса, так и процесса в целом, требуется разработка специализированных системных процедур для управления качеством этих процессов.

Цель работы. Разработка научно-методических основ управления качеством процессов разработки и изготовления СБИС, включая разработку базовых технологий для проектирования и производства изделий с топологическими нормами менее 250 нм.

Для достижения поставленной цели требуется решение следующих задач:

1. Определить и структурировать основные элементы, связи между ними и риски данного макропроцесса.

2. Обеспечить управление изменениями данного макропроцесса и его устойчивости к воздействию внешних факторов в условиях ограниченных ресурсов.

3. Разработать методологию, обеспечивающую в условиях больших объемов данных контролируемые условия при реализации наиболее критичных элементов: БТ, КСП, конструкции СБИС. Установить критерии их верификации, а также предложить инструменты оперативной квалификации всего процесса в целом.

4. Создать информационно-аналитическую модель данных, обеспечивающую возможность проведения анализа условий проектирования и производства СБИС с использованием элементов БТ, определить методологию ее применения для оценки результативности макропроцесса.

5. Разработать предложения по эффективному применению БТ при проектировании и производстве СБИС в условиях ограниченных ресурсов.

Объектом исследования являются базовые технологии микроэлектроники для проектирования и производства СБИС с проектными нормами менее 250 нм.

Предметом исследования являются методы и способы управления качеством разработки базовых технологий, комплектов средств проектирования и конструкции СБИС, реализуемые в условиях ограниченных ресурсов.

Методы исследования. В работе применялись методы процессного и системного анализа статистических данных по 18 базовым технологиям, 246 кристаллам различных СБИС, разработанных и произведенных на их основе за период 2014-2020 гг. Использовались методы корреляционного анализа, математической статистики, а также отдельные элементы теории оптимизации.

Научная новизна работы:

1. Предложена концепция расширенного рассмотрения понятия «базовой технологии микроэлектроники» как единого макропроцесса, включающего не только разработку базовых технологий, но и разработку комплектов средств проектирования и конструкции СБИС, позволяющая выявлять критически важные связи между его составляющими, которые оказывают существенное влияние на конечный результат макропроцесса в целом.

2. Сформулированы требования к управлению качеством основных компонентов макропроцесса, определены его критичные элементы, имеющие значительный потенциал изменчивости под воздействием различных внешних и внутренних факторов, для которых необходимо проведение как начальной, так и последующей квалификации.

3. Определена методика квалификации базовых технологий и их конструктивно-технологических опций, которая, в зависимости от конечного результата, позволяет оценивать степень соответствия требованиям базовых технологий с присвоением соответствующего квалификационного статуса базовых технологий, комплектов средств проектирования и снизить риски их применения разработчиками СБИС.

4. Предложен метод ускоренной оценки влияния планируемых технологических изменений производственной линии на адекватность моделей

библиотечных элементов и характерных для производственной линии угловых моделей.

5. Предложен метод многофакторного корреляционного анализа влияния на результативность макропроцесса фактических отклонений при проектировании конструкции СБИС от требований правил проектирования.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов. Достоверность результатов работы подтверждается применением метрологически поверенного измерительного оборудования с использованием утвержденных методик выполнения измерений. А также корректным использованием методов статистического анализа при обработке достоверного объема данных за длительный период, внедрением полученных результатов, положительной оценкой на научных и отраслевых конференциях. Научные положения, выносимые на защиту:

1. Структура и состав документации СМК (процедуры и квалификационные реестры), необходимых для разработки, внедрения, поддержания и управления изменениями составляющих макропроцесса проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий.

2. Результаты анализа и классификация источников изменений базовых технологий и комплекта средств проектирования с точки зрения влияния изменений на параметры формируемой физической и топологической структуры.

3. Результаты системного анализа основных целевых функций качества предприятий разработчиков СБИС, базовых технологий и производителей интегральных схем, их роль в совместном управлении рисками.

4. Методология управления изменениями в макропроцессе проектирования и производства СБИС для снижения рисков разработчиков СБИС, разработчиков базовых технологий, изготовителей кристаллов СБИС, способы формализации такого управления.

5. Информационно-аналитическая модель данных для мониторинга и анализа

условий проектирования и производства СБИС, а также методология

оценки результативности макропроцесса.

Практическая значимость работы.

1. Разработанные в диссертации научно-методические основы управления качеством базовых технологий реализованы в специализированных документах СМК, которые создают контролируемые условия выполнения макропроцесса, инструменты верификации и квалификации элементов базовых технологий, определяют ответственность в управлении изменениями и снижении рисков при ее применении. Основные положения документов применимы для перспективных базовых технологий с проектной нормой менее 65 нм.

2. Предложена методика анализа условий проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий с проектными нормами менее 250 нм на основе информационно-аналитической базы данных с возможностью ее расширения для перспективных технологий без потери целостности системы.

Реализация и внедрение результатов работы.

Разработанный комплект документов интегрированной модели управления качеством, описывающих процессы разработки базовых технологий, разработки комплекта средств проектирования, проектирования СБИС, квалификационные Реестры, внедрены в АО «НИИМЭ». Совместные Регламенты по выполнению опытно-конструкторских работ, технической и технологической поддержки СБИС и базовых технологий, внедрены в АО «НИИМЭ» и ПАО «Микрон». Специализированное программное обеспечение для оценки результативности макропроцесса (шифр «Интеграция-1») внедрено в АО «НИИМЭ».

Основополагающие результаты работы в части квалификационной оценки базовых технологий, взаимодействия и ответственности предприятий в цепочке создания ценности предложены к включению в отраслевые стандарты и в проект перспективного комплекса государственных военных стандартов «Климат-8».

Апробация результатов работы

Результаты работы докладывались на научно-технических конференциях: XVIII Международной научно-практическая конференция «Опыт и проблемы реформирования системы менеджмента на современном предприятии: тактика и стратегия» (г. Пенза, февраль 2019), Всероссийской конференции «Управление качеством» (г. Москва, МАИ, март 2019), Российская научно-техническая конференция с международным участием «Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике» (г. Москва, МИРЭА, апрель 2019 г.). Международный форум «Микроэлектроника» (г. Ялта, сентябрь 2020 г.)

Публикация результатов работы. Результаты диссертационного исследования и практические результаты изложены в 8 научных публикациях, из них 4 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, получено 1 свидетельство о регистрации базы данных.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов, списка использованной литературы и приложений. Объем диссертации 123 страницы машинописного текста, содержит 20 рисунков, 22 таблицы, приложения и список литературы из 97 наименований.

ГЛАВА 1. БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ И ПРОИЗВОДСТВЕ СОВРЕМЕННЫХ СВЕРХБОЛЬШИХ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (СБИС)

1.1 Базовые технологии для разработки и производства СБИС

«Базовый технологический процесс» или «базовая технология» - является фундаментом современной микроэлектроники, наличие которого является оосновополагающим фактором, позволяющим проектировать и производить кристаллы микросхем с высокой степенью интеграции (СБИС - сверхбольшие интегральные схемы).

Термин «базовая технология» или «базовый технологический процесс» в нормативной базе Российской Федерации впервые был приведен в качестве рекомендуемого понятия в 1999 г. (без раскрытия его определения) в системе отраслевой стандартизации - в стандарте ОСТ 11 14.1012-99 «Микросхемы интегральные. Технические требования к технологическому процессу. Система и методы операционного контроля» [1], который заложил нормативную основу структуры, управления и квалификации технологического процесса полупроводникового производства кристаллов для интегральных микросхем с топологическими нормами более 1мкм. В понятие «базовый процесс» был заложен принцип конструктивно-технологического единства конструкции и технологии производства СБИС, поэтому до появления «Временного положения» [2], понятие «базовая технология» относилось прежде всего к базовому технологическому маршруту производства интегральных микросхем. «Базовый маршрут» включал в себя набор критических операций для производства изделий микроэлектроники [1]:

— Эпитаксия

— Формирование диэлектрических слоев

— Литография и травление

— Формирование переходов: диффузия; имплантация; термообработка

— Получение металлических слоев

— Получение поликремниевых слоев

— Контроль пластин перед разделением на кристаллы: контроль вольт-амперных характеристик; контроль качества поверхности металлизации; оценка радиационной стойкости имитационными методами

— Разделение пластин на кристаллы

— Монтаж кристалла

— Присоединение выводов: термокомпрессионное ультразвуковое

— Герметизация: контактная шовная; пластмассой; пайкой.

а также новых технологических операций для проектных норм 0,5-0,35, 0,18-0,13 мкм

— Плазмо-химическое травление

— Химико-механическая полировка

— Осаждение вольфрама

— Формирование полицидных и силицидных слоев

— Быстрый термический отжиг

При таком принципе «базовости» технологического маршрута, режимы выполнения конкретных операций и требования к фотошаблонам, менялись под требования конкретного типа СБИС, а топология основных элементов СБИС (транзисторов, диодов и т.п.), в свою очередь, изменялась под каждый технологический процесс. Таким образом каждому типу СБИС соответствовал уникальный технологический процесс, что требовало отдельной перенастройки оборудования технологической линии под каждое изделие. С другой стороны, каждый тип СБИС имел уникальную топологическую структуру транзисторов, диодов, резисторов и соответствующие им значения электрофизических параметров.

Дальнейшее развитие отечественной микроэлектроники позволило достичь уровня производства кристаллов сверхбольших интегральных схем (СБИС) с

топологическими нормами 350 нм, 250 нм, 180 нм, 90 нм. Основными производственными линиями, реализующими данные базовые технологии являлись:

- производственный комплекс НИИСИ РАН [2-4] - для топологических норм более 250 нм

- производственная линия ОАО «НИИМЭ и Микрон» [5-9] - для топологических норм 250 нм, 180 нм, 90 нм.

Особенностью, характерной для РФ, является применение существующих базовых технологий не только для коммерческих поставок (серийного производства), но и в целях поставки электронной компонентной базы (ЭКБ) в рамках выполнения государственного оборонного заказа. Такой спектр применения базовых технологий существенно повлиял на необходимость развития отечественной нормативной базы.

В связи с этим термин «Базовая технология» (БТ) был впервые определен в 2009 г. в общих технических условиях на пластины с кристаллами заказанных элементов, утвержденных министерством обороны Российской Федерации [10]. Базовый процесс предназначен для изготовления широкой номенклатуры конструктивно подобных изделий [10].

Существующие до введения понятия «базовая технология» способы производства СБИС получили название «Единичный технологический процесс» -технологический процесс, ориентированный на изготовление изделий одного типа.

Необходимость повышения степени интеграции, и связанное с этим уменьшение топологических норм, определило новые требования к технологическому процессу. В связи со сложностью формирования транзисторных структур с субмикронными размерами возросли требования к воспроизводимости их параметров в кремниевой пластине. Перенастройка режимов технологического маршрута под каждый тип СБИС фактически означала снижение воспроизводимости и сходимости параметров. Что привело к появлению набора различных видов этих структур (транзисторы, резисторы,

диоды, конденсаторы) с различными характеристиками (топология и электрофизические параметры), которые отрабатываются в технологическом процессе, и получили название «библиотечных элементов». А их представление в виде, пригодном для проектирования СБИС по базовой технологии, получило название Брюе-моделей.

Такой подход и определил качественный переход от «единичного технологического маршрута» к «базовому технологическому процессу», возможности которого определяют характеристики кристаллов микросхем, спроектированных и произведенных на его основе.

Основное отраслевое противоречие с традиционным подходом, заключающимся в разработке КД на изделие, а затем ТД для его производства, состоит в последовательности реализации - первым этапом идет разработка базового процесса, моделей и необходимых инструментов для проектирования, а затем только конструкции СБИС.

Процесс создания современных СБИС с использованием базовых технологий, представлен на Рис. 1.1.

Проектирование кристалла СБИС с использованием БТ, начинается с выбора базового технологического процесса и соответствующего ему комплекта средств проектирования, включающего библиотеки моделей стандартных элементов СБИС.

Нормативными документами, определяющими требования к проектированию и производству интегральных микросхемам являются действующие ОСТ В 11 0998-99 и ОСТ В 11 0999 [11,12], и другие документы комплекта стандартов «Климат-7» [13-19], а также ряд отраслевых документов [20,21], которые не отражают принципиально новые требования, связанные с разработкой базовых технологий, разработкой комплектов средств проектирования, методик их квалификации и аттестации, управления качеством в процессе жизненного цикла изделий.

Рис. 1.1.

Базовые процессы, реализуемые при разработке БТ, КСП и конструкции СБИС. Основные виды и объемы информации.

Различия в структуре элементов базовой технологии и единичного технологического процесса приведены в Таблице 1.

Состав элементов технологического процесса и базовых технологий

доставляющие элементы Наименование процесса ТД (изготовл ение кристалла ) DRM Правила проектир ования Spice- модели библиоте чных элем. (транзист оры, диоды) PDK Комплект средств проектир ования Топологи я СБИС в формате GDS КД (на изделие СБИС) Применимость Интерфейс

Технологический процесс производства СБИС (1,2 мкм -250 нм) + + - - + + 1 ТП 6 1 типу СБИС Закрытый

Базовый технологический процесс для проектирования и производства СБИС (<250 нм) + + + + + + 1 БТ 6 N типу СБИС Открытый (цепочки создания ценности)

Фундаментальным свойством базовой технологии является высокая стабильность создаваемой структуры приборов (транзисторов, диодов, резисторов), что позволяет их унифицировать и получать их модели, параметры которых соответствуют текущему состоянию базового технологического процесса на момент проведения изменений. Таким образом, в ходе диссертационного исследования на основании практического опыта применения базовых технологий определены следующие составляющие БТ:

- Базовый технологический процесс (далее базовая технология) -технологический процесс, обеспечивающий изготовление семейства изделий, ориентированный на единый состав технологического оборудования, единые правила проектирования, единые параметры моделей элементной базы (SPICE параметры), интегрированные в едином технологическом маршруте на уровне «библиотек», термин предложен в работе [22]

- КСП (PDK) - комплект средств проектирования (Process Design Kit) комплект технологических библиотек, комплекты стандартных цифровых библиотек и библиотек интерфейсных элементов ввода-вывода для определенной

производственной линии и БТ, который обеспечивает выполнение всех этапов маршрута разработки аналоговых, цифро-аналоговых и цифровых СБИС, с использованием современных САПР

- Библиотеки моделей - иерархический набор файлов, включающий документацию и полный комплект технологических представлений в стандартных промышленных форматах: сadence cdba/oa, gds, lef, cdl, ckt/sps/lpe, dspf/spef, verilog, liberty, celtic, ibis и т.д., которые используются в САПР на различных этапах разработки ИС

- SPICE-модель - набор математических уравнений, основанных на физике соответствующе-го устройства, который описывает его поведение (МОП, диоды, резисторы и т.п.), реализуемый в виде набора кодов при проектировании схем. Модель, как правило, параметризована для каждого вида устройств разрабатываемой технологии и с требуемой точностью соответствовать характеристикам устройства, отражающего текущее состояние базовой технологии (входит в состав PDK) [22]

- УИ (управляющая информация ) - Набор стандартных элементов для контроля технологического процесса, тестовых элементов параметрического монитора для контроля электрофизических параметров пластин

- Комплект технологической документации (ТД)

- КД (конструкторская документация) для демонстрационной схемы СБИС.

Особенно остро этот вопрос стоит для отечественной микроэлектроники, где, с одной стороны, отсутствует полная структура и системные требования к основным элементам, влияющим на процесс проектирования и производства СБИС, а с другой стороны, существующая постоянная вариативность этих элементов требует постоянной оценки с точки зрения влияния на результативность процесса проектирования СБИС в целом.

В результате проведенного анализа возникла потребность рассмотрения «базовой технологии» микроэлектроники как объекта управления в качестве единого макропроцесса, который включает не только разработку базовых

технологий, но и комплект средств проектирования (включая модели), а также конструкции СБИС на их основе. Это ставит задачу формирования однозначной структуры элементов БТ и их идентификации, разработки критериальной основы для решения последующих задач управления качеством.

1.2 Организационные модели реализации процессов проектирования и производства СБИС c использованием базовых технологий

Виды предприятий, осуществляющих разработку базовых технологий микроэлектроники и СБИС на их основе классифицированы следующим образом [23-25]:

- IDM (Intel, Samsung, IBM) реализуют процессы разработки базовых технологий, комплектов средств проектирования и конструкции СБИС без привлечения аутсорсеров на отдельные элементы цепочки;

- Foundry (кремниевые заводы - X-Fab, TSMC, Tower Jazz) -производственная линия, реализуют процессы разработки базовых технологий, комплектов средств проектирования, доступ к которым предоставляется широкому кругу дизайнОцентов;

- Fabless - прокетирование микросхем с использованием базовых технологий, получения кристаллов с фабрики, сборка и поставка микросхем

Такое разделение предполагает четкую специализацию и ответственность всех участников процесса. Предприятия типа «Foundry» отвечают за разработку базовых технологий на собственной производственной линии, а также разработку комплектов средств проектирования, и поддержания соответствия параметров технологического процесса заявленным для разработчиков. Разработчик конструкции СБИС (дизайн-центр) отвечает за правильное использование предоставленного КСП, проведение необходимых расчетов с использованием моделей библиотечных элементов, а также соответствие топологии кристалла СБИС правилам проектирования для базовых технологий.

В Российской Федерации вследствие влияния определенных исторических и экономических причин реализация базовых технологий происходит в других условиях, которые отражены в работах [22-27].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Королева Анна Николаевна, 2021 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. ОСТ 11 14.1012-99 Микросхемы интегральные. Технические требования к технологическому процессу. Система и методы операционного контроля. М.: 22 ЦНИИИ Минобороны. 1999. 78с.

2. А.В.Аникин, С.В.Дёмин, А.А.Столяров. Проблемы разработки и реализации базовых технологических процессов на технологическом комплексе НИИСИ РАН // Труды НИИСИ РАН. 2014. Т.4 №1. Моделирование, технология, производство в микро- и наноэлектронике. С.4-16.

3. Т.М. Антонова, Е.С. Темников Реализация основных принципов контроля стабильности базовых технологических процессов в условиях мелкосерийного производства // Труды НИИСИ РАН. 2013. №1. Технология и производство субмикронных СБИС. С. 54-58.

4. С.И. Волков, Е.П. Волошина Организация производства микроэлектронной продукции на технологическом комплексе НИИСИ РАН // Труды НИИСИ РАН. 2013. №1. Технология и производство субмикронных СБИС. С.6-9.

5. Красников Г.Я., Игнатов П.В., Смирнов А.Н., Бутывская М.В., Бокарев В.П.Разработка базового технологического процесса изготовления цифро-аналоговых СБИС с проектными нормами 180 нм // Отчет о НИР № 10411.1006800.11.056 от 19.05.2010. (Минпромторг).

6. Шелепин Н.А., Смирнов А.Н., Игнатов П.В., Егорова Т.Ю., Уланова

A.В., Зайцев Н.А., Мещанов В.Д., Бокарев В.П. Разработка базовой технологии изготовления радиационно стойких однократно программируемых ПЗУ и ПЛИС. // Отчет о НИР № 11411.1006800.11.267 от 29.11.2011 (Минпромторг).

7. Красников Г.Я., Шелепин Н.А., Смирнов А.Н., Игнатов . П.В., Бокарев

B.П., Пастон В.В., Бутывская М.В., Егорова Т.Ю., Шишанкина О.Н. Разработка базовой технологии для создания расширенного ряда радиационно-стойких КМОП КНИ СБИС с проектными нормами 90 нм // Отчет о НИР (Минпромторг).

8. Красников Г.Я., Сутягин А.А., Лукошко Г.К., Савинский Н.Г., Савранская Т.М., Белозеров М.А., Михайлов М.В., Бокарев В.П. Разработка базовой технологии прецизионной генерации управляющей информации для изготовления фотошаблонов при производстве сбис с проектными нормами 0,180,13 мкм, включая процессы фазовой коррекции и коррекции оптического эффекта близости // Отчет о НИР № РС/07/326/НТБ/к от 08.06.2007 (Минпромторг).

9. Красников Г.Я., Игнатов П.В., Смирнов А.Н., Бутывская М.В., Дворянчикова Т.Ю., Бокарев В.П. Разработка базовой технологии изготовления СБИС с встроенной энергонезависимой памятью с проектными нормами 0,18 -0,13 мкм // Отчет о НИР № 8411.1006800.11.476 от 19.11.2008 (Минпромторг).

10. Временное положение «Изделия электронной техники. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия». М.: Издательство Минобороны. 2014.

11. ОСТ В 11 0999-99 Стандарт отрасли. Микросхемы интегральные. Обеспечение качества в процессе разработки. Требования к системе качества разработки. М.: 22 ЦНИИИ Минобороны, 1999. 44с.

12. ОСТ В 11 0998-99 Стандарт отрасли. Микросхемы интегральные. Общие технические условия. М.: 22 ЦНИИИ Минобороны, 1999. 138с.

13. ГОСТ РВ 20.39.411-97 Комплексные системы общих технических требований и контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Общие положения. М.: Стандартинформ, 1998. 10с.

14. ГОСТ РВ 20.39.412-97 Комплексные системы общих технических требований и контроля качества. Изделия электронной техники квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Общие технические требования. М.: Стандартинформ, 1997. 52с.

15. ГОСТ РВ 20.39.413-97 Комплексные системы общих технических требований и контроля качества. Изделия электронной техники квантовой

электроники и электротехнические военного назначения. Требования к надежности. М.: Стандартинформ, 1998. 9с.

16. ГОСТ РВ 20.57.414-97 КСКК. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы оценки соответствия требованиям к надежности. М.: Стандартинформ, 1998. 19с.

17. ГОСТ РВ 20.57.413-98 КСКК/. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Контроль качества готовых изделий и правила приемки. М.: Стандартинформ, 1998. С. 5-10

18. ГОСТ РВ 20.57.416-98 КСКК. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы испытаний. М.: Стандартинформ, 1998. 154с.

19. ГОСТ РВ 20.57.417-97 КСКК. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения, Система взаимоотношений поставщик-потребитель (заказчик). М.: Стандартинформ, 1997. 14с.

20. СТО СМКИ.033-2017 Система менеджмента качества. Электронная компонентная база для вооружения, военной и специальной техники. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия. М.: ФГУП «МНИИРИП», 2017. 126с.

21. СТО СМКИ.034-2017 Система менеджмента качества. Электронная компонентная база для вооружения, военной и специальной техники. Порядок выполнения работ при взаимодействии разработчика микросхем и изготовителя пластин с кристаллами заказанных элементов. М.: ФГУП «МНИИРИП», 2017. 27с.

22. Проблемы и задачи системы управления изменениями базовых технологий микроэлектроники / Королева А.Н. [и др.] // Электронная техника. Серия 3 «Микроэлектроника». 2020. №2. С. 26-34.

23. Макушин М. Развитие бизнес-моделей электроники. Зарубежный опыт и актуальность для России. // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2017. №4. С. 44-54.

24. Макушин М. Развитие бизнес-моделей электроники. Зарубежный опыт и актуальность для России. Часть 2 // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2017. №5. С. 82-96.

25. Панасюк В.Н., Лукошко Г.К., Королева А.Н. Роль и проблемы стандартизации в управлении рисками при взаимодействии разработчиков и изготовителей ЭКБ // В сборнике: Российская научно-техническая конференция с международным участием. Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике Сборник докладов конференции. 2019. С. 440-445.

26. Красников Г.Я. В западных санкциях есть и положительные стороны. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://iz.ru/819472/anna-urmantceva/v-zapadnykh-sanktciiakh-est-i-polozhitelnye-storony (дата обращения 01.03.2019).

27. Иванов В.В., Панкратов А.Л., Рябинин А.Д. Автоматизация работы с дизайн-центрами при заказе пластин на российской фаундри // «Микроэлектроника-2017»: Тезисы докладов научной конференции форума. Алушта. 2017. С. 296-298.

28. JEDEC/FSA Joint Publication JEP001-1A Foundry process qualification guidelines - backend of line (Wafer Fabrication Manufacturing Sites). URL:https://www.jedec.org (дата обращения 01.03.2019).

29. JEDEC/FSA Joint Publication JEP001-2A Foundry process qualification guidelines - front end transistor level (Wafer Fabrication Manufacturing Sites). URL:https://www.jedec.org (дата обращения 01.03.2021).

30. JEDEC/FSA Joint Publication JEP001-3A Foundry Process Qualification Guidelines - Product Level (Wafer Fabrication Manufacturing Sites). URL:https://www.jedec.org (дата обращения 01.03.2021).

31. JEDEC/FSA Joint Publication JEP132A Process Characterization Guideline. URL:https://www.jedec.org (дата обращения 01.03.2021).

32. Макушин М. Перспективы развития рынка микросхем по секторам различного применения // Электроника: НТБ. 2007. №6. С.104-112

33. Макушин М. Электроника в России прошлое настоящее // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2006. №8. С. 112-117.

34. В. Н. Панасюк, Д. С. Шипицин, А. Л. Панкратов, А. Н. Королева. Проблемы и задачи развития системы менеджмента качества процессов проектирования СБИС // Электронная техника. Серия 3 «Микроэлектроника». 2019. №3. С.61-66.

35. А.Комаров. Алгоритм взаимодействия разработчиков и производителей РЭА и ЭКБ // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2016. №5. С. 122-128.

36. Макушин М. Интеллектуальные производства и технологии как условия решения проблем с оборудованием по мере масштабирования ИС. // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2018. №4. С. 132-142.

37. ГОСТ РВ 0015-002-2012 Система разработки и постановки продукции на производство. Военная техника. Системы менеджмента качества. Требования. М.: Стандартинформ, 2012. 45с.

38. ГОСТ ИСО 9001-2015 Системы менеджмента качества. Требования. М.: Стандартинформ, 2012. 30с.

39. РД В 319.015-2006 Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Требования к системе менеджмента качества. М.: ФГУП МНИИРИП, 2006. 99с.

40. ЭС РД 009-2014 Дополнительные требования к системе менеджмента качества организаций разработчиков, изготовителей и поставщиков электронной компонентной базы военного и двойного назначения. М.:ФГУП МНИИРИП, 2014. 91с.

41. ГОСТ РВ 20.39.414.1-97 Комплексная система общих технических требований. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Классификация по условиям применения и требования стойкости к внешним воздействующим факторам. М.: Госстандарт России, 2000. 15с.

42. ГОСТ РВ 20.39.415-97 Комплексная система общих технических требований. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Требования к построению и содержанию технических условий. М.: Госстандарт России, 2000. 19с.

43. ГОСТ РВ 20.57.417-97 КСКК. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Система взаимоотношений поставщик - потребитель (заказчик). Основные положения. М.: Госстандарт России, 2000. 16с.

44. ГОСТ РВ 20.57.418-98 Комплексная система контроля качества. Обеспечение, контроль качества и правила приемки изделий единичного и мелкосерийного производства М.: Госстандарт России, 1998. 21 с.

45. ГОСТ РВ 5163 8.02-2000 Экологическая безопасность вооружения и военной техники. Основные требования по обеспечению экологической безопасности. М.: Стандартинформ. 2000. С.3-10.

46. ГОСТ РВ 0015-305-2007 Система разработки и постановки продукции на производство Военная техника. Авторский надзор в процессе производства изделий. Основные положения. М.: Стандартинформ. 2008. 27с.

47. ГОСТ Р ИСО 3534-1-2019 Статистические методы. Словарь и условные обозначения. Часть 1. Общие статистические термины и термины, используемые в теории вероятностей. М.: Стандартинформ, 2019. 70с.

48. ГОСТ Р ИСО 3534-2-2019 Статистические методы. Словарь и условные обозначения. Часть 2. Прикладная статистика. М.: Стандартинформ, 2019. 108с.

49. ГОСТ Р 50116-92 Электронная гигиена. Термины и определения. М.: Госстандарт России, 1993. 10с.

50. ГОСТ Р 51752-2001 Чистота промышленная. Обеспечение и контроль при разработке, производстве и эксплуатации продукции. М.: Госстандарт России, 2001. 11с.

51. ГОСТ Р ИСО 14644-1-2002 Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1. Классификация чистоты воздуха. М.: Стандартинформ, 2019. 36с.

52. ГОСТ Р ИСО 14644-2-2020 Часть 2. Требования к контролю и мониторингу для подтверждения постоянного соответствия ГОСТ Р ИСО 14644-1. М.: Стандартинформ, 2020. 16с.

53. ГОСТ Р ИСО 14644-4-2002 Часть 4. Проектирование, строительство и ввод в эксплуатацию. М.: Стандартинформ, 2010. 40с.

54. ГОСТ Р 56464-2015 Техника космическая. Авторский надзор главного конструктора в процессе производства», на уровне государственных военных стандартов. М.: Стандартинформ, 2019. 27с.

55. РД В 319.03.22-97 Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. М.: Изд-во Минобороны, 1999. 36 с.

56. ОСТ В 11 1010-2001 Микросхемы интегральные бескорпусные. Общие технические условия. М.: Электронстандарт, 2001. С.31-76.

57. ОСТ 11 14.1011-99 Микросхемы интегральные. Система и методы статистического контроля и регулирования технологического процесса. М.: 22 ЦНИИИ МО, 1999. С.2-15.

58. ОСТ 11 20.9926-99 Микросхемы интегральные. Требования к элементам производства. Сертификация системы качества и производств. М.: Изд-во Минобороны, 1999. 54 с.

59. ОСТ В 11 1008-2001 Микросхемы интегральные. Форма технических условий. М.: Электронстандарт, 2001. С.55-84

60. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС // Москва. 1999. Том 1. Часть 1. 226с.

61. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС // Москва. 1999. Том 1. Часть 2. 216с.

62. Горнев Е.С. Промышленная технология микроэлектроники //Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 2019. №2. С. 41-52

63. В.Ю. Киреев. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии // М.: ФГУП ЦНИИХМ. 2008. 428 с.

64. Щука А.А. Электроника // Издание 2. Под ред. А.С. Сигова. СПб.: БХВ-Петербург. 2006. 800с.

65. Системы управления качеством изделий микроэлектроники. (Теория и применение) / В. М. Пролейко, В. А. Абрамов, В. Н. Брюнин ; [Предисл. проф. В. Н. Сретенского]. Москва. Сов. радио, 1976. 223 с.

66. Панасюк В.Н. Создание и развитие особой производственной системы ОАО «НИИМЭ и Микрон //Методы менеджмента качества. 2014. №4. С. 4-10.

67. Красников Г.Я. Страна должна быть достойна современной микроэлектроники // ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ. 2008. №1. С. 4-7.

68. Базовые кристаллы и масштабирование ИС // Экспресс- информация по зарубежной электронной технике.2019. №14. С.16-21.

69. А.А. Глушко, В.А.Шахнов. Особенности трехмерного моделирования КНИ МОП-транзисторов с непрямым затвором // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. №2. С. 83-89.

70. О.Р. Загидуллина, А.С. Надин., И.Е. Трифанихина, Д.С. Шипицин. Специализированное программное обеспечение для автоматизированного тестирования и верификации PDK. // Труды НИИСИ РАН. 2019. Т.9. №4. Моделирование, технология, производство в микро- и наноэлектронике. С. 80-84.

71. Андроник М. Метод синтеза базовых технологических процессов микроэлектромеханических систем на основе конструктивно-технологической онтологии: дисс....кандидата технических наук: Москва, 2021. 183с.

72. Дорошевич П.В. Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных схем на надежность: дисс....кандидата технических наук: Москва. 2015. 109с.

73. Винокуров А.А. Диагностические методы оценки качества и надежности интегральных схем с использованием метода критического напряжения питания: дисс....кандидата технических наук: Воронеж. 2019. 97с.

74. Грудзинский П.В. Система менеджмента качества испытательной лаборатории, проводящей сертификационные испытания электронной компонентной базы: дисс....кандидата технических наук: Москва. 2018. 173с.

75. Волховский А.А. Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем: дисс.. ..кандидата технических наук: Москва, 2017. 120с.

76. ГОСТ 3.1118-82. ЕСТД. Формы и правила оформления маршрутных карт. М.: Стандартинформ, 2012. 23с.

77. ГОСТ 3.1001-2011 ЕСТД. Общие положения. М.: Стандартинформ, 2011. 11с.

78. ГОСТ 3.1102-2011 ЕСТД. Стадии разработки и виды документов. Общие положения. М.: Стандартинформ, 2011. 11с.

79. ГОСТ 3.1105-2011 ЕСТД. Формы и правила оформления документов общего назначения. М.: Стандартинформ, 2020. 30с.

80. ГОСТ РВ 15.205-2004 Система разработки и постановки продукции на производство. Военная техника. Порядок выполнения опытно-конструкторских работ по созданию комплектующих изделий межотраслевого применения. Основные положения. М.: ИПК Издательство стандартов, 2004 68с.

81. Н.Н.Калинина, В.И.Балакирев. Обеспечение одновременного выполнения НИОКР и выпуска СБИС на технологическом комплексе НИИСИ РАН // Труды НИИСИ РАН. 2014. Т.4. №1. Моделирование, технология, производство в микро- и наноэлектронике. С. 52-57.

82. ГОСТ 2.102-2013 ЕСКД. Виды и комплектность конструкторских документов. М.: Стандартинформ, 2013. 15с.

83. ГОСТ 2.103-2013 ЕСКД. Стадии разработки. М.: Стандартинформ, 2014. 8с.

84. ГОСТ 2.201-80 ЕСКД. Обозначение изделий и конструкторских документов. М.:Государственный комитет по стандартам СССР, 1981. 13с.

85. ГОСТ 2.501-2013 ЕСКД. Правила учёта и хранения. М.: Стандартинформ, 2014. 23с.

86. ГОСТ 2.503-2013 ЕСКД. Правила внесения изменений. М.: Стандартинформ, 2014. 32с.

87. ГОСТ Р 54844-2011 Mикросхемы интегральные. Основные размеры. M.: Стандартинформ, 2014. 66с.

88. ГОСТ Р 55893-2013 Mикросхемы интегральные. Основные параметры. M.: Стандартинформ, 2014. С.2-7.

89. ГОСТ Р 57435-2017 Mикросхемы интегральные. Термины и определения. M.: Стандартинформ. 2017. 12с.

90. ГОСТ Р 57441-2017 Mикросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров. M.: Стандартинформ. 2017. 16с.

91. ^балина В.И. Взаимодействие инновационно активных предприятий и научно-исследовательских организаций: http://lib2.znate.ru/docs/index-338080.html (дата обращения 01.03.2020).

92. Системы взаимодействия различных типов организаций разработчиков и изготовителей СБИС и проблемы создания результативных организационно-технических интерфейсов / ^ролева А.Н [и др.] // Шноиндустрия. 2020. Т. 13. №S5(102). С. 201-205.

93. ^ролева А.Н Информационно-аналитическое обеспечение процессов проектирования и производства СБИС с использованием базовых технологий // Электронная техника. Серия 3 «Mикроэлектроника. 2021. №1. С. 31-36.

94. Ожидания работодателя не всегда совпадают с реальностью // Современная электроника: СТА-ПРЕСС. 2018. №5. С. 12-15.

95. Скрипко Л.Е. Особенности построения систем менеджмента качества корпораций и холдингов // Mетоды менеджмента качества. 2004 № 1. С. 12-17.

96. Панасюк В.Н Интегрированное управление рисками в АО «HHHM3» и ПАО «Mикрон». // Mетоды менеджмента качества. 2015. №4. С. 10-15

97. Ruey-Shan Guo, Yea-Huey Su, Shi-Chung Chang. Collaborative engineering mechanism between IC design house and foundry.// Proceedings of the Fifth Asia Pacific Industrial Engineering and Management Systems Conference 2004. p. 38.3.1-38.3.8.

Внедрение документа СМК по разработке базовых технологий

ло«ниимэ»

Л^оиедури снсшчъ! менеджмента качеств*

А»

дчг-и Ш-1

Страница 1 1С1 Р

] 'я 1 ри Сот к* би и>ви V т сн и й

/(111 ништК!

к, /Уал Мш>

1

I с-нер* пли и цн|1с.Р.-||

Краснкиад Г .Я.

Г. а У А. I (3 ГУ /лш.

( «иасомм I Глиный контролер- директор по УК и III

Пйаксюх НИ

Г3<грвы£ 1виест1ГГ£.ть генерального директор»

I Пинии Н А. штеяь генаразъчнп л^ргжгорв Г.имий К(]НСГр>КТОр ^

Кравцов А.С.". у Дцлктир гю ращгпао ажтем прчиектнрклшщи ;

Ш кпнцл нД.С

Мгча.и никОПФШ

\ /V

И-,

Л

. ( ¿г.

Р* [|"иЛн" I Нг1

Нл.ча;ЁЬ>ннк ОТЬ Нгилмик Ом Нячалмик ОСЬ

Листов А Л

НиннА.с ■* -г.- .си.й^-1

Потуичнк А. Г.

Лжпзчиип О

Днрсхшр 11!) рипшию [(^КШМКЙ

Н ачв.1ышк 1ПЖ11 \npAtLVHhl М'плЛНИ

УщмсиЛ.Н. _

» ли Рпс-Г^п Процедура щр^г^тр^миа /

Лапямдсш^ ФИО, щшяйиек Лшшй

СУ

1. Цель.

Целью данной процедуры является установленае порядка разработки ноеых базовых технологий п набора денстЕпн для их квалификации.

2. Область применения.

Данная пропедура распространяется на персонал, ответственный нлн вовлеченный е процесс разработки ноеых базовых техно логай и соответствующей документации.

3. Связанные прсцезуры н другая документация. ОСТИ 14.1012-99 ОБт-И 05.2*0

РКВТ д$Ш 04.1.1.2 СТО РКВТ-3.1-2019 225- Ш 09.0.0.1 249-Ш 04.1.1.6 261-11-04.1.1.1

(■Микросхемы интегральные. Технические требования к технологическому процессу. Система и методы операционного контрол» «Порядок управления реестром базовых технологии и оппгнй к базовым технология:.! АО НИИМЭ»

«Определение используемой базовой технологии н комплекта средств проектирования (РОК) при проектировании конструкции ИС» «Порядок ра5рабаткн. регистрации, рассылки, хранения и изменения технологической документални»

«Управление взаимодействием подразделений при изготовлении фотошаблонов цеха 1/2 СЮ»

((Порядок управления правилами проектирования для базовых технологий»

«Разработка £Р1СЕ-моделей элементов ИС»

Внедрение документа СМК по разработке комплекта средств

проектирования

ао «ни им:*»

Прииелура системы менедяпиен га качества

_ №

Разработка комплект* средств проектировании (РОК)

Угм|ж,11|л

Генеральный директор

Красину» :

Гоглжсоымо I данный юкгралср- директор по УК н ГТ1

Мшмскж В.Н. %) ¿ ^ С *

Мерный заместитель генерального директора

II [елелш НА

Директор по рачяитию технологий

Иг иатон П О

^^аНот«.!

Лирсктор ни развитию систем гфикпфашям

И.Ьшмцнм Д>С

I |лЧа.Н МНк ОТЭСЛв > мрамсиия |ЩЧ«ЛВОМ

Королем А Н

№ 7? по Ресстрл документов (~МК

¿ОЛЮ*«'«*. «ИО. дот* Р> ОС.Л'Ж'

1. Цель.

Целью данной процедуры является установление порядка разработки комплектов средств проектирования (РОК) для базовых технологии и набора действий для их квалификации.

2. Область применения.

Данная пропедура распространяется на персонал, ответственный или вовлеченный в процесс разработки комплектов средств проектирования, разработки базовых технологий и соответствующей документации,

3. Связанные процедуры и другая документация.

ОЙР- II 04.2.1 д$\У1-И 05.2.1,3

РКВТ 04.1.1.2

249ЛУ1 04.1.1.6

261-Н-04.1.1.1 257 \У1 II 05.1.1.1

Г-И 05.2.1.3.1

Приложение 1

«Разработка базовых технологий »

«Порядок управления реестром базовых технологий и опций к базовым технологиям АО НИИМЭ»

«Определение используемой базовой технологии и комплекта средств проектирования (РОК) при проектировании конструкции ИС» «Порядок управления правилами проектирования для базовых технологий»

«Разработка ?Р1СЕ-моделей элементов ИС»

Порядок информационного обеспечения для внешних и внутренних пользователей, участвующих в МРЛУ

((Реестр базовых технологий н опций к базовым технологиям АО НИИМЭ»

Схема взаимодействия подразделений при разработке комплекта средств проектирования (РОК+ОБК)

Внедрение документа СМК по разработке конструкции ИС с использованием базовых технологий

АО «НИИМЭ»

РКВТ QSW] 4.1.1 Л

ГАБОЧАЯ ИНСТРУКЦИЯ СИСТЕМЫ МШЬДЖМЕНТ А КАЧЕСТВ А Страница

М 1 21

Упнржл!

F4jpn6oi'KA kokci рукцнн ни 11 г [MJibKhii схем (ИС) с использованием базовых технологий

Генеральный директор

_I________Красников Г, Я

Согласовав!» Главный контролер - директор го УК н ТП

Панасюи В Н Первый заместитель генерального директора

Шслспни К-А

Замсстнтсль генерального директора по paipnfwTKC и внедрению мшсрлсксм специальною н космического назначения

"Энне В И

]1амсститсль генерального днреклора главный конструктор

Кравцов А.С.

Ллтж »и пуска

J*ТЖ 1 В, [) i. I Ml ■ я

/У, Of,

Л«т* перкчепря

^азраГюи

Начальник ОРИС i 1в--:альнкк ОУК

№_ire Pcocipy дкчеумсишв СМК

1. Цель.

Нуйякя А. В Королева А Н

Л Р/

IJ:шц(;д}ра шре1~истрНррШ№:

Цщциалш /и> УлЪчЛг >Ali<itil •fl

JmKCit ФИО, // ' У/ЛЮ

Целью настоящей инструкции является становление перечня обязательных работ., проводимых прн проектировании конструкции ИС с использованием базовых технологий, порядка их проведения и подтверждения соответствия выполненной работы Техническому заданию на проектирование (13). 04.1.1.0.4 или ТЗ на ОКР (Гфнтикенне Б, СТО РКВТ-

1.5.5).

2. Область применения.

Настоящая инструкция распространяется на персонал, ответственный н вовлечённый в процесс проектирования н проверку (верификацию) соответствия ИС требованиям ТЗ.

Настоящая инструкция относился к разделу S.3 стандарта ISO 9001 и конкретизирует действия команды разработчиков по пунктам 4.15 н 4.18 процедуры Управление проектированием продукции. QSP 04.1.1. Связанные процедуры н другая документация.

3. Связанные процедуры, инструкции, другие документы и формы

QSP 04.1.1 QSP 04.1.2 QSP-II 04.3.1 1№1Т 04.1.1.4 255-WI 03.0.0.1

СТО РКВТ-2.2-2019

Управление проектированием продукта Изменение документации проекта Разработка комплекта средств проектирования (РТ)К) Проектирование топологии продукта Управление взаимодействием подразделений при изготовлении фотошаблонов для Цеха 1/200 Порядок разработан, учета, хранения, рассылки и изменения конструкторской документации

Внедрение документа СМК по управлению Реестром базовых технологий

Л()«НЕШЧ>

РнЛочяч инструкция систем 14 менеджмент) качества 1кГ! .V» ЦМЧ-М ими Страница 1 юК

Норн док управления реестрам йннжы* технологий н отшй к из юным плнилошяч ЛО^ШШМ')» Д*Т1 выпуск* 0$ а ¿с/з

> гверждадо Прел шнтелъ руководства Главный импршкр- директор по УК н ГП Пшасык ВН. Лит уттрждмшя {Л

4 оглдсиихш Нсрный там гаже ль генерального лиреггор« Шелелин Н.А. Лнртп1пргора1В1гткю1еялил(51'нй Игнатов П.В. Днректир ли раЛмГГЩо систем гтроеычромнм» Шин или и Д С 1 Стольник ОНФШ Панкратов А. Л Начальник ОТБ Нал ни А-С — №___ <2 ' 74// А у? ;1*т« мр* сч«тра Ш

Гяфабопл 1 лаьнУЙСПсЦйалнстгоСМК Королева А,К «шиит 1 Ышх 1

V ¿1 ои Реестр} ли су мотюб СМК ^•боЧЫ мнстр> КЦН1 . > ¡1- ь. . I- ■■ ,| ....... . 'М-Л., ■ ./ , 1 Л {

Лишг^и ФИА лоЛ+иа (V и * "

1. Цель

Настоящая ннсгруищя разработка с целью:

- определить порядок регистрации этапов разработки н квалификации баз овых технологий н опций к базовым технологам;

- обеспечить единую идентификацию базовых технологий и отшй на этапах проектирования:

- обеспечить подразделения - разработчиков инф ормацней о текущем статусе базовых технологии и опций.

2. Область применения

Настоящая рабочая инструкция применяется сотрудниками группы управления качеством, ведущими технологами, подразделениями - разработчиками а также сотрудники других подразделений нспользукшше в своей работе информацию содержащуюся в Реестре, вводимом настоящей инструкцией.

3. Связанные процедуры и другая документация

QSP 04.1.1 Управление проектированием продукции

203-М 05.1.13 Порядок разработки, регистрации, рассылкн. хранения и

изменения технологической и конструкторской документации Цеха 1/200

249-Ш-И 04.1.1. б Порядок управления правилами проектирования для базовых

технологий

Внедрение документа СМК по управлению Реестром комплектов средств

проектирования

АО «НИИМЭ»

Рабочая инс1 рукиня системы менеджмента качества

)кл JVt

Поридйк управлении реестром кпчп-нчгтн средств

проектировании (Г ЕЖ) для fi ¡1 IOMU тех но. ни мИ _АО «НИИМ'Э» в ПЛО «Микрон»

Утверждая» Представитель руководства - ^

Глшный контролер - директор по УК н ТП 1

Пинаскчс В Н.

У

И"

Сог.шсопино I lepüLdi -гаместитсль генерального директора

ШслсПИн Н А Директор по ршштаю систем

нроелггнрования t ..

Шшшшш Д.С. -Директор ПО развитию технологий H\V "

Игнатов П В 7"

Начальник О ТВ

I Галин А12-

Начнльинк ОМ

I_I_Пщучщ АГ."

Ра [pifjoiiLi I Ia4ililiim отдела управления качеством . _______Королем AJLl

Dl ot Л

Л Л 7 по Реестру документа* СМК

QBWI-H 05.2.1А

Страница 1 Hi 7

Дш* выпуска

Дат* утверждения

о/ J№ff

Дата ntptcvoipi

а.щ,ц л.

Рлбичм ннклруклиА ^дре/кспрлролаца:.

ФНСх/кКИпио йштт •-••-■■ ул-.

1. Цель

Настоящая инструкция разработана с целью:

- определить порядок регистрации действующих релизов к СП (РТЖ.) и квалификации КСЩРТЖ) в соответствии с Реестром базовых технологий н опций к базовым технологиям:

- обеспечить единую идентификацию версий КСП (PDEQ. их составляющих (DKM. моделей, версий deck и др.) в действующих релизах:

- обеспечить подразделения - разработчиков информацией о текущем статусе КСП (PDK).

2. Обллсгь применения

Настоящая рабочая инструкция распространяется на комплекты средств проектирования (РТЖ.) разработанных для базовых технологий и опций к базовым технологиям АО «НИИМЭ» и ПАО «Мнкран». указанных в Реестре базовых технологии и опций F-И 05.2.1.3.1.

Инструкция применяется сотрудниками отдела управления качеством, подразделениями — разработчиками. а также сотрудники других подразделении, нспользукшще в своей работе информацию содержащуюся в Реестре, вводимом настоящей инструкцией.

Связанные процедуры и другая докумеятаднн

OSP- И 04.2.1 OSP- И 04.3.1 QSWI-И 05 .2.1.3

РКВТ QSWI 04.1.1.2

249-WI04 1.1 б

261-И-04.1.1.1

Разработка базовых технологий

Разработка комплектов средств проектирования (РОК) Порядок управления реестром базовых технологий н впщш к базовым технологиям АО НИИМЭ

Определение используемой базовой технологии и комплекта средств проектирования (РОК) при проектировании конструкции ИС

Порядок управления правилами проектирования для базовых технологий

Разработка 5Р1СЕ-моделЕ й элементов ИС

Внедрение документа СМК по оказанию услуг технической и технологической поддержки производства изделий

и базовых технологий

Полевение

О поря^пе нн/фен)«: л кпн-роля Н[ГОГ нсння дрш этров ге«ничЕС<дн псдд±р»{кы г роиеси г н гост: А прарушн _ПАР «шчнрднон ДР«НИИМЭЬ_

V I Ш УЖДЛК I III Ц ■ л | ЩИМ' __I >1 ^ршинкр

// М]К г.

УШКРИцЛАЮ

| |>|1|.| | . . I I V I . |ч,1Н

¿¿^ Ш.Хиим« - V _ . Д0Ш1

Положение

О порядке заключения и контроля исполнения логово ров технической пикр^ки пронесся производства и поставки продукции межлу ПА О «Микрон» н АО «НШБ1Э»

Р-02

Пасзгэрт дакумеягэ

ЛЕГ ЛХ^ЫЕС- IX И ОвшВГЕ гутшччри « Вер саз: 1Л

п ЕаифившдашпвД: Дзта £4рсяк:

.Ззссшгтэ: тщчтгж

И ОСТ - —, — тГт

1 1 ■:< » ЭОС т.

_ г □: гт:; ЗЛМОСТГТрй

Гплз=и£ Езагразат- ГЬазш:! Е. Н.

Ц^ИСХЬ ПА О ■ Ыжхр-гз ■ АО иНИИЫЭ ■

. ыт пршк:,'. ?^к-гтп пивр^^зсг1-: зирагтсрь пс щншака-в;-ГплзнзЛ ьэигтртсгар

Рда=^зап г 1Л1 ■ .■ ■. ю^згзйхтаЗ ПА■:я и АО >:-зиимэ-

ВДвсквэ, 2015 г.

Свидетельство о регистрации базы данных «Интеграция-1», Акт внедрения базы данных.

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ

RU2021620466

ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ

ГОСУДАРСТВЕННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ БАЗЫ ДАННЫХ, ОХРАНЯЕМОЙ АВТОРСКИМИ ПРАВАМИ

Номер регистрации (свидетельства): 2021620466 Дата регистрации: 11.03.202] Номер и дата поступления заявки: 2021620349 03.032021 Дата публикации и номер бюллетеня: 11.032021 Бюл. № 3

Автор(ы): Королева Анна Николаевна (RU), Папасюк Виталий Николаевич (RU), Иванов Владимир Викторович (RU), Папкратов Александр Львович (RÜ), Шипиции Дмитрий Святославович (RU), Ряоннии Артем Денисович (RU), Медведев Константин Александрович (RU) Правообладатель^ и): Акционерное общество «Научно исследовательский институт молекулярной электроники» (RU)

Название базы данных:

База данных результатов контроля топологии кристаллов юттеграяыгых схем на соответствие требованиям правил проектирования для базовых технологий («Интеграция 1»)

Реферат:

База данных предназначена для хранения релевантной информации совокупности самостоятельных материалов обо всех результатах DKC-верификаций топологий кристаллов интегральных схем, разработанных с использованием комплектов средств проектирования института для базовых технологий с целью дальнейшего производства. База данных позволяет аккумулировать, хранить и просматривать следующую информацию: идентификационные признаки топологий кристаллов интегральных схем (заказчик, подразделе!шс-исполегитсль разработчик, имя топологического файла, контрольЕтая сумма,, базовый маршрут, версия PDK, наименование MPW) и результаты проверки па соответствие правилам проектирования для базовых технологий с расшифровкой кодов несоответствия. В целях

информационно-аналитического обеспечения реализована возможность поиска по любому заданному параметру (заказчик, подраздел с еги с, базовый маршрут, версия PDK, разработчик и

ДР->

Виц и версия системы управления базой MycQLvi4 14 v 5 1 73 данных: 7

Объем базы данных:

100 МБ

Ю 3