Разработка методики ускоренной оценки эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов с использованием теплового воздействия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат наук Кузнецова Валентина Александровна

  • Кузнецова Валентина Александровна
  • кандидат науккандидат наук
  • 2021, ФГБУН «Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук»
  • Специальность ВАК РФ05.11.13
  • Количество страниц 144
Кузнецова Валентина Александровна. Разработка методики ускоренной оценки эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов с использованием теплового воздействия: дис. кандидат наук: 05.11.13 - Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий. ФГБУН «Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук». 2021. 144 с.

Оглавление диссертации кандидат наук Кузнецова Валентина Александровна

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

ГЛАВА I. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ

ТАНТАЛОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

1.1 Подход к обеспечению качества при производстве танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов

1.2 Материалы и способы изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов

1.3 Методы, используемые при контроле качества конденсаторов

1.4 Надежность и испытания танталовых конденсаторов 38 Выводы по главе I

ГЛАВА II МЕТОДЫ И ПРИБОРЫ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА

ТАНТАЛОВЫХ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КОНДЕНСАТОРОВ

2.1 Контроль качества танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов

2.2 Приборы для контроля качества оксидно-полупроводниковых конденсаторов

2.3 Контроль качества в условиях производства 49 Выводы по главе II

ГЛАВА III ИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ ТАНТАЛОВЫХ

КОНДЕНСАТОРОВ

3.1 Исследование влияния на эксплуатационные характеристики качества материалов танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов

3.2 Факторы, определяющие емкость танталового оксидно-полупроводникового конденсатора на стадии изготовления анода

3.3 Влияние конструктивных характеристик анода на эксплуатационные параметры оксидно-полупроводниковых

танталовых чип-конденсаторов

3.4 Влияние качества корпуса оксидно-полупроводниковых танталовых чип-конденсаторов на эксплуатационные параметры

3.5 Исследование надежности танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов на основе экспериментальных данных 77 Выводы по главе III

ГЛАВА IV КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ТАНТАЛОВЫХ

ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА УСКОРЕННОЙ ОЦЕНКИ

4.1 Методика ускоренной оценки сохраняемости танталовых оксидно -полупроводниковых чип-конденсаторов на основе расчетных данных

4.2 Исследование сохраняемости танталовых оксидно -полупроводниковых конденсаторов методом ускоренных испытаний

4.3 Исследование качества материалов путем ускоренной оценки сохраняемости танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов методом ускоренных испытаний 99 Выводы по главе IV

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЯ

Введение

Известно, что конденсатор представляет собой двухполюсное устройство с определенной или переменной емкостью и низкой проводимостью. Точно так же конденсатор определяется как устройство для хранения заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. В простейшем варианте конструкция состоит из двух электродов в виде пластин, называемых обкладками, разделенных диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами пластин.

Процессы, которые происходят внутри танталового электролитического конденсатора с участием металлов (тантала, серебра, меди) важны для науки, такой как: электрофизика, электрохимия, процессы многогранны и сложны по своей сути. Тантал - это металл вентильный, обладающий способностью образовывать анодную пленку - пентаксид тантала (Та2О5) с особыми диэлектрическими характеристиками, в определенных условиях тантал так же может являться сверхпроводником. Известно, что свойства тантала зависят от его чистоты, что является важным при создании танталовых конденсаторов. При наличии примесей водорода, азота, кислорода и углерода в тантале, металл может стать хрупким. Серебро и медь среди известных металлов выделяются как металлы с наиболее высокой электро- и теплопроводимо-стью. Диоксид марганца (МПО2), в свою очередь, в танталовом электролитическом конденсаторе фактически выполняет роль твердого электролита. От его качества, толщины и структуры, зависит качество конденсатора.

Установлено, что при хранении и эксплуатации изделий с электрохимическим принципом работы, в частности танталовых электролитических конденсаторов, может происходить ухудшение параметров (снижение емкости, рабочего напряжения и т.п.), отказы, в частности взрывы. Причинами таких изменений могут являться: повышение эквивалентного последовательного сопротивления вследствие старения материалов, токовых нагрузок, обратной полярности, обусловленные процессами заряда-разряда конденсатора, переполюсовка, работа в импульсных режимах. Процессы, происходящие в стареющих материалах с участием вышеперечисленных металлов и сплавов, чаще всего непредсказуемы и требуют экспериментального изучения.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», 05.11.13 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка методики ускоренной оценки эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов с использованием теплового воздействия»

Цель работы.

Цель данной работы - разработка методики ускоренной оценки эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов с использованием теплового воздействия, позволяющая оценить влияние новых материалов и конструктивных характеристик на надежность при эксплуатации и хранении.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Проанализировать электрические свойства танталовых конденсаторов (емкость, тангенс угла потерь, ток утечки, полное сопротивление, эквивалентное последовательное сопротивление, их изменение во времени) по операциям производственного цикла в зависимости от времени хранения и эксплуатации.

2. Исследовать влияние на эксплуатационные характеристики качества применяемых материалов разных производителей для изготовления танталовых конденсаторов; а именно танталовый порошок, анодный вывод, серебросодержащая паста и клей, эпоксидный полимерный пресс-компаунд.

3. Исследовать влияние конструктивных характеристик оксидно-полупроводниковых танталовых конденсаторов на эксплуатационные параметры: удельная усадка при спекании танталового анода, сила сцепления танталовой таблетки с танталовым анодным выводом, габаритные размеры, качество корпуса; факторы, определяющие емкость танталового конденсатора, влияние прессования анодной таблетки и спекания танталового анода.

4. Разработать методику ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов с примененными новыми материалами для повышения надежности конденсаторов в условиях эксплуатации и хранения.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Установлена интенсивность отказов танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов от времени испытания (эксплуатации), которые растут, начиная с 8000 часов, а наиболее существенный рост среди электрических параметров относительно первоначальных наблюдается у параметра ток утечки, при этом резкое увеличение значения тока утечки

происходит с 10000 часов, и, соответственно, отказ конденсаторов по данному параметру.

2. Показано, что при контроле электрических параметров на стадии тестирования конденсаторов с истекшим сроком хранения анодных выводов и серебросодержащей пасты наблюдается существенный рост значений тока утечки, что приводит к значительному увеличению выхода годных, а с ростом удельной усадки анода после введения пластификатора при спекании танталового порошка, снижается емкость танталовых объемно-пористых анодов в разной степени для конденсаторов с разным удельным зарядом.

3. Установлено минимальное усилие сцепления анодной таблетки с танталовым выводом анода, составляющее не менее 30 Н, при котором токи утечки минимальны, вместе с тем качество корпуса на изменение емкости практически не влияет, но значительно влияет на тангенс угла диэлектрических потерь, ток утечки и полное сопротивление танталовых конденсаторов.

4. Впервые разработана методика ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов с примененными новыми материалами в условиях хранения и эксплуатации, основанная на воздействии тепла, а именно повышенной температуры среды при 125 °С, на конденсаторы без приложения электрического напряжения, инициирующей старение его элементов, позволяющая оценить их сохраняемость, качество и надежность с сокращением времени испытаний до 80 дней вместо 6-7,5 лет.

Теоретическая и практическая значимость:

Для теории:

1. Выведены линейные зависимости (математические модели) по средним значениям эксплуатационных характеристик танталовых чип-конденсаторов экспериментальной выборки от времени испытания (эксплуатации) в номинальном режиме (температура эксплуатации), позволяющие прогнозировать ухудшение электрических параметров при испытаниях и эксплуатации.

2. В работе предложен подход формирования критериев оценки интенсивности отказов танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов от времени

испытания (эксплуатации), основанный на существенном росте тока утечки, начиная с 8000 часов и резком увеличении его с 10000 часов.

3. Разработанные положения позволяют выполнить прогнозирование развития числа отказов на основе разработанной методики ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов в условиях хранения и эксплуатации, учета величины сцепления анодной таблетки с танталовым выводом анода и качества корпуса.

Для практики:

1. Предложены новые технические и технологические решения, позволяющие существенно снизить трудоемкость за счет применения разработанной методики ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов с примененными новыми материалами в условиях хранения и эксплуатации, основанная на воздействии тепла, а именно повышенной температуры среды при 125 °С, на конденсаторы без приложения электрического напряжения, инициирующей старение его элементов, позволяющая оценить их сохраняемость, качество и надежность с сокращением времени испытаний до 80 дней вместо 6-7,5 лет.

2. Результаты исследования электрических эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов по операциям производственного цикла в зависимости от времени эксплуатации и хранения могут быть использованы в проектных работах КБ ОАО «Элеконд», образовательном процессе в ИжГТУ имени М.Т. Калашникова при подготовке бакалавров и магистров по направлению 12.03.00 «Приборостроение» по дисциплине «Основы проектирования приборов».

3. Разработаны рекомендации по практическому использованию методики ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов на предприятии ОАО «Элеконд» при производстве и хранении танталовых чип-конденсаторов. Применение данной методики возможно для всех типов конденсаторов серии К52-..., К53-..., выпускаемых ОАО «Элеконд».

Достоверность результатов и выводов подтверждается использованием проверенных методов (апробированных методик), современного оборудования и поверенных приборов в ходе экспериментальных исследований, воспроизводимостью результатов, полученных в ходе экспериментов, сравнением

результатов исследования с другими независимыми методами, а также соответствием литературным источникам.

Методология и методы исследования.

Для решения поставленных задач использовались методы статистического анализа, методы математического моделирования, аналитические методы, такие как системный и сравнительный анализ. Численные расчеты и обработка экспериментальных данных выполнены на базе вычислительной техники с помощью программного обеспечения Microsoft Excel, MathCAD. Для экспериментальных исследований использовались метрологически поверенные приборы для измерения электрических величин, а так же источники питания, а для испытаний - метрологически аттестованное оборудование: тепловая камера и др.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментальных исследований электрических характеристик танталовых конденсаторов серии К52-..., К53-..., подтверждающих применение разработанной методики, основанной на анализе влияния конструктивных характеристик, определения критериев качества исходных материалов, влияющих на надежность изделий при их длительном хранении.

2. Результаты исследований, показывающие значительное влияние примененных пресс-материалов для корпуса танталовых конденсаторов на тангенс угла диэлектрических потерь, ток утечки и полное сопротивление; значительное влияние качества танталового порошка на емкость анода; применение некачественной серебросодержащей пасты, приводящее к значительному росту значений тока утечки.

3. Обоснование требований к качеству материалов, применяемых в танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторах, для использования их в конденсаторостроении (состав танталового порошка, текучесть пресс-компаунда, состав серебросодержащего клея и пасты).

4. Методика ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов с примененными новыми материалами в условиях хранения и эксплуатации,

основанная на воздействии тепла, а именно повышенной температуры среды при 125 °С, на танталовые конденсаторы без приложения электрического напряжения, инициирующей старение его элементов, позволяющая оценить их сохраняемость, качество и надежность с сокращением времени испытаний до 80 дней вместо 67,5 лет.

Личный вклад автора заключается в постановке задач исследований, организации и проведении экспериментальных, исследовательских и производственных работ, интерпретации и обобщении полученных результатов, проведении анализа полученных результатов и выборе методов обработки результатов. Выбор приоритетов, направлений и методов исследований и форм представления результатов, формирование структуры и содержания работы, формулирование основных положений выполнено совместно с научным руководителем.

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на конференциях: III Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых учёных "Измерения, контроль и диагностика - 2014", г. Ижевск, 12-14 мая 2014 г.; X Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием. «Приборостроение в XXI веке. Интеграция науки, образования и производства» - 12-14 ноября 2014 г.; XII Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием. «Приборостроение в XXI веке. Интеграция науки, образования и производства» - 23-25 ноября 2016 г.; XIII Международная научно-техническая конференция "Приборостроение в XXI веке. Интеграция науки, образования и производства" - 22-24 ноября 2017 г. I Межвузовская научно-техническая конференция «Актуальные проблемы науки и техники», г. Сарапул, 2020. Разработанный метод оценки качества танталовых конденсаторов апробирован в ОАО «Элеконд».

Соответствие диссертации паспорту специальности. П.1. Научное обоснование новых и усовершенствование существующих методов аналитического и неразрушающего контроля природной среды, веществ,

материалов и изделий. П.2. Разработка и оптимизация методов расчета и проектирования элементов, средств, приборов и систем аналитического и неразрушающего контроля с учетом особенностей объектов контроля.

Публикации. Результаты диссертации изложены в 16 публикациях, в том числе 9 статьях в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК.

ГЛАВА I. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ТАНТАЛОВЫХ

КОНДЕНСАТОРОВ

1.1 Подход к обеспечению качества при производстве танталовых оксидно-

полупроводниковых чип-конденсаторов

Танталовые конденсаторы, диэлектриком которых является оксид тантала (Та205), появившиеся более шестидесяти лет назад, являются важными современными емкостными элементами радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). От своих "старших братьев" - алюминиевых конденсаторов-танталовые конденсаторы отличаются более выгодном широким температурным диапазоном, повышенной надежностью (долговечностью, сохраняемостью, интенсивностью отказов). За последние десятилетия танталовые конденсаторы были усовершенствованы в направлении увеличения их удельного заряда и уменьшении их массо-габаритных характеристик, а также повышению их надежности. Так как одной из целей разработчиков было улучшение мас-согабаритных характеристик конденсаторов, то это привело к ухудшению их высокочастотных характеристик [1].

Применение танталовых конденсаторов определяет развитие РЭА. Конденсатор с твердым электролитом имеет небольшой размер, высокую емкость, низкое последовательное эффективное сопротивление (ESR) и требуемую величину LC [2,3].

Глобализация рынка и огромный технологический рывок последних десятилетий привели к тому, что современный рынок электроники преобразовался в рынок, предъявляющий высокие требования к качеству продукции [4]. Само качество, является комплексным понятием, характеризующим эффективность всех сторон деятельности: маркетинговые исследования, разработка, организация производства и т.п. Качество современных комплектующих для РЭА, должно рассматриваться как комплексный показатель, который в первую очередь зависит от научно-технического уровня разработки, качества используемых материалов, метрологического обеспечения производства и всесторонней метрологической проработки вопроса, а также совершенства технологии.

Благодаря своим габаритным размерам и диапазонам емкостей, танталовые конденсаторы широко используются при массовом производстве электронной техники, в том числе и военной. Танталовые конденсаторы с твердым электролитом обладают лучшими характеристиками по сравнению с конденсаторами с жидким электролитом на основе серной кислоты [5]. Однако, у данных конденсаторов следующие недостатки:

1. Цена выше по сравнению с алюминиевыми конденсаторами.

2. Значение максимального напряжения ограничено 63 В.

3. Возможность взрыва при превышении допустимых нагрузок, а также при подаче на конденсатор напряжения обратной полярности (при переполюсовке).

Танталовый оксидно-полупроводниковый конденсатор для поверхностного монтажа (чип-исполнения) представляет собой оксидный конденсатор с объемно-пористым анодом, катод - на основе диоксида марганца. Строение танталового оксидно-полупроводникового чип-конденсатора приведено на рисунке 1.1.

Рисунок 1.1 - Танталовый оксидно-полупроводниковый чип-конденсатор

Общий вид и габаритные размеры таких конденсаторов приведены на рисунке 1.2 и в таблице 1.1.

Рисунок 1.2 - Общий вид конденсаторов

Т а б л и ц а 1.1 - Габаритные размеры

Код габарита (по обозначению евростандартов) L,мм B,мм H,мм

А 3,2±0,2 1,6±0,2 1,6±0,3

В 3,5±0,2 2,8±0,2 1,9±0,3

C 6,0±0,3 3,2±0,3 2,5±0,3

D 7,3±0,3 4,3±0,3 2,9±0,3

E 7,3±0,3 4,3±0,3 4,1±0,3

В целом, процесс изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов можно описать следующими технологическими операциями:

1. Приготовление танталового порошка с камфорной связкой.

Операция предназначена для придания танталовому порошку свойств, обеспечивающих его прессуемость на серийном оборудовании и оснастке, предохраняет анодную таблетку от осыпания поверхности после прессования, а также способствует созданию пористой поверхности.

2. Технологическое опробование танталового порошка.

Опробование танталового порошка производится с целью определения пригодности порошка для изготовления конденсаторов с заданными электрическими характеристиками.

3. Прессование анодов.

Данная операция предназначена для формирования из танталового порошка механически прочной анодной таблетки.

4. Декамфаризация спрессованных анодов.

Данная операция проводится с целью удаления камфары из прессованных анодов.

5. Спекание анодов.

Данная операция производится для создания прочного механического и электрического контакта между частицами порошка, а также для очистки активной поверхности анода от примесей.

5. Проверка внешнего вида анодов после спекания.

Операция производится с целью разбраковки анодов по внешнему виду.

6. Приварка анодов к рейконосителю.

Данная операция предназначена для приварки анодов танталовых конденсаторов к рейконосителю для последующей групповой обработки анодов.

7. Формовка анодов.

Операция «Формовка анодов» предназначена для создания оксидной пленки (диэлектрического слоя) на анодах путем электрохимического окисления вентильного метала. Диэлектрик должен обеспечивать заданные свойства конденсатора.

8. Промывка анодов и сушка.

Настоящая операция производится с целью удаления с поверхности анодов остатков кислот и растворов.

9. Проверка анодов по электролитическим параметрам после формовки. Данная операция предусматривает определение электрических параметров

анодов после формовки в растворе серной кислоты.

10. Вакуумный термоотжиг анодов и термообработка анодов на воздухе. Настоящие операции проводятся после формовки 1 с целью снижения токов

утечки и увеличения стабильности электрических параметров конденсаторов.

11. Формовка 2 анодов.

Операция предназначена для стабилизации характеристик оксидной пленки (диэлектрического слоя) на анодах после термоотжига.

12. Промывка анодов и сушка.

Настоящая операция производится с целью удаления с поверхности анодов остатков кислот и растворов.

13. Проверка анодов по электрическим параметрам после формовки.

Данная операция предусматривает определение электрических параметров анодов после формовки в растворе серной кислоты.

14. Нанесения окислов марганца на аноды (в т.ч. тренировка анодов). Данная операция предусматривает нанесение слоя полупроводника (диоксида

марганца) с целью создания катодной обкладки конденсатора.

15. Нанесение аквадага и сушка.

Нанесение аквадага на секции производится с целью снижения переходного сопротивления между слоем полупроводника и слоем металлизации.

16. Нанесение закрепляющего слоя после аквадага, промывка и сушка. Данная операция предусматривает нанесение дополнительного слоя двуокиси

марганца для улучшения электрических характеристик и улучшения механического сцепления покрытий.

17. Нанесение серебросодержащей пасты.

Данная операция предназначена для нанесения проводящей серебряной пасты на секции для последующего обеспечения электрического и механического контакта с выводной рамкой.

18. Проверка электропараметров после нанесения серебросодержащей пасты. Операция предназначена для отбраковки секций с завышенным током утечки

после нанесения серебросодержащей пасты и проверки соответствия емкости, тангенса угла диэлектрических потерь, полного сопротивления и эквивалентного последовательного сопротивления заданному номиналу.

19. Посадка секций на выводную рамку и полимеризация.

Данная операция предназначена для посадки секций чип-конденсаторов на выводную рамку и приварки анодного вывода к выводной рамке с последующей полимеризацией клея.

20. Опрессовка конденсаторов и полимеризация.

Данная операция предназначена для создания корпуса конденсатора для защиты от механических повреждений, от воздействия внешних факторов.

21. Визуальный осмотр, лазерная маркировка, просечка катодного вывода. Данная операция предназначена для нанесения лазерной маркировки на

опрессованные конденсаторы и просечки катодного вывода.

22. Измерение тока утечки конденсаторов.

Данная операция предназначена для измерения тока утечки конденсаторов перед термотренировкой.

23. Тренировка конденсаторов.

Данная операция предназначена для устранения дефектов оксидного слоя и выявления потенциально ненадежных изделий.

24. Измерение электропараметров конденсаторов.

Операция предназначена для проверки электрических параметров конденсаторов на соответствие технологическим нормам.

25. Проверка внешнего вида конденсаторов.

Операция предназначена для проверки внешнего вида конденсаторов на соответствие утвержденным образцам внешнего вида.

26. Упаковка конденсаторов.

Данная операция предназначена для формирования выводов, разбраковки по электрическим параметрам и упаковки конденсаторов с целью отправки их потребителю.

27.Приёмка изделия.

1.2 Материалы и способы изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Процесс создания конденсаторов сложный и трудоемкий. Существует много факторов, которые влияют на конечную продукцию. Данной теме уделяют внимание и исследователи. В [6] выполнен анализ влияния технологической дисциплины и возможных дефектов на наиболее критичных операциях изготовления объемно-пористых танталовых герметичных конденсаторов с жидким электролитом на качество и, соответственно, выход годных в зависимости от года изготовления. Влияние дефектов на выход годных при производстве герметичных танталовых объемно-пористых конденсаторов с жидким электролитом приведен в [7].

Рассмотрим более подробно пооперационный подход к обеспечению качества в ходе изготовления танталовых чип-конденсаторов [8-11].

1. СПЕКАНИЕ ПРЕССОВАННЫХ АНОДНЫХ ТАБЛЕТОК.

Спекание напрессованных таблеток производится в высокотемпературной вакуумной установке спекания. Нагревательные элементы и экранная изоляция печей изготовлены из тантала.

Подбираются оптимальные температуры спекания, времена изотермической выдержки, режимы подъема и снижения температуры, времена дегазации порошков, максимальные величины загрузки при спекании, определяемые температурной зон-ностью нагревателей единиц оборудования и производительностью вакуумных систем.

На основании проведенных работ уточняются и корректируются технико-технологические требования к вакуумным установкам спекания. Уточняются средства ведения режима и средства контроля режимов спекания для всех используемых единиц оборудования, а также характеристики вспомогательных систем, таких как система охлаждения оборотной водой рабочей камеры, систем напуска инертных сред в камеру печи спекания для контролируемого снижения температуры печи и исключения окисления тантала при напуске воздуха. Последнее явление играет огромную роль при спекании анодов из высокоемких танталовых порошков, так как при напуске воздуха (кислорода), вследствие, огромных активных поверхностей анодов, происходит окисление - мощная экзотермическая реакция, сопровождающаяся большим выделением тепла, что иногда приводит даже к самовозгоранию анодов.

На рисунке 1.3 приведена фотография частиц спеченного порошка.

Рисунок 1.3 - Спеченный танталовый порошок.

В источниках [12-16] приведены способы получения танталовых порошков, влияние их характеристик на качество танталовых конденсаторов. Проведено изучение влияния условий получения танталовых конденсаторных порошков на тангенс угла диэлектрических потерь анодов. Исследовано влияние условий получения и агломерации натриетермических танталовых порошков на частотную зависимость удельного заряда и тангенса угла диэлектрических потерь изготовленных из них анодов.

Изучен способ изготовления объемно-пористых анодов [17], который включает в себя:

- подготовку исходной смеси (состоит из порошка тугоплавкого металла с пониженным содержанием кислорода, и одного связующего реагента, содержащего пластификатор и/или органическое связующее);

- прессование ранее подготовленной смеси;

- удаление связующего реагента (термическое разложение и спекание прессованного анода).

При данном способе изготовления анодов связующий реагент (пластификатор) содержит дистеарилэтилендиамин, органический связующий - полифторирован-ный спирт-теломер общей формулы H(CF2CF2)n•CH2OH, где п=1-6, соотношение между порошком металла и связующим составляет 1:0,03-0,05. Прессование проводится до достижения плотности 2-5 г/см3. . Связующее вещество необходимо удалять при температуре 450-500°С, спекание прессованного анода провести при температуре 1345-1700°С.

Для повышения сыпучести танталового порошка перед прессованием проводят дополнительный подогрев порошка при температуре 50-60°С и пропускают через сито, в качестве исходного порошка необходимо использовать нанокристалличе-ский металлический порошок тантала, полученный электролитическим способом (крупность 10-100 нм).

В источнике [18] применено следующее:

- в качестве исходного порошка используют нанокристаллический металлический порошок тантала или ниобия, полученный электролитическим способом крупностью 10-100 нм.

- подготовка исходной смеси, состоящей из порошка тугоплавкого металла, с пониженным содержанием кислорода и, по меньшей мере, одного связующего реагента, содержащего пластификатор и/или органическое связующее;

- прессование смеси;

- удаление связующего реагента путем термического разложения;

- спекание спрессованного анода.

Связующий реагент в качестве пластификатора (связка) - дистеарилэтилендиа-мин, в качестве органического связующего - полифторированные спирты-теломеры общей формулы H(CF2CF2)n•CH 2ОН, где п=1-6 (соотношение между порошком металла и связующим составляет 1:0,03-0,05). Прессование проводится до достижения плотности 2-5 г/см3. .

Связку удаляют при температуре 450-500°С. Спекание спрессованного анода проводится при температуре 1345-1700°С. Для повышения сыпучести танталово-го порошка перед прессованием - проводят дополнительный подогрев порошка при температуре 50-60°С и пропускают через сито. Данный способ дает оптимальный результат.

При прессовании анодной таблетки выявлен способ улучшения характеристик танталовых конденсаторов к тепловым и механическим воздействиям без уменьшения емкости конденсатора. Способ [19] включает: в полученную заготовку под давлением встраивают анодный вывод для формирования анодного элемента, затем проводят спекание при высокой температуре в атмосфере вакуума. Добавленное количество порошкообразного металла с вентильными и оксидно-восстановительными свойствами составляет 20-40 %. Такой электролитический конденсатор с твердым электролитом имеет повышенную стойкость к тепловым и механическим воздействиям без уменьшения емкости конденсатора. Прессование порошковых материалов для изготовления танталовых конденсаторов в присутствии жидкости позволяет прессовать непластичные порошки без пластификато-

ра, осуществлять одновременно с прессованием частичное удаление пластификатора и пропитку. Для увеличения удельной емкости конденсатора применен следующий метод: для повышения сыпучести перед прессованием проводят дополнительный подогрев порошка при температуре 50-60°С с пропуском через сито, в качестве порошка взят нанокристаллический металлический порошок тантала (крупность 10-100 нм).

Похожие диссертационные работы по специальности «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», 05.11.13 шифр ВАК

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Кузнецова Валентина Александровна, 2021 год

/ / /

/ / 1 / / / ( / f

/! / / / / ( ! j

7 / Г { / У / / / ......

/ / / у ....../- •••/...... 1: i i * 1 l , i

О 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Т, час

Рисунок 4.10 - Изменение 1ут в ходе проведения испытаний конденсаторов К53-ХХ номиналом 20 В х 33 мкФ (выборка 2)

Язкь , Ом 1.6

14

1.2

0 8

0.6

0.4

0,2

i 7 ? 1

i / f f 1 1 1 j t t Г Г / / f

1 / / / / / / / / / / / / /

I ../......■ í...... T / / / "N... / / / / M

7 i / "■•••/ -i'

О 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Т, час

В таблице 4.13 и рисунках 4.12-4.15 приведены значения электрических параметров конденсаторов К53-ХХ номиналом 50 В х 6,8 мкФ (выборка 3) после имитации хранения.

Т а б л и ц а 4.13 -Значения электрических параметров конденсаторов К53-ХХ номиналом 50 В х 6,8 мкФ (выборка 3) при имитации хранения

Имитация АС,% tg5, % 1ут, мкА Яэкв, Ом

хранения, лет испыт. норма испыт. норма испыт. норма испыт. норма

5 -6,38..- 2,14 0,6..0,6 0,5..0,5 0,51..0,64

15 -6,38..- 2,14 0,6..0,6 0,5..0,5 0,61..0,77

20 -6,38..- 2,14 ±20 0,5..0,6 <24 0,5..0,5 <10,2 0,5..0,65 <4,4

25 -7,09..-1,45 0,6..0,6 0,5..0,5 0,39..0,61

30 -6,38..-1,44 0,7..0,8 0,5..0,5 0,57..0,82

Значения контролируемых параметров в выборке 3 также находятся в пределах нормы (рисунки 4.12-4.15).

о -1

-2 -3 -4 -5 -6 -7

ДС, % .8

tgü, °o 1

0.9 0,8 0.7 0.6 0.5 0,4 0.3 0.2 0.1 0

N^V, \ / f

■ - • - ♦ - - -

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Т. час

Рисунок 4.13 - Изменение tg 5 в ходе проведения испытаний конденсаторов К53-ХХ номиналом 50 В х 6,8 мкФ (выборка 3)

ЯЭКЕ : ОМ

/ \ / /

7 — / N. -р -г / !

N. _ / / у • 7 /

I

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Тг час

Рисунок 4.15 - Изменение Яэкв в ходе проведения испытаний конденсаторов К53-ХХ номиналом 50 В х 6,8 мкФ (выборка 3)

С целью оценки возможности распространения методики ускоренной оценки сохраняемости на другие типы конденсаторов было проведено исследования возможности применения ускоренной оценки сохраняемости на танталовых оксидно-электролитических конденсаторах для поверхностного монтажа.

Для этого были взяты следующие номиналы конденсаторов:

Выборка 4 - номинал 125 В х 22 мкФ габ. С;

Выборка 5 - номинал 100 В х 22 мкФ габ. А;

Выборка 6 - номинал 100 В х 220 мкФ габ. Е.

Режим испытаний - согласно таблицы 4.5.

В таблице 4.14 и рисунках 4.16-4.19 приведены значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4) после имитации хранения.

Т а б л и ц а 4.14 -Значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ

номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4) при имитации хранения

Имитация хранения, лет ДС,% tgS, % 1ут, мкА Язке, Ом

испыт. норма испыт. норма испыт. норма испыт. норма

5 0..2,22 ±50 0,9..1,5 <70 1..1 <90 0,32..0,69 <10

15 0..2,22 1,0..1,5 1..1 0,31..0,47

20 0..2,22 1..1 1..1 0,31..0,47

25 0..2,27 0,8..1,4 1..5 0,3..0,45

30 0,43..9,21 0,9..1,8 3..3 0,57..0,82

В выборке 4 существенные изменения контролируемых параметров (например ток утечки) наблюдаются после 25 лет, при этом находятся в пределах нормы (рисунки 4.16-4.18).

дс: %

/

1

> — - i 1

Л / / /у I

• / .......у 7

i 11 )0 21 )0 31 Ю 4( Ю 51 ю *Tü Ю 71 )0 81 )0 Э(

Т. час

Рисунок 4.16 - Изменение емкости АС в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4)

и

/ i

//

/ // / у}

-/7 У

о 100 200 300 400 500 е00 700 s00 900

Т: час

Рисунок 4.17 - Изменение tg 5 в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4)

1ут, мкА 6 т-

0 -I---------

0 100 200 300 400 £00 600 700 800 900

Т, час

Рисунок 4.18 - Изменение 1ут в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4)

R_4iE., Ом 1,6

1,4

1,2

1

0.8 0,6 0,4 0 2 О

О 100 200 300 400 500 600 700 ООО 900

Т, час

Рисунок 4.19 - Изменение Яэкв в ходе проведения испытаний конденсаторов

К52-ХХ номиналом 125 В х 22 мкФ (выборка 4) В таблице 4.15 и рисунках 4.20-4.23 приведены значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 22 мкФ (выборка 5) после имитации хранения.

Т а б л и ц а 4.15 -Значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 22 мкФ (выборка 5) при имитации хранения

Имитация хранения, лет ДС,% tgS, % 1ут, мкА Яэкв, Ом

испыт. норма испыт. норма испыт. норма испыт. норма

5 0..2,38 ±50 1.1,4 <80 1..3 <70 0,4..0,51 <15

15 0..2,32 1.1,4 1..3 0,4..0,5

20 0..2,38 1.1,6 1..1 0,4..0,51

25 0..2,38 1.1,5 1..3 0,39..0,5

30 2,3..6,13 1.1,3 1..1 0,39..0,49

ДС. % 7

-1

/

/

i

i

/ / , *- .1 /

. / 7 / : / / / у

i 11 Ю 21 Ю 31 Ю 41 Ю 51 Ю 61 Ю 71 Ю 81 Ю 91

Т. час

Рисунок 4.20 - Изменение емкости АС в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 22 мкФ (выборка 5) tg5:% 1,8

1,6 1.4 1.2 1

0,8 0,6 0.4 0,2 0

/ / 1 / / п . . -

.....-/ ........./ 1 --•■"i : i

О 100 200 300 400 600 600 700 800 900

Т= час

100 200 300 400 500 600 700 800 ЭОО

Т, час

Рисунок 4.22 - Изменение 1ут в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом100 В х 22 мкФ (выборка 5)

Raen , Ом 0,6

05

0,4

03

02

0,1

4— 1 Т —Ь- I

/ / , ' / i —1_ -1— I---

/ ! / / /

1 ± -

О 10 0 200 3 00 400 5 00 60 0 700

000 900 Т. час

В таблице 4.16 и рисунках 4.24-4.27 приведены значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 220 мкФ (выборка 6) после имитации хранения.

Т а б л и ц а 4.16 -Значения электрических параметров конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 220 мкФ (выборка 6) при имитации хранения

Имитация хранения, лет АС,% tg5, % 1ут, мкА Яэкв, Ом

испыт. норма испыт. норма испыт. норма испыт. норма

5 0..1,48 ±50 2,6..3,3 <250 5..5 <870 0,11..0,16 <5

15 0..1 2,5..3 5..5 0,11..0,18

20 0,49..1 2,2..3,2 5..5 0,11..0,13

25 0..1,48 2,5..3,1 10..10 0,11..0,13

30 0,98..2 2,3..3,2 10..10 0,11..0,12

Рисунок 4.24 - Изменение емкости АС в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 220 мкФ (выборка 6)

Рисунок 4.25 - Изменение 5 в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 220 мкФ (выборка 6)

Е^ш, , Ом

0,2

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

0 08

0 06

О 04

О 02

""У

/

/ / /Ч

""У / / V

т / г / т / / т '""■/ '" 'Т

1 1 1 1 1

100

200

300

400

500

600

700

800

900 Т. час

Рисунок 4.27 - Изменение Яэкв в ходе проведения испытаний конденсаторов К52-ХХ номиналом 100 В х 220 мкФ (выборка 6)

Из рисунков 4.4-4.27 наблюдаем, что отклонение от монотонной зависимости для всех выборок на уровне 550 час и 700 час связаны с критическими моментами воздействия тепла на конденсаторы (тепловое старение оксидной пленки). Данный момент носит показательный характер - конденсаторы с лучшими параметрами - являются наиболее качественными (с достаточной толщиной оксидной пленки).

Применение методики ускоренной оценки сохраняемости позволит выявить некачественнее конденсаторы на ранней стадии (стадии производства, а не стадии эксплуатации) [136].

Выводы по главе IV

1. Метод прогнозирования по временной зависимости по результатам испытаний при длительном хранении конденсаторов в условиях отапливаемого хранилища позволяет рассчитать максимальный допустимый срок сохраняемости, но для применения данного метода требуется длительное время испытания (6-7,5 лет).

2. Применение методики ускоренной оценки сохраняемости на основе теплового метода позволяет выявить некачественнее конденсаторы на ранней стадии (стадии производства, а не стадии эксплуатации) с сокращением времени испытаний до 80 дней вместо 6-7,5 лет по методу прогнозирования по временной зависимости.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработана методика ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов с примененными новыми материалами в условиях хранения и эксплуатации, основанная на воздействии тепла, а именно повышенной температуры среды при 125 °С, на конденсаторы без приложения электрического напряжения, инициирующей старение его элементов, позволяющая оценить их сохраняемость, качество и надежность с сокращением времени испытаний до 80 дней вместо 6-7,5 лет по известной методике.

2. Установлена интенсивность отказов танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов от времени испытания (эксплуатации), которые растут, начиная с 8000 часов, а наиболее существенный рост среди электрических параметров относительно первоначальных наблюдается у параметра ток утечки, при этом резкое увеличение значения тока утечки происходит с 10000 часов, и, соответственно, отказ конденсаторов по данному параметру.

3. Показано, что при контроле электрических параметров на стадии тестирования конденсаторов с истекшим сроком хранения анодных выводов и серебросодержащей пасты наблюдается существенный рост значений тока утечки, что приводит к значительному увеличению выхода годных, а с ростом удельной усадки анода после введения пластификатора при спекании танталового порошка, снижается емкость танталовых объемно-пористых анодов в разной степени для конденсаторов с разным удельным зарядом.

4. Определено минимальное усилие сцепления анодной таблетки с танталовым выводом анода, которое должно составлять не менее 30 Н, что подтверждается минимальными значениями тока утечки конденсаторов, при этом существенно растет выход годных конденсаторов, вместе с тем качество корпуса на изменение емкости практически не влияет, но значительно влияет на тангенс угла потерь, ток утечки и полное сопротивление танталовых конденсаторов.

5. Установлена зависимость между качеством материала корпуса (твердый термореактивный полимерный материал, содержащий эпоксидную смолу) из

разных партий и эксплуатационными параметрами конденсаторов. Качество материала корпуса двух партий (с наличием дефектов при опрессовке и без дефектов) на изменение емкости практически не влияет, но значительно влияет на тангенс угла потерь, ток утечки и полное сопротивление.

6. Разработана и внедрена в производстве ОАО «Элеконд» методика ускоренной оценки качества конденсаторов с примененными новыми материалами. Результаты, полученные при выполнении данной работы, могут быть использованы как при производстве уже существующих танталовых конденсаторов, так и при разработке новых изделий. Результаты исследования электрических эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов по операциям производственного цикла в зависимости от времени эксплуатации и хранения использованы в образовательном процессе в ИжГТУ имени М.Т. Калашникова при подготовке бакалавров по направлению 12.03.00 «Приборостроение» по дисциплине «Основы проектирования приборов».

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Качество исходных материалов при изготовлении танталовых конденсаторов оказывает существенное влияние на их надежность (безотказность, сохраняемость).

Области применения конденсаторов в промышленной и специальной электронике для нужд народного хозяйства и военного назначения предъявляют повышенные требования к надежности изделий, в том числе и длительному сроку их хранения (20-30 лет). Известно, что для определения надежности конденсаторов необходимо убедится в качестве применяемых материалов. Однако, изменение свойств материалов, используемых в конденсаторах при длительном хранении, неизвестны, т.к. отсутствует данные по хранению каждого номинала конденсатора с примененным новым материалом, например, возможные изменения их основных электрических параметров во время хранения у потребителя. Поэтому важным моментом в производстве конденсаторов является определение критериев качества исходных материалов, влияющих на надежность изделий при их длительном хранении, что может быть реализовано с помощью ускоренных методик контроля сохраняемости.

Разработана методика проведения ускоренных испытаний конденсаторов на сохраняемость, основанная на повышении температуры при хранении, инициирующей старение его элементов. Методика внедрена в производство ОАО «Элеконд» для оценки качества применяемых материалов.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Беленький Б., Горбунов Н. Танталовые конденсаторы - проблемы и перспективы / Б. Беленький, Н. Горбунов // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. - 2008, 07. - С. 54-57.

2. Б. Ключников, К. Калаев. Танталовые конденсаторы компании Vishay— широкий диапазон и высокое качество [Электронный ресурс] / Б. Ключников, К. Калаев // CHIP NEWS. - 2007, 07. - С.6-9.

3. Ежов В. Проблемы и перспективы развития отечественной пассивной электронной компонентной базы / В. Ежов // Электроника: Наука, технология, бизнес. - 2019. - № 3. - С. 44-49.

4. Алыков А.Н., Сашов А.А. Обеспечение качества пассивной ЭКБ для высоконадежной РЭА / А.Н. Алыков, А.А. Сашов // В сборнике: Новые материалы и технологии для ракетно-космической и авиационной техники. -2018. - С. 104-110.

5. Меркулов, В.И. Основы конденсаторостроения: учебное пособие / В. И. Меркулов. - Томск: Изд. ТПУ, 2001. - 121 с.

6. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Комплексный контроль качества приварки выводов танталовых объемно-пористых конденсаторов / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Вестник ИжГТУ имени М.Т. Калашникова - 2018. - Т. 21. № 2. -С. 147-158.

7. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Влияние дефектов на выход годных при производстве герметичных танталовых объемно-пористых конденсаторов с жидким электролитом / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2014. Интеграция науки, образования и производства. Сборник материалов X Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. ФГБОУ ВПО "Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова": В. И. Заболотских - научный редактор. - 2015. - С. 158-163.

8. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Управление производством танталовых конденсаторов с жидким электролитом посредством контроля операционного

выхода годных / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Вестник ИжГТУ им. М.Т. Калашникова. - 2015. -№ 2. - С.72-75.

9. Гилёв В.А., Старостин А.Г., Пойлов В.З. Исследование содержания остаточного углерода в танталовых анодах и путей его удаления в производстве танталовых чип-конденсаторов / В.А. Гилёв, А.Г. Старостин, В.З. Пойлов // Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Химическая технология и биотехнология. - 2019. - № 2. - С. 138146.

10. Алыков А.Н., Кулибаба А.Я., Булаев И.Ю. Обеспечение качества пассивной электронной компонентной базы для высоконадёжной радиоэлектронной аппаратуры / А.Н. Алыков, А.Я. Кулибаба, И.Ю. Булаев // В сборнике: Молодёжь и будущее авиации и космонавтики. 10-й Всероссийский межотраслевой молодёжный конкурс научно-технических работ и проектов: аннотации конкурсных работ. - 2018. - С. 267-269.

11. Беляева Е.А. Контроль качества танталовых конденсаторов на основе анализа выявляемых дефектов в процессе производства и эксплуатации / Е.А. Беляева // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2017. Интеграция науки, образования и производства. сборник материалов XIII Международной научно-технической конференции. - 2018. - С. 23-29.

12. Леонтьев Л.И., Лисин В.Л., Костылев В.А., Петрова С.А. Получение наноразмерных и ультрадисперсных металлических и композиционных порошков различного назначения / Л.И. Леонтьев, В.Л. Лисин, В.А. Костылев, С.А. Петрова // В сборнике: Наноматериалы и технологии - VIII. VIII Международная конференция «Наноматериалы и технологии», VIII Международная конференция по материаловедению, III Международная молодежная конференция «Наноматериалы и технологии», V Китайско-Монгольско-Российская конференция по функциональным материалам. - 2019. - С. 312-317.

13. Ларионов Р.Е., Масленников О.О. Новые тенденции в совершенствовании технологии и улучшении свойств порошка тантала / Р.Е. Ларионов, О.О. Масленников // Молодой ученый. - 2020. - № 6. - С. 41-44.

14. Кайназарова А.Э., Кокаева Г.А., Ревуцкий А.В. Производство конденсаторного порошка тантала с улучшенными характеристиками / А.Э. Кайназарова, Г.А. Кокаева, А.В. Ревуцкий // Вестник горно-металлургической секции Российской академии естественных наук. Отделение металлургии. - 2018. - № 41. - С. 167-172.

15. Прохорова Т.Ю., Орлов В.М., Беляевский А.Т. Термообработка металлотермических порошков тантала / Т.Ю. Прохорова, В.М. Орлов, А.Т. Беляевский // В книге: Синтез и консолидация порошковых материалов. Сборник тезисов Международной конференции. - 2018. - С. 574-578.

16. Кокаева Г.А., Ревуцкий А.В., Абдулина С.А., Адильханова М.А. Оптимизация технологии производства конденсаторного агломерированного порошка тантала / Г.А. Кокаева, А.В. Ревуцкий, С.А. Абдулина, М.А. Адильханова // Комплексное использование минерального сырья. - 2018. - № 4 -С. 121-129.

17.Хаас Х., Хагимаси М., Брумм Х., Шниттер К. Способ получения электролитических конденсаторов из порошков вентильных металлов. - Патент на изобретение RU 2615415 С, 04.04.2017. Заявка № 2014108710 от 08.08.2012.

18. Старостин С.П., Леонтьев Л.И., Степанов А.В., Лебедев В.П., Костылев В.А. Перспективы использования танталовых нанокристаллических порошков и композиционного материала "тантал-рутений-оксид рутения" в танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторах чип-исполнения и танталовых объемно-пористых конденсаторах / С.П. Старостин, Л.И. Леонтьев, А.В. Степанов, В.П. Лебедев, В.А. Костылев // В сборнике: Технологии и материалы для экстремальных условий (создание и разработка технологий изготовления электроактивных материалов для преобразователей и накопителей энергии). Материалы Всероссийской конференции. МЦАИ РАН. - 2015. - С. 106111.

Костылев, М.С. Боков, Л.И. Леонтьев, В.Л. Лисин, С.А. Петрова. - Опубл. 27.03.2012 с приоритетом от 01.11.10 г.

20. Колосов В.Н., Орлов В.М., Мирошниченко М.Н., Прохорова Т.Ю. Прочностные и электрические характеристики анодов танталовых объемно-пористых конденсаторов / В.Н. Колосов, В.М. Орлов, М.Н. Мирошниченко, Т.Ю. Прохорова// Деформация и разрушение материалов. - 2012. - С.29-32.

21. Прохорова Т.Ю., Орлов В.М., Мирошниченко М.Н., Колосов В.Н. Влияние условий получения танталовых конденсаторных порошков на тангенс угла диэлектрических потерь анодов / Т.Ю. Прохорова, В.М. Орлов, М.Н. Мирошниченко, В.Н. Колосов, // Неорганические материалы. - 2014. - С.161.

22. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Влияние переменной синусоидальной составляющей пульсирующего напряжения при оксидировании объемно-пористых анодов танталовых конденсаторов на электрические параметры / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Интеллектуальные системы в производстве. - № 2. -2014. - С.96-102.

23.Pat. JP 4911590 B2- Publ. Apr.21.2012.

24.Pat. JP 4688583 B2- Publ. May.25.2012.

25.Pat. JP 4836738 B2- Publ. Dec.14.2011.

26.Pat. JP 4408047 B2- Publ. Feb.03.2010.

27. Барсуков В.К., Сибгатуллин Б.И. Пробой оксидных пленок танталовых конденсаторов при воздействии зарядных токов большой амплитуды / В.К. Барсуков, Б.И. Сибгатуллин // В сборнике: Наука. Технология. Производство -2016: Современные методы и средства диагностики электроэнергетического и электротехнического оборудования, средств и систем автоматики. материалы Всероссийской научно-технической конференции, посвященной 60-летию филиала УГНТУ в г. Салавате. Уфимский государственный нефтяной технический университет, филиал в г. Салавате. - 2016. - С. 23-26.

28. Барсуков В.К., Сибгатуллин Б.И. Влияние емкости танталовых конденсаторов на условия испытаний импульсным током / В.К. Барсуков, Б.И.

Сибгатуллин// В сборнике: Тинчуринские чтения. Материалы докладов XI Международной молодежной научной конференции. - 2016. - С. 132-133.

29. Алыков А.Н., Корбанкова Т.Ю., Кулибаба А.Я. Рентгеновский контроль изделий ЭКБ / А.Н. Алыков, Т.Ю. Корбанкова, А.Я. Кулибаба // В книге: Актуальные проблемы физической и функциональной электроники. материалы 22-й Всероссийской молодежной научной школы-семинара. - 2019. - С. 315-317.

30. Морозов А.В., Морозов В.А., Барсуков В.К. Источники питания для испытаний танталовых конденсаторов [Электронный ресурс] / А.В. Морозов, В.А. Морозов, В.К. Барсуков // Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке электронное научное издание: сборник трудов II Всероссийской научно-технической конференции аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием. - 2013. - С.1352-1355.

31. Юрлова М.С., Григорьев Е.Г., Олевский Е.А., Деменюк В.Д. Электроимпульсная консолидация танталовых анодов для электролитических конденсаторов / М.С. Юрлова, Е.Г. Григорьев, Е.А. Олевский, В.Д. Деменюк // Физика и химия обработки материалов. - 2014. - № 5. - С. 82-90.

32. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Влияние пористости и режимов оксидирования анода на качество танталовых конденсаторов с жидким электролитом / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Контроль. Диагностика. - 2016. -№ 3. - С. 62-70.

33. Старостин С.П., Леонтьев Л.И., Костылев В.А., Лисин В.Л., Захаров Р.Г., Петрова С.А. Микроструктура и функциональные характеристики анодов танталовых конденсаторов нового поколения / С.П. Старостин, Л.И. Леонтьев, В.А. Костылев, В.Л. Лисин, Р.Г. Захаров, С.А. Петрова // Бутлеровские сообщения. - 2010. - Т. 21. № 9. - С. 37-43.

34.Дрогобужская С.В., Прохорова Т.Ю. Исследование танталовых порошков для анодов электролитических конденсаторов / С.В. Дрогобужская, Т.Ю. Прохорова // Перспективные материалы. - 2011. - № 11. - С. 116-119.

35. Хаас Х., Хагимаси М., Раволь К. Способ изготовления спеченных изделий из вентильного металла, обладающих большой удельной поверхностью и низким

содержанием кислорода. - Патент на изобретение RU 2678220 C2, 24.01.2019. Заявка № 2015148481 от 10.04.2014.

36. Башлыков С.С., Шорников Д.П. Устройство для электроимпульсного прессования конденсаторов из порошковых материалов. -Патент на полезную модель RU 191477 U1, 07.08.2019. Заявка № 2019114281 от 07.05.2019.

37. Ганц О.Ю., Юдина А.Д., Жирнова В.О., Тимонина А.С., Люкшина Ю.И., Ахматова А.А. Синтез оксида рутения (IV) на тантале методом атомно-слоевого осаждения / О.Ю. Ганц, А.Д. Юдина, В.О. Жирнова, А.С. Тимонина, Ю.И. Люкшина, А.А. Ахматова // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. - 2020. - Т. 63. № 7. - С. 26-30.

38. Остер В.О., Чернов Д.В., Шавкунов С.П. Влияние предварительной подготовки поверхности танталового электрода при оксидировании до напряжения 250 В в растворе H3PO4 / В.О. Остер, Д.В. Чернов, С.П. Шавкунов // В сборнике: Современные аспекты химии. материалы V молодежной школы-конференции. Пермский государственный национальный исследовательский университет. - 2018. - С. 249-251.

39. Иванченко С.Н., Пойлов В.З. Оптимизация процесса реанодизации при производстве танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов / С.Н. Иванченко, В.З. Пойлов // Инженерный вестник Дона. - 2018. - № 2. - С. 6.

40. Небера А.Л., Лизунов А.В., Семенов А.А., Маркушкин Ю.Е. Исследование условии оксидирования высокоемких танталовых анодов из порошков с нанокристаллической структурой / А.Л. Небера, А.В. Лизунов, А.А. Семенов, Ю.Е. Маркушкин // Композиты и наноструктуры. - 2017. - Т. 9. № 3-4 - С. 123128.

41. Чернов Д.В., Шавкунов С.П., Остер В.О. Влияние подготовки поверхности танталовых электродов на процесс электрохимического окисления в растворе ортофосфорной кислоты / Д.В. Чернов, С.П. Шавкунов, В.О. Остер // Вестник Пермского университета. Серия: Химия. - 2016. - № 3 (23). - С. 63-70.

42. Пат. 2456697 РФ, С1. Способ получения оксидного слоя на анодах оксидно-полупроводниковых и электролитических конденсаторов. Л.М. Меринов, В.Е. Александров, С.П. Прокофьев - Опубл. 20.07.12 с приоритетом от 16.06.11 г.

43. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Влияние переменной синусоидальной составляющей пульсирующего напряжения при оксидировании объемно-пористых анодов танталовых конденсаторов на электрические параметры / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Интеллектуальные системы в производстве. - 2014. -№ 2 (24). - С. 96-102.

44. Лановецкий С.В. Исследование процесса регенерации пропиточных растворов нитрата марганца с последующим получением кристаллогидрата нитрата марганца / Лановецкий С.В. // - Химическая промышленность сегодня. -2012. - С.7-11.

45. Лановецкий С.В. Старостин А.Г., Пойлов В.З. Особенности формирования структуры пленочных покрытий в результате терморазложения растворов нитрата марганца / Лановецкий С.В. Старостин А.Г., Пойлов В.З // - Научно-технический вестник поволжья. - 2012. - С.125-130.

46. Пат. 2410329 РФ, C1. Способ получения гексагидрата нитрата марганца высокой чистоты / А.В. Степанов, В.С. Конышев, В.П. Лебедев, С.В. Лановецкий, В.З. Пойлов. - Опубл. 27.01.2011 с приоритетом от 31.08.09 г.

47.Пат. 2415835 РФ, C1. Способ получения тетрагидрата ацетата марганца высокой чистоты/ А.В. Степанов, В.С. Конышев, В.П. Лебедев, С.В. Лановецкий, В.З. Пойлов. - Опубл. 10.04.2011 с приоритетом от 31.08.09 г.

48. Пат. 2444575 РФ, C1. Способ получения диоксида марганца/ А.Н. Серегин, В.М. Ермолов, Д.Ю. Жуков - Опубл. 10.03.12 с приоритетом от 05.10.10 г.

49.Пат. 2463679 РФ. Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор/ А.В. Степанов, В.С. Конышев, Л.Н. Цыплакова, С.П. Старостин, А.А. Масалев, Ю.А. Чесноков. - Опубл. 10.10.12 с приоритетом от 18.07.11 г.

50. Пат. 2516525 РФ. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора/ В.З. Пойлов, А.В. Степанов, В.С. Конышев,

Л.Н. Цыплакова, А.А. Масалев, Ю.А. Чесноков., А.Г. Старостин, С.В. Лановецкий - Опубл. 20.05.14 с приоритетом от 17.12.12 г.

51. Пат. 2480855 РФ. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора/ В.З. Пойлов, А.В. Степанов, В.С. Конышев, В.П. Лебедев, С.В. Лановецкий, К.Г. Кузьминых - Опубл. 27.04.15 с приоритетом от 15.09.11 г.

52.Pat. JP 4589187 B2- Publ. Dec.01.2010.

53.Pat. JP 4555190 B2- Publ. Sep.29.2010.

54. Старостин А.Г., Лановецкий С.В., Пойлов В.З. Влияние характеристик поверхностных явлений нитрата марганца на пропитку танталового анода конденсатора / Старостин А.Г., Лановецкий С.В., Пойлов В.З. // Инженерный вестник Дона. - 2013. - С.73.

55.Pat. JP 4596541 B2- Publ. Dec.08.2010.

56. Пат. 2321474 РФ, С1. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора/ В.З. Пойлов, А.В. Степанов, В.С. Конышев, В.П. Лебедев, С.В. Лановецкий, К.Г. Кузьминых - Опубл. 27.04.15 с приоритетом от 15.09.11 г.

57.Pat. JP 4398794 B2- Publ. Jan.13.2010.

58.Pat. JP 4891186 B2- Publ. Mar.07.2012.

59. Пат. 2322722 РФ, С1. ^особ получения оксидного слоя на анодах оксидно-полупроводниковых и электролитических конденсаторов. Л.М. Меринов, Н.В. Галашина, В.Е. Александров, С.П. Прокофьев - Опубл. 20.04.08 с приоритетом от 18.12.06 г.

60.Pat. US 7852615 B2- Publ. Dec.14.2010.

61.Pat. US 7768773 B2- Publ. Aug.03.2010.

62. Иванченко С.Н., Пойлов В.З. Оптимизация процессов нанесения катодной обкладки танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов / С.Н. Иванченко, В.З. Пойлов // Химия. Экология. Урбанистика. - 2017. - Т. 1. - С. 512-515.

63. Иванченко С.Н. Исследование способов снижения сопротивления катодной обкладки танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов / С.Н. Иванченко // - Химия. Экология. Урбанистика. - 2018. - Т. 1. - С. 679-683.

64. Старостин А.Г., Потапов И.С. Особенности получения покрытия диоксида марганца методом термолиза на танталовом аноде конденсатора. / А.Г. Старостин, И.С. Потапов // Инженерный вестник Дона. - 2014. - № 1. - С. 57.

65. Старостин А.Г., Лановецкий С.В., Пойлов В.З. Влияние характеристик поверхностных явлений нитрата марганца на пропитку танталового анода конденсатора / Старостин А.Г., Лановецкий С.В., Пойлов В.З // Инженерный вестник Дона. - 2013. - № 2. - С. 73.

66. Иванченко С.Н., Пойлов В.З., Старостин А.Г., Лановецкий С.В. Методы очистки диоксида марганца для получения танталовых конденсаторов с низким эквивалентным последовательным сопротивлением / С.Н. Иванченко, В.З. Пойлов, А.Г. Старостин, С.В. Лановецкий // Химия в интересах устойчивого развития. - 2019. - Т. 27. № 5. - С. 477-482.

67. Иванченко С.Н., Пойлов В.З. Исследование возможности импортозамещения пирогенного аморфного диоксида кремния при приготовлении марганцевой суспензии / С.Н. Иванченко, В.З. Пойлов // Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Химическая технология и биотехнология. - 2016. - № 3. - С. 93-101.

68. Иванченко С.Н., Старостин А.Г., Пойлов В.З. Химическая регенерация пропиточных растворов МЩЫС3)2 при производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов / С.Н. Иванченко, А.Г. Старостин, В.З. Пойлов // Инженерный вестник Дона. - 2016. - № 1. - С. 6.

69. Кулакова Е.А., Иванченко С.Н., Старостин А.Г., Пойлов В.З. Выявление путей образования примесей в пропиточных растворах МЩЫ03) 2 при производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов / Е.А. Кулакова, С.Н. Иванченко, А.Г. Старостин, В.З. Пойлов // Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Химическая технология и биотехнология. - 2015. - № 1. - С. 29-39.

70. Иванченко С.Н., Пойлов В.З. Исследование возможности снижения сопротивления покрытия коллоидного графита в конструкции твердотельных танталовых конденсаторов / С.Н. Иванченко, В.З. Пойлов // Инженерный вестник Дона. - 2017. - № 2. - С. 6.

71. Pat. JP 4614269 B2- Publ. Jan.19.2011.

72.Pat. JP 4875468 B2- Publ. Feb.15.2012.

73.Pat. JP 4613669 B2- Publ. Jan.19.2011.

74.Pat. JP 4401218 B2- Publ. Jan.20.2010.

75.Pat. JP 4953090 B2- Publ. Jun.13.2013.

76.Pat. JP 4912371 B2- Publ. Apr.11.2012.

77.Pat. JP 4899759 B2- Publ. Mar.21.2012.

78.Pat. JP 4877093 B2- Publ. Feb.15.2012.

79.Pat. JP 4877110 B2- Publ. Feb.22.2012.

80.Pat. JP 4392585 B2- Publ. Jan.06.2010.

81.Pat. US 8139344 B2- Publ. Mar.20.2012.

82.Pat. US 8072735 B2- Publ. Dec.06.2011.

83. Pat. US 7869190 B2- Publ. Jan.11.2011.

84. Кузнецов П.Л. Применение стресс-теста при контроле качества оксидно-электролитических конденсаторов / Кузнецов П.Л. // Молодые ученые -ускорению научно-технического прогресса в XXI веке сборник материалов III Всероссийской научно-технической конференции аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием: электронное научное издание. - 2015. - С.308-310.

85. Кузнецов П.Л. Муравьев В.В. Контроль качества электролитических танталовых конденсаторов с использованием стресс-теста / П.Л. Кузнецов В.В. Муравьев // Приборы и методы измерений. - 2015. - № 1 - С.76-80.

86. Беляева Е.А. Исследование возможности отбраковки танталовых конденсаторов по напряжению пробоя танталового порошка анодной поверхности / Е.А. Беляева // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2016. Интеграция

науки, образования и производства. Сборник материалов XII Международной научно-технической конференции. - 2017. - С. 33-42.

87. Барсуков В.К., Пустовалов М.А., Соломин А.В., Чепкасова М.А. Исследование схем замещения танталовых конденсаторов / В.К. Барсуков, М.А. Пустовалов, А.В. Соломин, М.А. Чепкасова // В сборнике: Приборостроение в XXI веке-2011. Интеграция науки, образования и производства. сборник материалов VII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием, посвященной 50-летию приборостроительного факультета. Минобрнауки РФ, ФГБОУ ВПО Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова. - 2012. - С. 216-220.

88. Корепанов В.В., Сигбатуллин Б.И., Морозов А.В., Новоселов М.Л., Барсуков В.К., Морозов В.А., Штин А.А. Анализ схем источников питания для испытания танталовых чип-конденсаторов / В.В. Корепанов, Б.И. Сигбатуллин,

A.В. Морозов, М.Л. Новоселов, В.К. Барсуков, В.А. Морозов, А.А. Штин // Интеллектуальные системы в производстве. - 2014. - № 1 - С.136-139.

89. Соломин А.В., Чепкасова М.А., Новоселов М.Л., Барсуков В.К. Разработка стенда для тестирования танталовых чип-конденсаторов импульсным током / А.В. Соломин, М.А. Чепкасова, М.Л. Новоселов, В.К. Барсуков // Молодые ученые -ускорению научно-технического прогресса в XXI веке электронное научное издание: сборник трудов II Всероссийской научно-технической конференции аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием. - 2013. - С.1386-1389.

90. Сигбатуллин Б.И., Барсуков В.К. Влияние параметров стенда импульсного тестирования на результаты испытаний / Б.И. Сигбатуллин, В.К. Барсуков // Интеллектуальные системы в производстве. - 2014. - № 2. - С.195-202.

91. Барсуков В.К., Сибгатуллин Б.И. Емкость батареи конденсаторов в стенде испытаний танталовых конденсаторов импульсным током / Б.И. Сигбатуллин,

B.К. Барсуков // В сборнике: VIII Камские чтения. сборник докладов Всероссийской научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых : в 3-х ч.. под ред. Л.А. Симоновой ; Министерство образования

и науки РФ, Набережночелнинский институт Казанского (Приволжского) федерального университета. - 2016. - С. 352-355.

92. Барсуков В.К., Пустовалов М.А. Особенности испытания танталовых конденсаторов большими значениями токов // В.К. Барсуков, М.А. Пустовалов // В сборнике: Интеграция науки, образования и производства-2010. Приборостроение в XXI веке. сборник материалов VI Всероссийской научно-технической конференции. Министерство образования и науки РФ, ГОУ ВПО Ижевский государственный технический университет им. М.Т. Калашникова. -2011. - С. 194-199.

93. Барсуков В.К., Соломин А.В., Новоселов М.Л. Методика отбора эталонных образцов для настройки порогов разбраковки прибора импульсного тестирования танталовых конденсаторов ИТК-10 / В.К. Барсуков, А.В. Соломин, М.Л. Новоселов // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2012. Интеграция науки, образования и производства. Материалы VIII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием, посвященной 60-летию ИжГТУ им. М.Т. Калашникова. - 2012. - С. 185-189.

94. Барсуков В.К., Корепанов В.В., Новоселов М.Л., Сибгатуллин Б.И. Моделирование схемы испытания танталовых конденсаторов в MULTISIM / В.К. Барсуков, В.В. Корепанов, М.Л. Новоселов, Б.И. Сибгатуллин // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2012. Интеграция науки, образования и производства. Материалы VIII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием, посвященной 60-летию ИжГТУ им. М.Т. Калашникова. - 2012. - С. 125-129.

95. Барсуков В.К., Пустовалов М.А., Соломин А.В. Исследование влияния индуктивности цепи заряда на характер переходного процесса при импульсивном тестировании танталовых конденсаторов / В.К. Барсуков, М.А. Пустовалов, А.В. Соломин // В сборнике: Измерения, контроль и диагностика - 2012. Сборник материалов II Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, с международным участием, посвященной 60-летию Ижевского государственного технического университета имени М. Т.

Калашникова. Редколлегия: Г. В. Ломаев (главный редактор), С. А. Мурашов, Л. В. Волкова. - 2012. - С. 276-280.

96. Барсуков В.К., Пустовалов М.А., Соломин А.В., Дровосеков Д.В. Стенд ИТК-10 для тестирования танталовых конденсаторов импульсивным током. / В.К. Барсуков, М.А. Пустовалов, А.В. Соломин, Д.В. Дровосеков // В сборнике: Измерения, контроль и диагностика - 2012. Сборник материалов II Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, с международным участием, посвященной 60-летию Ижевского государственного технического университета имени М. Т. Калашникова. Редколлегия: Г. В. Ломаев (главный редактор), С. А. Мурашов, Л. В. Волкова. -2012. - С. 281-284.

97. Пустовалов М.А., Соломин А.В. Тестирование танталовых конденсаторов в соответствии стандартами М1Ь-РКР-55365 И ESA/SCC №3012 / М.А. Пустовалов, А.В. Соломин // В сборнике: Приборостроение в XXI веке-2011. Интеграция науки, образования и производства. сборник материалов VII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием, посвященной 50-летию приборостроительного факультета. Минобрнауки РФ, ФГБОУ ВПО Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова. -2012. - С. 220-225.

98. Сибгатуллин Б.И. Заряд и разряд танталовых конденсаторов при испытаниях импульсным током / Б.И. Сибгатуллин // В сборнике: Молодежь и научно-технический прогресс. IX международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых: в 4 томах. - 2016. - С. 130-132.

99. Барсуков В.К., Сибгатуллин Б.И. Контроль качества танталовых чип-конденсаторов с помощью испытаний импульсным током / В.К. Барсуков, Б.И. Сибгатуллин // Контроль. Диагностика. - 2018. - № 3. - С. 58-63.

100. Сибгатуллин Б.И., Барсуков В.К. Расчет и моделирование переходных процессов при испытаниях танталовых конденсаторов импульсным током / Б.И.

Сибгатуллин, В.К. Барсуков // Интеллектуальные системы в производстве. -2015. - № 1 (25). - С. 115-120.

101. Сибгатуллин Б.И., Барсуков В.К. Математическое моделирование переходных процессов при заряде конденсатора с распределенными параметрами методом конечных элементов / Б.И. Сибгатуллин, В.К. Барсуков // Интеллектуальные системы в производстве. - 2018. - Т. 16. № 3. - С. 58-65.

102. Сибгатуллин Б.И. Программа для расчета переходных процессов, возникающих в танталовом конденсаторе, на основе лестничной схемы замещения. - Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2018612192, 13.02.2018. Заявка № 2017663153 от 18.12.2017.

103. Синякова О., Рентюк В. Зависимость времени наработки на отказ электролитических конденсаторов от реальных условий их эксплуатации / О. Синякова, В. Рентюк // Компоненты и технологии. - 2014. - № 7. - С. 49-54.

104. Васильев А.Н., Костельова Л.А., Курицин В.П., Новотельново А.В., Ханин С.Д. Исследование сохраняемости объемно-пористых конденсаторов / А.Н. Васильев, Л.А. Костельова, В.П. Курицин, А.В. Новотельново, С.Д. Ханин // -Электронная техника. Сер.Упр.Кач-вом, Стандартизация, Метрология, Испытания. - 1987 - №2 - С.60-63.

105. Алыков А.Н., Булаев И.Ю., Кулибаба А.Я. Отбраковка танталовых конденсаторов для комплектования высоконадежной аппаратуры / А.Н. Алыков, И.Ю. Булаев, А.Я. Кулибаба // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. - 2018. - Т. 18. № 3. - С. 671-674.

106. Муравьева А.С. Анализ отказов танталовых конденсаторов при сборке и регулировке электронных средств / А.С. Муравьева // В сборнике: Наукоемкие проекты и технологии в машино- и приборостроении, медицине. Сборник материалов Всероссийской молодежной научной конференции. - 2018. - С. 99103.

автоматизации и управления в технических системах. Сборник статей Международной научно-технической конференции. - 2013. - С.223.

108. Гнеушев О. Надежность и срок службы пленочных конденсаторов / О. Гнеушев // Силовая электроника. - 2015. - С.10-12.

109. Горбачев И.П., Сашов А.А. Метод выявления внутренних дефектов танталовых конденсаторов для снижения количества отказов аппаратуры / И.П. Горбачев, А.А. Сашов // Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы. - 2019. - Т. 6. № 1. - С. 94-101.

110. Геликман Б.Ю., Кристаллинский Л.Л., Столов Л.А., Ханин С.Д. Основные причины и механизмы отказов конденсаторов. / Б.Ю. Геликман, Л.Л. Кристаллинский, Л.А. Столов, С.Д. Ханин // Обзоры по электронной технике. Сер.8 Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. - 1989. -№3.

111. Муравьева А.С. Анализ отказов танталовых конденсаторов // А.С. Муравьева // В сборнике: Дни науки студентов Владимирского государственного университета имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых. Сборник материалов научно-практических конференций. - 2018. -С. 80-88.

112. Сибгатуллин Б.И., Барсуков В.К. Механизмы отказов танталовых конденсаторов в установившихся и переходных режимах работы / Б.И. Сибгатуллин, В.К. Барсуков // В сборнике: Электротехнические комплексы и системы. Исмагилов Ф. Р. (отв. редактор). - 2015. - С. 185-189.

113. Горелов С.В., Игнатенко Е.С., Морев К.Н., Никулин В.И. Предотвращение отказов танталовых чип-конденсаторов на этапе производства / С.В. Горелов, Е.С. Игнатенко, К.Н. Морев, В.И. Никулин // Научные проблемы транспорта Сибири и Дальнего Востока. - 2016. - № 3-4. - С. 135-138.

114. Кузнецов П.Л., Кузнецова В.А. Комплексный подход к обеспечению качества при производстве электролитических конденсаторов и ионисторов / П.Л. Кузнецов, В.А. Кузнецова // Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке [Электронный ресурс] : электронное научное издание :

сборник трудов II Всероссийской научно-технической конференции аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием, Ижевск, 23-25 апреля 2013 года / Министерство образования и науки Удмуртской Республики, Федеральное гос. бюджетное образовательное учреждение высш. проф. образования «Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова». - Электрон. дан. (1 файл : 39,3 Мб.). - Ижевск, 2013. - 1415 c. - 1 электрон. опт. диск (CD-ROM). - Систем. требования: Acrobat reader 6.0 и выше -ISBN 978-5-7526-0603-8. (С. 950-955).

115. Кузнецов П.Л., Кузнецова В.А. Анализ электрических параметров танталовых объемно-пористых (оксидно-электролитических) конденсаторов на основе физико-химических процессов и схем их замещения / П.Л. Кузнецов, В.А. Кузнецова // В сборнике: Приборостроение в XXI веке - 2016. Интеграция науки, образования и производства. Сборник материалов XII Международной научно-технической конференции. - 2017. - С. 79-87.

116. Кузнецов П.Л. Исследование изменения эксплуатационных характеристик танталовых объемно-пористых конденсаторов во времени / П.Л. Кузнецов // Современные инструментальные системы, информационные технологии и инновации. Сборник научных трудов XI-ой Международной научно-практической конференции: в 4-х томах. - 2014. - С. 283-286.

117. Кузнецов П.Л. Анализ характерных зависимостей импеданса и эквивалентного последовательного сопротивления электролитических конденсаторов от частоты / П.Л. Кузнецов // Современные инструментальные системы, информационные технологии и инновации сборник научных трудов XII-ой Международной научно-практической конференции: в 4-х томах. - 2015. - С.316-319.

118. Сибгатуллин Б.И., Барсуков В.К. Влияние эквивалентного последовательного сопротивления танталовых конденсаторов на результаты испытаний импульсным током / Б.И. Сибгатуллин, В.К. Барсуков // В сборнике: Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке. сборник материалов IV Всероссийской научно-технической конференции

аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием. Ответственные за выпуск: А. П. Тюрин, В. В. Сяктерева. - 2016. - С. 290-294.

119. Барсуков В.К., Фокеев А.Е., Сибгатуллин Б.И. Конечно-элементный анализ влияния распределенности параметров танталового конденсатора на характер переходных процессов при заряде в цепи с малым сопротивлением / В.К. Барсуков, А.Е. Фокеев, Б.И. Сибгатуллин // В сборнике: ЭНЕРГО- И РЕСУРСОСБЕРЕЖЕНИЕ - XXI ВЕК. материалы XV международной научно-практической интернет-конференции. - 2017. - С. 220-224.

120. Игнатенко Е.С. Влияние статического электричества на параметры чип-конденсаторов при их производстве / Е.С. Игнатенко // В сборнике: Россия молодая. Сборник материалов XI Всероссийской научно-практической конференции с международным участием. Редакционная коллегия: Костюк Светлана Георгиевна отв. редактор, Останин Олег Александрович, Хорешок Алексей Алексеевич, Дворовенко Игорь Викторович, Кудреватых Наталья Владимировна, Черкасова Татьяна Григорьевна, Стенин Дмитрий Владимирович, Покатилов Андрей Владимирович, Бобриков Валерий Николаевич, Бородин Дмитрий Андреевич. - 2019. - С. 20113.

121. Прохорова Т.Ю., Орлов В.М. Возможности снижения тока утечки танталовых конденсаторов / Т.Ю. Прохорова, В.М. Орлов // Труды Кольского научного центра РАН. - 2018. - Т. 9. № 2-2. - С. 717-720.

122. Беляева Е.А., Муравьев В.В. Управление качеством танталовых конденсаторов на основе анализа дефектов, возникающих на этапах технологического процесса и обнаруживаемых при эксплуатации / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев // Вестник ИжГТУ имени М.Т. Калашникова. - 2018. - Т. 21. № 1. - С. 74-81.

123. Кузнецов П.Л., Ломаев Г.В., Кузнецова В.А. Исследование влияния характеристик технологического процесса изготовления на изменения эксплуатационных характеристик танталовых объемно-пористых конденсаторов во времени / П.Л. Кузнецов, Г.В. Ломаев, В.А. Кузнецова // Вестник Ижевского государственного технического университета. - 2014. - №1. - С. 11-15.

124. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Надежность танталовых чип-конденсаторов на стадии изготовления в зависимости от качества материалов / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // В сборнике: Приборостроение в XXI веке -2014. Интеграция науки, образования и производства. Сборник материалов X Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. ФГБОУ ВПО "Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова": В. И. Заболотских - научный редактор. - 2015. - С. 198-203.

125. Кузнецова В.А., Кузнецов П.Л., Муравьев В.В., Беляева Е.А. Исследование влияния на эксплуатационные характеристики качества материалов танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов / В.А. Кузнецова, П.Л. Кузнецов, В.В. Муравьев, Е.А. Беляева // Интеллектуальные системы в производстве. - 2013. - №2. - С. 140-143.

126. Кузнецова В.А., Кузнецов П.Л., Масалев А.А., Муравьев В.В. Факторы, определяющие емкость танталового оксидного конденсатора на стадии изготовления анода / В.А. Кузнецова, П.Л. Кузнецов, А.А. Масалев, В.В. Муравьев // Влияние высокоэнергетических воздействий на структуру и свойства конструкционных материалов. Труды II Международной конференции. Сер. "Фундаментальные проблемы современного материаловедения". - 2013. - С. 233240.

127. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Влияние конструктивных характеристик анода на эксплуатационные параметры оксидно-полупроводниковых танталовых чип-конденсаторов / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Вестник Ижевского государственного технического университета. -2014. - №4. - С. 105-107.

128. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Влияние качества корпуса оксидно-полупроводниковых танталовых чип-конденсаторов на эксплуатационные параметры / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Интеллектуальные системы в производстве. - 2014. - №2. - С. 112-115.

129. Кузнецова В.А., Кузнецов П.Л., Муравьев В.В. Исследование надежности танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов на

основе экспериментальных данных / В.А. Кузнецова, П.Л. Кузнецов, В.В. Муравьев // Вестник Ижевского государственного технического университета. -2013. - №3. - С. 88-91.

130. Беляева Е.А., Муравьев В.В., Кузнецова В.А. Исследование влияния срока сохраняемости на эксплуатационные характеристики и состояние объемно-пористых танталовых конденсаторов / Е.А. Беляева, В.В. Муравьев, В.А. Кузнецова // Интеллектуальные системы в производстве. - 2014. - №1. - С. 96-99.

131. Беляева Е.А., Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Влияние срока сохраняемости на эксплуатационные характеристики танталовых конденсаторов / Е.А. Беляева, В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Измерения, контроль и диагностика - 2014. Сборник материалов III Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. Главный редактор В.В. Муравьев. - 2014. - С. 37-41.

132. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Прогнозирование сохраняемости танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов по временной зависимости / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Вестник ИжГТУ имени М.Т. Калашникова. - 2016. - Т.19. №4. - С. 69-72.

133. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Ускоренная оценка сохраняемости танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Молодые ученые - ускорению научно-технического прогресса в XXI веке. сборник материалов III Всероссийской научно-технической конференции аспирантов, магистрантов и молодых ученых с международным участием: электронное научное издание. Ответственные за выпуск: А.П. Тюрин,

A.Н. Домбрачев. - 2015. - С. 311-313.

134. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Метод ускоренных испытаний сохраняемости танталовых оксидно-полупроводниковых чип-конденсаторов /

B.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Контроль. Диагностика. - 2016 - №7. - С. 57-60.

135. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Ускоренные испытания сохраняемости с использованием теплового метода / В.А. Кузнецова, В.В.

Муравьев // Вестник ИжГТУ имени М.Т. Калашникова. - 2018 - Т.21. №1. - С. 8288.

136. Кузнецова В.А., Муравьев В.В. Разработка метода ускоренной оценки качества танталовых конденсаторов при применении новых материалов путем теплового воздействия без электрической нагрузки / В.А. Кузнецова, В.В. Муравьев // Актуальные проблемы науки и техники : матер. I Межвуз. науч.-техн. конф. с междунар. участием, посвященной 75-летию Победы в Великой Отечественной войне и 100-летию начала производства авиационной техники в г. Сарапуле (Сарапул, май 2020 г.) [Электронный ресурс]. - Ижевск : Изд-во ИжГТУ имени М. Т. Калашникова, 2020 - 532 с. - 21,8 МБ (PDF). - Систем. требования: Acrobat Reader 5.8 и выше. (С. 275-278).

ПРИЛОЖЕНИЯ

УТВЕРЖДАЮ Главный метролог ОАО «Элеконд»

Председатель комиссии

vA^j' /¿-""-П. Л. Кузнецов

20^ г.

внедрения результатов диссертационного исследования на тему: «Разработка методики ускоренной оценки эксплуатационных характеристик танталовых конденсаторов с использованием теплового воздействия»

в производство

Комиссия в составе:

Председатель комиссии: главный метролог ОАО «Элеконд» П.Л .Кузнецов_

Члены комиссии от предприятия: начальник ОТК ОАО «Элеконд» Беляева Е.А., заместитель начальника отдела главного метролога ОАО «Элеконд» Д.Б. Коновалов, инженер по метрологии 1 кат. P.A. Хафизов____

Составили настоящий акт о том, что результаты диссертационного исследования внедрены в производство и применяются на изделиях типа К52-..., К53-... в виде:

- Методика ускоренной оценки сохраняемости конденсаторов К52-.. .для оценки качества конденсаторов;

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.