Разработка координатно-чувствительного термоэлектрического планарного измерительного преобразователя лазерного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.07, кандидат технических наук Тинаев, Алексей Анатольевич

• Тинаев, Алексей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Тинаев, Алексей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТЕПЛОВЫЕ КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ВОЗМОЖНОСТИ ИХ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ.

1.1 Основы построения и классификация тепловых измерительных преобразователей лазерного излучения.

1.2 Основные параметры и характеристики тепловых ПИП, в том числе КЧИП

1.3 Предел допускаемой относительной погрешности тепловых ПИП.

1.4 Координатно-чувствительные тепловые НИИ

1.4.1 Многоэлементные тепловые КЧИП.

1.4.2 Дифференциальные тепловые ПИП.

1.5 Возможности модернизации преобразовательного элемента интегрального термоэлектрического планарного КЧИП.

1.6 Выводы по первой главе.

ГЛАВА 2. АЛГОРИТМ ПОСТРОЕНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ

МОДЕЛИ ШИРОКОАПЕРТУРНОГО ПЛАНАРНОГО КЧИП.

2.1 Общие вопросы математического моделирования планарного КЧИП.

2.2 Постановка краевой задачи теплопроводности.

2.3 Коэффициент теплоотдачи с поверхности подложки

2.4 Температурная зависимость теплопроводности кремния

2.5 Решение краевой задачи теплопроводности.

2.6 Способы крепления преобразовательного элемента на корпус-термостат

2.7 Анализ упрощенной модели планарного КЧИП.

2.8 Выводы по второй главе.

ГЛАВА 3. ОПТИМИЗАЦИЯ ТОПОЛОГИИ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА.

3.1 Формирование термобатарей планарного КЧИП.

3.2 Моделирование процесса диффузии на этапе формирования термобатарей.

3.3 Расчет сигналов термобатарей планарного КЧИП.

3.4 Оптимизация диффузионного профиля легирования и плотности упаковки термопар.

3.5 Минимизация зависимости коэффициента преобразования КЧИП от температуры окружающей среды То.

3.6 Оптимизация геометрических параметров планарного преобразовательного элемента КЧИП.

3.6.1 Критерии оптимизации.

3.6.2 Критерии выбора оптимальных размеров термобатарей.

3.6.3 Оптимизация зонной характеристики КЧИП.

3.6.4 Оптимизация ширины области теплового контакта подложки с термостатом.

3.6.5 Геометрический подход к оптимизации.

3.6.6 Оптимизация размера и формы резистора замещения

3.7 Выводы по третьей главе.

ГЛАВА 4. РАСЧЁТ СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

КОЛЛЕКТОРА ЭНЕРГИИ.

4.1 Постановка задачи

4.2 Взаимодействие оптического излучения с монокристаллическим кремнием.

4.3 Согласование оптического излучения с полупроводниковым монокристаллом.

4.4 Расчет концентрационного профиля примеси в коллекторе энергии.

4.5 Расчет оптических характеристик неоднородно легированного кремниевого коллектора энергии.

4.6 Выводы по четвёртой главе.

ГЛАВА 5. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПЛАНАРНЫХ КЧИП И ИХ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ.

5.1 Основные параметры и характеристики КЧИП, рассматриваемые в ходе математического моделирования

5.2 Общие вопросы расчетных исследований характеристик планарных КЧИП.

5.3 Расчётные характеристики планарных КЧИП.

5.3.1 Характеристики и параметры планарных КЧИП с квадратным коллектором энергии 14x14 мм и с круглым коллектором энергии диаметром 14 мм.

5.3.2 Характеристики и параметры планарного КЧИП с коллектором энергии 20x20 мм.

5.3.3 Характеристики и параметры планарного КЧИП с коллектором энергии 28х28 мм2.

5.3.4 Характеристики и параметры планарных КЧИП с коллектором энергии 40x40 мм.

5.3.5 Характеристики и параметры планарных КЧИП с коллектором энергии 56x56 мм.

5.4 Результаты натурных исследований КЧИП.

5.5 Практическое использование планарного КЧИП.

5.6 Выводы по пятой главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка координатно-чувствительного термоэлектрического планарного измерительного преобразователя лазерного излучения»

Актуальность темы диссертации. В современной промышленности, науке и медицине все более широкое применение находят оптико-электронные приборы и комплексы с лазерами.

Функциональные возможности таких приборов и комплексов в основном определяются параметрами лазерного излучения и рабочими средствами измерений (РСИ) этих параметров. В настоящее время требования, предъявляемые на территории РФ к таким РСИ, законодательно закреплены ГОСТ 8.275-2007 [1] и соответствуют международным стандартам IEC 61040:1990 [2]. Следует отметить значительные успехи зарубежных фирм в разработке и производстве нового поколения РСИ энергетических параметров лазерного излучения, в том числе лазерных ваттметров. Вместе с тем приходится констатировать, что на рынке современных лазерных ваттметров, практически отсутствует продукция российских производителей. Поэтому достаточно остро стоит вопрос разработки отечественных высокотехнологичных и простых в эксплуатации лазерных ваттметров.

Наряду с энергетическими к основным параметрам лазерного излучения относятся и пространственно-энергетические - распределение мощности в поперечном сечении лазерного пучка, а также ширина, угол А расходимости и коэффициент распространения М лазерного пучка. Коэффициент распространения служит мерой близости параметров измеряемого и гауссова пучка и является важнейшим параметром, контролируемым при настройке и сертификации лазеров, а также в процессе их эксплуатации. Для определения угла расходимости и коэффициента М2 используются косвенные измерения с использованием результатов прямых измерений ширины лазерного пучка.

Требования к измерению пространственно-энергетических параметров лазерных пучков, законодательно закреплены в трех частях международного стандарта ISO 11146-2005. На основе его аутентичного перевода ФГУП «ВНИИОФИ» подготовлены, а Федеральным агентством по техническому регулированию и метрологии введены в действие три части ГОСТ Р ИСО 11146-2008 [3-5]. Методики измерений ширины пучка базируются на определении с помощью матричного приемника распределения мощности излучения в нескольких поперечных сечениях как прямого, так и трансформированного оптическими компонентами лазерного пучка. Однако, как отмечается в [5], в некоторых случаях точность результатов измерений, выполняемых с применением матричных приемников излучения, может оказаться все же недостаточной, либо такие приемники по ряду причин недоступны. Поэтому международными стандартами допускается использование альтернативных методик измерений ширины пучка -варьируемой диафрагмы, движущегося резкого края (ножа Фуко) и перемещаемой щели. При этом подчеркивается, что перечисленные методики позволяют с помощью достаточно простой аппаратуры, в состав которой входит лазерный ваттметр, обеспечить точность измерений ширины пучка, приемлемую для многих применений лазеров.

Однако, как показывает анализ этих методик, для проведения с их помощью высокоточных измерений ширины пучка необходимо использовать координатно-чувствительный широкоапертурный лазерный ваттметр. Наличие координатной чувствительности позволяет упростить и значительно повысить точность юстировки измерительной схемы, благодаря чему создаются наилучшие условия согласования лазерного пучка с входной апертурой ваттметра. При этом повышается эффективность использования приемной поверхности коллектора энергии и минимизируется влияние фоновой засветки на точность измерений, так как появляется возможность использования лазерных ваттметров с оптимальным (не завышенным) размером входного окна.

Выбор типа лазерного ваттметра в значительной степени зависит от режима генерации и уровня мощности диагностируемого излучения. В практической метрологии достаточно часто приходится измерять параметры непрерывного лазерного излучения среднего уровня мощности. Для диагностики такого излучения широко используются лазерные ваттметры с тепловыми первичными измерительными преобразователями (ПИП), обеспечивающими необходимое быстродействие и имеющими приемлемый коэффициент преобразования. Однако, за редким исключением [6], такие ПИП не обладают координатной чувствительностью, столь необходимой при использовании альтернативных методик измерений ширины лазерного пучка, особенно при диагностике ИК лазерного излучения.

В связи с этим представляется актуальной задача разработки модельного ряда отечественных тепловых координатно-чувствительных ПИП (КЧИП) с различными апертурами входного окна, способных обеспечить одновременные измерения пространственно-энергетических и на уровне РСИ энергетических параметров непрерывного лазерного излучения среднего уровня мощности.

Цель работы. Основной целью данной работы является разработка и применение методики расчета основных параметров и характеристик модельного ряда автономно калибруемых широкоапертурных КЧИП средней мощности непрерывного лазерного излучения, минимизация их селективности в ИК-диапазоне длин волн и использование результатов расчёта при изготовлении макетных образцов КЧИП.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

• создать расчётную модель КЧИП с учетом особенностей планарной технологии изготовления преобразовательного элемента;

• провести оптимизацию топологии преобразовательных элементов широкоапертурных КЧИП;

• разработать способ минимизации селективности кремниевого коллектора энергии и методику расчета его спектральной характеристики;

• разработать методику расчёта зонных и координатных характеристик широкоапертурных КЧИП с преобразовательным элементом оптимальной топологии и установить влияние различных факторов и неинформативных параметров на их зонные и координатные характеристики;

• провести экспериментальные исследования основных характеристик и параметров КЧИП с использованием одного из типоразмеров коллектора энергии разрабатываемого модельного ряда КЧИП.

Объект и предмет исследований. Объектом исследований являлись широкоапертурные КЧИП с квадратными преобразовательными элементами различных размеров. Предметом исследований являлись зависимости зонных и координатных характеристик, а также верхних границ диапазона измерений от условий теплообмена КЧИП с окружающей средой при различных размерах коллектора энергии; спектральные свойства коллектора энергии.

Методика и методы проведения исследований. Методика расчетных исследований основывалась на положениях теории теплопроводности и высокотемпературной диффузии примесей в полупроводниковых монокристаллах. Двумерное стационарное температурное поле преобразовательного элемента находилось путем решения дифференциального уравнения теплообмена при однородных граничных условиях. Падающее на коллектор энергии лазерное излучение рассматривалось в приближении гауссова пучка. При расчетных исследованиях зонных и координатных характеристик широкоапертурных КЧИП перегревы горячих и холодных концов термопар каждой термобатареи усреднялись путем численного интегрирования по методу Симпсона.

Экспериментальные исследования зонных и координатных характеристик проводились методом лазерного зондирования. Параметры лазерного зонда соответствовали требованиям, определенным международным стандартом [2]. Верхние границы диапазонов измерений экспериментально исследованных КЧИП определялись на тестовых образцах методом замещения оптического нагрева их преобразовательных элементов электрическим.

Научная новизна работы.

1. Разработаны методика и алгоритм расчета спектральной характеристики коллектора энергии с плавно изменяющимися по его толщине оптическими константами.

2. Разработан способ изготовления плоского зеркально отражающего кремниевого коллектора энергии КЧИП с селективностью не более 0,3% в диапазоне длин волн от 3 до 12 мкм.

3. С помощью аналитических соотношений, полученных в результате анализа одномерной модели, впервые показана возможность создания широкоапертурных планарных КЧИП.

4. Установлено влияние на основные характеристики планарных КЧИП распределённых тепловых потерь с поверхности преобразовательного элемента, диаметра лазерного пучка и толщины подложки.

Практическая ценность работы.

1. Изготовлены макетные образцы КЧИП с коллектором энергии 14x14 л мм и диаметром входного окна 12 мм с использованием результатов расчётов, проведённых при их моделировании.

2. Предложенные методы и алгоритмы расчета позволяют определять основные параметры новых моделей автономно калибруемых планарных КЧИП и оценивать их предельные характеристики, а также могут быть использованы при расчёте спектральных характеристик коллекторов энергии, выполненных из других полупроводниковых материалов.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Кремниевый коллектор энергии с селективностью, не превышающей 0,3% в диапазоне длин волн от 3 до 12 мкм, может быть изготовлен методами планарной технологии путём формирования в его объёме трёх областей: воспринимающей, согласующей и поглощающей излучение.

2. Численный анализ параметров одномерной модели КЧИП, представленных в аналитическом виде, позволяет определить влияние распределённых тепловых потерь и толщины преобразовательного элемента на размеры рабочей зоны и, тем самым, показать принципиальную возможность создания КЧИП с диаметром входной апертуры до 40 мм.

3. Расчётная модель планарного КЧИП, позволяющая определить его зонную и координатную характеристики, верна, что подтверждается результатами экспериментальных исследований параметров макетных образцов КЧИП с коллектором энергии 14x14 мм2.

4. Оптимизация размеров входного окна и топологии преобразовательного элемента позволяет уменьшить составляющую неравномерности зонной характеристики, обусловленную рассогласованием линий теплового тока с ветвями планарных термопар, до 0,1%.

Достоверность научных положений и выводов.

Достоверность научных положений проверена решением задач разными методами, а также сопоставлением результатов расчёта, полученных в ходе математического моделирования КЧИП и при анализе его одномерной модели.

Получено хорошее совпадение результатов расчетных и экспериментальных исследований тестовых образцов.

Личный вклад автора состоит:

1. В разработке способа построения коллектора энергии с селективностью, не превышающей 0,3% в диапазоне длин волн 3-12 мкм, без использования чернящего покрытия.

2. В разработке методики расчета оптических параметров неоднородно легированного кремниевого коллектора энергии с учетом особенностей планарной технологии.

3. В проведении расчетных исследований зонных и координатных характеристик широкоапертурных КЧИП с учётом термического сопротивления клеевых прослоек между преобразовательным элементом и термостатом.

-114. В анализе влияния различных факторов и неинформативных параметров на зонные и координатные характеристики широкоапертурных КЧИП.

5. В определении оптимальных величин диаметра входного окна, габаритов преобразовательного элемента, топологии термобатарей и размера области теплового контакта преобразовательного элемента и термостата разрабатываемого модельного ряда КЧИП.

Внедрение результатов диссертационной работы.

Макетный образец КЧИП с коллектором энергии 14x14 мм2 и топологией преобразовательного элемента, разработанной в данной диссертационной работе, используется в лаборатории «Источников и приёмников оптического излучения» кафедры оптико-электронных приборов и систем Санкт-Петербургского государственного университета информационных технологий, механики и оптики, что подтверждено Актом №01/2011 от 30.03.11. •

Апробация работы.

Материалы диссертации были доложены на:

37-м и 38-м Международных научно-методических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2006 г. и 2007 г.);

30-й Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2007 г.),

IX и X Международных научно-технических конференциях «Оптические методы исследования потоков» (Москва, 2007 г. и 2009 г.);

XVIII Всероссийской конференции «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение» (Москва, 2009 г.);

19-й и 20-й Международных конференциях «Лазеры. Измерения. Информация» (Санкт-Петербург, 2009 г. и 2010 г.);

-1239-м и 40-м Международных научно-методических семинарах «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах»

Москва, 2008г. и 2009г.).

Публикации. Основные положения диссертации опубликованы в двух статьях в научных реферируемых журналах, 15 статьях в сборниках материалов научно-технических конференций и семинаров и в двух тезисах докладов на конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Полный объем диссертации составляет 192 страницы текста, включая 39 рисунков, 10 таблиц и библиографический список из 112 наименований.

Заключение диссертации по теме «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», Тинаев, Алексей Анатольевич

Основные результаты работы:

1. Создана расчётная модель планарного КЧИП.

2. С учётом требований к лазерным ваттметрам разработан новый модельный ряд планарных КЧИП с оптимальными топологиями преобразовательных элементов при размерах коллекторов энергии от 14x14

2 2 мм до 56x56 мм и диаметрами входного окна от 12 до 40 мм.

3. Предложен способ изготовления коллектора энергии планарного КЧИП и впервые показано, что его селективность не должна превышать 0,3% в диапазоне длин волн (3-12) мкм.

4. Разработана методика расчета спектральных характеристик неоднородно легированного кремниевого коллектора энергии с плавно изменяющимися по его толщине оптическими константами, базирующаяся на представлении области легирования в виде многослойной структуры с неизменными оптическими константами в пределах каждого слоя.

5. Путём расчётных исследований установлено влияние на линейность координатной и равномерность зонной характеристик КЧИП размеров коллектора энергии и преобразовательного элемента, а также диаметра лазерного пучка и распределённых тепловых потерь.

6. Теоретически показано и на макетных образцах КЧИП (26x26/14x14) экспериментально подтверждено, что при оптимальной топологии преобразовательных элементов КЧИП разработанного модельного ряда можно обеспечить неравномерность зонной характеристики не более 0,8%, достаточно высокий коэффициент преобразования 0,4 В/Вт) и крутизну нормированной координатной характеристики 24 В/(Вт-м).

-181

- 180 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Данная работа посвящена разработке термоэлектрических планарных координатно-чувствительных измерительных преобразователей средней мощности лазерного излучения и экспериментальным исследованиям их основных характеристик.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Тинаев, Алексей Анатольевич, 2011 год

1. ГОСТ 8.275-2007. ГОИ. Государственная поверочная схема для средств измерений средней мощности лазерного излучения и энергии импульсного лазерного излучения в диапазоне длин волн от 0,3 до 12,0 мкм -М.: Издательство стандартинформ, 2007.

2. ШС 61040:1990 Power and energy measuring detectors, instruments and equipment for laser radiation Geneva.: IEC, 1990.

3. ГОСТ Р ИСО 11146-2-2008. Лазеры и лазерные установки (системы). Методы измерений ширин, углов расходимости и коэффициентов распространения лазерных пучков. Часть 2: Астигматические пучки М.: Издательство стандартинформ, 2009.

4. Фирма Coherent Электрон, ресурс., http://www.coherent.com/ products/?830/Laser-Measurement-and-Control (дата обращения: 06.03.11).

5. Иванов B.C., Золотаревский Ю.М., Котюк А.Ф., Либерман A.A. и др. Основы оптической радиометрии. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. 544 с.

6. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б.Я. Бурдаев, Р.А Валитов, М.А. Винокур и др.; Под ред. А.Ф. Котюка. М.: Радио и связь, 1981. 288 с.

7. Измерение параметров приемников оптического излучения / Н.В.

8. Ш. Ишаниго . Г.Г/ Приемникш излучения*- оптических? ж оптико-электронных: приборов.- Л.: Машиностроение. Ленингр; отд-ние, 1986. 175с:

9. Термоэлементы- и термоэлектрические устройства: Справочник / Л.И. Анатычук. Киев: Наукова думка, 1979: -768.с.

10. Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Ушакова;МБ. Инфракрасщ>те :матриць1 и тенденции их развития. 4.1 // Прикладная физика; 2003. № 1. С.105-120.

11. ГОСТ 8.207-76. Прямые* измерения с многократными наблюдениями: Методы обработки результатов наблюдений. Основные положения. М:: Издательство стандартов, 1976:

12. Справочник по лазерам: В 2х т. М.: Сов. Радио,1978. Т.1 503 с.

13. Близнюк В В., Гвоздев С.М. Квантовые источники излучения. М.: «ВИГМА», 2006. 392 с.19: «Лазерные источники излучения». Каталог-справочник по странам СНГ и Балтии, издание 7-е (дополненное). Части 1-3. М.: НТИУЦ ЛАС, 2005: 189 с.

14. Загорский Я.Т., Котюк А.Ф. Основы, метрологического обеспечения лазерной энергетической фотометрии; М.: Издательствостандартов, 1990.172 с.

15. Хребетов И. А., Маляров В.Г. Неохлаждаемые тепловые матричные приёмники ИК излучения// Оптический журнал. 1997. Т.64. №6. С.3-17.

16. Муртазин А., Олихов И., Соколов Д. Пироэлектрический электронно-оптический преобразователь. ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, 1/2006. С.26-30.

17. Панкратов H.A. Пироэлектрические приемники излучения // Оптический журнал. 1995. Т.62. №12. С.12-19.

18. Бобровская H.H., Гринин C.B., Скляренко С.К., Чепшпсо А.Г. Пироэлектрические преобразователи для измерения, энергетических, пространственных и временных характеристик излучения И Тепловые приёмники излучения. Сб. статей. Л.: ГОИ, 1992. С.51-52.

19. Белозеров А.Ф., Омелаев А.И. Филиппов В.Л. Современные направления применения ИК радиометров и тепловизоров в научных исследованиях и технике // Оптический журнал. 1998. Т. 65. № 6. С. 16-27.

20. Панкратов H.A. Тонкопленочные пироэлектрические приемники излучения // Оптический журнал. 1996. Т.63. № 5. С.16-22.

21. Фирма Heimann sensor Электрон. ресурс., http://www.heimannsensor.com/products.php (дата обращения: 06.03Л1).

22. Ащеулов A.A., Ильин В.И., Кондратенко В.М. Раренко И.М. Анизотропный термоэлектрический приёмник неселективного излучения // А. с. СССР №1141954. Бюл. Изобр. 1984. №22.

23. Фирма DRS Technologies Электрон, ресурс., http://www.drs.com/ Products/RSTA/Components.aspx (дата обращения:.06.03.11).

24. Панкратов H.A. Современные полупроводниковые термоэлектрические приемники излучения // Оптический журнал. 1993. Т.60. № 8. С.20-29.

25. Козаченко М. Л. Высокоточные широкоапертурные калориметрические измерительные преобразователи больших уровнейэнергии лазерного излучения //Измерительная техника. 2007. № 1. С.28-33.

26. Kamio T., Saga M., Matsumoto S. et al. Uncooled infrared focal plane array having 128x128 thermopile detector elements // Proc. SPIE. 1994. V. 2269. P.450-456.

27. Иоффе Л.А., Подильчук H.Д. Первичный измерительный 1 преобразователь для лазерной техники // IV Всесоюзна семин. по тепловымприемникам излучения: Тез. докл. Л.: ГОИ, 1983. С.51-52.

28. Lenggenhager R., Baltes Н.; Peer J., Förster M. Thermoelectric infrared sensors by CMOS technology // IEEE Electron Device Letters. 1992. V. 13. № 9. P.454-456.

29. Козаченко M. Л. Высокоточные широкоапертурные калориметрические измерительные преобразователи средней мощности лазерного излучения и созданные на их базе измерительные системы // Измерительная техника. 2000. № 3. С.35-39.

30. Хребтов И. А., Ткаченко А. Д. Высокотемпературные сверхпроводниковые болометры на основе кремниевой мемьранной технологии // Оптический журнал. 2004. Т.71. №3. С.22-33.

31. Елфимов О.В., Косоротов В.Ф., Кременчугский Л.С., Скляренко С.К. Координатно-чувствительные пироэлектрические приемники излучения. Киев: АН УССР, 1980. 44 с.

32. Авиационные системы информации оптического диапазона: Справочник/ Ю.В. Байбородин, В.В. Волков, В.К. Вялов и др.; Под ред. Л.З. Криксунова М.: Машиностроение, 1985.264 с.

33. Васильев H.H., Курчатов Ю.А., Донецкий A.C., Костин В.В. Поз иг щонно-чувствительный пироэлектрический приемник электромагнитного излучения // Электронная техника. Киев: КИА, 1971. Сер. И. Вып. 3. С. 121-124.

34. Новик BJC, Бенькович ИА, Фельдман Н.Б., Смоля AB. К оординати о-чувствительный пироэлектрический приемник излучения // ОМП. 1981. № 1. с.3-5.

35. Новик В.К., Гаврилова Н.Д., Фельдман Н.Б. Пироэлектрические преобразователи. Mi: Gob. радио, 1979.177 с. . , :

36. Елфимов О.В. Кременчугский Л.С., Скляренко С.Н. Координатно-чувствительные пироэлектрические приёмники проходящей мощности//ОМП. 1978. №10. С.63-65.

37. Ащеулов А. А. Координатно-чувствительные устройства на основе анизотропных оптикотермоэлементов // Оптический журнал: 2008; Т.75. №5. С.52-58.

38. Александров Ю.В., Близнюк В.В., Шарихин В.Ф: Позиционно-чувствительный термоэлектрический приемник излучения // IV Всесоюзн. семин. по тепловым приемникам излучения: Тез: довел. JI.: ГОИ, 1983: С.40-41.

39. Александров Ю.В., Близнюк ВВ., Шарихин В.Ф. Полупроводниковый измеритель мощности оптического излучения проходного типа// Тр. ин-та/ МЭИ. 1983. Вып. 597. С.12-17.

40. Ишанин Г. Г., Панков Э. Д., Челибанов В. П. Приемники излучения; СПб.: «Папирус», 2003. 527с.

41. Фирма Ophir Optronics Электрон. ресурс. http://www.ophiropt.com/ laser-measurement (дата обращения: 06.03.11).

42. Фирмы Scientech Электрон, ресурс. http://www.scientech-inc.com/laserpower.phtml(дата обращения: 06.03.11).

43. Всесоюзн. семин. по тепловым приемникам излучения: Тез. докл. Л.: ГОИ, 1983. С.42-43.

44. Лыков А.В. Тепломассообмен: Справочник. М.: Энергия, 1978.480 с.

45. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967.599 с.

46. Охотин А.С. Пушкарский А.С., Горбачев В.В. Теплофизические- 187 •свойства полупроводников. М.: Атомиздат, 1972. 200 с.

47. Morris R.G., Hust J.G. Thermal Conductivity Measurements of Silicon from 30° to 425°C//Phys. Rev. 1961. V.124. № 25. P.1426-1430.

48. Самарский A.A., Николаев E.C. Методы решения сеточных уравнений: Учеб. пособие. М.: Наука, 1978. 591 с.

49. Самоучитель MathCad. СПб.: БХВ-Петербург, 2003. 560 с.

50. Парфенов О.Д. Технология микросхем. М.: Высшая школа, 1986.320 с.

51. Близнюк В.В. Оптимизация параметров чувствительного элемента термоэлектрического интегрального позиционно-чувствительного приемника излучения // Тр. ин-та / МЭИ, 1987. Вып. 134. С.39-44.

52. De Meis R. Choose the right detector and meter to test beam strength //Laser Focus World. 1995. June. P.105-113.

53. Черняев B.H. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1987. 424 с.

54. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1986.464 с.

55. Колесников В .Г., Никишин В.И., Сыноров В.Ф., Петров Б.К., Сонов Г.В., Горохов B.C. Кремниевые планарные транзисторы. Под. ред. Я.А. Федотова. М.: «Сов. радио», 1973. 321 с.

56. Cave К. I. S. The base diffusion profile arising from boron redistribution in the oxide — a useful approximation? // «Solid State Electronics», 1965. v.8. №12. P.991—993.

57. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967.415 с.

58. Волле В. М., Грехов И. В., Делимова Л. А., Левинштейн М. Е. Ток обратносмещенного кремниевого /»-«-перехода при высоких напряжениях смещения // ФТП. 1975. Т.9. С.650-656.

59. Волле В. М., Грехов И. В., Делимова Л. А., Левинштейн М. Е. Метод измерения локальных токов в /?-л-структурах большой площади // Физика полупроводников. 1976. Вып. 2. С.397-400.

60. Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учеб. пособие. Минск.: Вышэйшая школа, 1985.207 с.

61. Нейман Л.Р., Демирчан К.С. Теоретические основы электротехники. М.: Энергия, 1967. Т.1. 523 с.

62. Бондарук В.И. О температурной стабильности свойств полупроводниковых термоэлектрических материалов // Физика полупроводников. 1978. Вып. 5. С.977-979.

63. Betts D.B., Clarke F.J., Сох L.J., Larkin J.A. Infrared reflection properties of fine types of black coating for radiometric detectors // J. Phys. E.: Sei. Instrum. 1985. V.18. № 8. P.689-696.

64. Говор И.Н., Кубарев A.B. Новый метод калибровки джоульваттметра//Импульсная фотометрия. 1981. Вып. 7. С.42.

65. Оптические свойства полупроводников: Справочник / Гавриленко В.И., Грехов AJVL, Карбуляк Д.В., Литовченко В.Г. Киев: Науковадумка, 1987. 607 с.

66. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965. 415 с.

67. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.416 с.

68. Смит Р. Полупроводники: Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 560 с.

69. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ./ Под ред. Ж.ИАлферова. М.: Мир,1973.456 с.

70. Кизель В.А. Отражение света. М.: Мир, 1973. 215 с.

71. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1944. 366 с.

72. Близнюк В .В., Тинаев A.A. Неселективный тепловой первичный измерительный преобразователь лазерного излучения с плоским зеркально отражающим коллектором энергии // Тезисы докладов на 18-й

73. Всероссийской^ конференции «Фотометрия и её метрологическое: обеспечение» (15-17 апреля 2009г.). М1:ФГУПВНИИОФИ, 2009. €.44-46.

74. Ефимов- И.Е., Горбунов ЮЛ, Казырь И.Я: Микроэлектроника; М : Высшая школа, 1978, 312 с.

75. Кард П.Г. Анализ и синтез, многослойных интерференционных ш1ёнок. Талину Валгус. 1971. 235 с.

76. Бреховских JI M. Волны в слоистых средах. М.: Изд-во «Наука», 1973.343 с. " '

77. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. Пер. с англ./Под ред. А.В.Ржанова. М.: Мир, 1981. 584 с.

78. Дитчберн Р. Физическая оптика. М.: Наука, 1965. 631 с.

79. Борн М, Вольф Э. Основы оптики. Изд. 2. Пер. с англ. М.: Наука, 1973.721 с. . ■ ' •

80. Александров Ю:В., Близнюк В В., Шарихин В.Ф. Широкоапертурное; широкодиапазонное устройство стабилизации средней мощности лазерного излучения // Импульсная: фотометрия; Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-ние, 1984. Вып: 8. G. 60-62.

81. Тинаев A.A. Первичный преобразователь лазерного излучения, выполненный по планарной технологии // Тезисы докладов тринадцатой

82. Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника, и энергетика». М.: Издат. дом МЭИ, 2007. Т.1. С.167.

83. Близнюк ВВ., Беляева Е.В., Неверова Е.А., Тинаев A.A.