Разработка контактных систем для многосекционных термоэлементов с рабочими температурами до 1200 К тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Козлов Александр Олегович

• Козлов Александр Олегович
• кандидат наук
• 2024

Оглавление диссертации кандидат наук Козлов Александр Олегович

Введение

Глава 1. Проблемы коммутации термоэлементов с рабочими температурами от 300 до 1200 К

1.1 Перспективы и проблемы термоэлектрического преобразования энергии

1.2 Эффективность термоэлектрических генераторов

1.3 Проблемы создания контактных систем в многосекционных термоэлементах

1.4 Основные параметры контактных систем и проблемы метрологического

обеспечения диссертационных исследований

Выводы по главе

Глава 2. Метрологическое обеспечение диссертационных исследований

2.1 Измерение шероховатости поверхности образцов термоэлектрических материалов и толщины пленок в структуре контактных систем

2.2 Исследование структуры и состава толстопленочных контактных систем

2.3 Методы измерения удельного сопротивления пленок и удельного контактного сопротивления контактных систем

2.4 Разработка методики определения адгезионной прочности контактов

2.4.1 Факторы, определяющие адгезионную прочность пленочных покрытий

2.4.2 Методика определения адгезионной прочности контактов

2.5 Исследование термической стабильности контактных систем с помощью

растровой Оже-электронной спектрометрии

Выводы по главе

Глава 3. Получение и исследование контактных систем для термоэлементов с

широким интервалом рабочих температур

3.1 Способ получения наноструктурированных термоэлектрических материалов

3.2. Способы формирования тонкопленочных контактных систем

3.3 Подготовка поверхности образцов термоэлектрических материалов для

формирования контактов

3.4. Влияние шероховатости поверхности термоэлектрических материалов на свойства контактов

3.5 Результаты исследования контактов, полученных различными методами вакуумного напыления

3.6. Обоснование структуры контактных систем и материалов контактных слоев в

многосекционных термоэлементах

3.7 Технология и свойства контактных систем, работающих при повышенных

температурах

Выводы по главе

Глава 4. Разработка контактных систем, содержащих демпферные слои, для высокотемпературных термоэлементов

4.1 Формирование демпферных слоев в структуре контактных систем

4.2 Разработка структуры и способов получения контактных систем, содержащих

демпферные слои

Выводы по главе

Глава 5. Способы коммутации высокотемпературных многосекционных термоэлементов

5.1 Коммутация средне и высокотемпературных секций в ветвях многосекционного термоэлемента

5.2 Разработка способа коммутации высокотемпературных термоэлементов, с использованием метода бондинга

5.3 Исследование механической прочности соединения секций с использованием контактных систем, содержащих демпферные слои

5.4 Исследование демпферных свойств контактных систем, содержащих слои

углеродных нанотрубок, при повышенных температурах

Выводы по главе

Заключение

Список сокращений и обозначений

Список литературы

Приложение

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка контактных систем для многосекционных термоэлементов с рабочими температурами до 1200 К»

Актуальность работы

Термоэлектричество в последние годы является одной из наиболее активно развивающихся направлений в науке и технике. Исчерпаемость ископаемых источников энергии и экологические проблемы, усугубляемые ростом их применения, вызывают необходимость использования альтернативных источников энергии и энергоэффективных технологий. Термоэлектричество может стать одной из таких альтернативных технологий. Повышенный интерес к термоэлектрическим генераторам (ТЭГ) обусловлен рядом причин, одна из основных связана с тем, что более 60% вырабатываемой энергии теряется в виде бросового тепла. Утилизация даже части этого бесполезно теряемого тепла с помощью ТЭГ приведет к существенной экономии энергоресурсов. ТЭГ находят применение там, где требуются надежные источники электроэнергии с большой удельной мощностью, длительным сроком эксплуатации и не требующие обслуживания. Важной современной задачей для России является освоение Арктики и труднодоступных районов крайнего Севера России, при этом для получения электрической энергии перспективно использование атомных станций малой мощности, оснащенных ТЭГ. Безальтернативно применение радиоизотопных ТЭГ для освоения дальнего космоса. Кроме того, для активно разрабатываемых интеллектуальных систем и датчиков необходимо создание компактных термоэлектрических микрогенераторов.

Сдерживающим фактором в использовании ТЭГ является низкий коэффициент полезного действия (КПД), максимальное значение которого не превышает 8%. Основным компонентом в структуре ТЭГ, определяющим его эффективность, являются термоэлементы (ТЭ). Увеличение КПД ТЭ возможно за счет повышения эффективности термоэлектрических полупроводниковых материалов, из которых они изготавливаются, и разности температур между горячими и холодными спаями ТЭ. Для этого необходимо создание многосекционных термоэлементов (МСТ), работающих в широком интервале температур. Секции такого ТЭ состоят из низко- , средне- и высокотемпературных

термоэлектрических материалов (ТЭМ), имеющих максимальную эффективность в области рабочих температур каждой секции.

Проблемами создания эффективных ТЭГ в настоящее время занимаются научные группы из известных зарубежных университетов и исследовательских центров: Ben-Gurion University of the Negev (Beer Sheva, Israel); University of Tsukuba (Japan); Department of Electrical and Computer Engineering; NC State University (USA); Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR) (Jakkur, Bangalore, India); Shanghai Institute of Ceramics (Shanghai, China); Nagoya Univercity, Nagoya Industrial Science Research Institute (Nagoya, Japan); Institut Jean Lamour Universite de Lorrain (Nancy, France); Wuhan Univercity of Technology (Wuhan, China). В нашей стране научные исследования и разработки в области термоэлектричества проводятся следующими организациями: НИУ МИЭТ; «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»; Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова; АО «Гиредмет»; НИТУ МИСиС; ФТИ им. Иоффе; ИТМО; МГТУ им. Н.Э. Баумана и другими. Промышленный выпуск термоэлектрических устройств осуществляют: Melcor Corp, США; Ferrotec, США, Micropelt, США, Marlow Industries, Германия; Lartid, США; ЗАО «Ферротек Норд»; ООО «Криотерм»; АО «Корпорация НПО «РИФ»; ООО «РМТ»; ООО «РусТек» и другие.

Одной из основных проблем конструирования многосекционных МСТ является создание высококачественной коммутации секций в ветвях, и самих ветвей в ТЭ. Такая коммутация должна минимизировать электрические потери, обладать диффузионно-барьерными свойствами, обеспечивать высокую механическую прочность и технологичность коммутации в ТЭ. Расширение интервала рабочих температур МСТ существенно усложняет процесс коммутации секций в ветвях ТЭ. Необходима оптимизация структуры, материалов контактных слоев и способов получения контактных систем (КС) для соединения каждой из секций, функционирующих в широком интервале температур от 300 до 1200 К.

Состояние поверхности ТЭМ, на которую наносятся контактные слои, является решающим фактором для их адгезии и контактного сопротивления, поэтому разработке способов подготовки поверхности ТЭМ в данной работе уделялось особое внимание.

В конструкции любого термоэлектрического устройства важнейшим параметром является механическая прочность. Механическая прочность ТЭ в значительной степени определяется адгезией КС к ТЭМ и адгезией контактных слоев. Эти параметры являются лимитирующим в механической прочности ТЭ. В связи с этим, в данной работе вопросам адгезии и методам исследования адгезионной прочности, уделялось значительное внимание. Для обеспечения механической прочности ТЭ необходимо было гарантировать адгезионную прочность КС не менее 8,0 МПа.

В случае формирования КС к ТЭМ, обладающим высокой

19 21 3

электропроводностью (концентрация носителей заряда N=10 -10 см- ), вклад контактного сопротивления может оказаться решающим в определении эффективности ТЭ. Величина удельного контактного сопротивления должна соответствовать уровню омического контакта. Максимальное значение КПД может быть получено при значениях удельного контактного сопротивления КС порядка 10-9 Омм2.

Диффузионные процессы в МСТ существенно интенсифицируются при повышении температуры и термоциклировании. Это связано с увеличением скорости химических реакций и интенсивности диффузионных процессов на границе КС с ТЭМ, а также в структуре КС. Взаимная диффузия компонентов ТЭМ, а также материалов слоев в КС приводит к снижению эффективности МСТ. В связи с этим, в структуре КС при повышенных температурах необходимо использовать дополнительные диффузионно-барьерные слои (ДБС), препятствующие деградации свойств ТЭ.

Важной проблемой при создании МСТ является существенное различие в значениях термических коэффициентов линейного расширения (ТКЛР) ТЭМ, из которых изготавливаются различные секции. При работе ТЭ в широком интервале температур из-за разницы в ТКЛР неизбежно разрушение ветвей ТЭ. Поэтому необходимо решение, которое бы компенсировало возникающие в ТЭ термические напряжения при высоких температурах.

Существенной проблемой в процессе конструирования МСТ является соединение секций в ветвях высокотемпературных МСТ. Неразъемная коммутация секций должна быть технологичной и обеспечивать механическую прочность МСТ

в широком интервале температур при минимальных электрических потерях. Следует отметить, что для создания эффективных конструкций и технологий ТЭ, необходимо современное метрологическое обеспечение на всех стадиях разработки и производства. В связи с этим требуется совершенствование и разработка соответствующих методик и высокоточных измерительных комплексов.

Таким образом, анализ состояния научных исследований и проблем с целью увеличения эффективности ТЭ, работающих в области высоких температур, позволяет сделать вывод о том, что разработка КС для МСТ с рабочими температурами до 1200 К, является актуальной научной задачей, имеющей существенное значение для развития термоэлектричества.

Цель диссертационной работы:

Разработка структуры и способов получения эффективных контактных систем для многосекционных термоэлементов с рабочим интервалом температур от 300 до 1200 К.

Для выполнения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

1. Разработать способы подготовки поверхности ТЭМ для формирования КС с высокой адгезией и низким контактным сопротивлением. Определить зависимости основных параметров КС от степени обработки поверхности ТЭМ.

2. Разработать и обосновать структуры КС и материалы контактных слоев, для каждого ТЭМ, используемого в МСТ с рабочими температурами от 300 до 1200 К, формируемых вакуумным напылением.

3. Оптимизировать способы и режимы формирования контактных слоев в КС, получаемых вакуумным напылением. Провести сравнительные исследования характеристик КС, сформированных магнетронным и электронно-лучевым напылением.

4. Разработать структуру, оптимизировать способы и режимы получения КС, содержащих нанокомпозитные демпферные слои, компенсирующие термические напряжения в высокотемпературных термоэлементах, возникающих за счет разницы ТКЛР ТЭМ.

5. Разработать способ, позволяющий регулировать глубину проникновения контактного металла в демпферный слой с целью оптимизации механических и электрических свойств КС.

6. Оптимизировать состав электролитов и режимы формирования коммутационного слоя на поверхности демпферного слоя методами химического и электрохимического осаждения металлов.

7. Разработать способ коммутации ветвей и секций в ветвях многосекционного высокотемпературного термоэлемента с использованием эвтектических сплавов на основе № - 1п.

В результате комплексного, научно-обоснованного подхода к разработке эффективных КС для многосекционных термоэлементов с рабочими температурами до 1200 К получены результаты, обладающие следующей научной новизной:

1. Установлено влияние морфологии поверхности ТЭМ на основные параметры КС, разработаны и обоснованы способы подготовки поверхности ТЭМ для нанесения КС, определены факторы, обеспечивающие адгезионную прочность пленочных покрытий. Установлен критерий механической обработки поверхности ТЭМ, заключающийся в том, что шероховатость поверхности не должна превышать 2/3 толщины наносимых контактных слоев. Разработанные способы подготовки поверхности обеспечивают высокую адгезионную прочность

9 2

до 18 МПа, и низкое контактное сопротивление (~10- Ом м ) контактных систем, полученных вакуумным напылением контактных слоев.

2. Обоснованы структуры КС и составы материалов контактных слоев для каждой из секций в МСТ, функционирующей при определенных температурах из интервала 300-1200 К, а также предложены способы и режимы вакуумного напыления контактных слоев, позволяющие формировать КС, обладающие высокими антидиффузионными свойствами и термической стабильностью до 1200 К. Установлено, что при температурах до 550 К целесообразно использовать однослойные контакты из Со или №, которые успешно выполняют функции омического контакта, диффузионно-барьерного, адгезионного и коммутационного слоев контактов. Выше этой температуры в структуре КС предложены диффузионно-барьерные слои из материалов на основе Мо или W (патент РФ № 2757681).

3. Для увеличения механической прочности термоэлементов, в том числе многосекционных, изготовленных из ТЭМ с различными термическими коэффициентами линейного расширения, предложена структура, оптимизированы способы и режимы получения КС, содержащих демпферные слои, компенсирующие термические напряжения в термоэлементах при повышенных температурах. Демпферные слои образованы массивом углеродных нанотрубок (УНТ), сформированных методом каталитического химического осаждения из газовой фазы на буферных слоях Ti/Ni или Co-Nb-N, и заполненных металлом с высокой электропроводностью. Предложен способ, позволяющий управлять глубиной проникновения металла коммутационного слоя в УНТ.

4. Разработан способ коммутации ветвей и секций в ветвях МСТ с использованием эвтектических сплавов на основе Ni - In. Установлено соотношение компонентов сплавов для обеспечения необходимых рабочих температур контактов в структуре МСТ. Контактные слои Ni были сформированы химическим или электрохимическим осаждением металла, а слои In с помощью электронно-лучевого напыления. Установлены режимы и условия коммутации с использованием метода бондинга, обеспечивающие надежное функционирование МСТ при температурах до 900 К (патент РФ № 2820509).

Теоретическая и практическая значимость работы

1. В процессе исследований определены критерии подготовки поверхности ТЭМ для формирования качественных контактов.

2. Определены факторы, влияющие на адгезионную прочность и удельное контактное сопротивление КС.

3. Обоснованы структуры КС и материалы контактных слоев, обеспечивающие выполнение основных функций КС: омического контакта, диффузионно-барьерного, адгезионного и коммутационного слоев.

4. Обосновано использование в структуре КС демпферных слоев для компенсации термических напряжений в конструкции высокотемпературных термоэлементов.

5. Установлено, что массив УНТ, частично заполненный металлом, успешно выполняет роль демпферных слоев в структуре КС. Обосновано преимущество

буферного слоя Со-ЫЪ-№ для формирования УНТ методом каталитического химического осаждения из газовой фазы.

6. Разработаны способы механической, химической, электрохимической и вакуум-термической подготовки поверхности ТЭМ для формирования качественных контактов в структуре термоэлементов.

7. Разработаны и реализованы структуры КС для каждого ТЭМ, используемого для изготовления секций, работающих при определенных температурах из интервала 300-1200 К.

8. Разработаны режимы для магнетронного и электронно-лучевого напыления контактных слоев в КС.

9. Оптимизированы способы, разработаны составы и условия химического и электрохимического формирования коммутационных слоев.

10. Определены способы и режимы формирования УНТ методом каталитического химического осаждения из газовой фазы. Предложен способ, позволяющий управлять глубиной проникновения металла в УНТ.

11. Разработан способ коммутации секций в МСТ и ветвей ТЭ с использованием эвтектического сплава на основе № - 1п с помощью бондинга.

Результаты диссертационной работы использованы при выполнении следующих научно-исследовательских проектов:

1) Разработка конструкции и технологии многосекционного термоэлемента для термоэлектрических генераторов, работающих в широкой области температур. 22.07.2014-31.12.2016. Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

2) Разработка методов моделирования теплофизических свойств термоэлектрических материалов и структур и создание эффективных термоэлектрических тепловых насосов для преобразования низкопотенциальной тепловой энергии. 05.06.2014-31.12.2016. Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».

3) Моделирование эффективных многосекционных термоэлементов для рабочих температур до 1200 К с учетом тепло- и электрофизических параметров

используемых термоэлектрических материалов и контактных систем. 10.10.201801.10.2020. Конкурс 2018 года на лучшие научные проекты, выполняемые ведущими молодежными коллективами («Российский фонд фундаментальных исследований).

4) Создание эффективных контактных систем к термоэлектрическим материалам, используемым для изготовления термоэлементов, работающих в интервалах температур от 250 до 1200 К. 16.03.2020-31.12.2021. Грант президента.

5) Разработка физико-технологических основ создания эффективных многосекционных термоэлементов, работающих в широкой области температур. 22.05.2020-31.12.2020. Российский научный фонд по приоритетному направлению деятельности Российского научного фонда «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

6) Разработка физико-технологических основ создания эффективных многосекционных термоэлементов, работающих в широкой области температур. 15.05.2023-31.12.2024. Российский научный фонд по приоритетному направлению деятельности Российского научного фонда «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

12. Внедрение результатов диссертационной работы подтверждено следующими актами: акт внедрения результатов диссертационной работы, акт об использовании результатов диссертационной работы в учебном процессе, акт об использовании результатов диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук.

13. Результаты исследований использованы при подготовке лекционных курсов по дисциплинам: Общее материаловедение; Физика и химия полупроводников; Полупроводниковые преобразователи энергии; Термометрия; Конструирование и технология термоэлектрических преобразователей энергии.

В процессе выполнения исследований использовано современное метрологическое обеспечение, включающее аналитическое оборудование, высококлассные измерительные приборы, методики и измерительные комплексы, разработанные в рамках диссертационных исследований. Разработка

технологических процессов, используемых при создании КС, проводилась с помощью современного вакуумного оборудования, установки для получения УНТ методом каталитического химического осаждения из газовой фазы, установки бондинга, установок химического и электрохимического осаждения металлов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Определены факторы, влияющие на адгезионную прочность и удельное контактное сопротивление КС. Разработанные и оптимизированные способы механической, химической, электрохимической и вакуум - термической обработки поверхности ТЭМ для формирования контактов, способов и режимов вакуумного напыления контактных слоев в структуре КС позволяют получить высокие значения основных параметров КС - адгезионной прочности и удельного контактного сопротивления. Для исследования этих параметров разработаны методики и измерительные комплексы.

2. Разработанные структуры КС, материалы и толщины тонкопленочных контактных слоев для каждой из секций в МСТ, обеспечивают функционирование МСТ при температурах до 1200 К. Полученные контакты обеспечивают выполнение основных функций КС: омического контакта, диффузионно-барьерного, адгезионного и коммутационного слоев.

3. Использование в структуре КС нанокомпозитных демпферных слоев на основе УНТ с частичным заполнением последних № или Со позволяет компенсировать термические напряжения в структуре МСТ, секции которого изготовлены из ТЭМ, имеющих различные значения термического коэффициента линейного расширения. Использование буферного слоя на основе Со-ЫЪ-№ для формирования массива УНТ методом каталитического химического осаждения из газовой фазы позволяет получить высокие значения адгезионной прочности и низкое контактное сопротивление.

4. Оптимальными режимами формирования УНТ являются следующие. Аморфный буферный слой Со-ЫЪ-№ толщиной 50 нм формируются на поверхности ТЭМ магнетронным напылением, используя мишень Со-№Ь, затем отжигают структуру ТЭМ/Со-ЫЬ-№ при температуре 550-650 °С в течение 5 минут и проводится синтез УНТ в проточной смеси аргона, ацетилена и аммиака, при температуре 700 °С в течение 2 мин. Использование буферного слоя Со-ЫЬ-Ы

позволяет осуществлять диффузионное дозирование каталитического металла за счет времени отжига слоя, что дает возможность управлять процессом роста УНТ. Для контроля степени заполнения УНТ металлами, на поверхности УНТ формируются магнетронным напылением пленки Ni или Co различной толщины. МСТ, коммутация секций в которых осуществлялась с использованием КС с демпферными слоями, показывают термическую стабильность при температурах до 1200 К.

5. Способ коммутации методом бондинга высокотемпературных секций МСТ с использованием перитектического сплава In-Ni при соотношении компонентов, обеспечивающих формирование интерметаллической фазы In3Ni2, позволяет изготавливать термоэлементы с рабочими температурами до 1200 К, при этом заданное соотношение компонентов достигается формированием пленок Ni и In соответствующей толщины: Ni химическим осаждением, а пленки In электронно-лучевым напылением.

Степень достоверности результатов

Достоверность полученных результатов основана на большом объеме экспериментальных работ с использованием современных технологического оборудования и метрологического обеспечения, включающего аналитическое оборудование, высококлассные измерительные приборы, методики и измерительные комплексы, разработанные в рамках диссертационных исследований. Результаты работы прошли апробацию в виде публикаций в журналах, рекомендованных ВАК, а также докладывались на отечественных и международных конференциях, где получили высокую оценку. Теоретические результаты обоснованы и согласуются с известными экспериментальными данными других авторов, опубликованными в печати. Разработанные технологические процессы защищены патентами.

Апробация работы

Основные результаты, представленные в диссертации, докладывались и обсуждались на 13 Международных и Всероссийских НТ конференциях: XVII и XVIII Межгосударственных конференциях «Термоэлектрики и их применения» в 2021 и 2023 гг, г. Санкт-Петербург; 6th International Asian congress on contemporary sciences-VI, Van, Turkey, 2022 г; International seminar on Electron Devices Design and

Production, Prague, 2021 г; 2nd Global Virtual Summit on Advances in Materials, Physics & Chemistry Science, London, 2021 г; IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 2021 г, Moscow and St. Petersburg, Russia; The 5th Asian Conference on Thermoelectrics (ACT5) & The 6th Southeast Asia Conference on Thermoelectrics (SACT6), Thailand, 2020 г; Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), Moscow, 2020 г; International Seminar on Electron Devices Design and Production, Prague, Czech Republic, 2019 г; Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), Moscow, 2019 г. Публикации

Научные результаты диссертации отражены в 31 публикациях, в том числе: в 2 статьях в журналах из списка ВАК; 11 статьях, индексируемых Scopus, Springer; 5 патентах на изобретение, 13 конференциях.

ГЛАВА 1. ПРОБЛЕМЫ КОММУТАЦИИ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ С РАБОЧИМИ ТЕМПЕРАТУРАМИ ОТ 300 ДО 1200 К

1.1 Перспективы и проблемы термоэлектрического преобразования энергии

Резкое увеличение энергопотребления привело к усиленной добыче ископаемых не возобновляемых источников энергии, таких как нефть, газ, уголь, ядерное топливо и росту производства электричества на их основе. К настоящему времени более 75 % электроэнергии вырабатывается за счёт сжигания минерального и органического топлива. Однако энергетика уже сегодня столкнулась с ситуацией истощения традиционной сырьевой базы, ведь ископаемые ресурсы ограничены. Кроме того, нефть, газ и уголь являются ценнейшим сырьем для интенсивно развивающейся химической промышленности.

Исчерпаемость ископаемых источников энергии и экологические проблемы, усугубляемые с ростом их применения (загрязнение окружающей среды отходами, выбросы газов и тепла в атмосферу и т.д.), вызывают необходимость использования альтернативных источников энергии и энергоэффективных технологий. Термоэлектричество может стать одной из таких альтернативных технологий. Для получения электрической энергии перспективно использование ТЭГ, работающих на эффекте Зеебека. Для работы ТЭГ могут быть использованы различные, включая ядерные, источники тепловой энергии. Перспективно использование, так называемого, бросового тепла, вырабатываемого в энергоемких производствах, металлургических химических и других предприятий, а также тепло мегаполисов. Термоэлектрическое преобразование может осуществляться круглогодично, в любое время суток, в любом географическом расположении, при любых погодных условиях [1-7].

Высокая надежность работы, длительный срок эксплуатации без постоянного обслуживания, высокая удельная мощность при компактности размеров, делает ТЭГ привлекательными для применения в добывающей промышленности, высокотехнологичных интеллектуальных системах для питания сенсоров и датчиков, устройствах аэрокосмической, военной, вычислительной,

СВЧ техники; автомобилестроении и оптоэлектронике. Целесообразно использование ТЭГ при освоении крайнего Севера, Дальнего Востока и Северных морских путей, так как применение других источников энергии там существенно затруднено. В таких территориальных и климатических условиях перспективно использовать радиоизотопные ТЭГ. Применение ТЭГ оправдано и в специфических отраслях, где надежность, долговечность, миниатюрность, малый вес, бесшумность, экологичность и другие характеристики оказываются более важными, чем эффективность преобразования и, соответственно, стоимость полученной электроэнергии. Такими потребителями являются метеостанции, маяки, устройства сейсмической разведки, бортовые системы межпланетных космических аппаратов, подводные лодки и др. [8-11].

В условиях дальнего космоса, для орбитальных полетов и космических программ освоения Луны и Марса, ТЭГ являются единственными доступными источниками энергии, в том числе для спускаемых аппаратов и жизнеобеспечения астронавтов. В таких условиях перспективной рассматривается потенциальная возможность использования местных ресурсов для генерации тепла и преобразование его в электричество [12].

Однако низкая эффективность, определяемая КПД, всегда была самым значительным препятствием, ограничивающим широкое применение ТЭГ. КПД ТЭГ может быть увеличен за счет повышения термоэлектрической добротности ТЭМ и повышения разности температур между горячим и холодным спаями ТЭ. Последнее возможно при увеличении интервала рабочих температур ТЭ. Перспективно для работы в широком интервале температур использовать в ТЭ многосекционные ветви, секции которых изготавливаются из различных ТЭМ. Схема МСТ представлена на рисунке 1.1. ТЭМ для каждой секции подбирается с максимальной термоэлектрической добротностью (2), которую он имеет в интервале рабочих температур данной секции. Такая конструкция ТЭ существенно увеличивает эффективность преобразования энергии [13-20].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Козлов Александр Олегович, 2024 год

Список литературы

1. Клименко В. В., Терешин А. Г., Микушина О. В. Мировая энергетика и климат планеты в XXI веке в контексте исторических тенденций // Российский химический журнал. - 2008. - Т. LII. № 6. - С. 11-17.

2. Shtern M. Yu. Current trends in improving the efficiency of thermoelectric generators // 2019 Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus).

3. Sherchenkov A. A., Shtern Yu. I., Mironov R .E., Shtern M. Yu., Rogachev M. S. Current State of Thermoelectric Material Scienceand the Searchfor New Effective Materials // Nanotechnologiesin Russia. - 2015. - V. 10, No 11-12. - P. 827-840.

4. Sherchenkov A. A., Shtern Y. I., Shtern M. Y., Rogachev M. S. Prospects of creating efficient thermoelectric materials based on the achievements of nanotechnology // Nanotechnologies in Russia. - 2016. - Vol. 11. - P. 387-400.

5. Штерн Ю.И. Разработка физико-технологических основ создания термоэлектрического оборудования для прецизионного регулирования и стабилизации температуры: диссертация доктора технических наук: 05.27.06 -Москва, 2010. - 359 с.

6. Shtern M.Y., Rogachev M.S., Shtern Y.I., Sherchenkov A.A., Kozlov A.O. Creation of multisectional thermoelements for increasing of the efficiency of thermoelectric devices // 2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production, SED 2019 - Proceedings / IEEE, 2019. - P. 8798432-1-8798432-6. DOI: 10.1109/SED.2019.8798432

7. Федоров М. И., Зайцев В. К., Соломкин Ф. Ю., Ведерников М. В. Термоэлектрические элементы на основе соединений кремния с переходными металлами // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23, № 15. - С. 64 - 69.

8. Штерн Ю.И., Кожевников Я.С., Рыков В.М., Штерн М.Ю., Миронов Р.Е. Системы управления термическим оборудованием // XI международная НТ конференция «Кибернетика и высокие технологии XXI века». Воронеж, 2010. - Т.1, - С. 433-444.

9. Штерн Ю. И., Кожевников Я. С., Штерн М. Ю., Барсуков Е. В. Автоматизированные термоэлектрические системы для обеспечения тепловых

режимов электронной техники // Х международная НТ конференция «Кибернетика и высокие технологии XXI века», сборник докладов. Воронеж, 2009. - Т. 1. - С. 2938.

10. Штерн М. Ю., Силибин М. В. Термоэлектрические системы для охлаждения и стабилизации температуры вычислительной техники // Тез. докл. 13-й Всеросс. межвуз. научно-техническая конф. «Микроэлектроника и информатика -2006», .МИЭТ, 2006. - С.101.

11. C. J.Brinker, D. Ginger. Nanotechnology Long-term Impact and Reserch Directions: 2000-2020. In Chapter 6 Nanotechnology for Sustainability: Energy Conversion, Storage, and Conservation. Spronger. - 2010, WTEC, Inc.

12. D. Beretta, N. Neophytou, J.M. Hodges, M.G. Kanatzidis, D. Narducci, M. Martin- Gonzalez, M. Beekman, B. Balke, G. Cerretti, W. Tremel, A. Zevalkink, A. I. Hofmann, C. Müller, B. D'orling, M. Campoy-Quiles, M. Caironi, Thermoelectrics: From history, a window to the future, Mater. Sci. Eng. R Reports. 138. - 2019. - Р. 210255.

13. Штерн М. Ю., Андронов Д. И., Нуштаев А. В. Разработка и исследование термоэлектрических систем с высокой холодопроизводительностью // Тез. докл. 17-й Всеросс. межвуз. НТ конф. «Микроэлектроника и информатика» 2010. МИЭТ, 2010. - С. 58.

14. Штерн М.Ю. Термоэлектрическое оборудование для температурных исследований // Тез. докл. 14-й Всеросс. конф. «Микроэлектроника и информатика-2007», МИЭТ, 2007. - С. 61.

15. Shtern M. Y., Rogachev M. S., Shtern Y. I., Sherchenkov A. A., Kozlov A. O. Creation of multisectional thermoelements for increasing of the efficiency of thermoelectric devices // 2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production, Prague, Czech Republic.

16. Snyder G. J, Toberer E. S. Complex thermoelectric materials // Nature Materials. - 2008. - V. 7. - P. 105-114.

17. Дмитриев А. В., Звягин И. П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // Ус. Физ. наук. - 2010. - Т. 180, №8. - С. 821-838.

18. Охотин А. С., Ефимов А. А., Охотин В. С., Рушкарский А. С. Термоэлектрические генераторы. // М.: Атомиздат, 1972. - 288 с.

19. M. Shtern, M. Rogachev, Yu. Shtern, A. Sherchenkov, A. Kozlov, E. Korchagin. Modeling of Multisection Generator Thermoelemens for Temperatures in the Range Of 300-1200 K // Book of abstract The 5th Asian Conference on Thermoelectrics (ACT5) & The 6th Southeast Asia Conference on Thermoelectrics (SACT6), Thailand, 17 December 2020. P. 41.

20. H. Kawamoto, R&D Trends in High Efficiency Thermoelectric Conversion Materials for Waste Heat Recovery. Quarterly Review, № 30. - 2009. - Р. 54-69.

21. Штерн Ю. И., Павлова Л. М., Миронов Р. Е. Тепловое расширение анизотропных низкотемпературных термоэлектрических материалов // Материалы Всероссийской научно-технической конф. «Новые материалы и технологии» -НМТ-2008. - М.: МАТИ, 2008. - Т. 2. - С. 138-139.

22. Павлова Л. М., Штерн Ю. И., Миронов Р. Е. Термодинамическое моделирование теплового расширения анизотропных кристаллов // Методы и средства контроля технологий материалов и изделий в микроэлектронике: межвузовский сборник. - М.: МИЭТ, 2009. - C. 181 - 193.

23. Штерн Ю. И., Павлова Л. М., Миронов Р. Е. Критическая оценка и прогнозирование коэффициентов линейного термического расширения низкотемпературных термоэлектрических материалов // XIII Межд. форум, 2009, Киев.

24. Rogachev M. S., Pavlova L. M., Shtern Yu. I. Investigation of thermal linear expansion for nanostructured Si0.8Ge0.2P0.022 in wide temperature range // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - №741. - P. 012203-1-012203-6.

25. Schierning, G.; Chavez, R.; Schmechel, R.; Balke, B.; Rogl, G.; Rogl, P. Concepts for medium-high to high temperature thermoelectric heat-to-electricity conversion: A review of selected materials and basic considerations of module design. Transl. Mater. Res. - 2015.

26. J. D. James, J A Spittle, S G R Brown and R W Evans.A review of measurement techniques for the thermal expansion coefficient of metals and alloys at elevated temperatures. Meas. Sci. Technol. 12. - 2001. - R1-R15.

27. Вайнер А. Л. Каскадные термоэлектрические источники холода. - М.: Сов. радио. 1976 - 140 с.

28. Ran He, Gabi Schierning, and Kornelius Nielsch.//Thermoelectric Devices: A Review of Devices, Architectures, and Contact Optimization.// Adv. Mater. Technol. -2018. - 3, 1700256.

29. M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, A. Sherchenkov, D. Gromov. Contact systems for multisectional generator thermoelements // Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering / IEEE, 2019. - P. 1927-1931.

30. Shtern M. Y., Rogachev M. S., Shtern Y. I., Sherchenkov A. A., Kozlov A. O. Creation of multisectional thermoelements for increasing of the efficiency of thermoelectric devices 2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production, SED 2019 - Proceedings / IEEE, 2019. - P. 8798432-1-8798432-6. DOI: 10.1109/SED.2019.8798432.

31. Shtern Y. I., Gromov D. G., Shtern M. Yu., Sherchenkov A. A., Rogachev M. S. Multisectional thermoelement for generators working at the temperatures up to 1200 K // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference / IEEE, 2017. - P. 1201-1204.

32. Штерн Ю.И. Методика исследования тепло- и электрофизических свойств материалов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74. - №6. - С. 32-35.

33. Caillat T., Fleurial J.-P., Snyder G. J., Zoltan A., Zoltan D., Borshchevsky A. A New High Efficiency Segmented Thermoelectric Unicouple. // 34th Intersociety Energy Conversion Engineering Conference, 1999 - P.2567-2570.

34. Swanson B. W., Somers E. V., Heikes R. R. Optimization of a Sandwiched Thermoelectric Device // Journal of Heat Transfer. - 1961. - V. 83. - P. 77-82.

35. Рогачев М.С. Математическая модель для расчёта и оптимизации конструкции многосекционного термоэлемента / 22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика - 2015." Тезисы докладов. -М.: МИЭТ, 2015. - С.54.

36. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2017612379 от 20.02.2017, Российская Федерация. «Программное обеспечение для расчета и моделирования теплофизических свойств материалов и конструкции термоэлектрических устройств на базе термоэлемента с составными ветвями» /

Ефимов С. В., Штерн Ю. И., Рогачев М. С., Штерн М. Ю. Заявка №2016664592 от 28.12.2016.

37. Rogachev M. S., Shtern Yu. I., Shtern M. Yu. Modeling of thermal expansion of the multisectional generator thermoelements // 2018 Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus) / IEEE, 2018. - P. 1635-1638.

38. Mei D., Wang H., Yao Z., Li Y. Numerical modeling and optimization of the segmented PbTe-BiTe-based thermoelectric leg // Journal of applied physics. -2016. -V. 120, № 12. - P. 124503-1-124503-9.

39. Brinker C. J., Ginger D. Nanotechnology for Sustainability: Energy Conversion, Storage, and Conservation // Nanotechnology Long-term Impact and Research Directions: 2000-2020. September 30, 2010.

40. Sherchenkov A. A., Shtern Y. I., Shtern M. Y., Rogachev M. S. Prospects of creating efficient thermoelectric materials based on the achievements of nanotechnology // Nanotechnologies in Russia. - 2016. - Vol. 11. - P. 387-400.

41. Шерченков А. А., Штерн Ю. И., Миронов Р. Е., Штерн М. Ю., Рогачев М. С. Перспективы создания эффективных термоэлектрических материалов с использованием нанотехнологий. // Российские нанотехнологии. - 2016. - №8. - С. 13-24.

42. Абрютин В., и др. Применение нанотехнологий для создания высокоэффективных термоэлектрических материалов // Наноматериалы. - 2010. -Т. 1. - С. 24-26.

43. Иоффе, А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы / А.Ф. Иоффе. - М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1960. - 188 с.

44. Stern Yu., Pavlova L., Mironov R. Thermal Expansion of n-Type Doped Bi2Te2.88Se0.12 and p-Type Doped Bi0.52Sb!.48Te3 Solid Solutions from -60°C to +60°C // Journal of electronic materials. - 2010. - V. 39, №9. - P. 1422- 1428.

45. Синани С. С., Гордякова Г. Н. Твердые растворы Bi2Te3 -- Bi2Se3 как материал для термоэлементов // Журн.техн. физики. - 1956. - Т. 26, № 10. - С. 2398-2399.

46. Zhu B., Yu Y., Wang X.-y., Zu F.-q., Huang Z.-y. Enhanced thermoelectric properties of n-type Bi2Te2.7Se0.3 semiconductor by manipulating its parent liquid state // Journal of Materials Science. - 2017. - V. 52, №14. - P. 8526-8537.

47. Snyder G. J., Toberer E. S. Complex thermoelectric materials // Nature Materials. - 2008. - V. 7. - P. 105-114.

48. Goldsmid H. J. Bismuth Telluride and Its Alloys as Materials for Thermoelectric Generation // Materials. - 2014. - V. 7, № 4. - P. 2577-2592.

49. Shtern M., Rogachev M., Shtern Y., Sherchenkov A., Babich A., Korchagin E., Nikulin D. Thermoelectric properties of efficient thermoelectric materials on the basis of bismuth and antimony chalcogenides for multisection thermoelements // Journal of Alloys and Compounds. - 2021. - Vol. 877. - P. 160328-1-160328-13.

50. Шерченков А. А., Штерн Ю. И., Миронов Р. Е., Штерн М. Ю., Рогачев М. С. Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов. // Российские нанотехнологии. - 2015. - №11. - С. 22-32.

51. Minnich A. J., Dresselhaus M. S., Ren Z. F., Chen G. Bulk nanostructured thermoelectric materials: current research and future prospects // Energy & Environmental Science. - 2009. - V. 2, - № 5. - P. 468.

52. LaLonde A. D., Pei Y. Z., Snyder G. J. Réévaluation of PbTe1-xIx as high performance n-type thermoelectric material // Energy & Environmental Science. - 2011.

- V. 4, № 6. - P. 2090-2096.

53. Shtern M. Yu. Development and application of a research technique to study thermal and electrophysical parameters of thermoelectric materials at temperatures up to 1200 K // Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering / IEEE, 2019. - P. 1920-1926.

54. He J. Q., Kanatzidis M. G., Dravid V. P. High performance bulk thermoelectrics via a panoscopic approach // Materials Today. - 2013. - V. 16, № 5. - P. 166-176.

55. Zhao R., Shen L., Guo F. Enhanced electrical conductivity in Si80Ge20B0.6 alloys with Er addition prepared by spark plasma sintering // J. Mater. Res. - 2011. - V. 26, №. 15. - P. 1879-1885.

56. Pavlova L., Shtern Y., Kirilenko E. Thermal expansion of bulk nanostructured n-type SiGe nanocomposite from 300 to 1400 K // Journal of Materials Science. - 2017.

- V. 52, № 2. - P. 921-934.

57. Shtern M. Yu., Rogachev M. S., Sherchenkov A. A., Shtern Yu. I. Development and investigation of the effective thermoelectric materials for the

multisectional generator thermoelements // Materials Today: Proceedings. - 2020. - V. 20. - P. 295-304.

58. Shtern Yu. I., Sherchenkov A. A., Babich A. V., Rogachev M. S. Thermal properties of nanostructured thermoelectric materials for the application in multisectional legs of thermoelectric elements. Proceedings: International Conference on Thermal Analysis and Calorimetry in Russia (RTAC-2016) (2016, St. Petersburg, Russia), SPbPU Publisher, 2016. - P. 169-172.

59. Шевельков А. В. Наноструктурированные термоэлектрические материалы. Конспект лекций. М.: МГУ им. Ломоносова, 2010. - 156 с.

60. Xie W. J., Tang X. F., Yan Y. G., Zhang Q. J., Tritt T. M. Unique nanostructures and enhanced thermoelectric performance of melt-spun BiSbTe alloys // Applied physics letters. - 2009. - V. 94. - P. 102111-1-102111-3.

61. Saleemi M. Nano-Engineered Thermoelectric Materials for Waste Heat Recovery // KTH Royal Institute of Technology, 2014. - Р.52.

62. Shtern M., Rogachev M., Shtern Y., Gromov D., Kozlov A., Karavaev I. Thin-film contact systems for thermocouples operating in a wide temperature range // J . Alloys Compd . 2021. - . V. 852. - P.156889-1-15688910.

63. Aswal D. K., Basu R., Singh A. Key issues in development of thermoelectric power generators: High figure-of-merit materials and their highly conducting interfaces with metallic interconnects // Energy conversion and management. - 2016. - V. 114. - P. 50-67.

64. Kessler V., Dehnen M., Chavez R., Engenhorst M., Stoetzel J., Petermann N., Hesse K., Huelser T., Spree M., Stiewe C., Ziolkowski P., Schierning G., Schmechel R. Fabrication of High-Temperature-Stable Thermoelectric Generator Modules Based on Nanocrystalline Silicon // Journal of electronic materials. - 2014. - V. 43, №. 5. - P. 1389-1396.

65. Zhu X., Cao L., Zhu W., Deng Y. Enhanced interfacial adhesion and thermal stability in bismuth telluride/ nickel/copper multilayer films with low electrical contact resistance // Adv. Mater. Interfaces . 2018. - V. 5, № 23. - P. 1801279-1-1801279-9.

66. Штерн М. Ю., Козлов А. О., Штерн Ю. И., Рогачев М. С., Корчагин Е. П., Мустафоев Б. Р., Дедкова А. А. Получение и исследование омических контактов с

высокой адгезией к термоэлементам // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 12. - С. 1097-1104.

67. Shtern Y. I., Mironov R. E., Shtern M. Y., Sherchenkov A. A., Rogachev M. S. Technology and Investigation of Ohmic Contacts to Thermoelectric Materials // Acta Phys. Pol. A. 2016. - V. 129, № 4. - P. 785-787.

68. Gromov D. G. et al. Mo/Ni and Ni/Ta-W-N/Ni thin-film contact layers for (Bi,Sb)2Te3-based intermediate-temperature thermoelectric elements // Inorg Mater. 2016. - V. 52, № 11. - P. 1132-1136.

69. R. P. Gupta, K. Xiong, J. B. White, K. Cho, H. N. Alshareef, B. E. Gnade. J. Electrochem. Soc., 157 (6), H666 (2010). (Gupta R. P., Xiong K., White J. B., Cho K., Alshareef H. N., Gnade B. E. Low Resistance Ohmic Contacts to Bi2Te3 Using Ni and Co Metallization // Journal of The Electrochemical Society. - 2010. - Vol. 157, №6. - P. H666-H670.

70. Анатычук Л. И., Семенюк В. А. Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов. - Черновцы: ИНФОРМ, 1992. - 135 с.

71. Pat. 2171254 A (GB) Thermoelectric Element, thermoelectric device and methods of manufacturing the same. - 1986.

72. Caillat T., Fleurial J.-P., Snyder G. J., Zoltan A., Zoltan D., Borshchevsky A. A New High Efficiency Segmented Thermoelectric Unicouple. // 34th Intersociety Energy Conversion Engineering Conference, 1999, - P.2567-2570.

73. Chuang T. H., Lin H. J., Chuang C. H., Yeh W. T., Hwang J. D., Chu H. S. Solid Liquid Interdiffusion Bonding of (Pb, Sn)Te Thermoelectric Modules with Cu Electrodes Using a Thin-Film Sn Interlayer // Journal of electronic materials. - 2014.

74. Sakamoto T., Taguchi Y., Kutsuwa T., Ichimi K., Kasatani S., Inada M. Investigation of Barrier-Layer Materials for Mg2Si/Ni Interfaces // Journal of electronic materials. - 2016. - V. 45, №3. - P. 1321-1327.

75. Достанко А. П., Баранов В. В., Шаталов В. В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. -Мн.: Выш. шк., - 1989. - 238 с.

76. Ho P.S. General aspects of barrier layers for very-large-scale integration applications. I: Concepts // Thin Solid Films. - 1982. -V.96, №4. - Р.301-306.

77. Сейдман Л. А. Реактивное нанесение в вакууме слоев нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых

приборов// Обзоры по ЭТ. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 6 (1366), -1988.

78. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, - 1982, - 576 с.

79. Kohn A., Eizenberg M., Shacham-Diamand Y., Israel B., Sverdlov Y. Evaluation of electroless deposited Co (W,P) thin films as diffusion barriers for copper metallization. Microel. Eng. - 2001, V. 55 - P. 297-303.

80. Wang S.-Q., Raaijmakers I.J., Burrow B.J., Suthar S., Redkar S., Kim K.-B. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si. J. Appl. Phys., - 1990, V. 68. - P. 5176-5187.

81. L. Le Brizoual, S. Guilet, G. Lemperiere, A. Granier, N. Coulon, M. Lancin, G. Turban. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering. Microelectronic Engineering, - 2000, V. 50. -Р. 509-513.

82. S. Riedel, S.E. Schulz, J. Baumann, M. Rennau, T. Gessner. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion. Microelectronic Engineering, - 2001, V. 55. - P. 213-218.

83. Reid J. S., Kolawa E., Ruiz R. P., Nicolet M.-A. Evaluation of amorphous (Mo, Ta, W)-Si-N diffusion barriers for <Si>|Cu metallizations. Thin Solid. Films, -1993, V. 236. - P. 319-324.

84. Cheng-Li Lin, Shaw-Ru Ku, Mao-Chieh Chen. Reactively Sputtered Amorphous TaSixNy Films Serving as Barrier Layer Against Copper Diffusion. Jpn. J. Appl. Phys., - 2001, V. 40. - P. 4181- 4186.

85. Gromov D. G., Shtern Yu. I., Rogachev M.S., Shulyat'ev A. S. Performance of Bi2Te3 thermoelectric element improved by means of contact system Ni/Ta-W-N/Ni / Book of abstracts ENEFM, - 2015, - P. 288.

86. Caillat T., Fleurial J.-P., Snyder G. J., Zoltan A., Zoltan D., Borshchevsky A. A New High Efficiency Segmented Thermoelectric Unicouple. // 34th Intersociety Energy Conversion Engineering Conference, 1999, - P.2567-2570.

87. Shtern M. Yu., Karavaev I. S., Shtern Y. I., Kozlov A. O., Rogachev M. S. The Surface Preparation of Thermoelectric Materials for Deposition of Thin-Film Contact Systems // Semiconductors. - 2019. - V. 53, №13. - P.1848-1852.

88. Б. В. Дерягин, Н. А. Кротова, В. П. Смилга. Адгезия твердых тел .М.: Наука, - 1973. - 280 с. Повтор [108]

89. Sakamoto T., Taguchi Y., Kutsuwa T., et al. Investigation of Barrier-Layer Materials for Mg2Si/Ni Interfaces // Journal of electronic materials. - 2016. - V. 45, №3.

- P. 1321-1327.

90. S. M. Sze, K. K.Ng. Physics of Semiconductor Devices (NY, Wiley, 2007), гл. 3, 149 с.

91. Технология толстых и тонких пленок / Под ред. А. Рейсмана. М: Мир, 1972. - 176 с.

92. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела / Мир, 1980.

- 488 с.

93. Зимон А. Д. Адгезия пленок и покрытий. - М.: Химия, 1977. - 352 с.

94. Э. Кинлок. «Адгезия и адгезивы. Наука и технология» / пер. с англ., под ред. Л.М. Притыкина М.: Мир - 1991г. - 484 с.

95. Pavlova L. M., Shtern Yu. I., Mironov R. E. Thermal expiation of bismuth telluride // High Temperature. - 2011. - V. 49, №3. - P. 396-379.

96. Штерн Ю. И., Павлова Л. М., Миронов Р. Е. Критическая оценка и прогнозирование коэффициентов линейного термического расширения низкотемпературных термоэлектрических материалов // XIII Межд. форум, Киев, 2009.

97. Stern Yu., Pavlova L., Mironov R. Thermal Expansion of n-Type Doped Bi2Te2.88Se0.i2 and p-Type Doped Bi0.52Sbi.48Te3 Solid Solutions from -60°C to +60°C // Journal of electronic materials. - 2010. - V. 39, No9. - P. 1422- 1428.

98. Thermoelectrics handbook macro to nano, Edited by D.M. Rowe. CRC Press,

2006.

99. Liu G., Zhao W.-Y., Zhou H.-Y., Wei P., Yu J., Tang D.-G., Zhang Q.-J. Design and Optimization of Gradient Interface of Ba0.4In0.4Co4Sb12/Bi2Te2.7Se0.3 Thermoelectric Materials // Journal of electronic materials. - 2012. - V.41, №6.

100. Yoneda S., Kato M., Ohsugi I. J. Anomalous thermal expansion of Pb-Te system semiconductors // Journal of Applied Physics. - 2010. - V. 107. - P. 074901-1074901-6.

101. Hikage Y., Masutani S., Sato T., Yoneda S., Ohno Y., Isoda Y., Imai Y., Shinohara Y. Thermal Expansion Properties of Thermoelectric Generating Device Component // 26th International Conference on Thermoelectrics - 2007. - P. 331-335.

102. Skelton J. M., Parker S. C., Togo A., Tanaka I., Walsh A. Thermal physics of the lead chalcogenides PbS, PbSe, and PbTe from first principles // Physical Review B. -2014. -V. 89. - P. 205203-1-205203-10.

103. Yang X. Y., Wu J. H., Gu M., Xia X. G., Chen L. D. Fabrication and contact resistivity of W-Si3N4/TiB2-Si3N4/p-SiGe thermoelectric joints // Ceramics International. - 2016. - V. 42, № 7. - P. 8044-8050.

104. Shtern M., Rogachev M., Shtern Yu., Sherchenkov A., Gromov D., Kozlov A. Development of the contact system for the effective multisectional thermoelements with the operating temperature range from 300 to 1200 K // International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Book of Abstracts / UA Editora. -2018. - P. 85. Повтор с [117].

105. Шауцуков А. Г. Современное представление о возможных механизмах адгезии металлических пленок к различным подложкам // Прикладная физика. -2006, № 5, С. 16-21.

106. Кинлок Э. Адгезия и адгезивы // Наука и технология. пер. с англ., под ред. Л.М. Притыкина М.: Мир. - 1991. - 484 с.

107. Богданова Ю. Г. Адгезия и ее роль в обеспечении прочности полимерных композитов. Москва. - 2010. - 68 с.

108. Дерягин Б. В., Кротова Н. А., Смилга В. П. Адгезия твердых тел. - М.: Наука, 1973. - 280 с.

109. Чечерников И. М. Анализ напряженно-деформированного состояния системы пленка-антиадгезив-подложка и разработка технологии получения пленочных изделий на основе титана из молекулярных пучков. дис. на соиск. учен. степ. к. т. н. - М. - 1985. 182 с.

110. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. М.: Химия. - 1977. - 352 с.

111. Штерн Ю. И., Боженарь Д. А. Технология получения омических контактов к термоэлементам с высокой адгезионной прочностью // М.: Электроника. - 2001. - № 1. - С. 34 - 38.

112. И. А. Драбкин, В. Б. Освенский, А. И. Сорокин, В. П. Панченко, О. Е. Нарожная. Контактные сопротивления в составных термоэлектрических ветвях //Физика и техника полупроводников. - 2017 - Т. 51. - вып. 8. С. 1038-1040.

113. В. М. Глазов, А. С. Охотин, Р. П. Боровикова, А. С. Пушкарский. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников / Под ред. А.Р. Регеля. - М: Атомиздат. - 1969. - 176 с.

114. А. С. Охотин, А. С. Пушкарский, Р. П. Боровикова, В. А. Симонов. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. - М.: Наука. - 1974. - 167 с.

115. Коленко Е. А. Термоэлектрические охлаждающие приборы. - Л.: Наука.

- 1967. - 283 с.

116. Родерик Э. Х. Контакты металл-полупроводник / Пер. с англ. - М.: Радио и связь. - 1982. - 208 с.

117. Shtern M., Rogachev M., Shtern Yu., Sherchenkov A., Gromov D., Kozlov A. Development of the contact system for the effective multisectional thermoelements with the operating temperature range from 300 to 1200 K // International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Book of Abstracts / UA Editora. -2018. - P. 85.

118. Агеев Ю. И. Работа охлаждающих термоэлементов в экстремальных режимах: Дис.канд.физ.-мат.наук. - Л., - 1985. - 186 с.

119. Arai K., Matsubara M., Sawada Y., Sakamoto T., Kineri T., Kogo Y., Iida T., Nishio K. Improvement of Electrical Contact Between TE Material and Ni Electrode Interfaces by Application of a Buffer Layer // Journal of electronic material.

120. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. в 2-х кн. Кн. 1.

- М.: Мир. - 1984. - 456 с.

121. Технология толстых и тонких пленок / Под ред. А. Рейсмана, К. Роуза. Пер. с англ. - М.: Мир, 1972. - 176 с.

122. Hanlein W. Die Technologisschen Probleme bei der Anwendung des Peltiereffekts Kaltetechnik. - 1960. - V. 2. - P. 137 - 144.

123. T. Caillat, J.- P. Fleurial, G. J. Snyder, A. Zoltan, D. Zoltan, and A. Borshchevsky. A New High Efficiency Segmented Thermoelectric Unicouple. // 34th Intersociety Energy Conversion Engineering Conference/ - 1999. - Р.2567.

124. Caillat T. High efficiency segmented thermoelectric unicouples // AIP Conference Proceedings. Seoul (Korea): AIP, - 2000. - V. 504. - P. 1508-1512.

125. М. В. Астахов, В. Т. Бублик, В. В. Каратаев, Н. В. Малькова, В. Б. Освенский, Т. Б. Сагалова, Н. Ю. Табачкова. В сб.: Термоэлектрики и их применение. СПб. - 2004. - С. 243.

126. В. Б. Освенский, В. В. Каратаев, Н.В. Малькова, В.Т. Бублик, Ю. В. Гостев, Т. Б. Сагалова, Н. Ю. Табачкова. В сб.: Термоэлектрики и их применение. СПб. - 2000. - С. 48.

127. R. Holm. Electric Contacts Handbook .Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg. -

1958.

128. M. Braunovich, V. V. Konchits, N. K. Myshkin. Electrical Contacts. Fundamentals, Applications and Technology . CRC Press. - 2006.

129. И. А. Драбкин, Л. Б. Ершова. В сб.: Термоэлектрики и их применение. СПб. - 2008. - С. 408.

130. Коленко Е. А. Термоэлектрические охлаждающие приборы. Л.: Наука. -1967. - 283 с.

131. Городецкий С. М., Драбкин И. А., Нельсон И. В. Исследование координатной зависимости удельного сопротивления сплавов на основе теллурида висмута // Материалы для термоэлектрических преобразователей. - Л.: ФТИ. -1987. - С. 70 - 71.

132. Gelb A. S., Blalock S. L., Volckmann E. N. The Effect of Copper on the Properties of Thermoelectric Coolers // Proc. 6th Inter.Conf. on Thermoelectric Energy Conversion. Arlington, Texas, USA. - Arlington. - 1986. - P. 125 - 131.

133. Zhu X., Cao L., Zhu W., Deng Y. Enhanced Interfacial Adhesion and Thermal Stability in Bismuth Telluride/Nickel/Copper Multilayer Films with Low Electrical Contact Resistance // Adv. Mater. Interfaces. - 2018. - V. 5, № 23. - P. 1801279.

134. Thimont Y., Lognone Q., Goupil C., Gascoin F., Guilmeau E. Design of Apparatus for Ni/Mg2Si and Ni/MnSii.75 Contact Resistance Determination for Thermoelectric Legs // Journal of Elec Materi. - 2014. - V. 43, № 6. - P. 2023-2028.

135. Колесникова А. А., Комов А. Н. Исследование методов TLM для оценки сопротивления омических контактов, изготовленных к гетероструктурам P-SiC/Si// Вестн. СамГУ: Естественнонаучная серия. - 2006. - № 2(42). - С.155 - 160.

136. Городецкий С. М., Драбкин И. А., Нельсон И. В. Исследование координатной зависимости удельного сопротивления сплавов на основе теллурида висмута // Материалы для термоэлектрических преобразователей. - Л.: ФТИ, 1987. - С. 70 - 71.

137. Sher A., Ilzycer D., Shiloh M. Preparation and Characterization of Thermoelectrical materials // Proc. 4-th Inter. Conf. On Thermoelectric Energy Conversion, Arlington, USA. - Arlington. - 1982. - P. 35.

138. Valicek J. et al. Non-contact method for surface roughness measurement after machining // Measurement Science Review. - 2012. - V. 12. - № 5.

139. Wang Z., Wang L. Optical scan method for fine surface roughness measurement / ed. Osten W., Gorecki C., Novak E.L. Munich, Germany. - 2007. - P. 66162K.

140. Korchagin E. P., Shtern M. Yu., Petukhov I. N., Shtern Yu. I., Rogachev M. S., Kozlov A. O., Mustafoev B. R., Dedkova A. A. Formation and Properties of Nickel Contacts to Thermoelectric Materials Based on Bismuth and Antimony Chalcogenides // Russian Journal of Applied Chemistry. - 2022. - Vol. 95. - P. 536-543.

141. Korchagin E., Shtern M., Petukhov I., Shtern Y., Rogachev M., Kozlov A., Mustafoev B. Contacts to Thermoelectric Materials Obtained by Chemical and Electrochemical Deposition of Ni and Co // Journal of Electronic Materials. - 2022. - V. 51. - P. 5744-5758.

142. Kozlov A. O., Korchagin E. P., Mustafoev B. R., Babich A. V., Rogachev M. S. Obtaining Contact Systems to Thermoelements Using Various Methods of Vacuum Deposition of Metals // 2021 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus). St. Petersburg, Moscow, Russia: IEEE. - 2021. - P. 2451-2454.

143. Штерн М. Ю., Караваев И. С., Рогачев М. С., Штерн Ю. И., Мустафоев Б. Р., Корчагин Е. П., Козлов А. О. Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка-полупроводник //

Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 1. - С. 31-37. DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51808.24

144. Shtern M. Yu., Karavaev I. S., Rogachev M. S., Shtern Yu. I., Mustafoev B. R., Korchagin E. P., Kozlov A. O. Methods for studying the resistivity of film contacts in thermoelements // XVII Межгосударственная Конференция «Термоэлектрики и их применения», г. Санкт-Петербург. - 2021. - С. 9.

145. D. Qin, W. Zhu, F. Hai, C. Wang, J. Cui, Y. Deng. Enhanced Interface Stability of Multilayer Bi2Te3/Ti/Cu Films after Heat Treatment via the Insertion of a Ti Layer // Adv. Mater. Interfaces. - 2019. - V. 6. - P. 1900682-1-1900682-8.

146. P. A. Sharma, M. Brambach, D. P. Adams, J. F. Ihlefeld, A. L. Lima-Sharma, S. Chou, J. D. Sugar, P. Lu, J. R. Michael, D. Ingersoll. AIPAdv., 9 (1), 015125 (2019).

147. M. Shtern, M. Rogachev, Yu. Shtern, A. Kozlov, A. Sherchenkov, E. Korchagin. Contact Systems for Thermoelements with Operating Temperatures up to 1200 K // International seminar on Electron Devices Design and Production, Prague. -2021.

148. S.-P. Feng, Y.-H. Chang, J. Yang, B. Poudel, B. Yu, Z. Ren, G. Chen. Phys. Chem. Chem. Phys., 15 (18), 6757 (2013).

149. G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin, K. Hoover, R. Guzman, M. McAleer, L. Wood, S. Savoy. J. Mater. Pulsed-light surface annealing for low contact resistance interfaces between metal electrodes and bismuth telluride thermoelectric materials // J. Mater. Chem. C. - 2019. V. 7. - P. 479-483.

150. Shtern M. Yu., Mustafoev B. R., Korchagin E. P., Kozlov A. O., Rogachev M. S. Investigation of Contact Resistance in the Structure of Thermoelements // Proceedings of the 2021 IEEE Conference, ElConRus 2021 / IEEE. - 2021. - P. 24762480.

151. E. H. Rhoderick, R. H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts, Oxford, University Press, 1988.

152. Громов Д. Г., Штерн Ю. И., Рогачев М. С., Шулятьев А. С., Кириленко Е. П., Штерн М. Ю., Федоров В. А., Михайлова М. С. Тонкопленочные контактные слои Mo/Ni и NI/Ta-W-N/Ni для среднетемпературного термоэлемента на основе (Bi, Sb)2Te3 // Неорганические материалы. - 2016. - Т.52, №11. - С. 1206-1210.

153. J. Chu, J. Huang, R. Liu, J. Liao, X. Xia, Q. Zhang, C. Wang, M. Gu, S. Bai, X. Shi, L. Chen. Nature Communications, 11, 2723 (2020).

154. L.-W. Chen, C. Wang, Y.-C. Liao, C.-L. Li, T.-H. Chuang, C.-H. Hsueh. J. Alloys Compd., 762, 631 (2018).

155. C. H. Wang, H. C. Hsieh, H. Y. Lee, A. T. Wu. J. Electron. Mater., 48, 53

(2019).

156. J. Cheng, X. Hu, Q. Li. J. Mater. Sci. Mater. Electron.,31, 14714 (2020).

157. Y. N. Nguyen, S. Kim, S. H. Bae, I. Son. Appl. Surf. Sci., 545, 149005

(2021).

158. Shtern M., Rogachev M., Shtern Y., Kozlov A., Sherchenkov A., Korchagin E. Contact Systems for Thermoelements with Operating Temperatures up to 1200 K // SED 2021 - Proceedings / IEEE - P. 9444502-1-9444502-6. DOI: 10.1109/SED51197.2021.9444502.

159. M. Rogachev, M. Shtern, Yu. Shtern, A. Kozlov, E. Korchagin. Thermoelectric materials for multisection thermoelements with operating temperatures of 200-1200 K // Book of abstracts 2nd Global Virtual Summit on Advances in Materials, Physics & Chemistry Science, London. - 2021. - P. 40.

160. Штерн М. Ю., Козлов А. О., Штерн Ю. И., Рогачев М. С., Корчагин Е. П., Мустафоев Б. Р., Дедкова А. А. Получение и исследование омических контактов с высокой адгезией к термоэлементам // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 12. - С. 1097-1104.

161. Joshi G., Mitchell D., Ruedin J., Hoover K., Guzman R., McAleer M., Wood L., Savoy S. // J. Mater. Chem. C. - 2019. - V. 7. - P. 479.

162. Штерн М. Ю. Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 12. - С.

1105.

163. Liu W., Wang H., Wang L., Wang X., Joshi G., Chen G., Ren Z. // J. Mater. Chem. - 2013. - V. 1. - № 42. - P. 13093.

164. de Boor J., Gloanec C., Kolb H., Sottong R., Ziolkowsk P., Muller E. // J. Alloy. Compd. - 2015. - V. 632. - P. 348.

165. Shtern M. Yu., Kozlov A. O., Shtern Yu. I., Rogachev M. S., Korchagin E. P., Mustafoev B. R. Obtaining and investigation of ohmic contacts with high adhesion to

thermoelements // XVII Межгосударственная Конференция «Термоэлектрики и их применения», г. Санкт-Петербург. - 2021. - С. 11.

166. Пат. 2777305 Российская Федерация, МПК TO1L 35/34. Способ изготовления никелевых толстопленочных контактов на поверхности термоэлектрических материалов / Штерн М. Ю., Корчагин Е. П., Петухов И. Н., Рогачев М. С., Штерн Ю. И., Козлов А. О.; РФ. № 2021135015; заявл. 30.11.2021; опубл. 02.08.2022; бюл. №22.

167. Domnich V., Aratyn Y., Kriven W.M., Gogotsi Y. Temperature Dependence Of Silicon Hardness: Experimental Evidence Of Phase Transformations // Rev.Adv.Mater.Sci. - V. 17. - № 33.

168. Vabishchevich S. A., Vabishchevich N. V., Brinkevich D. I. // Journal of advanced materials. - V. 2. - № 20.

169. Vandeperre L. J., Giuliani F., Lloyd S.J., Clegg W.J. The hardness of silicon and germanium // Acta Materialia. - 2007. - V. 55, № 18. - P. 6307-6315.

170. Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / ed. Levinshtein M. E., Rumyantsev S. L., Shur M. New York: Wiley. - 2001. - P. 194.

171. Gothard N., Wilks G., Tritt T.M., Spowart J.E. Effect of Processing Route on the Microstructure and Thermoelectric Properties of Bismuth Telluride-Based Alloys // Journal of Elec Materi. - 2010. V. 39. - № 9. - P. 1909-1913.

172. E. Pozega, S. Ivanov, Z. Stevic, L. Karanovic, R. Tomanec, L. Gomidzelovic, A. Kostov, Identification and characterization of single crystal Bi2Te3-xSex alloy, Trans. Nonferrous Met. Soc. China. 25. - 2015. - P. 3279-3285.

173. E. Lusakowska, S. Adamiak, R. Minikayev, P. Skupinski, A. Szczerbakow, W. Szuszkiewicz, Anisotropy of Young's Modulus and Microhardness of PbTe, Acta Phys. Pol. A. 134 - 2018. - P.941-943.

174. M. K. Sharov, O. B. Yatsenko, Ya. A. Ugai, Microhardness and density of PbTe1 - xHalx (Hal = Cl, Br, I) solid solutions, Inorg. Mater. 42. - 2006. - P. 723-725.

175. S. Perumal, S. Roychowdhury, K. Biswas, Reduction of thermal conductivity through nanostructuring enhances the thermoelectric figure of merit in Ge1-xBixTe, Inorg. Chem. Front. - 2016. - P 125-132.

176. M. Samanta, K. Biswas, Low thermal conductivity and high thermoelectric performance in (GeTe)1-2x(GeSe)x(GeS)x: competition between solid solution and phase separation, J. Am. Chem. Soc. 139. - 2017. - P. 9382-9391.

177. C.-H. Lee, M. F. Kilicaslan, B. Madavali, S.-J. Hong, Thermoelectric properties of n-type Bi2Te3 alloys produced by a combined process of magnetic pulsed compaction (MPC) and spark plasma sintering (SPS), Res. Chem. Intermed. 40. - 2014. -P.2543-2551.

178. R M., P V., S K., R S.K., T J.T. Synergetic enhancement of thermoelectric and mechanical properties of n-type SiGe-P alloy through solid state synthesis and spark plasma sintering // Materials Research Bulletin. - 2019. - V. 118. - P. 110483.

179. Lin Y.-C. et al. Low-Temperature Bonding of Bi0.5Sb1.5Te3 Thermoelectric Material with Cu Electrodes Using a Thin-Film In Interlayer // Metall and Mat Trans A. -2016. - V. 47. - № 9. - P. 4767-4776.

180. Пат. 2779528 Российская Федерация, МПК TO1L 35/34. Способ изготовления тонкопленочного защитного покрытия на поверхности термоэлектрических материалов / Штерн М. Ю., Рогачев М. С., Штерн Ю. И., Козлов А. О., Корчагин Е. П.; РФ. № 2021135874; заявл. 07.12.2021; опубл. 08.09.2022; бюл. №25.

181. Shtern M., Petukhov I., Korchagin E., Karavaev I., Kozlov A. Chemical and Electrochemical Methods for Producing Contacts to Thermoelements Based on Bismuth and Antimony Chalcogenides // 2020 Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), Moscow. - 2020.

182. E. Korchagin, M. Shtern, I. Petukhov, Y. Shtern, M. Rogachev, A. Kozlov, B. Mustafoev. Thick-film contacts obtained by chemical deposition for high-temperature thermoelements // 6th International Asian congress on contemporary sciences-VI, Van, Turkey. - 2022. - P. 64.

183. W. Liu, H. Wang, L. Wang, X. Wang, G. Joshi, G. Chen, and Z. Ren, "Understanding of the contact of nanostructured thermoelectric n-type Bi2Te27Se0.3 legs for power generation applications," Journal of Materials Chemistry A. - 2013. - V. 1. -Р. 13093-13100.

184. C.-H. Chuang, Y.-C. Lin, and C.-W. Lin, "Intermetallic Reactions during the Solid-Liquid Interdiffusion Bonding of Bi2Te2.55Se0.45 Thermoelectric Material with Cu Electrodes Using a Sn Interlayer," Metals. - 2016. - V. 4. - Р. 92.

185. X. Zhu, L. Cao, W. Zhu, and Y. Deng, "Enhanced interfacial adhesion and thermal stability in bismuth telluride/nickel/copper multilayer films with low electrical contact resistance," Adv. Mater. Interfaces. - 2018. - V. 5. - P. 1801279-1-1801279-9.

186. R. P. Gupta, K. Xiong, J. B. White, K. Cho, H. N. Alshareef, B. E. Gnadea, Low resistance ohmic contacts to Bi2Te3 using Ni and Co metallization, J. Electrochem. Soc. 157 - 2010. - H666-H670.

187. Пат. 2757681 Российская Федерация, МПК H01L 35/34. Способ изготовления высокотемпературного термоэлемента / Штерн М. Ю., Рогачев М. С., Штерн Ю. И., Козлов А. О., Корчагин Е. П., Беспалов В. А.; РФ. №2020141675; заявл. 17.12.2020; опубл. 20.10.2021, Бюл. №29.

188. Пат. 2818108 Российская Федерация, МПК H10N 10/01. Способ изготовления толстопленочных контактов на основе сплавов тугоплавких металлов. Корчагин Е. П, Штерн Ю. И., Козлов А. О., Петухов И. Н., Рогачев М. С., Штерн М. Ю., Лавренева А. М.; РФ. № 2023132497; заявл. 08.12.2023; опубл. 24.04.2024; бюл. №12.

189. А. О. Козлов, Д. Г. Громов, Ю. И. Штерн, Е. П. Корчагин, М. Ю. Штерн, М. С. Рогачев. Контактные системы в термоэлементах, содержащие нанокомпозитные демпферные слои для компенсации термических напряжений. XVIII Межгосударственная Конференция «ТЕРМОЭЛЕКТРИКИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЯ - 2023» (ISCTA-2023). - 2023.

190. Bulyarskiy S. V., Lakalin A. V., Molodenskii M. S., Pavlov A. A., Ryazanov R. M. Modeling of the Growth Kinetics of Vertically Aligned Carbon Nanotube Arrays on Planar Substrates and an Algorithm for Calculating Rate Coefficients of This Process // Inorg Mater. - 2021. - V. 57. - № 1 - P. 20-29.

191. Mierczynski P. et al. Growth of carbon nanotube arrays on various CtxMey alloy films by chemical vapour deposition method // Journal of Materials Science & Technology. - 2018. - V. 34. - № 3. - P. 472-480.

192. Shtern M. Yu., Mustafoev B. R., Korchagin E. P., Kozlov A. O., Rogachev M. S. Investigation of Contact Resistance in the Structure of Thermoelements // 2021

IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus). - 2021. - P. 2476-2480.

193. Shtern M. Yu., Korchagin E. P., Kozlov A. O., Mustafoev B. R., Petukhov I. N. Optimization of Chemical and Electrochemical Methods of Metal Deposition on Thermoelectric Materials // Proceedings of the 2021 IEEE Conference / IEEE - 2021. -Р. 2485-2490.

194. Maxim Shtern, Ivan Petukhov, Egor Korchagin, Ivan Karavaev, Alexander Kozlov. Chemical and Electrochemical Methods for Producing Contacts to Thermoelements Based on Bismuth and Antimony Chalcogenides // Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering / IEEE. - 2020.

195. Лякишев Н. П. Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник. В 3-х т. ISBN: 5-217-02843-2. - 1996.

196. Пат. 2820509 Российская Федерация, МПК H01L 10/01. Способ коммутации высокотемпературных термоэлементов. Козлов А. О., Корчагин Е. П., Штерн М. Ю., Штерн Ю. И., Шерченков А. А., Рогачев М. С., Пепеляев Д. В.; РФ. № 2023132497; заявл. 27.12.2023; опубл. 04.06.2024; бюл. №16.

ПРИЛОЖЕНИЕ

УТВКРЖДАЮ

I ]рорсктор по учебной рабою федерального государственно! о бюджетного образовагельшно учсежгикяа^йНшпонапьньгй псслелова-

АКТ

об ис мольгюп аг г и и реэулт.татов диссертационной работы К пялом А.О.

в учебном процессе

Мы, нижеподписавшиеся, представители федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального пбрало-зания «Национальный исслвдопателтлкий университет «МЮГ», :!ач<сстгггель дл-рекюра института «I 1ерслектипнкх материалов и технологий.» по учебной работе, к.т.п., доцентЖелезнякова А.В.. д.т.н., профессор ШерчепковЛ.А., д.г.н., доцент Штерн М.Ю., составили настоящий акт о том, что результаты диссертационной работы используются и учебном процессе при чтении лекций н пронедеппи семинаров для бакалавров, магнетрон к аспирантов по 6 дисциплинам: «Материалы электронной 1СХНККИ»; «Полупроводниковые преобразователи энергии»; «Физика и химии полупроводников»; «Термометрия»; «Мапгрпалы полупроводниковых преобразователей энергии», «Конструирование и технология термоэлектрических преобразиваюлей».

Зам. директора института «Перспективных материалов и технологий» 50 учебной работе

доцент, к. г.ц.

Железнякова Л.В.

проф., д.т.ц,

111ерчепков А. А.

допент, д. 1.н.

111терн М.Ю..

«< [£ » 2024 г.

УТВЕРЖДАЮ

11рорскюр но научкой paöoie федеральною юсу дари веяного бюджетного опрачопатсльного учреждения

шональпьщ-исследопптеяпстагй

\ушш1^5с11ТСг «МИЭТ»

С.Л. Гавршюп

2024 г.

АКТ

об ис1ю.1ь:юиаиии резулыэтов диссертацкпнной работы Козлова А.О. на соискание ученой степени кандидата технических наук Мы. нижеподписавшиеся, представители федеральною iос>-дарственного бюджегшою уор&юинк'льного упреждения высшего профессионального оира*о-НИНМЯ «Национальный исследовательский университет «МИЭТ». тамеепттель директора иасгшуш Перепектттных материалов и че.чнояогий по 11Д, к.т.н. A.A. Дронов, д.т.н. профессор Д.Г. Громов «плавили настоящий акт о том. что результаты диссертационной работы Котлова А.О. использованы ири выполпепии сле-

дующих 6 НИР: № 14.578.21.0038 (ФЦП); №14.578.21.0016 (ФЦП,); №18-л8-20038М8 (РФФИ); >«75-15-2020-441 (ГШ; №20-J 9-00494 (РНФ): №20-19-00494-

П (РНФ).

Зал1. директоре института Перспективных материалов и технологий по ПД

«¿у' :•> ОС 2024г.

УТВЕРЖДАЮ

Проректор но научной работе Националыюго исследовательского унпверситетахМГОТ»

С.Л. Гяврилов с_2024 г.

УТВЕРЖДАЙ)

Чам. директора тто производству 1ПЖ «Технологический центр»

V-.V 'iC

X, -¿хш

АКТ!

Дягилев

|*ef©

» <эС • Л, 2024 г.

* V

о внедрении результатов диссертационной работы Козлова А.О. на соискание ученой степени кандидата технических паук

Мы, нижеподписавшиеся, представители 11ПК «Технологический центр», начальник НИЛ ПП Кишок Е.П., начальник опытного производства Шелыхманоа Д. Li. с одной стороны, и представители Нацдоиального исслсдоватсльского университета «МЮТ», профессор, д.тлт. Шерчетгкоп A.A., ирифессор, д.т.н. 1 ромов Д.Г., с другой стороны, составили настоящий акт о юм, чю результаты диссертационной paöoiui Козлова А.О.. а имешхо способы формирования юшшленочных контактных систем используются в тех поло I ичееких процессах HIJK ''Технологический центр".

ГУТ НИУ МИЭТ

Профессор, д.т.н.

^ ПЪрченков A.A.,

V >

«Д.Г.Н.

fромоп Д.Г

от НПК «Технологический центр» Начальник НИЛ Т1П

Кишок Ii.11.

Начадьннк 011

Шелыхлишов Д.1:.