Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Кузьмин, Николай Геннадьевич

• Кузьмин, Николай Геннадьевич
• доктор технических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор технических наук Кузьмин, Николай Геннадьевич

1. Список сокращений Введение

Глава

I. Литературный обзор. Современное производство знакосинтезирующих индикаторов

1.1. Жидкокристаллические индикаторы на твист-эффекте

1.2. Вакуумно-люминесцентные индикаторы

1.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники

1.4. Общие технологические особенности производства изделий знакосинтезирующей электроники

1.5. Краткий анализ литературных данных по конструированию и технологии производства индикаторных устройств в их серийном производстве

1.6. Система обеспечения технического уровня и качества продукции в производстве изделий электронной технике ОАО «Рефлектор»

Глава

I. Усоверщенствование традиционных технологий производства знакосинтезирующих индикаторов

Глава

II. Оптимизация процесса получения на электродных пластинах знакосинтезирующих индикаторов прозрачных 1ТО-нленок

3.1. Конденсация, образование зародышей и рост тонких пленок

3.2. Общая характеристика 1ТО-пленок, полученных методом вакуумного наныления

3.3. Модель реактивного распыления индия в магнетронной установке

3.4. Разработка способов управления магнетронным разрядом при реактивных процессах напыления 1ТО-пленок

3.5. Технология напыления прозрачных проводящих 1ТО-пленок на магнетронных установках нри серийном вынуске электродных плат жидкокристаллических устройств

3.6. Свойства 1ТО-пленок, полученных магнетронным реактивным распылением на ностоянном токе в производстве жидкокристаллических устройств

3.7. Анализ атмосферы в камере магнетронного распыления 1ТО-пленок

3.8. Термическая стабильность электрической проводимости 1ТО-пленок

3.9. Очистка стеклянных подложек электродных плат

3.10. Выводы к главе

Глава III Оптимизация технологии формирования тонких диэлектрических ориентирующих жидкие кристаллы слоев пленок в ЖКИ, обеспечивающих заданный угол подвеса молекул ЖК

4.1. Косонапыленные пленки на основе монооксидов германия и кремния

4.2. Ориентация жидких кристаллов на текстурированных полиимидных нленках

4.3. Модификация ориентирующей цоверхности на пластинах жидкокристаллических индикаторов

4.4. Модификация косонапыленных пленок SiO;

4.5. Модификации косонапыленных пленок GeO:

4.6. Модификация текстурированных полиимидов

4.7. Выводы к главе

Глава

IV. Оптимизация вакуумной технологии введения жидких кристаллов в пакет индикаторов

5.1. Общие положения

5.2. Влияние технологических процессов введения жидких кристаллов в пакет индикаторов на их расход

5.3. Влияние чистоты оснастки на удельную проводимость ЖК материалов

5.4. Ориентационные дефекты каниллярной струюуры жидкого кристалла в процессе введения его в межэлектродный зазор

5.5. Выводы к главе

Глава

II. Новые конструкторско-технологическже решения в производстве знакосинтезирующих индикаторов

Глава

V. Составы, технологии получения и применения материалов и растворов в производстве знакосинтезирующих индикаторов

7.1. Разработка альтернативных материалов и способов создания ориентирующего микрорельефа в жидкокристаллических индикаторах

7.2. Особенности применения диэлектрических паст и полимерпых композитов в производстве знакосинтезирующих индикаторов

7.3. Цементы

7.4. Калибраторы

7.5. Стеклопорошки

7.6. Адгезионные свойства системы «полиимид наполнитель»

7.7. Герметизирующие полимерные композиции

7.8. Электроизоляционная герметизирующая комнозиция

7.9. Технология применения диэлектрических паст в серийном производстве анодных плат ВЛИ

7.10. Технология нанесения полимерных (диэлектрических) растворов

7.11. Печатные краски трафаретного нанесения

7.12. Выводы к главе

Глава

VI. Новые конструкторско-технологические рещения в производстве знакосинтезирующих индикаторов

8.1. Новые групповые методы и технологии формирования топологического рисунка жидкокристаллических индикаторов

8.2. Топологический рисунок для жидкокристаллических дисплеев шахматных мини-ЭВМ

8.3. Многоуровневая топология электродных плат индикаторов

8.4. Электрооптические характеристики жидкокристаллических индикаторов

8.5. Жидкокристаллические индикаторы с повышенной эксплуатационной надежностью

8.6. Электрогидравлический эффект в технологии производства изделий знакосинтезируюп];ей электроники

8.7. Матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим дисплеем

8.8. Выводы к главе

Глава

III. Автоматизация процесса изготовления знакосинтезируюш;их индикаторов на основе новых физико-технологических решений

Глава

VII. Автоматизация процесса изготовления пакетов индикаторов в серийном производстве

10.1. Сборка корпусов жидкокристаллических индикаторов

10.2. Автоматический анализ индикаторов на короткие замыкания

10.3. Технология получения переходного электрического контакта в жидкокристаллических индикаторах

10.4. Плазмохимическая технология в реализации переходного электрического контакта в индикаторных устройствах

10.5. Выводы к главе

Глава

VIII. Контроль качества жидкокристаллических материалов в производственных условиях

11.1. Химический состав

11.2. Диэлектрические константы и диэлектрическая проводимость

11.3. Оптические константы жидкокристаллических материалов

11.4. Установка типа СМ-5М комплексных электрических испытаний жидкокристаллических материалов

11.5. Выводы к главе Основные выводы Литература

Приложения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники»

автоматизация и соединение в единый высокоэффективный технологический цикл процессов изготовления индикаторов, включая разработку новых композиционных и функциональных материалов, обеспечивающих повышение качества и эксплуатационную надежность готовых изделий; 7) внедрение результатов исследований в производство индикаторной техники на ОАО «Рефлектор» (Саратов) и других смежных предприятиях отрасли, а также в учебный процесс Саратовского государственного университета и при подготовке (переподготовке) кадров на ОАО «Рефлектор». Научные положения, выносимые на защиту: 1) технология магнетронного напыления на стеклянные подложки окисно-индиевых (ITO) пленок с введением в камеру напыления постоянного фонового потока водорода с поддержанием уровня аргона (с точностью до 3 от номинала) в течение всего цикла напыления позволяет оптимизировать температуру подложки, ток разряда при получаемой толщине ITO-пленки в пределах 700... 1000 А и, как следствие, в 1,5-2 раза сократить время технологического цикла; 5) разработаны и применены новые органические (на основе эпоксидных смол, производных триэтиленгликольдиуретана, силанов, полиалкилалкоксисиланов и т.д.) и неорганические (оксиды переходных металлов, стеклофритта и пр.) композиционные и функциональные материалы, обеспечивающие взаимную совместимость, влагостойкость и механическую прочность индикаторов, формирование капиллярного объема прибора (на уровне 5... 15 мкм) с высокой точностью (не хуже 3...5 от номинала) и исключающие деформацию электродных пластин в процессе их сборки и термического отжига; 6) определена технологическая целесообразность использования капиллярного способа введения жидкого кристалла в межэлектродный зазор индикатора, сводящего к минимуму потери в производстве по ориентационным (оптическим) дефектам и обеспечивающего экономию дорогостоящего ЖКматериала; 7) разработана концепция автоматизаъщи процесса сборки ЖКиндикаторов, основанная на модульном принципе изготовления приборов с оперативным (гибким) перестраиванием процесса в зависимости от конструктивных особенностей индикаторов; 8) изготовлена и внедрена в производственную эксплуатацию первая отечественная автоматизированная линия сборки индикаторов, включающая сборочный цикл, автоматическое устройство анализа электрических обрывов и коротких замыканий; систему ультразвуковой герметизации щели заполнения; устройство плазмохимического травления диэлектрических слоев (оксидов кремния и германия, полиимидов, акрилатов и т.д.), другое автоматизированное технологическое и метрическое оборудование, обеспечивающее высокоэффективное прецизионное нанесение полимерных (диэлектрических и герметизирующих) составов и печатных красок на поверхность стеклянных электродных плат индикаторов. Новизна предложенных автором технических рещений подтверждена получением 13 авторских свидетельств на изобретения и патентов РФ. Достоверность полученных результатов достигается использованием: современных взаимодополняющих научно-исследовательских методов физико-химического анализа вновь разработанных материалов (рентгенофазовый, малоугловой рентгеновский и рентгеноструктурный анализ, Оже-, ИК-, УФ-спектроскопия, электронная микроскопия, комплексный анализ 10 реологических параметров полимерных соединений и т.д.), оригинальных и стандартных нормативных методик, экспериментального и стандартного оборудования для анализа органических и неорганических композиционных и функциональных материалов; современного испытательного оборудования; расчетов и анализа статистических данных с применением специальных компьютерных программ. Практическая значимость работы состоит во внедрении ее результатов в серийное производство изделий знакосинтезирзющей электроники на ОАО «Рефлектор» с выпуском индикаторной техники на уровне 12 млн приборов в год, а также в учебный процесс Саратовского государственного университета. Личный вклад автора состоит в том, что пройдя большой творческий путь на ОАО «Рефлектор» (с 1969 г. по настоящее время), автор является одним из первых в стране разработчиков индикаторной техники, инициатором работ по улучшению ее качества, организатором серийного (многомиллионного) производства и внедрения приборов в бытовую аппаратуру и изделия специального назначения. Автор определял основные нанравления и задачи исследований, непосредственно участвовал в конструировании нриборов, разработке и внедрении результатов экспериментов в серийное производство индикаторов. Им лично написаны главы монографий, учебных пособий, научные статьи, а также запатентованы принципиально важные результаты. По теме диссертации автором опубликовано 56 работ: из них 6 монографий и учебных нособий, 37 статей в реферируемых журналах и научных сборниках, 13 авторских свидетельств на изобретения и патентов РФ. 11

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Кузьмин, Николай Геннадьевич, 2005 год

1. Горфинкель Б.И. Низковольтные катодолюминесцентные индикаторы Б.И. Горфинкель, Б.В. Абалдуев, Р.С. Медведев. М.: Радио и связь, 1983. 112 с.

2. Сухариер A.C. Жидкокристаллические индикаторы. М.: Радио и связь, 1991.-256 с.

3. Севостьянов В.П. Жидкокристаллические диснлеи: электрооптика, унравление, конструкция и технология В.П. Севостьянов, В.Л. Аристов, М.В. Митрохин. Минск: Изд-во НПООО «Микровидеосистемы», 1998. 508 с.

4. Гребенкин М.Ф. Жидкокристаллические материалы М.Ф. Гребенкин, А.В. Иващенко. М.: Химия, 1989.-288 с.

5. Минаичев В.Е. Нанесение пленок в вакууме. М., 1989.

6. Volner V. Electron Microscopy and Diffraction of Aluminum Oxide Whiskers V. Volner, O. Weber Z. Phys. Chem. 1952. V. 119.

7. Lewis B. Image Overlap in Transmission Electron Microscopy Thin Solid Films. 1967.-V. 1.

8. Pashley D. Observation of Dislocations in Metals of Moike Patterns on Electron Micrographs D. Pashley, I. Menker, G. Bassett //Nature. 1957. V. 179.

9. Whelan M. The Growth and Structure of Gold and Silver Deposits Formed by Evaporation Inside an Electron Microscope M. Whelan, R. Hirsch Philosophical Magazine.-1957.-V. 2.

10. Haas G. Physics of Thin Films G. Haas, R. Thun. N.-Y., 1964.

11. Крыжановский Б.П. Повышение проводимости слоев SnO2 и 1П2О3 с помощью фторорганических соединений Б.П. Крыжановский, М.А. Окатов ЖПХ. -1966.-Т. 39, №12.

12. Дудонис Ю.И. Создание электропроводящих прозрачных слоев ионноплазменными методами Ю.И. Дудонис, А.П. Иотаутис, В. Ростянис Физическая электроника. Вильнюс, 1980. 326

13. Hamberg, С Granquist J. Appl. Phys. 1986.-V. 2.

14. Данилин B.C. Магнетронные распылительные системы B.C. Данилин, В.К. Сыркин. М., 1982.

15. Wilson R. Application of Highrate TUE or Magnetron Sputtering in the Metallization of Semiconductor Devices R. Wilson, L. Terr Vacuum Sci. Technologies. 1976. N 1.

16. Данилин B.C. Получение тонкопленочных слоев с помощью магнетронной системы ионного распыления Зарубежная радиоэлектроника. 1978. Вып. 4.

17. Schiller S. Reactive High-Rate Sputtering as Production Technology S. Schiller, U. Heising Int. Conf. on Metallurgical Coatings. San Diego, 1987. 20. A.c. 1254765 СССР, МКИ C23C 14/

18. Способ ионно-плазменного нанесения покрытий в вакууме А.В. Аношкин, В.В. Вильде, Л.А. Портова (СССР) Открытия. Изобретения. 1986. 32. 10.

19. Дудонис Ю.И. Феноменологическая модель реактивного ионного распыления в магнетронной системе Ю.И. Дудонис, А.П. Иотаутис Лит. физический сборник. 1983. Т. 23, 3.

20. Berg S. Modeling of Reactive Sputtering of Compound Materials S. Berg, H. Blom, T. Larson J. Vac. Sci. Technol. 1987. A5 (2).

21. Сейдмон Л.А. Механизм роста пленок нитрида кремния при реактивном магнетронном распылении Электронная техника. Сер.

22. Полупроводниковые приборы. 1985. -Вып. 5 (178).

23. Smith I. Reactive Magnetron Deposition of Transparent Conductive Films I. Smith, A. Aronson Thin Solid Films. 1990. N 72.

24. Munz W. Katodenzerstanbung in der Displaytechnik Electron. Prod, und Pruftechn. 1981. N 1-2. S. 20-23.

25. Ridge M. Composition Control in Conducting Oxide Thin Films M. Ridge, R. Howson Thin Solid Films. 1982. -V. 96.

26. Major S. Effect of Hydrogen Plasma Treatment of Transparent Conducting Oxides S. Major, K. Satuenda, M. Bhatnagar Appl. Phys. Lett. 1986.- 49 (70).- P. 394-396.

27. Nelson A. X-Ray Photoelectron Spectroscopy Investigation of Ion Beam Sputtered Indium Tin Oxide Films as a Function of Oxygen Pressure During Deposition A. Nelson, H. Aharori J. Vac. Sci. Technol. 1987. A 5 (2). P 231-233.

28. Chandhuri S. Microstructure of Indium Tin Oxide Films Produced by the D.C. Sputtering Technique S. Chandhuri, J. Bhattacharyya, A. Pal Thin Solid Films. 1987.-V. 148.-P. 279-284. 327

29. Способ стабилизации разряда в магнетронной распылительной установке А.В. Аношкин, В.В. Вильде, Л.А. Портова Открытия. Изобретения. 1985.— №33. 15.

30. Аношкин А.В. Применение электроразрядных насосов для поддержания вакуума в отпаянных электронных приборах А.В. Аношкин, Л.В. Штромбергер, Л.О. Шукайло Электронная техника. Сер.10. 1967. Вып. 4.

31. Штромбергер Л.В. О замене титана цирконием или скандием в электроразрядных насосах Л.В. Штромбергер, А.В. Аношкин Электронная техника. Сер. 1.-1970.-Вып. 8.

32. Штромбергер Л.В. Опыт применения датчика РМ0-4С для измерения полных давлений до 10" мм рт. ст. Л.В. Штромбергер, А.В. Аношкин Тез. докл. 2-й Всесоюз. конф. по масс-спектрометрии. Л., 1974.

33. Morimoto К. Front Luminous Vacuum Fluorescent Display К. Morimoto, S. Dorris//SAE Techn. Pap. Ser. 1983.-N. 83. P. 67-72!

34. Физические величины. Справочник Под ред. И.С. Григорьева, Е.С. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.

35. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов Под ред. Я.С. Уманского. М.: Физматгиз, 1957.

36. Безбородов М.А. Химическая устойчивость силикатных стекол. Минск: Высшая школа, 1972.

37. Назарова Т.М. Исследование состояния поверхности электродных плат после химической очистки Электронная техника. Сер. 4. 1983. Вып. 4. 1519. 39. А.с. 1227606 СССР МКИ 4С0323/

38. Способ очистки поверхности стекла Севостьянов В.П. и др. 1986. 3631579/29-33.

39. Белолипцева Г.Г. Исследование физико-технологического процесса нодготовки поверхности стекла под вакуумную металлизацию Г.Г. Белолипцева, В.Я. Филипченко, Х. Финкельштейн Электронная техника. Сер. 4. 1985. Вып. 3 С 3-6.

40. Delvigs Р. The Synthesis of а Novel Polyimides Precursor P. Delvigs, Nsu Li-Chen, T. Serafmi J. Polym. Sci., Pt. B. 1970. V. 8, N. 1.

41. Денисов B.M. Изомерный состав полиамидокислот по данным спектров ЯМР С Высокомолек. соед. 1979. Т. 21, 7.

42. Коршак В.В. Исследование процесса образовапия некоторых высокомолекулярных окси- и метокси- содержавших полиамидокислот /В.В. Коршак, Г.М. Цейтлин, В.И. Азаров Высокомолек. соед. 1969. Т. 11, 3.

43. Forst L. Spontaneous Degradation of Aromatic Polypyromellitamic Acids L. Forst, L Kesse J. Appl. Polym. Sci. 1964. -V. 8, N. 3. 328

44. Alignment Films for a Liquid Crystal Display Cell J.I. Janning (USA). NCRC. Applic. No. 386772. 10.09.74.

45. Севостьянов В.П. Материалы и технология серийного производства жидкокристаллических индикаторов. Автореф. дисс. докт. техн. наук. М., 1987. 47. А.с. 92907 (СССР), М1СИ 1/

46. Жидкокристаллическая ячейка В.П. Севостьянов, В.В. Астахов (СССР). 1586

48. Онубл. 08.01.76. 48. А.с. 898870 (СССР), МКИ 1/

49. Жидкокристаллическая ячейка В.П. Севостьянов, В.В. Астахов (СССР). 1584482/18-

52. Бюлл. №2. 49. А.с. 982460 (СССР), МКИ 1/

53. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов В.П. Севостьянов, В.В. Митрохин, А.И. Попов, В.Я. Филипченко (СССР). 3296719/18-

56. Бюлл. 46. 50. А.с. 867166 (СССР), МКИ 1/

57. Способ изготовления жидкокристалличеСС Х индикаторов В.П. Севостьянов, СП. Курчатюян, В.Я. Филипченко, 1И Х. Финкельштейн (СССР). 2928490/18-

60. Бюлл. №36. 51. А.с. 1026561 (СССР), МКИ 1/

61. Жидкокристаллический индикатор В.П. Севостьянов, А.И. Попов, В.Я. Филипченко (СССР). 3398031/18-

64. Congrad J. Alignment of Nematic Liquid Crystals and Their Mixtures Mol. Cryst. Liq. Cryst. Supp. Ser. 1982. -MCLC 511. P 76-78.

65. Лими Э. Микроструктура тонких пленок, осажденных из паровой фазы Э. Лими, Г. Гилмер, А. Диркс Актуальные проблемы материаловедения. Вып. 2. М.: Мир, 1983. 240-274.

66. Лукьянченко Е.С. Ориентация нематических жидких кристаллов Е.С. Лукьянченко, В.А. Козунов, В.И. Григос Уснехи химии. 1985. Т.4, Вып. 2. 214-218.

67. Berreman D. Solid Surface Shape and the Alignment of an Adjacent Nematic Liquid Crystal Phys. Rev. Lett. 1972. -V. 28. P 1683-1685.

68. Курчаткин СП. Особенности поверхностной ориентации жидких кристаллов на неоднородностях косонапыленных пленках СП. Курчаткин, В.П. Севостьянов, В.Я. Филинченко Поверхность. 1985. С45-49.

69. Физико-химические свойства окислов Справочник под ред. Г.В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978. С 63.

70. Третьяков В.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. С 8-51.

71. Ferier R. The Study of Periodic Magnetic Structures by Electron Diffraction R. Ferier, J. Chapman, N. Toms J. Vac. Sci. Technol. 1973. V. 10. P. 640-645. 329

72. Находкин Н.Г. Структура пленок аморфного германия Н.Г. Находкин, А.И. Новосельская, А.Ф. Бардамид ФТН. 1985. Т. 19. 1918-1928.

73. Ориентация жидкнх кристаллов с помощью косонаиыленных пленок моноокиси германия О.Б. Горбунов, А.А. Мухаев, С П Курчаткин и др. Изв. АН СССР, Сер. «Неорганические материалы». 1983. Т. 19. 467-471.

74. Goodman L. Topography of Obliquely Evaporated Silicon Oxide Films and Its Effect on Liquid-Crystal Orientation L. Goodman, J. McGinn, F. Digeronimo IEEE Trans, on Electron Devices. 1977. V. 24. P. 759-804.

75. Crossland W. Birefringence in Silicon Monoxide Film Used for Aligning Liquid Crystal Layers Appl. Phys. Lett. 1975. V. 23. P. 375-379.

76. Филиппович B.H. О связи между структурой расплава, стекла и ситалла Структурные превращения в стеклах при повышенных температурах. М.: Наука, 1965.-С. 15-29.

77. Леко В.К. Об интерпретапии структурных преобразований в стеклообразующих расплавах на основе представления с смещении в них химического равновесия при изменении температуры В.К. Леко, О.В. Мазурин Физ. и хим. стекла. 1 9 7 7 Т 4 1 С 34-41.

78. Ottaviani G. Some Aspects of Ge Epitaxial Growth by Solid Solution G. Ottaviani, С Canali C, G. Majni J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 627-630.

79. Налатник Л.С. Твердофазная эпитаксия кремния и германия. Современное состояние и перспективы Л.С. Палатник, А.И. Федоренко Материалы электронной техники. Новосибирск, 1983. —С. 102-118. 69. Вол Б.М. Диаграмма состояний и свойства двойных металлических систем. Т. 2. М.: Наука, 1962. 92-101.

80. Айтукаев А.Д. К вопросу о механизме доэвтектического контактного плавления А.Д. Айтукаев, B.C. Саввин, Ш.В. Эльсункаева Изв. вузов СО РАН СССР, Физика. 1983. 60-63.

81. Тананаев И.В. Химия германия И.В. Тананаев, М.Я. Штерт. М.: Химия, 1967.-С. 102-127.

82. Эспе Э. Технология электровакуумных материалов. Т. 2. М.: Энергия, 1968.-С. 242-256.

83. Thermochemical Study of the Germanium Oxides Using a Mass-Spectrometer. Dissociation Energy of the Molecule GeO T. Drowart, F. Degreve, G. Vrehaen, R. Colin Trans. Faraday Soc. 1965. V. 61, К 510, Pt. 6. P. 1072.

84. Takano Y. Electrical and Optical Properties of RFSPa-Ge:O(H) Deposited from GeO2 Y. Takano, H. Ozaki J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 57. P. 119. 330

85. Mylvord B. The Relationship Between the Chemical Structure of Nematic Liquid Crystals and Their Pre-Tilt Angles B. Mylvord, K. Kondo Liquid Crystals. 1995.-V. 18,N. 2 P 271-286.

86. Yokokura H. Pre-Tilt Angles as a Function of Polyimide Composition for Copolyimides//J. Mater. Chem.-1994.-V. 4,N. 1 1 P 1667-1671.

87. Mylvord B. A Popular Distribution Model for the Alignment of Nematic Liquid Crystals B. Mylvord, K. Kondo Liquid Crystals. 1994. V. 17, N. 3. P. 437455.

88. Mylvord B. The Relationships Between the Bulk Properties of Nematic Liquid Crystals and Their Pre-Tilt Angles B. Mylvord, K. Kondo, S. OHara Mol. Cryst. Liq. Cryst 1994. V. 239. P. 211-228.

89. Mylvord B. Odd-Even Effects and Even Odder Effects in Liquid Crystal Alignment on Polyimide Films from Alkyl Diamines Japan Display. 1992. P. 827830.

90. Mylvord B. Odd-Even Effects in the Alignment of Ferroelectric Liquid Crystals //Liquid Crystals. 1989. V. 5, N. 4. P 1139-1147.

91. Mylvord B. The Relationships Between the Conformation of Polyimide Films and the Magnitude of the Pre-Tilt Angle Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1995. V. 269. P. 99-110.

92. Mylvord B. Temperature Dependence of the Pre-Tilt Angle for Liquid Crystals: A Comparison Between Theories and Experiments Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1995. V 2 5 9 P 115-132.

93. Mylvord B. The Relationships Between Liquid Crystal Alignment in the Nematic and Smectic C* Phases Liquid Crystals. 1993. V. 15, N. 2. P. 287-290.

94. Патент ФРГ, N. DE 3615039, кл. C08G 73/10, 1987.

95. Патент США, N. 4781439, кл. G02 F 1/133, 1988.

96. Агапов О.А. Полиимидные ориентанты для ЖКИ Электронная промышленность. 1995. 8. 25-26.

97. Kurchatkin S. Characteristics of Liquid Crystal Alignment on Textured Films Mol. Materials. 1996. V. 6. P. 137-141.

98. Kurchatkin S. Study of Liquid Crystal Alignment on Polyimide Compositions //Proceedings SPIE.-V. 2731.-P. 155.

99. Курчаткин СП. Особенности наклонной ориентацин жидкнх кристаллов на косонапыленных пленках СП. Курчаткин, В.П. Севостьянов, В.Я. Филинченко Письма вЖТФ. 1981. Т. 7, 19. С 1192-1196.

100. Nakano F. Sample Method of Determining Liquid Crystal Tilt-Bias Angle F. Nakano, M. Isogai, M. Sato Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19, N. 10. P 2013-2014. 331

101. Gass P. A Poliymide Proceedings Technique for the Manufacture of the Displays SID. 1987. V. 28/4. P. 437-442.

102. Niitsu Y. Alignment Coatings for LCD Proceedings Flat Panel Display Seminar SEMIKOM/Korea95, Seoul. 1995. P 143-149.

103. Бюллер К.У. Тепло- и термостойкие полимеры. М.: Химия, 1984. 1056 с.

104. Китайгородский А.И. Органическая кристаллохимия. М.: Изд-во АН СССР, 1965.-380 с.

105. Бессонов Л.И. Полиимиды класс термостойких полимеров. Л.: Химия, 1983.-320 с.

106. Верещагин А.Н. Поляризуемость молекул. М.: Наука, 1980. 224 с.

107. Береснев Г.А. Влияние физических параметров жидкого кристалла на крутизну вольт-контрастной характеристики твист-эффекта Кристаллография. 1982. Т. 27, 2. 404-423.

108. Астахин В.В. Электроизоляпионные лаки, пленки и волокна В.В. Астахин, В.В. Трезвов, И.В. Суханова. М.: Химия, 1986.

109. Ancillary Systems for Liquid Crystal Display Production. Merck bull, 1985.

110. Чернова А.Г. Полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилового эфира А.Г. Чернова, В.П. Пиляева, Л.П. Некрасова Пластмассы. 1975. 4.

111. Севостьянов В.П. Применение полиимидных пленок в качестве ориентантов жидких кристаллов В.П. Севостьянов, СИ. Копоть, Л.А. Солодовникова Электронная техника. Сер. 6. 1981. Вып. 6.

112. Батурина Н.Л. Исследование механических свойств полиимидных пленок Н.Л. Батурина, Г.А. Катаев Электронная техника. Сер. 6. 1982. Вып. 1.

113. Севостьянов В.П. Материалы и особенности их применения в жидкокристаллических индикаторах.

114. Условия ориентации жидких кристаллов на полиимидных пленках Электронная техника. Сер. 6. 1983. Вып. 12.

115. Курчаткин С П Термостабильность гомогеннойориентации НЖК на поверхности натертых пленок двуокиси кремния Электронная техника. Сер. 4. 1985.-Вып. 1.

116. Zocher Н. Moфhology Properties of Alignment Surface in Liquid Crystal Displays J. Phis. Chem. 1968. V. 132.

117. Индикаторные устройства на лшдких кристаллах Под ред. З.Ю. Готры. М.: Советское радио, 1980.-С. 186-199. 332

118. Способ изготовления индикаторов на жидких кристаллах В.П. Севостьянов и др. 1981. 3011589.

119. Зимой А.Д. Адгезия пыли и порошков. М., 1976.

120. Gross G. Electrostatic Effects in the Adhesion of Powder Layers Surface Contamination. 1979. -V. 1.

121. Bradreth D. Portion Layer Removal in Microelectronics Manufacturing D. Bradreth, R. Cohnson Surface Contamination. 1979. V. 1.

122. Duffalc J. Particulate Contamination and Device Performance J. Duffalc, J. Monkowaski Solid State Technol. 1984. V. 27, N. 3.

123. Курчаткин СП. Разработка и исследование элементов технологического процесса, определяющих электрооптические параметры жидкокристаллических индикаторов. Автореф. дисс. канд. техн. наук. Киев; ИП АНУССР, 1987. 16 с. 115. де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977. 400 с.

124. Nehring G. Analysis of Walk Boundary Coupling Effects in Liquid-Crystal Display G. Nehring, A. Kmetz, J. Scheffer J. Appl. Phys. 1976. V. 4, N. 7.

125. Bigalav L Contrast Optimization in Matrix-Addressed Liquid Crystal Displays L Bigalav, R. Kashov, G. Atein IEEE Trans Electron Dev. 1975. V. ED-22. 118. A.c. 927058 (СССР), МКИ G02F1/

126. Жидкокристаллический индикатор /В.П. Севостьянов, А.В. Аношкин. 1982. 2978595/18-25. -Бюл. №17.

127. Получение портландцементного клинкера в пучке ускоренных электронов И.Г. Абрамсон, Б.В. Волконсюий, СИ. Данюшевский и др. ДАП СССР. 1960. Т. 230, 6. С 1395-1397. 120. А.с. 608325 (СССР) Способ производства цемента A.M. Дмитриев, Ю.С Калипин, Ю.И. Лешко и др. 1976.

128. Роль радиационных дефектов в фотохимических и радиационнохимических процессах СА. Сурин, А.Д. Шуклов, Б.П. Шелимов и др. Проблемы кинетики и катализа: нестационарные и неравновесные процессы в гетерогенном катализе. М.: Наука, 1978. С 80-100.

129. Грунин B.C. О модели радиационного центра ЭПР в алюмосиликатах B.C. Грунин, В.А. Иоффе, Н.С Янчевская ФТТ. 1972. Т. 14, 7. С 21342136.

130. Установка для анализа атмосферы в вакуумных приборах и методика исследования СХ. Финкельштейн, СА. Ракитин, В.П. Севостьянов, СН. Якорев Приборы и техника эксперимента. 1999. 1. 142-144.

131. Residual Atmosphere in Vacuum Fluorescent Displays S. Finkelshtein, S. Rakitin, V. Sorokin, V. Sevostyanov Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 1999. V. 2, N. 4. P. 55-60. 333

132. Mently D. Materials Issues for Displays SID-92 Digest. P. 809-812.

133. Использование замещенных мочевин в качестве отвердителей эпоксидных олигомеров М.Ф. Сорокин, Э.Л. Германова, Н.А. Трубникова и др. М.: ВИНИТИ, 1981.

134. Заявка Японии N. 60-19106, кл. Н 01 J 31/12, 1985.

135. Заявка Японии N. 63-49546, кл. В 05 D1/26, 1988.

136. Заявка Франции N. 2344344, кл. В 05 С 5/00, 1977.

137. Заявка Франции N. 0191631, кл. В 05 D 1/40, 1986.

138. Заявка Великобритании N. 2098510, кл. В 05D 1/26, 1982.

139. Ильин В.А. Технология изготовления печатных плат. Д.: Машиностроение, 1984.-100 с.

140. Виноградов Г.В. Реология полимеров Г.В. Виноградов, А.Я. Малкин. М.: Химия, 1977.-440 с.

141. Георгиевский В.Г. Пигменты в полиграфии. М.: Искусство, 1952.- 572 с.

142. Гимпельсон В.Д. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техншш В.Д. Гимпельсон, Ю.А. Родионов. М.: Машиностроение, 1976. 328 с.

143. Нипко А.И. Конструирование и расчет вакуумных систем А.И. Пипко, В.Я. Нлисковский, Е.А. Ненчко. М.: Энергия, 1980. 372 с.

144. Пипко А.И. Основы вакуумной техни1ш А.И. Пипко, В.Я. Плисковский, Е.А. Пенчко. М.: Энергоиздат, 1981. 39. 139. Пат. 55-34405 (Япония). Жидкокристаллическая ячейка X. Тайку.

145. Блинов Л.М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. М.: Наука, 1978.-С. 155. 141. Пат. 4099550 (США). Устройство для заполнения ячеек индикатора жидкокристаллическим веш;еством Н. Матсузаки и др.

146. Воробьев Г.А. Диэлектрические свойства электроизоляционных материалов. Томск: Томский университет, 1984. 56.

147. Пасынский А.Г. Коллоидная химия. М.: Высшая школа, 1963. 121.

148. Ориентационные дефекты в серийном производстве ЖКИ СП. Курчаткин, В.П. Севостьянов, В.Я. Филипченко и др. «Электрооптика границы 149. Коряев Е.Н. Полиимидные ориентанты для жидкокристаллических индикаторов (обзор) Е.Н. Коряев, СП. Курчаткин, В.П. Севостьянов. Деп. в ВИНИТИ, 1997, 3346-В97. 20 с. 334

150. Optical and Electrooptical Properties of «Guest-Host» Effect in Twisted Liquid Crystal Layers V. Runiyantev, V. Muratov, V. Chigrinov, T. Plyusnina Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1990. V. 180B. P. 167-176.

151. Курчаткин СП. Жидкие кристаллы в капиллярных объемах: поверхностные явления и надмолекулярная структура С П Курчаткин, В.П. Севостьянов. Саратов: СЮИ МВД, 2001. 204 с.

152. Мясненков Б.И. Диэлектрические пленки в оптоэлектронике Б.И. Мясненков, В.В. Щеглов Обзоры по электронной технике. Сер. 4. М.: ЦНИИ «Электроника», 1975. 50 с.

153. Рябов Н. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления СН. Рябов, И.О. Кутолин, Н.И. Ройнин Обзоры по электронной технике. Сер. 7, вып. 20. М.: ЦНИИ «Электроника», 1981. 73 с. 152. Пат. 55-23045 (Япония). Плазмохимическая очистка стекла И. Ишии.

154. Справочник по пайке Под ред. И.Е. Петрунина. М.: Машиностроение, 1984.-398 с. 154. Пат. 55-27323 (Япония), МКИ G 02 F 1/

155. Индикатор на жидких кристаллах Асахи Гарасу К.К.-№ 50-11871; Опубл. 14.07.80. 155. А.с. 1213873 (СССР), МКИ G 02 F 1/

156. Способ создания переходного электрического контакта в индикаторах на жидких кристаллах В.П. Севостьянов, А.В. АН0Ш1ШН. Заявка 3633830/18-25; Заявл. 15.08.

158. Роде Т. Кислородосодержащие соединения и хромовые катализаторы. М.: Наука, 1982.-349 с.

159. Чернышев А.А. Гибкие производственные системы магистральное направление автоматизации производства в электронной промышленности Электронная промышленность. 1985. -Вып. 4-5. 3-6.

160. Егоров В.А. Концепция гибкой производственной системы В.А. Егоров, Ю.А. Райнов Электронная промышленность. 1985. -Вып. 4-5. 7-10.

161. Митрохин В.В. Расчет нараметров, определяюш;их работу жидкокристаллических индикаторов в мультиплексном режиме унравления /В.В. Митрохин, А.А. Макухин, В.П. Севостьянов Микроэлектроника. 1982. Т. 11, 4. С 376.

163. Михайлов A.B. Расчет контраста изображения мультиплексных жидкокристаллических устройств отображения информации Приборостроение. 1985. 6 С 81.

164. Шталь Э. Хроматография в тонких слоях. М.: Мир, 1965. 508 с.

165. Жидкокристаллические дисплеи: структура и физическая химия тонких пленок монооксида германия В.П. Севостьянов, Х. Финкельштейн, Е.Н. Коряев, А.Н. Семенов. Минск: Изд-во НПООО «Микровидеосистемы», 1998. 156 с.

166. Sevostyanov V. Study of Liquid Crystal Alignment on PCT-modified Polyimide Films Molecular Materials. 1998. V. 9. P. 157-162.

167. Курчаткин СП. Плазмохимическая модификация нолиимидных ориентантов для ЖК-индикаторов Электронная промышленность. 2000. 2. 34-35.

168. Федоров Н.Ф. Токопроводящие фосфатные цементы Пеорганические и органические покрытия Под ред. М.М. Шульца. Л.: Паука, 1975.

169. Ворончев Т.А. Физические основы электровакуумной техники Т.А. Ворончев, В.Д. Соболев. М.: Высшая школа, 1967

170. Бугаенко Л.Т. Способы передачи энергии в химии экстремальных воздействий Журн. Всесоюзного хим. о-ва. 1990. Т. 35, 5. 532-533.

171. Юткин Л.А. Электрогидравлический эффект и его применение в промышленности. Л.: Машиностроение, 1986.-253 с.

172. Севостьянов В.П. Установка электрогидравлического удара В.П. Севостьянов, А. Ракитин, П.Г. Пудовкин Приборы и техника эксперимента. 2000. 3 С 321-324.

173. Kawai S. Self-Aligned Amorphous Silicon TFT for LCD Panels Fujitsu Sci. Tech. J. 1985. V. 21, N. 2. P 204-210.

174. Amorphous Silicon Diodes and TFTs for Active Matrix Flat Panel Display Applications Appl. Phys. 1986. V. 41. P. 297-303.

175. Sevostyanov V., Semyonov A.N., and Chesnokov B.P. Electrohydraulic Blow: A New Method to Change Adsorptive Properties of Liquid Crystal Materials V. Sevostyanov, A. Semyonov, B. Chesnokov Molecular Materials. 1997. V. 9, N. 1. P. 1-5. 336

176. Кузьмин Н.Г. Знакосинтезирующая электроника: жидкокристаллические индикаторы на твист-эффекте: Учеб. нособие Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1991. 36 с. А

177. Кузьмин Н.Г. Этаны развития системы обеспечения технического уровня и качества нродукции. Система обеспечения технического уровня и качества продукции на Саратовском НО «Рефлектор» Н.Г. Кузьмин. Саратов: Изд-во «СЗ НУЛ», 1983.-83 с A

178. Севостьянов В.Н. Жидкокристаллические дисплеи: основные элементы технологии серийного производства В.Н. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, Н. Курчаткин. Минск: Нзд-во «Микровидеосистемы>>, 1998. 106 с. А 179. Жидкокристаллические дисплеи: строение, синтез, свойства жидких кристаллов В.В.Титов, В.Н. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, А.Н. Семенов. Минск: Изд-во «Микровидеосистемы», 1998.-244 с. А

180. Материалы электронной техники: вода и органические растворители Е.Н. Коряев, Н.Г. Кузьмин, М.В. Кузнецов, В.Н. Севостьянов. Саратов: Изд-во СГАН, 1999.-136 с. А

181. Знакосинтезирующая электроника: структура и физическая химия полиимидных ориентирующих пленок Е.Ю. Федоров, Е.Н. Коряев, Н.Г. Кузьмин, Т.В. Холкина. Саратов: Изд-во СГАН, 1999.-236 с. А

182. Влияние конструкции индикаторов на нроцесс заполнения Н.Г. Кузьмин, Н. Курчаткин, В.Н. Севостьянов, В.Я. Филинченко Электронная техника. 1985. Сер. 4. Вып. 6. 32-35. А

183. Кузьмин Н.Г. Адсорбционная очистка технологических вод от катионов тяжелых металлов Н.Г. Кузьмин, И.А.Никифоров, В.Н. Севостьянов Электронная промышленность. 1997. J2 2. 59-60. А

184. Кузьмин Н.Г. Формирование электропроводящего рисунка жидкокристаллических индикаторов Электронная промышленность. 1989. Вып. 6. 14-15. А

185. Очистка стеклянных подложек Н.Г. Кузьмин, А. Ракитин, В.Н. Севостьянов, Т.В. Холкина Электронная нромышленность. 2004. 2. 7174. АН. Кузьмин Н.Г. Норошковые композиции в изделиях знакосинтезирующей электроники: цементы Н.Г. Кузьмин, А.Ракитин, В.Н. Севостьянов Электронная промышленность. 2004. 2. 12-15. А

186. Контроль качества жидкокристаллических материалов в производственных условиях: химический состав Н.Г. Кузьмин, Т.В .Холкина, В.Н. Севостьянов, А. Ракитин Электронная промышленность. 2004. 2. 24-28. 337

187. Кузьмин Н.Г. Порошковые композиции в изделиях знакосинтезирующей электроники: стеклопорошки Н.Г. Кузьмин, А. Ракитин, В.П. Севостьянов Элеетронная иромышленность. 2004. 2 8-11. А

188. Кузьмин Н.Г. Норошковые композиции в изделиях знакосинтезирующей электроники: калибраторы Н.Г. Кузьмин, А.Ракитин, В.П. Севостьянов Электронная нромышленность. 2004. 2. 16-23. А

189. Кузьмина Р.И. Очистка газов от оксидов углерода и азота Р.И. Кузьмина, СЕ. Молина, Н.Г. Кузьмин Электронная промышленность. 2000.- 2.С. 72-74. А

190. Очистка газовых выбросов от оксидов углерода и азота Р.И Кузьмина, Н.Г. Кузьмин, С Е Молина, Л.Н. Мухина Электронная промышленность. 2000. -Ко 2.- 72-74. А

191. Кузьмин Н.Г. Бесфлюсовая пайка в капиллярных системах Н.Г. Кузьмин, В.Н. Севостьянов Сварочное производство. 2005.— 3. 22-24. А

192. Севостьянов В.Н. Жидкокристаллические индикаторы с повышенной эксплуатационной надежностью В.Н. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин Известия вузов. Электроника. 2004. 6. 24-26. А

193. Севостьянов В.Н. Матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим дисплеем В.Н. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин Известия вузов. Электроника. 2005. 1. 33-36. А

194. Севостьянов В.Н. Электрогидравлический эффект в технологии нроизводства изделий зпакосинтезирующей электроники В.Н. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, СА. Ракитин Известия вузов. Электроника. 2004. 6. 18-21. А

195. Контроль качества жидкокристаллических материалов в производственных условиях: диэлектрические константы В.Н. Севостьянов, Т.В Холкина, Н.Г. Кузьмин, С Н Курчаткин Электронная промышленность. 2004. 2. С 29-35. А

196. Курчаткин СН. Жидкокристаллические индикаторы: модификация ориентирующих поверхностей СН. Курчаткин, Н.Г. Кузьмин, В.Н. Севостьянов Электронная промышленность. 2004. -Ш2.- 82-89. А

197. Формирование ориентируюш;его микрорельефа методом механического натирания С Н Курчаткин, Н.Г. Кузьмин, Т.В Холкина, В.Н. Севостьянов Электронная промышленность. 2004. 2. С 75-81. А

198. Жидкокристаллические дисплеи для шахматных мини-ЭВМ В.Л. Аристов, Н.Г. Кузьмин, В.В. Митрохин, В.Н. Севостьянов Электронная промышленность. 1989.-Вып. 5 С 29-31. А

199. Финкельштейн СХ. Анализ атмосферы в камере магнетронного раснылення 1ТО-пленок СХ. Финкельштейн, Н.Г. Кузьмин, СА. Ракитин Электронная промышленность. 2004. 2. С 58-61. 338

200. Термическая стабильность электрической проводимости 1ТО-плеиок Х. Финкельштейн, В.П. Севостьянов, А. Ракитин, Н.Г. Кузьмин Электронная промышленность. 2004. 2. 55-57. А

201. Адгезионные свойства композиции «полиимид стеклонаполнитель» Т.В. Хол1шна, В.П. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, СП. Курчаткин Электронная промышленность. 2004. 2. 36-43. А

202. Курчаткин СП. Альтернативные материалы и способы создания ориентируюш;его микрорельефа в жидкокристаллических индикаторах СП. Курчаткин, Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов Электронная промышленность. 2004. 2 6 С 98-106. А

203. Запомипаюшие ЖК-индикаторы для счетчиков расхода газов, жидкостей и электроэнергии М.В. Митрохин, В.Л Аристов, Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов Электронная промышленность. 2000. 2. С 52-56. АЗО. Аношкин А.В. Технология наныления 1ТО-пленок на магпетронных установках А.В. Аношкин, Н.Г. Кузьмин Электронная промышленность. 2004. 2. С 62-70. А

204. Курчаткин С П Ориентационные дефекты каниллярной структуры жидкого кристалла в процессе введения его в межэлекгродный зазор СП. Курчаткин, Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов Электронная промышленность. 2004. Jo 2 С 90-97. А

205. Кузьмин Н.Г. Управление качеством «Саратовский вариант» Н.Г. Кузьмин Стандартизация и качество продукции в СССР. 1990. 1. С 2731. АЗЗ. Кузьмин Н.Г. Технология серийного производства жидкокристаллических индикаторов. Сообшение

206. Материалы и технология формирования токопроводяш;его контакта Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, В.Я. Филинченко Черкассы: ОНИИТЭХИМ, 1989. -Деп. 776-XII 89.-18 с. А

207. Материалы и особенности их нрименения в жидкокристаллических индикаторах. Сообш;ение

208. Ориентируюпдие плешш на основе полимерных композиций Л.Г. Зубанова, Н.Г. Кузьмин, С П Курчаткин, В.П. Севостьянов Черкассы: ОННИТЭХИМ, 1989. Деп. 779-XI 89.-16 с. A3

209. Глубокое окисление диметилформамида на модифицированных минералах Р.И. Кузьмина, Т.Г. Панина, Н.Г. Кузьмин, Т.В. Холкина Катализ в нефтехимии и экологии Под ред. проф. В.П. Севостьянова. Саратов: Изд-во СГАП, 1999.-С 128-134. А

210. Кузьмин Н.Г. Особенности использования вакуумных технологических процессов нанесения ориентируюших покрытий при создании гибких автоматизированных систем Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, В.М. Сорокин Всесоюзный семинар по оптике жидких кристаллов: Сб науч. ст. Л.: ГОИ, 1987. С 237-239. 339

211. Кузьмин Н.Г. Увеличение угла обзора жидкокристаллических модулей для табло коллективного пользования Н.Г. Кузьмин, Н. Курчаткин, В.П. Севостьянов Техника, информатика, экономика: Межотраслевой сб. М.: ВИМИ, 1989. Сер. Средства отображения информации. 2. 82-88. A3

212. Кузьмин Н.Г. Ориентация жидких кристаллов на слоях диоксида кремния, подвергнутых механическому натиранию абразивами Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, В.В. Митрохин Техника, информатика, экономика: Межотраслевой сб. М.: ВИМИ, 1989. Сер. Средства отображения информации. 2. 76-82. А

213. Технология серийного производства жидкокристаллических индикаторов. Сообщение

214. Влияние вакуума на процесс заполнения и деградацию жидких кристаллов Н.Г. Кузьмин, А.В. Рейтер, В.Н. Севостьянов, Е.Ю. Федоров Черкассы: ОНИИТЭХИМ, 1989. Деп. 777-XII 89. 22 с. А40. ЖКМ для видео- и аудиоаппаратуры. В.Л. Аристов, В.П. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, В.В. Митрохин Летняя Европейская международная конференция по Ж ДШ кристаллам: Сб. трудов. Вильнюс, 1991. 182-184. И1 М А

215. Электрооптика жидких кристаллов в условиях мультиплексного полевого воздействия В.Л. Аристов, В.П. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, В.В. Митрохин Современные средства отображения информации Под ред. А.Г. Смирнова. Минск: Изд-во «Микровидеосистемы», 1996. 78-80. А

216. Материалы и особенности их применения в жидкокристаллических индикаторах. Сообщение

217. Ориентирующие пленки на основе диоксидов германия и кремния Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, Е.Ю.Федоров, В.Я. Филипченко Черкассы: ОНИИТЭХИМ, 1989. -Деп. 778-XII 89. 18 с. А

218. Ориентация жидких кристаллов на слоях диоксида кремния подвергнутых механическому натиранию Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, СП. Курчаткин, В.Я. Филипченко Современные средства отображения информации. Минск: Издво «Микровидеосистемы», 1996. 89-90. А

219. Патент РФ 1582861. МКИ G02 F 1/

220. Способ изготовления паяного переходного контакта жидкокристаллического индикатора Н.Г. Кузьмин, С П Курчаткин, В.П. Севостьянов и др. Приоритет от 16 11.

222. Патент РФ 1762690. МКИ Н01 L21/1J

223. Способ изготовления матрицы тонкопленочных резисторов для управления жидкокристаллическим индикатором Н.Г. Кузьмин, Н.П. Абаньшин, В.П. Севостьянов и др. Приоритет от 20.03.1

224. Опубл. 13.04.1993. А46. А.с. 867168 (СССР). МКИ Н01 L21/

225. Способ изготовления жидкокристаллических устройств Курчаткин СП., Кузьмин. Н.Г., Филипченко В.И., Севостьянов В.П. Бюлл. Хе 36, 1981. А

226. Патент РФ 2176098. МКИ 7G02F1/

227. Способ проверки годности жидкокристаллических индикаторов по обрывам и коротким замыканиям 340

228. Опубл. 01.10.1990. А48. А.с. 162539 (СССР). МКИН01ВЗ/

229. Электроизоляционная герметизирующая композиция Н.Г. Кузьмин, В.П. Севостьянов, Л.В. Солодовникова и др. Приоритет от 14.03.2

231. Патент РФ 2054838. МКИ 6Н05К13/

232. Устройство для сборки корпусов жидкокристаллических индикаторов Н.Г. Кузьмин, В.А. Неказаченко. Приоритет от 01.12.1

233. Опубл. 20.02.1996. А50. А.с. 1496551 (СССР). МКИ 4H01J31/

234. Способ изготовления анодного блока вакуумного люминесцентного индикатора Н.Г.Кузьмин, Б.И. Горфинкель, Г.С. Шофман и др. Приоритет от 13.10.1

235. Опубл. 16.01.1989. А51. А.с. 1581115 (СССР). МКИ 4H01J31/

236. Способ изготовления анодной платы вакуумного люминесцентного индикатора Н.Г. Кузьмин, Б.И. Горфинкель, Г.С. Шофман и др. Приоритет от 29.10.1

238. Патент РФ 2075352. МКИ B05D1/

239. Способ нанесения покрытий путем создания мениска и устройство для его осуществления Н.Г. Кузьмин, В.А. Неказаченко, В.М. Калиниченко и др. Приоритет от 31.03.1

241. Патент РФ 2088961. МКИ 6GO2F1\

242. Жидкокристаллический индикатор и способ его изготовления Н.Г. Кузьмин, К. Бондарь, А.З. Клименко и др. Приоритет от 14.03.1

244. Патент (Промышленный образец) 41883 (РФ). МКПО 14

245. Усилитель мощности Н.Г. Кузьмин, В.В. Вунш. Приоритет от 6.06.1

246. Опубл. 26.04.1995. А55. А.с. по заявке 4327867/24-21 (СССР). Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов В.П. Севостьянов, Н.Г. Кузьмин, В.М Сорокин и др. Полож. решение 20.07.1988. А56. А.с. 1213873 (СССР). Способ создания переходного электрического контакта в индикаторах на жидких кристаллах А.В. Аношкин, В.П. Севостьянов, СП. Курчаткин. Бюлл. 7, 1986. 341

247. Воздействие влаги и очены температур па жидкокристаллические индикаторы, изготовленные на электроизоляционных герметизирующих 1.